JPH07142408A - Substrate processing system - Google Patents
Substrate processing systemInfo
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- JPH07142408A JPH07142408A JP30738093A JP30738093A JPH07142408A JP H07142408 A JPH07142408 A JP H07142408A JP 30738093 A JP30738093 A JP 30738093A JP 30738093 A JP30738093 A JP 30738093A JP H07142408 A JPH07142408 A JP H07142408A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、例えば液晶ディスプ
レイの薄膜トランジスタ形成等に用いられるものであっ
て、複数の処理室を有し、基板に対して例えばＣＶＤ
（化学的成膜）、ＰＶＤ（物理的成膜）、エッチング等
の複数の処理を施すことのできる、いわゆるマルチプロ
セス装置と呼ばれる基板処理装置に関し、より具体的に
は、同装置内における搬送途中での基板の急冷を防ぐ手
段の改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used, for example, in forming a thin film transistor of a liquid crystal display, and has a plurality of processing chambers, and a substrate such as a CVD device.
The present invention relates to a so-called multi-process apparatus, which is capable of performing a plurality of processes such as (chemical film formation), PVD (physical film formation), and etching, and more specifically, during transportation in the device. The present invention relates to improvement of means for preventing rapid cooling of a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】この種の基板処理装置の従来例を図４に
示す。この基板処理装置は、大気中と真空中との間で基
板２の出し入れを行うための真空予備室６と、この真空
予備室６に弁１９を介して隣接されていて基板２の予備
加熱を行う予備加熱室８と、この予備加熱室８に弁２０
を介して隣接された真空搬送室１０と、それぞれがこの
真空搬送室１０に弁２１〜２３を介して隣接されていて
基板２の処理を行う複数の（この例では三つの）処理室
１２、１４および１６と、真空予備室６内に設けられて
いて大気中と予備加熱室８との間で基板２の搬送を行う
第１の基板搬送ロボット２６と、真空搬送室１０内に設
けられていて予備加熱室８と各処理室１２、１４、１６
との間および各処理室１２、１４、１６間で基板２の搬
送を行う第２の基板搬送ロボット３０とを備えている。2. Description of the Related Art A conventional example of this type of substrate processing apparatus is shown in FIG. This substrate processing apparatus is provided with a vacuum preliminary chamber 6 for loading and unloading the substrate 2 between the atmosphere and a vacuum, and is adjacent to the vacuum preliminary chamber 6 via a valve 19 to preheat the substrate 2. The preheating chamber 8 to be performed and a valve 20 for the preheating chamber 8
A plurality of (three in this example) processing chambers 12 that are adjacent to the vacuum transfer chamber 10 via the valves 21 to 23 and process the substrate 2; 14 and 16, a first substrate transfer robot 26 provided in the vacuum preliminary chamber 6 for carrying the substrate 2 between the atmosphere and the preheating chamber 8, and provided in the vacuum transfer chamber 10. Pre-heating chamber 8 and processing chambers 12, 14, 16
And a second substrate transfer robot 30 that transfers the substrate 2 between the processing chambers 12, 14, and 16.
【０００３】真空予備室６と大気中との間には弁１８が
設けられており、この例ではその外側に、複数枚の基板
２を収納可能なカセット４が設けられている。A valve 18 is provided between the vacuum preliminary chamber 6 and the atmosphere, and in this example, a cassette 4 capable of accommodating a plurality of substrates 2 is provided outside thereof.
【０００４】基板２は、例えば液晶ディスプレイ用の角
形のガラス基板であるが、それに限定されるものではな
い。The substrate 2 is, for example, a rectangular glass substrate for a liquid crystal display, but is not limited thereto.
【０００５】基板搬送ロボット２６と３０とは、この例
では互いに同じ構造であるので、後者を例に、図５およ
び図６を参照してその構造を説明すると、この基板搬送
ロボット３０は、軸３４を矢印Ａのように昇降および矢
印Ｂのように左右に回転させる駆動部３２と、この軸３
４に取り付けられたレール３６と、その上で矢印Ｃのよ
うに前後に走行する走行部３８と、それに取り付けられ
ていて基板２を支持するハンド部４０とを備えている。
ハンド部４０は、例えばアルミニウム、ステンレス鋼等
の金属で作られている。このような構造によって、ハン
ド部４０に支持した基板２を三次元の領域内で搬送する
ことができる。Since the substrate transfer robots 26 and 30 have the same structure in this example, the structure will be described with reference to FIGS. 5 and 6 by taking the latter example as an example. A drive unit 32 for moving up and down as indicated by arrow A and rotating left and right as indicated by arrow B, and this shaft 3
4, a rail 36 attached to the rail 4, a traveling portion 38 traveling forward and backward as indicated by an arrow C, and a hand portion 40 attached to the rail 38 and supporting the substrate 2.
The hand portion 40 is made of a metal such as aluminum or stainless steel. With such a structure, the substrate 2 supported by the hand unit 40 can be transported within a three-dimensional area.
【０００６】再び図４を参照して、予備加熱室８内に
は、基板２を載置する基板載置台２８が設けられてい
る。この基板載置台２８には、ヒータを埋め込んでおり
（図示省略）、それによって処理前の基板２を予備加熱
することができる。また、このヒータを切っておくこと
により、基板載置台２８上において処理後の基板２を冷
却（自然冷却）することができる。基板２の冷却には、
それにヘリウム、窒素等のガスを吹き付ける強制冷却を
用いる場合もある。Referring again to FIG. 4, a substrate mounting table 28 on which the substrate 2 is mounted is provided in the preheating chamber 8. A heater is embedded in the substrate mounting table 28 (not shown) so that the unprocessed substrate 2 can be preheated. Further, by turning off the heater, the processed substrate 2 can be cooled (natural cooling) on the substrate mounting table 28. To cool the substrate 2,
In some cases, forced cooling is performed by blowing a gas such as helium or nitrogen.
【０００７】第１、第２および第３の処理室１２、１４
および１６は、この例ではいずれも、内部に一組の相対
向する放電電極および基板加熱用のヒータを有していて
（いずれも図示省略）、周知のプラズマＣＶＤ装置を構
成している。First, second and third processing chambers 12, 14
In this example, both 16 and 16 have a pair of discharge electrodes and a heater for heating the substrate which face each other inside (both not shown), and constitute a known plasma CVD apparatus.
【０００８】この基板処理装置の全体的な動作例を説明
すると、基板搬送ロボット２６によってカセット４から
未処理の基板２を１枚取り出し、それを予備加熱室８内
の基板載置台２８上に載せて、そこで基板２の予備加熱
を行う。To explain the overall operation example of this substrate processing apparatus, one unprocessed substrate 2 is taken out of the cassette 4 by the substrate transfer robot 26 and placed on the substrate mounting table 28 in the preheating chamber 8. Then, the substrate 2 is preheated there.
【０００９】次いで、基板搬送ロボット３０によって基
板載置台２８から基板２を取り上げてそれを処理室１２
内へ搬送し、そこで基板２を処理、この例ではプラズマ
ＣＶＤ法によって基板２の表面に薄膜（例えばＳiＮx薄
膜）を形成する。Then, the substrate 2 is picked up from the substrate mounting table 28 by the substrate transfer robot 30 and the substrate 2 is processed in the processing chamber 12.
The substrate 2 is transferred to the inside, and the substrate 2 is processed therein. In this example, a thin film (for example, a SiN x thin film) is formed on the surface of the substrate 2 by the plasma CVD method.
【００１０】それが完了したら、基板搬送ロボット３０
によって基板２を処理室１２から処理室１４内へ搬送
し、そこで基板２を再び処理、この例ではプラズマＣＶ
Ｄ法によって基板２上に薄膜（例えばａ−Ｓi 薄膜）を
形成する。When this is completed, the substrate transfer robot 30
The substrate 2 from the processing chamber 12 into the processing chamber 14 where the substrate 2 is processed again, plasma CV in this example.
A thin film (for example, a-Si thin film) is formed on the substrate 2 by the D method.
【００１１】それが完了したら、基板搬送ロボット３０
によって基板２を処理室１４から処理室１６内へ搬送
し、そこで基板２を再度処理、この例ではプラズマＣＶ
Ｄ法によって基板２上に薄膜（例えばＳiＮx薄膜）を形
成する。When this is completed, the substrate transfer robot 30
The substrate 2 is transferred from the processing chamber 14 into the processing chamber 16 by the processing, and the substrate 2 is processed there again. In this example, plasma CV is used.
A thin film (for example, SiN x thin film) is formed on the substrate 2 by the D method.
【００１２】それが完了したら、基板搬送ロボット３０
によって基板２を処理室１６から取り出してそれを予備
加熱室８内の基板載置台２８上に載せて、そこで基板２
の冷却を行う。When this is completed, the substrate transfer robot 30
The substrate 2 is taken out from the processing chamber 16 by using the substrate 2 and placed on the substrate mounting table 28 in the preheating chamber 8 where the substrate 2 is placed.
Cool down.
【００１３】それが完了したら、基板搬送ロボット２６
によって基板２を基板載置台２８から取り上げてそれを
カセット４内へ搬送する。When that is completed, the substrate transfer robot 26
Then, the substrate 2 is picked up from the substrate mounting table 28 and is transferred into the cassette 4.
【００１４】なお、上記処理の場合、弁１８〜２３は、
基板２の搬送に合わせて適宜開閉ささる。予備加熱室
８、真空搬送室１０、処理室１２、１４および１６内
は、図示しない真空排気装置によって真空排気されてい
る。基板２を大気中と予備加熱室８との間で搬送すると
きは、それに合わせて、真空予備室６のベント（ガスを
導入して大気圧状態に戻すこと）および真空排気が行わ
れる。In the above process, the valves 18-23 are
The substrate 2 is appropriately opened and closed according to the transportation of the substrate 2. The preheating chamber 8, the vacuum transfer chamber 10, and the processing chambers 12, 14 and 16 are evacuated by a vacuum exhaust device (not shown). When the substrate 2 is transferred between the atmosphere and the preheating chamber 8, the vacuum preliminary chamber 6 is vented (gas is introduced to return to the atmospheric pressure state) and vacuum exhaust is performed accordingly.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】上記基板搬送ロボット
３０は、予備加熱室８において予備加熱された、または
処理室１２、１４および１６において処理の際に加熱さ
れた基板２を搬送するものである。The substrate transfer robot 30 transfers the substrate 2 preheated in the preheating chamber 8 or heated in the processing chambers 12, 14 and 16 during processing. .
【００１６】このような加熱されて熱い基板２を基板搬
送ロボット３０のハンド部４０に載せると、その熱がハ
ンド部４０に奪われて基板２の温度が急激に低下すると
いう問題がある。これは、ハンド部４０はアルミニウム
やステンレス鋼等の金属で作られており、しかも搬送時
に（特に旋回時に）基板２がずれたり飛び出さないよう
にするために基板２とハンド部４０との間の接触面積を
ある程度大きくする必要があるからである。When such a heated and hot substrate 2 is placed on the hand portion 40 of the substrate transfer robot 30, there is a problem that the heat is taken by the hand portion 40 and the temperature of the substrate 2 is drastically lowered. This is because the hand unit 40 is made of metal such as aluminum or stainless steel, and moreover, the substrate 2 and the hand unit 40 are prevented from slipping out or popping out during transportation (especially at the time of turning) in order to prevent the substrate 2 from shifting or popping out. This is because it is necessary to increase the contact area of the to some extent.
【００１７】基板２の温度が上記のように低下すると、
処理室１２、１４または１６において基板２をその処理
温度にまで加熱するのに長時間を要するようになり、当
該基板処理装置のスループットが低下する。また、加熱
された基板２が急激に冷却されると、基板２がガラス基
板の場合はそれが割れる可能性がある。When the temperature of the substrate 2 decreases as described above,
It takes a long time to heat the substrate 2 to the processing temperature in the processing chamber 12, 14 or 16, and the throughput of the substrate processing apparatus is reduced. Further, when the heated substrate 2 is rapidly cooled, if the substrate 2 is a glass substrate, it may be broken.
【００１８】そこでこの発明は、上記のような真空処理
室内に設けられた基板搬送ロボットによって基板を搬送
するときに基板が急激に冷却されるのを防ぐことができ
るようにした基板処理装置を提供することを主たる目的
とする。Therefore, the present invention provides a substrate processing apparatus capable of preventing the substrate from being rapidly cooled when the substrate is transferred by the substrate transfer robot provided in the vacuum processing chamber as described above. The main purpose is to do.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の基板処理装置は、真空搬送室内に設けら
れた基板搬送ロボットの基板を支持するハンド部に、当
該ハンド部を加熱するヒータを設けたことを特徴とす
る。In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus of the present invention has a heater for heating a hand portion supporting a substrate of a substrate transfer robot provided in a vacuum transfer chamber. Is provided.
【００２０】また、上記のようにヒータを設ける代わり
に、同ハンド部を、ステンレス鋼よりも熱伝導率の小さ
い材料で構成しても良い。Further, instead of providing the heater as described above, the hand portion may be made of a material having a smaller thermal conductivity than stainless steel.
【００２１】[0021]
【作用】上記のようにハンド部にヒータを設けることに
より、そのヒータによってハンド部を加熱することがで
きるので、基板を基板搬送ロボットによって搬送すると
きにそのハンド部によって基板が急激に冷却されるのを
防ぐことができる。By providing the heater in the hand portion as described above, the hand portion can be heated by the heater, so that the substrate is rapidly cooled by the hand portion when the substrate is transported by the substrate transport robot. Can be prevented.
【００２２】また、ハンド部を上記のような材料で構成
することにより、ハンド部による基板の放熱が少なくな
るので、基板を基板搬送ロボットによって搬送するとき
にそのハンド部によって基板が急激に冷却されるのを防
ぐことができる。Further, since the heat radiation of the substrate by the hand portion is reduced by constructing the hand portion with the above materials, the substrate is rapidly cooled by the hand portion when the substrate is transported by the substrate transport robot. Can be prevented.
【００２３】[0023]
【実施例】図１は、この発明の一実施例に係る基板処理
装置を示す概略水平断面図である。図４の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。また、基板搬
送ロボット３０の構造も、基本的には図５および図６に
示したものと同じであるのでそれを参照するものとし、
ここでは従来のものとの相違点を主に説明する。1 is a schematic horizontal sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The same or corresponding portions as those of the conventional example in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and the differences from the conventional example will be mainly described below. Further, since the structure of the substrate transfer robot 30 is basically the same as that shown in FIGS. 5 and 6, reference will be made to it.
Here, the difference from the conventional one will be mainly described.
【００２４】この実施例においては、前述したような真
空搬送室１０内に設けられた基板搬送ロボット３０の基
板２を支持するハンド部４０に、当該ハンド部４０を加
熱するシースヒータ４８を埋め込んでいる。より具体的
には、図２および図３にも示すように、ハンド部４０を
溝４４付きの下板４２と上板４６とで構成し、この溝４
４内にシースヒータ４８を収納してそれを両板４２と４
６で挟んでいる。In this embodiment, a sheath heater 48 for heating the hand portion 40 is embedded in the hand portion 40 that supports the substrate 2 of the substrate transfer robot 30 provided in the vacuum transfer chamber 10 as described above. . More specifically, as shown in FIGS. 2 and 3, the hand portion 40 is composed of a lower plate 42 with a groove 44 and an upper plate 46.
The sheath heater 48 is housed in the 4 and both plates 42 and 4
It's sandwiched between 6.
【００２５】このようにハンド部４０にシースヒータ４
８を設ける場合は、加熱をより均一にするために、ハン
ド部４０の材料（より具体的にはその下板４２および上
板４６の材料）は熱伝導率の大きいものにするのが好ま
しい。そのような材料には、例えばアルミニウムやステ
ンレス鋼等があるが、アルミニウムの方が、軽くて熱伝
導率がより大きいので、より好ましいと言える。In this way, the sheath heater 4 is attached to the hand portion 40.
When 8 is provided, it is preferable that the material of the hand portion 40 (more specifically, the material of the lower plate 42 and the upper plate 46 thereof) has high thermal conductivity in order to make the heating more uniform. Examples of such a material include aluminum and stainless steel, but aluminum can be said to be more preferable because it is lighter and has a higher thermal conductivity.
【００２６】上記のように基板搬送ロボット３０のハン
ド部４０にシースヒータ４８を設けることにより、その
シースヒータ４８によって当該ハンド部４０を加熱する
ことができるので、基板２を基板搬送ロボット３０によ
って予備加熱室８と処理室１２、１４、１６間および各
処理室１２、１４、１６間で搬送するときに、そのハン
ド部４０によって基板２が急激に冷却されるのを防ぐこ
とができる。By providing the sheath heater 48 in the hand portion 40 of the substrate transfer robot 30 as described above, the hand portion 40 can be heated by the sheath heater 48, so that the substrate 2 is preheated by the substrate transfer robot 30. It is possible to prevent the substrate 2 from being rapidly cooled by the hand portion 40 when it is transported between the processing chamber 8 and the processing chambers 12, 14, 16 and between the processing chambers 12, 14, 16.
【００２７】その結果、処理室１２、１４または１６に
おいて基板２をその処理温度にまで加熱するのに要する
時間を短縮することができ、当該基板処理装置のスルー
プットが向上する。また、基板２がガラス基板の場合で
もその急冷による割れを防止することができる。As a result, the time required to heat the substrate 2 to the processing temperature in the processing chamber 12, 14 or 16 can be shortened, and the throughput of the substrate processing apparatus can be improved. Further, even if the substrate 2 is a glass substrate, it is possible to prevent cracking due to its rapid cooling.
【００２８】更により具体的な実施例を説明すると、基
板２に３６０×４５０ｍｍ角のガラス基板を用い、図１
の装置の各処理室１２、１４および１６における成膜条
件を次のようにして、プラズマＣＶＤ法によってＳiＮx
→ａ−Ｓi →ＳiＮxの三層連続成膜を行った。A more specific example will be described. As the substrate 2, a glass substrate of 360 × 450 mm square is used, and FIG.
Film forming conditions in the processing chambers 12, 14 and 16 of the apparatus as follows, SiN x by plasma CVD
→ went a three-layer consecutive film forming of a-Si → SiN x.
【００２９】（１）処理室１２ 形成する膜：ＳiＮx 基板温度：２８０℃ ガス流量：ＳiＨ4 ２８ｃｃｍ ＮＨ3 ２００ｃｃｍ 放電電極：６００×８００ｍｍ 高周波電力：４００Ｗ 処理時間：４分 真空度：０．８Ｔｏｒｒ(1) Processing chamber 12 Film to be formed: SiN x Substrate temperature: 280 ° C. Gas flow rate: SiH 4 28 ccm NH 3 200 ccm Discharge electrode: 600 × 800 mm High frequency power: 400 W Processing time: 4 minutes Vacuum degree: 0.8 Torr
【００３０】（２）処理室１４ 形成する膜：ａ−Ｓi 基板温度：２３０℃ ガス流量：ＳiＨ4 １００ｃｃｍ Ｈ2 ４００ｃｃｍ 放電電極：６００×８００ｍｍ 高周波電力：２００Ｗ 処理時間：１０分 真空度：０．３５Ｔｏｒｒ(2) Processing chamber 14 Film to be formed: a-Si Substrate temperature: 230 ° C. Gas flow rate: SiH 4 100 ccm H 2 400 ccm Discharge electrode: 600 × 800 mm High frequency power: 200 W Processing time: 10 minutes Vacuum degree: 0. 35 Torr
【００３１】（３）処理室１６ 形成する膜：ＳiＮx 基板温度：２８０℃ ガス流量：ＳiＨ4 ２８ｃｃｍ ＮＨ3 ２００ｃｃｍ 放電電極：６００×８００ｍｍ 高周波電力：４００Ｗ 処理時間：４分 真空度：０．８Ｔｏｒｒ(3) Processing chamber 16 Film to be formed: SiN x Substrate temperature: 280 ° C. Gas flow rate: SiH 4 28 ccm NH 3 200 ccm Discharge electrode: 600 × 800 mm High frequency power: 400 W Processing time: 4 minutes Vacuum degree: 0.8 Torr
【００３２】上記の場合、予備加熱室８での基板２の加
熱温度は、３００℃とした。基板搬送ロボット３０は、
そのハンド部４０の材料をアルミニウムとし、そこに埋
め込んだシースヒータ４８によってハンド部４０の温度
を２５０℃に保つようにした。In the above case, the heating temperature of the substrate 2 in the preheating chamber 8 was 300 ° C. The substrate transfer robot 30 is
The material of the hand portion 40 was aluminum, and the temperature of the hand portion 40 was kept at 250 ° C. by the sheath heater 48 embedded therein.
【００３３】上記のような条件で、ガラス基板を予備加
熱室８から処理室１２へ搬送した場合と、処理室１４か
ら処理室１６へ搬送した場合とで、ガラス基板が上記所
定の処理温度になるまでに処理室１２、１６において加
熱に要した時間を計測したところ、表１に示す結果が得
られた。Under the above conditions, the glass substrate is brought to the above-mentioned predetermined processing temperature depending on whether the glass substrate is carried from the preheating chamber 8 to the processing chamber 12 or from the processing chamber 14 to the processing chamber 16. When the time required for heating was measured in the processing chambers 12 and 16 until the above, the results shown in Table 1 were obtained.
【００３４】[0034]
【表１】 [Table 1]
【００３５】この表１における従来例は、ヒータを設け
ない単なるアルミニウム製のハンド部４０を有する基板
搬送ロボット３０を用いた場合であり、この表から分か
るように、この実施例では、従来例の約半分の時間で、
ガラス基板の所定の処理温度への昇温が可能になってい
る。従ってそのぶんスループットが向上する。特に、予
備加熱室８から処理室１２へ基板を搬送する場合の時間
短縮率が大きく、より有効であることが分かる。また、
この実施例では急冷によるガラス基板の割れの心配も全
くない。The conventional example in Table 1 is a case where the substrate transfer robot 30 having a simple aluminum hand portion 40 without a heater is used. As can be seen from this table, in this example, the conventional example is used. In about half the time,
It is possible to raise the temperature of the glass substrate to a predetermined processing temperature. Therefore, the throughput is improved accordingly. In particular, it can be seen that the time reduction rate when the substrate is transferred from the preheating chamber 8 to the processing chamber 12 is large and is more effective. Also,
In this embodiment, there is no fear of breakage of the glass substrate due to rapid cooling.
【００３６】なお、基板搬送ロボット３０のハンド部４
０に上記実施例のようにシースヒータ４８を設ける代わ
りに、同ハンド部４０を、従来使用されていたステンレ
ス鋼よりも熱伝導率の小さい材料で構成しても良い。そ
のような材料としては、例えば窒化シリコン（Ｓi
ＮX）、窒化アルミニウム（ＡlＮ）、アルミナ（Ａl2Ｏ
3）等のセラミックス（より具体的には同セラミックス
の焼結体）が利用できる。The hand unit 4 of the substrate transfer robot 30
0, instead of providing the sheath heater 48 as in the above embodiment, the hand portion 40 may be made of a material having a smaller thermal conductivity than the conventionally used stainless steel. As such a material, for example, silicon nitride (Si
N x ), aluminum nitride (AlN), alumina (Al 2 O)
Ceramics such as 3 ) (more specifically, a sintered body of the same) can be used.
【００３７】ハンド部４０をこのような材料で構成する
ことにより、当該ハンド部４０による基板２の放熱が少
なくなるので、基板２を基板搬送ロボット３０によって
搬送するときにそのハンド部４０によって基板２が急激
に冷却されるのを防ぐことができる。By constructing the hand portion 40 with such a material, the heat radiation of the substrate 2 by the hand portion 40 is reduced, so that when the substrate 2 is transported by the substrate transport robot 30, the substrate portion 2 is transferred by the hand portion 40. Can be prevented from being rapidly cooled.
【００３８】その結果、処理室１２、１４または１６に
おいて基板２をその処理温度にまで加熱するのに要する
時間を短縮することができ、当該基板処理装置のスルー
プットが向上する。また、基板２がガラス基板の場合で
もその急冷による割れを防止することができる。As a result, the time required to heat the substrate 2 to the processing temperature in the processing chamber 12, 14 or 16 can be shortened, and the throughput of the substrate processing apparatus can be improved. Further, even if the substrate 2 is a glass substrate, it is possible to prevent cracking due to its rapid cooling.
【００３９】また、ハンド部４０にヒータを設ける場合
およびハンド部４０を熱伝導率の小さい材料で構成する
場合のいずれにおいても、ハンド部４０の形状は図１お
よび図２等に示したようなものに限定されるものではな
く、必要に応じて、切欠き部を設けてフォーク状にする
等しても良い。Further, the shape of the hand portion 40 is as shown in FIG. 1 and FIG. 2 and the like regardless of whether the hand portion 40 is provided with a heater or the hand portion 40 is made of a material having a low thermal conductivity. The material is not limited to the one described above, and a notch portion may be provided to form a fork as necessary.
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
真空搬送室内の基板搬送ロボットのハンド部にヒータを
設けたので、当該基板搬送ロボットによって基板を搬送
するときに、そのハンド部によって基板が急激に冷却さ
れるのを防ぐことができる。その結果、処理室において
基板をその処理温度にまで加熱するのに要する時間を短
縮することができ、当該基板処理装置のスループットが
向上する。また、基板がガラス基板の場合でもその急冷
による割れを防止することができる。As described above, according to the invention of claim 1,
Since the heater is provided in the hand part of the substrate transfer robot in the vacuum transfer chamber, it is possible to prevent the substrate from being rapidly cooled by the hand part when the substrate is transferred by the substrate transfer robot. As a result, the time required to heat the substrate to the processing temperature in the processing chamber can be shortened, and the throughput of the substrate processing apparatus is improved. Further, even when the substrate is a glass substrate, it is possible to prevent cracking due to its rapid cooling.
【００４１】また、請求項２の発明によれば、真空搬送
室内の基板搬送ロボットのハンド部をステンレス鋼より
も熱伝導率の小さい材料で構成したので、当該基板搬送
ロボットによって基板を搬送するときに、そのハンド部
によって基板が急激に冷却されるのを防ぐことができ
る。その結果、処理室において基板をその処理温度にま
で加熱するのに要する時間を短縮することができ、当該
基板処理装置のスループットが向上する。また、基板が
ガラス基板の場合でもその急冷による割れを防止するこ
とができる。According to the second aspect of the present invention, since the hand portion of the substrate transfer robot in the vacuum transfer chamber is made of a material having a lower thermal conductivity than stainless steel, when the substrate is transferred by the substrate transfer robot. In addition, it is possible to prevent the substrate from being rapidly cooled by the hand portion. As a result, the time required to heat the substrate to the processing temperature in the processing chamber can be shortened, and the throughput of the substrate processing apparatus is improved. Further, even when the substrate is a glass substrate, it is possible to prevent cracking due to its rapid cooling.
【図１】この発明の一実施例に係る基板処理装置を示す
概略水平断面図である。FIG. 1 is a schematic horizontal sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１中の第２の基板搬送ロボットのハンド部を
拡大して示す平面図である。2 is an enlarged plan view showing a hand portion of the second substrate transfer robot in FIG. 1. FIG.
【図３】図２中の線Ｄ−Ｄに沿う拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged sectional view taken along the line DD in FIG.
【図４】従来の基板処理装置の一例を示す概略水平断面
図である。FIG. 4 is a schematic horizontal sectional view showing an example of a conventional substrate processing apparatus.
【図５】図４中の基板搬送ロボットの平面図である。5 is a plan view of the substrate transfer robot in FIG.
【図６】図５と同じ基板搬送ロボットの側面図である。FIG. 6 is a side view of the same substrate transfer robot as in FIG.
２ 基板 ６ 真空予備室 ８ 予備加熱室 １０ 真空搬送室 １２，１４，１６ 処理室 ２６ 第１の基板搬送ロボット ３０ 第２の基板搬送ロボット ４０ ハンド部 ４８ シースヒータ 2 Substrate 6 Vacuum preliminary chamber 8 Preheating chamber 10 Vacuum transfer chamber 12, 14, 16 Processing chamber 26 First substrate transfer robot 30 Second substrate transfer robot 40 Hand part 48 Sheath heater
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/68 A
Claims (2)
を行うための真空予備室と、この真空予備室に弁を介し
て隣接されていて基板の予備加熱を行う予備加熱室と、
この予備加熱室に弁を介して隣接された真空搬送室と、
それぞれがこの真空搬送室に弁を介して隣接されていて
基板の処理を行う複数の処理室と、真空予備室内に設け
られていて大気中と予備加熱室との間で基板の搬送を行
う第１の基板搬送ロボットと、真空搬送室内に設けられ
ていて予備加熱室と各処理室との間および各処理室間で
基板の搬送を行う第２の基板搬送ロボットとを備える基
板処理装置において、前記第２の基板搬送ロボットの基
板を支持するハンド部に、当該ハンド部を加熱するヒー
タを設けたことを特徴とする基板処理装置。1. A vacuum preliminary chamber for loading and unloading a substrate between the atmosphere and a vacuum, and a preheating chamber adjacent to the vacuum preliminary chamber via a valve for preheating the substrate,
A vacuum transfer chamber adjacent to the preheating chamber via a valve,
A plurality of processing chambers, each of which is adjacent to the vacuum transfer chamber via a valve and processes the substrate, and a vacuum transfer chamber, which transfers the substrate between the atmosphere and the preheating chamber. 1. A substrate processing apparatus comprising a substrate transfer robot 1 and a second substrate transfer robot provided in a vacuum transfer chamber for transferring a substrate between a preheating chamber and each processing chamber and between each processing chamber, A substrate processing apparatus, wherein a hand portion for supporting the substrate of the second substrate transfer robot is provided with a heater for heating the hand portion.
を行うための真空予備室と、この真空予備室に弁を介し
て隣接されていて基板の予備加熱を行う予備加熱室と、
この予備加熱室に弁を介して隣接された真空搬送室と、
それぞれがこの真空搬送室に弁を介して隣接されていて
基板の処理を行う複数の処理室と、真空予備室内に設け
られていて大気中と予備加熱室との間で基板の搬送を行
う第１の基板搬送ロボットと、真空搬送室内に設けられ
ていて予備加熱室と各処理室との間および各処理室間で
基板の搬送を行う第２の基板搬送ロボットとを備える基
板処理装置において、前記第２の基板搬送ロボットの基
板を支持するハンド部を、ステンレス鋼よりも熱伝導率
の小さい材料で構成したことを特徴とする基板処理装
置。2. A vacuum preliminary chamber for loading and unloading a substrate between the atmosphere and a vacuum, and a preheating chamber which is adjacent to the vacuum preliminary chamber via a valve and preheats the substrate,
A vacuum transfer chamber adjacent to the preheating chamber via a valve,
A plurality of processing chambers, each of which is adjacent to the vacuum transfer chamber via a valve and processes the substrate, and a vacuum transfer chamber, which transfers the substrate between the atmosphere and the preheating chamber. 1. A substrate processing apparatus comprising a substrate transfer robot 1 and a second substrate transfer robot provided in a vacuum transfer chamber for transferring a substrate between a preheating chamber and each processing chamber and between each processing chamber, A substrate processing apparatus, wherein the hand portion for supporting the substrate of the second substrate transfer robot is made of a material having a smaller thermal conductivity than stainless steel.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30738093A JPH07142408A (en) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | Substrate processing system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30738093A JPH07142408A (en) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | Substrate processing system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142408A true JPH07142408A (en) | 1995-06-02 |
Family
ID=17968363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30738093A Pending JPH07142408A (en) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | Substrate processing system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142408A (en) |
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- 1993-11-12 JP JP30738093A patent/JPH07142408A/en active Pending
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