JPH09200622A - Solid-state image pickup device - Google Patents

Solid-state image pickup device

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Publication number
JPH09200622A
JPH09200622A JP8008863A JP886396A JPH09200622A JP H09200622 A JPH09200622 A JP H09200622A JP 8008863 A JP8008863 A JP 8008863A JP 886396 A JP886396 A JP 886396A JP H09200622 A JPH09200622 A JP H09200622A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reset gate
gate clock
horizontal transfer
clock
transfer register
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP8008863A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naoki Katou
奈沖 加藤
Hideo Nomura
秀雄 野村
Manabu Yamada
学 山田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP8008863A priority Critical patent/JPH09200622A/en
Publication of JPH09200622A publication Critical patent/JPH09200622A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the power consumption and to decrease number of output terminals of a timing generating section by using a horizontal transfer clock driving a horizontal transfer register so as to generate a reset gate clock. SOLUTION: The device is provided with a reset gate clock generating section 10 configured with a differentiation circuit consisting of a capacitor C and a resistor R and an undershoot component elimination diode D for the differentiation circuit output signal connected in parallel with the differentiation circuit. Then a timing generating circuit T does not generate a reset gate clock ϕRG to a charge detection section 5 formed on a board S but a horizontal transfer clock ϕH1 generated from the circuit 7 is used to obtain a required waveform from the generating section 10. That is, as an output terminal of the circuit 7, no clock ϕRG is required and the generating section 10 is provided in the vicinity of the board S not to require wiring of a long wire for transmission of the clock ϕRG even when the circuit and the board S are apart.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、水平転送レジスタ
によって転送されてきた信号電荷を順次電圧信号に変換
する電荷検出部を備えた固体撮像装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state image pickup device having a charge detection unit for sequentially converting signal charges transferred by a horizontal transfer register into voltage signals.

【0002】[0002]

【従来の技術】図7は、従来の固体撮像装置を説明する
構成図である。すなわち、従来の固体撮像装置は、複数
の光電変換部1が行方向(垂直方向)および列方向(水
平方向)にマトリクス状に配列され、これらの垂直列毎
に垂直転送レジスタ2が配列されることによって撮像領
域3が構成されている。
2. Description of the Related Art FIG. 7 is a block diagram for explaining a conventional solid-state image pickup device. That is, in the conventional solid-state imaging device, the plurality of photoelectric conversion units 1 are arranged in a matrix in the row direction (vertical direction) and the column direction (horizontal direction), and the vertical transfer register 2 is arranged for each of these vertical columns. The image pickup area 3 is thus configured.

【0003】また、撮像領域3の図中下側には水平転送
レジスタ4が設けられており、各垂直転送レジスタ2か
ら転送される電荷を電荷検出部5へ送る役目を果たして
いる。電荷検出部5は例えばフローティング・ディフュ
ージョン構成であり、水平転送レジスタ4から転送され
てきた電荷を順次電圧信号に変換し出力アンプ6へと渡
している。これら撮像領域3や水平転送レジスタ4、電
荷検出部5、出力アンプ6は所定の基板S上に形成され
ている。
Further, a horizontal transfer register 4 is provided on the lower side of the image pickup area 3 in the figure, and serves to send the charges transferred from each vertical transfer register 2 to the charge detection section 5. The charge detection unit 5 has, for example, a floating diffusion configuration, and sequentially converts the charges transferred from the horizontal transfer register 4 into a voltage signal and passes the voltage signal to the output amplifier 6. The image pickup area 3, the horizontal transfer register 4, the charge detector 5, and the output amplifier 6 are formed on a predetermined substrate S.

【0004】撮像領域3へ入射された光は、その光量に
応じて光電変換部1で信号電荷に変換され蓄積される。
垂直転送レジスタ2は、タイミング発生回路7’から送
られるφV1、φV2、φV3、φV4の4相の転送ク
ロックによって転送駆動される。これにより、垂直転送
レジスタ2で読み出された信号電荷は、水平ブランキン
グ期間の一部にて1走査線に相当する部分ずつ順に垂直
方向に転送されることになる。
The light incident on the image pickup region 3 is converted into a signal charge by the photoelectric conversion unit 1 according to the amount of the light and stored.
The vertical transfer register 2 is transfer-driven by four-phase transfer clocks of φV1, φV2, φV3, and φV4 sent from the timing generation circuit 7 ′. As a result, the signal charges read out by the vertical transfer register 2 are sequentially transferred in the vertical direction for each part corresponding to one scanning line in a part of the horizontal blanking period.

【0005】また、複数本の垂直転送レジスタ2で順次
転送された1走査線に相当する信号電荷は、水平転送レ
ジスタ4によって順次水平方向へ転送される。水平転送
レジスタ4は、2相の水平転送クロックφH1、φH2
によって転送駆動される。
The signal charges corresponding to one scanning line sequentially transferred by the plurality of vertical transfer registers 2 are sequentially transferred in the horizontal direction by the horizontal transfer register 4. The horizontal transfer register 4 has two-phase horizontal transfer clocks φH1 and φH2.
Transfer driven by.

【0006】水平転送レジスタ4の端部に配置された電
荷検出部5では、水平転送レジスタ4から順次転送され
てきた信号電荷を所定の電圧信号に変換している。電荷
検出部5であるフローティング・ディフュージョン構成
においては、水平転送レジスタ4から送られた信号電荷
をフローティングディフィージョン部で受けて電圧信号
として取り出し、タイミング発生回路7’から送られる
リセットゲートクロックφRGに基づきフローティング
ディフュージョン部に蓄積された信号電荷をリセットド
レイン部に送り込む。これにより、フローティングディ
フュージョン部のリセットを行うようにしている。
The charge detector 5 arranged at the end of the horizontal transfer register 4 converts the signal charges sequentially transferred from the horizontal transfer register 4 into a predetermined voltage signal. In the floating diffusion configuration which is the charge detection unit 5, the signal charge sent from the horizontal transfer register 4 is received by the floating diffusion unit and taken out as a voltage signal, and based on the reset gate clock φRG sent from the timing generation circuit 7 ′. The signal charge accumulated in the floating diffusion portion is sent to the reset drain portion. As a result, the floating diffusion portion is reset.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな固体撮像装置には次のような問題がある。すなわ
ち、従来の固体撮像装置では、タイミング発生回路によ
って電荷検出部であるフローティングディフュージョン
構成へのリセットゲートクロックφRGを発生させる必
要があるとともに、そのリセットゲートクロックφRG
をタイミング発生回路から電荷検出部の形成されている
基板まで送るための配線が必要となる。
However, such a solid-state image pickup device has the following problems. That is, in the conventional solid-state image pickup device, it is necessary to generate the reset gate clock φRG for the floating diffusion configuration, which is the charge detection unit, by the timing generation circuit, and the reset gate clock φRG.
A wire is required for sending the signal from the timing generation circuit to the substrate on which the charge detection unit is formed.

【0008】このため、タイミング発生回路の消費電力
を増加させる原因となり、また、特にタイミング発生回
路と基板とが離れて配置されている場合には長い配線を
引き回さなければならないという問題が生じる。
Therefore, this causes an increase in power consumption of the timing generation circuit, and in particular, when the timing generation circuit and the substrate are arranged apart from each other, there is a problem that a long wiring must be routed. .

【0009】よって、本発明はタイミング発生回路の消
費電力低減を図ることと、タイミング発生回路から基板
への配線を簡素化できる固体撮像装置を提供することを
目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to provide a solid-state image pickup device capable of reducing the power consumption of the timing generation circuit and simplifying the wiring from the timing generation circuit to the substrate.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために成された固体撮像装置である。すなわ
ち、本発明は、入射光量に応じた信号電荷を蓄積する光
電変換部が垂直方向および水平方向にマトリクス状に複
数配置され、その垂直列ごとに信号電荷を転送するため
の垂直転送レジスタが配置されている撮像領域と、垂直
転送レジスタから転送されてきた信号電荷を所定の水平
転送クロックにより水平方向に沿って転送する水平転送
レジスタと、水平転送レジスタによって転送されてきた
信号電荷を順次電圧信号に変換する電荷検出部と、水平
転送クロックに基づき、電荷検出部へ送られた信号電荷
をリセットするためのリセットゲートクロックを生成す
るリセットゲートクロック生成部とを備えている固体撮
像装置である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a solid-state image pickup device which is made to achieve the above object. That is, according to the present invention, a plurality of photoelectric conversion units for accumulating signal charges according to the amount of incident light are arranged in a matrix in the vertical direction and the horizontal direction, and a vertical transfer register for transferring the signal charges is arranged for each vertical column. Image pickup area, a horizontal transfer register that transfers the signal charge transferred from the vertical transfer register in the horizontal direction by a predetermined horizontal transfer clock, and the signal charge transferred by the horizontal transfer register in the order of voltage signals. And a reset gate clock generation unit that generates a reset gate clock for resetting signal charges sent to the charge detection unit based on a horizontal transfer clock.

【0011】このような固体撮像装置では、リセットゲ
ートクロック生成部が、水平転送レジスタの転送駆動を
行うための水平転送クロックを利用してリセットゲート
クロックを生成しているため、タイミング発生部にてリ
セットゲートクロックを発生する必要が無くなる。ま
た、これによってタイミング発生部からは電荷検出部へ
送るリセットゲートクロックの配線が不要となる。
In such a solid-state image pickup device, since the reset gate clock generation unit generates the reset gate clock by using the horizontal transfer clock for driving the transfer of the horizontal transfer register, the timing generation unit uses the timing generation unit. There is no need to generate a reset gate clock. Further, this eliminates the need for wiring of the reset gate clock sent from the timing generation section to the charge detection section.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の固体撮像装置に
おける実施の形態を図に基づいて説明する。図1は本発
明の固体撮像装置における第1実施形態を説明する構成
図である。すなわち、第1実施形態における固体撮像装
置は、行方向(垂直方向)および列方向(水平方向)に
マトリクス状に複数配列されている光電変換部1と、こ
れらの垂直列毎に複数本配列された垂直転送レジスタ2
とから撮像領域3が構成され、また、撮像領域3の図中
下側に水平転送レジスタ4が設けられ、その端部に電荷
検出部5と出力アンプ6とが設けられた構成となってい
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a solid-state image pickup device of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a first embodiment of a solid-state imaging device of the present invention. That is, the solid-state imaging device according to the first embodiment has a plurality of photoelectric conversion units 1 arranged in a matrix in a row direction (vertical direction) and a column direction (horizontal direction), and a plurality of photoelectric conversion units 1 arranged in each vertical column. Vertical transfer register 2
The image pickup area 3 is formed by the above, and the horizontal transfer register 4 is provided on the lower side of the image pickup area 3 in the figure, and the charge detection portion 5 and the output amplifier 6 are provided at the ends thereof. .

【0013】また、これら撮像領域3、水平転送レジス
タ4、電荷検出部5、出力アンプ6は所定の基板S上に
形成されている。さらに、本実施形態における固体撮像
装置は、垂直転送レジスタ2を4相駆動するための垂直
転送クロックφV1、φV2、φV3、φV4や、水平
転送レジスタ4を2相駆動するための水平転送クロック
φH1、φH2を発生するタイミング発生回路7が、所
定の配線を介して基板Sと接続されている。
The image pickup area 3, the horizontal transfer register 4, the charge detection section 5, and the output amplifier 6 are formed on a predetermined substrate S. Further, in the solid-state imaging device according to the present embodiment, the vertical transfer clocks φV1, φV2, φV3, and φV4 for driving the vertical transfer register 2 in four phases, and the horizontal transfer clock φH1 for driving the horizontal transfer register 4 in two phases, The timing generation circuit 7 that generates φH2 is connected to the substrate S via a predetermined wiring.

【0014】第1実施形態における固体撮像装置では、
基板Sに形成された電荷検出部5へのリセットゲートク
ロックφRGを、タイミング発生回路7から出力される
水平転送クロックφH1を利用して生成するリセットゲ
ートクロック生成部10を備えている点に特徴がある。
In the solid-state image pickup device according to the first embodiment,
A characteristic is that a reset gate clock φRG formed on the substrate S to the charge detection unit 5 is generated by using a horizontal transfer clock φH1 output from the timing generation circuit 7 is there.

【0015】リセットゲートクロック生成部10として
は、コンデンサCと抵抗Rとから成る微分回路が用いら
れている。また、後述する微分回路から出力される信号
のアンダーシュート成分を除去するため、微分回路の抵
抗Rと並列にダイオードDが設けられている。
As the reset gate clock generator 10, a differentiation circuit composed of a capacitor C and a resistor R is used. A diode D is provided in parallel with the resistor R of the differentiating circuit in order to remove the undershoot component of the signal output from the differentiating circuit described later.

【0016】ここで、電荷検出部5であるフローティン
グ・ディフュージョン構成において、フローティングデ
ィフュージョン部への信号電荷の転送、およびフローテ
ィングディフュージョン部に蓄積された信号電荷をリセ
ットするリセットゲートクロックφRGについての説明
を行う。
Here, in the floating diffusion configuration which is the charge detection unit 5, the transfer of the signal charges to the floating diffusion unit and the reset gate clock φRG for resetting the signal charges accumulated in the floating diffusion unit will be described. .

【0017】図2は水平転送レジスタ4およびフローテ
ィング・ディフュージョン構成から成る電荷検出部5の
断面構造を示す模式図である。この水平転送レジスタ4
は、n型の基板Sの上に設けられたp- 型のウェル領域
上に形成されており、2相駆動を行うための水平転送ク
ロックφH1とφH2とを印加する配線が交互に設けら
れている。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of the horizontal transfer register 4 and the charge detection section 5 having a floating diffusion structure. This horizontal transfer register 4
Are formed on the p - type well region provided on the n-type substrate S, and the wirings for applying the horizontal transfer clocks φH1 and φH2 for performing the two-phase driving are alternately provided. There is.

【0018】また、水平転送レジスタ4の電荷検出部5
側には水平出力ゲートクロックHOGを印加する配線が
設けられている。さらに、電荷検出部5には、フローテ
ィングディフュージョン部FDとリセットドレイン部R
Dとが設けられ、これらの間にリセットゲートクロック
φRGを印加する配線が設けられている。
Further, the charge detection section 5 of the horizontal transfer register 4
A wiring for applying the horizontal output gate clock HOG is provided on the side. Further, the charge detection section 5 includes a floating diffusion section FD and a reset drain section R.
D and D are provided, and a wiring for applying the reset gate clock φRG is provided between them.

【0019】図3は理想的な各種クロックのタイミング
を示す図、図4は水平転送レジスタ4および電荷検出部
5のポテンシャルプロファイルを示す図である。なお、
図4における〜の各ポテンシャルプロファイルは、
図3に示す〜のタイミングと対応している。
FIG. 3 is a diagram showing ideal timings of various clocks, and FIG. 4 is a diagram showing potential profiles of the horizontal transfer register 4 and the charge detection section 5. In addition,
Each potential profile of ~ in Fig. 4 is
This corresponds to the timings 1 to 3 shown in FIG.

【0020】すなわち、図3に示すタイミングでは、
リセットゲートクロックφRGがLowとなり、図4に
示すフローティング・ディフュージョン部FDは若干の
リセットフィードスルーを含んだリセットレベルとな
る。
That is, at the timing shown in FIG.
The reset gate clock φRG becomes Low, and the floating diffusion portion FD shown in FIG. 4 becomes a reset level including some reset feedthrough.

【0021】次に図3に示すタイミングでは、水平転
送クロックφH1がLowとなることによって、φH1
の印加される蓄積領域から信号電荷がフローティング・
ディフュージョン部FDに転送される状態となる。この
際、出力電位は、フローティング・ディフュージョン部
FDに転送された信号電荷の量に応じて変化することに
なる。
Next, at the timing shown in FIG. 3, since the horizontal transfer clock φH1 becomes Low, φH1
The signal charge floats from the storage area to which
The data is transferred to the diffusion unit FD. At this time, the output potential changes according to the amount of signal charges transferred to the floating diffusion portion FD.

【0022】次いで、図3に示すタイミングでは、リ
セットゲートクロックφRGがHighとなり、フロー
ティング・ディフュージョン部FDの信号電荷がリセッ
トドレイン部RDに送り込まれる。つまり、これがリセ
ット状態である。そして、図3に示すタイミングでは
リセットゲートクロックφRGがLowとなる。なお、
このタイミングにおいてフローティング・ディフュー
ジョン部FDへ戻された電荷はリセットフィードスルー
となる。
Next, at the timing shown in FIG. 3, the reset gate clock φRG becomes High, and the signal charge of the floating diffusion portion FD is sent to the reset drain portion RD. That is, this is the reset state. Then, at the timing shown in FIG. 3, the reset gate clock φRG becomes Low. In addition,
The charges returned to the floating diffusion portion FD at this timing become reset feedthrough.

【0023】従来においては、このリセットゲートクロ
ックφRGを図7に示すタイミング発生回路7’にて発
生させ、所定の配線を介して基板Sの電荷検出部5へ送
っていた。第1実施形態では、先に説明したように、こ
のリセットゲートクロックφRGを図1に示すタイミン
グ発生回路7で発生させるのではなく、水平転送レジス
タ4を駆動するための水平転送クロックφH1を利用し
てリセットゲートクロック生成部10である微分回路で
生成している。
Conventionally, the reset gate clock φRG is generated by the timing generation circuit 7'shown in FIG. 7 and sent to the charge detection portion 5 of the substrate S through a predetermined wiring. In the first embodiment, as described above, the reset gate clock φRG is not generated by the timing generation circuit 7 shown in FIG. 1, but the horizontal transfer clock φH1 for driving the horizontal transfer register 4 is used. Are generated by a differentiating circuit which is the reset gate clock generator 10.

【0024】図5は、この微分回路を用いた場合の水平
転送クロックφH1に対するリセットゲートクロックφ
RGの波形を示す図である。なお、この波形を得る際、
微分回路の抵抗R(図1参照)の一端は任意のDCバイ
アスに接続しておき、リセットゲートクロックφRGを
平均値クランプしてある。また、この波形は、水平転送
クロックφH1の振幅を5V、立ち上がり時間、立ち下
がり時間ともに5ns、コンデンサC(図1参照)の容
量を5pFとした場合のシミュレーション結果である。
FIG. 5 shows the reset gate clock φ for the horizontal transfer clock φH1 when this differentiating circuit is used.
It is a figure which shows the waveform of RG. When obtaining this waveform,
One end of the resistor R (see FIG. 1) of the differentiating circuit is connected to an arbitrary DC bias, and the reset gate clock φRG is clamped to the average value. Further, this waveform is a simulation result when the amplitude of the horizontal transfer clock φH1 is 5 V, both the rising time and the falling time are 5 ns, and the capacitance of the capacitor C (see FIG. 1) is 5 pF.

【0025】図5の波形に示すように、水平転送クロッ
クφH1を利用して微分回路で得られるリセットゲート
クロックφRGは、水平転送クロックφH1の立ち上が
りとともに立ち上がり、その後徐々に下がってきてい
る。また、図1に示す微分回路の抵抗Rと並列に接続さ
れたダイオードDにより、水平転送クロックφH1の立
ち下がりによるリセットゲートクロックφRGのアンダ
ーシュート成分を除去している。
As shown in the waveform of FIG. 5, the reset gate clock φRG obtained by the differentiating circuit using the horizontal transfer clock φH1 rises with the rise of the horizontal transfer clock φH1 and then gradually decreases. Further, the undershoot component of the reset gate clock φRG due to the fall of the horizontal transfer clock φH1 is removed by the diode D connected in parallel with the resistor R of the differentiating circuit shown in FIG.

【0026】このシミュレーション結果では、リセット
ゲートクロックφRGの振幅として約2.8Vが得られ
ている。なお、図5に示すリセットゲートクロックφR
Gでは、約0.5Vのアンダーシュート成分が残ってお
り、出力波形において数10mVのアンダーシュートと
して現れているが、短時間であるため本来の信号電荷を
クランプするCDS動作は可能である。
In this simulation result, the amplitude of the reset gate clock φRG is about 2.8V. The reset gate clock φR shown in FIG.
In G, an undershoot component of about 0.5 V remains and appears as an undershoot of several tens of mV in the output waveform, but since it is a short time, the CDS operation of clamping the original signal charge is possible.

【0027】このように、図1に示すような簡単な微分
回路を用いたリセットゲートクロック生成部10を設け
ることで、タイミング発生回路7にてリセットゲートク
ロックφRGを発生させることなく、水平転送クロック
φH1を利用して必要な波形を得ることが可能となる。
As described above, by providing the reset gate clock generator 10 using a simple differentiating circuit as shown in FIG. 1, the horizontal transfer clock can be generated without generating the reset gate clock φRG in the timing generating circuit 7. It is possible to obtain the required waveform by using φH1.

【0028】つまり、タイミング発生回路7の出力端子
としてリセットゲートクロックφRG用を設ける必要が
なく、また、このリセットゲートクロック生成部10を
基板Sの近くに設けておくことで、タイミング発生回路
7と基板Sとが離れている場合であってもリセットゲー
トクロックφRGを送るために必要な長い配線を引き回
さなくてもよいことになる。
That is, it is not necessary to provide the reset gate clock φRG for the output terminal of the timing generation circuit 7, and by providing the reset gate clock generation unit 10 near the substrate S, the timing generation circuit 7 Even if the substrate S is distant from the substrate S, it is not necessary to lay out the long wiring necessary for sending the reset gate clock φRG.

【0029】次に、本発明の固体撮像装置における第2
実施形態を説明する。図6は第2実施形態における固体
撮像装置を説明する構成図である。第2実施形態の固体
撮像装置は、マトリクス状に配列された光電変換部1
と、垂直列に沿って並ぶ垂直転送レジスタ2とから成る
撮像領域3や、水平転送レジスタ4、電荷検出部5、出
力アンプ6、タイミング発生回路7を備えている点で第
1実施形態と同様であるが、リセットゲートクロック生
成部10が、撮像領域3等を形成する基板Sに内蔵され
ている点で相違する。
Next, the second solid-state image pickup device of the present invention
An embodiment will be described. FIG. 6 is a configuration diagram illustrating a solid-state imaging device according to the second embodiment. The solid-state imaging device according to the second embodiment has a photoelectric conversion unit 1 arranged in a matrix.
And an image pickup area 3 composed of vertical transfer registers 2 arranged along a vertical column, a horizontal transfer register 4, a charge detection unit 5, an output amplifier 6, and a timing generation circuit 7, as in the first embodiment. However, the difference is that the reset gate clock generation unit 10 is built in the substrate S forming the imaging region 3 and the like.

【0030】すなわち、図1で示すリセットゲートクロ
ック生成部10としては、コンデンサCと抵抗Rとを用
いた微分回路およびこれにダイオードDを接続した簡単
な構成であるため、これらを基板S上にパターンとして
形成することも可能である。このようにリセットゲート
クロック生成部10を基板Sに内蔵することで、基板S
にリセットゲートクロックφRGの端子を設ける必要が
無くなり、端子数を削減することが可能となる。
That is, since the reset gate clock generator 10 shown in FIG. 1 has a simple structure in which a differentiating circuit using a capacitor C and a resistor R and a diode D are connected to the differentiating circuit, these are arranged on a substrate S. It can also be formed as a pattern. By thus incorporating the reset gate clock generation unit 10 in the substrate S, the substrate S
Since it is not necessary to provide a terminal for the reset gate clock φRG, it is possible to reduce the number of terminals.

【0031】また、第2実施形態ではリセットゲートク
ロック生成部10が基板Sに内蔵されていることから、
タイミング発生回路7と基板Sとの間の配線数を減らす
ことができ、特に内視鏡など、タイミング発生回路7と
基板Sとを離して設ける必要がある場合に配線の簡素化
を図ることが可能となる。
Further, in the second embodiment, since the reset gate clock generator 10 is built in the substrate S,
The number of wirings between the timing generation circuit 7 and the substrate S can be reduced, and the wirings can be simplified especially when the timing generation circuit 7 and the substrate S need to be provided separately from each other such as an endoscope. It will be possible.

【0032】なお、上記のいずれの実施形態でもリセッ
トゲートクロック生成部10としてコンデンサCと抵抗
Rとから成る微分回路を用いる例を示したが、コンデン
サCや抵抗R以外の素子から成る微分回路を用いてもよ
い。また、アンダーシュート成分を除去するためのダイ
オードDにおいても、ダイオードD以外の他の一方向素
子を用いても同様である。
In each of the above-described embodiments, the example in which the differentiating circuit including the capacitor C and the resistor R is used as the reset gate clock generating section 10 is shown, but a differentiating circuit including elements other than the capacitor C and the resistor R is used. You may use. The same applies to the diode D for removing the undershoot component even if a unidirectional element other than the diode D is used.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
装置によれば次のような効果がある。すなわち、本発明
では、水平転送レジスタを駆動する水平転送クロックを
利用してリセットゲートクロックを生成することから、
タイミング発生部でリセットゲートクロックを発生させ
る必要が無くなり、消費電力の低減およびタイミング発
生部の出力端子の削減を図ることが可能となる。
As described above, the solid-state imaging device according to the present invention has the following effects. That is, in the present invention, since the reset gate clock is generated using the horizontal transfer clock that drives the horizontal transfer register,
It is not necessary to generate the reset gate clock in the timing generation unit, so that it is possible to reduce power consumption and output terminals of the timing generation unit.

【0034】また、リセットゲートクロック生成部を基
板の近くに設けることでタイミング発生部と基板との間
のリセットゲートクロックに関する配線が不要となる。
さらに、リセットゲートクロック生成部を基板に内蔵す
ることで、基板側にリセットゲートクロックの入力端子
を設ける必要が無くなり、基板側での端子数削減と配線
の簡素化を図ることが可能となる。
Further, by providing the reset gate clock generating section near the substrate, wiring for the reset gate clock between the timing generating section and the substrate becomes unnecessary.
Furthermore, by incorporating the reset gate clock generation unit in the substrate, it is not necessary to provide a reset gate clock input terminal on the substrate side, and it is possible to reduce the number of terminals on the substrate side and simplify wiring.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施形態を説明する構成図であ
る。
FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a first embodiment of the present invention.

【図2】断面構造を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure.

【図3】クロックタイミングを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing clock timing.

【図4】ポテンシャルプロファイルを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a potential profile.

【図5】水平転送クロックφH1に対するリセットゲー
トクロックφRGの波形を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a waveform of a reset gate clock φRG with respect to a horizontal transfer clock φH1.

【図6】本発明の第2実施形態を説明する構成図であ
る。
FIG. 6 is a configuration diagram illustrating a second embodiment of the present invention.

【図7】従来例を説明する構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram illustrating a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光電変換部 2 垂直転送レジスタ 3 撮像
領域 4 水平転送レジスタ 5 電荷検出部 6 出力
アンプ 7 タイミング発生回路 10 リセットゲートクロ
ック生成部 C コンデンサ D ダイオード R 抵抗 S
基板
1 Photoelectric Conversion Section 2 Vertical Transfer Register 3 Imaging Area 4 Horizontal Transfer Register 5 Charge Detection Section 6 Output Amplifier 7 Timing Generation Circuit 10 Reset Gate Clock Generation Section C Capacitor D Diode R Resistance S
substrate

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入射光量に応じた信号電荷を蓄積する光
電変換部が垂直方向および水平方向にマトリクス状に複
数配置され、その垂直列ごとに該信号電荷を転送するた
めの垂直転送レジスタが配置されている撮像領域と、 前記垂直転送レジスタから転送されてきた信号電荷を所
定の水平転送クロックにより水平方向に沿って転送する
水平転送レジスタと、 前記水平転送レジスタによって転送されてきた信号電荷
を順次電圧信号に変換する電荷検出部と、 前記水平転送クロックに基づき、前記電荷検出部へ送ら
れた信号電荷をリセットするためのリセットゲートクロ
ックを生成するリセットゲートクロック生成部とを備え
ていることを特徴とする固体撮像装置。
1. A plurality of photoelectric conversion units for accumulating signal charges according to the amount of incident light are arranged in a matrix in the vertical and horizontal directions, and a vertical transfer register for transferring the signal charges is arranged for each vertical column. Image pickup area, a horizontal transfer register that transfers the signal charges transferred from the vertical transfer register along a horizontal direction by a predetermined horizontal transfer clock, and the signal charges transferred by the horizontal transfer register in sequence. A charge detection unit for converting into a voltage signal; and a reset gate clock generation unit for generating a reset gate clock for resetting the signal charge sent to the charge detection unit based on the horizontal transfer clock. A characteristic solid-state imaging device.
【請求項2】 前記リセットゲートクロック生成部とし
て微分回路を用いていることを特徴とする請求項1記載
の固体撮像装置。
2. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein a differentiating circuit is used as the reset gate clock generator.
【請求項3】 前記リセットゲートクロック生成部は、
前記微分回路から出力されるリセットゲートクロックの
パルスにおけるアンダーシュート成分を除去するための
一方向素子を備えていることを特徴とする請求項2記載
の固体撮像装置。
3. The reset gate clock generation unit comprises:
3. The solid-state imaging device according to claim 2, further comprising a unidirectional element for removing an undershoot component in a reset gate clock pulse output from the differentiating circuit.
JP8008863A 1996-01-23 1996-01-23 Solid-state image pickup device Withdrawn JPH09200622A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1351312A2 (en) * 2002-04-04 2003-10-08 Eastman Kodak Company A reset driver circuit disposed on the same substrate as the image sensor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1351312A2 (en) * 2002-04-04 2003-10-08 Eastman Kodak Company A reset driver circuit disposed on the same substrate as the image sensor
EP1351312A3 (en) * 2002-04-04 2009-05-06 Eastman Kodak Company A reset driver circuit disposed on the same substrate as the image sensor

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