JPH09218165A - Pattern inspection device - Google Patents
Pattern inspection deviceInfo
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- JPH09218165A JPH09218165A JP2675696A JP2675696A JPH09218165A JP H09218165 A JPH09218165 A JP H09218165A JP 2675696 A JP2675696 A JP 2675696A JP 2675696 A JP2675696 A JP 2675696A JP H09218165 A JPH09218165 A JP H09218165A
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスク、フ
ォトマスクブランク等を検査の対象とするパターン検査
装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern inspection apparatus for inspecting a photomask, a photomask blank or the like.
【０００２】[0002]
【発明が解決しようとする課題】従来、パターン欠陥検
査としては、２つ以上の画像を比較する方法、データベ
ースと画像を比較する方法等を使用していた。２つ以上
の画像を比較する方法においては、例えば、フォトマス
クにおいて１枚のフォトマスク上には同一パターンが２
個以上存在しており、これらの画像を比較する。データ
ベースと画像を比較する場合、上記と同様、検査の対象
となるものがフォトマスクの場合は、フォトマスクの画
像データをデータベースといい、一方画像はフォトマス
クの画像である。また、異物検査としては、レーザー光
の散乱光を検出する方法や透過光と反射光を比較する方
法等を用いていた。Conventionally, as a pattern defect inspection, a method of comparing two or more images, a method of comparing an image with a database, etc. have been used. In the method of comparing two or more images, for example, in a photomask, two identical patterns are formed on one photomask.
There are more than one, and these images are compared. When comparing an image with a database, if the object to be inspected is a photomask, the image data of the photomask is referred to as a database, while the image is an image of the photomask, as described above. Further, as the foreign matter inspection, a method of detecting scattered light of laser light, a method of comparing transmitted light and reflected light, and the like have been used.
【０００３】フォトマスク、フォトマスクブランク等を
試料として検査する場合、高さが異常なパターン、異物
が検出できるのが望ましい。なお、パターンは、例えば
フォトマスクの場合は遮光パターン、位相シフトパター
ン等である。パターン欠陥は、例えば、遮光パターンの
場合はエッチング不良及び成膜不良によるハーフトーン
欠陥、位相シフトパターンの場合はエッチング不足によ
ってエッチング深さが不足した部分であり、高さが異常
なパターンは上記のことを示す。異物とは具体的には正
常なパターンまたは基板等の上に付着しているパターン
以外の全てのものを示す。When inspecting a photomask, a photomask blank, or the like as a sample, it is desirable that a pattern having an abnormal height and a foreign substance can be detected. The pattern is, for example, a light-shielding pattern or a phase shift pattern in the case of a photomask. The pattern defect is, for example, a halftone defect due to etching failure and film formation failure in the case of a light-shielding pattern, and a portion in which the etching depth is insufficient due to insufficient etching in the case of a phase shift pattern. Indicates that. The foreign matter specifically means all things other than a normal pattern or a pattern attached on a substrate or the like.
【０００４】従来の透過光または反射光の強度分布から
判定する方法では、位相シフトパターン等のエッジレス
欠陥の検出は不可能であった。ここに、エッジレス欠陥
とは、断面形状において高さの変化が緩やかで正常部分
との境界が明確でない欠陥であり、透過光及び反射光で
観察した場合に正常なパターンとの差異がない欠陥のこ
とをいい、段差が急峻な場合は欠陥領域の境界部分が観
察できたため特にこのような位相シフタ欠陥をエッジレ
ス欠陥と称する。また、透明な異物を適切に検出できる
と、例えばガラス基板上の透明異物の欠陥検出に良好に
応じられるが、透過光や反射光の強度分布からでは、か
かる異物の高感度の検出に対応しにくい。また、データ
ベースと比較する方法では画像処理装置や撮像素子等の
ほか、上記のようなフォトマスクの画像データ（データ
ベース）が要求され（図７）、更にまた、２つの画像を
比較するとき、ステージ位置のずれがあると、画像が互
いにずれて欠陥として判定されることから、ステージ精
度は重要で、ステージの位置精度は欠陥検出感度以上の
精度が要求される。The conventional method of judging from the intensity distribution of transmitted light or reflected light cannot detect edgeless defects such as phase shift patterns. Here, the edgeless defect is a defect in which the height change is gentle in the cross-sectional shape and the boundary with the normal portion is not clear, and there is no difference between the defect and the normal pattern when observed with transmitted light and reflected light. When the step is steep, the boundary portion of the defect region can be observed, and thus such a phase shifter defect is called an edgeless defect. Further, if a transparent foreign substance can be appropriately detected, for example, it is possible to favorably detect a defect of a transparent foreign substance on a glass substrate, but from the intensity distribution of transmitted light or reflected light, it is possible to detect such a foreign substance with high sensitivity. Hateful. Further, in the method of comparing with the database, the image data (database) of the photomask as described above is required in addition to the image processing device and the image pickup device (FIG. 7). If there is a positional shift, the images will be shifted from each other and determined as a defect. Therefore, the stage accuracy is important, and the position accuracy of the stage is required to be higher than the defect detection sensitivity.
【０００５】本発明は、フォトマスク、フォトマスクブ
ランク等を検査の対象とし、欠陥検査に使用でき、表面
の高さが、正常なパターンや基板部分等とは異なる部分
を検出し、異物またはパターン欠陥と判定する検査方式
を提供しようというものである。また、位相シフトパタ
ーン等のエッジレス欠陥の検出、透明異物の高感度な検
出が可能で、また、ステージの位置精度が検査感度に影
響しにくく、更にはまた、検出手段にマッハツエンダー
型のシヤリング干渉系を用いて、照明系の干渉性を高く
することができ、また干渉条件を保ったままでシヤリン
グ量を連続可変できる、等々の特徴を有するパターン検
査装置を提供しようというものである。The present invention targets a photomask, a photomask blank or the like for inspection, can be used for defect inspection, and detects a portion whose surface height is different from a normal pattern or a substrate portion to detect a foreign substance or a pattern. It is intended to provide an inspection method for determining a defect. In addition, it is possible to detect edgeless defects such as phase shift patterns and highly sensitive detection of transparent foreign matter, and the position accuracy of the stage hardly affects the inspection sensitivity. Furthermore, the detection means is a Mach-Zehnder type shearing. It is an object of the present invention to provide a pattern inspection apparatus having features such that the coherence of an illumination system can be enhanced by using an interference system, and the shearing amount can be continuously changed while maintaining the interference condition.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、表面の高さ
が、正常なパターンや基板部分等とは異なる部分の検出
の手段としてシヤリング干渉系を用い、上記検出の方式
として、正常部分の干渉光強度のヒストグラムにおいて
ピークを正常部分と判断し、上記検出された正常部分の
干渉光強度とは、異なる干渉光強度の部分を異物または
パターン欠陥と判定する、ことを特徴とするものであ
る。According to the present invention, a shearing interferometer is used as a means for detecting a portion where the surface height is different from a normal pattern, a substrate portion, or the like. It is characterized in that the peak in the histogram of the interference light intensity is determined to be a normal portion, and the detected interference light intensity of the normal portion is a portion having a different interference light intensity to be a foreign matter or a pattern defect. .
【０００７】本発明装置は、高さが異常なパターンを検
出する目的で使用できる。また、異物を検出する目的で
使用できる。高さが異常なパターンと異物はいずれも検
出する必要がある。実際には検出が必要な正常でない部
分が全て検出される。本発明においては、表面の高さ
が、正常なパターンや基板部分等とは異なる部分を検出
する。上記検出の手段としてシヤリング干渉系を用い
る。また、上記シヤリング干渉系においてマッハツエン
ダー型のシヤリング干渉系を用い撮像素子と共役な部分
に光源を配置することができる。上記検出の方法として
まず正常部分の干渉光強度のヒストグラムにおいて、ピ
ークを正常部分と判断する。上記検出された正常部分の
干渉光強度とは異なる干渉光強度の部分を異物またはパ
ターン欠陥と判定する。The device of the present invention can be used for the purpose of detecting a pattern having an abnormal height. It can also be used for the purpose of detecting foreign matter. It is necessary to detect both a pattern with an abnormal height and foreign matter. In reality, all the abnormal parts that need to be detected are detected. In the present invention, a portion whose surface height is different from a normal pattern or a substrate portion is detected. A shearing interference system is used as a means for the above detection. Further, in the shearing interference system, a Mach-Zehnder type shearing interference system can be used to arrange the light source in a portion conjugate with the image sensor. As the detection method, first, in the histogram of the interference light intensity of the normal portion, the peak is determined to be the normal portion. A portion having an interference light intensity different from the detected interference light intensity of the normal portion is determined as a foreign substance or a pattern defect.
【０００８】[0008]
【発明の効果】本発明によれば、従来の透過光及び反射
光では検出することができなかった位相シフトパターン
等のエッジレス欠陥を検出することができる。エッジレ
ス欠陥は、断面形状において高さの変化が緩やかで正常
部分との境界が明確でなく、透過光及び反射光で観察し
た場合に正常なパターンとの差異がなく、透過光または
反射光の強度分布から判定することができなかったが、
このようなエッジレス欠陥が検出される。また、シング
ルチップレティクルにおいても、データベースと比較す
ることなしに位相シフタパターン欠陥を検出することが
できる。ここに、シングルチップレティクルとは１枚の
レティクル上に１個分の半導体デバイスのパターンが存
在するレティクルのことをいい、位相シフタパターン欠
陥とは位相シフタパターンの欠陥のことであり、位相シ
フトパターンの高さが異常なことである。また、マッハ
ツエンダー型のシヤリング干渉系において撮像素子と共
役な部分に光源を配置すると、このようにすることによ
り、照明光の空間的な可干渉性を高くすることができ、
また、干渉条件を保ったままでシヤリング量を連続可変
できる。照明系の干渉条件を保ったままシヤリング量を
連続可変できるためそれぞれのレティクルのパターンに
応じて最適なシヤリング量を与える場合、調整要素が１
箇所で済み、なおかつ任意のシヤリング量とすることが
できる。これは本技術に特有な利点である。また、透明
異物を高感度に検出することができる。透明異物を高感
度に検出することができるのは透過光または反射光の強
度分布から判定するのではなく、本発明においては、試
料上の２点から反射光の干渉光強度分布の判定をするよ
うにしている。そのため、観察部分の高さ情報に基づい
てパターンの正常、異常を判定しており、本発明装置の
中に干渉系を使用しているため可能となるものである。
また、チップ比較方式及びデータベース比較方式の欠陥
検査装置と比較してステージの位置精度が検査感度に影
響しにくい。このようにステージの位置精度が検査感度
に影響しにくいのは本発明の検査アルゴリズムからきて
いる。従来の検査装置は２つの画像を比較するため、こ
れらの相対位置がずれている場合は欠陥として判定され
る。この場合ステージ位置がずれている場合に２個の画
像は互いにずれてしまうので、ステージ位置精度は欠陥
検出感度以上の精度が必要となる。これに対して本検出
アルゴリズムでは２個の画像を比較するのではなく、１
つの画像の中の干渉光強度分布において中間調の部分を
欠陥として判定するためステージ精度はそれほど重要で
はない。これは、本技術に特有のものである。また、検
出アルゴリズムがシンプルであるため高速検査が可能で
ある。According to the present invention, it is possible to detect an edgeless defect such as a phase shift pattern which cannot be detected by the conventional transmitted light and reflected light. The edgeless defect has a gradual height change in the cross-sectional shape, the boundary with the normal part is not clear, there is no difference from the normal pattern when observed with transmitted light and reflected light, and the intensity of transmitted light or reflected light I could not judge from the distribution,
Such edgeless defects are detected. Further, even in the single-chip reticle, the phase shifter pattern defect can be detected without comparing with the database. Here, the single-chip reticle means a reticle in which one semiconductor device pattern exists on one reticle, and the phase shifter pattern defect is a defect of the phase shifter pattern and the phase shift pattern. The height of is abnormal. Further, by arranging the light source in the portion conjugate with the image sensor in the Mach-Zehnder type shearing interference system, by doing so, the spatial coherence of the illumination light can be increased,
Further, the shearing amount can be continuously changed while maintaining the interference condition. Since the shearing amount can be continuously changed while maintaining the interference condition of the illumination system, the adjustment factor is 1 when giving the optimum shearing amount according to the pattern of each reticle.
The amount of shearing can be set in place and the amount of shearing can be set arbitrarily. This is a unique advantage of this technology. Further, transparent foreign matter can be detected with high sensitivity. It is not determined from the intensity distribution of transmitted light or reflected light that transparent foreign matter can be detected with high sensitivity, but in the present invention, the interference light intensity distribution of reflected light is determined from two points on the sample. I am trying. Therefore, the normality / abnormality of the pattern is determined based on the height information of the observed portion, which is possible because the interference system is used in the device of the present invention.
Further, the position accuracy of the stage is less likely to affect the inspection sensitivity as compared with the defect inspection apparatus of the chip comparison type and the database comparison type. As described above, the fact that the position accuracy of the stage hardly affects the inspection sensitivity comes from the inspection algorithm of the present invention. Since the conventional inspection apparatus compares two images, if the relative positions of these images are deviated, it is determined as a defect. In this case, when the stage position is deviated, the two images are deviated from each other, so that the stage position accuracy needs to be higher than the defect detection sensitivity. On the other hand, this detection algorithm does not compare two images
The stage accuracy is not so important because the halftone portion in the interference light intensity distribution in one image is determined as a defect. This is unique to this technology. Moreover, since the detection algorithm is simple, high-speed inspection is possible.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施例を示す。図
中、１０は検査の対象となるフォトマスク等の試料、２
０はイメージディテクタを示し、該イメージディテクタ
は画像処理装置３０に接続される。なお、図示のよう
に、該画像処理装置３０に対して、従来のデータベース
は用いない。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. In the figure, 10 is a sample such as a photomask to be inspected, 2
Reference numeral 0 denotes an image detector, which is connected to the image processing device 30. As shown in the figure, a conventional database is not used for the image processing device 30.
【００１０】本実施例装置では、基板にパターンが形成
されている被検査対象試料の検査において、表面の高さ
が、正常なパターンや基板部分等とは異なる部分を検出
するものであり、その検出の手段としてマッハツエンダ
ー型のシヤリング干渉系４０を用い、かつ該干渉系にお
いて撮像素子と共役な部分に光源５０を配置する構成と
する。In the apparatus of this embodiment, in the inspection of the sample to be inspected in which the pattern is formed on the substrate, a portion whose surface height is different from the normal pattern or the substrate portion is detected. A Mach-Zehnder type shearing interference system 40 is used as a detecting means, and the light source 50 is arranged in a portion of the interference system which is conjugate with the image pickup device.
【００１１】図示のように、本干渉系４０の干渉光路部
は、基本的に、光束を分割する分割素子６１、分割され
た光束を結合するための結合素子６２、及びそれらの間
にあってそれぞれ分割光路を形成し、光束を結合素子６
２へ導くよう偏向する光束偏向素子６３，６４を含む干
渉光学系を有する。ここでは、これらの素子は、２つの
ビームスプリッタＢＳ１，ＢＳ２と２つの全反射ミラー
Ｍ１，Ｍ２として示されている。As shown in the figure, the interference optical path portion of the present interference system 40 is basically divided by a splitting element 61 for splitting a light flux, a coupling element 62 for coupling the split light flux, and a splitting element between them. An optical path is formed, and the light flux is coupled by the coupling element 6
It has an interference optical system including light beam deflecting elements 63 and 64 for deflecting so as to guide the light beam to the optical path 2. These elements are shown here as two beam splitters BS1, BS2 and two total reflection mirrors M1, M2.
【００１２】第１のビームスプリッタＢＳ１は光束分割
光学系を、第２のビームスプリッタＢＳ２は光束重合せ
光学系を、第１の反射ミラーＭ１と第２の反射ミラーＭ
２は分割光路の光学系を、それぞれ構成する。なお、第
２のビームスプリッタＢＳ２は、図の如く、チューブレ
ンズ７１を介して配置したイメージディテクタ２０と対
向するとともに、更にコリメータレンズ７２と対向さ
せ、これを通し、上述の共役な位置に配した光源５０か
らの照明を導入する。また、装置の他の光学系要素とし
て、レンズ７５（対物レンズ）、レンズ７６及びレンズ
７７を図示の如くに第１のビームスプリッタＢＳ１と対
象試料１０との間に配置する。The first beam splitter BS1 is a light beam splitting optical system, the second beam splitter BS2 is a light beam superimposing optical system, and a first reflecting mirror M1 and a second reflecting mirror M are provided.
Reference numerals 2 respectively form the optical systems of the split optical paths. The second beam splitter BS2 faces the image detector 20 arranged via the tube lens 71 as shown in the drawing, and further faces the collimator lens 72, passes through this, and is arranged at the above-mentioned conjugate position. Illumination from a light source 50 is introduced. Further, as other optical system elements of the apparatus, a lens 75 (objective lens), a lens 76 and a lens 77 are arranged between the first beam splitter BS1 and the target sample 10 as shown in the figure.
【００１３】本実施例では、これら光学素子を備え、か
つ上記光源５０による照明系の干渉性を高めた状態の
下、検査の対象となる試料表面部分からの反射光による
干渉像を得る。試料１０からの反射光は、レンズ７５〜
７７を通して、上記構成の干渉計の干渉光路部に導入さ
れる。In the present embodiment, an interference image due to the reflected light from the sample surface portion to be inspected is obtained under the condition that these optical elements are provided and the coherence of the illumination system by the light source 50 is enhanced. The reflected light from the sample 10 is the lens 75-
Through 77, it is introduced into the interference optical path section of the interferometer having the above configuration.
【００１４】入射したその反射光は、第１のビームスプ
リッタＢＳ１により２光束に分割される。該ビームスプ
リッタＢＳ１で反射された一方の光束（第１の光束）
は、ビームスプリッタＢＳ１及び第１の反射ミラーＭ１
間の光路を経て該反射ミラーＭ１で反射され、反射ミラ
ーＭ１及び第２のビームスプリッタＢＳ２間の光路によ
り該第２のビームスプリッタＢＳ２を透過して干渉光路
部を出射し、チューブレンズ７１を通して、観察／検出
系を構成するイメージディテクタ２０に至る。The incident reflected light is split into two light beams by the first beam splitter BS1. One light beam (first light beam) reflected by the beam splitter BS1
Is the beam splitter BS1 and the first reflecting mirror M1.
Is reflected by the reflection mirror M1 through an optical path between them, passes through the second beam splitter BS2 by the optical path between the reflection mirror M1 and the second beam splitter BS2, and exits the interference optical path portion, and passes through the tube lens 71, The image detector 20 constituting the observation / detection system is reached.
【００１５】他方、第１のビームスプリッタＢＳ１を透
過したもう一方の光束（第２の光束）は、該ビームスプ
リッタＢＳ１及び第２の反射ミラーＭ２間の光路を経て
該反射ミラーＭ２で反射され、反射ミラーＭ２及び第２
のビームスプリッタＢＳ２間の光路により該第２のビー
ムスプリッタＢＳ２で反射されて干渉光路部を出射し、
チューブレンズ７１を通してイメージディテクタ２０に
至る。これら光路間の光路差は、理想はλ／２（λ：波
長）である。On the other hand, the other light flux (second light flux) that has passed through the first beam splitter BS1 is reflected by the reflection mirror M2 via the optical path between the beam splitter BS1 and the second reflection mirror M2. Reflecting mirror M2 and second
Is reflected by the second beam splitter BS2 due to the optical path between the beam splitters BS2, and exits the interference optical path portion,
It reaches the image detector 20 through the tube lens 71. The optical path difference between these optical paths is ideally λ / 2 (λ: wavelength).
【００１６】また、本実施例装置光学系では、試料１０
からの反射光の一方の光束が通る第１のビームスプリッ
タＢＳ１→第１の反射ミラーＭ１→第２のビームスプリ
ッタＢＳ２の光路と他方の光束が通る第１のビームスプ
リッタＢＳ１→第２の反射ミラーＭ２→第２のビームス
プリッタＢＳ２の光路との２光路が形成されるが、図示
の如く、このような光路中に調整用の光学部品Ｈを介
挿、配置し、これにより調整を行わせる構成とすること
ができる。Further, in the optical system of this embodiment, the sample 10
From the first beam splitter BS1 → first reflecting mirror M1 → second beam splitter BS2 and the other beam passing the first beam splitter BS1 → second reflecting mirror Two optical paths, that is, the optical path of M2 → the second beam splitter BS2 are formed, but as shown in the figure, an optical component H for adjustment is inserted and arranged in such an optical path to perform the adjustment. Can be
【００１７】なお、従来、マッハツエンダー型の干渉計
にあっては、４つのミラーの角度をそれぞれ独立して調
整する機構が用いられ、その分、製作、調整等の上で不
利、不便がある。本実施例では、２つのビームスプリッ
タＢＳ１，ＢＳ２及び２つの反射ミラーＭ１，Ｍ２の４
つの要素は機械的に固定したままとしてよく、必要な調
整は、図示の如くに光路に配した調整用の光学部品Ｈに
よって行うものとすることができる。Conventionally, in the Mach-Zehnder type interferometer, a mechanism for independently adjusting the angles of the four mirrors is used, which is disadvantageous and inconvenient in manufacturing and adjustment. is there. In this embodiment, two beam splitters BS1 and BS2 and two reflecting mirrors M1 and M2 are provided.
The two elements may remain mechanically fixed and the necessary adjustments may be made by adjusting optics H located in the optical path as shown.
【００１８】ここでは、光路長差調整用の光学部品（コ
ンペンセータ）には、光学くさびを適用するものとし、
図に示すように、一方の面を斜面としたガラスからなる
光学くさびＨ１，Ｈ２を用い、これらを例えば図の如く
に互いの斜面同志を対向させた状態に組み合わせたもの
を使用する。Here, an optical wedge is applied to the optical component (compensator) for adjusting the optical path length difference,
As shown in the drawing, optical wedges H1 and H2 made of glass with one surface being an inclined surface are used, and a combination of these is used as shown in the drawing in which the respective inclined surfaces are opposed to each other.
【００１９】そして、例えば、反射ミラーＭ２とビーム
スプリッタＢＳ２間の光路中にこれを介挿して光路長の
調整の用に供する。光学くさびＨ１，Ｈ２のスライド
（図中直線矢印）により、入出射側の光軸の平行を維持
しつつくさび部分の厚みの変化に応じて光路長が調整さ
れる。なお、光路長を調整する手段あるいは素子として
は、これに限らず、例えば印加電圧に応じ屈折率を制御
する電気光学素子その他を用いることもできる。Then, for example, it is inserted in the optical path between the reflecting mirror M2 and the beam splitter BS2 for adjustment of the optical path length. By sliding the optical wedges H1 and H2 (straight arrows in the figure), the optical path length is adjusted according to the change in the thickness of the wedge portion while keeping the optical axes on the entrance and exit sides parallel. The means or element for adjusting the optical path length is not limited to this, and for example, an electro-optical element or the like for controlling the refractive index according to the applied voltage may be used.
【００２０】また、ここでは、もう一方のビームスプリ
ッタＢＳ１と反射ミラーＭ１間の光路中に、図に示すよ
うな向きの配置で、一面に斜面を有する同様形態の光学
くさびＨ１′，Ｈ２′を介挿し、２光束間の波面角度の
調整を行う。図に回転矢印で示すように、光軸周りに光
学くさびＨ１′，Ｈ２′の回転角度を調整する。このと
き、両者は互いに反対の向きで同量回転させる。例え
ば、一方の光学くさびＨ１′を或る向きの回転方向で回
転させるとき、他方の光学くさびＨ２′はそれとは逆の
回転方向で反対向きに回転させるようにするものであ
り、これにより波面角度が調整される。Further, here, in the optical path between the other beam splitter BS1 and the reflecting mirror M1, optical wedges H1 'and H2' of the same shape having a slope on one surface are arranged with the orientation as shown in the figure. It is inserted and the wavefront angle between the two light beams is adjusted. As shown by the rotation arrows in the figure, the rotation angles of the optical wedges H1 'and H2' are adjusted around the optical axis. At this time, both are rotated by the same amount in opposite directions. For example, when one optical wedge H1 'is rotated in one direction of rotation, the other optical wedge H2' is rotated in the opposite direction of rotation and in the opposite direction, whereby the wave front angle is changed. Is adjusted.
【００２１】上記構成では、波面調整を含んで全て調整
を光学くさびによって行うため機械的な動きに対して鈍
感であり、微妙な調整箇所が存在しない。従って、この
点でも調整が容易であり、製作及び調整が容易で機械的
な振動に対して安定なマッハツエンダー型のシヤリング
干渉系を用いたパターン検査装置が実現される。In the above structure, since all the adjustments including the wavefront adjustment are performed by the optical wedge, they are insensitive to mechanical movements and there are no subtle adjustment points. Therefore, also in this respect, the pattern inspection apparatus using the Mach-Zehnder type shearing interference system, which is easy to adjust, is easy to manufacture and adjust, and is stable against mechanical vibration is realized.
【００２２】試料１０からの反射光に基づき上記干渉光
路部を経て光束が入射するイメージディテクタ２０は、
そのビームスプリッタＢＳ１により分離された光束が別
々の光路を経てビームスプリッタＢＳ２で重ね合わされ
ることによって生ずる干渉像を検出し、該画像を光電変
換して出力する。ここで画像処理装置５０に取り込まれ
る画像データは、干渉像の干渉光強度情報であり、これ
が検査試料１０の異物またはパターン欠陥の検出、判定
のための処理に供される。この場合、画像処理装置５０
は、データベースと比較することなく、上記マッハツエ
ンダー型のシヤリング干渉系により得られる１つの干渉
像画像のその干渉光強度分布（例えば図２（ａ），
（ｂ））に基づいてかかる検出、判定を行うことができ
る。The image detector 20 on which the light beam is incident on the reflected light from the sample 10 through the interference optical path portion is
An interference image generated by the light beams separated by the beam splitter BS1 passing through different optical paths and superposed by the beam splitter BS2 is detected, and the image is photoelectrically converted and output. Here, the image data captured by the image processing device 50 is the interference light intensity information of the interference image, and this is used for the processing for detecting and determining the foreign matter or the pattern defect of the inspection sample 10. In this case, the image processing device 50
Is a coherent light intensity distribution of one coherent image image obtained by the Mach-Zehnder type shearing interferometer without comparing with a database (for example, FIG. 2A,
Such detection and determination can be performed based on (b)).
【００２３】図２に、差分干渉法を用いた透明異物検査
の例が示される。本検査例は、図３（ｅ）の断面形状に
示すような透明異物が存する試料１０の欠陥部位を対象
とした場合の例である。なお、同図中、１１はガラスに
よる透明な基板部分（ＱＺ）、１２は表面が酸化された
クロムによるパターン部分（Ｃｒ）であり、１３が検出
すべき透明異物の一例である。FIG. 2 shows an example of transparent foreign matter inspection using the differential interference method. This inspection example is an example in the case of targeting a defective portion of the sample 10 in which a transparent foreign substance exists as shown in the cross-sectional shape of FIG. In the figure, 11 is a transparent substrate portion (QZ) made of glass, 12 is a pattern portion (Cr) made of chromium whose surface is oxidized, and 13 is an example of a transparent foreign matter to be detected.
【００２４】図３（ａ）〜（ｄ）は、透明異物１３が存
在する試料１０の観察部分を対象とした場合における透
過光像（従来の例１）や反射光像（従来の例２）による
ときの様子を本例との対比のため示してあり、かかる場
合、それぞれ（ａ），（ｂ）や（ｃ），（ｄ）のような
光学像、光学プロファイルとなる。FIGS. 3A to 3D show transmitted light images (conventional example 1) and reflected light images (conventional example 2) in the case where the observation portion of the sample 10 in which the transparent foreign matter 13 is present is targeted. Is shown for comparison with this example. In such a case, the optical image and the optical profile are as shown in (a), (b), (c), and (d), respectively.
【００２５】これに対して、本例の場合は、それら光学
像、光学プロファイルと異なり、イメージディテクタ２
０の画像は図２（イ）に示すような差分干渉反射光像と
なる。同図（ロ）には、かかる差分干渉反射光像におけ
る異物相当部分を含んで、図中左右方向に横切るライン
ｌｎに沿う干渉光強度の変化の様子が示され、また、同
図（ハ）ＡからＦは、その干渉光強度分布を示す情報を
基に画像処理装置５０において信号処理をし最終的に欠
陥（デフェクト（Ｄｅｆｅｃｔ））を示す検出信号（図
Ｆ）を取り出す方式の一例の過程を示してある。On the other hand, in the case of this example, unlike the optical image and the optical profile, the image detector 2
The image of 0 is a differential interference reflection light image as shown in FIG. The figure (b) shows a state of change of the interference light intensity along a line ln which crosses in the left-right direction in the figure, including the part corresponding to the foreign matter in the differential interference reflection light image, and also the figure (c). A to F are processes of an example of a method of performing signal processing in the image processing device 50 based on the information indicating the interference light intensity distribution and finally extracting a detection signal (FIG. F) indicating a defect (Defect). Is shown.
【００２６】図Ａは、干渉光強度情報に基づいて図
（ロ）に示したような所定のハイシュレスホールドレベ
ル（Ｈ＝８０）と比較して得られる信号、図Ｂはその信
号を２ビットディレイさせた信号、及び図Ｃはそれら信
号のオア（ＡＯＲＢ）による信号（オーバーサイズドＨ
（Ｏｖｅｒｓｉｚｅｄ Ｈ））、図Ｄは、干渉光強度情
報に基づいて図（ロ）に示したような所定のローシュレ
スホールドレベル（Ｌ＝２０）と比較して得られる信
号、図ＥはＤ信号の１ビットディレイさせた信号、図Ｆ
は、信号Ｅ−信号Ｃとして得られる検出信号である。FIG. A is a signal obtained by comparing with a predetermined high Schlethhold level (H = 80) as shown in FIG. 2B based on the interference light intensity information, and FIG. Bit-delayed signals, and FIG. C are signals (oversized H) due to the OR of those signals.
(Oversized H)), FIG. D is a signal obtained by comparison with a predetermined Rocheless hold level (L = 20) as shown in FIG. (B) based on the interference light intensity information, and FIG. E is a D signal. 1-bit delayed signal, Figure F
Is a detection signal obtained as a signal E-signal C.
【００２７】図１の構成において、画像処理装置５０
は、ここでは、上記のような処理を行う比較回路、ディ
レイ回路、オア回路、減算回路等の手段を備える構成の
ものとすることができる。この場合、図１のイメージデ
ィテクタ２０から干渉像の画像情報を取り込む画像処理
装置５０は、図Ａに示す信号を干渉光強度信号から得る
とともに、そのＡの信号を２ビットディレイさせたＢ信
号を得る。また、Ａ信号とＢ信号のオアをとって図に示
すようなＣ信号を形成する。他方、干渉光強度信号から
図Ｄに示す信号を得るとともに、そのＤの信号を１ビッ
トディレイさせたＥ信号を得る。そして、こうして得ら
れるＥ信号からＣ信号を引く。すると、図Ｆに示す如
く、図３（ｅ）のような透明異物１３がある場合は図示
のような検出出力が取り出され（無欠陥部分の場合は、
図示のような出力はない）、透明異物検査を行うことが
できる。In the configuration of FIG. 1, the image processing device 50
Here, it can be configured to include means such as a comparison circuit, a delay circuit, an OR circuit, and a subtraction circuit for performing the above-described processing. In this case, the image processing device 50 that takes in the image information of the interference image from the image detector 20 of FIG. 1 obtains the signal shown in FIG. A from the interference light intensity signal, and at the same time, outputs the B signal obtained by delaying the A signal by 2 bits. obtain. Further, the OR of the A signal and the B signal is taken to form the C signal as shown in the figure. On the other hand, the signal shown in FIG. D is obtained from the interference light intensity signal, and the E signal obtained by delaying the D signal by 1 bit is obtained. Then, the C signal is subtracted from the E signal thus obtained. Then, as shown in FIG. F, when there is the transparent foreign matter 13 as shown in FIG. 3E, the detection output as shown is taken out (in the case of no defect portion,
(There is no output as shown in the figure), transparent foreign material inspection can be performed.
【００２８】また、本検査装置により、透明異物が高感
度に検出される。透明異物を高感度に検出することがで
きるのは、透過光または反射光の強度分布から測定する
のではなく、試料１０上の２点からの反射光の干渉光強
度分布を判定している。そのため、観察部分の高さ情報
に基づいてパターンの正常・異常を判定しており、実施
例装置の中に干渉計を使用しているため可能となるもの
である。Further, the present inspection apparatus detects transparent foreign matter with high sensitivity. The transparent foreign matter can be detected with high sensitivity not by measuring the intensity distribution of transmitted light or reflected light, but by determining the interference light intensity distribution of reflected light from two points on the sample 10. Therefore, it is possible because the normality / abnormality of the pattern is determined based on the height information of the observed portion and the interferometer is used in the apparatus of the embodiment.
【００２９】また、チップ比較方式及びデータベース比
較方式の欠陥検査装置と比較して、ステージ位置精度は
検査感度に影響しにくいものとなる。従来の検査装置
は、２つの画像を比較するため、これらの相対位置がず
れている場合は、欠陥として判定される。この場合、ス
テージ位置がずれている場合に２個の画像は互いにずれ
てしまうので、ステージ位置精度は欠陥検出感度以上の
精度が必要となる。これに対して、本検出アルゴリズム
では、２個の画像を比較するのではなく、１つの画像の
中の干渉光強度分布において中間調の部分を欠陥として
判定するため、ステージ精度はそれほど重要ではない。
これは、本技術に特有のものである。Further, as compared with the defect inspection apparatus of the chip comparison system and the database comparison system, the stage position accuracy is less likely to affect the inspection sensitivity. Since the conventional inspection device compares two images, if the relative positions of these images are deviated, it is determined as a defect. In this case, when the stage position is deviated, the two images are deviated from each other, so that the stage position accuracy needs to be higher than the defect detection sensitivity. On the other hand, this detection algorithm does not compare two images but determines a halftone portion in the interference light intensity distribution in one image as a defect, so that the stage accuracy is not so important. .
This is unique to this technology.
【００３０】検出方法として、正常部分の干渉光強度の
ヒストグラムにおいて、ピークを正常部分と判断し、検
出された正常部分の干渉光強度とは異なる干渉光強度の
部分を欠陥と判定する本検出方法は、以下の如き用途等
にも適用し得て、同様の作用効果をもって欠陥検査が実
現できる。As the detection method, in the histogram of the interference light intensity of the normal portion, the peak is determined to be the normal portion, and the portion having the interference light intensity different from the detected interference light intensity of the normal portion is determined to be the defect. Can be applied to the following applications, etc., and the defect inspection can be realized with the same effect.
【００３１】図４は、レベンソン位相シフトマスクにお
ける位相シフタ欠陥部分の検出原理（アルゴリズム）を
示す。検査方式は既に述べたとおりであるので、以下で
は、要部を説明する。本検査例において、図４（イ）に
示すものは、前記図２（イ）に対応するものであるが、
ここでは、エッジレス欠陥部分が存する検査対象試料１
０の断面の形状をも併せて示す。このため、イメージデ
ィテクタ２０で得られる干渉像において、左側に見える
像の部分、右側に見える像の部分に関して図示のような
図式内容のもので表した。図中、断面形状において高さ
の変化が緩やかで正常部分との境界が明確でないエッジ
レス欠陥（１４）の一例が表されており、これは、やは
り、透過光及び反射光で観察した場合に正常なパターン
との差異がなく、従来の透過光または反射光の強度分布
から判定することができないものである。FIG. 4 shows the detection principle (algorithm) of the phase shifter defect portion in the Levenson phase shift mask. Since the inspection method is as described above, the main part will be described below. In this inspection example, the one shown in FIG. 4A corresponds to the above-mentioned FIG. 2A,
Here, the inspection target sample 1 in which the edgeless defect portion exists
The shape of the 0 cross section is also shown. Therefore, in the interference image obtained by the image detector 20, the part of the image seen on the left side and the part of the image seen on the right side are represented by the schematic contents as shown. In the figure, an example of an edgeless defect (14) in which the height change is gradual in the cross-sectional shape and the boundary with the normal part is not clear is shown, which is also normal when observed with transmitted light and reflected light. There is no difference from such a pattern and it cannot be determined from the conventional intensity distribution of transmitted light or reflected light.
【００３２】図４（ロ）は、図２（ロ）の干渉光強度変
化態様に対応するもので、本例における干渉光強度の変
化の様子を示し、また、図４（ハ）Ａ〜Ｆに示す各処理
の信号波形は、前記図２（ハ）Ａ〜Ｆにおける、それぞ
れの対応する各信号に相当している。従って、かかるエ
ッジレス欠陥でも、検出方法は、図４（ハ）Ａ〜Ｆに示
す如く、前記例と同様であり、図４（ロ）の干渉光強度
分布を示す情報を基に、図１の画像処理装置５０は、同
様の信号処理をし、図４（ハ）Ｆに示すように、試料１
０のレベンソン位相シフトマスクにエッジレス欠陥１４
（位相シフタ欠陥）がある場合、図示のように検出信号
を出力する。FIG. 4B corresponds to the change mode of the interference light intensity of FIG. 2B, and shows the change of the interference light intensity in this example, and FIGS. The signal waveforms of the respective processes shown in (1) correspond to the respective corresponding signals in FIGS. Therefore, even for such an edgeless defect, the detection method is the same as in the above example as shown in FIGS. 4C to 4F, and based on the information indicating the interference light intensity distribution of FIG. The image processing apparatus 50 performs similar signal processing, and as shown in FIG.
Edgeless defect 14 on Levenson phase shift mask of 0
If there is a (phase shifter defect), a detection signal is output as shown in the figure.
【００３３】上記検査例をもって示したように、本検査
装置によって、従来の透過光及び反射光では検出するこ
とができなかった位相シフトパターン等のエッジレス欠
陥を検出できることが分かる。As shown in the above inspection example, it can be seen that the present inspection apparatus can detect edgeless defects such as phase shift patterns, which could not be detected by the conventional transmitted light and reflected light.
【００３４】図５は、レベンソン及びクロムレス構造の
位相シフトマスクにおける反射光位相差を用いたシフタ
及び異物検査装置原理（干渉光強度）を示し、図６は、
数値例を挙げて示す例であって、レベンソン及びクロム
レス構造の位相シフトマスクにおける反射光位相差及び
位相差と反射率で決定される干渉光強度（λ＝２４８ｎ
ｍ）等の説明に供するものである。FIG. 5 shows the principle (interference light intensity) of the shifter and foreign matter inspection apparatus using the reflected light phase difference in the phase shift mask of Levenson and chromeless structure, and FIG.
In the example shown by numerical examples, the reflected light phase difference in the Levenson and chromeless structure phase shift mask and the interference light intensity (λ = 248n) determined by the phase difference and the reflectance are shown.
m) and the like.
【００３５】本例において、干渉光強度Ｉは、以下のよ
うである。In this example, the interference light intensity I is as follows.
【数１】Ｉ＝Ａ1 2＋Ａ2 2＋２Ａ1 Ａ2cosφ ・・・１## EQU1 ## I = A 1 2 + A 2 2 + 2A 1 A 2 cos φ ... 1
【数２】 φ＝２π［｛ (ＮＡ)2／４＋１｝２ｄ］／λ＋δ ・・・２ Ａ1 ：１の部分からの反射光の振幅 Ａ2 ：２の部分からの反射光の振幅 φ：１の部分と２の部分からの反射光の位相差 ｄ：１と２の部分の高さの差 ＮＡ：照明の開口数 δ：干渉計中の光路差 上記から、この場合、レベンソン及びクロムレス構造の
位相シフトマスクにおける反射光位相差により、欠陥、
判定に用いる干渉光強度Ｉが変化し、該位相差は式２に
よって与えられるものとなる。[Number 2] φ = 2π [{(NA) 2/4 + 1} 2d] / λ + δ ··· 2 A 1: 1 of the amplitude of the reflected light from the portion A 2: the amplitude of the reflected light from the second portion phi: Phase difference of reflected light from 1 and 2 parts d: Height difference between 1 and 2 parts NA: Numerical aperture of illumination δ: Optical path difference in interferometer From the above, in this case, Levenson and chromeless structure Due to the reflected light phase difference in the phase shift mask of
The interference light intensity I used for the determination changes, and the phase difference is given by the equation 2.
【００３６】図６は、実際に適用した試料１０や本検査
装置側のデータ等の具体的数値の一例を示してある。こ
こに、形成した表面が酸化されたＣｒパターン１２の膜
厚及びガラス段差等のデータは図の如く１２０ｎｍ、２
４３ｎｍとし、また、式１，２による干渉光強度Ｉは、
ここでは、位相差及び反射率で決定されるものである
が、その場合の試料側のＣｒパターンの反射率などや、
装置の照明の開口数ＮＡ等は、以下の設定とした。FIG. 6 shows an example of concrete numerical values of the sample 10 actually applied and data on the side of the present inspection apparatus. Here, the data such as the film thickness and the glass step of the formed Cr pattern 12 whose surface is oxidized is 120 nm as shown in FIG.
43 nm, and the interference light intensity I according to Equations 1 and 2 is
Here, although it is determined by the phase difference and the reflectance, the reflectance of the Cr pattern on the sample side in that case,
The numerical aperture NA of the illumination of the device is set as follows.
【００３７】[0037]
【数３】ＮＡ：照明の開口数（０．７） λ：測定光波長（５４６ｎｍ） ｄ：段差（マスク上の場所による） δ：干渉計内部の光路差（λ／２） Ａ1 ：表面が酸化されたＣｒパターンの反射率（１６
％）による反射光の振幅（８Ａ．Ｕ．） Ａ2 ：ガラス部の反射率（４％）による反射光の振幅
（４Ａ．Ｕ．）[Numerical formula 3] NA: Numerical aperture of illumination (0.7) λ: Measurement light wavelength (546 nm) d: Step difference (depending on location on mask) δ: Optical path difference inside interferometer (λ / 2) A 1 : Surface The reflectance of the Cr pattern (16
The amplitude of the reflected light by%) (8A.U.) A 2: the amplitude of the light reflected by the reflectance (4%) of the glass portion (4A.U.)
【００３８】上記条件の下、試料１０のＡ〜Ｅ各場所で
の「反射光の光路差」、「正常パターン部の干渉光強度
Ｉnor 」、「異常パターン部の干渉光強度Ｉabn 」（異
常部の反射率は正常パターンの反射率と同一とする）の
各項目について、次表の結果を得た。Under the above conditions, "optical path difference of reflected light", "interference light intensity Inor of normal pattern portion", "interference light intensity Iabn of abnormal pattern portion" (abnormal portion) at each of A to E of the sample 10 The reflectance of No. 1 is the same as the reflectance of the normal pattern), and the results in the following table were obtained for each item.
【００３９】[0039]
【表１】 [Table 1]
【００４０】上記表から、場所Ａのような部分において
は反射光の「光路差」は０、正常パターン部の干渉光強
度「Ｉnor 」は０、異常パターン部の干渉光強度「Ｉab
n 」は２５６であり、同様、場所Ｂのような部分では
「光路差」０、「Ｉnor 」０で、「Ｉabn 」が６４であ
ることが分かる。場所Ｃでは「光路差」は表データ中最
大で２．９８π、このとき「Ｉnor 」は１４３．９３、
一方「Ｉabn 」は１６．０７であり、場所Ｄでは「光路
差」は０．９８πであって、「Ｉnor 」１４３．９３、
「Ｉabn 」１６．０７でこれら場所Ｃとほぼ同じ値を呈
し、また、場所Ｅでは「光路差」は２．０πであって、
「Ｉnor 」０．００、「Ｉabn 」６４．００なる結果が
得られたことが分かる。From the above table, the "optical path difference" of the reflected light is 0, the interference light intensity "Inor" of the normal pattern portion is 0, and the interference light intensity "Iab" of the abnormal pattern portion is 0 in the portion such as the place A.
It can be seen that “n” is 256, and similarly, in the part such as the place B, “optical path difference” is 0, “Inor” is 0, and “Iabn” is 64. In place C, the "optical path difference" is 2.98π at the maximum in the table data, and at this time, "Inor" is 143.93,
On the other hand, “Iabn” is 16.07, and at the place D, the “optical path difference” is 0.98π, and “Inor” 143.93,
At "Iabn" 16.07, these values are almost the same as those at location C, and at location E, the "optical path difference" is 2.0π.
It can be seen that the results "Inor" 0.00 and "Iabn" 64.00 were obtained.
【００４１】本検査例では、上述のようなレベンソン及
びクロムレス構造の位相シフトマスクを使用して実験し
たところ、反射光位相差を用いたシフタ及び異物検査を
行うことができる結果を得られた。In this inspection example, an experiment was conducted using the phase shift mask having the Levenson and chromeless structures as described above, and the result that the shifter and the foreign matter inspection using the reflected light phase difference were obtained was obtained.
【００４２】なお、上記各検査例のほか、本発明は、表
面の高さが、正常なパターンや基板部分等とは異なる部
分を検出する欠陥検査の用途に広く使用することができ
る。In addition to the above inspection examples, the present invention can be widely used for defect inspection for detecting a portion having a surface height different from a normal pattern or a substrate portion.
【図１】本発明の一実施例に係るパターン検査装置光学
系の図である。FIG. 1 is a diagram of a pattern inspection apparatus optical system according to an embodiment of the present invention.
【図２】差分干渉法を用いた透明異物検査アルゴリズム
を示す図であるFIG. 2 is a diagram showing a transparent foreign matter inspection algorithm using the differential interference method.
【図３】透明異物の一例を示すとともに、図２と対比し
て示すための透明異物に対する比較例での光学像及び光
学プロファイルの説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of a transparent foreign material and an optical image and an optical profile in a comparative example for the transparent foreign material for comparison with FIG. 2.
【図４】レベンソン位相シフトマスクにおける位相シフ
タ欠陥部分の検出原理（アルゴリズム）の図である。FIG. 4 is a diagram of a detection principle (algorithm) of a phase shifter defective portion in a Levenson phase shift mask.
【図５】レベンソン及びクロムレス構造の位相シフトマ
スクにおける反射光位相差を用いたシフタ及び異物検査
装置原理（干渉光強度）の図である。FIG. 5 is a diagram of a shifter and foreign matter inspection device principle (interference light intensity) using a reflected light phase difference in a phase shift mask having a Levenson and chromeless structure.
【図６】レベンソン及びクロムレス構造の位相シフトマ
スクにおける反射光位相差及び位相差と反射率で決定さ
れる干渉光強度（λ＝５４６ｎｍ）等の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of the reflected light phase difference and the interference light intensity (λ = 546 nm) determined by the phase difference and the reflectance in the phase shift mask having the Levenson and chromeless structures.
【図７】従来の欠陥検査装置を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a conventional defect inspection apparatus.
１０ 試料 １１ 基板（ＱＺ） １２ パターン（表面が酸化されたＣｒ） １３ 異物（透明異物） １４ エッジレス欠陥 ２０ イメージディテクタ ３０ 画像処理装置 ４０ マッハツエンダー型のシヤリング干渉系 ５０ 光源 ６１ 分割素子 ６２ 結合素子 ６３ 偏向素子 ６４ 偏向素子 ７１ チューブレンズ ７２ コリメータレンズ ７５ レンズ（対物レンズ） ７６ レンズ ７７ レンズ ＢＳ１，ＢＳ２ ビームスプリッタ Ｈ 調整用 光学部品 Ｈ１，Ｈ２，Ｈ１′，Ｈ２′ 光学くさび Ｍ１，Ｍ２ 反射ミラー 10 Sample 11 Substrate (QZ) 12 Pattern (Cr with Surface Oxidized) 13 Foreign Material (Transparent Foreign Material) 14 Edgeless Defect 20 Image Detector 30 Image Processing Device 40 Mach-Zehnder Type Shearing Interference System 50 Light Source 61 Splitting Element 62 Coupling Element 63 deflection element 64 deflection element 71 tube lens 72 collimator lens 75 lens (objective lens) 76 lens 77 lens BS1, BS2 beam splitter H adjustment optical parts H1, H2, H1 ', H2' optical wedge M1, M2 reflection mirror
Claims (2)
分等とは異なる部分の検出の手段としてシヤリング干渉
系を用い、 上記検出の方式として、正常部分の干渉光強度のヒスト
グラムにおいてピークを正常部分と判断し、上記検出さ
れた正常部分の干渉光強度とは異なる干渉光強度の部分
を異物またはパターン欠陥と判定する、 ことを特徴とするパターン検査装置。1. A shearing interference system is used as a means for detecting a portion where the surface height is different from a normal pattern, a substrate portion, or the like, and a peak in an interference light intensity histogram of a normal portion is used as the detection method. A pattern inspection apparatus characterized by determining that a normal portion is present and a portion having an interference light intensity different from the detected normal portion interference light intensity is determined as a foreign matter or a pattern defect.
ツエンダー型のシヤリング干渉系を用い、撮像素子と共
役な部分に光源を配置した、 ことを特徴とするパターン検査装置。2. The pattern inspection apparatus according to claim 2, wherein a Mach-Zehnder type shearing interference system is used in the shearing interference system, and a light source is arranged in a portion conjugate with the image pickup device.
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