JPH09199986A - 弾性表面波装置 - Google Patents

弾性表面波装置

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JPH09199986A
JPH09199986A JP584996A JP584996A JPH09199986A JP H09199986 A JPH09199986 A JP H09199986A JP 584996 A JP584996 A JP 584996A JP 584996 A JP584996 A JP 584996A JP H09199986 A JPH09199986 A JP H09199986A
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acoustic wave
surface acoustic
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Koji Yasuda
幸司 安田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 SAW 共振器を梯子型に接続した弾性表面波装
置において、より効果的に帯域外抑圧レベルの劣化を抑
える。 【解決手段】 圧電性基板と、該圧電性基板上に少なく
とも 2個以上の弾性表面波共振器を並列腕とする梯子型
回路を形成してなる弾性表面波装置において、並列腕を
構成する弾性表面波共振器の接地電極が圧電性基板上に
おいて各々分離されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波装置に
関し、とくに自動車電話や携帯電話などの小型移動体無
線機の高周波段のフィルタに使用される梯子型の弾性表
面波フィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電波を利用する電子機器のフイル
タ、遅延線、発振器等の素子として、多くの弾性表面波
装置が用いられている。とくに、小型・軽量でかつフイ
ルタとしての急峻遮断性能が高い弾性表面波装置は、自
動車電話や携帯電話などの移動体通信分野において、携
帯端末装置の RF 段および IF 段のフイルタとして多用
されるようになってきている。それと共に、通過帯域近
傍の帯域外減衰量などのより厳しい特性改善が望まれて
いる。
【0003】特開昭 63-132515号公報に示されるよう
に、弾性表面波(以下、SAW と略称する)共振器を梯子
型に接続することにより、バンドパスフィルタが構成で
きることが知られている。
【0004】図10に、従来の梯子型の SAWフィルタの
構成図の一例を示す。この例の場合、並列腕共振器が 4
個、直列腕共振器が 3個の場合を示している。図10
(a)は記号化した SAWフィルタの回路であり、図10
(b)は圧電基板上の配置を示したもので、図10
(a)、(b)における梯子型の SAWフィルタ1は、圧
電性基板2上に、入出力間で直列腕の SAW共振器S1、S
2、S3と並列腕の SAW共振器P1、P2、P3、P4とが梯子状
に形成されるものである。また、3はAlあるいはAu等の
材料で構成されたボンディングワイヤーであり、圧電基
板上の電極パターンとパッケージ等の外部配線とを電気
的に接続する機能を有する。なお、 SAW共振器(S1〜S3
・P1〜P4)の電極構造を図11に示す。図11(a)に
おいて、 SAW共振器4は櫛形電極5a、5bが互いにか
み合い状態にあり、両側に反射器6a、6bが配置され
ている。図11(b)は、 SAW共振器4を記号化したも
のである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図10
に示す梯子型回路を有する弾性表面波装置をバンドパス
フィルタとして用いると帯域外抑圧レベルが劣化し、よ
り厳しい周波数特性に適合しないという問題があった。
【0006】本発明は、このような問題に対処するため
になされたもので、SAW 共振器を梯子型に接続した弾性
表面波装置において、より効果的に帯域外抑圧レベルの
劣化を抑えることのできる弾性表面波装置を提供するこ
とを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1の弾性表面波装
置は、圧電性基板と、該圧電性基板上に少なくとも 2個
以上の弾性表面波共振器を並列腕とする梯子型回路を形
成してなる弾性表面波装置において、並列腕を構成する
弾性表面波共振器の接地電極が圧電性基板上において各
々分離されていることを特徴とする。
【0008】請求項2の弾性表面波装置は、圧電性基板
と、該圧電性基板上に少なくとも 2個以上の弾性表面波
共振器を並列腕とする梯子型回路を形成してなる弾性表
面波装置において、並列腕を構成する少なくとも 1個の
弾性表面波共振器と他の弾性表面波共振器とが、梯子型
回路の直列腕を構成する弾性表面波共振器による表面波
の伝搬方向線に対して相互に反対側に配置されたことを
特徴とする。
【0009】図10に示す梯子型回路を有する弾性表面
波装置において、帯域外抑圧レベルが劣化する問題を追
及したところ、並列腕を構成する SAW共振器(P1、P2、
P3、P4)の接地電極が同一圧電基板上で接続されている
ため、ワイヤ3がインダクタンスとして働き、接地電極
の電位が変化し、この接地電極ラインを介して入出力間
を不要信号(図10(a)中のAで示す信号の流れ)が
飛び込み、帯域外抑圧レベルを劣化させていることが分
かった。
【0010】請求項1の弾性表面波装置は、並列腕を構
成する共振器の接地電極を分離することによって、この
不要信号の流れる経路を遮断することにより、帯域外抑
圧レベルを向上させるものである。
【0011】一方、並列腕を構成する共振器の接地電極
を分離した場合においても、弾性表面波装置の設計上、
それら並列腕を構成する弾性表面波共振器を直列腕を構
成する弾性表面波共振器の片側に配置する場合が生じ
る。そのような場合、梯子型弾性表面波の帯域外抑圧レ
ベルがより十分に向上しないことが分かった。
【0012】請求項2の弾性表面波装置は、並列腕を構
成する共振器の少なくとも一つと、その他の並列腕を構
成する共振器とを、直列腕を構成する直線上に配置され
た弾性表面波共振器と反対側に配置することによって、
帯域外抑圧レベルをさらに向上させるものである。
【0013】請求項2の弾性表面波装置の好ましい態様
としては、圧電性基板上に設けられた複数個の直列腕お
よび並列腕の弾性表面波共振器を梯子型回路に接続し、
この梯子型回路の直列腕を構成する弾性表面波共振器が
表面波の伝搬方向に対して垂直に直線上に配置されてお
り、並列腕を構成する弾性表面波共振器の少なくとも一
つと、その他の並列腕を構成する弾性表面波共振器とが
直線上に配置された直列腕を構成する弾性表面波共振器
の反対側にそれぞれ配置される。より好ましい態様とし
ては並列腕を構成する弾性表面波共振器がそれぞれ互い
違いに配置される。
【0014】
【発明の実施の形態】
実施例1 図1に、実施例1の梯子型の弾性表面波装置の構成図を
示す。実施例1では、並列腕共振器が 4個、直列腕共振
器が 3個の場合を示している。図1(a)は記号化した
SAWフィルタの回路であり、図1(b)は圧電性基板上
の配置を示したもので、図1(a)、(b)における梯
子型の SAWフィルタ1は、36°Ycut-X伝搬の LiTaO
3 (リチウムタンタレート)からなる圧電性基板2上
に、入出力間で直列腕の SAW共振器S1、S2、S3と並列腕
の SAW共振器P1、P2、P3、P4とを梯子状に形成して得
た。
【0015】得られた実施例1の弾性表面波装置の周波
数特性を以下の方法で測定した。まず、圧電基板をアッ
センブリするための 9.5mm×9.5mm の大きさの評価用ア
ルミナ50Ω基板を準備する。この評価用アルミナ50Ω基
板上に 3.0mm×2.0mm の大きさの実施例1の弾性表面波
装置をマウントし、図1(b)に示すようにワイヤー3
をボンディングして、圧電基板上ではなく、評価用アル
ミナ50Ω基板上において、接地電極が電気的に接続され
るようにして周波数特性を測定した。その結果を図2に
示す。
【0016】比較例1 図10に示す従来例の弾性表面波装置を用いて実施例1
と同一の方法条件で周波数特性を測定した。その結果を
図3に示す。実施例1の梯子型の SAWフィルタの周波数
特性である図2と従来例の図3とを比較すると、図中の
矢印で示した周波数範囲において、明らかに、図2に示
す帯域外減衰量が図3に示すそれよりも大きく、実施例
1により帯域外抑圧レベルは改善された。
【0017】なお、実施例1においては、並列腕共振器
が 4個、直列腕共振器が 3個の場合の例を示したが、並
列腕共振器が 2個、直列腕共振器が 1個、並列腕共振器
が 3個、直列腕共振器が 4個あるいは並列腕共振器が 5
個、直列腕共振器が 4個の場合も同様であり、並列腕共
振器が 6個までの場合について、同様の効果が得られ
る。
【0018】実施例2 図4および図5に、実施例2の梯子型の弾性表面波装置
の構成図を示す。この実施例では、直列腕共振器が 4
個、並列腕共振器が 5個の場合を示している。図4は記
号化した SAWフィルタの回路であり、図5は圧電性基板
上の配置を示したものである。梯子型の SAWフィルタ1
は、36°Ycut-X伝搬の LiTaO3 (リチウムタンタレー
ト)からなる圧電基板2上に、入出力間で直列腕の SAW
共振器S1、S2、S3、S4と並列腕の SAW共振器P1、P2、P
3、P4、P5とを梯子状に形成して得た。実施例1と同一
の方法条件で実施例2の弾性表面波装置の周波数特性を
測定した。その結果を図6に示す。
【0019】実施例3 図7および図8に、実施例3の梯子型の弾性表面波装置
の構成図を示す。この実施例では、直列腕の共振器S1、
S2、S3、S4が 4個、並列腕の共振器P1、P2、P3、P4、P5
が 5個の場合を示している。図7は記号化した SAWフィ
ルタ1の回路であり、図8は36°Ycut-X伝搬の LiTaO3
(リチウムタンタレート)からなる圧電基板2上の配置
を示したものである。実施例1と同一の方法条件で周波
数特性を測定した。その結果を図9に示す。
【0020】実施例2および実施例3の梯子型の SAWフ
ィルタの周波数特性である図6および図9と従来例の図
3とを比較すると、図中の矢印で示した周波数範囲にお
いて、明らかに、図6および図9に示す帯域外減衰量が
図3に示すそれよりも大きく、実施例2および実施例3
により帯域外抑圧レベルは改善された。
【0021】さらに、図6と図9とを比較すると、図9
に示す帯域外減衰量が図6に示すそれよりも大きく、実
施例3は、より帯域外抑圧レベルが改善されていること
が分かった。実施例2と実施例3とを比較した場合、実
施例2にみられる隣接した並列腕を構成する SAW共振器
(P1〜P5)間あるいは SAW共振器からパッケージ等の外
部配線の接地端子に接続されたワイヤー3間によって生
ずる不要信号(図5中のB、Cで示す信号の流れ)の飛
び込みがない分だけ、実施例3の梯子型弾性表面波装置
は帯域外抑圧レベルがより向上したものと考えられる。
【0022】なお、実施例2および実施例3において
は、並列腕共振器が 5個、直列腕共振器が 4個の場合の
例を示したが、並列腕共振器が 2個、直列腕共振器が 1
個、並列腕共振器が 3個、直列腕共振器が 4個あるいは
並列腕共振器が 4個、直列腕共振器が 5個の場合も同様
であり、並列腕共振器が 6個までの場合について、同様
の効果が得られる。
【0023】
【発明の効果】請求項1の弾性表面波装置は、梯子型回
路を形成してなる弾性表面波装置において、並列腕を構
成する弾性表面波共振器の接地電極が各々分離されてい
るので、帯域外抑圧レベル劣化を防ぐことができる。そ
の結果、弾性表面波装置の製造に際して製造歩留りを向
上させることができる。
【0024】請求項2の弾性表面波装置は、梯子型回路
を形成してなる弾性表面波装置において、並列腕を構成
する弾性表面波共振器が直列腕を構成する弾性表面波共
振器による表面波の伝搬方向線に対して相互に反対側に
配置されるので、帯域外抑圧レベル劣化をより防ぐこと
ができる。その結果、弾性表面波装置の製造に際して製
造歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1の弾性表面波装置の構成図である。
【図2】実施例1の弾性表面波装置の周波数特性図であ
る。
【図3】比較例1の弾性表面波装置の周波数特性図であ
る。
【図4】実施例2の弾性表面波装置における記号化した
SAWフィルタの回路図である。
【図5】実施例2の弾性表面波装置における圧電性基板
上の配置図である。
【図6】実施例2の弾性表面波装置の周波数特性図であ
る。
【図7】実施例3の弾性表面波装置における記号化した
SAWフィルタの回路図である。
【図8】実施例3の弾性表面波装置における圧電性基板
上の配置図である。
【図9】実施例3の弾性表面波装置の周波数特性図であ
る。
【図10】比較例1の弾性表面波装置の構成図である。
【図11】SAW共振器の電極構造図である。
【符号の説明】
1…… SAWフィルタ、2……圧電性基板、3……ボンデ
ィングワイヤー、4…… SAW共振器、5a、5b……櫛
形電極、6a、6b……反射器。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧電性基板と、該圧電性基板上に少なく
    とも 2個以上の弾性表面波共振器を並列腕とする梯子型
    回路を形成してなる弾性表面波装置において、 前記並列腕を構成する弾性表面波共振器の接地電極が前
    記圧電性基板上において各々分離されていることを特徴
    とする弾性表面波装置。
  2. 【請求項2】 圧電性基板と、該圧電性基板上に少なく
    とも 2個以上の弾性表面波共振器を並列腕とする梯子型
    回路を形成してなる弾性表面波装置において、 前記並列腕を構成する少なくとも 1個の弾性表面波共振
    器と前記並列腕を構成する他の弾性表面波共振器とが、
    前記梯子型回路の直列腕を構成する弾性表面波共振器に
    よる表面波の伝搬方向線に対して相互に反対側に配置さ
    れたことを特徴とする弾性表面波装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6943649B2 (en) * 2002-08-29 2005-09-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave filter with a ground pattern partially surrounding a signal pad and communication device using same
US7030716B2 (en) 2003-04-28 2006-04-18 Fujitsu Media Devices Limited Duplexer having two surface acoustic wave filters on one substrate
KR100712160B1 (ko) * 2005-05-25 2007-04-27 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 탄성파 필터 및 탄성파 분파기

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US7030716B2 (en) 2003-04-28 2006-04-18 Fujitsu Media Devices Limited Duplexer having two surface acoustic wave filters on one substrate
KR100712160B1 (ko) * 2005-05-25 2007-04-27 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 탄성파 필터 및 탄성파 분파기

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