JPH09115196A - Magneto-optical recording medium - Google Patents

Magneto-optical recording medium

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JPH09115196A
JPH09115196A JP27325895A JP27325895A JPH09115196A JP H09115196 A JPH09115196 A JP H09115196A JP 27325895 A JP27325895 A JP 27325895A JP 27325895 A JP27325895 A JP 27325895A JP H09115196 A JPH09115196 A JP H09115196A
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太郎 大池
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magneto-optical recording medium of a high density with which a high C/N is obtd. and reproduction of short recording marks is possible as well when a laser beam of 400 to 550nm is used as reproducing light. SOLUTION: A dielectric layer 2, a reproducing magnetic layer 3 consisting of multilayered films of Pt/Co which are perpendicularly magnetized films, a nonmagnetic layer 4 and a recording magnetic layer 5 which is a perpendicularly magnetized film having a Curie temp. lower than the Curie temp. of the reproducing magnetic layer 3 and high coercive force are laminated in this order on a transparent substrate 1. The layer thickness of the reproducing magnetic layer 3 is in the range of 15 to 30nm, the layer thickness of the nonmagnetic layer in the range of 2 to 10nm and the layer thickness of the recording magnetic layer 5 in the range of 50 to 250nm. In addition, the reproducing magnetic layer 3 and the recording magnetic layer 5 are magnetostatically coupled.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に係り、
特に、磁気超解像(以下、MSRという)により、高密
度化を図った光磁気記録媒体に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording medium,
In particular, the present invention relates to a magneto-optical recording medium having a high density by magnetic super-resolution (hereinafter referred to as MSR).

【0002】[0002]

【従来技術】従来より、大容量の情報記録媒体として
は、情報を凹凸ピットで記録する再生専用光記録媒体
(再生専用光ディスク)や磁化方向で記録する光磁気記
録媒体(光磁気ディスク)などが知られている。近年、
これらの記録媒体の高密度化に伴い、記録された情報を
再生する際に使用されるレーザ光の短波長化が進んでい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a large-capacity information recording medium, a read-only optical recording medium (reproduction-only optical disk) for recording information in concave and convex pits, a magneto-optical recording medium (magneto-optical disk) for recording in the magnetization direction, etc. Are known. recent years,
With the increase in the density of these recording media, the wavelength of laser light used when reproducing recorded information is becoming shorter.

【0003】例えば、上記再生専用光記録媒体の場合、
再生出力がレ−ザ光源の波長λと対物レンズの開口数N
Aに依存し、λ/(2NA)を越えた高密度の記録信号
は再生できないため、レ−ザ光源の短波長化やNAを大
きくする試みがなされている。
For example, in the case of the above read-only optical recording medium,
The reproduction output is the wavelength λ of the laser light source and the numerical aperture N of the objective lens.
Since a high-density recording signal exceeding λ / (2NA) cannot be reproduced depending on A, attempts have been made to shorten the wavelength of the laser light source and increase the NA.

【0004】一方、光磁気記録媒体に於いては、高密度
化された記録媒体の再生時の解像度の向上をは図るもの
として、磁気超解像光磁気記録媒体(以下、MSR光磁
気記録媒体という)が知られている。この方法は記録磁
性層と再生磁性層の積層による多層磁性膜構造の光磁気
記録媒体を用い、これに記録された情報の再生時に、記
録媒体に照射されたレーザ光の光スポット内に生じる温
度分布を利用して、スポット内の特定部分に於ける記録
マークの有無を検出している。
On the other hand, in a magneto-optical recording medium, a magnetic super-resolution magneto-optical recording medium (hereinafter referred to as an MSR magneto-optical recording medium) is used in order to improve the resolution at the time of reproducing the recording medium having a high density. It has been known. This method uses a magneto-optical recording medium having a multilayer magnetic film structure formed by stacking a recording magnetic layer and a reproducing magnetic layer, and at the time of reproducing information recorded on the medium, the temperature generated in the light spot of the laser beam irradiated on the recording medium. The distribution is used to detect the presence or absence of a recording mark at a specific portion within the spot.

【0005】上記MSR光磁気記録媒体の1つとして
は、例えば、特開平3−88156号公報やProceeding
s of the First Magneto-Electronics Internatio
na Symposium,p139(1994)、J.Magn.Soc.jpn.,Vol.19,Su
pplement No.S1,p421(1995)に示された静磁結合タイプ
のMSR光磁気記録媒体が知られている。
One of the above MSR magneto-optical recording media is, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 3-88156 or Proceeding.
s of the First Magneto-Electronics Internatio
na Symposium, p139 (1994), J.Magn.Soc.jpn., Vol.19, Su
A magnetostatic coupling type MSR magneto-optical recording medium shown in pplement No. S1, p421 (1995) is known.

【0006】この方式は、最初に再生磁性層の磁化状態
を初期化外部磁界で一方向に磁化(初期化)し、再生時
にレーザ光により加熱された再生磁性層に、記録磁性層
の記録磁化情報を記録磁性層からの静磁気的磁界によっ
て転写し、この再生磁性層に転写された記録磁化情報を
カ−効果により読み出すものであり、最初に提案された
交換結合タイプのMSR光磁気記録媒体(例えば、前方
開口検出(FAD)、後方開口検出(RAD)のMSR
光磁気記録媒体)に比べ初期化外部磁界を小さくするこ
とができ、又、クロスト−クが少ないため記録密度を向
上させることができる。
In this method, the magnetization state of the reproducing magnetic layer is first magnetized (initialized) in one direction by an initializing external magnetic field, and the recording magnetization of the recording magnetic layer is recorded on the reproducing magnetic layer heated by the laser beam during reproduction. Information is transferred by a magnetostatic magnetic field from the recording magnetic layer, and the recording magnetization information transferred to the reproducing magnetic layer is read out by the Kerr effect. The first proposed exchange-coupling type MSR magneto-optical recording medium. (For example, MSR of front opening detection (FAD), rear opening detection (RAD)
The initializing external magnetic field can be made smaller than that of a magneto-optical recording medium, and the recording density can be improved because the crosstalk is small.

【0007】特開平3−88156に示された静磁結合
タイプのMSR光磁気記録媒体では、記録磁性層の磁化
に基づく浮遊磁界を利用して、記録磁性層の記録磁化情
報を再生磁性層に転写するものである。ここで、記録磁
性層からの浮遊磁界は弱いため、再生磁性層の保磁力H
cは小さい方が良い。また、良好なC/Nを得るために
は、再生磁性層の材料は、キュリ−点Tcが高く、かつ
カ−回転角が大きい材料であることが望ましい。上記条
件を満たす再生磁性層の材料としては、Tcが250℃
以上で、Hcが500[Oe]以下であるGdFeCoが
挙げられている。
In the magnetostatic coupling type MSR magneto-optical recording medium disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-88156, the stray magnetic field based on the magnetization of the recording magnetic layer is used to write the recording magnetization information of the recording magnetic layer to the reproducing magnetic layer. It is to be transcribed. Here, since the stray magnetic field from the recording magnetic layer is weak, the coercive force H of the reproducing magnetic layer is
The smaller c is better. Further, in order to obtain a good C / N, the material of the reproducing magnetic layer is preferably a material having a high Curie point Tc and a large curl rotation angle. The material of the reproducing magnetic layer satisfying the above conditions has Tc of 250 ° C.
Above, GdFeCo having Hc of 500 [Oe] or less is mentioned.

【0008】又、記録磁性層の記録磁化情報が再生磁性
層に転写される条件として、再生磁性層に与えられる記
録磁性層からの磁化にもとずく浮遊磁界Hl、再生磁性
層の反磁界Hd、再生時の転写補助磁界Hr、再生磁性
層の保磁力Hcが、再生光照射時の温度に於いて、 Hl+Hr+Hd=Hc・・・・(1) なる関係を満足する必要があると報告されている。しか
しながら、上記(1)式を満たしていても、飽和磁場H
sが再生磁性層の保磁力Hcに比べ大きいと、記録磁性
層の記録磁化情報が再生磁性層に完全に転写されない。
Further, as a condition for the recording magnetization information of the recording magnetic layer to be transferred to the reproducing magnetic layer, a stray magnetic field Hl and a demagnetizing field Hd of the reproducing magnetic layer based on the magnetization from the recording magnetic layer given to the reproducing magnetic layer. , It is reported that the transfer assisting magnetic field Hr during reproduction and the coercive force Hc of the reproducing magnetic layer must satisfy the relationship of Hl + Hr + Hd = Hc (1) at the temperature during irradiation of reproducing light. There is. However, even if the above equation (1) is satisfied, the saturation magnetic field H
When s is larger than the coercive force Hc of the reproducing magnetic layer, the recording magnetization information of the recording magnetic layer is not completely transferred to the reproducing magnetic layer.

【0009】又、文献Proceedings of the First M
agneto-Electronics InternationaSymposium,p139(199
4)やJ.Magn.Soc.jpn.,Vol.19,Supplement No.S1,p421(1
995)に於いても、再生磁性層の材料としてGdFeC
oが用いられ、波長780nmのレ−ザ光源で記録ピット
0.5μmで約45dBという高いC/Nが得られると報
告されている。しかしながら、記録ピット0.3μm以
下では、C/Nは40dBより低くなり十分なC/Nが得
られない。
Also, the literature Proceedings of the First M
agneto-Electronics InternationaSymposium, p139 (199
4) and J. Magn. Soc. Jpn., Vol. 19, Supplement No. S1, p421 (1
995) also uses GdFeC as a material for the reproducing magnetic layer.
It is reported that a high C / N of about 45 dB can be obtained with a recording pit of 0.5 μm using a laser light source having a wavelength of 780 nm. However, if the recording pit is 0.3 μm or less, the C / N becomes lower than 40 dB and a sufficient C / N cannot be obtained.

【0010】つまり、GdFeCoは短波長になるほ
ど、特に波長550nm以下ではカ−回転角が著しく小さ
くなるため、波長550nm以下の短波長レ−ザ光源を用
いて再生を行うと再生信号出力が低下し、十分なC/N
が得られない。従って、波長400〜550nm帯の青〜
緑色レ−ザ光源を用いてMSR再生を行う場合、短い記
録マーク長、例えば記録マーク長0.45μm以下の信
号で十分なC/Nを得るためには、波長400〜550
nm帯で大きなカ−回転角の得られる材料を再生磁性層に
用いる必要がある。
That is, the shorter the wavelength of GdFeCo is, the smaller the wavelength of 550 nm, especially the smaller the rotation angle of the car. Therefore, when reproduction is performed using a short wavelength laser light source having a wavelength of 550 nm or less, the reproduction signal output decreases. , Sufficient C / N
Can not be obtained. Therefore, the wavelength of 400 ~ 550nm band blue ~
When performing MSR reproduction using a green laser light source, in order to obtain a sufficient C / N with a signal having a short recording mark length, for example, a recording mark length of 0.45 μm or less, wavelengths of 400 to 550 are required.
It is necessary to use a material having a large rotation angle in the nm band for the reproducing magnetic layer.

【0011】ところで、波長400〜550nmで高いカ
−回転角が得られる材料としてPt/Co多層膜が知ら
れている。このPt/Co多層膜では、成膜方法により
Hcを500[Oe]以下にすることは可能であり、特開
平3−88156号に記載されている再生磁性層として
の要求特性、及び(1)式の関係を満足させることはで
きる。しかしながら、従来知られている膜特性を有する
Pt/Co多層膜を再生磁性層として用いた静磁結合タ
イプのMSR光磁気記録媒体では、上記式1を満たして
いても高いC/Nが得られなかった。ここで、高いC/
Nが得られないのは、Pt/Co多層膜は異方性分散が
大きいため、記録磁性層の記録磁化情報が再生磁性層に
完全に転写されないことに起因している。
By the way, a Pt / Co multilayer film is known as a material capable of obtaining a high curve rotation angle at a wavelength of 400 to 550 nm. In this Pt / Co multilayer film, Hc can be set to 500 [Oe] or less by the film forming method, and the required characteristics as a reproducing magnetic layer described in JP-A-3-88156 and (1) It is possible to satisfy the relation of the formula. However, in a magnetostatic coupling type MSR magneto-optical recording medium using a Pt / Co multilayer film having conventionally known film characteristics as a reproducing magnetic layer, a high C / N can be obtained even if the above expression 1 is satisfied. There wasn't. Where high C /
The reason why N is not obtained is that the Pt / Co multilayer film has a large anisotropic dispersion, and thus the recording magnetization information of the recording magnetic layer is not completely transferred to the reproducing magnetic layer.

【0012】次に、上記式1を満たすMSR光磁気記録
媒体で、高いC/Nが得られる場合と得られない場合に
ついて、図5を参照して説明する。図5は、典型的な垂
直磁化膜のカーループを示し、同図に示したカーループ
上の各ポイントに於ける印加磁場の大きさを、それぞれ
核生成磁場Hn、保磁力Hc、飽和磁場Hsとしたと
き、再生磁性層にGdFeCoを用いた場合には、非常
に角形性の良いカ−ル−プが得られるため、Hn≒Hc
≒Hs<200[Oe]となり、(1)式を満たせば高い
C/Nを得ることができる。しかしながら、Pt/Co
多層膜はGdFeCo膜にくらべ異方性分散が大きいた
め、Hcが500[Oe]以下でであってもHsが1[kO
e]以上と高くなり、(1)式を満足しても録磁性層の
記録磁化情報が再生磁性層に完全に転写されず、その結
果、C/Nが低下する。
Next, with respect to the MSR magneto-optical recording medium satisfying the above expression 1, the case where a high C / N is obtained and the case where it is not obtained will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows a Kerr loop of a typical perpendicular magnetization film, and the magnitude of the applied magnetic field at each point on the Kerr loop shown in FIG. 5 is a nucleation magnetic field Hn, a coercive force Hc, and a saturation magnetic field Hs, respectively. At this time, when GdFeCo is used for the reproducing magnetic layer, a curve having a very good squareness is obtained, so that Hn≈Hc
≈Hs <200 [Oe], and a high C / N can be obtained by satisfying the expression (1). However, Pt / Co
Since the multilayer film has a larger anisotropic dispersion than the GdFeCo film, Hs is 1 [kO] even when Hc is 500 [Oe] or less.
e] or higher, and even if the expression (1) is satisfied, the recording magnetization information of the recording magnetic layer is not completely transferred to the reproducing magnetic layer, and as a result, C / N is lowered.

【0013】従って、Pt/Co多層膜を再生磁性層と
して用いた場合のようにHc≒Hsを満たさない場合に
は、再生光照射温度において、 Hl+Hr+Hd=Hs・・・・(2) なる関係を満たす必要がある。又、Hsが非常に大きい
と、(2)式を満たすのは困難なため、再生磁性層とし
てPt/Co多層膜を用いた場合には、再生磁性層のH
sを小さくすると共に、そのカ−ル−プの角形性を向上
させなければならない。
Therefore, when Hc.apprxeq.Hs is not satisfied as in the case where the Pt / Co multilayer film is used as the reproducing magnetic layer, the relationship of Hl + Hr + Hd = Hs (2) is satisfied at the reproducing light irradiation temperature. Need to meet. If Hs is extremely large, it is difficult to satisfy the formula (2). Therefore, when a Pt / Co multilayer film is used as the reproducing magnetic layer, the H of the reproducing magnetic layer is increased.
It is necessary to reduce s and improve the squareness of the curl.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
再生磁性層にGdFeCoを用いたMSR光磁気記録媒
体では、再生光として400〜550nmのレ−ザ光源を
用いたときにカー回転角が低下し、再生磁性層にPt/
Co多層膜をMSR光磁気記録媒体では、記録磁性層の
記録磁化情報が再生磁性層に完全に転写させることがで
きず、いずれの場合にも、高いC/Nを得ることができ
ない。
As described above,
In the MSR magneto-optical recording medium using GdFeCo in the reproducing magnetic layer, the Kerr rotation angle decreases when a laser light source of 400 to 550 nm is used as reproducing light, and Pt /
In the MSR magneto-optical recording medium having the Co multilayer film, the recording magnetization information of the recording magnetic layer cannot be completely transferred to the reproducing magnetic layer, and in any case, high C / N cannot be obtained.

【0015】そこで、本発明は、再生磁性層としてPt
/Co多層膜を用いたMSR光磁気記録媒体に於いて、
再生磁性層のHsを小さくすると共に、そのカ−ル−プ
の角形性を向上させたことにより、400〜550nmの
レ−ザ光を再生光として用いた場合に、高C/Nが得ら
れる光磁気記録媒体を提供することを目的とするもので
あり、その結果、0.45μm以下の短い記録マークも
再生可能な高密度の光磁気記録媒体を提供することがで
きる。
Therefore, in the present invention, Pt is used as the reproducing magnetic layer.
In an MSR magneto-optical recording medium using a Co / Co multilayer film,
By reducing the Hs of the reproducing magnetic layer and improving the squareness of the curl, a high C / N can be obtained when laser light of 400 to 550 nm is used as the reproducing light. It is an object of the present invention to provide a magneto-optical recording medium, and as a result, it is possible to provide a high-density magneto-optical recording medium capable of reproducing short recording marks of 0.45 μm or less.

【0016】尚、特開平7−141709号にPt/C
o多層膜を再生磁性層に用いたことを特徴とする光磁気
記録媒体について開示されているが、この発明は再生磁
性層と記録磁性層の間に、室温で面内磁化状態であり、
温度が上昇すると垂直磁化状態になる中間磁性層が設け
られた構造を有するものであり、再生光照射時に、中間
磁性層を介して、交換結合力により記録磁性層の磁化情
報を再生磁性層に転写している。従って、本発明にかか
る光磁気記録媒体のように再生磁性層と記録磁性層の間
に非磁性層を設けた静磁結合タイプのMSR光磁気記録
媒体とは全く異なるものである。
Incidentally, Pt / C is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 7-141709.
o A magneto-optical recording medium characterized by using a multilayer film as a reproducing magnetic layer is disclosed. However, the present invention has an in-plane magnetization state at room temperature between the reproducing magnetic layer and the recording magnetic layer,
It has a structure in which an intermediate magnetic layer that becomes perpendicularly magnetized when the temperature rises is provided, and the magnetization information of the recording magnetic layer is transferred to the reproducing magnetic layer by the exchange coupling force via the intermediate magnetic layer during reproduction light irradiation. It is transcribed. Therefore, the magneto-optical recording medium according to the present invention is completely different from the magnetostatic coupling type MSR magneto-optical recording medium in which a non-magnetic layer is provided between the reproducing magnetic layer and the recording magnetic layer.

【0017】また、文献J.Magn.Soc.Jp
n.,Vol.17,Supplement S1(19
93),pp.171−174にはPt/Co多層膜を
用い、静磁結合を利用した光変調ダイレクトオ−バ−ラ
イトについて報告されているが、本文献に報告されてい
る光磁気記録媒体はPt/Co多層膜を記録層として用
いたものであり、本発明にかかるPt/Co多層膜を再
生磁性層として用いた光磁気記録媒体とは全く異なるも
のである。
In addition, reference J. Magn. Soc. Jp
n. , Vol. 17, Supplement S1 (19
93), pp. 171-174, a Pt / Co multilayer film is used, and an optical modulation direct over write using magnetostatic coupling has been reported. The magneto-optical recording medium reported in this document is a Pt / Co multilayer. The film is used as a recording layer, which is completely different from the magneto-optical recording medium using the Pt / Co multilayer film according to the present invention as a reproducing magnetic layer.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段及び作用】請求項1記載の
光磁気記録媒体は、透明基板上に、誘電体層、垂直磁化
膜であるPt/Co多層膜からなる再生磁性層、非磁性
層、再生磁性層より低いキュリ−温度と高い保磁力を有
する垂直磁化膜である記録磁性層が、この順で積層され
た光磁気記録媒体に於いて、前記再生磁性層の層厚が1
5〜30nmの範囲で、前記非磁性層の層厚が2〜10nm
で、前記記録磁性層の層厚が50〜250nmの範囲であ
り、かつ該再生磁性層と該記録磁性層が静磁結合してい
ることを特徴とするものである。
A magneto-optical recording medium according to claim 1 is a magneto-optical recording medium having a dielectric layer, a reproducing magnetic layer comprising a Pt / Co multilayer film as a perpendicular magnetization film, and a non-magnetic layer on a transparent substrate. In a magneto-optical recording medium in which a recording magnetic layer which is a perpendicular magnetic film having a Curie temperature and a high coercive force lower than that of the reproducing magnetic layer is laminated in this order, the reproducing magnetic layer has a layer thickness of 1
In the range of 5 to 30 nm, the thickness of the non-magnetic layer is 2 to 10 nm
The layer thickness of the recording magnetic layer is in the range of 50 to 250 nm, and the reproducing magnetic layer and the recording magnetic layer are magnetostatically coupled.

【0019】請求項2記載の光磁気記録媒体は、請求項
1記載の光磁気記録媒体に於いて、再生磁性層の飽和磁
場Hsが、室温に於いて、 Hs≦500[Oe] を満足することを特徴とするものである。
A magneto-optical recording medium according to a second aspect of the present invention is the magneto-optical recording medium according to the first aspect, wherein the saturation magnetic field Hs of the reproducing magnetic layer satisfies Hs ≦ 500 [Oe] at room temperature. It is characterized by that.

【0020】本発明にかかる光磁気記録媒体は、以上の
ような構成により、波長550nm以下の短波長の再生光
を用いたときに、大きなカー回転角が得られる。又、従
来のPt/Co多層膜からなる再生磁性層よりも飽和磁
場Hsを小さくしたことにより、再生時に、記録磁性層
の磁化を再生磁性層に良好に転写することができる。従
って、再生光として、短波長のレーザ光を用いたとき
に、高いC/Nが得られる。
The magneto-optical recording medium according to the present invention has a large Kerr rotation angle when a reproducing light having a short wavelength of 550 nm or less is used with the above structure. Further, by making the saturation magnetic field Hs smaller than that of the conventional reproducing magnetic layer made of a Pt / Co multilayer film, the magnetization of the recording magnetic layer can be satisfactorily transferred to the reproducing magnetic layer during reproduction. Therefore, a high C / N is obtained when a laser beam having a short wavelength is used as the reproduction light.

【0021】[0021]

【実施例】【Example】

[本発明にかかる光磁気記録媒体の構成と再生方法につ
いて]以下、本発明にかかる光磁気記録媒体の構成につ
いて、図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明
にかかる光磁気記録媒体の構成を示し、同図に於いて
は、基板1の上に、第1誘電体層2を介して再生磁性層
3、非磁性層4、記録磁性層5が積層され、ここで再生
磁性層3と記録磁性層5は、非磁性層4を介して静磁結
合するよう設けられる。又、記録磁性層5の上層に、保
護層として誘電体層6が設けてもよい。
[Structure of Magneto-Optical Recording Medium According to the Present Invention and Reproducing Method] Hereinafter, the structure of the magneto-optical recording medium according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows the structure of a magneto-optical recording medium according to the present invention. In FIG. 1, a reproducing magnetic layer 3, a non-magnetic layer 4 and a recording layer are formed on a substrate 1 via a first dielectric layer 2. The magnetic layer 5 is laminated, and the reproducing magnetic layer 3 and the recording magnetic layer 5 are provided so as to be magnetostatically coupled via the nonmagnetic layer 4. Further, a dielectric layer 6 may be provided as a protective layer on the recording magnetic layer 5.

【0022】この光磁気記録媒体に対する情報の記録は
通常の方法で行われる。すなわち、所定の外部磁界を与
えた状態で半導体レ−ザ光を照射して、局部的に記録マ
ークを形成し、情報の記録を行う。尚、以下の説明に於
いては、光変調タイプの場合について説明するが、磁界
変調タイプの場合にも同様の効果が得られる。
Information is recorded on this magneto-optical recording medium by a usual method. That is, the semiconductor laser light is irradiated in a state where a predetermined external magnetic field is applied to locally form a recording mark and information is recorded. In the following description, the case of the light modulation type will be described, but the same effect can be obtained also in the case of the magnetic field modulation type.

【0023】次に、上述のようにして情報が記録された
光磁気記録媒体の再生方法、つまり記録マークの検出方
法について図2を用いて説明する。同図に於いて、
(a)は再生光が照射された部分の平面図を、(b)は
その断面図を示す。
Next, a reproducing method of the magneto-optical recording medium in which the information is recorded as described above, that is, a recording mark detecting method will be described with reference to FIG. In the figure,
(A) is a plan view of a portion irradiated with reproduction light, and (b) is a sectional view thereof.

【0024】図2の(a)に於いて、11は再生光が照
射された部分である光スポットを、12は転写が行われ
る高温部を、21〜26は記録磁性層に形成された記録
マークを示す。ここで、光スポット11は、D1方向に
移動していくため、高温部12は光スポット11の後方
(進行方向の後ろ側)にずれる。又、(b)は、再生磁
性層34と記録磁性層5の磁化方向を示す。ここで、再
生磁性層3から記録磁性層5に向かう場合を下向きとい
い、記録磁性層5から再生磁性層3に向かう場合を上向
きとすれば、記録磁性層5に於いて記録マークが形成さ
れた部分は上向きに磁化している。
In FIG. 2A, 11 is a light spot which is a portion irradiated with reproducing light, 12 is a high temperature portion where transfer is performed, and 21 to 26 are recordings formed on the recording magnetic layer. Indicates the mark. Here, since the light spot 11 moves in the D1 direction, the high temperature portion 12 shifts to the rear of the light spot 11 (back side in the traveling direction). Further, (b) shows the magnetization directions of the reproducing magnetic layer 34 and the recording magnetic layer 5. Here, when the direction from the reproducing magnetic layer 3 to the recording magnetic layer 5 is called downward, and the direction from the recording magnetic layer 5 to the reproducing magnetic layer 3 is upward, a recording mark is formed in the recording magnetic layer 5. The open part is magnetized upward.

【0025】本発明にかかる光磁気記録媒体に記録され
ている情報を再生する場合には、再生磁性層3に初期化
磁界7を印加し、再生磁性層3の磁化を一方向に揃えて
いる。例えば、図2(b)に於いては、初期化の際に再
生磁性層3の磁化が下向きに揃えている。
When reproducing information recorded on the magneto-optical recording medium according to the present invention, an initializing magnetic field 7 is applied to the reproducing magnetic layer 3 to align the magnetization of the reproducing magnetic layer 3 in one direction. . For example, in FIG. 2B, the magnetization of the reproducing magnetic layer 3 is aligned downward during initialization.

【0026】上述のようにして再生磁性層3の磁化が下
向きに初期化された部分に、再生光が照射されるとその
部分の温度上昇し、その温度が一定の温度(以下、この
温度をTという)以上になると、記録磁性層5の磁化
が再生磁性層3に転写される。ここで、Tは100〜
130℃であり、再生光を照射したときに温度が、T
より高くなった部分が、上記高温部12に対応する。
尚、この際に、再生光が照射された部分には、記録マー
ク上向きに転写補助磁界8(Hr)が印加されている。
When the reproducing light is irradiated to the portion where the magnetization of the reproducing magnetic layer 3 is initialized downward as described above, the temperature of the portion is increased and the temperature is kept at a constant temperature (hereinafter, this temperature is It becomes to T 1 hereinafter) or more, the magnetization of the recording magnetic layer 5 is transferred to the reproducing magnetic layer 3. Here, T 1 is 100 to
The temperature is 130 ° C. and the temperature is T 1 when irradiated with the reproducing light.
The higher portion corresponds to the high temperature portion 12.
At this time, the transfer auxiliary magnetic field 8 (Hr) is applied to the portion irradiated with the reproduction light in the upward direction of the recording mark.

【0027】そして、記録磁性層5の磁化が再生磁性層
3に転写されると、その転写された磁化の向き応じて、
照射された再生光の反射光の偏光面が回転する。従っ
て、この偏光面の回転量であるカ−回転角を検出するこ
とにより、記録磁性層5に記録された記録マークの有無
を検出することができる。
Then, when the magnetization of the recording magnetic layer 5 is transferred to the reproducing magnetic layer 3, depending on the direction of the transferred magnetization,
The polarization plane of the reflected light of the irradiated reproduction light rotates. Therefore, the presence or absence of the recording mark recorded on the recording magnetic layer 5 can be detected by detecting the curve rotation angle which is the rotation amount of the polarization plane.

【0028】ここで、光スポット11内であっても、温
度がTより低い部分は記録磁性層5の磁化が再生磁性
層3に転写されず、その部分はマスクとして作用するた
め、光スポット11と温度がTより高い高温部12の
重なった部分に於ける記録マークの有無だけを検出する
ことができる。つまり、光スポット11内に記録マーク
24と記録マーク25があっても、記録マーク25だけ
が検出される。
Here, even within the light spot 11, the magnetization of the recording magnetic layer 5 is not transferred to the reproducing magnetic layer 3 in the portion where the temperature is lower than T 1 , and that portion acts as a mask, so that the light spot It is possible to detect only the presence or absence of the recording mark in the overlapping portion of 11 and the high temperature portion 12 whose temperature is higher than T 1 . That is, even if the recording mark 24 and the recording mark 25 are present in the light spot 11, only the recording mark 25 is detected.

【0029】尚、再生磁性層の磁化を初期化する初期化
磁界によって、記録磁性層5に記録された情報が破壊さ
れないようにするためには、再生磁性層3の保磁力をH
、記録磁性層5の保磁力をHc、初期化磁界Hi
niは、室温に於いて、 Hc<Hini<Hc・・・・(3) の条件を満たす必要がある。
In order to prevent the information recorded in the recording magnetic layer 5 from being destroyed by the initializing magnetic field for initializing the magnetization of the reproducing magnetic layer, the coercive force of the reproducing magnetic layer 3 is set to H.
c 1 , the coercive force of the recording magnetic layer 5 is Hc 2 , and the initializing magnetic field Hi is
ni needs to satisfy the condition of Hc 1 <Hini <Hc 2 ... (3) at room temperature.

【0030】又、再生光照射時に、温度がT以上にな
った部分で記録磁性層5の磁化が再生磁性層3に転写さ
れるためには、再生磁性層3に与えられる記録磁性層5
の磁化に基づく漏洩磁界Hl、再生磁性層3の反磁界H
d、転写補助磁界Hr、再生磁性層3の飽和磁場Hs
は、温度Tに於いて、 Hr+Hl+Hd=Hs・・・・(4) の条件を満たし、T>Tに於いて、 Hr+Hl+Hd>Hs・・・・(5) の条件を満たす必要がある。
In order to transfer the magnetization of the recording magnetic layer 5 to the reproducing magnetic layer 3 at the portion where the temperature becomes T 1 or more during irradiation of the reproducing light, the recording magnetic layer 5 provided to the reproducing magnetic layer 3 is required.
Magnetic field Hl based on the magnetization of the magnetic field, demagnetizing field H of the reproducing magnetic layer 3
d, transfer assisting magnetic field Hr, saturation magnetic field Hs of the reproducing magnetic layer 3
Must satisfy the condition of Hr + Hl + Hd = Hs ... (4) at the temperature T 1, and the condition of Hr + Hl + Hd> Hs (5) at T> T 1 .

【0031】ここで、記録磁性層5からの漏洩磁界Hl
は、400[Oe]程度で、再生磁性層3の反磁界Hdは
50〜150[Oe]程度である。又、転写補助磁界Hr
は小さい方がドライブの小型化の面から好ましいため、
通常、100[Oe]程度に設定される。従って、再生磁
性層3の飽和磁場Hsは、温度Tに於いて、500Oe
以下にすることが望ましい。
Here, the leakage magnetic field Hl from the recording magnetic layer 5
Is about 400 [Oe], and the demagnetizing field Hd of the reproducing magnetic layer 3 is about 50 to 150 [Oe]. Also, the transfer assisting magnetic field Hr
Is preferable from the aspect of drive miniaturization,
Usually, it is set to about 100 [Oe]. Therefore, the saturation magnetic field Hs of the reproducing magnetic layer 3 is 500 Oe at the temperature T 1.
It is desirable to make the following.

【0032】次に、本発明に係る光磁気記録媒体を構成
する各層について説明する。
Next, each layer constituting the magneto-optical recording medium according to the present invention will be described.

【0033】本発明に係る光磁気記録媒体に於いては、
基板1として、通常、ポリカ−ボネ−ト等の高分子樹脂
基板やガラス基板が用いられ、この基板1上に第1誘電
体層2、再生磁性層3、非磁性層4、及び記録磁性層5
が設けられている。
In the magneto-optical recording medium according to the present invention,
A polymer resin substrate such as polycarbonate or a glass substrate is usually used as the substrate 1, and a first dielectric layer 2, a reproducing magnetic layer 3, a non-magnetic layer 4, and a recording magnetic layer are formed on the substrate 1. 5
Is provided.

【0034】第1誘電体層2は、カ−効果のエンハンス
層として働くものであり、SiN、LaSiON、Al
N、ZnO等の材料を用いることができる。又、第1誘
電体層2の表面性は特に限定されるものではないが、表
面性が悪いと誘電体層上に設けたPt/Co多層膜の異
方性分散が大きくなり飽和磁場Hsが1[kOe]以上と
大きくなり、その結果、記録磁性層5の磁化情報を再生
磁性層3に良好に転写できなくなる。従って、第1誘電
体層2の表面粗度Raは5nm以下であることが好まし
く、2nm以下であればより好ましい。
The first dielectric layer 2 functions as an enhancement layer for the car effect, and is made of SiN, LaSiON, Al.
Materials such as N and ZnO can be used. Further, the surface property of the first dielectric layer 2 is not particularly limited, but if the surface property is poor, the anisotropic dispersion of the Pt / Co multilayer film provided on the dielectric layer becomes large and the saturation magnetic field Hs is increased. It becomes as large as 1 [kOe] or more, and as a result, the magnetization information of the recording magnetic layer 5 cannot be satisfactorily transferred to the reproducing magnetic layer 3. Therefore, the surface roughness Ra of the first dielectric layer 2 is preferably 5 nm or less, more preferably 2 nm or less.

【0035】尚、表面粗度Raが小さい誘電体層2は、
基板1が平坦であれば容易に作製できるが、基板1の表
面性が悪くても、作製した誘電体層の表面を逆スパッタ
したり、また、イオンビ−ムスパッタ法やヘリコンスパ
ッタ法で窒素イオンビ−ムをアシストしながらSiまた
は窒化シリコンをスパッタして成膜することにより得る
ことができる。
The dielectric layer 2 having a small surface roughness Ra is
If the substrate 1 is flat, it can be easily produced, but even if the surface property of the substrate 1 is poor, the surface of the produced dielectric layer is reverse-sputtered, or a nitrogen ion beam is formed by an ion beam sputtering method or a helicon sputtering method. It can be obtained by forming a film by sputtering Si or silicon nitride while assisting the sputtering.

【0036】再生磁性層3は、Pt/Co多層膜からな
り、その膜厚は15〜30nmの範囲に設定することが好
ましい。ここで、Pt/Co多層膜の膜厚が15nmより
薄くなると、核生成磁場Hn、保磁力Hc、飽和磁場H
sは、Hn≒Hc≒Hs<500[Oe]となり、カ−ル
−プの角形性は良くなるが、再生時の再生磁性層による
カ−効果に、記録磁性層5が影響を及ぼし、再生ノイズ
が大きくなる。又、Pt/Co多層膜の膜厚が30nmよ
り厚くなると、Pt/Co多層膜自身のHsが500
[Oe]より大きくなるため、記録磁性層5からの漏洩磁
界では再生磁性層3に磁化情報を転写できなくなる。
The reproducing magnetic layer 3 is composed of a Pt / Co multilayer film, and its thickness is preferably set in the range of 15 to 30 nm. Here, when the film thickness of the Pt / Co multilayer film becomes thinner than 15 nm, the nucleation magnetic field Hn, the coercive force Hc, the saturation magnetic field H
s becomes Hn≈Hc≈Hs <500 [Oe], and the squareness of the curl is improved, but the recording magnetic layer 5 influences the curling effect of the reproducing magnetic layer during reproduction, and The noise becomes loud. Also, when the film thickness of the Pt / Co multilayer film becomes thicker than 30 nm, the Hs of the Pt / Co multilayer film itself becomes 500.
Since it is larger than [Oe], the magnetic field cannot be transferred to the reproducing magnetic layer 3 by the leakage magnetic field from the recording magnetic layer 5.

【0037】又、Pt/Co多層膜を構成するPt膜と
Co膜については、Pt膜の膜厚は0.5〜2.5nm、
Co膜の膜厚は0.3〜0.6nmの範囲に設定すること
が好ましい。ここで、Pt膜の膜厚が0.5nmより薄い
とカ−ル−プの角形性が良好な垂直磁化膜が得られず、
2.5nmより厚くなるとカ−回転角が低下する。又、C
o膜の膜厚が0.3nmより薄くなるとカ−回転角が低下
し、0.6nmより大きいとカ−ル−プの角形性が良好な
垂直磁化膜が得られない。
Further, regarding the Pt film and the Co film forming the Pt / Co multilayer film, the film thickness of the Pt film is 0.5 to 2.5 nm,
The film thickness of the Co film is preferably set in the range of 0.3 to 0.6 nm. If the thickness of the Pt film is less than 0.5 nm, a perpendicular magnetization film having good curl squareness cannot be obtained.
If the thickness is more than 2.5 nm, the car rotation angle decreases. Also, C
If the film thickness of the o film is smaller than 0.3 nm, the curl rotation angle is reduced, and if it is larger than 0.6 nm, a perpendicular magnetized film having good curl squareness cannot be obtained.

【0038】従って、高いC/Nを得るためには、再生
磁性層3になるPt/Co多層膜の膜厚は、15〜30
nmの範囲で設定し、更に、Pt/Co多層膜を構成する
Pt膜の膜厚は0.5〜2.5nmの範囲で、Co膜の膜
厚は0.3〜0.6nmの範囲で設定する必要がある。
Therefore, in order to obtain a high C / N, the film thickness of the Pt / Co multilayer film which becomes the reproducing magnetic layer 3 is 15 to 30.
The thickness of the Pt film forming the Pt / Co multilayer film is 0.5 to 2.5 nm, and the film thickness of the Co film is 0.3 to 0.6 nm. Must be set.

【0039】再生磁性層3上に設ける非磁性層4には、
SiN、AlN等の材料を用いることができ、その層厚
は2〜10nmの範囲に設定することが好ましい。ここ
で、非磁性層4の層厚が2nmより薄いと記録磁性層5と
再生磁性層3の交換結合力が完全に断ち切れなくなるた
め、再生磁性層3のHcが大きくなり、記録磁性層5か
らの漏洩磁界Hlでは再生磁性層3に記録磁性層5の記
録磁化情報を転写できなくなる。又、非磁性層4の層厚
が10nmより厚くなると、記録磁性層5からの漏洩磁界
Hlが小さくなるため、記録磁性層5の磁化情報を再生
磁性層3に完全に転写できなくなる。従って、記録磁性
層5の磁化情報を再生磁性層3に良好に転写するために
は、非磁性層4の層厚は2〜10nmの範囲で設定する必
要がある。
The non-magnetic layer 4 provided on the reproducing magnetic layer 3 includes
Materials such as SiN and AlN can be used, and the layer thickness thereof is preferably set in the range of 2 to 10 nm. Here, if the thickness of the non-magnetic layer 4 is less than 2 nm, the exchange coupling force between the recording magnetic layer 5 and the reproducing magnetic layer 3 cannot be completely cut off, so that the Hc of the reproducing magnetic layer 3 becomes large, and With the leakage magnetic field Hl, the recording magnetization information of the recording magnetic layer 5 cannot be transferred to the reproducing magnetic layer 3. When the thickness of the non-magnetic layer 4 is thicker than 10 nm, the leakage magnetic field Hl from the recording magnetic layer 5 becomes small, so that the magnetization information of the recording magnetic layer 5 cannot be completely transferred to the reproducing magnetic layer 3. Therefore, in order to properly transfer the magnetization information of the recording magnetic layer 5 to the reproducing magnetic layer 3, it is necessary to set the layer thickness of the nonmagnetic layer 4 in the range of 2 to 10 nm.

【0040】非磁性層4上に設ける記録磁性層5は、記
録磁性層5は記録された磁化が外部磁界で変化すること
がないように、室温において保磁力が高く、再生光照射
し温度が上昇したときに磁化が変化しないようにキュリ
−温度が比較的高い材料、例えば、キュリー温度が25
0℃以上のTbFeCo等を用いることが好ましい。
又、記録磁性層5は、再生磁性層3に磁化情報を転写す
るのに十分な大きさの漏洩磁界Hlを生じさせる必要が
あるため、再生光照射時の温度において磁化が大きいこ
とが望ましい。
The recording magnetic layer 5 provided on the non-magnetic layer 4 has a high coercive force at room temperature and a temperature of irradiation with reproducing light so that the recorded magnetization does not change due to an external magnetic field. A material having a relatively high Curie temperature so that the magnetization does not change when the temperature rises, for example, a Curie temperature of 25
It is preferable to use TbFeCo at 0 ° C. or higher.
Further, the recording magnetic layer 5 is required to generate a leakage magnetic field Hl of a sufficient magnitude to transfer the magnetization information to the reproducing magnetic layer 3, and therefore, it is desirable that the recording magnetic layer 5 has a large magnetization at the temperature when the reproducing light is irradiated.

【0041】従って、記録磁性層5には、室温で遷移金
属副格子磁化優勢な材料を用い、その層厚は50〜25
0nmの範囲に設定することが好ましい。ここで、記録磁
性層5の層厚が50nmより薄いと漏洩磁界Hlが小さく
なるため、良好な転写が行えず、250nmより厚いと、
記録時に照射するレーザ光のパワ−を大きくする必要が
あり好ましくない。
Therefore, the recording magnetic layer 5 is made of a material having a transition metal sublattice magnetization dominant at room temperature and has a layer thickness of 50 to 25.
It is preferable to set in the range of 0 nm. Here, if the layer thickness of the recording magnetic layer 5 is thinner than 50 nm, the leakage magnetic field Hl becomes small, so that good transfer cannot be performed, and if it is thicker than 250 nm,
It is not preferable because it is necessary to increase the power of the laser beam applied during recording.

【0042】次に、本発明にかかる光磁化記録媒体の製
造方法について説明する。
Next, a method of manufacturing the photomagnetization recording medium according to the present invention will be described.

【0043】本発明に係る再生磁性層3の用いるPt/
Co多層膜は、異方性分散が少なく、Hs≦500[O
e]、1≦(Hs/Hc)≦2を満足する膜である必要
があり、Hsが500[Oe]より大きいと良好な転写が
行えず、Hs/Hcが2より大きいとノイズが高くな
り、良好なC/Nが得られない。
Pt / used in the reproducing magnetic layer 3 according to the present invention
The Co multi-layer film has a small anisotropic dispersion, and Hs ≦ 500 [O
e] It is necessary for the film to satisfy 1 ≦ (Hs / Hc) ≦ 2. If Hs is larger than 500 [Oe], good transfer cannot be performed, and if Hs / Hc is larger than 2, noise increases. However, good C / N cannot be obtained.

【0044】この条件を満足するためには、Pt膜とC
o膜を交互に積層してPt/Co多層膜を形成する際
に、Pt膜とCo膜の界面が平坦な膜にし、異方性分散
を少なくする必要がある。
In order to satisfy this condition, a Pt film and a C
When the Pt / Co multilayer film is formed by alternately stacking the o films, it is necessary to make the interface between the Pt film and the Co film flat and reduce the anisotropic dispersion.

【0045】例えば、Pt/Co多層膜をスパッタ法や
蒸着法などで作製する場合、基板に被着する時の飛来粒
子が比較的高いエネルギ−であれば界面が平坦な膜が得
られる。すなわち、粒子のエネルギ−が高いと基板に被
着したときマイグレ−ション効果により、平坦な界面が
形成される。
For example, when a Pt / Co multilayer film is produced by a sputtering method or a vapor deposition method, a film having a flat interface can be obtained if the flying particles deposited on the substrate have relatively high energy. That is, when the energy of particles is high, a flat interface is formed by the migration effect when the particles are deposited on the substrate.

【0046】従って、Pt/Co多層膜は粒子エネルギ
−の高いスパッタ法で作製することが望ましく、スパッ
タ圧力が10−4Torr台以下であれば、より望ましい。
ここで、成膜時のスパッタ圧力が10−3Torrより高い
と、スパッタ粒子がスパッタガス粒子と衝突することに
より粒子エネルギ−が低下し、基板表面では数eV程度の
エネルギ−になってしまうが、スパッタ圧力を10−4
Torr台以下であれば、マイグレ−ション効果をおこすの
に十分なエネルギ−を有する粒子が基板に被着するた
め、平坦な界面を有する多層膜を形成することができ
る。尚、10−4Torr台以下でスパッタ可能な方法とし
ては、イオンビ−ムスパッタ法やヘリコンスパッタ法等
があるが、10−4Torr台以下のスパッタ圧力で成膜を
行うことができれば他の方法であってもよい。
Therefore, it is desirable that the Pt / Co multilayer film is formed by a sputtering method having a high particle energy, and it is more desirable that the sputtering pressure is on the order of 10 −4 Torr or less.
Here, if the sputtering pressure during film formation is higher than 10 −3 Torr, the sputtered particles collide with sputtered gas particles to lower the particle energy, resulting in energy of several eV on the substrate surface. , Sputter pressure 10 −4
Below the Torr level, particles having sufficient energy to cause the migration effect adhere to the substrate, so that a multilayer film having a flat interface can be formed. Incidentally, as a method capable of sputtering at a level of 10 −4 Torr or less, there are an ion beam sputtering method, a helicon sputtering method and the like, but other methods can be used as long as the film can be formed at a sputtering pressure of 10 −4 Torr or less. It may be.

【0047】このようにして得られるPt/Co多層膜
を再生磁性層3として用いることにより、波長550nm
以下の短波長レ−ザを使用して再生した場合、大きな再
生出力が得られる。
By using the Pt / Co multilayer film thus obtained as the reproducing magnetic layer 3, a wavelength of 550 nm is obtained.
When reproduced using the following short wavelength laser, a large reproduction output is obtained.

【0048】(実施例1)本発明にかかる光磁気記録媒
体として、図3に示したような断面構造を有する光磁気
ディスクを作製する場合について説明する。尚、本実施
例の光磁気ディスクは、多元イオンビ−ムスパッタ装置
とDCおよびRFスパッタ装置を用いて作製した。
Example 1 A case where a magneto-optical disk having a sectional structure as shown in FIG. 3 is manufactured as a magneto-optical recording medium according to the present invention will be described. The magneto-optical disk of this example was manufactured using a multi-source ion beam sputtering device and a DC / RF sputtering device.

【0049】まず、イオンビ−ムスパッタ装置内に、ポ
リカ−ボネ−ト基板9をセットし、基板を回転させなが
ら第1誘電体層2、再生磁性層3及び非磁性層4を連続
して形成する工程について説明する。
First, the polycarbonate substrate 9 is set in the ion beam sputtering apparatus, and the first dielectric layer 2, the reproducing magnetic layer 3 and the nonmagnetic layer 4 are continuously formed while rotating the substrate. The steps will be described.

【0050】ここで、ポリカ−ボネ−ト基板9の表面に
は、光ヘッド案内溝やアドレスなどを示すピット等が予
め設けられている。尚、本実施例では、トラックピッチ
0.8μm、グル−ブ幅が0.26μm、グル−ブ深さが
48nmのポリカ−ボネ−ト基板9を用いた.第1誘電体
層:Arイオンビ−ムにより、下記成膜条件でSiター
ゲットをスパッタし、同時に、ポリカ−ボネ−ト基板9
の表面にアシストイオンガンにより窒素イオンビ−ムを
アシストし窒化シリコンからなる層厚60nmの第1誘電
体層2を形成した。
Here, on the surface of the polycarbonate substrate 9, optical head guide grooves, pits indicating addresses, etc. are provided in advance. In this embodiment, a polycarbonate substrate 9 having a track pitch of 0.8 μm, a groove width of 0.26 μm and a groove depth of 48 nm was used. First dielectric layer: Ar ion beam Depending on the film, a Si target is sputtered under the following film forming conditions, and at the same time, the polycarbonate substrate 9
A nitrogen ion beam was assisted by an assist ion gun to form a first dielectric layer 2 of silicon nitride having a layer thickness of 60 nm on the surface of.

【0051】 メインイオンガン : ビ−ム電圧 1200V ビ−ム電流 135mA Arガス流量 10SCCM アシストイオンガン : ビ−ム電圧 350V ビ−ム電流 10mA 窒素ガス流量 20SCCM スパッタ圧力 :3.6x10−4Torr 成膜速度 :0.25nm/sec 再生磁性層:Krイオンビ−ムを用い下記成膜条件で、
Ptタ−ゲットとCoタ−ゲットを交互にスパッタする
ことにより、膜厚2nmのPt膜と膜厚0.5nmのCo膜
を交互に積層し、層厚20nmのPt/Co多層膜である
再生磁性層3を形成した。
Main ion gun: Beam voltage 1200V Beam current 135mA Ar gas flow rate 10SCCM Assist ion gun: Beam voltage 350V Beam current 10mA Nitrogen gas flow rate 20SCCM Sputtering pressure: 3.6 × 10 −4 Torr Deposition rate: 0.25 nm / sec reproducing magnetic layer: Kr ion beam was used under the following film forming conditions.
A Pt film with a thickness of 2 nm and a Co film with a thickness of 0.5 nm are alternately laminated by alternately sputtering a Pt target and a Co target to reproduce a Pt / Co multilayer film with a layer thickness of 20 nm. The magnetic layer 3 was formed.

【0052】 スパッタガス : Kr 10SCCM スパッタガス圧 : 1.4x10−4Torr ビ−ム電圧 : 300V ビ−ム電流 : 30mA 成膜速度 : Pt 0.02nm/sec Co 0.02nm/sec 非磁性層:第1誘電体層2の場合と同様な条件(第1誘
電体層2の窒化シリコン膜と同じ成膜条件)で、窒化シ
リコンからなる層厚10nmの非磁性層4を形成した。
Sputtering gas: Kr 10 SCCM Sputtering gas pressure: 1.4 × 10 −4 Torr Beam voltage: 300 V Beam current: 30 mA Film forming rate: Pt 0.02 nm / sec Co 0.02 nm / sec Nonmagnetic layer: The non-magnetic layer 4 made of silicon nitride and having a layer thickness of 10 nm was formed under the same conditions as in the case of the first dielectric layer 2 (the same film forming conditions as the silicon nitride film of the first dielectric layer 2).

【0053】次に、上述のようにして第1誘電体層2、
再生磁性層3及び非磁性層4を形成したポリカーボネイ
ト基板9を、別のスパッタ装置にセットして、記録磁性
層5、第3誘電体層6を連続して成膜する工程について
説明する。
Then, as described above, the first dielectric layer 2,
A process of setting the polycarbonate substrate 9 on which the reproducing magnetic layer 3 and the non-magnetic layer 4 are formed in another sputtering apparatus and continuously forming the recording magnetic layer 5 and the third dielectric layer 6 will be described.

【0054】記録磁性層:記録磁性層5を形成する前に
非磁性層4の層厚が5nmになるよう逆スパッタを行い、
その後、DCスパッタにより、下記成膜条件でTbFe
CoCrからなる層厚100nmの記録磁性層5を形成し
た。尚、本実施例の場合、記録磁性層5の耐食性を向上
させるためにCrが添加されたTbFeCoCr膜を用
いている。
Recording magnetic layer: Before forming the recording magnetic layer 5, reverse sputtering was performed so that the nonmagnetic layer 4 had a thickness of 5 nm.
After that, TbFe was formed by DC sputtering under the following film forming conditions.
A recording magnetic layer 5 made of CoCr and having a layer thickness of 100 nm was formed. In this example, a TbFeCoCr film added with Cr is used to improve the corrosion resistance of the recording magnetic layer 5.

【0055】 タ−ゲット : Tb19Fe61Co17.5Cr2.5 スパッタガス : Ar 100 SCCM スパッタガス圧 : 1.5x10−3Torr 投入パワ− : 1000W 成膜速度 : 20nm/min 第2誘電体層:RFスパッタ法により、下記成膜条件で
窒化シリコンからなる層厚40nmの第2誘電体層6を形
成した。
Target: Tb 19 Fe 61 Co 17.5 Cr 2.5 Sputtering gas: Ar 100 SCCM Sputtering gas pressure: 1.5 × 10 −3 Torr Input power: 1000 W Deposition rate: 20 nm / min Second dielectric Body layer: A second dielectric layer 6 made of silicon nitride and having a layer thickness of 40 nm was formed by the RF sputtering method under the following film forming conditions.

【0056】 タ−ゲット : Si スパッタガス : Ar 30SCCM + 窒素 20SCCM スパッタガス圧 : 1x10−3Torr 投入パワ− : 1000W 成膜速度 : 8nm/min 以上のようにして成膜したポリカーボネイト基板9を、
チャンバ−から取り出し、保護膜9として紫外線硬化樹
脂膜を約10μm形成し、光磁気ディスクとした。
Target: Si Sputtering gas: Ar 30SCCM + Nitrogen 20SCCM Sputtering gas pressure: 1 × 10 −3 Torr Input power: 1000 W Deposition rate: 8 nm / min Polycarbonate substrate 9 deposited as above,
It was taken out from the chamber, and an ultraviolet curable resin film as a protective film 9 was formed to a thickness of about 10 μm to obtain a magneto-optical disk.

【0057】作製した光磁気ディスクの膜特性を調べる
ため、再生磁性層3と記録磁性層5の波長680nmにお
けるカ−ル−プ(再生磁性層3の保磁力Hc、飽和磁場
Hs、Hs/Hc、カー回転角及び記録磁性層の保磁力
Hc)を調べ、その結果を表1に示した。尚、本測定に
は、保護膜9を形成しないこと以外は同じ条件で膜を形
成したディスクを用い、再生磁性層3のカ−ル−プを測
定するときには、基板側からレーザ光を照射し、記録磁
性層5のカ−ル−プを測定するときには、記録磁性層5
の膜面側からレーザ光を照射した。
In order to examine the film characteristics of the manufactured magneto-optical disk, the curves (coercive force Hc, saturation magnetic field Hs, Hs / Hc of the reproducing magnetic layer 3) of the reproducing magnetic layer 3 and the recording magnetic layer 5 at a wavelength of 680 nm were used. The Kerr rotation angle and the coercive force Hc) of the recording magnetic layer were examined, and the results are shown in Table 1. In this measurement, a disk having a film formed under the same conditions except that the protective film 9 was not formed was used. When measuring the curve of the reproducing magnetic layer 3, laser light was irradiated from the substrate side. When measuring the curl of the recording magnetic layer 5,
The film was irradiated with laser light from the film surface side.

【0058】表1に示したように、再生磁性層3につい
ては、Hs=160[Oe]、Hc=150[Oe]、θk
=0.4[deg]、Hs/Hc=1.07となり、図
4に示したような角形性の良好なカ−ル−プが得られ
た。又、記録磁性層5については、Hc=11[kOe]
の角形比1のカ−ル−プが得られた。尚、ここでは、室
温(20℃程度)で、Hs及びHcを測定したが、室温
に於いてHs≦500[Oe]であれば、再生光照射時の
温度、つまりTに於いてもHs≦500[Oe]とな
り、良好な転写を行うことができる。
As shown in Table 1, for the reproducing magnetic layer 3, Hs = 160 [Oe], Hc = 150 [Oe], θk.
= 0.4 [deg] and Hs / Hc = 1.07, and a curl with good squareness as shown in FIG. 4 was obtained. For the recording magnetic layer 5, Hc = 11 [kOe]
A curl with a squareness ratio of 1 was obtained. Note that, here, Hs and Hc were measured at room temperature (about 20 ° C.), but if Hs ≦ 500 [Oe] at room temperature, the temperature during reproduction light irradiation, that is, Hs at T 1 ≦ 500 [Oe], and good transfer can be performed.

【0059】又、作製した光磁気ディスクについて、以
下のようにして記録再生特性を調べた。
The recording / reproducing characteristics of the manufactured magneto-optical disk were examined as follows.

【0060】まず、波長680nmの半導体レ−ザを用い
て、線速7.4m/sec、記録磁界24kA/m、記録光パワ
−9mW、記録周波数8.22MHzおよび12.33MHzで
長さ0.45μm及び0.3μmの記録マークを形成し
た。
First, using a semiconductor laser having a wavelength of 680 nm, a linear velocity of 7.4 m / sec, a recording magnetic field of 24 kA / m, a recording light power of 9 mW, recording frequencies of 8.22 MHz and 12.33 MHz and a length of 0. Recording marks of 45 μm and 0.3 μm were formed.

【0061】次に、再生する前に、40kA/mの初期化磁
界で再生磁性層3の磁化を一定方向に初期化した後、波
長680nmの半導体レ−ザを用いて、再生光パワ−4m
W、転写補助磁界8kA/mで再生を行い、そのときのC/
Nを測定した。その結果を表1に示したように、マーク
長0.45μmの場合には、C/N=41dBとなり、マ
ーク長0.3μmの場合にはC/N=35dBとなった。
Next, before reproducing, the magnetization of the reproducing magnetic layer 3 was initialized in a fixed direction with an initializing magnetic field of 40 kA / m, and then a reproducing light power of -4 m was used by using a semiconductor laser having a wavelength of 680 nm.
Playback with W and transfer assist magnetic field 8 kA / m, C / at that time
N was measured. As shown in Table 1, C / N = 41 dB when the mark length was 0.45 μm, and C / N = 35 dB when the mark length was 0.3 μm.

【0062】又、同様に記録した信号を波長524nmの
Arレ−ザを用いて、再生光パワ−3mW、転写補助磁界
8kA/mで再生を行い、そのときのC/Nを測定した。そ
の結果、表1に示したように、マーク長0.45μmの
場合にはC/N=45dBとなり、マーク長0.3μmの
場合にはC/N=42dBとなった。
Similarly, the recorded signal was reproduced using an Ar laser having a wavelength of 524 nm with a reproducing light power of -3 mW and a transfer assisting magnetic field of 8 kA / m, and the C / N at that time was measured. As a result, as shown in Table 1, C / N = 45 dB when the mark length was 0.45 μm, and C / N = 42 dB when the mark length was 0.3 μm.

【0063】上記C/Nの測定結果からもわかるよう
に、波長680nmの再生光で再生したときに比べ、波長
524nmの再生光で再生したときのほうが、マーク長
0.45μmで+4dB、マーク長0.3μmで+7dB、C
/Nが高くなる。
As can be seen from the above C / N measurement result, the mark length of 0.45 μm is +4 dB, and the mark length is +4 dB when the reproducing light having the wavelength of 524 nm is reproduced as compared with the reproducing light having the wavelength of 680 nm. +7 dB at 0.3 μm, C
/ N becomes high.

【0064】(実施例2)多元ヘリコンスパッタ装置と
DCおよびRFスパッタ装置を用いて、本発明にかかる
光磁気ディスクを作製する場合について説明する。
(Embodiment 2) A case where a magneto-optical disk according to the present invention is manufactured by using a multi-source helicon sputtering apparatus and a DC and RF sputtering apparatus will be described.

【0065】まず、ヘリコンビ−ムスパッタ装置内に、
実施例1と同様に、ポリカ−ボネ−ト基板9をセット
し、基板を回転させながら第1誘電体層2、再生磁性層
3及び非磁性層4を連続して形成する工程について説明
する。
First, in the helicon beam sputtering device,
Similar to the first embodiment, a process of setting the polycarbonate substrate 9 and successively forming the first dielectric layer 2, the reproducing magnetic layer 3 and the non-magnetic layer 4 while rotating the substrate will be described.

【0066】第1誘電体層:下記成膜条件で、Siタ−
ゲットをAr−30%窒素混合ガスを用いてスパッタ
し、窒化シリコンからなる層厚60nmの第1誘電体層2
を形成した。
First dielectric layer: Si layer under the following film forming conditions.
The first dielectric layer 2 made of silicon nitride and having a layer thickness of 60 nm was formed by sputtering the get using Ar-30% nitrogen mixed gas.
Was formed.

【0067】 タ−ゲット : Si スパッタガス : Ar−30%窒素混合ガス スパッタ圧力 :1x10−2Torr RF投入パワ− : 100W DC電圧 : 500V 成膜速度 : 0.3nm/sec 再生磁性層:下記成膜条件でPtタ−ゲットとCoタ−
ゲットを交互にスパッタすることにより、膜厚0.9n
mのPtと膜厚0.4nmのCo膜を交互に積層し、層厚
20nmのPt/Co多層膜である再生磁性層3を形成し
た。
Target: Si sputter gas: Ar-30% nitrogen mixed gas Sputter pressure: 1 × 10 −2 Torr RF input power: 100 W DC voltage: 500 V Film formation rate: 0.3 nm / sec Reproduced magnetic layer: Pt target and Co target under film conditions
By alternately sputtering the get, the film thickness is 0.9n
m Pt and a 0.4 nm-thickness Co film were alternately laminated to form a reproducing magnetic layer 3 which was a 20 nm-thickness Pt / Co multilayer film.

【0068】 非磁性層:第1誘電体層2の場合と同様な条件(第1誘
電体層2の窒化シリコン膜と同じ成膜条件)で、窒化シ
リコンからなる層厚10nmの非磁性層4を形成した。
[0068] Non-magnetic layer: A non-magnetic layer 4 made of silicon nitride and having a thickness of 10 nm was formed under the same conditions as the case of the first dielectric layer 2 (the same film forming conditions as the silicon nitride film of the first dielectric layer 2). .

【0069】次に、上述のようにして第1誘電体層2、
再生磁性層3及び非磁性層4を形成したポリカーボネイ
ト基板9を、別のスパッタ装置にセットして、記録磁性
層5、第3誘電体層6を連続して成膜する工程について
説明する。
Then, as described above, the first dielectric layer 2,
A process of setting the polycarbonate substrate 9 on which the reproducing magnetic layer 3 and the non-magnetic layer 4 are formed in another sputtering apparatus and continuously forming the recording magnetic layer 5 and the third dielectric layer 6 will be described.

【0070】記録磁性層:実施例1の場合と同じ条件
で、非磁性層4を逆スパッタし、続いてDCスパッタす
ることにより、TbFeCoCrからなる層厚は200
nmの記録磁性層5を形成した。
Recording magnetic layer: Under the same conditions as in Example 1, the nonmagnetic layer 4 was reverse-sputtered and then DC-sputtered to give a layer thickness of TbFeCoCr of 200.
A recording magnetic layer 5 having a thickness of nm was formed.

【0071】第2誘電体層:実施例1の場合と同じ条件
で、RFスパッタすることにより、窒化シリコンからな
る層厚40nmの第2誘電体層6を形成した。
Second dielectric layer: The second dielectric layer 6 made of silicon nitride and having a layer thickness of 40 nm was formed by RF sputtering under the same conditions as in Example 1.

【0072】以上のようにして成膜したポリカーボネイ
ト基板9をチャンバ−から取り出し、最後に、保護膜7
として紫外線硬化樹脂膜を約10μm形成し、光磁気デ
ィスクとした。
The polycarbonate substrate 9 formed as described above is taken out of the chamber, and finally, the protective film 7 is formed.
As a result, an ultraviolet curable resin film was formed to a thickness of about 10 μm to obtain a magneto-optical disk.

【0073】作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再
生特性を実施例1と同様の方法で調べ、その結果を、表
1に示した。
The film characteristics and the recording / reproducing characteristics of the manufactured magneto-optical disk were examined in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1.

【0074】表1に示したように、再生磁性層3につい
ては、Hs=500[Oe]、Hc=250[Oe]、θk
=0.45[deg]、Hs/Hn=2の角形性の良好
なカ−ル−プが得られた。又、記録磁性層5について
は、Hc=15[kOe]であった。
As shown in Table 1, for the reproducing magnetic layer 3, Hs = 500 [Oe], Hc = 250 [Oe], θk.
= 0.45 [deg], Hs / Hn = 2, and a curl with good squareness was obtained. Further, for the recording magnetic layer 5, Hc = 15 [kOe].

【0075】又、記録再生特性については、波長680
nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長
0.45μmでC/N=42dBとなり、マーク長0.3
μmでC/N=36dBとなった。同様に記録した信号を
波長524nmのArレ−ザを用いて再生を行った場合、
マーク長0.45μmでC/N=46dBとなり、マーク
長0.3μmでC/N=43dBとなった。
Regarding the recording / reproducing characteristics, the wavelength 680
When reproducing using a semiconductor laser of nm, C / N = 42 dB at a mark length of 0.45 μm and a mark length of 0.3
C / N = 36 dB at μm. Similarly, when the recorded signal is reproduced using an Ar laser having a wavelength of 524 nm,
When the mark length was 0.45 μm, C / N = 46 dB, and when the mark length was 0.3 μm, C / N = 43 dB.

【0076】上記C/Nの測定結果からもわかるよう
に、波長680nmの再生光で再生したときに比べ、波長
524nmの再生光で再生したときのほうが、マーク長
0.45μmで+4dB、マーク長0.3μmで+7dB、C
/Nが高くなる。
As can be seen from the above C / N measurement results, the mark length of 0.45 μm is +4 dB, and the mark length is +4 dB, when the reproduction light of the wavelength 524 nm is reproduced, as compared with the reproduction light of the wavelength 680 nm. +7 dB at 0.3 μm, C
/ N becomes high.

【0077】(実施例3)再生磁性層3を、膜厚1nmの
Pt膜と膜厚0.4nmのCo膜を交互に積層した層厚3
0nmのPt/Co多層膜で、記録磁性層5を、層厚10
0nmのTbFeCoCr膜で構成し、それ以外は、実施
例2と同様の構成とした光磁気ディスクを、実施例2の
場合と同様な工程で作製した(多元ヘリコンスパッタ装
置とDCおよびRFスパッタ装置を用いて作製した)。
(Example 3) The reproducing magnetic layer 3 has a layer thickness 3 in which a Pt film having a film thickness of 1 nm and a Co film having a film thickness of 0.4 nm are alternately laminated.
The Pt / Co multilayer film of 0 nm is used to form the recording magnetic layer 5 with a layer thickness of 10
A magneto-optical disk made of a 0 nm TbFeCoCr film and having the same structure as that of Example 2 other than the above was manufactured by the same process as that of Example 2 (the multi-source helicon sputtering device and the DC and RF sputtering device were used. Made using).

【0078】作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再
生特性を実施例1と同様の方法で調べ、その結果を、表
1に示した。
The film characteristics and recording / reproducing characteristics of the manufactured magneto-optical disk were examined in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1.

【0079】表1に示したように、再生磁性層3につい
ては、Hs=200[Oe]、Hc=150[Oe]、θk
=0.44[deg]、Hs/Hn=1.33の角形性
の良好なカ−ル−プが得られた。又、記録磁性層5につ
いては、Hc=11[kOe]であった。
As shown in Table 1, for the reproducing magnetic layer 3, Hs = 200 [Oe], Hc = 150 [Oe], θk.
= 0.44 [deg], Hs / Hn = 1.33, and a curl with good squareness was obtained. For the recording magnetic layer 5, Hc = 11 [kOe].

【0080】又、記録再生特性については、波長680
nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長
0.45μmでC/N=43dBとなり、マーク長0.3
μmでC/N=38dBとなった。同様に記録した信号を
波長524nmのArレ−ザを用いて再生を行った場合、
マーク長0.45μmでC/N=48dBとなり、マーク
長0.3μmでC/N=45dBとなった。
Regarding the recording / reproducing characteristics, the wavelength 680
When reproducing using a semiconductor laser of nm, C / N = 43 dB at a mark length of 0.45 μm and a mark length of 0.3
C / N = 38 dB at μm. Similarly, when the recorded signal is reproduced using an Ar laser having a wavelength of 524 nm,
When the mark length was 0.45 μm, C / N = 48 dB, and when the mark length was 0.3 μm, C / N = 45 dB.

【0081】上記C/Nの測定結果からもわかるよう
に、波長680nmの再生光で再生したときに比べ、波長
524nmの再生光で再生したときのほうが、マーク長
0.45μmで+5dB、マーク長0.3μmで+7dB、C
/Nが高くなる。
As can be seen from the above C / N measurement results, the mark length of 0.45 μm is +5 dB, and the mark length is +5 dB when the reproduction is performed with the reproduction light of the wavelength of 524 nm as compared with the reproduction light of the wavelength of 680 nm. +7 dB at 0.3 μm, C
/ N becomes high.

【0082】(実施例4)非磁性層4を、層厚2nmの窒
素シリコン膜で、記録磁性層5を、層厚50nmのTbF
eCoCr膜で構成し、それ以外は、実施例1と同様の
構成とした光磁気ディスクを、実施例1の場合と同様な
工程で作製した(多元イオンビームスパッタ装置とDC
およびRFスパッタ装置を用いて作製した)。
Example 4 The non-magnetic layer 4 was a nitrogen silicon film having a layer thickness of 2 nm, and the recording magnetic layer 5 was TbF having a layer thickness of 50 nm.
A magneto-optical disk composed of an eCoCr film and having the same structure as that of Example 1 except for the above was manufactured in the same process as that of Example 1 (multi-source ion beam sputtering device and DC).
And an RF sputtering device).

【0083】作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再
生特性を実施例1と同様の方法で調べ、その結果を、表
1に示した。
The film characteristics and recording / reproducing characteristics of the manufactured magneto-optical disk were examined by the same method as in Example 1, and the results are shown in Table 1.

【0084】表1に示したように、再生磁性層3につい
ては、Hs=160[Oe]、Hc=150[Oe]、θk
=0.4[deg]、Hs/Hn=1.07の角形性の
良好なカ−ル−プが得られた。又、記録磁性層5につい
ては、Hc=10[kOe]であった。
As shown in Table 1, for the reproducing magnetic layer 3, Hs = 160 [Oe], Hc = 150 [Oe], θk.
= 0.4 [deg], Hs / Hn = 1.07, and a curl with good squareness was obtained. Further, for the recording magnetic layer 5, Hc = 10 [kOe].

【0085】又、記録再生特性については、波長680
nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長
0.45μmでC/N=41dBとなり、マーク長0.3
μmでC/N=35dBとなった。同様に記録した信号を
波長524nmのArレ−ザを用いて再生を行った場合、
マーク長0.45μmでC/N=45dBとなり、マーク
長0.3μmでC/N=42dBとなった。
Regarding the recording / reproducing characteristics, the wavelength 680
When reproducing using a semiconductor laser of nm, C / N = 41 dB at a mark length of 0.45 μm and a mark length of 0.3
C / N = 35 dB at μm. Similarly, when the recorded signal is reproduced using an Ar laser having a wavelength of 524 nm,
When the mark length was 0.45 μm, C / N = 45 dB, and when the mark length was 0.3 μm, C / N = 42 dB.

【0086】上記C/Nの測定結果からもわかるよう
に、波長680nmの再生光で再生したときに比べ、波長
524nmの再生光で再生したときのほうが、マーク長
0.45μmで+4dB、マーク長0.3μmで+7dB、C
/Nが高くなる。
As can be seen from the above C / N measurement results, the mark length of 0.45 μm is +4 dB, and the mark length is +4 dB when the reproduction is performed with the reproduction light with the wavelength of 524 nm, compared with the reproduction light with the wavelength of 680 nm. +7 dB at 0.3 μm, C
/ N becomes high.

【0087】(実施例5)非磁性層4を、層厚10nmの
窒素シリコン膜で、記録磁性層5を、層厚250nmのT
bFeCoCr膜で構成し、それ以外は、実施例1と同
様の構成とした光磁気ディスクを、実施例1の場合と同
様な工程で作製した(多元イオンビームスパッタ装置と
DCおよびRFスパッタ装置を用いて作製した)。
(Embodiment 5) The nonmagnetic layer 4 is a nitrogen silicon film having a layer thickness of 10 nm, and the recording magnetic layer 5 is a T film having a layer thickness of 250 nm.
A magneto-optical disk made of a bFeCoCr film and having the same structure as that of Example 1 except for the above was manufactured in the same process as that of Example 1 (using a multi-source ion beam sputtering device and a DC and RF sputtering device). Made).

【0088】作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再
生特性を実施例1と同様の方法で調べ、その結果を、表
1に示した。
The film characteristics and recording / reproducing characteristics of the manufactured magneto-optical disk were examined by the same method as in Example 1, and the results are shown in Table 1.

【0089】表1に示したように、再生磁性層3につい
ては、Hs=160[Oe]、Hc=150[Oe]、θk
=0.4[deg]、Hs/Hn=1.07の角形性の
良好なカ−ル−プが得られた。又、記録磁性層5につい
ては、Hc=15[kOe]であった。
As shown in Table 1, for the reproducing magnetic layer 3, Hs = 160 [Oe], Hc = 150 [Oe], θk.
= 0.4 [deg], Hs / Hn = 1.07, and a curl with good squareness was obtained. Further, for the recording magnetic layer 5, Hc = 15 [kOe].

【0090】又、記録再生特性については、波長680
nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長
0.45μmでC/N=41dBとなり、マーク長0.3
μmでC/N=35dBとなった。同様に記録した信号を
波長524nmのArレ−ザを用いて再生を行った場合、
マーク長0.45μmでC/N=45dBとなり、マーク
長0.3μmでC/N=42dBとなった。
Regarding the recording / reproducing characteristics, the wavelength 680
When reproducing using a semiconductor laser of nm, C / N = 41 dB at a mark length of 0.45 μm and a mark length of 0.3
C / N = 35 dB at μm. Similarly, when the recorded signal is reproduced using an Ar laser having a wavelength of 524 nm,
When the mark length was 0.45 μm, C / N = 45 dB, and when the mark length was 0.3 μm, C / N = 42 dB.

【0091】上記C/Nの測定結果からもわかるよう
に、波長680nmの再生光で再生したときに比べ、波長
524nmの再生光で再生したときのほうが、マーク長
0.45μmで+4dB、マーク長0.3μmで+7dB、C
/Nが高くなる。
As can be seen from the above C / N measurement result, the mark length of 0.45 μm is +4 dB, and the mark length is +4 dB when the reproducing light having the wavelength of 524 nm is reproduced, as compared with the reproducing light having the wavelength of 680 nm. +7 dB at 0.3 μm, C
/ N becomes high.

【0092】(比較例1)再生磁性層3を、膜厚1nmの
Pt膜と膜厚0.5nmのCo膜を交互に積層した層厚2
0nmのPt/Co多層膜で、記録磁性層5を、層厚10
0nmのTbFeCoCr膜で構成し、それ以外は、実施
例2と同様の構成とした光磁気ディスクを、実施例2の
場合と同様な工程で作製した(多元ヘリコンスパッタ装
置とDCおよびRFスパッタ装置を用いて作製した)。
Comparative Example 1 The reproducing magnetic layer 3 has a layer thickness 2 in which a Pt film having a film thickness of 1 nm and a Co film having a film thickness of 0.5 nm are alternately laminated.
The Pt / Co multilayer film of 0 nm is used to form the recording magnetic layer 5 with a layer thickness of 10
A magneto-optical disk made of a 0 nm TbFeCoCr film and having the same structure as that of Example 2 other than the above was manufactured by the same process as that of Example 2 (the multi-source helicon sputtering device and the DC and RF sputtering device were used. Made using).

【0093】作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再
生特性を実施例1と同様の方法で調べ、その結果を、表
1に示した。
The film characteristics and recording / reproducing characteristics of the manufactured magneto-optical disk were examined in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1.

【0094】表1に示したように、再生磁性層3につい
ては、Hs=600[Oe]、Hc=400[Oe]、θk
=0.46[deg]、Hs/Hn=1.5となり、H
sが大きい膜特性であった。又、記録磁性層5について
は、Hc=11[kOe]であった。
As shown in Table 1, for the reproducing magnetic layer 3, Hs = 600 [Oe], Hc = 400 [Oe], θk.
= 0.46 [deg], Hs / Hn = 1.5, and H
s was a large film characteristic. For the recording magnetic layer 5, Hc = 11 [kOe].

【0095】又、記録再生特性については、波長680
nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長
0.45μmでC/N=34dBとなり、マーク長0.3
μmでC/N=28dBとなった。同様に記録した信号を
波長524nmのArレ−ザを用いて再生を行った場合、
マーク長0.45μmでC/N=36dBとなり、マーク
長0.3μmでC/N=28dBとなった。
Regarding the recording / reproducing characteristics, the wavelength 680
When reproducing using a semiconductor laser of nm, C / N = 34 dB at a mark length of 0.45 μm and a mark length of 0.3
C / N = 28 dB at μm. Similarly, when the recorded signal is reproduced using an Ar laser having a wavelength of 524 nm,
When the mark length was 0.45 μm, C / N = 36 dB, and when the mark length was 0.3 μm, C / N = 28 dB.

【0096】上記C/Nの測定結果からもわかるよう
に、波長680nmの再生光で再生したときも、波長52
4nmの再生光で再生したときも、高いC/Nが得られな
かった。これは、Hsが600Oeと大きいために、良好
な転写が行われなかったことによると考えられる。
As can be seen from the above C / N measurement results, the wavelength 52
High C / N could not be obtained even when reproduced with reproduction light of 4 nm. It is considered that this is because good transfer was not performed because Hs was as large as 600 Oe.

【0097】(比較例2)再生磁性層3を、膜厚1nmの
Pt膜と膜厚0.4nmのCo膜を交互に積層した層厚2
0nmのPt/Co多層膜で、記録磁性層5を、層厚40
nmのTbFeCoCr膜で構成し、それ以外は、実施例
2と同様の構成とした光磁気ディスクを、実施例2の場
合と同様な工程で作製した(多元ヘリコンスパッタ装置
とDCおよびRFスパッタ装置を用いて作製した)。
(Comparative Example 2) The reproducing magnetic layer 3 has a layer thickness 2 in which a Pt film having a film thickness of 1 nm and a Co film having a film thickness of 0.4 nm are alternately laminated.
The recording magnetic layer 5 is a 0 nm Pt / Co multilayer film with a layer thickness of 40 nm.
A magneto-optical disk made of a TbFeCoCr film having a thickness of nm and having the same configuration as that of Example 2 other than the above was manufactured in the same process as in Example 2 (a multi-source helicon sputtering device and a DC and RF sputtering device were used. Made using).

【0098】作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再
生特性を実施例1と同様の方法で調べ、その結果を、表
1に示した。
The film characteristics and recording / reproducing characteristics of the manufactured magneto-optical disk were examined in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1.

【0099】表1に示したように、再生磁性層3につい
ては、Hs=200[Oe]、Hc=150[Oe]、θk
=0.44[deg]、Hs/Hn=1.33の角形性
の良好なカ−ル−プが得られた。又、記録磁性層5につ
いては、Hc=8[kOe]であった。
As shown in Table 1, for the reproducing magnetic layer 3, Hs = 200 [Oe], Hc = 150 [Oe], θk.
= 0.44 [deg], Hs / Hn = 1.33, and a curl with good squareness was obtained. For the recording magnetic layer 5, Hc = 8 [kOe].

【0100】又、記録再生特性については、波長680
nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長
0.45μmでC/N=40dBとなり、マーク長0.3
μmでC/N=35dBとなった。同様に記録した信号を
波長524nmのArレ−ザを用いて再生を行った場合、
マーク長0.45μmでC/N=41dBとなり、マーク
長0.3μmでC/N=37dBとなった。
Regarding the recording / reproducing characteristics, the wavelength 680
When reproducing using a semiconductor laser of nm, C / N = 40 dB at a mark length of 0.45 μm and a mark length of 0.3
C / N = 35 dB at μm. Similarly, when the recorded signal is reproduced using an Ar laser having a wavelength of 524 nm,
When the mark length was 0.45 μm, C / N = 41 dB, and when the mark length was 0.3 μm, C / N = 37 dB.

【0101】上記C/Nの測定結果からもわかるよう
に、波長680nmの再生光で再生したときも、波長52
4nmの再生光で再生したときも、高いC/Nが得られな
かった。これは、記録磁性層5の層厚が40nmと薄いた
めに、漏洩磁界が小さくなり良好な転写が行われなかっ
たことによると考えられる。
As can be seen from the above C / N measurement results, the wavelength 52
High C / N could not be obtained even when reproduced with reproduction light of 4 nm. It is considered that this is because the recording magnetic layer 5 had a thin layer thickness of 40 nm, so that the leakage magnetic field was small and good transfer was not performed.

【0102】(比較例3)DCおよびRFスパッタ装置
だけを用いて、光磁気ディスクを作製した。
(Comparative Example 3) A magneto-optical disk was produced using only a DC and RF sputtering device.

【0103】ここで、再生磁性層3は、Ptタ−ゲット
とCoタ−ゲットを用いてDCスパッタ法により、下記
成膜条件で形成した。尚、再生磁性層3となるPt/C
o多層膜の層厚は20nm(膜厚1nmのPt膜と膜厚0.
4nmのCo膜を交互に積層した層厚)とした。
Here, the reproducing magnetic layer 3 was formed by a DC sputtering method using a Pt target and a Co target under the following film forming conditions. In addition, Pt / C to be the reproducing magnetic layer 3
o The layer thickness of the multilayer film is 20 nm (Pt film with a film thickness of 1 nm and film thickness of 0.
The layer thickness was obtained by alternately stacking 4 nm Co films.

【0104】 スパッタガス : Ar 100SCCM スパッタガス圧 : 1.5x10−3Torr 投入パワ− : 200W 成膜速度 : Pt 0.15nm/sec Co 0.05nm/sec 又、記録磁性層5は、DCスパッタ法により、実施例1
と同じ成膜条件で形成した。尚、記録磁性層となるTb
FeCoCr膜の層厚は100nmとした。
Sputtering gas: Ar 100SCCM Sputtering gas pressure: 1.5 × 10 −3 Torr Input power: 200 W Film formation rate: Pt 0.15 nm / sec Co 0.05 nm / sec Further, the recording magnetic layer 5 was formed by the DC sputtering method. According to Example 1
The film was formed under the same film forming conditions as described above. It should be noted that Tb to be the recording magnetic layer
The layer thickness of the FeCoCr film was 100 nm.

【0105】又、第1誘電体層2、非磁性層4及び第2
誘電体層6は、RFスパッタ法により、実施例1の第2
誘電体層6と同じ成膜条件で形成した。尚、第1誘電体
層2、非磁性層4及び第2誘電体層6となる窒化シリコ
ン膜の膜厚は各々60nm、5nm、40nmとした。
In addition, the first dielectric layer 2, the non-magnetic layer 4 and the second
The dielectric layer 6 is formed on the second layer of the first embodiment by RF sputtering.
It was formed under the same film forming conditions as the dielectric layer 6. The film thicknesses of the silicon nitride films serving as the first dielectric layer 2, the nonmagnetic layer 4 and the second dielectric layer 6 were 60 nm, 5 nm and 40 nm, respectively.

【0106】作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再
生特性を実施例1と同様の方法で調べ、その結果を、表
1に示した。
The film characteristics and recording / reproducing characteristics of the manufactured magneto-optical disk were examined in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1.

【0107】表1に示したように、再生磁性層3につい
ては、異方性分散が大きため、Hs=1100[Oe]、
Hc=4000[Oe]、θk=0.44[deg]、H
s/Hn=2.75となり、Hsが大きい膜特性であっ
た。又、記録磁性層5については、Hc=11[kOe]
であった。
As shown in Table 1, in the reproducing magnetic layer 3, since the anisotropic dispersion is large, Hs = 1100 [Oe],
Hc = 4000 [Oe], θk = 0.44 [deg], H
Since s / Hn = 2.75, the film characteristics were high in Hs. For the recording magnetic layer 5, Hc = 11 [kOe]
Met.

【0108】又、記録再生特性については、波長680
nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長
0.45μmでC/N=32dBとなり、マーク長0.3
μmでC/N=25dBとなった。同様に記録した信号を
波長524nmのArレ−ザを用いて再生を行った場合、
マーク長0.45μmでC/N=34dBとなり、マーク
長0.3μmでC/N=25dBとなった。
Regarding the recording / reproducing characteristics, the wavelength 680
When reproducing using a semiconductor laser of nm, C / N = 32 dB at a mark length of 0.45 μm and a mark length of 0.3
C / N = 25 dB at μm. Similarly, when the recorded signal is reproduced using an Ar laser having a wavelength of 524 nm,
When the mark length was 0.45 μm, C / N = 34 dB, and when the mark length was 0.3 μm, C / N = 25 dB.

【0109】上記C/Nの測定結果からもわかるよう
に、波長680nmの再生光で再生したときも、波長52
4nmの再生光で再生したときも、高いC/Nが得られな
かった。これは、再生磁性層3のHs及びHs/Hcが
大きいために、良好な転写が行われなかったことによる
と考えられる。
As can be seen from the above C / N measurement results, the wavelength 52
High C / N could not be obtained even when reproduced with reproduction light of 4 nm. It is considered that this is because good transfer was not performed because Hs and Hs / Hc of the reproducing magnetic layer 3 were large.

【0110】(比較例4)再生磁性層3を、層厚20nm
のGdFeCo膜で構成し、それ以外は、比較例3と同
様の構成とした光磁気ディスクを、比較例3の場合と同
様な方法(RFおよびDCスパッタ法)で作製した。
尚、再生磁性層3については、DCスパッタ法により、
下記成膜条件で形成した。
(Comparative Example 4) The reproducing magnetic layer 3 was formed with a layer thickness of 20 nm.
A magneto-optical disk having the same structure as that of Comparative Example 3 except that the GdFeCo film was formed by the same method (RF and DC sputtering method) as in Comparative Example 3.
The reproducing magnetic layer 3 was formed by the DC sputtering method.
It was formed under the following film forming conditions.

【0111】 タ−ゲット : Gd19Fe61Co17.5 スパッタガス : Ar 100 SCCM スパッタガス圧 : 1.5x10−3Torr 投入パワ− : 1000W 成膜速度 : 20nm/min 作製した光磁気ディスクの膜特性と記録再生特性を実施
例1と同様の方法で調べ、その結果を、表1に示した。
Target: Gd 19 Fe 61 Co 17.5 Sputtering gas: Ar 100 SCCM Sputtering gas pressure: 1.5 × 10 −3 Torr Input power: 1000 W Deposition rate: 20 nm / min Film of fabricated magneto-optical disk The characteristics and the recording / reproducing characteristics were examined in the same manner as in Example 1, and the results are shown in Table 1.

【0112】表1に示したように、再生磁性層3につい
ては、Hs=110[Oe]、Hc=105[Oe]、θk
=0.48[deg]、Hs/Hn=1.07の角形性
の良好なカ−ル−プが得られた。又、記録磁性層5につ
いては、Hc=11[kOe]であった。
As shown in Table 1, for the reproducing magnetic layer 3, Hs = 110 [Oe], Hc = 105 [Oe], θk.
= 0.48 [deg], Hs / Hn = 1.07, and a curl with good squareness was obtained. For the recording magnetic layer 5, Hc = 11 [kOe].

【0113】又、記録再生特性については、波長680
nmの半導体レ−ザを用いて再生を行った場合、マーク長
0.45μmでC/N=45dBとなり、マーク長0.3
μmでC/N=40dBとなった。同様に記録した信号を
波長524nmのArレ−ザを用いて再生を行った場合、
マーク長0.45μmでC/N=42dBとなり、マーク
長0.3μmでC/N=37dBとなった。
Regarding the recording / reproducing characteristics, the wavelength 680
When reproducing using a semiconductor laser of nm, C / N = 45 dB at a mark length of 0.45 μm and a mark length of 0.3
C / N = 40 dB at μm. Similarly, when the recorded signal is reproduced using an Ar laser having a wavelength of 524 nm,
When the mark length was 0.45 μm, C / N = 42 dB, and when the mark length was 0.3 μm, C / N = 37 dB.

【0114】上記C/Nの測定結果からもわかるよう
に、波長680nmの再生光で再生したときに比べ、波長
524nmの再生光で再生したときのほうが、マーク長
0.45μmとマーク長0.3μmで共に−3dB、C/N
が低くなる。
As can be seen from the above C / N measurement result, the mark length 0.45 μm and the mark length 0. -3dB at 3μm, C / N
Becomes lower.

【0115】尚、実施例1と比較例4のC/Nレベルを
比較した場合、波長680nmの再生光では、実施例1の
方が、マーク長0.45μmで4dB、マーク長0.3μm
で5dB、C/Nが低くなるが、波長524nmの再生光で
は、実施例1の方が、ピット長0.45μmで3dB、ピ
ット長0.3μmで5dB、C/Nが高くなる。
When the C / N levels of Example 1 and Comparative Example 4 are compared, with reproduction light having a wavelength of 680 nm, Example 1 has a mark length of 0.45 μm, 4 dB, and a mark length of 0.3 μm.
However, in the reproducing light of wavelength 524 nm, in Example 1, the pit length 0.45 μm gives 3 dB, and the pit length 0.3 μm gives 5 dB, the C / N becomes higher.

【0116】尚、表1には、参考データとして、各実施
例の光磁気ディスクと同様の工法でガラス基板上にPt
/Co多層膜のみを作製し、Pt/Co多層膜の界面状
態を測定した結果が示されている。ここで、多層膜の界
面状態は低角X線回折法で調べることができる(低角側
に現れる周期的な全反射回折ピ−クの状態と、表1に示
した1次の超格子ピ−クの強度Ipを調べればよい)。
この参考データからもわかるように、DCスパッタ法の
ような粒子エネルギ−の低いスパッタ法で再生磁性層を
形成した場合(比較例3)には、1次の超格子ピ−クの
強度Ipが低く、Pt/Co多層膜の界面の平坦性が悪
化していることがわかる。そのため、異方性分散が大き
くなり、Hsが大きくなる。
In Table 1, as reference data, Pt was formed on the glass substrate by the same method as the magneto-optical disk of each example.
The results of measuring the interface state of the Pt / Co multilayer film by producing only the / Co multilayer film are shown. Here, the interface state of the multilayer film can be examined by the low-angle X-ray diffraction method (the state of the periodic total reflection diffraction peak appearing on the low-angle side and the first-order superlattice peak shown in Table 1). -It is sufficient to check the intensity Ip of the black).
As can be seen from this reference data, when the reproducing magnetic layer is formed by a sputtering method having a low particle energy such as the DC sputtering method (Comparative Example 3), the intensity Ip of the primary superlattice peak is It is low, and it can be seen that the flatness of the interface of the Pt / Co multilayer film is deteriorated. Therefore, anisotropic dispersion becomes large and Hs becomes large.

【0117】従って、異方性分散の小さいPt/Co多
層膜を再生磁性層として用いることにより、短波長で高
いC/Nが得られることがわかる。また、実施例2〜実
施例5についても、ほぼ同様の効果が得られる。
Therefore, it is understood that a high C / N can be obtained at a short wavelength by using the Pt / Co multilayer film having a small anisotropic dispersion as the reproducing magnetic layer. In addition, substantially the same effects can be obtained in Examples 2 to 5.

【0118】[0118]

【表1】 [Table 1]

【0119】[0119]

【効果】以上説明したように、本発明によれば、波長5
50nm以下の短波長の再生光を用いたときに、大きなカ
ー回転角が得られる。又、従来のPt/Co多層膜から
なる再生磁性層よりも飽和磁場Hsを小さくしたことに
より、再生時に、記録磁性層の磁化を再生磁性層に良好
に転写することができる。従って、再生光として、短波
長のレーザ光を用いたときに、高いC/Nが得られる。
As described above, according to the present invention, the wavelength of 5
A large Kerr rotation angle can be obtained when reproducing light with a short wavelength of 50 nm or less is used. Further, by making the saturation magnetic field Hs smaller than that of the conventional reproducing magnetic layer made of a Pt / Co multilayer film, the magnetization of the recording magnetic layer can be satisfactorily transferred to the reproducing magnetic layer during reproduction. Therefore, a high C / N is obtained when a laser beam having a short wavelength is used as the reproduction light.

【0120】又、上記のように波長550nm以下の短波
長の再生光を用いたときに、大きなカー回転角が得られ
るので、短波長の再生光を用いて0.45μm以下の短
い記録マークを再生することが可能となり、高密度かつ
高いC/Nが得られる光磁気記録媒体を提供することが
できる。
Further, as described above, when a reproducing light of a short wavelength of 550 nm or less is used, a large Kerr rotation angle can be obtained. Therefore, by using the reproducing light of a short wavelength, a short recording mark of 0.45 μm or less can be formed. It is possible to provide a magneto-optical recording medium that can be reproduced and can obtain high density and high C / N.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の構成の光磁気記録媒体を示す断面図で
ある。
FIG. 1 is a sectional view showing a magneto-optical recording medium having a constitution of the present invention.

【図2】本発明の光磁気記録媒体の再生方法を説明する
模式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a reproducing method of the magneto-optical recording medium of the present invention.

【図3】実施例1の構成の光磁気ディスクを示す断面図
である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a magneto-optical disk having the configuration of Example 1.

【図4】実施例1の再生磁性層3のカ−ル−プ(λ=6
80nm)を示す図である。
FIG. 4 shows the curl (λ = 6) of the reproducing magnetic layer 3 of Example 1.
It is a figure which shows 80 nm).

【図5】
垂直磁化膜のカーループを示す図である。
[Figure 5]
It is a figure which shows the Kerr loop of a perpendicular magnetization film.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・基板 2・・・第1誘電体層 3・・・再生磁性層 4・・・非磁性層 5・・・記録磁性層 6・・・第2誘電体層 7・・・初期化磁界 8・・・転写補助磁界 9・・・ポリカ−ボネ−ト基板 10・・・保護膜 1 ... Substrate 2 ... First Dielectric Layer 3 ... Reproducing Magnetic Layer 4 ... Non-Magnetic Layer 5 ... Recording Magnetic Layer 6 ... Second Dielectric Layer 7 ... Initialization Magnetic field 8 ... Transfer assisting magnetic field 9 ... Polycarbonate substrate 10 ... Protective film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠浦 治 東京都中央区日本橋一丁目13番1号ティー ディーケイ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Osamu Shinoura 13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo TDK Corporation

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明基板上に、誘電体層、垂直磁化膜で
あるPt/Co多層膜からなる再生磁性層、非磁性層、
再生磁性層より低いキュリ−温度と高い保磁力を有する
垂直磁化膜である記録磁性層が、この順で積層された光
磁気記録媒体に於いて、前記再生磁性層の層厚が15〜
30nmの範囲で、前記非磁性層の層厚が2〜10nmで、
前記記録磁性層の層厚が50〜250nmの範囲であり、
かつ該再生磁性層と該記録磁性層が静磁結合しているこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。
1. A dielectric layer, a reproducing magnetic layer composed of a Pt / Co multilayer film which is a perpendicular magnetization film, and a non-magnetic layer on a transparent substrate,
In a magneto-optical recording medium in which recording magnetic layers, which are perpendicularly magnetized films having Curie temperature and coercive force lower than those of the reproducing magnetic layer, are stacked in this order, the reproducing magnetic layer has a layer thickness of 15 to
In the range of 30 nm, the thickness of the non-magnetic layer is 2 to 10 nm,
The layer thickness of the recording magnetic layer is in the range of 50 to 250 nm,
A magneto-optical recording medium characterized in that the reproducing magnetic layer and the recording magnetic layer are magnetostatically coupled.
【請求項2】 請求項1記載の光磁気記録媒体に於い
て、再生磁性層の飽和磁場Hsが、室温に於いて、 Hs≦500[Oe] を満足することを特徴とする光磁気記録媒体。
2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the saturation magnetic field Hs of the reproducing magnetic layer satisfies Hs ≦ 500 [Oe] at room temperature. .
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