JPH09195976A - 真空排気装置 - Google Patents
真空排気装置Info
- Publication number
- JPH09195976A JPH09195976A JP2477696A JP2477696A JPH09195976A JP H09195976 A JPH09195976 A JP H09195976A JP 2477696 A JP2477696 A JP 2477696A JP 2477696 A JP2477696 A JP 2477696A JP H09195976 A JPH09195976 A JP H09195976A
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- JP
- Japan
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- air valve
- pump
- exhaust
- tmp
- mbp
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- Pending
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- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- Non-Positive Displacement Air Blowers (AREA)
- Control Of Non-Positive-Displacement Pumps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】真空排気に於いて、排気時間を短縮しスループ
ットを向上させ、又最終到達圧力を向上させ、処理室内
に於ける残留ガス及びパーティクルを充分に排除して、
クリーン度を向上させる。 【解決手段】排気特性の異なるポンプ２，３を複数用
い、到達真空度に応じて該ポンプを切換えて駆動し排気
する様構成し、更に該ポンプの切換えは、ポンプ切換え
用のエアバルブ５，６開閉のタイミングをオーバーラッ
プさせる。
ットを向上させ、又最終到達圧力を向上させ、処理室内
に於ける残留ガス及びパーティクルを充分に排除して、
クリーン度を向上させる。 【解決手段】排気特性の異なるポンプ２，３を複数用
い、到達真空度に応じて該ポンプを切換えて駆動し排気
する様構成し、更に該ポンプの切換えは、ポンプ切換え
用のエアバルブ５，６開閉のタイミングをオーバーラッ
プさせる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置
等、真空室を具備する各種装置の真空排気装置に関する
ものである。
等、真空室を具備する各種装置の真空排気装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程に於いては高真空度、高
清浄度が要求され、又高真空度とする為の排気時間を短
縮することによるスループットの向上が要求されてい
る。
清浄度が要求され、又高真空度とする為の排気時間を短
縮することによるスループットの向上が要求されてい
る。
【０００３】従来の半導体製造装置に於ける真空排気
は、ドライポンプ（ＤＲＰ）に低真空域で高排気性能を
有するメカニカルブースタポンプ（ＭＢＰ）を組合わせ
たもの、若しくはドライポンプ（ＤＲＰ）に高真空域で
高排気性能を有するターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）を組合
わせたもののいずれか一方の構成で行っていた。
は、ドライポンプ（ＤＲＰ）に低真空域で高排気性能を
有するメカニカルブースタポンプ（ＭＢＰ）を組合わせ
たもの、若しくはドライポンプ（ＤＲＰ）に高真空域で
高排気性能を有するターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）を組合
わせたもののいずれか一方の構成で行っていた。
【０００４】図３で示す様に、ターボ分子ポンプ（ＴＭ
Ｐ）は低真空域では排気に時間が掛かり効率が悪いが、
高真空域に近くなるにつれ排気速度が大きくなりメカニ
カルブースタポンプ（ＭＢＰ）よりも高い真空度を得る
ことができる。又、メカニカルブースタポンプ（ＭＢ
Ｐ）は低真空域で排気速度が大きく効率はよいが、高真
空域に近くなるにつれ排気速度が低下して排気に時間が
掛かり、更に到達真空度の限度を越えるとポンプとして
の機能を失う。従って充分な真空度を得ることができな
い。
Ｐ）は低真空域では排気に時間が掛かり効率が悪いが、
高真空域に近くなるにつれ排気速度が大きくなりメカニ
カルブースタポンプ（ＭＢＰ）よりも高い真空度を得る
ことができる。又、メカニカルブースタポンプ（ＭＢ
Ｐ）は低真空域で排気速度が大きく効率はよいが、高真
空域に近くなるにつれ排気速度が低下して排気に時間が
掛かり、更に到達真空度の限度を越えるとポンプとして
の機能を失う。従って充分な真空度を得ることができな
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したドライポンプ
（ＤＲＰ）にメカニカルブースタポンプ（ＭＢＰ）を組
合わせた真空排気装置は、低真空域では高い排気速度を
有するが、高真空域に近くなるにつれ排気性能が低下す
る為、排気に時間が掛かると共に充分な排気が行われ
ず、充分な最終到達圧力を得ることができない。又、こ
の為充分な清浄度が得られないという問題があった。従
って、処理室内のガスクリーニングを行った場合、処理
室内に残留ガス及びパーティクルが存在する可能性があ
る。
（ＤＲＰ）にメカニカルブースタポンプ（ＭＢＰ）を組
合わせた真空排気装置は、低真空域では高い排気速度を
有するが、高真空域に近くなるにつれ排気性能が低下す
る為、排気に時間が掛かると共に充分な排気が行われ
ず、充分な最終到達圧力を得ることができない。又、こ
の為充分な清浄度が得られないという問題があった。従
って、処理室内のガスクリーニングを行った場合、処理
室内に残留ガス及びパーティクルが存在する可能性があ
る。
【０００６】又、ドライポンプ（ＤＲＰ）にターボ分子
ポンプ（ＴＭＰ）を組合わせた真空排気装置は、高真空
域で高い排気性能を維持することができるので充分な最
終到達圧力が得られ、ガスクリーニングを行うと処理室
内の残留ガス及びパーティクルを充分に排することがで
きるが、低真空域に於ける排気に時間が掛かり効率が悪
い等、いずれの組合せを用いても何らかの不具合があっ
た。
ポンプ（ＴＭＰ）を組合わせた真空排気装置は、高真空
域で高い排気性能を維持することができるので充分な最
終到達圧力が得られ、ガスクリーニングを行うと処理室
内の残留ガス及びパーティクルを充分に排することがで
きるが、低真空域に於ける排気に時間が掛かり効率が悪
い等、いずれの組合せを用いても何らかの不具合があっ
た。
【０００７】本発明は、上記実情に鑑みなしたものであ
って、排気時間を短縮しスループットを向上させ、又最
終到達圧力を向上させ処理室内に於ける残留ガス及びパ
ーティクルを充分に排除してクリーン度を向上させよう
とするものである。
って、排気時間を短縮しスループットを向上させ、又最
終到達圧力を向上させ処理室内に於ける残留ガス及びパ
ーティクルを充分に排除してクリーン度を向上させよう
とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、排気特性の異
なるポンプを複数用い、到達真空度に応じて該ポンプを
切換えて駆動し排気する様構成し、該ポンプの切換え
は、ポンプ切換え用のバルブ開閉のタイミングをオーバ
ーラップさせるものであって、各真空域に適したポンプ
が主に作用する為、排気時間の短縮、最終到達圧力の向
上、及びクリーン度の向上が可能となる。
なるポンプを複数用い、到達真空度に応じて該ポンプを
切換えて駆動し排気する様構成し、該ポンプの切換え
は、ポンプ切換え用のバルブ開閉のタイミングをオーバ
ーラップさせるものであって、各真空域に適したポンプ
が主に作用する為、排気時間の短縮、最終到達圧力の向
上、及びクリーン度の向上が可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１０】図１に於いて、処理室１に主排気管８から
分岐した第１副排気管９、第２副排気管１０を接続す
る。該第１副排気管９にはポンプ切換え用の第１エアバ
ルブ５、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）２を前記処理室１
側より順に設ける。又、前記第２副排気管１０にはポン
プ切換え用の第２エアバルブ６、可変コンダクタンスバ
ルブ（ＶＣＶ）７を前記処理室１側より順に設ける。
又、前記主排気管８には、メカニカルブースタポンプ
（ＭＢＰ）３及びドライポンプ（ＤＲＰ）４を前記処理
室１側より順に設ける。
分岐した第１副排気管９、第２副排気管１０を接続す
る。該第１副排気管９にはポンプ切換え用の第１エアバ
ルブ５、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）２を前記処理室１
側より順に設ける。又、前記第２副排気管１０にはポン
プ切換え用の第２エアバルブ６、可変コンダクタンスバ
ルブ（ＶＣＶ）７を前記処理室１側より順に設ける。
又、前記主排気管８には、メカニカルブースタポンプ
（ＭＢＰ）３及びドライポンプ（ＤＲＰ）４を前記処理
室１側より順に設ける。
【００１１】以下作動を説明する。
【００１２】前記第１エアバルブ５を閉じ、前記第２エ
アバルブ６を開く。更に、前記可変コンダクタンスバル
ブ（ＶＣＶ）７を開き、前記メカニカルブースタポンプ
（ＭＢＰ）３及びドライポンプ（ＤＲＰ）４を駆動して
前記処理室１内の真空排気を開始する。排気が進み、５
×１０-2〜１×１０-2Ｔｏｒｒ程度の真空状態に達した
時に、即ち高真空域に近くなり、前記ターボ分子ポンプ
（ＴＭＰ）２の排気速度が大きくなる状態で、該ターボ
分子ポンプ（ＴＭＰ）２を駆動し、前記第１エアバルブ
５を開くと同時に前記第２エアバルブ６を閉じ、更に可
変コンダクタンスバルブ（ＶＣＶ）７を閉じて、メカニ
カルブースタポンプ（ＭＢＰ）３からターボ分子ポンプ
（ＴＭＰ）２への切換えを行い、切換え後にメカニカル
ブースタポンプ（ＭＢＰ）３を停止する。従って全ての
真空域に於いて排気速度が大きく、且充分な最終到達圧
力を得ることができる。而して、前記ターボ分子ポンプ
（ＴＭＰ）２単独で真空排気した場合に比べ、図３中で
示したΔＴだけ排気時間の短縮が可能となる。
アバルブ６を開く。更に、前記可変コンダクタンスバル
ブ（ＶＣＶ）７を開き、前記メカニカルブースタポンプ
（ＭＢＰ）３及びドライポンプ（ＤＲＰ）４を駆動して
前記処理室１内の真空排気を開始する。排気が進み、５
×１０-2〜１×１０-2Ｔｏｒｒ程度の真空状態に達した
時に、即ち高真空域に近くなり、前記ターボ分子ポンプ
（ＴＭＰ）２の排気速度が大きくなる状態で、該ターボ
分子ポンプ（ＴＭＰ）２を駆動し、前記第１エアバルブ
５を開くと同時に前記第２エアバルブ６を閉じ、更に可
変コンダクタンスバルブ（ＶＣＶ）７を閉じて、メカニ
カルブースタポンプ（ＭＢＰ）３からターボ分子ポンプ
（ＴＭＰ）２への切換えを行い、切換え後にメカニカル
ブースタポンプ（ＭＢＰ）３を停止する。従って全ての
真空域に於いて排気速度が大きく、且充分な最終到達圧
力を得ることができる。而して、前記ターボ分子ポンプ
（ＴＭＰ）２単独で真空排気した場合に比べ、図３中で
示したΔＴだけ排気時間の短縮が可能となる。
【００１３】又図２は本発明の他の実施の形態であり、
図１で示した実施の形態と同様に、処理室１に主排気管
８から分岐した第一副排気管９及び第２副排気管１０を
接続し、前記第１副排気管９にはポンプ切換え用の第１
エアバルブ５、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）２，及び第
３エアバルブ１１を前記処理室１側から順に設け、又前
記第２副排気管１０には第２エアバルブ６、可変コンダ
クタンスバルブ（ＶＣＶ）７、メカニカルブースタポン
プ（ＭＢＰ）３、及び第４エアバルブ１２を前記処理室
１側から順に設ける。更に、前記主排気管８にはドライ
ポンプ（ＤＲＰ）４を設ける。
図１で示した実施の形態と同様に、処理室１に主排気管
８から分岐した第一副排気管９及び第２副排気管１０を
接続し、前記第１副排気管９にはポンプ切換え用の第１
エアバルブ５、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）２，及び第
３エアバルブ１１を前記処理室１側から順に設け、又前
記第２副排気管１０には第２エアバルブ６、可変コンダ
クタンスバルブ（ＶＣＶ）７、メカニカルブースタポン
プ（ＭＢＰ）３、及び第４エアバルブ１２を前記処理室
１側から順に設ける。更に、前記主排気管８にはドライ
ポンプ（ＤＲＰ）４を設ける。
【００１４】以下作動を説明する。
【００１５】前記第１エアバルブ５及び前記第３エアバ
ルブ１１を閉じ、前記第２エアバルブ６及び前記第４エ
アバルブ１２を開く。更に前記可変コンダクタンスバル
ブ（ＶＣＶ）７を開き、前記メカニカルブースタポンプ
（ＭＢＰ）３及びドライポンプ（ＤＲＰ）４を駆動して
前記処理室１内の真空排気を開始する。排気が進み、５
×１０-2〜１×１０-2Ｔｏｒｒ程度の真空状態に達した
時に前記ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）２を駆動し、前記
第１エアバルブ５及び前記第３エアバルブ１１を開くと
同時に前記第２エアバルブ６及び前記第４エアバルブ１
２を閉じ、更に可変コンダクタンスバルブ（ＶＣＶ）７
を閉じて、メカニカルブースタポンプ（ＭＢＰ）３から
ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）２への切換えを行い、切換
え後にメカニカルブースタポンプ（ＭＢＰ）３を停止す
る。従って全ての真空域に於いて排気速度が大きく、且
充分な最終到達圧力を得ることができる。
ルブ１１を閉じ、前記第２エアバルブ６及び前記第４エ
アバルブ１２を開く。更に前記可変コンダクタンスバル
ブ（ＶＣＶ）７を開き、前記メカニカルブースタポンプ
（ＭＢＰ）３及びドライポンプ（ＤＲＰ）４を駆動して
前記処理室１内の真空排気を開始する。排気が進み、５
×１０-2〜１×１０-2Ｔｏｒｒ程度の真空状態に達した
時に前記ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）２を駆動し、前記
第１エアバルブ５及び前記第３エアバルブ１１を開くと
同時に前記第２エアバルブ６及び前記第４エアバルブ１
２を閉じ、更に可変コンダクタンスバルブ（ＶＣＶ）７
を閉じて、メカニカルブースタポンプ（ＭＢＰ）３から
ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）２への切換えを行い、切換
え後にメカニカルブースタポンプ（ＭＢＰ）３を停止す
る。従って全ての真空域に於いて排気速度が大きく、且
充分な最終到達圧力を得ることができる。
【００１６】上記した様に、５×１０-2〜１×１０-2Ｔ
ｏｒｒ程度の真空状態に達した時に前記メカニカルブー
スタポンプ（ＭＢＰ）３からターボ分子ポンプ（ＴＭ
Ｐ）２に切換えて、該２つのポンプそれぞれの特性を活
かす為、前記ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）２単独で真空
排気した場合に比べ、図３中で示したΔＴだけ排気時間
の短縮が可能となり、更にメカニカルブースタポンプ
（ＭＢＰ）３側のエアバルブ６，１２と、ターボ分子ポ
ンプ（ＴＭＰ）２側のエアバルブ５，１１の開閉のタイ
ミングをオーバーラップさせて行うことでエアバルブ切
換え時間も短縮でき、又メカニカルブースタポンプ（Ｍ
ＢＰ）３では不可能な高真空域に於ける排気をターボ分
子ポンプ（ＴＭＰ）２で行う為、最終到達圧力の向上が
可能となる。
ｏｒｒ程度の真空状態に達した時に前記メカニカルブー
スタポンプ（ＭＢＰ）３からターボ分子ポンプ（ＴＭ
Ｐ）２に切換えて、該２つのポンプそれぞれの特性を活
かす為、前記ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）２単独で真空
排気した場合に比べ、図３中で示したΔＴだけ排気時間
の短縮が可能となり、更にメカニカルブースタポンプ
（ＭＢＰ）３側のエアバルブ６，１２と、ターボ分子ポ
ンプ（ＴＭＰ）２側のエアバルブ５，１１の開閉のタイ
ミングをオーバーラップさせて行うことでエアバルブ切
換え時間も短縮でき、又メカニカルブースタポンプ（Ｍ
ＢＰ）３では不可能な高真空域に於ける排気をターボ分
子ポンプ（ＴＭＰ）２で行う為、最終到達圧力の向上が
可能となる。
【００１７】尚、上記実施の形態ではメカニカルブース
タポンプ（ＭＢＰ）３、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）２
の２つの特性の異なるポンプを用いたが、３以上の特性
の異なるポンプを使用し、到達圧力に応じて切換える様
にしても良い。
タポンプ（ＭＢＰ）３、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）２
の２つの特性の異なるポンプを用いたが、３以上の特性
の異なるポンプを使用し、到達圧力に応じて切換える様
にしても良い。
【００１８】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、異なる
排気特性を有する複数のポンプを到達真空度に応じて駆
動し排気することにより、各真空域に適したポンプが作
用する為、全ての真空域に於いて排気速度が大きく、且
高真空域まで高い排気性能を維持することができ、又ポ
ンプ切換えの際のエアバルブ開閉のタイミングをオーバ
ーラップさせて行うことでエアバルブ切換えのロスタイ
ムをなくすことができる。而して、排気時間が短縮しス
ループットの向上、最終到達圧力の向上、又処理室内の
クリーン度が向上する等の優れた効果を発揮する。
排気特性を有する複数のポンプを到達真空度に応じて駆
動し排気することにより、各真空域に適したポンプが作
用する為、全ての真空域に於いて排気速度が大きく、且
高真空域まで高い排気性能を維持することができ、又ポ
ンプ切換えの際のエアバルブ開閉のタイミングをオーバ
ーラップさせて行うことでエアバルブ切換えのロスタイ
ムをなくすことができる。而して、排気時間が短縮しス
ループットの向上、最終到達圧力の向上、又処理室内の
クリーン度が向上する等の優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】本発明の他の実施の形態を示す概略構成図あ
る。
る。
【図３】メカニカルブースタポンプ（ＭＢＰ）及びター
ボ分子ポンプ（ＴＭＰ）の特性を示す線図である。
ボ分子ポンプ（ＴＭＰ）の特性を示す線図である。
１ 処理室 ２ ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ） ３ メカニカルブースタポンプ（ＭＢＰ） ４ ドライポンプ（ＤＲＰ） ５ 第１エアバルブ ６ 第２エアバルブ ７ 可変コンダクタンスバルブ（ＶＣＶ） ８ 主排気管 ９ 第１副排気管 １０ 第２副排気管 １１ 第３エアバルブ １２ 第４エアバルブ
Claims (2)
- 【請求項１】 排気特性の異なるポンプを複数用い、到
達真空度に応じて該ポンプを切換えて駆動し排気する様
構成したことを特徴とする真空排気装置。 - 【請求項２】 ポンプの切換えは、ポンプ切換え用のエ
アバルブ開閉のタイミングをオーバーラップさせる請求
項１の真空排気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2477696A JPH09195976A (ja) | 1996-01-18 | 1996-01-18 | 真空排気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2477696A JPH09195976A (ja) | 1996-01-18 | 1996-01-18 | 真空排気装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09195976A true JPH09195976A (ja) | 1997-07-29 |
Family
ID=12147588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2477696A Pending JPH09195976A (ja) | 1996-01-18 | 1996-01-18 | 真空排気装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09195976A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005078281A1 (ja) * | 2004-02-17 | 2005-08-25 | Tadahiro Ohmi | 真空装置 |
| US8043659B2 (en) * | 2007-01-31 | 2011-10-25 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2015144226A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-08-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
-
1996
- 1996-01-18 JP JP2477696A patent/JPH09195976A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005078281A1 (ja) * | 2004-02-17 | 2005-08-25 | Tadahiro Ohmi | 真空装置 |
| JP2005232977A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Tadahiro Omi | 真空装置 |
| JP4633370B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2011-02-16 | 財団法人国際科学振興財団 | 真空装置 |
| US8043659B2 (en) * | 2007-01-31 | 2011-10-25 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2015144226A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-08-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
| US9824883B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-11-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and non-transitory computer-readable recording medium |
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