JPH09232866A - Local oscillation circuit and manufacture thereof - Google Patents

Local oscillation circuit and manufacture thereof

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JPH09232866A
JPH09232866A JP8036043A JP3604396A JPH09232866A JP H09232866 A JPH09232866 A JP H09232866A JP 8036043 A JP8036043 A JP 8036043A JP 3604396 A JP3604396 A JP 3604396A JP H09232866 A JPH09232866 A JP H09232866A
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JP
Japan
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microstrip line
solder
local oscillator
circuit
oscillator circuit
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Application number
JP8036043A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuya Miki
和哉 三木
Kenichi Inoue
健一 井上
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPH09232866A publication Critical patent/JPH09232866A/en
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237High frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a local oscillation circuit which is capable of coping with the oscillation frequency bands of a wide range by applying soldering on a microstrip line to be a central conductor to change the oscillation frequency band. SOLUTION: In a local oscillation circuit having the central conductor part formed by a microstrip line L on a printed board 1, solder 4 is applied on the microstrip line L to be the central conductor part to change an oscillation frequency band. In the method, the solder application is performed at the same time when the solder application on the patterns for other chip mount parts on the same board.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は衛星放送受信機のD
BSチューナー等に使用される局部発振回路に関し、特
にその中心導体としてプリント基板上に形成されたマイ
クロストリップラインを用いた局部発振回路及びその製
造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a satellite broadcast receiver D.
The present invention relates to a local oscillator circuit used in a BS tuner or the like, and more particularly to a local oscillator circuit using a microstrip line formed on a printed circuit board as its central conductor and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】衛星放送受信機に使用されるDBSチュ
ーナーの局部発振回路について、図6を参照して説明す
る。図6は従来の局部発振回路の回路図である。図6の
局部発振回路は、中心導体Lとバリキャップダイオード
D1、D2から構成されるλ/2共振回路を有してい
る。また、TR1は発振用トランジスタ、C1及びC2
は帰還容量、R1,R2,R3はバイアス用抵抗、C3
は結合コンデンサ、C4及びC5はバイパスコンデン
サ、R4及びR5は抵抗である。Vinはこの局部発振
回路に対する電圧印加用の端子、Vccは定電圧入力端
子である。
2. Description of the Related Art A local oscillator circuit of a DBS tuner used in a satellite broadcast receiver will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a circuit diagram of a conventional local oscillator circuit. The local oscillation circuit of FIG. 6 has a λ / 2 resonance circuit composed of a center conductor L and varicap diodes D1 and D2. TR1 is an oscillating transistor, and C1 and C2.
Is a feedback capacitance, R1, R2 and R3 are bias resistors, C3
Is a coupling capacitor, C4 and C5 are bypass capacitors, and R4 and R5 are resistors. Vin is a terminal for applying a voltage to this local oscillation circuit, and Vcc is a constant voltage input terminal.

【0003】ここで、この局部発振回路は比較的高い周
波数を発振させるものであるので、中心導体Lとしてプ
リント基板上に形成されたマイクロストリップラインを
使用している。
Since this local oscillator oscillates a relatively high frequency, a microstrip line formed on a printed board is used as the center conductor L.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の局部
発振回路に必要な発振周波数(1429.5MHz〜2
529.5MHz)の帯域幅は1100MHz程度であ
ったが、昨今の多チャンネル化に伴いDBSチューナー
の入力周波数帯域が拡大されたため(発振周波数が13
79.5MHz〜2629.5MHz)、発振周波数帯
域幅を1250MHz程度に広げる必要がでてきた。こ
れに対応するには以下のような方法が従来取られてい
た。
By the way, the oscillation frequency (1429.5 MHz to 2) required for the conventional local oscillation circuit is used.
The bandwidth of 529.5 MHz was about 1100 MHz, but the input frequency band of the DBS tuner was expanded with the recent increase in the number of channels (oscillation frequency is 13
(79.5 MHz to 2629.5 MHz), and the oscillation frequency bandwidth needs to be expanded to about 1250 MHz. To deal with this, the following methods have been conventionally used.

【0005】まず、図6の回路はλ/2共振回路10を
有する回路であるが、これを簡単のため図7に示すよう
なλ/4共振回路を有する回路で疑似的に考える。図7
において、λ/4共振回路11は、中心導体Lとバリキ
ャップコンデンサCBとから構成されている。図6と同
一機能部分には同一記号を付している。
First, the circuit of FIG. 6 is a circuit having a λ / 2 resonance circuit 10, but for simplification, this is considered as a circuit having a λ / 4 resonance circuit as shown in FIG. 7 in a pseudo manner. Figure 7
In, the λ / 4 resonance circuit 11 is composed of a center conductor L and a varicap capacitor C B. The same functional parts as those in FIG. 6 are denoted by the same symbols.

【0006】ここで、点線で囲んだ箇所の容量をC0
すると、図7の回路の共振周波数は、周知の公式に従っ
て、 1/(ω×(CB+C0))=Z0×tan(2×π×l/λ)・・・式(1) で表わされる。
Here, assuming that the capacitance surrounded by the dotted line is C 0 , the resonance frequency of the circuit of FIG. 7 is 1 / (ω × (C B + C 0 )) = Z 0 × tan according to a well-known formula. (2.times..pi..times.l / .lamda.) ... expressed by equation (1).

【0007】ここで、 ω:角周波数(ω=2×π×f、f:共振周波数) C(=CB+C0):共振容量 Z0:特性インピーダンス l:中心導体の長さ λ:波長 である。Here, ω: angular frequency (ω = 2 × π × f, f: resonance frequency) C (= C B + C 0 ): resonant capacitance Z 0 : characteristic impedance l: length of center conductor λ: wavelength Is.

【0008】式(1)は、文献「トランジスタ回路設計
マニュアル」の224ページ 宮崎源太郎 日下晴夫著
オーム社刊から引用した。
The formula (1) is cited from page 224 of the document "Transistor Circuit Design Manual" by Gentaro Miyazaki, Haruo Kusaka, Ohmsha.

【0009】従って、例えば共振容量Cを変化させるこ
とによって共振周波数を変化させることができることが
わかる。
Therefore, it is understood that the resonance frequency can be changed by changing the resonance capacitance C, for example.

【0010】図7では、CBとして、逆バイアス電圧に
よって容量値の変わるバリキャップダイオードを使用す
ることにより発振周波数を変えられるようにしている。
しかしながら、このバリキャップダイオードCBのC−
V特性は、逆バイアス電圧の大きな領域では容量変化が
小さくなる特性を示し、そのため発振周波数が殆ど変化
しなくなる。そこで、発振周波数の帯域幅を拡大するた
めにはこのバリキャップダイオードCBの容量変化比の
大きいものを使用すればよいが、一般的に容量変化比の
大きいバリキャップダイオードはrs(直列等価抵抗)
が大きくなり発振停止を起こしやすいという問題点があ
る。
In FIG. 7, the oscillation frequency can be changed by using a varicap diode whose capacitance value changes with the reverse bias voltage as C B.
However, C- of this varicap diode C B
The V characteristic shows a characteristic that the capacitance change is small in a region where the reverse bias voltage is large, and therefore the oscillation frequency hardly changes. Therefore, in order to expand the bandwidth of the oscillation frequency, a varicap diode C B having a large capacitance change ratio may be used. Generally, a varicap diode having a large capacitance change ratio is rs (series equivalent resistance). )
Is large and oscillation stop easily occurs.

【0011】また、fT(トランジション周波数)の高
いトランジスタを使用する方法もあるが、価格的に高価
になり製品のコストアップにつながってしまう。
There is also a method of using a transistor having a high f T (transition frequency), but the cost is high and the cost of the product is increased.

【0012】そこで、本発明の目的は、上記のように容
量変化比の大きいバリキャップダイオードやfTの高い
トランジスタを使用することなく、広範囲の発振周波数
帯域に対応できる局部発振回路を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a local oscillation circuit capable of supporting a wide range of oscillation frequency bands without using a varicap diode having a large capacitance change ratio or a transistor having a high f T as described above. It is in.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の請求項1は、プリント基板上にマイクロスト
リップラインで形成した中心導体を有する局部発振回路
において、発振周波数帯域を変化させるために前記中心
導体となるマイクロストリップライン上に半田を塗布し
てなることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the first aspect of the present invention is to change the oscillation frequency band in a local oscillation circuit having a center conductor formed of a microstrip line on a printed circuit board. Further, it is characterized in that solder is applied on the microstrip line serving as the central conductor.

【0014】請求項2による局部発振回路は、衛星放送
受信機のDBSチューナー内の局部発振回路であること
を特徴とする。
A local oscillator circuit according to a second aspect is a local oscillator circuit in a DBS tuner of a satellite broadcast receiver.

【0015】請求項3は、プリント基板上にチップマウ
ント部品及びマイクロストリップラインで形成した中心
導体を有する局部発振回路の製造方法において、前記チ
ップマウント部品を搭載するプリント基板のパターン部
に対する半田塗布と同時に、前記マイクロストリップラ
イン上への半田塗布を行うことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in a method of manufacturing a local oscillation circuit having a chip mount component and a central conductor formed of a microstrip line on a printed circuit board, solder coating is applied to a pattern portion of a printed circuit board on which the chip mount component is mounted. At the same time, the solder is applied onto the microstrip line.

【0016】請求項4は、請求項3に記載の局部発振回
路の製造方法において、前記チップマウント部品を搭載
するプリント基板のパターン部及び前記マイクロストリ
ップラインに対応させて設けた開口部を有するスクリー
ンマスクを備え、前記スクリーンマスクを介して前記パ
ターン部及びマイクロストリップラインに半田塗布を行
うことを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a local oscillator circuit according to the third aspect, a screen having a pattern portion of a printed board on which the chip mount component is mounted and an opening portion provided corresponding to the microstrip line. A mask is provided, and solder is applied to the pattern portion and the microstrip line through the screen mask.

【0017】請求項5は、請求項4に記載の局部発振回
路の製造方法において、前記スクリーンマスクの前記マ
イクロストリップラインに対応する開口部の大きさを変
化させることにより、前記半田塗布量を調整することを
特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a local oscillator circuit according to the fourth aspect, the solder coating amount is adjusted by changing the size of the opening of the screen mask corresponding to the microstrip line. It is characterized by doing.

【0018】以下各請求項による作用を説明する。The operation of each claim will be described below.

【0019】請求項1によれば、中心導体となるマイク
ロストリップラインに半田を塗布するので、マイクロス
トリップラインの銅箔厚みを厚くできる。
According to the first aspect, since the solder is applied to the microstrip line serving as the central conductor, the copper foil thickness of the microstrip line can be increased.

【0020】このように、銅箔厚みを厚くするとマイク
ロストリップラインの特性インピーダンスは小さくな
る。そして、特性インピーダンスが小さくなると共振周
波数帯域幅が大きくなる。つまり、銅箔厚みを厚くする
ことによって共振周波数帯域幅を大きくすることができ
る。
As described above, increasing the copper foil thickness reduces the characteristic impedance of the microstrip line. Then, as the characteristic impedance decreases, the resonance frequency bandwidth increases. That is, the resonance frequency bandwidth can be increased by increasing the thickness of the copper foil.

【0021】これによって、容量変化比の大きいバリキ
ャップダイオードやfTの高いトランジスタを使用する
ことなく、広範囲の発振周波数帯域に対応できる局部発
振回路を容易かつ安価に提供することができる。また、
半田の塗布量を変えることによって、マイクロストリッ
プラインの厚みを自在に変えられるので、周波数帯域の
調整も容易に行える。
With this, it is possible to easily and inexpensively provide a local oscillation circuit capable of supporting a wide range of oscillation frequency bands without using a varicap diode having a large capacitance change ratio or a transistor having a high f T. Also,
Since the thickness of the microstrip line can be freely changed by changing the application amount of solder, the frequency band can be easily adjusted.

【0022】このような周波数帯域幅の拡大を図れるこ
とは、請求項2に示すように、特に近年多チャンネル化
が図られ入力周波数帯域が拡大されているDBSチュー
ナに用いて有用である。例えば、従来であれば、周波数
帯域幅が1100MHz程度(1429.5MHz〜2
529.5MHz)であったものが、昨今の多チャンネ
ル化に伴いDBSチューナーの入力周波数帯域が拡大さ
れたため、局部発振回路の発振周波数帯域幅を1250
MHz(1379.5MHz〜2629.5MHz)と
する必要がある。これに対し、従来構造の局部発振回路
では特に上限の2629.5MHzを発振させることは
困難であったが、本発明によれば簡単な構造でこの発振
を容易に達成できる。
The ability to expand the frequency bandwidth in this way is particularly useful for a DBS tuner in which the number of channels has been increased in recent years and the input frequency band has been expanded, as shown in claim 2. For example, in the conventional case, the frequency bandwidth is about 1100 MHz (1429.5 MHz to 2
However, since the input frequency band of the DBS tuner has been expanded with the recent increase in the number of channels, the oscillation frequency bandwidth of the local oscillator circuit has been increased to 1250 MHz.
MHz (1379.5 MHz to 2629.5 MHz) is required. On the other hand, it is difficult to oscillate the upper limit of 2629.5 MHz in the local oscillation circuit having the conventional structure, but according to the present invention, this oscillation can be easily achieved with a simple structure.

【0023】請求項3によれば、他のチップマウント部
品のパターン部への半田塗布と同時に、中心導体部とな
るマイクロストリップラインへの半田塗布を行うので、
従来の工程に比し大幅な変更もなく容易に実現できる。
According to the third aspect, the solder is applied to the microstrip line serving as the central conductor portion at the same time as the solder is applied to the pattern portion of the other chip mount component.
It can be easily realized without significant changes compared to conventional processes.

【0024】具体的には、請求項4のように、スクリー
ンマスクに他のチップマウント部品のパターン部への開
口部と同様に、マイクロストリップラインに対応する開
口部を穿設し、この上から半田塗布をするだけの簡単な
変更のみで実現できる。
Specifically, as described in claim 4, an opening corresponding to a microstrip line is formed in the screen mask similarly to the opening to the pattern portion of another chip mounting component, and the opening is formed from above. This can be achieved by simply changing the solder coating.

【0025】請求項5によれば、マイクロストリップラ
インに対応する開口部の面積を変えるだけで、半田の厚
みを自在に変えることができる。即ち、周波数帯域幅の
調整を容易に行える。
According to the fifth aspect, the thickness of the solder can be freely changed only by changing the area of the opening corresponding to the microstrip line. That is, the frequency bandwidth can be easily adjusted.

【0026】なお、ここで開口部をマイクロストリップ
ラインよりも小さい面積とした場合でも、チップマウン
ト部品を基板に搭載してリフロー加熱する場合の基板加
熱工程において、半田は速やかにマイクロストリップラ
イン上に広がり均一な半田層となる。
Even when the opening has an area smaller than that of the microstrip line, the solder is promptly placed on the microstrip line in the substrate heating step when the chip mount component is mounted on the substrate and the reflow heating is performed. Spreads and becomes a uniform solder layer.

【0027】逆に、開口部の面積をマイクロストリップ
ラインよりも若干大きくしても、リフロー加熱の際にマ
イクロストリップライン周辺の半田もマイクロストリッ
プライン上に吸収されてさらに層厚を増すことができ
る。
On the contrary, even if the area of the opening is slightly larger than that of the microstrip line, the solder around the microstrip line is absorbed on the microstrip line during reflow heating, and the layer thickness can be further increased. .

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】本発明の特徴は、衛星放送受信用
のDBSチューナーに使用される局部発振回路内の中心
導体としてマイクロストリップラインを使用した回路構
成において、局部発振回路の発振周波数帯域幅を広くす
るために、マイクロストリップラインのインピーダンス
を低くするようにした点である。具体的には、マイクロ
ストリップライン上に半田塗布を行うようにしている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The feature of the present invention is that the oscillation frequency bandwidth of a local oscillator circuit is used in a circuit configuration in which a microstrip line is used as a central conductor in a local oscillator circuit used in a DBS tuner for satellite broadcast reception. In order to widen the impedance, the impedance of the microstrip line is lowered. Specifically, solder is applied on the microstrip line.

【0029】以下、具体的に説明する。A detailed description will be given below.

【0030】局部発振回路の発振周波数は、式(1)か
ら示されるように特性インピーダンスZ0を変えること
によっても変化する。発明者はこの点に着目した。
The oscillation frequency of the local oscillator circuit is also changed by changing the characteristic impedance Z 0 as shown in the equation (1). The inventor paid attention to this point.

【0031】まず、特性インピーダンスに関わるマイク
ロストリップライン部の構造は図1のようである。図1
はマイクロストリップラインL上に半田塗布を行った本
実施例の最終構造であるが、まず、この半田塗布がない
状態で考える。
First, the structure of the microstrip line portion related to the characteristic impedance is as shown in FIG. FIG.
Is the final structure of the present embodiment in which solder is applied on the microstrip line L. First, let us consider the state without this solder application.

【0032】図1に示すように、プリント基板1の基材
2(誘電体:比誘電率ε)の表裏には導体3が形成され
ている。ここで、誘電体となるプリント基板1の基材2
の厚みをh、マイクロストリップラインLの銅箔厚みを
t、幅をwとする。
As shown in FIG. 1, conductors 3 are formed on the front and back of a base material 2 (dielectric: relative permittivity ε) of a printed circuit board 1. Here, the base material 2 of the printed circuit board 1 serving as a dielectric
Is h, the copper foil thickness of the microstrip line L is t, and the width is w.

【0033】このような構造において、プリント基板1
上のマイクロストリップラインLの特性インピーダンス
0は周知の公式に従って、 Z0=42.4/(ε+1)1/2×ln(1+(4h/W’) ×(b+(b2+a×π21/2))・・・式(2) で表わされる。
In such a structure, the printed circuit board 1
The characteristic impedance Z 0 of the upper microstrip line L is Z 0 = 42.4 / (ε + 1) 1/2 × ln (1+ (4h / W ′) × (b + (b 2 + a × π 2 ) according to a well-known formula. ) 1/2 )) ... Represented by formula (2).

【0034】ここで、W’=W+a×ΔW ΔW=t/π(1+ln(4/(t/h)2+1/(π
(W/t+1.1))21/2)) a=(1+1/ε)/2 b=(14+8/ε)/11×4×h/W’ ε:基板の比誘電率 である。
Here, W ′ = W + a × ΔW ΔW = t / π (1 + ln (4 / (t / h) 2 + 1 / (π
(W / t + 1.1)) 2 ) 1/2 )) a = (1 + 1 / ε) / 2 b = (14 + 8 / ε) / 11 × 4 × h / W ′ ε: relative permittivity of the substrate.

【0035】この式(2)は、文献「高周波回路の設計
と実装」の26ページ 宮本幸彦著日本放送出版協会
より引用した。
This equation (2) is given on page 26 of the document “Design and Implementation of High-Frequency Circuits” written by Yukihiko Miyamoto, Japan Broadcasting Corporation.
More quoted.

【0036】式(2)をみればわかるように、特性イン
ピーダンスZ0はマイクロストリップラインLの銅箔の
厚みtによっても変化する。図2は、式(2)に基づい
て銅箔厚みtと特性インピーダンスZ0との関係を示し
た特性図である。図2から明らかなように、銅箔厚みt
を大きくすることによって特性インピーダンスZ0を小
さくできることがわかる。
As can be seen from the equation (2), the characteristic impedance Z 0 also changes depending on the thickness t of the copper foil of the microstrip line L. FIG. 2 is a characteristic diagram showing the relationship between the copper foil thickness t and the characteristic impedance Z 0 based on the equation (2). As is clear from FIG. 2, the copper foil thickness t
It can be seen that the characteristic impedance Z 0 can be reduced by increasing the value.

【0037】一方、特性インピーダンスZ0と共振周波
数帯域幅とは以下のような関係がある。
On the other hand, the characteristic impedance Z 0 and the resonance frequency bandwidth have the following relationship.

【0038】ここで、図3を参照して説明する。図3は
式(1)の特性インピーダンスZ0をパラメーターとし
た時の共振周波数fと共振容量C(=CB+C0)の関係
を示す。例えば、共振容量Cが外部の印加電圧によりC
a(pF)からCb(pF)へ変化したとすると、共振
周波数はZ0=100(Ω)の時f1からf2に変化し、
0=75(Ω)の時f3からf4に変化する。ここで、
それぞれの共振周波数帯域幅はΔf21=f2−f1=11
50MHz、Δf43=f4−f3=1300MHzとな
る。
Here, description will be made with reference to FIG. FIG. 3 shows the relationship between the resonance frequency f and the resonance capacitance C (= C B + C 0 ) when the characteristic impedance Z 0 of the equation (1) is used as a parameter. For example, the resonance capacitance C is C
If a (pF) changes to Cb (pF), the resonance frequency changes from f 1 to f 2 when Z 0 = 100 (Ω),
When Z 0 = 75 (Ω), it changes from f 3 to f 4 . here,
Each resonance frequency bandwidth is Δf 21 = f 2 −f 1 = 11
50 MHz and Δf 43 = f 4 −f 3 = 1300 MHz.

【0039】即ち、特性インピーダンスZ0が小さくな
ると共振周波数帯域幅が大きくなる(この例では150
MHz拡大)ことがわかる。
That is, as the characteristic impedance Z 0 decreases, the resonance frequency bandwidth increases (150 in this example).
MHz expansion).

【0040】以上をまとめると、前述のように中心導体
となるマイクロストリップラインLの銅箔厚みtを大き
くすることによって特性インピーダンスZ0を小さくで
きることがわかった。そして、上述のように特性インピ
ーダンスZ0が小さくなると共振周波数帯域幅が大きく
なる。つまり、マイクロストリップラインLの銅箔厚み
tを厚くすることによって共振周波数帯域幅を大きくで
きることがわかる。
To summarize the above, it was found that the characteristic impedance Z 0 can be reduced by increasing the copper foil thickness t of the microstrip line L serving as the central conductor as described above. Then, as described above, the resonance frequency bandwidth increases as the characteristic impedance Z 0 decreases. That is, it can be seen that the resonance frequency bandwidth can be increased by increasing the copper foil thickness t of the microstrip line L.

【0041】そして、本発明においては図1に示すよう
に、この銅箔厚みtの厚膜化をマイクロストリップライ
ンL上に半田4を塗布することによって実現している。
In the present invention, as shown in FIG. 1, the thickening of the copper foil thickness t is realized by applying the solder 4 on the microstrip line L.

【0042】なお、単にマイクロストリップラインLを
従来よりも厚膜にすることによっても発振周波数帯域幅
の拡大は図れるが、通常、マイクロストリップラインL
が形成されているプリント基板1上には、他の局部発振
回路を構成するチップマウント部品等も搭載されてい
る。従って、これらのチップマウント部品を搭載するた
めのパターン等をそのままにして、マイクロストリップ
ラインLのみの厚膜化を図るようにすることは、コスト
アップにつながり望ましくない。
Although the oscillation frequency bandwidth can be expanded by simply making the microstrip line L thicker than before, the microstrip line L is usually used.
On the printed circuit board 1 on which are formed, chip mount parts and the like which form other local oscillation circuits are also mounted. Therefore, it is not desirable to increase the cost by increasing the film thickness of only the microstrip line L while leaving the pattern or the like for mounting these chip mount components as it is.

【0043】また、プリント基板の段階でマイクロスト
リップラインLの厚みが決まっていると、各種の局部発
振回路に応じた設計変更を行えないのに対し、本発明の
方法によれば、各回路に応じてマイクロストリップライ
ンLの厚みを自在に調整できるという利点がある。
Further, if the thickness of the microstrip line L is determined at the stage of the printed circuit board, the design change cannot be made according to various local oscillation circuits, whereas according to the method of the present invention, each circuit can be changed. Accordingly, there is an advantage that the thickness of the microstrip line L can be freely adjusted.

【0044】図4は、図1に示すマイクロストリップラ
インL上に半田4を約500μm塗布した場合の、同調
電圧と局部発振回路の発振周波数との関係を示した特性
図である。図中、点線Pが半田を塗布しない従来構造、
実線Qが半田を塗布した本発明の構造である。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the tuning voltage and the oscillation frequency of the local oscillation circuit when the solder 4 is applied to the microstrip line L shown in FIG. 1 by about 500 μm. In the figure, a dotted line P indicates a conventional structure in which solder is not applied,
The solid line Q is the structure of the present invention in which solder is applied.

【0045】図4において、横線A及びBはそれぞれ、
昨今必要とされている発振周波数の上限及び下限(26
29.5MHz及び1379.5MHz)を示したライ
ンである。図面から明らかなように、半田を塗布しない
従来の特性Pでは、同調電圧を30V程度に上げてもA
のラインにまで発振周波数が上げられないことがわか
る。つまり、所定の発振周波数を発生させることができ
ない。一方、半田を塗布した本発明の特性では、同調電
圧を約23VとすることによりAラインに達することが
わかる。このように、本発明によれば、従来達成できな
かった発振周波数を極めて簡易な変更で得ることが可能
になる。
In FIG. 4, horizontal lines A and B respectively indicate
The upper and lower limits of the oscillation frequency required recently (26
29.5 MHz and 1379.5 MHz). As is clear from the drawing, with the conventional characteristic P in which solder is not applied, even if the tuning voltage is raised to about 30V, A
It can be seen that the oscillation frequency cannot be increased to the line. That is, the predetermined oscillation frequency cannot be generated. On the other hand, according to the characteristics of the present invention in which solder is applied, it can be seen that the line A is reached when the tuning voltage is set to about 23V. As described above, according to the present invention, it is possible to obtain an oscillation frequency which has not been achieved conventionally by a very simple change.

【0046】また、同一発振周波数を得るための同調電
圧については、従来よりも低く設定でき省電力化に寄与
できる。例えばCのラインの周波数(発振周波数:2.
5MHz)を得るための同調電圧は、従来特性であれば
約21Vであるのに対して、本発明の特性であれば約1
8.5Vでよい。
Further, the tuning voltage for obtaining the same oscillation frequency can be set lower than in the prior art, which can contribute to power saving. For example, the frequency of the line of C (oscillation frequency: 2.
The tuning voltage for obtaining (5 MHz) is about 21 V in the case of the conventional characteristic, whereas it is about 1 V in the case of the characteristic of the present invention.
8.5V may be sufficient.

【0047】さらに、図4からも明らかなことである
が、従来の特性に比較して本発明の特性の傾きの方が大
きい。つまり、同一範囲の同調電圧(図3では共振容
量)に対する発振周波数の変化が大きいので、小さい同
調電圧変化で広い発振周波数帯域幅をカバーできる。
Further, as is clear from FIG. 4, the slope of the characteristic of the present invention is larger than that of the conventional characteristic. That is, since the change in the oscillation frequency with respect to the tuning voltage in the same range (resonance capacitance in FIG. 3) is large, a wide oscillation frequency bandwidth can be covered with a small change in the tuning voltage.

【0048】ところで、上記実施例は半田を約500μ
m塗布した場合であって、半田厚みによって当然ながら
特性は若干変動する。しかし、図2からもわかるよう
に、半田厚みをある程度以上の厚み、例えば約1000
μmとしてもインピーダンスZ0の変化(低下)はあま
り生じない。つまり、大幅な発振周波数帯域幅の増加は
期待できない。
By the way, in the above embodiment, about 500 μ of solder is used.
In the case of m coating, the characteristics naturally slightly change depending on the solder thickness. However, as can be seen from FIG. 2, the solder thickness is set to a certain thickness or more, for example, about 1000
Even if it is set to μm, the change (reduction) of the impedance Z 0 hardly occurs. That is, a large increase in the oscillation frequency bandwidth cannot be expected.

【0049】実験の結果では、約500μm以上の半田
塗布によって確実に前記ラインA、B間の発振周波数帯
域を確保できることを確認している。
The results of the experiment confirm that it is possible to reliably secure the oscillation frequency band between the lines A and B by applying solder of about 500 μm or more.

【0050】上記の半田塗布は、例えば以下のようにし
て行う。
The above-mentioned solder application is performed as follows, for example.

【0051】まず、マイクロストリップラインLを形成
しているプリント基板1と同一基板上には、通常、局部
発振回路を構成する他のチップマウント部品が搭載、固
定される。これらのチップマウント部品の固定のために
は、半田固定の前工程としてチップマウント部品用の基
板パターンに対してクリーム半田を塗布する工程があ
る。そして、このクリーム半田塗布後に基板全体をリフ
ローを通して加熱することによって半田固定が完了す
る。本発明によるマイクロストリップラインLへの半田
塗布はこのクリーム半田塗布と同時に行う。
First, other chip mount components constituting a local oscillation circuit are usually mounted and fixed on the same substrate as the printed circuit board 1 on which the microstrip line L is formed. In order to fix these chip mount parts, there is a step of applying cream solder to the board pattern for the chip mount parts as a pre-process of fixing the solder. Then, after the cream solder is applied, the entire substrate is heated by reflowing to complete the solder fixing. The solder application to the microstrip line L according to the present invention is performed at the same time as the cream solder application.

【0052】即ち、他のチップマウント部品に対するク
リーム半田用のスクリーンマスクのマイクロストリップ
ラインLの相当部に開口部を設けておき、チップマウン
ト部品用のクリーム半田塗布と同時に、このマイクロス
トリップラインにもクリーム半田塗布を行う。ここで、
特性インピーダンスZ0の大きさを調整するには、半田
の塗布量を制御すればよいが、そのためには、スクリー
ンマスクの開口部の面積を変えることによって行える。
That is, an opening is provided at a portion corresponding to the microstrip line L of the screen solder for cream soldering with respect to other chip mounting parts, and at the same time when the cream soldering for chip mounting parts is applied, this microstrip line is also formed. Apply cream solder. here,
To adjust the magnitude of the characteristic impedance Z 0, the amount of solder applied may be controlled, but this can be done by changing the area of the opening of the screen mask.

【0053】つまり、図5に示すように、スクリーンマ
スク5にはマイクロストリップラインLの面積よりも小
さい開口部6を設けておき、この状態で半田塗布を行
う。半田4はマイクロストリップラインLの内側部のみ
に塗布されるが、チップマウント部品を基板に搭載した
後に行うリフロー工程では、プリント基板1が加熱され
るので、この半田4は速やかにマイクロストリップライ
ンLの導体表面全体に広がり、均一な半田層となる。
That is, as shown in FIG. 5, the screen mask 5 is provided with an opening 6 smaller than the area of the microstrip line L, and solder application is performed in this state. The solder 4 is applied only to the inner side of the microstrip line L. However, in the reflow process performed after mounting the chip mount component on the substrate, the printed circuit board 1 is heated, so that the solder 4 is quickly applied to the microstrip line L. And spreads over the entire conductor surface to form a uniform solder layer.

【0054】なお、ここではマイクロストリップライン
Lはコの字状のものを使用する場合を示している。この
構造では、スクリーンマスクの状態でR部が剥離してし
まうことのないように、開口部6に橋渡し7を設けた形
状としている。
Here, the microstrip line L shows the case of using a U-shape. In this structure, a bridge 7 is provided in the opening 6 so that the R portion is not peeled off in the state of the screen mask.

【0055】上記とは逆に、開口部6の面積をマイクロ
ストリップラインLよりも若干大きくしても、リフロー
加熱の際にマイクロストリップラインL周辺の半田4も
マイクロストリップラインL上に吸収されてさらに層厚
を増すことができる。
Contrary to the above, even if the area of the opening 6 is made slightly larger than the microstrip line L, the solder 4 around the microstrip line L is also absorbed on the microstrip line L during reflow heating. Further, the layer thickness can be increased.

【0056】以上のような方法によれば、マイクロスト
リップラインLに対する半田塗布のための新たな工程を
設ける必要がなく、従来の製造工程そのままでよいので
大幅なコストアップがない。
According to the method described above, it is not necessary to provide a new process for applying solder to the microstrip line L, and the conventional manufacturing process can be used as it is, so that there is no significant increase in cost.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、簡
易な構造の変更によって、従来構造では対応できなかっ
た広範囲の発振周波数の発生が可能な局部発振回路を実
現できる。また、従来と同一の発振周波数帯域幅に対し
ては、発振周波数発生のための印加電圧を低くすること
ができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to realize a local oscillation circuit capable of generating a wide range of oscillation frequencies which cannot be dealt with by the conventional structure, by simply changing the structure. Further, the applied voltage for generating the oscillation frequency can be lowered for the same oscillation frequency bandwidth as the conventional one.

【0058】しかも、この構造は従来の製造プロセスを
ほとんど変更することがないので、大きなコストアップ
をすることなく実現できる。
Moreover, since this structure hardly changes the conventional manufacturing process, it can be realized without a large increase in cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例による局部発振回路のマイク
ロストリップライン部の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a microstrip line portion of a local oscillator circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】マイクロストリップラインの銅箔厚みと局部発
振回路の特性インピーダンスとの関係を示した特性図で
ある。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing the relationship between the copper foil thickness of the microstrip line and the characteristic impedance of the local oscillation circuit.

【図3】局部発振回路の共振周波数と共振容量との関係
を示した特性図である。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing a relationship between a resonance frequency and a resonance capacitance of a local oscillation circuit.

【図4】図1の構造による効果を示すための、局部発振
回路の同調電圧と発振周波数との関係を示す特性図であ
る。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the tuning voltage and the oscillation frequency of the local oscillation circuit for showing the effect of the structure of FIG.

【図5】本発明の一実施例による局部発振回路の製造方
法を説明するための上面図である。
FIG. 5 is a top view for explaining the method for manufacturing the local oscillator circuit according to the embodiment of the present invention.

【図6】従来例による局部発振回路の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a local oscillator circuit according to a conventional example.

【図7】図6の回路を簡略化した回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram in which the circuit of FIG. 6 is simplified.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プリント基板 4 半田 5 スクリーンマスク 6 開口部 L マイクロストリップライン 1 Printed Circuit Board 4 Solder 5 Screen Mask 6 Opening L Micro Strip Line

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 プリント基板上にマイクロストリップラ
インで形成した中心導体を有する局部発振回路におい
て、発振周波数帯域を変化させるために前記中心導体と
なるマイクロストリップライン上に半田を塗布してなる
ことを特徴とする局部発振回路。
1. A local oscillation circuit having a central conductor formed of a microstrip line on a printed circuit board, wherein solder is applied on the microstrip line serving as the central conductor in order to change the oscillation frequency band. Characteristic local oscillator circuit.
【請求項2】 前記局部発振回路は、衛星放送受信機の
DBSチューナー内の局部発振回路であることを特徴と
する請求項1に記載の局部発振回路。
2. The local oscillator circuit according to claim 1, wherein the local oscillator circuit is a local oscillator circuit in a DBS tuner of a satellite broadcast receiver.
【請求項3】 プリント基板上にチップマウント部品及
びマイクロストリップラインで形成した中心導体を有す
る局部発振回路の製造方法において、 前記チップマウント部品を搭載するプリント基板のパタ
ーン部に対する半田塗布と同時に、前記マイクロストリ
ップライン上への半田塗布を行うことを特徴とする局部
発振回路の製造方法。
3. A method of manufacturing a local oscillation circuit having a chip mount component and a center conductor formed of a microstrip line on a printed circuit board, wherein the solder is applied to a pattern portion of a printed circuit board on which the chip mount component is mounted, and at the same time. A method for manufacturing a local oscillation circuit, comprising applying solder onto a microstrip line.
【請求項4】 請求項3に記載の局部発振回路の製造方
法において、前記チップマウント部品を搭載するプリン
ト基板のパターン部及び前記マイクロストリップライン
に対応させて設けた開口部を有するスクリーンマスクを
備え、前記スクリーンマスクを介して前記パターン部及
びマイクロストリップラインに半田塗布を行うことを特
徴とする局部発振回路の製造方法。
4. The method for manufacturing a local oscillator circuit according to claim 3, further comprising a screen mask having an opening provided corresponding to the pattern portion of the printed board on which the chip mount component is mounted and the microstrip line. A method for manufacturing a local oscillator circuit, characterized in that solder is applied to the pattern portion and the microstrip line through the screen mask.
【請求項5】 請求項4に記載の局部発振回路の製造方
法において、前記スクリーンマスクの前記マイクロスト
リップラインに対応する開口部の大きさを変化させるこ
とにより、前記半田塗布量を調整することを特徴とする
局部発振回路の製造方法。
5. The method of manufacturing a local oscillator circuit according to claim 4, wherein the solder coating amount is adjusted by changing the size of the opening corresponding to the microstrip line of the screen mask. A method of manufacturing a local oscillation circuit having a feature.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015172683A (en) * 2014-03-12 2015-10-01 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 Optical module
WO2017109974A1 (en) * 2015-12-25 2017-06-29 株式会社日立製作所 Semiconductor device and semiconductor breakage prognostic system

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