JPH09120270A - アドレス装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表示装置及びメモリ装置用にイオン化したガ
スを用いて、各表示素子及び蓄積素子を高速にアドレス
指定する。 【解決手段】 複数の第１電極１８を第１基板４８の主
面に互いに略平行に形成し、第１電極と交差し且つ互い
に略平行でイオン化可能なガスを封入する複数の溝状凹
部２０を第２基板５４に形成する。第２及び第３電極６
２、３０を第２基板の複数の溝状凹部の各々の内部で長
手方向に略平行に形成し、誘電体層（４４、４６）又は
光電性材料層を第１及び第２基板の間に間挿する。第１
信号印加手段２２、２４は、第１及び第３電極間に選択
的に第１信号を印加し、第２信号印加手段２６、２８
は、第２及び第３電極間に選択的に第２信号を印加す
る。第２及び第３電極間に第２信号を選択的に供給し
て、第２信号を受けた第２及び第３電極を有する溝状凹
部におけるガスをイオン化する。そして、イオン化され
たガスを含む溝状凹部と第１信号が選択的に供給された
第１電極との交差部に対応する誘電体層又は光電性材料
層の部分をアドレス指定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はイオン化可能なガス
（気体）を用いるデータエレメントのアドレス装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】データ蓄積装置を使用したシステムに
は、例えばビデオ・カメラや画像表示装置がある。その
ようなシステムは、蓄積素子にデータを書き込んだり、
これからデータを読出したりするためのアドレス装置を
有している。本発明の１つの実施例が特に関係するこの
タイプの装置は、汎用フラット・パネル表示装置であっ
て、その蓄積素子または表示素子は、光パターン・デー
タを蓄積する。フラット・パネル表示装置は、表示表面
の視覚領域内に配置された多数の表示素子を具えてい
る。フラット・パネル表示装置は、表示画像を形成する
上で陰極線管を必要としないので望ましい。これは、陰
極線管は、形も大きく、こわれやすく、高電圧駆動回路
が必要なためである。

【０００３】ある種のフラット・パネル表示装置は、多
数の液晶セルまたは表示素子を配列し、これらを直接に
マルチプレクスするアドレス装置を採用している。１対
の導電体の間に液晶セルの各々が配置され、これらの導
体は、液晶セルに選択電圧信号及び非選択電圧信号を選
択的に印加し、液晶セルの光学的状態を変化させる。こ
れによって輝度を変化させ、画像を形成させることがで
きる。この形式の表示装置は、「受動的」であるといえ
る。なぜなら液晶セルの電気光学的特性を変化させるの
に「能動的」電気素子が協同していないからである。こ
のような表示装置には、表示画像を形成するのに用いる
ビデオ情報、即ちデータを提供するためのアドレス線の
数が限られる（例えば、約２５０本）という欠点があ
る。

【０００４】液晶表示装置のデータのアドレス・ライン
の数を増やすための方策としては、各液晶セルと協同す
る個別の電気素子が、選択電圧信号及び非選択電圧信号
に対する液晶セルの電気光学的応答の実質的非線形性を
改めるようなアドレス装置を用いることである。「２端
子」素子のアドレス技術に関するもののいくつかは、こ
の方法によって特徴つけられる。表示素子の実質的非線
形性を強めると、２値表示においてマルチプレクス能力
が増加するが、この技術によりグレイスケールを実現す
るには多くの因難を伴う。

【０００５】充分なグレイスケール性能の液晶マトリク
ス表示装置を得るには、液晶材料から非線形機能を得る
ことに依存しないアドレス装置を必要とする。これを達
成するため、電気的な「能動」素子のマトリクスを用い
たアドレス装置は、各画素毎に、液晶材料から分離した
電子スイッチを採用している。この能動マトリクスは、
各液晶セルと対応付けられた２または３端子の固体素子
を用い、必要な非線形性と表示素子の絶縁とを得てい
る。２端子素子によって構成されたアドレス装置は、様
々の種類のダイオードを用いることができ、３端子素子
によって構成されたアドレス装置は、異なった半導体材
料から作られる様々な種類の薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）を用いることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】２端子又は３端子能動
素子に関する問題のひとつは、能動素子の数が非常に多
くなると、高い歩留まりで大量のマトリクスを製造する
ことが大変に困難になることである。もうひとつの問題
は、特にＴＦＴ素子に関することであるが、充分に高い
「オフ抵抗」の薄膜トランジスタを製造することが困難
であることである。「オフ抵抗」が比較的低いと、表示
素子はそこに生じた電荷を所定の時間保持していること
ができない。さらにこのとき「オフ抵抗」と「オン抵
抗」との比が低下する。この比は、ＴＦＴマトリクスの
好適な動作のためには１０を超えるのが望ましい。ＴＦ
Ｔマトリクスは、ときどき分離した蓄積キャパシタ（容
量）を各表示素子と共に採用し、「オフ抵抗」が充分に
高くないことの影響を除去する。しかしながら、分離し
た蓄積キャパシタの使用によって、これと協同するＴＦ
Ｔマトリクスがより複雑となり、歩留まりも低下すると
思われる。ＴＦＴ能動マトリクスに考えられるもうーつ
の問題は、「オン」電流からくる必要性によって、ＴＦ
Ｔ素子の寸法が大きくなる傾向があるために、表示素子
の寸法に比較してＴＦＴの寸法が比較的大きくなってし
まうことである。このことは、素子の光効率に影響を与
える。

【０００７】ＴＦＴ素子によって作られた能動素子は、
白黒とカラーの画像を形成する能力がある。カラー画像
を形成するためには、表示素子と空間的にー致するよう
に並べられ、異なった色のスポットのグループを多く含
むカラー・フィルターを能動マトリクスは用いる。これ
ゆえ、異なった色のスポットとー致するように並べられ
た表示素子のグループは、これゆえ単一の画像ピクセル
を形成する。

【０００８】フラット・パネル表示装置は、イオン化し
たガス又はプラズマを用いた表示素子を用いても実施す
ることができ、どんなガスを用いるかによって決まる色
の発光領域を表示面に形成する。これら発光領域は、表
示画像を形成すべく選択的に駆動される。

【０００９】その他のフラット・パネル表示装置は、電
子を発するプラズマを採用しており、これら電子を加速
して蛍光体に衝突させて、輝点を生成する。このような
フラット・パネル表示装置は、輝度効率が向上している
が、広い表示面を構成することが困難であり、複雑な駆
動回路が必要となる。このようなフラット・パネル表示
装置は、多色画像を形成するために異なったスペクトラ
ム特性で、電子によって励起される蛍光体によって構成
できる。

【００１０】ガス・プラズマ・フラット・パネル表示装
置は、プラズマ・サック（ｐｌａｓｍａ−ｓａｃ）形式
のガス放電表示装置を使用することにより意図的に軽減
されている。このような表示装置では、開口が設けられ
た絶縁体の陰極側で発生したプラズマ・サックが、ひと
つの開口から他の開口へと移動してラスタ走査に影響を
与える。このプラズマ・サック型のガス放電表示装置
は、製造工程が複雑であり、歩留まりも低下しやすい。

【００１１】そこで本発明の目的は、安価で且つ高い歩
留まりで製造できるアドレス装置を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、データ蓄積素子（ストレージ
・エレメント）にデータを書込み、あるいは読み出すた
めにイオン化したガスを用いるアドレス装置を提供する
ことにある。本発明の更に他の目的は、アドレス速度が
速く、高いコントラストの特性を有する電気光学的装置
用のアドレス装置を提供することにある。本発明の更に
他の目的は、誘電体層又は光電性材料層の各部分を、イ
オン化したガスと協同してアドレス可能なアドレス装置
を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明のアドレス装置
は、一方の主面に互いに略平行に形成された複数の第１
電極を有する第１基板と；この第１基板の主面に対向す
る主面上に第１電極と交差し且つ互いに略平行に形成さ
れ、イオン化可能なガスが封入された複数の溝状凹部を
有する第２基板と；第２基板の主面上で複数の溝状凹部
の各々の内部に、この溝状凹部の長手方向に略平行に形
成された第２及び第３電極と；第１基板及び第２基板の
間に間挿された誘電体層又は光電性材料層と、第１電極
及び第３電極間に選択的に第１信号を印加する第１信号
印加手段と；第２電極及び第３電極間に選択的に第２信
号を印加する第２信号印加手段とを具えている。第２電
極及び第３電極間に第２信号を選択的に供給して、第２
信号を受けた第２電極及び第３電極を有する溝状凹部に
おけるガスをイオン化する。そして、イオン化されたガ
スを含む溝状凹部と第１信号が選択的に供給された第１
電極との交差部に対応する誘電体層又は光電性材料層の
部分をアドレス指定する。また、本発明のアドレス装置
では、複数の溝状凹部を隣接するＮ個（Ｎは２以上の整
数）を１組とし、異なる組の対応する溝状凹部の第２電
極同士を共通接続し、各組毎にＮ個の溝状凹部内の第３
電極同士が共通接続する。第２信号印加手段は、共通接
続された第３電極の各組毎に順次第１ストローブ信号を
印加すると共に、各組の溝状凹部内の第３電極に第１ス
トローブ信号が共通に印加されている期間に各組の溝状
凹部内の各々の第２電極に順次第２ストローブ信号を印
加する。

【００１３】本発明の第１実施例は、直視型または投影
型のいずれにも用いられる高解像度フラット・パネル表
示装置用のアドレス装置である。この表示装置は、視覚
領域全体にわたって配置されたデータ・ストレージ・エ
レメントである表示素子によって構成された表示パネル
を含んでいる。各表示素子は、ヘリウムのようなイオン
化可能なガスを所定量封入したものと、ネマチック液晶
のような電気光学材料を所定量封入したものを具え、こ
れらは協同して、表示素子が設けられているところの電
気光学的材料を通って伝播し、外側へ向かって発光する
光を変調する。

【００１４】本発明の第２実施例は、メモリ装置用のア
ドレス装置であり、ここにアナログ的な情報が電気的に
書き込まれ、あるいは読み込まれる．このメモリ装置
は、データ・ストレージ・エレメント（蓄積素子）また
はメモリ素子が配列されたものを含み、これらの夫々
は、ヘリウムのようなイオン化可能なガス、ガラス、プ
ラスチックのような誘電体材料、及び光導電体（光導電
材料層）を含んでいる。このイオン化可能なガスと誘電
体材料とは、このメモリ素子に何らかの方法で前もって
書込まれていた信号を読み出すため、メモリ素子をアド
レスする方法を協同して提供する。

【００１５】両方の実施例では、蓄積素子が、行と列と
に配列されている。第１実施例では、行はビデオ情報ま
たはデータの１行を表し、第２実施例では、行は２組の
個別量のアナログ情報またはデータを表している。（各
実施例においてアドレスされる情報は、以下「データ」
と呼ぶことにする。）列電極はデータを受け取り、デー
タ・ストローブ回路は、行走査により行毎に列電極をア
ドレス指定する。

【００１６】第１実施例における表示パネルか、または
第２実施例におけるメモリ装置は、間隔をおいて相互に
面と面とが向かい合わせになった第１と第２の基板を具
えている。第１の基板の内側面に沿った第１の方向に延
びている、互いに重なり合うことのない多数の導電路
は、これらに印加されるデータ駆動信号のための列電極
を形成している。第２の基板の内側に刻まれた、互いに
重なることのない多数の溝（溝状凹部）は、第１の方向
を略横切る方向に沿って内側に延びる。この第１と第２
の方向は、好適には夫々垂直方向と水平方向とする。基
準電圧電極と行電極とは、電気的に相互に絶縁され、各
溝の内側の長手方向に沿って延び、これに印加されるデ
ータ・ストローブ信号を受ける。各溝は、イオン化可能
なガスによって満たされている。

【００１７】第１実施例の表示パネルでは、電気光学的
性質を有する材料の層と、誘電体材料層とが、第１と第
２の基板の内側面の間に配置されていて、溝を覆う誘電
体材料層は、電気光学材料の層とイオン化可能なガスと
の間の遮断層を形成する。表示素子は、列電極と溝とが
重なり合う領域によって形が決まり、表示スクリーン上
のスポットとして現れる。スポットは充分に小さく、相
互に接近しているので、通常の視覚条件では見ても区別
がつかない。

【００１８】表示パネルは、上述のように構成されてお
り、各表示素子にとってイオン化可能なガスは、印加さ
れるデータ・ストローブ信号に応じて、導通のあるプラ
ズマ状態と、導通のないイオン化していない状態との間
を電気的に切り替わるスイッチとして機能する。列電極
のデータ駆動信号の強さは、表示画像の輝度に対応す
る。

【００１９】素子が導通状態になっているときはいつで
も、イオン化されたガスの領域は、データ・ドライブ信
号の電圧を表すデータ電圧が液晶材料領域にかかること
を可能にする。この液晶材料領域は、イオン化したガス
の領域と空間的に位置あわせされている。素子が非導通
になっているときはいつでも、イオン化していないガス
の領域は、液晶材料の空間的に位置合わせされた領域
が、これにかかる電圧を所定の時間保持することを可能
にする。これゆえイオン化可能なガスは、液晶材料に蓄
積されるデータを選択する機能を果たすわけで、このた
めグレイスケール輝度の表示装置を提供する。

【００２０】イオン化可能なガスを、導通状態と非導通
状態との間で表示パネル内で切替えることにより、表示
素子を通過する光を変調することができる。透過光は、
印加されたデータ駆動信号の強度に依存する。グレイス
ケール輝度の機能を持ったモノクロまたは白黒の表示装
置を、表示パネルに使用できる。色強度が制御可能であ
るフルカラーの表示装置は、表示素子に対して空間的に
位置合わせされた３原色のスポットのグループを含むカ
ラー・フィルタを白黒表示装置内に配置することによっ
て実現可能である．スポットのグループを構成すべく位
置合わせされている３つの表示素子のグループは、この
グループ内のスポットの強度との関係で決定される色の
ーつの画像ピクセルとなる。

【００２１】本発明のアドレス装置を用いる表示装置
は、全面的にダイナミックで、グレイスケールの画像を
幅広いレンジのフィールド・レートにわたって提供で
き、高い画質の表示を提供する。この表示装置は、簡単
で凸凹のある構造をしているために、特に有利であり、
表示スクリーン上で６０Ｈｚのフィールド・レートに
て、少なくとも３０００本のデータ・ラインをアドレス
することができる。

【００２２】本発明のアドレス装置を用いた第２の実施
例におけるメモリ装置においては、第１と第２の基板間
に、１枚の誘電体材料層が設けられているのみである。
メモリ素子は、列電極と溝とが重なる領域によって形が
決まる。メモリ装置は、上述のように形つくられている
ので、各メモリ素子にとっては、イオン化可能なガス
は、印加されるデータ・ストローブ信号に応じて、導通
状態と非導通状態との間を切り替わる電気的なスイッチ
として機能する。データ駆動信号を供給している増幅器
は、データの書込みモード中で、列の電極を駆動する増
幅器として機能すると共に、データの読出しモード中で
は、列電極を検知するための増幅器として機能する。

【００２３】素子が導通状態になっているときはいつで
も、イオン化可能なガスの領域は、所定の強度を持った
データ電圧がかかることを可能にする。この電圧は、イ
オン化したガスの領域と空間的に位置あわせされた領域
の誘電体材料に生まれるデータ駆動信号の強度を表す。
これは、メモリ装置のデータ書込みモードを表す。素子
が非導通になっているときはいつでも、イオン化してい
ないガスの領域は、誘電体材料の空間的に位置合わせさ
れた領域が、これにかかる電圧を所定の時間保持するこ
とを可能にする．この領域に関係づけられた検知手段で
ある列電極検知増幅器は、イオン化したガスの領域と空
間的に位置合わせされた表面と対向する誘電体材料層の
面に対して、基準電圧を印加する。導通状態に戻ると、
イオン化したガスの領域は、この誘電体材料にかかって
いる電圧を変化させる。この変化は、前もって書かれた
データ電圧に比例するものであり、列電極検知増幅器の
出力端に現れる。これは、メモリ装置のデータ読出しモ
ードを表している。

【００２４】上述のアドレス装置になんらかの変更を加
えることにより、メモリ装置のメモリ素子にデータ電圧
を印加するためのその他の手段が採用可能である。例え
ば、誘電体材料に代えて光導電性材料を用い、光透過性
の列電極を用いると、入射光が、その強度に比例して、
メモリ素子に印加されたデータ電圧の強度を変調するこ
とができるようになる。このようなアドレス装置は、イ
メージセンサとか光学処理装置のー部として利用できよ
う。

【００２５】本発明のその他の目的及び利点は、図面を
用いた以下の説明によりー層明かになろう。

【００２６】

【発明の実施の形態】図１は、本発明のアドレス装置を
用いた一般的なフラット・パネル表示装置１０の概略構
成を示す図である。図１及びそのパネルの詳細を示す図
２において、フラット・パネル表示袋置１０は、表示面
１４を有する表示パネル１２を具える。この表示面１４
は、垂直方向と水平方向に沿ってあらかじめ決められた
間隔にて相互に隔たった個別のデータ・ストレージ・エ
レメント、即ち、蓄積素子である表示素子１６の矩形平
面配列によるパターンを含んでいる。この配列の各表示
素子１６は、縦の列に沿って配列された薄くて幅の狭い
電極１８と、水平方向に配列された細長い溝２０との重
なった交差部分となる。なお、溝２０が、図からも判る
ように、溝状凹部となる。（以下、電極１８を列電極１
８と呼ぶことにする。）行にあたる各溝２０中の表示素
子１６は、データの１行を表す。

【００２７】列電極１８の幅と溝２０の幅は、表示素子
１６の寸法を決定し、これは略矩形となる。列電極１８
は、非導電性で光学的に透明な第１基板の主面上に配置
され、溝２０は、非導電性で光学的に透明な第２基板の
主面上に刻まれている。このことは詳細に後述する。直
視型または投射型の反射型表示袋置のようなシステムで
は、いずれかー方の基板が光学的に透明であれぱよいと
いうことが当業者に理解できよう。

【００２８】列電極１８は、データ・ドライバ２４の出
力増幅器２２（図２から図６を参照）の夫々の１つによ
って平行な出力導体２２’上に発生するアナログ電圧の
データ駆動信号を受ける。データ・ドライバ２４と出力
増幅器２２とで、第１信号印加手段を構成する。溝２０
は、データ・ストローブ回路２８の出力増幅器２６（図
２から図６を参照）の夫々の１つによって平行な出力導
体２６’上に発生するパルス電圧のデータ・ストローブ
信号を受ける。データ・ストローブ回路２８と出力増幅
器２６とで第２信号印加手段を構成する。各溝２０に
は、基準電極３０（図２）が通っており、各溝及びデー
タ・ストローブ回路２８に共通の基準電圧（接地電圧）
が基準電極３０に印加される。

【００２９】表示面１４の全体にわたって画像を形成す
るために、表示袋置１０は、走査制御回路３２を具えて
いる。これは、データ駆動回路２４とデータ・ストロー
ブ回路２８との機能を調整し、表示パネル１２の表示素
子１６のすべての列を行から行へと順次アドレス指定す
る。表示パネル１２には、異なったタイプの電気光学材
料を用いても良い。例えば、この材料として入射光３３
の偏光状態を変化させる材料を用いるのなら、表示パネ
ル１２は、偏光フィルタ３４と３６の間に置かれる（図
２参照）。このフィルタ３４と３６とは、表示パネル１
２と協同し、これらを通過する光の輝度を変化させる。
電気光学材料として光を散乱させる液晶セルを用いれ
ば、偏光フィルタ３４と３６を必要としない。図示しな
いが、カラー・フィルタを表示パネル１２内に配置さ
せ、色の強度が制御可能な多色画像を形成してもよい。
投射表示のためには、３個の個別の単色パネルを用いる
ことによって色を形成してもよい。この場合、各パネル
は１つの原色を制御することになる。

【００３０】図２から図５において、表示パネル１２
は、アドレス手段を具え、これは、ネマチック液晶のよ
うな電気光学材料層（誘電体層）４４と、ガラス、雲
母、またはプラスチックのような薄い誘電体材料層（誘
電体層）４６とによって隔てられた、おおむね平行な１
対の電極構体４０、４２を含んでいる。電極構体４０
は、ガラス製の誘電体基板４８を具え、これの上に、イ
ンジウムと錫との酸化物による列電極１８が、内側面５
０上に蒸着により設けられている。これは光学的に透明
であり、ストリップ・パターンを形成している。隣にあ
る列電極１８は、間隔５２だけ隔たっており、行上の隣
接する表示素子１６間の水平間隔を規定する。

【００３１】電極構体４２は、ガラス製の誘電体基板５
４を具え、その内側面５６には、断面が台形になった複
数の溝２０が設けられている。溝２０の深さ５８は、内
側面５６から底部６０までで測定したものである。溝２
０の各々には、底部６０に沿って延びる１対の薄く幅狭
なニッケル電極３０と６２、及び底部６０から内側面５
６にむかって末広がりに延びる１対の側壁６４がある。
溝２０の基準電極３０は、共通の基準電圧に接続されて
いる。これは、図示するように接地電位に固定されてい
る。溝２０の電極６２は、データ・ストローブ回路２８
の出力増幅器２６（これらのうち３個及び５個が、図２
及び図３に夫々示されている。）の夫々異なる１個に接
続されている。（電極６２は、以後、行電極６２と呼
ぶ。）アドレス手段が確実に動作するように、基準電極
３０と行電極６２は、図４、図１１Ａ、図１１Ｂに示す
ように、表示パネル１２の対向する側部で、基準電位と
データ・ストローブ回路２８の出力２６’に夫々接続さ
れる。

【００３２】隣合う溝２０の隣合う側壁６４は、頂面５
６が誘電体材料層４６を支持している支持構体６６とな
っている。その隣の溝２０は、各支持構体６６の頂部の
幅６８だけ相互に間隔をおいている。この幅６８は、列
中の隣接するストレージ・エレメント１６間の垂直距離
を決定する。列電極１８と溝２０とが重なっている部分
７０は、図２と図３とにおいて示すように、ストレージ
・エレメント１６、即ち、蓄積素子となる。図３は、ス
トレージ・エレメント１６の配列と、これらの水平距
離、垂直距離とを、いっそう明瞭に示したものである。

【００３３】列電極１８に印加される電圧の大きさに応
じて、隣合う列電極１８の絶縁を行うための間隙５２が
決まる。間隔５２は、列電極１８の幅よりも典型的に
は、はるかに小さい。隣合う溝２０の隣合う側壁６４の
傾きに応じて、幅６８が決まる。幅６８は、溝２０の幅
よりも典型的には、はるかに小さい。列電極１８の幅及
び溝２０の幅は、典型的には同一であり、所望の画像解
像度の関数である。これは表示への応用のしかたによっ
て決まる。間隙５２と幅６８とは、できるだけ小さくし
たほうがよい。表示パネル１２の現在のモデルでは、溝
の深さ５８は、溝の幅の半分である。

【００３４】溝２０の各々は、イオン化可能なガスに満
たされており、このガスとしては、好適には後で説明す
るようにへリウム・ガスが含まれる。誘電体材料層４６
は、溝２０に含まれるイオン化可能なガスと液晶材料の
層４４との間で、絶縁遮断層として機能する。誘電体材
料層４６がない場合は、液晶材料が溝２０に流れ込んで
しまったり、イオン化可能なガスが液晶材料を汚染する
ことが起きる。誘電体材料層４６は、固体材料またはカ
プセルに入れられた電気光学材料を採用した表示装置で
は必要がなくなるかもしれない。表示パネル１２の動作
における原則は、（１）各表示素子１６は、表示素子の
一部を構成する列電極１８に印加されるアナログ・デー
タ電圧のためのサンプリング・キャパシタとして機能す
る。（２）イオン化可能なガスはサンプリング・スイッ
チとして機能する。

【００３５】図６は、表示装置１０の動作を説明するた
めの等価回路である。図６において、表示パネル１２の
表示素子１６の各々は、キャパシタ８０（以下、キャパ
シタ・モデル８０と呼ぶ）としてとらえることができ
る。これの頂部の板８２は、列電極１８の内の１つを表
している。また、これの底部の板８６は、誘電体材料層
４６の自由表面８８（図２）を表している。キャパシタ
・モデル８０は、列電極１８と溝２０の重なった部分に
よって形成される容量性液晶セルを表している。表示装
置１０の動作方法の説明は、キャパシタ・モデル８０を
用いて行う。

【００３６】基本的なアドレス手順に従うと、データ・
ドライバ２４は、最初の線のデータを捕捉する。捕捉さ
れたデータは、時間と共に変化するアナログ・データ信
号の電圧を所定時間間隔でサンブルした個々の値を表し
ている。この時間間隔内の特定の事象におけるデータ信
号の強度のサンプリングは、ストローブ・パルスを受け
る行電極６２の対応する列位置のキャパシタ・モデル８
０に印加されるアナログ電圧の強度を表している。デー
タ・ドライバ２４は、その出力増幅器２２にアナログ電
圧を発生し、列電極１８に印加する。図６において、デ
ータ・ドライバ２４の４つの代表的な出力増幅器２２
は、基準電極３０に対して、正極性のアナログ電圧を、
接続されている列電極１８の各々に印加する。列電極１
８に正電圧を印加することにより、誘電体材料層４６の
自由表面８８（図２）に、印加電圧と実質的に等しい電
圧を発生させる。このため、キャパシタ・モデル８０に
かかる電位差には変化はなく、図６中では、頂部の板８
２と底部の板８６とは、白い表面で描いてある。

【００３７】この場合、溝２０の中にあるガスはイオン
化していない状態であり、キャパシタ・モデル８０の板
８２と８６とに発生している電圧は、溝の中の基準電極
３０の電位に対して正である。データ・ストローブ回路
２８が溝２０内の行電極６２に負方向電圧パルスを発生
すると、溝２０内にあるガスは、イオン状態となる。そ
の行電極がストローブ・パルスを受けている溝２０は、
図６中では太い線で示してある。このようは条件下で
は、接地された基準電極３０と、ストローブされている
行電極６２とは、溝内のプラズマにとって夫々陽極と陰
極として機能する。

【００３８】プラズマ内の電子は、キャパシタ・モデル
８０の底部の板８６に誘導された正の電荷を中和する。
ストローブされている行のキャパシタ．モデル８０は、
これにかかるデータ電圧によって充電されている。この
状態は、図６中で、項部の板８２は、白い表面で、底部
の板８６は、線を付して表している。キャパシタ・モデ
ル８０にかかるデータ電圧のストア（蓄積）が完了する
と、データ・ストローブ回路２８は、溝２０の行電極６
２の負方向電圧パルスを終了する。これによって、スト
ローブ・パルスが終了し、プラズマも消失する。

【００３９】行電極６２の夫々は、表示面１４の全体の
アドレス指定が完了し、データの画像フィールドがスト
アされるまで、同様の方法でストローブされる。電圧
は、少なくとも画像フィールド期間中、ストローブされ
ている行のキャパシタ・モデル８０の夫々にストアされ
たままである。そして、キャパシタ・モデル８０の頂部
の板８２に印加されるデータ電圧における後続する変化
の影響を受けない。キャパシタ・モデル８０の夫々にス
トアされた電圧は、後続の画像フィールドの表示データ
を表すアナログ・データ電圧に応じて変化する。

【００４０】表示装置１０では、画像フィールドがノン
インターレース方式である場合は、その次の画像フィー
ルドにおいて列電極１８に印加されるアナログ・データ
電圧は、逆極性になる。ひとつの画像フィールドから次
の画像はフィールドへと移行するときに、極性が正と負
との間を往復することによって、長期的にみると、直流
電圧成分は正味ゼロとなる。これは、液晶材料の長期間
の使用には特に要求されることである。この液晶材料
は、印加されたアナログ・データ電圧の実効値に応じて
グレイスケール（中間調）効果を生み出す。このため、
作成された画像は、アナログ・データ電圧の極性交番変
化によっては影響を受けない。表示装置１０では、画像
フィールドがインターレス方式である場合は、連続する
画像フレームの列電極１８に印加するアナログ・データ
電圧は、長期的にみて直流電圧成分が正味ゼロになるよ
うに、極性が反対になる。各画像フレームは、２つの画
像フィールドから成り、各画像フィールドは、アドレス
指定可能なライン数の半分で構成される。

【００４１】上述の説明で明らかなように、各溝２０を
充満しているイオン化可能なガスは、データ・ストロー
ブ回路２８によって印加された電圧に応じて、２つの切
替え状態の間を接点位直が変化する電気スイッチ９０と
して機能する。図６において、解放位置にあるスイッチ
９０は、基準電極３０に接続されており、行電極６２に
印加されるストローブ・パルスによって駆動される。ス
トローブ・パルスがないと、溝２０内のガスは、イオン
化していない状態となり、このため、非導通状態とな
る。図６に示すスイッチ９０が閉じた状態では、基準電
極３０と接続しており、行電極６２に印加されるととも
に、溝２０内のガスをイオン化するに足るだけの強さの
ストローブ・パルスによって駆動され、これによって導
通状態となる。図６では、データ・ストローブ回路２８
の３個の出力増幅器のうちの中央のものが、キャパシタ
・モデル８０の行をストローブし、ここに表示データ電
圧をかけ、ストアしている。

【００４２】スイッチとして機能するためには、ガラス
製の電極構体４０の下の溝２０内に入っているイオン化
可能なガスは、誘電体材料層４６と協同し、誘電体材料
層４６から基準電極３０へと導電路を提供している。ス
トローブ・パルスをうける行電極６２を有する溝２０の
中のプラズマは、このプラズマに隣合わせて位置する液
晶材料の部分を表すキャパシタ・モデル８０への接地通
路を提供している。このことにより、列電極１８に印加
されたアナログ・データ電圧を、キャパシタ・モデル８
０がサンプルできるようになる。プラズマが消失する
と、導電路がなくなる。このため、表示素子にサンプル
されたデータが保持される。後続する画像フィールドの
新しいラインのデータをあらわす電圧が、電気光学材料
層４４に生じるまで、電圧は、電気光学材料層４４にス
トアされたままである。上述のアドレス装置とその技術
は、表示素子１６の１つ毎に実質的に１００％のデュー
ティ・サイクルの信号を与える。

【００４３】図７は、表示装置１０が画像フィールド期
間中にアドレス指定できるデータのライン数の限度を決
めるタイムチャートである。図７において、ストローブ
されている溝２０の行電極６２が、ストローブ・パルス
を受けたあと、代表的なデータ・ラインｎはプラズマを
生成するために、時間９２が必要である。このプラズマ
生成時間９２は、その前のラインｎ−１の期間に先立っ
てストローブ・パルスを開始することによって、画像フ
ィールド内のアドレス可能なライン数を制限する要素に
は、実質的にならない。好適な実施例においては、ヘリ
ウム（Ｈｅ）ガスにおけるプラズマ生成時間は、公称
１．０マイクロ秒である。

【００４４】データ・セットアッブ・タイム９６は、隣
合う２本のデータ・ラインにあるデータ値の間でデータ
・ドライバ２４が状態変化する時間を表し、出力増幅器
２２にアナログ電圧信号を発生させ、列電極１８に印加
する。データ・セットアップ・タイム９６は、データ・
ドライバ２４を構成するために用いる電子回路の関数で
ある。１．０マイクロ秒未満のセットアップ・タイムが
達成可能である。

【００４５】データ捕捉時間９８は、溝２０内のイオン
化可能なガスの導電性に依存する。図８は、溝２０内の
基準電極３０と行電極６２との間を流れるプラズマ電流
の関数として、データ捕捉時間９８を描いたものであ
る。図８中の曲線は、データに対応する電圧の９０％を
表示素子が獲得するのに必要な時間を表している。図８
は、ヘリウム・ガスのプラズマによって生成されたイオ
ンは、ネオン（Ｎｅ）の場合と比較して短いデータ捕捉
時間となることを示している。プラズマ電子流は、陰極
（行電極６２）から陽極（基準電極３０）へと流れる。

【００４６】好適な動作点は、正のイオン電流のために
最も短いデータ捕捉時間を実現する点である。図８に示
す特定の場合では、そのような動作点では、へリウム・
ガスを４０ミリバールの気圧で用い、７．５ミリアンペ
アの電流を流すことで、約０．５ミリ秒のデータ捕捉時
間が達成される。ヘリウムがネオンよりも短いデータ捕
捉時間を達成できる理由は、ヘリウムが軽いイオンとな
り、移動性が大きいからである。圧力と電圧の最適値
は、溝２０の大きさと形状に依存する。

【００４７】プラズマ消失時間９４は、溝２０内のプラ
ズマが、行電極６２からのストローブ・パルスの除去し
た後、イオン化していない状態に戻るのに必要な時間を
表している。図９は、表示パネル１２内の陽極／陰極電
流の関数として、混信が３％を超えないプラズマ消失時
間を表している。図９は、プラズマ消失時間９４は、行
電極６２から基準電極３０へとプラズマ中を流れる電流
の関数として、増加することを示している。行電極６２
に印加されるストローブ・パルスの強度により、プラズ
マに流れる電流の量が決まる。図９は、プラズマ消失時
間９４の減少は、約＋１０ＯＶの連続的なバイアス電圧
を印加することによって、達成されることを示してい
る。図９はさらに、＋１０ＯＶのバイアス電圧をかけた
場合、バイアス電圧がゼロの場合と比較すると、プラズ
マ消失時間９４が約１０分の１になることを示してい
る。

【００４８】データ・ラインをアドレス指定するのに必
要な時間は、データ・セットアップ・タイム９６、デー
タ捕捉時間９８、プラズマ消失時間９４の合計に等し
い。画像フィールド期間中にアドレス可能なライン数
は、画像フィールド時間を、データ・ラインをアドレス
指定するのに必要な時間で除した時間に等しい。ノンイ
ンターレースで６０Ｈｚのフレーム・レートの場合は、
表示装置１０のデータ・ラインの数は、上述の単純なア
ドレス技術では、９０００本を超えることができる。ア
ドレス可能なデータ・ラインの数は、表示装置１０の解
像度とは同じではないことに注意されたい。解像度は、
溝２０の幅、及び列電極１８の幅の関数である。

【００４９】プライミング（ｐｒｉｍｉｎｇ）技術を使
用すれば、画像フレーム中の比較的多数の線をアドレス
指定する能力を確実にできる利点がある。プライミング
には、ガスの放電を開始するためにイオンを導入するこ
とが含まれる。表示装置１０をプライミングすること
は、プライミング溝（図示せす）を通じて電流を通過さ
せることで達成される。このプライミング溝は、溝２０
に対して直角に配置されており、溝の各々は、表示パネ
ル１２の縁にて終わっている。プライミングによって、
もしそれがなっかったならプラズマ生成時間を予測でき
ない長さにしてしまうであろう初期統計的遅延時間なし
に、プラズマを生成することができる。

【００５０】図１ＯＡ、図１ＯＢは、データ・ドライバ
２４の代替回路を示したもので、これらの間で対応する
成要素は、夫々添字ａ，ｂを付して示してある。図１Ｏ
Ａにおいて、データ・ドライバ２４ａは、データ信号を
サンブルし、これをバッファ・メモリ１００に蓄積す
る。データ信号は、アナログまたはデジタルの形態であ
る。バッファ・メモリ１００は、電荷結合素子（ＣＣ
Ｄ）か、サンプル・ホールド型であって、これでアナロ
グ・データ信号を蓄積する。バッファ・メモリ１００
は、デジタル・データ信号を蓄積するためのデジタル形
式のものであってもよい。素子２２は、バッファ・メモ
リ１００がアナログ電圧を保持するかデジタル・データ
を保持するかによって、バッファ増幅器またはデジタル
／アナログ変換器となる。素子２２は、アナログ電圧の
並列伝達が列電極に行われるようにする。データ・ドラ
イバ２４ａは、高速動作が可能である。なぜなら、ＣＣ
Ｄとサンプル・ホールド回路は、高速取り込みが可能で
あり、アナログ電圧は、同時に並列に列電極１８ａに伝
達するからである。

【００５１】図１ＯＢにおいて、データ・ドライバ２４
ｂは、１組のスイッチ１０４のうちのひとつひとつが順
次閉じたり開いたりすることにより、アナログ・データ
信号を直列的にサンプルする。スイッチ１０４は、キャ
パシタ１０６に接続されている。キャパシタｌ０６は、
スィツチが閉じられたとき、データ信号から電荷をスト
アする。このことによってデータ信号のアナログ電圧サ
ンプルが、１本の列電極１８ｂのー端から他端へと供給
される。スイッチ１０４の制御電極に印加されるサンプ
リング・クロック信号は、サンプリング・レートを設定
する。図１０Ｂにおける回路のデータ・セットアッブ・
タイム９６は、列電極１８ｂの数に等しい乗数分だけ図
１ＯＡにおける回路のデータ・セットアップ・タイム９
６よりも大きい。

【００５２】表示装置１０内で適切に操作するために
は、行から行への水平ブランキング時間が、データ捕捉
時間９８とプラズマ消失時間９４との和を超えること
が、データ・ドライバ２４ｂにとって必要である。

【００５３】図１１Ａと図１１Ｂとは、それぞれの基準
電極３０が、固定基準電圧、ストローブ信号パルスをう
ける９つの溝を有する代表的な表示パネル１２に必要と
されるデータ・ストローブ出力の数を比較している。図
１１Ａの表示パネルは、接地された基準電極３０と、９
つの異なったストローブ出力増幅器２６と、異なった行
電極６２を駆動するデー夕・ストロ−ブ回路２８とを持
っている。図１１Ｂに示す表示パネルは、３組にまとめ
られた基準電極３０と、別の３組にまとめられた行電極
６２を有している。基準電極の組の任意の１つを形成す
る基準電極を有する溝２０（図４）は、行電極組の任意
の１つの電極６２を含んでいる。表示装置１０は、あら
かじめ決められた時間間隔の間、基準電極３０の組の１
つだけをストローブする。ストローブの時間間隔の間、
表示装置１０は、列電極１８を駆動し、ストローブ・パ
ルスを受ける基準電極３０を有する溝２０内に含まれる
行電極６２の組をストローブすることによって、表示素
子１６をアドレスする。その基準電極３０がストローブ
・パルスを受けていない溝２０の行電極６２は、このた
め活性化されていない。

【００５４】すなわち、図１１Ｂでは、複数の溝状凹部
を隣接するＮ個（Ｎは２以上の整数）を１組とし、異な
る組の対応する溝状凹部の第２電極（行電極６２）同士
を共通接続し、各組毎にＮ個の溝状凹部内の第３電極
（基準電極３０）同士が共通接続している。そして、信
号印加手段は、共通接続された第３電極の各組毎に順次
第１ストローブ信号を印加すると共に、各組の溝状凹部
内の第３電極に第１ストローブ信号が共通に印加されて
いる期間に各組の溝状凹部内の各々の第２電極に順次第
２ストローブ信号を印加している。よって、データ・ス
トローブ回路２８の出力増幅器２６を、溝２０内の基準
電極３０と行電極６２に電気的接続する構成により、ア
ドレス装置のデータ・ストローブ回路２８の出力増幅器
２６の数が少なくて済む。図１１Ｂの代表的な表示パネ
ル１２では、データ・ストローブ出力増幅器２６の数
は、９つから６つに減少する。

【００５５】図１２は、図１１Ｂの表示パネル１２にお
いて、実施されている形式のアドレス装置において装着
可能なアドレス可能なデータ・ラインの本数に対する、
必要とされる最小ドライバ数を示すグラフである。図１
２は、ドライバの実質的な減少が、比較的多数のデータ
・ラインを有する表示装置において達成されることを示
している。

【００５６】本発明のアドレス装置は、バローズ社によ
って開発されたセルフスキャン（Ｓｅｌｆ−Ｓｃａｎ：
商標）表示において実施されている技術と類似の他の技
術を用いることによって、ドライバの数を減らし易くな
る。このような技術を用いた表示装置は、観測者が見る
ことのできる表示セルと、観測者が見ることのできない
走査セルとを採用している。この走査セルは、イオン化
可能なガスのセルに活性化したプライミング粒子を送り
こむことによって、表示素子の状態を制御する。走査セ
ルの溝内では、プラズマ放電は、順次隣の表示セルに移
動し、隣接する表示セルを活性化するプライミング粒子
を発生する。

【００５７】表示パネル１２では、直交するプライミン
グ溝の電気的分割により、１つの溝から次の溝へと順次
移動するイオン源を提供することができよう。上述の技
術に関しては、壁電荷結合またはその他の既知の技術
が、ドライバの数を更に減らすために採用できよう。

【００５８】交番画像フィールドで正と負の極性のデー
タ電圧を印加するアドレス技術は、図１１Ｂと図１２に
関連して説明したドライバ減少技術を採用した表示装置
１０における実施例において、利用しやすい。正極性だ
けのデータ電圧を印加する代替アドレス技術により、ア
ドレス速度を更に速められる。このようは代替技術は、
各画像フィールドの終わりに消去フィールドを導入す
る。

【００５９】このタイプのアドレス技術においては、消
去フィールドを走査中、データ・ストローブ回路２８が
比較的短い期間の正と負のパルスを連続的に溝２０の行
電極６２に印加するとき、データ・ドライバ２４は、略
接地電位の電圧を、列電極１８に印加する。正のパルス
を印加する間、基準電極３０と行電極６２は、それぞれ
プラズマの陰極と陽極として作用する。以前に必要とし
たデータ電圧は正極性であるので、ストレージ・エレメ
ント１６に蓄積された電荷は、誘電体材料層４６の表面
８８に負電荷を生じさせる。従って、こちらは陰極とし
て機能する。陰極は、比較的高濃度のイオンで囲むまれ
ており、これは、誘電体材料層４６の負電荷を急速に中
和する。誘電体材料層４６の電位は、陽極のそれに近づ
くため、残留正電荷を蓄積してかなりのしベルに達する
ことができる。負のパルスの印加中、列電極１８に印加
される接地電位は、画像フィールドの書込み中作用した
のと同様の方法で、残留正電荷を接地に逃がす。

【００６０】もし、正のパルスが用いられていないな
ら、アドレスにおける速度は、上述の正イオン帯電現象
によって制限をうける。しかしながら、この代替アドレ
ス技術は、図１１Ｂと図１２に関連して説明したドライ
バ減少技術とはなじまない。

【００６１】この種のもう１つのアドレス技術では、デ
ータ・ストローブ回路２８が、２個以上（例えば１０
個）の行電極６２に負のパルスを印加して、同時に１行
のデータを消去してしまう。この技術では、表示パネル
１２の表示面１４にかけて、小規模のデューティ・サイ
クルの不均一が起こる。

【００６２】フラット・パネル表示装置１０は、メモリ
素子が整列したものを含む汎用性のあるアナログ・デー
タ・メモリ装置１１０を形成すべく変形されてもよい。
これは、アドレス装置を具現化し、本発明の第２実施例
となっている。このような変更は、偏光フィルタ３４と
３６を除去し、図２、図４及び図５の液晶材料層４４
も、もしあるのなら除去してもよい。

【００６３】図１３は、メモリ装置１１０の等価回路を
示している。上述したこと以外は、図６と図１３に示し
た装置は類似している。これゆえ、図６と図１３中の対
応する構成要素には、同一の参照番号を付した。メモリ
装置１１０において、誘電体４６はキャパシタ・モデル
８０の誘電体素子として機能しており、これはメモリ素
子を表している。列電極１８は、光学的に透明な材料で
構成される必要はなく、アルミニウムやその他の導電材
料で構成されてもよい。メモリ装置１１０のデータ駆動
出力増幅器２２は、データの書込みモードのときは列電
極の駆動増幅器として機能し、データの読出しモードの
ときは、列電極検知増幅器として機能する。なお、この
駆動出力増幅器２２及びデータ駆動回路２４は、信号印
加／読出し手段となる。図６と図１３の装置のデータ・
ストローブ出力増幅器は、類似している。

【００６４】図１３において、データ駆動回路２４の各
出力増幅器２２は、高速演算増幅器１１２を具えてい
る。帰還キャバシタ１１８とスイッチ素子１２０の並列
回路が、増幅器１１２の反転入力端１１４と出力端１１
６との間に接続されている。増幅器１１２は、選択的
に、データの書込みモードのときは、スイッチ素子１２
０を駆動させ、導通状態にすることによって電圧フォロ
アとして構成し、データの読出しモードのときは、スイ
ッチ素子１２０を駆動させ、非導通状態にすることによ
って積分器として構成する．演算増幅器１２２の非反転
入力端１２２は、スイッチ素子１２６の可動接点１２４
に接続される。このスイッチ素子は、選択的に非反転入
力端１２２を基準電圧Ｖｒ又は、データ駆動回路２４の
出力信号導体に接続する。

【００６５】書込みモードのときはいつでも、出力増幅
器２２は、データ駆動信号を、メモリ装置１１０のメモ
リ素子を形成する列電極１８に供給する。このことは、
演算増幅器１１２を電圧フォロアとして構成し、またデ
ータ駆動信号を供給するスイッチ素子１２６の可動接点
１２４を、データ駆動回路２４から演算増幅器１１２の
非反転入力端１２２へ配置することである。よって、書
込みモードのときに、増幅器１１２が電圧フォロアとな
ると、その非反転入力端子と反転入力端子の電圧が等し
くなるので、非反転入力端子がデータ駆動信号用入力端
子として機能し、反転入力端子がデータ駆動信号用出力
端子として機能する点に留意されたい。この期間、メモ
リ素子１１０を構成する溝２０内の行電極６２に印加さ
れる行ストローブ・パルスは、溝内のイオン化可能なガ
スを励起し、イオン化状態にする。これにより、図６に
関連して説明した方法により、キャパシタ・モデル８０
にデータ電圧を発生させる。キャパシタ・モデル８０に
かかる電圧の大きさは、データ駆動信号をあらわしてい
る。

【００６６】データの読出しモードのときは、データ増
幅器２２は、メモリ装置１１０のメモリ素子を構成する
列電極１８中の電流を検知する。これは、２段階の手段
を経て達成される。

【００６７】第１にスイッチ素子１２６の可動接点１２
４は、演算増幅器１１２の非反転入力端１２２に、基準
電圧Ｖｒを入力するために配置されている。この期間、
行ストローブ・パルスは、イオン化可能なガスのイオン
化していない状態を維持するために、不活性状態であ
る。このため、基準電圧Ｖｒは、演算増幅器１１２の出
力端１１６と、列電極１８と、キャパシタ・モデル８０
の頂部の板８２とに発生する。帰還キャパシタ１１８
は、このため０．０ボルトに中和される。しかしなが
ら、メモリ装置１１０は、各演算増幅器１１２の入力端
と出力端との間のオフセット電圧とともに操作するよう
構成することができる。

【００６８】第２に、帰還キャパシタ１１８にかかる電
圧が０．０ボルトになったあとに、演算増幅器１１２
は、その入力端１１４が列電極１８からの電流を受ける
ように準傭される積分器として構成される。キャパシタ
・モデル８０の底部の板８６と、基準電極３０の間の電
位差は、Ｖｒとすでに記したキャパシタ・モデル８０に
かかるデータ電圧との関数である。行ストローブ・パル
スが再びイオン化可能なガスをイオン化状態にすると、
キャパシタ・モデル８０の底部の板８６は、基準電極３
０と電気的に接続する。このためキャパシタ・モデル８
０にかかる電圧は変化する。積分器として構成されてい
る演算増幅器１１２は、この電圧変化を検知し、キャパ
シタ・モデル８０にかかる上述のデータ電圧に比例する
電圧を出力端１１６に供給する。

【００６９】キャパシタ・モデル８０にデータ電圧を発
生させ、メモリ素子としての機能を促進する他の方法は
存在する。例えば、光学的に透明な列電極１８を用い
て、誘電体材料層４６を光導電材料にとって代え、メモ
リ装置１１０を可視光線にさらすと、メモリ装置１１０
への入射光の強度に比例してキャパシタ・モデル８０に
かかる電圧が変調をうける。入射光の強度に比例したキ
ャパシタ・モデル８０にかかる電圧変化は、すでに述べ
たように、データの読出しモードのときは、回復させら
れる。光導電性材料の層４６と光学的に透明な列電極１
８とは、このため、アナログ・データ・メモリの特性に
応じた画像検知装置となる。

【００７０】上述の画像検知装置においては、複数の電
気的に絶縁した帯としての光導電性材料の層４６を設け
ることは、隣合うキャパシタ・モデル８０間の導電を回
避することになろう。光学的に透明な電極の縁に沿っ
て、金属の帯、またはその他の導電材料を設けると、キ
ャパシタ・モデル８０にかかるデータ電圧の読出しにか
かる時間を減少させることによって、データ読出しモー
ドにおけるデータ訂正の能率が向上する。

【００７１】上述の画像検知装置は、データの読出しモ
ード間において、光導電材料の層４６の光導電的性質を
利用している。光導電材料の層４６の光導電性を直接利
用することも可能である。この場合、データエレメント
１６は、いっそう好適に検知素子として特徴づけられる
ことになるであろうし、キャパシタ・モデル８０も、い
っそう好適に電流変調素子となる。このことは、ストロ
ーブ電極６２と基準電極３０との間に、行ストローブ・
パルスが印加されている間、層４６に電圧勾配を発生せ
しめる電圧を、列電極１８に印加することによって達成
可能である。基準電極３０から層４６と列電極１８を通
って演算増幅器１１２の出力端１１６に流れる電流が、
出力信号となる。帰還キャパシタ１１８を、抵抗器にと
りかえると、演算増幅器１１２の出力端１１６にあらわ
れる電圧が、層４６を通って流れる電流に比例する。

【００７２】上述は、本発明の好適な実施例について説
明したが、当業者にとっては、本発明の要旨から逸脱す
ることなく様々な変形を加えることは容易である。

【００７３】

【発明の効果】本発明は、表示装置及びメモリ装置用に
イオン化したガスを用いて、アドレス速度が速く、安価
で且つ歩留まりの良いアドレス装置を提供できる。ま
た、第２基板の溝状凹部の各々の内部に、この溝状凹部
の長手方向に略平行な第２及び第３電極を形成し、第２
電極及び第３電極間に選択的にストローブ信号（第２信
号）を供給している。これにより、比較的低い電圧で、
溝状凹部横断する方向に均一勾配の電界を形成して均一
なガスのイオン化が生じ、各セルにおいてイオン化可能
なガスによる均一且つ良好なスイッチング動作が得られ
る。また、ガスをイオン化した後に、第１電極とストロ
ーブ信号用に用いた第３電極との間に、表示又は蓄積の
ためのデータ信号（第１信号）を供給する。よって、第
３電極は、データ信号及びストローブ信号の両方を供給
するために兼用されているので、アドレス装置の構造を
簡単化できる。さらに、複数の溝状凹部を隣接するＮ個
（Ｎは２以上の整数）を１組とし、異なる組の対応する
溝状凹部の第２電極同士を共通接続し、各組毎にＮ個の
溝状凹部内の第３電極同士を共通接続することにより、
ストローブ信号を供給する信号印加手段の出力増幅器の
数を減少できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の概念を示す概念図である。

【図２】本発明を用いた表示パネルの部分的に断面とな
った斜視図である。

【図３】図２に示す表示パネルを部分的に切除して示し
た平面図である。

【図４】図３における線４−４に沿う断面図である。

【図５】図３における線５−５に沿う断面図である。

【図６】図２の等価回路を示す回路図である。

【図７】本発明に用いるアドレス指定可能なデータ・ラ
インの最大数を決めるタィムチャートを示す図である。

【図８】図２〜５に示す表示パネルの溝内に設けられた
電極間を流れる電流の関数としてのネオン・ガスとへリ
ウム・ガスのデータ捕捉時間の関係を比較した図であ
る。

【図９】へリウム・ガスにおける陰極と陽極に流れる電
流とプラズマ消失時間との関係を示した図である。

【図１０】図１に示すデータ・ドライバの代替回路を示
す図である。

【図１１】図１に示すデータ・ストローブの代替回路を
示す図である。

【図１２】図１１におけるドライバの数とアドレス可能
なデータ・ラインの本数との関係を示す図である。

【図１３】本発明のメモリ装置の等価回路を示す図であ
る。

【符号の説明】

１８ 第１電極 ２０ 溝状凹部 ２２、２４ 第１信号印加手段 ２６、２８ 第２信号印加手段 ３０ 第３電極 ４４ 電気光学材料層（誘電体層） ４６ 誘電体材料層（誘電体層） ４８ 第１基板 ５４ 第２基板 ６２ 第２電極

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２ Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２Ｂ (72)発明者 ポール・シー・マーチン アメリカ合衆国 オレゴン州 97225ポー トランド サウスウエスト サーロウ・ド ライブ 9950 (72)発明者 エイッチ・ウエイン・オルムステッド アメリカ合衆国 オレゴン州 97006ビー バートン ノースウエスト マーコラ・コ ート 16995 (72)発明者 ジョン・ジェイ・ホーン アメリカ合衆国 オレゴン州 97123ヒル スボーロ サウスウエスト トウハンドレ ッドアンドサーティエイトスアベニュー 765

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方の主面に互いに略平行に形成された
   複数の第１電極を有する第１基板と、 該第１基板の上記主面に対向する主面上に上記第１電極
   と交差し且つ互いに略平行に形成され、イオン化可能な
   ガスが封入された複数の溝状凹部を有する第２基板と、 上記第２基板の上記主面上で上記複数の溝状凹部の各々
   の内部に該溝状凹部の長手方向に略平行に形成された第
   ２及び第３電極と、 上記第１基板及び上記第２基板の間に間挿された誘電体
   層又は光電性材料層と、 上記第１電極及び上記第３電極間に選択的に第１信号を
   印加する第１信号印加手段と、 上記第２電極及び上記第３電極間に選択的に第２信号を
   印加する第２信号印加手段とを具え、 上記第２電極及び上記第３電極間に上記第２信号を選択
   的に供給して、上記第２信号を受けた上記第２電極及び
   上記第３電極を有する上記溝状凹部における上記ガスを
   イオン化し、 イオン化された上記ガスを含む上記溝状凹部と上記第１
   信号が選択的に供給された上記第１電極との交差部に対
   応する上記誘電体層又は上記光電性材料層の部分をアド
   レス指定することを特徴とするアドレス装置。
2. 【請求項２】 上記複数の溝状凹部を隣接するＮ個（Ｎ
   は２以上の整数）を１組とし、異なる組の対応する上記
   溝状凹部の上記第２電極同士を共通接続し、各組毎に上
   記Ｎ個の溝状凹部内の上記第３電極同士が共通接続し、
   上記第２信号印加手段は、上記共通接続された第３電極
   の各組毎に順次第１ストローブ信号を印加すると共に、
   各組の上記溝状凹部内の上記第３電極に上記第１ストロ
   ーブ信号が共通に印加されている期間に上記各組の溝状
   凹部内の各々の上記第２電極に順次第２ストローブ信号
   を印加することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   のアドレス装置。