JP2631883B2 - RF matching termination device - Google Patents
RF matching termination deviceInfo
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- JP2631883B2 JP2631883B2 JP63264321A JP26432188A JP2631883B2 JP 2631883 B2 JP2631883 B2 JP 2631883B2 JP 63264321 A JP63264321 A JP 63264321A JP 26432188 A JP26432188 A JP 26432188A JP 2631883 B2 JP2631883 B2 JP 2631883B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は，マイクロ波を伝送するトリプレート形ス
トリツプ線路（以下，ストリツプ線路と呼ぶ。）のRF整
合終端に関するものででる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an RF matching termination of a triple plate strip line (hereinafter, referred to as a strip line) for transmitting microwaves.
第４図に，例えば特開昭56−154804号公報に示された
従来のストリツプ線路の一部削除した斜視図を示す。図
中，（1a）は一方の面の一部に線路幅Ｗなるストリツプ
線路（２）と他方の面の全面に金属から成る地板（３）
をそれぞれ密着させた比誘電率εγの誘電体から成る誘
電体基板A,（1b）は一方の面にのみ全面に地板（３）を
密着させた誘電体基板Ｂである。FIG. 4 is a perspective view of a conventional strip line disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 56-154804, for example, with a part thereof removed. In the figure, (1a) shows a strip line (2) having a line width W on a part of one surface and a ground plate (3) made of metal on the entire surface of the other surface.
The dielectric substrate A, made of a dielectric material having a relative dielectric constant epsilon gamma which is brought into close contact, respectively (1b) is a dielectric substrate B that is brought into close contact with the base plate (3) on the entire surface only on one surface.
このストリツプ線路（２）は，マイクロストリツプ線
路と比較して系が閉じているため，放射損失が無く，漏
洩電力ならびに機器に及ぼす影響が無い等の利点がある
ため，アンテナ給配電回路等によく用いられる。This strip line (2) has advantages such as no radiation loss, no leakage power and no influence on equipment since the system is closed as compared with the micro strip line, so that the antenna power supply and distribution circuit etc. Often used for
第５図に，従来のストリツプ線路（２）に用いられる
RF整合終端装置の一部削除した斜視図を示す。また，第
６図に断面図を示す。FIG. 5 shows a conventional strip line (2).
FIG. 3 shows a perspective view of the RF matching termination device with a part removed. FIG. 6 shows a sectional view.
図中，（４）は２枚の誘電体基板を押える金属板，
（６）はRF整合終端素子である。In the figure, (4) is a metal plate that holds two dielectric substrates,
(6) is an RF matching termination element.
次に動作について説明する。ストリツプ線路（２）を
流れるマイクロ波電力は、RF整合終端素子（６）に流れ
込む吸収させる。ストリツプ線路（２）にマイクロ波電
力が流れる時，誘電体基板（1a）と（1b）の地板（３）
間に電位が生ずる。RF整合終端素子（６）が十分金属板
（４）に接地している場合,RF整合終端素子（６）とス
トリツプ線路は同電位となり，マイクロ波がRF整合終端
素子（６）に入力する時に生じる反射損失は，第６図に
示すように−25dB以下となり,RF整合終端素子（６）に
十分マイクロ波電力が吸収される。Next, the operation will be described. The microwave power flowing through the strip line (2) is absorbed by flowing into the RF matching terminating element (6). When microwave power flows through the strip line (2), the ground plane (3) of the dielectric substrates (1a) and (1b)
An electric potential is generated between them. When the RF matching terminating element (6) is sufficiently grounded to the metal plate (4), the RF matching terminating element (6) and the strip line have the same potential, and when the microwave enters the RF matching terminating element (6). The resulting reflection loss is -25 dB or less as shown in FIG. 6, and the microwave power is sufficiently absorbed by the RF matching termination element (6).
このように構成された従来のRF整合終端装置は，以上
のように構成されているので，ストリツプ線路（２）を
構成する誘電体基板（1a），（1b）の厚みとRF整合終端
素子（６）の厚みを等しくして同電位で使用しなければ
ならない。また,RF整合終端素子（６）を取り付けるた
めに誘電体基板（1a），（1b）に穴を開け，かつ，スト
リツプ線路（２）に半田付け等で取り付けて使用するた
め，作業性，工作性に劣り，マイクロ波回路の設計の拘
束を受けた。Since the conventional RF matching terminating device configured as described above is configured as described above, the thickness of the dielectric substrates (1a) and (1b) constituting the strip line (2) and the RF matching terminating element ( 6) The thickness must be equal and used at the same potential. Also, holes are made in the dielectric substrates (1a) and (1b) to mount the RF matching terminating element (6), and the stripping line (2) is mounted by soldering or the like. Inferior in performance and constrained by microwave circuit design.
この発明は，上記のような課題を解消するためになさ
れたもので，誘電体基板（1a），（1b）に穴を開けてRF
整合終端素子（６）を挿入しストリツプ線路（２）に半
田付け等で取り付けること無く，マイクロ波電力を吸収
することができるRF整合終端装置を得ることを目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and RF holes are formed in the dielectric substrates (1a) and (1b) by drilling holes.
It is an object of the present invention to obtain an RF matching terminating device capable of absorbing microwave power without inserting a matching terminating element (6) and attaching it to a strip line (2) by soldering or the like.
この発明に係るRF整合終端装置は，ストリツプ線路
（２）を構成する誘電体基板（1a），（1b）のストリツ
プ線路（２）と接触している誘電体基板（1b）面にマイ
クロ波用薄膜抵抗（５）を被着して構成したものであ
る。The RF matching terminating device according to the present invention is characterized in that the dielectric substrate (1b), which is in contact with the strip line (2) of the dielectric substrate (1a) and (1b) constituting the strip line (2), It is configured by attaching a thin film resistor (5).
この発明においては，ストリツプ線路（２）の上面に
接触している誘電体基板（1b）面にマイクロ波用薄膜抵
抗（５）を被着することにより，ストリツプ線路（２）
を流れるマイクロ波電力は，ストリツプ線路（２）に接
触しているマイクロ波用薄膜抵抗（５）に流れ込み吸収
される。In the present invention, the thin-film resistance for microwave (5) is applied to the surface of the dielectric substrate (1b) which is in contact with the upper surface of the strip line (2), thereby forming the strip line (2).
The microwave power flowing through the wire flows into and is absorbed by the microwave thin film resistor (5) in contact with the strip line (2).
第１図は，この発明の一実施例を示す一部削除した斜
視図である。図中（1a）から（４）は，上記従来のRF整
合終端素子と全く同一のものである。（５）は従来のRF
整合終端素子（６）のかわりに誘電体基板（1b）面に被
着したマイクロ波用薄膜抵抗である。（2b）はマイクロ
波用薄膜抵抗（５）を用いてRF整合終端するための1/4
波長線路である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention with a part thereof removed. (1a) to (4) in the figure are exactly the same as the above-mentioned conventional RF matching terminating element. (5) is conventional RF
This is a microwave thin film resistor attached to the surface of the dielectric substrate (1b) instead of the matching terminating element (6). (2b) is 1/4 for RF matching termination using a microwave thin film resistor (5).
It is a wavelength line.
第２図は，ストリツプ線路（２）と接触する誘電体基
板（1b）面に被着したマイクロ波用薄膜抵抗（５）の詳
細図である。図中（2a）はストリツプ線路（２）にマイ
クロ波用薄膜抵抗（５）を接触させてマイクロ波電力を
流れ込ませるための接続線路である。FIG. 2 is a detailed view of a microwave thin film resistor (5) attached to a surface of a dielectric substrate (1b) in contact with the strip line (2). In the figure, reference numeral (2a) denotes a connection line for allowing microwave power to flow by bringing a thin film resistor for microwave (5) into contact with the strip line (2).
上記のようにマイクロ波用薄膜抵抗を用いて構成した
RF整合終端装置において、ストリップ線路（２）の上面
に接触する誘電体基板（1b）にストリップ線路（２）と
1/4波長線路（2b）に十分に接触するための接触線路（2
a）により、ストリップ線路（２）とマイクロ波用薄膜
抵抗（５）は同電位となり、ストリップ線路（２）を流
れるマイクロ波電力はマイクロ波用薄膜抵抗（５）に流
れこみ、かつ、マイクロ波用薄膜抵抗（５）から漏れた
マイクロ波電力はマイクロ波用薄膜抵抗（５）の後ろの
1/4波長線路（2b）の開放端面で反射されてマイクロ波
用薄膜抵抗（５）に戻り吸収される。また、1/4波長線
路（2b）により使用する周波数帯域で整合が取れるの
で、マイクロ波用薄膜抵抗（５）に入力する時に生じる
反射損失は、第３図に示すように−25dB以下となり、マ
イクロ波用薄膜抵抗（５）に十分マイクロ波電力が吸収
される。Configured using microwave thin film resistors as above
In the RF matching terminator, the strip line (2) is connected to the dielectric substrate (1b) in contact with the upper surface of the strip line (2).
The contact line (2) for making sufficient contact with the 1/4 wavelength line (2b)
Due to a), the strip line (2) and the microwave thin film resistor (5) have the same potential, the microwave power flowing through the strip line (2) flows into the microwave thin film resistor (5), and Microwave power leaked from the thin film resistor for microwave (5)
The light is reflected by the open end face of the 1/4 wavelength line (2b) and is returned to and absorbed by the microwave thin film resistor (5). In addition, since matching can be achieved in the frequency band used by the 1/4 wavelength line (2b), the reflection loss that occurs when inputting to the microwave thin film resistor (5) is -25 dB or less as shown in FIG. The microwave power is sufficiently absorbed by the microwave thin film resistor (5).
なお，上記実施例では，マイクロ波用薄膜抵抗（６）
をストリツプ線路（２）の上面に接触する誘電体基板
（1b）に被着したが，ストリツプ線路（２）側の誘電体
基板（1a）側に被着してもよい。In the above embodiment, the microwave thin film resistor (6)
Is applied to the dielectric substrate (1b) in contact with the upper surface of the strip line (2), but may be applied to the dielectric substrate (1a) side of the strip line (2).
また，ストリツプ線路（２）とマイクロ波用薄膜抵抗
（６）は,2枚の誘電体基板の中間に形成したが，上下ど
ちらによつても上記実施例と同様にマイクロ波電力を十
分吸収する効果を奏する。Although the strip line (2) and the microwave thin film resistor (6) are formed in the middle of the two dielectric substrates, the microwave power can be sufficiently absorbed in both the upper and lower directions as in the above embodiment. It works.
ここでは，誘電体基板を２枚で説明したが，誘電体基
板の枚数を２枚以上で構成する多層化した誘電体基板で
使用するRF整合終端装置にも適用できる。また，ブラン
チラインカツプラ，ラツトレース型カツプラ，結合結路
型ハイブリツド等のアイソレーシヨン用出力端子に取り
付けることにより上記実施例と同様にマイクロ波電力を
十分吸収するRF整合終端装置にも適用できる。Here, the description has been made with two dielectric substrates. However, the present invention can also be applied to an RF matching terminating device used for a multilayer dielectric substrate having two or more dielectric substrates. Also, by attaching to an output terminal for isolation, such as a branch line coupler, rat trace type coupler, or coupling connection type hybrid, the present invention can be applied to an RF matching terminating device that sufficiently absorbs microwave power as in the above embodiment.
この発明は，以上説明したように，ストリツプ線路を
用いた誘電体基板を使用して構成されるマイクロストリ
ツプアンテナや給電回路等のRF整合終端装置を設計する
場合,RF整合終端素子を挿入するために誘電体基板に穴
を開け，ストリツプ線路に半田付け等で接続しないた
め，作業性，工作性が向上し，かつ、小型化が図れるた
めマイクロ波回路の設計に自由度をもたせるという効果
がある。As described above, the present invention is designed to insert an RF matching terminating element when designing an RF matching terminating device such as a microstrip antenna or a feed circuit configured using a dielectric substrate using a strip line. Hole is made in the dielectric substrate and the strip line is not connected to the strip line by soldering, etc., so that the workability and workability are improved, and the miniaturization is achieved, so that the degree of freedom in the design of the microwave circuit is increased. There is.
第１図はこの発明の一実施例を示す一部削除した斜視
図，第２図はこの発明の詳細図，第３図はこの発明によ
るRF整合終端装置の電気的特性図，第４図はストリツプ
線路の一部削除した斜視図，第５図は従来のRF整合終端
装置の一部削除した斜針図，第６図は従来のRF整合終端
装置の断面図，第７図は従来のRF整合終端装置の電気的
特性図である。 図中，（1a），（1b）は誘電体基板A,B,（２）はストリ
ツプ線路，（2a）は接続線路，（３）は地板，（４）は
誘電体基板を押える金属板，（５）はRF整合終端用のマ
イクロ波用薄膜抵抗，（６）はRF整合終端素子である。 なお，図中，同一符号は同一あるいは相当部分を示す。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention with a part removed, FIG. 2 is a detailed view of the present invention, FIG. 3 is an electrical characteristic diagram of an RF matching terminating device according to the present invention, and FIG. FIG. 5 is a perspective view of the conventional RF matching terminator with a part removed, FIG. 6 is a cross-sectional view of the conventional RF matching terminator, and FIG. 7 is a conventional RF matching terminator. FIG. 4 is an electrical characteristic diagram of the matching termination device. In the figure, (1a) and (1b) are dielectric substrates A and B, (2) is a strip line, (2a) is a connection line, (3) is a ground plane, (4) is a metal plate for holding the dielectric substrate, (5) is a microwave thin film resistor for RF matching termination, and (6) is an RF matching termination element. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
ップ線路をそれぞれ被着した第一の誘電体基板、一方面
に導体を被着した第二の誘電体基板、上記第一、第二の
誘電体基板をそれぞれの導体が外側になるように重ね合
わせて構成したトリプレート形ストリップ線路と、上記
第一、第二の誘電体基板を挟持する金属板とを有するRF
整合終端装置において、上記第一の誘電体基板の他方面
に被着された1/4波長線路と、上記トリプレート形スト
リップ線路の上面に接触している上記第二の誘電体基板
面に、上記トリプレート形ストリップ線路と1/4波長線
路間を接続するための接続線路を被着させたマイクロ波
用薄膜抵抗とを具備したことを特徴とするRF整合終端装
置。A first dielectric substrate having a conductor on one surface and a strip line on the other surface; a second dielectric substrate having a conductor on one surface; RF having a triplate-type stripline formed by stacking a second dielectric substrate such that the respective conductors are on the outside, and a metal plate sandwiching the first and second dielectric substrates
In the matching termination device, a 1/4 wavelength line attached to the other surface of the first dielectric substrate, and the second dielectric substrate surface in contact with the upper surface of the triplate strip line, An RF matching terminator comprising: a microwave thin film resistor on which a connection line for connecting between the triplate strip line and a 波長 wavelength line is attached.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264321A JP2631883B2 (en) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | RF matching termination device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP63264321A JP2631883B2 (en) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | RF matching termination device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02111101A JPH02111101A (en) | 1990-04-24 |
| JP2631883B2 true JP2631883B2 (en) | 1997-07-16 |
Family
ID=17401557
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2631883B2 (en) |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| JP5234024B2 (en) * | 2010-02-08 | 2013-07-10 | 三菱電機株式会社 | High frequency attenuator |
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Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6022645Y2 (en) * | 1980-03-03 | 1985-07-05 | 三菱電機株式会社 | Triple plate type terminator |
| JPS59218002A (en) * | 1984-03-19 | 1984-12-08 | Nec Corp | Resistive terminator for strip line |
-
1988
- 1988-10-20 JP JP63264321A patent/JP2631883B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH02111101A (en) | 1990-04-24 |
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