JPH09115811A - 投影露光装置及び投影露光方法 - Google Patents

投影露光装置及び投影露光方法

Info

Publication number
JPH09115811A
JPH09115811A JP7272269A JP27226995A JPH09115811A JP H09115811 A JPH09115811 A JP H09115811A JP 7272269 A JP7272269 A JP 7272269A JP 27226995 A JP27226995 A JP 27226995A JP H09115811 A JPH09115811 A JP H09115811A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
optical system
projection exposure
light
illumination
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7272269A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2692660B2 (ja
Inventor
Yasuyoshi Tanabe
容由 田辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP7272269A priority Critical patent/JP2692660B2/ja
Publication of JPH09115811A publication Critical patent/JPH09115811A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2692660B2 publication Critical patent/JP2692660B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 色分散素子色分離された複数の光の一部のみ
しかスリットを通過できないため、光源からのレーザ光
のスペクトルすべてを利用することができず、光利用効
率が落ちて、投影露光装置のスループット低下を引き起
こす。反射屈折光学系を用いた従来装置は、光学系設計
及び製造が難しい点不利である。 【解決手段】 光源11からの準単色なスペクトル特性
を有する光ビームをプリズム14により色分離を行い、
色分離した各色の光がレチクル111の各位置に異なる
スペクトルの光として照射される。レチクル111のパ
ターン領域の像は、色収差補正板113により光路長が
補正されることにより、主に光軸方向の色収差が補正さ
れる。また、レチクルステージ112a、112bと、
ウェハステージ116とを同期機構117を用いて、紙
面内方向に結像関係を保ちながら走査して上記照明むら
を補正する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は投影露光装置及び投
影露光方法に係り、特に半導体集積回路等の製造工程
で、回路パターンの転写に利用される投影露光装置及び
投影露光方法に関する。
【0002】
【従来の技術】超高圧水銀ランプのg線やi線スペクト
ルを光源として投影を行うステップ・アンド・リピート
方式の縮小投影露光装置、いわゆるステッパは半導体集
積回路の製造におけるリソグラフィ工程において中心的
役割を担っている。しかし、最近では半導体集積回路の
集積度がますます高くなり、ステッパの解像力を向上さ
せるために、より短波長の光を発生させる高輝度、高出
力のKrFエキシマレーザやArFエキシマレーザを光
源とするステッパが注目されている。
【0003】KrFエキシマレーザ(波長248nm)
やArFエキシマレーザ(波長193nm)の波長域で
は投影レンズに使用できる材料は合成石英、螢石等に限
定される。しかし、螢石は結晶材料の品質及び大きさに
よりレンズ設計及び製造上かなりの制限を受けるため、
合成石英のみの単一硝材からなる投影レンズが一般に用
いられている。
【0004】投影光学系としてレンズのみから構成され
る屈折光学系を用いるときには、大きな色収差が発生す
るため、エキシマレーザ光源のスペクトル幅を狭帯域化
する必要がある。KrFエキシマレーザの場合には、グ
レーティング、プリズム等の波長選択素子を備えること
により、スペクトル幅を1pm程度までの狭帯域化が実
現している。現在、このKrFエキシマレーザを用いた
ステッパが市販されている。
【0005】合成石英の色分散は、短波長になるほど大
きくなるため、ArFエキシマレーザの場合には、0.
3pmまで狭帯域化する必要があるが、これはまだ実現
されていない。この問題を解決するために、従来より図
5の構成図に示すように、照明光学系中に色分散素子5
4を挿入して色分離を行っている投影露光装置が知られ
ている(特開平1−289113号公報)。
【0006】図5において、エキシマレーザ装置51か
ら出射された、狭帯域化されたレーザ光はコリメータレ
ンズ52で平行光化され、ミラー53で反射され、更に
色分散素子54でSP1とSP2に色分離される。色分
離された光SP1はリレーレンズ55を通してスリット
56a、56bを通過し、リレーレンズ57を通してホ
モジナイザ58に入射されるが、色分離されたもう一方
の光SP2はスリット56a、56bにより阻止され
る。
【0007】ホモジナイザ58を通過した光SP1は、
リレーレンズ59及び60をそれぞれ通してミラー61
で反射されて光路が変えられ、更にコンデンサレンズ6
2で適度に集光された後、レチクル63のパターン領域
を均一な照度で照明する。このパターン領域の像は投影
光学系64により縮小された後、ウェハステージ66上
に載置されたウェハ65上に投影露光される。
【0008】この従来の投影露光装置では、露光に用い
るスペクトルの光と不要なスペクトルの光とでは集光レ
ンズの色収差によって集光位置が異なることを用い、集
光レンズによる結像スペクトル光の集光位置に配置した
スリット56a、56bにより、レーザ光を結像スペク
トル光SP1と不要なスペクトルの光SP2とに分離
し、結像スペクトル光SP1のみを抽出しているため、
照明光への不要なスペクトルの光の混入を低減させ、実
質的に光ビームのスペクトルの帯域を狭帯域化しようと
している。
【0009】また、従来、投影光学系としてレンズ及び
ミラーから構成される反射屈折光学系を用いることによ
り、色収差の問題を大きく軽減した投影露光装置も知ら
れている(特開平2−66510号公報)。この従来の
投影露光装置によれば、波長193nmでスペクトル幅
2nmの色消しが可能である。このときには、ArFエ
キシマレーザを狭帯域化せずにすべてのスペクトルが利
用可能である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、前者の従来
の投影露光装置では、図5に示したように照明光学系中
に挿入された色分散素子54により色分離された光SP
1は、スリット56a、56bを通過するが、光SP2
はスリット56a、56bを通過できないため、光源5
1からのレーザ光のスペクトルすべてを利用することが
できず、光利用効率が落ちて、投影露光装置のスループ
ット低下を引き起こす。
【0011】また、後者の従来の投影露光装置では、A
rFエキシマレーザを狭帯域化せずにすべてのスペクト
ルが利用可能である反面、色収差という点からすると反
射屈折光学系が屈折光学系に比べて有利であるが、光学
系設計及び製造が難しい点不利である。
【0012】また、ArFエキシマレーザより短波長な
光源として、Xe2エキシマランプがある。この光源の
中心波長は172nm、スペクトル半値幅は14nmで
ある。エキシマランプを光源として用いる場合には、反
射屈折光学系を用いても光源のスペクトルのほんの一部
しか利用することができず、投影露光装置のスループッ
ト低下を引き起こす。
【0013】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
準単色なスペクトルを持つ光源に対して光利用率が高い
投影光学系を有する投影露光装置及び投影露光方法を提
供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の投影露光装置は、準単色なスペクトル特性
を有する光ビームを出射する光源と、光ビームを異なる
波長毎に分離する色分離素子と、パターンが形成された
レチクルと、色分離素子により分離された複数の波長の
光ビームを、それぞれレチクルの異なる位置に照射する
照明光学系と、照明光学系により照明して得られたレチ
クルのパターン像を感光基板上に転写する投影光学系
と、レチクルの異なる位置において生じる色収差を補正
する色収差補正手段と、レチクルの異なる位置において
生じる照明むらを補正する照明むら補正手段とを有する
構成としたものである。
【0015】ここで、色収差補正手段は、投影光学系中
に設けられて光路長を補正する色収差補正板か、若しく
は感光基板を載置する第1のステージを、投影光学系を
介して前記感光基板上に照射される光の光軸に対して傾
斜した構成である。
【0016】また、照明むら補正手段は、感光基板を載
置する第1のステージと、レチクルを載置する第2のス
テージをそれぞれ同期して走査する同期機構か、若しく
は照明光学系中で、かつ、前記レチクルと共役な位置に
配置された、面内の透過率が異なる構成の照度補正板で
あることを特徴とする。
【0017】また、本発明の投影露光方法は、上記の目
的を達成するため、準単色なスペクトル特性を有する光
ビームを色分離素子により異なる波長毎に分離し、これ
ら複数の光ビームをパターンが形成されたレチクルの異
なる位置に照射し、これによりレチクルの異なる位置に
おいて生じる色収差と照明むらをそれぞれ別々に補正
し、得られたレチクルのパターン像を感光基板上に転写
することを特徴とする。
【0018】本発明装置及び方法では、光源からの準単
色なスペクトル特性を有する光ビームをプリズムやグレ
ーティング等の色分散素子を配置して色分離を行い、色
分離した各色の光がレチクルの各位置に異なるスペクト
ルの光として照射される。このときレチクルの各位置に
おけるスペクトル幅は色分離した後なので、光源のスペ
クトル幅に比べて狭くなっている。このため、このとき
レチクルの各位置に生じる色収差と照明むらをそれぞれ
補正することにより、光学系設計を難しくすることな
く、実質的に投影光学系が本来持っていた色消し幅より
も広いスペクトル幅を持つ光源の光利用効率が上がる。
【0019】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て説明する。図1は本発明の第1の実施の形態の構成図
を示す。同図において、エキシマレーザあるいはエキシ
マランプなどの準単色なスペクトル特性を有する光ビー
ムを出射する準単色光源11から出射された光は、コリ
メートレンズ12により平行光化された後、ミラー13
で反射されて光路が変えられ、更に色分離素子の一例と
してのプリズム14を通ることにより、異なる波長を持
つ光SP1、SP2などに分離される。光SP1及びS
P2はそれぞれホモジナイザ15を通過して、同図の紙
面内方向の異なる位置に配置された2つのリレーレンズ
16及び17を別々に透過し、更に共通のリレーレンズ
18を透過してミラー19により光路が変えられ、コン
デンサレンズ110を通してレチクル111に入射さ
れ、これを紙面内方向の異なる位置で照明する。
【0020】このとき、光SP1とSP2は異なる光強
度を持つため、照明むらが生じる。しかし、図1の紙面
に垂直な方向の照明むらに関しては、ホモジナイザ15
により補正され均一な照明とされている。ここで、レチ
クル111の各位置で照明光のスペクトルが異なるた
め、色収差は各位置で異なる。そこで、この実施の形態
では、光学系114とレチクル111の間に、色収差補
正板113を挿入して各位置での光路長の補正をしてい
る。すなわち、この実施の形態の投影光学系は色収差補
正板113と光学系114から構成される。
【0021】レチクル111のパターン領域の像は、色
収差補正板113により光路長が補正されることによ
り、主に光軸方向の色収差が補正された後、光学系11
4により縮小され、ウェハステージ116上に載置され
た感光基板(ウェハ)115上に投影露光される。
【0022】また、レチクル111上では前記したよう
に、紙面内方向に照明むらが生じている。この実施の形
態では、この問題を解決するために、レチクル111を
載置しているレチクルステージ112a、112bと、
ウェハステージ116とを同期機構117を用いて、紙
面内方向に結像関係を保ちながら走査する。これによ
り、レチクル111上の照明を図1の紙面内方向に平均
化することにより、上記の紙面内方向の照明むらを補正
することができる。
【0023】図2は本発明になる投影露光装置の第2の
実施の形態の構成図を示す。同図中、図1と同一構成部
分には同一符号を付し、その説明を省略する。図2に示
す第2の実施の形態は、ウェハステージ23が光軸に対
して傾斜されることにより、色収差を簡便に補正するよ
うにした点に特徴がある。
【0024】図2において、コンデンサレンズ110を
通してレチクル111に入射された光SP1及びSP2
は、レチクル111のパターン領域を紙面内方向の異な
る位置で照明する。
【0025】このとき、光SP1とSP2は異なる光強
度を持つため、前記したように照明むらが生じる。しか
し、図2の紙面に垂直な方向の照明むらに関しては、第
1の実施の形態と同様に、ホモジナイザ15により補正
され均一な照明とされている。一方、図2の紙面内方向
の照明むらに関しては、レチクル111を載置している
レチクルステージ112a、112bと、ウェハステー
ジ23とを同期機構22を用いて、紙面内方向に結像関
係を保ちながら走査することにより、第1の実施の形態
と同様に補正する。
【0026】また、レチクル111の各位置で照明光の
スペクトルが異なるため、色収差は各位置で異なる。そ
こで、この実施の形態では、ウェハステージ23を光軸
に対して傾斜することにより、色収差を補正するように
している。すなわち、レチクル111のパターン領域の
像は、投影光学系21により縮小されてウェハ115上
に照射されるが、その結像位置は波長によって異なり、
波長が短い方が投影光学系21側に結像される。
【0027】例えば、波長193nmの光が1pmずれ
ると、合成石英で構成される屈折光学系では0.15μ
m結像位置が光軸方向にずれる。ここでは、光SP1の
波長が光SP2の波長よりも短いので、図2に示すよう
に、ウェハステージ23は図中左端部分が右端部分より
も高い位置になるように傾斜されている。また、この傾
斜角度はレチクル111の照射面などによって定められ
る。
【0028】次に、本発明の第3の実施の形態について
説明する。図3は本発明になる投影露光装置の第3の実
施の形態の構成図を示す。同図中、図1と同一構成部分
には同一符号を付し、その説明を省略する。図3の実施
の形態は、図1の実施の形態がレチクルステージ112
a、112bとウェハステージ116で照度むらを補正
していたのに対し、照度補正板31をリレーレンズ1
6、17とリレーレンズ18の間の光路中の、レチクル
111と共役となる位置に挿入してレチクル111上の
紙面内方向の各位置における照度むらを補正した点に特
徴がある。
【0029】上記の照度補正板31は面内の各位置にお
ける透過率が、レチクル111上の紙面内方向の各位置
における照度むらを補正するように異なるようにされて
おり、これにより、レチクル111上の紙面内方向の各
位置では均一な照明となるようにしている。この実施の
形態では、同期機構117を不要にできるという特徴が
ある。
【0030】次に、本発明の第4の実施の形態について
説明する。図4は本発明になる投影露光装置の第4の実
施の形態の構成図を示す。同図中、図3と同一構成部分
には同一符号を付し、その説明を省略する。図4の実施
の形態は、色収差を補正するために、投影光学系41に
よりレチクル111の縮小投影像が照射されるウェハ1
15が載置されるウェハステージ42を傾斜させた点に
特徴がある。
【0031】なお、以上の実施の形態では、色分離素子
としてプリズム14を用いているが、本発明はこれに限
定されるものではなく、グレーティング等の他の色分離
素子を用いてもよい。また、投影光学系としては屈折
型、反射屈折型等種々のものを用いることができる。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光学系設計を難しくすることなく、実質的に投影光学系
が本来持っていた色消し幅よりも広いスペクトル幅を持
つ光源の光利用効率が上がるため、投影露光装置のスル
ープットを上げ、ひいては半導体装置の生産性を上げる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の構成図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態の構成図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態の構成図である。
【図4】本発明の第4の実施の形態の構成図である。
【図5】従来装置の一例の構成図である。
【符号の説明】
11 準単色光源 12 コリメートレンズ 14 プリズム 15 ホモジナイザ 16〜18 リレーレンズ 21、41 投影光学系 22、117 同期機構 23、42、116 ウェハステージ 31 照度補正板 110 コンデンサレンズ 111 レチクル 112a、112b レチクルステージ 113 色収差補正板 114 光学系 115 感光基板(ウェハ)

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 準単色なスペクトル特性を有する光ビー
    ムを出射する光源と、 前記光ビームを異なる波長毎に分離する色分離素子と、 パターンが形成されたレチクルと、 前記色分離素子により分離された複数の波長の光ビーム
    を、それぞれ前記レチクルの異なる位置に照射する照明
    光学系と、 前記照明光学系により照明して得られたレチクルのパタ
    ーン像を感光基板上に転写する投影光学系と、 前記レチクルの異なる位置において生じる色収差を補正
    する色収差補正手段と、 前記レチクルの異なる位置において生じる照明むらを補
    正する照明むら補正手段とを有することを特徴とする投
    影露光装置。
  2. 【請求項2】 前記色収差補正手段は、前記投影光学系
    中に設けられて光路長を補正する色収差補正板であるこ
    とを特徴とする請求項1記載の投影露光装置。
  3. 【請求項3】 前記色収差補正手段は、前記感光基板を
    載置する第1のステージを、前記投影光学系を介して前
    記感光基板上に照射される光の光軸に対して傾斜した構
    成であることを特徴とする請求項1記載の投影露光装
    置。
  4. 【請求項4】 前記照明むら補正手段は、前記感光基板
    を載置する第1のステージと、前記レチクルを載置する
    第2のステージをそれぞれ同期して走査する同期機構で
    あることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか一
    項記載の投影露光装置。
  5. 【請求項5】 前記照明むら補正手段は、前記照明光学
    系中で、かつ、前記レチクルと共役な位置に配置され
    た、面内の透過率が異なる構成の照度補正板であること
    を特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の
    投影露光装置。
  6. 【請求項6】 準単色なスペクトル特性を有する光ビー
    ムを色分離素子により異なる波長毎に分離し、これら複
    数の光ビームをパターンが形成されたレチクルの異なる
    位置に照射し、これにより該レチクルの異なる位置にお
    いて生じる色収差と照明むらをそれぞれ別々に補正し、
    得られたレチクルのパターン像を感光基板上に転写する
    ことを特徴とする投影露光方法。
JP7272269A 1995-10-20 1995-10-20 投影露光装置及び投影露光方法 Expired - Lifetime JP2692660B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7272269A JP2692660B2 (ja) 1995-10-20 1995-10-20 投影露光装置及び投影露光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7272269A JP2692660B2 (ja) 1995-10-20 1995-10-20 投影露光装置及び投影露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09115811A true JPH09115811A (ja) 1997-05-02
JP2692660B2 JP2692660B2 (ja) 1997-12-17

Family

ID=17511502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7272269A Expired - Lifetime JP2692660B2 (ja) 1995-10-20 1995-10-20 投影露光装置及び投影露光方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2692660B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006041524A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2009540586A (ja) * 2006-06-16 2009-11-19 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物器械
JP2011503885A (ja) * 2007-11-19 2011-01-27 コーヘレント ゲーエムベーハー 均質化された光線を形成するための装置及び方法
JP2011187930A (ja) * 2010-03-04 2011-09-22 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
US8111378B2 (en) 2004-02-13 2012-02-07 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and device production method

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8111378B2 (en) 2004-02-13 2012-02-07 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and device production method
KR101328356B1 (ko) * 2004-02-13 2013-11-11 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP2006041524A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2009540586A (ja) * 2006-06-16 2009-11-19 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物器械
US8325426B2 (en) 2006-06-16 2012-12-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
JP2011503885A (ja) * 2007-11-19 2011-01-27 コーヘレント ゲーエムベーハー 均質化された光線を形成するための装置及び方法
JP2011187930A (ja) * 2010-03-04 2011-09-22 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
US8610878B2 (en) 2010-03-04 2013-12-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2692660B2 (ja) 1997-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4714403B2 (ja) デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置
US7095481B2 (en) Exposure method and apparatus
US5488229A (en) Deep ultraviolet microlithography system
US6934009B2 (en) Illumination apparatus, illumination-controlling method, exposure apparatus, device fabricating method
US4789222A (en) Illuminating optical system
US7468781B2 (en) Exposure apparatus
US7126757B2 (en) Illumination apparatus, exposure apparatus using the same, and device fabricating method
US20010008737A1 (en) Exposure apparatus with a pulsed laser
JP4552428B2 (ja) 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7394080B2 (en) Mask superposition for multiple exposures
US20070211231A1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US6897944B2 (en) Illumination optical system, exposure method and apparatus using the same
JP3658209B2 (ja) 円弧照明光学系及びそれを用いた露光装置
US20050024619A1 (en) Exposure apparatus
JP2692660B2 (ja) 投影露光装置及び投影露光方法
US20040218164A1 (en) Exposure apparatus
JPH11150051A (ja) 露光方法及び装置
JPH0644549B2 (ja) 投影露光法及び装置
JP2894914B2 (ja) 投影露光方法および装置
WO2021044797A1 (ja) 露光装置、および、物品製造方法
JP2001110706A (ja) 照明装置、露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法
JP2002025897A (ja) 照明光学装置、該照明光学装置を備えた露光装置、および該露光装置を用いたマイクロデバイス製造方法
JP3278802B2 (ja) マスク及びそれを用いた露光方法
JP4307039B2 (ja) 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
JPH01289113A (ja) 露光装置