JPH09237930A - Ase光源とこれに用いる励起光源 - Google Patents

Ase光源とこれに用いる励起光源

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JPH09237930A
JPH09237930A JP8067326A JP6732696A JPH09237930A JP H09237930 A JPH09237930 A JP H09237930A JP 8067326 A JP8067326 A JP 8067326A JP 6732696 A JP6732696 A JP 6732696A JP H09237930 A JPH09237930 A JP H09237930A
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JP
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light
ase
optical fiber
light source
doped optical
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Seiji Funakawa
清次 舩川
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光源の出射光として寄与することのなかっ
た、希土類添加光ファイバから光源の出射端と反対方向
に進行するASE光を有効に利用し、大出力のASE光
源を提供することを目的とする。 【解決手段】 希土類添加光ファイバ1と、励起光源2
と、フィルタモジュール3と、出射端4を備えたASE
光源において、希土類添加光ファイバ1で発生したAS
E光L2とASE光L4のうち出射端4と反対方向に進
行するASE光L4の進行方向を反転させるためのフィ
ルタモジュール5を希土類添加光ファイバ1のASE光
L4の進行方向側に備え、ASE光L4をASEL2と
共に出射端4から取り出させるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、光学デバイスの
測定光源として利用されるASE(Amplified Spontane
ous Emission)光源とこれに用いる励起光源に関する。
【0002】
【従来の技術】周知のように、希土類添加光ファイバ
は、励起光と呼ばれるある波長範囲の光を入射すること
により、ある波長に対して大きな利得を得ることができ
るという特性を有する。このため、利得を有する波長帯
の信号光を希土類添加光ファイバ内を通過させること
で、信号光の光強度を非常に大きくすることが可能であ
り、現在光増幅器として光通信の分野において広く利用
されている。
【0003】希土類添加光ファイバに励起光を入射した
とき、希土類添加光ファイバは利得を発生させると共に
自然放出光も発生する。発生した自然放出光は、利得の
影響を受けて光出力が増大する。このようにして発生し
た光は、Amplified Spontaneous Emission光(以下、A
SE光)と呼ばれている。
【0004】希土類添加光ファイバは、それ自身が持つ
大きな利得により大きなASE光出力を出射することが
でき、光源として使用することが可能である。図6に従
来のASE光源の構成を示す。
【0005】図6において、1は希土類添加光ファイバ
であり、2は励起光源であり、3はフィルタモジュール
であり、4は光出射端である。また、L1は励起光源2
から出射された励起光であり、L2は希土類添加光ファ
イバ1で発生したASE光であり、L3は出射端4から
出射されるASE出射光である。
【0006】励起光源2で発生した励起光L1は、希土
類添加光ファイバ1へ入射される。希土類添加光ファイ
バ1は、入射された励起光L1によりASE光L2を発
生する。希土類添加光ファイバ1で発生したASE光L
2は励起光L1と共にフィルタモジュール3に入射され
る。
【0007】フィルタモジュール3は波長選択フィルタ
を内蔵したモジュールであり、励起光L1は通過を阻止
され、ASE光L2は通過する。例えば希土類添加光フ
ァイバ1としてErドープ光ファイバを使用した場合に
は、図7に示すようなフィルタ特性を有するため、励起
光L1である1.48μm帯の光は通過を阻止され、A
SE光である1.55μm帯の光は通過する。
【0008】このようにフィルタモジュール3で励起光
L1は通過を阻止され、ASE光L2はフィルタモジュ
ール3から出射される。フィルタモジュール3から出射
されたASE光L2は、出射端4からASE出射光L3
として出射される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な構成の従来のASE光源では、出射端4から出射され
る出射光L3の光出力を大きく取るために、励起光源2
の励起光L1の強度を大きくする方法が取られていた。
しかしながら、励起光L1の強度を大きくするためには
励起光源2への供給電流を増加しなければならず、消費
電力が増大してしまう。これに伴って発熱も増大してし
まうため、動作上、安定性が損なわれる。
【0010】また、希土類添加光ファイバ1から発生し
たASE光のうち、フィルタモジュール3側に進行する
光のみを使用しているに留まり、希土類添加光ファイバ
1から励起光源2側に進行するASE光は使用されてお
らず、ASE変換効率が極めて低いものであった。
【0011】この発明は、効率よく、かつ安定に大出力
のASE光を発生することのできるASE光源を提供す
ることを第1の目的とし、さらにこのASE光源に用い
て好適な励起光源を提供することを第2の目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】この第1の目的を達成す
るために、この発明のASE光源は、所定波長の励起光
L1を発生する励起光源2と、励起光L1を入射するこ
とでASE光L2・L4を発生する希土類添加光ファイ
バ1と、希土類添加光ファイバ1のいずれか一方の端部
に配置され、希土類添加光ファイバ1から放射されるA
SE光L4を反射させるASE光反射手段5とを備え
る。
【0013】ASE光反射手段5には、励起光源2から
出射される励起光L1を通過させて希土類添加光ファイ
バ1に入射し、希土類添加光ファイバ1からのASE光
L4を反射させる波長選択フィルタを利用できる。
【0014】上記構成によるASE光源では、希土類添
加光ファイバ1内を互いに反対方向に進行するASE光
L2・L4のうちどちらか一方のASE光を、波長選択
フィルタ等のASE光反射手段5を用いて反射させるこ
とで、他のASE光L2の進行方向に一致させ、同一の
光出射端よりASE光を取り出すことができ、これによ
ってASE光源の光出力強度を増大させることができ
る。
【0015】また、第2の目的を達成するために、この
発明のASE光源に用いる励起光源6は、励起光出射部
に、内部で発生される励起光L1を通過させて出射し、
外部からのASE光L4を反射させて外部に出射する波
長選択フィルタ64を備える。
【0016】上記構成による励起光源6では、励起光出
射部に外部からのASE光L4を反射する波長選択フィ
ルタ64が配置されているため、新たに希土類添加光フ
ァイバ1の励起光入射端部との間に波長選択フィルタを
設けなくても、希土類添加光ファイバ1からのASE光
L4を反射させることができ、他のASE光L2の進行
方向に一致させ、同一の光出射端4よりASE光を取り
出せるようになる。
【0017】
【発明の実施の形態】次に、図1〜図5を参照して本発
明の実施の形態を詳細に説明する。図1は本発明による
ASE光源の第1の実施形態の構成を示すものである。
なお、図1において、図6と同一部分には同一符号を付
して示し、ここでは異なる部分について説明する。
【0018】図1で、希土類添加光ファイバ1と励起光
源2の間にはフィルタモジュール5が介在される。この
フィルタモジュール5は励起光源2から出射される励起
光L1を希土類添加光ファイバ1に導出し、希土類添加
光ファイバ1で発生され励起光源2側へ進行するASE
光L4を折り返させる機能を有する。
【0019】次に、このフィルタモジュール5の具体的
な内部構造を図2に示す。図2で、51はフィルタモジ
ュール5のケースであり、このケース51の内部には、
レンズ52および53と波長選択フィルタ54が所定の
光軸上に配置され、その光軸と交差する両端面に光ファ
イバ端部55および56が固定される。
【0020】図1の構成によるASE光源では、励起光
源2から出射された励起光L1は、フィルタモジュール
5に入射されると、図2において光ファイバ端部55よ
り内部に出射され、レンズ52により平行光とされ、波
長選択フィルタ54を通過し、レンズ53により集光さ
れ、光ファイバ端部56へ入射される。このようにして
励起光L1はフィルタモジュール5内を通過し、希土類
ドープ光ファイバ1に入射される。
【0021】図1で、希土類添加光ファイバ1に入射さ
れた励起光L1は、ASE光L2とL4を発生する。A
SE光L2はフィルタモジュール3側に進行し、ASE
光L4はフィルタモジュール5側へ進行する。
【0022】フィルタモジュール5側へ進行したASE
光L4は、フィルタモジュール5へ入射され、図2にお
いて光ファイバ端部56より出射され、レンズ53によ
り平行光とされ、波長選択フィルタ54で反射し、レン
ズ53で集光されて光ファイバ端部56へ再入射され
る。再入射されたASE光L4は希土類添加光ファイバ
1に入射される。
【0023】このように反射されたASE光L4は希土
類添加光ファイバ1内を通過し、ASE光L2と共にフ
ィルタモジュール3を通過して出射端4へ到達し、出射
端4からASE出射光L3として出射される。
【0024】したがって、上記構成によるASE光源
は、希土類添加光ファイバ1で発生するASE光L2・
L4において、出射光として取り出されるASE光L2
の進行方向と反対方向に進行するASE光L4の進行方
向を変えてASE出射光L2と合波することができ、こ
れによって大出力のASE光を効率よく発生することが
できる。また、この構成によれば、励起光L1の強度を
大きくしなくてもよいので、励起光源2への供給電流を
増加する必要がなく、発熱の増加もない。よって、低消
費電力、高安定性が期待できる。
【0025】図4はこの発明によるASE光源の第2の
実施形態の構成を示すものである。なお、図4におい
て、図1と同一部分には同一符号を付して示し、ここで
は異なる部分について説明する。
【0026】図4の構成では、第1の実施形態における
フィルタモジュール5の機能を内蔵する励起光源6を用
いた点に特徴がある。この励起光源6の具体的な構造を
図5に示す。
【0027】図5において、61は励起光源6のケース
であり、ケース61の内部には、励起光L1を発生する
半導体レーザ62と、半導体レーザ62から出射された
励起光を平行光とするレンズ63と、レンズ63から出
射される励起光を通過させ、他の波長光を反射する波長
選択フィルタ64と、フィルタ64からの光を集光する
レンズ65が所定の光軸上に配置され、その光軸と交差
する端面には希土類添加光ファイバ1に接続される光フ
ァイバ端部66が固定される。
【0028】図5の構成によるASE光源では、励起光
源6の内部において、半導体レーザ62から出射される
励起光L1は、フィルタモジュールを構成するレンズ6
3により平行光とされ、波長選択フィルタ64を通過
し、レンズ65により集光され、光ファイバ端部66へ
入射される。このようにして励起光L1はフィルタモジ
ュール部分を通過し、図1の希土類添加光ファイバ1に
入射される。
【0029】図4において、希土類添加光ファイバ1に
入射された励起光L1は、ASE光L2とL4を発生す
る。ASE光L2はフィルタモジュール3側に進行し、
ASE光L4は励起光源6側へ進行する。
【0030】励起光源6側へ進行したASE光L4は、
励起光源内部のフィルタモジュール部へ入射され、図5
において光ファイバ端部66より出射され、レンズ65
により平行光とされ、波長選択フィルタ64で反射し、
レンズ65で集光されて光ファイバ端部66へ再入射さ
れる。再入射されたASE光L4は希土類添加光ファイ
バ1に入射される。
【0031】このように反射されたASE光L4は希土
類添加光ファイバ1内を通過し、ASE光L2と共にフ
ィルタモジュール3を通過して出射端4へ到達し、出射
端4からASE出射光L3として出射される。
【0032】したがって、上記構成によるASE光源で
も、希土類添加光ファイバ1で発生するASE光L2・
L4において、出射光として取り出されるASE光L2
の進行方向と反対方向に進行するASE光L4の進行方
向を変えてASE出射光L2と合波することができ、こ
れによって大出力のASE光を効率よく発生することが
できる。この場合、励起光源6がフィルタ機能を有する
ため、図1の構成のようなフィルタモジュールを用いる
必要はなく、小型化を実現できる。
【0033】
【実施例】
(第1の実施例)図1において、希土類添加光ファイバ
1としてErドープ光ファイバを用い、励起光源2とし
て1.48μmの励起光L1を出射する半導体レーザモ
ジュールを用い、フィルタモジュール3として1.48
μm帯の波長帯の光の通過を阻止し、1.55μm帯の
波長帯の光を通過する波長選択フィルタを用い、出射端
4として反射減衰量60dB以上の光プラグを用い、フ
ィルタモジュール5として1.48μm帯の励起光を通
過し、1.55μm帯のASE光を反射する波長選択フ
ィルタを内蔵したモジュールを用いる。
【0034】このとき、L1は1.48μmの励起光で
あり、L2とL4はErドープ光ファイバ1で発生する
1.55μm帯のASE光であり、L3は光プラグ4か
ら出射されるASE出射光である。
【0035】図2において、フィルタモジュール5の波
長選択フィルタ54は、図3に示すように、1.48μ
m帯の励起光を通過し、1.55μm帯のASE光を反
射するフィルタ特性を有するものとする。
【0036】上記構成において、図1の半導体レーザモ
ジュール2から出射された1.48μm帯の励起光L1
は、フィルタモジュール5へ入射される。フィルタモジ
ュール5へ入射された励起光L1は、図2の光ファイバ
端部55から出射され、レンズ52へ入射される。レン
ズ52は励起光L1を平行光とし、波長選択フィルタ5
4を通過してレンズ53へ入射する。レンズ53は励起
光L1を集光して光ファイバ端部56へ入射する。光フ
ァイバ56へ入射された励起光L1は、図1のErドー
プ光ファイバ1へ入射される。
【0037】Erドープ光ファイバ1は励起光L1を入
射すると、内部で1.55μm帯のASE光L2とL4
を発生する。ASE光L2はフィルターモジュール3の
方向へ進行し、ASE光L4はフィルタモジュール5の
方向へ進行する。
【0038】ASE光L4はフィルタモジュール5内に
入射され、図2の光ファイバ端部56から出射され、レ
ンズ53で平行光とされる。平行光とされたASE光L
4は、波長選択フィルタ54で反射し、レンズ53で集
光され、光ファイバ端部56へ再入射される。
【0039】ここで、この実施例ではレンズ52とレン
ズ53の間が平行光となるようにレンズ52・レンズ5
3を配置し、レンズ52とレンズ53の間の任意の場所
に平行光と垂直になるように波長選択フィルタ54を配
置したが、レンズ52・レンズ53間でそれぞれの焦点
位置が一致するように集光系を形成し、その焦点位置に
波長選択フィルタ54の反射面を光軸に対して垂直に配
置しても同様の効果が得られることは自明である。
【0040】光ファイバ端部56へ再入射されたASE
光L4はASE光L2と同一の進行方向となり、図1の
Erドープ光ファイバ1内を進行し、ASE光L2と同
様にフィルタモジュール3へ入射される。
【0041】このようにして、ASE光L2とL4は、
図1のフィルタモジュール3へ入射される。一方、1.
48μm帯の励起光L1はErドープ光ファイバ1内で
減衰されるが、一部はErドープ光ファイバ1からフィ
ルタモジュール3へ入射される。フィルタモジュール3
内では1.48μm帯の励起光L1の通過を阻止するた
め、1.55μm帯のASE光L2とL4のみがフィル
タモジュール3を通過して光プラグ4へ到達し、ASE
出射光L3として出射される。
【0042】(第2の実施例)図4において、第1の実
施例と同様に、希土類添加光ファイバ1としてErドー
プ光ファイバを用い、励起光源6として1.48μmの
励起光L1を出射する半導体レーザモジュールを用い、
フィルタモジュール3として1.48μm帯の波長帯の
光の通過を阻止し、1.55μm帯の波長帯の光を通過
する波長選択フィルタを用い、出射端4として反射減衰
量60dB以上の光プラグを用いる。
【0043】図5において、励起光源6内の波長選択フ
ィルタ64は、図3に示すように、1.48μm帯の励
起光を通過し、1.55μm帯のASE光を反射するフ
ィルタ特性を有するものとする。
【0044】また、図4および図5において、L1は半
導体レーザ62から出射される1.48μmの励起光で
あり、L2・L4はErドープファイバ1で発生する
1.55μm帯のASE光であり、L3は光プラグ4か
ら出射されるASE出射光である。
【0045】図5の半導体レーザ62から出射された
1.48μm帯の励起光L1は、レンズ63により平行
光とされ、波長選択フィルタ64へ入射する。励起光L
1は、波長選択フィルタ64を通過してレンズ65で集
光され、光ファイバ端部66に入射される。このように
して図4の半導体レーザモジュール6から出射される
1.48μm帯の励起光L1は、Erドープ光ファイバ
1に入射される。
【0046】Erドープ光ファイバ1へ入射された励起
光L1は、1.55μm帯のASE光L2とL4を発生
させる。ASE光L2はフィルターモジュール3の方向
へ進行し、ASE光L4は半導体レーザモジュール6の
方向へ進行する。
【0047】ASE光L4は半導体レーザモジュール6
内に入射し、図5の光ファイバ端部66から出射され、
レンズ65で平行光とされる。平行光とされたASE光
L4は、波長選択フィルタ64で反射されてレンズ65
で集光され、光ファイバ端部66へ再入射する。
【0048】光ファイバ端部66へ再入射したASE光
L4は、ASE光L2と同一の進行方向となり、図4の
Erドープファイバ1内を進行し、ASE光L2と同様
にフィルタモジュール3へ入射する。
【0049】ASE光L2とL4は、図4のフィルタモ
ジュール3へ入射される。また、1.48μm帯の励起
光L1はErドープファイバ1内で減衰されるが一部
は、Erドープファイバ1からフィルタモジュール3へ
入射される。フィルタモジュール3内で1.48μm帯
の励起光L1は通過を阻止され、1.55μm帯のAS
E光L2とL4は、フィルタモジュール3を通過して光
プラグ4へ到達し、ASE出射光L3として出射され
る。
【0050】
【発明の効果】この発明のASE光源によれば、希土類
添加光ファイバで発生するASE光において、ASE出
射光として取り出される方向と反対方向に進行するAS
E光の進行方向をフィルタを用いて変更することで、大
出力のASE光が得られる効果がある。
【0051】また、ASE光源に用いる励起光源の内部
に、励起光の波長を通過させ、逆行するASE光の波長
域を反射させるフィルタを内蔵させることで、光源全体
を小型化できる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明によるASE光源の第1の実施形態の
構成図である。
【図2】第1の実施形態に用いるフィルタモジュールの
具体的な構成図である。
【図3】第1の実施形態に用いる波長選択フィルタの特
性例を示す図である。
【図4】この発明によるASE光源の第2の実施形態の
構成を示す図である。
【図5】第2の実施形態に用いる励起光源の具体的な構
成図である。
【図6】従来のASE光源の構成図である。
【図7】従来のASE光源に用いられる波長選択フィル
タの特性例を示す図である。
【符号の説明】
1 希土類添加光ファイバ(Erドープ光ファイバ) 2 励起光源(半導体レーザモジュール) 3 フィルタモジュール 4 出射端(光プラグ) 5 フィルタモジュール 51 ケース 52・53 レンズ 54 波長選択フィルタ 55・56 光ファイバ端部 6 励起光源 61 ケース 62 半導体レーザ 63・65 レンズ 64 波長選択フィルタ 66 光ファイバ端部 L1 励起光 L2 ASE光 L3 ASE出射光 L4 ASE光

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定波長の励起光(L1)を発生する励起光
    源(2) と、 励起光(L1)を入射することでASE(Amplified Sponta
    neous Emission)光(L2,L4) を発生する希土類添加光フ
    ァイバ(1) と、 希土類添加光ファイバ(1) のいずれか一方の端部に配置
    され、希土類添加光ファイバ(1) から放射されるASE
    光(L4)を反射させるASE光反射手段(5) とを備えるこ
    とを特徴とするASE光源。
  2. 【請求項2】 請求項1において、ASE光反射手段
    (5) は、励起光源(2)から出射される励起光(L1)を通過
    させて希土類添加光ファイバ(1) に入射し、希土類添加
    光ファイバ(1) からのASE光(L4)を反射させる波長選
    択フィルタであることを特徴とするASE光源。
  3. 【請求項3】 所定波長の励起光(L1)を発生する励起光
    源(6) と、 励起光(L1)を入射することでASE(Amplified Sponta
    neous Emission)光(L2,L4) を発生する希土類添加光フ
    ァイバ(1) とを備え、 励起光源(6) は、内部の励起光出射部に、励起光(L1)を
    通過させて希土類添加光ファイバ(1) に出射し、希土類
    添加光ファイバ(1) からのASE光(L4)を反射させて希
    土類添加光ファイバ(1) に出射する波長選択フィルタ(6
    4)を備えることを特徴とするASE光源。
  4. 【請求項4】 希土類添加光ファイバ(1) の一方端に光
    結合され、希土類添加光ファイバ(1) にASE(Amplif
    ied Spontaneous Emission)光(L2,L4) を発生させる励
    起光を発生するASE光源に用いる励起光源(6) におい
    て、 励起光出射部に、励起光(L1)を通過させて希土類添加光
    ファイバ(1) に出射し、希土類添加光ファイバ(1) から
    のASE光(L4)を反射させて希土類添加光ファイバ(1)
    に出射する波長選択フィルタ(64)を備えることを特徴と
    するASE光源に用いる励起光源。
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