JPH09153484A - Method and apparatus for forming thin film - Google Patents
Method and apparatus for forming thin filmInfo
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- JPH09153484A JPH09153484A JP33402095A JP33402095A JPH09153484A JP H09153484 A JPH09153484 A JP H09153484A JP 33402095 A JP33402095 A JP 33402095A JP 33402095 A JP33402095 A JP 33402095A JP H09153484 A JPH09153484 A JP H09153484A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の薄膜製
造方法に関する。詳しくは、下地膜中の含有ガス成分を
除去することによって、例えばＣＶＤ膜の膜質を改善す
るとともに、ダストを削減するようにした薄膜の製造方
法および装置に係るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a thin film of a semiconductor device. More specifically, the present invention relates to a thin film manufacturing method and apparatus in which, for example, the quality of a CVD film is improved and dust is reduced by removing the gas component contained in the base film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のＣＶＤ膜の製造方法として、公開
技報９０−１９２９６号に見られるように、ウエハ表面
に付着した水分などの不純物を、ＣＶＤ成膜を行う前
に、加熱するとともに真空排気して除去するものが知ら
れる。2. Description of the Related Art As a conventional method for producing a CVD film, as shown in Japanese Unexamined Patent Publication No. 90-19296, impurities such as moisture adhering to the wafer surface are heated and vacuumed before the CVD film formation. It is known to exhaust and remove.
【０００３】また、特開昭６１−１７６１２５号公報に
見られるように、ウエハ表面に形成された自然酸化膜
を、熱酸化膜を形成する前に、加熱するとともに真空排
気して除去するものも知られる。Further, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-176125, there is also one that removes a natural oxide film formed on a wafer surface by heating and vacuum exhausting before forming a thermal oxide film. known.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては、ウエハの表面の不純物や自然酸化膜
を除去できるが、下地膜中の含有ガス成分を除去するこ
とができない。したがって、ＣＶＤ成膜中に下地膜から
発生するガス（アウトガス）がＣＶＤプロセスで用いる
反応ガスと反応して、局部的に膜の生成速度が上がり、
均質な膜に制御することが困難になる。また、このアウ
トガスの反応により、異物が形成され、ダストが発生す
る。これを更に詳しく説明すると、下地膜は、一般にプ
ラズマナイトライド、プラズマＳｉＯ2酸化膜等から成
り、定期的にプラズマクリーニングをしながら成膜され
る。このクリーニングは、Ｃ2Ｆ6ガスと酸素ガスとの混
合ガス、あるいはＮＦ3ガスとＮ2Ｏガスとの混合ガス等
のクリーニングガス雰囲気中で高周波放電させて、ドラ
イエッチングしながら行われる。クリーニング後は、ク
リーニングガスをＮ2ガスでパージするが、完全にパー
ジされない場合、クリーニングガスがＣ，Ｆのイオンの
形で下地膜中に含有される。したがって、次工程のＣＶ
Ｄ成膜中、下地膜からフッ素系ガス、炭素系ガスが発生
し、特にフッ素系ガスのＦ2ガスがＦの電気陰性度の高
さの為にＣＶＤ反応ガスたるハイドライド（水素化物：
ＳｉＨ4，ＰＨ3，Ｂ2Ｈ6,ＡｓＨ3等）のＨと反応してＨ
Ｆを生成し、ハイドライドを活性化させる。特に吸着性
の高いＰＨ3等は下地膜に吸着し、これが局部的に発生
するアウトガスにより活性化されて局部的に膜の生成速
度が上がり、均質な膜に制御することが困難になる。However, in the above-mentioned conventional technique, the impurities and the natural oxide film on the surface of the wafer can be removed, but the gas component contained in the base film cannot be removed. Therefore, the gas (outgas) generated from the base film during the CVD film formation reacts with the reaction gas used in the CVD process to locally increase the film formation rate,
It is difficult to control to a homogeneous film. Further, due to the reaction of this outgas, foreign matter is formed and dust is generated. Explaining this in more detail, the base film is generally formed of plasma nitride, plasma SiO 2 oxide film, or the like, and is formed while periodically performing plasma cleaning. This cleaning is performed while dry etching is performed by high frequency discharge in a cleaning gas atmosphere such as a mixed gas of C 2 F 6 gas and oxygen gas or a mixed gas of NF 3 gas and N 2 O gas. After the cleaning, the cleaning gas is purged with N 2 gas. However, when the cleaning gas is not completely purged, the cleaning gas is contained in the base film in the form of C and F ions. Therefore, the CV of the next process
During the film formation of D, fluorine-based gas and carbon-based gas are generated from the base film, and in particular, the fluorine-based gas F 2 gas is a hydride (hydride:
SiH 4 , PH 3 , B 2 H 6 , AsH 3 etc.)
Generates F and activates hydride. In particular, PH 3 and the like, which have a high adsorbability, are adsorbed on the base film, and this is activated by the outgas that is locally generated to locally increase the film formation rate, making it difficult to control a uniform film.
【０００５】本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなさ
れたものであって、例えば、ＣＶＤ等による薄膜形成中
に下地膜からのガスの発生を抑制して均質な成膜を行う
薄膜の製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems of the prior art. For example, the production of a thin film in which gas is suppressed from being generated from a base film during thin film formation by CVD or the like to form a uniform film. The purpose is to provide a method.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明においては、下地膜が形成されたウエハ表面
に薄膜を形成する前に、前記下地膜中の含有ガス成分を
除去することを特徴とする薄膜製造方法を提供する。In order to achieve the above object, in the present invention, the gas component contained in the underlayer film is removed before forming a thin film on the surface of the wafer on which the underlayer film is formed. A characteristic thin film manufacturing method is provided.
【０００７】好ましい実施例においては、前記薄膜をＣ
ＶＤプロセスにより形成することを特徴としている。In a preferred embodiment, the thin film is C
It is characterized by being formed by a VD process.
【０００８】別の好ましい実施例においては、前記含有
ガス成分を高真空排気して除去することを特徴としてい
る。Another preferred embodiment is characterized in that the contained gas component is evacuated to a high vacuum to be removed.
【０００９】別の好ましい実施例においては、前記含有
ガス成分を加熱して除去することを特徴としている。In another preferred embodiment, the contained gas component is heated and removed.
【００１０】別の好ましい実施例においては、前記含有
ガス成分をプラズマ照射して除去することを特徴として
いる。Another preferred embodiment is characterized in that the contained gas component is removed by plasma irradiation.
【００１１】別の好ましい実施例においては、前記下地
膜から発生するガスを、薄膜を形成する前に、質量分析
器により分析し、下地膜中の含有ガス成分の量が所定レ
ベル以下のとき、この下地膜が形成されたウエハを反応
室に搬送することを特徴としている。In another preferred embodiment, the gas generated from the base film is analyzed by a mass spectrometer before forming a thin film, and when the amount of the gas component contained in the base film is below a predetermined level, It is characterized in that the wafer on which the base film is formed is transferred to the reaction chamber.
【００１２】別の好ましい実施例においては、反応室の
クリーニング後に残留するガスを、下地膜を形成する前
に、質量分析器により分析し、その量が所定レベル以下
のとき、下地膜を形成することを特徴としている。In another preferred embodiment, the gas remaining after cleaning the reaction chamber is analyzed by a mass spectrometer before forming the base film, and when the amount is below a predetermined level, the base film is formed. It is characterized by that.
【００１３】さらに、本発明においては、下地膜が形成
されたウエハ表面に薄膜を形成する薄膜製造装置におい
て、前記下地膜の含有ガス成分をアウトガスとして放出
させるための含有ガス成分除去手段を備えたことを特徴
とする薄膜製造装置を提供する。Further, according to the present invention, in the thin film manufacturing apparatus for forming a thin film on the surface of the wafer on which the base film is formed, the contained gas component removing means for releasing the contained gas component of the base film as outgas is provided. A thin film manufacturing apparatus characterized by the above.
【００１４】好ましい実施例においては、前記含有ガス
成分除去手段は、真空排気ポンプおよび／または加熱ヒ
ーターおよび／またはプラズマ照射装置からなることを
特徴としている。In a preferred embodiment, the contained gas component removing means is characterized by comprising a vacuum exhaust pump and / or a heater and / or a plasma irradiation device.
【００１５】[0015]
【作用】例えばＣＶＤ成膜を行う前に、下地膜中の含有
ガス成分を、高真空排気等により除去する。これによ
り、ＣＶＤ成膜中に下地膜からガスが発生されなくなり
又は抑制され、均質な膜を生成することができ、またダ
ストを削減することができる。Function: For example, before the CVD film formation, the gas components contained in the base film are removed by high vacuum exhaustion or the like. Thereby, gas is not generated or suppressed from the base film during the CVD film formation, a uniform film can be generated, and dust can be reduced.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】図１は本発明の製造方法を実施す
るための装置の第１実施例を示す構成図である。この装
置は、ＣＶＤ反応室３の前段にロードロック室１を備え
る構成のものである。ＣＶＤ反応室３とロードロック室
１の夫々には、バルブ５を介してドライポンプ５、高真
空ポンプ（オイル拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クラ
イオポンプ等）７、及び質量分析器１０が接続され、両
室３，１間の仕切壁にはサセプター１に載せられるウエ
ハ８を受け渡すためのゲートバルブ４が設けられる。
尚、ウエハ８は、この装置に入れられる前にプラズマナ
イトライド、プラズマＳｉＯ2 酸化膜等から成る下地膜
が形成されている。FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of an apparatus for carrying out the manufacturing method of the present invention. This apparatus has a configuration in which a load lock chamber 1 is provided in front of the CVD reaction chamber 3. A dry pump 5, a high vacuum pump (oil diffusion pump, turbo molecular pump, cryopump, etc.) 7, and a mass spectrometer 10 are connected to each of the CVD reaction chamber 3 and the load lock chamber 1 via a valve 5. A gate valve 4 for delivering a wafer 8 placed on the susceptor 1 is provided on a partition wall between the chambers 3 and 1.
Before the wafer 8 is put into this apparatus, a base film made of plasma nitride, plasma SiO 2 oxide film or the like is formed.
【００１７】上記装置によれば、先ず、下地膜が形成さ
れたウエハ８を、ロードロック室１に入れ、ロードロッ
ク室１をドライポンプ６で粗引きし、次いで高真空ポン
プ７で高真空にして、ウエハ８上の下地膜中からプラズ
マクリーニングにより混入したフッ素系ガス、炭素系ガ
スをアウトガスとして放出させる。次いで、この放出さ
れたロードロック室１内のアウトガスを質量分析器１０
により分析し、下地膜中の含有ガス成分の量が所定レベ
ル以下になり、準備が完了したのを確認する。その後、
ゲートバルブ４を開き、下地膜から含有ガス成分が除去
されたウエハ８をＣＶＤ反応室３に移した後ゲートバル
ブを閉じる。ＣＶＤ反応室３では、室内のフッ素系ガ
ス、炭素系ガスを再度質量分析器１０により分析し前述
と同様に所定レベル以下のときは直ちにＣＶＤ成膜処理
を開始する。少しでも所定レベル以上のときは、ロード
ロック室１で行ったと同様に真空排気して下地膜中の含
有ガス成分の量を所定レベル以下の状態にした後、ＣＶ
Ｄ成膜処理を開始する。According to the above apparatus, first, the wafer 8 on which the base film is formed is placed in the load lock chamber 1, the load lock chamber 1 is roughly evacuated by the dry pump 6, and then the high vacuum pump 7 is evacuated to a high vacuum. The fluorine-based gas and carbon-based gas mixed by plasma cleaning from the base film on the wafer 8 are released as outgas. Then, the released outgas in the load lock chamber 1 is analyzed by the mass spectrometer 10
To confirm that the amount of the gas component contained in the underlayer film is below a predetermined level and the preparation is completed. afterwards,
The gate valve 4 is opened, the wafer 8 from which the contained gas components have been removed from the base film is transferred to the CVD reaction chamber 3, and then the gate valve is closed. In the CVD reaction chamber 3, the fluorine-based gas and the carbon-based gas in the chamber are again analyzed by the mass spectrometer 10, and when the temperature is lower than a predetermined level as described above, the CVD film forming process is immediately started. If it is above the predetermined level for a while, evacuation is performed in the same manner as in the load lock chamber 1 to bring the amount of the gas component contained in the base film to below the predetermined level, and then CV
D The film forming process is started.
【００１８】このように、予め下地膜からプラズマクリ
ーニング時の含有ガス成分を除去した後、ＣＶＤ成膜を
行うようにしたので、ＣＶＤ成膜中に、下地膜から所定
レベル以上のクリーニングガスたるフッ素系ガスや炭素
系ガスがアウトガスとして発生することがなく、したが
って、従来技術のように、そのガスがハイドライドから
成るＣＶＤ反応性ガスと反応し、それを活性化させ、局
部的に膜の生成速度が上昇することがない。これにより
均質なＣＶＤ膜が形成される。また、ＣＶＤ成膜中に、
アウトガスとＣＶＤ反応ガスとの反応作用がないため異
物が形成されず、従ってダストが発生することもない。As described above, since the CVD film formation is carried out after the gas components contained in the underlayer film during the plasma cleaning are removed in advance, during the CVD film formation, fluorine, which is a cleaning gas above a predetermined level from the underlayer film, is used. No system gas or carbon-based gas is generated as outgas, and therefore, as in the prior art, the gas reacts with the CVD reactive gas composed of hydride, activates it, and locally generates the film formation rate. Never rises. As a result, a uniform CVD film is formed. Also, during CVD film formation,
Since there is no reaction between the outgas and the CVD reaction gas, foreign matter is not formed and therefore dust is not generated.
【００１９】図２は、本発明の製造方法を実施するため
の装置の第２実施例を示す構成図である。この装置は、
ＣＶＤ反応室３の前段にロードロック室１と反応予備室
２とを備える構成のものである。ロードロック室１に
は、バルブ５を介してドライポンプ６が接続され、反応
予備室２とＣＶＤ反応室３の夫々には、バルブ５を介し
てドライポンプ６、高真空ポンプ７、及び質量分析器１
０が接続され、さらに反応予備室２にはプラズマ発生用
の高周波電源１１が接続される。また、各室１，２，３
間の仕切壁にはウエハ８を受け渡すためのゲートバルブ
４が設けられる。上記装置によれば、先ず、下地膜が形
成されたウエハ８を、ドライポンプ６で予備排気された
ロードロック室１からゲートバルブ４を開いて反応予備
室２のサセプター９上に載せ、ゲートバルブ４を閉じ
る。次いで、反応予備室２に不活性ガスを導入し、高周
波電源１１を駆動させて、プラズマ放電を起こし、ウエ
ハ８の下地膜にプラズマ照射して、下地膜中から含有ガ
ス成分たるクリーニングガスをアウトガスとして放出さ
せる。次いで、不活性ガスの供給を止め、反応予備室２
内をドライポンプ６で粗引きした後、高真空ポンプ７で
高真空に排気し、質量分析器１０により予備室２内のガ
スの分析を行う。ウエハ８の下地膜に含まれるガス成分
の量が所定レベル以下であることが確認できれば、ＣＶ
Ｄ反応室３へのゲートバルブ４を開き、下地膜からクリ
ーニングガスが除去されたウエハ８をＣＶＤ反応室３の
サセプター上に移した後、ゲートバルブ４を閉じる。反
応室３での操作は、前記第１実施例と特に異なることは
ないので説明を省略するが、この実施例によっても均質
なＣＶＤ膜が形成されると共に、ダストが発生すること
もない。 図３は、本発明の製造方法を実施するための
装置の第３実施例を示す構成図である。この装置は、前
記第２実施例の装置の高周波電源１１に代えてヒーター
１２を備える構成のものである。したがって、反応予備
室２において、ヒーター１２による加熱でウエハ８の下
地膜から含有ガス成分たるクリーニングガスを放出させ
る点を除けば、前記第２実施例の操作と特に異なる点は
ないので説明は省略する。FIG. 2 is a configuration diagram showing a second embodiment of an apparatus for carrying out the manufacturing method of the present invention. This device is
The CVD reaction chamber 3 is provided with a load lock chamber 1 and a pre-reaction chamber 2 in the preceding stage. A dry pump 6 is connected to the load lock chamber 1 via a valve 5, and a dry pump 6, a high vacuum pump 7 and a mass spectrometer are connected to the pre-reaction chamber 2 and the CVD reaction chamber 3 via the valve 5, respectively. Bowl 1
0 is connected, and further, a high frequency power supply 11 for plasma generation is connected to the reaction preliminary chamber 2. In addition, each room 1, 2, 3
A gate valve 4 for delivering the wafer 8 is provided on the partition wall in between. According to the above apparatus, first, the wafer 8 having the underlying film formed thereon is placed on the susceptor 9 in the pre-reaction chamber 2 by opening the gate valve 4 from the load lock chamber 1 pre-evacuated by the dry pump 6, Close 4 Then, an inert gas is introduced into the preliminary reaction chamber 2, the high frequency power source 11 is driven to generate plasma discharge, and the base film of the wafer 8 is irradiated with plasma, so that the cleaning gas as a gas component contained in the base film is outgassed. To be released as. Then, the supply of the inert gas is stopped, and the reaction preliminary chamber 2
After the interior is roughly evacuated by the dry pump 6, the high vacuum pump 7 is evacuated to a high vacuum, and the gas in the auxiliary chamber 2 is analyzed by the mass spectrometer 10. If it is confirmed that the amount of the gas component contained in the base film of the wafer 8 is below a predetermined level, CV
The gate valve 4 to the D reaction chamber 3 is opened, the wafer 8 from which the cleaning gas is removed from the base film is transferred onto the susceptor of the CVD reaction chamber 3, and then the gate valve 4 is closed. The operation in the reaction chamber 3 is not particularly different from that of the first embodiment, and therefore its explanation is omitted. However, in this embodiment, a uniform CVD film is formed and dust is not generated. FIG. 3 is a configuration diagram showing a third embodiment of an apparatus for carrying out the manufacturing method of the present invention. This apparatus has a heater 12 in place of the high frequency power source 11 of the apparatus of the second embodiment. Therefore, in the pre-reaction chamber 2, there is no particular difference from the operation of the second embodiment except that the cleaning gas, which is a gas component, is released from the base film of the wafer 8 by heating with the heater 12, and the description thereof is omitted. To do.
【００２０】この実施例によっても、均質なＣＶＤ膜が
形成されると共に、ダストが発生することもない。Also in this embodiment, a uniform CVD film is formed and dust is not generated.
【００２１】図４は、本発明の製造方法を実施するため
の装置の第４実施例を示す構成図である。この装置は、
反応予備室２に前記第２実施例の高周波電源１１と前記
第３実施例のヒーター１２とを備える構成のものであ
る。FIG. 4 is a block diagram showing a fourth embodiment of the apparatus for carrying out the manufacturing method of the present invention. This device is
The reaction preparatory chamber 2 is provided with the high frequency power source 11 of the second embodiment and the heater 12 of the third embodiment.
【００２２】したがって、反応予備室２において、高周
波電源１１によるプラズマ照射とヒーター１２による加
熱とでウエハ８の下地膜から含有ガス成分たるクリーニ
ングガスを放出させる点を除けば、前記第２実施例の操
作と特に異なる点はないので説明は省略する。この実施
例によっても均質なＣＶＤ膜が形成されると共に、ダス
トが発生することもない。Therefore, in the preparatory reaction chamber 2, except that the cleaning gas, which is a gas component, is released from the base film of the wafer 8 by the plasma irradiation by the high frequency power source 11 and the heating by the heater 12, except for the case of the second embodiment. Since there is no particular difference from the operation, the description is omitted. Also in this embodiment, a uniform CVD film is formed and dust is not generated.
【００２３】図５は、本発明の製造方法を実施するため
の装置の第５実施例を示す構成図である。この装置は、
バッチ方式のＣＶＤ装置で、ＣＶＤ反応室３内でウエハ
８の下地膜に含有するガス成分を除去する構成のもので
ある。すなわち、ＣＶＤ反応室３にバルブ５を介してド
ライポンプ６、高真空ポンプ７、質量分析器１０及び高
周波電源１１が接続され、ＣＶＤ反応室３内にはヒータ
ー１２が設けられる構成のものである。FIG. 5 is a block diagram showing a fifth embodiment of the apparatus for carrying out the manufacturing method of the present invention. This device is
This is a batch-type CVD apparatus configured to remove the gas component contained in the base film of the wafer 8 in the CVD reaction chamber 3. That is, a dry pump 6, a high vacuum pump 7, a mass spectrometer 10 and a high frequency power source 11 are connected to the CVD reaction chamber 3 via a valve 5, and a heater 12 is provided in the CVD reaction chamber 3. .
【００２４】上記装置によれば、先ず、ＣＶＤ反応室３
をドライポンプ６で粗引きし、高真空ポンプ７で高真空
排気すると共に、ウエハ８の下地膜をヒーター１２で加
熱して、下地膜から含有ガス成分たるクリーニングガス
を放出させ、ＣＶＤ反応室３外へ排出する。次いで、Ｃ
ＶＤ反応室３に不活性ガスを導入し、高周波電源１１を
駆動させて、プラズマ放電を起こし、ウエハ８の下地膜
にプラズマ照射して、下地膜中から含有ガス成分たるク
リーニングガスをさらに放出させる。次いで、不活性ガ
スの供給を止め、ＣＶＤ反応室３内を再度ドライポンプ
６で粗引きした後、高真空ポンプ７で高真空に排気し、
質量分析器１０により残留ガスの分析を行う。ウエハ８
の下地膜に含まれるガス成分の量が所定レベル以下であ
ることが確認できれば、ＣＶＤ成膜処理を開始する。こ
の実施例によっても均質なＣＶＤ膜が形成されると共
に、ダストが発生することもない。According to the above apparatus, first, the CVD reaction chamber 3
Is roughly evacuated by the dry pump 6, high vacuum exhausted by the high vacuum pump 7, and the underlayer film of the wafer 8 is heated by the heater 12 to release the cleaning gas which is a gas component contained in the underlayer film. Discharge to the outside. Then C
An inert gas is introduced into the VD reaction chamber 3, a high frequency power source 11 is driven to cause plasma discharge, and the base film of the wafer 8 is irradiated with plasma to further release a cleaning gas as a gas component contained in the base film. . Then, the supply of the inert gas is stopped, the inside of the CVD reaction chamber 3 is roughly evacuated by the dry pump 6 again, and then evacuated to a high vacuum by the high vacuum pump 7,
The residual gas is analyzed by the mass spectrometer 10. Wafer 8
If it can be confirmed that the amount of the gas component contained in the underlayer film is less than a predetermined level, the CVD film forming process is started. Also in this embodiment, a uniform CVD film is formed and dust is not generated.
【００２５】尚、前記第１ないし第４実施例におけるＣ
ＶＤ反応室３を、第５実施例のようなバッチ方式の装置
にすることも可能である。C in the first to fourth embodiments
The VD reaction chamber 3 can be a batch type apparatus as in the fifth embodiment.
【００２６】また、Ｐ−ＳｉＮあるいはＰ−ＳｉＯ等の
下地膜形成工程においては、定期的に前述のようにフッ
素系ガスを用いたクリーニングが行われ、各クリーニン
グ後にＮ2ガス等により反応室内がパージされる。この
パージ後に質量分析器を用いて反応室内に残留するフッ
素系クリーニングガスの量を計測し、この残留ガス量が
所定値以下であることを確認してから次の下地膜形成工
程を開始するようにしてもよい。このような方法を用い
れば、下地膜中に混入するガス成分自体を減少させるこ
とができる。Further, in the step of forming a base film of P-SiN, P-SiO, or the like, cleaning using a fluorine-based gas is periodically performed as described above, and the inside of the reaction chamber is cleaned with N 2 gas or the like after each cleaning. Purged. After this purging, measure the amount of fluorine-based cleaning gas remaining in the reaction chamber using a mass spectrometer, and confirm that this residual gas amount is below a specified value before starting the next base film forming process. You may By using such a method, the gas component itself mixed in the underlayer film can be reduced.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、下地膜が形成されたウエハ表面に例えばＣＶＤ成膜
を行う前に、下地膜中の含有ガス成分を除去するように
したため、ＣＶＤ成膜中に下地膜から不純物アウトガス
が発生することがなく、従来技術のように不純物アウト
ガスとＣＶＤ反応性ガスとが反応して、局部的に膜の生
成速度が上昇したり、異物が形成されることがなくな
り、均質なＣＶＤ膜を得ることができると共に、ダスト
の発生を防止できる。As described above, according to the present invention, the gas component contained in the underlayer film is removed before the CVD film is formed on the surface of the wafer on which the underlayer film is formed. Impurity outgas is not generated from the underlying film in the film, and the impurity outgas reacts with the CVD reactive gas as in the prior art to locally increase the film generation rate or form foreign matter. It is possible to obtain a uniform CVD film and prevent generation of dust.
【００２８】なお、本発明は、ＣＶＤ装置を用いたＣＶ
Ｄプロセスによる薄膜形成方法に限定されず、真空蒸着
装置、スパッタ装置あるいは加熱炉等を用いた半導体ウ
エハ上への成膜プロセスあるいはイオンエッチングやプ
ラズマエッチング等のドライエッチングによる薄膜形成
プロセスに適用できる。The present invention is a CV using a CVD apparatus.
The present invention is not limited to the thin film forming method by the D process, and can be applied to a film forming process on a semiconductor wafer using a vacuum vapor deposition device, a sputtering device, a heating furnace, or the like, or a thin film forming process by dry etching such as ion etching or plasma etching.
【図１】 本発明に係るＣＶＤ膜の製造方法を実施する
ための装置の第１実施例を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of an apparatus for carrying out a CVD film manufacturing method according to the present invention.
【図２】 本発明に係るＣＶＤ膜の製造方法を実施する
ための装置の第２実施例を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing a second embodiment of an apparatus for carrying out the method for manufacturing a CVD film according to the present invention.
【図３】 本発明に係るＣＶＤ膜の製造方法を実施する
ための装置の第３の実施例を示す構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing a third embodiment of an apparatus for carrying out the CVD film manufacturing method according to the present invention.
【図４】 本発明に係るＣＶＤ膜の製造方法を実施する
ための装置の第４の実施例を示す構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing a fourth embodiment of an apparatus for carrying out the CVD film manufacturing method according to the present invention.
【図５】 本発明に係るＣＶＤ膜の製造方法を実施する
ための装置の第５の実施例を示す構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram showing a fifth embodiment of an apparatus for carrying out the method for producing a CVD film according to the present invention.
１：ロードロック室、２：反応予備室、３：ＣＶＤ反応
室、４：ゲートバルブ、５：バルブ、６：ドライポン
プ、７：高真空ポンプ、８：ウエハ、９：サセプター、
１０：質量分析器、１１：高周波電源、１２：ヒータ
ー。1: load lock chamber, 2: reaction preparatory chamber, 3: CVD reaction chamber, 4: gate valve, 5: valve, 6: dry pump, 7: high vacuum pump, 8: wafer, 9: susceptor,
10: mass spectrometer, 11: high frequency power supply, 12: heater.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H01L 21/316 H01L 21/302 N
Claims (9)
形成する前に、前記下地膜中の含有ガス成分を除去する
ことを特徴とする薄膜製造方法。1. A method of manufacturing a thin film, comprising removing a gas component contained in the base film before forming a thin film on the surface of the wafer on which the base film is formed.
ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。2. The thin film manufacturing method according to claim 1, wherein the thin film is formed by a CVD process.
することを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。3. The thin film manufacturing method according to claim 1, wherein the contained gas component is removed by high vacuum exhaust.
とを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。4. The method for producing a thin film according to claim 1, wherein the contained gas component is heated and removed.
去することを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方
法。5. The method for producing a thin film according to claim 1, wherein the contained gas component is removed by plasma irradiation.
形成する前に、質量分析器により分析し、下地膜中の含
有ガス成分の量が所定レベル以下のとき、この下地膜が
形成されたウエハを反応室に搬送することを特徴とする
請求項１に記載の薄膜製造方法。6. The gas generated from the base film is analyzed by a mass spectrometer before forming a thin film, and when the amount of gas components contained in the base film is below a predetermined level, the base film is formed. The thin film manufacturing method according to claim 1, wherein the wafer is transferred to a reaction chamber.
を、下地膜を形成する前に、質量分析器により分析し、
その量が所定レベル以下のとき、下地膜を形成すること
を特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。7. A gas remaining after cleaning the reaction chamber is analyzed by a mass spectrometer before forming a base film,
The method of manufacturing a thin film according to claim 1, wherein the base film is formed when the amount is below a predetermined level.
形成する薄膜製造装置において、前記下地膜の含有ガス
成分をアウトガスとして放出させるための含有ガス成分
除去手段を備えたことを特徴とする薄膜製造装置。8. A thin film manufacturing apparatus for forming a thin film on a surface of a wafer having a base film formed thereon, comprising a contained gas component removing means for releasing the contained gas component of the base film as outgas. Thin film manufacturing equipment.
ポンプおよび／または加熱ヒーターおよび／またはプラ
ズマ照射装置からなることを特徴とする請求項８に記載
の薄膜製造装置。9. The thin film manufacturing apparatus according to claim 8, wherein the contained gas component removing means comprises a vacuum exhaust pump and / or a heater and / or a plasma irradiation device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33402095A JPH09153484A (en) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | Method and apparatus for forming thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33402095A JPH09153484A (en) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | Method and apparatus for forming thin film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153484A true JPH09153484A (en) | 1997-06-10 |
Family
ID=18272611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33402095A Pending JPH09153484A (en) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | Method and apparatus for forming thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09153484A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1995-11-29 JP JP33402095A patent/JPH09153484A/en active Pending
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