JPH09230308A - Display scanning circuit - Google Patents

Display scanning circuit

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Publication number
JPH09230308A
JPH09230308A JP3214196A JP3214196A JPH09230308A JP H09230308 A JPH09230308 A JP H09230308A JP 3214196 A JP3214196 A JP 3214196A JP 3214196 A JP3214196 A JP 3214196A JP H09230308 A JPH09230308 A JP H09230308A
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JP
Japan
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stage
row
pixel
node
circuit
Prior art date
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JP3214196A
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Japanese (ja)
Inventor
Shue Non Ri
シュエ ノン リー
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YUANTAIKOOC KONIE GUUFUUN YUUS
YUANTAIKOOCHIIKONIE GUFUN YUGENKOSHI
YUANTAIKOOC-KONIE GUUFUUN YUUSHIENKONSHII
Original Assignee
YUANTAIKOOC KONIE GUUFUUN YUUS
YUANTAIKOOCHIIKONIE GUFUN YUGENKOSHI
YUANTAIKOOC-KONIE GUUFUUN YUUSHIENKONSHII
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce manufacturing cost, to eliminate the necessity of mounting an integrated circuit on a separated substrate and to increase reliabilty by using' a row selecting and driving circuit similar to the shift register. SOLUTION: A row selecting and driving circuit is divided into odd number stages and even number stages, and each stage has eleven transistors. The output r1 of the stage 1 is connected to the input of the stage 2 and also to the first row line ROW1 of the pixel array. The output r2 of the stage 2 is connected to the input of the stage 3 and also to the second row line ROW2 of the pixel array through a stage 240. All odd number atages receive the first, second and third clock signals, S1, o; S2,o; and S3,o respectively. All even number stages receive the fourth, fifth, and sixth clock signals S1,e, S2,e, S3,e respectively. The seventh clock signal S4 is connected to all stages. The eighth SDIN shift of the clock signal is connected to the first stage of the row selecting and driving circuit alone.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリク
ス表示装置用駆動回路に関し、特に薄膜トランジスタ
(TFT )を使用する液晶表示(LCD )のピクセルローを
駆動するロー選択駆動回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a drive circuit for an active matrix display device, and more particularly to a row selection drive circuit for driving a pixel row of a liquid crystal display (LCD) using a thin film transistor (TFT).

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示(LCD )又は類似装置は通常薄
膜MOS トランジスタで、基板、普通ガラスに配置される
ものを使用する。現在、ほとんど全ての商業的に入手可
能なアクティブマトリクス液晶表示(AMLCD )は、走査
信号がAMLCD の外部にあり用いられる点で走査されな
い。
BACKGROUND OF THE INVENTION Liquid crystal displays (LCDs) or similar devices usually use thin film MOS transistors, usually placed on a substrate, usually glass. Currently, almost all commercially available active matrix liquid crystal displays (AMLCD) are not scanned in that the scan signal is external to and used by the AMLCD.

【0003】走査されないAMLCD は各コラム及びローラ
インに対して1つの外部リードを要求する。例えば、黒
及び白768 ×1024 XGA コンピュータ表示に対する直接
ラインインタフェース駆動部は1792リードを要求す
る。表示駆動部におけるこの多数のリードに対する必要
は、表示の分解能及び複雑性を増すにつれて悪くなると
いう重大な問題である。2つの大きな挑戦は要求される
入力リードの数を減少させ、かつ表示基板に駆動回路を
「集積」することである。
Unscanned AMLCDs require one external lead for each column and row line. For example, a direct line interface driver for black and white 768 x 1024 XGA computer displays requires 1792 leads. The need for this large number of leads in the display drive is a serious problem that gets worse with increasing display resolution and complexity. Two major challenges are to reduce the number of input leads required and to "integrate" the drive circuitry on the display substrate.

【0004】米国特許No. 5,034,735 は、選択及び選択
解除信号を生成しまた次に制御ゲートを介してアドレス
指定を行うピクセルロー当たりの2つのトランジスタを
使用する駆動装置を開示する。しかしながら、走査駆動
回路及び信号駆動回路は強誘電性液晶表示に適するがTF
T-LCD に適しない。米国特許No. 5,157,386 はAMLCD を
K ビットのビデオディジタルデータで駆動する回路を開
示する。アナログスイッチはビデオ電圧を受け、アナロ
グスイッチが制御信号によりオンがなるときビデオ電圧
を各コラムに出力する。これは表示ローを選択的に駆動
する回路ではない。
US Pat. No. 5,034,735 discloses a driver using two transistors per pixel row for generating select and deselect signals and then addressing via a control gate. However, the scanning drive circuit and the signal drive circuit are suitable for the ferroelectric liquid crystal display,
Not suitable for T-LCD. U.S. Patent No. 5,157,386 refers to AMLCD
A circuit driven by K-bit video digital data is disclosed. The analog switch receives the video voltage and outputs the video voltage to each column when the analog switch is turned on by the control signal. This is not a circuit that selectively drives the display row.

【0005】米国特許No. 5,113,181 はデータ駆動部が
使用される表示を開示するが、走査駆動回路を開示しな
い。米国特許No. 5,313,222 はLCD 表示用選択駆動回路
で大量の電気的ストレスを受けなければならないものを
開示する。
US Pat. No. 5,113,181 discloses a display in which a data driver is used, but does not disclose a scan driver circuit. U.S. Pat. No. 5,313,222 discloses a selective driving circuit for LCD display which must be subjected to a large amount of electrical stress.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、製造
コストを減少させ、また分離基板に集積回路を取り付け
る必要性を削除することにより信頼性を増大することで
ある。本発明の別の目的は、表示基板に直接集積され得
る新規ロー選択駆動回路を形成して、これにより周辺I
Cs及び走査されないAMLCD に必要とされる混合集合の
コストを削減することである。
It is an object of the present invention to reduce manufacturing costs and to increase reliability by eliminating the need to mount integrated circuits on isolation substrates. Another object of the present invention is to form a novel row select drive circuit which can be integrated directly on the display substrate, thereby providing a peripheral I
To reduce the cost of the mixed set needed for Cs and unscanned AMLCD.

【0007】なお、本発明の別の目的は、選択解除時間
が早くかつ駆動信号が全振幅である新集積ロー選択駆動
回路を形成して薄膜トランジスタの高直列抵抗に起因し
て長時間定数を克服する。本発明のさらなる目的は、ロ
ー選択駆動回路の電力消費を減少させることである。
It is another object of the present invention to overcome the long time constant due to the high series resistance of the thin film transistor by forming a new integrated row selection drive circuit in which the selection release time is short and the drive signal is full amplitude. To do. A further object of the invention is to reduce the power consumption of the row select drive circuit.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】これらの目的はシフトレ
ジスタに類似するロー選択駆動回路を使用することによ
り達成される。各ロー選択駆動回路はピクセルのローを
付勢する。ロー選択駆動回路はピクセルのガラス基板に
配設される。各ロー選択駆動回路の出力は対応ピクセル
ローラインにまた次のロー選択駆動回路にアクティブ入
力として接続される。これらのロー選択駆動回路はピク
セルローを連続的に付勢する。表示装置に対して外部に
あるスイッチング装置はロー選択駆動回路に接続される
リードを持ち、リード数はピクセルローの数よりはるか
に少ない。ロー選択駆動回路のそれぞれは表示基板に形
成され、かつ各ピクセルローの連続アクティブ化をもた
らすように相互に接続されるる若干の薄膜トランジスタ
を具備する。
These objects are achieved by using a row select drive circuit similar to a shift register. Each row select drive circuit activates a row of pixels. The row selection drive circuit is disposed on the glass substrate of the pixel. The output of each row select drive circuit is connected to the corresponding pixel row line and to the next row select drive circuit as an active input. These row select drive circuits continuously activate pixel rows. The switching device, which is external to the display device, has leads connected to the row select drive circuit and the number of leads is much less than the number of pixel rows. Each of the row select driver circuits comprises a number of thin film transistors formed on the display substrate and interconnected to provide continuous activation of each pixel row.

【0009】第1のロー選択駆動回路ステージは第1の
所定期間に対する第1のピクセルローをアクティブ化す
る。第2の隣接ロー選択駆動回路は第2の所定期間に対
する連続ピクセルローを、第1の所定期間の終わり前に
アクティブ化することにより、より長いロー選択時間は
各ローに設けられて対応ピクセルローのピクセルを充電
又は放電する。そうして、より早い選択解除時間は薄膜
トランジスタの高直列抵抗に起因して遅い時間定数に打
ち勝つように達成される。
The first row select driver circuit stage activates the first pixel row for a first predetermined period. The second adjacent row select drive circuit activates the consecutive pixel rows for the second predetermined period before the end of the first predetermined period so that a longer row select time is provided for each row and the corresponding pixel row. To charge or discharge the pixels. Thus, a faster deselect time is achieved to overcome the slow time constant due to the high series resistance of the thin film transistors.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の他の特徴及び利得は添付
図面を参照して好ましい実施例の下記詳細記載において
明らかになる。本発明は384×240ピクセルアレー
カラーTVについて一例として説明される。図1は本発明
のロー選択駆動回路を示し、これには本発明のロー選択
駆動回路が含められている。図1での上部のブロックは
外部駆動システムを示し、これは、例えば、表示装置に
対する制御ロジック信号発生器の回路、サンプル及びホ
ールドを具備する。表示装置は図1の下部にブロックと
して示される。「ロー選択駆動部」としてラベルが付け
られているブロックは本発明を表示し、ピクセルマトリ
クスアレーの第1の2つのローと最後のローにだけ結合
されて示される。
Other features and advantages of the present invention will become apparent in the following detailed description of the preferred embodiment with reference to the accompanying drawings. The present invention is described by way of example for a 384 × 240 pixel array color TV. FIG. 1 shows the row selection drive circuit of the present invention, which includes the row selection drive circuit of the present invention. The upper block in FIG. 1 shows an external drive system, which comprises, for example, the circuitry, sample and hold of the control logic signal generator for the display. The display device is shown as a block at the bottom of FIG. The block labeled "row select driver" represents the invention and is shown only coupled to the first two rows and the last row of the pixel matrix array.

【0011】本発明のロー選択駆動回路の第1の好まし
い実施例は図2に示され、ここでは全入力及びパワー供
給信号は外部駆動システムで図1の上部ブロックに示さ
れるものから供給される。ロー選択駆動回路は、図1の
表示装置の1つの側にだけ示されているけれど、第2の
同一ロー選択駆動回路で表示装置の反対側のピクセルロ
ーラインに接続されるものを具備することが注目される
べきである。この第2のロー選択駆動回路は修理が要求
されるときに回路冗長性を提供しそして回路診断を高め
る。
A first preferred embodiment of the row select drive circuit of the present invention is shown in FIG. 2, where all input and power supply signals are provided by an external drive system from that shown in the upper block of FIG. . The row select driver circuit is shown only on one side of the display device of FIG. 1, but comprises a second identical row select driver circuit connected to the pixel row lines on the opposite side of the display device. Should be noted. This second row select drive circuit provides circuit redundancy and enhances circuit diagnostics when repair is required.

【0012】この実施例に対するロー選択駆動回路に、
図2に示されるように、240の同一の回路ステージが
ある。各駆動回路ステージは長方形の点線により示され
そしてステージ1、ステージ2及びステージ3としてス
テージ240を介してラベル付けされている。全ステー
ジは各ステージの入力が前のステージの出力に接続され
るところを除き同一である。
In the row selection drive circuit for this embodiment,
As shown in FIG. 2, there are 240 identical circuit stages. Each drive circuit stage is indicated by a dotted rectangle and is labeled via stage 240 as stage 1, stage 2 and stage 3. All stages are identical except that the input of each stage is connected to the output of the previous stage.

【0013】この実施例の焦点は特にロー駆動回路への
外部リード接続の数を使用される例において240のよ
うな数から11まで減少させることについて合わされて
いる。その回路は低移動性、不均質閾電圧及び閾電圧シ
フトのような悪い性能特性を有し、かつガラス基板に直
接配置され得る薄膜トランジスタを使用する問題を解決
する。
The focus of this embodiment is specifically focused on reducing the number of external lead connections to the row drive circuit from a number such as 240 to 11 in the example used. The circuit has poor performance characteristics such as low mobility, inhomogeneous threshold voltage and threshold voltage shift, and solves the problem of using thin film transistors that can be placed directly on the glass substrate.

【0014】図2に示すように、ロー選択駆動回路は奇
数及び偶数ステージに分割され、各ステージが11のト
ランジスタを有する。ステージ1の出力r1は、ステージ
2の入力にかつピクセルアレーの第1のローラインROW1
に接続される。ステージ2の出力r2はステージの入力に
かつピクセルアレーの第2の列ラインROW2にそしてステ
ージ240を介して接続される。全奇数ステージは第
1、第2及び第3クロック信号S1,o、S2,o、S3,oそれぞ
れを受ける。全偶数ステージは第4、第5及び第6クロ
ック信号S1,e、S2,e、S3,eそれぞれを受ける。第7クロ
ック信号S 4は全ステージに接続される。クロック信号
の第8SDINシフトはロー選択駆動回路の第1ステージに
だけ接続される。全ステージは2つの共通の大地(又は
負電極供給)VSS 及びVSS1並びに共通の正極電極供給VC
C に接続される。2つの接地を有する理由は各ステージ
の出力装置用接地VSS を第2接地VSS1から分離して出力
にノイズ免疫性を与えることである。かくして11の入
力リード、つまり、S1,o、S2,o、S3,o、及びS1,e、S2,
e、S3,e、S4、 SDIN、VCC 、VSS 及びVSS1が外部駆動シ
ステムから表示装置のロー選択駆動回路までに接続され
る。11の制御リードは240のロー選択駆動回路を、
後述するように、制御することを必要とされるだけであ
ることが見られる。もし各ステージの出力の干渉がVSS1
及びVSS の結合することにより重大でなければ、10の
制御リードだけが必要とされる。分離されたパワー供給
ライン、VSS 及びVSS1はこの実施例では使用される。
As shown in FIG. 2, the row select drive circuit is divided into odd and even stages, each stage having 11 transistors. The output r1 of stage 1 is the input to stage 2 and the first row line ROW1 of the pixel array.
Connected to. The output r2 of stage 2 is connected to the input of the stage and to the second column line ROW2 of the pixel array and via stage 240. All odd stages receive the first, second and third clock signals S1, o, S2, o, S3, o, respectively. All even stages receive the fourth, fifth and sixth clock signals S1, e, S2, e, S3, e, respectively. The seventh clock signal S 4 is connected to all stages. The eighth SDIN shift of the clock signal is connected only to the first stage of the row selection drive circuit. All stages have two common ground (or negative electrode supply) VSS and VSS1 and common positive electrode supply VC
Connected to C. The reason for having two grounds is to separate the output device ground VSS of each stage from the second ground VSS1 to provide noise immunity to the output. Thus 11 input leads, namely S1, o, S2, o, S3, o and S1, e, S2,
e, S3, e, S4, SDIN, VCC, VSS and VSS1 are connected from the external drive system to the row select drive circuit of the display device. 11 control leads have 240 row select drive circuits,
It will be seen that it only needs to be controlled, as described below. If the output interference of each stage is VSS1
And only 10 control leads are required, if not critical due to VSS coupling. Separate power supply lines, VSS and VSS1, are used in this embodiment.

【0015】図2をもう一度説明する。各駆動回路ステ
ージはトランジスタM1と、トランジスタM2を具備し、こ
れは電力供給VCC 及び負電力供給VSS1の間に直列接続さ
れ、M1のゲートが奇数ステージのS1,oクロック信号にか
つ偶数ステージのS1,eのクロック信号に接続され、そし
てM2のゲートは特別のステージの入力端子として働く。
トランジスタM5及びトランジスタM4はVSS1及び奇数ステ
ージのS2,oクロック信号間に直列接続され、また偶数ス
テージのS2,eに接続され、M4のゲートは入力端子に接続
され、M5のゲートはM1及びM2間の共通ノードに接続さ
れ、またトランジスタM3のドレイン及びゲートに接続さ
れ、ソースはVSS1に接続される。トランジスタM7及びト
ランジスタM6は直列に負電極供給VSS 及び偶数ステージ
のS3,oクロック信号間に、かつ偶数ステージのS3,eクロ
ック信号に接続され、M7のゲートはM1及びM2間の共通ノ
ードに接続され、M6のゲートはM4及びM5間の共通ノード
に接続され、かつ、M7及びM6間の共通ノードは次のステ
ージのロー出力及び入力端子に接続される。トランジス
タM11 及びトランジスタM10 は直列に負電力供給VSS1及
び奇数ステージに対するS1,oクロック間に、かつ、偶数
ステージに対するS1,eクロック信号に接続され、M11 の
ゲートは入力端子に接続され、そしてM11 及びM10 の共
通ノードはトランジスタM8のゲートに接続され、そのド
レーン及びソースは並列にM7のドレーン及びソースと接
続される。トランジスタM9はM10 のゲート及び次のステ
ージのロー出力間に接続され、そしてクロック信号S4に
接続されるゲートを有する。
Referring again to FIG. Each driver circuit stage comprises a transistor M1 and a transistor M2, which are connected in series between the power supply VCC and the negative power supply VSS1, with the gate of M1 at the odd stage S1, o clock signal and at the even stage S1. , e connected to the clock signal, and the gate of M2 serves as the input terminal of the special stage.
Transistor M5 and transistor M4 are connected in series between VSS1 and S2, o clock signals of odd stages, and are connected to S2, e of even stages, the gate of M4 is connected to the input terminal, and the gate of M5 is M1 and M2. Is connected to the common node between them, is also connected to the drain and gate of the transistor M3, and the source is connected to VSS1. Transistors M7 and M6 are connected in series between the negative electrode supply VSS and the even stage S3, o clock signals and to the even stage S3, e clock signals, and the gate of M7 is connected to the common node between M1 and M2. The gate of M6 is connected to the common node between M4 and M5, and the common node between M7 and M6 is connected to the low output and input terminal of the next stage. The transistors M11 and M10 are connected in series between the negative power supply VSS1 and the S1, o clocks for the odd stages and to the S1, e clock signals for the even stages, the gate of M11 is connected to the input terminal, and M11 and M10 are connected. The common node of M10 is connected to the gate of transistor M8, and its drain and source are connected in parallel to the drain and source of M7. Transistor M9 has its gate connected between the gate of M10 and the low output of the next stage, and to clock signal S4.

【0016】ロー選択駆動回路は好ましくは薄膜トラン
ジスタ(TFT )で表示装置基板に作られてピクセルトラ
ンジスタの選択ローをオン及びオフするべき表示に対し
て走査信号を生成する。制御クロック信号並びに内部及
び出力ノードでの信号の波形は図3に示される。クロッ
ク信号S1,o、S1,e S2,o S2,e S3,o S3,eは走査ライン期
間の2倍の長さの期間を持ち、そして、S4は走査ライン
期間を持つ。信号SDINの入力シフトはフレーム期間を持
つ。この例としてNTSCシステムを使用し、走査ライン時
間幅及びフレーム時間幅はそれぞれ約63us及び16.67ms
である。各ステージの出力は、図1に示されるように、
表示ピクセルゲートラインのローに接続される。
The row select driver circuit is preferably made of a thin film transistor (TFT) on the display substrate to generate the scan signal for the display to turn on and off the select row of the pixel transistor. The waveforms of the control clock signal and the signals at the internal and output nodes are shown in FIG. The clock signals S1, o, S1, e S2, o S2, e S3, o S3, e have a period that is twice as long as the scan line period, and S4 has a scan line period. The input shift of the signal SDIN has a frame period. Using the NTSC system as an example, the scan line time width and frame time width are about 63us and 16.67ms, respectively.
It is. The output of each stage is, as shown in FIG.
Connected to low on display pixel gate line.

【0017】ビデオ情報(又は表示に対する入力信号の
他の手段)は一度に1つのローで図1のシステムに供給
される。当業者が気づくように、図2の薄膜トランジス
タの低移動性(例えば抵抗の高さ)ピクセルキャパシタ
ンスの充電時間及び放電時間をTFT を介して示し、効率
的にロー選択時間を短縮する。ピクセルキャパシタンス
を充電又は放電すべきより長いロー選択期間を達成する
ために、次の隣接ローはその前のローのアクティブ化が
排除される前にアクティブ化される。しかしながら、情
報の1つのラインだけが1つの期間に与えられる。1つ
のピクセルローだけが任意の一定水平ライン期間にロッ
クされるためである。この動作は「ライン予備選択」と
呼ばれる。ロ 0選択駆動回路の利益は外部リード選択の
数を減らすことである。この実施例では、リード接続の
数は選択駆動部だけに対して240から11に減らされ
る。このリードの減少は次に表示集合及び包装を簡単化
することに意義がある。この実施例の新規な回路がステ
ージ当たり11のトランジスタを要求するけれど、その
トランジスタはガラスのような基板に製造するには相対
的に小さくかつ容易である。結果として、製造費用はリ
ード接続の有意義な減少及びより少ない外部駆動部チッ
プのために減らされる。
Video information (or other means of input signals for display) is provided to the system of FIG. 1 one row at a time. As those skilled in the art will recognize, the low mobility (eg, high resistance) pixel capacitance charge and discharge times of the thin film transistor of FIG. 2 are shown via TFTs, effectively reducing the row select time. To achieve a longer row select period to charge or discharge the pixel capacitance, the next adjacent row is activated before the activation of the previous row is eliminated. However, only one line of information is given in one period. This is because only one pixel row is locked during any given horizontal line period. This operation is called "line preselection". The benefit of the 0-select drive circuit is to reduce the number of external lead selects. In this embodiment, the number of lead connections is reduced from 240 to 11 for the select driver only. This reduction in leads is then significant in simplifying display assembly and packaging. Although the novel circuit of this embodiment requires 11 transistors per stage, the transistors are relatively small and easy to fabricate on a substrate such as glass. As a result, manufacturing costs are reduced due to a significant reduction in lead connections and less external drive chips.

【0018】図2及び図3のタイミング図に示されるよ
うに、動作開始はt0からt1まで及ぶ。S1,o、S1,eクロッ
ク信号の初期化パルスは全てのステージでトランジスタ
M1をオンにし、これによって全てのノードa1、a2、…a2
40は高電圧( 論理的な「1」)レベル約VDD 又はVCC に
充電され、ここにVDD はS1,o及びS1,e信号パルスの正振
幅である。この瞬間に、全てのノードa1,o、a1,o、…a2
40は全トランジスタM5及びM7に導通させて全ノードb1、
b2、…b240及び全出力ノードr1、r2…r240は共通接地レ
ベルVSS1及びVSS (低電圧又は論理的な「0」レベル)
までにそれぞれ放電される。そのため、最後のローライ
ンROW240を経由する第1のローラインROW1に対する全走
査ラインはVSS レベルまで動作の初期に放電される。し
かしながら、これらの初期化パルスは選択的であること
を示される。
As shown in the timing diagrams of FIGS. 2 and 3, the start of operation extends from t0 to t1. Initialization pulse of S1, o, S1, e clock signal is a transistor in all stages
Turn on M1, which causes all nodes a1, a2, ... a2
40 is charged to a high voltage (logical "1") level around VDD or VCC, where VDD is the positive amplitude of the S1, o and S1, e signal pulses. At this moment, all nodes a1, o, a1, o, ... a2
40 makes all the transistors M5 and M7 conductive, and all the nodes b1,
b2, ... b240 and all output nodes r1, r2 ... r240 have common ground levels VSS1 and VSS (low voltage or logical "0" level)
Until each is discharged. Therefore, all the scan lines for the first row line ROW1 via the last row line ROW240 are discharged to the VSS level at the beginning of the operation. However, these initialization pulses have been shown to be selective.

【0019】出力ノードが低電圧レベルにある限り、同
一ステージのノードd での電圧変動は、M8のドレーン
(ソース)がM7のドレーン(ソース)と共通にあるの
で、対応出力に効力を持たない。各黒く信号に対する正
(負)振幅がVDD に等しと仮定され、ここにVDD は大き
さでVCC に等しいか又は近い。t1後及びt2前にパルス化
する任意のクロック信号は、ノードa 及びb が、この期
間中に、それぞれ高及び低のままであるので、出力ノー
ドに効力がない。時間t2に、信号のSDINシフトは高にパ
ルス化されステージ1のM2、M4及びM11 をオンにする。
M2をオンにすることにより、ノードa1はVSS1レベルまで
に放電されるが、a240を経由するノードa2は高電圧レベ
ルのままである。ステージ1のM4が導通し、S2,oはt2に
低電圧レベルにあるので、ノードb1は低電圧レベルのま
まである。ノードd1は、M11 がオンであるので、t2に低
電圧レベルにある。
As long as the output node is at a low voltage level, the voltage variation at node d of the same stage has no effect on the corresponding output because the drain (source) of M8 is in common with the drain (source) of M7. . It is assumed that the positive (negative) amplitude for each black signal is equal to VDD, where VDD is equal or close in magnitude to VCC. Any clock signal pulsing after t1 and before t2 has no effect on the output node because nodes a 1 and b 2 remain high and low, respectively, during this period. At time t2, the SDIN shift of the signal is pulsed high, turning on M2, M4 and M11 of stage 1.
By turning on M2, node a1 is discharged to the VSS1 level, while node a2 via a240 remains at the high voltage level. Node b1 remains at the low voltage level because M4 of stage 1 is conducting and S2, o is at the low voltage level at t2. Node d1 is at a low voltage level at t2 because M11 is on.

【0020】t3に、信号S1,oは高にパルス化されて全奇
数ステージのM1をオンにする。M1及びM2はステージ1で
導通して、ノードa1はVDD 及びVSS1間の中間電圧レベル
に充電され、M1及びM2のトランジスタの寸法比に依存す
る。信号S2,oはt4に高にパルス化され、ノードb1は、も
しこの時間のノードa1(中間電圧レベルにある)が十分
に大きくてステージ1のM5をオンにするならば、中間電
圧レベルに充電される。任意の事象で、時間のこの点で
ノードb1の潜在力は、信号S3,oが低電圧レベルにあるの
で、回路の動作に効力がない。
At t3, the signal S1, o is pulsed high, turning on M1 of all odd stages. M1 and M2 conduct in stage 1 and node a1 is charged to an intermediate voltage level between VDD and VSS1, depending on the dimensional ratio of the transistors of M1 and M2. Signal S2, o is pulsed high at t4 and node b1 goes to the intermediate voltage level if node a1 (at the intermediate voltage level) at this time is large enough to turn on M5 of stage 1. Be charged. In any event, the potential of node b1 at this point in time has no effect on the operation of the circuit because signal S3, o is at a low voltage level.

【0021】t5に、信号S1,oは低電圧レベルに戻り、ス
テージ1のM1をオフにし、ノードa1は低電圧レベルに放
電され、M5をオフにする。次に、ノードb1は、M4がなお
オンであり、S2,oが高電圧レベルにあるので、高電圧レ
ベルに充電される。かくして、ノードb1はt5に論理的な
「1」レベルにプルアップされる。t6に、この信号S3,o
はVDD レベルに上げられ、これにより出力ノードr1は高
電圧レベル(論理的な「1」)に充電される。ノードr1
が論理的な「1」レベルにある期間中に、図1における
ピクセルアレーのロー1の全ピクセルトランジスタはオ
ンになる。ステージ1のトランジスタM11 は、ノードd1
を、論理的な「0」レベルにあるノードd1で、T6に出力
ノードr1の変化期間中に保持するのに使用される。
At t5, the signals S1, o return to a low voltage level, turning off M1 in stage 1, node a1 is discharged to a low voltage level, turning off M5. Next, node b1 is charged to the high voltage level because M4 is still on and S2, o is at the high voltage level. Thus, node b1 is pulled up at t5 to a logical "1" level. At t6, this signal S3, o
Is raised to VDD level, which causes the output node r1 to be charged to a high voltage level (logical "1"). Node r1
During the period when is at a logical "1" level, all pixel transistors in row 1 of the pixel array in Figure 1 are on. The transistor M11 in stage 1 is connected to the node d1.
, At node d1 at a logical "0" level, is used to hold T6 during the transition of output node r1.

【0022】r1が論理的な「1」レベルに充電された直
後に、ステージ2のM2及びM4はオンになり、ノードa2は
VSS1レベルに放電され、ノードb2は、S2,eが低電圧レベ
ルにあるので、低電圧レベルのままにある。t7でt3から
63usの走査期間後に、信号S1,eは高にパルス化されて全
偶数ステージのM1をオンにする。この瞬間に、ステージ
2のM1及びM2は導通し( ステージ1の出力ノードr1が論
理的な「1」レベルにあるため)、ノードa2は中間電圧
レベルに充電され、t3でノードa1に類似する。信号SDIN
はt7で低電圧レベルに戻り、任意に選択される。なぜな
ら図3に示されるように、t2及びt7間のS3,eの特別のパ
ルスに同期するためであり、これによりステージ1 のM2
及びM4はオフにされ、ノードa1およびb1はなお低電圧及
び高電圧にそれぞれあり、かくして出力ノードr1に効力
を持たない。SDINの立ち下がりエッジは任意の時間にt6
及びt9間にノードr1に影響を与えずに発生するように設
計され得る。
Immediately after r1 is charged to a logical "1" level, M2 and M4 of stage 2 turn on and node a2
Discharged to the VSS1 level, node b2 remains at the low voltage level because S2, e is at the low voltage level. From t3 at t7
After a scan period of 63 us, the signal S1, e is pulsed high, turning on M1 of all even stages. At this moment, M1 and M2 of stage 2 are conducting (because the output node r1 of stage 1 is at a logical "1" level), node a2 is charged to an intermediate voltage level and resembles node a1 at t3. . Signal SDIN
Returns to the low voltage level at t7 and is arbitrarily selected. This is because it is synchronized with the special pulse of S3, e between t2 and t7, as shown in FIG.
And M4 are turned off, nodes a1 and b1 are still at the low and high voltages, respectively, and thus have no effect on output node r1. SDIN falling edge is t6 at any time
, And t9 can be designed to occur without affecting node r1.

【0023】t8に、t4から63us走査期間後に、信号S2,e
は高にパルス化され、ノードb2は中間電圧レベルに充電
され、t4にノードb1に類似する。信号S2,oはt9に低電圧
レベルに戻り、そしてM4が既にt7にオフになるまで、ノ
ードb1に効力を持たない。信号S1,eはt10 に低電圧レベ
ルに戻り、ステージ2のM1をオフにし、これによりノー
ドa2は低電圧レベルに放電され(出力ノードr1は論理的
な「1」レベルにあるため)、次にステージ2のM5をオ
フにする。ノードb2は、ステージ2がなおオンにあり、
S2,eが高電圧レベルにあるので、高電圧レベルに充電さ
れ得る。b2が高であり、ステージ2のM6はt10 にオンに
なる。
At t8, after the scanning period of 63us from t4, signals S2, e
Is pulsed high and node b2 is charged to an intermediate voltage level, similar to node b1 at t4. The signal S2, o returns to the low voltage level at t9 and has no effect on node b1 until M4 is already off at t7. The signals S1, e return to the low voltage level at t10, turning off M1 in stage 2, which causes node a2 to discharge to the low voltage level (because output node r1 is at a logical "1" level), Then turn off the M5 of Stage 2. Node b2 has stage 2 still on,
Since S2, e is at a high voltage level, it can be charged to a high voltage level. b2 is high and Stage 6 M6 turns on at t10.

【0024】t11 に、信号S3,eはVDD レベルに上げられ
る。S3,eが高であり、ステージ2のM6がオンにあり、出
力ノードr2は論理的な「1」レベルに引かれる。ノード
r2が論理的な「1」レベルにある期間中に、図1のピク
セルアレーの第2ローラインROW2における全ピクセルト
ランジスタはオンになる。ステージ2のM11 は、ノード
d2を、論理的な「0」レベルに、t11 に出力ノードr2の
変化期間中に保持することを目的としてオンになる。t1
1 に、出力ノードr1及びr2の双方は所望のように、論理
的な「1」レベルになる。
At t11, the signals S3, e are raised to the VDD level. S3, e is high, M2 of stage 2 is on, and output node r2 is pulled to a logical "1" level. node
During the period when r2 is at the logical "1" level, all pixel transistors in the second row line ROW2 of the pixel array of FIG. 1 are on. M11 on stage 2 is a node
It turns on for the purpose of holding d2 at a logical "0" level at t11 during the transition of output node r2. t1
At 1, both output nodes r1 and r2 are at a logical "1" level, as desired.

【0025】t12 に、信号S4は論理的な「1」電圧レベ
ルに上げられて、ステージ1のM9をオンにしかつノード
c1を高電圧レベルに引き、一方、出力ノードr2は高電圧
レベルにある。ノードc1が高で、ステージ1のM10 がオ
ンになる。t13 に、t3後126us (又は走査ライン時間の
2倍)に、信号S1,oは高に再度パルス化され、ノードd1
が論理的な「1」レベルに充電され、ステージ1のM8を
オンにする。S1,oがt13 に高であれば、全奇数ステージ
のM1はオンになる。ステージ1のM1及びM2はt13 にオン
及びオフにそれぞれなるので、ノードa1は論理的な
「1」レベルに引かれ、ステージ1のM3, M5及びM7をオ
ンにする。ステージ1のM5をオンにすることにより、ノ
ードb1は低電圧レベルに放電される。その信号S3,oはt1
3 に低電圧レベルに戻され得る。ステージ1のM7及びM8
がt13 にオンになれば、出力ノードr1はt13 にVSS レベ
ルに放電される。第1ローラインROW1に対す高速選択解
除動作はこの瞬間に成される。M3は、適当なバイアス電
圧を、同一ステージのM5及びM7に、対応ローラインの非
選択期間に与えることを可能にするように接続される。
At t12, signal S4 is raised to a logical "1" voltage level, turning on M9 in stage 1 and node
c1 is pulled to a high voltage level, while output node r2 is at a high voltage level. Node c1 is high and stage 1 M10 is on. At t13, 126us after t3 (or twice the scan line time), the signal S1, o is re-pulsed high and node d1
Are charged to a logical "1" level, turning on Stage 1 M8. If S1, o is high at t13, M1 of all odd stages will be on. Since M1 and M2 of stage 1 are turned on and off respectively at t13, node a1 is pulled to a logical "1" level, turning on M3, M5 and M7 of stage 1. Turning on M5 of stage 1 discharges node b1 to a low voltage level. The signal S3, o is t1
Can be returned to a low voltage level of 3. Stage 1 M7 and M8
Is turned on at t13, the output node r1 is discharged to VSS level at t13. The high-speed deselection operation for the first row line ROW1 is performed at this moment. M3 is connected to allow an appropriate bias voltage to be applied to M5 and M7 of the same stage during the non-selected period of the corresponding row line.

【0026】出力ノードr2がt11 に論理的な「1」レベ
ルに引かれた後に直ぐ、ステージ3のM2及びM4はオンに
なり、これによってノードa3はVSS1に放電され、ノード
b3は、S2,oが低電圧レベルにあるので、低電圧レベルの
ままにある。ステージ1に同様に、S1,oがt13 に高にパ
ルス化されるので、M1は、M2がステージ3で導通する間
に、オンになり、これによりノードa3は中間電圧レベル
に充電される。信号S2,oはt4後126u(又は走査ライン時
間の2倍)であるt14 に高に再度パルス化され、ノード
B3は中間電圧レベルに充電され、再度t4にステージ1で
発生する動作に類似する。出力ノードr1が論理的な
「0」レベルに引き下げられるので、ステージ2のM2及
びM4はオフになる。t15 に、信号S2,eは低電圧レベルに
戻り、ステージ2のM4のためにノードb2に効力がなく、
t13 で既にオフになる。
Immediately after the output node r2 is pulled to the logical "1" level at t11, M2 and M4 of stage 3 are turned on, which causes node a3 to be discharged to VSS1.
b3 remains at the low voltage level because S2, o is at the low voltage level. Similar to stage 1, S1, o is pulsed high to t13 so that M1 turns on while M2 conducts in stage 3, thereby charging node a3 to an intermediate voltage level. The signal S2, o is re-pulsed high at t14, which is 126u (or twice the scan line time) after t4.
B3 is charged to the intermediate voltage level and again resembles the operation that occurs in stage 1 at t4. As output node r1 is pulled to a logical "0" level, M2 and M4 of stage 2 are turned off. At t15, the signal S2, e returns to a low voltage level, and due to M4 of stage 2 there is no effect on node b2,
It is already off at t13.

【0027】t16 に、信号S1,oは低電圧レベルの戻り、
ステージ3のM1をオフにし、これによりノードa3は、出
力ノードが論理的な「1」にあるため、低電圧レベルに
放電される。ノードa3が論理的な「0」レベルにあれ
ば、ステージ3のM5はオフになり、そしてノードb3は、
ステージ3のM4がオンになり、かつ、S2,oが高電圧レベ
ルにあるので、高電圧レベルに充電される。信号S3,oは
t17 でVDD レベルに、t6後126us の期間に、上げられ
る。再度、動作のシーケンスはt6にステージ1の出力ノ
ードr1に発生するものと類似する。したがって、出力ノ
ードr3は、S3,oがt13 に高にパルス化された後直ぐに、
論理的な「1」レベルに引かれる。出力ノードr3が論理
的な「1」レベルにある期間中に、図1のピクセルアレ
ーの第3ローラインROW3における全ピクセルトランジス
タはオンになる。ステージ3のM11 は出力ノードr2に高
電圧レベルによりオンになり、これにより、ノードd3
を、t13に出力ノードr3の変化期間中に論理的な「0」
レベルに保持する。出力ノードr2及びr3の双方はt17 に
高電圧レベルにある。
At t16, the signals S1, o return to the low voltage level,
Turning off M1 in stage 3, this causes node a3 to be discharged to a low voltage level because the output node is at a logical "1". If node a3 is at a logical "0" level, then stage 5 M5 is off, and node b3 is
Since M4 of stage 3 is turned on and S2, o is at the high voltage level, it is charged to the high voltage level. The signal S3, o is
It is raised to VDD level at t17 and 126us after t6. Again, the sequence of operations is similar to that occurring at the output node r1 of stage 1 at t6. Therefore, the output node r3 is shortly after S3, o is pulsed high to t13,
You are drawn to a logical "1" level. During the period when the output node r3 is at the logical "1" level, all pixel transistors in the third row line ROW3 of the pixel array of FIG. 1 are turned on. The high voltage level turns on M11 in stage 3 at output node r2, which causes node d3
At t13, during the changing period of the output node r3, a logical "0" is given.
Hold on level. Both output nodes r2 and r3 are at the high voltage level at t17.

【0028】t13 に第1ローラインROW1に対する選択除
去動作に類似して、第2及び第3ラインROW2及びROW3は
t18 及びt19 に、ぞれぞれ選択除去される。これまで見
られたように、ステージ2に対するt6及びt18 間の期間
中のクロック信号S1,e、S2,e及びS3,eのタイミングシー
ケンスはt2及びt13 間の期間のステージ1におけるS1,
o、S2,o及びS3,oと同じ特性だけでなく、同様にステー
ジ1と同一の特性(1走査ライン時間遅延についてだ
け)を持つ。同様に、同一の動作シーケンスha,t11
及びt19 間の時間動作でのステージ3により、t2及びt1
3 (2走査ライン時間遅延についてだけ)間の期間での
ステージ1によるように、実行される。
At t13, similar to the selective removal operation for the first row line ROW1, the second and third lines ROW2 and ROW3 are
At t18 and t19, they are selectively removed. As seen so far, the timing sequence of the clock signals S1, e, S2, e and S3, e during the period between t6 and t18 for stage 2 is S1, in stage 1 during the period between t2 and t13.
It has not only the same characteristics as o, S2, o and S3, o, but also the same characteristics as stage 1 (only for one scan line time delay). Similarly, the same operation sequence ha, t11
And t2 and t1 due to stage 3 in the time motion between t19 and t19
Performed as per Stage 1 for a period of 3 (only for 2 scan line time delays).

【0029】各連続ロー選択駆動回路ステージは入力信
号SDINに類似する信号の等価「変化」をステージ1に与
える前のステージの出力と同様に動作する。全連続ステ
ージは、これらのステージが前のステージから高出力信
号を受けるまで、オフ条件(論理的な「0」レベル)の
ままにある。したがって、駆動回路及び残フレーム時間
中のクロック信号は、走査ラインROW4の選択及び選択除
去を、上記と同様に240 を介して連続的にシフトする。
ダミーステージ(図示されない)は出力ノードr241を、
ピクセルアレーに接続せず、ステージ240 におけるM9の
ドレーン電極に与えるように追加され得る。ダミーステ
ージのM9のドレーン電極はVSS1に接続され得る。
Each successive row select drive circuit stage operates similarly to the output of the stage prior to providing stage 1 with an equivalent "change" in signal similar to the input signal SDIN. All successive stages remain in the off condition (logical "0" level) until they receive a high output signal from the previous stage. Therefore, the drive circuit and the clock signal during the remaining frame time continuously shift the selection and deselection of the scan line ROW4 via 240 as before.
The dummy stage (not shown) has an output node r241,
It can be added to connect to the drain electrode of M9 in stage 240 without connecting to the pixel array. The drain electrode of M9 of the dummy stage may be connected to VSS1.

【0030】当業者が評価するように、パワーがオンな
った後の表示情報の第1のフレームだけは、非常に早く
パルス化されさらに表示出力に逆に影響を与えないた
め、通常、無視されることが注目されるべきである。し
たがって、S1,o及びS1,eの初期化パルスは、この場合、
出力ノードが全て低電圧レベルにあり、全他のノードが
周知ステージで、単なる第1フレームの終わりに、単な
る第1フレームの初期にS1,o及びS1,eの初期化パルスな
しで、あるので、必要とされない。図3はフレームの第
1の少ない走査ラインのタイミング図を示すだけである
ことを注目せよ。
As will be appreciated by those skilled in the art, only the first frame of display information after power is turned on is normally ignored because it is pulsed very quickly and does not adversely affect the display output. It should be noted that Therefore, the initialization pulses of S1, o and S1, e are
Since the output nodes are all at low voltage levels and all other nodes are at known stages, just at the end of the first frame, and at the beginning of the first frame, without the S1, o and S1, e initialization pulses. , Not needed. Note that FIG. 3 only shows a timing diagram for the first few scan lines of a frame.

【0031】本発明の第2の好ましい実施例は図4に示
され、前の実施例の正確なコピーであるが、ただし各ス
テージのM1のドレーンが同一のトランジスタのゲートに
接続されることを除く。換言すれば、そのドレーンはS
1,o又はS1,eクロック信号のいずれかに、奇数又は偶数
ステージに依存して、図2に示されるように電力供給VC
C の代わりに、接続される。このようにして、1少ない
外部リード、すなわち、10リードが前の実施例に対す
る11リードに比較して第2の実施例に使用され、かく
して集合及び包装を簡単化する。さらに、回路性能は、
M1がオンのときはいつもM1のドレーンが高電圧レベルに
あるため、犠牲にされず、あたかもドレーンがドレーン
がVCC に接続されるかのように動作する。ノードa が、
もしM1がオフならばM1のドレーン電圧により影響されな
い。従って、図4における回路によって生成される出力
波形は必然的に、図2に示される回路により生成される
ものと同じになる。
A second preferred embodiment of the invention is shown in FIG. 4, which is an exact copy of the previous embodiment, except that the drain of M1 in each stage is connected to the gate of the same transistor. except. In other words, the drain is S
Depending on the odd or even stage, either the 1, o or S1, e clock signal, the power supply VC as shown in FIG.
Connected instead of C. In this way, one less external lead, i.e. 10 leads, is used in the second embodiment compared to the 11 leads for the previous embodiment, thus simplifying assembly and packaging. Furthermore, the circuit performance is
Whenever M1 is on, it is not sacrificed because the drain of M1 is at a high voltage level and the drain behaves as if it were connected to VCC. Node a is
If M1 is off, it is unaffected by the drain voltage on M1. Therefore, the output waveform produced by the circuit in FIG. 4 will necessarily be the same as that produced by the circuit shown in FIG.

【0032】図5に示されるように、本発明に係る第3
の好ましい実施例のロー選択駆動回路は奇数及び偶数ス
テージに、分割されるが、各ステージは6つのトランジ
スタだけ有する。ステージ1の出力、R1は、ステージ2
の入力に、かつピクセルアレーの第1ローラインROW1に
接続される。ステージ2の出力、R2はステージ3の入力
に、かつピクセルアレーの第2のローラインROW2に、そ
してステージ240を介して接続される。全奇数ステー
ジは第1、第2及び第3クロック信号S1,o、S2,o、S3,o
をそれぞれ受ける。全偶数ステージは第4、第5及び第
6クロック信号S1,e、S2,e、S3,eをそれぞれ受ける。SD
INシフト−イン信号は第1ステージだけに接続される。
全ステージは2つの共通接地(又は負電力供給)VSS 及
びVSS1及び共通正電力供給VCC に接続される。かくし
て、第1の好ましい実施例と異なり、10入力リード、
つまり、S1,o、S2,o、S3,o、S1,e、S2,e、S3,e、SDIN、
VCC、及びVSS1だけがあり、表示装置のロー選択駆動回
路に接続される外部システムからのものである。これら
の10の制御リードだけは240ロー選択駆動回路を制
御するのに使用される。
As shown in FIG. 5, according to the third aspect of the present invention.
The row select driver circuit of the preferred embodiment of is divided into odd and even stages, each stage having only six transistors. The output of stage 1, R1 is the stage 2
, And to the first row line ROW1 of the pixel array. The output of stage 2, R2, is connected to the input of stage 3 and to the second row line ROW2 of the pixel array, and via stage 240. All odd stages have first, second and third clock signals S1, o, S2, o, S3, o
Receive each. All even stages receive the fourth, fifth and sixth clock signals S1, e, S2, e, S3, e, respectively. SD
The IN shift-in signal is connected to the first stage only.
All stages are connected to two common ground (or negative power supplies) VSS and VSS1 and a common positive power supply VCC. Thus, unlike the first preferred embodiment, 10 input leads,
That is, S1, o, S2, o, S3, o, S1, e, S2, e, S3, e, SDIN,
Only VCC and VSS1 are from an external system connected to the row select drive circuit of the display. Only these 10 control leads are used to control the 240 row select drive circuit.

【0033】各ロー選択駆動回路ステージはトランジス
タM1及びトランジスタM2を具備し、これらは直列に正電
力供給VCC 及び負電力供給VSS1に接続され、M1のゲート
は奇数ステージに対するS1,oクロック信号にかつ偶数ス
テージに対するS1,eクロック信号に接続され、M2のゲー
トは入力端子として働く。トランジスタM3及びトランジ
スタM4は直列に正電力供給VCC 及び入力端子間に接続さ
れ、M3のゲートは奇数ステージに対するS1,oクロック信
号にかつ偶数ステージに対するS1,eクロック信号に接続
され、M4のゲートは奇数ステージに対するS2,oクロック
信号にかつ偶数ステージに対するS2,eクロック信号に接
続される。トランジスタM6及びトランジスタM5は直列に
負電力供給VSS 及び奇数ステージS3,oクロック信号及び
偶数ステージに対するS3,eクロック信号間に接続され、
M5のゲートは共通ノードにM3及びM4間に接続され、M6の
ゲートは共通ノードにM1及びM2間に接続され、M5及びM6
間の共通ノードはロー出力及び次のステージの入力端子
に接続される。
Each row select driver circuit stage comprises a transistor M1 and a transistor M2 which are connected in series to a positive power supply VCC and a negative power supply VSS1, the gate of M1 being the S1, o clock signal for the odd stages and Connected to the S1, e clock signals for the even stages, the gate of M2 acts as an input terminal. Transistor M3 and transistor M4 are connected in series between the positive power supply VCC and the input terminal, the gate of M3 is connected to the S1, o clock signal for the odd stages and the S1, e clock signal for the even stages, and the gate of M4 is It is connected to the S2, o clock signal for the odd stages and the S2, e clock signal for the even stages. The transistors M6 and M5 are connected in series between the negative power supply VSS and the odd stage S3, o clock signal and the S3, e clock signal for the even stage,
The gate of M5 is connected to the common node between M3 and M4, the gate of M6 is connected to the common node between M1 and M2, and M5 and M6.
The common node between is connected to the low output and the input terminal of the next stage.

【0034】制御クロック信号並びに内部及び出力ノー
ドでの信号は図6に示される。前の実施例に関するよう
に、クロック信号S1,o、S2,o、S3,o、S1,e、S2,e、S3,e
は走査ライン時間の期間と2倍の長さにある期間を持
ち、シフト−イン信号SDINはフレーム時間に等しい期間
を持つ。前に述べたように、走査ライン時間幅及びフレ
ーム時間幅は、NTSCシステムにおいて、それぞれ略63us
及び16.67ms である。次の隣接ローは、前のローのアク
ティブ化が排除される前に、アクティブ化されて、ピク
セルキャパシタンスを充電又は放電するより長いロー選
択期間を達成する。
The control clock signals and signals at internal and output nodes are shown in FIG. As with the previous embodiment, the clock signals S1, o, S2, o, S3, o, S1, e, S2, e, S3, e
Has a period that is twice as long as the scan line time, and the shift-in signal SDIN has a period equal to the frame time. As mentioned earlier, the scan line time width and frame time width are each approximately 63us in the NTSC system.
And 16.67ms. The next adjacent row is activated to achieve a longer row selection period to charge or discharge the pixel capacitance before the activation of the previous row is eliminated.

【0035】図5及び図6のタイミング図に示されるよ
うに、t0に、信号S3,oは低にパルス化され、信号S1,oは
高にパルス化され、全奇数ステージのM1及びM3をオンに
し、これにより全奇数ノードa1、a2、…a239及びb1、b
2、… b239 は約VDD-Vt(論理的な「1」)の電圧レベ
ルに充電され、ここにVDD は信号S1,oの振幅であり、Vt
はトランジスタの閾電圧である。この瞬間に、全奇数ス
テージにおけるノードa及びb によりM5及びM6は導通
し、全奇数ロー走査ラインは、S3,oがt0にVSS 及びVSS1
と同じ接地レベルにあるので、共通接地レベル(論理的
な「0」)に放電される。クロック信号毎に対する正振
幅は、VCC に略等しくなり得るVDD に等しいと仮定され
ることが注目されるべきである。
As shown in the timing diagrams of FIGS. 5 and 6, at t0, signal S3, o is pulsed low and signal S1, o is pulsed high to drive all odd stages M1 and M3. Turn on, which causes all odd nodes a1, a2, ... a239 and b1, b
2, ... b239 is charged to a voltage level of approximately VDD-Vt (logical "1"), where VDD is the amplitude of signal S1, o, Vt
Is the threshold voltage of the transistor. At this instant, nodes a and b in all odd stages cause M5 and M6 to conduct, and all odd row scan lines have VSS and VSS1 at S3, o at t0.
Since it is at the same ground level as, it is discharged to the common ground level (logical "0"). It should be noted that the positive swing for each clock signal is assumed to be equal to VDD which can be approximately equal to VCC.

【0036】t1に、S2,oは高にパルス化され全奇数ステ
ージのM4をオンにし、そして入力信号SDINは論理的な
「0」レベルにあり、これにより全奇数ステージのノー
ドbをVDD 及びVSS 間の中間電圧レベルに放電する。全
奇数ステージのM3はこの瞬間二導通する。中間電圧レベ
ルのレベルはM3及びM4のトランジスタの寸法に依存す
る。全奇数ステージにおけるノードb は、S1,oが論理的
な「0」に戻る直後に、論理的な「0」レベルに戻り、
他方でS2,oは高のままである。
At t1, S2, o is pulsed high to turn on M4 of all odd stages, and the input signal SDIN is at a logical "0" level, which causes node b of all odd stages to VDD and Discharge to an intermediate voltage level between VSS. All odd-numbered stages of M3 are conducting at this moment. The level of the intermediate voltage level depends on the size of the M3 and M4 transistors. Node b in all odd stages returns to the logical “0” level immediately after S1, o returns to the logical “0”,
On the other hand, S2, o remains high.

【0037】t0から63usだけ遅延されるt2に、S1,eは高
にパルス化され、S3,eは低にパルス化される。t3に、信
号S2,eは高にパルス化される。偶数のステージに対する
これらのタイミングシーケンスは奇数ステージにおいて
S1,o、S2,o及びS3,oの対と同じ波形だけでなく、同様に
to及びt1に奇数ステージと同一動作を持つ。t0からt3ま
で、全ステージにおけるノードb の変化は、ノードb が
高であり、対応S3,o及びS3,eが接地レベルにあるときは
いつも全ステージのM5が期間中にオンになるだけなの
で、出力波形に論理的に効力を持たない。
At t2 delayed by 63us from t0, S1, e is pulsed high and S3, e is pulsed low. At t3, the signal S2, e is pulsed high. These timing sequences for even stages are
Not only the same waveform as the pair of S1, o, S2, o and S3, o, but also
It has the same operation as odd stage in to and t1. From t0 to t3, the change of node b in all stages is that only when node b is high and the corresponding S3, o and S3, e are at ground level, M5 of all stages is only turned on during the period. , Has no logical effect on the output waveform.

【0038】t4に、シフト−イン信号SDINは高パルス化
され、ステージ1のM2をオンにし、これによりノードa1
を、論理的な「0」であるVSS1レベルに放電し、他方a
2、a3、…a240は高のままである。次に、t5に、S1,oは
高にパルス化されて全奇数ステージにおけるM1及びM3を
オンにし、ノードa1を中間電圧レベルに、かつ、全奇数
ステージのノードb を高電圧レベルにプルアップする。
S3,oがt5に低電圧レベルであるので、出力ノードR1、R
3、…R239は低のままである。
At t4, the shift-in signal SDIN is pulsed high, turning on M2 of stage 1, which causes node a1
Is discharged to the VSS1 level which is a logical "0", while a
2, a3, ... a240 remain high. Then, at t5, S1, o is pulsed high to turn on M1 and M3 in all odd stages, pulling node a1 to an intermediate voltage level and node b in all odd stages to a high voltage level. To do.
Since S3, o is a low voltage level at t5, the output nodes R1, R
3, ... R239 remains low.

【0039】奇数ノードb3、b5、…b239は、t6に中間電
圧に、S1,o及びS2,oの双方が論理的な「1」レベルにあ
り、かつ、前のステージの出力ノードが接地レベルにあ
るという事実に起因して放電され、奇数ステージのM3及
びM4はオンにする。しかしながら、ステージ1のM4は、
SDINが高であり、biが高電圧レベルのままであるので、
オフになる。t7に、S1,oは論理的な「0」に戻り、次に
奇数ノードb3、b5、…b239は低電圧レベルに戻る。M3は
オフにし、M4は全奇数ステージにおいてなおオンである
ためであり、ただしステージを除く。この瞬間に、b1
は、ステージ1におけるM3及びM4の双方がオフになるの
で、高のままになり、ノードa1は、M1がオフになりM2が
オンになる結合効果により、低電圧レベルに戻る。
The odd nodes b3, b5, ... B239 are at an intermediate voltage at t6, both S1, o and S2, o are at a logical "1" level, and the output node of the previous stage is at a ground level. Due to the fact that the odd stages M3 and M4 turn on. However, the M4 on stage 1
Since SDIN is high and bi remains at the high voltage level,
Turn off. At t7, S1, o returns to a logical "0" and then the odd nodes b3, b5, ... B239 return to a low voltage level. This is because M3 is off and M4 is still on in all odd stages, except for stages. At this moment, b1
Remains high because both M3 and M4 in stage 1 turn off, and node a1 returns to a low voltage level due to the coupling effect of turning M1 off and M2 on.

【0040】t8に、S3,oはVDD レベルに上げられ、ノー
ドb1だけが、論理的な「1」レベルで、ステージ1のM5
をオンにすることができるので、出力ノードR1をVDD レ
ベルまではるばるプルアップし、他方b2、b3、…b240は
論理的な「0」レベルに全てある。出力ノードR1が論理
的な「1」レベルである期間中に、図1のピクセルアレ
ーの第1のローラインROW1における全ピクセルトランジ
スタはオンになる。出力ノードR1がVDD に充電される直
後に、ステージ2のM2をオンにする論理的な「1」レベ
ルはVSS1レベルに放電される。
At t8, S3, o is raised to the VDD level, and only node b1 is at the logical "1" level and M5 of stage 1
Can be turned on so that the output node R1 is pulled up all the way to the VDD level, while b2, b3, ... B240 are all at a logical "0" level. During the period when the output node R1 is at the logical "1" level, all pixel transistors in the first row line ROW1 of the pixel array of FIG. 1 are turned on. Immediately after the output node R1 is charged to VDD, the logical "1" level that turns on M2 of stage 2 is discharged to the VSS1 level.

【0041】t9に、t5から63usの期間後に、S1,eは高に
パルス化されて全偶数ステージのM1及びM3をオンにす
る。この瞬間に、ステージ2のM1及びM2が導通すれば
(ステージ1の出力ノードR1はなお論理的な「1」レベ
ルにあるため)、ノードa2は中間電圧レベルに充電され
る。全偶数ステージにおいてM3がオンになり、M4がオフ
になれば、全偶数ステージのノードb は高電圧レベル
(論理的な「1」)に充電される。再度、t5に奇数ステ
ージに類似して、全偶数ステージの出力ノードは、全偶
数ステージのM5がオンになり、S3,eがt9に低電圧レベル
にあるので、低電圧レベルのままにある。
At t9, after a period of t5 to 63us, S1, e is pulsed high to turn on M1 and M3 of all even stages. At this moment, if M1 and M2 of stage 2 conduct (because the output node R1 of stage 1 is still at the logical "1" level), node a2 is charged to the intermediate voltage level. If M3 turns on and M4 turns off in all even stages, node b in all even stages will be charged to a high voltage level (logical "1"). Again, similar to the odd stage at t5, the output nodes of all even stages remain at the low voltage level because M5 of all even stages are turned on and S3, e is at the low voltage level at t9.

【0042】偶数ノードb4、b6、…b240は、t10 に中間
電圧に、S1,e及びS2,eが論理的な「1」レベルにあると
いう事実に起因して、放電され、偶数ステージのM3及び
M4はオンになり、他方ステージにおいてM4はオフにな
る。ステージ1の出力ノードR1は高電圧レベルにあり、
そのため、b2は高電圧レベルのままである。t11 に、信
号S1,eは論理的な「0」レベルに戻り、ノードb4、b6、
…b240は、M3がオフになりM4がなお全偶数ステージにお
いてオンであるので、低電圧レベルの放電される。ただ
し、ステージ2を除く。この瞬間に、ステージ2のノー
ドa2は、M1がオフになり、M2がなお高R1に起因してオン
になるので、VSS1に放電される。ノードb2は、ステージ
2のM3及びM4がオフになるので、高のままである。
The even nodes b4, b6, ... B240 are discharged to the intermediate voltage at t10, due to the fact that S1, e and S2, e are at a logical "1" level, M3 of the even stage. as well as
M4 turns on, while on stage M4 turns off. The output node R1 of stage 1 is at a high voltage level,
Therefore, b2 remains at the high voltage level. At t11, the signals S1 and e return to the logical “0” level, and the nodes b4, b6,
... b240 is discharged at a low voltage level because M3 is off and M4 is still on in all even stages. However, stage 2 is excluded. At this moment node a2 of stage 2 is discharged to VSS1 because M1 is off and M2 is still on due to the high R1. Node b2 remains high as stage 2 M3 and M4 are turned off.

【0043】t12 に、ステージ1に類似して、信号S3,e
はVDD レベルに上げられる。全偶数b ノード間のb2だけ
が論理的な「1」レベルにあるので、ステージ2のM5は
オンになり、出力ノードR2は論理的な「1」レベルに充
電される。次に高R2レベルにより、図1のピクセルアレ
ーの第2のローラインROW2における全ピクセルトランジ
スタはオンになる。t12 に、出力ノードR1及びR2は論理
的な「1」に所望のようにあることを注目せよ。
At t12, similar to stage 1, the signal S3, e
Is raised to VDD level. Since only b2 between all even b-nodes is at a logical "1" level, M2 of stage 2 is turned on and the output node R2 is charged to a logical "1" level. The high R2 level then turns on all pixel transistors in the second row line ROW2 of the pixel array of FIG. Note that at t12, the output nodes R1 and R2 are at the desired logical "1".

【0044】ステージ2の出力ノードR2が高電圧レベル
にある直後に、ステージ3のノードa3は低電圧レベルに
放電される。t13 に、t5後126us に、S1,oは再度高にパ
ルス化され、全奇数ステージのM1及びM3をオンにする。
全奇数ステージにおいてM1がオンになれば、ノードa1
は、M2がステージ1でオフであるので、高電圧レベルに
プルアップされ、ノードa3は、ステージ3のM2がオンに
あるので、中間レベル二充電され、ノードa5、a7、…a2
39は高電圧レベルのままである。ステージ3において続
く動作のシーケンスは126us 前にステージ1で実行され
る動作に類似する。
Immediately after the output node R2 of stage 2 is at the high voltage level, node a3 of stage 3 is discharged to the low voltage level. At t13, and 126us after t5, S1, o is pulsed high again, turning on M1 and M3 of all odd stages.
If all odd stages have M1 turned on, node a1
Is pulled up to a high voltage level because M2 is off in stage 1 and node a3 is charged to an intermediate level because M2 in stage 3 is on and nodes a5, a7 ,.
39 remains at the high voltage level. The sequence of operations that follows in stage 3 is similar to the operation performed in stage 1 126us before.

【0045】t13 に、信号S3,eは低にパルス化され、ノ
ードb1及びa1は論理的な「1」レベルにあり、M5及びM6
をオンにし、第1のローラインROW1は論理的な「0」レ
ベルに放電し、かくしてこの瞬間にROW1を選択解除す
る。同様に、ROW2はt14 に選択解除される。前の実施例
に関するように、各次のロー選択駆動回路ステージは、
にゅうろく信号SDINに類似する等価「シフト−イン」信
号をステージ1に与える前のステージの出力と類似し
て、動作する。全連続ステージは、これらのステージが
高出力信号を前のステージから受けるまで、オフ条件
(論理的な「0」レベル)に残る。従って、駆動回路及
び残フレーム時間中のクロック信号は走査ラインROW4の
選択及び選択解除を、前述と同様に連続的に240を介
して、シフトする。
At t13, signal S3, e is pulsed low, nodes b1 and a1 are at a logical "1" level, and M5 and M6
Turning on, the first row line ROW1 discharges to a logical "0" level, thus deselecting ROW1 at this moment. Similarly, ROW2 is deselected at t14. As with the previous embodiment, each next row select drive circuit stage
It behaves similarly to the output of the stage before applying an equivalent "shift-in" signal to stage 1 which is similar to the signal SDIN. All successive stages remain in the off condition (logical "0" level) until they receive a high output signal from the previous stage. Therefore, the drive circuit and the clock signal during the remaining frame time shift the selection and deselection of the scanning line ROW4 continuously through 240 as described above.

【0046】図7は本発明の第4の好ましい実施例を例
証する。付加的トランジスタM7は並列にM6と接続され
る。各奇数ステージに対するM7のゲートはS1,oに接続さ
れ、各偶数ステージに対するM7のゲートはS1,eに接続さ
れる。トランジスタM7は、もしピクセルローラインに対
するより高速選択解除時間が所望されるならば、ローラ
インをより高速に引き下げることを目的として使用され
る。これは、M7がM5及びM6に付加してオンになって、ノ
ードR1をより高速に放電するt13 に見られる。同様に、
ステージ2のM7は出力ノードR2がt14 により高速に放電
するのを援助する。図7の各ステージは7つのトランジ
スタを持つ。
FIG. 7 illustrates a fourth preferred embodiment of the present invention. The additional transistor M7 is connected in parallel with M6. The gate of M7 for each odd stage is connected to S1, o and the gate of M7 for each even stage is connected to S1, e. Transistor M7 is used to pull down the rowline faster if a faster deselect time for the pixel rowline is desired. This is seen at t13 when M7 is added on M5 and M6 and turned on, discharging node R1 faster. Similarly,
Stage 7 M7 helps output node R2 discharge faster due to t14. Each stage in FIG. 7 has seven transistors.

【0047】図5の実施例に対する別の関心は、次のス
テージのM4がS2,o又はS2,eのいずれかによりオンになる
ときはいつも、出力ノードが、M6をオンにすることによ
り低電圧レベルに保持される間、擾乱を経験することが
可能になるということである。これは、ロー選択ライン
の任意の擾乱がピクセル電極に結合することが可能にな
るため、好ましくない。ノイズのピーク電圧がピクセル
トランジスタの閾電圧の上にある極度の場合に、ピクセ
ルトランジスタは早すぎてオンになる。この問題と取り
組むつの方法はM6のトランジスタの寸法をM4よりも大き
くすることである。しかしながら、非常に大きな寸法割
合を実現することは、時々実際的でない。
Another concern with the embodiment of FIG. 5 is that when the next stage M4 is turned on by either S2, o or S2, e, the output node goes low by turning M6 on. That is, it is possible to experience a disturbance while being held at the voltage level. This is not desirable because it allows any disturbance on the row select lines to couple to the pixel electrodes. When the noise peak voltage is extreme above the threshold voltage of the pixel transistor, the pixel transistor turns on too early. One way to address this problem is to make the M6 transistor size larger than the M4. However, achieving very large dimensional proportions is sometimes impractical.

【0048】このノイズ問題を克服する本発明の第5の
好ましい実施例は図8に示される。2つ以上のトランジ
スタM8及びM9は図5の回路に追加される。出力ローライ
ンを次のステージのM2及びM4に直接に接続する代わり
に、図5に示されるように、新ノードc は、同一のステ
ージの出力ノードR と論理的に同一の波形を持ち、図8
に示されるように、次のステージに接続するために使用
される。図8に見られるように、M8及びM9の共通のノー
ドc がM5及びM6の共通ノードR から分離されることを除
き、M8(M9)はM5(M6)の並行接続である。したがって、ノ
ードR はノードcのノイズからシールドされ得る。この
ようにして、ノードc のノイズは、ノードc がピクセル
ローに接続されないので、ローラインのピクセル電極に
影響を与えない。図8に示される駆動回路のあらゆるス
テージは8つのトランジスタを持つ。
A fifth preferred embodiment of the present invention which overcomes this noise problem is shown in FIG. Two or more transistors M8 and M9 are added to the circuit of FIG. Instead of connecting the output row line directly to M2 and M4 of the next stage, the new node c has the same logical waveform as the output node R of the same stage, as shown in FIG. 8
Used to connect to the next stage, as shown in. As seen in FIG. 8, M8 (M9) is a parallel connection of M5 (M6), except that the common node c of M8 and M9 is separated from the common node R of M5 and M6. Therefore, node R can be shielded from noise at node c. In this way, the noise at node c does not affect the pixel electrodes in the row line because node c is not connected to the pixel row. Every stage of the drive circuit shown in FIG. 8 has eight transistors.

【0049】図9は本発明の第6の好ましい実施例を例
証し、これは第4及び第5の実施例の特徴を結合する。
かくして、選択解除時間がより高速である改良ノイズ免
疫出力は9つのトランジスタを持つ図9の実施例につい
て得られ得る。図10は本発明の第7の実施例を示し、
これは同一入力信号を使用することにより、図7に示さ
れる回路と類似する出力波形を生成する。第4及び第7
の実施例間の唯一の差はM3及びM4の接続である。ノード
a 及び図10の実施例が生成する出力は図7の実施例の
ものに類似する。しかしながら、図10の実施例の各ス
テージのノードb の波形は図7の実施例におけるものか
らはずれる。これはステージ1に、例として、見られ得
る。ノードb1は、前の段落の1つで記載されたようにS
1,oが高に引かれる間のt5に代わり、S2,oが高に引かれ
る間のt6に図10の回路に対して高に引かれる。t13'
に、t6後126us に、ノードb1は、SDINが低電圧レベルに
あり、そして、S2,oはこの瞬間に再度高にパルス化され
るので、低電圧れえるに放電される。b1がt6及びt13'間
の論理的な「1」レベルにあるため、出力ノードR1は、
前に記載された同様であるt8及びt13 間の時間中に高に
パルス化される。同様に、ステージ2は、63usだけ遅延
されるのを除き、同様に動作される。さらに、ステージ
3から240は同様にして連続して動作される。
FIG. 9 illustrates a sixth preferred embodiment of the present invention, which combines the features of the fourth and fifth embodiments.
Thus, an improved noise immune output with faster deselection time can be obtained for the embodiment of FIG. 9 with 9 transistors. FIG. 10 shows a seventh embodiment of the present invention,
This uses the same input signal to produce an output waveform similar to the circuit shown in FIG. 4th and 7th
The only difference between the examples is the connection of M3 and M4. node
The output produced by the a and the embodiment of FIG. 10 is similar to that of the embodiment of FIG. However, the waveform of the node b at each stage of the embodiment of FIG. 10 deviates from that of the embodiment of FIG. This can be seen in stage 1, as an example. Node b1 is S as described in one of the previous paragraphs
Instead of t5 while 1, o is pulled high, t2 while S2, o is pulled high is pulled high for the circuit of FIG. t13 '
At 126us after t6, node b1 is discharged to a low voltage because SDIN is at a low voltage level and S2, o is pulsed high again at this moment. Since b1 is at the logical "1" level between t6 and t13 ', the output node R1 is
Pulsed high during the time between t8 and t13, which is similar to that described previously. Similarly, stage 2 operates similarly except it is delayed by 63us. Further, stages 3 to 240 are similarly continuously operated.

【0050】図10の実施例における各ステージのトラ
ンジスタM4はノードb を論理的な「0」レベルに保持す
るために使用されることにより、いかなる結合効果もノ
ードb に影響を与えることができない。これは再度ステ
ージ1を使用して、例として、実証され得る。ノードa1
がM4をオンにする高電圧レベルにある間、t4及びt13'の
期間の外側で、ノードb1は低電圧レベルに維持され得る
ことによりノードb1への任意の結合信号は、出力ノード
R1に影響を与えることが可能になり、削除される。現在
のステージのM6及び次のステージのM4が、図7の実施例
のように、同時にオンになるときに出力ノードR に現れ
るノイズは、もし出力ノードが次のステージの入力に接
続されるならば、図10の回路では削除され得る。
Transistor M4 at each stage in the embodiment of FIG. 10 is used to hold node b at a logical "0" level so that any coupling effect cannot affect node b. This can be demonstrated using stage 1 again, as an example. Node a1
Outside the period of t4 and t13 ', while node B1 is at the high voltage level that turns on M4, node b1 can be maintained at a low voltage level so that any coupling signal to node b1 will cause an output node
It is possible to affect R1 and it will be deleted. The noise appearing at the output node R when M6 of the current stage and M4 of the next stage are turned on at the same time, as in the embodiment of FIG. 7, is because if the output node is connected to the input of the next stage. For example, it can be eliminated in the circuit of FIG.

【0051】図11は本発明の第8の好ましい実施例を
示す。この実施例では、トランジスタM8及びM9は図10
の回路の各ステージに追加されて、出力ノードに対する
任意の擾乱を、高電圧レベルにあるときに、削除する。
これは以下に記載される動作により実証され得る。t10
に、S2,oは高電圧レベルにパルス化される。これは、出
力ノードR1を擾乱することができ、ノードb2が低電圧レ
ベルにあり、かつ、出力ノードR1がt10 直前時に低電圧
レベルにあるため、好ましくない。したがって、M8及び
M9は回路の各ステージに追加されて出力ノードをノイズ
からシールドする。
FIG. 11 shows an eighth preferred embodiment of the present invention. In this embodiment, transistors M8 and M9 are shown in FIG.
Added to each stage of the circuit to eliminate any disturbance to the output node when at high voltage levels.
This can be demonstrated by the operations described below. t10
Finally, S2, o is pulsed to a high voltage level. This is not preferable because the output node R1 can be disturbed, the node b2 is at a low voltage level, and the output node R1 is at a low voltage level just before t10. Therefore, M8 and
M9 is added to each stage of the circuit to shield the output node from noise.

【0052】図12を説明する。第8の好ましい実施例
の性能をさらに改善するために、第9の実施例が提案さ
れる。示されるように、特別のM10 が図11に示される
回路の各ステージに追加される。トランジスタM10 は、
各ステージにおけるノードcが全条件下でVSS1レベルに
引かれ得ることを確実にする。M10 は並列にM9と接続さ
れ、ただし、そのゲートが次のステージに隣接するステ
ージのノードc に接続される。このようにして、例とし
て、ノードc1は、ノードc3 が高電圧レベルに引かれる
とき、VSS1に確かに引かれ得る。同様な説明はステージ
2から240に用いられる。2つのダミーステージ(示
されない)は、ステージ239及び240のM10 のゲー
トに接続されるノード241 及びc242を持ち、この実施例
に追加されてもよい。
FIG. 12 will be described. To further improve the performance of the eighth preferred embodiment, the ninth embodiment is proposed. As shown, a special M10 is added to each stage of the circuit shown in FIG. Transistor M10 is
Ensure that node c at each stage can be pulled to VSS1 level under all conditions. M10 is connected in parallel with M9, except that its gate is connected to node c of the stage adjacent to the next stage. In this way, by way of example, node c1 can certainly be pulled to VSS1 when node c3 is pulled to a high voltage level. Similar explanations apply to stages 2 to 240. Two dummy stages (not shown) have nodes 241 and c242 connected to the gates of M10 of stages 239 and 240 and may be added to this embodiment.

【0053】実際に、電力供給VCC 、クロック信号の高
電圧VDD かつ負電力供給(接地ライン)VSS 及びVSS1は
全てデータ駆動スキームにより調整されるべきである。
例えば、もしコラム逆スキームが使用されるならば、デ
ータ電圧の極性が交互フレームで逆にされて交流(a
c)駆動信号に影響を与える場合、VCC は10及び25
ボルト間に選択されるべきであり、かつ接地ライン電圧
レベルは0及び−10ボルト間にあるべきである。全接
地ライン、すなわち、VSS 及びVSS1は、好ましが必要で
なく、互いから分離、維持されて回路によって挿入され
る任意のノイズを減少させる。
In practice, the power supply VCC, the high voltage VDD of the clock signal and the negative power supply (ground line) VSS and VSS1 should all be regulated by the data drive scheme.
For example, if the column reversal scheme is used, the polarity of the data voltage is reversed in alternating frames to produce an alternating current (a
c) When the drive signal is affected, VCC is 10 and 25
It should be selected between volts and the ground line voltage level should be between 0 and -10 volts. All ground lines, VSS and VSS1, are not preferred and are kept isolated from each other to reduce any noise injected by the circuit.

【0054】当業者が理解され得るように、異なる制御
及びクロック信号のパルス幅は、動作、装置特性及び薄
膜トランジスタの寸法のタイミングバジェット(budget)
により決定される。TFT の寸法は最適化されて、性能要
求を満たすべきである。開示された実施例のロー選択駆
動回路の動作は以上の段落でNTSCテレビジョンシステム
と干渉する384 ×240 ピクセルアレー表示に対する63us
の走査ライン時間間隔に関連して記載された。他の実施
例及びタイミングスキームは本発明の概念から離れずに
使用され得る。例えば、テレビジョン以外で又はより大
きな又はより小さな分解能を持つ表示は本発明の範囲内
に組み込まれ得る。
As will be appreciated by those skilled in the art, the pulse widths of different control and clock signals will vary depending on the timing budget of operation, device characteristics and thin film transistor dimensions.
Is determined by TFT dimensions should be optimized to meet performance requirements. The operation of the row select drive circuit of the disclosed embodiment is 63us for a 384 x 240 pixel array display that interferes with the NTSC television system in the above paragraph.
Of scan line time intervals. Other embodiments and timing schemes may be used without departing from the inventive concept. For example, displays other than television or with greater or lesser resolution may be incorporated within the scope of the invention.

【0055】全キータイミング及び電圧レベルクロック
信号が外部ICsから得られると仮定し、本発明は表示
システムを最適化する便利性及び柔軟性を提供する。さ
らに、本発明の動作の簡単性のため、表示基板に集積さ
れたロー選択駆動回路は良い生産収益に至るべきであ
る。かくして、本発明は表示装置についての使用のため
であり、これは基板に第1の数のピクセルコラムと第2
の数のピクセルローを含む。本発明は複数のロー選択駆
動回路を具備し、これらはピクセルローの数に対応し、
かつピクセルローを連続的に電気的に付勢する。ロー選
択駆動回路は表示基板に配設され、かつ各回路は、電気
的に対応ピクセルローに、またアクティブ入力として連
続ロー選択駆動回路に接続される出力を生成する。ロー
選択駆動回路のそれぞれは表示基板、通常ガラスに形成
されかつ相互に接続される複数の薄膜トランジスタを具
備して各ピクセルローの連続アクティブをもたらす。
Given that all key timing and voltage level clock signals are derived from external ICs, the present invention provides the convenience and flexibility of optimizing the display system. Moreover, because of the simplicity of operation of the present invention, the row select drive circuit integrated on the display substrate should lead to a good production profit. Thus, the present invention is for use in a display device, which comprises a substrate having a first number of pixel columns and a second number of pixel columns.
Contains a number of pixel rows. The present invention comprises a plurality of row select drive circuits, which correspond to the number of pixel rows,
And continuously energize the pixel rows. Row select drive circuits are disposed on the display substrate, and each circuit produces an output that is electrically connected to the corresponding pixel row and to the continuous row select drive circuit as an active input. Each row selection driving circuit includes a plurality of thin film transistors formed on a display substrate, usually glass, and connected to each other to provide continuous activation of each pixel row.

【0056】前に説明されたように、第1の選択駆動回
路ステージは第1の所定期間に対する第1のピクセルロ
ーをアクティブ化する。第2の隣接ロー選択駆動回路ス
テージは、第2の所定期間に対する次のピクセルロー
を、第1の所定期間の終了前にアクティブ化することに
より、より長いロー先駆時間が各ローに設けられて対応
ピクセルローのピクセルを充電又は放電する。
As previously described, the first select driver circuit stage activates the first pixel row for the first predetermined period. The second adjacent row select drive circuit stage provides a longer row precursor time for each row by activating the next pixel row for the second predetermined period before the end of the first predetermined period. Charge or discharge the pixels in the corresponding pixel row.

【0057】表示装置、特にLCD 表示に対する新規なロ
ー選択駆動回路が開示された。これは基板に、ガラスと
して、配置され得る薄膜トランジスタを、表示TFT アレ
ーと共に、採用し、また、ロー駆動入力リードの数を実
質的に、ここで与えられた例では240のようなある所
定数から、10ラインほど低くまで、減少させる。かく
して、開示された駆動回路の利益は、外部リード接続数
を減らし、またコネクタピッチの制限に起因する表示
(AMLCD のような) 集合及び包装の問題を有意義に解決
することである。さらに、ローラインを駆動することに
要求される該部駆動ICsの数を減少する。
A novel row select drive circuit for a display device, particularly an LCD display, has been disclosed. This employs a thin film transistor that can be placed as glass on the substrate, along with a display TFT array, and also substantially reduces the number of low drive input leads from some predetermined number, such as 240 in the example given here. Reduce to as low as 10 lines. Thus, the benefit of the disclosed drive circuit is to reduce the number of external lead connections and to significantly solve the display (such as AMLCD) assembly and packaging problems due to connector pitch limitations. Further, the number of the drive ICs for driving the row lines is reduced.

【0058】本発明は、最も実際的で好ましい実施例と
考えられるものに関連して説明されたが、本発明は開示
された実施例に制限されないが最も広い解釈の精神及び
範囲内に含まれる多種の構成を保護することを意図され
て、全変形及び等価な構成を包含する。
Although the present invention has been described in relation to what is considered to be the most practical and preferred embodiments, it is not limited to the disclosed embodiments but is within the spirit and scope of its broadest interpretation. It is intended to cover a wide variety of configurations and includes all variations and equivalent configurations.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のロー選択駆動回路が使用される表示シ
ステムのブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of a display system in which a row selection driving circuit of the present invention is used.

【図2】本発明による第1の好ましい実施例の概略図で
ある。
FIG. 2 is a schematic diagram of a first preferred embodiment according to the present invention.

【図3】図2の回路への入力及び出力のタイミング図で
ある。
3 is a timing diagram of inputs and outputs to the circuit of FIG.

【図4】本発明の第2の好ましい実施例の概略図であ
る。
FIG. 4 is a schematic diagram of a second preferred embodiment of the present invention.

【図5】本発明による第3の好ましい実施例の概略図で
ある。
FIG. 5 is a schematic diagram of a third preferred embodiment according to the present invention.

【図6】図5の回路の入力及び出力のタイミング図であ
る。
6 is a timing diagram of inputs and outputs of the circuit of FIG.

【図7】本発明による第4の好ましい実施例の概略図で
ある。
FIG. 7 is a schematic diagram of a fourth preferred embodiment according to the present invention.

【図8】本発明による第5の好ましい実施例の概略図で
ある。
FIG. 8 is a schematic diagram of a fifth preferred embodiment according to the present invention.

【図9】本発明による第6の好ましい実施例の概略図で
ある。
FIG. 9 is a schematic diagram of a sixth preferred embodiment according to the present invention.

【図10】本発明による第7の好ましい実施例の概略図
である。
FIG. 10 is a schematic view of a seventh preferred embodiment according to the present invention.

【図11】本発明による第8の好ましい実施例の概略図
である。
FIG. 11 is a schematic view of an eighth preferred embodiment according to the present invention.

【図12】本発明による第9の好ましい実施例の概略図
である。
FIG. 12 is a schematic diagram of a ninth preferred embodiment according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

S1,o、S2,o、S3,o、S1,e、S2,e、S3,e…クロック信号 SDIN…シフト−インクロック信号 VCC …正電力供給 VSS 、VSS1…接地 S1, o, S2, o, S3, o, S1, e, S2, e, S3, e ... Clock signal SDIN ... Shift-in clock signal VCC ... Positive power supply VSS, VSS1 ... Ground

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶表示(LCD)は絵素(ピクセル)
で基板に第1の数のピクセルコラム及び第2の数のピク
セルローに配設されるもののマトリクスを含む液晶表示
(LCD)使用のための回路において、 前記数のピクセルローに対応して前記ピクセルローを電
気的に付勢するための複数のロー選択駆動回路であっ
て、該ロー選択駆動回路はLCD表示基板に配設され、
前記ロー選択駆動回路のそれぞれの出力はピクセルロー
の対応する1つに、かつ、ロー選択駆動回路の次の1つ
にアクティブ入力として接続されるものと;LCD表示
に対して外部にあり、かつ前記ロー選択駆動回路に電気
的に接続されるリードを有する、供給用のスイッチング
手段と:表示の水平走査時間の2倍長さの期間を有する
全奇数ローに対する第1の3つのクロック信号S1,o、S
2,o、S3,oと、 前記水平走査時間だけそれぞれ前記第1の3つのクロッ
ク信号を遅らす全偶数ローに対する第2の3つのクロッ
ク信号S1,e、S2,e、S3,eと、 ロー選択駆動回路の第1の1つの入力端子にだけ結合さ
れるシフト−インクロック信号SDINと、 前記第1の3つのクロック信号、第2の3つのクロック
信号及び前記シフト−インクロック信号はロー選択駆動
回路のそれぞれから出力をもたらすことにより各ピクセ
ルローは連続的に付勢されることを特徴とする回路。
1. A liquid crystal display (LCD) is a picture element (pixel).
A circuit for use in a liquid crystal display (LCD) comprising a matrix of ones arranged on a substrate in a first number of pixel columns and a second number of pixel rows, the pixels corresponding to the number of pixel rows A plurality of row selection drive circuits for electrically energizing rows, the row selection drive circuits being disposed on an LCD display substrate,
Each output of the row select drive circuit is connected to a corresponding one of the pixel rows and to the next one of the row select drive circuits as an active input; external to the LCD display, and Switching means for supply, having leads electrically connected to the row selection drive circuit, and: first three clock signals S1, for all odd rows having a duration of twice the horizontal scanning time of the display. o, S
2, o, S3, o, and second three clock signals S1, e, S2, e, S3, e for all even lows that delay the first three clock signals by the horizontal scanning time, respectively, A shift-in clock signal SDIN coupled to only one first input terminal of the selection driving circuit, the first three clock signals, the second three clock signals and the shift-in clock signal are low-selected. A circuit characterized in that each pixel row is continuously energized by providing an output from each of the drive circuits.
【請求項2】 前記スイッチング手段はさらに前記水平
走査時間に等しい期間を持つクロック信号S4 を全前記
ロー選択駆動回路に与えることを特徴とする、請求項1
に記載の回路。
2. The switching means further supplies a clock signal S4 having a period equal to the horizontal scanning time to all the row selection drive circuits.
Circuit.
【請求項3】 スイッチング手段からのリード数はピク
セルローの数より少ないことを特徴とする、請求項1に
記載の回路。
3. The circuit of claim 1, wherein the number of leads from the switching means is less than the number of pixel rows.
【請求項4】 前記ロー選択駆動回路のそれぞれは各ピ
クセルローの連続アクティブ化をもたらすように相互に
接続される複数の薄膜トランジスタを具備することを特
徴とする、請求項1に記載の回路。
4. The circuit of claim 1, wherein each of the row select drive circuits comprises a plurality of thin film transistors connected together to provide successive activation of each pixel row.
【請求項5】 さらに、所定期間に対する第1ピクセル
ローをアクティブ化する第1のロー選択駆動ステージ
と;第2の所定期間に対する次のピクセルローをアクテ
ィブ化することによりより長いロー選択時間が各ピクセ
ルローに設けられて対応ピクセルローのピクセルを充電
又は放電する第2の隣接ロー選択駆動ステージを特徴と
する、請求項4に記載の回路。
5. A first row select drive stage for activating a first pixel row for a predetermined period; and a longer row select time each for activating a next pixel row for a second predetermined period. The circuit of claim 4, characterized by a second adjacent row select drive stage provided in the pixel row for charging or discharging the pixel of the corresponding pixel row.
【請求項6】 基板はガラスであることを特徴とする、
請求項1に記載の回路。
6. The substrate is glass,
The circuit according to claim 1.
【請求項7】 クロック信号S2,oは遅れるが部分的に重
複し、クロック信号S1,oよりも広いパルス幅を持ち、 クロック信号S3,oは遅れるが部分的に重複し、クロック
信号S2,oよりも広いパルス幅を持つことを特徴とする、
請求項1に記載の回路。
7. The clock signal S2, o is delayed but partially overlaps, has a wider pulse width than the clock signals S1, o, and the clock signal S3, o is delayed but partially overlaps, and the clock signal S2, o is delayed. characterized by having a wider pulse width than
The circuit according to claim 1.
【請求項8】 さらに、クロック信号S3,o、S3,eはクロ
ック信号S1,o、S2,o、S1,e及びS2,eに対して反対の極性
からなることを特徴とする、請求項7に記載の回路。
8. The clock signals S3, o, S3, e are of opposite polarity to the clock signals S1, o, S2, o, S1, e and S2, e. 7. The circuit according to 7.
【請求項9】 ロー選択駆動回路のそれぞれからの出力
信号は対応ピクセルローを付勢し、かつロー選択駆動回
路の次の1つに対するシフト信号のように動作すること
を特徴とする、請求項1に記載の回路。
9. The output signal from each of the row select drive circuits energizes the corresponding pixel row and acts like a shift signal for the next one of the row select drive circuits. The circuit according to 1.
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