JPH09130063A - High frequency airtight module - Google Patents

High frequency airtight module

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JPH09130063A
JPH09130063A JP28063295A JP28063295A JPH09130063A JP H09130063 A JPH09130063 A JP H09130063A JP 28063295 A JP28063295 A JP 28063295A JP 28063295 A JP28063295 A JP 28063295A JP H09130063 A JPH09130063 A JP H09130063A
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JP
Japan
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integrated circuit
high frequency
microstrip line
frequency integrated
input
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Koichi Matsuo
浩一 松尾
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make the high frequency wave signal transmission property of an i/o line good. SOLUTION: In the i/o signal line of a high frequency airtight module, the microstrip line 1b whose tip is opened at one side by an open stub is arranged to transmit high frequency signals through the coupling hole 6 provided at an earth conductor 5 by laminating the fellow earth conductors 5 of two sheets of boards having earth conductors 5 on the other side, thus the connection by conductor wires or ribbons of i/o of high frequency integrated circuit boards is made needless.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、耐環境性向上の
ため気密を保った高周波気密モジュールに関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency hermetic module which is kept airtight for improving environmental resistance.

【0002】[0002]

【従来の技術】図23は従来の高周波気密モジュールを
示す平面透視図、図24は図23のA8−A8断面図、
図25は図23のB8視図である。これらの図において
1は導体フレーム、2は地導体、3は高周波集積回路基
板、4はバイアス端子、5はロウ材、6は導体ワイヤ、
7は気密カバー、8は導体ベース、9は入出力用フィー
ドスルー基板、10は入出力用パターン、11は誘電体
ブロック、12はバイアス用フィードスルー基板、13
バイアス用パターン、14は高周波集積回路入出力端子
である。
2. Description of the Related Art FIG. 23 is a plan perspective view showing a conventional high frequency airtight module, and FIG. 24 is a sectional view taken along line A8-A8 of FIG.
FIG. 25 is a B8 view of FIG. 23. In these figures, 1 is a conductor frame, 2 is a ground conductor, 3 is a high frequency integrated circuit board, 4 is a bias terminal, 5 is a brazing material, 6 is a conductor wire,
7 is an airtight cover, 8 is a conductor base, 9 is an input / output feedthrough substrate, 10 is an input / output pattern, 11 is a dielectric block, 12 is a bias feedthrough substrate, 13
The bias pattern, 14 is a high frequency integrated circuit input / output terminal.

【0003】ここで、入出力用フィードスルー基板9の
地導体2とバイアス用フィードスルー基板12の地導体
2はそれぞれロウ材5により導体ベース8にロウ付けさ
れている。また、入出力用フィードスルー基板9の入出
力用パターン10の上に誘電体ブロック11を貼り合わ
せ、その周りを導体ベース8及び導体フレーム1で囲む
ことによりトリプレートのフィードスルーを構成し、同
様にバイアス線路もバイアス用フィードスルー基板12
のバイアス用パターン13の上に誘電体ブロック11を
貼り合わせ、その周りを導体ベース8及び導体フレーム
1で囲むことにより気密のフィードスルーを構成してい
る。これらのフィードスルーのパターンと高周波集積回
路基板3の高周波集積回路入出力端子14及びバイアス
端子4を導体ワイヤ6で接続し、気密カバー7をロウ付
け又は熔接することにより、モジュール内の気密を保ち
高周波集積回路基板3の耐環境性を高めている。
Here, the ground conductor 2 of the input / output feedthrough substrate 9 and the ground conductor 2 of the bias feedthrough substrate 12 are brazed to the conductor base 8 by the brazing material 5. Also, a dielectric block 11 is attached onto the input / output pattern 10 of the input / output feedthrough substrate 9, and the periphery thereof is surrounded by the conductor base 8 and the conductor frame 1 to form a feedthrough of a tri-plate. The bias line is also the feed-through substrate 12 for bias.
The dielectric block 11 is adhered onto the bias pattern 13 and the surroundings are surrounded by the conductor base 8 and the conductor frame 1 to form an airtight feedthrough. The feed-through pattern is connected to the high-frequency integrated circuit input / output terminal 14 and the bias terminal 4 of the high-frequency integrated circuit board 3 by the conductor wire 6, and the airtight cover 7 is brazed or welded to keep the airtightness in the module. The environment resistance of the high frequency integrated circuit board 3 is improved.

【0004】このように、従来の高周波気密モジュール
では、トリプレート型のフィードスルーによりモジュー
ル内の気密を保ちながら高周波集積回路基板3と高周波
信号およびバイアスをインタフェースしていた。例えば
高周波集積回路基板3が増幅器の場合には、入出力用フ
ィードスルー基板9から入力された高周波信号はトリプ
レートのフィードスルーを通過し高周波集積回路基板3
に入力される。入力された信号は高周波集積回路基板3
で電力増幅されトリプレートのフィードスルーを通過し
入出力用フィードスルー基板9から出力される。
As described above, in the conventional high-frequency airtight module, the high-frequency integrated circuit board 3 and the high-frequency signal and the bias are interfaced with each other while keeping the airtightness in the module by the triplate type feedthrough. For example, when the high-frequency integrated circuit board 3 is an amplifier, the high-frequency signal input from the input / output feedthrough board 9 passes through the feedthrough of the triplate and passes through the high-frequency integrated circuit board 3
Is input to The input signal is the high frequency integrated circuit board 3
Then, the power is amplified by and passes through the feedthrough of the triplate and is output from the input / output feedthrough substrate 9.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】図23、図24、図2
5に示すような高周波気密モジュールでは入出力用フィ
ードスルー基板9やバイアス用フィードスルー基板12
は加工の実現性から高温焼成厚膜基板が使用されてい
る。高温焼成厚膜基板の線路パターンは一般に下地にタ
ングステン等の電気抵抗の大きい金属を用い厚みも7〜
15μmと薄膜基板の線路パターンに比べ厚いため、マ
イクロストリップ線路を伝送する信号が高周波になると
表皮効果のため抵抗の大きい下地金属にほとんどの電流
が流れ損失が大きくなるという問題点があった。
23, 24, and 2
In the high frequency airtight module as shown in FIG. 5, the input / output feedthrough substrate 9 and the bias feedthrough substrate 12 are used.
A high temperature baked thick film substrate is used because of its processability. The line pattern of the high temperature baked thick film substrate is generally made of a metal having a high electric resistance such as tungsten as a base and has a thickness of 7 to 7
Since the thickness is 15 μm, which is thicker than the line pattern of the thin film substrate, when the signal transmitted through the microstrip line has a high frequency, most of the current flows through the base metal having a large resistance due to the skin effect, resulting in a large loss.

【0006】また、高周波においては高次モードの発生
を防ぐために基板厚を薄くする必要があり、必然的にマ
イクロストリップ線路のパターン幅も狭くなる。更にト
リプレート線路部においてはマイクロストリップ線路部
と同一の特性インピーダンスにするためにはパターン幅
はより狭くなるためパターン精度がいっそう厳しくな
る。厚膜のパターン寸法精度は薄膜に比べ悪いため、寸
法誤差により特性インピーダンスが大きくずれてしまう
という問題点があった。
Further, at high frequencies, it is necessary to reduce the substrate thickness in order to prevent the generation of higher-order modes, which inevitably reduces the pattern width of the microstrip line. Further, in the triplate line portion, the pattern width becomes narrower in order to have the same characteristic impedance as that of the microstrip line portion, so that the pattern accuracy becomes more severe. Since the pattern dimensional accuracy of the thick film is worse than that of the thin film, there is a problem in that the characteristic impedance is largely displaced due to a dimensional error.

【0007】更に、高周波集積回路基板3と入出力用フ
ィードスルー基板9とは組立作業性や基板の寸法精度を
考慮して隙間をあけて取り付けられ、高周波信号は導体
ワイヤやリボンにより接続されるため、これらの導体ワ
イヤやリボンのインダクタンスによりモジュールの性能
を劣化させるという問題点があった。
Further, the high frequency integrated circuit board 3 and the input / output feed-through board 9 are mounted with a gap therebetween in consideration of the assembling workability and the dimensional accuracy of the board, and the high frequency signals are connected by a conductor wire or a ribbon. Therefore, there is a problem that the performance of the module is deteriorated by the inductance of these conductor wires and ribbons.

【0008】この発明は上記ような課題を解決するため
になされたもので、高周波気密モジュールの入出力端子
の高周波信号伝搬特性を改善することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to improve the high frequency signal propagation characteristics of the input / output terminals of the high frequency hermetic module.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この発明に係わる実施の
形態1の高周波気密モジュールは高周波信号が伝搬する
トリプレート型フィードスルーの代わりに、オープンス
タブにより先端を開放したマイクロストリップ線路の地
導体どうしを貼り合わせその地導体に設けた結合孔を介
して電磁結合により高周波信号を伝搬させることによ
り、高周波集積回路基板の高周波信号の入出力を導体ワ
イヤや導体リボンで接続することなく気密モジュールを
実現したものである。
The high-frequency hermetic module according to the first embodiment of the present invention is different from the tri-plate type feedthrough for transmitting a high-frequency signal, and the ground conductors of the microstrip line whose ends are opened by open stubs are used. A high-frequency signal is propagated by electromagnetic coupling through a coupling hole provided in the ground conductor, and an airtight module is realized without connecting the input and output of the high-frequency signal of the high-frequency integrated circuit board with a conductor wire or conductor ribbon. It was done.

【0010】また、実施の形態2の高周波気密モジュー
ルは実施の形態1の高周波気密モジュールにおいて、入
出力のインタフェースを表面にグラウンド端子を設けた
マイクロストリップ線路としたものである。
Further, the high frequency hermetic module of the second embodiment is the same as the high frequency hermetic module of the first embodiment, but the input / output interface is a microstrip line having a ground terminal on the surface.

【0011】また、実施の形態3の高周波気密モジュー
ルは実施の形態1の高周波気密モジュールにおいて、入
出力のインタフェースをコプレーナ線路としたものであ
る。
The high-frequency hermetic module of the third embodiment is the same as the high-frequency hermetic module of the first embodiment, except that the input / output interface is a coplanar line.

【0012】また、実施の形態4の高周波気密モジュー
ルは実施の形態1の高周波気密モジュールにおいて、E
面プローブ型導波管−マイクロストリップ線路変換器を
付加することにより入出力のインタフェースを矩形導波
管としたものである。
The high frequency airtight module of the fourth embodiment is the same as the high frequency airtight module of the first embodiment.
A rectangular waveguide is used as an input / output interface by adding a surface probe type waveguide-microstrip line converter.

【0013】また、実施の形態5の高周波気密モジュー
ルは実施の形態1の高周波気密モジュールにおいて、ス
テップ変成器を用いた導波管−マイクロストリップ線路
変換器を付加することにより入出力のインタフェースを
矩形導波管としたものである。
Further, the high frequency airtight module of the fifth embodiment has a rectangular input / output interface by adding a waveguide-microstrip line converter using a step transformer to the high frequency airtight module of the first embodiment. It is a waveguide.

【0014】また、実施の形態6の高周波気密モジュー
ルは実施の形態1の高周波気密モジュールにおいて、ベ
ース基板に補強フレームを取り付けることによりモジュ
ールの機械強度を向上させたものである。
The high-frequency hermetic module of the sixth embodiment is the same as the high-frequency hermetic module of the first embodiment, in which a reinforcing frame is attached to the base substrate to improve the mechanical strength of the module.

【0015】また、実施の形態7の高周波気密モジュー
ルは実施の形態1のベース基板の代わりに補強用の隆起
を有する補強構造ベース基板とすることによりモジュー
ルの機械強度を向上させたものである。
Further, the high-frequency airtight module of the seventh embodiment is one in which the mechanical strength of the module is improved by using a reinforcing structure base substrate having a ridge for reinforcement instead of the base substrate of the first embodiment.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1を示す高
周波気密モジュールの平面図、図2は図1におけるA1
−A1断面図、図3は図2におけるB1方向からの透視
図である。図において1は導体フレーム、2は地導体、
3は高周波集積回路基板、4はバイアス端子、5はロウ
材、6は導体ワイヤ、7は気密カバー、15はベース基
板、16はモジュール入出力用マイクロストリップ線
路、17はオープンスタブ、18は結合孔、19は高周
波集積回路入出力用マイクロストリップ線路、20は高
周波回路部、21はバイアス用気密貫通端子である。
Embodiment 1 FIG. 1 is a plan view of a high frequency airtight module showing Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is A1 in FIG.
-A1 sectional view, FIG. 3 is a perspective view from the B1 direction in FIG. In the figure, 1 is a conductor frame, 2 is a ground conductor,
3 is a high frequency integrated circuit board, 4 is a bias terminal, 5 is a brazing material, 6 is a conductor wire, 7 is an airtight cover, 15 is a base board, 16 is a module input / output microstrip line, 17 is an open stub, and 18 is a coupling. A hole, 19 is a microstrip line for inputting / outputting a high frequency integrated circuit, 20 is a high frequency circuit section, and 21 is an airtight through terminal for bias.

【0017】ここで、ベース基板15は導体フレーム1
にロウ材5により取付けられている。ベース基板15に
は表面にモジュール入出力用マイクロストリップ線路1
6とモジュール入出力用マイクロストリップ線路16に
接続されたオープンスタブ17が二組設けられている。
また、裏面には結合孔18を有する地導体2が設けられ
ており、結合孔18はモジュール入出力用マイクロスト
リップ線路16とオープンスタブ17の接続部の真裏に
モジュール入出力用マイクロストリップ線路16の信号
伝搬方向と結合孔18の長手方向が直交するように位置
する。高周波集積回路基板3には表面に高周波集積回路
入出力用マイクロストリップ線路19と高周波集積回路
入出力用マイクロストリップ線路19に接続されたオー
プンスタブ17、高周波回路部20及びバイアス端子1
1が設けられている。また、裏面には結合孔18を有す
る地導体2が設けられている。ベース基板15と高周波
集積回路基板3はそれぞれの地導体2に設けられた結合
孔18の部分を合致させロウ材5により地導体2どうし
を貼り合わせている。バイアス用気密貫通端子21は導
体フレーム1の側面に隙間なく埋め込めれている。ま
た、バイアス端子11とバイアス用気密貫通端子21間
は導体ワイヤ6によりボンディングされている。気密カ
バー7は導体フレーム1に隙間なくロウ付けまたは熔接
されている。
Here, the base substrate 15 is the conductor frame 1
It is attached by brazing material 5. On the surface of the base substrate 15, the module input / output microstrip line 1 is provided.
6 and two sets of open stubs 17 connected to the module input / output microstrip line 16.
Further, the ground conductor 2 having a coupling hole 18 is provided on the back surface, and the coupling hole 18 is directly behind the connecting portion of the module input / output microstrip line 16 and the open stub 17 and is connected to the module input / output microstrip line 16 by the coupling hole 18. It is positioned so that the signal propagation direction and the longitudinal direction of the coupling hole 18 are orthogonal to each other. On the surface of the high-frequency integrated circuit board 3, the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19, the open stub 17 connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19, the high-frequency circuit section 20, and the bias terminal 1 are provided.
1 is provided. Further, the ground conductor 2 having the coupling hole 18 is provided on the back surface. The base substrate 15 and the high-frequency integrated circuit substrate 3 are made to match the portions of the coupling holes 18 provided in the respective ground conductors 2, and the ground conductors 2 are bonded together by the brazing material 5. The bias airtight penetrating terminal 21 is embedded in the side surface of the conductor frame 1 without a gap. The bias terminal 11 and the bias airtight penetrating terminal 21 are bonded by a conductor wire 6. The airtight cover 7 is brazed or welded to the conductor frame 1 without a gap.

【0018】これにより、モジュール入出力用マイクロ
ストリップ線路16と高周波集積回路入出力用マイクロ
ストリップ線路19は、オープンスタブ17及び結合孔
18の効果による電磁結合で高周波信号に対して接続さ
れる。モジュール入出力用マイクロストリップ線路16
から入力された高周波信号は結合孔18を介して高周波
集積回路入出力用マイクロストリップ線路19に伝搬さ
れ、高周波回路部20へ入力される。一方、高周波回路
部20から出力された高周波信号は、高周波集積回路入
出力用マイクロストリップ線路19に伝搬され、結合孔
18を介してモジュール入出力用マイクロストリップ線
路16に伝搬され出力される。このような気密モジュー
ルにおいては、モジュールを構成する基板にパターン精
度にすぐれ、パターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄
膜基板を用いることができる。このため、高周波気密モ
ジュールの入出力線路が低損失になり、性能が改善され
る。また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路
16と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路
19とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていない
ため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分によ
る性能の劣化がない。更に電磁結合部は導体により接続
されていないため高周波信号線路から直流を遮断するこ
とができる。
As a result, the module input / output microstrip line 16 and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are connected to a high frequency signal by electromagnetic coupling due to the effect of the open stub 17 and the coupling hole 18. Module input / output microstrip line 16
The high-frequency signal input from is propagated to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 through the coupling hole 18 and input to the high-frequency circuit section 20. On the other hand, the high-frequency signal output from the high-frequency circuit unit 20 is propagated to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19, propagates to the module input / output microstrip line 16 through the coupling hole 18, and is output. In such an airtight module, it is possible to use a thin film substrate which is excellent in pattern accuracy and has a small electric resistance of the metal underlying the pattern as a substrate forming the module. Therefore, the input / output line of the high frequency airtight module has low loss, and the performance is improved. Further, since the module input / output microstrip line 16 and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are not connected by a conductor wire or a conductor ribbon, there is no deterioration in performance due to the inductance component of the conductor wire or the conductor ribbon. Further, since the electromagnetic coupling portion is not connected by the conductor, it is possible to cut off the direct current from the high frequency signal line.

【0019】実施の形態2.図4は上記実施の形態1に
おいてモジュールどうしを接続した際の高周波特性を改
善するために、上記モジュール入出力用マイクロストリ
ップ線路の両側にスルーホールにより地導体と導通がと
られたグラウンド端子を設けた高周波気密モジュールの
平面図、図5は図4におけるA2−A2断面図、図6は
図5におけるB2方向からの透視図である。図において
1は導体フレーム、2は地導体、3は高周波集積回路基
板、4はバイアス端子、5はロウ材、6は導体ワイヤ、
7は気密カバー、15はベース基板、16はモジュール
入出力用マイクロストリップ線路、17はオープンスタ
ブ、18は結合孔、19は高周波集積回路入出力用マイ
クロストリップ線路、20は高周波回路部、21はバイ
アス用気密貫通端子、22はグラウンド端子、23はス
ルーホールである。
Embodiment 2. In order to improve the high frequency characteristics when the modules are connected to each other in the first embodiment, the ground terminals are provided on both sides of the module input / output microstrip line so as to be electrically connected to the ground conductor by through holes. 5 is a plan view of the high-frequency airtight module, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line A2-A2 in FIG. 4, and FIG. 6 is a perspective view from the direction B2 in FIG. In the figure, 1 is a conductor frame, 2 is a ground conductor, 3 is a high frequency integrated circuit board, 4 is a bias terminal, 5 is a brazing material, 6 is a conductor wire,
7 is an airtight cover, 15 is a base substrate, 16 is a module input / output microstrip line, 17 is an open stub, 18 is a coupling hole, 19 is a high frequency integrated circuit input / output microstrip line, 20 is a high frequency circuit section, and 21 is a A bias airtight through terminal, 22 is a ground terminal, and 23 is a through hole.

【0020】この場合にも、ベース基板15は導体フレ
ーム1にロウ材5により取付けられている。ベース基板
15には表面にモジュール入出力用マイクロストリップ
線路16とモジュール入出力用マイクロストリップ線路
16に接続されたオープンスタブ17が二組設けられて
いる。また、裏面には結合孔18を有する地導体2が設
けられており、結合孔18はモジュール入出力用マイク
ロストリップ線路16とオープンスタブ17の接続部の
真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路16
の信号伝搬方向と結合孔18の長手方向が直交するよう
に位置する。高周波集積回路基板3には表面に高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路19と高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路19に接続され
たオープンスタブ17が設けられている。また、裏面に
は結合孔18を有する地導体2が設けられており、結合
孔18はモジュール入出力用マイクロストリップ線路1
6とオープンスタブ17の接続部の真裏にモジュール入
出力用マイクロストリップ線路16の信号伝搬方向と結
合孔18の長手方向が直交するように位置する。高周波
集積回路基板3には表面に高周波集積回路入出力用マイ
クロストリップ線路19と高周波集積回路入出力用マイ
クロストリップ線路19に接続されたオープンスタブ1
7、高周波回路部20及びバイアス端子11が設けられ
ている。また、裏面には結合孔18を有する地導体2が
設けられている。ベース基板15と高周波集積回路基板
3はそれぞれの地導体2に設けられた結合孔18の部分
を合致させロウ材5により地導体2どうしを貼り合わせ
ている。バイアス用気密貫通端子21は導体フレーム1
の側面に隙間なく埋め込めれている。また、バイアス端
子11とバイアス用気密貫通端子21間は導体ワイヤ6
によりボンディングされている。気密カバー7は導体フ
レーム1に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
Also in this case, the base substrate 15 is attached to the conductor frame 1 by the brazing material 5. Two sets of module input / output microstrip lines 16 and open stubs 17 connected to the module input / output microstrip lines 16 are provided on the surface of the base substrate 15. Further, the ground conductor 2 having a coupling hole 18 is provided on the back surface, and the coupling hole 18 is directly behind the connecting portion between the module input / output microstrip line 16 and the open stub 17, and the module input / output microstrip line 16 is provided.
Is positioned so that the signal propagation direction and the longitudinal direction of the coupling hole 18 are orthogonal to each other. On the surface of the high-frequency integrated circuit board 3, a high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 and an open stub 17 connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are provided. A ground conductor 2 having a coupling hole 18 is provided on the back surface, and the coupling hole 18 is used for the module input / output microstrip line 1.
The signal propagation direction of the module input / output microstrip line 16 and the longitudinal direction of the coupling hole 18 are positioned right behind the connecting portion between the open end 6 and the open stub 17. On the surface of the high-frequency integrated circuit board 3, a high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 and an open stub 1 connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are provided.
7, a high frequency circuit section 20 and a bias terminal 11 are provided. Further, the ground conductor 2 having the coupling hole 18 is provided on the back surface. The base substrate 15 and the high-frequency integrated circuit substrate 3 are made to match the portions of the coupling holes 18 provided in the respective ground conductors 2, and the ground conductors 2 are bonded together by the brazing material 5. The bias airtight through terminal 21 is the conductor frame 1
It is embedded on the side of the without gap. In addition, the conductor wire 6 is provided between the bias terminal 11 and the bias airtight through terminal 21.
Is bonded by. The airtight cover 7 is brazed or welded to the conductor frame 1 without a gap.

【0021】これにより、モジュール入出力用マイクロ
ストリップ線路16と高周波集積回路入出力用マイクロ
ストリップ線路19は、オープンスタブ17及び結合孔
18の効果による電磁結合で高周波信号に対して接続さ
れる。モジュール入出力用マイクロストリップ線路16
から入力された高周波信号は結合孔18を介して高周波
集積回路入出力用マイクロストリップ線路19に伝搬さ
れ、高周波回路部20へ入力される。一方、高周波回路
部20から出力された高周波信号は、高周波集積回路入
出力用マイクロストリップ線路19に伝搬され、結合孔
18を介してモジュール入出力用マイクロストリップ線
路16に伝搬され出力される。このような気密モジュー
ルにおいては、モジュールを構成する基板にパターン精
度にすぐれ、パターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄
膜基板を用いることができる。このため、高周波気密モ
ジュールの入出力線路が低損失になり、性能が改善され
る。また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路
16と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路
19とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていない
ため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分によ
る性能の劣化がない。更に電磁結合部は導体により接続
されていないため高周波信号線路から直流を遮断するこ
とができる。
As a result, the module input / output microstrip line 16 and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are connected to a high frequency signal by electromagnetic coupling due to the effect of the open stub 17 and the coupling hole 18. Module input / output microstrip line 16
The high-frequency signal input from is propagated to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 through the coupling hole 18 and input to the high-frequency circuit section 20. On the other hand, the high-frequency signal output from the high-frequency circuit unit 20 is propagated to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19, propagates to the module input / output microstrip line 16 through the coupling hole 18, and is output. In such an airtight module, it is possible to use a thin film substrate which is excellent in pattern accuracy and has a small electric resistance of the metal underlying the pattern as a substrate forming the module. Therefore, the input / output line of the high frequency airtight module has low loss, and the performance is improved. Further, since the module input / output microstrip line 16 and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are not connected by a conductor wire or a conductor ribbon, there is no deterioration in performance due to the inductance component of the conductor wire or the conductor ribbon. Further, since the electromagnetic coupling portion is not connected by the conductor, it is possible to cut off the direct current from the high frequency signal line.

【0022】また、モジュール入出力用マイクロストリ
ップ線路16の両側にスルーホール23により地導体2
と導通がとられたグラウンド端子22を設けているた
め、モジュールどうしの入出力の接続においてグラウン
ド端子22どうしを接続することによりグラウンドを流
れる電流の経路を短くすることができるため、モジュー
ルどうしの接続部の高周波特性が改善できる。
The ground conductor 2 is provided with through holes 23 on both sides of the module input / output microstrip line 16.
Since the ground terminal 22 that is electrically connected to the module is provided, the path of the current flowing through the ground can be shortened by connecting the ground terminals 22 in the connection of the input and output of the modules. The high frequency characteristics of the part can be improved.

【0023】実施の形態3.図7は上記実施の形態1に
おいてモジュールどうしを接続した際の高周波特性を改
善するために、上記入出力マイクロストリップ線路の両
側にスルーホールによりマイクロストリップ−コプレー
ナ変換を行うことにより入出力のインタフェースをコプ
レーナ線路とした高周波気密モジュールの平面図、図8
は図7におけるA3−A3断面図、図9は図8における
B3方向からの透視図である。図において1は導体フレ
ーム、2は地導体、3は高周波集積回路基板、4はバイ
アス端子、5はロウ材、6は導体ワイヤ、7は気密カバ
ー、15はベース基板、16はモジュール入出力用マイ
クロストリップ線路、17はオープンスタブ、18は結
合孔、19は高周波集積回路入出力用マイクロストリッ
プ線路、20は高周波回路部、21はバイアス用気密貫
通端子、23はスルーホール、24はコプレーナ線路中
心導体、25はコプレーナ線路地導体である。
Embodiment 3 FIG. FIG. 7 shows an input / output interface by performing microstrip-coplanar conversion with through holes on both sides of the input / output microstrip line in order to improve the high frequency characteristics when the modules are connected in the first embodiment. A plan view of a high-frequency hermetic module using a coplanar line, FIG.
7 is a cross-sectional view taken along the line A3-A3 in FIG. 7, and FIG. 9 is a perspective view from the B3 direction in FIG. In the figure, 1 is a conductor frame, 2 is a ground conductor, 3 is a high frequency integrated circuit board, 4 is a bias terminal, 5 is a brazing material, 6 is a conductor wire, 7 is an airtight cover, 15 is a base board, and 16 is for module input / output. Microstrip line, 17 is an open stub, 18 is a coupling hole, 19 is a microstrip line for inputting / outputting a high frequency integrated circuit, 20 is a high frequency circuit section, 21 is an airtight through terminal for bias, 23 is a through hole, and 24 is a coplanar line center. The conductor, 25 is a coplanar line ground conductor.

【0024】この場合にも、ベース基板15は導体フレ
ーム1にロウ材5により取付けられている。ベース基板
15には表面にモジュール入出力用マイクロストリップ
線路16とモジュール入出力用マイクロストリップ線路
16に接続されたオープンスタブ17が二組設けられて
いる。また、裏面には結合孔18を有する地導体2が設
けられており、結合孔18はモジュール入出力用マイク
ロストリップ線路16とオープンスタブ17の接続部の
真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路16
の信号伝搬方向と結合孔18の長手方向が直交するよう
に位置する。高周波集積回路基板3には表面に高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路19と高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路19に接続され
たオープンスタブ17が設けられている。また、裏面に
は結合孔18を有する地導体2が設けられており、結合
孔18はモジュール入出力用マイクロストリップ線路1
6とオープンスタブ17の接続部の真裏にモジュール入
出力用マイクロストリップ線路16の信号伝搬方向と結
合孔18の長手方向が直交するように位置する。高周波
集積回路基板3には表面に高周波集積回路入出力用マイ
クロストリップ線路19と高周波集積回路入出力用マイ
クロストリップ線路19に接続されたオープンスタブ1
7、高周波回路部20及びバイアス端子11が設けられ
ている。また、裏面には結合孔18を有する地導体2が
設けられている。ベース基板15と高周波集積回路基板
3はそれぞれの地導体2に設けられた結合孔18の部分
を合致させロウ材5により地導体2どうしを貼り合わせ
ている。バイアス用気密貫通端子21は導体フレーム1
の側面に隙間なく埋め込めれている。また、バイアス端
子11とバイアス用気密貫通端子21間は導体ワイヤ6
によりボンディングされている。気密カバー7は導体フ
レーム1に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
Also in this case, the base substrate 15 is attached to the conductor frame 1 by the brazing material 5. Two sets of module input / output microstrip lines 16 and open stubs 17 connected to the module input / output microstrip lines 16 are provided on the surface of the base substrate 15. Further, the ground conductor 2 having a coupling hole 18 is provided on the back surface, and the coupling hole 18 is directly behind the connecting portion between the module input / output microstrip line 16 and the open stub 17, and the module input / output microstrip line 16 is provided.
Is positioned so that the signal propagation direction and the longitudinal direction of the coupling hole 18 are orthogonal to each other. On the surface of the high-frequency integrated circuit board 3, a high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 and an open stub 17 connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are provided. A ground conductor 2 having a coupling hole 18 is provided on the back surface, and the coupling hole 18 is used for the module input / output microstrip line 1.
The signal propagation direction of the module input / output microstrip line 16 and the longitudinal direction of the coupling hole 18 are positioned right behind the connecting portion between the open end 6 and the open stub 17. On the surface of the high-frequency integrated circuit board 3, a high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 and an open stub 1 connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are provided.
7, a high frequency circuit section 20 and a bias terminal 11 are provided. Further, the ground conductor 2 having the coupling hole 18 is provided on the back surface. The base substrate 15 and the high-frequency integrated circuit substrate 3 are made to match the portions of the coupling holes 18 provided in the respective ground conductors 2, and the ground conductors 2 are bonded together by the brazing material 5. The bias airtight through terminal 21 is the conductor frame 1
It is embedded on the side of the without gap. In addition, the conductor wire 6 is provided between the bias terminal 11 and the bias airtight through terminal 21.
Is bonded by. The airtight cover 7 is brazed or welded to the conductor frame 1 without a gap.

【0025】これにより、モジュール入出力用マイクロ
ストリップ線路16と高周波集積回路入出力用マイクロ
ストリップ線路19は、オープンスタブ17及び結合孔
18の効果による電磁結合で高周波信号に対して接続さ
れる。モジュール入出力用マイクロストリップ線路16
から入力された高周波信号は結合孔18を介して高周波
集積回路入出力用マイクロストリップ線路19に伝搬さ
れ、高周波回路部20へ入力される。一方、高周波回路
部20から出力された高周波信号は、高周波集積回路入
出力用マイクロストリップ線路19に伝搬され、結合孔
18を介してモジュール入出力用マイクロストリップ線
路16に伝搬され出力される。このような気密モジュー
ルにおいては、モジュールを構成する基板にパターン精
度にすぐれ、パターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄
膜基板を用いることができる。このため、高周波気密モ
ジュールの入出力線路が低損失になり、性能が改善され
る。また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路
16と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路
19とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていない
ため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分によ
る性能の劣化がない。更に電磁結合部は導体により接続
されていないため高周波信号線路から直流を遮断するこ
とができる。
As a result, the module input / output microstrip line 16 and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are connected to a high frequency signal by electromagnetic coupling due to the effect of the open stub 17 and the coupling hole 18. Module input / output microstrip line 16
The high-frequency signal input from is propagated to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 through the coupling hole 18 and input to the high-frequency circuit section 20. On the other hand, the high-frequency signal output from the high-frequency circuit unit 20 is propagated to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19, propagates to the module input / output microstrip line 16 through the coupling hole 18, and is output. In such an airtight module, it is possible to use a thin film substrate which is excellent in pattern accuracy and has a small electric resistance of the metal underlying the pattern as a substrate forming the module. Therefore, the input / output line of the high frequency airtight module has low loss, and the performance is improved. Further, since the module input / output microstrip line 16 and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are not connected by a conductor wire or a conductor ribbon, there is no deterioration in performance due to the inductance component of the conductor wire or the conductor ribbon. Further, since the electromagnetic coupling portion is not connected by the conductor, it is possible to cut off the direct current from the high frequency signal line.

【0026】また、モジュール入出力用マイクロストリ
ップ線路16に接続されたコプレーナ線路中心導体2
4、コプレーナ線路中心導体24の両側に設けられたコ
プレーナ線路地導体25及びコプレーナ線路地導体25
とベース基板15の地導体2を接続するスルーホール2
3によりマイクロストリップ−コプレーナ変換を行って
いる。このため、モジュールどうしの入出力の接続にお
いてコプレーナ線路中心導体24及びコプレーナ線路地
導体18どうしを接続することによりコプレーナ線路の
インタフェースとなるため、モジュールどうしの接続部
の高周波特性を更に改善できる。
The coplanar line center conductor 2 connected to the module input / output microstrip line 16
4. Coplanar line ground conductor 25 and coplanar line ground conductor 25 provided on both sides of the coplanar line center conductor 24
2 for connecting the ground conductor 2 of the base substrate 15 with the through hole 2
3 performs microstrip-coplanar conversion. Therefore, by connecting the coplanar line center conductor 24 and the coplanar line ground conductor 18 to each other in the input / output connection of the modules, an interface of the coplanar line is obtained, so that the high frequency characteristics of the connection portion between the modules can be further improved.

【0027】実施の形態4.図10は上記実施の形態1
においてモジュールどうしの接続部高周波特性を改善す
るために、モジュール内でE面プローブ型の導波管−マ
イクロストリップ変換を行うことにより入出力のインタ
フェースを矩形導波管とした高周波気密モジュールの平
面図、図11は図10におけるA4−A4断面図、図1
2は図11におけるB4方向からの透視図である。図に
おいて1は導体フレーム、2は地導体、3は高周波集積
回路基板、4はバイアス端子、5はロウ材、6は導体ワ
イヤ、7は気密カバー、15はベース基板、16はモジ
ュール入出力用マイクロストリップ線路、17はオープ
ンスタブ、18は結合孔、19は高周波集積回路入出力
用マイクロストリップ線路、20は高周波回路部、21
はバイアス用気密貫通端子、26は入出力用矩形導波
管、27は導波管−マイクロストリップ変換基板、28
はプローブ用マイクロストリップ線路である。
Embodiment 4 FIG. 10 shows the first embodiment described above.
A plan view of a high-frequency hermetic module in which the input / output interface is a rectangular waveguide by performing E-plane probe-type waveguide-microstrip conversion in the module in order to improve the high-frequency characteristics of the connection between the modules. 11 is a sectional view taken along line A4-A4 in FIG.
2 is a perspective view from the B4 direction in FIG. In the figure, 1 is a conductor frame, 2 is a ground conductor, 3 is a high frequency integrated circuit board, 4 is a bias terminal, 5 is a brazing material, 6 is a conductor wire, 7 is an airtight cover, 15 is a base board, and 16 is for module input / output. Microstrip line, 17 is an open stub, 18 is a coupling hole, 19 is a microstrip line for inputting / outputting a high frequency integrated circuit, 20 is a high frequency circuit section, 21
Is a hermetically sealed through terminal for bias, 26 is a rectangular waveguide for input and output, 27 is a waveguide-microstrip conversion substrate, 28
Is a microstrip line for a probe.

【0028】この場合にも、ベース基板15は導体フレ
ーム1にロウ材5により取付けられている。ベース基板
15には表面にモジュール入出力用マイクロストリップ
線路16とモジュール入出力用マイクロストリップ線路
16に接続されたオープンスタブ17が二組設けられて
いる。また、裏面には結合孔18を有する地導体2が設
けられており、結合孔18はモジュール入出力用マイク
ロストリップ線路16とオープンスタブ17の接続部の
真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路16
の信号伝搬方向と結合孔18の長手方向が直交するよう
に位置する。高周波集積回路基板3には表面に高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路19と高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路19に接続され
たオープンスタブ17が設けられている。また、裏面に
は結合孔18を有する地導体2が設けられており、結合
孔18はモジュール入出力用マイクロストリップ線路1
6とオープンスタブ17の接続部の真裏にモジュール入
出力用マイクロストリップ線路16の信号伝搬方向と結
合孔18の長手方向が直交するように位置する。高周波
集積回路基板3には表面に高周波集積回路入出力用マイ
クロストリップ線路19と高周波集積回路入出力用マイ
クロストリップ線路19に接続されたオープンスタブ1
7、高周波回路部20及びバイアス端子11が設けられ
ている。また、裏面には結合孔18を有する地導体2が
設けられている。ベース基板15と高周波集積回路基板
3はそれぞれの地導体2に設けられた結合孔18の部分
を合致させロウ材5により地導体2どうしを貼り合わせ
ている。バイアス用気密貫通端子21は導体フレーム1
の側面に隙間なく埋め込めれている。また、バイアス端
子11とバイアス用気密貫通端子21間は導体ワイヤ6
によりボンディングされている。気密カバー7は導体フ
レーム1に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
Also in this case, the base substrate 15 is attached to the conductor frame 1 by the brazing material 5. Two sets of module input / output microstrip lines 16 and open stubs 17 connected to the module input / output microstrip lines 16 are provided on the surface of the base substrate 15. Further, the ground conductor 2 having a coupling hole 18 is provided on the back surface, and the coupling hole 18 is directly behind the connecting portion between the module input / output microstrip line 16 and the open stub 17, and the module input / output microstrip line 16 is provided.
Is positioned so that the signal propagation direction and the longitudinal direction of the coupling hole 18 are orthogonal to each other. On the surface of the high-frequency integrated circuit board 3, a high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 and an open stub 17 connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are provided. A ground conductor 2 having a coupling hole 18 is provided on the back surface, and the coupling hole 18 is used for the module input / output microstrip line 1.
The signal propagation direction of the module input / output microstrip line 16 and the longitudinal direction of the coupling hole 18 are positioned right behind the connecting portion between the open end 6 and the open stub 17. On the surface of the high-frequency integrated circuit board 3, a high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 and an open stub 1 connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are provided.
7, a high frequency circuit section 20 and a bias terminal 11 are provided. Further, the ground conductor 2 having the coupling hole 18 is provided on the back surface. The base substrate 15 and the high-frequency integrated circuit substrate 3 are made to match the portions of the coupling holes 18 provided in the respective ground conductors 2, and the ground conductors 2 are bonded together by the brazing material 5. The bias airtight through terminal 21 is the conductor frame 1
It is embedded on the side of the without gap. In addition, the conductor wire 6 is provided between the bias terminal 11 and the bias airtight through terminal 21.
Is bonded by. The airtight cover 7 is brazed or welded to the conductor frame 1 without a gap.

【0029】これにより、モジュール入出力用マイクロ
ストリップ線路16と高周波集積回路入出力用マイクロ
ストリップ線路19は、オープンスタブ17及び結合孔
18の効果による電磁結合で高周波信号に対して接続さ
れる。モジュール入出力用マイクロストリップ線路16
から入力された高周波信号は結合孔18を介して高周波
集積回路入出力用マイクロストリップ線路19に伝搬さ
れ、高周波回路部20へ入力される。一方、高周波回路
部20から出力された高周波信号は、高周波集積回路入
出力用マイクロストリップ線路19に伝搬され、結合孔
18を介してモジュール入出力用マイクロストリップ線
路16に伝搬され出力される。このような気密モジュー
ルにおいては、モジュールを構成する基板にパターン精
度にすぐれ、パターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄
膜基板を用いることができる。このため、高周波気密モ
ジュールの入出力線路が低損失になり、性能が改善され
る。また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路
16と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路
19とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていない
ため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分によ
る性能の劣化がない。更に電磁結合部は導体により接続
されていないため高周波信号線路から直流を遮断するこ
とができる。
As a result, the module input / output microstrip line 16 and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are connected to a high frequency signal by electromagnetic coupling due to the effect of the open stub 17 and the coupling hole 18. Module input / output microstrip line 16
The high-frequency signal input from is propagated to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 through the coupling hole 18 and input to the high-frequency circuit section 20. On the other hand, the high-frequency signal output from the high-frequency circuit unit 20 is propagated to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19, propagates to the module input / output microstrip line 16 through the coupling hole 18, and is output. In such an airtight module, it is possible to use a thin film substrate which is excellent in pattern accuracy and has a small electric resistance of the metal underlying the pattern as a substrate forming the module. Therefore, the input / output line of the high frequency airtight module has low loss, and the performance is improved. Further, since the module input / output microstrip line 16 and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are not connected by a conductor wire or a conductor ribbon, there is no deterioration in performance due to the inductance component of the conductor wire or the conductor ribbon. Further, since the electromagnetic coupling portion is not connected by the conductor, it is possible to cut off the direct current from the high frequency signal line.

【0030】また、モジュール入出力用マイクロストリ
ップ線路16に接続された導波管−マイクロストリップ
変換基板27、プローブ用マイクロストリップ線路2
8、入出力用矩形導波管26により導波管−マイクロス
トリップ変換をおこなっている。このため、モジュール
どうしの入出力の接続において入出力用矩形導波管26
どうしを接続することにより矩形導波管のインタフェー
スとなるため、モジュールどうしの接続部の高周波特性
をよりいっそう改善できる。
Further, the waveguide-microstrip conversion substrate 27 connected to the module input / output microstrip line 16 and the probe microstrip line 2 are connected.
8. The waveguide-microstrip conversion is performed by the input / output rectangular waveguide 26. Therefore, in connecting the input and output of the modules, the rectangular waveguide 26 for input and output is used.
By connecting them, a rectangular waveguide interface is provided, so that the high-frequency characteristics of the connection between the modules can be further improved.

【0031】実施の形態5.図13は上記実施の形態1
においてモジュールどうしの接続部高周波特性を改善す
るために、モジュール内で導波管インピーダンス変成器
を用いた導波管−マイクロストリップ変換を行うことに
より入出力のインタフェースを矩形導波管とした高周波
気密モジュールの平面図、図14は図13におけるA5
−A5断面図、図15は図14におけるB5方向からの
透視図、図16は図13におけるC5視図である。図に
おいて1は導体フレーム、2は地導体、3は高周波集積
回路基板、4はバイアス端子、5はロウ材、6は導体ワ
イヤ、7は気密カバー、15はベース基板、16はモジ
ュール入出力用マイクロストリップ線路、17はオープ
ンスタブ、18は結合孔、19は高周波集積回路入出力
用マイクロストリップ線路、20は高周波回路部、21
はバイアス用気密貫通端子、26は入出力用矩形導波
管、29は導波管インピーダンス変成器である。
Embodiment 5. FIG. 13 shows the first embodiment.
In order to improve the high-frequency characteristics of the connection between modules, the waveguide-microstrip conversion using the waveguide impedance transformer is performed in the module to make the input / output interface a rectangular waveguide and the high-frequency airtightness. FIG. 14 is a plan view of the module, and FIG. 14 is A5 in FIG.
-A5 sectional view, FIG. 15 is a perspective view from the B5 direction in FIG. 14, and FIG. 16 is a C5 view in FIG. In the figure, 1 is a conductor frame, 2 is a ground conductor, 3 is a high frequency integrated circuit board, 4 is a bias terminal, 5 is a brazing material, 6 is a conductor wire, 7 is an airtight cover, 15 is a base board, and 16 is for module input / output. Microstrip line, 17 is an open stub, 18 is a coupling hole, 19 is a microstrip line for inputting / outputting a high frequency integrated circuit, 20 is a high frequency circuit section, 21
Is a hermetically sealed through terminal for bias, 26 is a rectangular waveguide for input and output, and 29 is a waveguide impedance transformer.

【0032】この場合にも、ベース基板15は導体フレ
ーム1にロウ材5により取付けられている。ベース基板
15には表面にモジュール入出力用マイクロストリップ
線路16とモジュール入出力用マイクロストリップ線路
16に接続されたオープンスタブ17が二組設けられて
いる。また、裏面には結合孔18を有する地導体2が設
けられており、結合孔18はモジュール入出力用マイク
ロストリップ線路16とオープンスタブ17の接続部の
真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路16
の信号伝搬方向と結合孔18の長手方向が直交するよう
に位置する。高周波集積回路基板3には表面に高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路19と高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路19に接続され
たオープンスタブ17が設けられている。また、裏面に
は結合孔18を有する地導体2が設けられており、結合
孔18はモジュール入出力用マイクロストリップ線路1
6とオープンスタブ17の接続部の真裏にモジュール入
出力用マイクロストリップ線路16の信号伝搬方向と結
合孔18の長手方向が直交するように位置する。高周波
集積回路基板3には表面に高周波集積回路入出力用マイ
クロストリップ線路19と高周波集積回路入出力用マイ
クロストリップ線路19に接続されたオープンスタブ1
7、高周波回路部20及びバイアス端子11が設けられ
ている。また、裏面には結合孔18を有する地導体2が
設けられている。ベース基板15と高周波集積回路基板
3はそれぞれの地導体2に設けられた結合孔18の部分
を合致させロウ材5により地導体2どうしを貼り合わせ
ている。バイアス用気密貫通端子21は導体フレーム1
の側面に隙間なく埋め込めれている。また、バイアス端
子11とバイアス用気密貫通端子21間は導体ワイヤ6
によりボンディングされている。気密カバー7は導体フ
レーム1に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
Also in this case, the base substrate 15 is attached to the conductor frame 1 by the brazing material 5. Two sets of module input / output microstrip lines 16 and open stubs 17 connected to the module input / output microstrip lines 16 are provided on the surface of the base substrate 15. Further, the ground conductor 2 having a coupling hole 18 is provided on the back surface, and the coupling hole 18 is directly behind the connecting portion between the module input / output microstrip line 16 and the open stub 17, and the module input / output microstrip line 16 is provided.
Is positioned so that the signal propagation direction and the longitudinal direction of the coupling hole 18 are orthogonal to each other. On the surface of the high-frequency integrated circuit board 3, a high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 and an open stub 17 connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are provided. A ground conductor 2 having a coupling hole 18 is provided on the back surface, and the coupling hole 18 is used for the module input / output microstrip line 1.
The signal propagation direction of the module input / output microstrip line 16 and the longitudinal direction of the coupling hole 18 are positioned right behind the connecting portion between the open end 6 and the open stub 17. On the surface of the high-frequency integrated circuit board 3, a high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 and an open stub 1 connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are provided.
7, a high frequency circuit section 20 and a bias terminal 11 are provided. Further, the ground conductor 2 having the coupling hole 18 is provided on the back surface. The base substrate 15 and the high-frequency integrated circuit substrate 3 are made to match the portions of the coupling holes 18 provided in the respective ground conductors 2, and the ground conductors 2 are bonded together by the brazing material 5. The bias airtight through terminal 21 is the conductor frame 1
It is embedded on the side of the without gap. In addition, the conductor wire 6 is provided between the bias terminal 11 and the bias airtight through terminal 21.
Is bonded by. The airtight cover 7 is brazed or welded to the conductor frame 1 without a gap.

【0033】これにより、モジュール入出力用マイクロ
ストリップ線路16と高周波集積回路入出力用マイクロ
ストリップ線路19は、オープンスタブ17及び結合孔
18の効果による電磁結合で高周波信号に対して接続さ
れる。モジュール入出力用マイクロストリップ線路16
から入力された高周波信号は結合孔18を介して高周波
集積回路入出力用マイクロストリップ線路19に伝搬さ
れ、高周波回路部20へ入力される。一方、高周波回路
部20から出力された高周波信号は、高周波集積回路入
出力用マイクロストリップ線路19に伝搬され、結合孔
18を介してモジュール入出力用マイクロストリップ線
路16に伝搬され出力される。このような気密モジュー
ルにおいては、モジュールを構成する基板にパターン精
度にすぐれ、パターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄
膜基板を用いることができる。このため、高周波気密モ
ジュールの入出力線路が低損失になり、性能が改善され
る。また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路
16と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路
19とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていない
ため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分によ
る性能の劣化がない。更に電磁結合部は導体により接続
されていないため高周波信号線路から直流を遮断するこ
とができる。
As a result, the module input / output microstrip line 16 and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are connected to the high frequency signal by electromagnetic coupling due to the effect of the open stub 17 and the coupling hole 18. Module input / output microstrip line 16
The high-frequency signal input from is propagated to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 through the coupling hole 18 and input to the high-frequency circuit section 20. On the other hand, the high-frequency signal output from the high-frequency circuit unit 20 is propagated to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19, propagates to the module input / output microstrip line 16 through the coupling hole 18, and is output. In such an airtight module, it is possible to use a thin film substrate which is excellent in pattern accuracy and has a small electric resistance of the metal underlying the pattern as a substrate forming the module. Therefore, the input / output line of the high frequency airtight module has low loss, and the performance is improved. Further, since the module input / output microstrip line 16 and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are not connected by a conductor wire or a conductor ribbon, there is no deterioration in performance due to the inductance component of the conductor wire or the conductor ribbon. Further, since the electromagnetic coupling portion is not connected by the conductor, it is possible to cut off the direct current from the high frequency signal line.

【0034】また、モジュール入出力用マイクロストリ
ップ線路16に接続された導波管インピーダンス変成器
29、入出力用矩形導波管26により広帯域な導波管−
マイクロストリップ変換をおこなっている。このため、
モジュールどうしの入出力の接続において入出力用矩形
導波管26どうしを接続することにより矩形導波管のイ
ンタフェースとなるため、モジュールどうしの接続部の
高周波特性を広帯域によりいっそう改善できる。
Further, the waveguide impedance transformer 29 connected to the module input / output microstrip line 16 and the input / output rectangular waveguide 26 provide a broadband waveguide.
Microstrip conversion is performed. For this reason,
In the connection of the input / output of the modules, the rectangular waveguide 26 for input / output is connected to form an interface of the rectangular waveguide, so that the high-frequency characteristics of the connection portion of the modules can be further improved in a wide band.

【0035】実施の形態6.図17は上記実施の形態1
においてモジュールの機械強度を改善するために、上記
ベース基板の上記モジュール入出力用マイクロストリッ
プ線路を有する面に、上記入出力用マイクロストリップ
線路および上記モジュール入出力用マイクロストリップ
線路に接続されたオープンスタブにかからないように金
属、誘電体または樹脂等からなる補強フレームを取り付
けた高周波気密モジュールの平面図、図18は図17に
おけるA6−A6断面図、図19は図18におけるB6
方向からの透視図である。図において1は導体フレー
ム、2は地導体、3は高周波集積回路基板、4はバイア
ス端子、5はロウ材、6は導体ワイヤ、7は気密カバ
ー、15はベース基板、16はモジュール入出力用マイ
クロストリップ線路、17はオープンスタブ、18は結
合孔、19は高周波集積回路入出力用マイクロストリッ
プ線路、20は高周波回路部、21はバイアス用気密貫
通端子、30は補強フレームである。
Sixth Embodiment FIG. 17 shows the first embodiment described above.
In order to improve the mechanical strength of the module, in the surface having the module input / output microstrip line of the base substrate, an open stub connected to the input / output microstrip line and the module input / output microstrip line. 18 is a plan view of the high-frequency airtight module in which a reinforcing frame made of metal, dielectric, resin, or the like is attached so as not to cover it, FIG. 18 is a sectional view taken along line A6-A6 in FIG. 17, and FIG. 19 is B6 in FIG.
It is a perspective view from a direction. In the figure, 1 is a conductor frame, 2 is a ground conductor, 3 is a high frequency integrated circuit board, 4 is a bias terminal, 5 is a brazing material, 6 is a conductor wire, 7 is an airtight cover, 15 is a base board, and 16 is for module input / output. A microstrip line, 17 is an open stub, 18 is a coupling hole, 19 is a high frequency integrated circuit input / output microstrip line, 20 is a high frequency circuit portion, 21 is a bias airtight through terminal, and 30 is a reinforcing frame.

【0036】この場合にも、ベース基板15は導体フレ
ーム1にロウ材5により取付けられている。ベース基板
15には表面にモジュール入出力用マイクロストリップ
線路16とモジュール入出力用マイクロストリップ線路
16に接続されたオープンスタブ17が二組設けられて
いる。また、裏面には結合孔18を有する地導体2が設
けられており、結合孔18はモジュール入出力用マイク
ロストリップ線路16とオープンスタブ17の接続部の
真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線路16
の信号伝搬方向と結合孔18の長手方向が直交するよう
に位置する。高周波集積回路基板3には表面に高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路19と高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路19に接続され
たオープンスタブ17が設けられている。また、裏面に
は結合孔18を有する地導体2が設けられており、結合
孔18はモジュール入出力用マイクロストリップ線路1
6とオープンスタブ17の接続部の真裏にモジュール入
出力用マイクロストリップ線路16の信号伝搬方向と結
合孔18の長手方向が直交するように位置する。高周波
集積回路基板3には表面に高周波集積回路入出力用マイ
クロストリップ線路19と高周波集積回路入出力用マイ
クロストリップ線路19に接続されたオープンスタブ1
7、高周波回路部20及びバイアス端子11が設けられ
ている。また、裏面には結合孔18を有する地導体2が
設けられている。ベース基板15と高周波集積回路基板
3はそれぞれの地導体2に設けられた結合孔18の部分
を合致させロウ材5により地導体2どうしを貼り合わせ
ている。バイアス用気密貫通端子21は導体フレーム1
の側面に隙間なく埋め込めれている。また、バイアス端
子11とバイアス用気密貫通端子21間は導体ワイヤ6
によりボンディングされている。気密カバー7は導体フ
レーム1に隙間なくロウ付けまたは熔接されている。
Also in this case, the base substrate 15 is attached to the conductor frame 1 by the brazing material 5. Two sets of module input / output microstrip lines 16 and open stubs 17 connected to the module input / output microstrip lines 16 are provided on the surface of the base substrate 15. Further, the ground conductor 2 having a coupling hole 18 is provided on the back surface, and the coupling hole 18 is directly behind the connecting portion between the module input / output microstrip line 16 and the open stub 17, and the module input / output microstrip line 16 is provided.
Is positioned so that the signal propagation direction and the longitudinal direction of the coupling hole 18 are orthogonal to each other. On the surface of the high-frequency integrated circuit board 3, a high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 and an open stub 17 connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are provided. A ground conductor 2 having a coupling hole 18 is provided on the back surface, and the coupling hole 18 is used for the module input / output microstrip line 1.
The signal propagation direction of the module input / output microstrip line 16 and the longitudinal direction of the coupling hole 18 are positioned right behind the connecting portion between the open end 6 and the open stub 17. On the surface of the high-frequency integrated circuit board 3, a high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 and an open stub 1 connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are provided.
7, a high frequency circuit section 20 and a bias terminal 11 are provided. Further, the ground conductor 2 having the coupling hole 18 is provided on the back surface. The base substrate 15 and the high-frequency integrated circuit substrate 3 are made to match the portions of the coupling holes 18 provided in the respective ground conductors 2, and the ground conductors 2 are bonded together by the brazing material 5. The bias airtight through terminal 21 is the conductor frame 1
It is embedded on the side of the without gap. In addition, the conductor wire 6 is provided between the bias terminal 11 and the bias airtight through terminal 21.
Is bonded by. The airtight cover 7 is brazed or welded to the conductor frame 1 without a gap.

【0037】これにより、モジュール入出力用マイクロ
ストリップ線路16と高周波集積回路入出力用マイクロ
ストリップ線路19は、オープンスタブ17及び結合孔
18の効果による電磁結合で高周波信号に対して接続さ
れる。モジュール入出力用マイクロストリップ線路16
から入力された高周波信号は結合孔18を介して高周波
集積回路入出力用マイクロストリップ線路19に伝搬さ
れ、高周波回路部20へ入力される。一方、高周波回路
部20から出力された高周波信号は、高周波集積回路入
出力用マイクロストリップ線路19に伝搬され、結合孔
18を介してモジュール入出力用マイクロストリップ線
路16に伝搬され出力される。このような気密モジュー
ルにおいては、モジュールを構成する基板にパターン精
度にすぐれ、パターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄
膜基板を用いることができる。このため、高周波気密モ
ジュールの入出力線路が低損失になり、性能が改善され
る。また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路
16と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路
19とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていない
ため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分によ
る性能の劣化がない。更に電磁結合部は導体により接続
されていないため高周波信号線路から直流を遮断するこ
とができる。
As a result, the module input / output microstrip line 16 and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are connected to a high frequency signal by electromagnetic coupling due to the effect of the open stub 17 and the coupling hole 18. Module input / output microstrip line 16
The high-frequency signal input from is propagated to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 through the coupling hole 18 and input to the high-frequency circuit section 20. On the other hand, the high-frequency signal output from the high-frequency circuit unit 20 is propagated to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19, propagates to the module input / output microstrip line 16 through the coupling hole 18, and is output. In such an airtight module, it is possible to use a thin film substrate which is excellent in pattern accuracy and has a small electric resistance of the metal underlying the pattern as a substrate forming the module. Therefore, the input / output line of the high frequency airtight module has low loss, and the performance is improved. Further, since the module input / output microstrip line 16 and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are not connected by a conductor wire or a conductor ribbon, there is no deterioration in performance due to the inductance component of the conductor wire or the conductor ribbon. Further, since the electromagnetic coupling portion is not connected by the conductor, it is possible to cut off the direct current from the high frequency signal line.

【0038】また、ベース基板15のモジュール入出力
用マイクロストリップ線路16を有する面に、モジュー
ル入出力用マイクロストリップ線路16およびモジュー
ル入出力用マイクロストリップ線路16に接続されたオ
ープンスタブ17にかからないように金属、誘電体また
は樹脂等からなる補強フレーム30を取り付けているた
め、ベース基板15が補強され、モジュールの機械強度
を改善できる。
Further, the surface of the base substrate 15 having the module input / output microstrip line 16 should not be covered by the module input / output microstrip line 16 and the open stub 17 connected to the module input / output microstrip line 16. Since the reinforcing frame 30 made of metal, dielectric, resin, or the like is attached, the base substrate 15 is reinforced, and the mechanical strength of the module can be improved.

【0039】実施の形態7.図20は上記実施の形態1
においてモジュールの機械強度を改善するために、上記
ベース基板の代わりに、上記モジュール入出力用マイク
ロストリップ線路を有する面に補強用の隆起を有する補
強構造ベース基板を用いた高周波気密モジュールの平面
図、図21は図20におけるA7−A7断面図、図22
は図21におけるB7方向からの透視図である。図にお
いて1は導体フレーム、2は地導体、3は高周波集積回
路基板、4はバイアス端子、5はロウ材、6は導体ワイ
ヤ、7は気密カバー、16はモジュール入出力用マイク
ロストリップ線路、17はオープンスタブ、18は結合
孔、19は高周波集積回路入出力用マイクロストリップ
線路、20は高周波回路部、21はバイアス用気密貫通
端子、31は補強構造ベース基板である。
Embodiment 7. FIG. 20 shows the first embodiment.
In order to improve the mechanical strength of the module in, in place of the base substrate, a plan view of a high-frequency hermetic module using a reinforcing structure base substrate having a ridge for reinforcement on the surface having the module input / output microstrip line, 21 is a sectional view taken along line A7-A7 in FIG.
FIG. 22 is a perspective view from the B7 direction in FIG. 21. In the figure, 1 is a conductor frame, 2 is a ground conductor, 3 is a high frequency integrated circuit board, 4 is a bias terminal, 5 is a brazing material, 6 is a conductor wire, 7 is an airtight cover, 16 is a microstrip line for module input / output, and 17 Is an open stub, 18 is a coupling hole, 19 is a microstrip line for inputting / outputting a high frequency integrated circuit, 20 is a high frequency circuit section, 21 is a hermetically through terminal for bias, and 31 is a reinforcing structure base substrate.

【0040】ここで、補強構造ベース基板31は導体フ
レーム1にロウ材5により取付けられている。補強構造
ベース31には表面にモジュール入出力用マイクロスト
リップ線路16とモジュール入出力用マイクロストリッ
プ線路16に接続されたオープンスタブ17が二組設け
られている。また、裏面には結合孔18を有する地導体
2が設けられており、結合孔18はモジュール入出力用
マイクロストリップ線路16とオープンスタブ17の接
続部の真裏にモジュール入出力用マイクロストリップ線
路16の信号伝搬方向と結合孔18の長手方向が直交す
るように位置する。高周波集積回路基板3には表面に高
周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路19と高
周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路19に接
続されたオープンスタブ17が設けられている。また、
裏面には結合孔18を有する地導体2が設けられてお
り、結合孔18はモジュール入出力用マイクロストリッ
プ線路16とオープンスタブ17の接続部の真裏にモジ
ュール入出力用マイクロストリップ線路16の信号伝搬
方向と結合孔18の長手方向が直交するように位置す
る。高周波集積回路基板3には表面に高周波集積回路入
出力用マイクロストリップ線路19と高周波集積回路入
出力用マイクロストリップ線路19に接続されたオープ
ンスタブ17、高周波回路部20及びバイアス端子11
が設けられている。また、裏面には結合孔18を有する
地導体2が設けられている。補強構造ベース基板31と
高周波集積回路基板3はそれぞれの地導体2に設けられ
た結合孔18の部分を合致させロウ材5により地導体2
どうしを貼り合わせている。バイアス用気密貫通端子2
1は導体フレーム1の側面に隙間なく埋め込めれてい
る。また、バイアス端子11とバイアス用気密貫通端子
21間は導体ワイヤ6によりボンディングされている。
気密カバー7は導体フレーム1に隙間なくロウ付けまた
は熔接されている。
Here, the reinforcing structure base substrate 31 is attached to the conductor frame 1 by the brazing material 5. Two sets of module input / output microstrip lines 16 and open stubs 17 connected to the module input / output microstrip lines 16 are provided on the surface of the reinforcing structure base 31. Further, the ground conductor 2 having a coupling hole 18 is provided on the back surface, and the coupling hole 18 is directly behind the connecting portion of the module input / output microstrip line 16 and the open stub 17 and is connected to the module input / output microstrip line 16 by the coupling hole 18. It is positioned so that the signal propagation direction and the longitudinal direction of the coupling hole 18 are orthogonal to each other. On the surface of the high-frequency integrated circuit board 3, a high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 and an open stub 17 connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are provided. Also,
A ground conductor 2 having a coupling hole 18 is provided on the back surface, and the coupling hole 18 is provided directly behind the connecting portion of the module input / output microstrip line 16 and the open stub 17 for signal propagation of the module input / output microstrip line 16. The direction is perpendicular to the longitudinal direction of the coupling hole 18. On the surface of the high-frequency integrated circuit board 3, a high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19, an open stub 17 connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19, a high-frequency circuit section 20, and a bias terminal 11 are provided.
Is provided. Further, the ground conductor 2 having the coupling hole 18 is provided on the back surface. The reinforcing structure base substrate 31 and the high-frequency integrated circuit substrate 3 are matched with each other in the coupling holes 18 provided in the respective ground conductors 2 by the brazing material 5.
They are stuck together. Airtight through terminal 2 for bias
1 is embedded in the side surface of the conductor frame 1 without any gap. The bias terminal 11 and the bias airtight penetrating terminal 21 are bonded by a conductor wire 6.
The airtight cover 7 is brazed or welded to the conductor frame 1 without a gap.

【0041】これにより、モジュール入出力用マイクロ
ストリップ線路16と高周波集積回路入出力用マイクロ
ストリップ線路19は、オープンスタブ17及び結合孔
18の効果による電磁結合で高周波信号に対して接続さ
れる。モジュール入出力用マイクロストリップ線路16
から入力された高周波信号は結合孔18を介して高周波
集積回路入出力用マイクロストリップ線路19に伝搬さ
れ、高周波回路部20へ入力される。一方、高周波回路
部20から出力された高周波信号は、高周波集積回路入
出力用マイクロストリップ線路19に伝搬され、結合孔
18を介してモジュール入出力用マイクロストリップ線
路16に伝搬され出力される。このような気密モジュー
ルにおいては、モジュールを構成する基板にパターン精
度にすぐれ、パターン下地の金属の電気抵抗が小さい薄
膜基板を用いることができる。このため、高周波気密モ
ジュールの入出力線路が低損失になり、性能が改善され
る。また、モジュール入出力用マイクロストリップ線路
16と高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路
19とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていない
ため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分によ
る性能の劣化がない。更に電磁結合部は導体により接続
されていないため高周波信号線路から直流を遮断するこ
とができる。
As a result, the module input / output microstrip line 16 and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are connected to the high frequency signal by electromagnetic coupling due to the effect of the open stub 17 and the coupling hole 18. Module input / output microstrip line 16
The high-frequency signal input from is propagated to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 through the coupling hole 18 and input to the high-frequency circuit section 20. On the other hand, the high-frequency signal output from the high-frequency circuit unit 20 is propagated to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line 19, propagates to the module input / output microstrip line 16 through the coupling hole 18, and is output. In such an airtight module, it is possible to use a thin film substrate which is excellent in pattern accuracy and has a small electric resistance of the metal underlying the pattern as a substrate forming the module. Therefore, the input / output line of the high frequency airtight module has low loss, and the performance is improved. Further, since the module input / output microstrip line 16 and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line 19 are not connected by a conductor wire or a conductor ribbon, there is no deterioration in performance due to the inductance component of the conductor wire or the conductor ribbon. Further, since the electromagnetic coupling portion is not connected by the conductor, it is possible to cut off the direct current from the high frequency signal line.

【0042】また、補強構造ベース基板31のモジュー
ル入出力用マイクロストリップ線路16を有する面に、
モジュール入出力用マイクロストリップ線路16および
モジュール入出力用マイクロストリップ線路16に接続
されたオープンスタブ17にかからない部分に補強用の
隆起を有するため基板の強度が高くなり、部品点数を増
やすことなくモジュールの機械強度を改善できる。
On the surface of the reinforcing structure base substrate 31 having the module input / output microstrip line 16,
Since the reinforcing ridge is provided in the module input / output microstrip line 16 and in the portion not connected to the open stub 17 connected to the module input / output microstrip line 16, the strength of the substrate is increased, and the module can be manufactured without increasing the number of components. The mechanical strength can be improved.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上のようにこの発明による実施の形態
1の高周波気密モジュールは、オープンスタブにより先
端を開放にしたマイクロストリップ線路の地導体どうし
を貼り合わせその地導体に設けた結合孔を介して電磁結
合により高周波信号を伝搬させることにより気密モジュ
ールを実現しているため、圧膜基板を用いたトリプレー
ト型フィードスルーが不要になり入出力線路の伝搬特性
を改善でき、しかも、モジュール入出力用マイクロスト
リップ線路と高周波集積回路入出力用マイクロストリッ
プ線路とは導体ワイヤや導体リボン等で接続されていな
いため導体ワイヤや導体リボンのインダクタンス成分に
よる性能の劣化もなく、更に不要な直流成分を遮断する
ことができる。
As described above, in the high frequency airtight module according to the first embodiment of the present invention, the ground conductors of the microstrip line whose ends are opened by the open stub are bonded to each other through the coupling hole provided in the ground conductor. Since an airtight module is realized by propagating a high frequency signal by electromagnetic coupling, a triplate type feedthrough using a pressure film substrate is not required and the propagation characteristics of the input / output line can be improved. The microstrip line for high frequency integrated circuits and the microstrip line for high-frequency integrated circuit input / output are not connected by conductor wires or ribbons, so there is no performance deterioration due to the inductance components of the conductor wires or ribbons, and unnecessary DC components are blocked. can do.

【0044】また、実施の形態2の高周波気密モジュー
ルは、オープンスタブにより先端を開放にしたマイクロ
ストリップ線路の地導体どうしを貼り合わせその地導体
に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝
搬させることにより気密モジュールを実現しているた
め、圧膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが
不要になり入出力線路の伝搬特性を改善でき、しかも、
モジュール入出力用マイクロストリップ線路と高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路とは導体ワイヤ
や導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導
体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化もな
く、更に不要な直流成分を遮断することができる。そし
て、入出力のインタフェースにおいて、入出力マイクロ
ストリップ線路の両側にスルーホールにより地導体と導
通がとられたグラウンド端子を設け、モジュールどうし
のグラウンドを接続できるようにしているため、モジュ
ールどうしの接続部の高周波特性が改善できる。
In the high frequency airtight module of the second embodiment, the ground conductors of the microstrip line whose ends are opened by the open stub are bonded to each other and a high frequency signal is electromagnetically coupled through the coupling hole provided in the ground conductor. Since the airtight module is realized by propagating, the triplate type feedthrough using the pressure film substrate is not necessary, and the propagation characteristic of the input / output line can be improved.
Since the module input / output microstrip line and the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line are not connected by a conductor wire or a conductor ribbon, there is no deterioration in performance due to the inductance component of the conductor wire or conductor ribbon. The components can be blocked. In the input / output interface, ground terminals are provided on both sides of the input / output microstrip line so as to be electrically connected to the ground conductor by through holes, so that the grounds of the modules can be connected to each other. The high frequency characteristics of can be improved.

【0045】また、実施の形態3の高周波気密モジュー
ルは、オープンスタブにより先端を開放にしたマイクロ
ストリップ線路の地導体どうしを貼り合わせその地導体
に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝
搬させることにより気密モジュールを実現しているた
め、圧膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが
不要になり入出力線路の伝搬特性を改善でき、しかも、
モジュール入出力用マイクロストリップ線路と高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路とは導体ワイヤ
や導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導
体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化もな
く、更に不要な直流成分を遮断することができる。そし
て、入出力のインタフェースをマイクロストリップ線路
からコプレーナ線路に変換して行っているため、モジュ
ールどうしの接続部の高周波特性が更に改善できる。
Further, in the high frequency airtight module of the third embodiment, the ground conductors of the microstrip lines whose ends are opened by the open stub are adhered to each other and the high frequency signal is electromagnetically coupled through the coupling hole provided in the ground conductor. Since the airtight module is realized by propagating, the triplate type feedthrough using the pressure film substrate is not necessary, and the propagation characteristic of the input / output line can be improved.
Since the module input / output microstrip line and the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line are not connected by a conductor wire or a conductor ribbon, there is no deterioration in performance due to the inductance component of the conductor wire or conductor ribbon. The components can be blocked. Since the input / output interface is converted from the microstrip line to the coplanar line, the high frequency characteristics of the connection between the modules can be further improved.

【0046】また、実施の形態4の高周波気密モジュー
ルは、オープンスタブにより先端を開放にしたマイクロ
ストリップ線路の地導体どうしを貼り合わせその地導体
に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝
搬させることにより気密モジュールを実現しているた
め、圧膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが
不要になり入出力線路の伝搬特性を改善でき、しかも、
モジュール入出力用マイクロストリップ線路と高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路とは導体ワイヤ
や導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導
体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化もな
く、更に不要な直流成分を遮断することができる。そし
て、入出力のインタフェースをマイクロストリップ線路
からE面プローブ型の導波管−マイクロストリップ変換
器により矩形導波管に変換して行っているため、モジュ
ールどうしの接続部の高周波特性がよりいっそう改善で
きる。
Further, in the high frequency airtight module of the fourth embodiment, the ground conductors of the microstrip line whose ends are opened by the open stub are adhered to each other and a high frequency signal is electromagnetically coupled through a coupling hole provided in the ground conductor. Since the airtight module is realized by propagating, the triplate type feedthrough using the pressure film substrate is not necessary, and the propagation characteristic of the input / output line can be improved.
Since the module input / output microstrip line and the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line are not connected by a conductor wire or a conductor ribbon, there is no deterioration in performance due to the inductance component of the conductor wire or conductor ribbon. The components can be blocked. Further, since the input / output interface is converted from the microstrip line to the rectangular waveguide by the E-plane probe type waveguide-microstrip converter, the high frequency characteristics of the connection between the modules are further improved. it can.

【0047】また、実施の形態5の高周波気密モジュー
ルは、オープンスタブにより先端を開放にしたマイクロ
ストリップ線路の地導体どうしを貼り合わせその地導体
に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝
搬させることにより気密モジュールを実現しているた
め、圧膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが
不要になり入出力線路の伝搬特性を改善でき、しかも、
モジュール入出力用マイクロストリップ線路と高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路とは導体ワイヤ
や導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導
体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化もな
く、更に不要な直流成分を遮断することができる。そし
て、入出力のインタフェースをマイクロストリップ線路
から導波管インピーダンス変成器を用いた導波管−マイ
クロストリップ変換器により矩形導波管に変換して行っ
ているため、モジュールどうしの接続部の高周波特性が
広帯域によりいっそう改善できる。
Further, in the high frequency airtight module of the fifth embodiment, the ground conductors of the microstrip lines whose ends are opened by the open stub are adhered to each other and a high frequency signal is electromagnetically coupled through a coupling hole provided in the ground conductor. Since the airtight module is realized by propagating, the triplate type feedthrough using the pressure film substrate is not necessary, and the propagation characteristic of the input / output line can be improved.
Since the module input / output microstrip line and the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line are not connected by a conductor wire or a conductor ribbon, there is no deterioration in performance due to the inductance component of the conductor wire or conductor ribbon. The components can be blocked. Since the input / output interface is converted from a microstrip line to a rectangular waveguide by a waveguide-microstrip converter using a waveguide impedance transformer, the high-frequency characteristics of the connection between modules are high. Can be further improved by the wide band.

【0048】また、実施の形態6の高周波気密モジュー
ルは、オープンスタブにより先端を開放にしたマイクロ
ストリップ線路の地導体どうしを貼り合わせその地導体
に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝
搬させることにより気密モジュールを実現しているた
め、圧膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが
不要になり入出力線路の伝搬特性を改善でき、しかも、
モジュール入出力用マイクロストリップ線路と高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路とは導体ワイヤ
や導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導
体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化もな
く、更に不要な直流成分を遮断することができる。そし
て、ベース基板に補強フレームを取り付けているため、
モジュールの機械強度を改善できる。
Further, in the high frequency airtight module of the sixth embodiment, the ground conductors of the microstrip line whose ends are opened by the open stub are adhered to each other, and a high frequency signal is electromagnetically coupled through a coupling hole provided in the ground conductor. Since the airtight module is realized by propagating, the triplate type feedthrough using the pressure film substrate is not necessary, and the propagation characteristic of the input / output line can be improved.
Since the module input / output microstrip line and the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line are not connected by a conductor wire or a conductor ribbon, there is no deterioration in performance due to the inductance component of the conductor wire or conductor ribbon. The components can be blocked. And because the reinforcing frame is attached to the base substrate,
The mechanical strength of the module can be improved.

【0049】また、実施の形態7の高周波気密モジュー
ルは、オープンスタブにより先端を開放にしたマイクロ
ストリップ線路の地導体どうしを貼り合わせその地導体
に設けた結合孔を介して電磁結合により高周波信号を伝
搬させることにより気密モジュールを実現しているた
め、圧膜基板を用いたトリプレート型フィードスルーが
不要になり入出力線路の伝搬特性を改善でき、しかも、
モジュール入出力用マイクロストリップ線路と高周波集
積回路入出力用マイクロストリップ線路とは導体ワイヤ
や導体リボン等で接続されていないため導体ワイヤや導
体リボンのインダクタンス成分による性能の劣化もな
く、更に不要な直流成分を遮断することができる。そし
て、ベース基板に補強用の隆起を有する補強構造ベース
基板を用いているため、部品点数を増やすことなくモジ
ュールの機械強度を改善できる。
Further, in the high frequency airtight module of the seventh embodiment, the ground conductors of the microstrip line whose ends are opened by the open stub are bonded to each other and a high frequency signal is electromagnetically coupled through a coupling hole provided in the ground conductor. Since the airtight module is realized by propagating, the triplate type feedthrough using the pressure film substrate is not necessary, and the propagation characteristic of the input / output line can be improved.
Since the module input / output microstrip line and the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line are not connected by a conductor wire or a conductor ribbon, there is no deterioration in performance due to the inductance component of the conductor wire or conductor ribbon. The components can be blocked. Further, since the reinforcing structure base substrate having the ridge for reinforcement is used for the base substrate, the mechanical strength of the module can be improved without increasing the number of parts.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態1における平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a high frequency airtight module according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態1を示す図1におけるA1−A1断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line A1-A1 in FIG. 1 showing the first embodiment of the high-frequency hermetic module according to the present invention.

【図3】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態1を示す図2におけるB1方向からの透視図であ
る。
FIG. 3 is a perspective view from the B1 direction in FIG. 2 showing the first embodiment of the high-frequency airtight module according to the present invention.

【図4】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態2における平面図である。
FIG. 4 is a plan view of a high frequency airtight module according to a second embodiment of the present invention.

【図5】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態2を示す図4におけるA2−A2断面図である。
5 is a cross-sectional view taken along the line A2-A2 in FIG. 4 showing the second embodiment of the high-frequency airtight module according to the present invention.

【図6】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態2を示す図5におけるB2方向からの透視図であ
る。
FIG. 6 is a perspective view from the B2 direction in FIG. 5 showing a second embodiment of the high-frequency airtight module according to the present invention.

【図7】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態3における平面図である。
FIG. 7 is a plan view of a high frequency airtight module according to a third embodiment of the present invention.

【図8】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態3を示す図7におけるA3−A3断面図である。
FIG. 8 is a sectional view taken along the line A3-A3 in FIG. 7 showing a third embodiment of the high-frequency airtight module according to the present invention.

【図9】 この発明による高周波気密モジュールの実施
の形態3を示す図8におけるB3方向からの透視図であ
る。
FIG. 9 is a perspective view from the B3 direction in FIG. 8 showing the third embodiment of the high-frequency airtight module according to the present invention.

【図10】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態4における平面図である。
FIG. 10 is a plan view of a high-frequency airtight module according to a fourth embodiment of the present invention.

【図11】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態4を示す図10におけるA4−A4断面図であ
る。
FIG. 11 is a sectional view taken along line A4-A4 in FIG. 10 showing a fourth embodiment of the high-frequency hermetic module according to the present invention.

【図12】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態4を示す図11におけるB4方向からの透視図
である。
FIG. 12 is a perspective view from the B4 direction in FIG. 11 showing a fourth embodiment of the high-frequency hermetic module according to the present invention.

【図13】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態5における平面図である。
FIG. 13 is a plan view of a high frequency airtight module according to a fifth embodiment of the present invention.

【図14】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態5を示す図13におけるA5−A5断面図であ
る。
FIG. 14 is a sectional view taken along line A5-A5 in FIG. 13 showing a fifth embodiment of the high-frequency airtight module according to the present invention.

【図15】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態5を示す図14におけるB5方向からの透視図
である。
FIG. 15 is a perspective view from the B5 direction in FIG. 14 showing a fifth embodiment of the high-frequency airtight module according to the present invention.

【図16】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態5を示す図13におけるC5視図である。
FIG. 16 is a C5 view in FIG. 13 showing a fifth embodiment of the high-frequency hermetic module according to the present invention.

【図17】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態6における平面図である。
FIG. 17 is a plan view of a high frequency airtight module according to a sixth embodiment of the present invention.

【図18】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態6を示す図17におけるA6−A6断面図であ
る。
FIG. 18 is a sectional view taken along line A6-A6 in FIG. 17, showing a sixth embodiment of the high-frequency hermetic module according to the present invention.

【図19】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態6を示す図18におけるB6方向からの透視図
である。
FIG. 19 is a perspective view from the B6 direction in FIG. 18 showing the sixth embodiment of the high-frequency airtight module according to the present invention.

【図20】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態7における平面図である。
FIG. 20 is a plan view of a high frequency airtight module according to a seventh embodiment of the present invention.

【図21】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態7を示す図20におけるA7−A7断面図であ
る。
FIG. 21 is a sectional view taken along the line A7-A7 in FIG. 20, showing a high frequency airtight module according to a seventh embodiment of the present invention.

【図22】 この発明による高周波気密モジュールの実
施の形態7を示す図21におけるB7方向からの透視図
である。
22 is a perspective view from the B7 direction in FIG. 21 showing the embodiment 7 of the high-frequency airtight module according to the present invention. FIG.

【図23】 従来の高周波気密モジュールにおける平面
透視図である。
FIG. 23 is a plan perspective view of a conventional high-frequency airtight module.

【図24】 従来の高周波気密モジュールを示す図23
におけるA8−A8断面図である。
FIG. 24 is a view showing a conventional high-frequency hermetic module.
9 is a cross-sectional view taken along line A8-A8 in FIG.

【図25】 従来の高周波気密モジュールを示す図23
におけるB8視図である。
FIG. 25 is a view showing a conventional high-frequency hermetic module.
It is a B8 view in.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 導体フレーム、2 地導体、3 高周波集積回路基
板、4 バイアス端子、5 ロウ材、6 導体ワイヤ、
7気密カバー、8 導体ベース、9 入出力用フィード
スルー基板、10 入出力用パターン、11 誘電体ブ
ロック、12バイアス用フィードスルー基板、13 バ
イアス用パターン、14 高周波集積回路入出力端子、
15 ベース基板、16 モジュール入出力用マイクロ
ストリップ線路、17 オープンスタブ、18 結合
孔、19 高周波集積回路入出力用マイクロストリップ
線路、20 高周波回路部、21 バイアス用気密貫通
端子、22 グラウンド端子、23 スルーホール、2
4 コプレーナ線路中心導体、25 コプレーナ線路地
導体、26 入出力用矩形導波管、27 導波管−マイ
クロストリップ変換基板、28 プローブ用マイクロス
トリップ線路、29導波管インピーダンス変成器、30
補強フレーム、31 補強構造ベース基板。
1 conductor frame, 2 ground conductor, 3 high frequency integrated circuit board, 4 bias terminal, 5 brazing material, 6 conductor wire,
7 airtight cover, 8 conductor base, 9 input / output feedthrough substrate, 10 input / output pattern, 11 dielectric block, 12 bias feedthrough substrate, 13 bias pattern, 14 high frequency integrated circuit input / output terminal,
15 base substrate, 16 module input / output microstrip line, 17 open stub, 18 coupling hole, 19 high frequency integrated circuit input / output microstrip line, 20 high frequency circuit part, 21 bias airtight through terminal, 22 ground terminal, 23 through Hall, 2
4 center conductor of coplanar line, 25 ground conductor of coplanar line, 26 rectangular waveguide for input / output, 27 waveguide-microstrip conversion substrate, 28 microstrip line for probe, 29 waveguide impedance transformer, 30
Reinforcement frame, 31 Reinforcement structure base substrate.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導体フレームと、誘電体又は半導体から
なるベース基板と、上記ベース基板の一方の面に形成さ
れたモジュール入出力用マイクロストリップ線路と、上
記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続さ
れたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面に形成
された結合孔を有する地導体と、誘電体又は半導体から
なる高周波集積回路基板と、上記高周波集積回路基板の
一方の面に設けられた高周波集積回路入出力用マイクロ
ストリップ線路と、上記高周波集積回路入出力用マイク
ロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、上記
高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続
された高周波回路部と、上記高周波集積回路基板の上記
高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と同一
面に設けられたバイアス端子と、上記高周波集積回路基
板の他の面に形成された結合孔を有する地導体と、上記
導体フレームと上記ベース基板の上記地導体を貼り合わ
せるロウ材と、上記ベース基板及び上記高周波集積回路
基板の上記結合孔どうしの位置を合わせ上記地導体どう
しを貼り合わせるロウ材と、バイアス用気密貫通端子
と、上記高周波集積回路基板の上記バイアス端子とバイ
アス用気密貫通端子を接続する導体ワイヤと、上記導体
フレームにロウ付けまたは熔接された気密カバーとで構
成したことを特徴とする高周波気密モジュール。
1. A conductor frame, a base substrate made of a dielectric material or a semiconductor, a module input / output microstrip line formed on one surface of the base substrate, and a module input / output microstrip line. An open stub, a ground conductor having a coupling hole formed on the other surface of the base substrate, a high frequency integrated circuit board made of a dielectric or a semiconductor, and a high frequency provided on one surface of the high frequency integrated circuit board. An integrated circuit input / output microstrip line, an open stub connected to the high frequency integrated circuit input / output microstrip line, a high frequency circuit unit connected to the high frequency integrated circuit input / output microstrip line, and the high frequency integrated circuit A bypass provided on the same surface as the input / output microstrip line of the high frequency integrated circuit on the circuit board. An ass terminal, a ground conductor having a coupling hole formed on the other surface of the high frequency integrated circuit board, a brazing material for bonding the conductor frame and the ground conductor of the base board, the base board and the high frequency integrated circuit. A brazing material for aligning the positions of the coupling holes of the circuit board and bonding the ground conductors together, a bias airtight through terminal, and a conductor wire for connecting the bias terminal and the bias airtight through terminal of the high frequency integrated circuit board. A high-frequency airtight module, comprising: an airtight cover brazed or welded to the conductor frame.
【請求項2】 導体フレームと、誘電体又は半導体から
なるベース基板と、上記ベース基板の一方の面に形成さ
れたモジュール入出力用マイクロストリップ線路と、上
記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続さ
れたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面に形成
された結合孔を有する地導体と、上記モジュール入出力
用マイクロストリップ線路の両側に設けられたグラウン
ド端子と、上記グラウンド端子と上記地導体を接続する
スルーホールと、誘電体又は半導体からなる高周波集積
回路基板と、上記高周波集積回路基板の一方の面に設け
られた高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路
と、上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線
路に接続されたオープンスタブと、上記高周波集積回路
入出力用マイクロストリップ線路に接続された高周波回
路部と、上記高周波集積回路基板の上記高周波集積回路
入出力用マイクロストリップ線路と同一に設けられたバ
イアス端子と、上記高周波集積回路基板の他の面に形成
された結合孔を有する地導体と、上記導体フレームと上
記ベース基板の上記地導体を貼り合わせるロウ材と、上
記ベース基板及び上記高周波集積回路基板の上記結合孔
どうしの位置を合わせ上記地導体どうしを貼り合わせる
ロウ材と、バイアス用気密貫通端子と、上記高周波集積
回路基板の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通端子
を接続する導体ワイヤと、上記導体フレームにロウ付け
または熔接された気密カバーとで構成したことを特徴と
する高周波気密モジュール。
2. A conductor frame, a base substrate made of a dielectric or a semiconductor, a module input / output microstrip line formed on one surface of the base substrate, and connected to the module input / output microstrip line. An open stub, a ground conductor having a coupling hole formed on the other surface of the base substrate, ground terminals provided on both sides of the module input / output microstrip line, the ground terminal and the ground conductor. Through holes to be connected, a high frequency integrated circuit board made of a dielectric or a semiconductor, a high frequency integrated circuit input / output microstrip line provided on one surface of the high frequency integrated circuit board, and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line. The open stub connected to the strip line and the above-mentioned high-frequency integrated circuit input / output microstub A high frequency circuit portion connected to the trip line, a bias terminal provided in the same manner as the high frequency integrated circuit input / output microstrip line of the high frequency integrated circuit board, and formed on the other surface of the high frequency integrated circuit board. A ground conductor having a coupling hole, a brazing material for bonding the conductor frame and the ground conductor of the base substrate, and a position of the coupling holes of the base substrate and the high frequency integrated circuit substrate are aligned and the ground conductor is bonded. A brazing material to be matched, a bias airtight through terminal, a conductor wire connecting the bias terminal and the bias airtight through terminal of the high frequency integrated circuit board, and an airtight cover brazed or welded to the conductor frame. A high-frequency airtight module characterized in that
【請求項3】 導体フレームと、誘電体又は半導体から
なるベース基板と、上記ベース基板の一方の面に形成さ
れたモジュール入出力用マイクロストリップ線路と、上
記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続さ
れたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面に形成
された結合孔を有する地導体と、上記モジュール入出力
用マイクロストリップ線路に接続されたコプレーナ線路
中心導体と、上記コプレーナ線路中心導体の両側に設け
られたコプレーナ線路地導体と、上記コプレーナ線路地
導体と上記地導体を接続するスルーホールと、誘電体又
は半導体からなる高周波集積回路基板と、上記高周波集
積回路基板の一方の面に設けられた高周波集積回路入出
力用マイクロストリップ線路と、上記高周波集積回路入
出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープンス
タブと、上記高周波集積回路入出力用マイクロストリッ
プ線路に接続された高周波回路部と、上記高周波集積回
路基板の上記高周波集積回路入出力用マイクロストリッ
プ線路と同一に設けられたバイアス端子と、上記高周波
集積回路基板の他の面に形成された結合孔を有する地導
体と、上記導体フレームと上記ベース基板の上記地導体
を貼り合わせるロウ材と、上記ベース基板及び上記高周
波集積回路基板の上記結合孔どうしの位置を合わせ上記
地導体どうしを貼り合わせるロウ材と、バイアス用気密
貫通端子と、上記高周波集積回路基板の上記バイアス端
子とバイアス用気密貫通端子を接続する導体ワイヤと、
上記導体フレームにロウ付けまたは熔接された気密カバ
ーとで構成したことを特徴とする高周波気密モジュー
ル。
3. A conductor frame, a base substrate made of a dielectric or semiconductor, a module input / output microstrip line formed on one surface of the base substrate, and a module input / output microstrip line connected to the module input / output microstrip line. An open stub, a ground conductor having a coupling hole formed on the other surface of the base substrate, a coplanar line center conductor connected to the module input / output microstrip line, and both sides of the coplanar line center conductor. A coplanar line ground conductor provided, a through hole connecting the coplanar line ground conductor and the ground conductor, a high-frequency integrated circuit board made of a dielectric material or a semiconductor, and provided on one surface of the high-frequency integrated circuit board. High frequency integrated circuit input / output microstrip line and the above high frequency integrated circuit input / output microstrip line The open stub connected to the lip line, the high frequency circuit section connected to the high frequency integrated circuit input / output microstrip line, and the high frequency integrated circuit input / output microstrip line of the high frequency integrated circuit board are provided in the same manner. A bias terminal, a ground conductor having a coupling hole formed on the other surface of the high frequency integrated circuit board, a brazing material for bonding the conductor frame and the ground conductor of the base board, the base board and the high frequency wave. A brazing material for aligning the positions of the coupling holes of the integrated circuit board and bonding the ground conductors together, a bias airtight through terminal, and a conductor wire for connecting the bias terminal and the bias airtight through terminal of the high frequency integrated circuit board. When,
A high frequency hermetic module comprising an airtight cover brazed or welded to the conductor frame.
【請求項4】 導体フレームと、上記導体フレームに設
けられた入出力用矩形導波管と、誘電体又は半導体から
なるベース基板と、上記ベース基板の一方の面に形成さ
れたモジュール入出力用マイクロストリップ線路と、上
記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続さ
れたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面に形成
された結合孔を有する地導体と、誘電体又は半導体から
なる導波管−マイクロストリップ変換基板と、上記導波
管−マイクロストリップ変換基板の一方の面に形成され
たマイクロストリップ線路と、上記導波管−マイクロス
トリップ変換基板の他の面に形成された地導体と、誘電
体又は半導体からなる高周波集積回路基板と、上記高周
波集積回路基板の一方の面に設けられた高周波集積回路
入出力用マイクロストリップ線路と、上記高周波集積回
路入出力用マイクロストリップ線路に接続されたオープ
ンスタブと、上記高周波集積回路入出力用マイクロスト
リップ線路に接続された高周波回路部と、上記高周波集
積回路基板の上記高周波集積回路入出力用マイクロスト
リップ線路と同一面に設けられたバイアス端子と、上記
高周波集積回路基板の他の面に形成された結合孔を有す
る地導体と、上記導体フレームと上記ベース基板及び上
記導波管−マイクロストリップ変換基板の上記地導体を
貼り合わせるロウ材と、上記導体フレームと上記ベース
基板の上記地導体を貼り合わせるロウ材と、上記ベース
基板及び上記高周波集積回路基板の上記結合孔どうしの
位置を合わせ上記地導体どうしを貼り合わせるロウ材
と、バイアス用気密貫通端子と、上記導波管−マイクロ
ストリップ変換基板の上記マイクロストリップ線路と上
記ベース基板の上記モジュール入出力用マイクロストリ
ップ線路を接続する導体ワイヤと、上記高周波集積回路
基板の上記バイアス端子とバイアス用気密貫通端子を接
続する導体ワイヤと、上記導体フレームにロウ付けまた
は熔接された気密カバーとで構成したことを特徴とする
高周波気密モジュール。
4. A conductor frame, an input / output rectangular waveguide provided on the conductor frame, a base substrate made of a dielectric or semiconductor, and a module input / output formed on one surface of the base substrate. A microstrip line, an open stub connected to the module input / output microstrip line, a ground conductor having a coupling hole formed on the other surface of the base substrate, and a waveguide made of a dielectric or semiconductor. A microstrip conversion substrate; a microstrip line formed on one surface of the waveguide-microstrip conversion substrate; a ground conductor formed on the other surface of the waveguide-microstrip conversion substrate; Body or semiconductor high-frequency integrated circuit board, and high-frequency integrated circuit input / output microstrip provided on one surface of the high-frequency integrated circuit board A trip line, an open stub connected to the high frequency integrated circuit input / output microstrip line, a high frequency circuit unit connected to the high frequency integrated circuit input / output microstrip line, and the high frequency integrated circuit of the high frequency integrated circuit substrate. Bias terminals provided on the same surface as the circuit input / output microstrip line, ground conductors having coupling holes formed on the other surface of the high-frequency integrated circuit board, the conductor frame, the base board, and the waveguide. A brazing material for bonding the ground conductor of the tube-microstrip conversion substrate, a brazing material for bonding the conductor frame and the ground conductor of the base substrate, and the coupling holes of the base substrate and the high-frequency integrated circuit substrate. A brazing material that aligns the positions and bonds the ground conductors together, a bias airtight through terminal, and the conductor A conductor wire connecting the microstrip line of the tube-microstrip conversion substrate and the module input / output microstrip line of the base substrate, and a conductor connecting the bias terminal and the bias airtight through terminal of the high frequency integrated circuit board. A high-frequency airtight module comprising a wire and an airtight cover brazed or welded to the conductor frame.
【請求項5】 導体フレームと、上記誘電体フレームに
設けられた入出力用矩形導波管と、上記導体フレームに
設けれた導波管インピーダンス変成器と、誘電体又は半
導体からなるベース基板と、上記ベース基板の一方の面
に形成されたモジュール入出力用マイクロストリップ線
路と、上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路
に接続されたオープンスタブと、上記ベース基板の他の
面に形成された結合孔を有する地導体と、誘電体又は半
導体からなる高周波集積回路基板と、上記高周波集積回
路基板の一方の面に設けられた高周波集積回路入出力用
マイクロストリップ線路と、上記高周波集積回路入出力
用マイクロストリップ線路に接続されたオープンスタブ
と、上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線
路に接続された高周波回路部と、上記高周波集積回路基
板の上記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線
路と同一面に設けられたバイアス端子と、上記高周波集
積回路基板の他の面に形成された結合孔を有する地導体
と、上記導体フレームと上記ベース基板の上記地導体を
貼り合わせるロウ材と、上記ベース基板及び上記高周波
集積回路基板の上記結合孔どうしの位置を合わせ上記地
導体どうしを貼り合わせるロウ材と、バイアス用気密貫
通端子と、上記導波管インピーダンス変成器と上記ベー
ス基板の上記モジュール入出力用マイクロストリップ線
路を接続する導体ワイヤと、上記高周波集積回路基板の
上記バイアス端子とバイアス用気密貫通端子を接続する
導体ワイヤと、上記導体フレームにロウ付けまたは熔接
された気密カバーとで構成したことを特徴とする高周波
気密モジュール。
5. A conductor frame, an input / output rectangular waveguide provided on the dielectric frame, a waveguide impedance transformer provided on the conductor frame, and a base substrate made of a dielectric or a semiconductor. A module input / output microstrip line formed on one surface of the base substrate, an open stub connected to the module input / output microstrip line, and a coupling hole formed on the other surface of the base substrate. A high frequency integrated circuit board made of a dielectric or a semiconductor, a high frequency integrated circuit input / output microstrip line provided on one surface of the high frequency integrated circuit board, and the high frequency integrated circuit input / output micro An open stub connected to the strip line and a high frequency connected to the microstrip line for input / output of the high frequency integrated circuit. A ground wave circuit section, a bias terminal provided on the same surface of the high frequency integrated circuit board as the high frequency integrated circuit input / output microstrip line, and a coupling hole formed on the other surface of the high frequency integrated circuit board. A conductor, a brazing material for bonding the conductor frame and the ground conductor of the base substrate, and a brazing material for bonding the ground conductors by aligning the positions of the coupling holes of the base substrate and the high-frequency integrated circuit board, A bias airtight through terminal, a conductor wire for connecting the waveguide impedance transformer and the module input / output microstrip line of the base substrate, the bias terminal of the high frequency integrated circuit substrate, and the bias airtight through terminal. It consists of a conductor wire to be connected and an airtight cover brazed or welded to the conductor frame. High-frequency air-tight module to butterflies.
【請求項6】 導体フレームと、誘電体又は半導体から
なるベース基板と、上記ベース基板の一方の面に形成さ
れたモジュール入出力用マイクロストリップ線路と、上
記モジュール入出力用マイクロストリップ線路に接続さ
れたオープンスタブと、上記ベース基板の他の面に形成
された結合孔を有する地導体と、誘電体又は半導体から
なる高周波集積回路基板と、上記高周波集積回路基板の
一方の面に設けられた高周波集積回路入出力用マイクロ
ストリップ線路と、上記高周波集積回路入出力用マイク
ロストリップ線路に接続されたオープンスタブと、上記
高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接続
された高周波回路部と、上記高周波集積回路基板の上記
高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と同一
面に設けられたバイアス端子と、上記高周波集積回路基
板の他の面に形成された結合孔を有する地導体と、上記
導体フレームと上記ベース基板の上記地導体を貼り合わ
せるロウ材と、上記ベース基板及び上記高周波集積回路
基板の上記結合孔どうしの位置を合わせ上記地導体どう
しを貼り合わせるロウ材と、バイアス用気密貫通端子
と、長期高周波集積回路基板の上記バイアス端子とバイ
アス用気密貫通端子を接続する導体ワイヤと、上記ベー
ス基板の上記モジュール入出力用マイクロストリップ線
路を有する面に、上記入出力用マイクロストリップ線路
および上記モジュール入出力用マイクロストリップ線路
に接続された上記オープンスタブにかからないように取
り付けられた金属、誘電体または樹脂等からなる補強フ
レームと、上記導体フレームにロウ付けまたは熔接され
た気密カバーとで構成したことを特徴とする高周波気密
モジュール。
6. A conductor frame, a base substrate made of a dielectric or a semiconductor, a module input / output microstrip line formed on one surface of the base substrate, and connected to the module input / output microstrip line. An open stub, a ground conductor having a coupling hole formed on the other surface of the base substrate, a high frequency integrated circuit board made of a dielectric or a semiconductor, and a high frequency provided on one surface of the high frequency integrated circuit board. An integrated circuit input / output microstrip line, an open stub connected to the high frequency integrated circuit input / output microstrip line, a high frequency circuit unit connected to the high frequency integrated circuit input / output microstrip line, and the high frequency integrated circuit A bypass provided on the same surface as the input / output microstrip line of the high frequency integrated circuit on the circuit board. An ass terminal, a ground conductor having a coupling hole formed on the other surface of the high frequency integrated circuit board, a brazing material for bonding the conductor frame and the ground conductor of the base board, the base board and the high frequency integrated circuit. A brazing material for aligning the positions of the coupling holes of the circuit board and bonding the ground conductors together, a bias airtight through terminal, and a conductor wire for connecting the bias terminal and the bias airtight through terminal of the long-term high-frequency integrated circuit board. A metal attached to the surface of the base substrate having the module input / output microstrip line so as not to cover the open / stub connected to the input / output microstrip line and the module input / output microstrip line, Reinforcing frame made of dielectric or resin and brazing to the conductor frame Other high frequency hermetic module, characterized in that is constituted by an airtight cover which is welded.
【請求項7】 導体フレームと、一方の面に補強のため
の隆起を有し、誘電体又は半導体からなる補強構造ベー
ス基板と、上記補強構造ベース基板の隆起を有する面の
隆起のない部分に形成されたモジュール入出力用マイク
ロストリップ線路と、上記モジュール入出力用マイクロ
ストリップ線路に接続されたオープンスタブと、上記補
強構造ベース基板の他の面に形成された結合孔を有する
地導体と、誘電体又は半導体からなる高周波集積回路基
板と、上記高周波集積回路基板の一方の面に設けられた
高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路と、上
記高周波集積回路入出力用マイクロストリップ線路に接
続されたオープンスタブと、上記高周波集積回路入出力
用マイクロストリップ線路に接続された高周波回路部
と、上記高周波集積回路基板の上記高周波集積回路入出
力用マイクロストリップ線路と同一面に設けられたバイ
アス端子と、上記高周波集積回路基板の他の面に形成さ
れた結合孔を有する地導体と、上記導体フレームと上記
補強構造ベース基板の上記地導体を貼り合わせるロウ材
と、上記補強構造ベース基板及び上記高周波集積回路基
板の上記結合孔どうしの位置を合わせ上記地導体どうし
を貼り合わせるロウ材と、バイアス用気密貫通端子と、
上記高周波集積回路基板の上記バイアス端子とバイアス
用気密貫通端子を接続する導体ワイヤと、上記導体フレ
ームにロウ付けまたは熔接された気密カバーとで構成し
たことを特徴とする高周波気密モジュール。
7. A conductor frame, a reinforcing structure base substrate having a ridge for reinforcement on one surface and made of a dielectric or a semiconductor, and a ridge-free portion of the ridge surface of the reinforcing structure base substrate. A formed module input / output microstrip line, an open stub connected to the module input / output microstrip line, a ground conductor having a coupling hole formed on the other surface of the reinforcing structure base substrate, and a dielectric A high-frequency integrated circuit board composed of a body or a semiconductor, a high-frequency integrated circuit input / output microstrip line provided on one surface of the high-frequency integrated circuit board, and an open circuit connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line A stub, a high-frequency circuit section connected to the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line, and the high-frequency integrated circuit. A bias terminal provided on the same surface of the high-frequency integrated circuit input / output microstrip line of the path substrate, a ground conductor having a coupling hole formed on the other surface of the high-frequency integrated circuit board, the conductor frame, and A brazing material for adhering the ground conductor of the reinforcing structure base substrate, a brazing material for adhering the bonding holes of the reinforcing structure base substrate and the high frequency integrated circuit substrate to each other, and an airtight penetration for bias. Terminals,
A high-frequency hermetic module comprising a conductor wire connecting the bias terminal of the high-frequency integrated circuit board and a bias airtight through-terminal, and an airtight cover brazed or welded to the conductor frame.
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