JPH0917769A - Thin film layer patterning method - Google Patents
Thin film layer patterning methodInfo
- Publication number
- JPH0917769A JPH0917769A JP7349864A JP34986495A JPH0917769A JP H0917769 A JPH0917769 A JP H0917769A JP 7349864 A JP7349864 A JP 7349864A JP 34986495 A JP34986495 A JP 34986495A JP H0917769 A JPH0917769 A JP H0917769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- layer
- film layer
- intermediate layer
- patterning method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜層をパターニン
グするための方法に関し、特に、中間層を用いて薄膜層
をパターニングするための改善された方法に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to methods for patterning thin film layers, and more particularly to improved methods for patterning thin film layers with an intermediate layer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１には、従来の基板状に薄膜層をパタ
ーニングする方法を説明するための概略的な断面図が示
されている。2. Description of the Related Art FIG. 1 is a schematic sectional view for explaining a conventional method of patterning a thin film layer on a substrate.
【０００３】周知のように、従来の薄膜層パターニング
方法は、平坦な上下面を有する基板１２と、薄膜層２０
と、フォトレジスト層３０とからなる半導体基板１０を
準備することから始まる。図１（Ａ）に示すように、基
板１２の上面に、薄膜層２０及びフォトレジスト層３０
が逐次形成される。半導体基板１０は、基板１２の上面
に誘電体からなる薄膜層２０を化学蒸着法（ＣＶＤ）を
用いて形成し、薄膜層２０の上部に、例えば、ポジ型レ
ジストからなるフォトレジスト層３０をスピンコーティ
ング法を用いて形成することによって準備される。露光
される前にフォトレジストは現像液に対して非溶解性を
有する。半導体基板１０が準備された後、フォトマスク
４０はフォトレジスト層３０の上部に設けられる。この
フォトマスク４０は光透過性膜４４と、光吸収部４２と
からなる。この光透過性膜４４は光透過性物質からな
り、光吸収部４２は光吸収性物質からなり（または、光
吸収性物質でコーティングされ）、これによって、フォ
トマスク４０は光透過領域と光吸収領域とに分けられ
る。光ビームがフォトマスク４０へ照射される場合、フ
ォトマスク４０の光透過領域の下部に設けられたフォト
レジスト層３０の部分３２は溶解され、両側の残りの部
分３４は溶解されないまま残ることになる。As is well known, the conventional thin film layer patterning method comprises a substrate 12 having flat upper and lower surfaces and a thin film layer 20.
Then, the semiconductor substrate 10 including the photoresist layer 30 is prepared. As shown in FIG. 1A, the thin film layer 20 and the photoresist layer 30 are formed on the upper surface of the substrate 12.
Are successively formed. In the semiconductor substrate 10, a thin film layer 20 made of a dielectric is formed on the upper surface of the substrate 12 by using a chemical vapor deposition method (CVD), and a photoresist layer 30 made of, for example, a positive resist is spun on the thin film layer 20. It is prepared by forming using a coating method. Prior to exposure, the photoresist is insoluble in the developer. After the semiconductor substrate 10 is prepared, the photomask 40 is provided on the photoresist layer 30. The photomask 40 includes a light transmissive film 44 and a light absorbing portion 42. The light transmissive film 44 is made of a light transmissive material, and the light absorbing portion 42 is made of a light absorptive material (or is coated with a light absorptive material). It is divided into areas. When the light beam is applied to the photomask 40, the portion 32 of the photoresist layer 30 provided under the light transmitting region of the photomask 40 is dissolved, and the remaining portions 34 on both sides are left undissolved. .
【０００４】フォトマスク４０の光透過領域の下部に設
けられたフォトレジスト層３０の部分３２が、適切な現
像液を用いて現像され、除去されることによって、フォ
トレジスト３０の両側の残りの部分３４が薄膜層２０を
パターニングするマスクとして用いられることになる。
次に、フォトレジスト３０の残りの部分３４によりカバ
ーされない薄膜層２０の部分が、例えば、イオンミリン
グ(ion milling)やドライエッチングを用いて除去され
る。A portion 32 of the photoresist layer 30 provided below the light transmitting region of the photomask 40 is developed with a suitable developing solution and removed to leave the remaining portions on both sides of the photoresist 30. 34 will be used as a mask to pattern the thin film layer 20.
Then, the portions of the thin film layer 20 that are not covered by the remaining portion 34 of the photoresist 30 are removed using, for example, ion milling or dry etching.
【０００５】その後、フォトレジスト層３０の残りの部
分３４を、適当な溶液を用いて除去することによって、
図１（Ｂ）に示されているように、パターニングされた
薄膜層５０が形成される。Thereafter, the remaining portion 34 of the photoresist layer 30 is removed by using a suitable solution,
As shown in FIG. 1B, the patterned thin film layer 50 is formed.
【０００６】前述した方法における主な短所の一つは、
鋭いエッジを有するパターニングされた薄膜層、即ち、
高い分解能でパターニングされた薄膜層を得ることが困
難なことである。光ビームは、フォトマスク４０の光透
過領域下のフォトレジスト層３０の部分３２を通過し
て、フォトレジスト層３０と薄膜層２０との間の境界面
上に、一様に垂直に照射されず、フォトマスク４０の光
吸収部４２のエッジにより、入射される光ビームの一部
が散乱される。この散乱された光ビームは、フォトレジ
スト層３０と薄膜層２０との間の屈折率の差のために、
その境界面で反射され、その結果、フォトレジスト層３
０の両側の残りの部分３４を不要に露光させて溶解可能
にさせることによって、薄膜層５０のパターニングにお
ける分解能が低下するという不都合がある。One of the main disadvantages of the above method is that
A patterned thin film layer with sharp edges, i.e.
It is difficult to obtain a patterned thin film layer with high resolution. The light beam passes through the portion 32 of the photoresist layer 30 below the light-transmitting region of the photomask 40 and is not uniformly and uniformly irradiated on the boundary surface between the photoresist layer 30 and the thin film layer 20. Part of the incident light beam is scattered by the edge of the light absorption portion 42 of the photomask 40. This scattered light beam is due to the refractive index difference between the photoresist layer 30 and the thin film layer 20,
The photoresist layer 3 is reflected at its interface, and as a result,
Unnecessarily exposing and dissolving the remaining portions 34 on both sides of 0 causes a problem that the resolution in patterning the thin film layer 50 is lowered.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、予め定められた形状に薄膜層をパターニングす
るための、より分解能を向上させたた薄膜層パターニン
グ方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, a main object of the present invention is to provide a thin film layer patterning method with a higher resolution for patterning a thin film layer in a predetermined shape. .
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によれば、半導体デバイスの製造に用いら
れ、薄膜層を予め定められた形状にパターニングする薄
膜層パターニング方法であって、平坦な上下面を有する
基板を準備する第１過程と、前記基板の前記上面に前記
薄膜層を形成する第２過程と、前記薄膜層の上部に中間
層を形成する第３過程と、前記中間層の上部にフォトレ
ジスト層を形成する第４過程と、前記フォトレジスト層
を前記予め定められた形状にパターニングする第５過程
と、前記フォトレジスト層を適切な現像液を用いて現像
する第６過程と、前記中間層及び前記薄膜層を前記予め
定められた形状にエッチング処理する第７過程と、前記
薄膜層から前記エッチング処理された前記中間層を除去
することによって、前記パターニングされた薄膜層を形
成する第８過程とを含むことを特徴とする薄膜層パター
ニング方法が提供される。In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a thin film layer patterning method which is used for manufacturing a semiconductor device and which patterns a thin film layer into a predetermined shape. A first step of preparing a substrate having flat upper and lower surfaces, a second step of forming the thin film layer on the upper surface of the substrate, a third step of forming an intermediate layer on the thin film layer, A fourth step of forming a photoresist layer on the intermediate layer, a fifth step of patterning the photoresist layer into the predetermined shape, and a fifth step of developing the photoresist layer with an appropriate developing solution. 6 steps, a 7th step of etching the intermediate layer and the thin film layer into the predetermined shape, and removing the etched intermediate layer from the thin film layer. Thin layer patterning method, which comprises an eighth step of forming the patterned thin layer.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１０】図２には、本発明の薄膜層パターニング方
法を説明するための概略的な断面図が示されている。図
２（Ａ）は、フォトマスク及び半導体基板の配列を概略
的に示す断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view for explaining the thin film layer patterning method of the present invention. FIG. 2A is a cross-sectional view schematically showing the arrangement of the photomask and the semiconductor substrate.
【００１１】本発明の薄膜層パターニング方法は、平坦
な上下面を有する基板１１０、薄膜層１２０、中間層１
６０及びフォトレジスト層１３０からなる半導体基板１
００の準備することから始まる。According to the thin film layer patterning method of the present invention, a substrate 110 having flat upper and lower surfaces, a thin film layer 120, and an intermediate layer 1 are provided.
Semiconductor substrate 1 including 60 and photoresist layer 130
It begins with the preparation of 00.
【００１２】この半導体基板１００は、最初、基板１１
０の上面に化学蒸着（ＣＶＤ）法を用いて誘電体（例え
ば、Ｓｉ０2）からなる薄膜層１２０を形成した後、薄
膜層１２０の上部に、プラズマＳｉＯ2からなり、グレ
ーデッド型の屈折率（gradedrefractive index）を有す
る、即ち屈折率が層の上から下に向かって徐々に小さく
なる中間層１６０を形成し、その後、中間層１６０の上
部に、例えば、ポジ型レジストからなるフォトレジスト
層１３０をスピンコーティング法を用いて形成すること
によって準備される。ここで、グレーデッド型の屈折率
は、中間層１６０を形成するときに、Ｎ2０とシラン
（ＳｉＨ4）との組成比を連続的に変化させることによ
って得られる。The semiconductor substrate 100 is initially formed on the substrate 11.
After forming a thin film layer 120 made of a dielectric material (for example, SiO 2 ) on the upper surface of 0 using a chemical vapor deposition (CVD) method, plasma SiO 2 is formed on the thin film layer 120 and has a graded refractive index. An intermediate layer 160 having a (graded refractive index), that is, a refractive index that gradually decreases from the upper side to the lower side of the layer is formed, and then a photoresist layer 130 made of, for example, a positive type resist is formed on the intermediate layer 160. Are prepared by using a spin coating method. Here, the graded type refractive index is obtained by continuously changing the composition ratio of N 2 0 and silane (SiH 4 ) when the intermediate layer 160 is formed.
【００１３】図３には、ＳｉＯ2の屈折率が、Ｎ2０とＳ
ｉＨ4との組成比の関数として示されているグラフが示
されている。ポジ型レジストからなるフォトレジスト層
１３０の屈折率は、１．６４〜１．８５の範囲にあり、
ＳｉＯ2からなる薄膜層１２０の屈折率は１．４６であ
る。従って、図３に示されているグラフを用いて、Ｎ2
０とＳｉＨ4との組成比を調節することによって、中間
層１６０が形成される。この中間層１６０のグレーデッ
ド型の屈折率は、第１境界面１２２におけるフォトレジ
スト層１３０の屈折率から第２境界面１２４における薄
膜層１２０の屈折率まで徐々に小さくされている。ここ
で、第１境界面１２２とは、フォトレジスト層１３０と
中間層１６０との間の接触面を指し、第２境界面１２４
とは薄膜層１２０と中間層１６０との間の接触面を指
す。In FIG. 3, the refractive index of SiO 2 is N 2 0 and S.
Shown is the graph shown as a function of composition ratio with iH 4 . The refractive index of the photoresist layer 130 made of a positive resist is in the range of 1.64 to 1.85,
The refractive index of the thin film layer 120 made of SiO 2 is 1.46. Thus, by using the graph shown in FIG. 3, N 2
The intermediate layer 160 is formed by adjusting the composition ratio of 0 and SiH 4 . The graded refractive index of the intermediate layer 160 is gradually reduced from the refractive index of the photoresist layer 130 at the first boundary surface 122 to the refractive index of the thin film layer 120 at the second boundary surface 124. Here, the first boundary surface 122 refers to a contact surface between the photoresist layer 130 and the intermediate layer 160, and the second boundary surface 124.
Indicates the contact surface between the thin film layer 120 and the intermediate layer 160.
【００１４】次の過程において、フォトマスク１４０は
フォトレジスト層１３０の上部に設けられる。このフォ
トマスク１４０は、光透過性膜１４４と、光吸収領域１
４２とからなる。ここで、光透過性膜１４４は光透過性
物質（例えば、Ｓｉ3Ｎ4）からなり、光吸収領域１４２
は光吸収性物質（例えば、金（Ａｕ））からなり（また
は、光吸収性物質でコーティングされ）、これによっ
て、フォトマスク１４０は光透過領域と光吸収領域とに
分けられる。露光される前のフォトレジスト現像液に対
して非溶解性を有する。光ビームがフォトマスク１４０
へ照射される場合、フォトマスク１４０の光透過領域の
下部に設けられたフォトレジスト層１３０の部分１３２
は現像液で溶解され、フォトレジスト層１３０の両側の
残りの部分１３４はそのまま残ることになる。図２
（Ａ）の中の矢印は、入射される光ビームの経路を指
す。In the next step, a photomask 140 is provided on the photoresist layer 130. The photomask 140 includes a light-transmitting film 144 and a light-absorbing region 1
42 and. Here, the light transmissive film 144 is made of a light transmissive material (eg, Si 3 N 4 ) and has a light absorbing region 142.
Is made of a light absorbing material (eg, gold (Au)) (or is coated with the light absorbing material), so that the photomask 140 is divided into a light transmitting area and a light absorbing area. It is insoluble in the photoresist developer before exposure. Light beam is photomask 140
Portion of the photoresist layer 130 provided below the light-transmitting region of the photomask 140 when exposed to light.
Is dissolved in the developing solution, and the remaining portions 134 on both sides of the photoresist layer 130 remain. FIG.
The arrow in (A) points to the path of the incident light beam.
【００１５】本発明の薄膜層パターニング方法におい
て、光ビームはフォトマスク１４０の上部から第１境界
面１２２へ垂直に入射するようになっている。しかし、
フォトマスク１４０の光吸収領域１４２のエッジにより
一部の光ビームが散乱される。この場合に、中間層１６
０の屈折率が、第１境界面１２２ではフォトレジスト層
１３０の屈折率と、第２境界面１２４では薄膜層１２０
の屈折率と各々一致するため、フォトマスク１４０の光
透過領域の下部に設けられたフォトレジスト層１３０の
部分１３２を通過して、第１及び第２境界面１２２、１
２４で反射され散乱される光ビ−ムの量は、従来技術に
比べて、非常に減らされることとなる。即ち、殆どの散
乱された光ビームは各境界面１２２、１２４で透過され
るのである。この散乱された光ビ−ムの一部は、薄膜層
１２０と基板１１０との間の境界で反射されたり透過さ
れたりする。透過された光ビームは基板１１０によって
吸収され、反射された光ビ−ムは薄膜層１２０によって
吸収されるため、フォトレジスト層１３０は境界面で反
射されたり透過されたりした光ビ−ムの影響を全く受け
ないこととなる。In the thin film layer patterning method of the present invention, the light beam is made incident perpendicularly on the first boundary surface 122 from the upper portion of the photomask 140. But,
A part of the light beam is scattered by the edge of the light absorption region 142 of the photomask 140. In this case, the intermediate layer 16
The refractive index of 0 is the refractive index of the photoresist layer 130 at the first interface 122 and the thin film layer 120 at the second interface 124.
Of the first and second boundary surfaces 122, 1 passing through the portion 132 of the photoresist layer 130 provided under the light transmitting region of the photomask 140, because they have the same refractive index.
The amount of light beams reflected and scattered at 24 will be greatly reduced compared to the prior art. That is, most of the scattered light beam is transmitted at each interface 122,124. A part of the scattered light beam is reflected or transmitted at the boundary between the thin film layer 120 and the substrate 110. Since the transmitted light beam is absorbed by the substrate 110 and the reflected light beam is absorbed by the thin film layer 120, the photoresist layer 130 is affected by the light beam reflected or transmitted at the boundary surface. Will not be received at all.
【００１６】次の過程において、フォトマスク１４０の
光透過領域の下部に設けられたフォトレジスト層１３０
の両側の部分１３２を適当な現像液（例えば、ＮａＯＨ
またはＫＨＯ）を用いて除去することによって、フォト
レジスト層１３０の両側の残りの部分１３４は、中間層
１６０をパタ−ニングするマスクとして用いられること
になる。フォトレジスト層１３０の残りの部分１３４に
よりカバーされない中間層１６０の部分を、イオンミリ
ングやドライエッチングを用いて除去することによっ
て、パタ−ニングされた中間層を形成する。このパタ−
ニングされた中間層は、薄膜層１２０をパタ−ニングす
るためのマスクとして用いられる。その後、パタ−ニン
グされた中間層によりカバーされない薄膜層１２０の部
分は、ウェットエッチングやドライエッチングを用いて
除去される。In the next step, the photoresist layer 130 provided under the light transmitting region of the photomask 140.
The portions 132 on both sides of the
Alternatively, the remaining portions 134 on both sides of the photoresist layer 130 are used as a mask for patterning the intermediate layer 160 by removing the intermediate layer 160 by using KHO). The portion of the intermediate layer 160 not covered by the remaining portion 134 of the photoresist layer 130 is removed by ion milling or dry etching to form a patterned intermediate layer. This pattern
The patterned intermediate layer is used as a mask for patterning the thin film layer 120. Then, the portion of the thin film layer 120 not covered by the patterned intermediate layer is removed by wet etching or dry etching.
【００１７】その後、図２（Ｂ）に示されているよう
に、適切な溶液を用いるかまたは機械的なポリシング処
理を行い、パタ−ニングされた中間層を除去することに
よって、パターニングされた薄膜層１５０が形成され
る。Thereafter, as shown in FIG. 2B, a patterned thin film is formed by using a suitable solution or performing a mechanical polishing treatment to remove the patterned intermediate layer. Layer 150 is formed.
【００１８】また、従来の薄膜層パターニング方法と比
べて、本発明の薄膜層パタ−ニング方法は、薄膜層１５
０のパタ−ニングに於ける分解能を向上させる。このよ
うな高い分解能は、グレーデッド型の屈折率を有する中
間層１６０を用いて、即ちフォトレジスト層１３０から
薄膜層１２０まで屈折率を徐々に小さくさせて、光吸収
領域１４２のエッジにより散乱された光ビ−ムの、フォ
トレジスト層１３０と中間層１６０との境界面、薄膜層
１２０と中間層１６０との境界面での反射を低減するこ
とによって得られる。Further, the thin film layer patterning method of the present invention is different from the conventional thin film layer patterning method in the thin film layer 15
Improves resolution in zero patterning. Such high resolution is scattered by the edge of the light absorption region 142 by using the intermediate layer 160 having a graded refractive index, that is, by gradually decreasing the refractive index from the photoresist layer 130 to the thin film layer 120. It is obtained by reducing the reflection of the light beam at the interface between the photoresist layer 130 and the intermediate layer 160 and the interface between the thin film layer 120 and the intermediate layer 160.
【００１９】上記において、本発明の特定の実施例につ
いて説明したが、本発明に記載した特許請求の範囲を逸
脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ることは
勿論である。While specific embodiments of the invention have been described above, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications can be made without departing from the scope of the claims set forth in the invention.
【００２０】[0020]
【発明の効果】従って、本発明によれば、予め定められ
た形状に薄膜層をパターニングするための、より分解能
を向上させたた薄膜層パターニング方法を提供される。As described above, according to the present invention, there is provided a thin film layer patterning method for patterning a thin film layer in a predetermined shape with improved resolution.
【図１】Ａ及びＢからなり、従来の薄膜層パタ−ニング
方法を説明するための概略的な断面図で、Ａはフォトマ
スクと半導体基板の配置を示し、Ｂはパタ−ニングされ
た薄膜層の断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining a conventional thin film layer patterning method including A and B, where A shows the arrangement of a photomask and a semiconductor substrate, and B shows a patterned thin film. It is sectional drawing of a layer.
【図２】Ａ及びＢからなり、本発明による薄膜層パター
ニング方法を説明するための概略的な断面図で、Ａはフ
ォトマスクと半導体基板の配置を示し、Ｂはパタ−ニン
グされた薄膜層の断面図である。2A and 2B are schematic cross-sectional views for explaining a thin film layer patterning method according to the present invention, including A and B, in which A shows a layout of a photomask and a semiconductor substrate, and B shows a patterned thin film layer. FIG.
【図３】プラズマＳｉＯ2の屈折率をＮ2ＯとＳｉＨ4と
の組成比の関数として示したグラフである。FIG. 3 is a graph showing the refractive index of plasma SiO 2 as a function of the composition ratio of N 2 O and SiH 4 .
１０ 半導体基板 １２ 基板 ２０ 薄膜層 ３０ フォトレジスト層 ４０ フォトマスク ４２ 光吸収部 ４４ 光透過性膜 ５０ パターニングされた薄膜層 １００ 半導体基板 １１０ 基板 １２０ 薄膜層 １２２ 第１境界面 １２４ 第２境界面 １３０ フォトレジスト層 １４０ フォトマスク １４２ 光吸収領域 １４４ 光透過性膜 １５０ パタ−ニングされた薄膜層 １６０ 中間層 10 Semiconductor Substrate 12 Substrate 20 Thin Film Layer 30 Photoresist Layer 40 Photomask 42 Light Absorbing Part 44 Light Transmissive Film 50 Patterned Thin Film Layer 100 Semiconductor Substrate 110 Substrate 120 Thin Film Layer 122 First Boundary Surface 124 Second Boundary Surface 130 Photo Resist layer 140 Photomask 142 Light absorbing region 144 Light transmissive film 150 Patterned thin film layer 160 Intermediate layer
Claims (5)
膜層を予め定められた形状にパターニングする薄膜層パ
ターニング方法であって、 平坦な上下面を有する基板を準備する第１過程と、 前記基板の前記上面に前記薄膜層を形成する第２過程
と、 前記薄膜層の上部に中間層を形成する第３過程と、 前記中間層の上部にフォトレジスト層を形成する第４過
程と、 前記フォトレジスト層を前記予め定められた形状にパタ
ーニングする第５過程と、 前記フォトレジスト層を適切な現像液を用いて現像する
第６過程と、 前記中間層及び前記薄膜層を前記予め定められた形状に
エッチング処理する第７過程と、 前記薄膜層から前記エッチング処理された前記中間層を
除去することによって、前記パターニングされた薄膜層
を形成する第８過程とを含むことを特徴とする薄膜層パ
ターニング方法。1. A thin film layer patterning method used for manufacturing a semiconductor device for patterning a thin film layer into a predetermined shape, comprising: a first step of preparing a substrate having flat upper and lower surfaces; A second step of forming the thin film layer on the upper surface; a third step of forming an intermediate layer on the thin film layer; a fourth step of forming a photoresist layer on the intermediate layer; A fifth step of patterning a layer into the predetermined shape; a sixth step of developing the photoresist layer with a suitable developing solution; and forming the intermediate layer and the thin film layer into the predetermined shape. A seventh step of etching, and an eighth step of forming the patterned thin film layer by removing the etched intermediate layer from the thin film layer. Thin layer patterning method characterized by.
Ｈ4）との混合により形成されることを特徴とする請求
項１に記載の薄膜層パターニング方法。2. The intermediate layer comprises N 2 O and silane (Si
The thin film layer patterning method according to claim 1, wherein the thin film layer is patterned by mixing with H 4 ).
率を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜層パ
ターニング方法。3. The thin film layer patterning method according to claim 1, wherein the intermediate layer has a graded refractive index.
折率が、前記フォトレジスト層の屈折率から前記薄膜層
の屈折率まで連続的に変化することを特徴とする請求項
３に記載の薄膜層パターニング方法。4. The thin film according to claim 3, wherein the graded refractive index of the intermediate layer continuously changes from the refractive index of the photoresist layer to the refractive index of the thin film layer. Layer patterning method.
中間層の形成の際、Ｎ2０とシラン（ＳｉＨ4）との組成
比を変化させることによって得られることを特徴とする
請求項４に記載の薄膜層パターニング方法。5. The graded-type refractive index is obtained by changing a composition ratio of N 2 0 and silane (SiH 4 ) during formation of the intermediate layer. The thin film layer patterning method according to.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1995/18640 | 1995-06-30 | ||
| KR1019950018640A KR0174951B1 (en) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | How to form a fine pattern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917769A true JPH0917769A (en) | 1997-01-17 |
Family
ID=19419084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7349864A Pending JPH0917769A (en) | 1995-06-30 | 1995-12-21 | Thin film layer patterning method |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917769A (en) |
| KR (1) | KR0174951B1 (en) |
| CN (1) | CN1139767A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100383667C (en) * | 2002-02-08 | 2008-04-23 | 旺宏电子股份有限公司 | Semiconductor element pattern transferring method |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018640A patent/KR0174951B1/en not_active IP Right Cessation
- 1995-12-21 JP JP7349864A patent/JPH0917769A/en active Pending
- 1995-12-28 CN CN95121173A patent/CN1139767A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100383667C (en) * | 2002-02-08 | 2008-04-23 | 旺宏电子股份有限公司 | Semiconductor element pattern transferring method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1139767A (en) | 1997-01-08 |
| KR0174951B1 (en) | 1999-04-01 |
| KR970003554A (en) | 1997-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2593601B2 (en) | Method for manufacturing phase shift mask | |
| KR950008384B1 (en) | Method of forming pattern | |
| US5234780A (en) | Exposure mask, method of manufacturing the same, and exposure method using the same | |
| EP0773477B1 (en) | Process for producing a phase shift photomask | |
| JPH0455323B2 (en) | ||
| WO1985004026A1 (en) | Method for making integrated circuit devices using a layer of indium arsenide as an antireflective coating | |
| US5609994A (en) | Method for patterning photoresist film having a stepwise thermal treatment | |
| JPH0917769A (en) | Thin film layer patterning method | |
| JP2560773B2 (en) | Pattern formation method | |
| JPH07273021A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH07106224A (en) | Pattern forming method | |
| US5882825A (en) | Production method of a phase shift photomask having a phase shift layer comprising SOG | |
| JPS63258022A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR940005623B1 (en) | Method of making a pattern | |
| JPS63110725A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP2802611B2 (en) | Phase inversion mask | |
| JPH04239116A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0574701A (en) | Resist pattern forming method | |
| KR0139578B1 (en) | Photoresist patterning method by lithography process | |
| JP2666420B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH01238659A (en) | Pattern forming method | |
| JPH08293454A (en) | Formation method for resist pattern | |
| JPS6351637A (en) | Mask forming method | |
| JPH05304167A (en) | Forming method of resist pattern | |
| JPH03114217A (en) | Pattern forming method |