JPH0922650A - 電界放出型電子銃及びその制御方法 - Google Patents
電界放出型電子銃及びその制御方法Info
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- JPH0922650A JPH0922650A JP19608695A JP19608695A JPH0922650A JP H0922650 A JPH0922650 A JP H0922650A JP 19608695 A JP19608695 A JP 19608695A JP 19608695 A JP19608695 A JP 19608695A JP H0922650 A JPH0922650 A JP H0922650A
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- Japan
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- gate electrode
- voltage
- electrode
- emitter
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- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】受像管等に用いられるγ特性をもつ信号を簡便
な電気的処理により電界放出型電子銃を用いた表示デバ
イスに適応する。 【解決手段】基板４上に先鋭な円錐形のエミッタ１と金
属膜よりなるゲート電極２とゲート電極上に形成された
金属膜によりなる第２のゲート電極３とを備え、第２の
ゲート電極３の上位には蛍光体７およびアノード電極８
が設置され、エミッタ１とゲート電極２との間には電圧
Ｖｇ1が印加され、ゲート電極２と第２のゲート電極３
にはＶｇ2の電圧が印加され、アノード電極８とゲート
電極２間にはＶａの電圧が印加され、電圧Ｖｇ2はα・
（Ｖｇ1−Ｖｏ）の関係でゲート電圧Ｖｇ1より制御され
ることにより、エミッション量の小さい場合にゲート電
圧を実効的に抑制するように作用させエミッション電流
とゲート電圧とを実効的にガンマ特性にする。
な電気的処理により電界放出型電子銃を用いた表示デバ
イスに適応する。 【解決手段】基板４上に先鋭な円錐形のエミッタ１と金
属膜よりなるゲート電極２とゲート電極上に形成された
金属膜によりなる第２のゲート電極３とを備え、第２の
ゲート電極３の上位には蛍光体７およびアノード電極８
が設置され、エミッタ１とゲート電極２との間には電圧
Ｖｇ1が印加され、ゲート電極２と第２のゲート電極３
にはＶｇ2の電圧が印加され、アノード電極８とゲート
電極２間にはＶａの電圧が印加され、電圧Ｖｇ2はα・
（Ｖｇ1−Ｖｏ）の関係でゲート電圧Ｖｇ1より制御され
ることにより、エミッション量の小さい場合にゲート電
圧を実効的に抑制するように作用させエミッション電流
とゲート電圧とを実効的にガンマ特性にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電界放出型電子銃に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電界放出型電子銃として、３極管
素子は、電界を集中させるための尖鋭なエミッタ電極
（カソード電極）と、その近傍に配置されたゲート電
極、アノード電極を基板上に設けて構成されている。
素子は、電界を集中させるための尖鋭なエミッタ電極
（カソード電極）と、その近傍に配置されたゲート電
極、アノード電極を基板上に設けて構成されている。
【０００３】電界放出型電子銃が、フラットパネル等の
表示デバイスに用いられた場合、アノード電極は蛍光体
の近傍に配置され、エミッタ電極から放出された電子ビ
ームは蛍光体に向かって放出される。
表示デバイスに用いられた場合、アノード電極は蛍光体
の近傍に配置され、エミッタ電極から放出された電子ビ
ームは蛍光体に向かって放出される。
【０００４】エミッタ放出電流Ｉとゲート電極に印加さ
れる電圧Ｖの特性は、ファウラー・ノルドハイム（ＦＮ
＝Fowler Nordheim）のトンネル電流を示す次式（１）
に従う。次式（１）において、Ａ、Ｂは定数、φは仕事
関数である。
れる電圧Ｖの特性は、ファウラー・ノルドハイム（ＦＮ
＝Fowler Nordheim）のトンネル電流を示す次式（１）
に従う。次式（１）において、Ａ、Ｂは定数、φは仕事
関数である。
【０００５】
【数１】
【０００６】ところで、高品位の表示デバイスにおいて
は、最小輝度と最大輝度の比は例えば１，０００程度が
必要とされる。
は、最小輝度と最大輝度の比は例えば１，０００程度が
必要とされる。
【０００７】この輝度の差を得るために、ブラウン管で
は電流量を１から１０００まで変化させる方式を取り、
プラズマディスプレイ等では時分割して実効的な輝度の
変化を付けている。
は電流量を１から１０００まで変化させる方式を取り、
プラズマディスプレイ等では時分割して実効的な輝度の
変化を付けている。
【０００８】また、従来のブラウン管等の表示デバイス
では、信号電圧Ｅと発光出力Ｌとの関係は、次式（２）
で表わされるガンマ特性とされる。
では、信号電圧Ｅと発光出力Ｌとの関係は、次式（２）
で表わされるガンマ特性とされる。
【０００９】
【数２】
【００１０】本来は、このような特性を受像管で補正す
べきであるが、出力側で信号を電圧振幅Ｖのγ乗になる
ように調整することが定められており、表示デバイスの
入力信号等のビデオ信号ではこのようなガンマ特性を考
慮した信号体系となっている。
べきであるが、出力側で信号を電圧振幅Ｖのγ乗になる
ように調整することが定められており、表示デバイスの
入力信号等のビデオ信号ではこのようなガンマ特性を考
慮した信号体系となっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述した上記γ特性を
有するビデオ信号を電界放出型電子銃に用いた表示デバ
イスの場合、電界放出型電子銃では電流電圧特性がファ
ウラー・ノルドハイム（ＦＮ）の特性になるため、ビデ
オ信号をアンプ等で単純に増幅して電界放出型電子銃の
ゲート電圧として作動させることができない。
有するビデオ信号を電界放出型電子銃に用いた表示デバ
イスの場合、電界放出型電子銃では電流電圧特性がファ
ウラー・ノルドハイム（ＦＮ）の特性になるため、ビデ
オ信号をアンプ等で単純に増幅して電界放出型電子銃の
ゲート電圧として作動させることができない。
【００１２】特に、入力信号が小さいところでＦＮ特性
では出力信号（エミッタ放出電流）が大きくなり、γ特
性との差が大きくなる。従って、このようなγ特性との
差を補正するために、特性変更用の回路を設けたり、あ
るいは時分割の動作方法を実装しなければならない。
では出力信号（エミッタ放出電流）が大きくなり、γ特
性との差が大きくなる。従って、このようなγ特性との
差を補正するために、特性変更用の回路を設けたり、あ
るいは時分割の動作方法を実装しなければならない。
【００１３】以上の通り、従来の受像管に用いられるγ
特性をもつ信号を電界放出型電子銃に用いた表示デバイ
スでは、信号を単純に増幅したままでは電界放出型電子
銃に適用できないという問題があった。
特性をもつ信号を電界放出型電子銃に用いた表示デバイ
スでは、信号を単純に増幅したままでは電界放出型電子
銃に適用できないという問題があった。
【００１４】従って、本発明は上記問題点を解消し、受
像管等に用いられるγ特性をもつ信号を簡便な電気的処
理を施すことにより、表示デバイスに好適な電界放出型
電子銃を提供することを目的とする。
像管等に用いられるγ特性をもつ信号を簡便な電気的処
理を施すことにより、表示デバイスに好適な電界放出型
電子銃を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、基板上に形成された第１のゲート電極
と、先端部が尖鋭な形状とされたエミッタを含み、前記
第１のゲート電極に離間して第２のゲート電極が形成さ
れ、前記第１及び第２のゲート電極に離間してアノード
電極が配設され、前記第２のゲート電極を前記エミッタ
からの放出電流が小さい場合に前記第１のゲート電極の
電圧を実効的に抑制するようにバイアス制御することを
特徴とする電界放出型電子銃を提供する。
め、本発明は、基板上に形成された第１のゲート電極
と、先端部が尖鋭な形状とされたエミッタを含み、前記
第１のゲート電極に離間して第２のゲート電極が形成さ
れ、前記第１及び第２のゲート電極に離間してアノード
電極が配設され、前記第２のゲート電極を前記エミッタ
からの放出電流が小さい場合に前記第１のゲート電極の
電圧を実効的に抑制するようにバイアス制御することを
特徴とする電界放出型電子銃を提供する。
【００１６】本発明においては、好ましくは、前記第２
のゲート電極に対して前記第１のゲート電極の電圧に比
例した電圧を印加するようにし、低電流領域での電流電
圧特性を見かけ上γ特性とすることを特徴とする。
のゲート電極に対して前記第１のゲート電極の電圧に比
例した電圧を印加するようにし、低電流領域での電流電
圧特性を見かけ上γ特性とすることを特徴とする。
【００１７】本発明は、基板と該基板上に第１のゲート
電極を有する複数個の尖鋭なエミッタの集合体が形成さ
れ、前記第１のゲート電極の上方または周辺に第２のゲ
ート電極が形成された電界放出型電子銃の制御方法であ
って、前記エミッタ先端の電位を基準として前記第１の
ゲート電極の電圧から所定の電圧を差し引いた値と、前
記第２のゲート電極の電圧と、の比を前記第１のゲート
電極の電圧のいかんにかかわらず一定とすることを特徴
とする電界放出型電子銃の制御方法を提供する。
電極を有する複数個の尖鋭なエミッタの集合体が形成さ
れ、前記第１のゲート電極の上方または周辺に第２のゲ
ート電極が形成された電界放出型電子銃の制御方法であ
って、前記エミッタ先端の電位を基準として前記第１の
ゲート電極の電圧から所定の電圧を差し引いた値と、前
記第２のゲート電極の電圧と、の比を前記第１のゲート
電極の電圧のいかんにかかわらず一定とすることを特徴
とする電界放出型電子銃の制御方法を提供する。
【００１８】上記構成のもと、本発明によれば、電界放
出型電子銃のエミッション源となる複数のエミッタ群の
エミッション特性が、補助電極を追加することにより、
エミッタ近傍の電界分布を可変する構成とし、ゲート電
極の電圧を簡単な回路で変換してこれを第２のゲート電
極に印加することにより、エミッション特性が通常のフ
ァウラー・ノルドハイムの式に従う特性から、実効上熱
カソードと同様なガンマ特性となるようにしたものであ
る。このため、本発明によれば、通常のガンマ特性をも
つビデオ信号を平易な回路により直ちに電界放出型電子
銃のゲート電極もしくはエミッタに印加することが可能
となり、時分割制御機構や特性変換回路などを不要と
し、表示装置の簡易化を図る。
出型電子銃のエミッション源となる複数のエミッタ群の
エミッション特性が、補助電極を追加することにより、
エミッタ近傍の電界分布を可変する構成とし、ゲート電
極の電圧を簡単な回路で変換してこれを第２のゲート電
極に印加することにより、エミッション特性が通常のフ
ァウラー・ノルドハイムの式に従う特性から、実効上熱
カソードと同様なガンマ特性となるようにしたものであ
る。このため、本発明によれば、通常のガンマ特性をも
つビデオ信号を平易な回路により直ちに電界放出型電子
銃のゲート電極もしくはエミッタに印加することが可能
となり、時分割制御機構や特性変換回路などを不要と
し、表示装置の簡易化を図る。
【００１９】
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を以下に説明する。
形態を以下に説明する。
【００２０】
【実施形態１】図１は、本発明の第１の実施の形態を説
明するための素子近傍の断面図である。図１を参照し
て、基板４上に尖鋭な円錐形のエミッタ１と、金属膜よ
りなるゲート電極（「第１のゲート電極」ともいう）２
と、ゲート電極２上に形成された金属膜によりなる第２
のゲート電極３が設けられている。
明するための素子近傍の断面図である。図１を参照し
て、基板４上に尖鋭な円錐形のエミッタ１と、金属膜よ
りなるゲート電極（「第１のゲート電極」ともいう）２
と、ゲート電極２上に形成された金属膜によりなる第２
のゲート電極３が設けられている。
【００２１】これらの電極は、第１、第２の絶縁膜５、
６により互いに電気的に分離されている。
６により互いに電気的に分離されている。
【００２２】さらに、第２のゲート電極３の上方には蛍
光体７およびアノード電極８が設置され、エミッタ１と
ゲート電極２との間には電圧Ｖｇ1が印加され、エミッ
タ１と第２のゲート電極３にはＶｇ2の電圧が印加され
ている。
光体７およびアノード電極８が設置され、エミッタ１と
ゲート電極２との間には電圧Ｖｇ1が印加され、エミッ
タ１と第２のゲート電極３にはＶｇ2の電圧が印加され
ている。
【００２３】また、アノード電極８とエミッタ１との間
にはＶａの電圧が印加されている。
にはＶａの電圧が印加されている。
【００２４】ゲート電圧Ｖg1の印加によりエミッタ１の
先端より放出された電子は、第２のゲート電極３により
減速されるが、第２のゲート電極３を通過後、アノード
電極８の電圧Ｖaにより加速され、蛍光体７に衝突して
蛍光する。
先端より放出された電子は、第２のゲート電極３により
減速されるが、第２のゲート電極３を通過後、アノード
電極８の電圧Ｖaにより加速され、蛍光体７に衝突して
蛍光する。
【００２５】第２のゲート電圧Ｖｇ2は、ゲート電圧Ｖ
ｇ1より小さい値とし、エミッション量（エミッタから
の放出電流量）の小さい場合にゲート電圧を実効的に抑
制するように作用させる。
ｇ1より小さい値とし、エミッション量（エミッタから
の放出電流量）の小さい場合にゲート電圧を実効的に抑
制するように作用させる。
【００２６】図２は、本実施形態の電流電圧特性（ゲー
ト電圧−エミッタ放出電流特性）９（破線参照）、熱カ
ソードを用いた場合のγ特性１０、第２のゲート電極３
にかける電圧を一定とした場合の電流電圧特性１１、１
２、１３をそれぞれ両対数で示す。
ト電圧−エミッタ放出電流特性）９（破線参照）、熱カ
ソードを用いた場合のγ特性１０、第２のゲート電極３
にかける電圧を一定とした場合の電流電圧特性１１、１
２、１３をそれぞれ両対数で示す。
【００２７】ここで、Ｖoffはエミッションが小さく像
が見えなくなる電圧である。また、電流電圧特性１１の
場合から１３の場合まで第２のゲート電圧Ｖｇ2を小さ
くしている（特性１１から１３の第２のゲート電極３の
電圧をＶ11、Ｖ12、Ｖ13として、Ｖ11＞Ｖ12＞Ｖ13）。
が見えなくなる電圧である。また、電流電圧特性１１の
場合から１３の場合まで第２のゲート電圧Ｖｇ2を小さ
くしている（特性１１から１３の第２のゲート電極３の
電圧をＶ11、Ｖ12、Ｖ13として、Ｖ11＞Ｖ12＞Ｖ13）。
【００２８】図２より明らかなように、電流電圧特性１
１、１２、１３では低電流領域で電界放出型電子銃の放
出（エミッション）電流量が多い。
１、１２、１３では低電流領域で電界放出型電子銃の放
出（エミッション）電流量が多い。
【００２９】しかし、第２のゲート電極３が設けられた
場合で、第２のゲート電圧Ｖｇ2を、Ｖｇ2＝α・（Ｖｇ
1−Ｖｏ）とした場合に、電流電圧特性９に示すよう
に、低電流領域で電界が抑制されて電子のエミッション
が抑制され、見かけ上γ特性となり、熱カソードの場合
のγ特性１０と平行になっている。ここで、αおよびＶ
ｏは一定であり、抵抗および定電圧電源により簡単に構
成することができる。
場合で、第２のゲート電圧Ｖｇ2を、Ｖｇ2＝α・（Ｖｇ
1−Ｖｏ）とした場合に、電流電圧特性９に示すよう
に、低電流領域で電界が抑制されて電子のエミッション
が抑制され、見かけ上γ特性となり、熱カソードの場合
のγ特性１０と平行になっている。ここで、αおよびＶ
ｏは一定であり、抵抗および定電圧電源により簡単に構
成することができる。
【００３０】すなわち、第２のゲート電圧Ｖｇ2はゲー
ト電圧Ｖｇ1が増加するに従い増大し、例えば図２の特
性曲線１３で示す電圧電流特性から特性曲線１２、１１
に移行してゆき（破線で示す特性曲線９参照）、結果的
に第２のゲート電圧Ｖｇ2は実効的にゲート電圧Ｖｇ1を
γ特性となるように作用させていることになる。
ト電圧Ｖｇ1が増加するに従い増大し、例えば図２の特
性曲線１３で示す電圧電流特性から特性曲線１２、１１
に移行してゆき（破線で示す特性曲線９参照）、結果的
に第２のゲート電圧Ｖｇ2は実効的にゲート電圧Ｖｇ1を
γ特性となるように作用させていることになる。
【００３１】
【実施形態２】図３は、本発明の第２の実施例の素子近
傍の断面図である。図３を参照して、金属膜によりなる
第２のゲート電極３は、基板上部に位置されるが、基板
と一体となってはおらず、アノード電極８等と同様に、
ガラス管などの真空装置と一体化されている。ゲート電
極２、第２のゲート電極３、アノード電極８等は前記第
１の実施例と同様にしてバイアスされる。
傍の断面図である。図３を参照して、金属膜によりなる
第２のゲート電極３は、基板上部に位置されるが、基板
と一体となってはおらず、アノード電極８等と同様に、
ガラス管などの真空装置と一体化されている。ゲート電
極２、第２のゲート電極３、アノード電極８等は前記第
１の実施例と同様にしてバイアスされる。
【００３２】
【実施形態３】図４は、本発明の第３の実施例の素子近
傍の断面図である。図４を参照して、金属膜によりなる
第２のゲート電極３はゲート電極２下の絶縁膜５上にゲ
ート電極２を取り囲むように配列されている。
傍の断面図である。図４を参照して、金属膜によりなる
第２のゲート電極３はゲート電極２下の絶縁膜５上にゲ
ート電極２を取り囲むように配列されている。
【００３３】以上、説明した実施例ではエミッタは基板
主面上に突出されて尖鋭化された構成とされているが、
エミッタ材料およびエミッタの形状はこれに限るもので
はなく、尖鋭なリング状のエミッタや、平面状のエミッ
タ、また横方向に電流放出（エミッション）する構造の
ものでも同様の効果がある。また、アノードや蛍光体の
位置も任意に選ぶことができる。
主面上に突出されて尖鋭化された構成とされているが、
エミッタ材料およびエミッタの形状はこれに限るもので
はなく、尖鋭なリング状のエミッタや、平面状のエミッ
タ、また横方向に電流放出（エミッション）する構造の
ものでも同様の効果がある。また、アノードや蛍光体の
位置も任意に選ぶことができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、電界放
出型電子銃のエミッション源となる複数のエミッタ群の
エミッション特性が、補助電極を追加することにより、
エミッタ近傍の電界分布を可変可能な構成とし、ゲート
電極電圧を簡単な回路で変換して第２のゲート電極に印
加することにより、エミッション特性が通常のファウラ
ー・ノルドハイムの式に従う特性から、実効上熱カソー
ドと同様なガンマ特性となる。
出型電子銃のエミッション源となる複数のエミッタ群の
エミッション特性が、補助電極を追加することにより、
エミッタ近傍の電界分布を可変可能な構成とし、ゲート
電極電圧を簡単な回路で変換して第２のゲート電極に印
加することにより、エミッション特性が通常のファウラ
ー・ノルドハイムの式に従う特性から、実効上熱カソー
ドと同様なガンマ特性となる。
【００３５】このため、本発明によれば、通常のガンマ
特性をもつビデオ信号を平易な回路により直ちに電界放
出型電子銃のゲート電極もしくはエミッタに印加するこ
とが可能となり、時分割制御機構や特性変換回路等を不
要とし、表示装置の簡易化を達成する。
特性をもつビデオ信号を平易な回路により直ちに電界放
出型電子銃のゲート電極もしくはエミッタに印加するこ
とが可能となり、時分割制御機構や特性変換回路等を不
要とし、表示装置の簡易化を達成する。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための模式的
な断面図である。
な断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の特性を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するための模式的
な断面図である。
な断面図である。
【図４】本発明の第３の実施例を説明するための模式的
な断面図である。
な断面図である。
１ エミッタ（群） ２ ゲート電極 ３ 第２のゲート電極 ４ 基板 ５ 絶縁膜 ６ 絶縁膜 ７ 蛍光体 ８ アノード電極 ９ 本発明の電流電圧特性 １０ 熱カソードの電流電圧特性 １１〜１３ 第２ゲート電極に一定の電圧をかけた場合
の電流電圧特性
の電流電圧特性
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に形成された第１のゲート電極と、
先端部が尖鋭な形状とされたエミッタを含み、 前記第１のゲート電極に離間して第２のゲート電極が形
成され、 前記第１及び第２のゲート電極に離間してアノード電極
が配設され、 前記第２のゲート電極を前記エミッタからの放出電流が
小さい場合に前記第１のゲート電極の電圧を実効的に抑
制するようにバイアス制御することを特徴とする電界放
出型電子銃。 - 【請求項２】前記第２のゲート電極に対して前記第１の
ゲート電極の電圧に比例した電圧を印加するようにし、
低電流領域での電流電圧特性を見かけ上γ特性とするこ
とを特徴とする請求項１記載の電界放出型電子銃。 - 【請求項３】前記第２のゲート電極が、前記第１のゲー
ト電極が形成された基板と同一基板上に前記第１のゲー
ト電極と電気的に絶縁されて配置されたことを特徴とす
る請求項１記載の電界放出型電子銃。 - 【請求項４】前記第２のゲート電極が、前記基板と分離
され真空装置と一体に配置されたことを特徴とする請求
項１記載の電界放出型電子銃。 - 【請求項５】基板と該基板上に第１のゲート電極を有す
る複数個の尖鋭なエミッタの集合体が形成され、前記第
１のゲート電極の上方または周辺に第２のゲート電極が
形成された電界放出型電子銃の制御方法であって、 前記エミッタ先端の電位を基準として前記第１のゲート
電極の電圧から所定の電圧を差し引いた値と、前記第２
のゲート電極の電圧と、の比を前記第１のゲート電極の
電圧のいかんにかかわらず一定とすることを特徴とする
電界放出型電子銃の制御方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19608695A JP2783202B2 (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 電界放出型電子銃及びその制御方法 |
| US08/676,452 US5850120A (en) | 1995-07-07 | 1996-07-08 | Electron gun with a gamma correct field emission cathode |
| TW085108376A TW413828B (en) | 1995-07-07 | 1996-07-08 | Electron gun provided with a field emission cold cathode and an improved gate structure |
| FR9608485A FR2737041A1 (fr) | 1995-07-07 | 1996-07-08 | Canon a electrons pourvu d'une cathode froide a emission de champ |
| KR1019960027441A KR100266517B1 (ko) | 1995-07-07 | 1996-07-08 | 전계 방출 냉 캐소드 및 개선된 게이트 구조를 갖는 전자 총 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19608695A JP2783202B2 (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 電界放出型電子銃及びその制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922650A true JPH0922650A (ja) | 1997-01-21 |
| JP2783202B2 JP2783202B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=16351982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19608695A Expired - Fee Related JP2783202B2 (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 電界放出型電子銃及びその制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2783202B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100866980B1 (ko) * | 2006-11-16 | 2008-11-05 | 한국전기연구원 | 평판형 냉음극 전자총 |
-
1995
- 1995-07-07 JP JP19608695A patent/JP2783202B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100866980B1 (ko) * | 2006-11-16 | 2008-11-05 | 한국전기연구원 | 평판형 냉음극 전자총 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2783202B2 (ja) | 1998-08-06 |
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