JPH09148235A - 走査型投影露光装置 - Google Patents
走査型投影露光装置Info
- Publication number
- JPH09148235A JPH09148235A JP7328280A JP32828095A JPH09148235A JP H09148235 A JPH09148235 A JP H09148235A JP 7328280 A JP7328280 A JP 7328280A JP 32828095 A JP32828095 A JP 32828095A JP H09148235 A JPH09148235 A JP H09148235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- surface height
- holding member
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の外側から露光光の走査を開始した場合
にも、オートフォーカス動作がスムーズに追従できるよ
うにする。 【課題を解決するための手段】 基板保持部材（２８）
の表面高さが基板（２４）の表面高さに略一致するよう
に構成する。
にも、オートフォーカス動作がスムーズに追従できるよ
うにする。 【課題を解決するための手段】 基板保持部材（２８）
の表面高さが基板（２４）の表面高さに略一致するよう
に構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所定のパターンが
形成されたマスクと感光性の基板とを相対的に走査する
ことにより、マスク上のパターンを投影光学系を介して
基板上に投影露光する走査型投影露光装置に関する。更
に詳しくは、このような走査型露光装置の基板を保持す
る保持部材の構成に関する。
形成されたマスクと感光性の基板とを相対的に走査する
ことにより、マスク上のパターンを投影光学系を介して
基板上に投影露光する走査型投影露光装置に関する。更
に詳しくは、このような走査型露光装置の基板を保持す
る保持部材の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】走査型投影露光装置においては、一般
に、基板ステージ上に固定された基板保持部材の上に基
板を載置する。そして、露光動作を開始するに先立ち、
オートフォーカス装置等によって投影光学系の焦点面に
基板の表面位置を合わせる。この時、基板ステージを投
影光学系の光軸と平行な方向に移動させ、基板表面の位
置を投影光学系の焦点面に合致させる。その後、マスク
と基板とを露光光に対して相対的に走査することによ
り、マスク上に形成されたパターンを投影光学系を介し
て基板上に順次投影露光する。
に、基板ステージ上に固定された基板保持部材の上に基
板を載置する。そして、露光動作を開始するに先立ち、
オートフォーカス装置等によって投影光学系の焦点面に
基板の表面位置を合わせる。この時、基板ステージを投
影光学系の光軸と平行な方向に移動させ、基板表面の位
置を投影光学系の焦点面に合致させる。その後、マスク
と基板とを露光光に対して相対的に走査することによ
り、マスク上に形成されたパターンを投影光学系を介し
て基板上に順次投影露光する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の走
査型投影露光装置においては、基板表面と基板保持部材
の表面との高さに差があるため、露光光の走査を基板の
外側から開始する場合、最初は基板保持部材の表面に投
影光学系の焦点面が合っており、露光光が基板の内側に
入ってきた瞬間に基板ステージを基板の厚さ分一気に降
下させなくてはならない。このため、基板表面の投影光
学系の光軸方向への移動が、露光作業に追い付かない場
合がある。
査型投影露光装置においては、基板表面と基板保持部材
の表面との高さに差があるため、露光光の走査を基板の
外側から開始する場合、最初は基板保持部材の表面に投
影光学系の焦点面が合っており、露光光が基板の内側に
入ってきた瞬間に基板ステージを基板の厚さ分一気に降
下させなくてはならない。このため、基板表面の投影光
学系の光軸方向への移動が、露光作業に追い付かない場
合がある。
【０００４】従って、本発明の目的は、基板の外側から
露光光の走査を開始した場合にも、オートフォーカス動
作がスムーズに追従できる走査型投影露光装置を提供す
ることにある。
露光光の走査を開始した場合にも、オートフォーカス動
作がスムーズに追従できる走査型投影露光装置を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明においては、上記
課題を解決するために、基板保持部材の表面高さが基板
の表面高さに略一致するように構成する。すなわち、所
定のパターンが形成されたマスクと基板とを相対的に走
査することにより、マスク上のパターンを投影光学系を
介して基板上に投影露光する走査型投影露光装置におい
て、投影光学系の焦点面に基板の表面位置を合わせ込む
オートフォーカス装置と；基板を保持する基板保持部材
とを備え；基板保持部材の表面高さが基板の表面高さに
略一致するように構成している。更に好ましくは、基板
と基板保持部材のそれぞれの表面高さの差を予め求め、
補正値として記憶しておく。そして、基板の外側からオ
ートフォーカス動作を開始する際に、記憶手段に記憶さ
れた補正値に基づいて基板保持部材の表面高さを予め基
板の表面高さに合わせておく。
課題を解決するために、基板保持部材の表面高さが基板
の表面高さに略一致するように構成する。すなわち、所
定のパターンが形成されたマスクと基板とを相対的に走
査することにより、マスク上のパターンを投影光学系を
介して基板上に投影露光する走査型投影露光装置におい
て、投影光学系の焦点面に基板の表面位置を合わせ込む
オートフォーカス装置と；基板を保持する基板保持部材
とを備え；基板保持部材の表面高さが基板の表面高さに
略一致するように構成している。更に好ましくは、基板
と基板保持部材のそれぞれの表面高さの差を予め求め、
補正値として記憶しておく。そして、基板の外側からオ
ートフォーカス動作を開始する際に、記憶手段に記憶さ
れた補正値に基づいて基板保持部材の表面高さを予め基
板の表面高さに合わせておく。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に示された実施例に基づいて説明する。
図面に示された実施例に基づいて説明する。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明の第１実施例を適用した走査
型投影露光装置１０の概略構成を示す。走査型投影露光
装置１０は、露光用の光１００を出力する光源１２と、
レチクル１４が載置されたレチクルステージ１６と、レ
チクルステージ上に固定された反射鏡１８と、反射鏡１
８での反射光に基づいてレチクルステージ１６の位置を
検出する干渉計２０と、レチクルステージ１６を駆動す
るレチクルステージ駆動装置２２と、レチクル１４上に
形成されたパターンをウエハ２４に投影する投影光学系
２６と、ウエハ２４を保持するウエハホルダ２８と、ウ
エハホルダ２８が設置されたウエハステージ３０と、ウ
エハステージ３０上に固定された反射鏡３２と、反射鏡
３２での反射光に基づいてウエハステージ３０の位置を
検出する干渉計３４と、ウエハステージ３０を駆動する
ウエハステージ駆動装置３６と、投影光学系２６の焦点
面に対するウエハ２４の表面高さを検出可能なオートフ
ォーカス装置（送光系３８、受光系４０）とを備えてい
る
型投影露光装置１０の概略構成を示す。走査型投影露光
装置１０は、露光用の光１００を出力する光源１２と、
レチクル１４が載置されたレチクルステージ１６と、レ
チクルステージ上に固定された反射鏡１８と、反射鏡１
８での反射光に基づいてレチクルステージ１６の位置を
検出する干渉計２０と、レチクルステージ１６を駆動す
るレチクルステージ駆動装置２２と、レチクル１４上に
形成されたパターンをウエハ２４に投影する投影光学系
２６と、ウエハ２４を保持するウエハホルダ２８と、ウ
エハホルダ２８が設置されたウエハステージ３０と、ウ
エハステージ３０上に固定された反射鏡３２と、反射鏡
３２での反射光に基づいてウエハステージ３０の位置を
検出する干渉計３４と、ウエハステージ３０を駆動する
ウエハステージ駆動装置３６と、投影光学系２６の焦点
面に対するウエハ２４の表面高さを検出可能なオートフ
ォーカス装置（送光系３８、受光系４０）とを備えてい
る
【０００８】投影光学系２６は、レチクル１４上のパタ
ーンを１／４に縮小してウエハ２４上に投影するように
構成されている。従って、レチクル１４の走査速度Ｖ１
と、とウエハ２４の走査速度Ｖ２との比は４：１とな
る。また、露光光１００のレチクル１４上における走査
幅をＳとした場合、ウエハ２４上に投影される露光光１
００の幅はＳ／４となる。
ーンを１／４に縮小してウエハ２４上に投影するように
構成されている。従って、レチクル１４の走査速度Ｖ１
と、とウエハ２４の走査速度Ｖ２との比は４：１とな
る。また、露光光１００のレチクル１４上における走査
幅をＳとした場合、ウエハ２４上に投影される露光光１
００の幅はＳ／４となる。
【０００９】ウエハステージ３０は、ＸＹの二次元方向
（平面方向）に移動可能なＸＹステージと、投影光学系
２６の光軸に平行なＺ方向（高さ方向）に移動可能なＺ
ステージとから構成されている。また、ウエハステージ
駆動装置３６も、ＸＹステージ用の駆動装置とＺステー
ジ用の駆動装置３６ａ、３６ｂ（図３参照）とから構成
されている。そして、オートフォーカス受光系４０の検
出信号に基づいて、投影光学系２６の焦点面にウエハ２
４の表面を合わせ込むように、Ｚステージ駆動装置３６
ｂによってＺステージを駆動するようになっている。
（平面方向）に移動可能なＸＹステージと、投影光学系
２６の光軸に平行なＺ方向（高さ方向）に移動可能なＺ
ステージとから構成されている。また、ウエハステージ
駆動装置３６も、ＸＹステージ用の駆動装置とＺステー
ジ用の駆動装置３６ａ、３６ｂ（図３参照）とから構成
されている。そして、オートフォーカス受光系４０の検
出信号に基づいて、投影光学系２６の焦点面にウエハ２
４の表面を合わせ込むように、Ｚステージ駆動装置３６
ｂによってＺステージを駆動するようになっている。
【００１０】図２は、ウエハ２４とウエハホルダ２８と
を示す。ウエハホルダ２８の中央には、ウエハ２４を搭
載する凹部２８ａが形成されており、ウエハ２４がその
凹部２８内に極微少な間隙δ（例えば、１００μｍ程
度）をもって搭載されるようになっている。また、ウエ
ハホルダ２８は、ウエハ２４が凹部２８ａにセットされ
た状態で、ウエハ２４の表面の高さとウエハホルダ２８
の外周部表面２８ｂの高さが略一致するように構成され
ている。なお、ウエハ２４には平均厚さｔに対する公差
△ｔが設定されているが、ウエハホルダ２８の外周部表
面２８ｂの高さは、ウエハ２４の平均厚さｔに基づいて
設定する。すなわち、ウエハホルダ２８の凹部２８ａの
深さＤ＝ウエハの平均厚さｔとなるように構成されてい
る。
を示す。ウエハホルダ２８の中央には、ウエハ２４を搭
載する凹部２８ａが形成されており、ウエハ２４がその
凹部２８内に極微少な間隙δ（例えば、１００μｍ程
度）をもって搭載されるようになっている。また、ウエ
ハホルダ２８は、ウエハ２４が凹部２８ａにセットされ
た状態で、ウエハ２４の表面の高さとウエハホルダ２８
の外周部表面２８ｂの高さが略一致するように構成され
ている。なお、ウエハ２４には平均厚さｔに対する公差
△ｔが設定されているが、ウエハホルダ２８の外周部表
面２８ｂの高さは、ウエハ２４の平均厚さｔに基づいて
設定する。すなわち、ウエハホルダ２８の凹部２８ａの
深さＤ＝ウエハの平均厚さｔとなるように構成されてい
る。
【００１１】図３は、図１に示した装置１０の制御部分
の構成を示す。レチクルステージ干渉計２０、ウエハス
テージ干渉計３４、オートフォーカス装置３８、４０、
レチクルステージ駆動装置２２、ウエハステージ駆動装
置３６（３６ａ、３６ｂ）は、それぞれコントローラ４
０によって制御される。コントローラ４０には、所定の
情報を記憶するメモリ４２が接続されている。
の構成を示す。レチクルステージ干渉計２０、ウエハス
テージ干渉計３４、オートフォーカス装置３８、４０、
レチクルステージ駆動装置２２、ウエハステージ駆動装
置３６（３６ａ、３６ｂ）は、それぞれコントローラ４
０によって制御される。コントローラ４０には、所定の
情報を記憶するメモリ４２が接続されている。
【００１２】図４（Ａ）は、ウエハ２４上の１つの露光
領域４４ａを示し、斜線で示した領域４６が露光光１０
０の照明領域を示し、細かな斜め線４８の１つ１つがオ
ートフォーカス送光系３８から射出されるビームを示
す。このような露光領域は、ウエハ２４全体に存在する
ため、露光領域のどの部分が投影光学系２６の直下の照
明領域の下に来た時にもオートフォーカス検出が可能と
なる。
領域４４ａを示し、斜線で示した領域４６が露光光１０
０の照明領域を示し、細かな斜め線４８の１つ１つがオ
ートフォーカス送光系３８から射出されるビームを示
す。このような露光領域は、ウエハ２４全体に存在する
ため、露光領域のどの部分が投影光学系２６の直下の照
明領域の下に来た時にもオートフォーカス検出が可能と
なる。
【００１３】一方、図４（Ｂ）は、ウエハ２４の外側か
ら走査を開始する様子を示し、図中、４４ｂはウエハ２
４の周辺部分の露光領域を示す。ウエハ２４の外側から
走査を始める場合、露光光１００の照明領域４６とオー
トフォーカス用の光ビーム４８のスポットは、ウエハ２
４のすぐ外側のウエハホルダ２８上に存在する。従っ
て、コントローラ４０によるウエハ２４用のＺステージ
駆動装置３６ｂの制御によって、ウエハホルダ２８の外
周部表面２８ｂが投影光学系２６の焦点面に一致するこ
とになる。
ら走査を開始する様子を示し、図中、４４ｂはウエハ２
４の周辺部分の露光領域を示す。ウエハ２４の外側から
走査を始める場合、露光光１００の照明領域４６とオー
トフォーカス用の光ビーム４８のスポットは、ウエハ２
４のすぐ外側のウエハホルダ２８上に存在する。従っ
て、コントローラ４０によるウエハ２４用のＺステージ
駆動装置３６ｂの制御によって、ウエハホルダ２８の外
周部表面２８ｂが投影光学系２６の焦点面に一致するこ
とになる。
【００１４】その後、照明領域４６がウエハ２４内に入
り込んでくると、ウエハ２４用のＺステージ駆動装置３
６ｂによって、ウエハ２４の表面を投影光学系２６の焦
点面に一致させ、露光を開始する。この時、ウエハホル
ダ２８の外周部表面２８ｂは、予めウエハ２４の表面と
略同一高さに設定されているため、ウエハ２４の外側か
ら内側にオートフォーカス制御が移っても、ウエハステ
ージ３０をウエハの公差の分だけＺ方向に駆動するだけ
で済む。
り込んでくると、ウエハ２４用のＺステージ駆動装置３
６ｂによって、ウエハ２４の表面を投影光学系２６の焦
点面に一致させ、露光を開始する。この時、ウエハホル
ダ２８の外周部表面２８ｂは、予めウエハ２４の表面と
略同一高さに設定されているため、ウエハ２４の外側か
ら内側にオートフォーカス制御が移っても、ウエハステ
ージ３０をウエハの公差の分だけＺ方向に駆動するだけ
で済む。
【００１５】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。本実施例は、上記第１実施例に改良を加えたもので
ある。すなわち、走査開始前にウエハホルダ２８に搭載
されたウエハ２４の表面と、ウエハホルダ２８の外周部
表面２８ｂの高さをそれぞれオートフォーカス装置（３
８、４０）によって測定し、その差（誤差）εを求め、
メモリ４２に記憶しておく。次に、図４（Ｂ）に示すよ
うに、露光作業に先立ち、オートフォーカス用のビーム
４８がウエハ２４の外側にあるとき、メモリ４２に記憶
されたデータεをコントローラ４０によって読み出す。
そして、コントローラ４０の制御により、ウエハステー
ジ駆動装置３６（３６ｂ）を介して、ウエハステージ３
０を予めＺ軸方向に誤差ε分だけずらしておく。その後
は、上記第１実施例と同様の動作を行う。
る。本実施例は、上記第１実施例に改良を加えたもので
ある。すなわち、走査開始前にウエハホルダ２８に搭載
されたウエハ２４の表面と、ウエハホルダ２８の外周部
表面２８ｂの高さをそれぞれオートフォーカス装置（３
８、４０）によって測定し、その差（誤差）εを求め、
メモリ４２に記憶しておく。次に、図４（Ｂ）に示すよ
うに、露光作業に先立ち、オートフォーカス用のビーム
４８がウエハ２４の外側にあるとき、メモリ４２に記憶
されたデータεをコントローラ４０によって読み出す。
そして、コントローラ４０の制御により、ウエハステー
ジ駆動装置３６（３６ｂ）を介して、ウエハステージ３
０を予めＺ軸方向に誤差ε分だけずらしておく。その後
は、上記第１実施例と同様の動作を行う。
【００１６】本実施例によれば、ウエハ２４の厚さが平
均厚さｔに対する公差△ｔぎりぎりの場合にも、オート
フォーカス動作がウエハ２４の外側から内側に入る際の
ウエハステージ２４のＺ軸方向への移動量を最小限に抑
えることができる。
均厚さｔに対する公差△ｔぎりぎりの場合にも、オート
フォーカス動作がウエハ２４の外側から内側に入る際の
ウエハステージ２４のＺ軸方向への移動量を最小限に抑
えることができる。
【００１７】なお、ウエハホルダ２８に搭載されたウエ
ハ２４の表面高さの測定点は、一点である必要はなく、
複数点としても良い。例えば、測定点を２点とした場合
には、測定点はウエハ２４の走査方向の両端（図２の上
下端）に設定することが望ましい。このように、測定点
の位置を設定すると、往（行き）、復（帰り）の何れの
方向からの走査にも対応することができ、ウエハ２４自
体の傾斜、厚さ不均一による誤差を概ね補正できること
になる。
ハ２４の表面高さの測定点は、一点である必要はなく、
複数点としても良い。例えば、測定点を２点とした場合
には、測定点はウエハ２４の走査方向の両端（図２の上
下端）に設定することが望ましい。このように、測定点
の位置を設定すると、往（行き）、復（帰り）の何れの
方向からの走査にも対応することができ、ウエハ２４自
体の傾斜、厚さ不均一による誤差を概ね補正できること
になる。
【００１８】図５は、本発明の第３実施例にかかるウエ
ハステージ５０を示す。本実施例は、上記第１実施例の
ウエハステージ３０とウエハホルダ２８とを一体的に成
形したものである。本実施例でも、上記第１実施例と同
様にウエハステージ５０の上面５０ａの高さがウエハ２
４の表面高さと一致するように構成されている。
ハステージ５０を示す。本実施例は、上記第１実施例の
ウエハステージ３０とウエハホルダ２８とを一体的に成
形したものである。本実施例でも、上記第１実施例と同
様にウエハステージ５０の上面５０ａの高さがウエハ２
４の表面高さと一致するように構成されている。
【００１９】以上、本発明を実施例に基づいて説明した
が、本発明はこのような実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に示した本発明の技術的思想として
の要旨を逸脱しない範囲で、種々の態様を採り得るもの
である。
が、本発明はこのような実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に示した本発明の技術的思想として
の要旨を逸脱しない範囲で、種々の態様を採り得るもの
である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、基板保持部材の表面高さが基板の表面高さに略一致
するように構成しているため、基板の外側から露光光の
走査を開始した場合にも、オートフォーカス動作がスム
ーズに追従できるという効果がある。
は、基板保持部材の表面高さが基板の表面高さに略一致
するように構成しているため、基板の外側から露光光の
走査を開始した場合にも、オートフォーカス動作がスム
ーズに追従できるという効果がある。
【図１】図１は、本発明の第１実施例にかかる走査型投
影露光装置の構成を示す概念図（正面図）である。
影露光装置の構成を示す概念図（正面図）である。
【図２】図２（Ａ）は、図１に示す装置の要部の構成を
示す平面図であり、図２（Ｂ）は同図（Ａ）の矢印Ｙ−
Ｙ’方向の断面図である。
示す平面図であり、図２（Ｂ）は同図（Ａ）の矢印Ｙ−
Ｙ’方向の断面図である。
【図３】図３は、図１に示す装置の制御構成の概略を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ図１に示す装
置の動作を示す説明図である。
置の動作を示す説明図である。
【図５】図５は、本発明の第３実施例にかかる走査型投
影露光装置の要部の構成を示す断面図である。
影露光装置の要部の構成を示す断面図である。
１０・・・走査型投影露光装置 １２・・・光源 １４・・・レチクル ２４・・・ウエハ ２６・・・投影レンズ ２８・・・ウエハホルダ ３０、５０・・・ウエハステージ ３６・・・ウエハステージ駆動装置 ３８・・・オートフォーカス装置送光系 ４０・・・オートフォーカス装置受光系 ４２・・・メモリ １００・・・露光光
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２６Ｂ
Claims (5)
- 【請求項１】 所定のパターンが形成されたマスクと基
板とを相対的に走査することにより、前記パターンを投
影光学系を介して前記基板上に投影露光する走査型投影
露光装置において、 前記投影光学系の焦点面に前記基板の表面位置を合わせ
込むオートフォーカス手段と；前記基板を保持する基板
保持部材とを備え；前記基板保持部材の表面高さが前記
基板の表面高さに略一致するように構成されていること
を特徴とする走査型投影露光装置。 - 【請求項２】 前記基板保持部材は、前記基板を駆動す
る基板ステージ上に設けられていることを特徴とする請
求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記基板保持部材は、前記基板を駆動す
る基板ステージであることを特徴とする請求項１に記載
の装置。 - 【請求項４】 前記基板と前記基板保持部材のそれぞれ
の表面高さの差を予め求め、補正値として記憶する記憶
手段と；前記基板の外側からオートフォーカス動作を開
始する際に、前記記憶手段に記憶された補正値に基づい
て前記基板保持部材の表面高さを前記基板の表面高さに
合わせ込むように予め前記基板保持部材の表面高さを調
整する調整手段とを備えたことを特徴とする前記請求項
１に記載の装置。 - 【請求項５】 前記基板の表面高さは、前記基板の前記
走査の方向の両端部で測定することを特徴とする前記請
求項４に記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7328280A JPH09148235A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 走査型投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7328280A JPH09148235A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 走査型投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148235A true JPH09148235A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=18208468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7328280A Pending JPH09148235A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 走査型投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148235A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6642996B2 (en) | 2000-11-16 | 2003-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2018028705A (ja) * | 2003-04-10 | 2018-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム |
-
1995
- 1995-11-22 JP JP7328280A patent/JPH09148235A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6642996B2 (en) | 2000-11-16 | 2003-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2018028705A (ja) * | 2003-04-10 | 2018-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6081614A (en) | Surface position detecting method and scanning exposure method using the same | |
| US6433872B1 (en) | Exposure method and apparatus | |
| US5920398A (en) | Surface position detecting method and scanning exposure method using the same | |
| JP3572430B2 (ja) | 露光方法及びその装置 | |
| US6287734B2 (en) | Exposure method | |
| JP3308063B2 (ja) | 投影露光方法及び装置 | |
| JP3880155B2 (ja) | 位置決め方法及び位置決め装置 | |
| JP2000082651A (ja) | 走査露光装置及び走査露光方法 | |
| JPH07130635A (ja) | 基板の高さ位置検出装置 | |
| US4897553A (en) | Projection exposure apparatus | |
| US7072027B2 (en) | Exposure apparatus, method of controlling same, and method of manufacturing devices | |
| JP3518826B2 (ja) | 面位置検出方法及び装置並びに露光装置 | |
| JPH11186129A (ja) | 走査型露光方法及び装置 | |
| JP3428825B2 (ja) | 面位置検出方法および面位置検出装置 | |
| JPH09148235A (ja) | 走査型投影露光装置 | |
| JP3754743B2 (ja) | 表面位置設定方法、ウエハ高さ設定方法、面位置設定方法、ウエハ面位置検出方法および露光装置 | |
| JPH10284393A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH10242040A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3376219B2 (ja) | 面位置検出装置および方法 | |
| JPH097915A (ja) | 面傾斜検出装置 | |
| JPH08111375A (ja) | 走査型露光装置 | |
| JPH08222511A (ja) | アラインメント調整方法 | |
| JPH07307284A (ja) | 走査型露光装置 | |
| JP2636676B2 (ja) | 露光装置及びその焦点合わせ方法 | |
| JP2000100709A (ja) | 走査型投影露光方法及び走査型投影露光装置 |