JPH09205238A - 陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管のヘリウムガス圧力制御方法および陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高精度にＨｅ−Ｃｄレーザ管内のヘリウム圧力
を常に最適のレーザ発振条件時の値に維持することが可
能な陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管のヘリウムガス圧力制
御方法および陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ装置を提供する
こと。 【解決手段】予め最適ヘリウムガス圧力におけるレーザ
管の管電圧対レーザ出力特性を把握しておき、Ａの位置
に管電圧を設定し、更に摂動用パルス発生器から摂動電
圧信号を加え、Ｂで示したように管電圧を摂動させる。
この摂動に依存して変動するレーザ光出力信号Ｐ₁ の変
動の大きさや方向を位相敏感検波器で検出し、この位相
敏感検波器の出力信号Ｐ₂ を制御信号としてヘリウムガ
スタンクヒータへの入力電力を制御することにより、ヘ
リウムガスのレーザ管への供給量の制御を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、Ｈｅ−Ｃｄレーザ装置
における陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管内のキャリアガス
の圧力制御方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】金属蒸気レーザ装置は、レーザ管内に金
属とキャリアガスとを封入し、当該金属の蒸気を利用し
てレーザ発振を起こさせるものである。現在において、
実用化されている金属蒸気レーザ装置としては、放電の
陽光柱部分を用いてレーザ発振させる、いわゆる陽光柱
型レーザ装置がある。具体的には、キャリアガスとして
ヘリウムガスを、金属としてカドミウムを用いてなる陽
光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ装置が知られている。このＨｅ
−Ｃｄレーザ装置は、波長３２５ｎｍの紫外線や波長４
２２ｎｍの短波長域の可視光線を連続発振することがで
きる。よって、例えばフォトレジストを感光するための
光源、ＣＴにより得られたデータを用いて人体の構造や
骨の模型を作成する際の光硬化用の光源、蛍光分析のた
めの光源等として、種々の分野での利用が期待されてい
る。

【０００３】図５に陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管の構造
例を示す。アノード１４及びカソード１７に電力を印加
するとレーザ細管部１１に電流が数１０ｍＡから１００
ｍＡ程度の直流グロー放電である陽光柱が発生し、カド
ミウム溜め１３が加熱され、カドミウム蒸気が発生す
る。発生したカドミウム蒸気はカタホレシス（電気泳
動）効果によりカソード１７側に移動し、レーザ細管部
１１の内部全体に分布してカドミウム金属原子がイオン
化され、出力ミラー１６、全反射ミラー１５で構成され
るレーザ共振器の内部でレーザ動作が行われる。

【０００４】一般に、陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ装置の
レーザ出力は、放電電流とカドミウム蒸気圧、ヘリウム
ガス圧力の三つのパラメータにより制御される。カドミ
ウム蒸気圧の制御は、例えば、カドミウム溜め１３の温
度を熱電対等で検出し、この検出信号を制御信号として
カドミウム溜めヒータ１２の電力を制御して行われる。

【０００５】あるいは、レーザ細管部１１内のカドミウ
ム蒸気圧が高くなるとレーザ管インピーダンスが低下す
る特性を利用して、定電流動作での管電圧変化を制御信
号として、カドミミム溜めヒータ１２の電力の制御をし
て行われる。ここで管電圧とはアノード１４とカソード
１７間の電圧である。

【０００６】図６に示す陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ装置
は、後者の方法でカドミウム蒸気圧の制御を行うもので
ある。定電流電力が、定電流電源３よりアノード１４、
カソード１７に供給される。管電圧は抵抗Ｒ１，Ｒ２か
らなる電圧モニタにより検出され、カドミウム蒸気コン
トローラ３０は、電圧モニタから送出される電圧信号に
基づき、カドミウム溜めヒータ１２への入力電力を制御
する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記カドミ
ウム蒸気は、レーザ細管部１１のカソード１７側端部か
ら拡散してカソード１７側端部周辺のレーザ管１の内壁
の低温部に付着するが、このときレーザ管１内部のヘリ
ウムガスを吸着する。このため、レーザ装置の累計動作
時間が大きくなるとともに、レーザ管１内部のヘリウム
ガス圧力が徐々に減少し、最適なレーザ発振条件を実現
することが困難になり、レーザ光の出力が低下する。

【０００８】図４は、ヘリウムガス圧力をパラメータと
したレーザ光出力の管電圧依存性の一例を示す図であ
る。ここで横軸は管電圧を、縦軸はレーザ光出力を示
す。なお、管電圧はカドミウム溜めヒータ１２への供給
電力に依存するので、結果的に横軸はレーザ細管部１１
内のカドミウム蒸気圧の高さを示すものと捉えることも
できる。

【０００９】例えば、管電圧を１５８０Ｖ付近で一定に
制御しても、ヘリウムガス圧力が７２４．９ｐａから６
６３．６ｐａへと６０Ｐａ程度減少すると、レーザ光の
出力は１６．７ｍＷから１３．６ｍＷへと約２０％減少
し、ヘリウムガス圧力が７２４．９ｐａから５９８．５
ｐａへと１２６Ｐａ程度減少すると、レーザ光の出力は
１６．７ｍＷから９．９ｍＷへと約４０％減少する。

【００１０】よって、レーザ管１は、図５に示すよう
に、ガラス隔壁２４によりヘリウム低圧部２１とヘリウ
ム高圧部２２とに分割されているヘリウムガスタンク２
０を搭載し、レーザ管１内部のヘリウムガス圧力が所定
の値になるように、随時ヘリウムガスタンク２０からレ
ーザ管１内部にヘリウムガスが供給される。ヘリウムガ
スの供給量の制御は、例えば図６に示すように、ヘリウ
ムガス圧力センサ１８の検出信号を受けたヘリウムガス
圧力コントローラ４０が、ガラス隔壁２４を加熱するヘ
リウムガスタンクヒータ２５への入力電力を制御するこ
とにより行われる。すなわち、加熱により変化するガラ
ス隔壁２４のヘリウムガス透過特性を制御するものであ
る。

【００１１】図４から理解されるように、レーザ出力の
低下を２０％以内に抑制して長期的に安定させるために
は、絶対圧７００Ｐａ近傍の圧力領域で、レーザ管内ヘ
リウムガス圧力を６０Ｐａ程度以内の精度で制御する必
要があり、レーザ管内のヘリウムガスを高精度に検出す
ることのできる実用的なヘリウムガス圧力センサの要請
が大きくなってくる。また、このようなヘリウムガス圧
力センサには、高精度で実用的であること以外に、小
型、安価であること、レーザ管本体との接続部の気密封
止に有機系接着剤など使用しない信頼性の高い方法が選
択できること等が要求される。

【００１２】しかし、従来のシリコン基板を微細加工し
た静電容量型半導体圧力センサは小型、高精度である
が、シリコン基板からのヘリウムガスの透過が大きく、
また接続部の信頼性の高い気密封止も容易ではないの
で、使用上問題がある。

【００１３】一方、発熱体を有し、ガス雰囲気中での当
該発熱体の温度変化を検知して当該ガスの圧力測定を行
うピラニ型センサは大型であり、結局、レーザ装置全体
が大型化してしまう。また、ピラニ型センサでは、検知
対象のガス圧力の変化のみならず、例えば、レーザ管の
外部雰囲気の温度変化によっても圧力指示値が変化する
ので、温度補償手段が必要となるが、大型のピラニ型セ
ンサをレーザ管と共にケースに収納するレーザ装置にお
いては、正確な温度補償は必ずしも容易ではない。すな
わち、結論として現状では上記要求に叶う理想的なヘリ
ウム圧力センサは存在しないと言ってよい。

【００１４】本発明はこのような事情によりなされたも
のであって、その課題は、高精度にＨｅ−Ｃｄレーザ管
内のヘリウム圧力値を正確に把握し、この情報に基づい
てレーザ管内のヘリウム圧力を常に最適のレーザ発振条
件時の値に維持し、レーザ管の長寿命化を達成すること
が可能な陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管のヘリウムガス圧
力制御方法および陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ装置を提供
することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を以
下のように解決する。以下、図４を模式的に描いた図２
ならびに図１を用いて説明する。まず、予め最適ヘリウ
ムガス圧力における陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管１の管
電圧対レーザ出力特性を実験等により把握する。次に、
カドミウム溜めヒータ１２への入力電力を調整して、レ
ーザ管１内のヘリウムガス圧力が最適ヘリウムガス圧力
のときレーザ出力が最大となる図２のＡの位置に管電圧
を設定し、更に摂動用パルス発生器６から摂動電圧信号
を加え、Ｂで示したように管電圧を摂動（わずかな変
動）させる。するとこの摂動に依存してレーザ出力が変
動する。すなわち、レーザ出力検出器の出力信号Ｐ
₁ は、図２の（イ），（ロ），（ハ）のように変動す
る。

【００１６】この出力信号Ｐ₁ の変動の大きさや方向
は、図２の（イ），（ロ），（ハ）に示すように、その
時のレーザ管１内のヘリウムガス圧力の大小に依存して
変化する。このような出力信号Ｐ₁ の変動の大きさや方
向を位相敏感検波器７で検出し、この位相敏感検波器７
の出力信号Ｐ₂ を制御信号として図５に示すガラス隔壁
２４を加熱するヘリウムガスタンクヒータ２５への供給
電力を制御することにより、ヘリウムガスのレーザ管１
への供給量の制御を実現することが可能となる。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１に本発明の圧力制御方法を採
用したＨｅ−Ｃｄレーザ装置の構成例を示す。なお、レ
ーザ管１の具体的な構造は、図５において、ヘリウムガ
ス圧力センサ１８を除いたものである。図１において、
３は定電流電源であり、レーザ管１のアノード１４、カ
ソード１７に定電流電力が供給される。アノード１４と
カソード１７間の電圧である管電圧は抵抗Ｒ１，Ｒ２か
らなる電圧モニタにより検出される。

【００１８】レーザ管１には、先に述べたように、レー
ザ管１内のカドミウム蒸気圧を制御するためにカドニウ
ム溜め１３を加熱するカドミウム溜めヒータ１２と、レ
ーザ管１内にヘリウムガスを供給するためのヘリウムガ
スタンク２０およびヘリウムガスタンクヒータ２５が設
けられている。カドミウム溜めヒータ１２への入力電力
は、電圧モニタから送出される管電圧信号に基づき、制
御部４により制御される。図５に示したレーザ細管部１
１とほぼ同軸になるように、レーザ管１の両端に設置さ
れている出力ミラー１６と全反射ミラー１５は、レーザ
共振器を構成しており、レーザ光は出力ミラー１６側か
ら取り出される。なお、全反射ミラー１５側からも、図
１に破線の矢印で示したように、一部、出力の微弱なレ
ーザ光が放出される。

【００１９】６は摂動用パルス発生器であり、一定の周
期の摂動電圧信号を制御部４に送出するとともに、摂動
電圧信号と同期した参照信号を位相敏感検波器７へ送出
する。位相敏感検波器７は、全反射ミラー１５側からの
微弱なレーザ光出力を検出する光検出器５の出力信号Ｐ
₁ と上記参照信号との位相差に比例した信号Ｐ₂ を出力
する。

【００２０】次に、本実施例の圧力制御方法について説
明する。先に述べたように、まず、予め最適ヘリウムガ
ス圧力における陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管１の管電圧
対レーザ出力特性を実験等により把握しておき、図２に
示したように、最適レーザ出力が得られる最適管電圧Ａ
を決定する。そして抵抗Ｒ１，Ｒ２からなる電圧モニタ
により検出される管電圧信号をもとに、制御部４により
カドニウム溜めヒータ１２への供給電力を制御して、管
電圧を上記最適管電圧Ａとなるように設定する。

【００２１】次に、摂動用パルス発生器６により、摂動
電圧信号を制御部４に送出する。制御部４は、カドミウ
ム溜めヒータ１２への供給電力を、この摂動電圧信号と
同期するように一定の周期をもって摂動（わずかな変
動）させる。すなわち、管電圧は、図２に示す波形Ｂの
ように、最適管電圧Ａを中心として矩形状に変動する。

【００２２】この摂動に依存してレーザ出力が変動し、
光検出器５の出力信号Ｐ₁ は、図２の（イ），（ロ），
（ハ）に示すように変動する。ここで、（イ）はレーザ
管１内のヘリウムガス圧力が最適値にあるときの出力信
号Ｐ₁ の波形であり、（ロ）はヘリウムガス圧力が最適
値より大きいときの、（ハ）はヘリウムガス圧力が最適
値より小さいときの出力信号Ｐ₁ の波形である。

【００２３】この出力信号Ｐ₁ の変動の大きさや方向
は、その時のレーザ管１内のヘリウムガスの圧力の大小
に依存して変化する。すなわち、レーザ管１内のヘリウ
ムガス圧力が最適ヘリウムガス圧力のときは、図２の
（イ）に示すように、管電圧対レーザ出力特性を示す曲
線の頂点が管電圧Ａ付近にあり、管電圧Ａの摂動による
出力信号Ｐ₁ の変動は小さい。一方、レーザ管１内のヘ
リウムガス圧力が最適ヘリウムガス圧力より小さいと
き、あるいは、大きいときには、図２の（ロ），（ハ）
に示すように、管電圧対レーザ出力特性を示す曲線の頂
点が管電圧Ａとは異なるところにあり、管電圧Ａの摂動
による出力信号Ｐ₁ の変動は大きく、また変動の方向も
変化する。

【００２４】上記のような出力信号Ｐ₁ の変動の大きさ
や方向を位相敏感検波器７で検出するため、出力信号Ｐ
₁ と摂動用パルス発生器６において発生する参照信号と
を位相敏感検波器７に入力する。ここで、位相敏感検波
器７は、カドミウム溜め１３の熱応答に対応するだけの
時定数をもっており、そのうえで出力信号Ｐ₁ を検波す
るようにしている。

【００２５】図３にヘリウムガス圧力に対する位相敏感
検波器の出力信号Ｐ₂ を示す。同図の曲線Ｙに示すよう
に、レーザ管１内のヘリウムガス圧力が最適値にあると
きは、出力信号Ｐ₁ の変動が小さい図２の（イ）を反映
して、出力信号Ｐ₂ は０近傍の値を取る。

【００２６】一方、レーザ管１内のヘリウムガス圧力が
最適ヘリウムガス圧力より小さいとき、あるいは、大き
いときには、出力信号Ｐ₁ の変動が大きい図２の
（ロ），（ハ）を反映して、出力信号Ｐ₂ はある程度大
きな値を取る。図２において、レーザ管１内のヘリウム
ガス圧力が最適ヘリウムガス圧力より小さいときの管電
圧対レーザ出力特性を示す曲線は、管電圧Ａ付近での傾
きが負であり、レーザ管１内のヘリウムガス圧力が最適
ヘリウムガス圧力より大きいときの管電圧対レーザ出力
特性を示す曲線は、管電圧Ａ付近での傾きが正である。
図３に示す曲線Ｙは、上記傾向を反映していて、レーザ
管１内のヘリウムガス圧力が最適ヘリウムガス圧力より
小さいときには、出力信号Ｐ₂ の値の符号は負であり、
逆にレーザ管１内のヘリウムガス圧力が最適ヘリウムガ
ス圧力より大きいときには、出力Ｐ₂ の値の符号は正と
なっている。

【００２７】上記出力信号Ｐ₂ は、制御部４に送出され
る。制御部４は、出力信号Ｐ₂ の値が０近傍の値をとる
ようにヘリウムガスタンクヒータ２５への入力電力をフ
ィードバック制御する。なお、制御部から送出されるヘ
リウムガスタンクヒータ２５への入力電力は、途中、増
幅器８により増幅されている。以上の制御により、先に
図５で示したヘリウムガスタンク２０をヘリウム低圧部
２１とヘリウム高圧部２２とに分割するガラス隔壁２４
への加熱量、すなわち、ガラス隔壁２４のヘリウムガス
透過特性が制御され、レーザ管１内部のヘリウムガス圧
力が所定の値に保たれる。

【００２８】以上のように本発明においては、レーザ管
１内のヘリウムガス圧力をパラメータとした管電圧特性
用いて上記ヘリウムガス圧力を制御しているので、従来
のピラニ型センサの場合の温度補償のような複雑な制御
を行う必要がなく、精度の高いレーザ管１内のヘリウム
ガス圧力制御を行うことができる。よって、レーザ管１
内のヘリウムガス圧力を常に最適のレーザ発振条件時の
値に維持し、レーザ管１の長寿命化を達成することが可
能になった。

【００２９】また、レーザ管１に、ピラニ型センサのよ
うな大型形状のヘリウムガス圧力センサを設ける必要が
ないので、レーザ装置本体を小型にすることが可能とな
った。

【００３０】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明は、レーザ管
内のヘリウムガス圧力をパラメータとした管電圧特性を
用いて上記ヘリウムガス圧力を制御しているので、従来
のピラニ型センサを使用する場合に必要な温度補償のよ
うな複雑な制御を行う必要がなく、精度の高いレーザ管
内のヘリウムガス圧力制御を行うことができる。よっ
て、レーザ管内のヘリウムガス圧力を常に最適のレーザ
発振条件時の値に維持し、レーザ管の長寿命化を達成す
ることが可能になった。

【００３１】また、レーザ管本体にヘリウムガス圧力セ
ンサを設ける必要がないので、レーザ装置本体を小型、
かつ、安価にすることが可能になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例であるＨｅ−Ｃｄレーザ装置の
構成を示す図である。

【図２】図４を模式的に描いた制御作用の説明図であ
る。

【図３】位相敏感検波器の出力信号を示す図である。

【図４】管電圧とレーザ光の出力との関係を示す図であ
る。

【図５】陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管の構造例を示す図
である。

【図６】従来のＨｅ−Ｃｄレーザ装置の構成を示す図で
ある。

【符号の説明】

１ レーザ管 ３ 定電流電源 ４ 制御部 ５ 光検出器 ６ 摂動用パルス発生器 ７ 位相敏感検波器 ８ 増幅器 １１ レーザ細管部 １２ カドミウム溜めヒータ １３ カドミウム溜め １４ アノード １５ 全反射ミラー １６ 出力ミラー １７ カソード １８ ヘリウムガス圧力センサ ２０ ヘリウムガスタンク ２１ ヘリウム低圧部 ２２ ヘリウム高圧部 ２４ ガラス隔壁 ２５ ヘリウムガスタンクヒータ ３０ カドミウム蒸気コントローラ ４０ ヘリウムガス圧力コントローラ Ｐ₁ レーザ出力検出器の出力信号 Ｐ₂ 位相敏感検波器の出力信号 Ｒ１，Ｒ２ 抵抗

フロントページの続き (72)発明者 羽田 博成 兵庫県姫路市別所町佐土1194番地 ウシオ 電機株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】予め最大レーザ出力を実現するときの陽光
   柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管内のヘリウムガス圧力と該陽光
   柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管の管電圧を記憶しておき、 上記圧力だけヘリウムガスが封入された上記陽光柱型Ｈ
   ｅ−Ｃｄレーザ管の管電圧を上記記憶しておいた管電圧
   にし、 レーザ出力が上記最大レーザ出力より小さくなったとき
   に上記陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管内にヘリウムガスを
   供給することを特徴とする陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管
   のヘリウムガス圧力制御方法。
2. 【請求項２】加熱量を制御することによりヘリウムガス
   の供給量を制御するヘリウムガスタンクが接続された陽
   光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管のヘリウムガス圧力制御方法
   であって、 予め最大レーザ出力を実現するときの陽光柱型Ｈｅ−Ｃ
   ｄレーザ管内のヘリウムガス圧力と該陽光柱型Ｈｅ−Ｃ
   ｄレーザ管の管電圧を記憶しておき、 上記圧力だけヘリウムガスが封入された上記陽光柱型Ｈ
   ｅ−Ｃｄレーザ管の管電圧を上記記憶しておいた管電圧
   を中心として周期的に変動させ、 そのときのレーザ出力をレーザ出力検出器で検出し、 上記レーザ出力検出器の出力信号と上記周期に同期した
   信号とを位相敏感検波器に入力し、 上記位相敏感検波器の出力信号の値が０近傍の値になる
   ように上記ヘリウムタンクへの加熱量を制御することを
   特徴とする陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管のヘリウムガス
   圧力制御方法。
3. 【請求項３】加熱量を制御することによりヘリウムガス
   の供給量を制御するヘリウムガスタンクとカドミウム保
   持部とが接続された陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管と、 上記ヘリウムガスタンクを加熱するヘリウムガスタンク
   加熱手段と、 上記カドニウム保持部を加熱するカドミウム保持部加熱
   手段と、 上記陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管に定電流電力を供給す
   る定電流電源と、 上記陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管の管電圧を検出する管
   電圧検出手段と、 上記陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管の両端に設置され、レ
   ーザ共振器を構成する出力ミラーおよび全反射ミラー
   と、 上記レーザ共振器から放出されるレーザ光の出力を検出
   するレーザ光出力検出器と、 一定の周期の摂動電圧信号を後に示す制御手段に送出す
   るとともに、該摂動電圧信号と同期した参照信号を後に
   示す位相敏感検波器へ送出する摂動用パルス発生器と、 上記レーザ光出力検出器からの出力信号と上記参照信号
   との位相差に比例した信号を出力する位相敏感検波器
   と、 制御手段からなり、 上記制御手段は、予め最大レーザ出力を実現するときの
   陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管内のヘリウムガス圧力と該
   陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管の管電圧を記憶しておき、 上記管電圧検出手段により検出される管電圧信号と上記
   摂動用パルス発生器からの摂動電圧信号をもとに、管電
   圧が上記記憶しておいた管電圧を中心として一定の周期
   で変動するように上記カドミウム保持部加熱手段への入
   力電力を制御し、 上記位相敏感検波器からの出力信号の値が常に０近傍に
   なるように上記ヘリウムガスタンク加熱手段への入力電
   力を制御することを特徴とする陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレー
   ザ装置。
4. 【請求項４】ヘリウムガス高圧部とヘリウムガス低圧部
   とがガラス隔壁により分割されたヘリウムガスタンクと
   カドミウム保持部が接続された陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレー
   ザ管と、 上記ガラス隔壁を加熱するヘリウムガスタンク加熱手段
   と、 上記カドミウム保持部を加熱するカドミウム保持部加熱
   手段と、 上記陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管に定電流電力を供給す
   る定電流電源と、 上記陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管の管電圧を検出する管
   電圧検出手段と、 上記陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管の両端に設置され、レ
   ーザ共振器を構成する出力ミラーおよび全反射ミラー
   と、 上記全反射ミラー側に設置され該全反射ミラーから漏出
   するレーザ光の出力を検出するレーザ光出力検出器と、 一定の周期の摂動電圧信号を後に示す制御手段に送出す
   るとともに、該摂動電圧信号と同期した参照信号を後に
   示す位相敏感検波器へ送出する摂動用パルス発生器と、 上記レーザ光出力検出器からの出力信号と上記参照信号
   との位相差に比例した信号を出力する位相敏感検波器
   と、 制御手段からなり、 上記制御手段は、予め最大レーザ出力を実現するときの
   陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管内のヘリウムガス圧力と該
   陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレーザ管の管電圧を記憶しておき、 上記管電圧検出手段により検出される管電圧信号と上記
   摂動用パルス発生器からの摂動電圧信号をもとに、管電
   圧が上記記憶しておいた管電圧を中心として一定の周期
   で変動するように上記カドミウム保持部加熱手段への入
   力電力を制御し、 上記位相敏感検波器からの出力信号の値が常に０近傍に
   なるように上記ヘリウムガスタンク加熱手段への入力電
   力を制御することを特徴とする陽光柱型Ｈｅ−Ｃｄレー
   ザ装置。