JPH09232552A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH09232552A JPH09232552A JP8065366A JP6536696A JPH09232552A JP H09232552 A JPH09232552 A JP H09232552A JP 8065366 A JP8065366 A JP 8065366A JP 6536696 A JP6536696 A JP 6536696A JP H09232552 A JPH09232552 A JP H09232552A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shielding film
- light shielding
- light
- patterning
- state image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】固体撮像素子に関し、例えばＣＣＤ固体撮像素
子に適用して、遮光膜表面の反射率を低減して簡易かつ
確実にパターンニングできるようにする。 【解決手段】表面に酸化タングステン膜２２を形成した
タングステン層により遮光膜２１を形成する。
子に適用して、遮光膜表面の反射率を低減して簡易かつ
確実にパターンニングできるようにする。 【解決手段】表面に酸化タングステン膜２２を形成した
タングステン層により遮光膜２１を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子に関
し、例えばＣＣＤ固体撮像素子に適用して、表面に酸化
タングステン膜を形成したタングステン層により遮光膜
を形成し、これにより遮光膜表面の反射率を低減して簡
易かつ確実にパターンニングできるようにする。
し、例えばＣＣＤ固体撮像素子に適用して、表面に酸化
タングステン膜を形成したタングステン層により遮光膜
を形成し、これにより遮光膜表面の反射率を低減して簡
易かつ確実にパターンニングできるようにする。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＣＤ固体撮像素子においては、
光電変換部間に配置した電極を遮光膜により覆い、これ
により光電変換部で生成された蓄積電荷を確実に転送す
るようになされている。
光電変換部間に配置した電極を遮光膜により覆い、これ
により光電変換部で生成された蓄積電荷を確実に転送す
るようになされている。
【０００３】すなわち図３は、この種のＣＣＤ固体撮像
素子を示す平面図である。ＣＣＤ固体撮像素子１は、フ
ォトセンサでなる光電変換部２がマトリックス状に配置
されると共に、水平方向に連続するこれら光電変換部２
間に、垂直転送部３が配置され、この垂直転送部３の下
端に、水平転送部４が配置される。ここで光電変換部２
は、入射光を光電変換して蓄積電荷を生成する。各垂直
転送部３は、各光電変換部２の蓄積電荷を一定周期で読
み出し、読み出した蓄積電荷を水平転送部４に順次転送
する。水平転送部４は、垂直転送部３より転送される蓄
積電荷を電荷検出部５に向かって順次転送し、電荷検出
部５は、この蓄積電荷を電気信号に変換して出力する。
素子を示す平面図である。ＣＣＤ固体撮像素子１は、フ
ォトセンサでなる光電変換部２がマトリックス状に配置
されると共に、水平方向に連続するこれら光電変換部２
間に、垂直転送部３が配置され、この垂直転送部３の下
端に、水平転送部４が配置される。ここで光電変換部２
は、入射光を光電変換して蓄積電荷を生成する。各垂直
転送部３は、各光電変換部２の蓄積電荷を一定周期で読
み出し、読み出した蓄積電荷を水平転送部４に順次転送
する。水平転送部４は、垂直転送部３より転送される蓄
積電荷を電荷検出部５に向かって順次転送し、電荷検出
部５は、この蓄積電荷を電気信号に変換して出力する。
【０００４】光電変換部２を中心にしてＡ−Ａ断面によ
り水平方向に断面を取って図４に示すように、垂直転送
部３及び水平転送部４は、所定のプロセスにより作成さ
れた半導体基板７のチャンネル上に、例えばＣＶＤによ
り作成した絶縁膜８を間に挟んで、一部重なり合うよう
に、順次ポリシリコン等による転送電極９を配列して形
成される。遮光膜１０は、続いて絶縁層を間に挟んで、
シリサイドを含むアルミニューム層が半導体基板７の全
面に形成され、このアルミニューム層にフォトエッチン
グにより電荷検出部５の開口１１が形成されて作成され
る。
り水平方向に断面を取って図４に示すように、垂直転送
部３及び水平転送部４は、所定のプロセスにより作成さ
れた半導体基板７のチャンネル上に、例えばＣＶＤによ
り作成した絶縁膜８を間に挟んで、一部重なり合うよう
に、順次ポリシリコン等による転送電極９を配列して形
成される。遮光膜１０は、続いて絶縁層を間に挟んで、
シリサイドを含むアルミニューム層が半導体基板７の全
面に形成され、このアルミニューム層にフォトエッチン
グにより電荷検出部５の開口１１が形成されて作成され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところでアルミニュー
ムにおいては、反射率が９０〔％〕以上ある。これによ
り従来のＣＣＤ固体撮像素子では、開口１１の形成過程
で露光の反射が多く、パターンニングにより形成される
遮光膜１０のパターン幅及び形状が不均一に形成される
問題がある。
ムにおいては、反射率が９０〔％〕以上ある。これによ
り従来のＣＣＤ固体撮像素子では、開口１１の形成過程
で露光の反射が多く、パターンニングにより形成される
遮光膜１０のパターン幅及び形状が不均一に形成される
問題がある。
【０００６】ＣＣＤ固体撮像素子では、光電変換部２を
微小化して画素数を増大すると、各光電変換部２におけ
る感度がその分低下することにより、遮光膜１０のパタ
ーンニングが不正確になると、各光電変換部２で感度の
ばらつきが発生し、撮像素子としての特性が劣化するこ
とになる。また遮光膜１０に入射した入射光が反射して
光電変換部２に入射することにより、このように遮光膜
１０のパターンニングが不正確になると、入射光の光量
変化によっても感度のばらつきが発生する。
微小化して画素数を増大すると、各光電変換部２におけ
る感度がその分低下することにより、遮光膜１０のパタ
ーンニングが不正確になると、各光電変換部２で感度の
ばらつきが発生し、撮像素子としての特性が劣化するこ
とになる。また遮光膜１０に入射した入射光が反射して
光電変換部２に入射することにより、このように遮光膜
１０のパターンニングが不正確になると、入射光の光量
変化によっても感度のばらつきが発生する。
【０００７】この問題を解決する１つの方法として、遮
光膜１０上に反射率の低い低反射膜を別途形成する方法
が考えられる。ところがこの方法では、別途、この低反
射膜の作成工程が必要になり、その分ＣＣＤ固体撮像素
子の製造工程が複雑になる問題がある。
光膜１０上に反射率の低い低反射膜を別途形成する方法
が考えられる。ところがこの方法では、別途、この低反
射膜の作成工程が必要になり、その分ＣＣＤ固体撮像素
子の製造工程が複雑になる問題がある。
【０００８】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、簡易に遮光膜表面の反射率を低減して確実にパター
ンニングすることができる固体撮像素子を提案しようと
するものである。
で、簡易に遮光膜表面の反射率を低減して確実にパター
ンニングすることができる固体撮像素子を提案しようと
するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、遮光膜を、表面に酸化タングステ
ン膜を形成したタングステン層により形成する。
め本発明においては、遮光膜を、表面に酸化タングステ
ン膜を形成したタングステン層により形成する。
【００１０】酸化タングステン膜は、反射率が低い特徴
があり、これにより露光の反射が抑圧される。これによ
り遮光膜のパターン幅及び形状が均一に形成され、確実
にパターンニングすることができる。また酸化タングス
テン膜は、タングステン膜の酸化により簡易に作成する
ことができる。
があり、これにより露光の反射が抑圧される。これによ
り遮光膜のパターン幅及び形状が均一に形成され、確実
にパターンニングすることができる。また酸化タングス
テン膜は、タングステン膜の酸化により簡易に作成する
ことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、適宜図面を参照しながら本
発明の実施の形態を詳述する。
発明の実施の形態を詳述する。
【００１２】図１は、本発明の実施の形態に係るＣＣＤ
固体撮像素子を、図４との対比により示す断面図であ
る。なおこの図１に示す構成において、図４と共通する
構成は対応する符号を付して示し、重複した説明は省略
する。
固体撮像素子を、図４との対比により示す断面図であ
る。なおこの図１に示す構成において、図４と共通する
構成は対応する符号を付して示し、重複した説明は省略
する。
【００１３】このＣＣＤ固体撮像素子２０は、従来のア
ルミニュームによる遮光膜に代えて、シリサイドを含む
タングステンにより遮光膜２１が形成され、さらにこの
遮光膜２１の表面に酸化タングステン（主にＷＯ3 ）に
よる酸化膜２２が形成されるようになされている。
ルミニュームによる遮光膜に代えて、シリサイドを含む
タングステンにより遮光膜２１が形成され、さらにこの
遮光膜２１の表面に酸化タングステン（主にＷＯ3 ）に
よる酸化膜２２が形成されるようになされている。
【００１４】ここで図２（Ａ）に示すように、この酸化
膜２２は、ＣＣＤ固体撮像素子２０の製造工程で、垂直
転送部の転送電極９にＣＶＤにより絶縁膜８を形成した
後、ＣＶＤ又はスパッタリングにより、タングステン層
２１を半導体基板７の全面に形成し、続いて微量の酸素
雰囲気中で熱処理（３５０〜５００°）して形成され
る。
膜２２は、ＣＣＤ固体撮像素子２０の製造工程で、垂直
転送部の転送電極９にＣＶＤにより絶縁膜８を形成した
後、ＣＶＤ又はスパッタリングにより、タングステン層
２１を半導体基板７の全面に形成し、続いて微量の酸素
雰囲気中で熱処理（３５０〜５００°）して形成され
る。
【００１５】遮光膜２１は、この熱処理によって、表面
の反射率がタングステンの反射率約５０〔％〕（波長４
００〔ｎｍ〕）から、酸化タングステン膜による反射率
約１５〔％〕（波長４００〔ｎｍ〕）に低減された後、
パターンニングにより、光電変換部の開口１１を形成し
て作成されるようになされている。
の反射率がタングステンの反射率約５０〔％〕（波長４
００〔ｎｍ〕）から、酸化タングステン膜による反射率
約１５〔％〕（波長４００〔ｎｍ〕）に低減された後、
パターンニングにより、光電変換部の開口１１を形成し
て作成されるようになされている。
【００１６】従ってＣＣＤ固体撮像素子２０において
は、反射率が約５０〔％〕から約１５〔％〕に低減され
た後、パターンニングにより遮光膜２１が形成されるこ
とにより、アルミニュームにより遮光膜を形成する場合
に比して、パターンニングの際の露光の反射が格段的に
低減される。これにより遮光膜２１のパターン幅、形状
が均一に形成され、確実に遮光膜２１をパターンニング
することができる。
は、反射率が約５０〔％〕から約１５〔％〕に低減され
た後、パターンニングにより遮光膜２１が形成されるこ
とにより、アルミニュームにより遮光膜を形成する場合
に比して、パターンニングの際の露光の反射が格段的に
低減される。これにより遮光膜２１のパターン幅、形状
が均一に形成され、確実に遮光膜２１をパターンニング
することができる。
【００１７】またＣＣＤ固体撮像素子２０においては、
パターンニング後にも、遮光膜２１の表面に反射率の低
い酸化タングステン膜２２が残ることにより、この遮光
膜２１における反射光の光量を低減することができ、こ
の反射光が光電変換部に入射することによる感度のばら
つきを有効に回避することができる。
パターンニング後にも、遮光膜２１の表面に反射率の低
い酸化タングステン膜２２が残ることにより、この遮光
膜２１における反射光の光量を低減することができ、こ
の反射光が光電変換部に入射することによる感度のばら
つきを有効に回避することができる。
【００１８】以上の構成によれば、タングステン層を熱
処理して酸化タングステン膜２２を形成した後、パター
ンニングして遮光膜２１を形成したことにより、遮光膜
２１のパターンニング工程における露光の反射を低減す
ることができ、その分遮光膜２１のパターン幅、形状を
均一に形成することができる。またこの単に微量の酸素
雰囲気中で熱処理するだけの簡易な工程により酸化タン
グステン膜２２を形成することができ、これらのことか
ら簡易かつ確実に遮光膜２１をパターンニングすること
ができる。従ってその分ＣＣＤ固体撮像素子２０では、
各光電変換部における感度のばらつきを有効に回避する
ことができる。
処理して酸化タングステン膜２２を形成した後、パター
ンニングして遮光膜２１を形成したことにより、遮光膜
２１のパターンニング工程における露光の反射を低減す
ることができ、その分遮光膜２１のパターン幅、形状を
均一に形成することができる。またこの単に微量の酸素
雰囲気中で熱処理するだけの簡易な工程により酸化タン
グステン膜２２を形成することができ、これらのことか
ら簡易かつ確実に遮光膜２１をパターンニングすること
ができる。従ってその分ＣＣＤ固体撮像素子２０では、
各光電変換部における感度のばらつきを有効に回避する
ことができる。
【００１９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、表面に酸
化タングステン膜を形成したタングステン層で遮光膜を
形成したことにより、パターンニングの際における遮光
膜の露光の反射を低減して、簡易かつ確実に遮光膜を形
成することができる。
化タングステン膜を形成したタングステン層で遮光膜を
形成したことにより、パターンニングの際における遮光
膜の露光の反射を低減して、簡易かつ確実に遮光膜を形
成することができる。
【図１】本発明の実施の形態に係るＣＣＤ固体撮像素子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】図１のＣＣＤ固体撮像素子の製造工程の説明に
供する断面図である。
供する断面図である。
【図３】従来のＣＣＤ固体撮像素子を示す平面図であ
る。
る。
【図４】図３のＣＣＤ固体撮像素子をＡ−Ａ断面により
示す断面図である。
示す断面図である。
１、２０……ＣＣＤ固体撮像素子、２……光電変換部、
３……垂直転送部、１０、２１……遮光膜、２２……酸
化膜
３……垂直転送部、１０、２１……遮光膜、２２……酸
化膜
Claims (1)
- 【請求項１】 マトリックス状に配置した光電変換部間
に電極を配置し、前記電極を遮光膜で覆って遮光する固
体撮像素子において、 前記遮光膜を、表面に酸化タングステン膜を形成したタ
ングステン層により形成したことを特徴とする固体撮像
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8065366A JPH09232552A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8065366A JPH09232552A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232552A true JPH09232552A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=13284903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8065366A Pending JPH09232552A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232552A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7323758B2 (en) | 2004-10-14 | 2008-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state imaging device and method for producing the same |
| WO2016031592A1 (ja) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および電子装置 |
| WO2019009024A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
| WO2022153583A1 (ja) * | 2021-01-13 | 2022-07-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1996
- 1996-02-27 JP JP8065366A patent/JPH09232552A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7323758B2 (en) | 2004-10-14 | 2008-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state imaging device and method for producing the same |
| WO2016031592A1 (ja) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および電子装置 |
| CN105580138A (zh) * | 2014-08-29 | 2016-05-11 | 索尼公司 | 固态成像装置和电子设备 |
| CN105580138B (zh) * | 2014-08-29 | 2020-11-17 | 索尼公司 | 固态成像装置和电子设备 |
| CN112542476A (zh) * | 2014-08-29 | 2021-03-23 | 索尼公司 | 固态成像装置和电子设备 |
| US11004877B2 (en) | 2014-08-29 | 2021-05-11 | Sony Corporation | Solid-state imaging device with phase difference detection pixel and electronic apparatus |
| US20210242250A1 (en) * | 2014-08-29 | 2021-08-05 | Sony Group Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
| WO2019009024A1 (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
| US10910440B2 (en) | 2017-07-05 | 2021-02-02 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device and imaging apparatus |
| WO2022153583A1 (ja) * | 2021-01-13 | 2022-07-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
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