JPH09208315A - 半導体ドライ洗浄用炭素電極 - Google Patents

半導体ドライ洗浄用炭素電極

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JPH09208315A
JPH09208315A JP8021039A JP2103996A JPH09208315A JP H09208315 A JPH09208315 A JP H09208315A JP 8021039 A JP8021039 A JP 8021039A JP 2103996 A JP2103996 A JP 2103996A JP H09208315 A JPH09208315 A JP H09208315A
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JP
Japan
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electrode
carbon
carbonization
baking
semiconductor
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Withdrawn
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JP8021039A
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English (en)
Inventor
Akira Asari
明 浅利
Toyohiro Hamazaki
豊弘 濱崎
Genji Maruyama
玄時 丸山
Hiroshi Seki
博 関
Kensuke Uemura
賢介 植村
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Toyo Tanso Co Ltd
Original Assignee
Toyo Tanso Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 コロナ放電中に酸化やスパッタリング等によ
る劣化損耗で電極自身から発塵しない半導体ドライ洗浄
用炭素電極を提供する。 【解決手段】 炭化焼成後にガラス質炭素となる熱硬化
性樹脂を成形し炭化処理を行った嵩密度1.6g/cm3以上の
炭素材からなる半導体ドライ洗浄用炭素電極で、その炭
素電極の先端形状が凸状である半導体ドライ洗浄用炭素
電極である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基盤等のド
ライ洗浄用の炭素電極の技術分野に属し、さらに詳しく
はイオン発生源の放電電極の技術分野に属するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】半導体洗浄の歴史は古く、ゲルマニウム
トランジスタ時代よりウエット洗浄が盛んに行われ、シ
リコントランジスタ時代になってもウエット洗浄の時代
は続き、 LSI時代になり徐々にドライ洗浄が注目される
ようになり、VLSI時代になってから全洗浄工程をドライ
化するよう要望されている。
【0003】一方、半導体素子の生産、加工工程におけ
る静電気の発生は、それによるコンタミネーションの促
進、放電ノイズの発生による半導体素子の品質低下や生
産工程をコントロールする機器の誤動作につながる。ま
た、上述に関連しているが、クリーンルーム内での静電
気発生問題がある。
【0004】周知のとおり、清浄空気ないし超清浄空気
を作りだすのにヘパフィルタやウルパフィルタが用いら
れている。しかし、その吹き出し口ではこれらフィルタ
から漏出する超微細粒子の帯電による静電気のクリーン
ルーム内への流入があり、これを何らかの方法で中和除
去しないと、半導体素子、その周辺機器、クリーンルー
ム内の壁、人体など至る所に静電気の蓄積が起こり上記
障害の発生源となる。
【0005】この中和には、通常交流コロナ放電による
正負両極イオンの供給が各種除電器に用いられている。
従来用いられていたイオン発生源の電極はステンレス製
電極が主流であった。イオンの発生源は電極先端でコロ
ナ放電を起こさせ、この先端近傍の空気の分子をイオン
化し、正イオンと負イオンを発生させる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コロナ
放電中、前記ステンレス製電極は電極自身が放電中に酸
化やスパッタリング等による劣化損耗で電極自身から発
塵し、これが被除電物に降りかかり半導体製品の品質低
下の原因となっていた。このような背景のもとで、従来
のステンレス製電極に替わり無発塵の電極材が求められ
るようになった。そこで、空気中で放電させた場合、気
体になると思われる炭素を電極に使用した。しかしなが
ら、通常のガラス質炭素電極を陰極に用いると炭素電極
が酸化やスパッタリングにより劣化し、破損した炭素が
塵となり被除電物に降りかかるという問題がある。な
お、通常のガラス質炭素材の嵩密度は1.5g/cm3程度であ
る。
【0007】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、コロナ放電中に酸化やスパッタリング
等による劣化損耗で電極自身から発塵しない半導体ドラ
イ洗浄用炭素電極を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、鋭
意検討を行った結果、炭化焼成後にガラス質炭素となる
熱硬化性樹脂を成形し炭化処理を行った嵩密度1.6g/cm3
以上の炭素材からなる半導体ドライ洗浄用炭素電極とす
ることで発塵を防止できることを見出した。さらに、そ
の炭素電極の先端形状を凸状とすることによって、イオ
ン量を調節することもできることを見出した。
【0009】本発明の炭素電極は嵩密度1.6g/cm3以上で
あり、強度も従来のガラス質炭素に比較すると高く、炭
素中に含まれる不純物も従来のガラス質炭素に比較する
と非常に少ない。したがって、本発明の半導体ドライ洗
浄用炭素電極を両極に使用することでイオン発生源であ
る電極からの発塵もなく、極性を交換することが可能で
ある。以下に本発明について詳細に説明する。
【0010】本発明において使用する炭化焼成後にガラ
ス質炭素となる熱硬化性樹脂は、従来のフェノール樹脂
に比べ、炭化焼成による炭素の収率が高く、炭化焼成後
に耐熱性に優れ、曲げ強度や衝撃強度が高くなるものを
使用する。
【0011】先ず、フェノール樹脂を射出成形機で所定
の形状に成形する。成形後、硬化処理、焼成処理を行い
嵩密度1.6g/cm3以上のガラス質炭素材を得る。こうして
得られたガラス質炭素材を所定の電極形状に加工、研磨
仕上げを行う。
【0012】炭素電極の先端形状は最適なイオン発生量
を得るために、図1(a) 〜(d) のように電極先端を凸状
に仕上げる。図1(e) のように電極先端が平面である
と、電極先端の平面のコーナ部間でコロナ放電が起こり
目的とするイオン発生量が得られない。コロナ放電は電
極先端の曲率が変化して小さくなるいわゆる尖状の端面
間で起こるため、炭素電極先端を凸状の異なった形状に
仕上げることにより、目的に応じたイオン発生量を得る
ことができる。すなわち、電極先端を図1(a) のような
鋭角の円錐状に仕上げるとイオン発生量が多くなる。印
加電圧が同じであれば、イオン発生量は図1(a) 〜(e)
の順に少なくなる。
【0013】
【発明の実施の形態】以上のようにして得られた電極を
陽極と陰極に用いて半導体のドライ洗浄を行う。以下に
実施例を挙げて本発明の実施の形態について説明する。
【0014】熱硬化性樹脂には鐘紡株式会社製のベルパ
ールを使用し、これを棒状に射出成形したのち、硬化、
予備焼成、焼成の工程を経て嵩密度1.64g/cm3 のガラス
質炭素材を得た。このガラス質炭素材を図1(a) の電極
形状に加工、研磨仕上げした。また、この嵩密度1.64g/
cm3 のガラス質炭素材には、X線回折の結果、結晶質の
炭素は確認されていない。
【0015】研磨仕上げした電極を図2に示すように、
イオン発生装置の陽極と陰極に配置し、電極の下方から
清浄空気を送りコロナ放電によりイオンを発生させた。
この時の発塵を測定した。なお、電極への印加電圧は、
陽極に 7000V、陰極に-7000Vである。
【0016】電極のコロナ放電はクリーンベンチ内で行
い、 1時間および20時間通電後の発塵数をパーティクル
カウンター(RION PARTICLE COUNTER KC-01B)で測定し
た。パーティクルカウンターは通常被除電物がある場所
に配置し60分間観測を行い、発塵の大きさ 0.3μm 以上
のものを測定した。測定結果を表1に示す。
【0017】表1に示すように、 1時間および20時間通
電後の発塵数は、両者ともバックグランド程度であり、
無発塵であるといえる。
【0018】
【表1】
【0019】次に、20時間通電後の除電効果をチャージ
プレートモニタ(Model TI-7000 (RICHMOND製))により測
定し、従来使用されているステンレス製電極と比較し
た。その結果を表2に示す。
【0020】表2に示すように、同一条件の下では本発
明に係わる炭素電極と、従来用いられているステンレス
製電極間には、除電効果の差はない。
【0021】
【表2】
【0022】以上のように、本発明に係わる炭素電極
は、無発塵であるといえるほど発塵はなく、除電効果も
従来用いられているステンレス製電極のそれと同等であ
る。
【0023】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明の炭素電極は嵩密度1.6g/cm3以上のガラス質炭素
材を使用しているため、コロナ放電による発塵もなく、
半導体ドライ洗浄用炭素電極として優れた特性を有する
ものである。また、本発明の炭素電極は、用途に合わせ
て電極の先端形状を変えることによりイオン発生量を制
御できるため、半導体ドライ洗浄用のみならず、多岐に
わたっての使用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる炭素電極の先端形状の例を示す
図である。
【図2】イオン発生装置の概略図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01T 19/00 H01T 19/00 23/00 23/00 (72)発明者 関 博 新潟県小千谷市大字山谷字新保4−12 ヒ ムエレクトロ株式会社内 (72)発明者 植村 賢介 神奈川県鎌倉市七里ガ浜東4丁目21番9号 アイタック株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 炭化焼成後にガラス質炭素となる熱硬化
    性樹脂を成形し炭化処理を行った嵩密度1.6g/cm3以上の
    炭素材からなることを特徴とする半導体ドライ洗浄用炭
    素電極。
  2. 【請求項2】 炭素電極の先端形状が凸状であることを
    特徴とする請求項1記載の半導体ドライ洗浄用炭素電
    極。
JP8021039A 1996-02-07 1996-02-07 半導体ドライ洗浄用炭素電極 Withdrawn JPH09208315A (ja)

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JPH09208315A true JPH09208315A (ja) 1997-08-12

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006040860A (ja) * 2003-12-02 2006-02-09 Keyence Corp イオン化装置
JP2010170937A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Techno Ryowa Ltd イオナイザーの放電電極

Cited By (3)

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JP4573631B2 (ja) * 2003-12-02 2010-11-04 株式会社キーエンス イオン化装置
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Effective date: 20030506