JPH09115838A - Film forming system - Google Patents

Film forming system

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JPH09115838A
JPH09115838A JP26977295A JP26977295A JPH09115838A JP H09115838 A JPH09115838 A JP H09115838A JP 26977295 A JP26977295 A JP 26977295A JP 26977295 A JP26977295 A JP 26977295A JP H09115838 A JPH09115838 A JP H09115838A
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wafer
film forming
semiconductor wafer
film
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Pending
Application number
JP26977295A
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Japanese (ja)
Inventor
Tomoji Niina
Masashi Otsuka
正志 大塚
朋次 新名
Original Assignee
Hitachi Ltd
株式会社日立製作所
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate stand by time in forming thin film with a simple structure and at low cost.
SOLUTION: When the film forming of approximately 180 seconds of a wafer W, that is held by a wafer supporting part 3b, is started, another wafer W held by the wafer holding part 3a, of which film forming is just finished, is mounted on an elevator 7, the elevator 7 is lower to a predetermined position and the semiconductor wafer W is cooled for 30 seconds preliminarily. Then the treated semiconductor wafer W is stored and a new semiconductor wafer W, that is before the treatment, is mounted on the elevator 7, the elevator 7 is raised to a position at a predetermined distance from the wafer holding part 3a and the preheating of the wafer W of a approximately 30 seconds is started. By performing the upper stated operation continuously, the treatment of the semiconductor wafers W is proceeded continuously without stand by time.
COPYRIGHT: (C)1997,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、成膜装置に関し、 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a film-forming apparatus,
特に、常圧CVD装置における待機時間の縮小化に適用して有効な技術に関するものである。 In particular, it relates to a technology effectively applied to reduction of the waiting time in the atmospheric pressure CVD apparatus.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体集積回路装置の製造において、半導体ウエハに導電膜あるいは抵抗膜などの各種薄膜を形成する成膜装置の一例としては、半導体ウエハを配置した大気圧となっている反応室内に反応ガスを導入し、化学的に所望の薄膜を堆積させる常圧CVD(Chemi In the manufacture of semiconductor integrated circuit device, as an example of a film forming apparatus for forming various thin films such as conductive or resistive film on a semiconductor wafer, a reaction chamber that is the atmospheric pressure by placing the semiconductor wafer the reaction gas was introduced, chemically atmospheric pressure CVD to deposit the desired thin film (Chemi
cal Vapor Deposition)装置が広く知られている。 cal Vapor Deposition) apparatus is widely known.

【0003】本発明者が検討したところによれば、この常圧CVD装置は、反応室内において、半導体ウエハを加熱するヒータが内蔵されたウエハ保持部により半導体ウエハの表面が下向きに保持された半導体ウエハに反応ガスを吹き付けるガスヘッドを近接させて一定時間反応ガスを吹き付けることによって所望の薄膜を堆積させている。 [0003] According to the present inventors have studied, the atmospheric pressure CVD apparatus, in a reaction chamber, the semiconductor surface of the semiconductor wafer is held down by the wafer holding unit heater built therein for heating the semiconductor wafer wafer blow reaction gas is brought close to the gas head and depositing a desired thin film by spraying a certain time reaction gas.

【0004】なお、この種の成膜装置について詳しく述べてある例としては、株式会社工業調査会、1994年11月25日発行、大島雅志(編)「超LSI製造・試験装置ガイドブック<1995年版>」P44〜P47 [0004] It should be noted, as an example that is described in detail about this kind of a film-forming apparatus, Co., Ltd. Industry Committee, issued Nov. 25, 1994, Masashi Oshima (ed.) "Ultra LSI manufacturing and test equipment guide book <1995 year version> "P44~P47
があり、この文献には、常圧CVD装置などのCVD技術の現状および動向などが記載されている。 There are, in the literature, such as current and trend of CVD techniques such as atmospheric pressure CVD apparatus is described.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のようなCVD装置における成膜技術では、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in the film deposition techniques in CVD device as described above, that there are the following problems have been found by the present inventors.

【0006】すなわち、ヒータにより加熱されたウエハ支持部により半導体ウエハを保持あるいはウエハ支持部から半導体ウエハを取り外すには、急激な温度変化による半導体ウエハのそりや割れなどを防止するために、ウエハ支持部と半導体ウエハとを所定の間隔に保ち、一定時間加熱する待機時間が必要となってしまう。 Namely, To remove the semiconductor wafer of the semiconductor wafer from the holding or wafer support unit by the wafer supporting section which is heated by the heater, etc. to prevent warping and cracking of the semiconductor wafer due to rapid temperature change, the wafer support maintaining the parts and semiconductor wafer to a predetermined distance, it becomes necessary wait time to heat a certain time.

【0007】よって、その待機時間においては、成膜処理を行うことができず、CVD装置の処理能力の低下が問題となる。 [0007] Therefore, in the waiting time can not be performed a film forming process, reduction in the processing capacity of the CVD apparatus is a problem.

【0008】また、処理能力を向上させるために複数のガスヘッドを設けた常圧CVD装置もあるが、この場合、装置それ自体のコストが大きくなってしまい、構造も複雑となってしまう。 Further, there is a normal pressure CVD device provided with a plurality of gas heads in order to improve the processing capability, in this case, becomes large cost of the apparatus itself, the structure also becomes complicated.

【0009】本発明の目的は、簡単な構造で低コストによって成膜時における待機時間を不要とすることのできる成膜装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a film forming apparatus which can eliminate the need for waiting time in the film formation time of the low cost with a simple structure.

【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0011】 [0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、 Among the inventions disclosed in the present application Means for Solving the Problems] To briefly explain the summary of typical,
以下のとおりである。 It is as follows.

【0012】すなわち、本発明の成膜装置は、薄膜を形成させる成膜室である反応室に、成膜の原料となる反応ガスの供給を行う1つのガス供給手段に対して、被処理物の保持ならびに加熱を行う2つ以上の処理物保持手段よりなる処理物保持機構を設け、2つ以上の処理物保持手段の内、成膜が行われる被処理物を保持した処理物保持手段がガス供給手段と対向すると、その他の少なくともいずれか1つの処理物保持手段が被処理物を載置する載置手段に対向する構造よりなるものである。 Namely, the film formation apparatus of the present invention, the reaction chamber is a deposition chamber to form a thin film, with respect to one gas supply means for supplying a reaction gas as a film-forming raw material, the object to be processed the treated product holding mechanism consisting of two or more of the workpiece holding means for holding and heating the disposed, the two or more processing object holding means, the processing object holding means holding the object to be processed which deposition is performed When facing the gas supply means, but other at least either one of the workpiece holding means is formed of the structure opposite the mounting means for mounting an object to be processed.

【0013】また、本発明の成膜装置は、前記処理物保持機構が、被処理物に薄膜を形成させる反応室に設けられた回動自在な回転軸と、該回転軸の中心から外周部に延在して設けられた2つ以上の処理物保持手段とよりなるものである。 Further, the film formation apparatus of the present invention, the processed product holding mechanism, and rotatable rotary shaft provided in the reaction chamber to form a thin film on the object to be processed, the outer peripheral portion from the center of the rotary shaft in which more is two or more processing object holding means provided to extend in.

【0014】さらに、本発明の成膜装置は、処理物保持機構を設けた反応室の圧力が、大気圧となっているものである。 Furthermore, film formation apparatus of the present invention, the pressure of the reaction chamber in which a processing object holding mechanism is one that is the atmospheric pressure.

【0015】 [0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be described in detail with reference to embodiments of the present invention with reference to the drawings.

【0016】図1は、本発明の一実施の形態によるCV [0016] Figure 1, CV according to an embodiment of the present invention
D装置の要部説明図である。 It illustrates the main part of D device.

【0017】本実施の形態において、CVD装置(成膜装置)1は、所定の位置に薄膜を形成させる、たとえば、アルミニウムから形成された反応室2が設けられており、この反応室2の上部には、薄膜の形成が行われる半導体ウエハ(被処理物)Wの処理ならびに搬送などを行うウエハ保持機構(処理物保持機構)3が設けられている。 [0017] In this embodiment, CVD apparatus (deposition apparatus) 1 to form a thin film in a predetermined position, for example, a reaction chamber 2 formed of aluminum is provided, the upper portion of the reaction chamber 2 the formation of the thin film semiconductor wafer (object to be processed) W processing and wafer holding mechanism for such transport (processing object holding mechanism) 3 is provided to be performed.

【0018】また、本実施の形態において、このCVD Further, in the present embodiment, the CVD
装置は、反応室2内が大気圧となっている常圧のCVD Apparatus, CVD at atmospheric pressure of the reaction chamber 2 becomes the atmospheric pressure
装置とする。 Apparatus to be.

【0019】さらに、ウエハ保持機構3には、2個の半導体ウエハWを保持するウエハ保持部(処理物保持手段)3a,3bが回転軸3cを中心から周辺部に延在して左右に設けられており、この回転軸3cは、モータなどの駆動部に接続され、回転可能となっている。 Furthermore, the wafer holding mechanism 3, a wafer holder for holding the two semiconductor wafers W (processing object holding means) 3a, 3b are provided on the left and right extending from the center to the periphery of the rotary shaft 3c It is and, the rotary shaft 3c is connected to a drive unit such as a motor, is rotatable.

【0020】また、ウエハ保持部3a,3bには、半導体ウエハWを加熱するヒータ4および半導体ウエハWを真空チャックにより吸着保持するための真空配管5が内設されている。 Further, the wafer holding portion 3a, the 3b, the vacuum pipe 5 for holding suction disposed therein by the vacuum chuck heater 4 and the semiconductor wafer W to heat the semiconductor wafer W.

【0021】さらに、ウエハ保持部3a,3bにおける半導体ウエハWと接触する接触面には、ヒータ4が半導体ウエハWと直接接触するのを防止するために、たとえば、SiC(炭化シリコン)などからなるサセプタ6が設けられている。 Furthermore, the contact surface that contacts the wafer holder 3a, the semiconductor wafer W in 3b, in order to prevent contact heater 4 directly with the semiconductor wafer W, for example, made of SiC (silicon carbide) the susceptor 6 is provided.

【0022】そして、反応室2の下部には、半導体ウエハWを載置するエレベータ部(載置手段)7が設けられており、このエレベータ部7もモータなどの駆動部に接続され、上下に移動可能となっている。 [0022] Then, in the lower portion of the reaction chamber 2, an elevator unit for placing the semiconductor wafer W is (mounting means) 7 is provided, the elevator unit 7 is also connected to a drive unit such as a motor, upper and lower so as to be movable.

【0023】また、エレベータ部7には、所定の位置に半導体ウエハWの裏面と接触する、たとえば、石英からなる支持部7aが設けられており、半導体ウエハWが載置される場合、この支持部7aだけが半導体ウエハWの裏面と接触することになる。 Further, when the elevator unit 7 is in contact with the back surface of the semiconductor wafer W to a predetermined position, for example, the support portion 7a of quartz is provided, the semiconductor wafer W is placed, the support only part 7a is brought into contact with the back surface of the semiconductor wafer W.

【0024】さらに、反応室2の下部には、半導体ウエハWに薄膜を形成するための反応ガスを供給するディスパージョンヘッド(ガス供給手段)8が設けられ、このディスパージョンヘッド8の内部には、たとえば、アルミニウムからなる板状の分散板8aが所定の数だけディスパージョンヘッド8の幅方向に連設されている。 Furthermore, in the lower portion of the reaction chamber 2, dispersion head (gas supply means) 8 for supplying a reaction gas for forming a thin film provided on the semiconductor the wafer W, in the interior of the dispersion head 8 , for example, plate-shaped distribution plate 8a made of aluminum is formed continuously in the width direction of the dispersion head 8 by a predetermined number.

【0025】また、ディスパージョンヘッド8には、T [0025] In addition, the dispersion head 8, T
EOS(有機オキシシラン)などの原料ならびにキャリアガスが導入されるガス配管8bが設けられている。 Gas pipe 8b is provided with a raw material and a carrier gas, such as EOS (organic oxysilane) is introduced.

【0026】そして、これらエレベータ部7およびディスパージョンヘッド8は、それぞれウエハ保持部3a, [0026] Then, these elevators unit 7 and the dispersion head 8 are each wafer holder 3a,
3bと対向する位置に設けられている。 It is provided in 3b facing position.

【0027】また、前述した駆動部、ディスパージョンヘッド8に導入される反応ガスの供給、真空チャック機構ならびに薄膜形成における制御などはCVD装置1に設けられたCVD装置1の全ての制御を司る制御部(図示せず)によって制御されている。 [0027] The drive unit described above, supply of the reactive gas introduced into the dispersion head 8, control which governs all the control of the CVD apparatus 1 provided such control in a vacuum chuck mechanism as well as the thin film formed in the CVD apparatus 1 It is controlled by the unit (not shown).

【0028】次に、本実施の形態の作用について説明する。 The following is a description of the operation of this embodiment.

【0029】まず、反応室2の近傍に設けられている処理前の半導体ウエハWを格納したウエハカセット(図示せず)から処理を行う半導体ウエハWを搬送系(図示せず)によりエレベータ部7上に載置する。 Firstly, the elevator unit 7 by the reaction chamber 2 wafer cassette for storing a semiconductor wafer W before processing is provided in the vicinity of the transfer of the semiconductor wafer W to perform processing (not shown) system (not shown) It is mounted on the top.

【0030】そして、予めヒータ4により300〜40 [0030] Then, the pre-heater 4 300-40
0℃程度に加熱されたウエハ支持部3aにエレベータ部7を所定の位置まで駆動部によって上昇させ、その位置で所定時間、たとえば、30秒程度の予備加熱を行い、 The wafer support portion 3a which is heated to about 0 ℃ raised by the drive unit to the elevator unit 7 to a predetermined position, a predetermined time at that position, e.g., subjected to preliminary heating at about 30 seconds,
その後、エレベータ部7を上昇させ、ウエハ保持部3a Then, raise the elevator unit 7, the wafer holder 3a
の真空配管を真空引きすることによって半導体ウエハW Semiconductor wafer W of the vacuum pipe by drawing a vacuum
を真空吸着する。 The vacuum adsorption.

【0031】次に、ウエハ保持機構3は駆動部によって回転軸3cを中心に180度の回転を行い、ウエハ保持部3aをディスパージョンヘッド8の上方に位置させ、 Next, the wafer holding mechanism 3 performs rotation 180 degrees about the axis of rotation 3c by the drive unit, to position the wafer holder 3a above the dispersion head 8,
ガス配管8bから反応ガスを導入し、半導体ウエハWの処理が開始される。 Introducing a reactive gas from the gas pipe 8b, the processing of the semiconductor wafer W is started.

【0032】ウエハ保持部3aにおける半導体ウエハW The semiconductor wafer W in the wafer holding portion 3a
の処理が開始されると、搬送系はウエハカセットから処理を行う半導体ウエハWの搬送を行い、エレベータ部7 When the process of starts, transport system performs the transfer of the semiconductor wafer W to perform the processing from the wafer cassette elevator unit 7
上に半導体ウエハWを載置する。 Placing the semiconductor wafer W above.

【0033】ここで、ウエハ保持機構3は180度の回転が行われているので、エレベータ部7の上方には、予めヒータ4により300〜400℃程度に加熱されたウエハ支持部3bが位置していることになる。 [0033] Here, since the wafer holding mechanism 3 is performed rotation of 180 degrees, above the elevator unit 7, pre heater 4 by wafers supporting portion 3b is positioned heated to about 300 to 400 ° C. I would have.

【0034】そして、エレベータ部7を所定の位置まで駆動部によって上昇させ、たとえば、30秒程度の予備加熱を行い、その後、エレベータ部7を上昇させ、ウエハ保持部3bの真空配管5を真空引きすることによって半導体ウエハWを真空吸着する。 [0034] Then, raised by the drive unit to the elevator unit 7 to a predetermined position, for example, performs a pre-heating for about 30 seconds, after which the elevator unit 7 is raised, evacuated vacuum pipe 5 of the wafer holding portion 3b holding the semiconductor wafer W under vacuum by.

【0035】次に、ウエハ保持部3aに保持されている半導体ウエハWの処理が終了すると、ガス配管8bからの反応ガスの導入を中止させ、ウエハ保持機構3は、再び駆動部により180度の回転が行われる。 Next, the processing of the semiconductor wafer W held by the wafer holding portion 3a is completed, stops the introduction of the reactive gas from the gas pipe 8b, the wafer holding mechanism 3, the 180-degree by again driving unit rotation is performed.

【0036】そして、駆動部により180度の回転が行われたウエハ保持機構3のウエハ保持部3aは、駆動部によってウエハ保持部3aの直下近傍まで移動されたエレベータ部7上に真空配管5の真空引きを中止して処理した半導体ウエハWを離脱させて載置した後、所定の位置までエレベータ部7を降下させて所定の時間、たとえば、30秒程度の半導体ウエハの予備冷却を行う。 [0036] Then, the wafer holding portion 3a of the wafer holding mechanism 3 of 180-degree rotation is performed by the drive unit, the vacuum pipe 5 on the elevator unit 7 is moved to the vicinity immediately below the wafer holding portion 3a by the drive unit after placing by leaving the semiconductor wafer W treated by discontinued evacuation, by lowering the elevator unit 7 to a predetermined position a predetermined time, for example, a preliminary cooling of the semiconductor wafer of about 30 seconds.

【0037】また、この時、同時にガス配管8bから反応ガスの導入を開始し、ディスパージョンヘッド8の上方に位置するウエハ保持部3bに保持された半導体ウエハWを所定の時間、たとえば、180秒程度の処理を行う。 Further, at this time, at the same time to start the introduction of the reaction gas from the gas pipe 8b, wafer holder predetermined time semiconductor wafer W held by the 3b located above the dispersion head 8, for example, 180 seconds carry out the degree of processing.

【0038】次に、ウエハ保持部3bの保持されている半導体ウエハWの成膜処理中、ウエハ保持部3aに保持された半導体ウエハWの前述したように30秒程度の予備冷却が終了すると、エレベータ部7は所定の位置まで降下し、搬送系によって反応室2の近傍に設けられている処理後の半導体ウエハWを格納するウエハカセットに格納する。 Next, during the film forming process of the semiconductor wafer W held by the wafer holding portion 3b, the pre-cooling of the order of 30 seconds as described above of the semiconductor wafer W held by the wafer holding portion 3a is completed, elevator unit 7 is lowered to a predetermined position, stored in the wafer cassette for storing a semiconductor wafer W after the processing is provided in the vicinity of the reaction chamber 2 by the transport system.

【0039】その後、同様に、搬送系は、反応室2の近傍に設けられている処理前の半導体ウエハWを格納したウエハカセットから処理を行う半導体ウエハWを搬送しエレベータ部7上に載置を行い、30秒程度の予熱を開始する。 [0039] Thereafter, similarly, the transport system is mounted on the elevator unit 7 carries the semiconductor wafer W to perform the processing of semiconductor wafers W before processing is provided in the vicinity of the reaction chamber 2 from the wafer cassette for storing It was carried out, to start the pre-heating of about 30 seconds.

【0040】そして、上記の動作を連続的に行うことによって半導体ウエハWの処理が待機時間を不要として連続的に行われることとなる。 [0040] Then, so that the processing of the semiconductor wafer W by performing the above operation continuously are continuously carried out as unnecessary waiting time.

【0041】それにより、本実施の形態においては、ウエハ保持部3a,3bを設けたことによって半導体ウエハWの処理中に半導体ウエハWの余熱や冷却を行うことができるので、スループットを向上させることができる。 [0041] Thus, in this embodiment, the wafer holder 3a, since 3b can be performed residual heat or cool the semiconductor wafer W during processing of the semiconductor wafer W by the provided, to improve the throughput can.

【0042】また、ディスパージョンヘッド8やガス配管8bなどの増設が不要となり、簡単な装置構成によって低コストで処理能力を大きくすることができる。 Further, expansion of such dispersion head 8 and gas pipe 8b is not required, it is possible to increase the processing capability at a low cost by a simple apparatus configuration.

【0043】以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。 [0043] In the foregoing, the invention made by the inventors has been concretely described based on the embodiments of the invention, the present invention is not limited to the above embodiments, various ways without departing from the scope of the invention it is needless to say that the possible changes.

【0044】たとえば、前記実施の形態では、1つのディスパージョンヘッドに対して反応室内の設けられたウエハ支持部が2つであったが、これらウエハ支持部の数を3つ以上とすることによっても、良好にスループットを向上させることができる。 [0044] For example, in the embodiment described above, by the wafer support portions provided with the reaction chamber for one dispersion head is but was two, to the number of wafer support portion 3 or more also, it is possible to favorably improve throughput.

【0045】 [0045]

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、 Among the inventions disclosed in the present application, according to the present invention will be briefly described effects obtained by typical,
以下のとおりである。 It is as follows.

【0046】(1)本発明によれば、1つのガス供給手段に対して、2つ以上の処理物保持手段よりなる処理物保持機構を設けたことにより被処理物の待機時間が大幅に短縮することができる。 According to [0046] (1) The present invention, with respect to one gas supply means, the waiting time of the workpiece by providing the processing object holding mechanism consisting of two or more of the workpiece holding means is drastically reduced can do.

【0047】(2)また、本発明では、ガス供給手段などの増設が不要となるので、簡単で低コストの装置構成により処理能力を大きくすることができる。 Moreover (2), in the present invention, since the expansion of such a gas supply means is not required, it is possible to increase the processing power device structure of simple and inexpensive.

【0048】(3)さらに、本発明においては、上記(1),(2)により、半導体製造におけるスループットを向上させることができる。 [0048] (3) Further, in the present invention, the above (1), (2), it is possible to improve throughput in semiconductor manufacturing.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の一実施の形態によるCVD装置の要部説明図である。 1 is an explanatory view showing main components of a CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 CVD装置(成膜装置) 2 反応室 3 ウエハ保持機構(処理物保持機構) 3a ウエハ保持部(処理物保持手段) 3b ウエハ保持部(処理物保持手段) 3c 回転軸 4 ヒータ 5 真空配管 6 サセプタ 7 エレベータ部(載置手段) 7a 支持部 8 ディスパージョンヘッド(ガス供給手段) 8a 分散板 8b ガス配管 W 半導体ウエハ(被処理物) 1 CVD apparatus (film formation apparatus) 2 the reaction chamber 3 wafer holding mechanism (processing object holding mechanism) 3a wafer holder (processing object holding means) 3b wafer holder (processing object holding means) 3c rotary shaft 4 heater 5 vacuum pipe 6 the susceptor 7 elevator portion (mounting means) 7a support 8 dispersion head (gas supply means) 8a dispersion plate 8b gas pipe W semiconductor wafer (object to be processed)

フロントページの続き (51)Int.Cl. 6識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/31 H01L 21/31 B 21/68 21/68 P Front page continued (51) Int.Cl. 6 in identification symbol Agency Docket No. FI art display portion H01L 21/31 H01L 21/31 B 21/68 21/68 P

Claims (3)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 薄膜を形成させる成膜室である反応室に、成膜の原料となる反応ガスの供給を行う1つのガス供給手段に対して、被処理物の保持ならびに加熱を行う2つ以上の処理物保持手段よりなる処理物保持機構を設け、2つ以上の前記処理物保持手段の内、成膜が行われる被処理物を保持した前記処理物保持手段が前記ガス供給手段と対向すると、その他の少なくともいずれか1つの前記処理物保持手段が被処理物を載置する載置手段に対向する構造よりなることを特徴とする成膜装置。 To 1. A reaction chamber is a deposition chamber to form a thin film, with respect to one gas supply means for supplying a reaction gas as a film-forming raw material, two performing holding and heating of the workpiece provided a process object holding mechanism consisting of the above process holding means, of two or more of said processing object holding means, said processing object holding means said gas supply means and the counter for holding the object to be processed which deposition is performed Then, other film forming apparatus characterized in that at least one of said processing object holding means is formed of the structure opposite the mounting means for mounting an object to be processed.
  2. 【請求項2】 請求項1記載の成膜装置において、前記処理物保持機構が、被処理物に薄膜を形成させる反応室に設けられた回動自在な回転軸と、前記回転軸の中心から外周部に延在して設けられた2つ以上の前記処理物保持手段とよりなることを特徴とする成膜装置。 2. A film forming apparatus according to claim 1, wherein said processing object holding mechanism includes a rotatable rotation shaft provided in the reaction chamber to form a thin film on the object to be processed, from the center of the rotary shaft film forming apparatus according to claim more becomes possible two or more of said processing object holding means provided to extend in the outer peripheral portion.
  3. 【請求項3】 請求項2記載の成膜装置において、前記処理物保持機構を設けた前記反応室の圧力が、大気圧となっていることを特徴とする成膜装置。 3. A film forming apparatus according to claim 2, wherein the pressure of the reaction chamber provided with said processing object holding mechanism, film forming apparatus characterized in that it is an atmospheric pressure.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007005532A (en) * 2005-06-23 2007-01-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Susceptor for use in heat treatment, and heat treatment apparatus

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