JPH09159339A - Device for natural cooling - Google Patents
Device for natural coolingInfo
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- JPH09159339A JPH09159339A JP32300395A JP32300395A JPH09159339A JP H09159339 A JPH09159339 A JP H09159339A JP 32300395 A JP32300395 A JP 32300395A JP 32300395 A JP32300395 A JP 32300395A JP H09159339 A JPH09159339 A JP H09159339A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、選択放射膜とカバ
ー装置とを有し、自然冷房システム等に適用することが
できる、自然冷却装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a natural cooling device which has a selective radiation film and a cover device and can be applied to a natural cooling system or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】選択放射膜は、大気の窓領域（波長８〜
１３μｍ；波数１２５０〜７６９cm-1）を利用して自然
冷却を行わせることができる膜であり、種々の応用が考
えられている。例えば、エネルギーの得難い場所（砂
漠、山岳地帯等）での冷却や、砂漠等での造水への応用
が考えられる。また、屋根材に使用することにより、自
然エネルギーを利用した冷房システムへの応用も考えら
れる。選択放射膜を用いた自然冷却装置（以下、スカイ
ラジエータと称す）は、電力等を必要としない、環境に
対し熱を放出せずに直接大気圏外に熱を放出することが
できるため環境への熱負荷が生じない、等の特徴を有し
ている。2. Description of the Related Art A selective radiation film is used in a window region of the atmosphere (wavelength 8 to
It is a film that can be naturally cooled by utilizing 13 μm; wave number 1250 to 769 cm −1 ), and various applications have been considered. For example, it may be applied to cooling in a place where energy is hard to obtain (desert, mountainous region, etc.), or applied to water production in a desert or the like. Also, by using it as a roofing material, it can be considered to be applied to a cooling system using natural energy. A natural cooling device using a selective radiation film (hereinafter referred to as a sky radiator) does not require electric power, etc., and can release heat directly to the environment without releasing heat to the environment. It has features such as no heat load.
【０００３】上記スカイラジエータにおいては、輻射に
よって選択放射膜から宇宙空間への熱移動が起こること
により選択放射膜の温度低下が生じるが、それと同時に
周囲の空気から冷却された選択放射膜への熱伝導が起こ
り、それが冷却効果を阻害する。このような熱伝導によ
る冷却効果の阻害を防止するために、実験装置において
は、極めて薄い膜（例えばポリエチレン薄膜）を用いて
空間を形成し、それを断熱層とする手段が通常用いられ
ている（以下、これをカバー装置と称す）。しかし、実
用装置においては、上述のような手段は耐久性の観点か
ら実際的ではなく、カバー装置として十分な機械的強度
を有するものが望ましい。In the above sky radiator, the temperature of the selective radiation film decreases due to heat transfer from the selective radiation film to outer space due to radiation, but at the same time, heat from the ambient air to the cooled selective radiation film is generated. Conduction occurs, which impedes the cooling effect. In order to prevent the inhibition of the cooling effect due to such heat conduction, a means for forming a space using an extremely thin film (for example, a polyethylene thin film) and using it as a heat insulating layer is usually used in the experimental apparatus. (Hereinafter, this is referred to as a cover device). However, in a practical device, the above-mentioned means is not practical from the viewpoint of durability, and a cover device having sufficient mechanical strength is desirable.
【０００４】カバー装置として十分な機械的強度を有す
るようにするためには、材料（素材）としてＳｉＯ2 等
のガラスを用いることが考えられるが、ＳｉＯ2 等のガ
ラスは大気の窓領域（波長８〜１３μｍ）で吸収を示す
ため、カバー装置の材料としては好ましくない。そのた
め、カバー装置の材料としては、十分な機械的強度を有
し、かつ大気の窓領域で透明な物質であるシリコン（Ｓ
ｉ）等に限定されてしまう。しかし、Ｓｉは屈折率が高
いためそのまま用いたのでは反射率が３０％程度と高く
なり、放射冷却効果を大きく阻害してしまう。なお、Ｋ
ＣＬ等のような特殊な材料をカバー装置の材料として用
いれば、反射防止膜を設けなくても反射が３％程度にな
ることから、良好な結果が期待できるが、ＫＣＬは高価
な材料であるため、実用的な観点からは採用することが
できない。In order to have a sufficient mechanical strength as the cover device, it is conceivable to use a glass of SiO 2 or the like as a material (material), glass such as SiO 2 atmospheric window (wavelengths Since it exhibits absorption at 8 to 13 μm), it is not preferable as a material for the cover device. Therefore, as a material of the cover device, silicon (S) which has a sufficient mechanical strength and is a transparent substance in the window region of the atmosphere is used.
i) and so on. However, since Si has a high refractive index, if it is used as it is, the reflectance becomes as high as about 30%, which greatly impedes the radiation cooling effect. Note that K
If a special material such as CL is used as the material of the cover device, the reflection will be about 3% without providing an antireflection film, and therefore good results can be expected, but KCL is an expensive material. Therefore, it cannot be adopted from a practical viewpoint.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、実用
的な自然冷却装置を構成するためには、冷却性能のみな
らず十分な耐久性を有するようにしなくてはならない。
そのためには、ポリエチレン薄膜等の脆弱な材料ではな
く十分な機械的強度を有する材料を用いてカバー装置を
構成する必要がある。As described above, in order to construct a practical natural cooling device, not only the cooling performance but also the sufficient durability must be provided.
For that purpose, it is necessary to construct the cover device using a material having sufficient mechanical strength, not a brittle material such as a polyethylene thin film.
【０００６】上述した十分な機械的強度を有する材料と
しては、ＳｉＯ2 、Ｓｉ、ａ−Ｓｉ等がある。しかし、
ＳｉＯ2 は放射冷却が行われる大気の窓領域（波長８〜
１３μｍ）で吸収を示すためカバー装置の材料としては
好ましくない。一方、Ｓｉ、ａ−Ｓｉは大気の窓領域で
の吸収はないが、屈折率が３．４程度と高いため反射率
が３０％程度となることから、この反射を防止するよう
に構成しなければカバー装置として使用することができ
ない。Examples of the above-mentioned material having sufficient mechanical strength include SiO 2 , Si and a-Si. But,
SiO 2 is a window region of the atmosphere (wavelength 8 ~
Since it exhibits absorption at 13 μm), it is not preferable as a material for the cover device. On the other hand, Si and a-Si do not absorb in the window region of the atmosphere, but since the refractive index is as high as about 3.4 and the reflectance is about 30%, this reflection must be prevented. Therefore, it cannot be used as a cover device.
【０００７】本発明は、上述した問題に鑑みてなされた
ものであり、反射防止膜を設ける材料の材質をシリコン
またはアモルファスシリコンとしたカバー装置を具え
る、実用的な自然冷却装置を提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of the above problems, and provides a practical natural cooling device including a cover device in which the material for forming the antireflection film is silicon or amorphous silicon. With the goal.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的のため、本発明
の請求項１の自然冷却装置は、選択放射膜と、周囲の空
気との熱伝導を防止するカバー装置とを有する自然冷却
装置において、前記カバー装置の材質をシリコンまたは
アモルファスシリコンとし、該カバー装置に反射防止膜
を設けたことを特徴とするものである。For the above-mentioned purpose, the natural cooling device according to claim 1 of the present invention is a natural cooling device having a selective radiating film and a cover device for preventing heat conduction with ambient air. The cover device is made of silicon or amorphous silicon, and an antireflection film is provided on the cover device.
【０００９】本発明の請求項１の自然冷却装置において
は、カバー装置の材質を、機械的強度が高くかつ大気の
窓領域で吸収を示さない、比較的容易に入手可能な材料
であるシリコンまたはアモルファスシリコンとして、そ
れに反射防止膜を設ける。In the natural cooling device according to claim 1 of the present invention, the material of the cover device is silicon or a relatively easily available material which has high mechanical strength and does not absorb in the window region of the atmosphere. As amorphous silicon, an antireflection film is provided on it.
【００１０】上述したように反射防止膜を設ける材料の
材質をシリコンまたはアモルファスシリコンとしたカバ
ー装置は、機械的強度が高く、かつ大気の窓領域での透
過率が良好なもの（したがって大気の窓領域での反射率
の低いもの）となるため、周囲の空気から選択放射膜へ
の熱伝導による冷却効果の阻害を防止することができ
る。したがって、実用的な自然冷却装置を構成すること
が可能になる。As described above, the cover device in which the material of the antireflection film is silicon or amorphous silicon has a high mechanical strength and a good transmittance in the window region of the atmosphere (hence the window of the atmosphere). Since the reflectance is low in the region), it is possible to prevent the cooling effect from being hindered by the heat conduction from the ambient air to the selective radiation film. Therefore, it becomes possible to construct a practical natural cooling device.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき詳細に説明する。図１は本発明の第１実施形態
の自然冷却装置を概念的に示す断面図である。本実施形
態の自然冷却装置は、選択放射膜１と、選択放射膜１に
対し所定の間隔を空けて配置したカバー装置２とから成
る。カバー装置２は、Ｓｉ基板３と、Ｓｉ基板３上に大
気側より膜厚ｄ１＝２００±２０ｎｍのＳｉ（第１層）
４ａおよび、膜厚ｄ２＝８００±８０ｎｍのＭｇＦ2
（第２層）４ｂを積層して形成した反射防止膜４とより
成る。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view conceptually showing a natural cooling device of a first embodiment of the present invention. The natural cooling device of the present embodiment includes a selective radiation film 1 and a cover device 2 arranged at a predetermined distance from the selective radiation film 1. The cover device 2 includes a Si substrate 3 and Si (first layer) having a film thickness d1 = 200 ± 20 nm on the Si substrate 3 from the atmosphere side.
4a and MgF 2 with a film thickness d2 = 800 ± 80 nm
(Second layer) 4b is laminated to form an antireflection film 4.
【００１２】この第１実施形態においては、カバー装置
２の基板３の材料として、機械的強度が高くかつ大気の
窓領域で吸収を示さない、比較的容易に入手可能な材料
であるＳｉを選定した。このＳｉ基板３上に反射防止膜
４を形成するため、反射防止膜４を構成する材料とし
て、安定な無機材料であるＳｉおよびＭｇＦ2 を選定し
た。In the first embodiment, as the material of the substrate 3 of the cover device 2, Si, which is a relatively easily available material having high mechanical strength and no absorption in the window region of the atmosphere, is selected. did. In order to form the antireflection film 4 on the Si substrate 3, Si and MgF 2 which are stable inorganic materials were selected as the material forming the antireflection film 4.
【００１３】上記材料の選定の下で、大気の窓領域での
反射率を低くするような評価関数を設定し、自動設計法
により反射防止膜を設計したところ、反射防止膜の好適
な設計例として、膜厚ｄ１＝２００ｎｍ、膜厚ｄ２＝８
００ｎｍとなる反射防止膜が得られ、この反射防止膜の
膜厚ｄ１およびｄ２は上記範囲内に収まっている。この
反射防止膜は図２に例示するような良好な反射特性を有
している。なお、上記設計例は最適化されたものを示し
たが、各薄膜の膜厚の誤差が±１０％を超えて大きくな
ると反射防止効果が徐々に小さくなるので、各薄膜の膜
厚の誤差を±１０％以内に抑える必要がある。Under the above material selection, an evaluation function was set so as to reduce the reflectance in the window region of the atmosphere, and the antireflection film was designed by the automatic design method. , Film thickness d1 = 200 nm, film thickness d2 = 8
An antireflection film having a thickness of 00 nm is obtained, and the film thicknesses d1 and d2 of this antireflection film are within the above range. This antireflection film has good reflection characteristics as illustrated in FIG. Note that the above design example shows the optimized one, but if the error in the film thickness of each thin film exceeds ± 10% and becomes large, the antireflection effect gradually decreases. It is necessary to keep it within ± 10%.
【００１４】この反射防止膜をＳｉ基板上に具えるカバ
ー装置２は、機械的強度が高く、かつ大気の窓領域での
透過率が良好なもの（したがって大気の窓領域での反射
率の低いもの）となるため、選択放射膜１に対し所定の
間隔を空けて配置することにより、大気から選択放射膜
１への熱伝導による冷却効果の阻害を防止することがで
きる。したがって、実用的な自然冷却装置を構成するこ
とができる。The cover device 2 having this antireflection film on the Si substrate has a high mechanical strength and a good transmittance in the window region of the atmosphere (thus, the reflectance in the window region of the atmosphere is low). Therefore, the cooling effect due to heat conduction from the atmosphere to the selective radiation film 1 can be prevented by arranging the selective radiation film 1 at a predetermined distance from the selective radiation film 1. Therefore, a practical natural cooling device can be configured.
【００１５】図３は本発明の第２実施形態の自然冷却装
置を概念的に示す断面図である。本実施形態の自然冷却
装置は、選択放射膜１と、選択放射膜１に対し所定の間
隔を空けて配置したカバー装置２とから成る。カバー装
置２は、Ｓｉ基板３と、Ｓｉ基板３上に大気側より膜厚
ｄ１＝１８７．７±１８．８ｎｍのＳｉ（第１層）４
ａ、膜厚ｄ２＝８１４．８±８１．５ｎｍのＭｇＦ2
（第２層）４ｂ、膜厚ｄ３＝８０７．２±８０．７ｎｍ
のＳｉ（第３層）４ｃおよび膜厚ｄ４＝７９１．５±７
９．２ｎｍのａ−Ｓｉ（第４層）４ｄを積層して形成し
た反射防止膜４とより成る。FIG. 3 is a sectional view conceptually showing a natural cooling device of a second embodiment of the present invention. The natural cooling device of the present embodiment includes a selective radiation film 1 and a cover device 2 arranged at a predetermined distance from the selective radiation film 1. The cover device 2 includes a Si substrate 3 and a Si (first layer) 4 having a film thickness d1 = 187.7 ± 18.8 nm on the Si substrate 3 from the atmosphere side.
a, film thickness d2 = 814.8 ± 81.5 nm of MgF 2
(Second layer) 4b, film thickness d3 = 807.2 ± 80.7 nm
Si (third layer) 4c and film thickness d4 = 791.5 ± 7
The antireflection film 4 is formed by laminating a-Si (fourth layer) 4d of 9.2 nm.
【００１６】この第２実施形態においては、カバー装置
２の基板３の材料として、機械的強度が高くかつ大気の
窓領域で吸収を示さない、比較的容易に入手可能な材料
であるＳｉを選定した。このＳｉ基板３上に反射防止膜
４を形成するため、反射防止膜４を構成する材料とし
て、安定な無機材料であるＳｉ、ＭｇＦ2 およびａ−Ｓ
ｉを選定した。In the second embodiment, as the material of the substrate 3 of the cover device 2, Si, which is a relatively easily available material that has high mechanical strength and does not absorb in the window region of the atmosphere, is selected. did. Since the antireflection film 4 is formed on the Si substrate 3, stable inorganic materials such as Si, MgF 2 and a-S are used as materials for the antireflection film 4.
i was selected.
【００１７】上記材料の選定の下で、大気の窓領域での
反射率を低くするような評価関数を設定し、自動設計法
により反射防止膜を設計したところ、反射防止膜の好適
な設計例として、膜厚ｄ１＝１８７．７ｎｍ、膜厚ｄ２
＝８１４．８ｎｍ、膜厚ｄ３＝８０７．２ｎｍ、膜厚ｄ
４＝７９１．５ｎｍとなる反射防止膜が得られ、この反
射防止膜の膜厚ｄ１、ｄ２、ｄ３およびｄ４は上記範囲
内に収まっている。この反射防止膜は図４に例示するよ
うな良好な反射特性を有している。 なお、上記設計例
は最適化されたものを示したが、各薄膜の膜厚の誤差が
±１０％を超えて大きくなると反射防止効果が徐々に小
さくなるので、各薄膜の膜厚の誤差を±１０％以内に抑
える必要がある。Under the above-mentioned material selection, an evaluation function was set so as to reduce the reflectance in the window region of the atmosphere, and the antireflection film was designed by the automatic design method. , Film thickness d1 = 187.7 nm, film thickness d2
= 814.8 nm, film thickness d3 = 807.2 nm, film thickness d
An antireflection film having a thickness of 4 = 791.5 nm was obtained, and the film thicknesses d1, d2, d3 and d4 of this antireflection film were within the above range. This antireflection film has good reflection characteristics as illustrated in FIG. Note that the above design example shows the optimized one, but if the error in the film thickness of each thin film exceeds ± 10% and becomes large, the antireflection effect gradually decreases. It is necessary to keep it within ± 10%.
【００１８】この反射防止膜をＳｉ基板上に具えるカバ
ー装置２は、機械的強度が高く、かつ大気の窓領域での
透過率が良好なもの（したがって大気の窓領域での反射
率の低いもの）となるため、選択放射膜１に対し所定の
間隔を空けて配置することにより、大気から選択放射膜
１への熱伝導による冷却効果の阻害を防止することがで
きる。したがって、実用的な自然冷却装置を構成するこ
とができる。The cover device 2 having this antireflection film on the Si substrate has high mechanical strength and good transmittance in the window region of the atmosphere (thus low reflectance in the window region of the atmosphere). Therefore, the cooling effect due to heat conduction from the atmosphere to the selective radiation film 1 can be prevented by arranging the selective radiation film 1 at a predetermined distance from the selective radiation film 1. Therefore, a practical natural cooling device can be configured.
【００１９】図５は本発明の第３実施形態の自然冷却装
置を概念的に示す断面図である。本実施形態の自然冷却
装置は、選択放射膜１と、選択放射膜１に対し所定の間
隔を空けて配置したカバー装置２とから成る。カバー装
置２は、Ｓｉ基板３と、Ｓｉ基板３上に大気側より膜厚
ｄ１＝１０２．３±１０．２ｎｍのａ−Ｓｉ（第１層）
４ａ、膜厚ｄ２＝１２０８．０±１２０．８ｎｍのＭｇ
Ｆ2 （第２層）４ｂ、膜厚ｄ３＝２３１．７±２３．２
ｎｍのＳｉ（第３層）４ｃおよび膜厚ｄ４＝６２４．２
±６２．４ｎｍのＣｕ2 Ｏ（第４層）４ｄを積層して形
成した反射防止膜４とより成る。FIG. 5 is a sectional view conceptually showing a natural cooling device of a third embodiment of the present invention. The natural cooling device of the present embodiment includes a selective radiation film 1 and a cover device 2 arranged at a predetermined distance from the selective radiation film 1. The cover device 2 includes a Si substrate 3 and a-Si (first layer) having a film thickness d1 = 102.3 ± 10.2 nm on the Si substrate 3 from the atmosphere side.
4a, film thickness d2 = 1208.0 ± 120.8 nm Mg
F 2 (second layer) 4b, film thickness d3 = 231.7 ± 23.2
nm Si (third layer) 4c and film thickness d4 = 624.2
The antireflection film 4 is formed by laminating Cu 2 O (fourth layer) 4d of ± 62.4 nm.
【００２０】この第３実施形態においては、カバー装置
２の基板３の材料として、機械的強度が高くかつ大気の
窓領域で吸収を示さない、比較的容易に入手可能な材料
であるＳｉを選定した。このＳｉ基板３上に反射防止膜
４を形成するため、反射防止膜４を構成する材料とし
て、安定な無機材料であるａ−Ｓｉ、ＭｇＦ2 、Ｓｉお
よびＣｕ2 Ｏを選定した。In the third embodiment, as the material of the substrate 3 of the cover device 2, Si, which is a relatively easily available material that has high mechanical strength and does not show absorption in the window region of the atmosphere, is selected. did. In order to form the antireflection film 4 on the Si substrate 3, stable inorganic materials a-Si, MgF 2 , Si and Cu 2 O were selected as the material forming the antireflection film 4.
【００２１】上記材料の選定の下で、大気の窓領域での
反射率を低くするような評価関数を設定し、自動設計法
により反射防止膜を設計したところ、反射防止膜の好適
な設計例として、膜厚ｄ１＝１０２．３ｎｍ、膜厚ｄ２
＝１２０８．０ｎｍ、膜厚ｄ３＝２３１．７ｎｍ、膜厚
ｄ４＝６２４．２ｎｍとなる反射防止膜が得られ、この
反射防止膜の膜厚ｄ１、ｄ２、ｄ３およびｄ４は上記範
囲内に収まっている。この反射防止膜は図６に例示する
ような良好な反射特性を有している。なお、上記設計例
は最適化されたものを示したが、各薄膜の膜厚の誤差が
±１０％を超えて大きくなると反射防止効果が徐々に小
さくなるので、各薄膜の膜厚の誤差を±１０％以内に抑
える必要がある。Under the above material selection, an evaluation function was set so as to lower the reflectance in the window region of the atmosphere, and the antireflection film was designed by the automatic design method. , Film thickness d1 = 102.3 nm, film thickness d2
= 1208.0 nm, film thickness d3 = 231.7 nm, film thickness d4 = 624.2 nm was obtained, and the film thicknesses d1, d2, d3 and d4 of this antireflection film were within the above range. There is. This antireflection film has good reflection characteristics as illustrated in FIG. Note that the above design example shows the optimized one, but if the error in the film thickness of each thin film exceeds ± 10% and becomes large, the antireflection effect gradually decreases. It is necessary to keep it within ± 10%.
【００２２】この反射防止膜をＳｉ基板上に具えるカバ
ー装置２は、機械的強度が高く、かつ大気の窓領域での
透過率が良好なもの（したがって大気の窓領域での反射
率の低いもの）となるため、選択放射膜１に対し所定の
間隔を空けて配置することにより、大気から選択放射膜
１への熱伝導による冷却効果の阻害を防止することがで
きる。したがって、実用的な自然冷却装置を構成するこ
とができる。The cover device 2 having this antireflection film on the Si substrate has high mechanical strength and good transmittance in the window region of the atmosphere (hence low reflectance in the window region of the atmosphere). Therefore, the cooling effect due to heat conduction from the atmosphere to the selective radiation film 1 can be prevented by arranging the selective radiation film 1 at a predetermined distance from the selective radiation film 1. Therefore, a practical natural cooling device can be configured.
【００２３】図７は本発明の第４実施形態の自然冷却装
置を概念的に示す断面図である。本実施形態の自然冷却
装置は、選択放射膜１と、選択放射膜１に対し所定の間
隔を空けて配置したカバー装置２とから成る。カバー装
置２は、Ｓｉ基板３と、Ｓｉ基板３上に大気側より膜厚
ｄ１＝９２．６±９．３ｎｍのａ−Ｓｉ（第１層）４
ａ、膜厚ｄ２＝１３１４．２±１３１．４ｎｍのＭｇＦ
2 （第２層）４ｂ、膜厚ｄ３＝２３０．５±２３．１ｎ
ｍのＳｉ（第３層）４ｃ、膜厚ｄ４＝６１２．０±６
１．２ｎｍのＣｕ2 Ｏ（第４層）４ｄおよび膜厚ｄ５＝
１５９２．３±１５９．２ｎｍのａ−Ｓｉ（第５層）４
ｅを積層して形成した反射防止膜４とより成る。FIG. 7 is a sectional view conceptually showing a natural cooling device of a fourth embodiment of the present invention. The natural cooling device of the present embodiment includes a selective radiation film 1 and a cover device 2 arranged at a predetermined distance from the selective radiation film 1. The cover device 2 includes a Si substrate 3 and an a-Si (first layer) 4 having a film thickness d1 = 92.6 ± 9.3 nm on the Si substrate 3 from the atmosphere side.
a, MgF having a film thickness d2 = 1314.2 ± 131.4 nm
2 (second layer) 4b, film thickness d3 = 230.5 ± 23.1n
m of Si (third layer) 4c, film thickness d4 = 612.0 ± 6
Cu 2 O (fourth layer) 4d of 1.2 nm and film thickness d5 =
1592.3 ± 159.2 nm a-Si (fifth layer) 4
The antireflection film 4 is formed by stacking e.
【００２４】この第４実施形態においては、カバー装置
２の基板３の材料として、機械的強度が高くかつ大気の
窓領域で吸収を示さない、比較的容易に入手可能な材料
であるＳｉを選定した。このＳｉ基板３上に反射防止膜
４を形成するため、反射防止膜４を構成する材料とし
て、安定な無機材料であるａ−Ｓｉ、ＭｇＦ2 、Ｓｉお
よびＣｕ2 Ｏを選定した。In the fourth embodiment, as the material of the substrate 3 of the cover device 2, Si, which is a relatively easily available material that has high mechanical strength and does not absorb in the window region of the atmosphere, is selected. did. In order to form the antireflection film 4 on the Si substrate 3, stable inorganic materials a-Si, MgF 2 , Si and Cu 2 O were selected as the material forming the antireflection film 4.
【００２５】上記材料の選定の下で、大気の窓領域での
反射率を低くするような評価関数を設定し、自動設計法
により反射防止膜を設計したところ、反射防止膜の好適
な設計例として、膜厚ｄ１＝９２．６ｎｍ、膜厚ｄ２＝
１３１４．２ｎｍ、膜厚ｄ３＝２３０．５ｎｍ、膜厚ｄ
４＝６１２．０ｎｍ、膜厚ｄ５＝１５９２．３ｎｍとな
る反射防止膜が得られ、この反射防止膜の膜厚ｄ１、ｄ
２、ｄ３、ｄ４およびｄ５は上記範囲内に収まってい
る。この反射防止膜は図８に例示するような良好な反射
特性を有している。なお、上記設計例は最適化されたも
のを示したが、各薄膜の膜厚の誤差が±１０％を超えて
大きくなると反射防止効果が徐々に小さくなるので、各
薄膜の膜厚の誤差を±１０％以内に抑える必要がある。Under the above material selection, an evaluation function for lowering the reflectance in the window region of the atmosphere was set, and the antireflection film was designed by the automatic design method. , Film thickness d1 = 92.6 nm, film thickness d2 =
1314.2 nm, film thickness d3 = 230.5 nm, film thickness d
An antireflection film having a thickness of 4 = 612.0 nm and a film thickness of d5 = 1592.3 nm was obtained, and the film thicknesses d1 and d of the antireflection film were obtained.
2, d3, d4 and d5 are within the above range. This antireflection film has good reflection characteristics as illustrated in FIG. Note that the above design example shows the optimized one, but if the error in the film thickness of each thin film exceeds ± 10% and becomes large, the antireflection effect gradually decreases. It is necessary to keep it within ± 10%.
【００２６】この反射防止膜をＳｉ基板上に具えるカバ
ー装置２は、機械的強度が高く、かつ大気の窓領域での
透過率が良好なもの（したがって大気の窓領域での反射
率の低いもの）となるため、選択放射膜１に対し所定の
間隔を空けて配置することにより、大気から選択放射膜
１への熱伝導による冷却効果の阻害を防止することがで
きる。したがって、実用的な自然冷却装置を構成するこ
とができる。The cover device 2 having this antireflection film on the Si substrate has high mechanical strength and good transmittance in the window region of the atmosphere (hence low reflectance in the window region of the atmosphere). Therefore, the cooling effect due to heat conduction from the atmosphere to the selective radiation film 1 can be prevented by arranging the selective radiation film 1 at a predetermined distance from the selective radiation film 1. Therefore, a practical natural cooling device can be configured.
【００２７】図９は本発明の第５実施形態の自然冷却装
置を概念的に示す断面図である。本実施形態の自然冷却
装置は、選択放射膜１と、選択放射膜１に対し所定の間
隔を空けて配置したカバー装置２とから成る。カバー装
置２は、ａ−Ｓｉ基板３と、ａ−Ｓｉ基板３上に大気側
より膜厚ｄ１＝１５８．３±１５．８ｎｍのａ−Ｓｉ
（第１層）４ａおよび、膜厚ｄ２＝８５３．２±８５．
３ｎｍのＭｇＦ2 （第２層）４ｂを積層して形成した反
射防止膜４とより成る。FIG. 9 is a sectional view conceptually showing the natural cooling system of the fifth embodiment of the present invention. The natural cooling device of the present embodiment includes a selective radiation film 1 and a cover device 2 arranged at a predetermined distance from the selective radiation film 1. The cover device 2 includes an a-Si substrate 3 and an a-Si film having a film thickness d1 = 158.3 ± 15.8 nm on the a-Si substrate 3 from the atmosphere side.
(First layer) 4a and film thickness d2 = 853.2 ± 85.
The antireflection film 4 is formed by laminating 3 nm of MgF 2 (second layer) 4b.
【００２８】この第５実施形態においては、カバー装置
２の基板３の材料として、機械的強度が高くかつ大気の
窓領域で吸収を示さない、比較的容易に入手可能な材料
であるａ−Ｓｉを選定した。このａ−Ｓｉ基板３上に反
射防止膜４を形成するため、反射防止膜４を構成する材
料として、安定な無機材料であるａ−ＳｉおよびＭｇＦ
2 を選定した。In the fifth embodiment, as the material of the substrate 3 of the cover device 2, a-Si which is a relatively easily available material which has high mechanical strength and does not show absorption in the window region of the atmosphere. Was selected. Since the antireflection film 4 is formed on the a-Si substrate 3, a stable inorganic material such as a-Si and MgF is used as a material forming the antireflection film 4.
2 was selected.
【００２９】上記材料の選定の下で、大気の窓領域での
反射率を低くするような評価関数を設定し、自動設計法
により反射防止膜を設計したところ、反射防止膜の好適
な設計例として、膜厚ｄ１＝１５８．３ｎｍ、膜厚ｄ２
＝８５３．２ｎｍとなる反射防止膜が得られ、この反射
防止膜の膜厚ｄ１およびｄ２は上記範囲内に収まってい
る。この反射防止膜は図１０に例示するような良好な反
射特性を有している。なお、上記設計例は最適化された
ものを示したが、各薄膜の膜厚の誤差が±１０％を超え
て大きくなると反射防止効果が徐々に小さくなるので、
各薄膜の膜厚の誤差を±１０％以内に抑える必要があ
る。Under the above-mentioned material selection, an evaluation function was set so as to lower the reflectance in the window region of the atmosphere, and the antireflection film was designed by the automatic design method. , Film thickness d1 = 158.3 nm, film thickness d2
= 853.2 nm is obtained, and the film thicknesses d1 and d2 of this antireflection film are within the above range. This antireflection film has good reflection characteristics as illustrated in FIG. Note that the above design example shows the optimized one, but if the error in the thickness of each thin film exceeds ± 10% and becomes large, the antireflection effect gradually decreases.
It is necessary to suppress the error in the film thickness of each thin film within ± 10%.
【００３０】この反射防止膜をａ−Ｓｉ基板上に具える
カバー装置２は、機械的強度が高く、かつ大気の窓領域
での透過率が良好なもの（したがって大気の窓領域での
反射率の低いもの）となるため、選択放射膜１に対し所
定の間隔を空けて配置することにより、大気から選択放
射膜１への熱伝導による冷却効果の阻害を防止すること
ができる。したがって、実用的な自然冷却装置を構成す
ることができる。The cover device 2 provided with this antireflection film on the a-Si substrate has a high mechanical strength and a good transmittance in the window region of the atmosphere (thus, the reflectance in the window region of the atmosphere). Therefore, it is possible to prevent the cooling effect from being hindered by heat conduction from the atmosphere to the selective radiation film 1 by arranging the selective radiation film 1 at a predetermined distance from the selective radiation film 1. Therefore, a practical natural cooling device can be configured.
【００３１】図１１は本発明の第６実施形態の自然冷却
装置を概念的に示す断面図である。本実施形態の自然冷
却装置は、選択放射膜１と、選択放射膜１に対し所定の
間隔を空けて配置したカバー装置２とから成る。カバー
装置２は、ａ−Ｓｉ基板３と、ａ−Ｓｉ基板３上に大気
側より膜厚ｄ１＝１０９．０±１０．９ｎｍのａ−Ｓｉ
（第１層）４ａおよび、膜厚ｄ２＝９８４．０±９８．
４ｎｍのＭｇＦ2 （第２層）４ｂを積層して形成した反
射防止膜４とより成る。FIG. 11 is a sectional view conceptually showing the natural cooling system of the sixth embodiment of the present invention. The natural cooling device of the present embodiment includes a selective radiation film 1 and a cover device 2 arranged at a predetermined distance from the selective radiation film 1. The cover device 2 includes an a-Si substrate 3 and an a-Si film having a film thickness d1 = 109.0 ± 10.9 nm on the a-Si substrate 3 from the atmosphere side.
(First layer) 4a and film thickness d2 = 984.0 ± 98.
The antireflection film 4 is formed by laminating 4 nm of MgF 2 (second layer) 4b.
【００３２】この第６実施形態においては、カバー装置
２の基板３の材料として、機械的強度が高くかつ大気の
窓領域で吸収を示さない、比較的容易に入手可能な材料
であるａ−Ｓｉを選定した。このａ−Ｓｉ基板３上に反
射防止膜４を形成するため、反射防止膜４を構成する材
料として、安定な無機材料であるａ−ＳｉおよびＭｇＦ
2 を選定した。In the sixth embodiment, as the material of the substrate 3 of the cover device 2, a-Si, which is a relatively easily available material having high mechanical strength and no absorption in the window region of the atmosphere. Was selected. Since the antireflection film 4 is formed on the a-Si substrate 3, a stable inorganic material such as a-Si and MgF is used as a material forming the antireflection film 4.
2 was selected.
【００３３】上記材料の選定の下で、大気の窓領域での
反射率を低くするような評価関数を設定し、自動設計法
により反射防止膜を設計したところ、反射防止膜の好適
な設計例として、膜厚ｄ１＝１０９．０ｎｍ、膜厚ｄ２
＝９８４．０ｎｍとなる反射防止膜が得られ、この反射
防止膜の膜厚ｄ１およびｄ２は上記範囲内に収まってい
る。この反射防止膜は図１２に例示するような良好な反
射特性を有している。なお、上記設計例は最適化された
ものを示したが、各薄膜の膜厚の誤差が±１０％を超え
て大きくなると反射防止効果が徐々に小さくなるので、
各薄膜の膜厚の誤差を±１０％以内に抑える必要があ
る。Under the above material selection, an antireflection film was designed by an automatic design method by setting an evaluation function for lowering the reflectance in the window region of the atmosphere, and a suitable design example of the antireflection film was obtained. , Film thickness d1 = 109.0 nm, film thickness d2
= 984.0 nm was obtained, and the film thicknesses d1 and d2 of this antireflection film were within the above range. This antireflection film has good reflection characteristics as illustrated in FIG. Note that the above design example shows the optimized one, but if the error in the thickness of each thin film exceeds ± 10% and becomes large, the antireflection effect gradually decreases.
It is necessary to suppress the error in the film thickness of each thin film within ± 10%.
【００３４】この反射防止膜をａ−Ｓｉ基板上に具える
カバー装置２は、機械的強度が高く、かつ大気の窓領域
での透過率が良好なもの（したがって大気の窓領域での
反射率の低いもの）となるため、選択放射膜１に対し所
定の間隔を空けて配置することにより、大気から選択放
射膜１への熱伝導による冷却効果の阻害を防止すること
ができる。したがって、実用的な自然冷却装置を構成す
ることができる。The cover device 2 having this antireflection film on the a-Si substrate has a high mechanical strength and a good transmittance in the window region of the atmosphere (hence, the reflectance in the window region of the atmosphere). Therefore, it is possible to prevent the cooling effect from being hindered by heat conduction from the atmosphere to the selective radiation film 1 by arranging the selective radiation film 1 at a predetermined distance from the selective radiation film 1. Therefore, a practical natural cooling device can be configured.
【００３５】図１３は本発明の第７実施形態の自然冷却
装置を概念的に示す断面図である。本実施形態の自然冷
却装置は、選択放射膜１と、選択放射膜１に対し所定の
間隔を空けて配置したカバー装置２とから成る。カバー
装置２は、ａ−Ｓｉ基板３と、ａ−Ｓｉ基板３上に大気
側より膜厚ｄ１＝１３４．１±１３．４ｎｍのａ−Ｓｉ
（第１層）４ａ、膜厚ｄ２＝９６９．９±９７．０ｎｍ
のＭｇＦ2 （第２層）４ｂ、膜厚ｄ３＝３６２．６±３
６．３ｎｍのａ−Ｓｉ（第３層）４ｃおよび膜厚ｄ４＝
２０９．２±２０．９ｎｍのＡＬＯＮ（第４層）４ｄを
積層して形成した反射防止膜４とより成る。FIG. 13 is a sectional view conceptually showing the natural cooling system of the seventh embodiment of the present invention. The natural cooling device of the present embodiment includes a selective radiation film 1 and a cover device 2 arranged at a predetermined distance from the selective radiation film 1. The cover device 2 includes an a-Si substrate 3 and an a-Si substrate having a film thickness d1 of 134.1 ± 13.4 nm on the a-Si substrate 3 from the atmosphere side.
(First layer) 4a, film thickness d2 = 969.9 ± 97.0 nm
MgF 2 (second layer) 4b, film thickness d3 = 362.6 ± 3
A-Si (third layer) 4c of 6.3 nm and film thickness d4 =
The antireflection film 4 is formed by laminating ALON (fourth layer) 4d of 209.2 ± 20.9 nm.
【００３６】この第７実施形態においては、カバー装置
２の基板３の材料として、機械的強度が高くかつ大気の
窓領域で吸収を示さない、比較的容易に入手可能な材料
であるａ−Ｓｉを選定した。このａ−Ｓｉ基板３上に反
射防止膜４を形成するため、反射防止膜４を構成する材
料として、安定な無機材料であるａ−Ｓｉ、ＭｇＦ2お
よびＡＬＯＮを選定した。In the seventh embodiment, the material for the substrate 3 of the cover device 2 is a relatively easily available material a-Si which has high mechanical strength and does not absorb in the window region of the atmosphere. Was selected. In order to form the antireflection film 4 on the a-Si substrate 3, stable inorganic materials a-Si, MgF 2 and ALON were selected as the material forming the antireflection film 4.
【００３７】上記材料の選定の下で、大気の窓領域での
反射率を低くするような評価関数を設定し、自動設計法
により反射防止膜を設計したところ、反射防止膜の好適
な設計例として、膜厚ｄ１＝１３４．１ｎｍ、膜厚ｄ２
＝９６９．９ｎｍ、膜厚ｄ３＝３６２．６ｎｍ、膜厚ｄ
４＝２０９．２ｎｍとなる反射防止膜が得られ、この反
射防止膜の膜厚ｄ１、ｄ２、ｄ３およびｄ４は上記範囲
内に収まっている。この反射防止膜は図１４に例示する
ような良好な反射特性を有している。なお、上記設計例
は最適化されたものを示したが、各薄膜の膜厚の誤差が
±１０％を超えて大きくなると反射防止効果が徐々に小
さくなるので、各薄膜の膜厚の誤差を±１０％以内に抑
える必要がある。Under the above material selection, an evaluation function was set so as to lower the reflectance in the window region of the atmosphere, and the antireflection film was designed by the automatic design method. , Film thickness d1 = 134.1 nm, film thickness d2
= 969.9 nm, film thickness d3 = 362.6 nm, film thickness d
An antireflection film having a thickness of 4 = 209.2 nm was obtained, and the film thicknesses d1, d2, d3 and d4 of this antireflection film were within the above range. This antireflection film has good reflection characteristics as illustrated in FIG. Note that the above design example shows the optimized one, but if the error in the film thickness of each thin film exceeds ± 10% and becomes large, the antireflection effect gradually decreases. It is necessary to keep it within ± 10%.
【００３８】この反射防止膜をａ−Ｓｉ基板上に具える
カバー装置２は、機械的強度が高く、かつ大気の窓領域
での透過率が良好なもの（したがって大気の窓領域での
反射率の低いもの）となるため、選択放射膜１に対し所
定の間隔を空けて配置することにより、大気から選択放
射膜１への熱伝導による冷却効果の阻害を防止すること
ができる。したがって、実用的な自然冷却装置を構成す
ることができる。The cover device 2 having this antireflection film on the a-Si substrate has a high mechanical strength and a good transmittance in the window region of the atmosphere (hence, the reflectance in the window region of the atmosphere). Therefore, it is possible to prevent the cooling effect from being hindered by heat conduction from the atmosphere to the selective radiation film 1 by arranging the selective radiation film 1 at a predetermined distance from the selective radiation film 1. Therefore, a practical natural cooling device can be configured.
【００３９】なお、ＫＣＬ等の特殊材料は使いにくい
が、仮にこれらをカバー装置の基板として使用する場合
には、以下に例示するような反射防止膜を設ければ、実
用上問題ないレベルまで反射率を下げることができる。 例１；ＫＣＬ基板上に大気側より膜厚７３８．８ｎｍの
ＫＣＬの第１層、膜厚１７０１．１ｎｍのＭｇＦ2 の第
２層を積層して形成した反射防止膜。 例２；ＫＣＬ基板上に大気側より膜厚７３４．０ｎｍの
ＫＣＬの第１層、膜厚１６８７．８ｎｍのＭｇＦ2 の第
２層、膜厚１１５．８ｎｍのＣｕ2 Ｏの第３層、１０
０．２ｎｍのＭｇＯの第４層を積層して形成した反射防
止膜。 例３；ＫＲＳ−５基板上に大気側より膜厚１００７．４
ｎｍのＫＣＬの第１層、膜厚９４２．４ｎｍのＭｇＦ2
の第２層を積層して形成した反射防止膜。 例４；ＫＲＳ−５基板上に大気側より膜厚１０３８．６
ｎｍのＫＣＬの第１層、膜厚１００５．７ｎｍのＭｇＦ
2 の第２層、膜厚５９７．４ｎｍのＫＲＳ−５の第３
層、２３０．６ｎｍのＡＬＯＮの第４層を積層して形成
した反射防止膜。Although special materials such as KCL are difficult to use, if these are used as the substrate of the cover device, if an antireflection film as shown below is provided, the reflection will reach a level at which there is no practical problem. The rate can be reduced. Example 1: An antireflection film formed by laminating a first layer of KCL having a film thickness of 738.8 nm and a second layer of MgF 2 having a film thickness of 1701.1 nm on the KCL substrate from the atmosphere side. Example 2: First layer of KCL having a film thickness of 734.0 nm on the KCL substrate from the atmosphere side, second layer of MgF 2 having a film thickness of 1687.8 nm, third layer of Cu 2 O having a film thickness of 115.8 nm, 10
An antireflection film formed by laminating a fourth layer of 0.2 nm MgO. Example 3; film thickness of 1007.4 on the KRS-5 substrate from the atmosphere side.
nm KCL first layer, 942.4 nm thick MgF 2
An antireflection film formed by laminating the second layer of. Example 4; film thickness 1038.6 on the KRS-5 substrate from the atmosphere side.
nm KCL first layer, 1005.7 nm thick MgF
2nd layer, KRS-5 3rd layer with a thickness of 597.4 nm
Layer, an antireflection film formed by laminating a fourth layer of ALON having a thickness of 230.6 nm.
【００４０】なお、本発明は上述した例のみに限定され
るものではなく、種々の変更または変形を加えることが
できる。例えば、上記請求項１において、前記カバー装
置は、Ｓｉ基板と、該Ｓｉ基板上に大気側より膜厚２０
０±２０ｎｍのＳｉの第１層および膜厚８００±８０ｎ
ｍのＭｇＦ2 の第２層を積層して形成した反射防止膜と
より成ることを特徴とする自然冷却装置としてもよい
（付記項１）。また、上記請求項１において、前記カバ
ー装置は、Ｓｉ基板と、該Ｓｉ基板上に大気側より膜厚
１８７．７±１８．８ｎｍのＳｉの第１層、膜厚８１
４．８±８１．５ｎｍのＭｇＦ2 の第２層、膜厚８０
７．２±８０．７ｎｍのＳｉの第３層および膜厚７９
１．５±７９．２ｎｍのａ−Ｓｉの第４層を積層して形
成した反射防止膜とより成ることを特徴とする自然冷却
装置としてもよい（付記項２）。The present invention is not limited to the above-mentioned examples, and various changes or modifications can be added. For example, in the above-mentioned claim 1, the cover device has a Si substrate and a film thickness of 20 on the Si substrate from the atmosphere side.
0 ± 20 nm Si first layer and film thickness 800 ± 80 n
A natural cooling device may be formed of an antireflection film formed by laminating a second layer of MgF 2 of m (Appendix 1). Further, in the above-mentioned claim 1, the cover device comprises a Si substrate, a first layer of Si having a film thickness of 187.7 ± 18.8 nm on the Si substrate from the atmosphere side, and a film thickness of 81.
4.8 ± 81.5 nm MgF 2 second layer, thickness 80
7.2 ± 80.7 nm Si third layer and thickness 79
A natural cooling device may be formed of an antireflection film formed by laminating a fourth layer of 1.5 ± 79.2 nm a-Si (Appendix 2).
【００４１】また、上記請求項１において、前記カバー
装置は、Ｓｉ基板と、該Ｓｉ基板上に大気側より１０
２．３±１０．２ｎｍのａ−Ｓｉの第１層、膜厚１２０
８．０±１２０．８ｎｍのＭｇＦ2 の第２層、膜厚２３
１．７±２３．２ｎｍのＳｉの第３層および膜厚６２
４．２±６２．４ｎｍのＣｕ2 Ｏの第４層を積層して形
成した反射防止膜とより成ることを特徴とする自然冷却
装置としてもよい（付記項３）。また、上記請求項１に
おいて、前記カバー装置は、Ｓｉ基板と、該Ｓｉ基板上
に大気側より膜厚９２．６±９．３ｎｍのａ−Ｓｉの第
１層、膜厚１３１４．２±１３１．４ｎｍのＭｇＦ2 の
第２層、膜厚２３０．５±２３．１ｎｍのＳｉの第３
層、膜厚６１２．０±６１．２ｎｍのＣｕ2 Ｏの第４層
および膜厚１５９２．３±１５９．２ｎｍのａ−Ｓｉの
第５層を積層して形成した反射防止膜とより成ることを
特徴とする自然冷却装置としてもよい（付記項４）。Further, in the above-mentioned claim 1, the cover device comprises a Si substrate, and the Si substrate is provided on the Si substrate 10 from the atmosphere side.
2.3 ± 10.2 nm a-Si first layer, thickness 120
Second layer of MgF 2 of 8.0 ± 120.8 nm, film thickness 23
1.7 ± 23.2 nm Si third layer and thickness 62
A natural cooling device may be formed of an antireflection film formed by laminating a fourth layer of Cu 2 O having a thickness of 4.2 ± 62.4 nm (Appendix 3). Further, in the above-mentioned claim 1, the cover device comprises a Si substrate, a first layer of a-Si having a film thickness of 92.6 ± 9.3 nm from the atmosphere side on the Si substrate, and a film thickness of 1314.2 ± 131. Second layer of MgF 2 of 0.4 nm, third layer of Si of 230.5 ± 23.1 nm thickness
Layer, a fourth layer of Cu 2 O having a film thickness of 612.0 ± 61.2 nm and an a-Si fifth layer having a film thickness of 1592.3 ± 159.2 nm are laminated to form an antireflection film. It may be a natural cooling device characterized by (Appendix 4).
【００４２】また、上記請求項１において、前記カバー
装置は、ａ−Ｓｉ基板と、該ａ−Ｓｉ基板上に大気側よ
り膜厚１５８．３±１５．８ｎｍのａ−Ｓｉの第１層お
よび膜厚８５３．２±８５．３ｎｍのＭｇＦ2 の第２層
を積層して形成した反射防止膜とより成ることを特徴と
する自然冷却装置としてもよい（付記項５）。また、上
記請求項１において、前記カバー装置は、ａ−Ｓｉ基板
と、該ａ−Ｓｉ基板上に大気側より膜厚１０９．０±１
０．９ｎｍのａ−Ｓｉの第１層および膜厚９８４．０±
９８．４ｎｍのＭｇＦ2 の第２層を積層して形成した反
射防止膜とより成ることを特徴とする自然冷却装置とし
てもよい（付記項６）。また、上記請求項１において、
前記カバー装置は、ａ−Ｓｉ基板と、該ａ−Ｓｉ基板上
に大気側より膜厚１３４．１±１３．４ｎｍのａ−Ｓｉ
の第１層、膜厚９６９．９±９７．０ｎｍのＭｇＦ2 の
第２層、膜厚３６２．６±３６．３ｎｍのａ−Ｓｉの第
３層および膜厚２０９．２±２０．９ｎｍのＡＬＯＮの
第４層を積層して形成した反射防止膜とより成ることを
特徴とする自然冷却装置としてもよい（付記項７）。Further, in the above-mentioned claim 1, the cover device comprises an a-Si substrate, a first layer of a-Si having a film thickness of 158.3 ± 15.8 nm from the atmosphere side on the a-Si substrate, and A natural cooling device may be formed of an antireflection film formed by laminating a second layer of MgF 2 having a film thickness of 853.2 ± 85.3 nm (Appendix 5). Further, in the above-mentioned claim 1, the cover device comprises an a-Si substrate and a film thickness of 109.0 ± 1 from the atmosphere side on the a-Si substrate.
0.9 nm a-Si first layer and film thickness 984.0 ±
A natural cooling device may be formed of an antireflection film formed by laminating a second layer of 98.4 nm MgF 2 (Appendix 6). In the above claim 1,
The cover device comprises an a-Si substrate and an a-Si film having a film thickness of 134.1 ± 13.4 nm on the a-Si substrate from the atmosphere side.
, A second layer of MgF 2 having a thickness of 969.9 ± 97.0 nm, a third layer of a-Si having a thickness of 362.6 ± 36.3 nm, and a thickness of 209.2 ± 20.9 nm. A natural cooling device may be formed of an antireflection film formed by laminating a fourth layer of ALON (Appendix 7).
【図１】本発明の第１実施形態の自然冷却装置を概念的
に示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view conceptually showing a natural cooling device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】第１実施形態の反射防止膜の好適な設計例にお
ける反射特性を例示する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating reflection characteristics in a preferred design example of the antireflection film of the first embodiment.
【図３】本発明の第２実施形態の自然冷却装置を概念的
に示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view conceptually showing a natural cooling device according to a second embodiment of the present invention.
【図４】第２実施形態の反射防止膜の好適な設計例にお
ける反射特性を例示する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating reflection characteristics in a preferred design example of the antireflection film of the second embodiment.
【図５】本発明の第３実施形態の自然冷却装置を概念的
に示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view conceptually showing a natural cooling device according to a third embodiment of the present invention.
【図６】第３実施形態の反射防止膜の好適な設計例にお
ける反射特性を例示する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating reflection characteristics in a preferred design example of the antireflection film of the third embodiment.
【図７】本発明の第４実施形態の自然冷却装置を概念的
に示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view conceptually showing a natural cooling device of a fourth embodiment of the present invention.
【図８】第４実施形態の反射防止膜の好適な設計例にお
ける反射特性を例示する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating reflection characteristics in a preferred design example of the antireflection film of the fourth embodiment.
【図９】本発明の第５実施形態の自然冷却装置を概念的
に示す断面図である。FIG. 9 is a sectional view conceptually showing a natural cooling device of a fifth embodiment of the present invention.
【図１０】第５実施形態の反射防止膜の好適な設計例に
おける反射特性を例示する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a reflection characteristic in a preferred design example of the antireflection film of the fifth embodiment.
【図１１】本発明の第６実施形態の自然冷却装置を概念
的に示す断面図である。FIG. 11 is a sectional view conceptually showing a natural cooling device of a sixth embodiment of the present invention.
【図１２】第６実施形態の反射防止膜の好適な設計例に
おける反射特性を例示する図である。FIG. 12 is a diagram illustrating reflection characteristics in a preferred design example of the antireflection film of the sixth embodiment.
【図１３】本発明の第７実施形態の自然冷却装置を概念
的に示す断面図である。FIG. 13 is a sectional view conceptually showing a natural cooling device of a seventh embodiment of the present invention.
【図１４】第７実施形態の反射防止膜の好適な設計例に
おける反射特性を例示する図である。FIG. 14 is a diagram illustrating a reflection characteristic in a preferred design example of the antireflection film of the seventh embodiment.
１ 選択放射膜 ２ カバー装置 ３ 基板 ４ 反射防止膜 ４ａ 第１層 ４ｂ 第２層 ４ｃ 第３層 ４ｄ 第４層 ４ｅ 第５層 1 Selective Radiation Film 2 Cover Device 3 Substrate 4 Antireflection Film 4a First Layer 4b Second Layer 4c Third Layer 4d Fourth Layer 4e Fifth Layer
Claims (1)
防止するカバー装置とを有する自然冷却装置において、 前記カバー装置の材質をシリコンまたはアモルファスシ
リコンとし、該カバー装置に反射防止膜を設けたことを
特徴とする自然冷却装置。1. A natural cooling device having a selective radiation film and a cover device for preventing heat conduction to ambient air, wherein the cover device is made of silicon or amorphous silicon, and an antireflection film is provided on the cover device. A natural cooling device characterized by being provided.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32300395A JPH09159339A (en) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | Device for natural cooling |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32300395A JPH09159339A (en) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | Device for natural cooling |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09159339A true JPH09159339A (en) | 1997-06-20 |
Family
ID=18150058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32300395A Withdrawn JPH09159339A (en) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | Device for natural cooling |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09159339A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2183733A1 (en) * | 2001-07-31 | 2003-03-16 | Inst Nac Tecnica Aeroespacial S Esteban Terradass | Flexible heat conductor |
| KR20160147649A (en) * | 2015-06-15 | 2016-12-23 | 팔로 알토 리서치 센터 인코포레이티드 | Metamaterials-enhanced passive radiative cooling panel |
| CN108710169A (en) * | 2018-08-03 | 2018-10-26 | 浙江大学 | Radiation refrigeration optical filter and its preparation method and application |
-
1995
- 1995-12-12 JP JP32300395A patent/JPH09159339A/en not_active Withdrawn
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