JPH09186183A - Semiconductor sealing metallic mold die and semiconductor sealing device having this mold die and semiconductor device resin sealing method - Google Patents

Semiconductor sealing metallic mold die and semiconductor sealing device having this mold die and semiconductor device resin sealing method

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JPH09186183A
JPH09186183A JP35261195A JP35261195A JPH09186183A JP H09186183 A JPH09186183 A JP H09186183A JP 35261195 A JP35261195 A JP 35261195A JP 35261195 A JP35261195 A JP 35261195A JP H09186183 A JPH09186183 A JP H09186183A
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semiconductor
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resin
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Fujio Kobayashi
富士雄 小林
Masakazu Tawara
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To mold a lead frame assembly efficiently suppressing the generation of burs by using a small-sized semiconductor-sealing metallic mold die. SOLUTION: A lead frame assembly 7 is molded with a mold die 20, by outsertion-molding resin 5 for sealing a semiconductor chip 2 mounted on a lead frame 10 having a cull section 17 and a runner section 18 formed on the same surface. The mold die 20 has upper and lower mold members 22, 21, and is provided with a material resin supply mechanism 29 for supplying material resin 8 to the cavity, an ejecting mechanism 32 for ejecting the molded lead frame assembly 7, and a mold tightening mechanism for tightening and self-holding the upper and lower mold members 22, 21. This mold 20 is carried and circulated intermittently at every molding process, in a molding device. In the molding device, drive mechanisms for the material resin supply mechanism and the ejecting mechanism, and a heating mechanism for the mold 20 are provided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップが実
装配線された半導体装置用リードフレームに対して上記
半導体チップを封装する封装樹脂をアウトサート成形す
る半導体封止用金型装置及びこの半導体封止用金型装置
を用いた半導体封止装置並びに半導体装置の封装樹脂成
形方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor encapsulating mold device for outsert-molding encapsulating resin for encapsulating a semiconductor chip with respect to a semiconductor device lead frame on which a semiconductor chip is mounted and wired. The present invention relates to a semiconductor encapsulating device using a stopping die device and a method for molding resin for encapsulating a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置1は、一般に、図1に示すよ
うに、所定の回路等が集積形成された半導体チップ2が
導電性金属薄板上に実装されるとともに、この金属薄板
に形成したリード端子群3と電気的に接続された状態で
エポキシ樹脂等の熱硬化性合成樹脂を材料とした封装樹
脂5によって封装されて構成されている。リード端子群
3は、一端部が半導体チップ2の外周部に延在されると
ともに、他端部が封装樹脂5から突出露呈されて接続端
子片4を構成している。半導体装置1には、封装樹脂5
の表面に実装位置等を表示する位置決め指標6や図示し
ない仕様表示等が設けられている。なお、これら位置決
め指標6や仕様表示等は、例えば封装樹脂5のインサー
ト成形時に、半導体封止用金型装置によって形成され
る。
2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor device 1, as shown in FIG. 1, has a semiconductor chip 2 on which predetermined circuits and the like are integrated and mounted on a conductive metal thin plate, and leads formed on the metal thin plate. It is configured such that it is electrically connected to the terminal group 3 and sealed with a sealing resin 5 made of a thermosetting synthetic resin such as an epoxy resin. The lead terminal group 3 has one end extending to the outer peripheral portion of the semiconductor chip 2 and the other end protruding and exposed from the encapsulating resin 5 to form the connection terminal piece 4. The semiconductor device 1 includes a sealing resin 5
A positioning index 6 for displaying the mounting position and the like, a specification display not shown, and the like are provided on the surface of the. The positioning index 6, the specification display, and the like are formed by a semiconductor-sealing mold device, for example, during insert molding of the encapsulating resin 5.

【0003】上述した半導体装置1の製造には、図42
に示した導電性金属薄板を素材として帯状に形成された
リードフレーム200が用いられる。このリードフレー
ム200は、生産効率の向上を図るために、いわゆる多
数個取りの構成が採用されており、それぞれ半導体チッ
プ2が実装位置される複数のチップ実装部201が長手
方向に所定の間隔を以って設けられる。チップ実装部2
01には、例えばその中央部に半導体チップ2を収納位
置させる開口部が開設されるとともに、一端部がこの開
口部の周辺部に延在する多数のリード端子部202がそ
れぞれの領域に形成されている。
For manufacturing the above-described semiconductor device 1, FIG.
A strip-shaped lead frame 200 is used by using the conductive metal thin plate shown in FIG. This lead frame 200 employs a so-called multi-cavity configuration in order to improve production efficiency, and a plurality of chip mounting portions 201 on which the semiconductor chips 2 are mounted are arranged at predetermined intervals in the longitudinal direction. It is provided by. Chip mounting part 2
In 01, for example, an opening for accommodating and storing the semiconductor chip 2 is formed in the central portion thereof, and a large number of lead terminal portions 202 whose one end extends to the peripheral portion of the opening are formed in respective regions. ing.

【0004】また、リードフレーム200には、幅方向
の両側縁に沿って搬送ガイド部203が形成されてい
る。この搬送ガイド部203は、一定の間隔を以って開
設された多数個のパーホレーション204A、204B
によって構成されている。したがって、リードフレーム
200は、この搬送ガイド部203により位置決めされ
た状態で図示しない搬送手段によって搬送され、半導体
チップ2の実装工程と、半導体チップ2とリード端子群
3とのワイヤボンディング法等による配線工程と、半導
体封止用金型装置を用いて半導体チップ2を熱硬化性合
成樹脂によって封装する樹脂封装工程或いは外周リード
部の切断等の工程等が施されて半導体装置1を連続して
製造する。
Further, the lead frame 200 is formed with a conveyance guide portion 203 along both side edges in the width direction. This conveyance guide section 203 has a large number of perforations 204A, 204B opened at regular intervals.
It is constituted by. Therefore, the lead frame 200 is transported by the transport means (not shown) while being positioned by the transport guide portion 203, and the mounting process of the semiconductor chip 2 and the wiring by the wire bonding method or the like between the semiconductor chip 2 and the lead terminal group 3 are performed. The semiconductor device 1 is continuously manufactured by performing a process, a resin encapsulation process of encapsulating the semiconductor chip 2 with a thermosetting synthetic resin using a semiconductor encapsulation mold device, a process of cutting the outer peripheral lead portion, and the like. To do.

【0005】半導体装置1の製造は、一般に生産効率を
図るために上述したリードフレーム200の多数個取り
の構成とともに、一対の第1のリードフレーム200A
と第2のリードフレーム200Bとが互いに平行状態と
されて搬送手段によって上述した工程を同時に搬送され
る。なお、図39は、樹脂封装工程の概略構成図を示
し、第1のリードフレーム200Aと第2のリードフレ
ーム200Bとに跨がって配設される半導体封止用金型
装置については図示が省略されている。半導体封止用金
型装置は、互いに接離動作される上下一対の金型部材か
ら構成され、その対向面間に第1のリードフレーム20
0Aと第2のリードフレーム200Bとを通過させると
ともに材料樹脂が充填硬化して実装された半導体チップ
2を封装する封装樹脂5をアウトサート成形するキャビ
ティがそれぞれ構成されている。
In the manufacture of the semiconductor device 1, a pair of the first lead frames 200A are generally used together with the above-mentioned structure for taking a large number of lead frames 200 in order to improve production efficiency.
The second lead frame 200B and the second lead frame 200B are in parallel with each other, and are simultaneously transported by the transporting means through the above-described steps. Note that FIG. 39 shows a schematic configuration diagram of the resin encapsulation process, and a semiconductor encapsulating mold device arranged across the first lead frame 200A and the second lead frame 200B is not shown. Omitted. The semiconductor encapsulating mold device is composed of a pair of upper and lower mold members that are moved toward and away from each other, and the first lead frame 20 is provided between the facing surfaces.
0A and the second lead frame 200B are passed through, and cavities for outsert-molding the encapsulating resin 5 for encapsulating the semiconductor chip 2 mounted and filled with the material resin are formed.

【0006】また、半導体封止用金型装置は、第1のリ
ードフレーム200Aと第2のリードフレーム200B
との間に位置して、下金型部材側に材料樹脂供給部が配
設されている。材料樹脂供給部は、加熱手段が付設され
るとともに底面部に押出し部材が移動自在に配設されて
いる。この材料樹脂供給部には、例えばタブレット状と
されたエポキシ樹脂等の材料樹脂が装填される。
The semiconductor encapsulating mold device is also provided with a first lead frame 200A and a second lead frame 200B.
And a material resin supply section is disposed on the lower mold member side between the two. The material resin supply unit is provided with a heating means, and an extruding member is movably arranged on the bottom surface. A material resin such as a tablet-shaped epoxy resin is loaded in the material resin supply unit.

【0007】半導体封止用金型装置は、加熱手段によっ
て、材料樹脂供給部207やランナー部及びキャビティ
の各部位が材料樹脂211の溶融温度である175°C
程度に温調されている。材料樹脂211は、材料樹脂供
給部207内において加圧、加熱されることにより粘度
の低い溶融状態とされる。
In the semiconductor encapsulating mold device, the material resin supply portion 207, the runner portion, and the cavity are heated to 175 ° C., which is the melting temperature of the material resin 211, by heating means.
The temperature is controlled to some extent. The material resin 211 is brought into a molten state with low viscosity by being pressurized and heated in the material resin supply unit 207.

【0008】半導体封止用金型装置には、材料樹脂供給
部207から第1のリードフレーム200Aと第2のリ
ードフレーム200Bに達するランナー部が設けられ、
さらにこのランナー部とキャビテイとの間に位置してゲ
ート部が設けられている。半導体封止用金型装置は、チ
ップ実装部201にそれぞれ半導体チップ2が実装され
た第1のリードフレーム200Aと第2のリードフレー
ム200Bとが搬送されると、下金型部材に対して上金
型部材が移動動作して型締め動作が行われる。半導体封
止用金型装置は、この型締め状態で押出し部材が動作さ
れて、材料樹脂供給部207から溶融状態の材料樹脂2
11を各ランナー部へと押し出す。材料樹脂211は、
このランナー部からゲート部を介してそれぞれキャビテ
ィ内へと充填される。
The semiconductor encapsulation mold device is provided with a runner portion which extends from the material resin supply portion 207 to the first lead frame 200A and the second lead frame 200B.
Further, a gate portion is provided between the runner portion and the cavity. When the first lead frame 200A and the second lead frame 200B each having the semiconductor chip 2 mounted on the chip mounting portion 201 are conveyed, the semiconductor encapsulating mold device moves upward with respect to the lower mold member. The mold member moves and the mold clamping operation is performed. In the mold device for semiconductor encapsulation, the extruding member is operated in this mold clamped state, and the material resin 2 in the molten state is supplied from the material resin supply unit 207.
Push 11 into each runner. The material resin 211 is
The runners are filled into the cavities via the gates.

【0009】半導体封止用金型装置は、上金型部材と下
金型部材とを型締め状態に保持して所定の時間加熱する
ことによって材料樹脂211を硬化させた後、下金型部
材に対して上金型部材が移動動作されて型開き動作が行
われる。これによって、リードフレーム200には、半
導体チップ2の外周部を封装する封装樹脂5がアウトサ
ート成形される。半導体封止用金型装置には、搬送手段
によってリードフレーム200の次の領域が搬送位置さ
れ、上述した封装樹脂5のアウトサート成形が行われ
る。
The semiconductor encapsulation mold device is configured such that the upper mold member and the lower mold member are held in a clamped state and heated for a predetermined time to cure the material resin 211, and then the lower mold member. On the other hand, the upper mold member is moved and the mold opening operation is performed. As a result, the encapsulation resin 5 for encapsulating the outer peripheral portion of the semiconductor chip 2 is outsert-molded on the lead frame 200. In the mold device for semiconductor encapsulation, the next area of the lead frame 200 is carried to the carrying position by the carrying means, and the outsert molding of the encapsulating resin 5 described above is performed.

【0010】以下、この封装樹脂5のアウトサート成形
が順次行われて、リードフレーム200上に実装された
複数個の半導体チップ2の封装樹脂5による封装工程が
終了する。なお、封装樹脂5は、リードフレーム200
に形成されたリード端子部202の先端部近傍までを封
装している。
Thereafter, the outsert molding of the encapsulating resin 5 is sequentially performed, and the encapsulating step of the plurality of semiconductor chips 2 mounted on the lead frame 200 with the encapsulating resin 5 is completed. The encapsulating resin 5 is used for the lead frame 200.
The lead terminal portion 202 formed in the above is sealed up to the vicinity of the tip portion.

【0011】リードフレーム200は、実装された半導
体チップ2に対する封装樹脂5による封装工程が終了す
ると、搬送手段によって外周リード部の切断工程へと搬
送される。この外周リード部の切断は、例えば外形打抜
き金型を用いて行われる。外形打抜き金型は、リード端
子部の先端部を残してリードフレーム200の他の外周
部分を切断除去して図1に示した上述した半導体装置1
を完成させる。
The lead frame 200 is conveyed to the step of cutting the outer peripheral lead portion by the conveying means when the encapsulating process of the encapsulating resin 5 on the mounted semiconductor chip 2 is completed. The cutting of the outer peripheral lead portion is performed using, for example, an outer shape punching die. The outer shape punching die has the above-described semiconductor device 1 shown in FIG. 1 by cutting and removing the other outer peripheral portion of the lead frame 200 while leaving the tip portion of the lead terminal portion.
To complete.

【0012】この切断工程においては、図42に示した
封装樹脂5とランナー樹脂部208との間に存在するゲ
ート樹脂部209の切断も行われる。このゲート樹脂部
209は、リードフレーム200の下方部にリード端子
部の領域中に位置して存在する。ゲート樹脂部209
は、半導体装置1に大きく突出した状態で残されている
場合、この半導体装置1を回路基板等に実装する際に大
きな障害となるため、精密に切断されなければならな
い。したがって、従来の半導体製造方法によれば、専用
のゲート切断機が用いて、このゲート樹脂部209をリ
ードフレーム200から切断していた。
In this cutting step, the gate resin portion 209 existing between the encapsulating resin 5 and the runner resin portion 208 shown in FIG. 42 is also cut. The gate resin portion 209 is located below the lead frame 200 in the area of the lead terminal portion. Gate resin part 209
When the semiconductor device 1 is left in a state of being largely projected, it becomes a great obstacle when the semiconductor device 1 is mounted on a circuit board or the like, and therefore must be precisely cut. Therefore, according to the conventional semiconductor manufacturing method, the dedicated gate cutting machine is used to cut the gate resin portion 209 from the lead frame 200.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のリード
フレーム200に対する封装樹脂5のアウトサート成形
法においては、種々の部位に材料樹脂211のバリが発
生する。材料樹脂211のバリは、図42に示すよう
に、材料樹脂供給部207の開口端部の周囲に発生する
装填部バリ212、材料樹脂供給部207から導かれる
ランナー部がリードフレーム200を横断する部位に発
生する横断部バリ213或いはリード端子部202の周
辺に発生する端子部バリ214等に大別される。
In the conventional outsert molding method of the encapsulating resin 5 for the lead frame 200 described above, burrs of the material resin 211 occur at various portions. As for the burr of the material resin 211, as shown in FIG. 42, a loading part burr 212 generated around the opening end of the material resin supply part 207 and a runner part guided from the material resin supply part 207 cross the lead frame 200. It is roughly classified into a transverse portion burr 213 generated in a portion or a terminal portion burr 214 generated around the lead terminal portion 202.

【0014】装填部バリ212は、材料樹脂供給部20
7を構成する上金型部材と下金型部材との型合せ面にお
いて材料樹脂211がはみ出して硬化することにより発
生する。この装填部バリ212は、インサート成形後の
エアー処理やブラッシング処理によって除去することが
可能である。
The loading portion burr 212 is used for the material resin supply portion 20.
It occurs when the material resin 211 protrudes and hardens at the mating surfaces of the upper mold member and the lower mold member that form No. 7. The charging portion burr 212 can be removed by air treatment or brushing treatment after insert molding.

【0015】装填部バリ212は、上述したように次の
切断工程においてリードフレーム200のリード部分が
切断除去されることから、半導体装置1への影響は無
い。しかしながら、この装填部バリ212は、半導体装
置1が自動機によって製造される場合に、次工程への搬
送等に際してリードフレーム200の引掛り、位置決め
不良等の原因となり好ましくない。また、この装填部バ
リ212は、不安定な状態で付着することから、搬送途
中で脱落し、可動機構部等の動作に支障を与えるといっ
た問題を生じさせる。
The loading portion burr 212 does not affect the semiconductor device 1 because the lead portion of the lead frame 200 is cut and removed in the next cutting step as described above. However, when the semiconductor device 1 is manufactured by an automatic machine, the loading portion burr 212 is not preferable because it may cause the lead frame 200 to be caught or misaligned during the transportation to the next process. Further, since the loading portion burr 212 adheres in an unstable state, the loading portion burr 212 may fall off during transportation, causing a problem that the operation of the movable mechanism portion or the like is hindered.

【0016】横断部バリ213は、リードフレーム20
0の外側に配置された材料樹脂供給部207からランナ
ー部を介して半導体封止用金型装置のキャビティに導か
れる材料樹脂211がリードフレーム200の側端部に
おいてはみ出して硬化することにより発生する。すなわ
ち、リードフレーム200は、そのパーホレーション2
04にガイドピンが相対係合されることによって、下金
型金型のリードフレーム装着部に位置決めされた状態で
装着される。
The transverse burr 213 is formed on the lead frame 20.
It occurs when the material resin 211 guided from the material resin supply portion 207 arranged outside 0 to the cavity of the semiconductor encapsulation mold device through the runner portion protrudes and hardens at the side end portion of the lead frame 200. . That is, the lead frame 200 has its perforation 2
The guide pin is relatively engaged with 04 so that the lower mold is mounted in the lead frame mounting portion of the lower mold in a positioned state.

【0017】リードフレーム200は、パーホレーショ
ン204の中心と側端部との間隔寸法及びパーホレーシ
ョン204の内径寸法とが所定の公差を以って規定され
ている。例えば、この公差は、それぞれ±0.05mm
とされている。また、リードフレーム200は、パーホ
レーション204に対してガイドピンがスムーズに相対
係合されるために、適当なクリアランスが設定されてい
る。例えば、クリアランスは、0.01mmに設定され
ている。
In the lead frame 200, the space between the center of the perforation 204 and the side end and the inner diameter of the perforation 204 are defined with a predetermined tolerance. For example, this tolerance is ± 0.05mm each
It has been. Further, in the lead frame 200, the guide pin is smoothly engaged with the perforation 204, so that an appropriate clearance is set. For example, the clearance is set to 0.01 mm.

【0018】リードフレーム200と下金型部材とは、
上述した条件とともに各部の加工誤差或いは組立誤差も
考慮して、パーホレーション204とガイドピンとが係
合可能とされて位置決めされるように構成される。ま
た、リードフレーム200と下金型部材とは、リードフ
レーム200の熱膨張による寸法変化を考慮して、パー
ホレーション204とガイドピンとが係合可能とされて
位置決めされるように構成される。
The lead frame 200 and the lower mold member are
In addition to the above-mentioned conditions, the perforation 204 and the guide pin are configured to be engageable with each other and positioned in consideration of a processing error or an assembly error of each part. Further, the lead frame 200 and the lower mold member are configured such that the perforation 204 and the guide pin are engageable with each other and positioned in consideration of the dimensional change due to thermal expansion of the lead frame 200.

【0019】このため、リードフレーム200と下金型
部材には、側端部とリードフレーム装着壁との間に間隙
221が構成されることになる。この間隙は、その寸法
が最大で0.12mmにも達する。
Therefore, a gap 221 is formed between the side end portion and the lead frame mounting wall in the lead frame 200 and the lower mold member. The size of this gap reaches up to 0.12 mm.

【0020】下金型部材は、上述したようにリードフレ
ーム200の装着部に対して外方に位置して材料樹脂供
給部107が配置された構成であることから、この材料
樹脂供給部207からランナー部がリードフレーム20
0を横切ってキャビティへと導かれている。したがっ
て、材料樹脂供給部207から押し出された材料樹脂2
11は、ランナー部において、間隙からはみ出して硬化
することにより横断部バリ213を発生させる。
As described above, the lower mold member has a construction in which the material resin supply portion 107 is arranged outside the mounting portion of the lead frame 200. The runner part is the lead frame 20.
It is led to the cavity across zero. Therefore, the material resin 2 extruded from the material resin supply unit 207
In the runner portion, No. 11 protrudes from the gap and hardens to generate a transverse portion burr 213.

【0021】この横断部バリ213は、上述した装填部
バリ212と同様に、次の切断工程においてリードフレ
ーム200のリード部分が切断除去されることから、半
導体装置1への影響は無い。しかしながら、この横断部
バリ213は、半導体装置1が自動機によって製造され
る場合に、次工程への搬送に際してリードフレーム20
0の引掛り、位置決め不良等の原因となり好ましくな
い。また、横断部バリ213は、リードフレーム200
に不安定な状態で付着することから、搬送途中で脱落
し、可動機構部等の動作に支障を与えるといった問題を
生じさせる。
The cross-section burr 213 has no influence on the semiconductor device 1 since the lead portion of the lead frame 200 is cut and removed in the next cutting step, like the above-described loading part burr 212. However, when the semiconductor device 1 is manufactured by an automatic machine, the cross-section burr 213 causes the lead frame 20 to be transported to the next step.
It is not preferable because it causes 0 hooking, positioning failure and the like. Further, the cross-section burr 213 is formed on the lead frame 200.
Since it adheres in an unstable state, it may fall off during transportation, causing a problem that the operation of the movable mechanism part is hindered.

【0022】端子部バリ214は、チップ実装部201
に実装された半導体チップ2を封装する封装樹脂5のキ
ャビティを構成する上金型部材と下金型部材との型合せ
面から、チップ実装部201の周囲に打抜き形成された
リード端子部に沿ってはみ出した材料樹脂211が硬化
することによって発生する。この端子部バリ214は、
各リード端子間に跨がった薄膜状を呈するバリであり、
リードフレーム200内に発生するため、上述した装填
部バリ212や横断部バリ213のように搬送時等に際
しての影響は少ない。
The terminal portion burr 214 is formed on the chip mounting portion 201.
Along the lead terminal portion punched out around the chip mounting portion 201 from the mating surface of the upper mold member and the lower mold member forming the cavity of the encapsulating resin 5 for encapsulating the semiconductor chip 2 mounted on It occurs when the protruding material resin 211 is cured. This terminal part burr 214 is
It is a thin film burr that straddles between the lead terminals.
Since it is generated in the lead frame 200, it is less affected during transportation such as the loading portion burr 212 and the traverse burr 213 described above.

【0023】すなわち、リードフレーム200は、上述
した金属薄板を材料として一般に精密プレスによって打
抜き形成される。このリードフレーム200には、プレ
ス加工の特性から剪断端面にダレ部とカエリ部とが発生
し、精密な均一面として構成することが困難である。ま
た、リードフレーム200は、いわゆるスプリングバッ
ク現象によって全体として湾曲した状態となる。
That is, the lead frame 200 is generally formed by punching with a precision press using the above-mentioned thin metal plate as a material. Due to the characteristics of the press work, the lead frame 200 has a sagging portion and a burring portion on the sheared end surface, which makes it difficult to form a precise uniform surface. In addition, the lead frame 200 is bent as a whole due to a so-called springback phenomenon.

【0024】したがって、従来の半導体封止用金型装置
においては、上述したダレ部とカエリ部とが発生するリ
ードフレーム200の両端部を上金型部材と下金型部材
とによって強く押し付けることにより端子部バリ214
の発生を防止するように構成されていた。この上金型部
材と下金型部材との型締め力は、ランナー部が横切るリ
ードフレーム200の一端部からゲート部に対応する部
位と、封装樹脂5が充填されるキャビティの外周部と、
封装樹脂5の位置決め部に対応する部位及びリードフレ
ーム200の他端部において、型締め力が大となるよう
に構成されていた。このように、従来の半導体封止用金
型装置においては、各部において型締め力を異にするこ
とから構造が複雑となるとともにその型締め力の調整が
極めて面倒であった。
Therefore, in the conventional semiconductor encapsulation mold device, both ends of the lead frame 200 in which the sagging portion and the burring portion are generated are strongly pressed by the upper die member and the lower die member. Terminal part burr 214
Was configured to prevent the occurrence of. The mold clamping force between the upper mold member and the lower mold member is determined by a portion corresponding to the gate portion from one end of the lead frame 200 across which the runner portion traverses, and an outer peripheral portion of the cavity filled with the encapsulating resin 5.
The mold clamping force was large at the portion corresponding to the positioning portion of the encapsulating resin 5 and the other end portion of the lead frame 200. As described above, in the conventional mold device for semiconductor encapsulation, since the mold clamping force is different in each part, the structure is complicated and the adjustment of the mold clamping force is extremely troublesome.

【0025】また、樹脂封止装置は、型締め状態でキャ
ビティの外周部に隙間が形成されないように、下金型部
材に設けた材料樹脂供給部207の開口部と上金型部材
の主面との間に、微小な間隔が保持される。リードフレ
ーム200は、その厚み寸法の公差を±0.01mmで
形成されている。したがって、この間隔は、0.01m
m〜0.02mmに設定されることになる。
Further, in the resin sealing device, the opening of the material resin supply portion 207 provided in the lower mold member and the main surface of the upper mold member are provided so that no gap is formed in the outer peripheral portion of the cavity in the mold clamped state. A minute gap is maintained between the and. The lead frame 200 is formed with a thickness tolerance of ± 0.01 mm. Therefore, this distance is 0.01m
It will be set to m to 0.02 mm.

【0026】このように半導体封止用金型装置は、材料
樹脂供給部207における型締め力が実質的に小ならし
められることによってキャビティにおける十分な型締め
力が確保され、このキャビティの外周部における端子部
バリ214の発生が抑制されることになる。換言すれ
ば、半導体封止用金型装置においては、端子部バリ21
4を抑制する構成を採用することによって、材料樹脂供
給部207の開口部に上述した装填部バリ212が必然
的に発生することになる。
As described above, in the semiconductor encapsulating mold device, the mold clamping force in the material resin supply portion 207 is substantially reduced to secure a sufficient mold clamping force in the cavity, and the outer peripheral portion of the cavity is secured. Therefore, the occurrence of the terminal portion burr 214 at the time is suppressed. In other words, in the semiconductor sealing mold device, the terminal portion burr 21
By adopting the configuration of suppressing No. 4, the above-mentioned loading portion burr 212 is inevitably generated in the opening of the material resin supply unit 207.

【0027】このように、従来のリードフレーム200
に対する封装樹脂5のアウトサート成形法においては、
このリードフレーム200及び半導体封止用金型装置の
構成上、種々の部位に材料樹脂211のバリ、すなわ
ち、装填部バリ212、横断部バリ213或いは端子部
バリ214等が必然的に発生し、これらのバリが搬送等
に際してリードフレーム200の引掛り現象や脱落によ
る可動部等への障害といった問題を生じさせていた。
Thus, the conventional lead frame 200
In the outsert molding method of the encapsulating resin 5 for
Due to the configuration of the lead frame 200 and the semiconductor encapsulation mold device, burrs of the material resin 211, that is, the loading portion burrs 212, the transverse burrs 213, the terminal burrs 214, and the like inevitably occur at various portions. These burrs have caused problems such as a catching phenomenon of the lead frame 200 during transportation or the like, and obstacles to a movable part or the like due to dropping.

【0028】また、従来のリードフレーム200に対す
る封装樹脂5のアウトサート成形法によれば、半導体封
止用金型装置がその各部を高精度に仕上げることによっ
て型締め力を部分的に調整するように構成されるため、
この半導体封止用金型装置の製造コストが極めて大とな
るといった問題点があった。さらに、半導体封止装置
は、半導体封止用金型装置に対して大きな型締め力を作
用させることから、大型かつ高価となるといった問題が
あった。
Further, according to the conventional outsert molding method for the encapsulating resin 5 with respect to the lead frame 200, the mold device for semiconductor encapsulation adjusts the mold clamping force partially by finishing each part with high accuracy. Is composed of
There is a problem that the manufacturing cost of this semiconductor encapsulation mold device becomes extremely high. Further, the semiconductor encapsulation device has a problem that it becomes large and expensive because a large mold clamping force is applied to the semiconductor encapsulation mold device.

【0029】さらにまた、従来のリードフレーム200
に対する封装樹脂5のアウトサート成形法においては、
リード端子部202の先端部を残してリードフレーム2
00の他の外周部分を切断除去するリード外形打抜き金
型と、ゲート樹脂部209を切断する専用のゲート切断
機とが必要とされ、設備全体が大型化するとともに工程
も多いといった問題点があった。しかも、ゲート樹脂部
209は、封装樹脂5の周面にゲート痕を突出させた状
態で切断されることから、このゲート痕がリード外形打
抜き金型を破損させるといった問題を生じさせる虞れも
あった。
Furthermore, the conventional lead frame 200
In the outsert molding method of the encapsulating resin 5 for
Lead frame 2 leaving the tip of the lead terminal portion 202
00, a lead outer shape punching die for cutting and removing the other outer peripheral portion and a dedicated gate cutting machine for cutting the gate resin portion 209 are required, and there is a problem that the entire equipment becomes large and there are many steps. It was In addition, since the gate resin portion 209 is cut in a state in which the gate mark is projected on the peripheral surface of the encapsulating resin 5, the gate mark may cause a problem of damaging the lead outer shape punching die. It was

【0030】さらにまた、従来のリードフレーム200
に対する封装樹脂5のアウトサート成形法においては、
リードフレーム200の外方に位置して材料樹脂供給部
207が設けられるとともにランナー部224を介して
材料樹脂211をキャビティ205A、206Aへと引
き込むことから、材料樹脂211の量も多く必要となり
かつキャビティ205A、206A内への充填時間も長
くなることから成形サイクルが長くなるといった問題点
があった。
Furthermore, the conventional lead frame 200
In the outsert molding method of the encapsulating resin 5 for
Since the material resin supply part 207 is provided outside the lead frame 200 and the material resin 211 is drawn into the cavities 205A and 206A through the runner part 224, a large amount of the material resin 211 is required and the cavity Since the filling time into 205A and 206A also becomes long, there is a problem that the molding cycle becomes long.

【0031】また、従来のリードフレーム200に対す
る封装樹脂5のアウトサート成形法においては、半導体
チップ2や半導体装置1自体の仕様に伴って外形形状等
が異にされることから、その都度半導体封止用金型装置
の交換、コンベア等の搬送手段の位置調整、或いはリー
ドフレーム200の供給機構の交換等の段取りに多くの
時間が必要とされ生産性が悪くなるといった問題があっ
た。さらに、半導体封止用金型装置は、高温であるとと
もに極めて重いため、交換等の取扱い作業が面倒である
ばかりでなく危険でもあるといった問題があった。
Further, in the conventional outsert molding method for the encapsulating resin 5 with respect to the lead frame 200, the outer shape and the like are changed according to the specifications of the semiconductor chip 2 and the semiconductor device 1 itself. There has been a problem that a lot of time is required for the setup such as the replacement of the stopping die device, the position adjustment of the conveyer such as the conveyor, or the replacement of the supply mechanism of the lead frame 200, which deteriorates the productivity. Further, since the semiconductor encapsulating mold device has a high temperature and is extremely heavy, there is a problem that not only the handling work such as replacement is troublesome but also dangerous.

【0032】したがって、本発明は、半導体チップを実
装したリードフレームに封装樹脂をアウトサート成形し
てリードフレーム組立体を成形する半導体封止用成形金
型装置において、材料樹脂のバリが各部に発生すること
を抑制して工程全体の合理化を図るとともに、小型化か
つコスト低減、材料樹脂の少量化を達成した半導体封止
用金型装置を提供することを目的に提案されたものであ
る。
Therefore, according to the present invention, in the molding die device for semiconductor encapsulation, in which the encapsulating resin is outsert-molded on the lead frame on which the semiconductor chip is mounted to form the lead frame assembly, the burrs of the material resin are generated in each part. The present invention has been proposed for the purpose of providing a semiconductor encapsulating mold device that suppresses the above-mentioned problems and rationalizes the entire process, and that achieves downsizing, cost reduction, and material resin miniaturization.

【0033】また、本発明は、合理化された工程と、小
型化、コストダウン或いは材料樹脂の少量化が図られた
半導体封止用金型装置を各工程に対応して巡回搬送させ
ることによって、効率良く半導体装置を生産するように
した半導体封止装置を提供することを目的に提案された
ものである。
Further, according to the present invention, a rationalized process and a semiconductor encapsulating mold apparatus, which is miniaturized, reduced in cost or reduced in material resin, is cyclically conveyed corresponding to each process. The present invention has been proposed for the purpose of providing a semiconductor encapsulation device capable of efficiently producing a semiconductor device.

【0034】さらに、本発明は、小型化、コストダウン
或いは材料樹脂の少量化が図られた樹脂封止装置を用い
て、合理化された工程によって半導体装置を生産性良く
製造するようにした半導体装置の封装樹脂成形方法を提
供することを目的に提案されたものである。
Further, according to the present invention, a semiconductor device is manufactured with high productivity by a streamlined process by using a resin sealing device in which the size is reduced, the cost is reduced or the amount of material resin is reduced. It has been proposed for the purpose of providing the encapsulating resin molding method of

【0035】[0035]

【課題を解決するための手段】この目的を達成した本発
明に係る半導体封止用金型装置は、半導体チップを実装
したリードフレームが装填されるとともにこのリードフ
レームに半導体チップを封装する封装樹脂がアウトサー
ト成形されてリードフレーム組立体を成形する封装樹脂
のキャビティを構成する第1のキャビティが形成された
第1の金型部材と、この第1の金型部材に対して接離自
在に対向配置されるとともに上記第1のキャビティと協
動して封装樹脂のキャビティを構成する第2のキャビテ
ィが形成された第2の金型部材とによって構成される。
半導体封止用金型装置は、熱硬化性合成樹脂からなる材
料樹脂が装填される材料樹脂装填部と、この材料樹脂装
填部に装填されて溶融状態とされた材料樹脂を上記キャ
ビティ内へと供給する押出手段とを備えた材料樹脂供給
機構と、半導体チップが封装樹脂によって封装されたリ
ードフレーム組立体をキャビティから突き出して離型す
るイジェクトピンを有するイジェクト機構とが第1の金
型部材内に設けられて構成される。半導体封止用金型装
置は、第1の金型部材と第2の金型部材に、型締め状態
を自己保持する型締保持機構が設けられて構成される。
A semiconductor encapsulating mold apparatus according to the present invention that achieves this object is a sealing resin for mounting a semiconductor chip-mounted lead frame and encapsulating the semiconductor chip in the lead frame. And a first mold member having a first cavity forming a cavity of an encapsulating resin that is outsert molded to mold the lead frame assembly, and is detachable from the first mold member. The second mold member is arranged to face each other and has a second cavity forming a cavity of the encapsulating resin in cooperation with the first cavity.
The semiconductor encapsulation mold device is configured such that a material resin loading section in which a material resin made of a thermosetting synthetic resin is loaded and a material resin loaded in the material resin loading section and in a molten state are introduced into the cavity. Inside the first mold member, there are a material resin supply mechanism including an extruding means for supplying, and an eject mechanism having an eject pin for ejecting a lead frame assembly in which a semiconductor chip is sealed by a sealing resin from a cavity and releasing the lead frame assembly. It is provided and configured. The semiconductor encapsulating mold device is configured by providing a mold clamping holding mechanism for self-maintaining a mold clamped state on the first mold member and the second mold member.

【0036】以上のように構成された本発明に係る半導
体封止用金型装置によれば、第1の金型部材と第2の金
型部材とが型開き状態において、材料樹脂装填部に材料
樹脂が装填されるとともにその内部で溶融状態とされ、
かつ第1の金型部材に半導体チップを実装したリードフ
レームが位置決めされた状態で装着される。半導体封止
用金型装置は、第1の金型部材と第2の金型部材とが型
締め動作されるとともに型締保持機構によってその型締
め状態が自己保持され、材料樹脂供給機構が動作されて
押出手段により材料樹脂装填部から溶融状態の材料樹脂
がキャビティ内へと押し出される。
According to the semiconductor encapsulating mold apparatus of the present invention having the above-described structure, the material resin loading section is provided in the material resin loading section when the first mold member and the second mold member are in the mold open state. Material resin is loaded and it is in a molten state inside,
Further, the lead frame having the semiconductor chip mounted thereon is mounted on the first mold member in a positioned state. In the semiconductor encapsulating mold device, the first mold member and the second mold member are clamped, and the mold clamping holding mechanism self-maintains the mold clamping state, and the material resin supply mechanism operates. Then, the material resin in a molten state is extruded from the material resin loading portion into the cavity by the extrusion means.

【0037】半導体封止用金型装置は、キャビティ内に
充填された材料樹脂が硬化するまで型締保持機構による
型締め状態が自己保持されるとともに、型締保持機構の
解除によって第1の金型部材と第2の金型部材とが型開
き動作されるとイジェクト機構が駆動されてイジェクト
ピンにより半導体チップを封装する封装樹脂をアウトサ
ート成形したリードフレーム組立体を第1の金型部材か
ら突き出す。
In the semiconductor encapsulation mold device, the mold clamping state by the mold clamping holding mechanism is self-maintained until the material resin filled in the cavity is cured, and the mold clamping holding mechanism is released to release the first metal mold. When the mold member and the second mold member are opened, the eject mechanism is driven to form the lead frame assembly outsert-molded with the encapsulating resin for encapsulating the semiconductor chip by the eject pin from the first mold member. Stick out.

【0038】半導体封止用金型装置は、材料樹脂が装填
される材料樹脂供給部に対応してカル部が内部に設けら
れたリードフレームに、半導体チップを封装する封装樹
脂をアウトサート成形してリードフレーム組立体を製造
することから、材料樹脂供給部とキャビティ間を連結す
るランナー部にリードフレームの横断部位を構成せずか
つその短縮化を図る。したがって、半導体封止用金型装
置は、ランナー部のリードフレーム横断部に発生するバ
リを生じさずその処理のための後工程を不要とさせかつ
外周部の切断とゲート切断とを同一工程によって行うこ
とを可能として工程の合理化を達成し、さらに不要な材
料樹脂を削減する。
The semiconductor encapsulating mold device outserts a sealing resin for sealing a semiconductor chip on a lead frame having a cull portion corresponding to a material resin supply portion in which a material resin is loaded. Since the lead frame assembly is manufactured in accordance with the present invention, the cross section of the lead frame is not formed in the runner portion connecting the material resin supply portion and the cavity, and the lead frame assembly is shortened. Therefore, the semiconductor encapsulating mold device does not generate burrs that occur in the lead frame crossing portion of the runner portion, does not require a post-process for the treatment, and cuts the outer peripheral portion and the gate by the same process. It is possible to carry out the process, rationalize the process, and reduce unnecessary material resin.

【0039】半導体封止用金型装置は、半導体チップを
実装した1個のリードフレームが供給されることによっ
て、半導体チップを封装する封装樹脂がアウトサート成
形された1個のリードフレーム組立体を成形する。した
がって、半導体封止用金型装置は、小型化されて取り扱
いが極めて簡便となり、また型締保持機構による型締め
状態の自己保持を利用した搬送が可能となることから、
搬送機構によって複数個を巡回搬送させてリードフレー
ム組立体の連続製造が実現される。
The semiconductor encapsulation mold device is supplied with one lead frame on which a semiconductor chip is mounted, so that the encapsulating resin for encapsulating the semiconductor chip is outsert-molded to form a lead frame assembly. Mold. Therefore, the mold device for semiconductor encapsulation is downsized and the handling is extremely simple, and since it is possible to carry out the transfer using the self-holding of the mold clamping state by the mold clamping holding mechanism,
The lead frame assembly is continuously manufactured by cyclically carrying a plurality of pieces by the carrying mechanism.

【0040】また、本発明に係る半導体封止用金型装置
を用いた半導体封止装置は、半導体チップを実装したリ
ードフレームが装填されるとともにこのリードフレーム
に半導体チップを封装する封装樹脂がアウトサート成形
されてリードフレーム組立体を成形する上記封装樹脂の
キャビティを構成する第1のキャビティが形成された第
1の金型部材と、この第1の金型部材に対して接離自在
に対向配置されるとともに第1のキャビティと協動して
封装樹脂のキャビティを構成する第2のキャビティが形
成された第2の金型部材とからなり、第1の金型部材内
には熱硬化性合成樹脂からなる材料樹脂が装填される材
料樹脂装填部及びこの材料樹脂装填部に装填されて溶融
状態とされた材料樹脂を上記キャビティ内へと供給する
押出手段とを備えた材料樹脂供給機構と、半導体チップ
が封装樹脂によって封装されたリードフレーム組立体を
キャビティから突き出して離型するイジェクトピンを有
するイジェクト機構とが備えられかつ上記第1の金型部
材と第2の金型部材とに型締め状態を自己保持する型締
保持機構が設けられた半導体封止用金型装置が用いられ
る。半導体封止装置は、半導体封止用金型装置を封装樹
脂のアウトサート成形工程毎に間欠的に巡回搬送する搬
送機構と、半導体封止用金型装置の材料樹脂供給機構の
押出手段を駆動してキャビティ内へ材料樹脂を充填させ
る材料樹脂供給駆動機構と、リードフレーム組立体に対
して封装樹脂のアウトサート成形が行われて第1の金型
部材と第2の金型部材とが型開き動作した状態で、イジ
ェクト機構を駆動してリードフレーム組立体を第1の金
型部材からイジェクトさせるイジェクト駆動機構とを備
えて構成される。
Further, in the semiconductor encapsulating apparatus using the semiconductor encapsulating mold apparatus according to the present invention, the lead frame on which the semiconductor chip is mounted is loaded and the encapsulating resin for encapsulating the semiconductor chip in the lead frame is out. A first mold member having a first cavity forming a cavity of the encapsulating resin for forming a lead frame assembly, which is formed by a salt molding, and faces the first mold member so as to be able to come into contact with and separate from the first mold member. A second mold member formed with a second cavity that is arranged and cooperates with the first cavity to form a cavity for the encapsulating resin, wherein the first mold member has a thermosetting property. A material resin loading section for loading a material resin made of synthetic resin, and an extrusion means for feeding the material resin loaded in the material resin loading section and in a molten state into the cavity. A material resin supply mechanism and an eject mechanism having an eject pin for ejecting a lead frame assembly in which a semiconductor chip is sealed with a sealing resin from a cavity and releasing the lead frame assembly are provided, and the first mold member and the second mold are provided. A semiconductor encapsulating mold device is used in which a mold clamping holding mechanism that self-holds a mold clamping state is provided on a mold member. The semiconductor encapsulation device drives a conveying mechanism that intermittently cyclically conveys the semiconductor encapsulation mold device in each encapsulation resin outsert molding process, and an extrusion unit of a material resin supply mechanism of the semiconductor encapsulation mold device. Then, the material resin supply drive mechanism for filling the material resin into the cavity and the outsert molding of the encapsulating resin are performed on the lead frame assembly to form the first mold member and the second mold member. And an eject drive mechanism for driving the eject mechanism to eject the lead frame assembly from the first mold member in the opened state.

【0041】また、半導体封止装置は、上下方向に離間
して互いに対向配設された第1の搬送ガイドフレームと
第2の搬送ガイドフレームとを備え、これら第1の搬送
ガイドフレームと第2の搬送ガイドフレームとの間に構
成される第1の搬送空間部が第1の金型部材と第2の金
型部材とが型締め状態で搬送機構によって搬送される型
締め搬送空間部を構成し、第1の搬送ガイドフレームの
下方部に構成される第2の搬送空間部が型開き状態の第
1の金型部材を上記搬送機構によって搬送する第1の型
開き搬送空間部を構成し、第2の搬送ガイドフレームの
上方部に構成される第3の搬送空間部が型開き状態の上
記第2の金型部材を上記搬送機構によって搬送する他方
の型開き搬送空間部を構成する。第1の搬送ガイドフレ
ームと第2の搬送ガイドフレームには、第1の金型部材
と第2の金型部材とを加熱する加熱手段が備えられる。
Further, the semiconductor encapsulation device is provided with a first transfer guide frame and a second transfer guide frame which are vertically spaced apart from each other and are opposed to each other. The first transfer guide frame and the second transfer guide frame are provided. The first transfer space portion configured between the transfer guide frame and the second transfer guide frame constitutes a mold clamping transfer space portion in which the transfer mechanism transfers the first mold member and the second mold member in the mold clamp state. Then, the second transfer space portion formed below the first transfer guide frame constitutes a first mold opening transfer space portion for transferring the first mold member in the mold open state by the transfer mechanism. , The third transfer space part formed above the second transfer guide frame constitutes the other mold opening transfer space part for transferring the second mold member in the mold open state by the transfer mechanism. The first transfer guide frame and the second transfer guide frame are provided with heating means for heating the first mold member and the second mold member.

【0042】以上のように構成された本発明に係る半導
体封止用金型装置を用いた半導体封止装置によれば、半
導体封止用金型装置の材料樹脂供給機構及びイジェクト
機構とを駆動する材料樹脂供給駆動機構及びイジェクト
駆動機構を備えることにより、上記半導体封止用金型装
置の小型化を達成し、その交換等の取り扱いを簡便かつ
安全に行うことを可能とする。
According to the semiconductor encapsulating apparatus using the semiconductor encapsulating mold apparatus according to the present invention configured as described above, the material resin supply mechanism and the eject mechanism of the semiconductor encapsulating mold apparatus are driven. By including the material resin supply drive mechanism and the eject drive mechanism, it is possible to reduce the size of the semiconductor encapsulation mold device, and to easily and safely handle the replacement and the like.

【0043】半導体封止装置は、型締保持機構によって
型締め状態が自己保持される半導体封止用金型装置を各
工程毎に間欠的に巡回搬送することから、リードフレー
ム組立体の連続生産を行い、生産性の向上を達成する。
また、半導体封止装置は、半導体封止用金型装置を搬送
する過程で、第1の搬送ガイドフレームと第2の搬送ガ
イドフレームに設けた加熱手段によって第1の金型部材
と第2の金型部材とを加熱保持することから、加熱工程
が不要とされ、リードフレーム組立体の製造時間を短縮
する。
The semiconductor encapsulation apparatus intermittently cyclically conveys the semiconductor encapsulation mold apparatus in which the mold clamping state is held by the mold clamping holding mechanism, so that continuous production of lead frame assemblies is performed. And improve productivity.
Further, the semiconductor encapsulation apparatus uses the heating means provided on the first transfer guide frame and the second transfer guide frame to transfer the first mold member and the second mold member in the process of transferring the semiconductor encapsulating mold apparatus. By heating and holding the die member, the heating process is not required, and the manufacturing time of the lead frame assembly is shortened.

【0044】さらに、本発明に係る半導体封止用金型装
置を用いた半導体装置の封装樹脂成形方法は、半導体チ
ップを実装したリードフレームが装填されるとともにこ
のリードフレームに半導体チップを封装する封装樹脂が
アウトサート成形されてリードフレーム組立体を成形す
る上記封装樹脂のキャビティを構成する第1のキャビテ
ィが形成された第1の金型部材と、この第1の金型部材
に対して接離自在に対向配置されるとともに上記第1の
キャビティと協動して封装樹脂のキャビティを構成する
第2のキャビティが形成された第2の金型部材とからな
り、第1の金型部材内には熱硬化性合成樹脂からなる材
料樹脂が装填される材料樹脂装填部及びこの材料樹脂装
填部に装填されて溶融状態とされた材料樹脂をキャビテ
ィ内へと供給する押出手段とを備えた材料樹脂供給機構
と、半導体チップが封装樹脂によって封装されたリード
フレーム組立体をキャビティから突き出して離型するイ
ジェクトピンを有するイジェクト機構とが備えられかつ
第1の金型部材と第2の金型部材とに型締め状態を自己
保持する型締保持機構が設けられた半導体封止用金型装
置が用いられる。半導体装置の封装樹脂成形方法は、少
なくとも、半導体封止用金型装置が型開きされた状態に
おいて第1の金型部材の上記材料樹脂装填部に材料樹脂
を装填する樹脂装填工程と、半導体封止用金型装置が型
開きされた状態において半導体チップを実装したリード
フレームを第1の金型部材に装着するリードフレーム装
着工程と、半導体封止用金型装置を型締めしかつ型締保
持機構によってその型締め状態を保持するとともに、材
料樹脂供給機構によってキャビティ内に材料樹脂を充填
する樹脂充填工程と、締保持機構による半導体封止用金
型装置の型締め状態を保持する型締め保持工程と、半導
体封止用金型装置を型開きしてリードフレームに対して
封装樹脂のアウトサート成形が行われたリードフレーム
組立体を第1の金型部材から突き出すイジェクト工程と
からなる。
Further, in the resin molding method for semiconductor device encapsulation using the semiconductor encapsulation mold apparatus according to the present invention, a lead frame on which a semiconductor chip is mounted is loaded and a semiconductor chip is encapsulated in the lead frame. A first mold member having a first cavity forming a cavity of the encapsulating resin for molding the lead frame assembly by outsert molding the resin, and contacting with and separating from the first mold member. And a second mold member that is freely opposed to each other and cooperates with the first cavity to form a second cavity that forms a cavity for the encapsulating resin. The second mold member is formed in the first mold member. Is a material resin loading section in which a material resin made of a thermosetting synthetic resin is loaded, and the material resin loaded in the material resin loading section and in a molten state is supplied into the cavity. A first resin mold member including a material resin supply mechanism including an ejecting means, and an eject mechanism including an eject pin for ejecting a lead frame assembly in which a semiconductor chip is encapsulated by encapsulating resin from a cavity and releasing the lead frame assembly. And the second mold member is provided with a mold-sealing mold mechanism for self-holding the mold-molded state. A semiconductor device encapsulation resin molding method includes at least a resin loading step of loading a material resin into the material resin loading portion of the first mold member in a state where the semiconductor sealing mold device is opened, and a semiconductor sealing process. A lead frame mounting step of mounting a lead frame on which a semiconductor chip is mounted on a first mold member in a state where the mold stopping device is opened, and a semiconductor sealing mold device is clamped and clamped and held. A mold filling process that holds the mold clamped state by a mechanism, a resin filling process that fills the cavity with the material resin by the material resin supply mechanism, and a mold clamp holding that keeps the mold clamped state of the semiconductor sealing mold device by the clamp holding mechanism. Steps and opening of the mold device for semiconductor encapsulation, and the lead frame assembly in which the encapsulating resin is outsert-molded onto the lead frame is ejected from the first mold member. Consisting of the eject process.

【0045】上記半導体封止用金型装置は、上記各工程
毎に巡回駆動してリードフレームに対する封装樹脂のア
ウトサート成形を行うことから半導体装置を連続して効
率良く製造する。
The semiconductor encapsulating mold device is cyclically driven in each of the above steps to perform outsert molding of the encapsulating resin on the lead frame, so that the semiconductor device is continuously and efficiently manufactured.

【0046】本発明に係る半導体封止用金型装置を用い
た半導体装置の封装樹脂成形方法においては、半導体封
止用金型装置に1個のリードフレームが装着され、この
リードフレームに対して上記各工程を介して半導体チッ
プを封装する封装樹脂のアウトサート成形が行われて1
個のリードフレーム組立体が製造される。
In the encapsulating resin molding method for a semiconductor device using the semiconductor encapsulating mold apparatus according to the present invention, one lead frame is mounted on the semiconductor encapsulating mold apparatus, and the lead frame is attached to the lead frame. Outsert molding of encapsulating resin for encapsulating a semiconductor chip is performed through the above steps.
Individual leadframe assemblies are manufactured.

【0047】また、本発明に係る半導体封止用金型装置
を用いた半導体装置の封装樹脂成形方法においては、上
下方向に離間して互いに対向配設された第1の搬送ガイ
ドフレームと第2の搬送ガイドフレームとによって、型
締め状態の上記第1の金型部材と第2の金型部材とが搬
送される中央部の型締め搬送空間部と、型開き状態の第
1の金型部材が搬送される上方部の第1の型開き搬送空
間部及び第2の金型部材が搬送される下方部の第2の搬
送空間部とを構成し、型締め搬送空間部の搬送工程中に
リードフレームに対して半導体チップを封装する封装樹
脂のアウトサート成形を行い、型開きされた第1の金型
部材と第2の金型部材とを、第1の型開き搬送空間部と
第2の型開き搬送空間部を経由して型締め搬送空間部の
初期位置へと巡回搬送することによって、連続成形を行
う。
Further, in the encapsulating resin molding method for a semiconductor device using the semiconductor encapsulating mold device according to the present invention, the first conveying guide frame and the second conveying guide frame which are vertically spaced apart from each other are disposed to face each other. Of the first mold member and the second mold member in the mold clamped state by the carrier guide frame, and the first mold member in the mold open state. And a second transfer space part in the lower part where the second mold member is transferred, and a first mold opening transfer space part in the upper part where Outsert molding of encapsulating resin for encapsulating the semiconductor chip is performed on the lead frame, and the first mold member and the second mold member, which have been mold opened, are connected to the first mold opening transfer space portion and the second mold member. Patrol to the initial position of the mold clamping transfer space via the mold opening transfer space By sending, for continuous molding.

【0048】半導体封止用金型装置を用いた半導体装置
の封装樹脂成形方法においては、半導体封止用金型装置
を各工程にしたがって搬送機構によって搬送する過程
で、第1の搬送ガイドフレームと第2の搬送ガイドフレ
ームに設けた加熱手段によって第1の金型部材と第2の
金型部材とを加熱保持することから、加熱工程が不要と
され、製造時間を短縮してリードフレーム組立体を製造
する。
In the encapsulating resin molding method for a semiconductor device using the semiconductor encapsulating mold device, in the process of conveying the semiconductor encapsulating mold device by the conveying mechanism according to each process, the first conveying guide frame and Since the first mold member and the second mold member are heated and held by the heating means provided in the second transport guide frame, the heating step is unnecessary, the manufacturing time is shortened, and the lead frame assembly is manufactured. To manufacture.

【0049】[0049]

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について図面を参照して詳細に説明する。半導体装置
1は、ニッケルと鉄との合金からなる導電性の金属薄板
を素材として形成されたリードフレーム10を用いて図
4に示した各製造工程を経て製造される。すなわち、第
1のリードフレーム製造工程においては、金属薄板に精
密プレス加工を施こすことにより詳細を後述するリード
フレーム10が形成される。勿論、リードフレーム10
は、精密プレス加工による他、エッチング加工等によっ
ても形成される。第2の半導体チップ実装工程において
は、第1の工程によって形成されたリードフレーム10
に対して、所定の回路等が集積形成された半導体チップ
2が実装される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. The semiconductor device 1 is manufactured through the respective manufacturing steps shown in FIG. 4 using the lead frame 10 formed of a conductive thin metal plate made of an alloy of nickel and iron as a raw material. That is, in the first lead frame manufacturing process, the lead frame 10, which will be described in detail later, is formed by subjecting a thin metal plate to precision press working. Of course, the lead frame 10
Is formed by not only precision press working but also etching working and the like. In the second semiconductor chip mounting process, the lead frame 10 formed in the first process
On the other hand, the semiconductor chip 2 on which a predetermined circuit or the like is integrated is formed.

【0050】第3のワイヤボンディング工程において
は、自動配線装置等によって、リードフレーム10に形
成された多数個のリード端子片3と実装された半導体チ
ップ2の接続端子とがそれぞれワイヤを介して電気的に
接続される。第4の樹脂モールド工程においては、複数
個の半導体封止金型装置20を巡回搬送する半導体封止
装置9が用いられる。
In the third wire bonding step, a large number of lead terminal pieces 3 formed on the lead frame 10 and the connection terminals of the mounted semiconductor chip 2 are electrically connected via wires by an automatic wiring device or the like. Connected. In the fourth resin molding step, the semiconductor encapsulation device 9 that cyclically conveys a plurality of semiconductor encapsulation mold devices 20 is used.

【0051】リードフレーム10は、半導体封止装置9
を巡回搬送される半導体封止金型装置20にそれぞれ供
給され、この半導体封止金型装置20によって半導体チ
ップ2の外周部を封装する封装樹脂5がアウトサート成
形されて図3に示すリードフレーム組立体7が形成され
る。リードフレーム組立体7は、第5のリードフレーム
切断工程において、レーザカッタ等の切断装置によって
外周部分が切断除去されることにより、図1に示した半
導体装置1を製造する。
The lead frame 10 is the semiconductor encapsulation device 9
3 are respectively supplied to the semiconductor encapsulating mold device 20 that is cyclically conveyed, and the encapsulating resin 5 that encloses the outer peripheral portion of the semiconductor chip 2 is outsert-molded by the semiconductor encapsulating mold device 20 and the lead frame shown in FIG. The assembly 7 is formed. The lead frame assembly 7 manufactures the semiconductor device 1 shown in FIG. 1 by cutting and removing the outer peripheral portion by a cutting device such as a laser cutter in the fifth lead frame cutting step.

【0052】以上の製造工程を経て製造された半導体装
置1は、図1に示すように、全体がエポキシ樹脂、ポリ
フェニレンサルファイド(PPS)樹脂等の熱硬化性合
成樹脂を材料とした封装樹脂5によって封装されるとと
もに、この封装樹脂5の外周部にリード端子片3の一端
部によって構成される多数個の接続端子片4が突出露呈
されている。なお、半導体装置1には、封装樹脂5の表
面に回路基板等に対して実装する際の位置決め指標6や
図示しない仕様表示等が設けられている。封装樹脂5
は、後述するように半導体封止金型装置20によって材
料樹脂8がリードフレーム10にアウトサート成形され
ることにより構成される。
As shown in FIG. 1, the semiconductor device 1 manufactured through the above manufacturing steps is entirely made of a sealing resin 5 made of a thermosetting synthetic resin such as an epoxy resin or a polyphenylene sulfide (PPS) resin. Along with being sealed, a large number of connecting terminal pieces 4 formed by one end of the lead terminal piece 3 are exposed and exposed on the outer peripheral portion of the sealing resin 5. The semiconductor device 1 is provided with a positioning index 6 for mounting on a circuit board or the like on the surface of the encapsulating resin 5, a specification display not shown, and the like. Encapsulation resin 5
Is formed by outsert molding the material resin 8 on the lead frame 10 by the semiconductor encapsulation mold device 20, as described later.

【0053】第1のリードフレーム製造工程によって形
成されるリードフレーム10は、図2に示すように全体
が略正方形を呈しており、後述するように半導体封止金
型装置20に各1枚が供給されることによって1個のリ
ードフレーム組立体7を形成する。このリードフレーム
10は、略中央部に半導体チップ2の外形寸法よりもや
や大とされた開口寸法を有するチップ実装開口部11が
開設されるとともに、その四方の領域にそれぞれ多数個
のリード端子片3が放射状に打ち抜き形成されている。
これらリード端子片3は、互いに微小な間隔が保持され
ており、それぞれその一端部がチップ実装開口部11に
臨まされるとともに他端部が外方へと延長されている。
The lead frame 10 formed by the first lead frame manufacturing process has a substantially square shape as a whole as shown in FIG. The lead frame assembly 7 is formed by being supplied. In this lead frame 10, a chip mounting opening 11 having an opening size slightly larger than the outer size of the semiconductor chip 2 is formed in a substantially central portion, and a large number of lead terminal pieces are respectively provided in the four areas. 3 are formed by stamping in a radial pattern.
These lead terminal pieces 3 are held at a minute distance from each other, and one end of each lead terminal piece 3 faces the chip mounting opening 11 and the other end thereof extends outward.

【0054】また、これらリード端子片3は、チップ実
装開口部11に臨む一端部が半導体チップ2との接続部
を構成するとともに、他端部が半導体装置1を実装する
回路基板等との接続端子部4を構成する。これらリード
端子片3は、他端部がブリッジ部12を介して一体に連
結されており、第5のリードフレーム切断工程において
ブリッジ部12から外周部分が切断除去される際に、互
いに分離されて接続端子部4を形成する。
Further, one end of these lead terminal pieces 3 facing the chip mounting opening 11 constitutes a connecting portion with the semiconductor chip 2, and the other end thereof is connected with a circuit board or the like on which the semiconductor device 1 is mounted. The terminal portion 4 is configured. The other end portions of these lead terminal pieces 3 are integrally connected via the bridge portion 12, and are separated from each other when the outer peripheral portion is cut and removed from the bridge portion 12 in the fifth lead frame cutting step. The connection terminal portion 4 is formed.

【0055】リードフレーム10は、図2において鎖線
で示すように、接続端子部4の先端部を残した内周領域
が、後述するように半導体封止金型装置20によって材
料樹脂8が充填されて封装樹脂5をアウトサート成形す
るための樹脂充填領域部13を構成している。また、リ
ードフレーム10には、各リード端子片3を精密に打ち
抜き形成するために、図2に示すように、ブリッジ部1
2の外方に位置して各リード端子片3にそれぞれ対応す
る多数の矩形開口からなる端子形成ガイド部14が打抜
き形成されている。
As shown by the chain line in FIG. 2, the lead frame 10 is filled with the material resin 8 in the inner peripheral region where the tip of the connecting terminal portion 4 is left by the semiconductor encapsulating mold device 20 as described later. To form the resin filling region 13 for outsert molding the encapsulating resin 5. Further, in order to precisely punch and form each lead terminal piece 3 on the lead frame 10, as shown in FIG.
A terminal forming guide portion 14 is formed by punching and is located on the outer side of 2 and has a large number of rectangular openings corresponding to the respective lead terminal pieces 3.

【0056】さらに、リードフレーム10には、外周の
一方コーナ部に位置決め用の切欠き15が形成されると
ともに、この切欠き15を挟む2辺の最外周領域に位置
して位置決め穴16A乃至16Cがそれぞれ開設されて
いる。これら位置決め用切欠き15及び位置決め穴16
A乃至16Cは、このリードフレーム10を後述する半
導体封止金型装置20に装着する際の位置決め作用をな
す。第1の位置決め穴16Aは、丸穴として構成されて
いる。また、第2の位置決め穴16Bは、装着する際の
調整作用を奏するように楕円形の長穴として構成されて
いる。第3の位置決め穴16Cは、他方の辺側に端子形
成ガイド部14と平行な矩形開口部の一端部に連設され
た長穴によって構成されている。これら位置決め穴16
A乃至16Cは、上述した半導体封止金型装置20内に
装着する際の位置決め作用ばかりでなく、リードフレー
ム10を工程間で搬送する際に搬送機構のガイドピン等
が相対係合する搬送ガイドとしても作用する。
Further, the lead frame 10 is formed with a notch 15 for positioning at one corner of the outer periphery, and the positioning holes 16A to 16C are located at the outermost peripheral regions of the two sides sandwiching the notch 15. Have been opened respectively. These positioning notches 15 and positioning holes 16
A to 16C have a positioning action when the lead frame 10 is mounted on a semiconductor-sealed mold device 20 described later. The first positioning hole 16A is configured as a round hole. Further, the second positioning hole 16B is configured as an elliptical elongated hole so as to have an adjusting action at the time of mounting. The third positioning hole 16C is formed by a long hole continuously provided at one end of a rectangular opening parallel to the terminal forming guide portion 14 on the other side. These positioning holes 16
A to 16C not only have a positioning function when mounted in the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 described above, but also a conveyance guide with which a guide pin or the like of a conveyance mechanism relatively engages when the lead frame 10 is conveyed between steps. Also works.

【0057】リードフレーム10には、位置決め用切欠
き15の内側に位置してカル部17が開設されている。
カル部17は、後述するようにリードフレーム10が半
導体封止金型装置20に装着された際に、この半導体封
止金型装置20側に設けられた材料樹脂装填部28に対
応位置する環状の開口部として構成されている。カル部
17には、その一部にチップ実装開口部11へと連通す
る通路であるランナー部18が開設されている。ランナ
ー部18は、チップ実装開口部11に向かって次第にそ
の先端部が細く絞られることによって、ゲート部19が
構成される。
The lead frame 10 has a cull portion 17 located inside the positioning notch 15.
The cull part 17 has an annular shape corresponding to the material resin loading part 28 provided on the semiconductor encapsulation mold device 20 side when the lead frame 10 is mounted on the semiconductor encapsulation mold device 20, as described later. Is configured as an opening. The cull portion 17 is provided with a runner portion 18 which is a passage communicating with the chip mounting opening 11 in a part thereof. The runner portion 18 is configured such that the tip portion thereof is gradually narrowed toward the chip mounting opening portion 11 so that the gate portion 19 is formed.

【0058】以上のように構成されたリードフレーム1
0には、第2の半導体チップ実装工程において、チップ
実装開口部11に半導体チップ2が実装位置される。リ
ードフレーム10は、第3のワイヤボンディング工程に
おいて、その各リード端子片3と半導体チップ2の各端
子との間がワイヤ等によって電気的接続が行われる。し
かる後、リードフレーム10は、第4の封装樹脂アウト
サート成形工程を行うために半導体封止金型装置20へ
と供給される。
The lead frame 1 configured as described above
0, the semiconductor chip 2 is mounted in the chip mounting opening 11 in the second semiconductor chip mounting step. In the lead frame 10, in the third wire bonding step, each lead terminal piece 3 and each terminal of the semiconductor chip 2 are electrically connected by a wire or the like. After that, the lead frame 10 is supplied to the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 for performing the fourth encapsulating resin outsert molding step.

【0059】半導体封止金型装置20は、図5に示すよ
うに、下金型部材21と上金型部材22とから構成され
る。これら下金型部材21と上金型部材22とは、互い
に接離自在とされるとともに、突き合わされた状態にお
いて相対する主面に封装樹脂5が充填されるキャビティ
23を構成する。半導体封止金型装置20は、詳細を後
述する半導体封止装置9によって巡回搬送されてリード
フレーム組立体7を1個ずつ連続して製造する。
As shown in FIG. 5, the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 is composed of a lower mold member 21 and an upper mold member 22. The lower mold member 21 and the upper mold member 22 can be brought into contact with and separated from each other, and constitute a cavity 23 in which main surfaces facing each other in a butted state are filled with the encapsulating resin 5. The semiconductor encapsulation mold apparatus 20 is cyclically conveyed by the semiconductor encapsulation apparatus 9 to be described later in detail to continuously manufacture the lead frame assemblies 7.

【0060】下金型部材21は、図6に示すように、上
金型部材22との対向主面24が精密な平滑面とされ、
この主面24にリードフレーム10の外径寸法とほぼ等
しい外形を有するリードフレーム受け部25が一体に突
設されている。このリードフレーム受け部25には、封
装樹脂5が充填されるキャビティ23の下側部分を構成
するキャビティ凹部26が凹設されている。また。リー
ドフレーム受け部25には、リードフレーム10の位置
決め穴16にそれぞれ対応してキャビティ凹部26の外
周部に位置決めピン27が突設されている。
As shown in FIG. 6, the lower die member 21 has a precision smooth surface on the main surface 24 facing the upper die member 22.
On the main surface 24, a lead frame receiving portion 25 having an outer shape that is substantially equal to the outer diameter of the lead frame 10 is integrally projected. The lead frame receiving portion 25 is provided with a cavity concave portion 26 that constitutes a lower portion of the cavity 23 filled with the encapsulating resin 5. Also. In the lead frame receiving portion 25, positioning pins 27 are provided so as to protrude from the outer peripheral portion of the cavity recess 26 in correspondence with the positioning holes 16 of the lead frame 10.

【0061】また、下金型部材21には、リードフレー
ム10のカル部17に対応して材料樹脂装填部28(ポ
ット)が設けられている。この材料樹脂装填部28は、
図7に示すように、全体が下金型部材21を貫通しかつ
上側部分28Aがやや太径とされるとともに中央部の細
径部28Bを介して下側部分28Cが再び太径とされた
段付きの円穴として構成されている。
The lower mold member 21 is provided with a material resin loading portion 28 (pot) corresponding to the cull portion 17 of the lead frame 10. This material resin loading section 28 is
As shown in FIG. 7, the whole penetrates the lower mold member 21, the upper portion 28A has a slightly larger diameter, and the lower portion 28C has a larger diameter again through the small-diameter portion 28B in the central portion. It is configured as a stepped circular hole.

【0062】また、材料樹脂装填部28には、内部に材
料樹脂押出部材30からなる材料樹脂供給機構29が配
設されている。材料樹脂押出部材30は、図7に示すよ
うに、通常シリンダ部30Aが上側太径部28Aの最下
部に位置することにより、材料樹脂装填部28に材料樹
脂8の充填空間を構成している。材料樹脂装填部28に
は、その上側太径部28Aにタブレット状の材料樹脂8
が装填される。
A material resin supply mechanism 29 including a material resin extruding member 30 is provided inside the material resin loading section 28. As shown in FIG. 7, the material resin extruding member 30 forms a filling space of the material resin 8 in the material resin loading portion 28 by the normal cylinder portion 30A being located at the lowermost part of the upper large diameter portion 28A. . The material resin loading portion 28 has a tablet-shaped material resin 8 on the upper large diameter portion 28A.
Is loaded.

【0063】材料樹脂8は、後述するこの半導体封止金
型装置20が備えられる半導体封止装置9の加熱機構8
0、87、90によって下金型部材21と上金型部材2
2とがそれぞれ加熱されることにより、材料樹脂装填部
28の内部で溶融される。材料樹脂8は、この溶融状態
で、材料樹脂充填工程に際して、半導体封止装置9の樹
脂供給駆動機構81によって材料樹脂押出部材30が図
8に示すように押し上げ動作されることにより、材料樹
脂装填部28からキャビティ23内へと押し出される。
The material resin 8 is the heating mechanism 8 of the semiconductor encapsulation device 9 provided with this semiconductor encapsulation mold device 20 described later.
Lower mold member 21 and upper mold member 2 by 0, 87, 90
By heating 2 and 2 respectively, they are melted inside the material resin loading portion 28. In the material resin filling step, the material resin 8 is pushed up by the resin supply driving mechanism 81 of the semiconductor encapsulation device 9 as shown in FIG. It is extruded from the portion 28 into the cavity 23.

【0064】下金型部材21には、図6に示すように、
キャビティ凹部26に位置して、一対のイジェクト穴3
1が設けられている。これらイジェクト穴31は、図7
に示すように、全体が下金型部材21を貫通しており、
中央部と下方部とにそれぞれ太径部31A、31Bが形
成されている。イジェクト穴31には、その内部にイジ
ェクト機構32が配設されている。イジェクト機構32
は、イジェクトピン33と、イジェクトスプリング34
とから構成されている。
As shown in FIG. 6, the lower die member 21 has
Located in the cavity recess 26, the pair of eject holes 3
1 is provided. These eject holes 31 are shown in FIG.
As shown in, the whole penetrates the lower mold member 21,
Large diameter portions 31A and 31B are formed in the central portion and the lower portion, respectively. An eject mechanism 32 is provided inside the eject hole 31. Eject mechanism 32
Is the eject pin 33 and the eject spring 34.
It is composed of

【0065】イジェクトピン33は、一端部がイジェク
ト穴31の細径部とほぼ等しい外径を有するとともに他
端部に中央太径部31Aとほぼ同形のフランジ部33A
が一体に張り出し形成されている。イジェクトスプリン
グ34、イジェクト穴31の中央太径部31Aとイジェ
クトピン33のフランジ部33Aとの間にやや圧縮され
た状態で組み付けられている。したがって、イジェクト
ピン33は、イジェクトスプリング34の弾性力によ
り、図7に示すように通常その先端面がキャビティ凹部
26と同一面を構成する位置に押し下げられている。
One end of the eject pin 33 has an outer diameter substantially equal to the small diameter portion of the eject hole 31, and the other end has a flange portion 33A having substantially the same shape as the central large diameter portion 31A.
Are formed integrally with each other. The eject spring 34, the central large diameter portion 31A of the eject hole 31, and the flange portion 33A of the eject pin 33 are assembled in a slightly compressed state. Therefore, as shown in FIG. 7, the eject pin 33 is normally pushed down by the elastic force of the eject spring 34 to a position where its tip end surface is flush with the cavity recess 26.

【0066】イジェクトピン33は、後述するイジェク
ト工程に際して、半導体封止装置9のイジェクト駆動機
構98によって図9に示すように押し上げ動作されるこ
とにより、下金型部材21に添着されたリードフレーム
組立体7を外方へとイジェクトする。
The eject pin 33 is pushed up by the eject drive mechanism 98 of the semiconductor encapsulation device 9 as shown in FIG. 9 in the eject step described later, so that the lead frame assembly attached to the lower mold member 21 is assembled. The solid 7 is ejected to the outside.

【0067】また、下金型部材21には、図6に示すよ
うに、主面24の各辺の外周縁部に位置してそれぞれ位
置決め用凹部35が凹設されている。これら位置決め用
凹部35は、後述するように下金型部材21と上金型部
材22とが型締めされる際に上金型部材22に形成され
た位置決め用凸部47が相対係合することにより、両部
材が正確に型締めされるようにする。
Further, as shown in FIG. 6, the lower mold member 21 is provided with positioning recesses 35 located at the outer peripheral edges of the respective sides of the main surface 24. These positioning recesses 35 are engaged with positioning protrusions 47 formed on the upper mold member 22 when the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are clamped, as will be described later. This ensures that both members are clamped accurately.

【0068】さらに、下金型部材21には、図6に示す
ように、上金型部材22との型締め状態を自己保持する
型締め保持機構を構成する左右一対のトグル型締め機構
36が相対する2側面に付設されている。これら型締め
保持機構は、下金型部材21側に設けられたトグル型締
め機構36と、上金型部材22側に設けられた後述する
係合ピン48とによって構成される。トグル型締め機構
36は、下金型部材21の相対する2側面にそれぞれ配
設され、一端部を支軸37A、37Bに回動自在に支持
された第1リンクレバー38A、38Bと、これら第1
リンクレバー38A、38Bの自由端に回動自在に支持
された第2リンクレバー39A、39Bと、これら第2
リンクレバー39A、39Bの自由端を連結する連結部
材40とから構成される。
Further, as shown in FIG. 6, the lower mold member 21 is provided with a pair of left and right toggle mold clamping mechanisms 36 which constitute a mold clamping holding mechanism for self-maintaining the mold clamping state with the upper mold member 22. It is attached to two opposite sides. These mold clamping holding mechanisms are configured by a toggle mold clamping mechanism 36 provided on the lower mold member 21 side and an engagement pin 48 described later provided on the upper mold member 22 side. The toggle mold clamping mechanism 36 is provided on each of two opposite side surfaces of the lower mold member 21, and has one end rotatably supported by the support shafts 37A and 37B and first link levers 38A and 38B, and these first and second link levers 38A and 38B. 1
Second link levers 39A and 39B rotatably supported on the free ends of the link levers 38A and 38B, and the second link levers 39A and 39B.
The link levers 39A and 39B are formed of a connecting member 40 that connects the free ends of the link levers 39A and 39B.

【0069】第1リンクレバー38A、38Bには、図
6に示すように、その外側縁に円弧状のガイド凸部41
A、41Bを介して係合凹部42A、42Bがそれぞれ
形成されている。連結部材40は、後述する半導体封止
装置9の前部トグル型締め駆動機構92によって高さ方
向に押圧動作されるとともに後部トグル型締め駆動機構
94により引上げ動作される作動部を構成する。したが
って、トグル型締め機構36は、連結部材40が押圧動
作されると、第2リンクレバー39A、39Bがそれぞ
れ外側へと揺動動作し、これら第2リンクレバー39
A、39Bと連動して第1リンクレバー38A、38B
も支軸37A、37Bを支点としてそれぞれ外側へと揺
動動作する。
As shown in FIG. 6, the first link levers 38A and 38B have arc-shaped guide protrusions 41 on their outer edges.
Engagement recesses 42A and 42B are formed through A and 41B, respectively. The connecting member 40 constitutes an operating portion that is pressed in the height direction by a front toggle mold clamping drive mechanism 92 of the semiconductor encapsulation device 9 to be described later and is pulled up by a rear toggle mold clamping drive mechanism 94. Therefore, in the toggle type tightening mechanism 36, when the connecting member 40 is pressed, the second link levers 39A and 39B swing outward, respectively, and the second link lever 39 is moved.
First link levers 38A, 38B linked with A, 39B
Also swings outward with the support shafts 37A and 37B as fulcrums.

【0070】トグル型締め機構36は、この状態におい
て、図13に示すように連結部材40が中立点を越えて
下側に位置して全体としてすぼまった状態を呈し、下金
型部材21に対して上金型部材22を型締め状態に保持
する。トグル型締め機構36は、後述するように連結部
材40を復帰動作させるまでこの下金型部材21と上金
型部材22との型締め状態を自己保持する。
In this state, the toggle mold clamping mechanism 36 is in a state in which the connecting member 40 is located below the neutral point and is on the lower side as shown in FIG. On the other hand, the upper mold member 22 is held in the mold clamped state. The toggle mold clamping mechanism 36 self-maintains the mold clamping state of the lower mold member 21 and the upper mold member 22 until the connecting member 40 is returned to the return motion as described later.

【0071】なお、以上のように構成された下金型部材
21は、後述する半導体封止装置9によって、各工程毎
に間欠的に巡回搬送される。下金型部材21は、材料樹
脂装填部28及びイジェクト穴31の一端部がそれぞれ
開口されたその底面部43が搬送面とされる。また、下
金型部材21は、詳細を後述するが、半導体封止装置9
の第1加熱機構80及び第2加熱機構87によって底面
部43から約175°Cに加熱温調されるとともに、樹
脂供給駆動機構82及びイジェクト駆動機構98の作用
面を構成する。
The lower mold member 21 configured as described above is intermittently circulated and conveyed in each step by the semiconductor encapsulation device 9 described later. The lower mold member 21 has a bottom surface portion 43 in which one end portions of the material resin loading portion 28 and the ejection hole 31 are opened as a conveyance surface. The lower mold member 21 will be described in detail later, but the semiconductor sealing device 9
The first heating mechanism 80 and the second heating mechanism 87 control the heating temperature from the bottom surface portion 43 to about 175 ° C. and configure the working surfaces of the resin supply driving mechanism 82 and the eject driving mechanism 98.

【0072】下金型部材21は、第1加熱機構80及び
第2加熱機構87によって加熱されることにより、材料
樹脂装填部28に装填した材料樹脂8を加熱溶融すると
ともに、装着されたリードフレーム10を加熱する。し
たがって、材料樹脂8は、後述するキャビティ23内へ
の充填工程に際して、安定した状態でこのキャビティ2
3内へと供給される。
The lower die member 21 is heated by the first heating mechanism 80 and the second heating mechanism 87 to heat and melt the material resin 8 loaded in the material resin loading portion 28, and at the same time, to attach the lead frame. Heat 10. Therefore, the material resin 8 is kept in a stable state during the filling process into the cavity 23 described later.
3 into.

【0073】上金型部材22は、図10及び図11に示
すように、下金型部材21との対向面44が精密な平滑
面とされて成形面として構成されるとともにその外形寸
法がリードフレーム10の外形寸法よりもやや大とされ
て形成されている。上金型部材22には、図11に示す
ように、その主面44に封装樹脂5が充填されるキャビ
ティ23の上側部分を構成するキャビティ凹部45が凹
設されている。また、上金型部材22には、リードフレ
ーム10の位置決め穴16及び下金型部材21の位置決
めピン27に対応して位置決め凹部46がそれぞれ設け
られている。
As shown in FIGS. 10 and 11, the upper mold member 22 is configured as a molding surface with the surface 44 facing the lower mold member 21 being a precise smooth surface, and the outer dimension thereof is a lead. It is formed to be slightly larger than the outer dimensions of the frame 10. As shown in FIG. 11, the upper mold member 22 is provided with a cavity recess 45, which constitutes the upper portion of the cavity 23 filled with the encapsulating resin 5 in the main surface 44 thereof. Further, the upper mold member 22 is provided with positioning recesses 46 corresponding to the positioning holes 16 of the lead frame 10 and the positioning pins 27 of the lower mold member 21, respectively.

【0074】下金型部材21には、図10及び図11に
示すように、上述した下金型部材21の各位置決め用凹
部35にそれぞれ対応する主面44の各辺の外周縁部に
高さ方向に突出する位置決め用凸部47が突設されてい
る。これら位置決め用凸部47は、上金型部材22が下
金型部材21と型締めされる際に、上金型部材22の位
置決め用凹部35に相対係合することにより両部材が正
確に型締めされるようにする。
As shown in FIGS. 10 and 11, the lower mold member 21 has a high height at the outer peripheral edge of each side of the main surface 44 corresponding to each positioning recess 35 of the lower mold member 21 described above. A positioning protrusion 47 protruding in the vertical direction is provided in a protruding manner. When the upper mold member 22 and the lower mold member 21 are clamped, the positioning protrusions 47 are engaged with the positioning recesses 35 of the upper mold member 22 so that both members are accurately molded. Try to be tightened.

【0075】さらに、上金型部材22には、図10及び
図11に示すように、上述した下金型部材21のトグル
型締め機構36に対応した相対する両側面に、左右方向
に離間して一対の係合ピン47A、47Bがそれぞれ突
設されている。これら係合ピン47A、47Bは、トグ
ル型締め機構36とともに下金型部材21と上金型部材
22との型締め状態を自己保持する型締め保持機構を構
成する。
Further, as shown in FIGS. 10 and 11, the upper die member 22 is separated in the left-right direction from the opposite side surfaces corresponding to the toggle die clamping mechanism 36 of the lower die member 21 described above. And a pair of engaging pins 47A and 47B are provided so as to project. The engagement pins 47A and 47B together with the toggle mold clamping mechanism 36 constitute a mold clamping holding mechanism that self-maintains the mold clamping state of the lower mold member 21 and the upper mold member 22.

【0076】すなわち、下金型部材21と上金型部材2
2とは、上述した位置決め用凹部35と位置決め用凸部
47とが相対係合して型締めされた状態において、トグ
ル型締め機構36の連結部材40が押圧動作されて全体
としてすぼまる方向に動作することにより、第1リンク
レバー38A、38Bのガイド凸部41A、41Bが上
金型部材22側の係合ピン47A、47Bに沿って移動
する。下金型部材21と上金型部材22とは、係合ピン
47A、47Bがそれぞれ係合凹部42A、42Bの底
部に達することにより、型締め状態が自己保持される。
That is, the lower mold member 21 and the upper mold member 2
2 is a direction in which the connecting member 40 of the toggle mold clamping mechanism 36 is pressed to shrink as a whole when the above-described positioning concave portion 35 and positioning convex portion 47 are engaged with each other and the mold is clamped. The guide protrusions 41A, 41B of the first link levers 38A, 38B move along the engaging pins 47A, 47B on the upper mold member 22 side by the operation. The lower mold member 21 and the upper mold member 22 are self-maintained in the mold clamping state by the engagement pins 47A and 47B reaching the bottoms of the engagement recesses 42A and 42B, respectively.

【0077】上金型部材22には、図10及び図11に
示すように、相対する両側面に左右方向の搬送用係合溝
49が凹設されている。上金型部材22は、これら搬送
用係合溝49に後述する半導体封止装置9の上金型部材
搬送機構94が相対係合して各工程を巡回搬送される。
また、上金型部材22は、その上面部50が搬送面とさ
れるとともに、この上面部50から半導体封止装置9の
第2加熱機構87及び第3加熱機構90によって約17
5°Cに加熱温調される。
As shown in FIGS. 10 and 11, the upper mold member 22 is provided with laterally-engaged conveying engagement grooves 49 on both sides. The upper mold member 22 is cyclically conveyed through each process by the upper mold member conveying mechanism 94 of the semiconductor sealing device 9 which will be described later relatively engaging with the conveying engaging grooves 49.
In addition, the upper die member 22 has an upper surface portion 50 as a conveyance surface, and the upper surface portion 50 is moved from the upper surface portion 50 by the second heating mechanism 87 and the third heating mechanism 90 of the semiconductor sealing device 9 to about 17
The temperature is controlled by heating to 5 ° C.

【0078】以上のように構成された半導体封止金型装
置20は、下金型部材21と上金型部材22とが互いに
離間した型開き状態において、材料樹脂装填部28内に
タブレット状の材料樹脂8が装填される。材料樹脂8
は、詳細を後述するが、下金型部材21が半導体封止装
置9の第1加熱機構80及び第2加熱機構87によって
約175°Cに温調されていることから、材料樹脂装填
部28内において加圧、加熱されることにより粘度の低
い溶融状態となる。
The semiconductor encapsulation mold apparatus 20 configured as described above has a tablet shape inside the material resin loading section 28 in a mold open state in which the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are separated from each other. The material resin 8 is loaded. Material resin 8
As will be described later in detail, since the lower mold member 21 is temperature-controlled to about 175 ° C. by the first heating mechanism 80 and the second heating mechanism 87 of the semiconductor sealing device 9, the material resin loading unit 28 By being pressurized and heated inside, a molten state with low viscosity is obtained.

【0079】下金型部材21には、その主面24上に、
半導体チップ2を実装したリードフレーム10が装着さ
れる。リードフレーム10は、位置決めピン25に対し
て位置決め穴16を相対係合させることによって、その
樹脂充填領域部13がキャビティ凹部26に対応位置さ
れて位置決め装着される。リードフレーム10は、その
カル部17が下金型部材21の材料樹脂装填部28と対
応位置される。
On the lower die member 21, on its main surface 24,
The lead frame 10 on which the semiconductor chip 2 is mounted is mounted. The lead frame 10 is positioned and mounted by causing the positioning hole 16 to relatively engage with the positioning pin 25 so that the resin filling region 13 is positioned corresponding to the cavity recess 26. The cull portion 17 of the lead frame 10 is positioned corresponding to the material resin loading portion 28 of the lower mold member 21.

【0080】しかる後、半導体封止金型装置20は、詳
細を後述するように半導体封止装置9の下金型部材駆動
機構82及び前部上金型部材駆動機構91によって下金
型部材21と上金型部材22とが図12に示すように互
いに接合されて低圧状態で型締め動作される。下金型部
材21と上金型部材22とは、相対する位置決め用凹部
35と位置決め用凸部47とが係合されることによって
互いに精密に組み合わされる。リードフレーム10は、
この下金型部材21と上金型部材22とが組み合わされ
た状態において、位置決め穴16を貫通した位置決めピ
ン25が位置決め凹部46と相対係合することにより、
上金型部材22に対しても位置決めされた状態となる。
After that, the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 is driven by the lower die member drive mechanism 82 and the front upper die member drive mechanism 91 of the semiconductor encapsulation apparatus 9 as described later in detail. The upper die member 22 and the upper die member 22 are joined to each other as shown in FIG. The lower mold member 21 and the upper mold member 22 are precisely assembled with each other by engaging the positioning concave portion 35 and the positioning convex portion 47 which face each other. The lead frame 10 is
When the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are combined, the positioning pin 25 penetrating the positioning hole 16 relatively engages with the positioning recess 46,
The upper mold member 22 is also positioned.

【0081】したがって、リードフレーム10は、その
樹脂充填領域部13が上金型部材22のキャビティ凹部
45に対応位置され、全体として半導体封止金型装置2
0のキャビティ23に臨ませられる。また、リードフレ
ーム10は、下金型部材21と上金型部材22とが型締
めされた状態において、カル部17及びランナー部18
が下金型部材21と上金型部材22との間において、周
囲を密閉された空間部を構成する。
Therefore, in the lead frame 10, the resin filling area portion 13 is positioned corresponding to the cavity concave portion 45 of the upper mold member 22, and the semiconductor encapsulating mold device 2 as a whole.
It faces the cavity 23 of 0. Further, the lead frame 10 has the cull portion 17 and the runner portion 18 in a state where the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are clamped.
Between the lower mold member 21 and the upper mold member 22 constitutes a space portion whose periphery is sealed.

【0082】半導体封止金型装置20は、半導体封止装
置9の後述する第1加熱機構80、第2加熱機構87及
び第3加熱機構90とによって全体が材料樹脂8の融点
温度である約175°Cに温調されることによって、材
料樹脂装填部28に装填されたタブレット状の材料樹脂
8がその内部で溶融される。半導体封止金型装置20
は、図12に示した状態においては、半導体封止装置9
の下金型部材駆動機構82及び前部上金型駆動機構91
とによって下金型部材21と上金型部材22とが型締め
された状態にあるが、上述したようにキャビティ23の
内部圧力が低い、いわゆる低圧型締めの状態にある。
The semiconductor encapsulation mold device 20 is entirely about the melting point temperature of the material resin 8 due to the later-described first heating mechanism 80, second heating mechanism 87 and third heating mechanism 90 of the semiconductor encapsulating device 9. By controlling the temperature to 175 ° C., the tablet-shaped material resin 8 loaded in the material resin loading unit 28 is melted therein. Semiconductor sealing mold device 20
In the state shown in FIG.
Lower mold member drive mechanism 82 and front upper mold drive mechanism 91
Although the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are clamped by means of and, as described above, the internal pressure of the cavity 23 is low, that is, a so-called low-pressure mold clamp state.

【0083】半導体封止金型装置20は、半導体封止装
置9の前部トグル型締め駆動機構92によって連結部材
40が押圧駆動されることによって、トグル型締め機構
36が全体としてすぼまった状態に駆動される。トグル
型締め機構36は、これにより第1リンクレバー38
A、38Bのガイド凸部41A、41Bが係合ピン47
A、47Bに沿って移動してこれら係合ピン47A、4
7Bと係合凹部42A、42Bとを相対係合させる。半
導体封止金型装置20は、これによって図13に示すよ
うに、下金型部材21と上金型部材22とがしっかりと
型締めされた状態となる。下金型部材21と上金型部材
22とは、係合凹部42A、42Bと係合ピン47A、
47Bとの係合状態が保持されることから、型締め状態
に自己保持される。
In the semiconductor encapsulation mold apparatus 20, the front die toggle die clamping drive mechanism 92 of the semiconductor encapsulation apparatus 9 presses and drives the connecting member 40, so that the toggle die clamping mechanism 36 is entirely collapsed. Driven to the state. Accordingly, the toggle mold clamping mechanism 36 is configured so that the first link lever 38
The guide protrusions 41A and 41B of A and 38B are engaged with the engaging pin 47.
A, 47B are moved and these engaging pins 47A, 4A
7B and the engagement recesses 42A and 42B are engaged with each other. As a result, in the semiconductor-sealed mold device 20, as shown in FIG. 13, the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are firmly clamped. The lower mold member 21 and the upper mold member 22 include an engagement recess 42A, 42B and an engagement pin 47A.
Since the engaged state with 47B is maintained, the self-holding state is maintained in the mold clamping state.

【0084】半導体封止金型装置20は、上述した型締
め状態において、半導体封止装置9の樹脂供給駆動機構
81によって材料樹脂供給機構29が動作されることに
より、材料樹脂装填部28の内部で溶融状態とされた材
料樹脂8が材料樹脂押出部材30により押し出される。
材料樹脂8は、図8に示すように、後述する半導体封止
装置9の材料樹脂供給駆動機構81によって材料樹脂押
出部材30が駆動されることにより材料樹脂装填部28
からカル部17を介してランナー部18へと押し出され
る。材料樹脂8は、ランナー部18からゲート部19を
介してキャビティ23内へと供給充填される。
In the semiconductor encapsulation mold apparatus 20, the material resin supply mechanism 29 of the semiconductor encapsulation apparatus 9 is operated by the resin supply drive mechanism 81 of the semiconductor encapsulation apparatus 9 in the above-described mold clamping state, so that the inside of the material resin loading section 28 is closed. The material resin 8 in the molten state is extruded by the material resin extruding member 30.
As shown in FIG. 8, the material resin 8 is supplied to the material resin loading unit 28 by driving the material resin extruding member 30 by the material resin supply driving mechanism 81 of the semiconductor encapsulation device 9 described later.
Is pushed out to the runner portion 18 through the cull portion 17. The material resin 8 is supplied and filled from the runner portion 18 into the cavity 23 via the gate portion 19.

【0085】リードフレーム10は、上述したように、
同一面内に下金型部材21の材料樹脂装填部28と相対
位置するカル部17及びランナー部18とが一体に形成
されていることにより、後述する材料樹脂8の充填工程
において途中で横断部を構成することなくゲート部19
を介して材料樹脂8をキャビティ23内へと供給するこ
とを可能とする。半導体封止金型装置20は、これによ
ってリードフレーム10に、半導体チップ2を封装する
封装樹脂5をアウトサート成形してリードフレーム組立
体7を成形する。
The lead frame 10 is, as described above,
Since the cull portion 17 and the runner portion 18 that are located opposite to the material resin loading portion 28 of the lower mold member 21 are integrally formed in the same plane, a crossing portion is formed in the middle of a filling process of the material resin 8 described later. Without configuring the gate unit 19
It is possible to supply the material resin 8 into the cavity 23 via. The semiconductor encapsulation mold device 20 thereby forms the lead frame assembly 7 by outsert molding the encapsulating resin 5 for encapsulating the semiconductor chip 2 on the lead frame 10.

【0086】半導体封止金型装置20は、トグル型締め
機構36と係合ピン48とからなる型締め保持機構によ
って下金型部材21と上金型部材22とが型締め状態を
自己保持された状態で半導体封止装置9を巡回搬送され
る。キャビティ23内に充填された材料樹脂8は、この
搬送過程で、下金型部材21と上金型部材22とが半導
体封止装置9の各加熱機構80、87、90によって加
熱状態に保持されるとともに加圧状態に保持されること
から次第に硬化してリードフレーム10の樹脂充填領域
部13に対応する封装樹脂5をアウトサート成形する。
In the semiconductor encapsulating mold apparatus 20, the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are self-maintained in the mold clamped state by the mold clamp holding mechanism including the toggle mold clamping mechanism 36 and the engaging pin 48. In this state, the semiconductor encapsulation device 9 is cyclically conveyed. The material resin 8 filled in the cavity 23 is held in a heated state by the heating mechanisms 80, 87, 90 of the semiconductor encapsulation device 9 in the lower mold member 21 and the upper mold member 22 during the carrying process. In addition, the encapsulating resin 5 corresponding to the resin-filled region portion 13 of the lead frame 10 is outsert-molded by being gradually hardened because it is held under pressure.

【0087】半導体封止金型装置20は、このようにし
てリードフレーム10に封装樹脂5をアウトサート成形
してリードフレーム組立体7を成形した後、半導体封止
装置9側の後述する後部トグル型締め駆動機構94によ
ってトグル型締め機構36の連結部材40が引上げ動作
されて初期状態へと復帰駆動される。半導体封止金型装
置20は、このトグル型締め機構36が初期位置に復帰
動作して係合凹部42A、42Bと係合ピン47A、4
7Bとの係合状態が解除されると、半導体封止装置9側
の後述する後部上金型部材駆動機構95により上金型部
材22が引上げ駆動されて、下金型部材21に対して離
間動作される型開き動作が行われる。
In the semiconductor encapsulation mold device 20, after the lead frame 10 is thus outsert-molded with the encapsulating resin 5 to form the lead frame assembly 7, a rear toggle on the semiconductor encapsulation device 9 side, which will be described later, will be described. The mold clamping drive mechanism 94 pulls up the connecting member 40 of the toggle mold clamping mechanism 36 to drive it back to the initial state. In the semiconductor encapsulation mold device 20, the toggle mold clamping mechanism 36 returns to the initial position to engage the engaging recesses 42A, 42B and the engaging pins 47A, 4A.
When the engagement state with 7B is released, the rear upper mold member drive mechanism 95 on the semiconductor sealing device 9 side, which will be described later, drives the upper mold member 22 to be pulled up and separated from the lower mold member 21. A mold opening operation is performed.

【0088】半導体封止金型装置20によって形成され
たリードフレーム組立体7は、この型開き動作に際し
て、図8に示すように、下金型部材21側に添着され
る。半導体封止金型装置20は、半導体封止装置9側の
後述するイジェクト駆動機構98によって、図9に示す
ように、イジェクトピン33がイジェクトスプリング3
4の弾性力に抗してキャビティ23内へと突出動作され
る。したがって、リードフレーム組立体7は、イジェク
トピン33により下金型部材21から突き出されて取出
し手段により下金型部材21から取り出される。
The lead frame assembly 7 formed by the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 is attached to the lower mold member 21 side during the mold opening operation, as shown in FIG. In the semiconductor encapsulation mold device 20, as shown in FIG. 9, the eject pin 33 causes the eject spring 3 to move by the eject drive mechanism 98 on the semiconductor encapsulation device 9 side, which will be described later.
The protrusion operation is performed into the cavity 23 against the elastic force of No. 4. Therefore, the lead frame assembly 7 is ejected from the lower mold member 21 by the eject pin 33 and taken out from the lower mold member 21 by the ejecting means.

【0089】なお、リードフレーム組立体7には、樹脂
充填領域部13に封装樹脂5がアウトサート成形される
とともに、図3に示すようにリードフレーム10のカル
部17からランナー部18に充填された材料樹脂8がそ
のまま残留硬化している。このリードフレーム組立体7
は、次のリードフレーム切断工程へと供給され、例えば
レーザ切断機或いは打抜き金型によるプレス加工等によ
ってリード端子片3の先端部を残して外周部が切断除去
されて半導体装置1を完成させる。
In the lead frame assembly 7, the encapsulating resin 5 is outsert-molded in the resin-filled area portion 13, and the cull portion 17 of the lead frame 10 is filled in the runner portion 18 as shown in FIG. The material resin 8 is residual cured as it is. This lead frame assembly 7
Is supplied to the next lead frame cutting step, and the semiconductor device 1 is completed by cutting and removing the outer peripheral portion of the lead terminal piece 3 by leaving the tip portion of the lead terminal piece 3 by, for example, pressing with a laser cutting machine or a punching die.

【0090】上述したように、半導体封止金型装置20
は、リードフレーム10に封装樹脂5をアウトサート成
形してリードフレーム組立体7を成形することから、次
のような作用効果を奏する。すなわち、半導体封止金型
装置20は、下金型部材21に対してその位置決めピン
27に位置決め穴16を係合させてリードフレーム10
を位置決めして下金型部材21と上金型部材22との型
合わせ面内で直接保持することから、リードフレーム1
0に対して板厚、加工精度或いは熱膨張による寸法変化
を考慮した公差の設定を不要とさせるとともに、下金型
部材21に対して正確に位置決めされた状態で装着させ
る。
As described above, the semiconductor sealing mold device 20
Since the lead frame assembly 7 is formed by outsert molding the encapsulating resin 5 on the lead frame 10, the following operational effects are obtained. That is, in the semiconductor encapsulation mold apparatus 20, the positioning holes 16 are engaged with the positioning pins 27 of the lower mold member 21 to allow the lead frame 10 to be positioned.
Is positioned and held directly in the mold matching surface between the lower mold member 21 and the upper mold member 22, so that the lead frame 1
It is not necessary to set the tolerance in consideration of the plate thickness, processing accuracy, or dimensional change due to thermal expansion with respect to 0, and the lower mold member 21 is mounted in a precisely positioned state.

【0091】また、半導体封止金型装置20は、下金型
部材21と上金型部材22とによって、リードフレーム
10をその型合わせ面内で保持することから、このリー
ドフレーム10に対して均一な型締め力を作用させれば
よく、型締め力の調整等を不要としてその構造が簡易化
されるばかりでなく型締め機構等が簡易化され、全体の
小型化が図られる、リードフレーム組立体7は、上述し
たリードフレーム10の各部の寸法に対する大きな公差
を不要とさせ、下金型部材21と上金型部材22とが均
一な型締め力を以ってリードフレーム10を保持すると
いった半導体封止金型装置20の特徴により、カル部1
7の開口部の装填部バリや、樹脂充填領域部13の周辺
部の端子部バリが発生すること無く成形される。
Further, since the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 holds the lead frame 10 in its mold matching plane by the lower mold member 21 and the upper mold member 22, the lead frame 10 is held against the lead frame 10. It is sufficient to apply a uniform mold clamping force, and it is not necessary to adjust the mold clamping force, so that the structure is simplified and the mold clamping mechanism is also simplified, and the overall lead frame can be downsized. The assembly 7 eliminates the need for large tolerances with respect to the dimensions of each part of the lead frame 10 described above, and the lower mold member 21 and the upper mold member 22 hold the lead frame 10 with a uniform mold clamping force. Due to the features of the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 such as
Molding is performed without generation of a charging portion burr in the opening of 7 and a terminal burr in the peripheral portion of the resin filling region 13.

【0092】また、半導体封止金型装置20は、封装樹
脂5に対応するキャビティ23と材料樹脂8が装填され
るカル部17とが近接配置されかつリードフレーム10
を横断するランナー部を有しない構成とされている。し
たがって、半導体封止金型装置20は、ランナー部18
を短縮化してこのランナー部18に残留する材料樹脂8
を削減するとともに横断部バリの発生が無いリードフレ
ーム組立体7を形成する。したがって、リードフレーム
組立体7は、バリの発生が殆ど無いため、搬送途中での
バリの脱落による搬送機構の障害、バリ取り工程の簡易
化が図られたものとなる。
In the semiconductor encapsulation mold apparatus 20, the cavity 23 corresponding to the encapsulating resin 5 and the cull portion 17 in which the material resin 8 is loaded are arranged in proximity to each other and the lead frame 10 is provided.
It is configured not to have a runner section that traverses. Therefore, the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 includes the runner portion 18
The material resin 8 remaining on the runner portion 18 by shortening the
And the lead frame assembly 7 is formed in which transverse burrs are not generated. Therefore, since the lead frame assembly 7 has almost no burrs, the transfer mechanism is obstructed due to the burrs falling off during the transfer, and the deburring process is simplified.

【0093】さらに、半導体封止金型装置20は、上述
した特徴から、硬化時間の短い熱硬化型材料樹脂の使用
を可能とし、充填から硬化までの時間を大幅に短縮して
生産性の向上を達成させる。
Further, the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 can use a thermosetting material resin having a short curing time because of the above-mentioned characteristics, and the time from filling to curing can be greatly shortened to improve productivity. To achieve.

【0094】上述した半導体封止金型装置20は、後述
するように半導体封止装置9に複数個が備えられ各工程
毎に巡回搬送されることによって、リードフレーム組立
体7を連続して製造するが、例えば独立した1組によっ
て構成されることにより簡易の半導体封止装置を構成し
てもよいことは勿論である。また、リードフレーム10
については、1枚で1個の半導体装置1を形成するが、
例えば中央部にカル部を形成するとともに、その周囲に
複数の半導体製造領域を一体に形成したものであっても
よい。
As described later, the semiconductor encapsulation mold device 20 is provided in plural in the semiconductor encapsulation device 9 and is cyclically conveyed in each step, whereby the lead frame assembly 7 is continuously manufactured. However, it goes without saying that a simple semiconductor encapsulation device may be constructed by being constituted by an independent set, for example. In addition, the lead frame 10
For, regarding one, one semiconductor device 1 is formed,
For example, a cull part may be formed in the central part and a plurality of semiconductor manufacturing regions may be integrally formed around the cull part.

【0095】このリードフレームについては、詳細を省
略するが、金属薄板を素材として矩形に形成され、その
主面が例えば4つの半導体製造領域に区分されている。
これら半導体製造領域は、それぞれ1個の半導体装置1
を形成する個別の半導体製造領域を構成する。各半導体
製造領域は、上述したリードフレーム10と同様に、そ
れぞれその中央部に半導体チップ2が実装位置されるチ
ップ実装部が一体に形成されるとともに、これらチップ
実装部の周囲に多数個のリード端子片が打抜き形成され
ている。
Although not described in detail, this lead frame is formed into a rectangular shape using a metal thin plate as a material, and its main surface is divided into, for example, four semiconductor manufacturing regions.
Each of these semiconductor manufacturing areas has one semiconductor device 1
Forming individual semiconductor manufacturing regions. Similar to the lead frame 10 described above, each semiconductor manufacturing region is integrally formed with a chip mounting portion on which the semiconductor chip 2 is mounted and positioned at the center thereof, and a large number of leads are provided around these chip mounting portions. The terminal piece is stamped and formed.

【0096】また、リードフレームは、各半導体製造領
域が、その内周部にリード端子片の先端部を残して封装
樹脂5をアウトサート成形する樹脂充填領域部が構成さ
れ、これら樹脂充填領域部の中心部に位置して1つの材
料樹脂供給部が開設されて構成される。材料樹脂供給部
には、各半導体製造領域と連通するランナー部がそれぞ
れ設けられる。なお、これらランナー部は、各半導体製
造領域に向かって次第に幅寸法を小ならしめて先端部に
ゲート部がそれぞれ設けられる。
Further, in the lead frame, each semiconductor manufacturing region is formed with a resin filling region portion for outsert-molding the encapsulating resin 5 while leaving the tip portion of the lead terminal piece in the inner peripheral portion thereof. One material resin supply unit is opened and configured at the center of the. The material resin supply unit is provided with a runner unit that communicates with each semiconductor manufacturing region. In addition, these runners have a width gradually reduced toward each semiconductor manufacturing region, and a gate is provided at a tip end thereof.

【0097】なお、半導体装置1については、上述した
半導体チップ2が矩形の封装樹脂5によって封装される
とともに外周部に多数個の接続端子片4が突設されたフ
ラットパッケージ型のものばかりでなく、接続端子片4
がリード穴に挿入されて回路基板に実装される半導体装
置であってもよい。
The semiconductor device 1 is not limited to the flat package type in which the above-mentioned semiconductor chip 2 is sealed with the rectangular sealing resin 5 and a large number of connecting terminal pieces 4 are provided on the outer peripheral portion. , Connection terminal piece 4
May be a semiconductor device inserted into the lead hole and mounted on the circuit board.

【0098】上述した半導体封止用金型装置20を用い
てリードフレーム組立体7を成形する半導体封止装置9
は、図14に示すように、半導体封止用金型装置20に
供給したリードフレーム10からリードフレーム組立体
7を成形する工程にしたがって、上述した半導体封止用
金型装置20をS−1ステーション乃至S−8ステーシ
ョンの8つのステーションに分解し、半導体封止用金型
装置20を間欠的に巡回搬送する。半導体封止装置9
は、S−1ステーション乃至S−8ステーションにおけ
る各タクトタイムが10秒に設定されている。半導体封
止装置9は、これらS−1ステーション乃至S−8ステ
ーションにおいて、後述するようにそれぞれ複数の成形
工程を処理する。
A semiconductor encapsulation device 9 for molding the lead frame assembly 7 using the semiconductor encapsulation mold device 20 described above.
As shown in FIG. 14, according to the process of molding the lead frame assembly 7 from the lead frame 10 supplied to the semiconductor encapsulating mold apparatus 20, the semiconductor encapsulating mold apparatus 20 is S-1. Stations S to S-8 are disassembled into eight stations, and the semiconductor encapsulating mold apparatus 20 is intermittently cyclically conveyed. Semiconductor sealing device 9
, The takt time of each of the S-1 station to the S-8 station is set to 10 seconds. The semiconductor encapsulation device 9 processes a plurality of molding processes in each of these S-1 to S-8 stations, as described later.

【0099】半導体封止装置9には、S−1ステーショ
ン乃至S−8ステーションに各1組の半導体封止用金型
装置20を配置することから、全体で8個の半導体封止
用金型装置20が備えられている。上述したように、半
導体封止用金型装置20は、1個のリードフレーム10
が装着されて1個のリードフレーム組立体7が製造され
る。したがって、半導体封止装置9は、10秒間に1個
のリードフレーム組立体7が連続して成形される。
In the semiconductor encapsulation device 9, one set of semiconductor encapsulation mold devices 20 is arranged in each of the S-1 station to the S-8 station, so that a total of eight semiconductor encapsulation molds are provided. A device 20 is provided. As described above, the semiconductor encapsulation mold device 20 includes one lead frame 10
Is attached and one lead frame assembly 7 is manufactured. Therefore, in the semiconductor encapsulation device 9, one lead frame assembly 7 is continuously molded in 10 seconds.

【0100】ところで、従来のリードフレーム100を
用いる半導体封止装置においては、例えば84個取りの
半導体封止用金型装置が用いられ、80秒に16個(1
0秒で2個)のリードフレーム組立体7が成形される。
したがって、半導体封止装置9は、従来の半導体封止装
置と比較して時間当たりのリードフレーム組立体7の生
産性がやや悪くなる。しかしながら、半導体封止装置9
は、上述した小型で構造簡易かつ取扱いが簡便な半導体
封止用金型装置20を備えることにより、後述するよう
に装置全体が大幅に小型されるとともに廉価に構成され
ることから、限られたスペースに複数台を設置すること
も可能となるとともに段取り作業も簡単であることから
要員も多くを要しない。したがって、半導体封止装置9
は、これによって従来の半導体封止装置と比較して実質
的にリードフレーム組立体7の生産性を向上させること
が可能である。
By the way, in the conventional semiconductor encapsulation device using the lead frame 100, for example, a semiconductor encapsulation mold device of 84 pieces is used, and 16 pieces (1
Two lead frame assemblies 7 are molded in 0 seconds.
Therefore, in the semiconductor encapsulation device 9, the productivity of the lead frame assembly 7 per hour is slightly lower than that of the conventional semiconductor encapsulation device. However, the semiconductor sealing device 9
Is limited because the above-mentioned compact, simple structure and easy-to-handle semiconductor encapsulation mold device 20 is provided, so that the entire device is significantly downsized and is inexpensive as will be described later. Since it is possible to install multiple units in the space and the setup work is easy, it does not require many personnel. Therefore, the semiconductor sealing device 9
With this, it is possible to substantially improve the productivity of the lead frame assembly 7 as compared with the conventional semiconductor encapsulation device.

【0101】半導体封止装置9は、図14に示すよう
に、第1ステーションS−1において、材料樹脂タブレ
ット8を下金型部材21の材料樹脂装填部28に装填す
る材料樹脂装填工程S−1−1と、半導体チップ2を実
装したリードフレーム10を下金型部材21に装着する
リードフレーム装着工程S−1−2と、下金型部材21
と上金型部材22とを互いに低圧状態で型締めする低圧
型締め工程S−1−3とを行う。
As shown in FIG. 14, in the semiconductor encapsulation device 9, the material resin loading step S- for loading the material resin tablet 8 into the material resin loading portion 28 of the lower mold member 21 at the first station S-1. 1-1, a lead frame mounting step S-1-2 for mounting the lead frame 10 mounting the semiconductor chip 2 on the lower mold member 21, and the lower mold member 21.
And a low pressure mold clamping step S-1-3 for clamping the upper mold member 22 in a low pressure state with each other.

【0102】半導体封止金型装置20は、材料樹脂装填
工程S−1−1において、図15に示すように下金型部
材21と上金型部材22とが互いに離間した型開き状態
にあり、タブレット状の材料樹脂8が下金型部材21の
材料樹脂装填部28の内部に装填される。下金型部材2
1は、この状態において半導体封止装置9側に設けた各
加熱機構80、87、90によって予熱された状態にあ
る。
In the material resin loading step S-1-1, the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 is in a mold open state in which the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are separated from each other as shown in FIG. The tablet-shaped material resin 8 is loaded into the material resin loading portion 28 of the lower mold member 21. Lower mold member 2
In this state, 1 is preheated by each heating mechanism 80, 87, 90 provided on the semiconductor sealing device 9 side.

【0103】また、半導体封止金型装置20は、リード
フレーム装着工程S−1−2において、図16に示すよ
うに引き続き下金型部材21と上金型装置22とが互い
に離間した状態にあり、リードフレーム10が供給され
て下金型部材21に装填される。リードフレーム10
は、上述したようにその位置決め穴16と位置決めピン
27とが相対係合することによって、位置決めされた状
態で下金型部材21に装着される。半導体封止金型装置
20は、詳細を後述する第1加熱機構80及び第2加熱
機構87によって下金型部材21が予熱された状態にあ
ることから、リードフレーム10を加熱する。
In the lead frame mounting step S-1-2, the semiconductor encapsulating mold apparatus 20 continues to have the lower mold member 21 and the upper mold apparatus 22 separated from each other as shown in FIG. Then, the lead frame 10 is supplied and loaded on the lower mold member 21. Lead frame 10
As described above, the positioning hole 16 and the positioning pin 27 are relatively engaged with each other, so that the positioning die 16 is mounted on the lower mold member 21 in a positioned state. The semiconductor mold device 20 heats the lead frame 10 because the lower mold member 21 is preheated by the first heating mechanism 80 and the second heating mechanism 87 which will be described in detail later.

【0104】さらに、半導体封止金型装置20は、低圧
型締め工程S−1−3において、図17に示すように半
導体封止装置9側の下金型部材駆動機構82及び前部上
金型部材駆動機構91とによってそれぞれ底面部43と
上面部50とが押圧されることにより、下金型部材21
と上金型部材22とが接近駆動されて型締めされる。下
金型部材21と上金型部材22とは、上述したように位
置決め用凹部35と位置決め用凸部47とが相対係合す
ることにより、互いに精密に組み合わされる。また、下
金型部材21と上金型部材22とは、その相対する主面
24、44間で装着されたリードフレーム10を挟み込
んで保持する。
Further, in the low-pressure mold clamping step S-1-3, the semiconductor encapsulating mold apparatus 20 further includes the lower die member driving mechanism 82 and the front upper die in the semiconductor encapsulating apparatus 9 side as shown in FIG. By pressing the bottom surface portion 43 and the top surface portion 50 by the mold member driving mechanism 91, respectively, the lower mold member 21
And the upper die member 22 are driven to approach each other and the die is clamped. The lower mold member 21 and the upper mold member 22 are precisely assembled with each other by the relative engagement of the positioning concave portion 35 and the positioning convex portion 47 as described above. Further, the lower mold member 21 and the upper mold member 22 sandwich and hold the mounted lead frame 10 between the main surfaces 24 and 44 facing each other.

【0105】半導体封止装置9は、第2ステーションS
−2において、下金型部材21と上金型部材22とを後
述する各加熱機構80、87、90によって予熱しなが
ら搬送するプリ加熱工程S−2−1と、下金型部材21
と上金型部材22とを型締め機構を介して所定の圧力に
よって型締め保持するとともにキャビティ23内へと材
料樹脂8を充填する型締め・樹脂充填工程S−2−2と
を行う。また、半導体封止装置9は、この型締め・樹脂
充填工程S−2−2において、材料樹脂駆動機構81が
動作して半導体封止金型装置20の材料樹脂供給機構2
9を駆動し、半導体封止用金型装置20の材料樹脂装填
部28からそのキャビティ23への材料樹脂8の充填を
行う。
The semiconductor encapsulation device 9 includes the second station S.
-2, a pre-heating step S-2-1 for transporting the lower mold member 21 and the upper mold member 22 while preheating them by respective heating mechanisms 80, 87, 90 described later, and the lower mold member 21.
Then, the upper mold member 22 and the upper mold member 22 are clamped and held by a predetermined pressure via the mold clamping mechanism, and a mold clamping / resin filling step S-2-2 of filling the material resin 8 into the cavity 23 is performed. Further, in the semiconductor sealing device 9, in the mold clamping / resin filling step S-2-2, the material resin driving mechanism 81 operates and the material resin supply mechanism 2 of the semiconductor sealing mold device 20.
9 is driven to fill the cavity 23 with the material resin 8 from the material resin loading portion 28 of the semiconductor sealing mold device 20.

【0106】半導体封止金型装置20は、プリ加熱工程
S−2−1において、図18に示すように下金型部材2
1と上金型部材22とが上述した低圧型締め状態のまま
搬送される。さらに、半導体封止金型装置20は、型締
め・樹脂充填工程S−2−2において、半導体封止装置
9の前部トグル型締め駆動機構92によってトグル型締
め機構36の連結部材40が押圧駆動されることによ
り、図19に示すように下金型部材21と上金型部材2
2とが型締め状態とされる。半導体封止金型装置20
は、上述したように、トグル型締め機構36の第1リン
クレバー38に設けた係合凹部42と上金型部材22に
設けた係合ピン48とが相対係合することによって、下
金型部材21と上金型部材22とが型締め状態を自己保
持する。半導体封止金型装置20は、この状態で材料供
給駆動機構81が駆動されて材料樹脂装填部28に装填
された材料樹脂8がキャビティ23内へと充填される。
In the pre-heating step S-2-1, the semiconductor encapsulating mold apparatus 20 has a lower mold member 2 as shown in FIG.
1 and the upper mold member 22 are conveyed in the low-pressure mold clamping state described above. Further, in the semiconductor encapsulation mold apparatus 20, in the die clamping / resin filling step S-2-2, the connecting member 40 of the toggle die clamping mechanism 36 is pressed by the front toggle die clamping drive mechanism 92 of the semiconductor encapsulating apparatus 9. When driven, the lower mold member 21 and the upper mold member 2 are driven as shown in FIG.
2 and the mold are clamped. Semiconductor sealing mold device 20
As described above, the lower mold is caused by the relative engagement between the engaging recess 42 provided in the first link lever 38 of the toggle mold clamping mechanism 36 and the engaging pin 48 provided in the upper mold member 22. The member 21 and the upper mold member 22 self-hold the clamped state. In the semiconductor encapsulation mold apparatus 20, the material supply drive mechanism 81 is driven in this state, and the material resin 8 loaded in the material resin loading portion 28 is filled into the cavity 23.

【0107】半導体封止装置9は、第3ステーションS
−3において、下金型部材21と上金型部材22とを後
述する各加熱機構80、87、90によって加熱しなが
ら搬送することにより、充填された材料樹脂8をキャビ
ティ23内で硬化させる加熱搬送工程S−3−1を行
う。
The semiconductor encapsulation device 9 is the third station S.
-3, heating for curing the filled material resin 8 in the cavity 23 by transporting the lower mold member 21 and the upper mold member 22 while heating by each heating mechanism 80, 87, 90 described later. The carrying step S-3-1 is performed.

【0108】半導体封止金型装置20は、加熱搬送工程
S−3−1において、図20に示すように型締め保持機
構を構成するトグル型締め機構36の第1リンクレバー
38の係合凹部42と係合ピン48とが互いに係合状態
を保持されることから、下金型部材21と上金型部材2
2との型締め状態が自己保持される。また、半導体封止
金型装置20は、半導体封止装置9の各加熱機構80、
87、90によって175°Cの温調状態が保持されて
搬送される。
In the heating and conveying step S-3-1, the semiconductor encapsulating mold apparatus 20 has an engaging recess of the first link lever 38 of the toggle mold clamping mechanism 36 which constitutes the mold clamping holding mechanism as shown in FIG. Since the 42 and the engagement pin 48 are maintained in the engaged state with each other, the lower mold member 21 and the upper mold member 2
The mold clamping state with 2 is self-maintained. Further, the semiconductor encapsulation mold device 20 includes the heating mechanisms 80 of the semiconductor encapsulation device 9,
The temperature control state of 175 ° C. is maintained and conveyed by 87 and 90.

【0109】半導体封止装置9は、第4ステーションS
−4においても、引き続き下金型部材21と上金型部材
22とを後述する各加熱機構80、87、90によって
後加熱しながら搬送する後加熱搬送工程S−4−1を行
う。
The semiconductor encapsulation device 9 is the fourth station S.
Also in -4, the post-heating transfer step S-4-1 in which the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are continuously transferred while being post-heated by each heating mechanism 80, 87, 90 described later is performed.

【0110】半導体封止金型装置20は、後加熱搬送工
程S−4−1において、図21に示すように引き続き型
締め保持機構によって下金型部材21と上金型部材22
との型締め状態が自己保持されて、半導体封止装置9の
各加熱機構80、87、90による後加熱が行われる。
In the post-heating transfer step S-4-1, the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 continues to use the mold clamping and holding mechanism as shown in FIG. 21 to move the lower mold member 21 and the upper mold member 22.
The mold clamping states of and are self-maintained, and post-heating is performed by the heating mechanisms 80, 87, 90 of the semiconductor sealing device 9.

【0111】半導体封止装置9は、第5ステーションS
−5においても、引き続き下金型部材21と上金型部材
22とを後述する各加熱機構80、87、90によって
後加熱しながら搬送する後加熱搬送工程S−5−1を行
う。
The semiconductor encapsulation device 9 is the fifth station S.
Also in -5, the post-heating transfer step S-5-1 in which the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are transferred while being post-heated by each heating mechanism 80, 87, 90 described later is performed.

【0112】半導体封止金型装置20は、後加熱搬送工
程S−5−1において、図22に示すように引き続き型
締め保持機構によって下金型部材21と上金型部材22
との型締め状態が自己保持されて、半導体封止装置9の
各加熱機構80、87、90による後加熱が行われる。
キャビティ23内に充填された材料樹脂8は、上述した
S−3−1工程乃至S−5−1の工程において、半導体
封止金型装置20が加熱、加圧状態に保持されることか
ら、充分に硬化してリードフレーム10に封装樹脂5を
アウトサート成形する。
In the post-heating transfer step S-5-1, the semiconductor encapsulating mold apparatus 20 continues to use the mold clamping and holding mechanism as shown in FIG. 22 to lower the upper mold member 21 and the upper mold member 22.
The mold clamping states of and are self-maintained, and post-heating is performed by the heating mechanisms 80, 87, 90 of the semiconductor sealing device 9.
The material resin 8 filled in the cavity 23 is held in the heated and pressurized state of the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 in the above-described steps S-3-1 to S-5-1. After sufficiently cured, the lead frame 10 is outsert-molded with the encapsulating resin 5.

【0113】半導体封止装置9は、第6ステーションS
−6において、半導体封止金型装置20がその型締め保
持機構によって型締め状態を自己保持しながら搬送する
搬送工程S−6−1と、半導体封止金型装置20をその
型締め保持機構を駆動して型締め保持状態を解除する型
締め解除工程S−6−2と、半導体封止金型装置20を
型開き動作させる型開き工程S−6−3とを行う。
The semiconductor encapsulation device 9 is the sixth station S.
In -6, the semiconductor encapsulating mold apparatus 20 conveys the semiconductor encapsulating mold apparatus 20 while conveying the mold encapsulating state while holding the mold clamping state by itself. The mold clamping release step S-6-2 for driving the mold to release the mold clamp holding state and the mold opening step S-6-3 for performing the mold opening operation of the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 are performed.

【0114】半導体封止金型装置20は、搬送工程S−
6−1において、図23に示すように下金型部材21と
上金型部材22とが引き続き型締め保持機構によって型
締め状態が自己保持されて搬送される。半導体封止金型
装置20は、型締め解除工程S−6−2において、図2
4に示すように半導体封止装置9の後部トグル型締め駆
動機構94によって型締め保持機構を構成するトグル型
締め機構36の連結部材40が引上げ動作されることに
より、第1リンクレバー38の係合凹部42と係合ピン
48との係合状態が解除される。
The semiconductor encapsulation mold apparatus 20 has the carrying step S-
In 6-1 as shown in FIG. 23, the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are continuously conveyed while the mold clamping holding mechanism self-holds the mold clamping state. The semiconductor encapsulation mold apparatus 20 has the structure shown in FIG.
As shown in FIG. 4, the rear toggle mold clamping drive mechanism 94 of the semiconductor encapsulation device 9 pulls up the connecting member 40 of the toggle mold clamping mechanism 36, which constitutes the mold clamping holding mechanism, to engage the first link lever 38. The engagement state between the engagement recess 42 and the engagement pin 48 is released.

【0115】半導体封止金型装置20は、型開き工程S
−6−3において、上述したように半導体封止装置9の
後部上金型部材駆動機構95が動作されることによって
図25に示すように下金型部材21に対して上金型部材
22が離間駆動されることにより型開き動作が行われ
る。下金型部材21には、この状態で、リードフレーム
10に封装樹脂5がアウトサート成形されたリードフレ
ーム組立体7が添着される。
The semiconductor encapsulation mold apparatus 20 has a mold opening step S.
In -6-3, by operating the rear upper die member driving mechanism 95 of the semiconductor sealing device 9 as described above, the upper die member 22 is moved to the lower die member 21 as shown in FIG. The mold opening operation is performed by being driven to be separated. In this state, the lead frame assembly 7 in which the encapsulating resin 5 is outsert-molded on the lead frame 10 is attached to the lower mold member 21.

【0116】半導体封止装置9は、第7ステーションS
−7において、型開き動作された下金型部材21と上金
型部材22とが独立して搬送される搬送工程S−7−1
と、リードフレーム10に封装樹脂5がアウトサート成
形されたリードフレーム組立体7を下金型部材21から
イジェクトするイジェクト工程S−7−2と、イジェク
トされたリードフレーム組立体7を下金型部材21から
取り出す取出工程S−7−3とを行う。
The semiconductor encapsulation device 9 is the seventh station S.
In -7, the carrying step S-7-1 in which the lower mold member 21 and the upper mold member 22 that have been subjected to the mold opening operation are independently carried.
And an ejecting step S-7-2 for ejecting the lead frame assembly 7 in which the encapsulating resin 5 is outsert-molded on the lead frame 10 from the lower die member 21, and the ejected lead frame assembly 7 is a lower die. The extraction step S-7-3 of extracting from the member 21 is performed.

【0117】半導体封止金型装置20は、搬送工程S−
7−1において、図26に示すようにリードフレーム組
立体7が添着された下金型部材21と上金型部材22と
が、下金型部材搬送機構83、上金型部材搬送機構94
とによってそれぞれ互いに独立して搬送される。半導体
封止金型装置20は、イジェクト工程S−7−2におい
て、図27に示すように半導体封止装置9のイジェクト
駆動機構98によってイジェクト機構32が駆動され
る。リードフレーム組立体7は、これによりイジェクト
ピン33によって下金型部材21から突き出される。半
導体封止金型装置20は、取出工程S−7−3におい
て、図28に示すように下金型部材21からイジェクト
されたリードフレーム組立体7が取り出される。
The semiconductor encapsulation mold apparatus 20 has a carrying step S-
In 7-1, as shown in FIG. 26, the lower mold member 21 and the upper mold member 22 to which the lead frame assembly 7 is attached are the lower mold member transfer mechanism 83 and the upper mold member transfer mechanism 94.
And are transported independently of each other. In the ejecting step S-7-2 of the semiconductor encapsulating mold apparatus 20, the eject mechanism 32 is driven by the eject driving mechanism 98 of the semiconductor encapsulating apparatus 9 as shown in FIG. 27. The lead frame assembly 7 is thereby ejected from the lower mold member 21 by the eject pin 33. In the extraction step S-7-3, the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 takes out the ejected lead frame assembly 7 from the lower mold member 21 as shown in FIG.

【0118】半導体封止装置9は、第8ステーションS
−8において、下金型部材21と上金型部材22とを独
立の経路によって初期位置へと回送する搬送工程S−8
−1と、半導体封止金型装置20の材料樹脂供給機構2
9及びイジェクト機構32を初期状態へと復帰させる復
帰工程S−8−2とを行う。
The semiconductor encapsulation device 9 is the eighth station S.
In -8, a conveying step S-8 for feeding the lower mold member 21 and the upper mold member 22 to the initial position by independent paths.
-1 and the material resin supply mechanism 2 of the semiconductor encapsulation mold device 20
9 and a return step S-8-2 for returning the eject mechanism 32 to the initial state.

【0119】半導体封止金型装置20は、搬送工程S−
8−1において、図29に示すように下金型部材21か
らリードフレーム組立体7が取り出された状態で、この
下金型部材21と上金型部材22とが独立の搬送系で初
期位置へと復帰搬送される。また、半導体封止金型装置
20は、復帰工程S−8−2において、図30に示すよ
うにイジェクトスプリング34の弾性力によってイジェ
クト機構32のイジェクトピン33が初期位置へと復帰
し、また材料樹脂供給機構29の材料樹脂押出部材30
も初期位置へと復帰する。
The semiconductor encapsulation mold apparatus 20 has a carrying step S-
In 8-1, in a state where the lead frame assembly 7 is taken out from the lower mold member 21 as shown in FIG. 29, the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are independent transfer systems in the initial position. Returned to and transported. Further, in the semiconductor encapsulating mold apparatus 20, in the returning step S-8-2, the ejecting pin 33 of the ejecting mechanism 32 returns to the initial position by the elastic force of the ejecting spring 34 as shown in FIG. Material of resin supply mechanism 29 Resin extruding member 30
Also returns to the initial position.

【0120】なお、上述した半導体封止装置9の各工程
については、後述する各機構部の配置位置やその動作仕
様等によって適宜変更されることは勿論である。例え
ば、イ材料樹脂供給機構29及びジェクト機構32は、
復帰工程S−8−2において初期位置へと復帰動作され
るようにしたが、第1ステーションS−1の前段工程に
よって行うようにしてもよい。
It is needless to say that each step of the semiconductor encapsulation device 9 described above may be appropriately changed depending on the arrangement position of each mechanism section described later and its operation specification. For example, the material resin supply mechanism 29 and the eject mechanism 32 are
Although the returning operation is performed to the initial position in the returning step S-8-2, it may be performed by the preceding step of the first station S-1.

【0121】上述したリードフレーム組立体7の成形工
程を行う半導体封止装置9は、図31及び図34に示す
ように、互いに平行に設置された第1搬送ガイドフレー
ム70と、第2搬送ガイドフレーム71及び第3搬送ガ
イドフレーム72とを備えている。これら第1搬送ガイ
ドフレーム70乃至第3搬送ガイドフレーム72は、詳
細を省略するがサイドフレーム73、84とによってそ
れぞれの対向間隔が保持されており、半導体封止金型装
置20が巡回搬送される互いに平行な水平方向の上下3
段の第1搬送空間部74乃至第3搬送空間部76を構成
する。
As shown in FIGS. 31 and 34, the semiconductor encapsulation device 9 for performing the above-mentioned molding process of the lead frame assembly 7 includes a first conveyance guide frame 70 and a second conveyance guide which are installed in parallel with each other. A frame 71 and a third conveyance guide frame 72 are provided. Although not described in detail, the first transfer guide frame 70 to the third transfer guide frame 72 are held with the facing intervals by the side frames 73 and 84, respectively, and the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 is cyclically transferred. Horizontally parallel top and bottom 3
The first transport space portion 74 to the third transport space portion 76 of the step are configured.

【0122】第1搬送空間部74は、第1搬送ガイドフ
レーム70上に構成される下側搬送空間部であり、具体
的には図32に示すように、下金型部材21が単独で同
図において右側から左側に向かって搬送される搬送空間
部を構成する。第1搬送空間部74には、後述するよう
に前方部と後方部とにそれぞれ上述した第1ステーショ
ンS−1に対応する第1ステーション部77と第7ステ
ーションS−7に対応する第7ステーション部78とが
構成されている。半導体封止装置9は、これら第1ステ
ーション部77と第7ステーション部78との間の第1
搬送空間部74において、第8ステーションS−8の下
金型部材21の搬送工程S−8−1を行う。
The first transfer space portion 74 is a lower transfer space portion formed on the first transfer guide frame 70. Specifically, as shown in FIG. 32, the lower die member 21 alone is the same. In the figure, a transport space portion is transported from the right side to the left side. In the first transport space 74, a first station 77 corresponding to the above-mentioned first station S-1 and a seventh station S7 corresponding to the above-mentioned first station S-1 are provided in the front and rear portions, respectively, as described later. And a part 78. The semiconductor encapsulation device 9 includes the first station section 77 and the seventh station section 78 between the first station section 77 and the seventh station section 78.
In the transfer space 74, the transfer step S-8-1 for the lower mold member 21 of the eighth station S-8 is performed.

【0123】第2搬送空間部75は、第2搬送ガイドフ
レーム71と第3の搬送ガイドフレーム72との間に構
成される中央搬送空間部であり、具体的には図32に示
すように、型締めされて一体化された下金型部材21と
上金型部材22とが同図左側から右側に向かって搬送さ
れる搬送空間部を構成する。半導体封止装置9は、この
第2搬送空間部75において、上述した第2ステーショ
ンS−2乃至第6ステーションS−6の各工程を行う。
The second transfer space portion 75 is a central transfer space portion formed between the second transfer guide frame 71 and the third transfer guide frame 72. Specifically, as shown in FIG. The lower mold member 21 and the upper mold member 22 that are clamped and integrated form a carrying space portion for carrying from the left side to the right side in FIG. The semiconductor sealing device 9 performs the above-described steps of the second station S-2 to the sixth station S-6 in the second transfer space 75.

【0124】第3搬送空間部75は、第3の搬送ガイド
フレーム72の上側に構成される搬送空間部であり、具
体的には図32に示すように、上金型部材22が単独で
同図において右側から左側に向かって搬送される搬送空
間部を構成する。半導体封止装置9は、この第3搬送空
間部75において、第8ステーションS−8の上金型部
材22の搬送工程S−8−1を行う。
The third transfer space portion 75 is a transfer space portion formed above the third transfer guide frame 72. Specifically, as shown in FIG. 32, the upper die member 22 alone is the same. In the figure, a transport space portion is transported from the right side to the left side. The semiconductor sealing device 9 performs the carrying step S-8-1 of the upper die member 22 of the eighth station S-8 in the third carrying space 75.

【0125】半導体封止装置9は、第1搬送空間部74
及び第2搬送空間部75において、下金型部材22を位
置決めした状態で載置する搬送台によって搬送する。搬
送台は、詳細を省略するが、後述する第1搬送ガイドフ
レーム70に設けた搬送ガイド溝79に相対係合されて
移動する。また、搬送台には、下金型部材22に進入す
る後述する各機構のガイド溝が設けられている。
The semiconductor encapsulation device 9 includes the first transfer space portion 74.
And, in the second transfer space portion 75, the lower die member 22 is transferred by a transfer table which is placed in a positioned state. Although not described in detail, the transport table moves by being relatively engaged with a transport guide groove 79 provided in a first transport guide frame 70 described later. In addition, the carrier table is provided with guide grooves for each mechanism, which will be described later, that enter the lower mold member 22.

【0126】また、半導体封止装置9は、第2搬送空間
部75及び第3搬送空間部76において、上金型部材2
2をホルダー88によって保持して搬送する。ホルダー
88は、上金型部材22の両側面に設けた搬送用係合溝
49に相対係合する一対の係合部を有しており、これら
係合部が側面方向に移動動作することによって上金型部
材22をチャッキング或いは開放する。
In the semiconductor encapsulation device 9, the upper mold member 2 is provided in the second transfer space 75 and the third transfer space 76.
2 is held by the holder 88 and conveyed. The holder 88 has a pair of engaging portions that are engaged with the engaging grooves 49 for conveyance provided on both side surfaces of the upper mold member 22, and the engaging portions move in the lateral direction. The upper mold member 22 is chucked or opened.

【0127】半導体封止装置9には、図示しないが、側
面方向から上述した第1搬送空間部74乃至第3搬送空
間部76に沿って半導体封止金型装置20を移動させる
搬送機構が各ステーションに対応してそれぞれ付設され
ている。搬送機構は、例えば搬送台或いはホルダー88
と相対係合される送りレバー部材を備え、これら送りレ
バー部材によって下金型部材21及び上金型部材22と
を保持して上述した各ステーション毎に10秒毎のタク
トタイムを以って間欠的に搬送する。
Although not shown, the semiconductor encapsulation device 9 has a conveyance mechanism for moving the semiconductor encapsulation mold device 20 from the side surface along the above-described first conveyance space 74 to the third conveyance space 76. It is attached to each station. The transfer mechanism is, for example, a transfer table or a holder 88.
Is provided with a feed lever member that is relatively engaged with the lower die member 21 and the upper die member 22 and is intermittently provided with a takt time of 10 seconds for each station described above. To be transported.

【0128】第1搬送ガイドフレーム70は、第2搬送
ガイドフレーム71及び第3搬送ガイドフレーム72に
対して前後方向に延長されている。半導体封止装置9に
は、第1搬送ガイドフレーム70のこれら前後の延長領
域の上方空間部に、上述した第1搬送空間部74の前後
に位置する第1ステーション部77と第7ステーション
部78とが構成されている。第1ステーション部77
は、上述した第1ステーションS−1に対応し、第7ス
テーション部78は、第7ステーションS−7に対応す
る。
The first transport guide frame 70 extends in the front-rear direction with respect to the second transport guide frame 71 and the third transport guide frame 72. In the semiconductor encapsulation device 9, a first station portion 77 and a seventh station portion 78, which are located before and after the above-described first transfer space portion 74, are located above the front and rear extension regions of the first transfer guide frame 70. And are configured. First station section 77
Corresponds to the above-mentioned first station S-1, and the seventh station section 78 corresponds to the seventh station S-7.

【0129】半導体封止装置9には、第1ステーション
部77に図示しない材料樹脂供給機構が配設されてい
る。半導体封止装置9は、図32に示すようにこの材料
樹脂供給機構によって、下金型部材21に材料樹脂8を
供給してその樹脂装填部28に装填する上述した材料樹
脂装填工程S−1−1を行う。また、半導体封止装置9
には、第1ステーション部77に図示しないリードフレ
ーム供給機構が配設されている。半導体封止装置9は、
図32に示すようにこのリードフレーム供給機構から下
金型部材21にリードフレーム10を供給してそのリー
ドフレーム受け部25上に装着する上述したリードフレ
ーム装着工程S−1−2を行う。
In the semiconductor encapsulation device 9, a material resin supply mechanism (not shown) is arranged in the first station section 77. As shown in FIG. 32, the semiconductor sealing device 9 supplies the material resin 8 to the lower die member 21 and loads the resin material into the resin loading portion 28 by the material resin feeding mechanism as described above. Do -1. In addition, the semiconductor sealing device 9
A lead frame supply mechanism (not shown) is disposed in the first station 77. The semiconductor sealing device 9 is
As shown in FIG. 32, the above-described lead frame mounting step S-1-2 is performed in which the lead frame 10 is supplied from the lead frame supply mechanism to the lower mold member 21 and mounted on the lead frame receiving portion 25.

【0130】第1搬送ガイドフレーム70には、図31
及び図33に示すように、その主面の幅方向の中央部に
位置して長手方向の搬送ガイド溝79が設けられてい
る。第1搬送ガイドフレーム70には、図31に示すよ
うに第1ステーション部77と第7ステーション部78
とにそれぞれ対応位置して第1加熱機構80が配設され
ている。
The first transport guide frame 70 is shown in FIG.
As shown in FIG. 33, a longitudinal transport guide groove 79 is provided at the center of the main surface in the width direction. As shown in FIG. 31, the first transport guide frame 70 has a first station portion 77 and a seventh station portion 78.
A first heating mechanism 80 is provided at positions corresponding to and.

【0131】この第1加熱機構80は、図33に示すよ
うに、第1搬送ガイドフレーム70の内部に配設された
複数のヒータと、図示しない制御部とによって構成され
ている。第1加熱機構80は、第1搬送ガイドフレーム
70を介して下金型部材21を例えばエポキシ樹脂から
なる材料樹脂8の溶融温度である175°Cに温度調節
する。したがって、下金型部材21は、予熱状態にある
ため、その材料樹脂装填部28に装填される材料樹脂8
を効率的に溶融するとともに、装着されたリードフレー
ム10を予熱する。半導体封止装置9は、これにより予
熱工程の短縮が図られている。
As shown in FIG. 33, the first heating mechanism 80 is composed of a plurality of heaters arranged inside the first transport guide frame 70 and a control unit (not shown). The first heating mechanism 80 controls the temperature of the lower mold member 21 to 175 ° C., which is the melting temperature of the material resin 8 made of, for example, an epoxy resin, via the first transport guide frame 70. Therefore, since the lower mold member 21 is in the preheated state, the material resin 8 loaded in the material resin loading portion 28 thereof.
Is efficiently melted and the mounted lead frame 10 is preheated. The semiconductor encapsulation device 9 is thus shortened in the preheating process.

【0132】なお、第1加熱機構80及び後述する第2
加熱機構87、第3加熱機構90とは、それぞれ制御部
を有しており、センサーの出力によってヒータを制御し
て下金型部材21及び上金型部材22の温度調節を行っ
ている。センサーは、図示を省略するが、例えば下金型
部材21及び上金型部材22の内蔵型ではなくこれらに
それぞれ差し込まれる着脱型の熱電対によって構成され
ている。勿論、これら加熱機構は、かかる構成に限定さ
れるものでは無い。
The first heating mechanism 80 and the second heating mechanism described later
The heating mechanism 87 and the third heating mechanism 90 each have a control unit, and control the heater by the output of the sensor to adjust the temperature of the lower mold member 21 and the upper mold member 22. Although not shown, the sensor is not a built-in type of the lower mold member 21 and the upper mold member 22, but is a detachable thermocouple inserted into each of them, for example. Of course, these heating mechanisms are not limited to such a configuration.

【0133】第1搬送ガイドフレーム70には、第1ス
テーション部77の下方部に対応位置して材料樹脂供給
駆動機構81及び下金型部材駆動機構82とが配設され
るとともに、第7ステーション部78の下方部に対応位
置して下金型部材搬送機構83及びイジェクト駆動機構
98とが配設されている。
A material resin supply drive mechanism 81 and a lower die member drive mechanism 82 are disposed on the first transport guide frame 70 at positions corresponding to the lower portion of the first station section 77, and also at the seventh station. A lower die member transport mechanism 83 and an eject drive mechanism 98 are provided at positions corresponding to the lower portion of the portion 78.

【0134】下金型部材駆動機構82は、詳細を省略す
るが例えば図示しない制御部によって駆動されるエアー
シリンダ装置によって構成され、そのピストン部材が搬
送ガイド溝79の底部に設けたガイドスリットから第1
ステーション部77内に進退動作する。下金型部材駆動
機構82は、エアーシリンダ装置が動作されることによ
って、そのピストン部材によって下金型部材21を第2
搬送空間部75の高さ位置まで押し上げる。半導体封止
装置9は、このようにして押上げ動作された下金型部材
21に対して、後述するように前部上金型部材駆動機構
91によって上金型部材22を接近動作させて互いに低
圧状態で組み合わすことにより、上述した低圧型締工程
S−1−3を行う。
The lower die member drive mechanism 82 is composed of, for example, an air cylinder device driven by a control unit (not shown), although its details are omitted, and its piston member is moved from the guide slit provided at the bottom of the conveyance guide groove 79 to the first slit. 1
It moves back and forth in the station section 77. The lower die member drive mechanism 82 moves the lower die member 21 to the second die member by the piston member when the air cylinder device is operated.
Push up to the height position of the transfer space 75. The semiconductor sealing device 9 moves the upper mold member 22 closer to the lower mold member 21 thus pushed up by the front upper mold member driving mechanism 91, as will be described later. By combining in a low pressure state, the above-described low pressure mold clamping step S-1-3 is performed.

【0135】材料樹脂供給駆動機構81は、詳細には、
下金型部材駆動機構82の後段側でかつ第7ステーショ
ン部78に対してやや後段側に位置して下金型部材21
の材料樹脂装填部28に対応して配設されている。材料
樹脂供給駆動機構81は、上述した下金型部材駆動機構
82と同様に、詳細を省略するが例えばエアーシリンダ
装置によって構成される。材料樹脂供給駆動機構81
は、そのピストン部材が搬送ガイド溝79の底部に設け
た図示しないガイドスリットを介して第1ステーション
部77内に進退動作する。
The material resin supply drive mechanism 81 is described in detail below.
The lower mold member drive mechanism 82 is located on the rear stage side and slightly on the rear stage side with respect to the seventh station portion 78, and the lower mold member 21
It is arranged corresponding to the material resin loading section 28 of. The material resin supply drive mechanism 81 is configured by, for example, an air cylinder device, although details thereof are omitted, similar to the lower die member drive mechanism 82 described above. Material resin supply drive mechanism 81
Of the piston moves forward and backward in the first station 77 through a guide slit (not shown) provided at the bottom of the transport guide groove 79.

【0136】半導体封止装置9は、材料樹脂供給駆動機
構81が駆動されてエアーシリンダ装置が動作すると、
そのピストン部材を材料樹脂装填部28の底面開口28
Cから進入させて下金型部材21の材料樹脂供給機構2
9を構成する材料樹脂押出部材30を押し上げ動作させ
る。半導体封止装置9は、これによって半導体封止金型
装置20のキャビティ23へ材料樹脂8を充填供給する
樹脂充填工程S−2−2を行う。
In the semiconductor encapsulation device 9, when the material resin supply drive mechanism 81 is driven to operate the air cylinder device,
The piston member is attached to the bottom opening 28 of the material resin loading portion 28.
Material resin supply mechanism 2 for the lower die member 21 by entering from C
The material resin extruding member 30 constituting 9 is pushed up and operated. The semiconductor encapsulation device 9 thereby performs the resin filling step S-2-2 in which the material resin 8 is filled and supplied into the cavity 23 of the semiconductor encapsulation mold device 20.

【0137】なお、材料樹脂供給機構29による半導体
封止金型装置20のキャビティ23への材料樹脂8の充
填は、上述したように下金型部材21と上金型部材22
とが型締めされた状態で行われる。したがって、材料樹
脂供給機構29の動作は、後述する第3搬送ガイドフレ
ーム72の前段位置に配設された前部トグル型締め駆動
機構92が動作した後に行われる。また、材料樹脂供給
機構29は、材料樹脂8が硬化するにしたがってキャビ
ティ23内において収縮することから、材料樹脂供給駆
動機構81によって材料樹脂装填部28から収縮量に見
あった材料樹脂8を補填供給する。
The filling of the material resin 8 into the cavity 23 of the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 by the material resin supply mechanism 29 is performed by the lower mold member 21 and the upper mold member 22 as described above.
And are performed with the mold clamped. Therefore, the operation of the material resin supply mechanism 29 is performed after the operation of the front toggle mold clamping drive mechanism 92 arranged at the front stage position of the third transport guide frame 72 described later. Further, since the material resin supply mechanism 29 contracts in the cavity 23 as the material resin 8 cures, the material resin supply drive mechanism 81 compensates the material resin 8 from the material resin loading unit 28 for the amount of contraction. Supply.

【0138】下金型部材搬送機構83は、中央部をサイ
ドフレーム73に回動自在に支持された略十字状の回動
フレームと、この回動フレームの各腕部にそれぞれ揺動
自在に支持された4個搬送部材86等から構成されてい
る。回動フレームは、図示しない駆動機構によって10
秒のタクトタイム毎に90°ずつ間欠的に回動動作され
る。搬送部材86は、回動フレームにブランコ状に支持
されることにより水平状態に保持され、その1個が第1
搬送空間部74の後端部、換言すれば第6ステーション
S−6の後端部に対応位置されている。
The lower die member conveying mechanism 83 has a substantially cross-shaped rotating frame whose center is rotatably supported by the side frame 73, and swingably supported by each arm of the rotating frame. The four transport members 86 are formed. The rotating frame is driven by a drive mechanism (not shown).
It is intermittently rotated by 90 ° for each tact time of a second. The transport member 86 is held in a horizontal state by being supported by the swing frame in a swing shape, one of which is the first
It is located at the rear end of the transport space 74, in other words, at the rear end of the sixth station S-6.

【0139】したがって、半導体封止装置9は、後述す
るように後部上金型部材駆動機構95によって上金型部
材22が分離された下金型部材21を、この下金型部材
搬送機構83の搬送部材86に載置して第7ステーショ
ン部78へと搬送する搬送工程S−7−1を行う。第7
ステーション部78には、図示しないがイジェクトされ
たリードフレーム組立体7を下金型部材21から取り出
すためのリードフレーム組立体取出機構が配設されてい
る。
Therefore, in the semiconductor sealing device 9, the lower mold member 21 separated from the upper mold member 22 by the rear upper mold member driving mechanism 95 is transferred to the lower mold member transport mechanism 83 as will be described later. A carrying step S-7-1 of carrying the sheet on the carrying member 86 and carrying it to the seventh station section 78 is performed. Seventh
Although not shown, the station portion 78 is provided with a lead frame assembly take-out mechanism for taking out the ejected lead frame assembly 7 from the lower mold member 21.

【0140】イジェクト駆動機構98も、上述した下金
型部材駆動機構82と同様に、詳細を省略するが例えば
エアーシリンダ装置によって構成される。イジェクト駆
動機構98は、そのピストン部材が搬送ガイド溝79の
底部に設けた図示しないガイドスリットを介して第7ス
テーション部78に対して進退動作する。
The eject drive mechanism 98 is also composed of, for example, an air cylinder device, although details thereof are omitted, similarly to the lower die member drive mechanism 82 described above. The eject drive mechanism 98 has its piston member move forward and backward with respect to the seventh station portion 78 via a guide slit (not shown) provided at the bottom of the transport guide groove 79.

【0141】半導体封止装置9は、イジェクト駆動機構
98が駆動されてエアーシリンダ装置が動作すると、そ
のピストン部材を第7ステーション部78に位置された
下金型部材21の底面部43からイジェクト穴31へと
進入させる。半導体封止装置9は、これによってイジェ
クト機構32のイジェクトピン33をイジェクトスプリ
ング34の弾性力に抗して押し上げ、下金型部材21か
ら添着されたリードフレーム組立体7をイジェクトする
イジェクト工程S−7−2を行う。
In the semiconductor encapsulation device 9, when the eject drive mechanism 98 is driven and the air cylinder device operates, the piston member is ejected from the bottom surface portion 43 of the lower mold member 21 located in the seventh station portion 78 to the eject hole. Enter 31. The semiconductor sealing device 9 thereby pushes up the eject pin 33 of the eject mechanism 32 against the elastic force of the eject spring 34, and ejects the lead frame assembly 7 attached from the lower mold member 21. Perform 7-2.

【0142】半導体封止装置9は、第7ステーション部
78において、リードフレーム組立体取出機構によって
イジェクトされたリードフレーム組立体7を下金型部材
21から取り出すリードフレーム取出工程S−7−3を
行う。半導体封止装置9は、さらに下金型部材21を搬
送部材86によって第7ステーション部78から第1ス
テーション部77へと巡回搬送する搬送工程S−8−1
を行う。また、半導体封止装置9は、この搬送工程S−
8−1において、材料樹脂供給機構29及びイジェクト
機構32とを復帰動作させる復帰工程S−8−2を行
う。
The semiconductor encapsulation device 9 performs, in the seventh station section 78, a lead frame removing step S-7-3 for removing the lead frame assembly 7 ejected by the lead frame assembly removing mechanism from the lower mold member 21. To do. The semiconductor encapsulation apparatus 9 further carries out a carrying step S-8-1 in which the lower die member 21 is cyclically carried by the carrying member 86 from the seventh station section 78 to the first station section 77.
I do. In addition, the semiconductor encapsulation device 9 uses the carrying step S-
In 8-1, a returning step S-8-2 for returning the material resin supplying mechanism 29 and the ejecting mechanism 32 is performed.

【0143】第2搬送ガイドフレーム71は、図31に
示すように、その前端部71Aが第1ステーション部7
7に対応位置されるとともに、後端部71Bが後述する
第6ステーション部89に対応位置されている。また、
第2搬送ガイドフレーム71には、第1搬送ガイドフレ
ーム70の搬送ガイド溝79に対応してその主面の幅方
向の中央部に沿って長手方向の搬送ガイド溝85が設け
られている。この搬送ガイド溝85には、下金型部材2
1が位置決め載置される搬送台が走行される。第2搬送
ガイドフレーム71は、図33に示すように、下金型部
材21と上金型部材22とが型締めされて一体化された
半導体封止金型装置20を、下金型部材21の底面部4
3を搬送台で支えて搬送させる。
As shown in FIG. 31, the front end portion 71A of the second transport guide frame 71 is the first station portion 7.
7, and the rear end portion 71B is located at a sixth station portion 89 described later. Also,
The second transport guide frame 71 is provided with a transport guide groove 85 in the longitudinal direction corresponding to the transport guide groove 79 of the first transport guide frame 70 along the central portion in the width direction of the main surface thereof. In the conveyance guide groove 85, the lower mold member 2
The transport table on which 1 is positioned and placed is run. As shown in FIG. 33, the second conveyance guide frame 71 includes the semiconductor mold unit 20 in which the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are clamped and integrated with each other. Bottom part 4
3 is supported by a carrier and carried.

【0144】第2搬送ガイドフレーム71には、第2加
熱機構87が配設されている。この第2加熱機構87
は、図31に示すように長手方向のほぼ全域に亘って搬
送ガイド溝79を挟んだ両側に位置してその内部に配設
された複数のヒータと、図示しない制御部とによって構
成されている。第2加熱機構87は、第2搬送ガイドフ
レーム71を介して下金型部材21を例えばエポキシ樹
脂からなる材料樹脂8の溶融温度である175°Cに温
度調節する。
A second heating mechanism 87 is arranged on the second transport guide frame 71. This second heating mechanism 87
As shown in FIG. 31, it is composed of a plurality of heaters disposed on both sides of the conveyance guide groove 79 sandwiching the conveyance guide groove 79 over substantially the entire area in the longitudinal direction, and a controller (not shown). . The second heating mechanism 87 controls the temperature of the lower mold member 21 to 175 ° C., which is the melting temperature of the material resin 8 made of, for example, an epoxy resin, via the second transport guide frame 71.

【0145】第2加熱機構87は、上述したように、下
金型部材21に差し込まれるセンサーの出力によって制
御部が制御されて下金型部材21の温度調節を行う。ま
た、第2加熱機構87は、後述するように第3加熱機構
90とによって、下金型部材21と上金型部材22とを
第2搬送空間部75の全域に亘って温度調節する。した
がって、半導体封装装置9は、第2加熱機構87と第3
加熱機構90とにより、第2ステーションS−2乃至第
5ステーションS−5間における半導体封止金型装置2
0に対する上述した各加熱工程を行う。
As described above, the second heating mechanism 87 controls the temperature of the lower mold member 21 by controlling the control unit by the output of the sensor inserted into the lower mold member 21. In addition, the second heating mechanism 87 controls the temperature of the lower mold member 21 and the upper mold member 22 over the entire area of the second transfer space 75 by the third heating mechanism 90 as described later. Therefore, the semiconductor encapsulation device 9 includes the second heating mechanism 87 and the third heating mechanism 87.
With the heating mechanism 90, the semiconductor sealing mold device 2 between the second station S-2 to the fifth station S-5
The above heating steps for 0 are performed.

【0146】第3搬送ガイドフレーム72は、図31に
示すように、その前端部72Aが第2搬送ガイドフレー
ム71の前端部71Aとほぼ同位置とされるとともに、
後端部72Bが第2搬送ガイドフレーム71の後端部7
1Bに対してほぼ半導体封止金型装置20の外形寸法に
対応してやや前方側に位置されている。したがって、第
3搬送ガイドフレーム72は、これによってその後端部
において第2搬送空間部75と第3搬送空間部76とを
連通する第6ステーションS−6に対応する第6ステー
ション部89を構成している。
As shown in FIG. 31, the front end portion 72A of the third conveyance guide frame 72 is located at substantially the same position as the front end portion 71A of the second conveyance guide frame 71.
The rear end portion 72B is the rear end portion 7 of the second transport guide frame 71.
1B, it is located slightly on the front side corresponding to the outer dimensions of the semiconductor encapsulation mold apparatus 20. Therefore, the third transport guide frame 72 thereby constitutes a sixth station portion 89 corresponding to the sixth station S-6 that connects the second transport space portion 75 and the third transport space portion 76 at the rear end thereof. ing.

【0147】第3搬送ガイドフレーム72には、第3加
熱機構90が配設されている。この第3加熱機構90
は、図33に示すように長手方向のほぼ全域に亘って搬
送ガイド溝79を挟んだ両側に位置してその内部に配設
された複数個のヒータと、図示しない制御部とによって
構成されている。第3加熱機構90は、第3搬送ガイド
フレーム72を介して上金型部材22を例えばエポキシ
樹脂からなる材料樹脂8の溶融温度である175°Cに
温度調節する。
A third heating mechanism 90 is arranged on the third transport guide frame 72. This third heating mechanism 90
As shown in FIG. 33, is composed of a plurality of heaters disposed on both sides of the transport guide groove 79 across almost the entire longitudinal direction and arranged inside thereof, and a control unit (not shown). There is. The third heating mechanism 90 adjusts the temperature of the upper mold member 22 to 175 ° C., which is the melting temperature of the material resin 8 made of, for example, an epoxy resin, via the third transport guide frame 72.

【0148】第3加熱機構90は、上述したように、上
金型部材22に差し込まれるセンサーの出力によって制
御部が制御されて上金型部材22の温度調節を行う。第
3加熱機構90は、上述したように第2加熱機構87と
によって、下金型部材21と上金型部材22とを第2搬
送空間部75の全域に亘って温度調節するとともに第3
搬送空間部76を搬送される上金型部材22を予熱す
る。
As described above, the third heating mechanism 90 controls the temperature of the upper mold member 22 by controlling the control unit by the output of the sensor inserted into the upper mold member 22. As described above, the third heating mechanism 90 adjusts the temperature of the lower mold member 21 and the upper mold member 22 over the entire area of the second transfer space portion 75 by the second heating mechanism 87, and at the same time
The upper mold member 22 transported in the transport space 76 is preheated.

【0149】第3搬送ガイドフレーム72には、その上
方部に位置して前段側に前部上金型部材駆動機構91と
前部トグル型締め駆動機構92とが配設されるととも
に、後段側に型締機構93と後部トグル型締め駆動機構
94及び後部上金型部材駆動機構95とが配設されてい
る。
The third transport guide frame 72 is provided with a front upper mold member drive mechanism 91 and a front toggle mold clamping drive mechanism 92 on the front side of the third transport guide frame 72, and at the rear stage side. A mold clamping mechanism 93, a rear toggle mold clamping drive mechanism 94, and a rear upper mold member drive mechanism 95 are provided in the.

【0150】前部上金型部材駆動機構91は、第3搬送
ガイドフレーム72の前端部72Aの前方側、すなわち
第1ステーション部77に対応して配設されている。前
部上金型部材駆動機構91は、詳細を省略するが例えば
図示しない制御部によって駆動されるエアーシリンダ装
置によって構成され、上下方向に動作するとともにその
先端部に吸着ヘッド91Aが取り付けられている。
The front upper die member driving mechanism 91 is arranged in front of the front end portion 72A of the third conveyance guide frame 72, that is, corresponding to the first station portion 77. The front upper mold member driving mechanism 91 is composed of, for example, an air cylinder device driven by a control unit (not shown) although its details are omitted. The front upper mold member driving mechanism 91 operates in the vertical direction and has a suction head 91A attached to its tip. .

【0151】したがって、前部上金型部材駆動機構91
は、図31に示すように、吸着ヘッド91Aによってホ
ルダー88を吸着保持することによって第1ステーショ
ン部77に位置する上金型部材22を保持する。前部上
金型部材駆動機構91は、この状態からエアーシリンダ
装置が動作することによって上金型部材22を第2搬送
空間部75の位置まで押し下げる。半導体封止装置9
は、これによって上金型部材22が下金型部材21に対
して低圧状態で型締めされる上述した低圧型締め工程S
−1−3を行う。
Therefore, the front upper die member drive mechanism 91
As shown in FIG. 31, the suction head 91A sucks and holds the holder 88 to hold the upper mold member 22 located at the first station portion 77. The front upper die member drive mechanism 91 pushes down the upper die member 22 to the position of the second transfer space portion 75 by operating the air cylinder device from this state. Semiconductor sealing device 9
Is the above-mentioned low-pressure mold clamping step S in which the upper mold member 22 is clamped to the lower mold member 21 in a low pressure state.
-1-3 is performed.

【0152】半導体封止装置9は、下金型部材21と上
金型部材22とを低圧型締め状態で搬送機構を介して第
2搬送空間部75へと搬送する搬送工程及び第2搬送空
間部75において第2加熱機構87と第3加熱機構90
とによってこれら下金型部材21と上金型部材22とを
予熱する搬送予熱工程S−2−1を行う。
In the semiconductor sealing device 9, the lower die member 21 and the upper die member 22 are transported to the second transport space portion 75 via the transport mechanism in the low pressure mold clamping state and the second transport space. In the portion 75, the second heating mechanism 87 and the third heating mechanism 90
The carrying preheating step S-2-1 for preheating the lower mold member 21 and the upper mold member 22 is performed by the.

【0153】前部トグル型締め駆動機構92は、第2搬
送空間部75の第2ステーション部に対応して半導体封
止金型装置20の搬送路を挟んだ両側に配設されてい
る。前部トグル型締め駆動機構92は、詳細を省略する
が例えば図示しない制御部によって駆動される一対のエ
アーシリンダ装置によって構成される。この前部トグル
型締め駆動機構92には、上下方向に動作されるピスト
ン部材の先端部が第1ステーション部77に位置する半
導体封止金型装置20のトグル型締め機構36の連結部
材40に対応位置されている。
The front toggle mold clamping drive mechanism 92 is arranged on both sides of the second sealing space 75 corresponding to the second station, with the transportation path of the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 in between. The front toggle mold clamping drive mechanism 92 is composed of, for example, a pair of air cylinder devices driven by a controller (not shown), although details thereof are omitted. This front toggle mold clamping drive mechanism 92 is connected to the connecting member 40 of the toggle mold clamping mechanism 36 of the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 in which the tip of the vertically operated piston member is located at the first station 77. Corresponding position is.

【0154】したがって、前部トグル型締め駆動機構9
2は、ピストン部材によって連結部材40を押下げ駆動
してトグル型締め機構36を全体すぼまった状態とす
る。半導体封止金型装置20は、これによって上述した
ように型締め保持機構が動作して下金型部材21と上金
型部材22とを型締め状態に自己保持する。
Therefore, the front toggle mold clamping drive mechanism 9
In No. 2, the piston member pushes down the connecting member 40 to bring the toggle mold clamping mechanism 36 into a state where it is entirely collapsed. In the semiconductor-sealed mold device 20, the mold-clamping holding mechanism operates as described above, and the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are self-held in the mold-clamped state.

【0155】型締機構93は、第2搬送空間部75の第
2ステーション部に対応して前部トグル型締め駆動機構
92の後段位置に配設されており、詳細を省略するが例
えば図示しない制御部によって駆動されるエアーシリン
ダ装置によって構成される。型締機構93は、エアーシ
リンダ装置が動作されることによってそのピストン部材
が上金型部材22の上面部50を押圧する。
The mold clamping mechanism 93 is disposed at a rear stage position of the front toggle mold clamping drive mechanism 92 corresponding to the second station portion of the second transfer space 75, and details thereof are omitted, but not shown. It is composed of an air cylinder device driven by a controller. In the mold clamping mechanism 93, the piston member presses the upper surface portion 50 of the upper mold member 22 when the air cylinder device is operated.

【0156】半導体封止装置9は、これによって上金型
部材22が下金型部材21に対して所定の型締め力を以
って強く押し付けられて型締め状態とする型締め工程S
−2−2を行う。半導体封止装置9は、この半導体封止
金型装置20の型締め動作とともに上述した材料樹脂供
給駆動機構81の動作による材料樹脂8のキャビティ2
3への充填供給が行われる。
In the semiconductor encapsulation device 9, the upper mold member 22 is strongly pressed against the lower mold member 21 with a predetermined mold clamping force, whereby the mold clamping step S is performed.
-2-2. The semiconductor encapsulation device 9 has a cavity 2 for the material resin 8 by the operation of the material resin supply drive mechanism 81 described above together with the mold clamping operation of the semiconductor encapsulation mold device 20.
3 is filled and supplied.

【0157】後部トグル型締め駆動機構94は、第3搬
送ガイドフレーム72の後端部72Bの後方側、すなわ
ち第6ステーション部89の上方部に対応して配設され
ている。後部トグル型締め駆動機構94は、詳細を省略
するが例えば図示しない制御部によって駆動される一対
のエアーシリンダ装置によって構成されている。これら
後部トグル型締め駆動機構94は、上下方向に動作され
るピストン部材の先端部が第7ステーション部77に位
置する半導体封止金型装置20のトグル型締め機構36
の連結部材40に対応位置されている。また、ピストン
部材は、詳細を省略するが、その先端部が鉤状とされて
フックが一体に形成されている。
The rear toggle-type clamping drive mechanism 94 is arranged on the rear side of the rear end portion 72B of the third transport guide frame 72, that is, on the upper side of the sixth station portion 89. The rear toggle mold clamping drive mechanism 94 is composed of, for example, a pair of air cylinder devices driven by a controller (not shown), although details thereof are omitted. These rear toggle mold clamping drive mechanism 94 includes the toggle mold clamping mechanism 36 of the semiconductor encapsulation mold device 20 in which the front end of the piston member that is vertically moved is located at the seventh station 77.
Corresponding to the connecting member 40 of FIG. Further, although details are omitted, the piston member has a hook-shaped integrally formed hook at its tip.

【0158】以上のように構成された後部トグル型締め
駆動機構94は、上述したように前部トグル型締め駆動
機構92によって全体がすぼまった状態とされて半導体
封止金型装置20を自己保持するトグル型締め機構36
を駆動する。すなわち、後部トグル型締め駆動機構94
は、ピストン部材が降下してその先端部のフックがトグ
ル型締め機構36の連結部材40と相対係合する。しか
る後、後部トグル型締め駆動機構94は、エアーシリン
ダ装置が動作してピストン部材を引き上げることによ
り、フックを介して連結部材40を引上げ動作する。半
導体封止装置9は、これによって半導体封止金型装置2
0のトグル型締め機構36による型締めの自己保持状態
を解除する型締解除工程S−6−2を行う。
The rear toggle mold clamping drive mechanism 94 configured as described above is set in a state in which the whole is closed by the front toggle mold clamping drive mechanism 92 as described above, and the semiconductor encapsulation mold device 20 is mounted. Self-holding toggle type tightening mechanism 36
Drive. That is, the rear toggle mold clamping drive mechanism 94
, The piston member descends and the hook at the tip end thereof relatively engages with the connecting member 40 of the toggle mold clamping mechanism 36. Thereafter, the rear toggle mold clamping drive mechanism 94 pulls up the connecting member 40 via the hook by the air cylinder device operating to pull up the piston member. As a result, the semiconductor encapsulation device 9 is provided with the semiconductor encapsulation mold device 2
The mold clamping release step S-6-2 of releasing the self-holding state of the mold clamping by the toggle mold clamping mechanism 36 of 0 is performed.

【0159】後部上金型部材駆動機構95は、後部トグ
ル型締め駆動機構94の中央部に位置して第3搬送ガイ
ドフレーム72の後端部72Bの後方側、すなわち第6
ステーション部89の上方部に配設されている。後部上
金型部材駆動機構95は、詳細を省略するが例えば図示
しない制御部によって駆動されるエアーシリンダ装置に
よって構成され、上下方向に動作するとともにその先端
部に吸着ヘッド95Aが取り付けられている。
The rear upper die member drive mechanism 95 is located at the center of the rear toggle mold clamping drive mechanism 94 and is located on the rear side of the rear end portion 72B of the third conveyance guide frame 72, that is, the sixth portion.
It is arranged above the station unit 89. The rear upper mold member driving mechanism 95 is configured by an air cylinder device driven by a control unit (not shown), although details thereof are omitted, and it operates in the vertical direction and has a suction head 95A attached to its tip.

【0160】したがって、後部上金型部材駆動機構95
は、図31に示すように、吸着ヘッド95Aによってホ
ルダー88を吸着保持することにより、第6ステーショ
ン部89に位置する上金型部材22を保持する。後部上
金型部材駆動機構95は、この状態からエアーシリンダ
装置が動作することによって上金型部材22を第2搬送
空間部75から第3搬送空間部76の位置まで押し下げ
る。半導体封止装置9は、これによって上金型部材22
を下金型部材21から離間させて型開きする上述した型
開き工程S−6−3を行う。半導体封止装置9は、下金
型部材21が第2搬送空間部75中を第7ステーション
部78まで搬送するのに対して、上金型部材22が第2
搬送空間部75中を第6ステーション部89まで搬送さ
れる。下金型部材21は、上述したように第7ステーシ
ョン部78においてリードフレーム組立体7のイジェク
ト動作、取出動作とが行われる。一方、上金型部材21
は、第6ステーション部89から第3搬送空間部76へ
と移動された後、搬送機構によって第1ステーション部
77へと巡回搬送される。
Therefore, the rear upper die member drive mechanism 95
As shown in FIG. 31, the suction head 95A sucks and holds the holder 88 to hold the upper die member 22 located at the sixth station portion 89. The rear upper die member driving mechanism 95 pushes the upper die member 22 from the second transfer space portion 75 to the third transfer space portion 76 by operating the air cylinder device from this state. As a result, the semiconductor encapsulation device 9 is configured so that
Is opened from the lower mold member 21 to perform the mold opening step S-6-3 described above. In the semiconductor encapsulation device 9, the lower mold member 21 conveys in the second conveying space 75 to the seventh station 78, while the upper mold member 22 conveys the second mold.
The paper is transported in the transport space 75 to the sixth station 89. As described above, the lower die member 21 performs the ejecting operation and the ejecting operation of the lead frame assembly 7 in the seventh station portion 78. On the other hand, the upper mold member 21
After being moved from the sixth station section 89 to the third transfer space section 76, it is cyclically transferred to the first station section 77 by the transfer mechanism.

【0161】以上のように半導体封止装置9は、8組の
半導体封止金型装置20を水平方向の上下3段の第1搬
送空間部74乃至第3搬送空間部76に沿って、各工程
毎に10秒のタクトタイムを以って巡回搬送させる。し
たがって、半導体封止装置9は、供給されたリードフレ
ーム10からそのチップ実装開口部11に実装された半
導体チップ2の外周部を封装する封装樹脂5をアウトサ
ート成形したリードフレーム組立体7を10秒に1個ず
つ製造する。
As described above, in the semiconductor encapsulation device 9, each of the eight sets of semiconductor encapsulation mold devices 20 is arranged along the first transfer space 74 to the third transfer space 76 in the upper and lower three stages in the horizontal direction. Each process is cyclically transported with a takt time of 10 seconds. Therefore, the semiconductor encapsulation device 9 includes the lead frame assembly 7 that is outsert-molded with the encapsulating resin 5 that encloses the outer peripheral portion of the semiconductor chip 2 mounted in the chip mounting opening 11 from the supplied lead frame 10. Produce one per second.

【0162】半導体封止装置9は、第1搬送空間部74
乃至第3搬送空間部76を構成する第1搬送ガイドフレ
ーム70乃至第3搬送ガイドフレーム72の内部に第1
加熱機構80、第2加熱機構87及び第3加熱機構90
を備えることによって、半導体封止金型装置20を効率
的に加熱することから、加熱時間の短縮が図られるとと
もに、安定した品質のリードフレーム組立体7を生産す
る。
The semiconductor encapsulation device 9 includes the first transfer space portion 74.
Through the first transport guide frame 70 through the third transport guide frame 72 that form the third transport space portion 76
Heating mechanism 80, second heating mechanism 87, and third heating mechanism 90
Since the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 is efficiently heated by providing the above, the heating time can be shortened, and the lead frame assembly 7 of stable quality is produced.

【0163】また、半導体封止装置9は、上述した各加
熱機構80、87、90とともに半導体封止金型装置2
0の型締め機構、型締め解除機構或いはイジェクト機構
等を駆動する各機構を第1搬送空間部74乃至第3搬送
空間部76に設置したことにより、半導体封止金型装置
20を小型で簡易な構造とする。したがって、半導体封
止装置9は、全体がより小型化されるとともに仕様変更
等に際しての半導体封止金型装置20の交換等が簡単に
行われる。半導体封止装置9は、従来の半導体封止装置
と比較して極めて廉価であるとともに省スペース化がは
かられているため、同一領域に複数台設置が可能とさ
れ、全体での生産性の向上を達成する。
In addition, the semiconductor encapsulation device 9 includes the above-mentioned heating mechanisms 80, 87, 90 together with the semiconductor encapsulation mold device 2.
The semiconductor encapsulation mold apparatus 20 is small and simple by installing each mechanism for driving the mold clamping mechanism, the mold clamping release mechanism, the eject mechanism, etc. of 0 in the first transfer space portion 74 to the third transfer space portion 76. It has a different structure. Therefore, the semiconductor encapsulation device 9 can be downsized as a whole, and the semiconductor encapsulation mold device 20 can be easily replaced when the specifications are changed. Since the semiconductor encapsulation device 9 is extremely inexpensive as compared with the conventional semiconductor encapsulation device and saves space, a plurality of semiconductor encapsulation devices 9 can be installed in the same area, and the overall productivity can be improved. Achieve improvement.

【0164】上述したように、半導体封止装置9は、第
1搬送ガイドフレーム70乃至第3ガイドフレーム72
によって互いに平行な上下3段の第1搬送空間部74乃
至第3搬送空間部76が構成されている。第1搬送ガイ
ドフレーム70乃至第3ガイドフレーム72には、その
内部にそれぞれ第1加熱機構80、第2加熱機構87及
び第3加熱機構90を配設することによって半導体封止
金型装置20を加熱するように構成している。したがっ
て、半導体封止装置9は、半導体封止金型装置20の予
熱を行わない場合には、少なくとも上下2段の搬送ガイ
ドフレームによって第1搬送空間部74乃至第3搬送空
間部76をそれぞれ構成すればよい。
As described above, the semiconductor encapsulation device 9 includes the first transfer guide frame 70 to the third guide frame 72.
The upper and lower three stages of the first transport space 74 to the third transport space 76 are parallel to each other. The semiconductor encapsulation mold apparatus 20 is provided by disposing the first heating mechanism 80, the second heating mechanism 87, and the third heating mechanism 90 inside the first transport guide frame 70 to the third guide frame 72, respectively. It is configured to be heated. Therefore, in the semiconductor encapsulation device 9, when the semiconductor encapsulation mold device 20 is not preheated, the first conveyance space portion 74 to the third conveyance space portion 76 are configured by at least upper and lower two-stage conveyance guide frames, respectively. do it.

【0165】本発明は、上述した半導体封止金型装置2
0及び半導体封止装置9に限定されるものでは無く、以
下のように種々展開される。なお、以下の説明におい
て、半導体封止装置9及び半導体封止金型装置20と同
等の構成部位については同一符号を付すことによってそ
の詳細な説明を省略する。
The present invention relates to the semiconductor encapsulation mold apparatus 2 described above.
0 and the semiconductor encapsulation device 9 are not limited to the above and various developments are made as follows. In the following description, the same components as those of the semiconductor encapsulation device 9 and the semiconductor encapsulation mold device 20 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0166】半導体封止金型装置20は、図34に示し
た他の実施例に展開される。この半導体封止金型装置2
0は、下金型部材21と上金型部材22のクリーニング
レス化とイジェクト機構32の小型化を図ったことを特
徴としている。すなわち、下金型部材21は、その主面
24に例えばDLC、TiN、ICr、プロトニクスシ
ステムTA等のコーティング材によるコーティング処理
等を施してコーティング面55が形成されている。コー
ティング面55は、高硬度で表面磨耗抵抗が小さな主面
24を構成している。
The semiconductor encapsulation mold apparatus 20 is developed in another embodiment shown in FIG. This semiconductor encapsulation mold device 2
No. 0 is characterized in that the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are made cleaning-less and the eject mechanism 32 is downsized. That is, the main surface 24 of the lower mold member 21 is coated with a coating material such as DLC, TiN, ICr, or Protonics System TA to form a coating surface 55. The coating surface 55 constitutes the main surface 24 having high hardness and low surface abrasion resistance.

【0167】同様に、上金型部材22にも、その主面4
4に例えばDLC、TiN、ICr、プロトニクスシス
テムTA等のコーティング材によるコーティング処理等
を施こすことによりコーティング面56が形成されてい
る。コーティング面56は、高硬度で表面磨耗抵抗が小
さな主面44を構成している。
Similarly, the upper die member 22 has its main surface 4
A coating surface 56 is formed by subjecting 4 to a coating treatment with a coating material such as DLC, TiN, ICr, or Protonics System TA. The coating surface 56 constitutes the main surface 44 having high hardness and low surface abrasion resistance.

【0168】上述した各コーティング材によるコーティ
ング処理の特性は以下の表1の通りである。DLCコー
ティング処理については、膜厚は薄いが、母材の硬度を
高くすれば下金型部材21と及び上金型部材22のキャ
ビティ23を構成する主面24、44の変形を妨げるこ
とが可能であり、極めて好適である。
The characteristics of the coating treatment with the above-mentioned coating materials are as shown in Table 1 below. Regarding the DLC coating process, although the film thickness is thin, if the hardness of the base material is increased, it is possible to prevent the deformation of the lower mold member 21 and the main surfaces 24 and 44 forming the cavity 23 of the upper mold member 22. And is very suitable.

【0169】[0169]

【表1】 [Table 1]

【0170】下金型部材21と上金型部材22とは、上
述したコーティング面55、56を形成するために、塗
布されたDLCコーテング材を焼き付けるために炉処理
が必要である。半導体封止金型装置20は、上述したよ
うに小型、軽量化に構成されることから、大型の処理炉
を不要とし、主面のコーティング処理の実現を可能とし
ている。一般に、従来の処理炉では、多数個取りを行う
リードフレームを装着してリードフレーム組立体を成形
する半導体封止金型装置を処理可能なものは提供されて
いない。
The lower mold member 21 and the upper mold member 22 require furnace treatment for baking the applied DLC coating material in order to form the above-mentioned coating surfaces 55, 56. Since the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 is configured to be small and lightweight as described above, it does not require a large processing furnace and can realize coating processing on the main surface. Generally, conventional processing furnaces do not provide a semiconductor encapsulation mold apparatus capable of processing a lead frame assembly for forming a lead frame assembly by mounting a plurality of lead frames.

【0171】半導体封止金型装置20は、下金型部材2
1と上金型部材22の主面24、44に上述したコーテ
ィング面55、56を形成したことにより、リードフレ
ーム組立体7の離型特性が向上されることからイジェク
ト機構32の簡易化が図られる。すなわち、金型装置に
おいては、一方の金型部材に添着した成形体をイジェク
トピンによってイジェクトするとともに、これらイジェ
クトピンを初期位置へと確実に復帰動作させる。したが
って、金型装置は、成形体の離型特性が悪い場合には、
イジェクトピンに対して大きなイジェクト力を作用させ
るとともに、イジェクトピンの大きな復帰力も必要とな
る。
The semiconductor encapsulation mold apparatus 20 comprises the lower mold member 2
1 and the above-described coating surfaces 55 and 56 on the main surfaces 24 and 44 of the upper mold member 22, the release characteristics of the lead frame assembly 7 are improved, so that the eject mechanism 32 is simplified. To be That is, in the mold apparatus, the molded body attached to one mold member is ejected by the eject pins, and these eject pins are surely returned to the initial position. Therefore, if the mold release characteristics of the molded product are poor, the mold device
It is necessary to apply a large ejecting force to the eject pin and also a large returning force of the eject pin.

【0172】金型装置は、一般に金型部材の背面側に、
イジェクトピンを設けたイジェクトプレートを移動自在
に配設し、このイジェクトプレートをリターンピン或い
はリターンスプリング等によって復帰動作させるように
構成される。したがって、金型装置は、イジェクトプレ
ート或いはそのリターン機構によって全体が大型化す
る。
The mold device is generally provided on the back side of the mold member,
An eject plate provided with an eject pin is movably arranged, and the eject plate is returned by a return pin or a return spring. Therefore, the entire mold apparatus becomes large due to the eject plate or the return mechanism thereof.

【0173】半導体封止金型装置20は、上述した構成
によってリードフレーム組立体7の離型特性の向上が図
られたことにより、比較的軽微な弾性力によりイジェク
トピン33の復帰動作が可能となる。これによって、半
導体封止金型装置20は、上述したようにイジェクトピ
ン33が下金型部材21の内部に収納され、全体として
小型化が図られている。
In the semiconductor encapsulation mold apparatus 20, the release characteristics of the lead frame assembly 7 are improved by the above-described structure, so that the eject pin 33 can be returned by a relatively small elastic force. Become. As a result, in the semiconductor-sealed mold device 20, the eject pin 33 is housed inside the lower mold member 21 as described above, and the overall size is reduced.

【0174】半導体封止金型装置20は、図35乃至図
39に示した他の実施例にも展開される。この半導体封
止金型装置20は、下金型部材21と上金型部材22と
がその型締め状態をより確実に自己保持されることによ
って装填部バリや端子部バリの発生が抑制されかつリー
ドフレーム10に封装樹脂5が精密にアウトサート成形
されるように構成したことを特徴としている。
The semiconductor encapsulation mold apparatus 20 can be applied to other embodiments shown in FIGS. 35 to 39. In this semiconductor encapsulation mold apparatus 20, the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are more reliably self-held in their clamped states, so that the occurrence of loading portion burrs and terminal portion burrs is suppressed, and It is characterized in that the lead frame 10 is configured so that the encapsulating resin 5 is precisely outsert-molded.

【0175】すなわち、半導体封止金型装置20は、下
金型部材21の相対する2側面にそれぞれ配設され、こ
の下金型部材21と上金型部材22との型締め状態を自
己保持する一対のトグル型締め機構36にそれぞれ型締
めスプリング59が付設されて構成されている。なお、
トグル型締め機構36は、上述した第1のトグル型締め
機構と比較して、第1リンクレバー57と、型締めスプ
リング59と、下金型部材21に形成されたスプリング
掛止部60との構成を異にするが、その他の基本構成を
同様にしている。
That is, the semiconductor encapsulating mold apparatus 20 is provided on each of two opposing side surfaces of the lower mold member 21, and the mold clamping state between the lower mold member 21 and the upper mold member 22 is self-maintained. The pair of toggle mold clamping mechanisms 36 are provided with mold clamping springs 59, respectively. In addition,
The toggle mold clamping mechanism 36 includes a first link lever 57, a mold clamping spring 59, and a spring hooking portion 60 formed on the lower mold member 21, as compared with the first toggle mold clamping mechanism described above. The configuration is different, but other basic configurations are the same.

【0176】トグル型締め機構36は、一端部を支軸3
7A、37Bに回動自在に支持された第1リンクレバー
57A、57Bと、これら第1リンクレバー57A、5
7Bの自由端に回動自在に支持された第2リンクレバー
38A、38Bと、これら第2リンクレバー38A、3
8Bの自由端を連結する連結部材40及び型締めスプリ
ング59とから構成される。第1リンクレバー57は、
図36に示すように、その上方部が緩やかに外側へと折
曲されることによって外側縁に係合凹部58を構成した
略7字状を呈している。
The toggle type tightening mechanism 36 has one end with the support shaft 3
7A and 37B, the first link levers 57A and 57B rotatably supported, and the first link levers 57A and 57B.
Second link levers 38A, 38B rotatably supported on the free end of 7B, and second link levers 38A, 3B.
It is composed of a connecting member 40 for connecting the free ends of 8B and a mold clamping spring 59. The first link lever 57 is
As shown in FIG. 36, the upper portion thereof is gently bent outward so as to form an engaging concave portion 58 at an outer edge thereof in a substantially seven-character shape.

【0177】これら第1リンクレバー57A、57B
は、図35及び図36に示すように、互いに重なり合わ
ないようにして下端部が支軸37に抜止めされて回動自
在に支持されている。第2リンクレバー38A、38B
も、互いに重なり合わないようにして下端部が第1リン
クレバー57A、57Bの自由端にそれぞれ抜止めされ
て回動自在に支持されている。連結部材40は、第2リ
ンクレバー38A、38Bの自由端を一体に連結する
が、図35に示すように、型締めスプリング59の一端
部を掛け合わすスプリング掛止部61が形成されてい
る。
These first link levers 57A and 57B
As shown in FIG. 35 and FIG. 36, the lower end portions of the shafts are rotatably supported by the support shaft 37 so that they do not overlap each other. Second link lever 38A, 38B
Also, the lower end portions of the first link levers 57A and 57B are rotatably supported so as not to overlap with each other and to be retained by the free ends of the first link levers 57A and 57B. The connecting member 40 integrally connects the free ends of the second link levers 38A and 38B, but as shown in FIG. 35, a spring hooking portion 61 for hooking one end of the mold clamping spring 59 is formed.

【0178】下金型部材21には、支軸37Aと支軸3
7Bとの中央部に位置してスプリング掛止部60が設け
られている。型締めスプリング59は、一端部59Aが
このスプリング掛止部60に掛け合わされるとともに、
引張り状態で他端部59Bが連結部材40側のスプリン
グ掛止部61に掛け合わされる。
The lower die member 21 includes a support shaft 37A and a support shaft 3
A spring hooking portion 60 is provided at the center of 7B. In the mold clamping spring 59, one end 59A is engaged with the spring retaining portion 60, and
In the pulled state, the other end portion 59B is hooked on the spring hooking portion 61 on the connecting member 40 side.

【0179】以上のように構成されるトグル型締め機構
36は、型締めスプリング59の必要弾性力Fyが、図
39から、 −Fy×a+1/2 ×Fy×tan θ×b−Q×sin α×c+Q×cos α×d=0 ・・・式1 a:支軸37とスプリング掛止部60との間隔 b:第1リンクレバー57の長さ寸法 c:支軸37と上金型部材22側の係合ピン48との間
隔 θ:初期位置の第2リンクレバー39の角度 α:締結状態の第2リンクレバー39の角度 Q:係合凹部58を介して係合ピン48に作用する型締
めスプリング59の必要弾性力Fyの分力で求められ
る。
In the toggle mold clamping mechanism 36 configured as described above, the required elastic force F y of the mold clamping spring 59 is -F y × a + 1/2 × F y × tan θ × b-Q from FIG. 39. × sin α × c + Q × cos α × d = 0 ... Equation 1 a: Distance between the support shaft 37 and the spring retaining portion 60 b: Length of the first link lever 57 c: Support shaft 37 and upper metal Distance from the engaging pin 48 on the die member 22 side: Angle of the second link lever 39 at the initial position α: Angle of the second link lever 39 in the fastening state Q: At the engaging pin 48 via the engaging recess 58 It is obtained by the component force of the required elastic force F y of the mold clamping spring 59 that acts.

【0180】型締めスプリング59は、例えば各部の寸
法値を次に設定した場合、上記式1より、初期荷重が
3.1Kgの引張りバネを採用すればよい。 a=26.2mm b=52.778mm c=43.798mm d=0.34558mm θ=83° α=5° 式1=−Fy×26.2+1/2×Fy×tan 83°×5
2.778−Q×sin5°×43.798+Q×cos 5
°×0.34558=403.64Fy−3.473Q
=0 これより、Fy=3.473Q/403.64・・・式2 ここで、必要型締め力Pは、P=Qcos α=0.996
Qであることから、Q=1.0038Pとなり、これを
式(2)代入して型締めスプリング59の必要弾性力F
yを求めると、 Fy=3.473×1.0038P/403.64・・・式3 となる。
As the mold clamping spring 59, for example, when the dimensional values of the respective parts are set next, a tension spring having an initial load of 3.1 Kg may be adopted from the above formula 1. a = 26.2 mm b = 52.778 mm c = 43.798 mm d = 0.34558 mm θ = 83 ° α = 5 ° Formula 1 = −F y × 26.2 + 1/2 × F y × tan 83 ° × 5
2.778-Qxsin5 ° x43.798 + Qxcos5
° × 0.34558 = 403.64F y −3.473Q
= 0 From this, F y = 3.473Q / 403.64 ... Equation 2 Here, the required mold clamping force P is P = Qcos α = 0.996.
Since Q, Q = 1.0038P, which is substituted into the equation (2) to obtain the required elastic force F of the mold clamping spring 59.
When y is calculated, F y = 3.473 × 1.0038P / 403.64 ...

【0181】トグル型締め機構36は、半導体封止金型
装置20の両側面に配設され、また材料樹脂5の押出圧
力から、P≒350kgとすると、型締めスプリング59
の必要弾性力Fyは、 Fy=3.473 ×1.0038P/403.64=3.473 ×1.0038×350
/403.64≒3.02kg となる。したがって、型締めスプリング59は、初期荷
重で3.1Kg以上の引張りバネが採用される。
The toggle mold clamping mechanism 36 is disposed on both side surfaces of the semiconductor encapsulation mold device 20, and when the pressure of the material resin 5 is set to P≈350 kg, the mold clamping spring 59 is provided.
The required elastic force F y is F y = 3.473 × 1.0038P / 403.64 = 3.473 × 1.0038 × 350
/403.64 ≈ 3.02 kg. Therefore, as the mold clamping spring 59, a tension spring having an initial load of 3.1 kg or more is used.

【0182】以上のように構成された半導体封止金型装
置20は、下金型部材21と上金型部材22とが型開き
した状態において、図36に示すようにトグル型締め機
構36の連結部材40が中立点の上方に位置している。
同図に示したトグル型締め機構36においては、第1リ
ンクレバー57と第2リンクレバー39の連結部が支軸
37とスプリング掛止め部61とを結ぶ直線上から外側
に位置していることにより、型締めスプリング59の弾
性力が左右の第1リンクレバー57と第2リンクレバー
39とをすぼませる方向に作用する。したがって、上述
した前部トグル型締め駆動機構92は、この型締めスプ
リング59の弾性力に抗して連結部材40を押し上げた
状態に係止して、下金型部材21と上金型部材22とを
型開き状態に保持する機構として構成される。
In the semiconductor encapsulating mold apparatus 20 constructed as described above, in the state where the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are opened, as shown in FIG. The connecting member 40 is located above the neutral point.
In the toggle type tightening mechanism 36 shown in the figure, the connecting portion of the first link lever 57 and the second link lever 39 is located outside from the straight line connecting the support shaft 37 and the spring hooking portion 61. As a result, the elastic force of the mold clamping spring 59 acts in the direction in which the left and right first link levers 57 and the second link lever 39 are collapsed. Therefore, the front toggle mold clamping drive mechanism 92 described above locks the connecting member 40 in a pushed-up state against the elastic force of the mold clamping spring 59, and the lower mold member 21 and the upper mold member 22. It is configured as a mechanism for holding and in the mold open state.

【0183】勿論、トグル型締め機構36は、第1リン
クレバー57と第2リンクレバー39の連結部を、支軸
37とスプリング掛止め部61とを結ぶ直線上から内側
に位置させて、型締めスプリング59の弾性力が左右の
第1リンクレバー57と第2リンクレバー39とを互い
に中央側へと引き寄せる方向に作用させるように構成し
てもよい。この場合、上述した前部トグル型締め駆動機
構92は、第1リンクレバー57と第2リンクレバー3
9とが互いに突っ張り合った状態を呈し、下金型部材2
1と上金型部材22とが型開き状態に保持されることに
なる。
Of course, in the toggle mold clamping mechanism 36, the connecting portion of the first link lever 57 and the second link lever 39 is positioned inside from the straight line connecting the support shaft 37 and the spring retaining portion 61, and The elastic force of the tightening spring 59 may be configured to cause the left and right first link levers 57 and the second link lever 39 to act in a direction of pulling the first link lever 57 and the second link lever 39 toward the center side. In this case, the above-described front toggle mold clamping drive mechanism 92 includes the first link lever 57 and the second link lever 3
9 and 9 are in a state of sticking to each other, and the lower mold member 2
1 and the upper mold member 22 are held in the mold open state.

【0184】半導体封止金型装置20は、上述した型締
め工程S−2−2において、トグル型締め機構36の連
結部材40が前部トグル型締め駆動機構92による係止
状態を解除される。トグル型締め機構36は、型締めス
プリング59の弾性力によって左右の第1リンクレバー
57と第2リンクレバー39とが支軸37及び連結部を
支点としてそれぞれ外側へと回動動作し、下金型部材2
1に対して上金型部材22を引き付けながら全体として
すぼまった状態となる。
In the semiconductor encapsulation mold apparatus 20, in the mold clamping step S-2-2, the connecting member 40 of the toggle mold clamping mechanism 36 is released from the locked state by the front toggle mold clamping drive mechanism 92. . In the toggle mold clamping mechanism 36, the elastic force of the mold clamping spring 59 causes the left and right first link levers 57 and the second link lever 39 to pivot outward with the support shaft 37 and the connecting portion as fulcrums, respectively, and Mold member 2
While the upper mold member 22 is attracted to 1, the overall state is reduced.

【0185】ところで、半導体封止金型装置20は、下
金型部材21に対して材料樹脂8の装填及びリードフレ
ーム10の装着を行った後、上述したように前部上金型
部材駆動機構91によって上金型部材22が押圧動作さ
れて、図37に示すように、下金型部材21に対して位
置決めされた状態で型締めが行われる。下金型部材21
と上金型部材22とは、この場合、上述したように低圧
で型締めされた状態にある。
By the way, in the semiconductor encapsulation mold apparatus 20, after the material resin 8 and the lead frame 10 are mounted on the lower mold member 21, the front upper mold member driving mechanism is operated as described above. The upper die member 22 is pressed by 91, and as shown in FIG. 37, the die is clamped while being positioned with respect to the lower die member 21. Lower mold member 21
In this case, the upper mold member 22 and the upper mold member 22 are in a state of being clamped at a low pressure as described above.

【0186】半導体封止金型装置20は、半導体封止装
置9側の型締め機構93によって下金型部材21に対し
て上金型部材22が所定の型締め力を以って押圧されて
型締めが行われ、この状態で材料料樹脂供給駆動機構8
1の動作により材料樹脂供給機構29が材料樹脂装填部
28から材料樹脂8をキャビティ23へと押し出す樹脂
充填工程が行われる。材料樹脂8は、キャビティ23内
において、加熱、加圧状態を保持されることによって硬
化する。半導体封止金型装置20は、トグル型締め機構
36によってこの型締め状態が確実に保持される。
In the semiconductor encapsulating mold apparatus 20, the upper mold member 22 is pressed against the lower mold member 21 with a predetermined mold clamping force by the mold clamping mechanism 93 on the semiconductor encapsulating device 9 side. Mold clamping is performed, and in this state, the material / resin supply drive mechanism 8
The operation of 1 performs a resin filling process in which the material resin supply mechanism 29 pushes the material resin 8 from the material resin loading portion 28 into the cavity 23. The material resin 8 is cured by being kept in a heated and pressurized state in the cavity 23. The semiconductor sealing mold device 20 is securely held in this mold clamped state by the toggle mold clamping mechanism 36.

【0187】トグル型締め機構36は、全体としてすぼ
められた状態において、図38に示すように、第1リン
クレバー57に設けた係合凹部58が上金型部材22側
の係合ピン48と相対係合する。この係合凹部58と係
合ピン48との係合状態は、型締めスプリング59によ
る型締め力によって保持される。型締めスプリング59
は、上述したように必要型締め力に見合った弾性力を有
している。
As shown in FIG. 38, the toggle mold tightening mechanism 36 has the engagement recess 58 formed in the first link lever 57 and the engagement pin 48 on the upper mold member 22 side in the state where the toggle mold tightening mechanism 36 is in its entire narrowed state. Relative engagement. The engagement state between the engagement recess 58 and the engagement pin 48 is maintained by the mold clamping force of the mold clamping spring 59. Mold clamping spring 59
Has an elastic force commensurate with the required mold clamping force as described above.

【0188】したがって、半導体封止金型装置20は、
次工程へと搬送されて型締め機構93による型締め力が
開放された状態においても、必要型締め力を以って下金
型部材21と上金型部材22との型締め状態が自己保持
される。半導体封止金型装置20は、これによってキャ
ビティ23内に充填された材料樹脂8の硬化工程を搬送
工程によって行うことを可能とすることから、タクトタ
イムを大幅に短縮化させる。また、半導体封止金型装置
20は、この材料樹脂8の硬化工程に際して、下金型部
材21と上金型部材22とを必要型締め力を以って型締
め保持することから、バリの発生が防止されかつリード
フレーム10に対して封装樹脂5を安定した状態でアウ
トサート成形する。
Therefore, the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 is
Even in the state where the mold clamping mechanism 93 releases the mold clamping force in the next step, the mold clamping state of the lower mold member 21 and the upper mold member 22 is self-maintained by the necessary mold clamping force. To be done. Since the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 can perform the curing step of the material resin 8 filled in the cavity 23 by the transporting step, the tact time is significantly shortened. Further, since the semiconductor encapsulating mold apparatus 20 holds the lower mold member 21 and the upper mold member 22 with the required mold clamping force during the curing process of the material resin 8, the burrs are removed. Outsert molding is performed on the lead frame 10 in a stable state while preventing generation of the sealing resin 5.

【0189】半導体封止金型装置20は、第6ステーシ
ョンS−6まで搬送されと、半導体封止装置9側の後部
トグル型締め駆動機構94によって上述したトグル型締
め機構36による下金型部材21と上金型部材22との
型締め自己保持状態が解除される。すなわち、トグル型
締め機構36は、連結部材40が相対係合された後部ト
グル型締め駆動機構94のフックによって、型締めスプ
リング59の弾性力に抗して引上げ駆動される。トグル
型締め機構36は、これによって第1リンクレバー57
が支軸37を支点として回動動作し、その係合凹部58
と係合ピン48との係合状態が解除される。
When the semiconductor encapsulating mold apparatus 20 is conveyed to the sixth station S-6, the lower die member by the toggle mold clamping mechanism 36 described above by the rear toggle mold clamping drive mechanism 94 on the semiconductor encapsulating apparatus 9 side. The mold clamping self-holding state between 21 and the upper mold member 22 is released. That is, the toggle mold clamping mechanism 36 is pulled up against the elastic force of the mold clamping spring 59 by the hook of the rear toggle mold clamping drive mechanism 94 with which the connecting member 40 is relatively engaged. Accordingly, the toggle mold clamping mechanism 36 causes the first link lever 57 to move.
Rotates about the support shaft 37 as a fulcrum, and its engaging recess 58
The engagement state between the engagement pin 48 and the engagement pin 48 is released.

【0190】半導体封止装置9は、図40及び図41に
示した他の半導体封止装置100にも展開される。この
半導体封止装置100は、4つのステーションによって
構成し、これらステーション毎に上述した4組の半導体
封止金型装置20を間欠的に巡回搬送して供給されたリ
ードフレーム10に封装樹脂5をアウトサート成形した
リードフレーム組立体7を成形する。なお、以下の説明
において、半導体封止装置9と同等の構成部位について
は同一符号を付すことによってその詳細な説明を省略す
る。
The semiconductor encapsulation device 9 can be expanded to the other semiconductor encapsulation device 100 shown in FIGS. This semiconductor encapsulation apparatus 100 is composed of four stations, and the encapsulating resin 5 is applied to the lead frames 10 which are supplied by intermittently cyclically conveying the above-described four sets of semiconductor encapsulation mold apparatuses 20 for each of these stations. The outsert-molded lead frame assembly 7 is molded. In the following description, the same components as those of the semiconductor encapsulation device 9 will be assigned the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

【0191】半導体封止装置100は、各ステーション
における個別の工程数が上述した半導体封止装置9に比
較して多くなり、全体のタクトタイムをほぼ同等とする
ために半導体封止金型装置20が各ステーション間を高
速で搬送される。
In the semiconductor encapsulation device 100, the number of individual steps in each station is larger than that of the semiconductor encapsulation device 9 described above, and the semiconductor encapsulation mold device 20 is used in order to make the overall takt time approximately the same. Are transported at high speed between stations.

【0192】半導体封止装置100は、中央搬送ガイド
フレーム101と、この中央搬送ガイドフレーム101
の上下に対向位置された図示しない搬送ガイドフレーム
とを備える。半導体封止装置100には、これら搬送ガ
イドフレームによって互いに平行な上下3段の搬送空間
部102乃至104が構成されている。中央の第1搬送
空間部102は、下金型部材21と上金型部材22とが
型締めされた状態で搬送される搬送空間部を構成する。
下側の第2の搬送空間部103は、型開きされた下金型
部材21が単独で搬送される搬送空間部を構成する。上
側の第3の搬送空間部104は、型開きされた上金型部
材22が単独で搬送される搬送空間部を構成する。
The semiconductor encapsulation device 100 includes a central transfer guide frame 101 and the central transfer guide frame 101.
And a transport guide frame (not shown) that is located above and below the sheet. In the semiconductor encapsulation device 100, upper and lower three-stage transfer spaces 102 to 104 that are parallel to each other are configured by these transfer guide frames. The first transfer space part 102 at the center constitutes a transfer space part in which the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are transferred in a clamped state.
The second transfer space 103 on the lower side constitutes a transfer space in which the opened lower mold member 21 is independently transferred. The upper third transfer space part 104 constitutes a transfer space part in which the opened upper mold member 22 is independently transferred.

【0193】中央搬送ガイドフレーム101は、図40
に示すように、断面凹字状に形成されて下金型部材21
の底面部を支持して搬送する長手方向の搬送ガイド溝が
形成されている。半導体封止装置100は、この搬送ガ
イド溝に沿って第1ステーションS−1乃至第4ステー
ションS−4が構成される。第1ステーションS−1及
び第4ステーションS−4の部位は、詳細を省略するが
底部が開放されることによってそれぞれ第2搬送空間部
103と連通している。また、図示しない上部搬送ガイ
ドフレームは、第2ステーションS−2及び第3ステー
ションS−3に対応する長さとされることによって、そ
の両側にそれぞれ第3搬送空間部104との連通部が構
成されている。
The central conveyance guide frame 101 is shown in FIG.
As shown in FIG.
Is formed with a longitudinal transport guide groove that supports and transports the bottom surface of the. In the semiconductor encapsulation device 100, first station S-1 to fourth station S-4 are configured along the transport guide groove. The portions of the first station S-1 and the fourth station S-4 communicate with the second transfer space portion 103 by opening the bottoms, although the details are omitted. Further, the upper transport guide frame (not shown) has a length corresponding to the second station S-2 and the third station S-3, so that communication portions with the third transport space 104 are formed on both sides thereof. ing.

【0194】半導体封止装置100には、上述した第1
搬送空間部102乃至第3搬送空間部104に沿って図
示しないが下金型部材搬送機構及び上金型部材搬送機構
とが配設されている。また、半導体封止装置100に
は、第1搬送空間部102の下方部に位置して、第1ス
テーションS−1部位に対応して下金型部材駆動機構8
2が、第2ステーションS−2部位に対応して材料樹脂
供給駆動機構81が、第3ステーションS−3部位に対
応して下金型部材側の型締め機構105が、さらに第4
ステーションS−4部位に対応してイジェクト駆動機構
98がそれぞれ配設されている。これら各機構は、上述
した半導体封止装置9の各機構と同様に、エアーシリン
ダ装置によって構成されている。
The semiconductor encapsulation device 100 includes the first
Although not shown, a lower mold member transport mechanism and an upper mold member transport mechanism are arranged along the transport space 102 to the third transport space 104. In the semiconductor encapsulation device 100, the lower die member drive mechanism 8 is located below the first transfer space 102 and corresponds to the first station S-1 portion.
2, a material resin supply drive mechanism 81 corresponding to the second station S-2 portion, a mold clamping mechanism 105 on the lower mold member side corresponding to the third station S-3 portion, and a fourth portion.
Eject drive mechanisms 98 are arranged corresponding to the stations S-4. Each of these mechanisms is composed of an air cylinder device, similar to each mechanism of the semiconductor sealing device 9 described above.

【0195】また、半導体封止装置100には、第1搬
送空間部101の左右側方部に位置して、第1ステーシ
ョンS−1部位に対応してリードフレーム供給機構96
と材料樹脂供給機構109とがそれぞれ配設されるとと
もに、第4ステーションS−4部位に対応してリードフ
レーム組立体取出機構110が配設されている。これら
リードフレーム供給機構96及び材料樹脂供給機構10
9は、例えばロボット装置によって構成され、下金型装
置21に対してリードフレーム100或いは材料樹脂8
を供給する。なお、材料樹脂供給機構109は、ポット
に保持されている。
In the semiconductor encapsulation device 100, the lead frame supply mechanism 96 is located on the left and right sides of the first transfer space 101 and corresponds to the first station S-1 portion.
And a material resin supply mechanism 109, and a lead frame assembly take-out mechanism 110 corresponding to the fourth station S-4 portion. These lead frame supply mechanism 96 and material resin supply mechanism 10
9 is composed of, for example, a robot device, and is used for the lower mold device 21 with respect to the lead frame 100 or the material resin 8.
Supply. The material resin supply mechanism 109 is held in the pot.

【0196】さらに、半導体封止装置100には、第3
搬送空間部104の上方部に位置して、第1ステーショ
ンS−1部位に対応して前部上金型部材駆動機構91と
トグル型締め駆動機構(図示せず)とが、第2ステーシ
ョンS−2部位に対応して第1の上金型部材の型締め機
構106が、第3ステーションS−3部位に対応して第
2の上金型部材の型締め機構107が、さらに第4ステ
ーションS−4部位に対応して後部上金型部材駆動機構
95及びトグル型締め解除機構(図示せず)とがそれぞ
れ配設されている。
Further, the semiconductor encapsulation device 100 has a third
The front upper mold member drive mechanism 91 and the toggle mold clamping drive mechanism (not shown) are located above the transport space 104 and correspond to the first station S-1 portion. -2 part, the first upper mold member mold clamping mechanism 106 corresponds to the third station S-3 part, the second upper mold member mold clamping mechanism 107 corresponds to the fourth station, and the fourth station A rear upper mold member driving mechanism 95 and a toggle mold clamping release mechanism (not shown) are arranged corresponding to the S-4 portion.

【0197】以上のように構成された半導体封止装置1
00は、第1ステーションS−1部位及び第4ステーシ
ョンS−4部位において、図40に示すように、下金型
部材21と上金型部材22とが上下に型開きした状態に
ある。また、半導体封止装置100は、第2ステーショ
ンS−2部位及び第3ステーションS−3部位におい
て、同図に示すように、下金型部材21と上金型部材2
2とが型締めされた状態にある。
[0197] The semiconductor encapsulation device 1 configured as described above.
00 is in a state in which the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are vertically opened at the first station S-1 portion and the fourth station S-4 portion, as shown in FIG. Further, in the semiconductor sealing device 100, in the second station S-2 portion and the third station S-3 portion, as shown in the figure, the lower die member 21 and the upper die member 2 are provided.
2 and 2 are in a mold clamped state.

【0198】半導体封止装置100は、図41に示すよ
うに、第1ステーションS−1において、材料樹脂8の
タブレットを材料樹脂供給機構109を介して下金型部
材21の材料樹脂装填部28へと装填する材料樹脂装填
工程S−1−1と、リードフレーム10をリードフレー
ム供給機構96を介して下金型部材21に装着するリー
ドフレーム装着工程S−1−2とを行う。半導体封止装
置100は、さらに第1ステーションS−1において、
下金型部材21と上金型部材22とを下金型部材駆動機
構82及び前部上金型部材駆動機構91とによって低圧
状態で型締めするとともに図示しない加熱機構によって
予熱する低圧型締め・予熱工程S−1−3と、トグル型
締め駆動機構によってトグル型締め機構36を動作して
型締め状態を自己保持する型締め自己保持工程S−1−
4とを行う。
As shown in FIG. 41, the semiconductor encapsulation device 100 transfers the tablets of the material resin 8 to the material resin loading section 28 of the lower mold member 21 via the material resin supply mechanism 109 in the first station S-1. A material resin loading step S-1-1 for loading the lead frame 10 and a lead frame mounting step S-1-2 for loading the lead frame 10 on the lower mold member 21 via the lead frame supply mechanism 96 are performed. The semiconductor sealing device 100 further includes the first station S-1.
Low-pressure mold clamping in which the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are clamped in a low-pressure state by the lower mold member drive mechanism 82 and the front upper mold member drive mechanism 91 and preheated by a heating mechanism (not shown). Preheating step S-1-3 and mold clamping self-holding step S-1- for operating the toggle mold clamping mechanism 36 by the toggle mold clamping drive mechanism to self-maintain the mold clamping state.
Do 4 and.

【0199】半導体封止装置100は、半導体封止金型
装置20を上述した型締め自己保持状態で、搬送機構に
よって第2ステーションS−2へと搬送する。半導体封
止装置100は、この第2ステーションS−2におい
て、下金型部材21と上金型部材22とが第1の上金型
部材型締め機構106によってしっかりと型締めされた
状態で、材料樹脂供給駆動機構81が駆動されてキャビ
ティ23内へと材料樹脂8を供給する樹脂充填工程S−
2−1を行う。
The semiconductor encapsulation apparatus 100 conveys the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 to the second station S-2 by the conveyance mechanism in the mold clamping self-holding state. In the second station S-2, the semiconductor sealing device 100 is in a state where the lower mold member 21 and the upper mold member 22 are firmly clamped by the first upper mold member clamping mechanism 106. The resin filling step S- for supplying the material resin 8 into the cavity 23 by driving the material resin supply drive mechanism 81.
Do 2-1.

【0200】半導体封止装置100は、材料樹脂8の充
填が行われた半導体封止金型装置20を搬送機構によっ
て第3ステーションS−3へと搬送する。半導体封止装
置100は、この第3ステーションS−3において、下
金型部材21と上金型部材22とを下金型部材型締め機
構105と第2の上金型部材型締め機構107及びトグ
ル型締め機構36とによって型締め状態を保持しながら
加熱する後加熱工程S−3−1を行う。キャビティ23
内に充填された材料樹脂8は、これによって次第に硬化
する。
The semiconductor encapsulation apparatus 100 conveys the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 filled with the material resin 8 to the third station S-3 by the conveyance mechanism. In this third station S-3, the semiconductor encapsulation apparatus 100 connects the lower mold member 21 and the upper mold member 22 to the lower mold member mold clamping mechanism 105, the second upper mold member mold clamping mechanism 107, and A post-heating step S-3-1 of heating while maintaining the mold clamped state by the toggle mold clamping mechanism 36 is performed. Cavity 23
The material resin 8 filled therein is gradually hardened by this.

【0201】半導体封止装置100は、所定のタクトタ
イム後、半導体封止金型装置20を搬送機構によって第
4ステーションS−4へと搬送する。半導体封止装置1
00は、この第4ステーションS−4において、引き続
き半導体封止金型装置20を加熱する後加熱工程S−4
−1と、図示しないトグル型締め駆動機構によってトグ
ル型締め機構36を動作して型締め状態を解除するトグ
ル型締め解除工程S−4−2とを行う。また、半導体封
止装置100は、この第4ステーションS−4におい
て、後部上金型部材駆動機構95によって下金型部材2
1に対して上金型部材22を離間動作させる型開き工程
S−4−3を行う。
The semiconductor encapsulation apparatus 100 conveys the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 to the fourth station S-4 by the conveyance mechanism after a predetermined takt time. Semiconductor sealing device 1
00 is a post-heating step S-4 for subsequently heating the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 in the fourth station S-4.
-1 and a toggle mold clamping release step S-4-2 in which the toggle mold clamping mechanism 36 is operated by a toggle mold clamping drive mechanism (not shown) to release the mold clamping state. In the fourth station S-4, the semiconductor encapsulation device 100 uses the rear upper die member drive mechanism 95 to drive the lower die member 2 into the lower die member 2.
A mold opening step S-4-3 in which the upper mold member 22 is moved away from the mold 1 is performed.

【0202】さらに、半導体封止装置100は、この第
4ステーションS−4において、イジェクト駆動機構9
8が動作して上金型部材22が型開き動作された下金型
部材21からリードフレーム組立体7をイジェクトする
リードフレーム組立体イジェクト工程S−4−4と、イ
ジェクトされたリードフレーム組立体7をリードフレー
ム組立体取出機構110によって取り出すリードフレー
ム組立体取出工程S−4−5とを行う。
Further, the semiconductor encapsulation device 100 has the eject drive mechanism 9 at the fourth station S-4.
Lead frame assembly ejecting step S-4-4 for ejecting the lead frame assembly 7 from the lower die member 21 in which the upper die member 22 has been operated to open the die, and the ejected lead frame assembly 7 is taken out by the lead frame assembly take-out mechanism 110 and a lead frame assembly take-out step S-4-5 is performed.

【0203】さらにまた、半導体封止装置100は、こ
の第4ステーションS−4において、半導体封止金型装
置20の材料樹脂供給機構29及びイジェクト機構32
とを初期状態へと復帰動作させる復帰工程S−4−6と
を行う。しかる後、半導体封止装置100は、搬送機構
によって下金型部材21を第2搬送空間部103を介し
て、また上金型部材22を第3搬送空間部104を介し
てそれぞれ第1ステーション部位へと巡回搬送させる。
Furthermore, in the semiconductor encapsulation device 100, in the fourth station S-4, the material resin supply mechanism 29 and the eject mechanism 32 of the semiconductor encapsulation mold device 20.
And a returning step S-4-6 for returning the and to the initial state. Thereafter, in the semiconductor encapsulation device 100, the lower die member 21 is passed through the second transport space portion 103 and the upper die member 22 is passed through the third transport space portion 104 by the transport mechanism to form the first station part. Make a patrol transport to.

【0204】以上のように構成された第2の実施例半導
体封止装置100によれば、半導体封止金型装置20が
4組とされるために、多種類の半導体装置1を製造する
場合等において、仕様に適合した半導体封止金型装置2
0の交換が極めて簡便に行うことができることから、段
取り時間等の大幅な短縮が図られ、生産性を向上させ
る。また、半導体封止装置100は、全体としてさらに
小型化が図られる。
According to the second embodiment semiconductor encapsulation apparatus 100 having the above-described structure, since the semiconductor encapsulation mold apparatus 20 is composed of four sets, it is possible to manufacture various kinds of semiconductor devices 1. Etc., semiconductor mold device 2 that conforms to specifications
Since 0 can be exchanged very easily, the setup time and the like can be greatly shortened and the productivity is improved. Further, the semiconductor encapsulation device 100 can be further downsized as a whole.

【0205】[0205]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る半導体封止用金型装置によれば、材料樹脂供給部とラ
ンナー部とを同一面内に形成したリードフレームを位置
決めした状態で装着し、このリードフレームに実装され
た半導体チップを封装する封装樹脂をアウトサート成形
してリードフレーム組立体を成形するようにしたことか
ら、型締め状態においてリードフレームに対して均一な
型締め力を作用させることができ、型締め機構とともに
全体構造も簡易で小型化されるばかりでなく、バリの発
生が抑制されたリードフレーム組立体を製造することか
ら後工程の合理化も達成させる。また、半導体封止用金
型装置は、型締め状態の自己保持機構を備えることによ
り、材料樹脂を硬化させる後加熱工程を搬送工程におい
て行うことを可能とすることから、製造工程の合理化と
時間短縮を達成させる。さらに、半導体封止用金型装置
は、全体が軽量、小型に構成されることから、取扱いが
簡易となり、多種類の半導体装置を製造する場合等にお
いても、その交換が容易に行われて段取り等の時間短縮
を達成させる。
As described above in detail, according to the semiconductor encapsulating mold apparatus of the present invention, it is possible to position the lead frame in which the material resin supply section and the runner section are formed in the same plane. Since the lead frame assembly is formed by outsert molding the encapsulating resin that seals the semiconductor chip mounted on this lead frame, the mold clamping force is uniform with respect to the lead frame in the mold clamped state. Not only the mold clamping mechanism and the overall structure are simple and downsized, but also the lead frame assembly in which burr generation is suppressed is manufactured, so that the post-process can be rationalized. Further, since the semiconductor sealing mold device is provided with the self-holding mechanism in the mold clamped state, it is possible to perform the post-heating step for curing the material resin in the carrying step. Achieve shortening. In addition, the semiconductor encapsulation mold device is light in weight and small in size, which makes it easy to handle, and even when manufacturing many types of semiconductor devices, it is easy to exchange and set up. Etc. to achieve time reduction.

【0206】また、本発明に係る半導体封止用金型装置
を用いた半導体封止装置によれば、軽量、小型でかつ型
締め状態の自己保持機構を備えた半導体封止用金型装置
を成形工程に対応して巡回搬送するとともに、材料樹脂
供給駆動機構及びイジェクト駆動機構とを備えて半導体
封止用金型装置の材料樹脂供給機構及びイジェクト機構
を外部から駆動するように構成したことにより、多種類
の半導体装置を製造する場合等における半導体封止用金
型装置の交換の段取り工程等或いはバリの発生が抑制さ
れたリードフレーム組立体を製造することからバリ取り
の後工程等の合理化が図られる。また、半導体封止装置
は、全体が小型で廉価であることから同一スペース内で
複数を設置することも可能となり、また少数の要員によ
って対応することができることからリードフレーム組立
体を効率良くかつ低コストで生産する。
Further, according to the semiconductor encapsulating apparatus using the semiconductor encapsulating mold apparatus according to the present invention, a semiconductor encapsulating mold apparatus having a small size and a self-holding mechanism in a clamped state is provided. It is configured to drive the material resin supply mechanism and the eject mechanism of the semiconductor encapsulating mold device from the outside while carrying out cyclic conveyance corresponding to the molding process and having the material resin supply drive mechanism and the eject drive mechanism. , The rationalization of the post-deburring process, etc. because the setup process for exchanging the semiconductor encapsulation mold device or the production of the lead frame assembly in which the occurrence of burrs is suppressed when manufacturing various types of semiconductor devices, etc. Is planned. Further, since the semiconductor encapsulation device is small in size and inexpensive, it is possible to install plural semiconductor encapsulation devices in the same space. Also, since a small number of personnel can deal with the semiconductor encapsulation device, it is possible to efficiently and reduce the lead frame assembly. Produce at cost.

【0207】さらに、本発明に係る半導体封止用金型装
置を用いた半導体装置の封装樹脂成形方法によれば、軽
量、小型でかつ型締め状態の自己保持機構を備えた半導
体封止用金型装置を成形工程に対応して巡回搬送させて
バリの発生が抑制されたリードフレーム組立体を製造す
ることからバリ取りの後工程等の合理化が図られ、また
半導体封装用金型装置の交換等も簡単に行われる。した
がって、本発明に係る半導体封止用金型装置を用いた半
導体の製造方法は、リードフレーム組立体を効率良く生
産するとともに大幅なコストダウンを達成する。
Furthermore, according to the encapsulating resin molding method for a semiconductor device using the semiconductor encapsulating mold device according to the present invention, the semiconductor encapsulating mold is lightweight, small, and has a self-holding mechanism in a mold clamped state. Since the die device is cyclically transported corresponding to the molding process to manufacture a lead frame assembly in which burr generation is suppressed, rationalization of the post-burring process, etc. is achieved, and replacement of the semiconductor encapsulation die device And so on. Therefore, the semiconductor manufacturing method using the semiconductor encapsulating mold apparatus according to the present invention efficiently produces the lead frame assembly and achieves a significant cost reduction.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】半導体装置の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor device.

【図2】本発明に用いられるリードフレームの斜視図で
ある。
FIG. 2 is a perspective view of a lead frame used in the present invention.

【図3】同リードフレームに封装樹脂のアウトサート成
形を行って成形した半導体装置の中間体であるリードフ
レーム組立体の斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view of a lead frame assembly that is an intermediate body of a semiconductor device formed by performing outsert molding of encapsulating resin on the lead frame.

【図4】半導体装置の製造工程を説明する概略製造工程
図である。
FIG. 4 is a schematic manufacturing process diagram illustrating a manufacturing process of a semiconductor device.

【図5】本発明に係る半導体封止用金型装置の型開き状
態を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a mold open state of the semiconductor sealing mold device according to the present invention.

【図6】同半導体封止用金型装置を構成する下金型部材
の斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view of a lower mold member that constitutes the semiconductor sealing mold device.

【図7】同下金型部材の一部切欠き側面図である。FIG. 7 is a partially cutaway side view of the lower mold member.

【図8】同下金型部材に設けられた材料樹脂装填部から
材料樹脂供給機構によって溶融状態の材料樹脂をキャビ
ティ内に押し出す状態を説明する下金型部材の縦断面図
である。
FIG. 8 is a vertical cross-sectional view of a lower mold member for explaining a state in which a material resin supply mechanism provided in the lower mold member pushes a molten material resin into a cavity by a material resin supply mechanism.

【図9】同下金型部材に設けられたイジェクト機構が動
作して下金型部材から封装樹脂をアウトサート成形した
リードフレーム組立体をイジェクト動作する状態を説明
する下金型部材の縦断面図である。
FIG. 9 is a vertical cross-sectional view of a lower mold member for explaining a state where an eject mechanism provided in the lower mold member operates to eject a lead frame assembly outsert-molded with a sealing resin from the lower mold member. It is a figure.

【図10】同半導体封止用金型装置を構成する上金型部
材の上面からの斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view from the upper surface of an upper mold member that constitutes the same semiconductor sealing mold device.

【図11】同上金型部材の底面からの斜視図である。FIG. 11 is a perspective view from the bottom of the mold member of the same.

【図12】同半導体封止用金型装置において、下金型部
材と上金型部材とが低圧型締めされた状態を示す斜視図
である。
FIG. 12 is a perspective view showing a state in which a lower mold member and an upper mold member are clamped by a low pressure in the semiconductor sealing mold device.

【図13】同半導体封止用金型装置において、型締め保
持機構によって下金型部材と上金型部材とが型締め状態
を自己保持された状態を示す斜視図である。
FIG. 13 is a perspective view showing a state in which the lower mold member and the upper mold member are self-maintained in a mold clamped state by a mold clamp holding mechanism in the same semiconductor-sealing mold device.

【図14】本発明に係る半導体封止装置における半導体
封止用金型装置の搬送位置と成形工程との説明図であ
る。
FIG. 14 is an explanatory diagram of a transfer position and a molding process of the semiconductor sealing die device in the semiconductor sealing device according to the present invention.

【図15】同半導体封止装置の成形工程に基づく第1ス
テーションにおける半導体封止用金型装置の状態の説明
図であり、下金型部材の材料樹脂装填部に材料樹脂を装
填する材料樹脂装填工程の状態を示す。
FIG. 15 is an explanatory diagram of a state of the semiconductor encapsulation mold device in the first station based on the molding process of the semiconductor encapsulation device, in which the material resin is loaded into the material resin loading part of the lower die member. The state of a loading process is shown.

【図16】同第1ステーションにおける半導体封止用金
型装置の状態の説明図であり、下金型部材にリードフレ
ームを装着するリードフレーム装着工程の状態を示す。
FIG. 16 is an explanatory diagram of a state of the semiconductor-sealing die device in the first station, showing a state of a lead frame attaching step of attaching the lead frame to the lower die member.

【図17】同第1ステーションにおける半導体封止用金
型装置の状態の説明図であり、下金型部材と上金型部材
とが低圧で型締めされた状態を示す。
FIG. 17 is an explanatory diagram of a state of the semiconductor-sealing die device in the first station, showing a state in which the lower die member and the upper die member are clamped at a low pressure.

【図18】同半導体封止装置の成形工程に基づく第2ス
テーションにおける半導体封止用金型装置の状態の説明
図であり、下金型部材と上金型部材とが低圧で型締めさ
れて搬送される状態を示す。
FIG. 18 is an explanatory diagram of a state of the semiconductor sealing mold device in the second station based on the molding process of the semiconductor sealing device, in which the lower mold member and the upper mold member are clamped at a low pressure. The state of being transported is shown.

【図19】同第2ステーションにおける半導体封止用金
型装置の状態の説明図であり、下金型部材と上金型部材
とを型締保持機構を動作させて本型締をおこなった状態
を示す。
FIG. 19 is an explanatory diagram of a state of the semiconductor sealing mold device in the second station, in which a lower mold member and an upper mold member are operated to perform a main mold clamping operation. Indicates.

【図20】同半導体封止装置の成形工程に基づく第3ス
テーションにおける半導体封止用金型装置の状態の説明
図であり、下金型部材と上金型部材とが型締保持機構に
よって型締め状態を自己保持されるとともに加熱手段に
よって加熱されながら搬送される状態を示す。
FIG. 20 is an explanatory diagram of a state of the semiconductor sealing mold device in the third station based on the molding process of the semiconductor sealing device, in which the lower mold member and the upper mold member are molded by the mold clamping holding mechanism. It shows a state in which the tightened state is held by itself and is conveyed while being heated by the heating means.

【図21】同半導体封止装置の成形工程に基づく第4ス
テーションにおける半導体封止用金型装置の状態の説明
図であり、型締め状態を自己保持された下金型部材と上
金型部材とが加熱手段によって後加熱されながら搬送さ
れる状態を示す。
FIG. 21 is an explanatory diagram of a state of the semiconductor sealing mold device in the fourth station based on the molding process of the semiconductor sealing device, in which the lower mold member and the upper mold member are self-maintained in the mold clamped state. And are conveyed while being heated by the heating means.

【図22】同半導体封止装置の成形工程に基づく第5ス
テーションにおける半導体封止用金型装置の状態の説明
図であり、型締め状態を自己保持された下金型部材と上
金型部材とが加熱手段によって後加熱されながら搬送さ
れる状態を示す。
FIG. 22 is an explanatory diagram of a state of the semiconductor-sealing mold device in the fifth station based on the molding process of the semiconductor-sealing device, in which the lower mold member and the upper mold member self-maintained in the mold clamping state. And are conveyed while being heated by the heating means.

【図23】同半導体封止装置の成形工程に基づく第6ス
テーションにおける半導体封止用金型装置の状態の説明
図であり、型締め状態を自己保持された下金型部材と上
金型部材に対する加熱が停止されて搬送される状態を示
す。
FIG. 23 is an explanatory diagram of a state of the semiconductor sealing mold device in the sixth station based on the molding process of the same semiconductor sealing device, and is a lower mold member and an upper mold member that are self-maintained in the mold clamped state. The state in which heating is stopped and the sheet is conveyed is shown.

【図24】同第6ステーションにおける半導体封止用金
型装置の状態の説明図であり、型締保持機構が駆動され
て下金型部材と上金型部材との型締め状態が解除される
状態を示す。
FIG. 24 is an explanatory view of a state of the semiconductor sealing mold device in the sixth station, in which the mold clamping holding mechanism is driven to release the mold clamping state between the lower mold member and the upper mold member. Indicates the status.

【図25】同第6ステーションにおける半導体封止用金
型装置の状態の説明図であり、下金型部材と上金型部材
とが型開き動作する状態を示す。
FIG. 25 is an explanatory diagram of a state of the semiconductor-sealing mold device in the sixth station, showing a state in which the lower mold member and the upper mold member perform a mold opening operation.

【図26】同半導体封止装置の成形工程に基づく第7ス
テーションにおける半導体封止用金型装置の状態の説明
図であり、搬送機構によって型開きされた下金型部材と
上金型部材とがそれぞれ搬送される状態を示す。
FIG. 26 is an explanatory diagram of a state of a semiconductor-sealing mold device in a seventh station based on a molding process of the same semiconductor-sealing device, showing a lower mold member and an upper mold member opened by a transfer mechanism. Shows the state of being conveyed.

【図27】同第7ステーションにおける半導体封止用金
型装置の状態の説明図であり、イジェクタ機構が動作さ
れて下金型部材に添着されたリードフレーム組立体がイ
ジェクトされる状態を示す。
FIG. 27 is an explanatory diagram of a state of the semiconductor-sealing die device in the seventh station, showing a state in which the ejector mechanism is operated and the lead frame assembly attached to the lower die member is ejected.

【図28】同第7ステーションにおける半導体封止用金
型装置の状態の説明図であり、イジェクトされたリード
フレーム組立体を取り出す状態を示す。
FIG. 28 is an explanatory view of a state of the semiconductor-sealing die device in the seventh station, showing a state in which the ejected lead frame assembly is taken out.

【図29】同半導体封止装置の成形工程に基づく第8ス
テーションにおける半導体封止用金型装置の状態の説明
図であり、下金型部材と上金型部材とがそれぞれ搬送さ
れる状態を示す。
FIG. 29 is an explanatory view of a state of the semiconductor encapsulating mold device in the eighth station based on the molding process of the semiconductor encapsulating device, showing a state where the lower mold member and the upper mold member are respectively conveyed. Show.

【図30】同第8ステーションにおける半導体封止用金
型装置の状態の説明図であり、下金型部材に設けられた
材料樹脂供給機構とイジェク機構とが復帰された状態を
示す。
FIG. 30 is an explanatory diagram of a state of the semiconductor sealing die device in the eighth station, showing a state in which the material resin supply mechanism and the eject mechanism provided in the lower die member are returned.

【図31】同半導体封止装置の要部斜視図である。FIG. 31 is a perspective view of an essential part of the semiconductor sealing device.

【図32】同半導体封止装置における半導体封止用金型
装置の搬送動作を説明する要部斜視図である。
FIG. 32 is a perspective view of a principal part for explaining a carrying operation of the semiconductor-sealing die device in the semiconductor-sealing device.

【図33】同半導体封止装置において、半導体封止用金
型装置の搬送空間部の構成を説明する要部正面図であ
る。
FIG. 33 is a front view of relevant parts for explaining the configuration of the transfer space portion of the semiconductor sealing die device in the same semiconductor sealing apparatus.

【図34】本発明に係る半導体封止用金型装置の他の実
施例を示し、キャビティ面にコーティング処理を施した
半導体封止用金型装置の分解斜視図である。
FIG. 34 is an exploded perspective view of a semiconductor encapsulating mold apparatus according to another embodiment of the present invention, in which the cavity surface is coated.

【図35】本発明に係る半導体封止用金型装置の他の実
施例を示し、型締保持機構に自己保持用のスプリングを
設けた半導体封止用金型装置の斜視図である。
FIG. 35 is a perspective view of a semiconductor-sealing mold device in which another embodiment of the semiconductor-sealing mold device according to the present invention is provided, and a self-holding spring is provided in the mold-clamping holding mechanism.

【図36】同半導体封止用金型装置において、下金型部
材と上金型部材とが型開きされた状態を示す側面図であ
る。
FIG. 36 is a side view showing a state where the lower mold member and the upper mold member are opened in the same semiconductor sealing mold device.

【図37】同半導体封止用金型装置において、下金型部
材と上金型部材とが低圧で型締めされた状態を示す側面
図である。
FIG. 37 is a side view showing a state where the lower mold member and the upper mold member are clamped at a low pressure in the semiconductor-sealing mold device.

【図38】同半導体封止用金型装置において、下金型部
材と上金型部材とが型締めされかつ自己保持した状態を
示す側面図である。
FIG. 38 is a side view showing a state where the lower mold member and the upper mold member are clamped and self-held in the same semiconductor-sealing mold device.

【図39】同半導体封止用金型装置の型締保持機構に設
けられた自己保持用のスプリングの弾性力の作用説明図
である。
FIG. 39 is a view for explaining the action of the elastic force of the self-holding spring provided in the mold holding mechanism of the semiconductor sealing mold device.

【図40】本発明に係る半導体封止装置の他の実施例を
示し、半導体封止用金型装置を搬送支持する搬送ガイド
フレームを省略して示した要部斜視図である。
FIG. 40 is a perspective view of a main part showing another embodiment of the semiconductor sealing device according to the present invention, omitting a transfer guide frame for transferring and supporting the semiconductor sealing mold device.

【図41】同半導体封止装置において、各工程における
半導体封止用金型装置の状態を示す説明図である。
FIG. 41 is an explanatory diagram showing a state of the semiconductor sealing die device in each step of the same semiconductor sealing device.

【図42】従来のリードフレームに対する封装樹脂のア
ウトサート成形工程を説明する一部切欠き要部斜視図で
ある。
FIG. 42 is a partially cutaway perspective view illustrating a conventional outsert molding process of encapsulating resin for a lead frame.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体装置 2 半導体チップ 3 リード端子片 5 封止樹脂 7 リードフレーム組立体 8 材料樹脂 9 半導体封止装置 10 リードフレーム 11 チップ実装開口部(半導体チップ実装部) 13 樹脂充填領域部 16 位置決め穴 17 カル部 18 ランナー部 19 ゲート部 20 半導体封止金型装置 21 下金型部材 22 上金型部材 23 キャビティ 28 材料樹脂装填部 29 材料樹脂供給機構 30 材料樹脂押出部材 32 イジェクト機構 33 イジェクトピン 36 型締め機構を構成するトグル型締め機構 38 第1リンクレバー 39 第2リンクレバー 40 連結部材 42 係合凹部 48 係合ピン(係合凸部) 55 下金型部材のコーティング面 56 上金型部材のコーティング面 59 型締めスプリング 70 第1搬送ガイドフレーム 71 第2搬送ガイドフレーム 72 第3搬送ガイドフレーム 74 第1搬送空間部 75 第2搬送空間部 76 第3搬送空間部 80 第1加熱機構 81 材料樹脂供給駆動機構 82 下金型部材駆動機構 83 下金型部材搬送機構 87 第2加熱機構 90 第3加熱機構 91 前部上金型部材搬送機構 92 トグル型締め駆動機構 93 型締め機構 94 後部上金型部材搬送機構 96 リードフレーム供給機構 97 材料樹脂供給駆動機構 98 イジェクト駆動機構 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 2 Semiconductor chip 3 Lead terminal piece 5 Sealing resin 7 Lead frame assembly 8 Material resin 9 Semiconductor sealing device 10 Lead frame 11 Chip mounting opening (semiconductor chip mounting part) 13 Resin filling area 16 Positioning hole 17 Cull part 18 Runner part 19 Gate part 20 Semiconductor encapsulation mold device 21 Lower mold member 22 Upper mold member 23 Cavity 28 Material resin loading part 29 Material resin supply mechanism 30 Material resin extruding member 32 Eject mechanism 33 Eject pin 36 type Toggle type tightening mechanism constituting the tightening mechanism 38 First link lever 39 Second link lever 40 Connecting member 42 Engagement recess 48 Engagement pin (engagement protrusion) 55 Coating surface of lower die member 56 Upper die member Coating surface 59 Clamping spring 70 First transport guide frame 71 2nd conveyance guide frame 72 3rd conveyance guide frame 74 1st conveyance space part 75 2nd conveyance space part 76 3rd conveyance space part 80 1st heating mechanism 81 Material resin supply drive mechanism 82 Lower metal mold member drive mechanism 83 Lower metal Mold member transport mechanism 87 Second heating mechanism 90 Third heating mechanism 91 Front upper mold member transport mechanism 92 Toggle mold clamping drive mechanism 93 Mold clamping mechanism 94 Rear upper mold member transport mechanism 96 Lead frame supply mechanism 97 Material resin supply Drive mechanism 98 Eject drive mechanism

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B29L 31:34 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Agency reference number FI Technical display location B29L 31:34

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップを実装したリードフレーム
が装填されるとともにこのリードフレームに半導体チッ
プを封装する封装樹脂がアウトサート成形されたリード
フレーム組立体を成形する上記封装樹脂のキャビティを
構成する第1のキャビティが形成された第1の金型部材
と、 この第1の金型部材に対して接離自在に対向配置され、
上記第1のキャビティと協動して封装樹脂のキャビティ
を構成する第2のキャビティが形成された第2の金型部
材と、 上記第1の金型部材内に設けられ、熱硬化性合成樹脂か
らなる材料樹脂が装填される材料樹脂装填部と、この材
料樹脂装填部に装填されるとともに溶融状態とされた上
記材料樹脂を上記キャビティ内へと供給する押出手段と
を備えた材料樹脂供給機構と、 上記第1の金型部材内に設けられ、上記半導体チップが
上記封装樹脂によって封装された上記リードフレーム組
立体を上記キャビティから突き出して離型するイジェク
トピンを有するイジェクト機構とを備え、 上記第1の金型部材と第2の金型部材には、型締め状態
に自己保持する型締保持機構が設けられるとともに、こ
れら第1の金型部材と第2の金型部材とが設置される本
体装置側の駆動機構によって上記材料樹脂供給機構及び
イジェクト機構が駆動されることを特徴とする半導体封
止用金型装置。
1. A lead frame having a semiconductor chip mounted thereon is loaded, and a cavity of the encapsulating resin for molding a lead frame assembly in which the encapsulating resin for encapsulating the semiconductor chip is outsert-molded is formed in the lead frame. A first mold member in which a first cavity is formed, and the first mold member is arranged so as to come into contact with and separate from the first mold member,
A second mold member having a second cavity forming a cavity of the encapsulating resin in cooperation with the first mold cavity; and a thermosetting synthetic resin provided in the first mold member. A material resin supply mechanism including a material resin charging section for charging a material resin consisting of: and an extrusion means for supplying the material resin charged in the material resin charging section and in a molten state into the cavity. And an eject mechanism having an eject pin that is provided in the first mold member and that ejects the lead frame assembly in which the semiconductor chip is sealed by the sealing resin from the cavity and releases the lead frame assembly, The first mold member and the second mold member are provided with a mold clamping holding mechanism that self-holds in a mold clamped state, and the first mold member and the second mold member are installed. Semiconductor encapsulation die apparatus, characterized in that the material resin supply mechanism and the eject mechanism is driven by the main unit side of the drive mechanism.
【請求項2】 上記第1の金型部材と第2の金型部材に
は、1個のリードフレームが装填されて上記半導体チッ
プを封装する上記封装樹脂がアウトサート成形された1
個のリードフレーム組立体を成形することを特徴とする
請求項1に記載の半導体封止用金型装置。
2. The first mold member and the second mold member are outsert-molded with the encapsulating resin for encapsulating the semiconductor chip, in which one lead frame is loaded.
The mold device for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein individual lead frame assemblies are molded.
【請求項3】 上記型締保持機構は、 上記第1の金型部材又は第2の金型部材に一端部を回動
自在に支持されるとともに第1の係合部が形成された一
対の第1のリンクレバー及びこれら第1のリンクレバー
の他端部にそれぞれ回動自在に支持されるとともに自由
端部が互いに連結部材を介して連結された一対の第2の
リンクレバーとからなるトグル型締め機構と、 上記第1のリンクレバーの第1の係合部に対応して上記
第2の金型部材又は第1の金型部材にそれぞれ設けられ
た一対の第2の係合部とから構成され、 上記トグル型締め機構は、上記第1のリンクレバーと第
2のリンクレバーとがすぼまった状態に動作されること
によって、上記第1のリンクレバーに設けられた上記第
1の係合部が対応する上記第2の係合部にそれぞれ相対
係合されて、上記第1の金型部材と第2の金型部材とを
型締めした状態に自己保持することを特徴とする請求項
1に記載の半導体封止用金型装置。
3. The pair of mold clamping holding mechanisms, wherein one end is rotatably supported by the first mold member or the second mold member and a first engaging portion is formed. Toggle including a first link lever and a pair of second link levers rotatably supported by the other end portions of the first link lever and having free end portions connected to each other via a connecting member. A mold clamping mechanism, and a pair of second engaging parts provided on the second mold member or the first mold member corresponding to the first engaging parts of the first link lever, respectively. The toggle type tightening mechanism is operated in a state where the first link lever and the second link lever are in a recessed state, so that the toggle type tightening mechanism is provided on the first link lever. The respective engaging portions of the respective relative engaging portions with the corresponding second engaging portions. The mold device for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the first mold member and the second mold member are self-held in a clamped state.
【請求項4】 上記第1の金型部材と第2の金型部材に
は、その上記トグル型締め機構の中心線上に位置する側
面部に、それぞれ端部が固定される型締め用弾性手段が
引張り状態で張架され、 この型締め用弾性手段の弾性力によって上記トグル型締
め機構による上記第1の金型部材と第2の金型部材との
型締め状態を保持することを特徴とする請求項3に記載
の半導体封止用金型装置。
4. A mold clamping elastic means having end portions fixed to side surfaces of the first mold member and the second mold member which are located on the center line of the toggle mold clamping mechanism. Are stretched in a tensioned state, and the elastic force of the elastic means for clamping mold holds the clamped state of the first mold member and the second mold member by the toggle mold clamping mechanism. The mold device for semiconductor encapsulation according to claim 3.
【請求項5】 上記第1の金型部材には、上記第2の金
型部材が型開きした状態で、 チップ実装部と、一端部がこのチップ実装部の周辺部に
それぞれ臨ませられるとともに他端部が外周部側へと引
き出された多数個のリード端子と、ランナー部と、上記
第1の金型部材の材料樹脂装填部に対応するカル部とが
導電性金属薄板を素材として一体に形成され、上記チッ
プ実装部に上記半導体チップが各リード端子と電気的に
接続されて実装されたリードフレームが装着され、 これら第1の金型部材と第2の金型部材とが型締め動作
されて上記トグル型締め機構による型締め状態が保持さ
れ、上記材料樹脂供給機構によって溶融状態の上記材料
樹脂が上記キャビティ内へと押し出されて硬化すること
により、上記チップ実装部に実装された上記半導体チッ
プを封装する上記封装樹脂を上記リードフレームにアウ
トサート成形してリードフレーム組立体を成形すること
を特徴とする請求項3に記載の半導体封止用金型装置。
5. A chip mounting part and one end of the first mold member are made to face a peripheral part of the chip mounting part while the second mold member is opened. A large number of lead terminals, the other end of which is pulled out to the outer peripheral side, the runner portion, and the cull portion corresponding to the material resin loading portion of the first mold member are integrally made of a conductive thin metal plate. And a lead frame in which the semiconductor chip is electrically connected to and mounted on each of the lead terminals is mounted on the chip mounting portion, and the first mold member and the second mold member are clamped. It is operated and the mold clamped state by the toggle mold clamping mechanism is maintained, and the material resin in the molten state is extruded into the cavity by the material resin supply mechanism and cured to be mounted on the chip mounting portion. The above semi-conductor Semiconductor encapsulation mold system according to the FuSo resin FuSo chip to claim 3, characterized in that molding the lead frame assembly by outsert molding on the lead frame.
【請求項6】 上記第1の金型部材と第2の金型部材
は、相対する主面に表面磨耗抵抗を小ならしめる高硬度
のコーティング処理が施されたことを特徴とする請求項
1に記載の半導体封止用金型装置。
6. The first mold member and the second mold member are characterized in that the main surfaces facing each other are subjected to a high hardness coating treatment for reducing surface abrasion resistance. The mold device for semiconductor encapsulation according to 1.
【請求項7】 上記第1の金型部材と第2の金型部材に
は、相対する主面に型合わせ状態を位置決めする位置決
め手段が形成されたことを特徴とする請求項1に記載の
半導体封止用金型装置。
7. The first mold member and the second mold member are provided with positioning means for positioning a mold matching state on the main surfaces facing each other. Mold device for semiconductor encapsulation.
【請求項8】 半導体チップを実装したリードフレーム
が装填されるとともにこのリードフレームに半導体チッ
プを封装する封装樹脂がアウトサート成形されてリード
フレーム組立体を成形する上記封装樹脂のキャビティを
構成する第1のキャビティが形成された第1の金型部材
と、この第1の金型部材に対して接離自在に対向配置さ
れるとともに上記第1のキャビティと協動して上記封装
樹脂のキャビティを構成する第2のキャビティが形成さ
れた第2の金型部材とからなり、上記第1の金型部材内
には熱硬化性合成樹脂からなる材料樹脂が装填される材
料樹脂装填部及びこの材料樹脂装填部に装填されて溶融
状態とされた上記材料樹脂を上記キャビティ内へと供給
する押出手段とを備えた材料樹脂供給機構と、上記半導
体チップが上記封装樹脂によって封装されたリードフレ
ーム組立体を上記キャビティから突き出して離型するイ
ジェクトピンを有するイジェクト機構とが備えられかつ
上記第1の金型部材と第2の金型部材とに型締め状態を
自己保持する型締保持機構が設けられた半導体封止用金
型装置が用いられ、 この半導体封止用金型装置を巡回搬送する搬送機構と、 上記半導体封止用金型装置の上記材料樹脂供給機構の押
出手段を駆動して上記キャビティ内へ上記材料樹脂を充
填させる材料樹脂供給駆動機構と、 上記リードフレーム組立体に対して上記封装樹脂のアウ
トサート成形が行われて上記第1の金型部材と第2の金
型部材とが型開き動作した状態で、上記イジェクト機構
を駆動して上記リードフレーム組立体を上記第1の金型
部材からイジェクトさせるイジェクト駆動機構とを備え
た半導体封止用金型装置を用いた半導体封止装置。
8. A lead frame on which a semiconductor chip is mounted is loaded, and a sealing resin for sealing the semiconductor chip is outsert-molded on the lead frame to form a cavity of the sealing resin for molding a lead frame assembly. A first mold member having a first cavity formed therein, and a first mold member facing the first mold member so as to come into contact with and separate from the first mold member, and cooperate with the first cavity to form a cavity of the encapsulating resin. A second resin mold member in which a second cavity is formed, and a material resin charging section in which a material resin made of a thermosetting synthetic resin is charged in the first metal mold member; A material resin supply mechanism including an extruding means for supplying the material resin, which is loaded into the resin loading section and is in a molten state, into the cavity, and the semiconductor chip is sealed by the encapsulation. An eject mechanism having an eject pin for ejecting a lead frame assembly sealed with resin from the cavity and releasing the mold is provided, and the first and second mold members are self-locked. A semiconductor sealing mold device provided with a mold clamping and holding mechanism for holding is used, and a transport mechanism for cyclically transporting the semiconductor sealing mold device, and the material resin supply of the semiconductor sealing mold device. The material resin supply drive mechanism that drives the extrusion means of the mechanism to fill the material resin into the cavity, and the lead frame assembly is outsert-molded with the encapsulating resin, and the first mold is provided. Ejecting the lead frame assembly from the first mold member by driving the eject mechanism while the member and the second mold member are in the mold opening operation Semiconductor encapsulation device using a semiconductor sealing die apparatus that includes a drive mechanism.
【請求項9】 上記搬送機構は、上記半導体封止金型装
置を、分割された封装樹脂のアウトサート成形工程の各
個別工程毎に間欠的に巡回搬送することを特徴とした請
求項8に記載の半導体封止用金型装置を用いた半導体封
止装置。
9. The transport mechanism intermittently cyclically transports the semiconductor encapsulation mold device for each individual step of the outsert molding step of the divided encapsulating resin. A semiconductor encapsulation device using the semiconductor encapsulation mold device as described above.
【請求項10】 上記半導体封止用金型装置は、分割さ
れた封装樹脂のアウトサート成形工程に対応して複数組
が備えられ、上記搬送機構によって所定のタクトタイム
毎に間欠的に巡回搬送されることを特徴とした請求項9
に記載の半導体封止用金型装置を用いた半導体封止装
置。
10. The semiconductor encapsulating mold device is provided with a plurality of sets corresponding to the outsert molding step of the divided encapsulating resin, and the conveying mechanism intermittently cyclically conveys at a predetermined takt time. 10. The method according to claim 9, wherein
A semiconductor encapsulation device using the semiconductor encapsulation mold device according to.
【請求項11】 上下方向に離間して互いに対向配設さ
れた第1の搬送ガイドフレームと第2の搬送ガイドフレ
ームとを備え、 これら第1の搬送ガイドフレームと第2の搬送ガイドフ
レームとの間に構成される第1の搬送空間部は、上記第
1の金型部材と第2の金型部材とが型締め状態で上記搬
送機構によって搬送される型締め搬送空間部を構成し、 上記第1の搬送ガイドフレームの下方部に構成される第
2の搬送空間部は、型開き状態の上記第1の金型部材が
上記搬送機構によって搬送される一方の型開き搬送空間
部を構成し、 上記第2の搬送ガイドフレームの上方部に構成される第
3の搬送空間部は、型開き状態の上記第2の金型部材が
上記搬送機構によって搬送される他方の型開き搬送空間
部を構成し、 型開きされた上記第1の金型部材と第2の金型部材と
が、上記第2の搬送空間部と第3の搬送空間部を経由し
て初期位置へと巡回搬送されることを特徴とする請求項
8に記載の半導体封止用金型装置を用いた半導体封止装
置。
11. A first transport guide frame and a second transport guide frame, which are vertically opposed to each other and are arranged to face each other, and the first transport guide frame and the second transport guide frame are provided. The first transfer space section configured between the first transfer member and the second transfer member constitutes a mold clamping transfer space section which is transferred by the transfer mechanism in the mold clamped state of the first mold member and the second mold member. The second transport space portion formed below the first transport guide frame constitutes one mold open transport space portion in which the first mold member in the mold open state is transported by the transport mechanism. The third transfer space part formed above the second transfer guide frame is the other mold open transfer space part in which the second mold member in the mold open state is transferred by the transfer mechanism. The first mold constructed and opened. 9. The semiconductor encapsulation according to claim 8, wherein the material and the second mold member are cyclically transported to the initial position via the second transport space portion and the third transport space portion. A semiconductor encapsulation device using a stopping die device.
【請求項12】 少なくとも、上記第1の搬送ガイドフ
レームには、上記第1の金型部材を加熱する加熱手段が
付設されたことを特徴とする請求項8に記載の半導体封
止用金型装置を用いた半導体封止装置。
12. The mold for semiconductor encapsulation according to claim 8, wherein at least the first transfer guide frame is provided with heating means for heating the first mold member. Semiconductor encapsulation device using the device.
【請求項13】 半導体チップを実装したリードフレー
ムが装填されるとともにこのリードフレームに半導体チ
ップを封装する封装樹脂がアウトサート成形されてリー
ドフレーム組立体を成形する上記封装樹脂のキャビティ
を構成する第1のキャビティが形成された第1の金型部
材と、この第1の金型部材に対して接離自在に対向配置
されるとともに上記第1のキャビティと協動して上記封
装樹脂のキャビティを構成する第2のキャビティが形成
された第2の金型部材とからなり、上記第1の金型部材
内には熱硬化性合成樹脂からなる材料樹脂が装填される
材料樹脂装填部及びこの材料樹脂装填部に装填されて溶
融状態とされた上記材料樹脂を上記キャビティ内へと供
給する押出手段とを備えた材料樹脂供給機構と、上記半
導体チップが上記封装樹脂によって封装された上記リー
ドフレーム組立体を上記キャビティから突き出して離型
するイジェクトピンを有するイジェクト機構とが備えら
れかつ上記第1の金型部材と第2の金型部材とに型締め
状態を自己保持する型締保持機構が設けられた半導体封
止用金型装置が用いられ、 上記半導体封止用金型装置が型開きされた状態におい
て、上記第1の金型部材の上記材料樹脂装填部に上記材
料樹脂を装填する樹脂装填工程と、 同様に、上記半導体封止用金型装置が型開きされた状態
において、上記半導体チップを実装した上記リードフレ
ームを上記第1の金型部材に装着するリードフレーム装
着工程と、 上記半導体封止用金型装置を型締めしかつ上記型締保持
機構によってその型締め状態を保持するとともに、上記
材料樹脂供給機構によって上記キャビティ内に溶融状態
の上記材料樹脂を充填する樹脂充填工程と、 上記型締保持機構による上記半導体封止用金型装置の型
締め状態を保持する型締め保持工程と、 上記半導体封止用金型装置を型開きして上記リードフレ
ームに対して上記封装樹脂のアウトサート成形が行われ
たリードフレーム組立体を上記第1の金型部材から突き
出すイジェクト工程とからなり、 上記半導体封止用金型装置を上記各工程毎に巡回駆動
し、リードフレームに対して上記封装樹脂のアウトサー
ト成形を行うことによりリードフレーム組立体を成形す
ることを特徴とする半導体封止用金型装置を用いた半導
体装置の封装樹脂成形方法。
13. A lead frame having a semiconductor chip mounted thereon is loaded, and a sealing resin for sealing the semiconductor chip is outsert-molded on the lead frame to form a cavity of the sealing resin for molding a lead frame assembly. A first mold member having a first cavity formed therein, and a first mold member facing the first mold member so as to come into contact with and separate from the first mold member, and cooperate with the first cavity to form a cavity of the encapsulating resin. A second resin mold member having a second cavity constituting the material, and a material resin charging section in which a material resin made of a thermosetting synthetic resin is charged in the first metal mold member and the material. A material resin supply mechanism having an extruding means for supplying the material resin, which is loaded into the resin loading section and is in a molten state, into the cavity, and the semiconductor chip is sealed by the sealing means. An ejecting mechanism having an ejecting pin for ejecting the lead frame assembly sealed with a mounting resin from the cavity and releasing the lead frame assembly, and a mold clamping state for the first mold member and the second mold member. The mold resin for semiconductor encapsulation provided with a mold clamping holding mechanism for self-holding is used, and the material resin of the first mold member in the state where the mold device for semiconductor encapsulation is opened. Similarly to the resin loading step of loading the material resin into the loading portion, the lead frame having the semiconductor chip mounted thereon is attached to the first die member in the state where the die unit for semiconductor encapsulation is opened. And a lead frame mounting step of mounting the semiconductor encapsulation mold device on the mold and holding the mold clamping state by the mold clamping holding mechanism, A resin filling step of filling the material resin in a molten state into the cavity, a mold clamping holding step of maintaining the mold clamping state of the semiconductor sealing mold device by the mold clamping holding mechanism, and the semiconductor sealing. The semiconductor die encapsulation process comprises the step of ejecting a lead frame assembly in which the sealing die device is opened and the lead frame is outsert-molded with the encapsulating resin from the first die member. A semiconductor mold device for molding, characterized in that a lead frame assembly is molded by cyclically driving a stopping mold device in each of the above steps and performing outsert molding of the encapsulating resin on the lead frame. A method for molding a resin for encapsulating a semiconductor device using the same.
【請求項14】 上記半導体封止用金型装置には、1個
のリードフレームが装着され、このリードフレームに対
して上記各工程を介して上記半導体チップを封装する上
記封装樹脂のアウトサート成形が行われて1個のリード
フレーム組立体が成形されることを特徴とする請求項1
3に記載の半導体封止用金型装置を用いた半導体装置の
封装樹脂成形方法。
14. An outsert molding of the encapsulating resin for encapsulating the semiconductor chip through the steps, wherein one lead frame is mounted on the semiconductor encapsulating mold device. The method of claim 1 wherein a single lead frame assembly is formed.
A method for molding resin for encapsulating a semiconductor device, which uses the semiconductor encapsulating mold device according to item 3.
【請求項15】 上下方向に離間して互いに対向配設さ
れた第1の搬送ガイドフレームと第2の搬送ガイドフレ
ームとによって、型締め状態の上記第1の金型部材と第
2の金型部材とが搬送される中央部の型締め搬送空間部
と、型開き状態の上記第1の金型部材が搬送される上方
部の第1の型開き搬送空間部及び上記第2の金型部材が
搬送される下方部の第2の搬送空間部とが構成され、 上記型締め搬送空間部の搬送工程中に上記リードフレー
ムに対して上記半導体チップを封装する上記封装樹脂の
アウトサート成形を行い、 型開きされた上記第1の金型部材と第2の金型部材と
を、上記第1の型開き搬送空間部と第2の型開き搬送空
間部を経由して上記型締め搬送空間部の初期位置へと巡
回搬送することによって、リードフレーム組立体の連続
成形を行うことを特徴とする請求項13に記載の半導体
封止用金型装置を用いた半導体装置の封装樹脂成形方
法。
15. The first mold member and the second mold in a mold clamped state by a first transport guide frame and a second transport guide frame that are vertically spaced apart and face each other. A mold clamping transport space in the center where the members are transported, a first mold open transport space in the upper part where the first mold member in the mold open state is transported, and the second mold member. And a second transfer space part in the lower part where the semiconductor chip is transferred. The outsert molding of the encapsulating resin for encapsulating the semiconductor chip is performed on the lead frame during the transfer step of the mold clamping transfer space part The mold closing transfer space part for the opened first mold member and the second mold member via the first mold opening transfer space part and the second mold opening transfer space part Of the lead frame assembly by patrol transportation to the initial position of FuSo resin molding method of a semiconductor device using the semiconductor encapsulation mold system according to claim 13, characterized in that the connection formed.
【請求項16】 上記第1の搬送ガイドフレームと第2
の搬送ガイドフレームに設けられた加熱手段により、上
記第1の金型部材と第2の金型部材との加熱工程を搬送
工程によって行うことを特徴とする請求項15に記載の
半導体封止用金型装置を用いた半導体装置の封装樹脂成
形方法。
16. The first transport guide frame and the second transport guide frame
16. The semiconductor encapsulation device according to claim 15, wherein the heating step for heating the first mold member and the second mold member is carried out by the carrying step by the heating means provided on the carrying guide frame. A method for molding resin for encapsulating a semiconductor device using a mold device.
【請求項17】 上記第1の金型部材と第2の金型部材
とが型締めされた状態において、外部に設けた駆動機構
によって上記材料樹脂供給機構と材料樹脂供給駆動機構
とをそれぞれ駆動することを特徴とする請求項13に記
載の半導体封止用金型装置を用いた半導体装置の封装樹
脂成形方法。
17. The material resin supply mechanism and the material resin supply drive mechanism are respectively driven by a driving mechanism provided outside in a state where the first mold member and the second mold member are clamped. A method for molding resin for encapsulating a semiconductor device using the semiconductor encapsulating mold device according to claim 13.
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