JPH09231571A - ライトテスト方法及び光学的情報記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 相変化ディスクに情報を記録する場合、記録
マークの大きさが不揃いになったり、記録マークの位置
がずれたり、前の情報の消し残りが発生する。 【解決手段】 相変化ディスク１のアモルファス状態と
結晶状態において、所定信号の記録パワーとその再生信
号振幅の関係に基づいて消去状態を形成するパワーレベ
ル、所定の長さの異なる２つの信号の記録パワーとその
再生信号の中間値の差の関係に基づいて記録状態を形成
する第１のパワーレベル、所定信号の記録パワーとその
再生微分信号の正負の振幅の差の関係に基づいて記録状
態を形成する第２のパワーレベルをそれぞれ決定し、得
られた結果及び記録媒体上のアモルファス状態と消去状
態の存在比率から消去状態を形成する最適パワーレベ
ル、記録状態を形成する第１及び第２の各最適パワーレ
ベルを決定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化記録媒体を
用いて情報を記録する際に光源の記録パワーを最適調整
するライトテスト方法及びそれを用いた光学的情報記録
再生装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光ビームを照射して光学的に情報
を記録し、あるいは再生する記録媒体の１つとして、光
ビームの照射によって記録膜材料の状態を変化させて信
号を記録し、それに伴なう反射光量の変化を検出して信
号を再生するという、いわゆる相変化記録媒体が知られ
ている。一般に、相変化記録媒体においては、アモルフ
ァス状態と結晶状態とで光学定数が異なることを利用し
て信号を記録、再生している。このような相変化記録媒
体は、記録膜を変形させることなく信号を記録でき、ま
た記録膜材料の状態を可逆的に変化させることにより信
号の書き換えも可能であるため、近年さかんに研究が進
められている。

【０００３】相変化材料としてはカルゴゲン合金がよく
知られており、例えばＧｅＳｂＴｅ系、ＧｅＳｎＴｅ
系、ＩｎＳｅ系、ＳｂＴｅ系が用いられる。これらの材
料は比較的強いパワーのレーザ照射によって融解後冷却
することでアモルファス状態になり、比較的弱いパワー
のレーザ照射によってアモルファス領域は結晶化温度以
上に達して結晶状態となる。従って、例えばアモルファ
ス状態を信号の“１”に対応させ、結晶状態を信号の
“０”に対応させることで信号の記録を行うことができ
る。また、この相変化記録媒体には、信号トラック上に
レーザスポットを記録信号に応じて記録パワーと消去パ
ワーの間で変調しながら一回通過させるだけで、古い信
号を消去しながら新しい信号を記録することができる、
いわゆるダイレクトオーバーライトが可能である。

【０００４】図１４は相変化記録媒体を用いた情報記録
再生装置を示した構成図である。図１４に於いて、１は
情報記録媒体であるところの相変化ディスクであり、ガ
ラスやプラスチックなどの透明基板上にカルゴゲン合金
等２が形成されている。相変化ディスク１はスピンドル
モータ３の回転軸に装填され、スピンドルモータ３の駆
動によって所定の速度で回転する。相変化ディスク１の
下面には光学ヘッド４が配置されている。光学ヘッド４
内には記録再生用光源の半導体レーザ５が設けられてお
り、情報を記録する場合は、半導体レーザ５の光ビーム
は図示しないレーザ駆動回路により情報信号に応じて変
調される。半導体レーザ５から出射された光ビームはコ
リメータレンズ６で平行化された後、偏光ビームスプリ
ッタ７、λ／４板８を透過して対物レンズ９に入射す
る。そして、入射した光ビームは対物レンズ９で絞ら
れ、微小光スポットとして相変化ディスク１の記録膜上
に集光され、変調された光ビームの走査によって一連の
情報が記録される。

【０００５】また、相変化ディスク１に照射された光ビ
ームはその媒体面で反射される。この反射光は再び対物
レンズ９を通って偏光ビームスプリッタ７に入射し、そ
の偏光面でセンサレンズ１０側へ反射され、半導体レー
ザ５の入射光と分離される。センサレンズ１０によって
集光された光束は光センサ１１で受光される。光センサ
１１の受光信号はＡＴ・ＡＦ回路（オートトラッキン
グ、オートフォーカス制御回路）１２に入力され、ＡＴ
・ＡＦ回路１２ではその受光信号をもとにトラッキング
誤差信号及びフォーカス誤差信号が生成される。そし
て、得られたトラッキング誤差信号、フォーカス誤差信
号をもとに対物レンズアクチュエータ１３を駆動し、対
物レンズ９をトラッキング方向及びフォーカス方向に変
位させることで、トラッキング制御とフォーカス制御が
行われる。

【０００６】一方、相変化ディスク１の記録情報を再生
する場合は、半導体レーザ５の光ビームは記録ができな
い程度の再生パワーに設定され、その再生用ビームを目
的のトラックに走査することで記録情報の再生が行われ
る。即ち、再生用光ビームのディスク面からの反射光は
対物レンズ９、偏光ビームスプリッタ７、センサレンズ
１０を経由して光センサ１１で受光される。光センサ１
１の受光信号は図示しない再生信号処理回路へ送られ、
ここで所定の信号処理を行うことで、記録情報が再生さ
れる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図１４で説明した相変
化ディスク装置は、前述のようにレーザ光の強度変調に
よりいわゆるオーバーライトが可能であり、情報の記録
の高速化の要求に応えるべく、情報の消去と記録が同時
に行うことが可能である。しかしながら、このような相
変化ディスクにおいては、通常、大きな信号出力を得る
為に、結晶状態の反射率（Ｒ_cry ）とアモルファス状態
の反射率（Ｒ_amo ）の差が大きくなるように設計されて
いるので、結晶状態の光吸収率（Ａ_cry ）とアモルファ
ス状態の光吸収率（Ａ_amo ）の差が大きくなり、それに
起因して記録特性が低下するという問題があった。

【０００８】具体的に説明すると、まず、相変化ディス
クではＲ_cry ＞Ｒ_amo の関係を利用して情報の記録、再
生を行うため、Ａ_amo ＞Ａ_cry の関係にあり、アモルフ
ァス状態の方がレーザ光の吸収が多い。また、一般にア
モルファス状態の熱伝導率は結晶状態の熱伝導率より小
さいため、記録層で発生した熱が拡散しにくい。そのた
め、単一ビームでオーバライトを行う場合、同じパワー
のレーザ光が照射されても、ディスク上の前の状態が記
録状態か消去状態かで温度上昇が異なるという現象が生
じる。このように温度上昇が異なると、記録されるマー
クの大きさが不揃いになったり、マークの位置が正規の
位置からずれたり、或いは前に記録されていた情報の消
し残りが発生したりするという問題があった。特に、情
報を高密度に記録する場合は、このような記録されるマ
ークの位置ずれやマークの長さの不揃いは、いわゆるジ
ッターとなって現われ、情報の正確な再生を妨げ、エラ
ーの原因になるという問題があった。

【０００９】また、最近においては、情報の高密度化の
ために、記録ピットの両エッジに情報を持たせるピット
エッジ記録が主流になってきている。しかし、このよう
なピットエッジ記録においては、特にマーク長及びマー
クの前端、後端の位置を正確に記録することが要求され
るため、前述のような記録マークの大きさの不揃いや記
録マークの位置ずれ、あるいは前の情報の消し残りの発
生は、情報の正確な記録を妨げ、相変化記録媒体を用い
た場合、ピットエッジ記録に対応できないという問題が
あった。

【００１０】そこで、本発明は、上記従来の問題点に鑑
み、相変化記録媒体に情報を正確に記録できることを可
能とし、ピットエッジ記録にも十分に対応できるように
したライトテスト方法及び光学的情報記録再生装置を提
供することを目的としたものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、光源の
記録パワーを多値制御により制御して相変化記録媒体に
情報を記録するに当たり、前記記録媒体にライトテスト
を行って前記光源の多値の記録パワーをそれぞれ最適値
に調整するライトテスト方法であって、前記記録媒体の
ライトテスト領域に光ビームを照射してアモルファス状
態及び結晶状態とし、それぞれの状態において前記ライ
トテスト領域における所定信号の記録パワーとその再生
信号振幅の関係に基づいて消去状態を形成するパワーレ
ベル、前記ライトテスト領域における所定の長さの異な
る２つの信号の記録パワーとその再生信号のピーク値と
ボトム値の中間値の差の関係に基づいて記録状態を形成
するパワーレベルをそれぞれ決定し、前記アモルファス
状態、結晶状態で得られた結果及び記録媒体上のアモル
ファス状態と結晶状態の存在比率から消去状態を形成す
る最適パワーレベル、記録状態を形成する最適パワーレ
ベルをそれぞれ決定することを特徴とするライトテスト
方法によって達成される。

【００１２】本発明の目的は、光源の記録パワーを多値
制御により制御して相変化記録媒体に情報を記録するに
当たり、前記記録媒体にライトテストを行って前記光源
の多値の記録パワーをそれぞれ最適値に調整するライト
テスト方法であって、前記記録媒体のライトテスト領域
に光ビームを照射してアモルファス状態及び結晶状態と
し、それぞれの状態において前記ライトテスト領域にお
ける所定信号の記録パワーとその再生信号振幅の関係に
基づいて消去状態を形成するパワーレベル、前記ライト
テスト領域における所定の長さの異なる２つの信号の記
録パワーとその再生信号のピーク値とボトム値の中間値
の差の関係に基づいて記録状態を形成する第１のパワー
レベル、前記ライトテスト領域における所定信号の記録
パワーとその再生微分信号の正負の振幅の差の関係に基
づいて記録状態を形成する第２のパワーレベルをそれぞ
れ決定し、前記アモルファス状態、結晶状態で得られた
結果及び記録媒体上のアモルファス状態と消去状態の存
在比率から消去状態を形成する最適パワーレベル、記録
状態を形成する第１及び第２の各最適パワーレベルをそ
れぞれ決定することを特徴とするライトテスト方法によ
って達成される。

【００１３】本発明の目的は、相変化記録媒体に光源の
記録パワーを多値制御により制御して情報を記録する光
学的情報記録再生装置において、前記記録媒体のライト
テスト領域に光ビームを照射してアモルファス状態及び
結晶状態を形成する手段と、それぞれの状態において前
記ライトテスト領域における所定信号の記録パワーとそ
の再生信号振幅の関係に基づいて消去状態を形成するパ
ワーレベル、前記ライトテスト領域における所定の長さ
の異なる２つの信号の記録パワーとその再生信号のピー
ク値とボトム値の中間値の差の関係に基づいて記録状態
を形成するパワーレベルをそれぞれ決定する手段と、前
記アモルファス状態、結晶状態で得られた結果及び記録
媒体上のアモルファス状態と結晶状態の存在比率から消
去状態を形成する最適パワーレベル、記録状態を形成す
る最適パワーレベルをそれぞれ決定する手段とを有する
ことを特徴とする光学的情報記録再生装置によって達成
される。

【００１４】本発明の目的は、相変化記録媒体に光源の
記録パワーを多値制御により制御して情報を記録する光
学的情報記録再生装置において、前記記録媒体のライト
テスト領域に光ビームを照射してアモルファス状態及び
結晶状態を形成する手段と、それぞれの状態において前
記ライトテスト領域における所定信号の記録パワーとそ
の再生信号振幅の関係に基づいて消去状態を形成するパ
ワーレベル、前記ライトテスト領域における所定の長さ
の異なる２つの信号の記録パワーとその再生信号のピー
ク値とボトム値の中間値の差の関係に基づいて記録状態
を形成する第１のパワーレベル、前記ライトテスト領域
における所定信号の記録パワーとその再生微分信号の正
負の振幅の差の関係に基づいて記録状態を形成する第２
のパワーレベルをそれぞれ決定する手段と、前記アモル
ファス状態、結晶状態で得られた結果及び記録媒体上の
アモルファス状態と結晶状態の存在比率から消去状態を
形成する最適パワーレベル、記録状態を形成する第１及
び第２の各最適パワーレベルをそれぞれ決定する手段と
を有することを特徴とする光学的情報記録再生装置によ
って達成される。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の光学
的情報記録再生装置の一実施形態を示した構成図であ
る。なお、図１では、図１４の従来装置と同一部分は同
一符号を付してその説明を省略する。即ち、図１におい
て、相変化ディスク１、カルゴゲン合金などの記録層
２、スピンドルモータ３、ＡＴ・ＡＦ回路１２は図１４
のものと同じである。また、光学ヘッド４においても、
半導体レーザ５、コリメータレンズ６、対物レンズ９、
偏光ビームスプリッタ７、センサレンズ１０、光センサ
１１、対物レンズアクチュエータ１３などからなってお
り、図１４の光学ヘッド４と同じに構成されている。光
学ヘッド４は図示しない機構により相変化ディスク１の
半径方向に移動して所望の情報トラックにアクセスでき
るように構成されている。なお、本実施形態では、記録
データの変調方式として、ＥＦＭｐｌｕｓ変調方式を採
用しているものとする。

【００１６】また、本実施形態では、光センサ１１で得
られた再生信号の振幅を検出するための振幅検出回路１
４が設けられている。振幅検出回路１４は、詳しく後述
するようにライトテストを行う場合に、相変化ディスク
１の結晶状態を形成するパワーレベル（Ｐｃ）を検出す
るために再生信号の振幅を検出するものである。再生信
号の振幅値はＣＰＵ１８内のＡ／Ｄ変換器でＣＰＵ１８
に取り込まれる。アシンメトリ検出回路１５は、詳しく
後述するようにライトテスト時に長さの異なる２つの記
録ピットの再生信号のアシンメトリ（対称性）を検出す
るための回路である。即ち、アシンメトリ検出回路１５
の内部には、再生信号のピーク値とボトム値を検出して
その中間値をスライスレベルとして検出するためのスラ
イスレベル自動追従回路が設けられていて、所定のロン
グマークとショートマークの再生信号の中間値（スライ
スレベル）をそれぞれ検出し、その差をアシンメトリと
して出力するものである。アシンメトリ検出回路１５の
出力もＡ／Ｄ変換器でＣＰＵ１８に取り込まれ、詳しく
後述するように半導体レーザ５の多値のパワーレベルの
調整に用いられる。

【００１７】更に、本実施形態では、再生信号を微分す
るための微分回路１６、微分回路１６で微分された信号
のプラス側とマイナス側の信号の振幅を検出するための
微分信号振幅検出回路１７が設けられている。微分信号
振幅検出回路１７で検出された振幅値も半導体レーザ５
のパワーレベルの調整に用いられる。ＣＰＵ１８は本実
施形態の光学的情報記録再生装置の主制御部をなすプロ
セッサ回路であり、ＡＴ・ＡＦ回路１２、スピンドルモ
ータ３の駆動回路（図示せず）、半導体レーザ駆動回路
１９などの各部を制御して情報の記録や再生を行う。ま
た、ＣＰＵ１８は詳しく後述するように半導体レーザ５
の記録パワーを最適パワーに調整するためのライトテス
トの制御を行う。

【００１８】図２は本実施形態の半導体レーザ５の点灯
波形を示した図である。本実施形態では、前述のように
ＥＦＭｐｌｕｓ変調を用いており、最短ピットは３Ｔ
で、最長ピットは１１Ｔであるが、図２ではその中の５
Ｔパターンを記録する場合のレーザ点灯波形を示してい
る。図２において、Ｐｃは相変化ディスク１の記録層２
に結晶状態（消去状態）を形成するためのパワーレベ
ル、ＰａｌとＰａ２はアモルファス状態（記録状態）を
形成するためのパワーレベル、Ｐｒ（Ｐｂ）は再生パワ
ー（記録パワーのボトム値）で、一定の値である。この
ＰｂはＰａ１の前に０．５Ｔ、Ｐａ２の後に１．５Ｔ設
けられていて、クーリングギャップと呼ばれている。ま
た、Ｐａ１は１．５Ｔの長さであり、Ｐａ２は０．５Ｔ
間隔でオン・オフするパルス点灯となっている。本実施
形態では、図２に示すようにＰｃ，Ｐａ１，Ｐａ２、Ｐ
ｒの４値で半導体レーザ５の記録パワーを制御するもの
とし、ライトテストによってこれらのＰｃ，Ｐａ１，Ｐ
ａ２のパワーレベルをそれぞれ最適値に調整するもので
ある。

【００１９】図２のレーザ点灯波形は５Ｔパターンの記
録波形であるが、Ｐａ２のパルス点灯の１周期が１Ｔの
長さに対応していて、Ｐａ２を変えることで他の記録パ
ターンを記録することができる。つまり、６Ｔパターン
を記録する場合は、Ｐａ１の１．５Ｔの後にＰａ２が３
周期となり、以下Ｐａ１は同じで７Ｔパターンに対して
はＰａ２が４周期、８Ｔパターンに対してはＰａ２が５
周期、９Ｔパターンに対してはＰａ２が６周期、１０Ｔ
パターンに対してはＰａ２が７周期、最長ピットの１１
Ｔパターンに対してはＰａ２が８周期となる。また、４
Ｔパターンに対してはＰａ２が１周期、最短ピットの３
Ｔパターンに対してはＰａ２の点灯はなく、Ｐａ１のみ
の点灯となる。以上でＥＦＭｐｌｕｓ符号における最短
ピットの３Ｔから最長ピットの１１Ｔまで記録すること
ができる。

【００２０】ここで、以上のようにＰａ１を点灯し、そ
の後にＰａ２をパルス点灯するという、いわゆるマルチ
パルス記録波形による記録方法においては、記録媒体の
温度を所定温度に維持でき、温度の上りすぎを防止する
ことができる。従って、前述のようなピットエッジ記録
方式は、ピットのエッジ位置に情報を持たせる記録方式
であるが、このようにＰａ１とＰａ２を制御することに
より、ピットエッジの変動を抑制できるので、特にピッ
トエッジ記録において好適に使用することができる。

【００２１】次に、図１の装置で使用されるライトテス
ト方法の一実施形態を図３〜図６に基づいて説明する。
このライトテストは、例えば図１の装置にディスク１が
セットされたときに行うものとする。まず、本実施形態
のライトテスト方法は大きく分けて次の３つのステップ
からなっている。 （１）相変化ディスクの前記録状態が全面アモルファス
状態に於いて消去状態を形成するパワーレベルＰｃ／
ａ、記録状態を形成するパワーレベルＰａ１／ａ，Ｐａ
２／ａを求める処理を行う。 （２）相変化ディスクの前記録状態が全面結晶状態に於
いて消去状態を形成するパワーレベルＰｃ／ｃ、記録状
態を形成するパワーレベルＰａ１／ｃ，Ｐａ２／ｃを求
める処理を行う。 （３）以上の（１）（２）の結果及び相変化ディスク上
のアモルファス状態と結晶状態の存在比率をもとに実際
の記録パワーレベルを求める処理を行う。本実施形態で
は、実際のディスク上のアモルファス状態と結晶状態の
存在比率は１対１としている。

【００２２】まず、（１）の前記録状態が全面アモルフ
ァス状態においてＰｃ／ａ，Ｐａ１／ａ，Ｐａ２／ａを
求める方法について説明する。Ｐｃ／ａはアモルファス
状態において消去状態を形成するパワーレベル、Ｐａ１
／ａ及びＰａ２／ａはアモルファス状態において記録状
態を形成するパワーレベルである。図３において、ライ
トテストを行う場合、まず、ＣＰＵ１８は光学ヘッド４
を相変化ディスク１の所定のライトテスト領域へアクセ
スする（Ｓ１）。次いで、ＣＰＵ１８では半導体レーザ
駆動回路１９を制御してライトテスト領域に比較的高い
パワーレベルの光ビームを走査し、ライトテスト領域を
全面アモルファス状態に形成する（Ｓ２）。この場合、
例えば相変化ディスク１のコントロールトラックに記録
されているアモルファス化に必要なパワーレベルを用い
るものとする。ライトテスト領域のアモルファス化が終
了すると、ＣＰＵ１８は半導体レーザ５の記録パワーを
初期値Ｐｗを設定する（Ｓ３）。これは、例えば相変化
ディスク１のコントロールトラックに記録されている結
晶化に必要なパワーレベルより低めの値を用いてこれを
初期値として設定する。

【００２３】記録パワーの初期値が決まると、ＣＰＵ１
８はその初期値の記録パワーでライトテスト領域に１１
Ｔ連続パターンを記録し（Ｓ４）、続いて記録した１１
Ｔ連続パターンを再生して再生信号の振幅レベルを検出
する（Ｓ５）。この再生信号の振幅レベルは振幅検出回
路１４で検出される。得られた振幅レベルはＣＰＵ１８
内のＡ／Ｄ変換器でＣＰＵ１８に取り込まれ、内部メモ
リに格納される（Ｓ５）。ＣＰＵ１８は、このように初
期値での記録と再生が終了すると、記録パワーＰｗにΔ
Ｐｗを加えて記録パワーを所定量増加し（Ｓ６）、この
記録パワーで再度ライトテスト領域に１１Ｔ連続パター
ンを記録し（Ｓ４）、それを再生して再生信号の振幅レ
ベルを検出、記録する（Ｓ５）。

【００２４】このようにＳ４〜Ｓ６の処理を繰り返し行
い、予め決められた所定の記録パワーになるまで記録パ
ワーを所定量づつ高くしていくと、図７に示すように記
録パワーと再生信号振幅の関係のデータを得ることがで
きる。所定の記録パワーとしては、例えばディスク１の
コントロールトラックに記録されている結晶化パワーレ
ベルの２倍に決めるものとする。図７について説明す
る。まず、記録パワーが低い場合は、再生信号振幅はほ
とんど０であるが、ある記録パワーから急激に立ち上が
って飽和状態となり、しばらくの間は飽和状態が続いて
いる。そして、ある記録パワーで再生信号振幅は減少
し、所定の最低レベルになると、再び振幅は増加し、そ
の後、再生信号振幅は飽和していることがわかる。

【００２５】これは、再生信号振幅の最初の飽和領域で
記録膜が結晶状態となってマークが形成され、次の飽和
領域でアモルファス状態となってマークが形成されてい
ることを表わしている。従って、この最初の飽和領域
（結晶状態）の中間の記録パワーレベルが求めるべき前
記録状態がアモルファス状態において消去状態（結晶
化）を形成するパワーレベルＰｃ／ａである。ＣＰＵ１
８ではメモリに格納された記録パワーと再生信号振幅の
データからＰｃ／ａを求めてメモリに格納する（Ｓ
７）。なお、本実施形態では、前述のように記録情報の
変調方式としてＥＦＭｐｌｕｓ符号を採用しており、こ
のときの最長ピットである１１Ｔを再生信号振幅の検出
に用いている。

【００２６】次に、前記録状態がアモルファス状態にお
いて記録状態を形成するパワーレベルＰａ１／ａを求め
る方法について説明する。引き続いて図３を参照して説
明する。図３において、まず、ＣＰＵ１８はアモルファ
ス状態において記録状態を形成するパワーレベルＰａ１
／ａの初期値として、先に得られたＰｃ／ａに所定の値
αを加えてＰａ１／ａ＝Ｐｃ／ａ＋αとする（Ｓ８）。
Ｐｃ／ａはＳ７で得られた値を用いるものとする。次い
で、ＣＰＵ１８では、Ｐａ１／ａ＝Ｐａ２／ａとして相
変化ディスク１のライトテスト領域に１１Ｔ連続、３Ｔ
連続パターンを記録する（Ｓ９）。

【００２７】記録を終了すると、ＣＰＵ１８は各部を制
御してそれを再生し、１１Ｔ連続パターンの再生信号の
スライスレベルＳＬ（１１Ｔ）、３Ｔ連続パターンの再
生信号のスライスレベルＳＬ（３Ｔ）を検出する（Ｓ１
０）。つまり、アシンメトリ検出回路１５によって１１
Ｔ連続パターン及び３Ｔ連続パターンの再生信号のピー
ク値とボトム値の中間値をそれぞれ検出する。アシンメ
トリ検出回路１５では更に１１Ｔ連続パターンの再生信
号のスライスレベルＳＬ（１１Ｔ）と３Ｔ連続パターン
の再生信号のスライスレベルＳＬ（３Ｔ）の差ΔＳＬを
検出する（Ｓ１１）。得られたΔＳＬはＡ／Ｄ変換器で
ＣＰＵ１８に取り込まれ、メモリに格納される（Ｓ１
３）。

【００２８】ΔＳＬをメモリに格納すると、ＣＰＵ１８
ではＰａ１／ａに所定のΔＰａ１／ａを加算し、このパ
ワーレベルで再度ライトテスト領域に１１Ｔ連続、３Ｔ
連続パターンの記録（Ｓ９）、それを再生してのＳＬ
（１１Ｔ）、ＳＬ（３Ｔ）の検出（Ｓ１０）、その差の
ΔＳＬの検出（Ｓ１１）、ΔＳＬのメモリへの格納を行
う（Ｓ１２）。このようにＳ９〜Ｓ１３の処理を繰り返
し行い、Ｐａ１／ａの値をΔＰａ１／ａづつ高くしてい
って、その都度１１Ｔ連続パターンの再生信号のピーク
値とボトム値の中間値であるＳＬ（１１Ｔ）と３Ｔ連続
パターンの再生信号のピーク値とボトム値の中間値であ
るＳＬ（３Ｔ）との差ΔＳＬを検出する。この一連の処
理は、Ｐａ１／ａが所定の値になるまで行う。図８にこ
のようにして得られたＰａ１／ａとΔＳＬの関係のデー
タを示している。図８においては、Ｐａ１／ａの増加に
伴なってΔＳＬが減少し、丁度Ｐａ１／ａが８．０ｍＷ
の時にΔＳＬが０になっていることがわかる。本実施形
態では、このΔＳＬが０になるときの値をＰａ１／ａの
最適値Ｐａ１／ａ optとして決定する。

【００２９】ここで、本実施形態では、以上のように最
長及び最短ピットである１１Ｔ連続パターンと３Ｔ連続
パターンの再生信号のスライスレベルの差ΔＳＬに基づ
いてＰａ１／ａの最適値を決定している。これについて
説明する。図９にＰａ１／ａの値の違いによる１１Ｔ連
続、３Ｔ連続パターンの再生信号を示している。まず図
９（ａ）はＰａ１／ａが最適値よりも低い場合の再生信
号波形で、１１Ｔ連続パターンのスライスレベルに対し
て３Ｔ連続パターンのスライスレベルが低いレベルにな
っている。従って、この場合は、１１Ｔ連続パターンと
３Ｔ連続パターンのスライスレベルには図９（ａ）のよ
うにΔＳＬの差が生じる。これに対し、図９（ｂ）はＰ
ａ１／ａが最適値の場合の再生信号波形で、１１Ｔ連続
パターンと３Ｔ連続パターンのスライスレベルは等しく
なっている。一方、図９（ｃ）はＰａ１／ａが最適値よ
りも高い場合の再生信号波形で、１１Ｔ連続パターンの
スライスレベルに対して３Ｔ連続パターンのスライスレ
ベルが高いレベルになっている。この場合は、１１Ｔ連
続パターンと３Ｔ連続パターンのスライスレベルには図
９（ｃ）のようにΔＳＬの差が生じている。

【００３０】図９においては、最長ピット１１Ｔの再生
信号は飽和状態にあり、この状態では１１Ｔの再生信号
のピーク値とボトム値の中間値（スライスレベル）は０
と見なすことができる。そこで、本実施形態では、１１
Ｔを基準に３Ｔを正確な長さの３Ｔに記録できるよう
に、Ｐａ１／ａの値を変化させてΔＳＬが０になるとき
のＰａ１／ａを検出している。つまり、１１Ｔの再生信
号のスライスレベルは０とみなすことができるので、図
９（ｂ）のように１１Ｔと３Ｔのピットの再生信号のス
ライスレベルの差ΔＳＬが０であれば、３Ｔの再生信号
のスライスレベルも０とみなすことができる。従って、
このことは３Ｔのピットを正確に３Ｔの長さに記録でき
たということであるので、このときのＰａ１／ａの値を
最短ピットの３Ｔを正確に記録することができるＰａ１
／ａの最適パワーレベルとして得ることができる。

【００３１】次に、アモルファス状態においてマークを
形成するもう一方のレーザパワーレベルＰａ２／ａを求
める方法について説明する。図３のＳ１２は図４のＳ１
４に続いているので、ここからは図４を参照して説明す
る。図４において、まず、ＣＰＵ１８では先に得られた
結果からＰａ１／ａの値をＰａ１／ａ optと設定し、も
う一方のＰａ２／ａの初期値を０．８×Ｐａ１／ａと設
定する（Ｓ１４）。続いて、ＣＰＵ１８ではこの記録条
件で相変化ディスク１のライトテスト領域に１１Ｔ連続
パターンを記録する（Ｓ１５）。Ｐｃ／ａの値として
は、先にＳ７で得られた値を用いるものとする。

【００３２】次に、ＣＰＵ１８では各部を制御してライ
トテスト領域に記録された１１Ｔ連続パターンを再生す
る（Ｓ１６）。得られた再生信号は微分回路１６で微分
され（Ｓ１６）、更に微分信号振幅検出回路１７では１
１Ｔ連続パターンの微分信号のプラス側の振幅（ｄ／ｄ
ｔ（ＬＥ））、マイナス側の振幅（ｄ／ｄｔ（ＴＥ））
が検出される（Ｓ１７）。つまり、微分信号振幅検出回
路１７によって１１Ｔ連続パターンの微分信号の前エッ
ジ、後エッジの傾きが検出される。得られた振幅値はＡ
／Ｄ変換器でＣＰＵ１８に取り込まれる。ここで、再生
信号を微分しているのは、再生信号の傾きの度合を検出
するためであるが、これについては後述する。

【００３３】次いで、ＣＰＵ１８では、微分信号振幅検
出回路１７で得られた１１Ｔ連続パターンの微分信号の
プラス側の振幅（ｄ／ｄｔ（ＬＥ））とマイナス側の振
幅（ｄ／ｄｔ（ＴＥ））の差が０であるかどうかを判断
して（Ｓ１８）、０でなければ得られた差の値をメモリ
に格納する。また、Ｐａ２／ａにΔＰａ２／ａを加え
（Ｓ１９）、この記録条件で再度ライトテスト領域１１
Ｔ連続パターンの記録（Ｓ１５）、１１Ｔ連続パターン
の再生、微分（Ｓ１６）、微分信号のプラス側とマイナ
ス側の振幅の検出（Ｓ１７）、その差が０かどうかの判
断を行う（Ｓ１８）。ＣＰＵ１８はこのようにＳ１５〜
Ｓ１９の処理を繰り返し行い、Ｐａ２／ａの値をΔＰａ
２／ａづつ高くしていって、その都度１１Ｔ連続パター
ンの微分信号のプラス側の振幅（ｄ／ｄｔ（ＬＥ））と
マイナス側の振幅（ｄ／ｄｔ（ＴＥ））の差の値が０で
あるかどうかを判断する。そして、Ｓ１８において、ｄ
／ｄｔ（ＬＥ）−ｄ／ｄｔ（ＴＥ）＝０となったとき
に、そのときのＰａ２／ａの値をＰａ２／ａの最適値Ｐ
ａ２／ａ optとして決定する（Ｓ２０）。

【００３４】図１０にＰａ２／ａの値を徐々に高くした
場合の１１Ｔ連続パターンの微分信号のプラス側振幅と
マイナス側振幅の差の変化を示している。図１０は実際
にＰａ２／ａの値を変化させて１１Ｔ連続パターンを記
録し、その再生微分信号の正負の振幅の差を測定した実
測データである。図１０では、Ｐａ２／ａが８ｍＷのと
きに微分信号のプラス側とマイナス側の振幅の差が０と
なり、Ｐａ２／ａの最適パワーは８．０ｍＷであった。
以上でＰｃ／ａ，Ｐａ１／ａ，Ｐａ２／ａの最適値が決
定し（Ｓ２１）、（１）のアモルファス状態で消去状態
を形成するパワーレベルＰｃ／ａ、記録状態を形成する
パワーレベルＰａ１／ａ、Ｐａ２／ａを決定する処理が
終了する。

【００３５】ここで、本実施形態では、前述のように最
長ピット（１１Ｔ）の再生信号の微分信号のプラス側と
マイナス側の振幅を検出し、その差に基づいてＰａ２／
ａの最適値を決定している。これについて説明する。図
１１にＰａ２／ａの値の違いによる１１Ｔ連続パターン
の再生信号とその微分信号を示している。まず、図１１
（ａ）はＰａ２／ａが最適値よりも低い場合の信号波形
で、１１Ｔ連続パターンの再生信号の右肩が下がったよ
うになっている。つまり、前エッジＬＥより後エッジＴ
Ｅの傾きが緩くなっており、理想的な楕円形のピットが
形成されていないことを示している。因みに、この場合
のピット形状としては、逆涙型となる。この１１Ｔ連続
パターンの再生信号を微分すると、図１１（ａ）の様な
微分波形になり、プラス側の振幅ｄ／ｄｔ（ＬＥ）の方
がマイナス側の振幅ｄ／ｄｔ（ＴＥ）より大きくなる。

【００３６】図１１（ｂ）はＰａ２／ａが最適値である
場合の信号波形で、１１Ｔ連続パターンの再生信号は正
負対称な形になっている。この場合は、前エッジＬＥと
後エッジＴＥの傾きが等しくなり、理想的な楕円形のピ
ットが形成されていることを示している。この１１Ｔ連
続パターンの再生信号を微分すると、図１１（ｂ）の様
な微分波形になり、プラス側の振幅ｄ／ｄｔ（ＬＥ）と
マイナス側の振幅ｄ／ｄｔ（ＴＥ）が等しくなる。最後
に、図１１（ｃ）はＰａ２／ａが最適値よりも高い場合
の信号波形で、１１Ｔ連続パターンの再生信号の右肩が
上がったようになっている。この場合は、前エッジＬＥ
より後エッジＴＥの傾きが急峻になっており、理想的な
楕円形のピットが形成されていない状態にある。因み
に、このときは涙形のピットが記録されている。この１
１Ｔ連続パターンの再生信号を微分すると、図１１
（ｃ）の様な微分波形になり、プラス側の振幅ｄ／ｄｔ
（ＬＥ）の方がマイナス側の振幅ｄ／ｄｔ（ＴＥ）より
も小さくなる。

【００３７】このように再生信号の前エッジ、後エッジ
の傾きとピットの形状には相関関係があり、前エッジと
後エッジの傾きからピットが理想的に記録されているか
どうかがわかる。そこで、本実施形態では、１１Ｔ連続
パターンを理想的なピット形状で記録するために、Ｐａ
２／ａを変化させて記録し、再生信号の前エッジと後エ
ッジの傾きが等しくなる記録パワーを検出している。即
ち、１１Ｔ連続パターンの再生信号の微分信号のプラス
側の振幅（ｄ／ｄｔ（ＬＥ））とマイナス側の振幅（ｄ
／ｄｔ（ＴＥ））が等しくなる記録パワーを検出するこ
とで、Ｐａ２／ａの最適値Ｐａ２／ａ optを決定してい
る。

【００３８】次に、（２）の相変化ディスクの前記録状
態が全面結晶状態において、消去状態を形成するパワー
レベルＰｃ／ｃ、記録状態を形成するパワーレベルＰａ
１／ｃ，Ｐａ２／ｃを決定する方法について説明する。
Ｐｃ／ｃは結晶状態において消去状態を形成するパワー
レベル、Ｐａ１／ｃ及びＰａ２／ｃは結晶状態において
記録状態を形成するパワーレベルである。図４のＳ２１
は図５のＳ２２に続いているので、以下図５を参照して
説明する。図５において、まず、ＣＰＵ１８では各部を
制御して相変化ディスク１のライトテスト領域に所定パ
ワーＰｗの光ビームをＤＣ照射して全面結晶状態に形成
する（Ｓ２２）。ＤＣ照射するパワーレベルＰｗとして
は、図３のＳ７で得られたＰｃ／ａの値を用いるものと
する。ライトテスト領域の結晶状態化が終了すると、Ｃ
ＰＵ１８では記録パワーの初期値Ｐｗ′を設定する（Ｓ
２３）。この場合の初期値としては、先のＰｃ／ａより
も少し小さい値に設定する。その後は、図３のＳ４〜Ｓ
６と同じ処理を行って結晶状態において消去状態を形成
するパワーレベルＰｃ／ｃを決定する。

【００３９】即ち、ＣＰＵ１８は各部を制御して初期値
の記録パワーによりライトテスト領域に１１Ｔ連続パタ
ーンを記録する（Ｓ２４）。次いで、それを再生し、振
幅検出回路１４で再生信号の振幅レベルを検出してメモ
リに格納する（Ｓ２５）。また、初期値の記録パワーＰ
ｗ′にΔＰｗ′を加えて（Ｓ２６）、再度その記録パワ
ーで１１Ｔ連続パターンを記録する。以下、Ｓ２４〜Ｓ
２６の処理を繰り返し行い、記録パワーを所定量づつ増
加していって、その都度再生信号の振幅レベルを検出す
る。この場合も、図７で説明したように記録パワーを変
化させると、再生信号はある記録パワーで立ち上がって
飽和し、その後、一旦減少して再び増加し飽和する。但
し、先の前記録状態がアモルファス状態の場合に比べて
結晶状態の場合は、記録媒体の反射率が高く、熱の吸収
率が小さいので、再生信号は記録パワーが大きい方にシ
フトして現われる。ＣＰＵ１８では得られた記録パワー
と再生信号振幅の関係をもとに、先の前記録状態がアモ
ルファス状態の場合と同様に、再生信号の最初の飽和期
間の中間に相当する記録パワーレベルを前記録状態が結
晶状態において消去状態を形成するパワーレベルＰｃ／
ｃとして算出する（Ｓ２７）。

【００４０】次に、ＣＰＵ１８では、結晶状態において
記録状態を形成するパワーレベルＰａ１／ｃを求める処
理を行う。これも、図３のＳ８〜Ｓ１３の処理と全く同
じである。まず、Ｐａ１／ｃの初期値として先に得られ
たＰｃ／ｃを用いてＰｃ／ｃ＋αと設定する（Ｓ２
８）。続いて、Ｐａ１／ｃ＝Ｐａ２／ｃとし、この記録
パワーの条件でライトテスト領域に１１Ｔ連続、３Ｔ連
続パターンを記録する。Ｐｃ／ｃの値としては、Ｓ２７
で得られた値を用いるものとする。記録が終了すると、
それを再生し、アシンメトリ検出回路１５で１１Ｔ連続
パターン及び３Ｔ連続パターンの再生信号のピーク値と
ボトム値の中間値であるＳＬ（１１Ｔ）、ＳＬ（３Ｔ）
をそれぞれ検出する（Ｓ３０）。更に、アシンメトリ検
出回路１５では、ＳＬ（１１Ｔ）とＳＬ（３Ｔ）の差Δ
ＳＬを検出し（Ｓ３１）、ＣＰＵ１８ではその値をメモ
リに格納する（Ｓ３２）。

【００４１】以下、Ｓ２９〜Ｓ３３の処理を繰り返し行
い、Ｐａ１／ｃをΔＰａ１／ｃづつ高くしていって、そ
の都度１１Ｔ連続パターンと３Ｔ連続パターンの再生信
号のピーク値とボトム値の中間値の差ΔＳＬを検出す
る。このようにして図８と同様のＰａ１／ｃとΔＳＬの
関係のデータが得られ、ＣＰＵ１８では得られたデータ
をもとにΔＳＬが０のときのＰａ１／ｃの値をＰａ１／
ｃの最適パワーレベルＰａ１／ａ optとして決定する。
この場合も、図９で説明したように１１Ｔ連続パターン
と３Ｔ連続パターンの再生信号のピーク値とボトム値の
中間値の差であるΔＳＬが０であれば、最短ピットであ
る３Ｔを正確に３Ｔの長さに記録できるという理由に基
づいている。従って、ΔＳＬが０のときのＰａ１／ｃの
値を最適パワーレベルＰａ１／ｃ optとして得ることが
できる。

【００４２】次に、結晶状態において記録状態を形成す
るパワーレベルＰａ２／ｃを決定する処理を行う。この
処理は、図４のＳ１４〜Ｓ２０と全く同じである。な
お、図５のＳ３２は図６のＳ３４に続いているので、以
下図６を参照して説明する。まず、ＣＰＵ１８では先に
得られた結果からＰａ１／ｃの値をＰａ１／ｃ optと設
定し、Ｐａ２／ｃの初期値を０．８×Ｐａ１／ｃと設定
する（Ｓ３４）。Ｐｃ／ｃはＳ２７で得られた値を用い
るものとする。この記録パワーの条件で、ライトテスト
領域に１１Ｔ連続パターンを記録し（Ｓ３５）、その
後，それを再生して微分回路１６で再生信号を微分する
（Ｓ３６）。また、微分信号振幅検出回路１７で微分信
号のプラス側振幅ｄ／ｄｔ（ＬＥ）及びマイナス側振幅
ｄ／ｄｔ（ＴＥ）を検出し（Ｓ３７）、ＣＰＵ１８では
その差が０であるかどうかを判断する（Ｓ３８）。０で
なければ、差の値をメモリに格納し、Ｐａ２／ｃにΔＰ
ａ２／ｃを加えて（Ｓ３９）、再度Ｓ３５からの処理を
行う。

【００４３】このようにＳ３５〜Ｓ３９の処理を繰り返
し行い、Ｐａ２／ｃの値を所定量づつ増加していって、
その都度１１Ｔ連続パターンの再生微分信号のプラス
側、マイナス側の振幅を検出し、その差が０であるかど
うかを判断する。このような処理を行うことにより、図
１０と同様のデータが得られ、ｄ／ｄｔ（ＬＥ）−ｄ／
ｄｔ（ＴＥ）＝０となるときのＰａ２／ｃの値をＰａ２
／ｃの最適パワーレベルＰａ２／ｃ optとして決定する
（Ｓ４０）。この場合も、図１１で説明したように１１
Ｔ連続パターンの再生微分信号のプラス側とマイナス側
の振幅の差が０であれば、１１Ｔ連続パターンを理想的
なピット形状に記録できるという理由に基づいている。
よって、１１Ｔ連続パターンの再生微分信号のプラス側
とマイナス側の振幅が等しくなる記録パワーを検出する
ことで、Ｐａ２／ｃの最適値を見つけるようにしてい
る。以上で前記録状態が結晶状態において、消去状態を
形成するパワーレベルＰｃ／ｃ、記録状態を形成するパ
ワーレベルＰａ１／ｃ及びＰａ２／ｃの最適値が決定す
る（Ｓ４１）。

【００４４】次に、（３）について説明する。以上の処
理では、ディスクをアモルファス状態と結晶状態にし、
それぞれの状態において最適パワーレベルを決定してい
る。但し、相変化ディスクの実際の記録状態において
は、アモルファス状態と結晶状態が混在し、その上から
オーバーライトを行うものである。本実施形態では、実
際の記録状態においては３Ｔ〜１１Ｔの長さのマークと
スペースがランダムにディスク上に記録されるというこ
とから、アモルファス状態と結晶状態が等しい比率で存
在すると考え、（１），（２）で得られた各々の最適値
をそれぞれ平均して各パワーレベルの実際の最適値を算
出している。即ち、図６のＳ４２においてＣＰＵ１８は
図２の消去状態を形成するパワーレベルＰｃとして、Ｐ
ｃ＝（Ｐｃ／ａ＋Ｐｃ／ｃ）／２、記録状態を形成する
パワーレベルＰａ１として、Ｐａ１＝（Ｐａ１／ａ＋Ｐ
ａ１／ｃ）／２、記録状態を形成するパワーレベルＰａ
２として、Ｐａ２＝（Ｐａ２／ａ＋Ｐａ２／ｃ）の演算
処理を行う。以上でマルチパルス記録波形における多値
の各パワーレベルの最適値を決定し、ＣＰＵ１８では半
導体レーザ駆動回路１９を制御して半導体レーザ５の多
値のパワーレベルを各々得られた最適値に調整してライ
トテストを終了する。

【００４５】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。ディスク１の線速度がどの記録位置でも一定の場
合は、記録パワーを変える必要はないが、例えばＣＡＶ
方式のようにディスク１の記録位置によって線速度が異
なる場合は、それに応じて半導体レーザ５の記録パワー
を変える必要がある。本実施形態は、このような場合の
例である。図１２にディスク１の記録半径位置（線速）
と記録パワーの関係を示しており、線速度と記録パワー
の間には比例関係がある。従って、このような場合は、
図３〜図６で説明したライトテストは、例えばディスク
１の内周、中周及び外周で行うものとし、各位置で得ら
れたＰｃ，Ｐａ１，Ｐａ２の値をメモリに格納してお
き、それに基づいて直線近似によりディスク１の半径位
置に応じてＰｃ，Ｐａ１，Ｐａ２の値を変えるようにす
る。こうすることにより、記録位置に関係なく、記録に
要するエネルギーを一定にすることができる。また、ラ
イトテストはディスク１が交換されるごとに行うと説明
したが、これに限らず、情報の記録前に必ず行ってもよ
いし、あるいはディスク１がセットされた後も一定時間
ごとに定期的に行ってもよい。

【００４６】なお、以上の実施形態では、マルチパルス
記録によるレーザ点灯波形を図２のような点灯波形とし
たが、本発明はこれに限ることなく、例えば図１３
（ａ）、図１３（ｂ）、あるいは図１３（ｃ）のような
点灯波形の場合にも適用することができる。図１３
（ａ）〜（ｃ）は図２と同様に５Ｔパターンを記録する
ときのレーザ点灯波形を示している。図２との違いを説
明すると、まず、図１３（ａ）はＰａ１の前のクーリン
グギャップがない点のみが違っている。また、図１３
（ｂ）の点灯波形は、Ｐａ１の前のクーリングギャップ
がない点及びＰａ２の最小レベルがＰｒである点で異な
っている。図１３（ｃ）の点灯波形は、Ｐａ２の最小レ
ベルがＰｒである点でのみ異なっている。いずれの点灯
波形においても、本発明のライトテストによって各々の
多値の記録パワーレベルを最適値に調整することができ
る。

【００４７】また、以上の実施形態では、Ｐｃ，Ｐａ
１，Ｐａ２，Ｐｒ（＝Ｐｂ）の４値で制御する４値制御
の場合のライトテストを例として説明したが、本発明は
これに限ることなく、例えばＰｃ，Ｐａ，Ｐｒ（＝Ｐ
ｂ）の３値で制御する３値制御の場合にも適用すること
ができる。この３値制御の場合は、ライトテストは次の
ように行う。まず、図３のＳ１〜Ｓ７までは４値制御と
同じで、前記録状態がアモルファス状態で消去状態を形
成するパワーレベルＰｃ／ａを検出する。次に、記録状
態を形成するパワーレベルはＰａのみであるので、図３
のＳ８でＰａ／ａ＝Ｐｃ／ａ＋αとし、Ｓ９でそのＰａ
／ａのパワーレベルで１１Ｔ連続、３Ｔ連続パターンを
記録する。

【００４８】続いて、Ｓ１０で１１Ｔ，３Ｔ連続パター
ンを再生して１１Ｔと３Ｔの再生信号のスライスレベル
を検出し、Ｓ１１で１１Ｔと３Ｔのスライスレベルの差
ΔＳＬを検出し、得られたΔＳＬをメモリ格納する（Ｓ
１２）。以上のＳ１９〜Ｓ１３の処理を繰り返し行い、
Ｐａ／ａの値をΔＰａ／ａづつ高くしていって、その都
度１１Ｔ連続パターンの再生信号のスライスレベルＳＬ
（１１Ｔ）と３Ｔ連続パターンの再生信号のスライスレ
ベルＳＬ（３Ｔ）の差ΔＳＬを検出すると、図８の様な
データを得ることができる。この結果をもとにＳＬ（１
１Ｔ）−ＳＬ（３Ｔ）＝０となるときのＰａ／ａの値を
最適パワーレベルＰａ／ａ optとして決定する。

【００４９】同様にして、前記録状態が結晶状態の場合
において消去状態を形成するパワーレベルＰａ／ｃ、記
録状態を形成するパワーレベルＰｃ／ｃを検出し、それ
ぞれの検出結果の平均値を算出して実際の記録状態での
アモルファス状態（記録）を形成するパワーレベルＰａ
と結晶状態（消去）を作成するパワーレベルＰｃを決定
する。以上のような流れで３値制御の場合のライトテス
トを終了する。このように本発明は、３値制御の場合の
ライトテストにも適用が可能である。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、次の効果
がある。 （１）相変化記録媒体の前記録状態がアモルファス状態
と結晶状態のそれぞれの状態において、所定信号の記録
パワーとその再生信号振幅の関係に基づいて消去状態を
形成するパワーレベルを求め、しかも、記録媒体上のア
モルファス状態と結晶状態の存在比率を考慮して最適パ
ワーレベルを決定するので、記録媒体の特性に応じた正
確な値であって、実際の使用状態にも合った正確なパワ
ーレベルを得ることができる。 （２）同様に前記録状態がアモルファス状態と結晶状態
において、所定の長さの異なる２つの信号の記録パワー
とその再生信号のピーク値とボトム値の中間値の関係に
基づいて記録状態を形成するパワーレベルを求め、アモ
ルファス状態と結晶状態の存在比率を考慮して最適パワ
ーレベルを決定するので、最短ピットを正確にその長さ
に記録することができる。 （３）同様に前記録状態がアモルファス状態と結晶状態
において、所定信号の記録パワーとその再生微分信号の
正負の振幅の関係に基づいて記録状態を形成するもう一
方のパワーレベルを求め、アモルファス状態と結晶状態
の存在比率を考慮して最適パワーレベルを決定するの
で、最長ピットであっても正確にその長さに記録するこ
とができる。 （４）従って、記録マークの大きさの不揃いや、記録マ
ークの位置ずれ、あるいは前の情報の消し残りなどがな
くなり、最短ピットから最長ピットまでを正確に記録す
ることができ、情報の高密度記録やピットエッジ記録に
十分に対応することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光学的情報記録再生装置の一実施形態
を示した構成図である。

【図２】図１の実施形態の５Ｔパターンを記録するとき
のレーザ点灯波形を示した図である。

【図３】本発明のライトテスト方法の一実施形態を示し
たフローチャートである。

【図４】本発明のライトテスト方法の一実施形態を示し
たフローチャートである。

【図５】本発明のライトテスト方法の一実施形態を示し
たフローチャートである。

【図６】本発明のライトテスト方法の一実施形態を示し
たフローチャートである。

【図７】アモルファス状態で消去状態を形成するパワー
レベルＰｃ／ａを決定する方法を説明するための図であ
る。

【図８】アモルファス状態で記録状態を形成するパワー
レベルＰａ１／ａを決定する方法を説明するための図で
ある。

【図９】アモルファス状態でＰａ１／ａの違いによる１
１Ｔ連続パターン、３Ｔ連続パターンの再生信号のΔＳ
Ｌの変化を示した図である。

【図１０】アモルファス状態で記録状態を形成するパワ
ーレベルＰａ２／ａを決定する方法を説明するための図
である。

【図１１】アモルファス状態でＰａ２／ａの違いによる
１１Ｔ連続パターンの再生信号の前エッジと後エッジの
傾き及びその微分信号の正負の振幅の変化を示した図で
ある。

【図１２】ディスクの記録半径位置と記録パワーの関係
を示した図である。

【図１３】本発明を適用しうる５Ｔパターンの点灯波形
の他の例を示した図である。

【図１４】従来例の相変化ディスク装置を示した図であ
る。

【符号の説明】

１ 相変化ディスク ２ 記録膜 ３ スピンドルモータ ４ 光学ヘッド ５ 半導体レーザ ９ 対物レンズ １１ 光センサ １２ ＡＴ／ＡＦ回路 １４ 振幅検出回路 １５ アシンメトリ検出回路 １６ 微分回路 １７ 微分信号振幅検出回路 １８ ＣＰＵ １９ 半導体レーザ駆動回路

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光源の記録パワーを多値制御により制御
   して相変化記録媒体に情報を記録するに当たり、前記記
   録媒体にライトテストを行って前記光源の多値の記録パ
   ワーをそれぞれ最適値に調整するライトテスト方法であ
   って、前記記録媒体のライトテスト領域に光ビームを照
   射してアモルファス状態及び結晶状態とし、それぞれの
   状態において前記ライトテスト領域における所定信号の
   記録パワーとその再生信号振幅の関係に基づいて消去状
   態を形成するパワーレベル、前記ライトテスト領域にお
   ける所定の長さの異なる２つの信号の記録パワーとその
   再生信号のピーク値とボトム値の中間値の差の関係に基
   づいて記録状態を形成するパワーレベルをそれぞれ決定
   し、前記アモルファス状態、結晶状態で得られた結果及
   び記録媒体上のアモルファス状態と結晶状態の存在比率
   から消去状態を形成する最適パワーレベル、記録状態を
   形成する最適パワーレベルをそれぞれ決定することを特
   徴とするライトテスト方法。
2. 【請求項２】 光源の記録パワーを多値制御により制御
   して相変化記録媒体に情報を記録するに当たり、前記記
   録媒体にライトテストを行って前記光源の多値の記録パ
   ワーをそれぞれ最適値に調整するライトテスト方法であ
   って、前記記録媒体のライトテスト領域に光ビームを照
   射してアモルファス状態及び結晶状態とし、それぞれの
   状態において前記ライトテスト領域における所定信号の
   記録パワーとその再生信号振幅の関係に基づいて消去状
   態を形成するパワーレベル、前記ライトテスト領域にお
   ける所定の長さの異なる２つの信号の記録パワーとその
   再生信号のピーク値とボトム値の中間値の差の関係に基
   づいて記録状態を形成する第１のパワーレベル、前記ラ
   イトテスト領域における所定信号の記録パワーとその再
   生微分信号の正負の振幅の差の関係に基づいて記録状態
   を形成する第２のパワーレベルをそれぞれ決定し、前記
   アモルファス状態、結晶状態で得られた結果及び記録媒
   体上のアモルファス状態と消去状態の存在比率から消去
   状態を形成する最適パワーレベル、記録状態を形成する
   第１及び第２の各最適パワーレベルをそれぞれ決定する
   ことを特徴とするライトテスト方法。
3. 【請求項３】 相変化記録媒体に光源の記録パワーを多
   値制御により制御して情報を記録する光学的情報記録再
   生装置において、前記記録媒体のライトテスト領域に光
   ビームを照射してアモルファス状態及び結晶状態を形成
   する手段と、それぞれの状態において前記ライトテスト
   領域における所定信号の記録パワーとその再生信号振幅
   の関係に基づいて消去状態を形成するパワーレベル、前
   記ライトテスト領域における所定の長さの異なる２つの
   信号の記録パワーとその再生信号のピーク値とボトム値
   の中間値の差の関係に基づいて記録状態を形成するパワ
   ーレベルをそれぞれ決定する手段と、前記アモルファス
   状態、結晶状態で得られた結果及び記録媒体上のアモル
   ファス状態と結晶状態の存在比率から消去状態を形成す
   る最適パワーレベル、記録状態を形成する最適パワーレ
   ベルをそれぞれ決定する手段とを有することを特徴とす
   る光学的情報記録再生装置。
4. 【請求項４】 相変化記録媒体に光源の記録パワーを多
   値制御により制御して情報を記録する光学的情報記録再
   生装置において、前記記録媒体のライトテスト領域に光
   ビームを照射してアモルファス状態及び結晶状態を形成
   する手段と、それぞれの状態において前記ライトテスト
   領域における所定信号の記録パワーとその再生信号振幅
   の関係に基づいて消去状態を形成するパワーレベル、前
   記ライトテスト領域における所定の長さの異なる２つの
   信号の記録パワーとその再生信号のピーク値とボトム値
   の中間値の差の関係に基づいて記録状態を形成する第１
   のパワーレベル、前記ライトテスト領域における所定信
   号の記録パワーとその再生微分信号の正負の振幅の差の
   関係に基づいて記録状態を形成する第２のパワーレベル
   をそれぞれ決定する手段と、前記アモルファス状態、結
   晶状態で得られた結果、及び記録媒体上のアモルファス
   状態と結晶状態の存在比率から消去状態を形成する最適
   パワーレベル、記録状態を形成する第１及び第２の各最
   適パワーレベルをそれぞれ決定する手段とを有すること
   を特徴とする光学的情報記録再生装置。