JPH09189531A - 半導体レーザのワイヤの検査方法 - Google Patents
半導体レーザのワイヤの検査方法Info
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- JPH09189531A JPH09189531A JP8001375A JP137596A JPH09189531A JP H09189531 A JPH09189531 A JP H09189531A JP 8001375 A JP8001375 A JP 8001375A JP 137596 A JP137596 A JP 137596A JP H09189531 A JPH09189531 A JP H09189531A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 組立てを完了した状態の半導体レーザにおけ
るワイヤの異常を画像処理による自動化により定量的に
検査をすることができるワイヤの検査方法を提供する。 【解決手段】 ワイヤボンディングがされたレーザチッ
プが光を透過する窓部を有するキャップによりシールさ
れた半導体レーザ10のワイヤの検査方法であって、前
記窓部の上方から第1の照明を照射し、その反射光によ
り前記レーザチップの端面の画像をカメラ1により読み
取り、同時に前記窓部の斜め上方から第2の照明を照射
し、該第2の照明の反射光により前記ワイヤの画像を前
記カメラにより読み取ることにより該ワイヤの異常の有
無の検査をする。
るワイヤの異常を画像処理による自動化により定量的に
検査をすることができるワイヤの検査方法を提供する。 【解決手段】 ワイヤボンディングがされたレーザチッ
プが光を透過する窓部を有するキャップによりシールさ
れた半導体レーザ10のワイヤの検査方法であって、前
記窓部の上方から第1の照明を照射し、その反射光によ
り前記レーザチップの端面の画像をカメラ1により読み
取り、同時に前記窓部の斜め上方から第2の照明を照射
し、該第2の照明の反射光により前記ワイヤの画像を前
記カメラにより読み取ることにより該ワイヤの異常の有
無の検査をする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザの組み
立て完了後におけるワイヤの検査方法に関する。さらに
詳しくは、キャンシール型レーザダイオードのような窓
ガラスを通して内部のレーザチップやボンディングされ
たワイヤを観察することができる半導体レーザのワイヤ
を画像処理による自動化により検査する半導体レーザの
ワイヤの検査方法に関する。
立て完了後におけるワイヤの検査方法に関する。さらに
詳しくは、キャンシール型レーザダイオードのような窓
ガラスを通して内部のレーザチップやボンディングされ
たワイヤを観察することができる半導体レーザのワイヤ
を画像処理による自動化により検査する半導体レーザの
ワイヤの検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】キャンシール型半導体レーザは、たとえ
ば図5に断面説明図が示されるように、ステム21と一
体化されたヒートシンク21aに、シリコンサブマウン
ト22を介してレーザチップ23がボンディングされ、
レーザチップ23の一方の電極はシリコンサブマウント
22を中継してリード26とワイヤボンディングされ、
他方の電極はヒートシンク21aを介してリード28に
接続されている。そしてこれらを機密にするため、窓ガ
ラス25を有するキャップ24がステム21とハーメテ
ィックに溶接されている。
ば図5に断面説明図が示されるように、ステム21と一
体化されたヒートシンク21aに、シリコンサブマウン
ト22を介してレーザチップ23がボンディングされ、
レーザチップ23の一方の電極はシリコンサブマウント
22を中継してリード26とワイヤボンディングされ、
他方の電極はヒートシンク21aを介してリード28に
接続されている。そしてこれらを機密にするため、窓ガ
ラス25を有するキャップ24がステム21とハーメテ
ィックに溶接されている。
【0003】この種の半導体レーザは、レーザチップ2
3がダイボンディングされ、ワイヤボンディングされた
シリコンサブマウント22をヒートシンク21aにダイ
ボンディングし、さらにリード26とワイヤボンディン
グをした後にキャップ24を被せて溶接することにより
製造される。そのため、シリコンサブマウント22のダ
イボンディング用キャリア(金属バー)の装填時に接触
や落下などのトラブルが発生する際、シリコンサブマウ
ント22をステム21(ヒートシンク21a)にダイボ
ンディングする際(コレットの接触)、またはキャップ
24を被せる際などのワイヤボンディングからキャップ
24をシールする迄の工程の取扱い中にワイヤボンディ
ングのワイヤが変形して他の部分と接触するなどの不具
合が生じる。
3がダイボンディングされ、ワイヤボンディングされた
シリコンサブマウント22をヒートシンク21aにダイ
ボンディングし、さらにリード26とワイヤボンディン
グをした後にキャップ24を被せて溶接することにより
製造される。そのため、シリコンサブマウント22のダ
イボンディング用キャリア(金属バー)の装填時に接触
や落下などのトラブルが発生する際、シリコンサブマウ
ント22をステム21(ヒートシンク21a)にダイボ
ンディングする際(コレットの接触)、またはキャップ
24を被せる際などのワイヤボンディングからキャップ
24をシールする迄の工程の取扱い中にワイヤボンディ
ングのワイヤが変形して他の部分と接触するなどの不具
合が生じる。
【0004】キャップ24を被せる前は、横から光を当
て、ワイヤのシルエットを観察し画像処理をすることに
より良否の判定をすることができるが、キャップ24を
被せた後は、キャップ24が不透光のため、窓ガラス2
5を介してしか観察をすることができない。そのため、
従来は全数マニュアルで目視による検査が行われてい
る。
て、ワイヤのシルエットを観察し画像処理をすることに
より良否の判定をすることができるが、キャップ24を
被せた後は、キャップ24が不透光のため、窓ガラス2
5を介してしか観察をすることができない。そのため、
従来は全数マニュアルで目視による検査が行われてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、目視検査によ
りワイヤの異常を調べても、キャップの直径が1mm程
度の小さな半導体レーザをさらに小さな窓ガラスを介し
て観察しなければならないため、ワイヤの異常を定量的
に評価することができず、検査の信頼性を向上させるこ
とができない。とくに長時間の検査を続けると同じ人間
が行っていても、目の疲れなどにより検査の基準が異な
り、正確な検査をすることができない。
りワイヤの異常を調べても、キャップの直径が1mm程
度の小さな半導体レーザをさらに小さな窓ガラスを介し
て観察しなければならないため、ワイヤの異常を定量的
に評価することができず、検査の信頼性を向上させるこ
とができない。とくに長時間の検査を続けると同じ人間
が行っていても、目の疲れなどにより検査の基準が異な
り、正確な検査をすることができない。
【0006】本発明はこのような問題を解決し、組立て
を完了した状態の半導体レーザにおけるワイヤの異常を
画像処理による自動化により定量的に検査をすることが
できるワイヤの検査方法を提供することを目的とする。
を完了した状態の半導体レーザにおけるワイヤの異常を
画像処理による自動化により定量的に検査をすることが
できるワイヤの検査方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザのワイヤの検査方法は、ワイヤボンディングがされた
レーザチップが光を透過する窓部を有するキャップによ
りシールされた半導体レーザのワイヤの外観検査方法で
あって、前記窓部の上方から第1の照明を照射し、その
反射光により前記レーザチップの端面の画像をカメラに
より読み取り、同時に前記窓部の斜め上方から第2の照
明を照射し、該第2の照明の反射光により前記ワイヤの
画像を前記カメラにより読み取ることにより該ワイヤの
異常の有無の検査をすることを特徴とする。
ザのワイヤの検査方法は、ワイヤボンディングがされた
レーザチップが光を透過する窓部を有するキャップによ
りシールされた半導体レーザのワイヤの外観検査方法で
あって、前記窓部の上方から第1の照明を照射し、その
反射光により前記レーザチップの端面の画像をカメラに
より読み取り、同時に前記窓部の斜め上方から第2の照
明を照射し、該第2の照明の反射光により前記ワイヤの
画像を前記カメラにより読み取ることにより該ワイヤの
異常の有無の検査をすることを特徴とする。
【0008】前記第1の照明の反射光による前記レーザ
チップの端面の画像を基準として該レーザチップにボン
ディングされたワイヤのボール位置を捜索し、該ボール
位置を基準としてループ高さ、ボール幅およびネック立
上り量(ワイヤの形状)をそれぞれ検出することが、ワ
イヤのボンディング部の異常を定量的な検査により客観
的に判定することができるため、検査の信頼性を向上さ
せることができて好ましい。
チップの端面の画像を基準として該レーザチップにボン
ディングされたワイヤのボール位置を捜索し、該ボール
位置を基準としてループ高さ、ボール幅およびネック立
上り量(ワイヤの形状)をそれぞれ検出することが、ワ
イヤのボンディング部の異常を定量的な検査により客観
的に判定することができるため、検査の信頼性を向上さ
せることができて好ましい。
【0009】ここにループ高さとは、ワイヤがボンディ
ングされた部分から一旦上にもち上げられ、その後サブ
マウントへのボンディングのため下方に下げられるワイ
ヤの軌跡のボンディングされた面から折返し部までの高
さを意味し、ボール幅とはボンディング部の潰れた部分
の幅を意味し、ネックの立上り量とはボンディング部の
潰されていないワイヤが真っ直ぐに延びている部分の長
さ、すなわちボンディング部の立上りのワイヤの形状の
正常部分を意味する。
ングされた部分から一旦上にもち上げられ、その後サブ
マウントへのボンディングのため下方に下げられるワイ
ヤの軌跡のボンディングされた面から折返し部までの高
さを意味し、ボール幅とはボンディング部の潰れた部分
の幅を意味し、ネックの立上り量とはボンディング部の
潰されていないワイヤが真っ直ぐに延びている部分の長
さ、すなわちボンディング部の立上りのワイヤの形状の
正常部分を意味する。
【0010】前記第2の照明を前記窓部の面に対して5
〜10゜の斜め上方から照射することが、ワイヤでの反
射光を鮮明にカメラにより認識することができるため好
ましい。
〜10゜の斜め上方から照射することが、ワイヤでの反
射光を鮮明にカメラにより認識することができるため好
ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の半導体レーザのワイヤの検査方法を説明する。
明の半導体レーザのワイヤの検査方法を説明する。
【0012】図1は本発明の半導体レーザのワイヤの検
査をする検査装置の概略図、図2はカメラによりレーザ
チップのワイヤ部を観察した画像の一例を示す図、図3
はレーザチップの上面側から見た場合の説明のための図
(カメラによっては認識されない)、図4は図1の装置
により検査を行うフローチャートである。
査をする検査装置の概略図、図2はカメラによりレーザ
チップのワイヤ部を観察した画像の一例を示す図、図3
はレーザチップの上面側から見た場合の説明のための図
(カメラによっては認識されない)、図4は図1の装置
により検査を行うフローチャートである。
【0013】図1において、1は白黒用のカメラで、た
とえばソニー(株)製の商品名XC−75、2はレンズ
を組み合わせたマクロレンズで、たとえば(株)モリテ
ックス製の商品名MML6−40D、3は第1の照明電
源で、たとえば(株)モリテックス製の商品名MHF−
C50LR、4は第1の照明電源3からマクロレンズ2
へ光を伝達する第1の光ファイバで、たとえば(株)モ
リテックス製の商品名MSP4−1100S、5は画像
処理装置で、たとえばパソコンと512×480画素の
多値化機能を有する白黒濃淡画像の処理ボードからなっ
ている。6は第2の照明電源で、たとえば(株)モリテ
ックス製の商品名MHF−D100LR、7は第2の照
明電源6の光を検査される半導体レーザ10のレーザチ
ップ部に照射するため、半導体レーザの窓ガラス面に対
して角度θだけ傾けて斜めから照射することができる第
2の光ファイバで、第1の光ファイバ4と同じものを使
用することができる。8は照明電源3からの光を真下に
反射させ、半導体レーザ10により反射した光を透過さ
せてカメラ1に入射させるハーフミラーで、第1の照明
電源3とハーフミラー8とにより半導体レーザ10に垂
直に照明を照射する同軸落射の照射方法が採られてい
る。
とえばソニー(株)製の商品名XC−75、2はレンズ
を組み合わせたマクロレンズで、たとえば(株)モリテ
ックス製の商品名MML6−40D、3は第1の照明電
源で、たとえば(株)モリテックス製の商品名MHF−
C50LR、4は第1の照明電源3からマクロレンズ2
へ光を伝達する第1の光ファイバで、たとえば(株)モ
リテックス製の商品名MSP4−1100S、5は画像
処理装置で、たとえばパソコンと512×480画素の
多値化機能を有する白黒濃淡画像の処理ボードからなっ
ている。6は第2の照明電源で、たとえば(株)モリテ
ックス製の商品名MHF−D100LR、7は第2の照
明電源6の光を検査される半導体レーザ10のレーザチ
ップ部に照射するため、半導体レーザの窓ガラス面に対
して角度θだけ傾けて斜めから照射することができる第
2の光ファイバで、第1の光ファイバ4と同じものを使
用することができる。8は照明電源3からの光を真下に
反射させ、半導体レーザ10により反射した光を透過さ
せてカメラ1に入射させるハーフミラーで、第1の照明
電源3とハーフミラー8とにより半導体レーザ10に垂
直に照明を照射する同軸落射の照射方法が採られてい
る。
【0014】第1および第2の照明電源3、6の出力側
にはバンドパスフィルタ11、12がそれぞれ設けられ
ている。このバンドパスフィルタ11、12を設けるの
はつぎの理由による。窓ガラスにはレーザチップの発振
波長(たとえば780nm)の光の透過率を向上させる
非反射膜(AR膜)がコーティングされており、それよ
り低い波長の光、たとえば500nm以下の波長の光に
対しては、反射率が徐々に上昇する。その結果、これら
の短い波長の光は窓ガラス面で反射し易く、反射光が多
いと内部にあるレーザチップやワイヤのS/Nが低下す
る。そこで、これらの短い波長の光をカットしておき反
射光を軽減させ、内部がよく見えるようにするため、た
とえば主波長が650nm、半値幅が12nmで透過率
が50%以上のバンドパスフィルタ11、12が設けら
れている。バンドパスフィルタ11、12はそれぞれ第
1および第2の照明電源3、6の中に入れる必要はな
く、むしろ第1および第2の光ファイバ4、7の光の進
行側に設けられることが好ましいが、取付ブラケット、
フィルタの加工などの関係で第1および第2の照明電源
3、6内の熱吸収フィルタの後、すなわち出力側にそれ
ぞれ設けられている。
にはバンドパスフィルタ11、12がそれぞれ設けられ
ている。このバンドパスフィルタ11、12を設けるの
はつぎの理由による。窓ガラスにはレーザチップの発振
波長(たとえば780nm)の光の透過率を向上させる
非反射膜(AR膜)がコーティングされており、それよ
り低い波長の光、たとえば500nm以下の波長の光に
対しては、反射率が徐々に上昇する。その結果、これら
の短い波長の光は窓ガラス面で反射し易く、反射光が多
いと内部にあるレーザチップやワイヤのS/Nが低下す
る。そこで、これらの短い波長の光をカットしておき反
射光を軽減させ、内部がよく見えるようにするため、た
とえば主波長が650nm、半値幅が12nmで透過率
が50%以上のバンドパスフィルタ11、12が設けら
れている。バンドパスフィルタ11、12はそれぞれ第
1および第2の照明電源3、6の中に入れる必要はな
く、むしろ第1および第2の光ファイバ4、7の光の進
行側に設けられることが好ましいが、取付ブラケット、
フィルタの加工などの関係で第1および第2の照明電源
3、6内の熱吸収フィルタの後、すなわち出力側にそれ
ぞれ設けられている。
【0015】この装置でカメラ1により半導体レーザ1
0の窓ガラスを通して見えるワイヤを認識し、画像処理
装置5により画像を処理することによりワイヤの異常の
有無を検査する。その結果をメカ制御部(図示せず)に
送り良品と不良品との選別をする。本発明では、半導体
レーザ10の窓ガラスの真上から同軸落射の方法により
照明を照射すると共に、窓ガラス面に対してθの角度を
なす斜めの方向から斜光照明を照射しながら半導体レー
ザの真上から観察するところに特徴がある。また、本発
明の他の特徴は、後述する画像処理装置5における処理
手順にある。
0の窓ガラスを通して見えるワイヤを認識し、画像処理
装置5により画像を処理することによりワイヤの異常の
有無を検査する。その結果をメカ制御部(図示せず)に
送り良品と不良品との選別をする。本発明では、半導体
レーザ10の窓ガラスの真上から同軸落射の方法により
照明を照射すると共に、窓ガラス面に対してθの角度を
なす斜めの方向から斜光照明を照射しながら半導体レー
ザの真上から観察するところに特徴がある。また、本発
明の他の特徴は、後述する画像処理装置5における処理
手順にある。
【0016】すなわち、本発明者は、キャップで封入さ
れたレーザチップにボンディングされたワイヤの異常を
画像処理による自動化により検査するため鋭意検討を重
ねた結果、この両照明方法を同時に採用することにより
画像処理によりワイヤの検査をすることができることを
見出したものである。
れたレーザチップにボンディングされたワイヤの異常を
画像処理による自動化により検査するため鋭意検討を重
ねた結果、この両照明方法を同時に採用することにより
画像処理によりワイヤの検査をすることができることを
見出したものである。
【0017】同軸落射の照明(第1の照明)により、レ
ーザチップ23の端面からの反射光が得られ、図2に示
されるような画像が得られる。このレーザチップ23の
端面にフォーカスを合わせ、レーザチップ23にボンデ
ィングされたワイヤ(以下、LDワイヤという)29の
検査エリアを設定する。また、第2の照明電源6と第2
の光ファイバ7とからなる斜光照明(第2の照明)によ
り、LDワイヤ29からの反射光を観察でき、図2に示
されるように、レーザチップ23と共にLDワイヤ29
が同じ画像に映し出される。この際、斜光照明はLDワ
イヤ29からの反射光を有効に取り入れるため、図2〜
3のAで示される方向から照射すると共に、窓ガラス面
に対する角度θ(図1参照)を5〜10゜に設定するこ
とによりLDワイヤ29を明瞭に認識することができる
ことを見出した。
ーザチップ23の端面からの反射光が得られ、図2に示
されるような画像が得られる。このレーザチップ23の
端面にフォーカスを合わせ、レーザチップ23にボンデ
ィングされたワイヤ(以下、LDワイヤという)29の
検査エリアを設定する。また、第2の照明電源6と第2
の光ファイバ7とからなる斜光照明(第2の照明)によ
り、LDワイヤ29からの反射光を観察でき、図2に示
されるように、レーザチップ23と共にLDワイヤ29
が同じ画像に映し出される。この際、斜光照明はLDワ
イヤ29からの反射光を有効に取り入れるため、図2〜
3のAで示される方向から照射すると共に、窓ガラス面
に対する角度θ(図1参照)を5〜10゜に設定するこ
とによりLDワイヤ29を明瞭に認識することができる
ことを見出した。
【0018】つぎに、図4のフローチャートを参照しな
がら図1の画像処理装置5で行われる検査手順について
説明をする。
がら図1の画像処理装置5で行われる検査手順について
説明をする。
【0019】まず、検査スタート信号が入っているか否
かを判定し(S1)、信号が入っていない場合はNOに
より戻り、検査信号が入っている場合はつぎのステップ
に進み、画像を取り込む(S2)。この画像の取り込み
は白黒濃淡で、たとえば512×480画素を採用す
る。つぎにレーザチップの端面の上面の位置を捜索し
(S3)、レーザチップの上面の座標を算出する。これ
は、レーザチップにワイヤがボンディングされたときに
形成される潰れたボール部分である第1のボール位置を
捜索するためのウィンドウを設定するためのものであ
る。
かを判定し(S1)、信号が入っていない場合はNOに
より戻り、検査信号が入っている場合はつぎのステップ
に進み、画像を取り込む(S2)。この画像の取り込み
は白黒濃淡で、たとえば512×480画素を採用す
る。つぎにレーザチップの端面の上面の位置を捜索し
(S3)、レーザチップの上面の座標を算出する。これ
は、レーザチップにワイヤがボンディングされたときに
形成される潰れたボール部分である第1のボール位置を
捜索するためのウィンドウを設定するためのものであ
る。
【0020】つぎに、第1のボール位置を捜索する(S
4)。ボール幅を算出するエリア(図2のB参照)を設
定するためと、ボンディング部でワイヤが潰されずに本
来の太さである部分(ネック)が上方に真っ直ぐ延びて
いる長さであるネック立上り量を算出するエリア(図2
のC参照)を設定するためである。ついで捜索範囲や捜
索方法を変えることによりボンディングされたワイヤの
一番高い位置であるループピーク位置を求め、ループ高
さEを算出する(S5)。ついで、ボール幅Fの算出
(S5)、ネック立上り量Gの算出(S7)、テール残
り検査範囲(図2のD参照)におけるワイヤの切れ残り
などの異常の有無の検出(S8)を順次行い、各検査値
を基準値と比較する(S9)。なお、ネック立上り量G
はLDワイヤ29がエリアCから外に出るところまでの
高さである。その結果、いずれの項目も基準値の範囲に
入っている場合にはGO出力が出され(S10)、いず
れかの項目が基準値の範囲に入っていない場合には不良
品としてNG出力が出される(S11)。その後、メカ
制御部に送られて良品と不良品との選別がなされる。
4)。ボール幅を算出するエリア(図2のB参照)を設
定するためと、ボンディング部でワイヤが潰されずに本
来の太さである部分(ネック)が上方に真っ直ぐ延びて
いる長さであるネック立上り量を算出するエリア(図2
のC参照)を設定するためである。ついで捜索範囲や捜
索方法を変えることによりボンディングされたワイヤの
一番高い位置であるループピーク位置を求め、ループ高
さEを算出する(S5)。ついで、ボール幅Fの算出
(S5)、ネック立上り量Gの算出(S7)、テール残
り検査範囲(図2のD参照)におけるワイヤの切れ残り
などの異常の有無の検出(S8)を順次行い、各検査値
を基準値と比較する(S9)。なお、ネック立上り量G
はLDワイヤ29がエリアCから外に出るところまでの
高さである。その結果、いずれの項目も基準値の範囲に
入っている場合にはGO出力が出され(S10)、いず
れかの項目が基準値の範囲に入っていない場合には不良
品としてNG出力が出される(S11)。その後、メカ
制御部に送られて良品と不良品との選別がなされる。
【0021】以上のように、レーザチップの端面を捜索
した後、第1のボール位置を捜索してループピーク位
置、ボール幅およびネック立上り量を算出しているた
め、半導体レーザのキャップを溶接した後の状態で、ワ
イヤの変形などにより生じる異常を画像処理による自動
化により定量的に検査をすることができる。その結果、
人の主観によらない客観的な判断をすることができる。
した後、第1のボール位置を捜索してループピーク位
置、ボール幅およびネック立上り量を算出しているた
め、半導体レーザのキャップを溶接した後の状態で、ワ
イヤの変形などにより生じる異常を画像処理による自動
化により定量的に検査をすることができる。その結果、
人の主観によらない客観的な判断をすることができる。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、キャップを被せた最終
的な状態で、画像処理による自動化により、ワイヤのボ
ンディング部のループ高さ、ネック部の立上り状態(ワ
イヤ形状)、ボール形状(つぶれ部分の幅)を定量値に
より客観的に検査をすることができる。さらに、テール
残りについてはその有無を客観的に検査することができ
る。
的な状態で、画像処理による自動化により、ワイヤのボ
ンディング部のループ高さ、ネック部の立上り状態(ワ
イヤ形状)、ボール形状(つぶれ部分の幅)を定量値に
より客観的に検査をすることができる。さらに、テール
残りについてはその有無を客観的に検査することができ
る。
【0023】さらに、自動化により検査をすることがで
きるため、半導体レーザの製造ラインの製品搬送部にこ
の検査装置を設置することにより製造ラインにインライ
ン化することができ、製造コストを引き下げることがで
きる。
きるため、半導体レーザの製造ラインの製品搬送部にこ
の検査装置を設置することにより製造ラインにインライ
ン化することができ、製造コストを引き下げることがで
きる。
【0024】さらに、キャップの溶接工程におけるワイ
ヤの不良も確実に検出することができるため、製品の信
頼性が大幅に向上する。
ヤの不良も確実に検出することができるため、製品の信
頼性が大幅に向上する。
【図1】本発明の検査方法に用いる検査装置の概略図で
ある。
ある。
【図2】本発明の検査方法によりカメラにより取り込ま
れる画像の一例である。
れる画像の一例である。
【図3】図2の画像を図2の上側からみた図である。
【図4】図1の画像処理装置で行う処理のフローの一例
を示す図である。
を示す図である。
【図5】キャンシール型半導体レーザの一例の断面説明
図である。
図である。
1 カメラ 3 第1の照明電源 5 画像処理装置 6 第2の照明電源 10 半導体レーザ 23 レーザチップ 29 LDワイヤ
Claims (3)
- 【請求項1】 ワイヤボンディングがされたレーザチッ
プが光を透過する窓部を有するキャップによりシールさ
れた半導体レーザのワイヤの検査方法であって、前記窓
部の上方から第1の照明を照射し、その反射光により前
記レーザチップの端面の画像をカメラにより読み取り、
同時に前記窓部の斜め上方から第2の照明を照射し、該
第2の照明の反射光により前記ワイヤの画像を前記カメ
ラにより読み取ることにより該ワイヤの異常の有無の検
査をする半導体レーザのワイヤの検査方法。 - 【請求項2】 前記第1の照明の反射光による前記レー
ザチップの端面の画像を基準として該レーザチップにボ
ンディングされたワイヤのボール位置を捜索し、該ボー
ル位置を基準としてループ高さ、ボール幅およびネック
立上り量をそれぞれ検出する請求項1記載のワイヤの検
査方法。 - 【請求項3】 前記第2の照明を前記窓部の面に対して
5〜10゜の斜め上方から照射する請求項1または2記
載のワイヤの検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8001375A JPH09189531A (ja) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | 半導体レーザのワイヤの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8001375A JPH09189531A (ja) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | 半導体レーザのワイヤの検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09189531A true JPH09189531A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=11499749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8001375A Pending JPH09189531A (ja) | 1996-01-09 | 1996-01-09 | 半導体レーザのワイヤの検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09189531A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012112688A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Seiko Epson Corp | 検査装置 |
CN103464900A (zh) * | 2013-08-09 | 2013-12-25 | 上海大学 | 激光密封方法和系统 |
JP2017069387A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
WO2022249262A1 (ja) * | 2021-05-25 | 2022-12-01 | 株式会社新川 | ワイヤボンディングシステム、検査装置、ワイヤボンディング方法、および、プログラム |
-
1996
- 1996-01-09 JP JP8001375A patent/JPH09189531A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012112688A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Seiko Epson Corp | 検査装置 |
CN103464900A (zh) * | 2013-08-09 | 2013-12-25 | 上海大学 | 激光密封方法和系统 |
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US10804675B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-10-13 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | To-can package semiconductor laser device having a pinless region on the underside of the package |
WO2022249262A1 (ja) * | 2021-05-25 | 2022-12-01 | 株式会社新川 | ワイヤボンディングシステム、検査装置、ワイヤボンディング方法、および、プログラム |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040525 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041026 |