JPH09219466A - Electronic component base - Google Patents

Electronic component base

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JPH09219466A
JPH09219466A JP8346645A JP34664596A JPH09219466A JP H09219466 A JPH09219466 A JP H09219466A JP 8346645 A JP8346645 A JP 8346645A JP 34664596 A JP34664596 A JP 34664596A JP H09219466 A JPH09219466 A JP H09219466A
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insulating layer
filled
circuit pattern
capacitor
forming
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Fumio Miyagawa
文雄 宮川
Toshiichi Takenouchi
敏一 竹之内
Hiroyuki Sakai
博之 酒井
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic component base which enables providing a capacitor onto the upper surface of insulating layers having two or more circuit patterns laterally arrayed at predetermined intervals, or along the lateral direction between the insulating layers, without occupying a large area. SOLUTION: A via-hole 8 filled with a conductor 23 is provided in an insulating layer portion directly below each of circuit patterns 14 which are laterally arrayed at predetermined intervals. Also, a via-hole 8 filled with a ferroelectric material 22 is provided in an insulating layer portion which is located between the via-holes 8 filled with the conductors 23 and between the adjacent circuit patterns 14. Using these ferroelectric material 24 and conductor 23, a capacitor 24 is three-dimensionally provided in the direction of thickness of the insulating layer of the electronic component base.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁層上面又は絶
縁層間に2本以上の回路パターンを所定間隔あけて配列
してなるパッケージ、基板等の電子部品用基体に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate for electronic parts such as a package and a substrate, which is formed by arranging two or more circuit patterns at a predetermined interval on an upper surface of an insulating layer or between insulating layers.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、セラミック、樹脂等の絶縁体
に2本以上の回路パターンを所定間隔あけて配列してな
るパッケージ、基板等の電子部品用基体がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, there is a substrate for electronic components such as a package and a substrate, which is formed by arranging two or more circuit patterns on an insulator such as ceramic or resin at a predetermined interval.

【0003】この電子部品用基体は、一般に、複数の絶
縁層を積層して形成していて、多層構造をしている。そ
して、その複数の絶縁層上面又は絶縁層間に、2本以上
の回路パターンを所定間隔あけて横に並べて配列した
り、又は2本以上の回路パターンを所定間隔あけて縦に
並べて配列したりしている。
[0003] This electronic component base is generally formed by laminating a plurality of insulating layers, and has a multilayer structure. Then, two or more circuit patterns may be arranged side by side at predetermined intervals on the upper surface or the insulating layers of the plurality of insulating layers, or two or more circuit patterns may be arranged vertically at predetermined intervals. ing.

【0004】この電子部品用基体にキャパシタを備える
場合には、従来は、該キャパシタを、専ら電子部品用基
体を構成する絶縁層上面又は絶縁層間の横方向に沿って
平面的に層状に備えている。
Conventionally, when a capacitor is provided on the electronic component substrate, the capacitor is conventionally provided in a planar layer form exclusively along the upper surface of the insulating layer constituting the electronic component substrate or along the lateral direction between the insulating layers. I have.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のキャ
パシタは、強誘電体層を挟んでその上下面に導体層を広
く備えた構造をしていて、上記のようにして、該キャパ
シタを電子部品用基体に備えたとすると、そのキャパシ
タが電子部品用基体を構成する絶縁層上面又は絶縁層間
に沿って極めて広い面積を占有してしまう。
By the way, the conventional capacitor has a structure in which a conductor layer is widely provided on the upper and lower surfaces of a ferroelectric layer with a ferroelectric layer interposed therebetween. As described above, the capacitor is used as an electronic component. If it is provided in the substrate for electronic parts, the capacitor will occupy an extremely large area along the upper surface of the insulating layer or the insulating layer constituting the substrate for electronic parts.

【0006】その結果、そのキャパシタが、同じ電子部
品用基体の絶縁層上面又は絶縁層間の横方向に沿って所
定間隔あけて2本以上並べて配列する回路パターンの配
列の自由度を妨げてしまった。そして、その絶縁層上面
又は絶縁層間に2本以上並べて配列する回路パターンの
配列を複雑化、困難化させたり、その絶縁層上面又は絶
縁層間に所定間隔あけて2本以上並べて配列する回路パ
ターンの配列密度を低下させたりした。
As a result, the capacitor hinders the degree of freedom in arranging two or more circuit patterns arranged side by side at a predetermined interval along the upper surface of the insulating layer of the same electronic component substrate or the lateral direction between the insulating layers. . Then, the arrangement of two or more circuit patterns arranged side by side on the upper surface of the insulating layer or the insulating layer is complicated and made difficult, or two or more circuit patterns arranged side by side at a predetermined interval are arranged on the upper surface of the insulating layer or the insulating layer. The array density was reduced.

【0007】本発明は、このような課題を解消するため
になされたもので、絶縁層上面又は絶縁層間に2本以上
の回路パターンを所定間隔あけて配列してなる電子部品
用基体に、キャパシタを、その2本以上の回路パターン
を所定間隔あけて配列した絶縁層上面又は絶縁層間の横
方向に沿って層状に広い面積を平面的に占有させること
なく、備えることのできる、電子部品用基体を提供する
ことを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and a capacitor for an electronic component in which two or more circuit patterns are arranged at predetermined intervals on the upper surface of an insulating layer or between insulating layers is provided. A substrate for an electronic component, which does not occupy a large area in a layer along the upper surface of an insulating layer in which two or more circuit patterns are arranged at predetermined intervals or in a lateral direction between the insulating layers in a planar manner. It is intended to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電子部品用基体は、絶縁層上面又は絶縁層
間に2本以上の回路パターンを所定間隔あけて配列して
なるパッケージ、基板等の電子部品用基体において、前
記所定間隔あけて配列された各回路パターン直下の絶縁
層部分に上下に設けたヴィアホールに導体をそれぞれ充
填すると共に、それらの導体を充填したヴィアホール間
に位置する絶縁層部分であって、前記回路パターン間に
位置する絶縁層部分に上下に設けたヴィアホールに強誘
電体を充填して、それらの強誘電体及び導体を用いて、
前記絶縁層の厚さ方向にキャパシタを立体的に備えたこ
とを特徴としている。
In order to achieve the above object, a substrate for electronic parts of the present invention is a package in which two or more circuit patterns are arranged at a predetermined interval on an upper surface of an insulating layer or between insulating layers. In a substrate for electronic parts such as a substrate, conductors are respectively filled in via holes provided above and below in an insulating layer portion immediately below each circuit pattern arranged at a predetermined interval, and between the via holes filled with those conductors. Insulating layer portions located, filling the via holes provided above and below the insulating layer portion located between the circuit patterns with a ferroelectric, and using those ferroelectrics and conductors,
It is characterized in that capacitors are three-dimensionally provided in the thickness direction of the insulating layer.

【0009】この電子部品用基体においては、回路パタ
ーン直下の絶縁層部分であって、回路パターンが一般に
形成されない絶縁層部分を有効利用して、該絶縁層部分
に、キャパシタ形成用の導体を充填したヴィアホールを
設けている。
In this electronic component substrate, a conductor for forming a capacitor is filled in the insulating layer portion by effectively utilizing an insulating layer portion immediately below the circuit pattern, where the circuit pattern is not generally formed. There is a via hole.

【0010】そのため、そのキャパシタ形成用の導体を
充填したヴィアホールが、回路パターンを形成するのに
好適な絶縁層上面又は絶縁層間であって、回路パターン
が形成された箇所以外の絶縁層上面又は絶縁層間の横方
向に沿って広い面積を平面的に占有するのを防ぐことが
できる。そして、その回路パターンが形成された箇所以
外の絶縁層上面又は絶縁層間に、他の回路パターンを、
キャパシタ形成用の導体を充填したヴィアホールに邪魔
されずに、余裕を持って容易かつ自在に形成できる。そ
して、電子部品用基体に形成する回路パターンの高密度
化が図れる。
Therefore, the via hole filled with the conductor for forming the capacitor is located on the upper surface of the insulating layer or the insulating layer suitable for forming the circuit pattern, and the upper surface of the insulating layer other than the portion where the circuit pattern is formed or It is possible to prevent a large area from occupying a plane along the lateral direction between the insulating layers. Then, another circuit pattern is placed on the upper surface of the insulating layer or between the insulating layers other than where the circuit pattern is formed,
The via hole filled with the conductor for forming the capacitor can be easily and freely formed without any obstruction. And the density of the circuit pattern formed on the electronic component base can be increased.

【0011】また、この電子部品用基体においては、回
路パターン間に位置する絶縁層内側部分であって、回路
パターンが一般に形成されない絶縁層内側部分を有効利
用して、その絶縁層内側部分の上下方向に、キャパシタ
形成用の強誘電体を充填したヴィアホールを設けてい
る。
Further, in this electronic component substrate, the inner portion of the insulating layer located between the circuit patterns, which is generally not formed with the circuit pattern, is effectively utilized, and the upper and lower portions of the inner portion of the insulating layer are effectively used. A via hole filled with a ferroelectric material for forming a capacitor is provided in the direction.

【0012】そのため、そのキャパシタ形成用の強誘電
体を充填したヴィアホールが、回路パターンを形成する
のに好適な絶縁層上面又は絶縁層間の横方向に広い面積
を平面的に占有するのを防ぐことができる。そして、そ
の絶縁層上面又は絶縁層間に回路パターンを、キャパシ
タ形成用の強誘電体を充填したヴィアホールに大きく邪
魔されずに、余裕を持って容易かつ自在に形成できる。
そして、電子部品用基体に形成する回路パターンの高密
度化が図れる。
This prevents the via hole filled with the ferroelectric for forming the capacitor from occupying a large area in the lateral direction between the upper surface of the insulating layer or the insulating layer suitable for forming a circuit pattern. be able to. Then, the circuit pattern can be easily and freely formed with a margin without being largely obstructed by the via hole filled with the ferroelectric for forming the capacitor.
And the density of the circuit pattern formed on the electronic component base can be increased.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】図1ないし図3は本発明の電子部
品用基体のセラミックパッケージの好適な実施の形態を
示し、図1はその一部正面断面図、図2はその一部平面
図、図3はその一部側面断面図である。以下に、このパ
ッケージを説明する。
1 to 3 show a preferred embodiment of a ceramic package of a substrate for electronic parts of the present invention, FIG. 1 is a partial front sectional view thereof, and FIG. 2 is a partial plan view thereof. 3 is a partial side sectional view thereof. Hereinafter, this package will be described.

【0014】図のパッケージでは、アルミナ60Wt
%、ホウケイ酸ガラス40Wt%等を含む方形枠体状を
した低温焼成用の3枚のグリーンシート5a、5b、5
cを順に積層して、パッケージ形成部材を形成してい
る。そして、そのパッケージ形成部材の内側に、半導体
素子収容用のキャビティ4を形成している。パッケージ
形成部材の中間層グリーンシート5b上面には、回路パ
ターン14形成用の低温焼成用のAuまたはAg−Pd
等のメタライズペースト線路6を所定ピッチで複数本横
に並べて備えている。
In the package shown in FIG.
%, Three low-temperature firing green sheets 5a, 5b, 5 in the form of a rectangular frame containing 40% by weight of borosilicate glass.
c are sequentially stacked to form a package forming member. A cavity 4 for housing a semiconductor element is formed inside the package forming member. On the upper surface of the intermediate green sheet 5b of the package forming member, Au or Ag-Pd for low-temperature firing for forming the circuit pattern 14 is provided.
A plurality of metallized paste lines 6 are provided side by side at a predetermined pitch.

【0015】上層グリーンシート5c上面と下層グリー
ンシート5a下面とには、メタライズ層9形成用の低温
焼成用のAuまたはAg−Pd等のメタライズペースト
層6をそれぞれ備えている。
On the upper surface of the upper green sheet 5c and on the lower surface of the lower green sheet 5a, a metallized paste layer 6 of Au or Ag-Pd for low-temperature firing for forming the metallized layer 9 is provided.

【0016】回路パターン14形成用のメタライズペー
スト線路6直下の中間層グリーンシート5b部分には、
図1、図2及び図3に示したように、該グリーンシート
5b部分を上下に貫通させて、複数個のヴィアホール8
をメタライズペースト線路6と平行に所定間隔ずつあけ
て並べて設けている。そして、それらの各ヴィアホール
8に、導体23形成用の低温焼成用のAuまたはAg−
Pd等のメタライズペースト7をそれぞれ充填してい
る。そして、それらの各ヴィアホール8に充填したメタ
ライズペースト7の上端を、回路パターン14形成用の
メタライズペースト線路6に連ねている。
In the intermediate green sheet 5b immediately below the metallized paste line 6 for forming the circuit pattern 14,
As shown in FIGS. 1, 2 and 3, a plurality of via holes 8 are formed by vertically penetrating the green sheet 5b.
Are arranged in parallel with the metallized paste line 6 at predetermined intervals. Then, Au or Ag- for low-temperature firing for forming the conductor 23 is formed in each of the via holes 8.
Each is filled with a metallizing paste 7 such as Pd. The upper end of the metallized paste 7 filled in each of the via holes 8 is connected to the metallized paste line 6 for forming the circuit pattern 14.

【0017】メタライズペースト7を充填したヴィアホ
ール8間に位置する中間層グリーンシート5b部分であ
って、回路パターン14形成用の隣合うメタライズペー
スト線路6間に位置する中間層グリーンシート5b部分
には、図2及び図3に示したように、該グリーンシート
5b部分を上下に貫通させて、複数個のヴィアホール8
をメタライズペースト線路6と平行に所定間隔ずつあけ
て並べて設けている。そして、それらの各ヴィアホール
8に、低温焼成用のPb複合ペロブスカイト系等の強誘
電体形成材20をそれぞれ充填している。
The intermediate green sheet 5b located between the via holes 8 filled with the metallizing paste 7 and the intermediate green sheet 5b located between the adjacent metallizing paste lines 6 for forming the circuit patterns 14 As shown in FIG. 2 and FIG. 3, a plurality of via holes 8 are formed by vertically penetrating the green sheet 5b.
Are arranged in parallel with the metallized paste line 6 at predetermined intervals. Each of the via holes 8 is filled with a ferroelectric material 20 such as a Pb composite perovskite for low-temperature firing.

【0018】次いで、3枚のグリーンシート5a、5
b、5cを積層してなるセラミックパッケージ形成部材
を、炉内等に入れて、1000°C前後の低温で一体焼
成し、絶縁層を3層積層してなるセラミックパッケージ
1dを形成している。
Next, three green sheets 5a, 5a
A ceramic package forming member formed by stacking b and 5c is placed in a furnace or the like and integrally fired at a low temperature of about 1000 ° C. to form a ceramic package 1d formed by stacking three insulating layers.

【0019】それと同時に、中間絶縁層上面に複数本の
回路パターン14を所定ピッチで横に並べて形成した
り、上層絶縁層上面にメタライズ層9を形成したり、下
層絶縁層下面にメタライズ層9を形成したり、回路パタ
ーン14直下の中間絶縁層部分に設けたヴィアホール8
に導体23を充填したり、隣合う回路パターン14間に
位置する中間絶縁層部分に設けたヴィアホール8に強誘
電体22を充填したりしている。そして、それらのヴィ
アホール8に充填した導体23であって、その上端が回
路パターン14に連なる導体23及びヴィアホール8に
充填した強誘電体22を用いて、隣合う回路パターン1
4間を電気的に並列接続するキャパシタ24を、セラミ
ックパッケージ1dの中間絶縁層部分の厚さ方向に立体
的に備えている。
At the same time, a plurality of circuit patterns 14 are formed side by side on the upper surface of the intermediate insulating layer at a predetermined pitch, a metallized layer 9 is formed on the upper surface of the upper insulating layer, and a metallized layer 9 is formed on the lower surface of the lower insulating layer. Via holes 8 formed or provided in the intermediate insulating layer portion directly below the circuit pattern 14
Is filled with the conductor 23, or the via hole 8 provided in the intermediate insulating layer portion located between the adjacent circuit patterns 14 is filled with the ferroelectric substance 22. Using the conductor 23 filled in the via hole 8, the upper end of which is a conductor 23 connected to the circuit pattern 14 and the ferroelectric substance 22 filled in the via hole 8, the adjacent circuit pattern 1 is used.
Capacitors 24 electrically connecting the four in parallel are provided three-dimensionally in the thickness direction of the intermediate insulating layer portion of the ceramic package 1d.

【0020】その後、セラミックパッケージ1d下面に
形成されたメタライズ層9に、底板10をろう付け接合
している。そして、セラミックパッケージ1dのキャビ
ティ4底面を底板10で塞いでいる。それと共に、キャ
ビティ4内に露出した底板10表面に、ステージ11を
ろう付け接合している。
Thereafter, a bottom plate 10 is brazed to the metallized layer 9 formed on the lower surface of the ceramic package 1d. Then, the bottom surface of the cavity 4 of the ceramic package 1d is covered with the bottom plate 10. At the same time, a stage 11 is brazed to the surface of the bottom plate 10 exposed in the cavity 4.

【0021】図1ないし図3に示したセラミックパッケ
ージ1dは、以上のように構成している。
The ceramic package 1d shown in FIGS. 1 to 3 is configured as described above.

【0022】次に、このセラミックパッケージ1dの使
用例並びにその作用を説明する。
Next, an example of use of the ceramic package 1d and its operation will be described.

【0023】図1に示したように、キャビティ4内のス
テージ11に半導体素子12を搭載する。そして、該半
導体素子の電極13と回路パターン14内端とをワイヤ
16で電気的に接続する。
As shown in FIG. 1, the semiconductor element 12 is mounted on the stage 11 in the cavity 4. Then, the electrode 13 of the semiconductor element and the inner end of the circuit pattern 14 are electrically connected by a wire 16.

【0024】次いで、キャビティ4上面をキャップ17
で覆って、該キャップ17を上層絶縁層上面のメタライ
ズ層9にろう付け接合する。そして、半導体素子12を
キャビティ4内に封止する。回路パターン14外端に
は、リード18内端をはんだ付け等により接続して、リ
ード18をセラミックパッケージ1d外方に延出する。
Next, the upper surface of the cavity 4 is
And the cap 17 is brazed to the metallized layer 9 on the upper surface of the upper insulating layer. Then, the semiconductor element 12 is sealed in the cavity 4. The inner end of the lead 18 is connected to the outer end of the circuit pattern 14 by soldering or the like, and the lead 18 extends outside the ceramic package 1d.

【0025】すると、リード18に電源電流や電気信号
を流すと、該電流や信号が回路パターン14及びワイヤ
16を通して、半導体素子の電極13に伝わる。そし
て、該電流や信号で、半導体素子12が動作する。
Then, when a power supply current or an electric signal flows through the lead 18, the current or the signal is transmitted to the electrode 13 of the semiconductor element through the circuit pattern 14 and the wire 16. Then, the semiconductor element 12 operates with the current or the signal.

【0026】その際には、隣合う回路パターン14を伝
わる高周波信号が、その隣合う回路パターン14間を電
気的に並列接続しているキャパシタ24を通して、互い
に混入し合う。
At this time, the high-frequency signals transmitted through the adjacent circuit patterns 14 mix with each other through the capacitors 24 electrically connecting the adjacent circuit patterns 14 in parallel.

【0027】ここで、図1ないし図3に示したセラミッ
クパッケージ1dに備えたキャパシタ24であって、セ
ラミックパッケージ1dの隣合う回路パターン14間を
電気的に並列接続しているキャパシタ24の等価回路図
を示すと、図4のようになる。
Here, an equivalent circuit of the capacitor 24 provided in the ceramic package 1d shown in FIGS. 1 to 3, wherein the adjacent circuit patterns 14 of the ceramic package 1d are electrically connected in parallel. FIG. 4 shows the diagram.

【0028】この図1ないし図3に示したセラミックパ
ッケージ1dにおいては、その隣合う回路パターン14
間を電気的に並列接続するキャパシタ24形成用の導体
23を充填したヴィアホール8を、回路パターン14直
下の中間絶縁層部分の厚さ方向に立体的に備えている。
そのため、その回路パターン14直下の中間絶縁層部分
を有効利用して、キャパシタ24形成用の導体23を充
填したヴィアホール8を、中間絶縁層上面の回路パター
ン14に邪魔されずに、余裕を持って立体的に容易かつ
的確に備えることができる。それと共に、回路パターン
14が形成された箇所以外の中間絶縁層上面又は上層絶
縁層と中間絶縁層との間に、他の回路パターンを、キャ
パシタ24形成用の導体23を充填したヴィアホール8
に邪魔されずに、余裕を持って容易かつ自在に形成でき
る。
In the ceramic package 1d shown in FIG. 1 to FIG.
Via holes 8 filled with conductors 23 for forming capacitors 24 electrically connected in parallel are provided three-dimensionally in the thickness direction of the intermediate insulating layer portion immediately below the circuit pattern 14.
Therefore, the via hole 8 filled with the conductor 23 for forming the capacitor 24 has a sufficient space without being disturbed by the circuit pattern 14 on the upper surface of the intermediate insulating layer by effectively utilizing the intermediate insulating layer portion immediately below the circuit pattern 14. It can be easily and accurately provided three-dimensionally. At the same time, another circuit pattern is formed on the upper surface of the intermediate insulating layer other than where the circuit pattern 14 is formed or between the upper insulating layer and the intermediate insulating layer by a via hole 8 filled with a conductor 23 for forming a capacitor 24.
It can be easily and freely formed with a margin without being disturbed.

【0029】また、回路パターン14間に位置する中間
絶縁層内側部分を有効利用して、その中間絶縁層内側部
分の上下方向に、キャパシタ24形成用の強誘電体22
を充填したヴィアホール8を設けている。そのため、そ
のキャパシタ24形成用の強誘電体22を充填したヴィ
アホール8が、回路パターン14を形成するのに好適な
中間絶縁層上面又は上層絶縁層と中間絶縁層との間の横
方向に広い面積を平面的に占有するのを防いで、その中
間絶縁層上面又は上層絶縁層と中間絶縁層との間に回路
パターン14を、余裕を持って容易かつ自在に形成でき
る。
Further, by effectively utilizing the inner portion of the intermediate insulating layer located between the circuit patterns 14, the ferroelectric substance 22 for forming the capacitor 24 is formed in the vertical direction of the inner portion of the intermediate insulating layer.
A via hole 8 filled with is provided. Therefore, the via hole 8 filled with the ferroelectric substance 22 for forming the capacitor 24 is wide in the lateral direction between the upper surface of the intermediate insulating layer suitable for forming the circuit pattern 14 or between the upper insulating layer and the intermediate insulating layer. The circuit pattern 14 can be easily and freely formed with a margin while preventing the area from being occupied in a plane, and between the upper insulating layer or the upper insulating layer and the intermediate insulating layer.

【0030】図5は本発明の電子部品用基体のセラミッ
クパッケージの他の好適な実施の形態を示し、図5はそ
の一部正面断面図である。以下に、このパッケージを説
明する。
FIG. 5 shows another preferred embodiment of the ceramic package of the electronic component substrate of the present invention, and FIG. 5 is a partial front sectional view thereof. Hereinafter, this package will be described.

【0031】図のパッケージでは、前述図1に示したパ
ッケージ形成部材と同様な3枚のグリーンシート5a、
5b、5cを順に積層してなるパッケージ形成部材の中
間層グリーンシート5b上面に当たる、上層グリーンシ
ート5cと中間層グリーンシート5bとの間に、回路パ
ターン14形成用の低温焼成用のメタライズペースト線
路6を、その中途部を所定長さ分断した状態で、備えて
いる。換言すれば、上層グリーンシート5cと中間層グ
リーンシート5bとの間に、回路パターン14形成用の
2本のメタライズペースト線路6を、所定間隔あけて、
縦に並べて備えている。
In the package shown in the figure, three green sheets 5a similar to the package forming member shown in FIG.
A metallized paste line 6 for low-temperature firing for forming the circuit pattern 14 is provided between the upper green sheet 5c and the intermediate green sheet 5b, which is the upper surface of the intermediate green sheet 5b of the package forming member formed by sequentially stacking 5b and 5c. Is provided in a state in which the middle part thereof is cut into a predetermined length. In other words, two metallized paste lines 6 for forming the circuit pattern 14 are provided at predetermined intervals between the upper layer green sheet 5c and the intermediate layer green sheet 5b.
They are arranged vertically.

【0032】上層グリーンシート5cと中間層グリーン
シート5bとの間に縦に並べて備えた各メタライズペー
スト線路6の内端直下の中間層グリーンシート5b部分
には、該グリーンシート5b部分を上下に貫通させて、
ヴィアホール8をそれぞれ設けている。そして、それら
の各ヴィアホール8に、導体23形成用の低温焼成用の
メタライズペースト7をそれぞれ充填している。そし
て、それらのメタライズペースト7の上端を、各メタラ
イズペースト線路6の内端にそれぞれ連ねている。
In the intermediate green sheet 5b immediately below the inner end of each metallized paste line 6 vertically arranged between the upper green sheet 5c and the intermediate green sheet 5b, the green sheet 5b is vertically penetrated. Let me
Each via hole 8 is provided. Each of the via holes 8 is filled with a metallizing paste 7 for low-temperature firing for forming the conductor 23. The upper ends of the metallized pastes 7 are connected to the inner ends of the metallized paste lines 6, respectively.

【0033】上層グリーンシート5cと中間層グリーン
シート5bとの間に縦に並べて備えたメタライズペース
ト線路6の内端間に位置する中間層グリーンシート5b
部分であって、各メタライズペースト線路6の内端直下
の中間層グリーンシート5b部分に設けたヴィアホール
8間に位置する中間層グリーンシート5b部分には、該
グリーンシート5b部分を上下に貫通させて、ヴィアホ
ール8を設けている。そして、そのヴィアホール8に、
低温焼成用のPb複合ペロブスカイト系等の強誘電体形
成材20を充填している。
The intermediate green sheet 5b located between the inner ends of the metallized paste lines 6 vertically arranged between the upper green sheet 5c and the intermediate green sheet 5b.
In the intermediate green sheet 5b located between the via holes 8 provided in the intermediate green sheet 5b immediately below the inner end of each metallized paste line 6, the green sheet 5b is vertically penetrated. A via hole 8 is provided. And in the via hole 8,
A ferroelectric forming material 20 such as a Pb composite perovskite system for low temperature firing is filled.

【0034】次いで、3枚のグリーンシート5a、5
b、5cを積層してなるセラミックパッケージ形成部材
を、炉内等に入れて、1000°C前後の低温で一体焼
成し、絶縁層を3層積層してなるセラミックパッケージ
1eを形成している。
Next, the three green sheets 5a, 5a
A ceramic package forming member formed by laminating b and 5c is placed in a furnace or the like and integrally fired at a low temperature of about 1000 ° C. to form a ceramic package 1e formed by laminating three insulating layers.

【0035】それと同時に、中間絶縁層上面に当たる上
層絶縁層と中間絶縁層との間に2本の回路パターン14
を縦に並べて形成したり、上層絶縁層上面にメタライズ
層9を形成したり、下層絶縁層下面にメタライズ層9を
形成したり、回路パターン14の内端直下の中間絶縁層
部分に設けた各ヴィアホール8に導体23をそれぞれ充
填したり、回路パターン14の内端間に位置する中間絶
縁層部分に設けたヴィアホール8に強誘電体22を充填
したりしている。そして、それらの各ヴィアホール8に
充填した導体23であって、その上端が各回路パターン
14の内端にそれぞれ連なる導体23及びヴィアホール
8に充填した強誘電体22を用いて、中間絶縁層上面に
縦に並べて備えた回路パターン14の内端間を電気的に
直列接続するキャパシタ24を、セラミックパッケージ
1eの中間絶縁層部分の厚さ方向に立体的に備えてい
る。
At the same time, two circuit patterns 14 are provided between the upper insulating layer corresponding to the upper surface of the intermediate insulating layer and the intermediate insulating layer.
Are arranged vertically, the metallized layer 9 is formed on the upper surface of the upper insulating layer, the metallized layer 9 is formed on the lower surface of the lower insulating layer, and the metallized layer 9 is formed on the intermediate insulating layer immediately below the inner end of the circuit pattern 14. The via holes 8 are filled with the conductors 23, and the via holes 8 provided in the intermediate insulating layer portion located between the inner ends of the circuit pattern 14 are filled with the ferroelectric substance 22. An intermediate insulating layer is formed by using the conductor 23 filled in each of the via holes 8 and having the upper end thereof connected to the inner end of each circuit pattern 14 and the ferroelectric 22 filled in the via hole 8. A capacitor 24 that electrically connects in series the inner ends of the circuit patterns 14 that are vertically arranged on the upper surface is three-dimensionally provided in the thickness direction of the intermediate insulating layer portion of the ceramic package 1e.

【0036】その後、セラミックパッケージ1e下面に
形成されたメタライズ層9に、底板10をろう付け接合
している。そして、セラミックパッケージ1eのキャビ
ティ4底面を底板10で塞いでいる。それと共に、キャ
ビティ4内に露出した底板10表面に、ステージ11を
ろう付け接合している。
Thereafter, the bottom plate 10 is brazed to the metallized layer 9 formed on the lower surface of the ceramic package 1e. The bottom surface of the cavity 4 of the ceramic package 1e is closed by the bottom plate 10. At the same time, a stage 11 is brazed to the surface of the bottom plate 10 exposed in the cavity 4.

【0037】図5に示したセラミックパッケージ1e
は、以上のように構成している。
The ceramic package 1e shown in FIG.
Is configured as described above.

【0038】次に、このセラミックパッケージ1eの使
用例並びにその作用を説明する。
Next, an example of use of the ceramic package 1e and its operation will be described.

【0039】図5に示したように、キャビティ4内のス
テージ11に半導体素子12を搭載する。そして、該半
導体素子の電極13と回路パターン14内端とをワイヤ
16で電気的に接続する。
As shown in FIG. 5, the semiconductor element 12 is mounted on the stage 11 in the cavity 4. Then, the electrode 13 of the semiconductor element and the inner end of the circuit pattern 14 are electrically connected by a wire 16.

【0040】次いで、キャビティ4上面をキャップ17
で覆って、該キャップ17を上層絶縁層上面のメタライ
ズ層9にろう付け接合する。そして、半導体素子12を
キャビティ4内に封止する。回路パターン14外端に
は、リード18内端をはんだ付け等により接続して、リ
ード18をセラミックパッケージ1e外方に延出する。
Then, the upper surface of the cavity 4 is capped with a cap 17.
And the cap 17 is brazed to the metallized layer 9 on the upper surface of the upper insulating layer. Then, the semiconductor element 12 is sealed in the cavity 4. The inner end of the lead 18 is connected to the outer end of the circuit pattern 14 by soldering or the like, and the lead 18 extends outside the ceramic package 1e.

【0041】すると、リード18に電源電流や電気信号
を流すと、該電流や信号が回路パターン14及びワイヤ
16を通して、半導体素子の電極13に伝わる。そし
て、該電流や信号で、半導体素子12が動作する。
Then, when a power supply current or an electric signal flows through the lead 18, the current or the signal is transmitted to the electrode 13 of the semiconductor element through the circuit pattern 14 and the wire 16. Then, the semiconductor element 12 operates with the current or the signal.

【0042】その際には、中間絶縁層上面に縦に並べて
備えた回路パターン14を伝わる高周波信号が、その回
路パターン14間を電気的に直列接続しているキャパシ
タ24を通して、互いに伝わり合う。
At this time, the high-frequency signals transmitted through the circuit patterns 14 vertically arranged on the upper surface of the intermediate insulating layer are transmitted to each other through the capacitors 24 electrically connecting the circuit patterns 14 in series.

【0043】ここで、図5に示したセラミックパッケー
ジ1eに備えたキャパシタ24であって、セラミックパ
ッケージ1eの回路パターン14の内端間を電気的に直
列接続しているキャパシタ24の等価回路図を示すと、
図6のようになる。
Here, an equivalent circuit diagram of the capacitor 24 provided in the ceramic package 1e shown in FIG. 5 and electrically connecting the inner ends of the circuit patterns 14 of the ceramic package 1e in series is shown. Indicate
It becomes like FIG.

【0044】この図5に示したセラミックパッケージ1
eにおいては、その回路パターン14の内端間を電気的
に直列接続するキャパシタ24形成用の導体23を充填
したヴィアホール8を、回路パターン14の内端直下の
中間絶縁層部分の厚さ方向に立体的に備えている。その
ため、その回路パターン14直下の中間絶縁層部分を有
効利用して、キャパシタ24形成用の導体23を充填し
たヴィアホール8を、中間絶縁層上面の回路パターン1
4に邪魔されずに、余裕を持って立体的に容易かつ的確
に備えることができる。それと共に、回路パターン14
が形成された箇所以外の中間絶縁層上面又は上層絶縁層
と中間絶縁層との間に、他の回路パターンを、キャパシ
タ24形成用の導体23を充填したヴィアホール8に邪
魔されずに、余裕を持って容易かつ自在に形成できる。
The ceramic package 1 shown in FIG.
In e, the via hole 8 filled with the conductor 23 for forming the capacitor 24 that electrically connects the inner ends of the circuit pattern 14 in series is formed in the thickness direction of the intermediate insulating layer portion immediately below the inner end of the circuit pattern 14. It is equipped with three-dimensional. Therefore, by effectively utilizing the intermediate insulating layer portion immediately below the circuit pattern 14, the via hole 8 filled with the conductor 23 for forming the capacitor 24 is formed in the circuit pattern 1 on the upper surface of the intermediate insulating layer.
It is possible to easily and accurately prepare three-dimensionally with a margin without being disturbed by 4. Along with that, the circuit pattern 14
Other circuit patterns are provided between the upper surface of the intermediate insulating layer or between the upper insulating layer and the intermediate insulating layer other than the location where Can be easily and freely formed.

【0045】また、回路パターン14の内端間に位置す
る中間絶縁層内側部分を有効利用して、その中間絶縁層
内側部分の上下方向に、キャパシタ24形成用の強誘電
体22を充填したヴィアホール8を設けている。そのた
め、そのキャパシタ24形成用の強誘電体22を充填し
たヴィアホール8が、回路パターン14を形成するのに
好適な中間絶縁層上面又は上層絶縁層と中間絶縁層との
間の横方向に広い面積を平面的に占有するのを防いで、
その中間絶縁層上面又は上層絶縁層と中間絶縁層との間
に回路パターン14を、余裕を持って容易かつ自在に形
成できる。
Further, by effectively utilizing the inner portion of the intermediate insulating layer located between the inner ends of the circuit pattern 14, the via filled with the ferroelectric substance 22 for forming the capacitor 24 is formed in the vertical direction of the inner portion of the intermediate insulating layer. Hall 8 is provided. Therefore, the via hole 8 filled with the ferroelectric material 22 for forming the capacitor 24 is wide in the lateral direction between the upper surface of the intermediate insulating layer suitable for forming the circuit pattern 14 or the upper insulating layer and the intermediate insulating layer. Preventing the area from occupying a plane,
The circuit pattern 14 can be easily and freely formed with a margin between the upper surface of the intermediate insulating layer or between the upper insulating layer and the intermediate insulating layer.

【0046】なお、上述セラミックパッケージ1d、1
eにおいては、グリーンシート5a、5b、5cに、通
常のアルミナ92Wt%等を含む高温焼成用のグリーン
シートを用いたり、メタライズペースト線路6、メタラ
イズペースト層6、メタライズペースト7に、約150
0°Cの高温を加えても溶融、崩壊しない高温焼成用の
メタライズペーストを用いたりしても良い。
The above-mentioned ceramic packages 1d, 1
In the case of e, the green sheets 5a, 5b, and 5c may be ordinary green sheets for high-temperature firing containing 92 Wt% of alumina, or the metallized paste line 6, the metallized paste layer 6, and the metallized paste 7 may have about 150
It is also possible to use a metallizing paste for high temperature firing that does not melt or collapse even if a high temperature of 0 ° C. is applied.

【0047】また、セラミックパッケージ1d、1eを
形成するための絶縁層に、成形済みの樹脂等の絶縁層を
用いても良い。そして、その絶縁層にヴィアホールを上
下に設けて、該ヴィアホールにメタライズペーストや強
誘電体形成材を充填した後、その絶縁層を高温に晒して
も良い。そして、そのメタライズペーストや強誘電体形
成材を乾燥させて、絶縁層に設けたヴィアホールにキャ
パシタ形成用のメタライズや強誘電体を一体に固着させ
て充填しても良い。そして、それらのメタライズ及び強
誘電体を用いて、セラミックパッケージ1d、1eの絶
縁層の厚さ方向にキャパシタを縦長に立体的に備えても
良い。
Further, an insulating layer made of a molded resin or the like may be used as an insulating layer for forming the ceramic packages 1d and 1e. Then, via holes may be provided above and below the insulating layer, the via holes may be filled with a metallizing paste or a ferroelectric forming material, and then the insulating layer may be exposed to a high temperature. Then, the metallized paste or the ferroelectric forming material may be dried, and the metallization or the ferroelectric for forming the capacitor may be integrally fixed and filled in the via holes provided in the insulating layer. Then, by using these metallized and ferroelectric materials, capacitors may be three-dimensionally provided vertically in the thickness direction of the insulating layers of the ceramic packages 1d and 1e.

【0048】また、強誘電体22を充填したヴィアホー
ル8、導体23を充填したヴィアホール8は、その断面
形状を、円形状でなく、四角形等の多角形状や、楕円形
状等に形成しても良い。
The via hole 8 filled with the ferroelectric substance 22 and the via hole 8 filled with the conductor 23 are formed not in a circular shape but in a polygonal shape such as a quadrangle or an elliptical shape. Is also good.

【0049】また、上述セラミックパッケージ1d、1
eにおいては、強誘電体22を充填したヴィアホール8
及び導体23を充填したヴィアホール8周囲のセラミッ
クからなる絶縁層部分を、キャパシタ24形成用の誘電
体の一部に用いて、キャパシタ24を形成していること
は、言うまでもない。
Further, the above-mentioned ceramic packages 1d, 1
In e, the via hole 8 filled with the ferroelectric substance 22
It goes without saying that the capacitor 24 is formed by using the insulating layer portion made of ceramic around the via hole 8 filled with the conductor 23 and a part of the dielectric for forming the capacitor 24.

【0050】また、本発明は、絶縁層上面又は絶縁層間
に回路パターンを形成してなる基板や、絶縁層上面に回
路パターンを形成してなる一層構造のパッケージ、基板
等の電子部品用基体にも、利用可能である。
The present invention is also directed to a substrate having a circuit pattern formed on the upper surface of the insulating layer or between the insulating layers, and a substrate for electronic components such as a package having a circuit pattern formed on the upper surface of the insulating layer and a substrate. Is also available.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子部品
用基体によれば、回路パターンが一般に形成されない回
路パターン直下の絶縁層部分を有効利用して、その絶縁
層部分の厚さ方向に、キャパシタ形成用の導体を充填し
たヴィアホールを、回路パターンに邪魔されずに、縦長
に立体的に容易かつ自在に備えることができる。
As described above, according to the substrate for electronic parts of the present invention, the insulating layer portion directly below the circuit pattern in which the circuit pattern is not generally formed is effectively used, and the insulating layer portion is formed in the thickness direction. The via hole filled with the conductor for forming the capacitor can be provided vertically and three-dimensionally easily and freely without being disturbed by the circuit pattern.

【0052】また、キャパシタ形成用の導体を充填した
ヴィアホールが、回路パターンを形成するのに好適な絶
縁層上面又は絶縁層間であって、回路パターンが形成さ
れた箇所以外の絶縁層上面又は絶縁層間の横方向に沿っ
て、層状に広い面積を平面的に占有するのを防ぐことが
できる。そして、その回路パターンが形成された箇所以
外の絶縁層上面又は絶縁層間の横方向に沿って、他の回
路パターンを、キャパシタ形成用の導体を充填したヴィ
アホールに邪魔されずに、高密度に自在に形成できる。
そして、電子部品用基体の高集積化が図れる。
Also, the via hole filled with a conductor for forming a capacitor may be provided between the upper surface of the insulating layer or the insulating layer suitable for forming a circuit pattern, and the upper surface or the insulating layer other than the portion where the circuit pattern is formed. It is possible to prevent a large area in a layer form from being occupied in a plane along the horizontal direction between the layers. Then, along the upper surface of the insulating layer other than where the circuit pattern is formed or along the horizontal direction between the insulating layers, another circuit pattern is formed at a high density without being disturbed by the via hole filled with the conductor for forming the capacitor. It can be formed freely.
In addition, high integration of the electronic component substrate can be achieved.

【0053】また、キャパシタ形成用の強誘電体を充填
したヴィアホールが、回路パターンを形成するのに好適
な絶縁層上面又は絶縁層間の横方向に広い面積を平面的
に占有するのを防いで、その絶縁層上面又は絶縁層間に
回路パターンを、キャパシタ形成用の強誘電体を充填し
たヴィアホールに大きく邪魔されずに、高密度に自在に
形成できる。そして、電子部品用基体の高集積化が図れ
る。
Further, it is prevented that the via hole filled with the ferroelectric material for forming the capacitor planarly occupies a wide area in the lateral direction between the upper surface of the insulating layer or the insulating layer suitable for forming the circuit pattern. It is possible to freely form a circuit pattern on the upper surface of the insulating layer or between the insulating layers with a high density without being greatly disturbed by the via hole filled with the ferroelectric for forming the capacitor. In addition, high integration of the electronic component substrate can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のセラミックパッケージの一部正面断面
図である。
FIG. 1 is a partial front sectional view of a ceramic package of the present invention.

【図2】本発明のセラミックパッケージの一部平面断面
図である。
FIG. 2 is a partial plan sectional view of the ceramic package of the present invention.

【図3】本発明のセラミックパッケージの一部側面断面
図である。
FIG. 3 is a partial side sectional view of the ceramic package of the present invention.

【図4】図1のセラミックパッケージに備えたキャパシ
タの等価回路図である。
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a capacitor provided in the ceramic package of FIG. 1;

【図5】本発明のセラミックパッケージの一部正面断面
図である。
FIG. 5 is a partial front sectional view of the ceramic package of the present invention.

【図6】図5のセラミックパッケージに備えたキャパシ
タの等価回路図である。
FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of a capacitor provided in the ceramic package of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電子部品用基体 1d、1e セラミックパッケージ 4 キャビティ 5a、5b、5c グリーンシート 6 メタライズペースト線路、メタライズペースト層 7 メタライズペースト 8 ヴィアホール 9 メタライズ層 10 底板 11 ステージ 12 半導体素子 14 回路パターン 16 ワイヤ 17 キャップ 18 リード 20 強誘電体形成材 22 強誘電体 23 導体 24 キャパシタ 1 Substrate for Electronic Component 1d, 1e Ceramic Package 4 Cavities 5a, 5b, 5c Green Sheet 6 Metallized Paste Line, Metallized Paste Layer 7 Metallized Paste 8 Via Hole 9 Metallized Layer 10 Bottom Plate 11 Stage 12 Semiconductor Element 14 Circuit Pattern 16 Wire 17 Cap 18 Lead 20 Ferroelectric Material 22 Ferroelectric 23 Conductor 24 Capacitor

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁層上面又は絶縁層間に2本以上の回
路パターンを所定間隔あけて配列してなるパッケージ、
基板等の電子部品用基体において、前記所定間隔あけて
配列された各回路パターン直下の絶縁層部分に上下に設
けたヴィアホールに導体をそれぞれ充填すると共に、そ
れらの導体を充填したヴィアホール間に位置する絶縁層
部分であって、前記回路パターン間に位置する絶縁層部
分に上下に設けたヴィアホールに強誘電体を充填して、
それらの強誘電体及び導体を用いて、前記絶縁層の厚さ
方向にキャパシタを立体的に備えたことを特徴とする電
子部品用基体。
1. A package in which two or more circuit patterns are arranged at a predetermined interval on the upper surface of the insulating layer or between the insulating layers,
In a substrate for electronic parts such as a substrate, conductors are respectively filled in via holes provided above and below in an insulating layer portion immediately below each circuit pattern arranged at a predetermined interval, and between the via holes filled with those conductors. Insulating layer portions that are located, filling the via holes provided above and below the insulating layer portions that are located between the circuit patterns with a ferroelectric,
A substrate for electronic parts, characterized in that a capacitor is three-dimensionally provided in the thickness direction of the insulating layer by using these ferroelectrics and conductors.
【請求項2】 2本以上の回路パターンが、所定間隔あ
けて横に並べて配列された請求項1記載の電子部品用基
体。
2. The substrate for electronic parts according to claim 1, wherein two or more circuit patterns are arranged side by side at a predetermined interval.
【請求項3】 2本以上の回路パターンが、所定間隔あ
けて縦に並べて配列された請求項1記載の電子部品用基
体。
3. The substrate for electronic parts according to claim 1, wherein two or more circuit patterns are vertically arranged at a predetermined interval.
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