JPH09190967A - Illuminator, and observation device using it - Google Patents

Illuminator, and observation device using it

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JPH09190967A
JPH09190967A JP8018385A JP1838596A JPH09190967A JP H09190967 A JPH09190967 A JP H09190967A JP 8018385 A JP8018385 A JP 8018385A JP 1838596 A JP1838596 A JP 1838596A JP H09190967 A JPH09190967 A JP H09190967A
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reticle
illumination
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Tsuneo Kanda
恒雄 神田
Hideki Ine
秀樹 稲
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To lighten the intensity distribution irregularity and light distribution property irregularity at the emission end face of a fiber, on the emission face of a distribution board, so as to equalize the illumination, by combining light guide elements such as optical fibers, etc., and light diffusion elements such as diffusion plates, etc., properly. SOLUTION: A luminous flux emitted from a light source 11 enters an optical fiber handle 13, passing through an optical system 12. The luminous flux having entered the optical fiber handle 13 goes out of an emission end 13b, and goes out from the emission face 16b of the diffusion plate 16 through a diffusion plate 14 and an optical rod 15. Then, the luminous flux from the diffusion plate 16 converges on a view stop 18 through a capacitor lens 17. The position of this view stop 18 is conjugate with an observed face 1 and the photoelectric transfer face 6a of an image pickup element 6. Moreover, the luminous flux of an angle θ2 smaller than the extent angle θ1 of the luminous flux form the diffusion plate 16 is taken in by a capacitor lens 17, by setting the the capacitor lens 17 and the diameter of aperture of the view stop 18 properly.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は照明装置及びそれを
用いた観察装置に関し、特にレチクル(マスク)面上に
形成されているIC,LSI等の微細な電子回路パター
ンを投影レンズ系(投影光学系)によりウエハ面上に投
影し露光するときに、レチクル面上やウエハ面上の状態
(アライメントマーク)を観察し、これによりレチクル
とウエハとの位置合わせを行い、高集積度の半導体デバ
イスを製造する投影露光装置に好適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an illuminating device and an observing device using the illuminating device, and more particularly to a projection lens system (projection optical system) for forming a fine electronic circuit pattern such as IC or LSI formed on a reticle (mask) surface. System) to observe the state (alignment mark) on the reticle surface or the wafer surface when projecting and exposing on the wafer surface, and aligning the reticle and the wafer by this, thereby achieving a highly integrated semiconductor device. It is suitable for a projection exposure apparatus to be manufactured.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より半導体素子製造用の縮小投影型
の露光装置では、第1物体としてのレチクルの回路パタ
ーンを投影レンズ系により第2物体としてのウエハ上に
投影し、露光する。このとき投影露光に先立って観察装
置(検出手段)を用いてウエハ面を観察することにより
ウエハ上のアライメントマークを検出し、この検出結果
に基づいてレチクルとウエハとの位置整合、所謂アライ
メントを行っている。このときのアライメント精度は観
察装置の光学性能に大きく依存している。この為、観察
装置の性能は露光装置において重要な要素となってい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a reduction projection type exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device, a circuit pattern of a reticle as a first object is projected by a projection lens system onto a wafer as a second object and exposed. At this time, the alignment mark on the wafer is detected by observing the wafer surface with an observing device (detecting means) prior to the projection exposure, and the so-called alignment of the reticle and the wafer is performed based on the detection result. ing. The alignment accuracy at this time largely depends on the optical performance of the observation device. Therefore, the performance of the observation apparatus is an important factor in the exposure apparatus.

【0003】従来より露光装置では、ウエハ面上の位置
情報を得るためのウエハアライメントマーク(ウエハマ
ーク)の観察方式として種々な方式が用いられている。
Conventionally, in an exposure apparatus, various methods have been used as an observation method of a wafer alignment mark (wafer mark) for obtaining position information on the wafer surface.

【0004】例えば本出願人は特開平3−61802号
公報で非露光光を用い、かつ投影レンズ系を通す方式、
所謂非露光光TTL方式を利用してアライメントを行っ
た観察装置を提案している。
For example, the applicant of the present invention has disclosed a method of using non-exposure light and passing through a projection lens system in Japanese Patent Laid-Open No. 3-61802.
An observation device is proposed in which alignment is performed using the so-called non-exposure light TTL method.

【0005】同公報ではウエハ面上のアライメントマー
ク(ウエハマーク)の光学像をCCDカメラ等の撮像素
子上に結像し、該撮像素子から得られる画像情報を処理
してウエハマークの位置を検出している。
In the publication, an optical image of an alignment mark (wafer mark) on the wafer surface is formed on an image pickup device such as a CCD camera, and image information obtained from the image pickup device is processed to detect the position of the wafer mark. doing.

【0006】又、本出願人は特開昭62−232504
号公報においてウエハマークの光学像をCCDカメラで
結像し、該CCDカメラで得た画像情報を2値化し、そ
の2値化画像中の特定画像パターンの位置座標をテンプ
レートを用いたテンプレートマッチング処理を行うこと
によりウエハマークの位置を検出し、レチクルとウエハ
とのアライメントを行った位置検出装置を提案してい
る。
Further, the present applicant has filed Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-232504.
Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2005-242242, an optical image of a wafer mark is formed by a CCD camera, image information obtained by the CCD camera is binarized, and the position coordinates of a specific image pattern in the binarized image are template-matched using a template. It proposes a position detection device that detects the position of the wafer mark by performing the above-mentioned procedure and performs alignment between the reticle and the wafer.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】マスク(レチクル)と
ウエハとの位置合わせをレチクルとウエハ面上に設けた
パターン(アライメントパターン)を撮像素子面上に形
成して観察して行うにはレチクルとウエハ面上を良好な
る状態で観察することのできる観察系が重要な要素とな
ってくる。
To align the mask (reticle) and the wafer with each other, a pattern (alignment pattern) provided on the surface of the reticle and the wafer is formed on the surface of the image pickup device and observed. An observing system that can observe the wafer surface in a good condition is an important factor.

【0008】従来よりマスク(レチクル)やウエハ面等
の物体面上を観察する為に物体面を照明する照明系とし
ては光源からの光束をファイバーやオプティカルロッド
等を用いて所定位置に導光して、その後、コンデンサー
レンズ等の光学系で集光して物体面を均一照明するよう
にしている。
Conventionally, as an illumination system for illuminating an object surface such as a mask (reticle) or a wafer surface, a light beam from a light source is guided to a predetermined position by using a fiber or an optical rod. After that, the light is condensed by an optical system such as a condenser lens to uniformly illuminate the object surface.

【0009】一般にファイバーとレンズ系等を組み合わ
せた光学系を用いると物体面を比較的、均一な状態で照
明することができる。しかしながらファイバーやオプテ
ィカルロッド自体に不均一性や照度むらを生じる、光学
的な欠陥があったり、照明系の各要素を適切に構成しな
いと物体面を均一に照明することが難しくなってくる。
Generally, when an optical system in which a fiber and a lens system are combined is used, the object surface can be illuminated in a relatively uniform state. However, it is difficult to uniformly illuminate the object surface unless there is an optical defect that causes nonuniformity or uneven illuminance in the fiber or the optical rod itself, or if each element of the illumination system is not properly configured.

【0010】本発明は、レチクルやウエハ等の物体面
(被観察面)上に設けたパターン(アライメントパター
ン)を適切に設定した照明装置により均一なる照度で照
明し、該物体面上のパターンを撮像素子等の所定面上に
高精度に形成し、該パターンの位置情報を高精度に観察
及び検出することによりレチクルとウエハとの位置合わ
せを高精度に行い、高集積度の半導体デバイスを容易に
製造することができる照明装置及びそれを用いた観察装
置の提供を目的とする。
The present invention illuminates a pattern (alignment pattern) provided on an object surface (observed surface) such as a reticle or a wafer with a uniform illuminance by an appropriately set illumination device to form a pattern on the object surface. The reticle and the wafer are aligned with high accuracy by forming them on a predetermined surface of the image sensor with high accuracy, and observing and detecting the positional information of the pattern with high accuracy, facilitating highly integrated semiconductor devices. It is an object of the present invention to provide an illuminating device that can be manufactured as described above and an observing device using the same.

【0011】特に照明装置を構成する光ファイバー等の
光導光素子と拡散板等の光拡散素子とを適切に組み合わ
せることにより、ファイバーの出射端面上における強度
分布むら、及び配光特性むらが投影光学系の瞳面に相当
する拡散板の出射面上において大幅に軽減させ、被観察
面における均一な照明が容易に達成でき、高精度なパタ
ーンの検出を可能とした照明装置及びそれを用いた観察
装置の提供を目的とする。
Particularly, by appropriately combining a light guide element such as an optical fiber and a light diffusing element such as a diffusing plate, which constitute the illuminating device, unevenness in intensity distribution and unevenness in light distribution characteristics on the exit end face of the fiber are projected. And a viewing device using the lighting device, which is capable of greatly reducing the size on the exit surface of the diffuser plate, which corresponds to the pupil surface of the device, and easily achieving uniform illumination on the surface to be observed, and which enables highly accurate pattern detection. For the purpose of providing.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の照明装置は、 (1−1)光源手段からの光束で照明光学系を介して物
体面を照明する際、該照明光学系中に該光源手段側から
順に入射光を拡散出射させる第1の光拡散素子、該第1
の光拡散素子からの光束を導光させる光導光素子そして
該光導光素子の出射面又はそれに共役な面に配置し、該
光導電素子からの光束を拡散出射させる第2の光拡散素
子とを有する光拡散手段を設けると共に該光拡散手段か
らの光束の拡がり角以下の光束を取り込む開口数を有し
た光学部材を設けたことを特徴としている。
(1-1) When illuminating an object plane with a light beam from a light source means through an illumination optical system, (1-1) a light source means side in the illumination optical system. A first light diffusing element for diffusing and emitting incident light in order from
A light guide element for guiding a light beam from the light diffusing element, and a second light diffusing element which is disposed on the emission surface of the light guiding element or a surface conjugate with the light guide element and diffuses and outputs the light beam from the photoconductive element. It is characterized in that the light diffusing means is provided and an optical member having a numerical aperture for taking in a light flux having a divergence angle of the light flux from the light diffusing means or less is provided.

【0013】特に、 (1−1−1)前記光学部材は前記開口数を制限する絞
りを有していること。 (1−1−2)前記光導光素子は光ファイバー又は/及
びオプティカルロッドを有していること。 (1−1−3)前記第1,第2の光拡散素子は等方散乱
する拡散板又は拡散角を制御したホログラムより成って
いること。 等、を特徴としている。
In particular, (1-1-1) the optical member has a diaphragm for limiting the numerical aperture. (1-1-2) The light guide element has an optical fiber and / or an optical rod. (1-1-3) The first and second light diffusing elements are made of isotropically diffusing plates or holograms with controlled diffusion angles. And so on.

【0014】(1−2)光源手段からの光束で照明光学
系を介して物体面を照明する際、該照明光学系中に該光
源手段側から順に所定の屈折力を有した光学素子、光束
を導光させる光導光素子そして該光導光素子の出射面又
はそれに共役な面に配置し、該光導電素子からの光束を
拡散出射させる光拡散素子、とを有する光拡散手段を設
けると共に該光拡散手段からの光束の拡がり角以下の光
束を取り込む開口数を有した光学部材を設けたことを特
徴としている。
(1-2) When illuminating the object plane with the light flux from the light source means through the illumination optical system, an optical element having a predetermined refractive power in the illumination optical system and a light flux in order from the light source means side. A light diffusing means having a light guiding element for guiding the light, and a light diffusing element disposed on the exit surface of the light guiding element or a surface conjugate with the light guiding element, for diffusing and outputting the light flux from the photoconductive element, and It is characterized in that an optical member having a numerical aperture for taking in a light flux having a spread angle of the light flux from the diffusing means or less is provided.

【0015】特に、 (1−2−1)前記光学部材は前記開口数を制限する絞
りを有していること。 (1−2−2)前記光導光素子は光ファイバー又は/及
びオプティカルロッドを有していること。 等、を特徴としている。
In particular, (1-2-1) the optical member has a diaphragm for limiting the numerical aperture. (1-2-2) The light guide element has an optical fiber and / or an optical rod. And so on.

【0016】本発明の観察装置は、 (2−1)前述の構成要件(1−1)又は(1−2)の
照明装置で、物体面を照明し、該物体面を観察光学系で
所定面上に形成して観察していることを特徴としてい
る。
The observing device of the present invention is (2-1) the illuminating device according to the above-mentioned structural requirements (1-1) or (1-2), illuminating the object plane, and observing the object plane with an observing optical system. The feature is that it is formed on the surface and observed.

【0017】本発明の半導体デバイスの製造方法は、 (3−1)前述の構成要件(1−1)又は(1−2)の
照明装置で、レチクル面又はウエハ面を照明し、該レチ
クル面又はウエハ面を観察する観察系を利用して該レチ
クルとウエハとの位置合わせを行った後に露光光で照明
したレチクル面上のパターンを投影光学系によりウエハ
面上に投影露光し、該ウエハを現像処理工程を介して半
導体デバイスを製造するようにしていることを特徴とし
ている。
The semiconductor device manufacturing method of the present invention comprises: (3-1) illuminating the reticle surface or the wafer surface with the illuminating device having the above-mentioned constitutional requirements (1-1) or (1-2), and illuminating the reticle surface. Alternatively, after the alignment between the reticle and the wafer is performed using an observation system for observing the wafer surface, the pattern on the reticle surface illuminated by the exposure light is projected and exposed on the wafer surface by the projection optical system to expose the wafer. It is characterized in that a semiconductor device is manufactured through a developing process.

【0018】本発明の投影露光装置は、 (4−1)レチクル面又はウエハ面を照明し、該レチク
ル面又はウエハ面を観察する観察系を利用して該レチク
ルとウエハとの位置合わせを行った後に露光光で照明し
たレチクル面上のパターンを投影光学系によりウエハ面
上に投影露光していることを特徴としている。
The projection exposure apparatus of the present invention (4-1) aligns the reticle and the wafer using an observation system that illuminates the reticle surface or the wafer surface and observes the reticle surface or the wafer surface. After that, the pattern on the reticle surface illuminated by the exposure light is projected and exposed on the wafer surface by the projection optical system.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】図1は本発明の照明装置及びそれ
を用いた観察装置の実施形態1の要部概略図、図2は図
1の一部分の説明図である。まず本実施形態の各要素を
光束の進行順に説明する。
1 is a schematic view of a main part of a first embodiment of an illuminating apparatus and an observing apparatus using the same according to the present invention, and FIG. 2 is an explanatory view of a part of FIG. First, each element of this embodiment will be described in the order in which the light flux travels.

【0020】図中11は光源手段(光源)であり、レー
ザーあるいはハロゲンランプ等から成っている。光源1
1から出射した光束は、光学系12を通り所定のビーム
系に整形され光ファイバーバンドル13の入射面13a
に入射する。
Reference numeral 11 in the drawing denotes a light source means (light source), which is composed of a laser, a halogen lamp or the like. Light source 1
The light flux emitted from the optical fiber 1 passes through the optical system 12 and is shaped into a predetermined beam system.
Incident on.

【0021】光ファイバーバンドル13に入射した光束
は光ファイバーバンドル13内を透過し、図2に示すよ
うに光ファイバーバンドル13の出射端13bより射出
し、その後、出射端13bの直後に取り付けられている
拡散板(第1の光拡散素子)14、オプティカルロッド
(光導光素子)15を経て拡散板(第2の光拡散素子)
16の出射面16bから出射する。このとき拡散板16
の出射面16bは後述する投影光学系2の瞳面上に形成
するように各要素を設定している。
The light flux incident on the optical fiber bundle 13 is transmitted through the optical fiber bundle 13, emitted from the emission end 13b of the optical fiber bundle 13 as shown in FIG. 2, and thereafter, the diffusion plate attached immediately after the emission end 13b. (First light diffusing element) 14, optical rod (light guiding element) 15 and diffusion plate (second light diffusing element)
The light is emitted from the emission surface 16b of the light source 16. At this time, the diffusion plate 16
The exit surface 16b of each element is set so as to be formed on the pupil plane of the projection optical system 2 described later.

【0022】尚、拡散板16の位置はオプティカルロッ
ド15の出射面15b近傍又はそれと光学的に共役な面
であればどこでも良い。例えば図7に示すようにコンデ
ンサーレンズ17が2つのレンズ群17a,17bより
成り、このうちレンズ群17bによるオプティカルロッ
ド15の出射面15bの結像位置(共役面)に拡散板1
6を配置しても良い。
The position of the diffusing plate 16 may be anywhere near the emission surface 15b of the optical rod 15 or a surface optically conjugate with it. For example, as shown in FIG. 7, the condenser lens 17 is composed of two lens groups 17a and 17b, and the diffusion plate 1 is formed at the image forming position (conjugate surface) of the exit surface 15b of the optical rod 15 by the lens group 17b.
6 may be arranged.

【0023】拡散板16からの光束は、コンデンサーレ
ンズ(光学部材)17を経て、被観察面1の照明範囲を
決定する視野絞り18上に集光する。この視野絞り18
の位置は、後述する被観察面1と撮像素子6の光電変換
面6aと共役な位置にある。
The light flux from the diffusion plate 16 passes through a condenser lens (optical member) 17 and is focused on a field stop 18 which determines the illumination range of the surface 1 to be observed. This field stop 18
The position of is at a position conjugate with the surface to be observed 1 and the photoelectric conversion surface 6a of the image sensor 6 which will be described later.

【0024】本実施形態ではコンデンサーレンズ(光学
部材)17と視野絞り18の開口径を適切に設定して拡
散板16からの光束の拡がり角θ1より小さい角度θ2
の光束をコンデンサーレンズ17により取り込むように
している。これにより後述するように観察面1を均一に
照明している。
In this embodiment, the aperture diameters of the condenser lens (optical member) 17 and the field stop 18 are appropriately set, and the angle θ2 of the light beam from the diffusion plate 16 is smaller than the angle θ1.
The light flux is captured by the condenser lens 17. As a result, the observation surface 1 is uniformly illuminated as described later.

【0025】視野絞り18を通過した光束はリレーレン
ズ19を通り、偏光ビームスプリッター4に入射する。
偏光ビームスプリッター4に入射した光束のうち、S偏
光成分の光束が反射される。偏光ビームスプリッター4
を透過したP偏光成分の光束は、不図示の吸収材により
迷光等にならないように処理している。
The light flux passing through the field stop 18 passes through the relay lens 19 and enters the polarization beam splitter 4.
Of the light beams incident on the polarization beam splitter 4, the light beam of the S-polarized component is reflected. Polarizing beam splitter 4
The light flux of the P-polarized component that has passed through is processed by an absorber (not shown) so as not to become stray light.

【0026】偏光ビームスプリッター4で反射した光束
はλ/4板3を透過することにより円偏光になり、対物
レンズ(投影光学系)2を通過後、被観察面1を照射す
る。
The light beam reflected by the polarization beam splitter 4 becomes circularly polarized light by passing through the λ / 4 plate 3, passes through the objective lens (projection optical system) 2, and then illuminates the surface to be observed 1.

【0027】被観察面1から反射した光は、対物レンズ
2を透過後、再びλ/4板3に入射する。λ/4板3に
入射した光は、円偏光から偏光ビームスプリッター4に
対してP偏光成分の直線偏光になり、そのまま偏光ビー
ムスプリッター4を通過する。その後、光束はリレーレ
ンズ5をとおり撮像素子6の光電変換面6aに被観察面
1の像を結像する。
The light reflected from the surface to be observed 1 passes through the objective lens 2 and then enters the λ / 4 plate 3 again. The light incident on the λ / 4 plate 3 is changed from circularly polarized light to linearly polarized light of a P-polarized component with respect to the polarization beam splitter 4, and passes through the polarization beam splitter 4 as it is. After that, the light flux passes through the relay lens 5 and forms an image of the observed surface 1 on the photoelectric conversion surface 6a of the image pickup element 6.

【0028】本実施形態では以上のようにして光源手段
11からの光束で照明系(12〜19)を介して被観察
面1を均一に照明し、被観察面1上のパターンを観察光
学系(4〜5)により撮像素子6上に形成している。そ
して撮像素子6からの画像情報を用いて観察面上のパタ
ーンの位置検出を行っている。
In this embodiment, the surface to be observed 1 is uniformly illuminated by the light flux from the light source means 11 through the illumination system (12 to 19) as described above, and the pattern on the surface to be observed 1 is observed by the optical system. (4-5) is formed on the image sensor 6. Then, the position of the pattern on the observation surface is detected using the image information from the image sensor 6.

【0029】本実施形態の観察装置を用いて被観察面1
の像観察を行なう場合、図2に示すように拡散板14に
より光ファイバーバンドル13の出射端13bの強度分
布むらが存在してもオプティカルロッド15の入射端1
5aの各点から出た光束が出射端15bにおいて所定の
拡がりになる。特にレーザー光のように拡がり角をあま
り持たない光においても、拡散板16の出射端16bで
は、確実に所定の大きさに広げられている。
The surface to be observed 1 is observed by using the observation apparatus of this embodiment.
2 is observed, even if there is unevenness in the intensity distribution of the exit end 13b of the optical fiber bundle 13 due to the diffusion plate 14 as shown in FIG.
The light flux emitted from each point of 5a spreads in a predetermined manner at the exit end 15b. In particular, even light such as laser light having a small divergence angle is reliably spread to a predetermined size at the emission end 16b of the diffusion plate 16.

【0030】本実施形態では拡散板16からの光束の拡
がり角θ1より小さい角度θ2の光束をコンデンサーレ
ンズ17で取り込むようにしており、これにより光ファ
イバーバンドル13の出射端面13bの強度分布の影響
が大幅に緩和している。即ち、図2に示すように拡散板
16の出射面16bにおける強度分布むら及び配光特性
むらを大幅に軽減させている。
In the present embodiment, the condenser lens 17 takes in a light beam with an angle θ2 smaller than the spread angle θ1 of the light beam from the diffuser plate 16, so that the influence of the intensity distribution on the emission end face 13b of the optical fiber bundle 13 is greatly affected. Has eased. That is, as shown in FIG. 2, the unevenness of the intensity distribution and the unevenness of the light distribution characteristic on the emission surface 16b of the diffusion plate 16 are greatly reduced.

【0031】本実施形態ではこのような構成により被観
察面1を均一に照明している。本実施形態において被観
察面1に、例えば図3(A)に示すようなパターンが存
在していると、撮像素子6では図3(B)に示すような
良好なる観察波形が得られる。これにより被観察面1上
のパターンの位置情報を高精度に検出しており、例えば
被観察面としてウエハ等を用いたときはその面上に設け
たウエハマークの位置検出を高精度に行い、レチクルと
の位置合わせを高精度に行うのを容易にしている。
In the present embodiment, the surface 1 to be observed is uniformly illuminated by such a structure. In the present embodiment, when the observed surface 1 has a pattern as shown in FIG. 3A, for example, the imaging element 6 can obtain a good observation waveform as shown in FIG. 3B. Thereby, the position information of the pattern on the observed surface 1 is detected with high accuracy. For example, when a wafer or the like is used as the observed surface, the position of the wafer mark provided on the surface is detected with high accuracy. This makes it easy to perform highly accurate alignment with the reticle.

【0032】本実施形態1において図1に示す観察装置
を投影光学系2によりレチクル面上のパターンをウエハ
面上に投影露光する半導体デバイスの製造用の投影露光
装置として用いるときは被観察面1にウエハを設け、投
影光学系2に対してウエハと共役位置にレチクルを配置
する。
When the observation apparatus shown in FIG. 1 in the first embodiment is used as a projection exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device in which the pattern on the reticle surface is projected and exposed on the wafer surface by the projection optical system 2, the observed surface 1 A wafer is provided on the substrate, and the reticle is arranged at a position conjugate with the wafer with respect to the projection optical system 2.

【0033】そして光源手段11からの光束で各要素1
2〜19等を有する照明系を介して該レチクル面又は該
ウエハ面を照明し、該レチクル面又はウエハ面のパター
ンを観察する観察系(4,5,6)を利用して該レチク
ルとウエハとの位置合わせを行った後に露光光で照明し
たレチクル面上のパターンを投影光学系によりウエハ面
上に投影露光するようにしている。
Then, each element 1 is formed by the light flux from the light source means 11.
The reticle and wafer using an observation system (4, 5, 6) for illuminating the reticle surface or the wafer surface through an illumination system having 2 to 19 and observing a pattern on the reticle surface or the wafer surface. After aligning with, the pattern on the reticle surface illuminated with exposure light is projected and exposed on the wafer surface by the projection optical system.

【0034】そして、投影露光したウエハを公知の現像
処理工程を介してこれにより半導体デバイスを製造して
いる。
The projection-exposed wafer is then subjected to a known developing process to manufacture a semiconductor device.

【0035】図4〜図6は各々本発明の照明装置の実施
形態2,3,4の一部分の要部概略図である。図4の実
施形態2は図1の実施形態1に比べてオプティカルロッ
ド15と光ファイバーバンドル13との間に拡散板14
の代わりに正のパワーを持った光学系21を配置してい
る点が異なっており、その他の構成は同じである。
FIGS. 4 to 6 are schematic views of main parts of a part of Embodiments 2, 3 and 4 of the lighting device of the present invention. Embodiment 2 of FIG. 4 is different from Embodiment 1 of FIG. 1 in that a diffusion plate 14 is provided between the optical rod 15 and the optical fiber bundle 13.
The difference is that an optical system 21 having a positive power is arranged instead of, and other configurations are the same.

【0036】本実施形態では光学系21により光ファイ
バーバンドル13の出射端面13bと拡散板16は像と
瞳の関係になっている。即ち出射端面13bと視野絞り
18とは共役になっている。これにより拡散板16の出
射端面16bは、光ファイバーバンドル13の出射端面
13bの強度分布むらが、まったく無い状態になる。一
方、上記のようにすると光ファイバーバンドル13の出
射端面13bが像面となり、被観察面1と共役な関係に
なる。
In this embodiment, the exit end face 13b of the optical fiber bundle 13 and the diffuser plate 16 have an image-pupil relationship by the optical system 21. That is, the exit end face 13b and the field stop 18 are conjugated. As a result, the emission end face 16b of the diffusion plate 16 is in a state where there is no unevenness in the intensity distribution of the emission end face 13b of the optical fiber bundle 13. On the other hand, when the above is done, the emission end face 13b of the optical fiber bundle 13 becomes an image plane, and has a conjugate relationship with the observed surface 1.

【0037】本実施形態では拡散板16が途中配置され
ているため、光ファイバーバンドル13の出射端面上の
強度分布むらは、ほとんど伝送されない。
In this embodiment, since the diffuser plate 16 is disposed midway, the intensity distribution unevenness on the emission end face of the optical fiber bundle 13 is hardly transmitted.

【0038】これにより、拡散板16の出射面16bに
おける強度分布むら及び配光特性むらを大幅に軽減さ
せ、図3(A)に示すように被観察面1を均一に照明し
ている。観察光学系が無収差であるならば実施形態1と
同様に図3(B)に示すように対称な良好な観察波形を
得ることができる。
As a result, the unevenness of the intensity distribution and the unevenness of the light distribution characteristic on the exit surface 16b of the diffuser plate 16 are greatly reduced, and the observed surface 1 is uniformly illuminated as shown in FIG. 3 (A). If the observation optical system has no aberration, a symmetrical good observation waveform can be obtained as shown in FIG.

【0039】図5の実施形態3は図1の実施形態1に比
べてオプティカルロッド15とファイバーバンドル13
の間に拡散板14の代わりに負のパワーを持った光学系
22を配置している点が異なっており、その他の構成は
同じである。
The third embodiment shown in FIG. 5 is different from the first embodiment shown in FIG. 1 in that the optical rod 15 and the fiber bundle 13 are provided.
The difference lies in that an optical system 22 having a negative power is arranged in place of the diffusion plate 14 between them, and the other configurations are the same.

【0040】本実施形態では拡がり角の小さい光束が光
ファイバーバンドル13の出射面13bから出射されて
いても、光学系22で光束の角度を広げている。これに
より拡散板16の出射端面16bは光ファイバーバンド
ル13の出射端面13bの強度分布むらが大幅に軽減さ
れている。
In this embodiment, even if a light beam having a small divergence angle is emitted from the emission surface 13b of the optical fiber bundle 13, the optical system 22 widens the angle of the light beam. As a result, the intensity distribution unevenness of the emission end face 16b of the diffusion plate 16 on the emission end face 13b of the optical fiber bundle 13 is significantly reduced.

【0041】本実施形態ではオプティカルロッド15の
長さをL、光学系22の焦点距離をfとしたとき f≦L ‥‥(1) となるようにしている。
In this embodiment, when the length of the optical rod 15 is L and the focal length of the optical system 22 is f, f ≦ L (1)

【0042】これにより、拡散板16の出射面16bに
おける強度分布むら及び配光特性むらを大幅に軽減さ
せ、図3(A)に示すように被観察面を均一に照明して
いる。観察光学系が無収差であるならば、実施形態1と
同様に図3(B)に示すように対称な良好な観察波形を
得ることができる。
As a result, the unevenness of the intensity distribution and the unevenness of the light distribution characteristic on the exit surface 16b of the diffusion plate 16 are greatly reduced, and the surface to be observed is illuminated uniformly as shown in FIG. 3 (A). If the observation optical system has no aberration, it is possible to obtain a symmetrical good observation waveform as shown in FIG.

【0043】図6の実施形態4は図1の実施形態1に比
べてオプティカルロッド15と拡散板14との間に更に
拡散板14′とオプティカルロッド15′を配置してい
る点が異なっており、この他の構成は同じである。
The fourth embodiment shown in FIG. 6 is different from the first embodiment shown in FIG. 1 in that a diffusion plate 14 'and an optical rod 15' are further arranged between the optical rod 15 and the diffusion plate 14. Other configurations are the same.

【0044】本実施形態では説明を簡単にする為、オプ
ティカルロッドを2本、拡散板を全体として3枚用いた
構成を示しているが、必要に応じて組み合わせの構成を
増やしても良い。
In the present embodiment, for the sake of simplification of description, a configuration using two optical rods and three diffuser plates as a whole is shown, but the number of combined configurations may be increased if necessary.

【0045】オプティカルロッドと拡散板16の構成を
多段化することにより、強度分布及び配光特性は、より
均一化し、拡散板16の出射端面16bでは、光ファイ
バーバンドル13の出射端面13bの強度分布むらを大
幅に軽減している。これにより拡散板16の出射面16
bにおける強度分布むら及び配光特性むらを大幅に軽減
させ、図3(A)に示すように被観察面4を均一に照明
している。観察光学系が無収差であるならば、実施形態
1と同様に図3(B)に示すように対称な良好な観察波
形を得ることができる。
By making the configuration of the optical rod and the diffusing plate 16 multi-staged, the intensity distribution and the light distribution characteristics are made more uniform, and the intensity distribution unevenness of the emitting end face 13b of the optical fiber bundle 13 at the emitting end face 16b of the diffusing plate 16 is made more uniform. Has been significantly reduced. Thereby, the exit surface 16 of the diffusion plate 16
The intensity distribution unevenness and the light distribution characteristic unevenness in b are significantly reduced, and the observed surface 4 is uniformly illuminated as shown in FIG. If the observation optical system has no aberration, it is possible to obtain a symmetrical good observation waveform as shown in FIG.

【0046】尚、本発明の観察装置では光導光素子を使
用しているが、光量に余裕があるならば光導光素子を使
用しなくても良い。又光量の損失をなるべく抑えたいの
ならば、拡散板の代わりに拡散角を制御してあるホログ
ラム等を使用しても良い。
Although the observation apparatus of the present invention uses the light guide element, the light guide element may not be used if the light quantity has a margin. Further, if it is desired to suppress the loss of the amount of light as much as possible, a hologram or the like whose diffusion angle is controlled may be used instead of the diffusion plate.

【0047】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の実施例を説明する。
Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described.

【0048】図8は半導体デバイス(ICやLSI等の
半導体チップ、或は液晶パネルやCCD等)の製造のフ
ローを示す。
FIG. 8 shows a flow of manufacturing a semiconductor device (semiconductor chip such as IC or LSI, or liquid crystal panel, CCD or the like).

【0049】ステップ1(回路設計)では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
In step 1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design.

【0050】一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4
(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4
The (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer.

【0051】次のステップ5(組立)は後工程と呼ば
れ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシ
ング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封
入)等の工程を含む。
The next step 5 (assembly) is called a post-process, which is a process of forming a semiconductor chip by using the wafer manufactured in step 4, an assembly process (dicing, bonding), a packaging process (chip encapsulation). Etc. are included.

【0052】ステップ6(検査)ではステップ5で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷(ステップ7)される。
In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in step 5 undergoes inspections such as an operation confirmation test and a durability test. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).

【0053】図9は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。
FIG. 9 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface.

【0054】ステップ13(電極形成)ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打
込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
In step 13 (electrode formation), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 15
In (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer.

【0055】ステップ17(現像)では露光したウエハ
を現像する。ステップ18(エッチング)では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジ
スト剥離)ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
In step 17 (development), the exposed wafer is developed. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), the resist that has become unnecessary after the etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

【0056】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
By using the manufacturing method of this embodiment, it is possible to manufacture a highly integrated semiconductor device which has been difficult to manufacture in the past.

【0057】[0057]

【発明の効果】本発明によれば以上のように、 (イ)レチクルやウエハ等の物体面(被観察面)上に設
けたパターン(アライメントパターン)を適切に設定し
た照明装置により均一なる照度で照明し、該物体面上の
パターンを撮像素子等の所定面上に高精度に形成し、該
パターンの位置情報を高精度に観察及び検出することに
よりレチクルとウエハとの位置合わせを高精度に行い、
高集積度の半導体デバイスを容易に製造することができ
る照明装置及びそれを用いた観察装置を達成することが
できる。
EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, as described above, (i) uniform illumination can be obtained by an illumination device in which a pattern (alignment pattern) provided on an object surface (observed surface) such as a reticle or a wafer is appropriately set. By illuminating the object surface, the pattern on the object surface is formed on a predetermined surface such as an image sensor with high accuracy, and the positional information of the pattern is observed and detected with high accuracy, so that the alignment between the reticle and the wafer is performed with high accuracy. Done in
It is possible to achieve an illuminating device and an observing device using the illuminating device, which can easily manufacture a highly integrated semiconductor device.

【0058】(ロ)照明装置を構成する光ファイバー等
の光導光素子と拡散板等の光拡散素子とを適切に組み合
わせることにより、ファイバーの出射端面上における強
度分布むら、及び配光特性むらが投影光学系の瞳面に相
当する拡散板の出射面上において大幅に軽減させ、被観
察面における均一な照明が容易に達成でき、高精度なパ
ターンの検出を可能とした照明装置及びそれを用いた観
察装置を達成することができる。
(B) By appropriately combining the light guiding element such as an optical fiber and the light diffusing element such as a diffusing plate which constitute the illuminating device, uneven intensity distribution and uneven light distribution characteristic on the exit end face of the fiber are projected. We used a lighting device and a lighting device that significantly reduced light on the exit surface of the diffuser plate, which corresponds to the pupil surface of the optical system, and could easily achieve uniform illumination on the surface to be observed, enabling highly accurate pattern detection. An observation device can be achieved.

【0059】(ハ)ファイバーバンドルの出射端とオプ
ティカルロッドの間に拡散板、あるいはパワーを持った
光学素子を設けることにより、拡がり角が小さい光束の
場合でもオプティカルロッドの入射端の各点から出た光
が出射端において所定の拡がりになるため、ファイバー
バンドルの出射端面における強度分布むら、及び配光特
性むらは、出射端である拡散板に光束が行き着く前に、
均一化される。
(C) By providing a diffusing plate or an optical element having power between the exit end of the fiber bundle and the optical rod, even if the light flux has a small divergence angle, the light exits from each point of the entrance end of the optical rod. Since the light spreads at the exit end by a predetermined amount, the unevenness of the intensity distribution on the exit end face of the fiber bundle, and the unevenness of the light distribution characteristics, before the light flux reaches the diffuser plate at the exit end,
Be homogenized.

【0060】これにより、ファイバーの出射端面上にお
ける強度分布むら、及び配光特性むらが、瞳面に相当す
る拡散板の出射面上において大幅に軽減され、被観察面
における均一な照明が達成でき、高精度なパターンを可
能としている。
As a result, the unevenness of the intensity distribution and the unevenness of the light distribution on the exit end face of the fiber are significantly reduced on the exit face of the diffuser plate corresponding to the pupil plane, and uniform illumination on the observed surface can be achieved. , Enabling highly accurate patterns.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態1の要部概略図FIG. 1 is a schematic diagram of a main part of a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の一部分の拡大説明図FIG. 2 is an enlarged explanatory view of a part of FIG. 1;

【図3】図1の観察面上の照明分布と観察波形の説明図FIG. 3 is an explanatory diagram of an illumination distribution and an observation waveform on the observation surface of FIG.

【図4】本発明の実施形態2の一部分の要部概略図FIG. 4 is a schematic view of a main part of a part of a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施形態3の一部分の要部概略図FIG. 5 is a schematic view of a main part of a part of a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施形態4の一部分の要部概略図FIG. 6 is a schematic view of a main part of a portion of Embodiment 4 of the present invention.

【図7】図1の一部分の他の実施形態の説明図FIG. 7 is an explanatory view of another embodiment of a part of FIG. 1;

【図8】本発明の半導体デバイスの製造方法のフローチ
ャート
FIG. 8 is a flowchart of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

【図9】本発明の半導体デバイスの製造方法のフローチ
ャート
FIG. 9 is a flowchart of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 観察面(ウエハ) 2 投影光学系 3 λ/4板 4 偏光ビームスプリッター 6 撮像素子 11 光源手段 12 光学系 13 光ファイバーバンドル(光導光素子) 14 第1の光拡散素子(拡散板) 15 オプティカルロッド 16 第2の光拡散素子(拡散板) 17 光学部材(コンデンサーレンズ) 18 開口絞り 19 リレーレンズ 1 Observation Surface (Wafer) 2 Projection Optical System 3 λ / 4 Plate 4 Polarization Beam Splitter 6 Imaging Element 11 Light Source Means 12 Optical System 13 Optical Fiber Bundle (Light Guide Element) 14 First Light Diffusing Element (Diffusing Plate) 15 Optical Rod 16 Second light diffusing element (diffusing plate) 17 Optical member (condenser lens) 18 Aperture stop 19 Relay lens

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光源手段からの光束で照明光学系を介し
て物体面を照明する際、該照明光学系中に該光源手段側
から順に入射光を拡散出射させる第1の光拡散素子、該
第1の光拡散素子からの光束を導光させる光導光素子そ
して該光導光素子の出射面又はそれに共役な面に配置
し、該光導電素子からの光束を拡散出射させる第2の光
拡散素子とを有する光拡散手段を設けると共に該光拡散
手段からの光束の拡がり角以下の光束を取り込む開口数
を有した光学部材を設けたことを特徴とする照明装置。
1. A first light diffusing element for diffusing and emitting incident light in the illumination optical system in order from the light source means side when illuminating an object surface with a light flux from the light source means through the illumination optical system, A light guide element that guides the light beam from the first light diffusion element, and a second light diffusion element that is arranged on the emission surface of the light guide element or on a surface conjugate therewith and diffuses and outputs the light beam from the photoconductive element. And a light diffusing unit having an optical member having a numerical aperture for taking in a light beam having a divergence angle or less from the light diffusing unit.
【請求項2】 前記光学部材は前記開口数を制限する絞
りを有していることを特徴とする請求項1の照明装置。
2. The illumination device according to claim 1, wherein the optical member has a diaphragm that limits the numerical aperture.
【請求項3】 前記光導光素子は光ファイバー又は/及
びオプティカルロッドを有していることを特徴とする請
求項1の照明装置。
3. The illumination device according to claim 1, wherein the light guiding element has an optical fiber and / or an optical rod.
【請求項4】 前記第1,第2の光拡散素子は等方散乱
する拡散板又は拡散角を制御したホログラムより成って
いることを特徴とする請求項1の照明装置。
4. The illumination device according to claim 1, wherein the first and second light diffusing elements are made of a diffusion plate that isotropically scatters or a hologram whose diffusion angle is controlled.
【請求項5】 光源手段からの光束で照明光学系を介し
て物体面を照明する際、該照明光学系中に該光源手段側
から順に所定の屈折力を有した光学素子、光束を導光さ
せる光導光素子そして該光導光素子の出射面又はそれに
共役な面に配置し、該光導電素子からの光束を拡散出射
させる光拡散素子、とを有する光拡散手段を設けると共
に該光拡散手段からの光束の拡がり角以下の光束を取り
込む開口数を有した光学部材を設けたことを特徴とする
照明装置。
5. When illuminating an object surface with a light flux from a light source means through an illumination optical system, an optical element having a predetermined refractive power and a light flux are guided in the illumination optical system in order from the light source means side. And a light diffusing element having a light diffusing element which is disposed on the exit surface of the light guiding element or a surface conjugate with the light guiding element and diffuses and emits the light flux from the photoconductive element. An illuminating device comprising an optical member having a numerical aperture for taking in a light flux having a divergence angle of the light flux or less.
【請求項6】 前記光学部材は前記開口数を制限する絞
りを有していることを特徴とする請求項5の照明装置。
6. The illumination device according to claim 5, wherein the optical member has a diaphragm that limits the numerical aperture.
【請求項7】 前記光導光素子は光ファイバー又は/及
びオプティカルロッドを有していることを特徴とする請
求項5の照明装置。
7. The lighting device according to claim 5, wherein the light guide element has an optical fiber and / or an optical rod.
【請求項8】 請求項1〜7の何れか1項記載の照明装
置で物体面を照明し、該物体面を観察光学系で所定面上
に形成して観察していることを特徴とする観察装置。
8. The object plane is illuminated by the illuminating device according to claim 1, and the object plane is formed on a predetermined plane by an observation optical system for observation. Observation device.
【請求項9】 請求項1〜7のいずれか1項記載の照明
装置でレチクル面又はウエハ面を照明し、該レチクル面
又はウエハ面を観察する観察系を利用して該レチクルと
ウエハとの位置合わせを行った後に露光光で照明したレ
チクル面上のパターンを投影光学系によりウエハ面上に
投影露光し、該ウエハを現像処理工程を介して半導体デ
バイスを製造するようにしていることを特徴とする半導
体デバイスの製造方法。
9. An illumination system according to claim 1, which illuminates a reticle surface or a wafer surface, and utilizes an observation system for observing the reticle surface or the wafer surface to form the reticle and the wafer. After alignment, the pattern on the reticle surface illuminated by exposure light is projected and exposed on the wafer surface by the projection optical system, and the wafer is manufactured into semiconductor devices through a developing process. And a method for manufacturing a semiconductor device.
【請求項10】 請求項1〜7のいずれか1項記載の照
明装置でレチクル面又はウエハ面を照明し、該レチクル
面又はウエハ面を観察する観察系を利用して該レチクル
とウエハとの位置合わせを行った後に露光光で照明した
レチクル面上のパターンを投影光学系によりウエハ面上
に投影露光していることを特徴とする投影露光装置。
10. An illumination system according to claim 1, wherein the reticle surface or the wafer surface is illuminated by an illuminating device, and an observation system for observing the reticle surface or the wafer surface is used to separate the reticle and the wafer. A projection exposure apparatus, wherein a pattern on a reticle surface illuminated by exposure light after performing alignment is projected and exposed on a wafer surface by a projection optical system.
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