JPH09159980A - 両面型電子光学変調アレイ - Google Patents
両面型電子光学変調アレイInfo
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- JPH09159980A JPH09159980A JP26502196A JP26502196A JPH09159980A JP H09159980 A JPH09159980 A JP H09159980A JP 26502196 A JP26502196 A JP 26502196A JP 26502196 A JP26502196 A JP 26502196A JP H09159980 A JPH09159980 A JP H09159980A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単位長さ当りの画像密度がこれまでより高い
電子光学変調装置を実現することを目的とする。 【解決手段】 第一電極ペア（１４）と第二電極ペア
（１５）を有する電子光学アレイ（１０）において、第
二電極ペア（１５）が第一電極ペア（１４）間のギャッ
プに心合わせしてある。これにより、うね（１８）を通
過する光線どうしが隣り合って位置合わせされ、なおか
つ電気的クロストークを起こすことがなく、よって同様
の長さの変調装置にくらべて高い画像密度が可能にな
る。
電子光学変調装置を実現することを目的とする。 【解決手段】 第一電極ペア（１４）と第二電極ペア
（１５）を有する電子光学アレイ（１０）において、第
二電極ペア（１５）が第一電極ペア（１４）間のギャッ
プに心合わせしてある。これにより、うね（１８）を通
過する光線どうしが隣り合って位置合わせされ、なおか
つ電気的クロストークを起こすことがなく、よって同様
の長さの変調装置にくらべて高い画像密度が可能にな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、両側に電気的接続
を有して、同じ長さの変調装置よりも高い画像密度を可
能にする電子光学変調アレイに関する。
を有して、同じ長さの変調装置よりも高い画像密度を可
能にする電子光学変調アレイに関する。
【０００２】
【従来の技術、及び、発明が解決しようとする課題】電
子光学変調装置のアレイは、画像印刷に用いる光線の透
過を制御するのに用いられることが多い。個々の変調装
置に用いられる電子光学材料の特性は、その電子光学材
料内に形成される電界の強度に応じてさまざまである。
材料としては、ランタンドープ処理ジルコン酸塩チタン
酸塩（以下ＰＬＺＴ）が用いられるのが通常である。
子光学変調装置のアレイは、画像印刷に用いる光線の透
過を制御するのに用いられることが多い。個々の変調装
置に用いられる電子光学材料の特性は、その電子光学材
料内に形成される電界の強度に応じてさまざまである。
材料としては、ランタンドープ処理ジルコン酸塩チタン
酸塩（以下ＰＬＺＴ）が用いられるのが通常である。
【０００３】ＰＬＺＴは透明なのが通常である。ＰＬＺ
Ｔ内に電界が誘導されると、一方向へ膨張し、もう一方
が収縮し、光透過特性が変わる。材料内に電界が形成さ
れているＰＬＺＴを通過する光線は、電界強度に比例す
る分量だけ軸の周囲を回転する。たとえば、電界が形成
されていないときに変調装置の表面に偏光が当ると、そ
の変調装置を透過し、第一偏光器に対して垂直な別の偏
光器によって阻止される。表面の電極に電圧がかかる
と、ＰＬＺＴ材料の電子光学的特性が変わり、光線の偏
光ベクトルが回転する。これにより、第二偏光器を通過
する光線の密度が増加していき、しまいにＰＬＺＴを透
過する光線の偏光角度が第二偏光器と同じになる。電圧
をさらに増加させると、偏光角度が９０度を超えるにつ
れて透過光線が減少していく。透過光線が最大になる電
圧は半波電圧と名付けられている。半波電圧の一例とし
て、サブストレートの形状の関数である電圧があげられ
るが、表面に電極を有する変調装置では数百ボルトに達
する場合がある。
Ｔ内に電界が誘導されると、一方向へ膨張し、もう一方
が収縮し、光透過特性が変わる。材料内に電界が形成さ
れているＰＬＺＴを通過する光線は、電界強度に比例す
る分量だけ軸の周囲を回転する。たとえば、電界が形成
されていないときに変調装置の表面に偏光が当ると、そ
の変調装置を透過し、第一偏光器に対して垂直な別の偏
光器によって阻止される。表面の電極に電圧がかかる
と、ＰＬＺＴ材料の電子光学的特性が変わり、光線の偏
光ベクトルが回転する。これにより、第二偏光器を通過
する光線の密度が増加していき、しまいにＰＬＺＴを透
過する光線の偏光角度が第二偏光器と同じになる。電圧
をさらに増加させると、偏光角度が９０度を超えるにつ
れて透過光線が減少していく。透過光線が最大になる電
圧は半波電圧と名付けられている。半波電圧の一例とし
て、サブストレートの形状の関数である電圧があげられ
るが、表面に電極を有する変調装置では数百ボルトに達
する場合がある。
【０００４】電子光学変調装置はグループやアレイのか
たちで製造されるのが通常である。そうしたアレイで
は、各電子光学変調装置を近傍の変調装置からある程度
離さないと電気的／光学的クロストークを最小化できな
い。これは、電子光学材料に未使用の部分が生じるとい
うことである。ＰＬＺＴは高価であり、未使用の部分は
不要なコストとなる。
たちで製造されるのが通常である。そうしたアレイで
は、各電子光学変調装置を近傍の変調装置からある程度
離さないと電気的／光学的クロストークを最小化できな
い。これは、電子光学材料に未使用の部分が生じるとい
うことである。ＰＬＺＴは高価であり、未使用の部分は
不要なコストとなる。
【０００５】変調装置の線形配列に照射するうえで最も
単純な光学系統は線源である。伝統的に、そうした線源
にはハロゲンランプなどの白色灯が用いられている。そ
うした線源に赤色、青色、緑色のフィルタをかけて写真
フィルムや用紙に描画する。そうした照射装置では、線
形配列のピッチ、すなわち隣接し合う電極間の距離が電
極自体の幅の２倍であると、電極によって光線が阻止さ
れることにより最大５０％もの光線が失われる。この損
失はレーザー染料転写やレーザー染料除去装置では望ま
しくない。そうした装置では、光学的スループットが装
置の生産性に直接影響を及ぼすからである。
単純な光学系統は線源である。伝統的に、そうした線源
にはハロゲンランプなどの白色灯が用いられている。そ
うした線源に赤色、青色、緑色のフィルタをかけて写真
フィルムや用紙に描画する。そうした照射装置では、線
形配列のピッチ、すなわち隣接し合う電極間の距離が電
極自体の幅の２倍であると、電極によって光線が阻止さ
れることにより最大５０％もの光線が失われる。この損
失はレーザー染料転写やレーザー染料除去装置では望ま
しくない。そうした装置では、光学的スループットが装
置の生産性に直接影響を及ぼすからである。
【０００６】ＰＬＺＴモジュレータ構造を改善したもの
の一例として、うね変調装置（ridge modulator）があ
げられる。うね変調装置では、ＰＬＺＴ材料に溝が２本
切ってあり、その溝周囲に金属被覆したものが電極にな
っていて、これによりコンデンサを模した構造を形成し
ている。これにより開口部、すなわち表面電極のない領
域が実現し、そこから照射する光線に著しい減少が起き
ない。この種の変調装置の半波電圧はうねの幅と深さの
関数であり、３０ボルトから数百ボルトの範囲内であ
る。
の一例として、うね変調装置（ridge modulator）があ
げられる。うね変調装置では、ＰＬＺＴ材料に溝が２本
切ってあり、その溝周囲に金属被覆したものが電極にな
っていて、これによりコンデンサを模した構造を形成し
ている。これにより開口部、すなわち表面電極のない領
域が実現し、そこから照射する光線に著しい減少が起き
ない。この種の変調装置の半波電圧はうねの幅と深さの
関数であり、３０ボルトから数百ボルトの範囲内であ
る。
【０００７】上記のうね変調装置は拡張して変調装置の
線形配列を容易につくれる。隣接し合う光線間の電気的
クロストークと光学的クロストークを両方とも最小化す
るには、電極間に依然としてギャップが必要である。ギ
ャップは、電極の幅に等しいギャップが用いられること
が多い。うねと光線幅の規模に応じて、電極の幅より狭
いギャップが用いられたり、電極の幅より広いギャップ
が用いられる。
線形配列を容易につくれる。隣接し合う光線間の電気的
クロストークと光学的クロストークを両方とも最小化す
るには、電極間に依然としてギャップが必要である。ギ
ャップは、電極の幅に等しいギャップが用いられること
が多い。うねと光線幅の規模に応じて、電極の幅より狭
いギャップが用いられたり、電極の幅より広いギャップ
が用いられる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、単位長
さ当りの画像密度がこれまでより高い電子光学変調装置
を実現することである。本発明による電子光学変調装置
には第一うねがあり、その第一うねはＰＬＺＴサブスト
レートの第一側面につくられていて、さらに第二うねが
あり、その第二うねはＰＬＺＴサブストレートの第二側
面につくられている。第一表面上の電極ペアが第二表面
上の電極ペア間のギャップと心合わせしてある。前記の
電極ペアによって制御され第一／第二うねを透過する光
線は、第二電極ペアによって制御される直接隣接し合っ
た光線であり、第一うねと第二うねも透過する。
さ当りの画像密度がこれまでより高い電子光学変調装置
を実現することである。本発明による電子光学変調装置
には第一うねがあり、その第一うねはＰＬＺＴサブスト
レートの第一側面につくられていて、さらに第二うねが
あり、その第二うねはＰＬＺＴサブストレートの第二側
面につくられている。第一表面上の電極ペアが第二表面
上の電極ペア間のギャップと心合わせしてある。前記の
電極ペアによって制御され第一／第二うねを透過する光
線は、第二電極ペアによって制御される直接隣接し合っ
た光線であり、第一うねと第二うねも透過する。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明による電子光学変
調装置アレイの透視図である。図２は、図１に図示した
電子光学変調装置アレイを線分Ａ−Ａで切断した断面図
である。図３は、電子光学変調装置アセンブリの概略図
である。図４は、図１に図示した電子光学変調装置を線
分Ｂ−Ｂで切断した断面図である。図５は、電子光学変
調装置アレイの平面図である。図６（Ａ）は、電子光学
変調装置アレイを印刷回路基板に装着したところの断面
図である。図６（Ｂ）は、電子光学変調装置アセンブリ
の透視展開図である。図７は、電子光学変調装置アレイ
と印刷回路基板との間の電気的接続の平面図である。図
８は、電子光学変調装置アレイに用いる装着アセンブリ
の実施形態の一例の断面図である。
調装置アレイの透視図である。図２は、図１に図示した
電子光学変調装置アレイを線分Ａ−Ａで切断した断面図
である。図３は、電子光学変調装置アセンブリの概略図
である。図４は、図１に図示した電子光学変調装置を線
分Ｂ−Ｂで切断した断面図である。図５は、電子光学変
調装置アレイの平面図である。図６（Ａ）は、電子光学
変調装置アレイを印刷回路基板に装着したところの断面
図である。図６（Ｂ）は、電子光学変調装置アセンブリ
の透視展開図である。図７は、電子光学変調装置アレイ
と印刷回路基板との間の電気的接続の平面図である。図
８は、電子光学変調装置アレイに用いる装着アセンブリ
の実施形態の一例の断面図である。
【００１０】図１に、電子光学変調装置アレイを図示し
てあり、その全体に番号１０がつけてある。電子光学変
調装置アレイ１０はＰＬＺＴサブストレート１２の上に
構成されている。
てあり、その全体に番号１０がつけてある。電子光学変
調装置アレイ１０はＰＬＺＴサブストレート１２の上に
構成されている。
【００１１】サブストレート１２の第一表面１３には溝
１６と１７が持たせてあり、第一うね１８を形成してい
る。同様の方法で、サブストレート１２の第二表面４３
に溝４６と４７が持たせてあり、第二うね４８を形成し
ている。
１６と１７が持たせてあり、第一うね１８を形成してい
る。同様の方法で、サブストレート１２の第二表面４３
に溝４６と４７が持たせてあり、第二うね４８を形成し
ている。
【００１２】第一電極ペア１４がサブストレート１２の
第一表面にめっきしてあり、さらに溝１６と１７にもめ
っきしてある。ギャップ１９によって第一電極ペアを分
割してある。電極はアルミニウム、銀、金、その他の伝
導性材料なら何でもよい。電極はこれらの伝導性材料を
層にしたものでもよい。金属製電極とＰＬＺＴとの接着
性をよくするため、クロム、タンタル、チタンなどの材
料を用いてもよい。望ましい実施形態では、クロム、ア
ルミニウム、チタン、金の層を用いてあり、これらをこ
の順序で使用してある。金の層によって赤外線放射に近
い良好な反射力を実現しており、これにより電極阻止動
作による電力損失を最小化している。電極阻止動作と
は、変調装置アレイを近赤外線レーザーダイオード源に
使用したときに電極に吸収される入射光線をいう。可視
光線変調装置を用いる別の実施形態では、銀を最上層に
用いる。アルミニウムなどの材料を単層で用いてもよ
い。便宜上、各電極ペア１４は一つの材料の単層として
図示してある。電極ペア１４の厚さは、図に詳しく図示
してあり、０.５ミクロンから４.０ミクロンのオーダー
である。
第一表面にめっきしてあり、さらに溝１６と１７にもめ
っきしてある。ギャップ１９によって第一電極ペアを分
割してある。電極はアルミニウム、銀、金、その他の伝
導性材料なら何でもよい。電極はこれらの伝導性材料を
層にしたものでもよい。金属製電極とＰＬＺＴとの接着
性をよくするため、クロム、タンタル、チタンなどの材
料を用いてもよい。望ましい実施形態では、クロム、ア
ルミニウム、チタン、金の層を用いてあり、これらをこ
の順序で使用してある。金の層によって赤外線放射に近
い良好な反射力を実現しており、これにより電極阻止動
作による電力損失を最小化している。電極阻止動作と
は、変調装置アレイを近赤外線レーザーダイオード源に
使用したときに電極に吸収される入射光線をいう。可視
光線変調装置を用いる別の実施形態では、銀を最上層に
用いる。アルミニウムなどの材料を単層で用いてもよ
い。便宜上、各電極ペア１４は一つの材料の単層として
図示してある。電極ペア１４の厚さは、図に詳しく図示
してあり、０.５ミクロンから４.０ミクロンのオーダー
である。
【００１３】第一うね１８によって電極ペア１４間に一
定の領域が設けてある。第一配線３２と３４と第一電極
ペア１４とによって成立する電気回路によってうね１８
前後に電界が形成される。各第一電極ペア１４は個別に
リード線へ接続してあり、これについてはこの先で詳述
する。電極ペアをすべて個別に接続してあるが、便宜
上、一箇所だけを図１と図２に図示する。
定の領域が設けてある。第一配線３２と３４と第一電極
ペア１４とによって成立する電気回路によってうね１８
前後に電界が形成される。各第一電極ペア１４は個別に
リード線へ接続してあり、これについてはこの先で詳述
する。電極ペアをすべて個別に接続してあるが、便宜
上、一箇所だけを図１と図２に図示する。
【００１４】電子光学変調装置アレイ１０を変調装置ア
センブリ１にどのようにして使用するかを図３の概略図
に示す。光源から到来する光線２０が偏光器２６に当
る。実際の使用では、互いに平行な一連の光線が電子光
学変調装置アレイの第一表面上の第一うね１８に当る。
望ましい実施形態ではレーザーダイオードアレイを光源
として用いている。ただし、タングステンハロゲンラン
プその他の適当な光源を用いてもよい。電極 OFF 状
態、すなわちうね１８前後に電圧をかけない状態では、
偏光が電子光学変調装置アレイ１０を透過する。偏光器
２８は偏光器６に対してほぼ９０゜の向きにしてあり、
これにより変調装置アセンブリ２１から光線２０が透過
しないようにしてある。第一電極ペア１４を付勢する
と、光線２０が移送ずれを起こし、第二偏光器２８の偏
光軸と心合わせになり、これにより光線が変調装置アセ
ンブリ２１を透過できるようになる。
センブリ１にどのようにして使用するかを図３の概略図
に示す。光源から到来する光線２０が偏光器２６に当
る。実際の使用では、互いに平行な一連の光線が電子光
学変調装置アレイの第一表面上の第一うね１８に当る。
望ましい実施形態ではレーザーダイオードアレイを光源
として用いている。ただし、タングステンハロゲンラン
プその他の適当な光源を用いてもよい。電極 OFF 状
態、すなわちうね１８前後に電圧をかけない状態では、
偏光が電子光学変調装置アレイ１０を透過する。偏光器
２８は偏光器６に対してほぼ９０゜の向きにしてあり、
これにより変調装置アセンブリ２１から光線２０が透過
しないようにしてある。第一電極ペア１４を付勢する
と、光線２０が移送ずれを起こし、第二偏光器２８の偏
光軸と心合わせになり、これにより光線が変調装置アセ
ンブリ２１を透過できるようになる。
【００１５】図４に示す第二回路は、第二配線３６と３
８を印刷回路基板へ接続してできた回路である。この第
二回路についてはこの先で詳述する。図１に示すギャッ
プ３９が第二電極ペア１５を分割している。第二電極ペ
ア１５は、第一表面１３の電極ペア１４と互い違いに配
置してあり、図５に略図で示してあり、電極ペア１４に
よって制御される光線２４と隣り合っている。図５には
変調装置アレイ１０の平面図が示してあり、光線２４と
光線２５が互い違いになっているところを図示してあ
る。よって、本発明では、余分なコストで切り込んでつ
くったうね１８の各領域、すなわち本来使用されない材
料を有効利用している。光線２４と光線２５との間にギ
ャップがない。
８を印刷回路基板へ接続してできた回路である。この第
二回路についてはこの先で詳述する。図１に示すギャッ
プ３９が第二電極ペア１５を分割している。第二電極ペ
ア１５は、第一表面１３の電極ペア１４と互い違いに配
置してあり、図５に略図で示してあり、電極ペア１４に
よって制御される光線２４と隣り合っている。図５には
変調装置アレイ１０の平面図が示してあり、光線２４と
光線２５が互い違いになっているところを図示してあ
る。よって、本発明では、余分なコストで切り込んでつ
くったうね１８の各領域、すなわち本来使用されない材
料を有効利用している。光線２４と光線２５との間にギ
ャップがない。
【００１６】図６（Ａ）および図６（Ｂ）に、変調装置
アレイ１０に用いる装着装置５０を示す。印刷回路基板
５３の段差５２に変調装置アレイ１０を装着する。印刷
回路基板５３と変調装置アレイ１０は接着剤５４で取り
付ける。接着剤５４は、シリコン接着剤や可撓性エポキ
シなどの弾力性のある素材をもってする。こうした接着
剤は若干の弾力性があるものでなければならないが、そ
れは変調装置アレイ１０に機械的な応力がかかると光学
的特性が変わるからである。接着剤の硬度として望まし
いのはショア硬度２５から１００のオーダーである。
アレイ１０に用いる装着装置５０を示す。印刷回路基板
５３の段差５２に変調装置アレイ１０を装着する。印刷
回路基板５３と変調装置アレイ１０は接着剤５４で取り
付ける。接着剤５４は、シリコン接着剤や可撓性エポキ
シなどの弾力性のある素材をもってする。こうした接着
剤は若干の弾力性があるものでなければならないが、そ
れは変調装置アレイ１０に機械的な応力がかかると光学
的特性が変わるからである。接着剤の硬度として望まし
いのはショア硬度２５から１００のオーダーである。
【００１７】配線３２および配線３４は、印刷回路基板
５３の第一側面の第一電気回路５７へ変調装置アレイ１
０を接続している。同様に、第二配線３６および第二配
線３８は、印刷回路基板５０の第二側面の第二電気回路
５９へ変調装置アレイ１０を接続している。凹部５１が
印刷回路基板５３に設けてあり、これにより印刷回路基
板５３の第一表面と第二表面との間を光線が透過するよ
うにしてあり、これにより装着アセンブリ５０を光線が
透過できるようになっている。図７には、図６（Ａ）と
図６（Ｂ）の装着アセンブリに用いる配線の仕組みの平
面図を示す。
５３の第一側面の第一電気回路５７へ変調装置アレイ１
０を接続している。同様に、第二配線３６および第二配
線３８は、印刷回路基板５０の第二側面の第二電気回路
５９へ変調装置アレイ１０を接続している。凹部５１が
印刷回路基板５３に設けてあり、これにより印刷回路基
板５３の第一表面と第二表面との間を光線が透過するよ
うにしてあり、これにより装着アセンブリ５０を光線が
透過できるようになっている。図７には、図６（Ａ）と
図６（Ｂ）の装着アセンブリに用いる配線の仕組みの平
面図を示す。
【００１８】図８は、本発明の装着アセンブリの実施形
態の一例を示す。この実施形態では、電子光学変調装置
アレイ１０を印刷回路基板５０の凹部５１と面一に装着
してある。弾力性のある接着剤５４を用いて、電子光学
変調装置アレイ１０を印刷回路基板５０へ取り付けてあ
る。配線３２および配線３４によって第一回路５７と配
線３６、配線３８を第二回路５９へ接続してある。
態の一例を示す。この実施形態では、電子光学変調装置
アレイ１０を印刷回路基板５０の凹部５１と面一に装着
してある。弾力性のある接着剤５４を用いて、電子光学
変調装置アレイ１０を印刷回路基板５０へ取り付けてあ
る。配線３２および配線３４によって第一回路５７と配
線３６、配線３８を第二回路５９へ接続してある。
【００１９】本発明では充てん率１００％が可能であ
る。このことは、光線が透過する箇所である変調装置ア
レイのうね前後にギャップがないということである。ピ
ッチは、望ましい実施形態における電極の幅と同じであ
る。電極の幅を広くすると、光線がオーバーラップし、
印刷用途によっては望ましい状態になる。逆に、電極の
幅をギャップの幅よりも狭くすると、光線間の光学的ク
ロストークが低減し、ほかの印刷用途によっては望まし
い状態になる。こうしたオプションは、片面型変調装置
では不可能である。
る。このことは、光線が透過する箇所である変調装置ア
レイのうね前後にギャップがないということである。ピ
ッチは、望ましい実施形態における電極の幅と同じであ
る。電極の幅を広くすると、光線がオーバーラップし、
印刷用途によっては望ましい状態になる。逆に、電極の
幅をギャップの幅よりも狭くすると、光線間の光学的ク
ロストークが低減し、ほかの印刷用途によっては望まし
い状態になる。こうしたオプションは、片面型変調装置
では不可能である。
【００２０】両面型電子光学変調装置のもう一つのメリ
ットとして、隣接し合う電極をサブストレートの反対側
に配置できることがあげられる。これにより、隣接し合
う光線を制御する電極間の電気的クロストークを根本的
になくせる。サブストレートの同じ側の隣りの電極とは
光線１本分空けてある。したがって、ピッチによっては
若干の光学的クロストークが発生する場合がある。電気
的クロストークが発生したとしても、片面型変調装置ア
レイ上で光線どうしを接近させて移動することにより発
生するものには満たないのであり、光線どうしを接近さ
せて移動することは片面型変調装置アレイで充てん率を
向上させるうえで利用できる唯一のオプションである。
ットとして、隣接し合う電極をサブストレートの反対側
に配置できることがあげられる。これにより、隣接し合
う光線を制御する電極間の電気的クロストークを根本的
になくせる。サブストレートの同じ側の隣りの電極とは
光線１本分空けてある。したがって、ピッチによっては
若干の光学的クロストークが発生する場合がある。電気
的クロストークが発生したとしても、片面型変調装置ア
レイ上で光線どうしを接近させて移動することにより発
生するものには満たないのであり、光線どうしを接近さ
せて移動することは片面型変調装置アレイで充てん率を
向上させるうえで利用できる唯一のオプションである。
【００２１】この種の変調装置の構造のもう一つのメリ
ットは、うね上部を反射防止膜（ＡＲ）で被覆できるこ
とである。これは、四分の一波長のコーニング (Cornin
g)７０５９ガラスを製造開始時点でＰＬＺＴウエハに蒸
着させることにより行なえる。このガラスがＰＬＺＴ表
面全体を不動態化するが、鋸引きによりうねをつくった
部分はこの限りでない。電極に用いるこの金属被覆はＰ
ＬＺＴよりガラスに付着しやすいが、このこともメリッ
トである。反射防止膜をうねの上部に被覆できないこと
は先行技術によって明らかにされている。
ットは、うね上部を反射防止膜（ＡＲ）で被覆できるこ
とである。これは、四分の一波長のコーニング (Cornin
g)７０５９ガラスを製造開始時点でＰＬＺＴウエハに蒸
着させることにより行なえる。このガラスがＰＬＺＴ表
面全体を不動態化するが、鋸引きによりうねをつくった
部分はこの限りでない。電極に用いるこの金属被覆はＰ
ＬＺＴよりガラスに付着しやすいが、このこともメリッ
トである。反射防止膜をうねの上部に被覆できないこと
は先行技術によって明らかにされている。
【図１】 本発明による電子光学変調装置アレイの透視
図である。
図である。
【図２】 図１に図示した電子光学変調装置アレイを線
分Ａ−Ａで切断した断面図である。
分Ａ−Ａで切断した断面図である。
【図３】 電子光学変調装置アセンブリの概略図であ
る。
る。
【図４】 図１に図示した電子光学変調装置を線分Ｂ−
Ｂで切断した断面図である。
Ｂで切断した断面図である。
【図５】 電子光学変調装置アレイの平面図である。
【図６】 （Ａ）は電子光学変調装置アレイを印刷回路
基板に装着したところの断面図、（Ｂ）は電子光学変調
装置アセンブリの透視展開図である。
基板に装着したところの断面図、（Ｂ）は電子光学変調
装置アセンブリの透視展開図である。
【図７】 電子光学変調装置アレイと印刷回路基板との
間の電気的接続の平面図である。
間の電気的接続の平面図である。
【図８】 電子光学変調装置アレイに用いる装着アセン
ブリの実施形態の一例の断面図である。
ブリの実施形態の一例の断面図である。
１０ 電子光学変調装置アレイ １２ ＰＬＺＴサブストレート １３ 第一表面 １４ 第一電極ペア １５ 第二電極ペア １６ 溝 １７ 溝 １８ 第一うね １９ ギャップ ２０ 光線 ２１ 変調装置アセンブリ ２２ 第二光線 ２４，２５ 光線 ２６ 第一偏光器 ２８ 第二偏光器 ３２，３４ 第一配線 ３６，３８ 第二配線 ３９ ギャップ ４３ 第二表面 ４６，４７ 溝 ４８ 第二うね ５０ 装着アセンブリ ５１ 凹部 ５２ 段差 ５３ 印刷回路基板 ５４ 接着剤 ５７ 第一電気回路 ５９ 第二電気回路 ６０ 装着アセンブリ ６２ 第一配線 ６４ 第二配線
Claims (6)
- 【請求項１】 対向した第一表面及び第二表面を備えた
電子光学材料のサブストレートと、 前記第一表面に形成された複数の第一電極ペアと、 前記第二表面に形成された複数の第二電極ペアと、を備
えて成る電子光学変調アレイであって、 前記第一電極ペアの各ペアは、第一表面上において各ペ
ア間に一定の領域を規定しており、電圧が印加される該
領域間の前記電子光学材料には電界が誘導され、これら
電極ペアどうしが、電気的クロストークを最小化するよ
うに前記第一表面上で一定のギャップを介して離間して
おり、 前記第二電極ペアの各ペアは、第二表面上において各ペ
ア間に一定の領域を規定しており、電圧が印加される該
領域間の前記電子光学材料には電界が誘導され、これら
電極ペアどうしが、電気的クロストークを最小化するよ
うに前記第二表面上で一定のギャップを介して離間して
いる、ことを特徴とする電子光学変調アレイ。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子光学変調アレイにお
いて、充てん率が１００％であることを特徴とする電子
光学変調アレイ。 - 【請求項３】 請求項１記載の電子光学変調アレイにお
いて、前記第一電極ペア間の前記ギャップの幅と前記第
二電極ペア間の前記ギャップの幅とが同じであることを
特徴とする電子光学変調アレイ。 - 【請求項４】 請求項１記載の電子光学変調アレイにお
いて、前記第一電極ペア間の前記ギャップの幅と前記第
一電極ペア間の幅とが同じであることを特徴とする電子
光学変調アレイ。 - 【請求項５】 請求項１記載の電子光学変調アレイにお
いて、前記第一電極ペア間の幅と前記第二電極ペア間の
幅とが同じであり、かつ前記第一電極ペア間と前記第二
電極ペア間の前記ギャップの幅より両方のペアの幅の方
が広いことを特徴とする電子光学変調アレイ。 - 【請求項６】 請求項１記載の電子光学変調アレイにお
いて、前記第一電極ペア間の幅と前記第二電極ペア間の
幅とが同じであり、かつ前記ギャップの幅より両方のペ
アの幅の方が狭いことを特徴とする電子光学変調アレ
イ。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US320795P | 1995-09-05 | 1995-09-05 | |
| US63702296A | 1996-04-24 | 1996-04-24 | |
| US637,022 | 1996-04-24 | ||
| US003,207 | 1996-04-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09159980A true JPH09159980A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=26671475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26502196A Withdrawn JPH09159980A (ja) | 1995-09-05 | 1996-08-29 | 両面型電子光学変調アレイ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09159980A (ja) |
| DE (1) | DE19635054A1 (ja) |
| GB (1) | GB2304919A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6816296B2 (en) | 1997-10-29 | 2004-11-09 | Teloptics Corporation | Optical switching network and network node and method of optical switching |
| US6768572B2 (en) | 1997-10-29 | 2004-07-27 | Teloptics Corporation | Solid state free space switch array on a substrate |
| US6310712B1 (en) | 1997-10-29 | 2001-10-30 | Teloptics Corporation | Discrete element light modulating microstructure devices |
| US6486996B1 (en) | 1998-10-27 | 2002-11-26 | Teloptics Corporations | Discrete element light modulating microstructure devices |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4998597A (ja) * | 1973-01-22 | 1974-09-18 | ||
| FR2403577A1 (fr) * | 1977-09-19 | 1979-04-13 | Commissariat Energie Atomique | Ensemble de portes optiques |
| JPS58130321A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-03 | Ricoh Co Ltd | 光スイツチングアレイ素子 |
| US5221989A (en) * | 1991-11-13 | 1993-06-22 | Northrop Corporation | Longitudinal plzt spatial light modulator |
-
1996
- 1996-08-29 JP JP26502196A patent/JPH09159980A/ja not_active Withdrawn
- 1996-08-30 DE DE1996135054 patent/DE19635054A1/de not_active Withdrawn
- 1996-08-30 GB GB9618123A patent/GB2304919A/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2304919A (en) | 1997-03-26 |
| DE19635054A1 (de) | 1997-03-06 |
| GB9618123D0 (en) | 1996-10-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031104 |