JPH09115964A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH09115964A JPH09115964A JP7270028A JP27002895A JPH09115964A JP H09115964 A JPH09115964 A JP H09115964A JP 7270028 A JP7270028 A JP 7270028A JP 27002895 A JP27002895 A JP 27002895A JP H09115964 A JPH09115964 A JP H09115964A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップスケ−ルのＢＧＡパッケ−ジを提供す
る。 【解決手段】 フィルムキャリアテ−プ１は、バイアホ
−ル３を有する。配線３は、フィルムキャリアテ−プ１
の一方側の主面に形成され、バイアホ−ル３を介してフ
ィルムキャリアテ−プ１の他方側の主面に電極を形成し
ている。半導体チップ４は、フィルムキャリアテ−プ１
の一方側の主面に搭載され、フィルムキャリアテ−プ１
上から見た場合にフィルムキャリアテ−プ１よりも小さ
い。樹脂６は、フィルムキャリアテ−プ１の一方側の主
面にのみ形成され、半導体チップ４を覆っている。フィ
ルムキャリアテ−プ１上から見た場合に、樹脂６の輪郭
は、フィルムキャリアテ−プ１の輪郭の内側に存在して
いる。
る。 【解決手段】 フィルムキャリアテ−プ１は、バイアホ
−ル３を有する。配線３は、フィルムキャリアテ−プ１
の一方側の主面に形成され、バイアホ−ル３を介してフ
ィルムキャリアテ−プ１の他方側の主面に電極を形成し
ている。半導体チップ４は、フィルムキャリアテ−プ１
の一方側の主面に搭載され、フィルムキャリアテ−プ１
上から見た場合にフィルムキャリアテ−プ１よりも小さ
い。樹脂６は、フィルムキャリアテ−プ１の一方側の主
面にのみ形成され、半導体チップ４を覆っている。フィ
ルムキャリアテ−プ１上から見た場合に、樹脂６の輪郭
は、フィルムキャリアテ−プ１の輪郭の内側に存在して
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップスケ−ルの
半導体パッケ−ジに関する。
半導体パッケ−ジに関する。
【０００２】
【従来の技術】図２３は、従来の半導体装置の一例を示
している。セラミック基板１１の一方側の主面には、行
列状に配置された複数の電極１２が形成されている。セ
ラミック基板１１の他方側の主面には、セラミック基板
１１の縁部に複数の電極１３が形成されている。
している。セラミック基板１１の一方側の主面には、行
列状に配置された複数の電極１２が形成されている。セ
ラミック基板１１の他方側の主面には、セラミック基板
１１の縁部に複数の電極１３が形成されている。
【０００３】セラミック基板１１の一方側の主面に形成
された複数の電極１２は、セラミック基板１１に形成さ
れたバイアホ−ルと配線を介してセラミック基板１１の
他方側の主面に形成された複数の電極１３に接続されて
いる。
された複数の電極１２は、セラミック基板１１に形成さ
れたバイアホ−ルと配線を介してセラミック基板１１の
他方側の主面に形成された複数の電極１３に接続されて
いる。
【０００４】半導体チップ１４は、複数のバンプ１５を
有している。半導体チップ１４の複数のバンプ１５は、
セラミック基板１１の他方側の主面に形成された複数の
電極１３にフリップチップ接続されている。
有している。半導体チップ１４の複数のバンプ１５は、
セラミック基板１１の他方側の主面に形成された複数の
電極１３にフリップチップ接続されている。
【０００５】半導体チップ１４の主面（バンプが形成さ
れる面）とセラミック基板の他方側の主面の間には、樹
脂１６が満たされている。図２４は、従来の半導体装置
の他の一例を示している。
れる面）とセラミック基板の他方側の主面の間には、樹
脂１６が満たされている。図２４は、従来の半導体装置
の他の一例を示している。
【０００６】半導体チップ２１は、樹脂枠２２内に配置
されている。半導体チップ２１は、バンプ２３を有して
いる。一方、フィルムキャリアテ−プ２４の一方側に主
面には、リ−ド２５が形成されている。リ−ド２５の先
端部は、フィルムキャリアテ−プ２４の縁よりも外に位
置している。フィルムキャリアテ−プ２４には、バイア
ホ−ルが形成されている。フィルムキャリアテ−プ２４
の他方側に主面には、バイアホ−ルを介してリ−ド２５
に接続される電極２６が形成されている。
されている。半導体チップ２１は、バンプ２３を有して
いる。一方、フィルムキャリアテ−プ２４の一方側に主
面には、リ−ド２５が形成されている。リ−ド２５の先
端部は、フィルムキャリアテ−プ２４の縁よりも外に位
置している。フィルムキャリアテ−プ２４には、バイア
ホ−ルが形成されている。フィルムキャリアテ−プ２４
の他方側に主面には、バイアホ−ルを介してリ−ド２５
に接続される電極２６が形成されている。
【０００７】半導体チップ２１のバンプ２３は、リ−ド
２５の先端部に接続されている。半導体チップ２１の主
面（バンプが形成される面）とフィルムキャリアテ−プ
２４の一方側の主面の間には、樹脂シ−ト２７が配置さ
れている。樹脂枠２２内は、樹脂２８が満たされてい
る。
２５の先端部に接続されている。半導体チップ２１の主
面（バンプが形成される面）とフィルムキャリアテ−プ
２４の一方側の主面の間には、樹脂シ−ト２７が配置さ
れている。樹脂枠２２内は、樹脂２８が満たされてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図２３の半導体装置を
プリント回路基板に実装した場合、セラミック基板の熱
膨脹係数がプリント回路基板の熱膨脹係数と異なるた
め、接合部にクラックが発生する欠点がある。また、図
２３の半導体装置の場合、フリップチップ接続により半
導体チップをセラミック基板の電極に接続するため、接
続方法が困難で、歩留りが悪くなる欠点がある。
プリント回路基板に実装した場合、セラミック基板の熱
膨脹係数がプリント回路基板の熱膨脹係数と異なるた
め、接合部にクラックが発生する欠点がある。また、図
２３の半導体装置の場合、フリップチップ接続により半
導体チップをセラミック基板の電極に接続するため、接
続方法が困難で、歩留りが悪くなる欠点がある。
【０００９】図２４の半導体装置の場合、部品点数が多
いため、製造工程数が増大し、コストが増える欠点があ
る。また、フィルムキャリアテ−プの大きさは、半導体
チップの大きさよりも小さくなるため、電極数を増やす
ことができない欠点がある。本発明は、上記欠点を解決
すべくなされたもので、その目的は、チップスケ−ルの
半導体装置を高歩留り、低コストで提供することであ
る。
いため、製造工程数が増大し、コストが増える欠点があ
る。また、フィルムキャリアテ−プの大きさは、半導体
チップの大きさよりも小さくなるため、電極数を増やす
ことができない欠点がある。本発明は、上記欠点を解決
すべくなされたもので、その目的は、チップスケ−ルの
半導体装置を高歩留り、低コストで提供することであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体装置は、複数のバイアホ−ルを有す
るフィルムキャリアテ−プと、前記フィルムキャリアテ
−プの一方側の主面に形成され、前記複数のバイアホ−
ルを介して前記フィルムキャリアテ−プの他方側の主面
に複数の電極を形成する複数の配線と、前記フィルムキ
ャリアテ−プの一方側の主面に搭載され、前記フィルム
キャリアテ−プ上から見た場合に前記フィルムキャリア
テ−プよりも小さく、前記複数の配線に接続される半導
体チップと、前記フィルムキャリアテ−プの一方側の主
面にのみ形成され、前記半導体チップを覆う樹脂とを備
える。
め、本発明の半導体装置は、複数のバイアホ−ルを有す
るフィルムキャリアテ−プと、前記フィルムキャリアテ
−プの一方側の主面に形成され、前記複数のバイアホ−
ルを介して前記フィルムキャリアテ−プの他方側の主面
に複数の電極を形成する複数の配線と、前記フィルムキ
ャリアテ−プの一方側の主面に搭載され、前記フィルム
キャリアテ−プ上から見た場合に前記フィルムキャリア
テ−プよりも小さく、前記複数の配線に接続される半導
体チップと、前記フィルムキャリアテ−プの一方側の主
面にのみ形成され、前記半導体チップを覆う樹脂とを備
える。
【００１１】前記フィルムキャリアテ−プ上から見た場
合に、前記樹脂の輪郭は、前記フィルムキャリアテ−プ
の輪郭の内側に存在しているか、又は前記フィルムキャ
リアテ−プの輪郭に一致している。
合に、前記樹脂の輪郭は、前記フィルムキャリアテ−プ
の輪郭の内側に存在しているか、又は前記フィルムキャ
リアテ−プの輪郭に一致している。
【００１２】前記フィルムキャリアテ−プ上から見た場
合に、前記樹脂は、凹部を有し、かつ、前記樹脂の輪郭
は、前記凹部を除いて前記フィルムキャリアテ−プの輪
郭に一致していてもよい。
合に、前記樹脂は、凹部を有し、かつ、前記樹脂の輪郭
は、前記凹部を除いて前記フィルムキャリアテ−プの輪
郭に一致していてもよい。
【００１３】前記半導体チップの表面上の前記樹脂の厚
さは、均一であるのがよい。また、前記複数の電極の各
々に接続される半田ボ−ルを備えれば、簡易な構成のチ
ップスケ−ルのＢＧＡパッケ−ジを提供できる。
さは、均一であるのがよい。また、前記複数の電極の各
々に接続される半田ボ−ルを備えれば、簡易な構成のチ
ップスケ−ルのＢＧＡパッケ−ジを提供できる。
【００１４】本発明の半導体装置の製造方法は、複数の
バイアホ−ルを有する帯状のフィルムキャリアテ−プの
一方側の主面に複数の配線を形成すると共に前記フィル
ムキャリアテ−プの他方側の主面に前記複数のバイアホ
−ルを介して前記複数の配線に接続される複数の電極を
形成し、前記フィルムキャリアテ−プの一方側の主面に
前記複数の配線に接続される半導体チップを搭載し、前
記フィルムキャリアテ−プ上から見た場合に前記フィル
ムキャリアテ−プの輪郭が前記半導体チップの輪郭より
も大きくなるように、前記半導体チップの周囲のフィル
ムキャリアテ−プを切り抜き、前記フィルムキャリアテ
−プの大きさと同じ大きさの第１のキャビティを有する
第１の型と前記フィルムキャリアテ−プの大きさよりも
小さく前記半導体チップよりも大きい第２のキャビティ
を有する第２の型で前記フィルムキャリアテ−プを挟み
込み、前記第１のキャビティ内に前記フィルムキャリア
テ−プを配置し、前記第２のキャビティ内に前記半導体
チップを配置し、前記第２のキャビティ内にのみ樹脂を
充填する、という一連の工程を備える。
バイアホ−ルを有する帯状のフィルムキャリアテ−プの
一方側の主面に複数の配線を形成すると共に前記フィル
ムキャリアテ−プの他方側の主面に前記複数のバイアホ
−ルを介して前記複数の配線に接続される複数の電極を
形成し、前記フィルムキャリアテ−プの一方側の主面に
前記複数の配線に接続される半導体チップを搭載し、前
記フィルムキャリアテ−プ上から見た場合に前記フィル
ムキャリアテ−プの輪郭が前記半導体チップの輪郭より
も大きくなるように、前記半導体チップの周囲のフィル
ムキャリアテ−プを切り抜き、前記フィルムキャリアテ
−プの大きさと同じ大きさの第１のキャビティを有する
第１の型と前記フィルムキャリアテ−プの大きさよりも
小さく前記半導体チップよりも大きい第２のキャビティ
を有する第２の型で前記フィルムキャリアテ−プを挟み
込み、前記第１のキャビティ内に前記フィルムキャリア
テ−プを配置し、前記第２のキャビティ内に前記半導体
チップを配置し、前記第２のキャビティ内にのみ樹脂を
充填する、という一連の工程を備える。
【００１５】前記フィルムキャリアテ−プの縁部は、前
記第２のキャビティの周囲において前記第１の型と前記
第２の型により固定されている。前記フィルムキャリア
テ−プ上から見た場合に、前記樹脂の輪郭が前記フィル
ムキャリアテ−プの輪郭に一致するように、前記フィル
ムキャリアテ−プの縁部を切り取るのがよい。
記第２のキャビティの周囲において前記第１の型と前記
第２の型により固定されている。前記フィルムキャリア
テ−プ上から見た場合に、前記樹脂の輪郭が前記フィル
ムキャリアテ−プの輪郭に一致するように、前記フィル
ムキャリアテ−プの縁部を切り取るのがよい。
【００１６】前記複数の電極の各々に半田ボ−ルを接続
するのが効果的である。本発明の半導体装置の製造方法
は、複数のバイアホ−ルを有する帯状のフィルムキャリ
アテ−プの一方側の主面に複数の配線を形成すると共に
前記フィルムキャリアテ−プの他方側の主面に前記複数
のバイアホ−ルを介して前記複数の配線に接続される複
数の電極を形成し、前記フィルムキャリアテ−プの一方
側の主面に前記複数の配線に接続される半導体チップを
搭載し、前記フィルムキャリアテ−プ上から見た場合に
前記フィルムキャリアテ−プの輪郭が前記半導体チップ
の輪郭よりも大きくなるように、前記半導体チップの周
囲のフィルムキャリアテ−プを切り抜き、前記フィルム
キャリアテ−プの大きさと同じ大きさの第１のキャビテ
ィを有する第１の型と前記フィルムキャリアテ−プの大
きさと同じ大きさで所定の位置に突出部を有する第２の
キャビティを有する第２の型で前記フィルムキャリアテ
−プを挟み込み、前記第１のキャビティ内に前記フィル
ムキャリアテ−プを配置し、前記第２のキャビティ内に
前記半導体チップを配置し、前記第２のキャビティ内に
のみ樹脂を充填する、という一連の工程を備える。
するのが効果的である。本発明の半導体装置の製造方法
は、複数のバイアホ−ルを有する帯状のフィルムキャリ
アテ−プの一方側の主面に複数の配線を形成すると共に
前記フィルムキャリアテ−プの他方側の主面に前記複数
のバイアホ−ルを介して前記複数の配線に接続される複
数の電極を形成し、前記フィルムキャリアテ−プの一方
側の主面に前記複数の配線に接続される半導体チップを
搭載し、前記フィルムキャリアテ−プ上から見た場合に
前記フィルムキャリアテ−プの輪郭が前記半導体チップ
の輪郭よりも大きくなるように、前記半導体チップの周
囲のフィルムキャリアテ−プを切り抜き、前記フィルム
キャリアテ−プの大きさと同じ大きさの第１のキャビテ
ィを有する第１の型と前記フィルムキャリアテ−プの大
きさと同じ大きさで所定の位置に突出部を有する第２の
キャビティを有する第２の型で前記フィルムキャリアテ
−プを挟み込み、前記第１のキャビティ内に前記フィル
ムキャリアテ−プを配置し、前記第２のキャビティ内に
前記半導体チップを配置し、前記第２のキャビティ内に
のみ樹脂を充填する、という一連の工程を備える。
【００１７】前記フィルムキャリアテ−プの縁部は、前
記突出部において前記第１の型と前記第２の型により固
定されている。前記複数の電極の各々に半田ボ−ルを接
続するのが効果的である。
記突出部において前記第１の型と前記第２の型により固
定されている。前記複数の電極の各々に半田ボ−ルを接
続するのが効果的である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１乃至図３
は、本発明の第１の実施の形態に関わる半導体装置を示
している。なお、図２は、図１の半導体装置の上面図、
図３は、図１の半導体装置の下面図である。
明の実施の形態について詳細に説明する。図１乃至図３
は、本発明の第１の実施の形態に関わる半導体装置を示
している。なお、図２は、図１の半導体装置の上面図、
図３は、図１の半導体装置の下面図である。
【００１９】フィルムキャリアテ−プ１の一方側の主面
には、複数の配線２が形成されている。複数の配線２
は、例えば、約０．５μｍの厚さの錫がメッキされた約
３５μｍの厚さの銅箔から構成される。
には、複数の配線２が形成されている。複数の配線２
は、例えば、約０．５μｍの厚さの錫がメッキされた約
３５μｍの厚さの銅箔から構成される。
【００２０】フィルムキャリアテ−プ１には、複数のバ
イアホ−ル３が形成されている。複数のバイアホ−ル３
は、フィルムキャリアテ−プ１の中央部、縁部などの全
体にわたって行列状に形成されている。
イアホ−ル３が形成されている。複数のバイアホ−ル３
は、フィルムキャリアテ−プ１の中央部、縁部などの全
体にわたって行列状に形成されている。
【００２１】複数の配線２は、複数のバイアホ−ル３を
介してフィルムキャリアテ−プ１の他方側の主面に露出
している。複数の配線２は、フィルムキャリアテ−プ１
の他方側の主面において、行列状の複数の電極を形成し
ている。
介してフィルムキャリアテ−プ１の他方側の主面に露出
している。複数の配線２は、フィルムキャリアテ−プ１
の他方側の主面において、行列状の複数の電極を形成し
ている。
【００２２】半導体チップ４は、金属から構成される複
数のバンプ５を有している。半導体チップ４の複数のバ
ンプ５は、フィルムキャリアテ−プ１の一方側の主面の
複数の配線２に接続されている。
数のバンプ５を有している。半導体チップ４の複数のバ
ンプ５は、フィルムキャリアテ−プ１の一方側の主面の
複数の配線２に接続されている。
【００２３】なお、フィルムキャリアテ−プ１の形状
は、特に限定されるものではないが、例えば、上面から
見た場合に半導体チップ４の形状と同じになるように形
成される。また、フィルムキャリアテ−プ１は、半導体
チップ４よりも一回り大きくなるように形成される。
は、特に限定されるものではないが、例えば、上面から
見た場合に半導体チップ４の形状と同じになるように形
成される。また、フィルムキャリアテ−プ１は、半導体
チップ４よりも一回り大きくなるように形成される。
【００２４】フィルムキャリアテ−プ１の一方側の主面
上には、半導体チップ４を完全に覆う樹脂６が形成され
ている。樹脂６は、半導体チップ４の周囲をほぼ均一の
厚さで覆っている。樹脂６は、フィルムキャリアテ−プ
１上からはみ出さないように形成されている。
上には、半導体チップ４を完全に覆う樹脂６が形成され
ている。樹脂６は、半導体チップ４の周囲をほぼ均一の
厚さで覆っている。樹脂６は、フィルムキャリアテ−プ
１上からはみ出さないように形成されている。
【００２５】上記構成の半導体装置によれば、フィルム
キャリアテ−プの一方側の主面に半導体チップを搭載
し、フィルムキャリアテ−プの他方側の主面に複数の電
極を形成している。また、フィルムキャリアテ−プは、
半導体チップよりも大きく、かつ、半導体チップは、樹
脂により覆われている。
キャリアテ−プの一方側の主面に半導体チップを搭載
し、フィルムキャリアテ−プの他方側の主面に複数の電
極を形成している。また、フィルムキャリアテ−プは、
半導体チップよりも大きく、かつ、半導体チップは、樹
脂により覆われている。
【００２６】従って、簡易な構成であるにも拘らず、強
固な半導体装置を提供することができる。また、後述す
る製造方法において、フィルムキャリアテ−プの外形を
ガイドにすることにより、フィルムキャリアテ−プの一
方側の主面の半導体チップのみを樹脂で封止することが
できる。
固な半導体装置を提供することができる。また、後述す
る製造方法において、フィルムキャリアテ−プの外形を
ガイドにすることにより、フィルムキャリアテ−プの一
方側の主面の半導体チップのみを樹脂で封止することが
できる。
【００２７】図４乃至図６は、本発明の第２の実施の形
態に関わる半導体装置を示している。なお、図５は、図
４の半導体装置の上面図、図６は、図４の半導体装置の
下面図である。
態に関わる半導体装置を示している。なお、図５は、図
４の半導体装置の上面図、図６は、図４の半導体装置の
下面図である。
【００２８】フィルムキャリアテ−プ１の一方側の主面
には、複数の配線２が形成されている。複数の配線２
は、例えば、約０．５μｍの厚さの錫がメッキされた約
３５μｍの厚さの銅箔から構成される。
には、複数の配線２が形成されている。複数の配線２
は、例えば、約０．５μｍの厚さの錫がメッキされた約
３５μｍの厚さの銅箔から構成される。
【００２９】フィルムキャリアテ−プ１には、複数のバ
イアホ−ル３が形成されている。複数のバイアホ−ル３
は、フィルムキャリアテ−プ１の中央部、縁部などの全
体にわたって行列状に形成されている。
イアホ−ル３が形成されている。複数のバイアホ−ル３
は、フィルムキャリアテ−プ１の中央部、縁部などの全
体にわたって行列状に形成されている。
【００３０】複数の配線２は、複数のバイアホ−ル３を
介してフィルムキャリアテ−プ１の他方側の主面に露出
している。複数の配線２は、フィルムキャリアテ−プ１
の他方側の主面において、行列状の複数の電極を形成し
ている。
介してフィルムキャリアテ−プ１の他方側の主面に露出
している。複数の配線２は、フィルムキャリアテ−プ１
の他方側の主面において、行列状の複数の電極を形成し
ている。
【００３１】半導体チップ４は、金属から構成される複
数のバンプ５を有している。半導体チップ４の複数のバ
ンプ５は、フィルムキャリアテ−プ１の一方側の主面の
複数の配線２に接続されている。
数のバンプ５を有している。半導体チップ４の複数のバ
ンプ５は、フィルムキャリアテ−プ１の一方側の主面の
複数の配線２に接続されている。
【００３２】なお、フィルムキャリアテ−プ１の形状
は、特に限定されるものではないが、例えば、上面から
見た場合に半導体チップ４の形状と同じになるように形
成される。また、フィルムキャリアテ−プ１は、半導体
チップ４よりも一回り大きくなるように形成される。
は、特に限定されるものではないが、例えば、上面から
見た場合に半導体チップ４の形状と同じになるように形
成される。また、フィルムキャリアテ−プ１は、半導体
チップ４よりも一回り大きくなるように形成される。
【００３３】フィルムキャリアテ−プ１の一方側の主面
上には、半導体チップ４を完全に覆う樹脂６が形成され
ている。樹脂６は、半導体チップ４の周囲をほぼ均一の
厚さで覆っている。樹脂６は、フィルムキャリアテ−プ
１上からはみ出さないように形成されている。
上には、半導体チップ４を完全に覆う樹脂６が形成され
ている。樹脂６は、半導体チップ４の周囲をほぼ均一の
厚さで覆っている。樹脂６は、フィルムキャリアテ−プ
１上からはみ出さないように形成されている。
【００３４】フィルムキャリアテ−プ１の他方側の主面
の各々の電極上には、半田ボ−ル７が形成されている。
これら半田ボ−ル７は、半導体装置をプリント回路基板
に実装し易くするためのものである。
の各々の電極上には、半田ボ−ル７が形成されている。
これら半田ボ−ル７は、半導体装置をプリント回路基板
に実装し易くするためのものである。
【００３５】上記構成の半導体装置によれば、フィルム
キャリアテ−プの一方側の主面に半導体チップを搭載
し、フィルムキャリアテ−プの他方側の主面に複数の電
極を形成している。また、フィルムキャリアテ−プは、
半導体チップよりも大きく、かつ、半導体チップは、樹
脂により覆われている。
キャリアテ−プの一方側の主面に半導体チップを搭載
し、フィルムキャリアテ−プの他方側の主面に複数の電
極を形成している。また、フィルムキャリアテ−プは、
半導体チップよりも大きく、かつ、半導体チップは、樹
脂により覆われている。
【００３６】従って、簡易な構成であるにも拘らず、強
固な半導体装置を提供することができる。また、後述す
る製造方法において、フィルムキャリアテ−プの外形を
ガイドにすることにより、フィルムキャリアテ−プの一
方側の主面の半導体チップのみを樹脂で封止することが
できる。
固な半導体装置を提供することができる。また、後述す
る製造方法において、フィルムキャリアテ−プの外形を
ガイドにすることにより、フィルムキャリアテ−プの一
方側の主面の半導体チップのみを樹脂で封止することが
できる。
【００３７】次に、本発明の第１の実施の形態に関わる
半導体装置の製造方法について説明する。まず、図７及
び図８に示すように、スプロケットホ−ル９を有する帯
状のフィルムキャリアテ−プ１の所定位置に行列状のバ
イアホ−ル３を形成する。この後、フィルムキャリアテ
−プ１の一方側の主面上及びバイアホ−ル３内に約３５
μｍの銅箔を形成する。
半導体装置の製造方法について説明する。まず、図７及
び図８に示すように、スプロケットホ−ル９を有する帯
状のフィルムキャリアテ−プ１の所定位置に行列状のバ
イアホ−ル３を形成する。この後、フィルムキャリアテ
−プ１の一方側の主面上及びバイアホ−ル３内に約３５
μｍの銅箔を形成する。
【００３８】この銅箔をパタ−ニングし、フィルムキャ
リアテ−プ１の一方側の主面上及びバイアホ−ル３内に
複数の配線２を形成する。同時に、フィルムキャリアテ
−プ１の一方側の主面上には、複数の配線２に接続され
るメッキ用の配線２ａとテスト用のパッド８をそれぞれ
形成する。
リアテ−プ１の一方側の主面上及びバイアホ−ル３内に
複数の配線２を形成する。同時に、フィルムキャリアテ
−プ１の一方側の主面上には、複数の配線２に接続され
るメッキ用の配線２ａとテスト用のパッド８をそれぞれ
形成する。
【００３９】また、フィルムキャリアテ−プ１を電解液
に浸し、少なくとも複数の配線２上に約０．５μｍの錫
をメッキする。次に、図９及び図１０に示すように、フ
ィルムキャリアテ−プ１の所定位置にホ−ル１０を形成
し、複数の配線２を電気的に分離する。また、フィルム
キャリアテ−プ１上に半導体チップ４を搭載する。半導
体チップ４の複数のバンプ５は、複数の配線２に接続さ
れる。この後、パッド８にテスタの端子が当てられ、各
半導体チップ４のテストが行われる。
に浸し、少なくとも複数の配線２上に約０．５μｍの錫
をメッキする。次に、図９及び図１０に示すように、フ
ィルムキャリアテ−プ１の所定位置にホ−ル１０を形成
し、複数の配線２を電気的に分離する。また、フィルム
キャリアテ−プ１上に半導体チップ４を搭載する。半導
体チップ４の複数のバンプ５は、複数の配線２に接続さ
れる。この後、パッド８にテスタの端子が当てられ、各
半導体チップ４のテストが行われる。
【００４０】次に、図１１及び図１２に示すように、帯
状のフィルムキャリアテ−プ１から複数の半導体装置が
切り出される。ここで、各半導体装置において、フィル
ムキャリアテ−プ１は、半導体チップ４よりも一回り大
きくなるようにカッテングされる。
状のフィルムキャリアテ−プ１から複数の半導体装置が
切り出される。ここで、各半導体装置において、フィル
ムキャリアテ−プ１は、半導体チップ４よりも一回り大
きくなるようにカッテングされる。
【００４１】次に、図１３に示すように、所定の金型を
用意する。この金型は、フィルムキャリアテ−プ１の一
方側の主面の半導体チップ４のみを樹脂により封止する
のに適した形状を有している。
用意する。この金型は、フィルムキャリアテ−プ１の一
方側の主面の半導体チップ４のみを樹脂により封止する
のに適した形状を有している。
【００４２】例えば、下型３１は、樹脂が充填されるキ
ャビティ３３と、樹脂をキャビティ３３に導くランナ３
５と、キャビティ３３とランナ３５を結ぶゲ−ト３６と
を有している。また、上型３２は、１つの半導体装置の
フィルムキャリアテ−プ１がピッタリと納まる大きさを
有するキャビティ３４を有している。
ャビティ３３と、樹脂をキャビティ３３に導くランナ３
５と、キャビティ３３とランナ３５を結ぶゲ−ト３６と
を有している。また、上型３２は、１つの半導体装置の
フィルムキャリアテ−プ１がピッタリと納まる大きさを
有するキャビティ３４を有している。
【００４３】なお、下型３１のキャビティ３３は、フィ
ルムキャリアテ−プ１大きさよりも一回り小さく、か
つ、半導体チップ４の大きさよりも一回り大きく設定さ
れている。
ルムキャリアテ−プ１大きさよりも一回り小さく、か
つ、半導体チップ４の大きさよりも一回り大きく設定さ
れている。
【００４４】次に、図１４に示すように、下型のキャビ
ティ３３上に、半導体装置を配置する。この時、半導体
装置のフィルムキャリアテ−プ１の縁がキャビティ３３
の周囲の下型３１に引っ掛かるため、半導体チップ４の
表面とキャビティ３３の内面の間には、一定の幅ｔの隙
間ができる。
ティ３３上に、半導体装置を配置する。この時、半導体
装置のフィルムキャリアテ−プ１の縁がキャビティ３３
の周囲の下型３１に引っ掛かるため、半導体チップ４の
表面とキャビティ３３の内面の間には、一定の幅ｔの隙
間ができる。
【００４５】また、上型３２を下型３１に結合させる
と、半導体装置のフィルムキャリアテ−プ１が上型３２
のキャビティ３４にピッタリと納まり、半導体装置が固
定されると共に半導体装置の位置が正確に決定される。
と、半導体装置のフィルムキャリアテ−プ１が上型３２
のキャビティ３４にピッタリと納まり、半導体装置が固
定されると共に半導体装置の位置が正確に決定される。
【００４６】次に、図１５に示すように、樹脂６をキャ
ビティに導くと、フィルムキャリアテ−プ１の一方側の
主面の半導体チップ４のみが樹脂６に覆われた半導体装
置が完成する。
ビティに導くと、フィルムキャリアテ−プ１の一方側の
主面の半導体チップ４のみが樹脂６に覆われた半導体装
置が完成する。
【００４７】この時、フィルムキャリアテ−プ１は、キ
ャビティ３４にピッタリと納まり、フィルムキャリアテ
−プ１の縁が下型３１と上型３２に完全に挟み込まれて
いるため、リ−ドフレ−ムを用いる半導体装置に発生す
るような樹脂６のバリやボイドがフィルムキャリアテ−
プ１の縁部に発生することがない。
ャビティ３４にピッタリと納まり、フィルムキャリアテ
−プ１の縁が下型３１と上型３２に完全に挟み込まれて
いるため、リ−ドフレ−ムを用いる半導体装置に発生す
るような樹脂６のバリやボイドがフィルムキャリアテ−
プ１の縁部に発生することがない。
【００４８】次に、図１６に示すように、フィルムキャ
リアテ−プ１の他方側の主面の行列状の電極に半田ボ−
ル７を結合させると、簡易な構成のＢＧＡパッケ−ジが
完成する。
リアテ−プ１の他方側の主面の行列状の電極に半田ボ−
ル７を結合させると、簡易な構成のＢＧＡパッケ−ジが
完成する。
【００４９】なお、図１７に示すように、樹脂封止後の
所定時において、フィルムキャリアテ−プ１の輪郭を樹
脂６の輪郭と同じにするため、フィルムキャリアテ−プ
１の縁を切り取るようにしてもよい。
所定時において、フィルムキャリアテ−プ１の輪郭を樹
脂６の輪郭と同じにするため、フィルムキャリアテ−プ
１の縁を切り取るようにしてもよい。
【００５０】上記製造方法によれば、フィルムキャリア
テ−プの一方側の主面の半導体チップのみを樹脂により
封止できるため、チップスケ−ルの超小型の半導体装置
を提供することができる。また、半導体装置のフィルム
キャリアテ−プがキャビティにピッタリと納まるため、
半導体装置の位置決めが容易となる。さらに、半導体装
置のフィルムキャリアテ−プの縁を下型と上型で挟み込
んでいるため、樹脂封止時に半導体装置を固定すること
が可能であり、樹脂のバリやボイドが発生することがな
い。
テ−プの一方側の主面の半導体チップのみを樹脂により
封止できるため、チップスケ−ルの超小型の半導体装置
を提供することができる。また、半導体装置のフィルム
キャリアテ−プがキャビティにピッタリと納まるため、
半導体装置の位置決めが容易となる。さらに、半導体装
置のフィルムキャリアテ−プの縁を下型と上型で挟み込
んでいるため、樹脂封止時に半導体装置を固定すること
が可能であり、樹脂のバリやボイドが発生することがな
い。
【００５１】次に、本発明の第２の実施の形態に関わる
半導体装置の製造方法について説明する。まず、帯状の
フィルムキャリアテ−プから複数の半導体チップを切り
出すまでを、上述の第１の実施の形態に関わる製造方法
と同様の方法により実施する。
半導体装置の製造方法について説明する。まず、帯状の
フィルムキャリアテ−プから複数の半導体チップを切り
出すまでを、上述の第１の実施の形態に関わる製造方法
と同様の方法により実施する。
【００５２】次に、図１８に示すように、所定の金型を
用意する。この金型は、フィルムキャリアテ−プ１の一
方側の主面の半導体チップ４のみを樹脂により封止する
のに適した形状を有している。
用意する。この金型は、フィルムキャリアテ−プ１の一
方側の主面の半導体チップ４のみを樹脂により封止する
のに適した形状を有している。
【００５３】例えば、下型３１は、樹脂が充填されるキ
ャビティ３３と、樹脂をキャビティ３３に導くランナ３
５と、キャビティ３３とランナ３５を結ぶゲ−ト３６と
を有している。また、上型３２は、１つの半導体装置の
フィルムキャリアテ−プ１がピッタリと納まる大きさを
有するキャビティ３４を有している。
ャビティ３３と、樹脂をキャビティ３３に導くランナ３
５と、キャビティ３３とランナ３５を結ぶゲ−ト３６と
を有している。また、上型３２は、１つの半導体装置の
フィルムキャリアテ−プ１がピッタリと納まる大きさを
有するキャビティ３４を有している。
【００５４】なお、下型３１のキャビティ３３は、フィ
ルムキャリアテ−プ１の大きさと同じ大きさ、即ち上型
３２のキャビティ３４の大きさと同じに形成される。但
し、キャビティ３３の内面の一部には、複数の突出部３
７が形成されている。これら複数の突出部３７は、少な
くともキャビティ３３の互いに対向する２つの内面のそ
れぞれに形成される。
ルムキャリアテ−プ１の大きさと同じ大きさ、即ち上型
３２のキャビティ３４の大きさと同じに形成される。但
し、キャビティ３３の内面の一部には、複数の突出部３
７が形成されている。これら複数の突出部３７は、少な
くともキャビティ３３の互いに対向する２つの内面のそ
れぞれに形成される。
【００５５】次に、図１９及び図２０に示すように、下
型のキャビティ３３上に、半導体装置を配置する。この
時、半導体装置のフィルムキャリアテ−プ１の縁がキャ
ビティ３３の内面の一部に設けられた複数の突出部３７
に引っ掛かるため、半導体チップ４の表面とキャビティ
３３の内面の間には、一定の幅ｔ１，ｔ２（例えば、ｔ
１＝ｔ２）の隙間ができる。
型のキャビティ３３上に、半導体装置を配置する。この
時、半導体装置のフィルムキャリアテ−プ１の縁がキャ
ビティ３３の内面の一部に設けられた複数の突出部３７
に引っ掛かるため、半導体チップ４の表面とキャビティ
３３の内面の間には、一定の幅ｔ１，ｔ２（例えば、ｔ
１＝ｔ２）の隙間ができる。
【００５６】また、上型３２を下型３１に結合させる
と、半導体装置のフィルムキャリアテ−プ１が上型３２
のキャビティ３４にピッタリと納まり、半導体装置が固
定されると共に半導体装置の位置が正確に決定される。
と、半導体装置のフィルムキャリアテ−プ１が上型３２
のキャビティ３４にピッタリと納まり、半導体装置が固
定されると共に半導体装置の位置が正確に決定される。
【００５７】次に、図２１に示すように、樹脂６をキャ
ビティに導くと、フィルムキャリアテ−プ１の一方側の
主面の半導体チップ４のみが樹脂６に覆われた半導体装
置が完成する。
ビティに導くと、フィルムキャリアテ−プ１の一方側の
主面の半導体チップ４のみが樹脂６に覆われた半導体装
置が完成する。
【００５８】この時、フィルムキャリアテ−プ１は、キ
ャビティ３４にピッタリと納まり、フィルムキャリアテ
−プ１の縁が下型３１と上型３２に完全に挟み込まれて
いるため、リ−ドフレ−ムを用いる半導体装置に発生す
るような樹脂６のバリやボイドがフィルムキャリアテ−
プ１の縁部に発生することがない。
ャビティ３４にピッタリと納まり、フィルムキャリアテ
−プ１の縁が下型３１と上型３２に完全に挟み込まれて
いるため、リ−ドフレ−ムを用いる半導体装置に発生す
るような樹脂６のバリやボイドがフィルムキャリアテ−
プ１の縁部に発生することがない。
【００５９】なお、樹脂６の一部には、キャビティ３３
の突起部３７のために、凹部３８が形成される。次に、
図２２に示すように、フィルムキャリアテ−プ１の他方
側の主面の行列状の電極に半田ボ−ル７を結合させる
と、簡易な構成のＢＧＡパッケ−ジが完成する。
の突起部３７のために、凹部３８が形成される。次に、
図２２に示すように、フィルムキャリアテ−プ１の他方
側の主面の行列状の電極に半田ボ−ル７を結合させる
と、簡易な構成のＢＧＡパッケ−ジが完成する。
【００６０】上記製造方法によれば、フィルムキャリア
テ−プの一方側の主面の半導体チップのみを樹脂により
封止できるため、チップスケ−ルの超小型の半導体装置
を提供することができる。また、半導体装置のフィルム
キャリアテ−プがキャビティにピッタリと納まるため、
半導体装置の位置決めが容易となる。さらに、半導体装
置のフィルムキャリアテ−プの縁を下型と上型で挟み込
んでいるため、樹脂封止時に半導体装置を固定すること
が可能であり、樹脂のバリやボイドが発生することがな
い。また、フィルムキャイアテ−プの輪郭と樹脂６の輪
郭（凹部３８を除く）が同じであるため、強固で、見栄
えのよい半導体装置を提供することができる。
テ−プの一方側の主面の半導体チップのみを樹脂により
封止できるため、チップスケ−ルの超小型の半導体装置
を提供することができる。また、半導体装置のフィルム
キャリアテ−プがキャビティにピッタリと納まるため、
半導体装置の位置決めが容易となる。さらに、半導体装
置のフィルムキャリアテ−プの縁を下型と上型で挟み込
んでいるため、樹脂封止時に半導体装置を固定すること
が可能であり、樹脂のバリやボイドが発生することがな
い。また、フィルムキャイアテ−プの輪郭と樹脂６の輪
郭（凹部３８を除く）が同じであるため、強固で、見栄
えのよい半導体装置を提供することができる。
【００６１】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の半導体
装置及びその製造方法によれば、次のような効果を奏す
る。フィルムキャリアテ−プの一方側の主面に半導体チ
ップを搭載し、フィルムキャリアテ−プの他方側の主面
に複数の電極を形成している。また、フィルムキャリア
テ−プは、半導体チップよりも大きく、半導体チップ
は、樹脂により覆われている。従って、簡易な構成であ
るにも拘らず、強固で、見栄えのよい半導体装置を提供
することができる。
装置及びその製造方法によれば、次のような効果を奏す
る。フィルムキャリアテ−プの一方側の主面に半導体チ
ップを搭載し、フィルムキャリアテ−プの他方側の主面
に複数の電極を形成している。また、フィルムキャリア
テ−プは、半導体チップよりも大きく、半導体チップ
は、樹脂により覆われている。従って、簡易な構成であ
るにも拘らず、強固で、見栄えのよい半導体装置を提供
することができる。
【００６２】また、フィルムキャリアテ−プの一方側の
主面の半導体チップのみを樹脂により封止できるため、
チップスケ−ルの超小型の半導体装置を提供することが
できる。また、半導体装置のフィルムキャリアテ−プが
キャビティにピッタリと納まるため、半導体装置の位置
決めが容易となる。さらに、半導体装置のフィルムキャ
リアテ−プの縁を下型と上型で挟み込んでいるため、樹
脂封止時に半導体装置を固定することが可能であり、樹
脂のバリやボイドが発生することがない。
主面の半導体チップのみを樹脂により封止できるため、
チップスケ−ルの超小型の半導体装置を提供することが
できる。また、半導体装置のフィルムキャリアテ−プが
キャビティにピッタリと納まるため、半導体装置の位置
決めが容易となる。さらに、半導体装置のフィルムキャ
リアテ−プの縁を下型と上型で挟み込んでいるため、樹
脂封止時に半導体装置を固定することが可能であり、樹
脂のバリやボイドが発生することがない。
【図１】本発明の第１の実施の形態に関わる半導体装置
を示す断面図。
を示す断面図。
【図２】図１の半導体装置を上面から見た上面図。
【図３】図１の半導体装置を下面から見た下面図。
【図４】本発明の第２の実施の形態に関わる半導体装置
を示す断面図。
を示す断面図。
【図５】図４の半導体装置を上面から見た上面図。
【図６】図４の半導体装置を下面から見た下面図。
【図７】本発明の第１の実施の形態に関わる製造方法の
一工程を示す平面図。
一工程を示す平面図。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図。
【図９】本発明の第１の実施の形態に関わる製造方法の
一工程を示す平面図。
一工程を示す平面図。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に沿う断面図。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に関わる製造方法
の一工程を示す平面図。
の一工程を示す平面図。
【図１２】図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に関わる製造方法
の一工程を示す斜視図。
の一工程を示す斜視図。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に関わる製造方法
の一工程を示す断面図。
の一工程を示す断面図。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に関わる製造方法
の一工程を示す断面図。
の一工程を示す断面図。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に関わる製造方法
の一工程を示す断面図。
の一工程を示す断面図。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に関わる製造方法
の一工程を示す断面図。
の一工程を示す断面図。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に関わる製造方法
の一工程を示す斜視図。
の一工程を示す斜視図。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に関わる製造方法
の一工程を示す断面図。
の一工程を示す断面図。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に関わる製造方法
の一工程を示す断面図。
の一工程を示す断面図。
【図２１】本発明の第２の実施の形態に関わる製造方法
の一工程を示す斜視図。
の一工程を示す斜視図。
【図２２】本発明の第２の実施の形態に関わる製造方法
の一工程を示す斜視図。
の一工程を示す斜視図。
【図２３】従来の半導体装置を示す断面図。
【図２４】従来の半導体装置を示す断面図。
１，２４ ：フィルムキャリアテ−プ、 ２ ：配線、 ３ ：バイアホ−ル、 ４，１４，２１ ：半導体チップ、 ５，１５，２３ ：バンプ、 ６，１６，２８ ：樹脂、 ７ ：半田ボ−ル、 ８ ：テスト用パッド、 ９ ：スプロケットホ−ル、 １０ ：ホ−ル、 １１ ：セラミック基板、 １２，１３，２６ ：電極、 ２２ ：樹脂枠、 ２５ ：リ−ド、 ２７ ：樹脂シ−ト、 ３１ ：下型、 ３２ ：上型、 ３３，３４ ：キャビティ、 ３５ ：ランナ、 ３６ ：ゲ−ト、 ３７ ：突出部、 ３８ ：凹部。
Claims (13)
- 【請求項１】 複数のバイアホ−ルを有するフィルムキ
ャリアテ−プと、前記フィルムキャリアテ−プの一方側
の主面に形成され、前記複数のバイアホ−ルを介して前
記フィルムキャリアテ−プの他方側の主面に複数の電極
を形成する複数の配線と、前記フィルムキャリアテ−プ
の一方側の主面に搭載され、前記フィルムキャリアテ−
プ上から見た場合に前記フィルムキャリアテ−プよりも
小さく、前記複数の配線に接続される半導体チップと、
前記フィルムキャリアテ−プの一方側の主面にのみ形成
され、前記半導体チップを覆う樹脂とを具備することを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記フィルムキャリアテ−プ上から見た
場合に、前記樹脂の輪郭は、前記フィルムキャリアテ−
プの輪郭の内側に存在していることを特徴とする請求項
１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記フィルムキャリアテ−プ上から見た
場合に、前記樹脂の輪郭は、前記フィルムキャリアテ−
プの輪郭に一致していることを特徴とする請求項１に記
載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記フィルムキャリアテ−プ上から見た
場合に、前記樹脂は、凹部を有し、かつ、前記樹脂の輪
郭は、前記凹部を除いて前記フィルムキャリアテ−プの
輪郭に一致していることを特徴とする請求項１に記載の
半導体装置。 - 【請求項５】 前記半導体チップの表面上の前記樹脂の
厚さは、均一であることを特徴とする請求項１に記載の
半導体装置。 - 【請求項６】 前記複数の電極の各々に接続される半田
ボ−ルを具備することを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置。 - 【請求項７】 複数のバイアホ−ルを有する帯状のフィ
ルムキャリアテ−プの一方側の主面に複数の配線を形成
すると共に前記フィルムキャリアテ−プの他方側の主面
に前記複数のバイアホ−ルを介して前記複数の配線に接
続される複数の電極を形成する工程と、 前記フィルムキャリアテ−プの一方側の主面に前記複数
の配線に接続される半導体チップを搭載する工程と、 前記フィルムキャリアテ−プ上から見た場合に前記フィ
ルムキャリアテ−プの輪郭が前記半導体チップの輪郭よ
りも大きくなるように、前記半導体チップの周囲のフィ
ルムキャリアテ−プを切り抜く工程と、 前記フィルムキャリアテ−プの大きさと同じ大きさの第
１のキャビティを有する第１の型と前記フィルムキャリ
アテ−プの大きさよりも小さく前記半導体チップよりも
大きい第２のキャビティを有する第２の型で前記フィル
ムキャリアテ−プを挟み込み、前記第１のキャビティ内
に前記フィルムキャリアテ−プを配置し、前記第２のキ
ャビティ内に前記半導体チップを配置する工程と、 前記第２のキャビティ内にのみ樹脂を充填する工程とを
具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記フィルムキャリアテ−プの縁部は、
前記第２のキャビティの周囲において前記第１の型と前
記第２の型により固定されていることを特徴とする請求
項７に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記フィルムキャリアテ−プ上から見た
場合に、前記樹脂の輪郭が前記フィルムキャリアテ−プ
の輪郭に一致するように、前記フィルムキャリアテ−プ
の縁部を切り取る工程を具備することを特徴とする請求
項７に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記複数の電極の各々に半田ボ−ルを
接続する工程を具備することを特徴とする請求項７に記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 複数のバイアホ−ルを有する帯状のフ
ィルムキャリアテ−プの一方側の主面に複数の配線を形
成すると共に前記フィルムキャリアテ−プの他方側の主
面に前記複数のバイアホ−ルを介して前記複数の配線に
接続される複数の電極を形成する工程と、 前記フィルムキャリアテ−プの一方側の主面に前記複数
の配線に接続される半導体チップを搭載する工程と、 前記フィルムキャリアテ−プ上から見た場合に前記フィ
ルムキャリアテ−プの輪郭が前記半導体チップの輪郭よ
りも大きくなるように、前記半導体チップの周囲のフィ
ルムキャリアテ−プを切り抜く工程と、 前記フィルムキャリアテ−プの大きさと同じ大きさの第
１のキャビティを有する第１の型と前記フィルムキャリ
アテ−プの大きさと同じ大きさで所定の位置に突出部を
有する第２のキャビティを有する第２の型で前記フィル
ムキャリアテ−プを挟み込み、前記第１のキャビティ内
に前記フィルムキャリアテ−プを配置し、前記第２のキ
ャビティ内に前記半導体チップを配置する工程と、 前記第２のキャビティ内にのみ樹脂を充填する工程とを
具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記フィルムキャリアテ−プの縁部
は、前記突出部において前記第１の型と前記第２の型に
より固定されていることを特徴とする請求項１０に記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記複数の電極の各々に半田ボ−ルを
接続する工程を具備することを特徴とする請求項１０に
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7270028A JPH09115964A (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7270028A JPH09115964A (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115964A true JPH09115964A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17480534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7270028A Pending JPH09115964A (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09115964A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0971406A2 (en) * | 1998-07-06 | 2000-01-12 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Chip-sized semiconductor device |
-
1995
- 1995-10-18 JP JP7270028A patent/JPH09115964A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0971406A2 (en) * | 1998-07-06 | 2000-01-12 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Chip-sized semiconductor device |
| EP0971406A3 (en) * | 1998-07-06 | 2001-03-07 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Chip-sized semiconductor device |
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