JPH09199733A - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体素子及びその製造方法Info
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- JPH09199733A JPH09199733A JP452896A JP452896A JPH09199733A JP H09199733 A JPH09199733 A JP H09199733A JP 452896 A JP452896 A JP 452896A JP 452896 A JP452896 A JP 452896A JP H09199733 A JPH09199733 A JP H09199733A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ダイオードの高周波化（１００kHz 以上）を再
現性，量産性，制御性良く、かつ他の特性（耐圧，オン
電圧，逆方向リーク電流等）の低下なく達成する。 【解決手段】ｐ＋ｎ接合において、ｐ＋層中及びｐｎ接
合近傍には白金をドーピングし、ｎ層中には金をドーピ
ングして、ライフタイムを制御する。 【効果】白金の低リーク性，金の低オン電圧性により、
高性能の高周波ダイオードが実現できる。
現性，量産性，制御性良く、かつ他の特性（耐圧，オン
電圧，逆方向リーク電流等）の低下なく達成する。 【解決手段】ｐ＋ｎ接合において、ｐ＋層中及びｐｎ接
合近傍には白金をドーピングし、ｎ層中には金をドーピ
ングして、ライフタイムを制御する。 【効果】白金の低リーク性，金の低オン電圧性により、
高性能の高周波ダイオードが実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高速スイッチング用
および高周波高圧整流用ダイオードに係り、特にライフ
タイムキラーのドーピング方法に関する。
および高周波高圧整流用ダイオードに係り、特にライフ
タイムキラーのドーピング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイオード等の半導体素子のスイッチン
グ速度の向上には、蓄積電荷量を少なくすること、即
ち、少数キャリアのライフタイムを短くすることが必要
である。しかし、ライフタイムを短くすると導通状態の
損失が大きくなったり、逆方向のリーク電流が大きくな
ったりする問題がある。このため素子に合ったライフタ
イム制御方法が種々使い分けられている。
グ速度の向上には、蓄積電荷量を少なくすること、即
ち、少数キャリアのライフタイムを短くすることが必要
である。しかし、ライフタイムを短くすると導通状態の
損失が大きくなったり、逆方向のリーク電流が大きくな
ったりする問題がある。このため素子に合ったライフタ
イム制御方法が種々使い分けられている。
【０００３】重金属の拡散に関しては、種々の方法が知
られている。
られている。
【０００４】特公昭55−28235 号等にはシリコンダイオ
ードの積層体の高圧ダイオードに白金をドーピングする
ことが開示されている。米国特許公報（ＵＳＰ）3,640,
783号，特公昭48−28108 号等には白金，金，鉄等の拡
散の温度や冷却法，濃度が規定されている。
ードの積層体の高圧ダイオードに白金をドーピングする
ことが開示されている。米国特許公報（ＵＳＰ）3,640,
783号，特公昭48−28108 号等には白金，金，鉄等の拡
散の温度や冷却法，濃度が規定されている。
【０００５】特開昭55−63869号，特開昭59−72732号等
には２種類の重金属をドーピングにより、ライフタイム
の制御性の向上や素子の温度特性の改善が開示されてい
る。
には２種類の重金属をドーピングにより、ライフタイム
の制御性の向上や素子の温度特性の改善が開示されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来例では半導
体素子の高速化には限界があり、超高速化と耐圧や逆方
向のリーク電流、特に高温でのリーク電流，オン電圧等
のトレードオフについては考慮されていない。
体素子の高速化には限界があり、超高速化と耐圧や逆方
向のリーク電流、特に高温でのリーク電流，オン電圧等
のトレードオフについては考慮されていない。
【０００７】本発明の目的は、逆回復時の蓄積時間を１
００ｎｓ以下、望ましくは３５ｎｓ以下の超高速素子を
他の特性を損なうことなく、かつ制御性・再現性良く、
また容易に製造するためのライフタイムキラーのドーピ
ング方法を提供することにある。
００ｎｓ以下、望ましくは３５ｎｓ以下の超高速素子を
他の特性を損なうことなく、かつ制御性・再現性良く、
また容易に製造するためのライフタイムキラーのドーピ
ング方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は重金属のドー
ピングを以下の様にすることにより達成される。
ピングを以下の様にすることにより達成される。
【０００９】図３（ａ)，(ｂ）はダイオードのｐｎ接合
の導通状態および阻止状態の断面模式図を、（ｃ）はダ
イオードの逆回復特性を示す。ｐｎ接合の順方向に電圧
を印加した場合は、カソード側から電子が、アノード側
からホールが注入されて導通状態となる。この時、結晶
中に蓄積された電荷が多いほど電流が流れやすくなり導
通時の損失（オン電圧）を小さくできる。一方、印加電
圧が逆方向に変化し、導通状態から阻止状態にするため
には、結晶中のキャリアを一旦全てはきだすことが必要
である。導通状態から阻止状態に移行する初期の段階で
は、電子とホールは導通状態とは反対の方向に引き寄せ
られ、順方向電流が減少した後一旦逆方向電流が流れ、
その後阻止状態となる。この逆方向電流が消滅して阻止
状態になるまでの時間（逆回復時間）を決めているのが
蓄積電荷量、即ちキャリアのライフタイムである。
の導通状態および阻止状態の断面模式図を、（ｃ）はダ
イオードの逆回復特性を示す。ｐｎ接合の順方向に電圧
を印加した場合は、カソード側から電子が、アノード側
からホールが注入されて導通状態となる。この時、結晶
中に蓄積された電荷が多いほど電流が流れやすくなり導
通時の損失（オン電圧）を小さくできる。一方、印加電
圧が逆方向に変化し、導通状態から阻止状態にするため
には、結晶中のキャリアを一旦全てはきだすことが必要
である。導通状態から阻止状態に移行する初期の段階で
は、電子とホールは導通状態とは反対の方向に引き寄せ
られ、順方向電流が減少した後一旦逆方向電流が流れ、
その後阻止状態となる。この逆方向電流が消滅して阻止
状態になるまでの時間（逆回復時間）を決めているのが
蓄積電荷量、即ちキャリアのライフタイムである。
【００１０】蓄積電荷量の内容を詳細に見ると、初期の
大きなピークの原因はｐ層から注入されるキャリア及び
ｐｎ接合近傍の蓄積キャリアであり、終盤のなだらかな
回復の原因は主としてｎ層内部に残存するホールに起因
するものである。それ故、逆回復時間を短縮させるため
にはそれぞれの蓄積電荷量を適確に調整することが必要
である。
大きなピークの原因はｐ層から注入されるキャリア及び
ｐｎ接合近傍の蓄積キャリアであり、終盤のなだらかな
回復の原因は主としてｎ層内部に残存するホールに起因
するものである。それ故、逆回復時間を短縮させるため
にはそれぞれの蓄積電荷量を適確に調整することが必要
である。
【００１１】ライフタイムキラーとしては、金，白金，
鉄等の重金属のドーピングが最も一般的である。これは
拡散法が簡単で量産に適しており、また素子特性との関
連が良く知られているからである。放射線照射による方
法は、微量なコントロールが容易であり、選択的なドー
ピングが可能であるが、ドーピングに高電圧の電子線や
粒子線を用いるため、高価で複雑な照射設備を必要とす
るため、特殊な用途に限定される。
鉄等の重金属のドーピングが最も一般的である。これは
拡散法が簡単で量産に適しており、また素子特性との関
連が良く知られているからである。放射線照射による方
法は、微量なコントロールが容易であり、選択的なドー
ピングが可能であるが、ドーピングに高電圧の電子線や
粒子線を用いるため、高価で複雑な照射設備を必要とす
るため、特殊な用途に限定される。
【００１２】それぞれ重金属のライフタイムキラーとし
ての特徴は次のとおりである。
ての特徴は次のとおりである。
【００１３】金ドーピングの最大の特徴はオン電圧の増
加を抑えて、高速化が可能なことである。しかし、逆方
向のリーク電流が増大してしまうことが欠点であり、特
に高温動作時のリーク電流が大きい。また、シリコンの
抵抗率の補償効果（金ドーピングにより抵抗率が増大す
る割合）は白金の場合より大きい。シリコン中の拡散は
固溶度は大きいが拡散は遅い格子点置換型拡散と、その
反対に固溶度は小さいが拡散は早い格子間型拡散、それ
らの中間の空格子点を経由したり、格子間を拡散しつつ
格子点に置換する拡散形態がある。シリコン酸化膜は拡
散のマスク効果を有する。一方、シリコン酸化膜がない
状態では、金はシリコン表面を極めて高速で拡散（マイ
グレーション）し、シリコン基板全表面から拡散してい
く。上記の拡散現象のためシリコン中の金の濃度分布
は、大別して、表面付近の高濃度の浅い拡散層と、低濃
度でなだらかな勾配の深い拡散層となる。なお、従来、
シリコン結晶中の金拡散の濃度分布は、表面付近の高濃
度の浅い拡散層と、結晶中央部はほぼ均一な低濃度の拡
散層となる報告があるが、高品位無転位結晶では、拡散
則に従う分布が得られる。
加を抑えて、高速化が可能なことである。しかし、逆方
向のリーク電流が増大してしまうことが欠点であり、特
に高温動作時のリーク電流が大きい。また、シリコンの
抵抗率の補償効果（金ドーピングにより抵抗率が増大す
る割合）は白金の場合より大きい。シリコン中の拡散は
固溶度は大きいが拡散は遅い格子点置換型拡散と、その
反対に固溶度は小さいが拡散は早い格子間型拡散、それ
らの中間の空格子点を経由したり、格子間を拡散しつつ
格子点に置換する拡散形態がある。シリコン酸化膜は拡
散のマスク効果を有する。一方、シリコン酸化膜がない
状態では、金はシリコン表面を極めて高速で拡散（マイ
グレーション）し、シリコン基板全表面から拡散してい
く。上記の拡散現象のためシリコン中の金の濃度分布
は、大別して、表面付近の高濃度の浅い拡散層と、低濃
度でなだらかな勾配の深い拡散層となる。なお、従来、
シリコン結晶中の金拡散の濃度分布は、表面付近の高濃
度の浅い拡散層と、結晶中央部はほぼ均一な低濃度の拡
散層となる報告があるが、高品位無転位結晶では、拡散
則に従う分布が得られる。
【００１４】白金ドーピングの特徴は、逆方向のリーク
電流を増大させることなく、高速化が可能なことであ
る。しかし、オン電圧が大きくなる欠点がある。シリコ
ン中への拡散現象は金の場合とほぼ同様である。同一の
ライフタイムを得るためには、金よりも白金の方が高温
の拡散が必要である。
電流を増大させることなく、高速化が可能なことであ
る。しかし、オン電圧が大きくなる欠点がある。シリコ
ン中への拡散現象は金の場合とほぼ同様である。同一の
ライフタイムを得るためには、金よりも白金の方が高温
の拡散が必要である。
【００１５】このため、ダイオードのｐｎ接合近傍には
リーク電流を劣化させない白金で、ｎ層にはオン電圧を
劣化させない金でライフタイムを制御することが効果的
となる。
リーク電流を劣化させない白金で、ｎ層にはオン電圧を
劣化させない金でライフタイムを制御することが効果的
となる。
【００１６】シリコン結晶中へ金と白金を選択拡散させ
るためには、シリコン酸化膜をマスクとしてそれぞれを
拡散させれば可能となる。アノード面に白金を、カソー
ド面に金を蒸着やスパッタリングでコーティングした
り、イオン打ち込みした後、シリコン全表面をシリコン
酸化膜で被覆して熱処理することにより達成される。し
かし、この方法では、両者の濃度を正確に制御すること
は難しく、金，白金をそれぞれ順次拡散させることが必
要となる。シリコン基板のそれぞれの主面に白金または
金を含有するシリコン酸化膜系被膜形成用塗布液を塗布
して熱処理する方法は制御性良くかつ簡単な工程で選択
拡散できる。これは、塗布液中の金および白金の含有量
を選定することにより、金または白金のシリコン中への
拡散が始まると、シリコン表面との界面の塗布液中の金
または白金は消費され、塗布液はガラス質となると同時
に極く薄いシリコン酸化膜マスクと同様に作用するため
である。金または白金の含有量が少なく、拡散温度が高
いほどマスク作用が顕著となり、選択拡散が達成でき
る。
るためには、シリコン酸化膜をマスクとしてそれぞれを
拡散させれば可能となる。アノード面に白金を、カソー
ド面に金を蒸着やスパッタリングでコーティングした
り、イオン打ち込みした後、シリコン全表面をシリコン
酸化膜で被覆して熱処理することにより達成される。し
かし、この方法では、両者の濃度を正確に制御すること
は難しく、金，白金をそれぞれ順次拡散させることが必
要となる。シリコン基板のそれぞれの主面に白金または
金を含有するシリコン酸化膜系被膜形成用塗布液を塗布
して熱処理する方法は制御性良くかつ簡単な工程で選択
拡散できる。これは、塗布液中の金および白金の含有量
を選定することにより、金または白金のシリコン中への
拡散が始まると、シリコン表面との界面の塗布液中の金
または白金は消費され、塗布液はガラス質となると同時
に極く薄いシリコン酸化膜マスクと同様に作用するため
である。金または白金の含有量が少なく、拡散温度が高
いほどマスク作用が顕著となり、選択拡散が達成でき
る。
【００１７】
（実施例１）図１は本発明の方法による高周波高耐圧整
流用ダイオードの製造プロセスを示す断面模式図であ
る。
流用ダイオードの製造プロセスを示す断面模式図であ
る。
【００１８】（ａ）製法ＦＺ，導電型ｎ型，抵抗率３０
〜４０Ω−cm，厚み３１０μｍ、の無転位シリコン単結
晶１を準備する。
〜４０Ω−cm，厚み３１０μｍ、の無転位シリコン単結
晶１を準備する。
【００１９】（ｂ）両主表面よりリンを拡散させ、ｎ＋
層１１・ｎ層１０・ｎ＋層１２の三層構造とする。拡散
はオキシ三塩化リンを拡散ソースとし、１１００℃，
５.５時間である。
層１１・ｎ層１０・ｎ＋層１２の三層構造とする。拡散
はオキシ三塩化リンを拡散ソースとし、１１００℃，
５.５時間である。
【００２０】（ｃ）一主表面のｎ＋拡散層１１を研磨除
去する。
去する。
【００２１】（ｄ）両主表面よりボロンを拡散させ、ｐ
＋層１３・ｎ層１０・ｎ＋層１２の三層構造とする。拡
散はボロンナイトライド（ＢＮ）を拡散ソースとした、
1000℃，２.５ 時間のプレデポジションと１２５０℃，
２５時間のドライブイン拡散の２ステップ法である。こ
の時、リン拡散層１２はシリコン表面で１×１０20／cm
3 以上と高濃度のためそのままｎ＋型が保たれ拡散深さ
は５９μｍであり、ボロン拡散層１３は表面濃度１×１
０19／cm3 ，拡散深さは５０μｍである。
＋層１３・ｎ層１０・ｎ＋層１２の三層構造とする。拡
散はボロンナイトライド（ＢＮ）を拡散ソースとした、
1000℃，２.５ 時間のプレデポジションと１２５０℃，
２５時間のドライブイン拡散の２ステップ法である。こ
の時、リン拡散層１２はシリコン表面で１×１０20／cm
3 以上と高濃度のためそのままｎ＋型が保たれ拡散深さ
は５９μｍであり、ボロン拡散層１３は表面濃度１×１
０19／cm3 ，拡散深さは５０μｍである。
【００２２】（ｅ）ボロン拡散層の表面には白金を０.
３１％ 含有したシリコン酸化膜系塗布液１４を、リン
拡散層の表面には金を０.２５％ 含有したシリコン酸化
膜系塗布液１５を順次スピンナーでコーティングし、２
００℃の恒温槽でベーキングし有機溶剤を蒸発させる。
この時、それぞれの膜厚は０.１５μｍ である。
３１％ 含有したシリコン酸化膜系塗布液１４を、リン
拡散層の表面には金を０.２５％ 含有したシリコン酸化
膜系塗布液１５を順次スピンナーでコーティングし、２
００℃の恒温槽でベーキングし有機溶剤を蒸発させる。
この時、それぞれの膜厚は０.１５μｍ である。
【００２３】白金及び金の拡散は９１５℃，１０min ，
窒素気流中であり、拡散後は炉からアルミニウムプレー
トの上に取り出し急冷させる。
窒素気流中であり、拡散後は炉からアルミニウムプレー
トの上に取り出し急冷させる。
【００２４】図２にシリコン結晶中の不純物の濃度分布
を示す。金と白金の分布は放射化分析により測定でき
る。金はｎ型基板中においては、２×１０14／cm3 から
５×１０13／cm3 となだらかな勾配で選択拡散されてい
る。白金はボロン拡散層内では（５〜２）×１０13／cm
3であるが、ｎ型基板中においては、２×１０13／cm3の
分析の検出感度以下（点線）であり、やはり選択拡散さ
れていることが判る。 （ｆ）シリコンの両主面のシリコン酸化膜をエッチング
除去してから、厚み０.５μｍ のニッケル１６をめっき
で形成し、最高温度６７０℃でシンタリングさせる。
を示す。金と白金の分布は放射化分析により測定でき
る。金はｎ型基板中においては、２×１０14／cm3 から
５×１０13／cm3 となだらかな勾配で選択拡散されてい
る。白金はボロン拡散層内では（５〜２）×１０13／cm
3であるが、ｎ型基板中においては、２×１０13／cm3の
分析の検出感度以下（点線）であり、やはり選択拡散さ
れていることが判る。 （ｆ）シリコンの両主面のシリコン酸化膜をエッチング
除去してから、厚み０.５μｍ のニッケル１６をめっき
で形成し、最高温度６７０℃でシンタリングさせる。
【００２５】（ｇ）上記シリコン基板を１３枚半田１７
で積層した後、ダイシングする。
で積層した後、ダイシングする。
【００２６】（ｈ）銅リード１８にマウントし、端面を
エッチングして清浄化した後、ポリイミド膜１９をコー
ティングし、エポキシ樹脂２０でモールドする。
エッチングして清浄化した後、ポリイミド膜１９をコー
ティングし、エポキシ樹脂２０でモールドする。
【００２７】この結果、逆回復時間は最大でも４０ｎｓ
（ＩF ＝２ｍＡ，Ｉrp＝５ｍＡ）が得られ、その他、耐
圧８ｋＶ，平均順電流１ｍＡ（１００kHz ）である。
（ＩF ＝２ｍＡ，Ｉrp＝５ｍＡ）が得られ、その他、耐
圧８ｋＶ，平均順電流１ｍＡ（１００kHz ）である。
【００２８】なお、これと同等の逆回復時間を得るため
には、白金のみの拡散では、拡散温度９８５℃が必要で
あり、急冷により結晶欠陥を引き起こすため、耐圧歩留
りの低下やリーク電流不良を発生させる。結晶欠陥の発
生を防止するため白金拡散後の冷却速度をゆっくりにす
ると、逆回復時間を短縮できずまたばらつきも大きくな
る。
には、白金のみの拡散では、拡散温度９８５℃が必要で
あり、急冷により結晶欠陥を引き起こすため、耐圧歩留
りの低下やリーク電流不良を発生させる。結晶欠陥の発
生を防止するため白金拡散後の冷却速度をゆっくりにす
ると、逆回復時間を短縮できずまたばらつきも大きくな
る。
【００２９】（実施例２）４００Ｖ，１Ａ，２５ｎｓの
高速スイッチング用ダイオードの例を実施例１と対比し
て示す。
高速スイッチング用ダイオードの例を実施例１と対比し
て示す。
【００３０】（ａ）シリコン基板は、製法ＣＺ，導電型
ｎ型，抵抗率１０〜１５Ω−cm，厚み２７０μｍ、の無
転位単結晶である。
ｎ型，抵抗率１０〜１５Ω−cm，厚み２７０μｍ、の無
転位単結晶である。
【００３１】（ｂ)，(ｃ）リン拡散と片面研磨は実施例
１と同様である。
１と同様である。
【００３２】（ｄ）ボロン拡散の条件は、１０００℃，
２時間のプレデポジションと1250℃，５時間のドライブ
イン拡散である。リン拡散層の表面濃度は１×１０20／
cm3，拡散深さは４５μｍであり、ボロン拡散層は表面
濃度３×１０19／cm3 ，拡散深さは４０μｍである。
２時間のプレデポジションと1250℃，５時間のドライブ
イン拡散である。リン拡散層の表面濃度は１×１０20／
cm3，拡散深さは４５μｍであり、ボロン拡散層は表面
濃度３×１０19／cm3 ，拡散深さは４０μｍである。
【００３３】（ｅ）ボロン拡散層の表面には白金を０.
５％ 含有したシリコン酸化膜系塗布液を、リン拡散層
の表面には金を０.２５％ 含有したシリコン酸化膜系塗
布液を順次スピンナーでコーティングし、２００℃の恒
温槽でベーキングし有機溶剤を蒸発させる。この時、そ
れぞれの膜厚は０.１５μｍ である。実施例１に比べて
塗布液中の白金濃度を高めるのは、より高速化するため
であり、金濃度はシリコン基板およびゲッタリング効果
の強い高濃度リン拡散層の厚みが薄いので実効的に高濃
度となる。
５％ 含有したシリコン酸化膜系塗布液を、リン拡散層
の表面には金を０.２５％ 含有したシリコン酸化膜系塗
布液を順次スピンナーでコーティングし、２００℃の恒
温槽でベーキングし有機溶剤を蒸発させる。この時、そ
れぞれの膜厚は０.１５μｍ である。実施例１に比べて
塗布液中の白金濃度を高めるのは、より高速化するため
であり、金濃度はシリコン基板およびゲッタリング効果
の強い高濃度リン拡散層の厚みが薄いので実効的に高濃
度となる。
【００３４】（ｆ）白金及び金の拡散は実施例１と同様
である。
である。
【００３５】（ｇ）電極はアルミニウムを厚み５〜１０
μｍスパッタリングで形成する。
μｍスパッタリングで形成する。
【００３６】（ｈ）大きさ１.１mmφ にペレタイジング
する。
する。
【００３７】（ｉ）銅リード付モリブデン支持電極に合
金接着し、端面をエッチングして清浄化した後、亜鉛ボ
ロシリケートガラススラリーを６８０℃で焼成し、パッ
シベーションを兼ねてモールドする。
金接着し、端面をエッチングして清浄化した後、亜鉛ボ
ロシリケートガラススラリーを６８０℃で焼成し、パッ
シベーションを兼ねてモールドする。
【００３８】この結果、逆回復時間は最大でも２５ｎｓ
（ＩF＝０.５Ａ，Ｉrp＝１.０Ａ ）が得られ、その他、
耐圧４００Ｖ，平均順電流１.０Ａ(２００kHz ），オン
電圧１.１Ｖ ，最大リーク電流２μＡである。
（ＩF＝０.５Ａ，Ｉrp＝１.０Ａ ）が得られ、その他、
耐圧４００Ｖ，平均順電流１.０Ａ(２００kHz ），オン
電圧１.１Ｖ ，最大リーク電流２μＡである。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、従来よりも高周波のダ
イオードが、その他の素子特性を損なうことなく、簡単
なプロセスで高精度で再現性良く製造でき、ディスプレ
イや電源の高性能化に寄与するところ大である。
イオードが、その他の素子特性を損なうことなく、簡単
なプロセスで高精度で再現性良く製造でき、ディスプレ
イや電源の高性能化に寄与するところ大である。
【図１】本発明による高速ダイオードの製造プロセスを
示す断面模式図。
示す断面模式図。
【図２】本発明によるシリコン結晶中の金及び白金の濃
度分布を示すグラフ。
度分布を示すグラフ。
【図３】ダイオードの逆回復特性と断面構造の関係の説
明図。
明図。
１…シリコン単結晶、１０…ｎ層、１１，１２…ｎ＋
層、１４…白金含有シリコン酸化膜系塗布液、１５…金
含有シリコン酸化膜系塗布液。
層、１４…白金含有シリコン酸化膜系塗布液、１５…金
含有シリコン酸化膜系塗布液。
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも１つのｐ＋ｎ接合を有するシリ
コン半導体素子において、ｐ＋層中およびｐ＋ｎ接合近
傍には主として白金を、ｎ層中には主として金をドーピ
ングしたことを特徴とする半導体素子。 - 【請求項２】少なくとも１つのｐ＋ｎ接合を有するシリ
コン半導体素子において、ｐ＋層（アノード）側から白
金を、ｎ層（カソード）側から金を拡散させることを特
徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項３】請求項３において、白金及び金の拡散は、
シリコン基板のそれぞれの主面に白金または金を含有す
るシリコン酸化膜系被膜形成用塗布液を塗布して熱処理
することにより拡散させることを特徴とする半導体素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP452896A JPH09199733A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 半導体素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP452896A JPH09199733A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 半導体素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199733A true JPH09199733A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11586557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP452896A Pending JPH09199733A (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH09199733A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424201B2 (en) | 2000-05-31 | 2002-07-23 | Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. | Diode element circuit and switch circuit using the same |
| CN113284938A (zh) * | 2020-02-19 | 2021-08-20 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
| CN115458583A (zh) * | 2022-09-01 | 2022-12-09 | 扬州国宇电子有限公司 | 一种快恢复二极管的金铂双掺杂方法 |
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1996
- 1996-01-16 JP JP452896A patent/JPH09199733A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424201B2 (en) | 2000-05-31 | 2002-07-23 | Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. | Diode element circuit and switch circuit using the same |
| CN113284938A (zh) * | 2020-02-19 | 2021-08-20 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
| JP2021132082A (ja) * | 2020-02-19 | 2021-09-09 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| CN113284938B (zh) * | 2020-02-19 | 2024-09-06 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
| CN115458583A (zh) * | 2022-09-01 | 2022-12-09 | 扬州国宇电子有限公司 | 一种快恢复二极管的金铂双掺杂方法 |
| CN115458583B (zh) * | 2022-09-01 | 2023-12-08 | 扬州国宇电子有限公司 | 一种快恢复二极管的金铂双掺杂方法 |
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