JPH09236789A - 液晶駆動方法及び液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表示品位が低下することなく従来より低電圧
で駆動可能な液晶駆動方法及び液晶表示装置の提供。 【解決手段】 本発明は、表示信号の電圧振幅の最大値
ＶSIG(P-P)を、液晶層の透過率が飽和する電圧Ｖsat よ
り小さくしたものである。従来のＶSIG(P-P)は、Ｖsat
と等しい。例えば、Ｖsat が４Ｖであるとすると、従来
のＶSIG(P-P)は４Ｖでり、本発明のＶSIG(P-P)は４Ｖ以
下、例えばロジック系と同様の３．３Ｖ程度とすること
ができる。本発明では、従来と同じ液晶を用いることが
できるため、表示品位が低下することはない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶テレビ
やパーソナルコンピュータの表示部等に使われる液晶の
液晶駆動方法及び液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の分野における表示装置として
は、大容量化かつ高密度化の要望が強い。アクティブマ
トリクス型液晶表示装置は、かかる要望に応えるものと
して開発化及び実用化が盛んに行われている。このよう
な表示装置では、クロストークのない高コントラスト表
示が行えるように、各画素の駆動制御を行う手段として
半導体スイッチが用いられる。半導体スイッチとして
は、透過型表示が可能であり大面積化も容易である等の
理由から、透明絶縁基板上に形成した薄膜トランジスタ
が通常用いられている。なかでも、大面積基板上に形成
できかつ低温プロセスが可能である等の理由から、アモ
ルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタ（以下、
「ＴＦＴ」と呼ぶ。）が現在主流である。

【０００３】図１０は従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の１画素の電気的等価回路図である。

【０００４】図１０に示すように、第１のガラス基板
（図示を省略）上にマトリクス状に形成された信号線Ｘ
i と走査線Ｙi との各交差部近傍には画素電極（図示を
省略）とＴＦＴ２とが形成されている。ＴＦＴ２のドレ
イン電極は画素電極に、ソース電極は信号線Ｘi に、ゲ
ート電極は走査線Ｙi に接続されている。

【０００５】第１のガラス基板と対向して配置された第
２のガラス基板（図示を省略）上に対向電極３が形成さ
れ、第１のガラス基板と第２のガラス基板との間に液晶
層４が挟持されている。

【０００６】また、ＴＦＴ２のドレイン電極は、補助容
量５を介して共通補助容量電極６に接続されている。補
助容量電極６は、対向電極３と同位相、同振幅の信号が
与えられる。つまり、ＴＦＴ２のドレイン電極と対向電
極３、共通補助容量電極６との間に、液晶層４と補助容
量５とが並列に接続されている。

【０００７】なお、符号７はＴＦＴ２のゲート電極と画
素電極と画素電極を兼ねたソース電極とが重なりを有す
ること等により生ずるゲート・ソース間の寄生容量を示
す。図１１は従来から使用されている液晶表示装置の電
圧一透過率特性（光応答特性）の一例を示した図であ
る。

【０００８】図１１において、Ｘ軸は液晶層４に印加さ
れる電圧ＶLCM 、Ｙ軸は相対透過率Ｔを示している。こ
こでは、電圧が印加されない状態で透過率が最大（白表
示）のいわゆるノーマリーホワイトモード（ＮＷモー
ド）の場合について示している。ＶLCM がしきい値電圧
Ｖth以下では透過率は変化せず（Ｔ＝１００％）、また
飽和電圧Ｖsat 以上では透過率はほぼ飽和する（Ｔ≦
０．５％）。

【０００９】図１２は従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の駆動波形及び液晶層に印加される電圧波形
の一例である。

【００１０】図１２（Ａ）はＮＷモードにおける黒表示
（オン状態）を、図１２（Ｂ）は白表示（オフ状態）の
場合を示している。

【００１１】ＶGATEは、走査線Ｙi を介してＴＦＴ２の
ゲート電極に印加される走査信号を示している。走査信
号ＶGATEは、１フィールド周期で繰り返される選択走査
パルスを有する。ＴＦＴ２は、選択走査パルスが印加さ
れたときオン状態になる。

【００１２】ＶCOM は、対向電極３に印加される対向電
極電位を示している。対向電極電位ＶCOM は、１水平査
線期間（Ｔh ）毎に極性が反転し、かつ１フィールド
（Ｔf）毎に極性が反転する。

【００１３】ＶSIG は、信号線Ｘi 及びＴＦＴ２を介し
て画素電極に印加される表示信号を示している。表示信
号ＶSIG は、黒表示の場合は対向電極電位ＶCOM と逆極
性の信号電圧ＶSIG(ON) 、白表示の場合は対向電極電位
ＶCOM と同極性の信号電圧ＶSIG(OFF)とされる。

【００１４】ＶPIXEL は、表示信号ＶSIG が印加された
画素電極の画素電極電位を示している。

【００１５】ΔＶPIXEL は、ゲート・ソース間の寄生容
量７の影響により生ずるＶPIXEL のレベルシフトを示し
ている。なお、ΔＶPIXEL は、液晶層４の容量値に依存
し、ΔＶPIXEL (ON)＜ΔＶPIXEL (Off) となるが、図１
１では簡略化のため、ΔＶPIXEL (ON)＝ΔＶPIXEL (Of
f) ＝ΔＶPIXEL として図示している。

【００１６】ここで、ＶCOM の振幅ＶCOM(P-P)とＶSIG
の振幅ＶSIG(P-P)は、電圧源を共有することから、一般
的にはほぼ同じ値に設定される。また、ＶCOM の振幅Ｖ
COM(P-P)の中心電位は、ＶSIG の振幅ＶSIG(P-P)の中心
電位に対しΔＶPIXEL だけ低い値に設定される。

【００１７】図１２に示す斜線部は、｜ＶPIXEL −ＶCO
M ｜を示しており、これが液晶層４に印加される電圧Ｖ
LCM である。ＶLCM は、黒表示の場合はＶSIG(P-P)、白
表示の場合は０Ｖとなる。

【００１８】ところで、このような駆動が行われる液晶
表示装置においては、例えば２００程度の十分なコント
ラスト比を得るためには、つまり図１１において０．５
％程度の透過率を得るためには、Ｖsat すなわちＶSIG
(P-P)及びＶCOM(P-P)を４Ｖ程度以上に設定する必要が
ある。

【００１９】一方、近年においては、電源電圧の低電圧
化が進んでおり、ロジック系の電源電圧は、従来の５Ｖ
に対し３．３Ｖが一般的となっている。

【００２０】これに対して、液晶パネルの駆動系の電源
電圧は、上述したようにＶsat が４Ｖ程度であるため、
従来からの５Ｖ電源電圧を用いざるを得なかった。

【００２１】しかしながら、ロジック系と液晶パネル駆
動系の電源電圧を共通にしたいという要求が次第に強く
なってきている。

【００２２】液晶パネル駆動系の電源電圧を低電圧化す
るための一手段としてＶsat が低い液晶材料を用いるこ
とが考えられ、実際にＶsat が３Ｖ程度の液晶材料も開
発されているが、Ｖsat の低い液晶材料は原理的に誘電
率の異方性が大きくなるため、液晶に印加される直流成
分を緩和するためにより大きな補助容量が必要となり、
画素開口率が低下する。また、応答速度が遅くなり、透
過率の温度依存性も大きくなる。さらに、透過率の変化
する電圧の幅（ダイナミックレンジ）が現行の３Ｖに対
し２Ｖ程度と狭くなるために、ＩＣの出力バラツキ等に
起因する表示むらも発生しやすくなる等、表示品位が低
下するという問題点を有している。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる課題
を解決するためになされたもので、表示品位が低下する
ことなく従来より低電圧で駆動可能な液晶駆動方法及び
液晶表示装置を提供することを目的としている。

【００２４】本発明の別の面からみた目的は、従来と同
等の表示品位を維持したままロジック系と液晶パネル駆
動系の電源電圧を共通にすることができる液晶駆動方法
及び液晶表示装置を提供することにある。

【００２５】さらに、本発明の目的は、フリッカの発生
を防止しつつ、上記の目的を達成できる液晶駆動方法及
び液晶表示装置を提供することにある。

【００２６】また、本発明の目的は、１００以上のコン
トラスト比を得ながら、上記の目的を達成できる液晶駆
動方法及び液晶表示装置を提供することにある。

【００２７】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、図
１に示すように、表示信号の電圧振幅の最大値ＶSIG(P-
P)を、液晶層の飽和電圧Ｖsat より小さくしたものであ
る。従来のＶSIG(P-P)は、Ｖsat と等しい。例えば、Ｖ
sat が４Ｖであるとすると、従来のＶSIG(P-P)は４Ｖで
り、本発明のＶSIG(P-P)は４Ｖ以下、例えばロジック系
と同様の３．３Ｖ程度とすることができる。本発明で
は、従来と同じ液晶を用いることができるため、表示品
位が低下することはない。

【００２８】ここで、請求項１記載の液晶駆動方法は、
画素電極と対向電極間に挟持された液晶層に、しきい値
電圧と飽和電圧の間の電圧を印加して階調制御を行うこ
とにより前記液晶層を駆動する方法であって、表示信号
の電圧振幅の最大値が、前記液晶層の飽和電圧より小さ
いことを特徴とする。

【００２９】請求項２記載の液晶駆動方法は、液晶層を
画素電極と対向電極間に挟持し、前記画素電極に表示信
号を印加して液晶を駆動する方法であって、前記表示信
号の電圧振幅の最大値が、飽和電圧より小さく、前記画
素電極と対向電極間で前記液晶層に対して印加される電
圧の最小値が、しきい値電圧よりも小さく、前記画素電
極と対向電極間で前記液晶層に対して印加される電圧の
最大値が、前記飽和電圧よりも大きいことを特徴とす
る。

【００３０】請求項３記載の液晶駆動方法は、液晶層を
画素電極と対向電極間に挟持し、前記画素電極に表示信
号を印加すると共に前記対向電極に１フィールド毎で極
性が反転する対向電極電位を印加して液晶を駆動する方
法であって、前記表示信号の電圧振幅の最大値が、（飽
和電圧−しきい値電圧）であり、前記対向電極電位が、
（飽和電圧＋しきい値電圧）であることを特徴とする。

【００３１】請求項４記載の液晶駆動方法は、液晶層を
画素電極と対向電極間に挟持し、前記画素電極に表示信
号を印加すると共に前記対向電極に１水平走査期間毎に
極性が反転しかつ１フィールド毎で極性が反転する対向
電極電位を印加して液晶を駆動する方法であって、前記
表示信号の電圧振幅の最大値が、（飽和電圧−しきい値
電圧）であり、前記対向電極電位が、（飽和電圧＋しき
い値電圧）であることを特徴とする。

【００３２】請求項５記載の液晶駆動方法は、液晶層を
画素電極と対向電極間に挟持し、前記画素電極に１フィ
ールド毎に基準電位が変化する表示信号を印加すると共
に前記対向電極に一定の電位の対向電極電位を印加して
液晶を駆動する方法であって、前記表示信号の電圧振幅
の最大値が、（飽和電圧−しきい値電圧）であり、前記
表示信号の基準電位の変化が、（飽和電圧＋しきい値電
圧）であることを特徴とする。

【００３３】請求項６記載の液晶駆動方法は、請求項２
〜５記載の液晶駆動方法において、前記しきい値電圧に
おける相対透過率が１％以下であり、前記飽和電圧にお
ける相対透過率がほぼ１００％であることを特徴とす
る。

【００３４】請求項７記載の液晶表示装置は、複数の信
号線と複数の走査線とがマトリクス状に配置され、信号
線と走査線との各交差部近傍に画素電極とドレイン電極
が画素電極に接続されソース電極が信号線に接続されゲ
ート電極が走査線に接続された薄膜トランジスタとが配
置された第１の基板と、前記第１の基板と対向して配置
され、前記第１の基板との対向面に対向電極が配置され
た第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との
間に挟持された液晶層と、前記信号線及び前記薄膜トラ
ンジスタを介して前記各画素電極に、電圧振幅の最大値
が飽和電圧より小さい表示信号を印加する駆動手段とを
具備する。

【００３５】

【発明の実施の形態】

（第１の実施の形態）図２に第１の実施の形態に係るア
クティブマトリクス型液晶表示装置の構成を示す。図３
は図２における１画素の電気的等価回路図である。

【００３６】これらの図に示すように、第１のガラス基
板１０上に信号線Ｘi と走査線Ｙiマトリクス状に形成
されている。信号線Ｘi と走査線Ｙi との各交差部近傍
には画素電極１１とＴＦＴ１２とが形成されている。Ｔ
ＦＴ１２のドレイン電極は画素電極１１に、ソース電極
は信号線Ｘi に、ゲート電極は走査線Ｙi に接続されて
いる。

【００３７】第１のガラス基板１０と対向して配置され
た第２のガラス基板１３上に対向電極１４が形成され、
第１のガラス基板１０と第２のガラス基板１３との間に
液晶層１５が挟持されている。

【００３８】また、ＴＦＴ１２のドレイン電極は、補助
容量（Ｃｓ）１６を介して共通補助容量電極１７に接続
されている。補助容量電極１７は、対向電極１４と同位
相、同振幅の信号が与えられる。つまり、ＴＦＴ１２の
ドレイン電極と対向電極１４、共通補助容量電極１７と
の間に、液晶層１５と補助容量１６とが並列に接続され
ている。

【００３９】なお、図３の符号１８はＴＦＴ１２のゲー
ト電極と画素電極１１と画素電極１１を兼ねたソース電
極とが重なりを有すること等により生ずるゲート・ソー
ス間の寄生容量を示す。

【００４０】信号線Ｘi は、信号線駆動回路１９に接続
されている。信号線駆動回路１９は、各信号線Ｘi に表
示信号を印加する。表示信号の電圧振幅とは、この信号
線駆動回路１９の出力の振幅である。

【００４１】走査線Ｙi は、走査線駆動回路２０に接続
されている。走査線駆動回路２０は、走査線Ｙi に走査
信号を印加する。

【００４２】対向電極１４は、対向電極駆動回路２１に
接続されている。対向電極駆動回路２１は、対向電極１
４に対向電極電位を印加する。

【００４３】信号線駆動回路１９、走査線駆動回路２０
及び対向電極駆動回路２１は、制御回路２２に接続され
ている。制御回路２２は、各回路の駆動を制御する。

【００４４】図４はこの例において使用した液晶材料、
配向膜、偏光板の組み合わせにおける液晶層の電圧一透
過率特性（光応答特性）の一例を示した図である。

【００４５】図４において、Ｘ軸は液晶層１５に印加さ
れる電圧ＶLCM 、Ｙ軸は相対透過率Ｔを示している。こ
こでは、電圧が印加されない状態で透過率が最大（白表
示）のいわゆるノーマリーホワイトモード（ＮＷモー
ド）の場合について示している。ＶLCM がしきい値電圧
Ｖth以下では透過率は変化せず（Ｔ＝１００％）、また
飽和電圧Ｖsat 以上では透過率はほぼ飽和する（Ｔ≦
０．５％）。ここでは、Ｖth＝１．ＯＶ、Ｖsat ＝４．
０Ｖ、ダイナミックレンジ（液晶層の透過率が変化する
領域）＝Ｖsat −Ｖthと定義する。

【００４６】図５はこの例における駆動波形及び液晶層
に印加される電圧波形である。

【００４７】図５（Ａ）はＮＷモードにおける黒表示
（オン状態）を、図５（Ｂ）は白表示（オフ状態）の場
合を示している。

【００４８】ＶGATEは、走査線Ｙi を介してＴＦＴ１２
のゲート電極に印加される走査信号を示している。走査
信号ＶGATEは、１フィールド周期で繰り返される選択走
査パルスを有する。ＴＦＴ１２は、選択走査パルスが印
加されたときオン状態になる。 ＶCOM は、対向電極１
４に印加される対向電極電位を示している。対向電極電
位ＶCOM は、１水平査線期間（Ｔh ）毎に極性が反転
し、かつ１フィールド（Ｔf ）毎に極性が反転する。

【００４９】ＶSIG は、信号線Ｘi 及びＴＦＴ１２を介
して画素電極１１に印加される表示信号を示している。
表示信号ＶSIG は、黒表示の場合は対向電極電位ＶCOM
と逆極性の信号電圧ＶSIG(ON) 、白表示の場合は対向電
極電位ＶCOM と同極性の信号電圧ＶSIG(OFF)とされる。

【００５０】ＶPIXEL は、表示信号ＶSIG が印加された
画素電極１１の画素電極電位を示している。

【００５１】ΔＶPIXEL は、ゲート・ソース間の寄生容
量１８の影響により生ずるＶPIXELのレベルシフトを示
している。なお、ΔＶPIXEL は、液晶層１５の容量値に
依存し、ΔＶPIXEL (ON)＜ΔＶPIXEL (Off) となるが、
図５では簡略化のため、ΔＶPIXEL (ON)＝ΔＶPIXEL (O
ff) ＝ΔＶPIXEL として図示している。

【００５２】図５に示す斜線部は、｜ＶPIXEL −ＶCOM
｜を示しており、これが液晶層１５に印加される電圧Ｖ
LCM である。白表示の場合はＶLCM(off)≦Ｖth、黒表示
の場合はＶLCM(on) ≧Ｖsat となるようにＶSIG(P-P)及
びＶCOM(P-P)を設定すれば十分なコントラスト比を得る
ことができる。

【００５３】この例では、ＶSIG の振幅ＶSIG(P-P)を液
晶層１５の電圧一透過率特性におけるダイナミックレン
ジ（Ｖsat −Ｖth）と同じ３Ｖに設定し、ＶCOM の振幅
ＶCOM(P-P)には（Ｖsat ＋Ｖth）に相当する５Ｖを印加
した。このときの電圧一透過率特性を図６に示す。図６
において、Ｘ軸は表示信号電圧ＶSIG （ＶLCM ）、Ｙ軸
は相対透過率Ｔである。液晶層１５に印加される電圧Ｖ
LCM は、黒表示（ＶLCM(on) ）のとき４Ｖとなり、その
場合の相対透過率はＴ≦０．５％となり、２００以上の
コントラスト比の値を得ることができる。また、液晶層
１５に印加される電圧ＶLCM は、白表示（ＶLCM(off)）
のとき１Ｖとなり、その場合の相対透過率はＴ＝１００
％となる。

【００５４】この例では、ＶSIG(P-P)＝Ｖsat −Ｖth、
ＶCOM(P-P)＝Ｖsat ＋Ｖthに設定したが、ＶLCM(on) ≧
Ｖsat 、ＶLCM(off)≦Ｖthとなればよく、特に上記の条
件に限定されない。

【００５５】また、この例では、対向電極電位ＶCOM が
１水平査線期間（Ｔh ）毎に極性が反転し、かつ１フィ
ールド（Ｔf ）毎に極性が反転する場合について示した
が、単に対向電極電位が１フィールド毎に極性反転する
場合においても同様に本発明を適用できる。

【００５６】さらに、この例では、液晶層に電圧が印加
されない状態で透過率が最太（白表示）となるＮＷモー
ドを用いたが、液晶層に電圧が印加されない状態で透過
率が最小（黒表示）となるノーマリーブラックモード
（ＮＢモード）を用いても同様の効果が得られる。

【００５７】なお、この例では、ＶSIG(P-P)を小さくす
る代わりにＶCOM(P-P)を大きくしたが、対向電極電位を
供給する回路よりも信号電圧を供給する回路の方が電圧
振幅による消費電力の増減が大きいため、ＶCOM(P-P)を
大きくしたことにより消費電力が増加することはなかっ
た。

【００５８】（第２の実施の形態）図７に第２の実施の
形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置におけ
る１画素の電気的等価回路図を示す。

【００５９】第１の実施の形態におけるアクティブマト
リクス型液晶表示装置ではＴＦＴ１２のソース電極が補
助容量（Ｃｓ）１６を介して共通補助容量電極１７に接
続されていたが、図７に示すアクティブマトリクス型液
晶表示装置ではｉ行目のＴＦＴ１２のソース電極が補助
容量（Ｃｓ）２３を介してｉ−１行目の走査線Ｙi-1に
接続されている点が異なる。

【００６０】この場合、ｉ−１行目のＶGATEは、図８に
示すようにオフレベルにおいてｉ行目のＶCOM と同位
相、同振幅とする必要があるが、基本的には第１の実施
の形態と同様に本発明の効果を奏する。

【００６１】（第３の実施の形態）第３の実施の形態に
係るアクティブマトリクス型液晶表示装置は、第１の実
施の形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置と
同じ電気的等価回路を持つが、その駆動方法が異なる。

【００６２】図９に示すように、この駆動方法は、対向
電極電位ＶCOM は一定電位で、表示信号が基準電位ＶSI
G-B に対して振幅ＶSIG(P-P)で駆動され、かつＶSIG-B
が１フィールド毎に変化している。

【００６３】ここで、ＶSIG(P-P)をＶsat −Ｖth、ＶSI
G-B の振幅ＶSIG-B(P-P)をＶsat ＋Ｖthに設定すること
により、基本的には第１の実施の形態と同様に本発明の
効果を奏する。

【００６４】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
図１に示したように、表示信号の電圧振幅の最大値ＶSI
G(P-P)を液晶層の透過率が飽和する電圧Ｖsat より小さ
くしたので、比較的高い駆動電圧で駆動する従来の液晶
をそのまま使用でき、これにより表示品位が低下するこ
となく従来より低電圧で駆動できる。従って、ロジック
系の電源電圧が低電圧化した場合であっても、この低電
圧化した電源電圧を液晶パネル駆動系の電源電圧として
共有することができる。つまり、電源を単一化できる。

【００６５】本発明を駆動信号の極性を反転させる液晶
表示装置に適用すれば、フリッカの発生を防止しつつ、
かつ表示品位が低下することなく従来より低電圧で駆動
を可能とすることができる。

【００６６】本発明において、相対透過率を１％以下と
なるように駆動電圧を設定すれば、１００以上のコント
ラスト比を得ながら、従来より低電圧で駆動を可能とす
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を説明するための図である。

【図２】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス
型液晶表示装置の構成を示す図である。

【図３】図２における１画素の電気的等価回路図であ
る。

【図４】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス
型液晶表示装置の電圧一透過率特性の一例を示した図で
ある。

【図５】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス
型液晶表示装置の駆動波形及び液晶層に印加される電圧
波形である。

【図６】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス
型液晶表示装置において各部の電圧を所定値としたとき
の電圧一透過率特性を示した図である。

【図７】第２の実施の形態に係るアクティブマトリクス
型液晶表示装置における１画素の電気的等価回路図であ
る。

【図８】第２の実施の形態に係るアクティブマトリクス
型液晶表示装置の駆動波形及び液晶層に印加される電圧
波形である。

【図９】第３の実施の形態に係るアクティブマトリクス
型液晶表示装置の駆動波形及び液晶層に印加される電圧
波形である。

【図１０】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の１画素の電気的等価回路図である。

【図１１】従来から使用されている液晶表示装置の電圧
一透過率特性の一例を示した図である。

【図１２】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の駆動波形及び液晶層に印加される電圧波形の一例であ
る。

【符号の説明】

ＶSIG(P-P) 表示信号の電圧振幅の最大値 Ｖsat 液晶層の透過率が飽和する電圧 １０ 第１のガラス基板 １１ 画素電極 １２ ＴＦＴ １３ 第２のガラス基板 １４ 対向電極 １５ 液晶層 １６ 補助容量（Ｃｓ） １７ 共通補助容量電極 １８ ゲート・ソース間の寄生容量 １９ 信号線駆動回路 ２０ 走査線駆動回路 ２１ 対向電極駆動回路 ２２ 制御回路 Ｘi 信号線 Ｙi 走査線

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画素電極と対向電極間に挟持された液晶
   層に、しきい値電圧と飽和電圧の間の電圧を印加して階
   調制御を行うことにより前記液晶層を駆動する方法であ
   って、 表示信号の電圧振幅の最大値が、前記液晶層の飽和電圧
   より小さいことを特徴とする液晶駆動方法。
2. 【請求項２】 液晶層を画素電極と対向電極間に挟持
   し、前記画素電極に表示信号を印加して液晶を駆動する
   方法であって、 前記表示信号の電圧振幅の最大値が、飽和電圧より小さ
   く、 前記画素電極と対向電極間で前記液晶層に対して印加さ
   れる電圧の最小値が、しきい値電圧よりも小さく、 前記画素電極と対向電極間で前記液晶層に対して印加さ
   れる電圧の最大値が、前記飽和電圧よりも大きいことを
   特徴とする液晶駆動方法。
3. 【請求項３】 液晶層を画素電極と対向電極間に挟持
   し、前記画素電極に表示信号を印加すると共に前記対向
   電極に１フィールド毎で極性が反転する対向電極電位を
   印加して液晶を駆動する方法であって、 前記表示信号の電圧振幅の最大値が、（飽和電圧−しき
   い値電圧）であり、 前記対向電極電位が、（飽和電圧＋しきい値電圧）であ
   ることを特徴とする液晶駆動方法。
4. 【請求項４】 液晶層を画素電極と対向電極間に挟持
   し、前記画素電極に表示信号を印加すると共に前記対向
   電極に１水平走査期間毎に極性が反転しかつ１フィール
   ド毎で極性が反転する対向電極電位を印加して液晶を駆
   動する方法であって、 前記表示信号の電圧振幅の最大値が、（飽和電圧−しき
   い値電圧）であり、 前記対向電極電位が、（飽和電圧＋しきい値電圧）であ
   ることを特徴とする液晶駆動方法。
5. 【請求項５】 液晶層を画素電極と対向電極間に挟持
   し、前記画素電極に１フィールド毎に基準電位が変化す
   る表示信号を印加すると共に前記対向電極に一定の電位
   の対向電極電位を印加して液晶を駆動する方法であっ
   て、 前記表示信号の電圧振幅の最大値が、（飽和電圧−しき
   い値電圧）であり、 前記表示信号の基準電位の変化が、（飽和電圧＋しきい
   値電圧）であることを特徴とする液晶駆動方法。
6. 【請求項６】 請求項２〜５記載の液晶駆動方法におい
   て、 前記しきい値電圧における相対透過率が１％以下であ
   り、前記飽和電圧における相対透過率がほぼ１００％で
   あることを特徴とする液晶駆動方法。
7. 【請求項７】 複数の信号線と複数の走査線とがマトリ
   クス状に配置され、信号線と走査線との各交差部近傍に
   画素電極とドレイン電極が画素電極に接続されソース電
   極が信号線に接続されゲート電極が走査線に接続された
   薄膜トランジスタとが配置された第１の基板と、 前記第１の基板と対向して配置され、前記第１の基板と
   の対向面に対向電極が配置された第２の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液
   晶層と、 前記信号線及び前記薄膜トランジスタを介して前記各画
   素電極に、電圧振幅の最大値が飽和電圧より小さい表示
   信号を印加する駆動手段とを具備することを特徴とする
   液晶表示装置。