JPH09198621A - 直列磁束ガイドを備えた高感度磁気抵抗センサ - Google Patents
直列磁束ガイドを備えた高感度磁気抵抗センサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 空気軸受面（ＡＢＳ）に対して垂直であり、
かつＡＢＳと平行な磁化容易軸を有するＭＲ感知素子を
有する直交磁気抵抗（ＭＲ）読取りセンサを提供する。 【解決手段】 ＭＲセンサはさらに、それぞれＭＲ感知
素子の下部及び上部と直列な上部磁束ガイド及び下部磁
束ガイドを有する。下部磁束ガイドは、ＡＢＳから垂直
に延びる。下部リード及び上部リードは、ＭＲ感知素子
に感知電流を流すために、それぞれ間隔を置いて下部磁
束ガイド及び上部磁束ガイドに接続される。ＭＲ感知素
子と下部リードは、感知素子と下部リードの間に配置さ
れた絶縁層によって互いに電気絶縁される。感知素子を
下部リードから電気的に絶縁することによって、感知素
子の感知効率が下部リードのサイズと無関係になり、そ
れにより、直交ＭＲセンサの性能と製造性が改善され
る。
かつＡＢＳと平行な磁化容易軸を有するＭＲ感知素子を
有する直交磁気抵抗（ＭＲ）読取りセンサを提供する。 【解決手段】 ＭＲセンサはさらに、それぞれＭＲ感知
素子の下部及び上部と直列な上部磁束ガイド及び下部磁
束ガイドを有する。下部磁束ガイドは、ＡＢＳから垂直
に延びる。下部リード及び上部リードは、ＭＲ感知素子
に感知電流を流すために、それぞれ間隔を置いて下部磁
束ガイド及び上部磁束ガイドに接続される。ＭＲ感知素
子と下部リードは、感知素子と下部リードの間に配置さ
れた絶縁層によって互いに電気絶縁される。感知素子を
下部リードから電気的に絶縁することによって、感知素
子の感知効率が下部リードのサイズと無関係になり、そ
れにより、直交ＭＲセンサの性能と製造性が改善され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、磁気媒体
に記録された信号を読み取るための磁気抵抗読取りセン
サに関し、より詳細には、直列磁束ガイドを備えた改良
型直交磁気抵抗読取りセンサに関する。
に記録された信号を読み取るための磁気抵抗読取りセン
サに関し、より詳細には、直列磁束ガイドを備えた改良
型直交磁気抵抗読取りセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗（ＭＲ）読取りセンサ（ヘッ
ド）は、磁気ディスクの磁性表面からデータを、大きな
線密度で読み取ることができることが判明している。Ｍ
Ｒセンサは、そのＭＲ感知素子（「ＭＲ層」や「ＭＲ材
料」とも呼ばれる）の抵抗の変化により、磁界をＭＲ感
知素子が感知する磁束の強さと方向の関数として検出す
る。ＭＲ読取りセンサは、次のようないくつかの理由で
極めて興味深い。すなわち、ＭＲセンサの固有ノイズ
は、誘導センサの固有ノイズよりも低く、それにより信
号対雑音比（Ｓ／Ｎ）性能が改善される。また、ＭＲセ
ンサは、磁束の時間変化ｄΦ／ｄｔを感知する誘導ヘッ
ドと比較して磁束（Φ）自体を感知するために、媒体上
に記録された信号の再生をＭＲセンサと媒体の相対速度
とは無関係にすることができる。また、ＭＲセンサは、
ギガヘルツ（ｇＨｚ）領域の帯域幅を有し、１平方イン
チ当り１ギガビットを十分に越える面積記憶密度が可能
になる。
ド）は、磁気ディスクの磁性表面からデータを、大きな
線密度で読み取ることができることが判明している。Ｍ
Ｒセンサは、そのＭＲ感知素子（「ＭＲ層」や「ＭＲ材
料」とも呼ばれる）の抵抗の変化により、磁界をＭＲ感
知素子が感知する磁束の強さと方向の関数として検出す
る。ＭＲ読取りセンサは、次のようないくつかの理由で
極めて興味深い。すなわち、ＭＲセンサの固有ノイズ
は、誘導センサの固有ノイズよりも低く、それにより信
号対雑音比（Ｓ／Ｎ）性能が改善される。また、ＭＲセ
ンサは、磁束の時間変化ｄΦ／ｄｔを感知する誘導ヘッ
ドと比較して磁束（Φ）自体を感知するために、媒体上
に記録された信号の再生をＭＲセンサと媒体の相対速度
とは無関係にすることができる。また、ＭＲセンサは、
ギガヘルツ（ｇＨｚ）領域の帯域幅を有し、１平方イン
チ当り１ギガビットを十分に越える面積記憶密度が可能
になる。
【０００３】現在利用されている、あるいは開発中のＭ
Ｒセンサは、１）異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）センサと、
２）巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサに大きく２つに分類
される。ＡＭＲセンサでは、ＭＲ層の抵抗は、磁化方向
と、ＭＲ層中を流れる感知電流の向きとの角度をαとし
たとき、ｃｏｓ2αの関数として変化する。ＭＲ層は、
強磁性体材料から作成される。１９９１年５月２１日に
クロンビ（Krounbi）他に譲渡された「Magnetoresistiv
e Read Transducer Having Hard MagneticBias」と題
する米国特許第５０１８０３７号明細書は、ＡＭＲ効果
に基づいて動作するＭＲセンサを開示している。
Ｒセンサは、１）異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）センサと、
２）巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）センサに大きく２つに分類
される。ＡＭＲセンサでは、ＭＲ層の抵抗は、磁化方向
と、ＭＲ層中を流れる感知電流の向きとの角度をαとし
たとき、ｃｏｓ2αの関数として変化する。ＭＲ層は、
強磁性体材料から作成される。１９９１年５月２１日に
クロンビ（Krounbi）他に譲渡された「Magnetoresistiv
e Read Transducer Having Hard MagneticBias」と題
する米国特許第５０１８０３７号明細書は、ＡＭＲ効果
に基づいて動作するＭＲセンサを開示している。
【０００４】ＧＭＲセンサでは、ＭＲ感知素子の抵抗
は、非磁性体層で分離された磁性体層間の伝導電子のス
ピン依存伝達と、磁性体層と非磁性体層の境界及び磁性
体層内で起こるスピン依存散乱の関数として変化する。
磁性体層は、強磁性体材料から作成される。非磁性体金
属材料層で分離された２つの強磁性体材料層だけを使用
するＧＭＲセンサは、一般に、スピン・バルブ（ＳＶ）
ＭＲセンサと呼ばれる。適切な材料で作成されたＧＭＲ
センサは、感度が優れており、ＡＭＲ効果を利用したセ
ンサで観察されるよりも大きな抵抗変化を示す。１９９
３年４月２７日にディニー（Dieny）他に譲渡された「M
agnetoresistive Sensor Based On The Spin Valve Eff
ect」と題する米国特許第５２０６５９０号明細書は、
スピン・バルブ効果に基づいて動作するＭＲセンサを開
示している。
は、非磁性体層で分離された磁性体層間の伝導電子のス
ピン依存伝達と、磁性体層と非磁性体層の境界及び磁性
体層内で起こるスピン依存散乱の関数として変化する。
磁性体層は、強磁性体材料から作成される。非磁性体金
属材料層で分離された２つの強磁性体材料層だけを使用
するＧＭＲセンサは、一般に、スピン・バルブ（ＳＶ）
ＭＲセンサと呼ばれる。適切な材料で作成されたＧＭＲ
センサは、感度が優れており、ＡＭＲ効果を利用したセ
ンサで観察されるよりも大きな抵抗変化を示す。１９９
３年４月２７日にディニー（Dieny）他に譲渡された「M
agnetoresistive Sensor Based On The Spin Valve Eff
ect」と題する米国特許第５２０６５９０号明細書は、
スピン・バルブ効果に基づいて動作するＭＲセンサを開
示している。
【０００５】ＭＲセンサはさらに２つの構成に分かれ
る。一方の構成では、感知電流が、ＭＲ感知素子内を空
気軸受面と平行に流れる。空気軸受面（ＡＢＳ）とは、
磁気ディスク表面と隣接するスライダの表面のことであ
る。他方の構成では、感知電流は、ＭＲ感知素子内を空
気軸受面と垂直に流れる。前者の構成は、従来型ＭＲ読
取りセンサと呼ばれ、後者の構成は、直交ＭＲ読取りセ
ンサとして知られる。
る。一方の構成では、感知電流が、ＭＲ感知素子内を空
気軸受面と平行に流れる。空気軸受面（ＡＢＳ）とは、
磁気ディスク表面と隣接するスライダの表面のことであ
る。他方の構成では、感知電流は、ＭＲ感知素子内を空
気軸受面と垂直に流れる。前者の構成は、従来型ＭＲ読
取りセンサと呼ばれ、後者の構成は、直交ＭＲ読取りセ
ンサとして知られる。
【０００６】図１に、記憶媒体上の円形トラック３０の
上方に読取り面１２を有する直交ＭＲセンサ１０の斜視
図を示す。読取り面１２は、空気軸受面２０の一部分を
なす。図２と図３はまた、それぞれ直交ＭＲセンサ１０
の正面図とＡＢＳ図（空気軸受面から見たＭＲセンサの
図）を示す。ＭＲセンサ１０は、適切な基板６０上に形
成されたＭＲ感知素子５０と、基板６０上に形成された
バイアス端部領域５２及び５４と、下部リード５６及び
上部リード５８からなる。各バイアス端部領域は、感知
素子５０との連続する接合部を形成する。さらに、下部
リード５６は、ＭＲ感知素子５０の下部と接触し、上部
リード５８は、感知素子５０の上部に接続される。ＭＲ
感知素子５０の幅２２は、ＭＲセンサのトラック幅とし
て定義される。ＭＲ感知素子５０は、ＡＢＳ２０と平行
に延びる磁化容易軸を有する。
上方に読取り面１２を有する直交ＭＲセンサ１０の斜視
図を示す。読取り面１２は、空気軸受面２０の一部分を
なす。図２と図３はまた、それぞれ直交ＭＲセンサ１０
の正面図とＡＢＳ図（空気軸受面から見たＭＲセンサの
図）を示す。ＭＲセンサ１０は、適切な基板６０上に形
成されたＭＲ感知素子５０と、基板６０上に形成された
バイアス端部領域５２及び５４と、下部リード５６及び
上部リード５８からなる。各バイアス端部領域は、感知
素子５０との連続する接合部を形成する。さらに、下部
リード５６は、ＭＲ感知素子５０の下部と接触し、上部
リード５８は、感知素子５０の上部に接続される。ＭＲ
感知素子５０の幅２２は、ＭＲセンサのトラック幅とし
て定義される。ＭＲ感知素子５０は、ＡＢＳ２０と平行
に延びる磁化容易軸を有する。
【０００７】図２に示したように、直交ＭＲセンサは、
いくつかの利点を有する。すなわち、リード・バック信
号の振幅をトラック幅２２と実質上無関係にすることが
でき、ＡＢＳにおけるＭＲセンサの下部をシールドと一
緒に電気的に接地させることができ、それにより、感知
素子とシールドの間で電気的短絡が生じる問題が解消さ
れる。しかしながら、直交ＭＲセンサは、いくつかの欠
点も有する。すなわち、（１）リード・バック感度が非
常に悪い。これは、感知素子の感度が、とりわけＭＲ感
知素子と接触し感知素子から電流を分流させる下部リー
ドの高さにより大きな影響を受けるためである。たとえ
ば、感知素子の高さが約１．０ミクロンで、製造工程に
おける統計的ばらつきによるその高さの変動が約±０．
５ミクロン、下部リードの高さが約０．４ミクロンで、
この下部リードの高さの変動が約±０．２ミクロンであ
る場合、この製造工程で作成される一部のセンサでは、
ほぼすべての検出電流が下部リードによって分流され、
感知される信号の振幅が非常に小さくなる。（２）通
常、ＭＲセンサ、特にスピン・バルブＭＲセンサでは、
感知素子の層を形成するために、銅（Ｃｕ）、コバルト
（Ｃｏ）、鉄ニッケル（ＮｉＦｅ）などの材料を使用す
る。ヘッドとディスクの境界にこれらの材料があると、
ヘッドの腐蝕のためにヘッド故障が発生することがあ
る。また、（３）近接記録用では、ヘッドとディスクの
境界にＭＲセンサのＭＲ感知素子があると、機械的ある
いは熱的現象のためにセンサが故障することがある。さ
らに、（４）ＭＲセンサの性能は、その感知素子のスト
ライプ高さによって決まるため、ラッピング工程中に感
知素子のサイズを厳密に制御することが重要である。し
かし、ＭＲセンサをラップするために利用されている機
械的ラッピング工程は、大きな製造公差を伴う。その結
果、ラッピング工程中にＭＲセンサのストライプ高さを
正確に制御することは極めて難しい。その結果、リード
・バック信号を感知する感知効率が予測できないＭＲセ
ンサが作成される。
いくつかの利点を有する。すなわち、リード・バック信
号の振幅をトラック幅２２と実質上無関係にすることが
でき、ＡＢＳにおけるＭＲセンサの下部をシールドと一
緒に電気的に接地させることができ、それにより、感知
素子とシールドの間で電気的短絡が生じる問題が解消さ
れる。しかしながら、直交ＭＲセンサは、いくつかの欠
点も有する。すなわち、（１）リード・バック感度が非
常に悪い。これは、感知素子の感度が、とりわけＭＲ感
知素子と接触し感知素子から電流を分流させる下部リー
ドの高さにより大きな影響を受けるためである。たとえ
ば、感知素子の高さが約１．０ミクロンで、製造工程に
おける統計的ばらつきによるその高さの変動が約±０．
５ミクロン、下部リードの高さが約０．４ミクロンで、
この下部リードの高さの変動が約±０．２ミクロンであ
る場合、この製造工程で作成される一部のセンサでは、
ほぼすべての検出電流が下部リードによって分流され、
感知される信号の振幅が非常に小さくなる。（２）通
常、ＭＲセンサ、特にスピン・バルブＭＲセンサでは、
感知素子の層を形成するために、銅（Ｃｕ）、コバルト
（Ｃｏ）、鉄ニッケル（ＮｉＦｅ）などの材料を使用す
る。ヘッドとディスクの境界にこれらの材料があると、
ヘッドの腐蝕のためにヘッド故障が発生することがあ
る。また、（３）近接記録用では、ヘッドとディスクの
境界にＭＲセンサのＭＲ感知素子があると、機械的ある
いは熱的現象のためにセンサが故障することがある。さ
らに、（４）ＭＲセンサの性能は、その感知素子のスト
ライプ高さによって決まるため、ラッピング工程中に感
知素子のサイズを厳密に制御することが重要である。し
かし、ＭＲセンサをラップするために利用されている機
械的ラッピング工程は、大きな製造公差を伴う。その結
果、ラッピング工程中にＭＲセンサのストライプ高さを
正確に制御することは極めて難しい。その結果、リード
・バック信号を感知する感知効率が予測できないＭＲセ
ンサが作成される。
【０００８】したがって、前述の問題を実質上解消し、
同時に、直交ＭＲセンサの感度及び耐腐蝕性を改善する
方法を教示する発明が必要とされる。
同時に、直交ＭＲセンサの感度及び耐腐蝕性を改善する
方法を教示する発明が必要とされる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の直交ＭＲ読取りセンサに伴う信号感知感度の問題
を克服する、直交ＭＲ読取りセンサを教示することであ
る。
技術の直交ＭＲ読取りセンサに伴う信号感知感度の問題
を克服する、直交ＭＲ読取りセンサを教示することであ
る。
【００１０】本発明のもう１つの目的は、空気軸受面に
おけるリードがＭＲ感知素子から電流を分流しない、直
交ＭＲセンサを開示することである。
おけるリードがＭＲ感知素子から電流を分流しない、直
交ＭＲセンサを開示することである。
【００１１】本発明のもう１つの目的は、直列磁束ガイ
ドを有する直交ＭＲセンサを開示することである。
ドを有する直交ＭＲセンサを開示することである。
【００１２】本発明のもう１つの目的は、感知素子の感
度がラッピング工程における製造公差とは無関係な、直
交ＭＲセンサを開示することである。
度がラッピング工程における製造公差とは無関係な、直
交ＭＲセンサを開示することである。
【００１３】本発明のもう１つの目的は、耐腐蝕性の直
交ＭＲセンサを開示することである。
交ＭＲセンサを開示することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】以上その他の目的及び利
点は、本発明の原理によれば、磁束ガイドと直列なＭＲ
感知素子を有し、そのＭＲ感知素子が、ＭＲ感知素子と
下部リードとの間に配置された絶縁層によってＭＲセン
サの下部リードから絶縁されている、直交ＭＲ読取りセ
ンサ（ＡＭＲ読取りセンサまたはＧＭＲ読取りセンサ）
によって達成される。ＭＲ感知素子と下部リードの間に
絶縁層を入れることによって、感知素子に対する下部リ
ードのサイズ及び配置を制御する重要な工程ステップが
不要になり、したがって、直交センサの感知効率が大幅
に改善される。感知素子と下部リードの間に絶縁層を入
れることにより、下部リードとＭＲ感知素子が、互いに
電気的に接触せず、したがって、感知電流が下部リード
によって感知素子から分路されなくなる。さらに、下部
リードは、感知素子と空気軸受面との間に配置された直
列磁束ガイドと接触する。この直列磁束ガイドは、ＭＲ
感知素子を分路させず、したがって、感知素子の感知効
率を低下させない。通常、直列磁束ガイドは、非腐蝕
性、またはＭＲ感知素子を形成する際に使用される磁性
体材料よりも低い腐蝕性の磁性体材料からなる。この直
列磁束ガイドによって、腐蝕問題が解消され、近接記録
における機械的または熱的な問題が解消され、ラッピン
グ工程中にラップされるのがＭＲ感知素子ではなく磁束
ガイドであるため、ＭＲセンサがラッピング工程の影響
を受けることがなくなる。
点は、本発明の原理によれば、磁束ガイドと直列なＭＲ
感知素子を有し、そのＭＲ感知素子が、ＭＲ感知素子と
下部リードとの間に配置された絶縁層によってＭＲセン
サの下部リードから絶縁されている、直交ＭＲ読取りセ
ンサ（ＡＭＲ読取りセンサまたはＧＭＲ読取りセンサ）
によって達成される。ＭＲ感知素子と下部リードの間に
絶縁層を入れることによって、感知素子に対する下部リ
ードのサイズ及び配置を制御する重要な工程ステップが
不要になり、したがって、直交センサの感知効率が大幅
に改善される。感知素子と下部リードの間に絶縁層を入
れることにより、下部リードとＭＲ感知素子が、互いに
電気的に接触せず、したがって、感知電流が下部リード
によって感知素子から分路されなくなる。さらに、下部
リードは、感知素子と空気軸受面との間に配置された直
列磁束ガイドと接触する。この直列磁束ガイドは、ＭＲ
感知素子を分路させず、したがって、感知素子の感知効
率を低下させない。通常、直列磁束ガイドは、非腐蝕
性、またはＭＲ感知素子を形成する際に使用される磁性
体材料よりも低い腐蝕性の磁性体材料からなる。この直
列磁束ガイドによって、腐蝕問題が解消され、近接記録
における機械的または熱的な問題が解消され、ラッピン
グ工程中にラップされるのがＭＲ感知素子ではなく磁束
ガイドであるため、ＭＲセンサがラッピング工程の影響
を受けることがなくなる。
【００１５】本発明の本質及び利点ならびに好ましい使
用態様を十分に理解するために、添付図面と共に以下の
詳細な説明を参照されたい。以下の図面では、同じ参照
番号は、すべての図面を通じて同じまたは類似の部分を
示す。
用態様を十分に理解するために、添付図面と共に以下の
詳細な説明を参照されたい。以下の図面では、同じ参照
番号は、すべての図面を通じて同じまたは類似の部分を
示す。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下の説明は、本発明を実施する
ために現在企図されている最良の態様である。この説明
及びここに示したいくつかの代替実施形態は、本発明の
一般原理を例示するためのものであり、請求の範囲に記
載する本発明の概念を限定するものではない。
ために現在企図されている最良の態様である。この説明
及びここに示したいくつかの代替実施形態は、本発明の
一般原理を例示するためのものであり、請求の範囲に記
載する本発明の概念を限定するものではない。
【００１７】次に、図４を参照すると、本発明を、図４
に示したような磁気ディスク記憶システムにおいて実施
するものとして示すが、磁気テープ記録システムなどの
他の磁気記録システムにも本発明が適用できることは明
らかである。図４に示したように、少なくとも１つの回
転式磁気ディスク３１２が、スピンドル３１４上に支持
され、ディスク・ドライブ・モータ３１８によって回転
される。各ディスク上の磁気記録媒体は、ディスク３１
２上の同心データ・トラック（図示せず）の環状パター
ンの形である。
に示したような磁気ディスク記憶システムにおいて実施
するものとして示すが、磁気テープ記録システムなどの
他の磁気記録システムにも本発明が適用できることは明
らかである。図４に示したように、少なくとも１つの回
転式磁気ディスク３１２が、スピンドル３１４上に支持
され、ディスク・ドライブ・モータ３１８によって回転
される。各ディスク上の磁気記録媒体は、ディスク３１
２上の同心データ・トラック（図示せず）の環状パター
ンの形である。
【００１８】ディスク３１２上には、少なくとも１つの
スライダ３１３が位置決めされ、各スライダ３１３は、
１つまたは複数の磁気読み書きヘッド３２１を支持す
る。ディスクが回転するとき、スライダ３１３は、ディ
スク表面３２２の上を半径方向内側及び外側に移動し、
その結果、ヘッド３２１は、所望のデータが書き込まれ
たディスクの様々な部分にアクセスすることができる。
各スライダ３１３は、サスペンション３１５によってア
クチュエータ・アーム３１９に取り付けられる。サスペ
ンション３１５は、スライダ３１３をディスク表面３２
２に対してバイアスさせるわずかなばね力を提供する。
各アクチュエータ・アーム３１９は、アクチュエータ手
段３２７に取り付けられる。アクチュエータ手段は、図
４に示したようなボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）で
よい。ＶＣＭは、固定磁界内で移動可能なコイルを含
み、コイルの動きの方向と速度は、制御装置３２９によ
って供給されるモータ電流信号によって制御される。
スライダ３１３が位置決めされ、各スライダ３１３は、
１つまたは複数の磁気読み書きヘッド３２１を支持す
る。ディスクが回転するとき、スライダ３１３は、ディ
スク表面３２２の上を半径方向内側及び外側に移動し、
その結果、ヘッド３２１は、所望のデータが書き込まれ
たディスクの様々な部分にアクセスすることができる。
各スライダ３１３は、サスペンション３１５によってア
クチュエータ・アーム３１９に取り付けられる。サスペ
ンション３１５は、スライダ３１３をディスク表面３２
２に対してバイアスさせるわずかなばね力を提供する。
各アクチュエータ・アーム３１９は、アクチュエータ手
段３２７に取り付けられる。アクチュエータ手段は、図
４に示したようなボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）で
よい。ＶＣＭは、固定磁界内で移動可能なコイルを含
み、コイルの動きの方向と速度は、制御装置３２９によ
って供給されるモータ電流信号によって制御される。
【００１９】ディスク記憶システムの作動中は、ディス
ク３１２の回転によって、スライダ３１３とディスク表
面３２２の間に空気軸受が生じ、スライダに上向きの力
または揚力を加える。したがって、空気軸受は、サスペ
ンション３１５のわずかなばね力と釣り合い、通常の作
動中に、スライダ３１３をディスク表面から離してほぼ
一定のわずかな間隔だけ上に持ち上げる。
ク３１２の回転によって、スライダ３１３とディスク表
面３２２の間に空気軸受が生じ、スライダに上向きの力
または揚力を加える。したがって、空気軸受は、サスペ
ンション３１５のわずかなばね力と釣り合い、通常の作
動中に、スライダ３１３をディスク表面から離してほぼ
一定のわずかな間隔だけ上に持ち上げる。
【００２０】ディスク記憶システムの様々な構成要素
は、動作中、アクセス制御信号や内部クロック信号など
制御ユニット３２９で生成される制御信号によって制御
される。通常、制御ユニット３２９は、論理制御回路、
記憶手段、及びマイクロプロセッサを含む。制御ユニッ
ト３２９は、線３２３上のドライブ・モータ制御信号や
線３２８上のヘッド位置シーク制御信号などの制御信号
を生成して、様々なシステム動作を制御する。線３２８
上の制御信号は、スライダ３１３をディスク３１２上の
所望のデータ・トラックへと最適に移動させ位置決めす
るために必要な電流プロファイルを提供する。読み取り
信号及び書き込む信号は、記録チャネル３２５を介して
読み書きヘッド３２１との間で通信される。
は、動作中、アクセス制御信号や内部クロック信号など
制御ユニット３２９で生成される制御信号によって制御
される。通常、制御ユニット３２９は、論理制御回路、
記憶手段、及びマイクロプロセッサを含む。制御ユニッ
ト３２９は、線３２３上のドライブ・モータ制御信号や
線３２８上のヘッド位置シーク制御信号などの制御信号
を生成して、様々なシステム動作を制御する。線３２８
上の制御信号は、スライダ３１３をディスク３１２上の
所望のデータ・トラックへと最適に移動させ位置決めす
るために必要な電流プロファイルを提供する。読み取り
信号及び書き込む信号は、記録チャネル３２５を介して
読み書きヘッド３２１との間で通信される。
【００２１】典型的な磁気ディスク記憶システムについ
ての上記の説明、及びそれに付随する図４の説明図は、
単に説明を目的としたものである。ディスク記憶システ
ムが、多数のディスクとアクチュエータを含み、各アク
チュエータが、複数のスライダを支持できることは明ら
かである。
ての上記の説明、及びそれに付随する図４の説明図は、
単に説明を目的としたものである。ディスク記憶システ
ムが、多数のディスクとアクチュエータを含み、各アク
チュエータが、複数のスライダを支持できることは明ら
かである。
【００２２】次に、図５、図６及び図７を参照すると、
本発明の好ましい実施形態の直交ＭＲセンサ４００の、
上部リードと下部リードを配置した後の前面図、空気軸
受面の図、及びその線ＡＡ’に沿った断面図が示されて
いる。ＭＲセンサ４００は、スピン・バルブ材料からな
るＭＲ感知素子４１０（図７に示す）を備え、ＭＲ感知
素子は下部４５２と上部４５４を有する。ＭＲ感知素子
４１０は第１のギャップ層Ｇ１の上に形成され、第１の
ギャップ層は第１のシールド層Ｓ１の上に形成される。
第１のシールド層は、適切な基板４３４の上に形成され
る。ＭＲセンサ４００はさらに、端部領域４１２及び４
１４を含み、各端部領域は、感知素子を長手方向にバイ
アスするための縦バイアス材料を含む。各端部領域はさ
らに、感知素子４１０との連続した接合部を形成する。
さらに、ＭＲセンサ４００は、空気軸受面（ＡＢＳ）４
４０、感知素子４１０の下部と直列な下部磁束ガイド４
１６、及び感知素子４１０の上部と直列な上部磁束ガイ
ド４１８を有する。下部磁束ガイドは、ＡＢＳ４４０に
対して垂直に延びる。ＭＲセンサ４００はさらに、磁束
ガイド４１６及び４１８にそれぞれ間隔を置いて接続さ
れた下部リード４２２及び上部リード４２４を含む。下
部リード及び上部リードは、ＭＲ感知素子中をＡＢＳに
垂直に感知電流を流すために使用される。本発明の好ま
しい実施形態において、ＭＲセンサ４００はさらに、感
知素子４１０と下部リード４２２の間に配置された、Ｍ
Ｒ感知素子と下部リードの電気的接触を防ぐ絶縁層４２
０を含む。絶縁層４２０の追加によって、下部リードの
サイズが大きくても小さくても、感知素子４１０の信号
感知効率には影響しない。すなわち、絶縁層４２０は、
下部リード４２２が感知素子４１０から感知電流を分流
させるのを防ぐ。この絶縁層の追加によって、下部リー
ドのサイズ、及び感知素子に対する下部リードの配置の
正確さが、製造工程においてクリティカルなステップで
なくなるため、本発明の直交ＭＲセンサの全体的な製造
歩留りが大幅に向上する。
本発明の好ましい実施形態の直交ＭＲセンサ４００の、
上部リードと下部リードを配置した後の前面図、空気軸
受面の図、及びその線ＡＡ’に沿った断面図が示されて
いる。ＭＲセンサ４００は、スピン・バルブ材料からな
るＭＲ感知素子４１０（図７に示す）を備え、ＭＲ感知
素子は下部４５２と上部４５４を有する。ＭＲ感知素子
４１０は第１のギャップ層Ｇ１の上に形成され、第１の
ギャップ層は第１のシールド層Ｓ１の上に形成される。
第１のシールド層は、適切な基板４３４の上に形成され
る。ＭＲセンサ４００はさらに、端部領域４１２及び４
１４を含み、各端部領域は、感知素子を長手方向にバイ
アスするための縦バイアス材料を含む。各端部領域はさ
らに、感知素子４１０との連続した接合部を形成する。
さらに、ＭＲセンサ４００は、空気軸受面（ＡＢＳ）４
４０、感知素子４１０の下部と直列な下部磁束ガイド４
１６、及び感知素子４１０の上部と直列な上部磁束ガイ
ド４１８を有する。下部磁束ガイドは、ＡＢＳ４４０に
対して垂直に延びる。ＭＲセンサ４００はさらに、磁束
ガイド４１６及び４１８にそれぞれ間隔を置いて接続さ
れた下部リード４２２及び上部リード４２４を含む。下
部リード及び上部リードは、ＭＲ感知素子中をＡＢＳに
垂直に感知電流を流すために使用される。本発明の好ま
しい実施形態において、ＭＲセンサ４００はさらに、感
知素子４１０と下部リード４２２の間に配置された、Ｍ
Ｒ感知素子と下部リードの電気的接触を防ぐ絶縁層４２
０を含む。絶縁層４２０の追加によって、下部リードの
サイズが大きくても小さくても、感知素子４１０の信号
感知効率には影響しない。すなわち、絶縁層４２０は、
下部リード４２２が感知素子４１０から感知電流を分流
させるのを防ぐ。この絶縁層の追加によって、下部リー
ドのサイズ、及び感知素子に対する下部リードの配置の
正確さが、製造工程においてクリティカルなステップで
なくなるため、本発明の直交ＭＲセンサの全体的な製造
歩留りが大幅に向上する。
【００２３】さらに、下部リードのサイズが感知素子の
信号感知効率に影響しないので、下部リード４２２を比
較的大きくすることができる。下部リードが大きいと、
下部リードを第２のシールド層Ｓ２（図１７と図１８に
示した開口部５６０）に接続する製造ステップが簡単に
なる。第２のシールド層Ｓ２と下部リード４２２の接続
によって、Ｓ２層、下部リード４２２、及び感知素子４
１０はすべて同じ電位になり、それにより感知素子とシ
ールドとの間の電気的短絡によって起こる問題が解消さ
れる。
信号感知効率に影響しないので、下部リード４２２を比
較的大きくすることができる。下部リードが大きいと、
下部リードを第２のシールド層Ｓ２（図１７と図１８に
示した開口部５６０）に接続する製造ステップが簡単に
なる。第２のシールド層Ｓ２と下部リード４２２の接続
によって、Ｓ２層、下部リード４２２、及び感知素子４
１０はすべて同じ電位になり、それにより感知素子とシ
ールドとの間の電気的短絡によって起こる問題が解消さ
れる。
【００２４】図８ないし図１８を参照すると、ＭＲ感知
素子と下部リードの間に配置された絶縁層（「上部絶縁
体」（ＴＩ）と呼ぶ）と、さらにＭＲ感知素子と直列な
磁束ガイドを有する本発明の直交スピン・バルブＭＲセ
ンサを製造するための好ましい方法の例が示されてい
る。適切な基板５１２上に第１のシールドＳ１を付着さ
せ、Ｓ１の上に第１の読取りギャップＧ１を付着させ、
Ｇ１の上にスピン・バルブＭＲ材料ＳＶを付着させる工
程ステップは当技術分野では周知なので省略する。図８
と図９は、それぞれ、スピン・バルブＭＲセンサ材料の
上に上部絶縁体（ＴＩ）５３０を付着した後の工程ステ
ップの上面図及び線ＡＡ’に沿った側面図を示す。
素子と下部リードの間に配置された絶縁層（「上部絶縁
体」（ＴＩ）と呼ぶ）と、さらにＭＲ感知素子と直列な
磁束ガイドを有する本発明の直交スピン・バルブＭＲセ
ンサを製造するための好ましい方法の例が示されてい
る。適切な基板５１２上に第１のシールドＳ１を付着さ
せ、Ｓ１の上に第１の読取りギャップＧ１を付着させ、
Ｇ１の上にスピン・バルブＭＲ材料ＳＶを付着させる工
程ステップは当技術分野では周知なので省略する。図８
と図９は、それぞれ、スピン・バルブＭＲセンサ材料の
上に上部絶縁体（ＴＩ）５３０を付着した後の工程ステ
ップの上面図及び線ＡＡ’に沿った側面図を示す。
【００２５】上部絶縁体を付着後、上部絶縁体の上にフ
ォトレジスト材料を付着させ、パターン形成して下部磁
束ガイドと上部磁束ガイドを形成するための領域を画定
し、それに続いてフォトレジストを現像し、フォトレジ
ストが現像、溶解された領域内の上部絶縁体とセンサ材
料を除去する。この場合、上部絶縁体とセンサ材料は、
たとえば、イオン・ビーム・ミリングやスパッタ・エッ
チングによって除去する。次に、ＮｉＦｅや鉄ニッケル
合金などの透磁性材料を付着させて、下部磁束ガイドと
上部磁束ガイドを形成する。次に、残っているフォトレ
ジストを溶解して、フォトレジストの上の磁束ガイドを
除去または「リフト・オフ」し、予め定義された領域だ
けに磁束ガイドを残す。図１０と図１１は、それぞれ、
上記の工程ステップの完了時における上面図とその線Ａ
Ａ’に沿った断面図を示す。
ォトレジスト材料を付着させ、パターン形成して下部磁
束ガイドと上部磁束ガイドを形成するための領域を画定
し、それに続いてフォトレジストを現像し、フォトレジ
ストが現像、溶解された領域内の上部絶縁体とセンサ材
料を除去する。この場合、上部絶縁体とセンサ材料は、
たとえば、イオン・ビーム・ミリングやスパッタ・エッ
チングによって除去する。次に、ＮｉＦｅや鉄ニッケル
合金などの透磁性材料を付着させて、下部磁束ガイドと
上部磁束ガイドを形成する。次に、残っているフォトレ
ジストを溶解して、フォトレジストの上の磁束ガイドを
除去または「リフト・オフ」し、予め定義された領域だ
けに磁束ガイドを残す。図１０と図１１は、それぞれ、
上記の工程ステップの完了時における上面図とその線Ａ
Ａ’に沿った断面図を示す。
【００２６】次に、安定化領域（受動端部領域とも呼ば
れる）５４０と５４２を、各安定化領域が、バイアス材
料５４６と絶縁材料５４８を含むように形成する。各安
定化領域は、ＭＲ感知素子と連続した接合部を形成す
る。交換結合または静磁気結合によってＭＲ感知素子と
磁束ガイドの長手方向のバイアスを行うために、通常
は、ＮｉＦｅ／ＮｉＭｎやＣｏＰｔＣｒなどの材料が使
用される。絶縁を行うためには、通常、ＳｉＯ2やＡｌ2
Ｏ3などの材料が使用される。安定化領域５４０と５４
２を形成するには、フォトレジスト材料を表面５３０の
上に付着し、パータン形成して領域５４０と５４２を画
定し、続いてフォトレジストを現像し、フォトレジスト
が現像された領域内の上部絶縁体とセンサ材料を除去す
る。上部絶縁体とセンサ材料は、たとえば、イオン・ビ
ーム・ミリングやスパッタ・エッチングによって除去さ
れる。次に、バイアス材料と絶縁材料を付着させて、領
域５４０と５４２を形成する。次に、残っているフォト
レジストを溶解して、フォトレジストの上のバイアス材
料と絶縁材料を除去または「リフト・オフ」し、予め定
義した領域だけにバイアス材料と絶縁材料を残す。
れる）５４０と５４２を、各安定化領域が、バイアス材
料５４６と絶縁材料５４８を含むように形成する。各安
定化領域は、ＭＲ感知素子と連続した接合部を形成す
る。交換結合または静磁気結合によってＭＲ感知素子と
磁束ガイドの長手方向のバイアスを行うために、通常
は、ＮｉＦｅ／ＮｉＭｎやＣｏＰｔＣｒなどの材料が使
用される。絶縁を行うためには、通常、ＳｉＯ2やＡｌ2
Ｏ3などの材料が使用される。安定化領域５４０と５４
２を形成するには、フォトレジスト材料を表面５３０の
上に付着し、パータン形成して領域５４０と５４２を画
定し、続いてフォトレジストを現像し、フォトレジスト
が現像された領域内の上部絶縁体とセンサ材料を除去す
る。上部絶縁体とセンサ材料は、たとえば、イオン・ビ
ーム・ミリングやスパッタ・エッチングによって除去さ
れる。次に、バイアス材料と絶縁材料を付着させて、領
域５４０と５４２を形成する。次に、残っているフォト
レジストを溶解して、フォトレジストの上のバイアス材
料と絶縁材料を除去または「リフト・オフ」し、予め定
義した領域だけにバイアス材料と絶縁材料を残す。
【００２７】図１２と図１３はそれぞれ、安定化領域５
４０と５４２を形成した後の上記工程ステップの完了時
における上面図とその線ＡＡ’に沿った斜め断面図を示
す。領域５４０と５４２の形成により、ＭＲ感知素子の
トラック幅５３６も画定されることに留意されたい。ま
た、磁束ガイド５３２と５３４、安定化領域５４０と５
４２があいまって、ＭＲ感知素子５４４の高さと幅を画
定することにも留意されたい。
４０と５４２を形成した後の上記工程ステップの完了時
における上面図とその線ＡＡ’に沿った斜め断面図を示
す。領域５４０と５４２の形成により、ＭＲ感知素子の
トラック幅５３６も画定されることに留意されたい。ま
た、磁束ガイド５３２と５３４、安定化領域５４０と５
４２があいまって、ＭＲ感知素子５４４の高さと幅を画
定することにも留意されたい。
【００２８】次に、下部リード５５２及び上部リード５
５４を形成するために、フォトレジスト材料を表面５３
０の上に付着させ、パターン形成し現像して、下部リー
ド及び上部リードを形成すべき領域を画定する。次に、
リード材料を付着させて、下部リード及び上部リードを
形成する。次に、フォトレジスト材料を溶解し、レジス
トの上のリード材料を除去または「リフト・オフ」し、
予め定義した領域だけにリード材料を残す。図１４と図
１５は、それぞれ、上記の工程ステップの完了時におけ
る上面図とその線ＡＡ’に沿った断面図を示す。ＭＲ感
知素子５４４と下部リード５５２の間に絶縁体層５３０
があり、感知素子と下部リードの電気接触を防ぐので、
下部リードのサイズと配置は重要な工程ステップではな
くなったことに留意されたい。
５４を形成するために、フォトレジスト材料を表面５３
０の上に付着させ、パターン形成し現像して、下部リー
ド及び上部リードを形成すべき領域を画定する。次に、
リード材料を付着させて、下部リード及び上部リードを
形成する。次に、フォトレジスト材料を溶解し、レジス
トの上のリード材料を除去または「リフト・オフ」し、
予め定義した領域だけにリード材料を残す。図１４と図
１５は、それぞれ、上記の工程ステップの完了時におけ
る上面図とその線ＡＡ’に沿った断面図を示す。ＭＲ感
知素子５４４と下部リード５５２の間に絶縁体層５３０
があり、感知素子と下部リードの電気接触を防ぐので、
下部リードのサイズと配置は重要な工程ステップではな
くなったことに留意されたい。
【００２９】次に、第２のギャップ層Ｇ２を付着した
後、下部リード５５２の上のＧ２に、下部リード５５２
を第２のシールド層Ｓ２に接続するための開口部５６０
を作成する。図１６と図１７は、それぞれ、上記工程ス
テップの完了時における上面図とその線ＡＡ’に沿った
断面図を示す。
後、下部リード５５２の上のＧ２に、下部リード５５２
を第２のシールド層Ｓ２に接続するための開口部５６０
を作成する。図１６と図１７は、それぞれ、上記工程ス
テップの完了時における上面図とその線ＡＡ’に沿った
断面図を示す。
【００３０】次に、既知の工程ステップを利用して、シ
ールドＳ２ならびに書込みヘッド・コイル及び書込み極
を付着させパターン形成して、完全な読み書きヘッドを
形成する。図１８は、シールドＳ２を形成した後の本発
明の直交ＭＲセンサの線ＡＡ’に沿った断面図を示す。
ールドＳ２ならびに書込みヘッド・コイル及び書込み極
を付着させパターン形成して、完全な読み書きヘッドを
形成する。図１８は、シールドＳ２を形成した後の本発
明の直交ＭＲセンサの線ＡＡ’に沿った断面図を示す。
【００３１】下部リード５５２を比較的大きくすること
ができるので、開口部５６０を比較的大きくすることが
でき、シールドＳ２と下部リード５５２の間で高い効率
の電気接続を実現できることに留意されたい。下部リー
ド５５２とシールドＳ２の間の高効率の電気接続によっ
て、ＭＲ感知素子５４４、下部リード５５２及びシール
ドＳ２はすべて同じ電位になり、したがって、感知素子
とシールドの間の電気的短絡から生じる問題が解消され
る。
ができるので、開口部５６０を比較的大きくすることが
でき、シールドＳ２と下部リード５５２の間で高い効率
の電気接続を実現できることに留意されたい。下部リー
ド５５２とシールドＳ２の間の高効率の電気接続によっ
て、ＭＲ感知素子５４４、下部リード５５２及びシール
ドＳ２はすべて同じ電位になり、したがって、感知素子
とシールドの間の電気的短絡から生じる問題が解消され
る。
【００３２】本発明を、その好ましい実施形態に関して
詳細に示し説明したが、本発明の趣旨、範囲及び教示か
ら逸脱することなく様々な修正を行えることが、当業者
には理解されよう。たとえば、本発明の好ましい実施形
態を、直列な磁束ガイドを備えたスピン・バルブＭＲセ
ンサに関して説明したが、本発明は、直列磁束ガイドを
備えた異方性ＭＲセンサにも同じく適用できる。また、
本発明の好ましい実施形態においては、絶縁体層を使っ
て下部リードから感知素子を分離したが、同じまたは別
の絶縁層を使って、感知素子を上部リードから分離する
こともできる。したがって、本明細書に開示した本発明
は、例示した実施形態によって制限されず、併記の特許
請求の範囲によってのみ制限されることを理解された
い。
詳細に示し説明したが、本発明の趣旨、範囲及び教示か
ら逸脱することなく様々な修正を行えることが、当業者
には理解されよう。たとえば、本発明の好ましい実施形
態を、直列な磁束ガイドを備えたスピン・バルブＭＲセ
ンサに関して説明したが、本発明は、直列磁束ガイドを
備えた異方性ＭＲセンサにも同じく適用できる。また、
本発明の好ましい実施形態においては、絶縁体層を使っ
て下部リードから感知素子を分離したが、同じまたは別
の絶縁層を使って、感知素子を上部リードから分離する
こともできる。したがって、本明細書に開示した本発明
は、例示した実施形態によって制限されず、併記の特許
請求の範囲によってのみ制限されることを理解された
い。
【００３３】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００３４】（１）下部と上部を有する磁気抵抗感知素
子と、前記磁気抵抗感知素子の下部と直列な第１の磁束
ガイドと、前記第１の磁束ガイドと接触し、絶縁層によ
って前記磁気抵抗感知素子から電気絶縁された下部リー
ドとを含む直交磁気抵抗センサ。 （２）前記磁気抵抗センサが、スピン・バルブ磁気抵抗
感知材料を含むことを特徴とする、上記（１）に記載の
直交磁気抵抗センサ。 （３）前記磁気センサが、異方性磁気抵抗感知材料を含
むことを特徴とする、上記（１）に記載の直交磁気抵抗
センサ。 （４）前記磁気感知素子の上部と直列な第２の磁束ガイ
ドをさらに含む、上記（１）に記載の直交磁気抵抗セン
サ。 （５）前記第２の磁束ガイドと接触し、前記絶縁層によ
って前記磁気抵抗感知素子から電気絶縁された上部リー
ドをさらに含むことを特徴とする、上記（４）に記載の
直交磁気抵抗センサ。 （６）データを記録する磁気記憶媒体と、前記データを
読み取る磁気抵抗センサと、前記磁気抵抗センサに結合
され、前記磁気記憶媒体に記録されたデータ・ビットを
表す印加磁界に応答した前記磁気抵抗感知素子内の抵抗
変化を検出する記録チャネルとを含み、前記磁気抵抗セ
ンサが、下部と上部を有する磁気抵抗感知素子と、前記
磁気抵抗感知素子の下部と直列な磁束ガイドと、前記磁
束ガイドと接触し、絶縁層によって前記磁気抵抗感知素
子から電気絶縁された下部リードとを含むことを特徴と
する磁気記憶システム。 （７）前記磁気抵抗センサが、スピン・バルブ磁気抵抗
感知材料を含むことを特徴とする、上記（６）に記載の
磁気記憶システム。 （８）前記磁気抵抗センサが、異方性磁気抵抗感知材料
を含むことを特徴とする、上記（６）に記載の磁気記憶
システム。 （９）前記磁気抵抗感知素子の上部と直列な第２の磁束
ガイドをさらに含むことを特徴とする、上記（６）に記
載の磁気記憶システム。 （１０）前記第２の磁束ガイドと接触し、前記絶縁層に
よって前記磁気抵抗感知素子から電気絶縁された上部リ
ードをさらに含むことを特徴とする、上記（９）に記載
の磁気記憶システム。 （１１）空気軸受面を備える直交磁気抵抗（ＭＲ）セン
サであって、下部と上部を有し、前記空気軸受面に対し
て垂直であり、前記空気軸受面と平行な磁化容易軸を有
するＭＲ感知素子と、前記磁気抵抗感知素子の下部及び
上部と直列な第１の磁束ガイド及び第２の磁束ガイド
と、前記第１の磁束ガイド及び第２の磁束ガイドにそれ
ぞれ離間して接続された下部リード及び上部リードを含
み、前記第１の磁束ガイドが、前記空気軸受面に対して
垂直に延び、前記下部リードが、絶縁層によって前記磁
気抵抗感知素子から電気絶縁されていることを特徴とす
る直交磁気抵抗センサ。 （１２）前記磁気抵抗センサが、スピン・バルブ磁気抵
抗感知材料を含むことを特徴とする、上記（１１）に記
載の直交磁気抵抗センサ。 （１３）前記磁気抵抗センサが、異方性磁気抵抗感知材
料を含むことを特徴とする、上記（１１）に記載の直交
磁気抵抗センサ。 （１４）前記磁気抵抗感知素子の上部と直列な第２の磁
束ガイドをさらに含むことを特徴とする、上記（１１）
に記載の直交磁気抵抗センサ。 （１５）前記第２の磁束ガイドと接触し、前記絶縁層に
よって前記磁気抵抗感知素子から電気絶縁された上部リ
ードをさらに含むことを特徴とする、上記（１４）に記
載の直交磁気抵抗センサ。 （１６）データを記録する磁気記憶媒体と、前記データ
を読み取る磁気抵抗（ＭＲ）センサと、前記磁気抵抗セ
ンサに結合され、前記磁気記憶媒体に記録されたデータ
・ビットを表す印加磁界に応答した前記磁気抵抗感知素
子における抵抗変化を検出する記録チャネルとを含み、
前記磁気抵抗センサが、下部と上部を有し、空気軸受面
と垂直であり、前記空気軸受面と平行な磁化容易軸を有
するＭＲ感知素子と、前記磁気抵抗感知素子の下部及び
上部と直列な第１及び第２の磁束ガイドと、前記第１及
び第２の磁束ガイドにそれぞれ離間に接続された上部リ
ード及び下部リードを含む磁気抵抗センサとを含み、前
記下部リードが、絶縁層によって前記磁気抵抗感知素子
から電気絶縁されていることを特徴とする磁気記憶シス
テム。 （１７）前記磁気抵抗センサが、スピン・バルブ磁気抵
抗感知材料を含むことを特徴とする、上記（１６）に記
載の磁気記憶システム。 （１８）前記磁気抵抗センサが、異方性磁気抵抗感知材
料を含むことを特徴とする、上記（１６）に記載の磁気
記憶システム。 （１９）前記磁気抵抗感知素子の上部と直列な第２の磁
束ガイドをさらに含むことを特徴とする、上記（１６）
に記載の磁気記憶システム。 （２０）前記第２の磁束ガイドと接触し、前記絶縁層に
よって前記磁気抵抗感知素子から電気絶縁された上部リ
ードをさらに含むことを特徴とする、上記（１９）に記
載の磁気記憶システム。 （２１）適切な基板の上に形成されたシールド材料の上
に形成された読取りギャップ材料の上に、ＭＲセンサ材
料を付着させる段階と、前記ＭＲセンサ材料の上に上部
絶縁材料を付着させる段階と、前記上部絶縁材料の上に
フォトレジスト材料を付着させ、それに続いてフォトレ
ジストを予め定義された領域にパターン形成し現像して
下部磁束ガイドを画定し、続いて前記予め定義された領
域内の上部絶縁材料とＭＲセンサ材料とを除去する段階
と、磁束ガイド材料を前記予め定義された領域内に付着
させて下部磁束ガイドを形成し、続いて残りのフォトレ
ジストを溶解させる段階と、フォトレジスト材料を付着
させ、続いて予め定義された領域内のフォトレジストを
パターン形成し現像してＭＲセンサの安定化領域を画定
し、続いて前記予め定義された領域内の上部絶縁材料と
ＭＲセンサ材料とを除去する段階と、バイアス材料と絶
縁材料とを前記予め定義された領域に付着させて、安定
化領域を形成し、続いて残りのフォトレジストを溶解さ
せる段階と、フォトレジスト材料を付着させ、それに続
いてフォトレジストをパータン形成し現像して、下部リ
ード及び上部リードを画定する段階と、リード材料を付
着させて下部リード及び上部リードを形成し、続いてフ
ォトレジスト材料を溶解させる段階とを含む直交磁気抵
抗（ＭＲ）センサを製造する方法。 （２２）ＭＲセンサ材料を付着させる段階が、スピン・
バルブＭＲ感知材料を付着させる段階を含むことを特徴
とする、上記（２１）に記載の直交磁気抵抗（ＭＲ）セ
ンサを製造する方法。 （２３）ＭＲセンサ材料を付着させる段階が、異方性Ｍ
Ｒ感知材料を付着させる段階を含むことを特徴とする、
上記（２１）に記載の直交磁気抵抗（ＭＲ）センサを製
造する方法。
子と、前記磁気抵抗感知素子の下部と直列な第１の磁束
ガイドと、前記第１の磁束ガイドと接触し、絶縁層によ
って前記磁気抵抗感知素子から電気絶縁された下部リー
ドとを含む直交磁気抵抗センサ。 （２）前記磁気抵抗センサが、スピン・バルブ磁気抵抗
感知材料を含むことを特徴とする、上記（１）に記載の
直交磁気抵抗センサ。 （３）前記磁気センサが、異方性磁気抵抗感知材料を含
むことを特徴とする、上記（１）に記載の直交磁気抵抗
センサ。 （４）前記磁気感知素子の上部と直列な第２の磁束ガイ
ドをさらに含む、上記（１）に記載の直交磁気抵抗セン
サ。 （５）前記第２の磁束ガイドと接触し、前記絶縁層によ
って前記磁気抵抗感知素子から電気絶縁された上部リー
ドをさらに含むことを特徴とする、上記（４）に記載の
直交磁気抵抗センサ。 （６）データを記録する磁気記憶媒体と、前記データを
読み取る磁気抵抗センサと、前記磁気抵抗センサに結合
され、前記磁気記憶媒体に記録されたデータ・ビットを
表す印加磁界に応答した前記磁気抵抗感知素子内の抵抗
変化を検出する記録チャネルとを含み、前記磁気抵抗セ
ンサが、下部と上部を有する磁気抵抗感知素子と、前記
磁気抵抗感知素子の下部と直列な磁束ガイドと、前記磁
束ガイドと接触し、絶縁層によって前記磁気抵抗感知素
子から電気絶縁された下部リードとを含むことを特徴と
する磁気記憶システム。 （７）前記磁気抵抗センサが、スピン・バルブ磁気抵抗
感知材料を含むことを特徴とする、上記（６）に記載の
磁気記憶システム。 （８）前記磁気抵抗センサが、異方性磁気抵抗感知材料
を含むことを特徴とする、上記（６）に記載の磁気記憶
システム。 （９）前記磁気抵抗感知素子の上部と直列な第２の磁束
ガイドをさらに含むことを特徴とする、上記（６）に記
載の磁気記憶システム。 （１０）前記第２の磁束ガイドと接触し、前記絶縁層に
よって前記磁気抵抗感知素子から電気絶縁された上部リ
ードをさらに含むことを特徴とする、上記（９）に記載
の磁気記憶システム。 （１１）空気軸受面を備える直交磁気抵抗（ＭＲ）セン
サであって、下部と上部を有し、前記空気軸受面に対し
て垂直であり、前記空気軸受面と平行な磁化容易軸を有
するＭＲ感知素子と、前記磁気抵抗感知素子の下部及び
上部と直列な第１の磁束ガイド及び第２の磁束ガイド
と、前記第１の磁束ガイド及び第２の磁束ガイドにそれ
ぞれ離間して接続された下部リード及び上部リードを含
み、前記第１の磁束ガイドが、前記空気軸受面に対して
垂直に延び、前記下部リードが、絶縁層によって前記磁
気抵抗感知素子から電気絶縁されていることを特徴とす
る直交磁気抵抗センサ。 （１２）前記磁気抵抗センサが、スピン・バルブ磁気抵
抗感知材料を含むことを特徴とする、上記（１１）に記
載の直交磁気抵抗センサ。 （１３）前記磁気抵抗センサが、異方性磁気抵抗感知材
料を含むことを特徴とする、上記（１１）に記載の直交
磁気抵抗センサ。 （１４）前記磁気抵抗感知素子の上部と直列な第２の磁
束ガイドをさらに含むことを特徴とする、上記（１１）
に記載の直交磁気抵抗センサ。 （１５）前記第２の磁束ガイドと接触し、前記絶縁層に
よって前記磁気抵抗感知素子から電気絶縁された上部リ
ードをさらに含むことを特徴とする、上記（１４）に記
載の直交磁気抵抗センサ。 （１６）データを記録する磁気記憶媒体と、前記データ
を読み取る磁気抵抗（ＭＲ）センサと、前記磁気抵抗セ
ンサに結合され、前記磁気記憶媒体に記録されたデータ
・ビットを表す印加磁界に応答した前記磁気抵抗感知素
子における抵抗変化を検出する記録チャネルとを含み、
前記磁気抵抗センサが、下部と上部を有し、空気軸受面
と垂直であり、前記空気軸受面と平行な磁化容易軸を有
するＭＲ感知素子と、前記磁気抵抗感知素子の下部及び
上部と直列な第１及び第２の磁束ガイドと、前記第１及
び第２の磁束ガイドにそれぞれ離間に接続された上部リ
ード及び下部リードを含む磁気抵抗センサとを含み、前
記下部リードが、絶縁層によって前記磁気抵抗感知素子
から電気絶縁されていることを特徴とする磁気記憶シス
テム。 （１７）前記磁気抵抗センサが、スピン・バルブ磁気抵
抗感知材料を含むことを特徴とする、上記（１６）に記
載の磁気記憶システム。 （１８）前記磁気抵抗センサが、異方性磁気抵抗感知材
料を含むことを特徴とする、上記（１６）に記載の磁気
記憶システム。 （１９）前記磁気抵抗感知素子の上部と直列な第２の磁
束ガイドをさらに含むことを特徴とする、上記（１６）
に記載の磁気記憶システム。 （２０）前記第２の磁束ガイドと接触し、前記絶縁層に
よって前記磁気抵抗感知素子から電気絶縁された上部リ
ードをさらに含むことを特徴とする、上記（１９）に記
載の磁気記憶システム。 （２１）適切な基板の上に形成されたシールド材料の上
に形成された読取りギャップ材料の上に、ＭＲセンサ材
料を付着させる段階と、前記ＭＲセンサ材料の上に上部
絶縁材料を付着させる段階と、前記上部絶縁材料の上に
フォトレジスト材料を付着させ、それに続いてフォトレ
ジストを予め定義された領域にパターン形成し現像して
下部磁束ガイドを画定し、続いて前記予め定義された領
域内の上部絶縁材料とＭＲセンサ材料とを除去する段階
と、磁束ガイド材料を前記予め定義された領域内に付着
させて下部磁束ガイドを形成し、続いて残りのフォトレ
ジストを溶解させる段階と、フォトレジスト材料を付着
させ、続いて予め定義された領域内のフォトレジストを
パターン形成し現像してＭＲセンサの安定化領域を画定
し、続いて前記予め定義された領域内の上部絶縁材料と
ＭＲセンサ材料とを除去する段階と、バイアス材料と絶
縁材料とを前記予め定義された領域に付着させて、安定
化領域を形成し、続いて残りのフォトレジストを溶解さ
せる段階と、フォトレジスト材料を付着させ、それに続
いてフォトレジストをパータン形成し現像して、下部リ
ード及び上部リードを画定する段階と、リード材料を付
着させて下部リード及び上部リードを形成し、続いてフ
ォトレジスト材料を溶解させる段階とを含む直交磁気抵
抗（ＭＲ）センサを製造する方法。 （２２）ＭＲセンサ材料を付着させる段階が、スピン・
バルブＭＲ感知材料を付着させる段階を含むことを特徴
とする、上記（２１）に記載の直交磁気抵抗（ＭＲ）セ
ンサを製造する方法。 （２３）ＭＲセンサ材料を付着させる段階が、異方性Ｍ
Ｒ感知材料を付着させる段階を含むことを特徴とする、
上記（２１）に記載の直交磁気抵抗（ＭＲ）センサを製
造する方法。
【図１】直交ＭＲセンサと磁気ディスク上の情報搬送ト
ラックとの関係を示す斜視図である。
ラックとの関係を示す斜視図である。
【図２】図１に示した直交ＭＲセンサの正面図である。
【図３】図１に示した直交ＭＲセンサの空気軸受面の図
である。
である。
【図４】本発明を実施した磁気ディスク記憶システムの
簡略化したブロック図である。
簡略化したブロック図である。
【図５】下部リード及び上部リードの形成後の本発明の
直交ＭＲセンサの正面図である。
直交ＭＲセンサの正面図である。
【図６】下部リード及び上部リードの形成後の本発明の
直交ＭＲセンサの空気軸受面の図である。
直交ＭＲセンサの空気軸受面の図である。
【図７】下部リード及び上部リードの形成後の本発明の
直交ＭＲセンサの断面図である。
直交ＭＲセンサの断面図である。
【図８】感知素子と下部リードの間の絶縁体と、感知素
子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセン
サを製作する工程のある段階を示す図である。
子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセン
サを製作する工程のある段階を示す図である。
【図９】感知素子と下部リードの間の絶縁体と、感知素
子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセン
サを製作する工程の図８に続く段階を示す図である。
子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセン
サを製作する工程の図８に続く段階を示す図である。
【図１０】感知素子と下部リードの間の絶縁体と、感知
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図９に続く段階を示す図である。
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図９に続く段階を示す図である。
【図１１】感知素子と下部リードの間の絶縁体と、感知
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１０に続く段階を示す図であ
る。
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１０に続く段階を示す図であ
る。
【図１２】感知素子と下部リードの間の絶縁体と、感知
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１１に続く段階を示す図であ
る。
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１１に続く段階を示す図であ
る。
【図１３】感知素子と下部リードの間の絶縁体と、感知
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１２に続く段階を示す図であ
る。
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１２に続く段階を示す図であ
る。
【図１４】感知素子と下部リードの間の絶縁体と、感知
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１３に続く段階を示す図であ
る。
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１３に続く段階を示す図であ
る。
【図１５】感知素子と下部リードの間の絶縁体と、感知
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１４に続く段階を示す図であ
る。
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１４に続く段階を示す図であ
る。
【図１６】感知素子と下部リードの間の絶縁体と、感知
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１５に続く段階を示す図であ
る。
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１５に続く段階を示す図であ
る。
【図１７】感知素子と下部リードの間の絶縁体と、感知
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１６に続く段階を示す図であ
る。
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１６に続く段階を示す図であ
る。
【図１８】感知素子と下部リードの間の絶縁体と、感知
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１７に続く段階を示す図であ
る。
素子と直列な磁束ガイドとを備えた本発明の直交ＭＲセ
ンサを製作する工程の図１７に続く段階を示す図であ
る。
４００ 直交ＭＲセンサ ４１０ ＭＲ感知素子 ４１２ 端部領域 ４１４ 端部領域 ４１６ 下部磁束ガイド ４１８ 上部磁束ガイド ４２０ 絶縁層 ４２２ 下部リード ４２４ 上部リード ４４０ 空気軸受面（ＡＢＳ） ５１２ 基板 ５３０ 上部絶縁体 ５３６ トラック幅 ５４０ 安定化領域 ５４２ 安定化領域 ５４４ ＭＲ感知素子 ５５２ 下部リード ５５４ 上部リード ５６０ 開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダグラス・ジョンソン・ウェルナー アメリカ合衆国94539 カリフォルニア州 フレモント フェスティブ・コート 593
Claims (23)
- 【請求項１】下部と上部を有する磁気抵抗感知素子と、 前記磁気抵抗感知素子の下部と直列な第１の磁束ガイド
と、 前記第１の磁束ガイドと接触し、絶縁層によって前記磁
気抵抗感知素子から電気絶縁された下部リードとを含む
直交磁気抵抗センサ。 - 【請求項２】前記磁気抵抗センサが、スピン・バルブ磁
気抵抗感知材料を含むことを特徴とする、請求項１に記
載の直交磁気抵抗センサ。 - 【請求項３】前記磁気センサが、異方性磁気抵抗感知材
料を含むことを特徴とする、請求項１に記載の直交磁気
抵抗センサ。 - 【請求項４】前記磁気感知素子の上部と直列な第２の磁
束ガイドをさらに含む、請求項１に記載の直交磁気抵抗
センサ。 - 【請求項５】前記第２の磁束ガイドと接触し、前記絶縁
層によって前記磁気抵抗感知素子から電気絶縁された上
部リードをさらに含むことを特徴とする、請求項４に記
載の直交磁気抵抗センサ。 - 【請求項６】データを記録する磁気記憶媒体と、 前記データを読み取る磁気抵抗センサと、 前記磁気抵抗センサに結合され、前記磁気記憶媒体に記
録されたデータ・ビットを表す印加磁界に応答した前記
磁気抵抗感知素子内の抵抗変化を検出する記録チャネル
とを含み、 前記磁気抵抗センサが、 下部と上部を有する磁気抵抗感知素子と、 前記磁気抵抗感知素子の下部と直列な磁束ガイドと、 前記磁束ガイドと接触し、絶縁層によって前記磁気抵抗
感知素子から電気絶縁された下部リードとを含むことを
特徴とする磁気記憶システム。 - 【請求項７】前記磁気抵抗センサが、スピン・バルブ磁
気抵抗感知材料を含むことを特徴とする、請求項６に記
載の磁気記憶システム。 - 【請求項８】前記磁気抵抗センサが、異方性磁気抵抗感
知材料を含むことを特徴とする、請求項６に記載の磁気
記憶システム。 - 【請求項９】前記磁気抵抗感知素子の上部と直列な第２
の磁束ガイドをさらに含むことを特徴とする、請求項６
に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項１０】前記第２の磁束ガイドと接触し、前記絶
縁層によって前記磁気抵抗感知素子から電気絶縁された
上部リードをさらに含むことを特徴とする、請求項９に
記載の磁気記憶システム。 - 【請求項１１】空気軸受面を備える直交磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）センサであって、 下部と上部を有し、前記空気軸受面に対して垂直であ
り、前記空気軸受面と平行な磁化容易軸を有するＭＲ感
知素子と、 前記磁気抵抗感知素子の下部及び上部と直列な第１の磁
束ガイド及び第２の磁束ガイドと、 前記第１の磁束ガイド及び第２の磁束ガイドにそれぞれ
離間して接続された下部リード及び上部リードを含み、 前記第１の磁束ガイドが、前記空気軸受面に対して垂直
に延び、前記下部リードが、絶縁層によって前記磁気抵
抗感知素子から電気絶縁されていることを特徴とする直
交磁気抵抗センサ。 - 【請求項１２】前記磁気抵抗センサが、スピン・バルブ
磁気抵抗感知材料を含むことを特徴とする、請求項１１
に記載の直交磁気抵抗センサ。 - 【請求項１３】前記磁気抵抗センサが、異方性磁気抵抗
感知材料を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の
直交磁気抵抗センサ。 - 【請求項１４】前記磁気抵抗感知素子の上部と直列な第
２の磁束ガイドをさらに含むことを特徴とする、請求項
１１に記載の直交磁気抵抗センサ。 - 【請求項１５】前記第２の磁束ガイドと接触し、前記絶
縁層によって前記磁気抵抗感知素子から電気絶縁された
上部リードをさらに含むことを特徴とする、請求項１４
に記載の直交磁気抵抗センサ。 - 【請求項１６】データを記録する磁気記憶媒体と、 前記データを読み取る磁気抵抗（ＭＲ）センサと、 前記磁気抵抗センサに結合され、前記磁気記憶媒体に記
録されたデータ・ビットを表す印加磁界に応答した前記
磁気抵抗感知素子における抵抗変化を検出する記録チャ
ネルとを含み、 前記磁気抵抗センサが、 下部と上部を有し、空気軸受面と垂直であり、前記空気
軸受面と平行な磁化容易軸を有するＭＲ感知素子と、 前記磁気抵抗感知素子の下部及び上部と直列な第１及び
第２の磁束ガイドと、 前記第１及び第２の磁束ガイドにそれぞれ離間に接続さ
れた上部リード及び下部リードを含む磁気抵抗センサと
を含み、 前記下部リードが、絶縁層によって前記磁気抵抗感知素
子から電気絶縁されていることを特徴とする磁気記憶シ
ステム。 - 【請求項１７】前記磁気抵抗センサが、スピン・バルブ
磁気抵抗感知材料を含むことを特徴とする、請求項１６
に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項１８】前記磁気抵抗センサが、異方性磁気抵抗
感知材料を含むことを特徴とする、請求項１６に記載の
磁気記憶システム。 - 【請求項１９】前記磁気抵抗感知素子の上部と直列な第
２の磁束ガイドをさらに含むことを特徴とする、請求項
１６に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項２０】前記第２の磁束ガイドと接触し、前記絶
縁層によって前記磁気抵抗感知素子から電気絶縁された
上部リードをさらに含むことを特徴とする、請求項１９
に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項２１】適切な基板の上に形成されたシールド材
料の上に形成された読取りギャップ材料の上に、ＭＲセ
ンサ材料を付着させる段階と、 前記ＭＲセンサ材料の上に上部絶縁材料を付着させる段
階と、 前記上部絶縁材料の上にフォトレジスト材料を付着さ
せ、それに続いてフォトレジストを予め定義された領域
にパターン形成し現像して下部磁束ガイドを画定し、続
いて前記予め定義された領域内の上部絶縁材料とＭＲセ
ンサ材料とを除去する段階と、 磁束ガイド材料を前記予め定義された領域内に付着させ
て下部磁束ガイドを形成し、続いて残りのフォトレジス
トを溶解させる段階と、 フォトレジスト材料を付着させ、続いて予め定義された
領域内のフォトレジストをパターン形成し現像してＭＲ
センサの安定化領域を画定し、続いて前記予め定義され
た領域内の上部絶縁材料とＭＲセンサ材料とを除去する
段階と、 バイアス材料と絶縁材料とを前記予め定義された領域に
付着させて、安定化領域を形成し、続いて残りのフォト
レジストを溶解させる段階と、 フォトレジスト材料を付着させ、それに続いてフォトレ
ジストをパータン形成し現像して、下部リード及び上部
リードを画定する段階と、 リード材料を付着させて下部リード及び上部リードを形
成し、続いてフォトレジスト材料を溶解させる段階とを
含む直交磁気抵抗（ＭＲ）センサを製造する方法。 - 【請求項２２】ＭＲセンサ材料を付着させる段階が、ス
ピン・バルブＭＲ感知材料を付着させる段階を含むこと
を特徴とする、請求項２１に記載の直交磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）センサを製造する方法。 - 【請求項２３】ＭＲセンサ材料を付着させる段階が、異
方性ＭＲ感知材料を付着させる段階を含むことを特徴と
する、請求項２１に記載の直交磁気抵抗（ＭＲ）センサ
を製造する方法。
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|---|---|
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| KR (1) | KR100201681B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG86331A1 (en) * | 1997-08-07 | 2002-02-19 | Tdk Corp | Lapping control sensor for magnetoresistive effect head, lapping control method using the sensor and manufacturing method of the sensor |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6195228B1 (en) * | 1997-01-06 | 2001-02-27 | Nec Research Institute, Inc. | Thin, horizontal-plane hall sensors for read-heads in magnetic recording |
| US6223420B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Method of making a read head with high resistance soft magnetic flux guide layer for enhancing read sensor efficiency |
| SE513891C2 (sv) * | 1999-03-22 | 2000-11-20 | Ericsson Telefon Ab L M | Ett magnetoresistivt element och ett förfarande för att producera en kristallstruktur |
| US6519124B1 (en) * | 2000-03-27 | 2003-02-11 | Tdk Corporation | Magnetic tunnel junction read head using a hybrid, low-magnetization flux guide |
| US6515573B1 (en) * | 2000-06-19 | 2003-02-04 | Read-Rite Corporation | Method and system for providing edge-junction TMR utilizing a hard magnet as a pinned layer |
| US7057864B2 (en) * | 2001-07-10 | 2006-06-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for achieving physical connection between the flux guide and the free layer and that insulates the flux guide from the shields |
| US7133264B2 (en) * | 2002-09-13 | 2006-11-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | High resistance sense current perpendicular-to-plane (CPP) giant magnetoresistive (GMR) head |
| ITTO20130436A1 (it) * | 2013-05-29 | 2014-11-30 | St Microelectronics Srl | Magnetoresistore integrato di tipo amr a basso consumo |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4291351A (en) * | 1979-11-28 | 1981-09-22 | International Business Machines Corporation | Flux extender or guide for magnetic read head having a magnetoresistive flux sensor |
| JPS6087417A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| US5018037A (en) * | 1989-10-10 | 1991-05-21 | Krounbi Mohamad T | Magnetoresistive read transducer having hard magnetic bias |
| US5424890A (en) * | 1990-02-05 | 1995-06-13 | Sony Corporation | Magnetoresistance effect type thin film head |
| US5206590A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
| NL9100155A (nl) * | 1991-01-30 | 1992-08-17 | Philips Nv | Magneetkop, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke magneetkop. |
| US5241439A (en) * | 1991-07-02 | 1993-08-31 | U.S. Philips Corporation | Combined read/write thin film magnetic head with two pairs of flux guides |
| US5258883A (en) * | 1991-07-05 | 1993-11-02 | U.S. Philips Corporation | Thin-film magnetic head |
| US5270895A (en) * | 1991-07-05 | 1993-12-14 | U.S. Philips Corporation | Combined read/write thin-film magnetic head with composite shared flux guide |
| EP0551603B1 (en) * | 1991-12-05 | 1998-12-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-resistive head |
| US5287238A (en) * | 1992-11-06 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Dual spin valve magnetoresistive sensor |
| US5301079A (en) * | 1992-11-17 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Current biased magnetoresistive spin valve sensor |
| FR2709549B1 (fr) * | 1993-09-02 | 1995-10-13 | Commissariat Energie Atomique | Guide de flux magnétique à languettes et capteur magnétorésistif comportant ce guide . |
| US5546254A (en) * | 1994-07-07 | 1996-08-13 | International Business Machines Corporation | Orthogonal MR Read head with single hard biased MR stripe |
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
| JPH0896303A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置 |
| US5493467A (en) * | 1994-12-27 | 1996-02-20 | International Business Machines Corporation | Yoke spin valve MR read head |
| US5696656A (en) * | 1996-09-06 | 1997-12-09 | International Business Machines Corporation | Highly sensitive orthogonal spin valve read head |
-
1996
- 1996-10-30 KR KR1019960050450A patent/KR100201681B1/ko not_active IP Right Cessation
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-
1997
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG86331A1 (en) * | 1997-08-07 | 2002-02-19 | Tdk Corp | Lapping control sensor for magnetoresistive effect head, lapping control method using the sensor and manufacturing method of the sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR100201681B1 (ko) | 1999-06-15 |
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