JPH09197432A - Optical writing type liquid crystal light valve - Google Patents
Optical writing type liquid crystal light valveInfo
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- JPH09197432A JPH09197432A JP1026396A JP1026396A JPH09197432A JP H09197432 A JPH09197432 A JP H09197432A JP 1026396 A JP1026396 A JP 1026396A JP 1026396 A JP1026396 A JP 1026396A JP H09197432 A JPH09197432 A JP H09197432A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光書き込み型液晶
光バルブに係わる。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photo-writing type liquid crystal light valve.
【0002】[0002]
【従来の技術】光バルブ技術の基本的理論は、米国特許
第3,824,002号明細書や、米国特許第4,01
9,807号明細書等に開示されているところであり、
交流光バルブの基本的構成は前者の特許明細書に開示さ
れている。2. Description of the Related Art The basic theory of light valve technology is described in US Pat. No. 3,824,002 and US Pat.
Which is disclosed in the specification of No. 9,807,
The basic construction of an AC light valve is disclosed in the former patent specification.
【0003】液晶光バルブは、図5に示すように、内面
にそれぞれ第1および第2の透明電極31および38が
被着形成された2枚の例えばガラスよりなる透明の第1
および第2の基板30および39間に、液晶層37、誘
電体反射膜36、光吸収層35、光導電層32による薄
膜多層構造が挟みこまれて成る。As shown in FIG. 5, a liquid crystal light valve has two transparent first electrodes made of, for example, glass and having first and second transparent electrodes 31 and 38 formed on the inner surfaces thereof.
A thin film multi-layer structure including a liquid crystal layer 37, a dielectric reflection film 36, a light absorption layer 35, and a photoconductive layer 32 is sandwiched between the second substrates 30 and 39.
【0004】この液晶光バルブは、光の強度、位相ある
いは進行方向等に空間的変調を与え、画像やパターン化
されたデータ等の2次元情報を実時間で書き込み、表
示、消去する素子である。This liquid crystal light valve is an element for writing, displaying, and erasing two-dimensional information such as an image and patterned data in real time by spatially modulating the intensity, phase or traveling direction of light. .
【0005】そして、第2の基板39側からキセノンラ
ンプ等の光源からの読み出し光LRが導入され、誘電体
反射膜36によって反射されて第2の基板39側から前
方に向かうようになされる。一方、第1の基板30側か
ら入力映像等の書き込み光L W が光導電層32に導入さ
れ、光導電層32の各部分に入射される入力映像等の書
き込みパターンの光強度に応じて生じた光導電層32の
導電性パターンをもって液晶層37に、両透明電極31
および38によって電圧印加がなされ、これによって液
晶層37のいわゆる光スイッチ動作がなされ、読み出し
光LR の偏光変調がなされ、入力映像に応じた読み出し
光LR の反射光による出力光がとりだされ、これが例え
ばスクリーン(図示せず)に所要の光学系を通じて拡大
投影されるようになされている。Then, xenon laser is applied from the second substrate 39 side.
Light L from a light source such as a pumpRIntroduced the dielectric
It is reflected by the reflective film 36 and is forwarded from the second substrate 39 side.
It is made to go toward. On the other hand, the first substrate 30 side
Writing light L for input video, etc. WAre introduced into the photoconductive layer 32.
And the input image, etc. that is incident on each part of the photoconductive layer 32.
Of the photoconductive layer 32 generated according to the light intensity of the imprint pattern.
Both transparent electrodes 31 are formed on the liquid crystal layer 37 with a conductive pattern.
And 38 apply a voltage, which causes the liquid
The so-called optical switch operation of the crystal layer 37 is performed, and reading is performed.
Light LRThe polarization is modulated and read according to the input image
Light LRThe output light from the reflected light of
Enlarge through a required optical system on a screen (not shown)
It is designed to be projected.
【0006】ところで、この種の液晶光バルブにおいて
は、上述した液晶層37、誘電体反射膜36、光吸収層
35、光導電層32の各層が、ともに比較的高い面抵抗
を有することから、これらは、面方向に関して分離する
構造、すなわち例えば画素単位毎に分割をするなどの構
成は採られていない。By the way, in this type of liquid crystal light valve, each of the liquid crystal layer 37, the dielectric reflection film 36, the light absorption layer 35, and the photoconductive layer 32 described above has a relatively high surface resistance. These do not employ a structure in which they are separated in the plane direction, that is, a structure in which they are divided for each pixel unit, for example.
【0007】この液晶光バルブにおいては、その光導電
層32が例えばアモルファスシリコンによって構成され
るが、この光導電層32の厚さはかなり厚く形成されて
いる。これは、光導電層32に係わるインピーダンスを
高めるためである。In this liquid crystal light valve, the photoconductive layer 32 is made of, for example, amorphous silicon, and the photoconductive layer 32 is formed to be considerably thick. This is to increase the impedance associated with the photoconductive layer 32.
【0008】これについて説明する。図4は、液晶光バ
ルブの等価回路である。すなわち、液晶光バルブを構成
する光導電層や、液晶層を含む各層は、それぞれ抵抗成
分Rと、容量成分CからなるインピーダンスZを有す
る。しかしながら、液晶の駆動に特に大きな影響を及ぼ
すのは、光導電層と液晶層であって、その他の層につい
ては無視することができる。This will be described. FIG. 4 is an equivalent circuit of the liquid crystal light valve. That is, each layer including the photoconductive layer and the liquid crystal layer forming the liquid crystal light valve has an impedance Z including a resistance component R and a capacitance component C, respectively. However, it is the photoconductive layer and the liquid crystal layer that have a great influence on the driving of the liquid crystal, and the other layers can be ignored.
【0009】図4において、Z1 は光導電層のインピー
ダンスで、R1 およびC1 はそれぞれその抵抗成分およ
び容量成分である。また、Z2 は液晶層のインピーダン
スで、R2 およびC2 はそれぞれその抵抗成分および容
量成分である。そして、書き込み光がない状態すなわち
暗状態においては、光導電層の抵抗成分R1 が高くイン
ピーダンスZ1 が大であることから、液晶層にかかる電
圧V2 を支配して、この電圧V2 が、光導電層および液
晶層の両端に印加される電圧Vに対し、V2 ≪Vとされ
ることによって液晶層のスイッチ・オンのしきい値電圧
より低い電圧V 2 が液晶層に印加されるようにする。そ
して、書き込み光が導入された状態では、光導電層のR
1 が小となることによってインピーダンスZ1 が低下
し、液晶層で印加される電圧V2 は、電圧Vに近づき、
これがオン状態となるものである。したがって、この場
合暗状態でのインピーダンスZ1 が大である必要があ
り、このために、上述した液晶光バルブにおける光導電
層32の厚さ方向に関する暗抵抗を高めるために、この
光導電層32を構成する例えばアモルファスシリコン膜
の厚さは、かなり厚い、例えば10μm以上に成膜され
ている。In FIG. 4, Z1Is the impedance of the photoconductive layer
Dance, R1And C1Is the resistance component and
And capacity component. Also, ZTwo Is the impedance of the liquid crystal layer
Su, RTwo And CTwo Is the resistance component and
It is a quantitative component. And when there is no writing light,
In the dark state, the resistance component R of the photoconductive layer1High in
Peedance Z1Is large, the voltage applied to the liquid crystal layer is
Pressure VTwoControl this voltage VTwo But photoconductive layer and liquid
V with respect to the voltage V applied to both ends of the crystal layerTwo << V
The threshold voltage for switching on the liquid crystal layer
Lower voltage V Two Are applied to the liquid crystal layer. So
Then, in the state where the writing light is introduced, the R of the photoconductive layer is
1Is small, the impedance Z1Decreases
The voltage V applied to the liquid crystal layerTwoApproaches the voltage V,
This is the ON state. Therefore, this place
Impedance Z in darkness1Must be large
For this reason, the photoconductivity in the liquid crystal light valve described above
In order to increase the dark resistance in the thickness direction of the layer 32, this
For example, an amorphous silicon film forming the photoconductive layer 32
Is quite thick, for example, 10μm or more
ing.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
光導電層32の膜厚、例えばアモルファスシリコン層の
膜厚を厚くすることは、実際には、その成膜時間が極め
て長く、量産性を阻み、作製コストが高くなる。However, increasing the film thickness of the photoconductive layer 32, for example, the film thickness of the amorphous silicon layer, in fact, makes the film forming time extremely long, which leads to mass productivity. This hinders the production cost.
【0011】さらに、このように、光導電層32の膜厚
を例えば10μm以上とする場合、この液晶光バルブの
パネルに反りが生じるという問題があることから、この
光導電層32の厚さに応じて第1および第2の基板30
および39の厚さを大にするなどの考慮を必要とする。
このため、液晶光バルブ全体の厚さ、重量が大きくな
り、小型、軽量化を阻害している。Further, when the film thickness of the photoconductive layer 32 is set to, for example, 10 μm or more, there is a problem that the panel of the liquid crystal light valve is warped. Accordingly, the first and second substrates 30
And 39 need to be considered.
For this reason, the thickness and weight of the entire liquid crystal light valve are increased, which hinders reduction in size and weight.
【0012】因みに、強誘電性液晶を用いた光バルブで
は、光導電層32の膜厚が薄くでき、空間分解能が向上
することが知られているが、アナログ階調と高信頼性を
実現した画像映像表示に使用できるものは実用化されて
いない。By the way, it is known that in a light valve using a ferroelectric liquid crystal, the film thickness of the photoconductive layer 32 can be made small and the spatial resolution is improved, but analog gradation and high reliability are realized. Those that can be used to display images have not been put to practical use.
【0013】本発明は、上述の問題を解決すべく、光書
き込み型液晶光バルブにおいて、光導電層の厚さの低減
化をはかり、製造の簡易化、能率の向上、量産性の向
上、コストの低減化、基板の厚さの低減化をはかること
ができるようにして、薄型、軽量化を実現することがで
きるようにする。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention aims to reduce the thickness of the photoconductive layer in a photo-writing type liquid crystal light valve to simplify the manufacturing, improve the efficiency, improve the mass productivity, and reduce the cost. It is possible to reduce the thickness of the substrate and the thickness of the substrate, and to realize the reduction in thickness and weight.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明による光書き込み
型液晶光バルブは、第1の透明電極と、第2の透明電極
との間に、第1の透明電極と接して配置された光導電層
と、光導電層を挟んで第1の透明電極と対向して配置さ
れた中間電極と、誘電体反射膜と、液晶層とが介在され
てなる構成とする。A photo-writing type liquid crystal light valve according to the present invention comprises a photoconductive layer disposed between a first transparent electrode and a second transparent electrode in contact with the first transparent electrode. A layer, an intermediate electrode arranged to face the first transparent electrode with the photoconductive layer sandwiched therebetween, a dielectric reflection film, and a liquid crystal layer are interposed.
【0015】本発明においては、上述したように中間電
極を設けることによって、後述するところから明らかに
なるように、いわば面方向の分割化をはかることができ
るよにして、実質的に各部における図4で示した等価回
路における容量成分C1 の低減化をはかることができる
ようにし、もって抵抗成分R1 を小さくしても光導電層
のインピーダンスZ1 必要充分に保持することができる
ようにして、光導電層の厚さを従来の例えば1/10に
も低めることができるようにする。In the present invention, by providing the intermediate electrode as described above, it becomes possible to divide the surface direction, so to speak, as will be described later, so that the drawing of each part is substantially achieved. The capacitance component C 1 in the equivalent circuit shown in FIG. 4 can be reduced so that the impedance Z 1 of the photoconductive layer can be sufficiently maintained even if the resistance component R 1 is reduced. The thickness of the photoconductive layer can be reduced to 1/10 of the conventional one.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】本発明による光書き込み型液晶光
バルブの実施形態を説明する。図1を参照して本発明に
よる光書き込み型液晶光バルブの一例を説明する。図1
は、その一部を断面として切り欠いて開示した要部の概
略斜視図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of a photo-writing type liquid crystal light valve according to the present invention will be described. An example of the optically writable liquid crystal light valve according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
[Fig. 3] is a schematic perspective view of a main part disclosed by cutting out a part thereof as a cross section.
【0017】この光書き込み型液晶光バルブは、それぞ
れ例えばガラス基板等よりなり、それぞれ一方の面に第
1および第2の透明電極2および8が被着形成された第
1および第2の基板1および9、すなわち各基板が、そ
の各透明電極を内側にして対向させ、これら第1および
第2の基板1および9間に光導電部20と液晶部21と
が積層されて配置される。The optically writable liquid crystal light valve is made of, for example, a glass substrate or the like, and has first and second transparent electrodes 2 and 8 formed on one surface of the first and second substrates 1, respectively. And 9, that is, the respective substrates face each other with their respective transparent electrodes facing inward, and the photoconductive portion 20 and the liquid crystal portion 21 are laminated and arranged between the first and second substrates 1 and 9.
【0018】光導電部20は、第1の基板1上に形成さ
れた第1の透明電極2上に被着形成された光導電層3
と、この光導電層3上に形成された中間電極4とが積層
されてなる。The photoconductive portion 20 is a photoconductive layer 3 formed by deposition on the first transparent electrode 2 formed on the first substrate 1.
And the intermediate electrode 4 formed on the photoconductive layer 3 are laminated.
【0019】第1の透明電極2は、有効画面部で例えば
複数のストライプ部2sが平行配列されたパターンに
形成される。この第1の透明電極2は、基板1上に例え
ば酸化インジウム錫膜いわゆるITOを200nmの厚
さに全面的に形成し、これをフォトリソグラフィによる
パターンエッチングによって所定の幅、および所定の間
隔を有するストライプ部2sが配列形成されたパターン
とする。The first transparent electrode 2 has, for example, a pattern in which a plurality of stripe portions 2s are arranged in parallel on the effective screen portion.
It is formed. The first transparent electrode 2 has, for example, an indium tin oxide film, which is a so-called ITO film, having a thickness of 200 nm formed on the entire surface of the substrate 1, and has a predetermined width and a predetermined space by pattern etching by photolithography. It is assumed that the stripe portions 2s are arranged and formed.
【0020】光導電層3は、第1の透明電極2上に、例
えばアモルファスシリコンを所要の厚さにプラズマCV
D(Chemical Vapor Deposition) 法等によって形成す
る。The photoconductive layer 3 is formed by depositing, for example, amorphous silicon on the first transparent electrode 2 by plasma CV to a required thickness.
It is formed by a D (Chemical Vapor Deposition) method or the like.
【0021】中間電極4は、光導電層3上に、最終的に
形成する中間電極4のパターンに応じた所定のパターン
のマスク層を形成し、これの上にAlを例えば0.1μ
m程度の厚さに全面的に蒸着し、マスク層をその溶剤に
よって除去することによるいわゆるリフトオフ法によっ
て所定のパターンに形成する。この中間電極4のパター
ンは、最終的に構成する光書き込み型液晶光バルブにお
ける例えば各画素毎に分割したパターンとする。この中
間層4は、例えば互いに直交する複数の行および列上に
それぞれ複数の例えば方形の島状分割部が配列されたパ
ターンとする。この中間電極4の、各島状分割部は、例
えばその各辺が例えば32μm程度の大きさとされ、隣
り合う各島状分割部の間隔が、3μmに選定される。For the intermediate electrode 4, a mask layer having a predetermined pattern corresponding to the pattern of the intermediate electrode 4 to be finally formed is formed on the photoconductive layer 3, and Al is deposited thereon, for example, 0.1 μm.
A layer having a thickness of about m is vapor-deposited on the entire surface, and the mask layer is removed by the solvent to form a predetermined pattern by a so-called lift-off method. The pattern of the intermediate electrode 4 is, for example, a pattern divided for each pixel in the photo-writing liquid crystal light valve that is finally formed. The intermediate layer 4 has, for example, a pattern in which a plurality of, for example, rectangular island-shaped divided portions are arranged on a plurality of rows and columns that are orthogonal to each other. Each island-shaped divided portion of the intermediate electrode 4 has, for example, each side having a size of, for example, about 32 μm, and an interval between adjacent island-shaped divided portions is selected to be 3 μm.
【0022】そして、この場合、上述した第1の透明電
極2の各ストライプ部は、図2に示すように、中間電極
4の、例えば共通の列毎に、これら各列上に配列された
島状分割部にその中央部に沿って光導電層3を挟んで対
向するように形成する。これら、第1の透明電極2の各
ストライプ部は、それぞれその両端において相互に連結
させたパターンとする。In this case, the stripe portions of the first transparent electrode 2 described above are arranged, for example, in common columns of the intermediate electrodes 4 in islands arranged on these columns, as shown in FIG. The photoconductive layer 3 is formed so as to face each other along the central portion of the divided portion. The stripes of the first transparent electrode 2 are connected to each other at both ends thereof.
【0023】第1の透明電極2の各ストライプ部は、そ
の幅を中間電極4の島状分割部の幅の例えば32μmよ
り小なる例えば4μmとし、各ストライプ部の間隔を、
例えば35μmに選定する。このようにして、透明電極
2が、中間電極4の各島状分割部の各一部の面積と対向
するように構成する。The width of each stripe portion of the first transparent electrode 2 is, for example, 4 μm, which is smaller than the width of the island-shaped divided portion of the intermediate electrode 4, for example, 4 μm.
For example, it is selected to be 35 μm. In this way, the transparent electrode 2 is configured to face the area of each part of each island-shaped divided portion of the intermediate electrode 4.
【0024】この光導電部20上に、上述の液晶部21
を積層形成する。この液晶部21は、中間電極4上に形
成された光吸収層5と、これの上に形成された誘電体反
射膜6と、これの上に配置される液晶層7とを有してな
り、この液晶層7が、第2の基板9の第2の透明電極8
と接するように配置される。すなわち、光導電部20
の、中間電極4上に、光吸収層5と誘電体反射膜6とが
積層形成される。On the photoconductive portion 20, the above-mentioned liquid crystal portion 21 is provided.
Are laminated. The liquid crystal part 21 includes a light absorption layer 5 formed on the intermediate electrode 4, a dielectric reflection film 6 formed on the light absorption layer 5, and a liquid crystal layer 7 arranged on the dielectric reflection film 6. , The liquid crystal layer 7 is the second transparent electrode 8 of the second substrate 9.
It is arranged so that it may contact. That is, the photoconductive portion 20
The light absorption layer 5 and the dielectric reflection film 6 are laminated on the intermediate electrode 4.
【0025】誘電体反射膜6は、高屈折率材料層と低屈
折率材料層とが交互に2層以上積層された構成とするこ
とができる。The dielectric reflection film 6 may be constructed by alternately laminating two or more high refractive index material layers and low refractive index material layers.
【0026】光吸収層5と誘電体反射膜6の各層は、例
えば電子ビーム蒸着によって形成することができる。Each of the light absorbing layer 5 and the dielectric reflecting film 6 can be formed by, for example, electron beam evaporation.
【0027】このようにして第1の基板1側に形成され
た誘電体反射膜6上には、液晶の配向層(図示せず)が
形成され、これに他方の第2の基板9を所要の間隔を保
持して対向させて、両者間に液密偏平空間を形成し、こ
の空間内に、液晶の注入を行って液晶層7を形成する。A liquid crystal alignment layer (not shown) is formed on the dielectric reflection film 6 thus formed on the first substrate 1 side, and the other second substrate 9 is required for this. A liquid-tight flat space is formed between the two while facing each other with a space therebetween, and liquid crystal is injected into the space to form the liquid crystal layer 7.
【0028】この液晶層7を構成する液晶は、例えばネ
マティック液晶、あるいは強誘電体液晶によって構成す
ることができる。The liquid crystal forming the liquid crystal layer 7 can be composed of, for example, nematic liquid crystal or ferroelectric liquid crystal.
【0029】この構成による光書き込み型液晶光バルブ
は、第1および第2の透明電極2および8間に液晶部2
1および光導電部20を横切って交流電流を生じる電圧
信号を供給する。第1の基板1側から書き込み光LW を
入射させ、第2の基板9側から読み出し光LR を入射さ
せる。このようにすると、書き込み光LW によって光学
的アドレスがなされ、これによって光導電層3の電気抵
抗が変化することから、このパターンに応じた電圧パタ
ーンを得ることができる。この場合、中間電極3が設け
られ、これが各画素に島状分割されてセグメント化され
ていることから、これらセグメント毎に第1の透明電極
2および第2の透明電極8間、すなわち液晶層に、所要
の電位が印加されて入力書き込み光LW のパターンに応
じた電位パターンによって液晶層7が制御され、これに
入射する読み出し光LR が偏光変調される。したがっ
て、この変調によって、書き込み光パターンに応じた、
読み出し光パターンが得られ、これが例えばスクリーン
上に拡大投影される。In the photo-writing type liquid crystal light valve having this structure, the liquid crystal part 2 is provided between the first and second transparent electrodes 2 and 8.
1 and a photoconductive portion 20 to provide a voltage signal that produces an alternating current. The writing light L W is made incident from the first substrate 1 side, and the reading light L R is made incident from the second substrate 9 side. In this case, an optical address is made by the writing light L W , and the electric resistance of the photoconductive layer 3 is changed by this, so that a voltage pattern corresponding to this pattern can be obtained. In this case, since the intermediate electrode 3 is provided and each pixel is divided into islands and segmented, the segment is divided between the first transparent electrode 2 and the second transparent electrode 8, that is, in the liquid crystal layer. , The liquid crystal layer 7 is controlled by a potential pattern corresponding to the pattern of the input write light L W by applying a required potential, and the read light L R incident on this is polarized and modulated. Therefore, by this modulation, according to the writing light pattern,
A readout light pattern is obtained, which is magnified and projected on a screen, for example.
【0030】上述の本発明による光書き込み型液晶光バ
ルブにおいては、光導電層4を挟んで第1の透明電極2
とは反対側に中間電極4を設け、これを画素毎に分割さ
れた構成とし、さらにこの各画素の分割部に対し、更に
これより小面積で透明電極2が対向するようにしたこと
から、各分割部における容量を小とすることができる。
すなわち図4で示した等価回路における各分割部に関す
る実質的インピーダンスの低減化をはかることができる
ことから、同一インピーダンスを得るに、抵抗成分R1
の低減化をはることができる。すなわち、上述の構成に
おいて、その光導電層3の厚さを従来の例えば1/10
にすることができる。In the above-mentioned photo-writing type liquid crystal light valve according to the present invention, the first transparent electrode 2 with the photoconductive layer 4 interposed therebetween.
Since the intermediate electrode 4 is provided on the side opposite to, and the transparent electrode 2 is divided for each pixel, and the transparent electrode 2 is made to face the divided portion of each pixel with a smaller area than that, The capacity in each division can be made small.
That is, since it is possible to reduce the substantial impedance related to each divided portion in the equivalent circuit shown in FIG. 4, in order to obtain the same impedance, the resistance component R 1
Can be reduced. That is, in the above-mentioned structure, the thickness of the photoconductive layer 3 is set to, for example, 1/10 of the conventional thickness.
Can be
【0031】また、セグメント化(分割化)された中間
電極4を設けたことにより、光導電部20の改善が行わ
れたとともに、光吸収層5の簡素化が可能となる。すな
わち、中間電極4、例えばアルミニウム膜によって構成
する場合、このアルミニウム膜は、可視光領域において
85%以上の反射率を有することから、光吸収層5の膜
厚を薄くするとか、膜構造の簡略化をはかることができ
る。Further, by providing the segmented (divided) intermediate electrode 4, the photoconductive portion 20 is improved and the light absorption layer 5 can be simplified. That is, when the intermediate electrode 4 is made of, for example, an aluminum film, the aluminum film has a reflectance of 85% or more in the visible light region, and therefore the thickness of the light absorption layer 5 is reduced or the film structure is simplified. Can be changed.
【0032】尚、上述した例においては、中間電極4を
各画素毎に分割すなわちセグメント化した場合である
が、この中間電極4としてその面方向抵抗が充分大であ
る場合は、これの分割を行わないとか、複数の画素に関
して共通とすることができる。In the above example, the intermediate electrode 4 is divided, that is, segmented for each pixel. However, when the surface resistance of the intermediate electrode 4 is sufficiently large, it is divided. It may be omitted, or common to a plurality of pixels.
【0033】また、上述の構成では、第1の透明電極2
を有効画面部でストライプ状にセグメント化した場合で
あるが、他のパターンとすることもできる。Further, in the above structure, the first transparent electrode 2
Is segmented into stripes in the effective screen portion, but other patterns can be used.
【0034】また、上述した光書き込み型液晶光バルブ
では、光導電層3が第1の基板1の面上で全面的に形成
した場合であるが、本発明はこの例の限定されることな
く、光導電層3をセグメント化された第1の透明電極2
上においてのみ存在する構成とすることもできる。In the above-mentioned photo-writing type liquid crystal light valve, the photoconductive layer 3 is formed entirely on the surface of the first substrate 1, but the present invention is not limited to this example. , A first transparent electrode 2 segmented with a photoconductive layer 3
It is also possible to adopt a configuration that exists only above.
【0035】図3にこの構成とした液晶光バルブの概略
断面図を示す。この場合、セグメント化された第1の透
明電極2上にのみ光導電層3を備えており、他の部分に
は絶縁層13を備える構成とする。そして、この上に図
1で説明した例と同様に、格子状にセグメント化された
中間電極14となる例えばアルミニウム膜が積層され、
光導電部20が形成されている。FIG. 3 shows a schematic sectional view of a liquid crystal light valve having this structure. In this case, the photoconductive layer 3 is provided only on the segmented first transparent electrode 2, and the insulating layer 13 is provided on the other portion. Then, similarly to the example described in FIG. 1, an aluminum film, for example, which becomes the grid-shaped segmented intermediate electrode 14 is laminated thereon,
The photoconductive portion 20 is formed.
【0036】この素子は、先ず、例えばガラスよりなる
第1の基板1に絶縁層13を蒸着し、ストライプ状のマ
スクによりパターンニングし、ドライエッチング、ある
いはウェットエッチングにより所定のパターンを形成す
る。In this device, first, an insulating layer 13 is vapor-deposited on a first substrate 1 made of, for example, glass, patterned by a stripe-shaped mask, and a predetermined pattern is formed by dry etching or wet etching.
【0037】次に上述した例と同様の工程により、第1
の透明電極2となる例えば酸化インジウム錫、光導電層
3となる例えばアモルファスシリコンをストライプ状に
積層する。Next, by the same steps as in the above-mentioned example, the first
Indium tin oxide as the transparent electrode 2 and amorphous silicon as the photoconductive layer 3 are laminated in stripes.
【0038】最後にリフトオフ工程を経て、光導電層3
までの作製が完了する。以下の工程は、上述したものと
同様に行うことができる。この構造をとることにより、
なお一層の素子の小型化を図ることができる。尚、図3
において図1と対応する部分には同一符号を付して重複
説明を省略する。Finally, after a lift-off process, the photoconductive layer 3
Is completed. The following steps can be performed in the same manner as described above. By taking this structure,
It is possible to further reduce the size of the device. FIG.
In FIG. 5, the same reference numerals are given to the portions corresponding to those in FIG.
【0039】[0039]
【発明の効果】上述したような構成を光導電部20に取
り入れることにより、入力画像の再現性が図られるとと
もに、信号電荷の横方向のドリフト、および拡散に伴う
解像度の低下を防ぐことができた。また、光導電層3の
膜厚を小さくすることができたことにより、素子全体の
反りを防止する構造をとる必要がなくなった。また、光
導電層3を構成する例えばアモルファスシリコンを積層
する時間、材料のコストの削減が可能となった。また、
中間電極4を設けたことにより、光吸収層5の構造の簡
素化を図ることができた。上述したことにより、液晶光
バルブを作製する際の、コストの削減が図られ、素子全
体の小型化、軽量化が可能となった。また、強誘電液晶
を用いた液晶バルブでは、光導電層の膜厚が薄くし、空
間分解能を向上させることができた。By incorporating the above-described structure in the photoconductive portion 20, the reproducibility of the input image can be achieved, and the lateral drift of the signal charge and the deterioration of the resolution due to the diffusion can be prevented. It was Further, since the thickness of the photoconductive layer 3 can be reduced, it is not necessary to have a structure for preventing the warpage of the entire device. Further, it is possible to reduce the time for stacking, for example, amorphous silicon that constitutes the photoconductive layer 3 and the cost of materials. Also,
By providing the intermediate electrode 4, the structure of the light absorption layer 5 can be simplified. As described above, the cost for manufacturing the liquid crystal light valve can be reduced, and the size and weight of the entire device can be reduced. Further, in the liquid crystal valve using the ferroelectric liquid crystal, the film thickness of the photoconductive layer was reduced, and the spatial resolution could be improved.
【図1】本発明による光書き込み型光液晶バルブの概略
斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view of an optical writing type optical liquid crystal valve according to the present invention.
【図2】本発明による光書き込み型光液晶バルブの光導
電部分の、セグメント化された第1の透明電極と中間電
極を構成するアルミニウム膜との位置合わせを示した図
である。FIG. 2 is a view showing the alignment between the segmented first transparent electrode and the aluminum film constituting the intermediate electrode in the photoconductive portion of the photo-writing optical liquid crystal valve according to the present invention.
【図3】本発明の他の実施例の光書き込み型光液晶バル
ブの概略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view of an optical writing type optical liquid crystal valve of another embodiment of the present invention.
【図4】本発明および従来の光書き込み型光液晶バルブ
の等価回路を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing an equivalent circuit of the present invention and the conventional optical writing type optical liquid crystal valve.
【図5】従来の光書き込み型光液晶バルブの概略断面図
である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a conventional photo-writing optical liquid crystal valve.
1 第1の基板 2 第1の透明電極 3 光導電層 4 中間電極 5 光吸収層 6 誘電体反射膜 7 液晶層 8 第2の透明電極 9 第2の基板 13 絶縁層 20 光導電部 21 液晶部 V1 光導電層にかかる電圧 V2 液晶層にかかる電圧 Z1 光導電層のインピーダンス Z2 液晶層のインピーダンス R1 インピーダンスZ1 の抵抗成分 R2 インピーダンスZ2 の抵抗成分 C1 インピーダンスZ1 のコンデンサー成分 C2 インピーダンスZ2 のコンデンサー成分1 First Substrate 2 First Transparent Electrode 3 Photoconductive Layer 4 Intermediate Electrode 5 Light Absorbing Layer 6 Dielectric Reflective Film 7 Liquid Crystal Layer 8 Second Transparent Electrode 9 Second Substrate 13 Insulating Layer 20 Photoconductive Part 21 Liquid Crystal Part V 1 Voltage applied to photoconductive layer V 2 Voltage applied to liquid crystal layer Z 1 Impedance of photoconductive layer Z 2 Impedance of liquid crystal layer R 1 Resistance component of impedance Z 1 R 2 Impedance component of impedance Z 2 C 1 Impedance Z 1 Capacitor component of C 2 Impedance Z 2 capacitor component
Claims (4)
間に、 上記第1の透明電極と接して配置された光導電層と、 該光導電層を挟んで上記第1の透明電極と対向して配置
された中間電極と、 誘電体反射膜と、液晶層とが介在されてなることを特徴
とする光書き込み型液晶光バルブ。1. A photoconductive layer disposed between the first transparent electrode and a second transparent electrode so as to be in contact with the first transparent electrode, and the first conductive layer sandwiching the photoconductive layer. An optical writing type liquid crystal light valve, characterized in that an intermediate electrode arranged to face the transparent electrode, a dielectric reflection film, and a liquid crystal layer are interposed.
とを特徴とする請求項1に記載の光書き込み型液晶光バ
ルブ。2. The photo-writing type liquid crystal light valve according to claim 1, wherein the intermediate electrode is divided for each pixel.
上記各分割電極の、各一部と対向するようにパターン化
されたことを特徴とする請求項2に記載の光書き込み型
液晶光バルブ。3. The photo-writing liquid crystal according to claim 2, wherein the first transparent electrode is patterned so as to face each part of each of the divided electrodes of the intermediate electrode. Light bulb.
を特徴とする請求項1に記載の光書き込み型液晶光バル
ブ。4. The photo-writing type liquid crystal light valve according to claim 1, wherein the photoconductive layer is divided into a plurality of parts.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1026396A JPH09197432A (en) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | Optical writing type liquid crystal light valve |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1026396A JPH09197432A (en) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | Optical writing type liquid crystal light valve |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09197432A true JPH09197432A (en) | 1997-07-31 |
Family
ID=11745436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1026396A Pending JPH09197432A (en) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | Optical writing type liquid crystal light valve |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09197432A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001066628A (en) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Stanley Electric Co Ltd | Switching element of optical address system |
-
1996
- 1996-01-24 JP JP1026396A patent/JPH09197432A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001066628A (en) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Stanley Electric Co Ltd | Switching element of optical address system |
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