JP2001291291A - Method for manufacturing optical recording medium - Google Patents

Method for manufacturing optical recording medium

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JP2001291291A
JP2001291291A JP2000246666A JP2000246666A JP2001291291A JP 2001291291 A JP2001291291 A JP 2001291291A JP 2000246666 A JP2000246666 A JP 2000246666A JP 2000246666 A JP2000246666 A JP 2000246666A JP 2001291291 A JP2001291291 A JP 2001291291A
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敏史 川野
Akio Okamuro
昭男 岡室
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an optical recording medium having low noise and a high signal level (carrier level). SOLUTION: The optical recording medium has at least an inorganic thin film on a substrate and is used for recording and reproduction by allowing light to enter the inorganic thin film from the direction opposite to the substrate. The inorganic thin film is formed by sputtering while an AC bias voltage is applied on the substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は情報記録に用いる光
記録媒体の製造方法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing an optical recording medium used for recording information.

【0002】[0002]

【従来の技術】光記録媒体は再生専用型、記録可能型
(書換可能型を含む)に大きく分けられ、再生専用型は
ビデオディスク、オーディオディスク、さらには大容量
コンピューター用ディスクメモリーとしてすでに実用化
されている。再生専用型では、通常、情報データは基板
上に形成された凹凸ピット列により記録されており、ピ
ットの有無による反射率の変化を検出することで再生が
行われる。通常、基板上に反射層等が設けられてなる。
記録可能型の代表的なものには光磁気型、相変化型、有
機色素型、孔あけ・変形型がある。
2. Description of the Related Art Optical recording media can be broadly divided into a read-only type and a recordable type (including a rewritable type). The read-only type has already been put into practical use as a video disk, an audio disk, and a disk memory for a large-capacity computer. Have been. In the reproduction-only type, information data is usually recorded by a row of concave and convex pits formed on a substrate, and reproduction is performed by detecting a change in reflectance due to the presence or absence of pits. Usually, a reflective layer or the like is provided on a substrate.
Typical recordable types include a magneto-optical type, a phase change type, an organic dye type, and a perforated / deformed type.

【0003】光磁気型は記録層の磁化の向きにより記録
や消去を行い、磁気光学効果によって再生を行う。通
常、基板上に無機保護層、磁性層(記録層)、反射層等
が設けられてなる。光磁気記録媒体は大容量かつ低コス
トの書換え可能な情報記録媒体であり、コンピューター
の外部記憶装置に使用される光磁気(MO)ディスク、
音楽の録音等に使用されるMD(Mini Disk)等として
普及している。相変化型は相変化前後で反射率又は反射
光の位相が変化することを利用するものであり、外部磁
界を必要とせず反射光量の違いを検出して再生を行う。
通常、基板上に無機保護層、無機記録層、反射層等が設
けられてなる。相変化型は光磁気型と比較すると、磁石
を必要としない、光学系が単純である等の理由によりド
ライブ作製が容易で、小型化、低コスト化にも有利であ
る。さらに、レーザー光のパワーを変調するだけで、記
録・消去が可能であり、消去と再記録を単一ビームで同
時に行う、1ビームオーバーライトも可能であるという
利点を有する。代表的な相変化型記録媒体は、CD−R
W(CD-Rewritable)、書換え可能DVD等である。
The magneto-optical type performs recording and erasing according to the direction of magnetization of the recording layer, and performs reproduction using the magneto-optical effect. Usually, an inorganic protective layer, a magnetic layer (recording layer), a reflective layer and the like are provided on a substrate. The magneto-optical recording medium is a large-capacity, low-cost rewritable information recording medium, and includes a magneto-optical (MO) disk used for an external storage device of a computer,
It is widely used as an MD (Mini Disk) used for recording music and the like. The phase change type utilizes the fact that the reflectance or the phase of the reflected light changes before and after the phase change, and does not require an external magnetic field to detect the difference in the amount of reflected light and perform reproduction.
Usually, an inorganic protective layer, an inorganic recording layer, a reflective layer and the like are provided on a substrate. Compared to the magneto-optical type, the phase-change type is advantageous in that the drive can be easily manufactured due to the fact that a magnet is not required and the optical system is simple, and that the size and cost can be reduced. Further, there is an advantage that recording / erasing can be performed only by modulating the power of the laser beam, and one-beam overwriting, in which erasing and re-recording are performed simultaneously with a single beam, is also possible. A typical phase change recording medium is a CD-R
W (CD-Rewritable), rewritable DVD, and the like.

【0004】有機色素型としては色素又は色素を含むポ
リマー等からなる記録層が用いられ、記録前後で反射率
(屈折率)が変化し、反射光量の違いを検出して再生を
行う。通常、基板上に有機色素記録層、反射層等が設け
られてなる。代表的な色素型記録媒体であるCD−R
(CD-Recordable)は現在広く普及している。孔あけ・
変形型としてはTe等の低融点金属又は染料等の記録層
が用いられ、レーザー光照射により局所的に加熱され、
孔もしくは凹凸部が形成される。これら光記録媒体の記
録方法には、ポリカーボネート樹脂等の透明基板を用い
基板を介して記録層に光を入射する形態(基板面入射方
式)と、基板を介さずに記録層に光を入射する形態(膜
面入射方式)とがある。後者の方式を用いた記録装置で
は例えば、浮上ヘッドや接触型ヘッド上に光学系を形成
し、記録層側から光を照射し記録再生を行う。
As the organic dye type, a recording layer made of a dye or a polymer containing the dye is used. The reflectance (refractive index) changes before and after recording, and the difference in the amount of reflected light is detected to perform reproduction. Usually, an organic dye recording layer, a reflection layer and the like are provided on a substrate. CD-R which is a typical dye type recording medium
(CD-Recordable) is now widespread. Drilling
As the deformation type, a recording layer of a low melting point metal such as Te or a dye is used, and locally heated by laser beam irradiation,
Holes or irregularities are formed. The recording methods of these optical recording media include a mode in which a transparent substrate such as a polycarbonate resin is used and light is incident on the recording layer via the substrate (substrate surface incidence method), and a method in which light is incident on the recording layer without passing through the substrate. Form (film surface incidence type). In a recording apparatus using the latter method, for example, an optical system is formed on a flying head or a contact type head, and recording and reproduction are performed by irradiating light from the recording layer side.

【0005】膜面入射方式の利点としては、入射光が基
板の複屈折による歪みを受けないため良好な信号特性が
得られることがまず挙げられる。さらに基板を介した場
合に比べてディスク傾きによる光の収差が小さく、傾き
に対するマージンが大きくなる。また同様の理由から対
物レンズのNA(開口数)を上げられるのでビームスポ
ットが小さくなり高密度化が可能となる。記録膜と対物
レンズを数十nmの距離まで近づけることにより、いわ
ゆるエバネッセント光による近接場光記録も可能とな
る。この点をより詳細に説明する。高密度の再生を行う
ためには再生光のスポット径を小さくする必要がある。
再生波長が同じであれば、スポット径はNAに反比例す
るので、高いNAのレンズを用いれば高密度記録が可能
となる。しかし基板を介して高NAの光入射を行う場合
には、基板にわずかな傾きが存在しても大きな収差が発
生してしまうという問題がある。これは空気と基板の屈
折率の差に伴うものであり、レンズ開口数(NA)が大
きいほど、また基板厚みが厚いほど基板傾きの許容範囲
は著しく小さくなる。
An advantage of the film surface incidence method is that good signal characteristics can be obtained because incident light is not subjected to distortion due to birefringence of the substrate. Further, compared to the case where the light passes through the substrate, the aberration of the light due to the disk tilt is small, and the margin for the tilt is large. Further, for the same reason, the NA (numerical aperture) of the objective lens can be increased, so that the beam spot becomes smaller and the density can be increased. By bringing the recording film and the objective lens closer to a distance of several tens of nm, near-field light recording using so-called evanescent light becomes possible. This will be described in more detail. In order to perform high-density reproduction, it is necessary to reduce the spot diameter of the reproduction light.
If the reproduction wavelength is the same, the spot diameter is inversely proportional to the NA, so that using a lens with a high NA enables high-density recording. However, when light with a high NA is incident through the substrate, there is a problem that a large aberration occurs even if the substrate has a slight inclination. This is due to the difference in the refractive index between air and the substrate. As the numerical aperture (NA) of the lens increases and the thickness of the substrate increases, the allowable range of the substrate inclination becomes significantly smaller.

【0006】膜面入射方式では、基板を介さずに薄膜面
から直接、或いは数μm〜数100μm厚の透明樹脂層
を介して光を入射することで、高NAのレンズが使用で
きるようになる。この方法では空気と屈折率の異なる従
来の基板に相当する層が無いかもしくは極めて薄いの
で、高NAのレンズを使用しても基板傾きの許容範囲を
広くとることができる。膜面入射にSIL(Solid Imme
rsion Lens)を組み合わせて用いることで、著しく高い
NAが得られる。近接場光を用いれば1を越えるNAを
得ることもできる。この場合対物レンズと媒体を著しく
近接させる必要があるので、記録装置においては通常浮
上型ヘッドが用いられる。浮上型ヘッド上に磁気コイル
を搭載し光ビームと磁界を同時に発生させることで、光
磁気記録媒体に磁界変調記録を行うことができ、ダイレ
クトオーバーライトが可能となる。
In the film surface incidence method, a high NA lens can be used by irradiating light directly from a thin film surface without passing through a substrate or through a transparent resin layer having a thickness of several μm to several hundred μm. . In this method, since there is no or extremely thin layer corresponding to a conventional substrate having a refractive index different from that of air, the allowable range of the substrate inclination can be widened even if a lens with a high NA is used. SIL (Solid Imme)
rsion Lens), a remarkably high NA can be obtained. If near-field light is used, NA exceeding 1 can be obtained. In this case, since the objective lens and the medium need to be extremely close to each other, a floating head is usually used in the recording apparatus. By mounting a magnetic coil on the flying head and simultaneously generating a light beam and a magnetic field, magnetic field modulation recording can be performed on a magneto-optical recording medium, and direct overwriting becomes possible.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】以上のような光記録媒
体ではいずれも、情報データは記録トラックに沿って並
べられ、記録再生系がこのトラックに沿って移動するこ
とで順次記録再生される。記録可能な光ディスクでは、
記録再生光が記録トラックを追随できるように通常螺旋
状ないし同心円状の凹凸溝が設けられている。このよう
な凹凸溝は基板に設けられ、記録層、保護層、反射層等
がその基板上に形成される。各層の形成にはスパッタリ
ングや真空蒸着等の真空プロセスや、スピンコートによ
る塗布が用いられる。無機系の層の場合は通常スパッタ
リングあるいは真空蒸着(電子ビーム蒸着、熱蒸着等)
が用いられる。緻密で良好な膜質が得られることからス
パッタリングが用いられることが多い。
In any of the above-described optical recording media, information data is arranged along a recording track, and is sequentially recorded and reproduced by a recording / reproducing system moving along the track. For recordable optical discs,
Usually, a spiral or concentric concave and convex groove is provided so that the recording / reproducing light can follow the recording track. Such an uneven groove is provided on a substrate, and a recording layer, a protective layer, a reflective layer, and the like are formed on the substrate. For forming each layer, a vacuum process such as sputtering or vacuum deposition, or application by spin coating is used. In the case of inorganic layers, usually sputtering or vacuum evaporation (electron beam evaporation, thermal evaporation, etc.)
Is used. Since dense and good film quality can be obtained, sputtering is often used.

【0008】本発明者らの検討によれば、同一の媒体を
膜面入射と基板面入射で再生すると、膜面入射は基板面
入射に比べ若干ノイズが高いことがわかった。再生信号
のうち、特に数μmの大きさに相当する低い周波数での
ノイズ上昇が大きい。この理由は以下のように説明され
る。基板面入射では再生光が薄膜により反射されるの
は、基板と薄膜の界面、もしくはそれに近い位置であ
る。従って基板の表面荒れが小さければ、荒れに伴うノ
イズの発生は極めて小さくすることができる。一方膜面
入射では、再生光は基板上に積層された膜の最表面で反
射することになる。ところが膜の最表面は基板面に比べ
て大きな荒れを持っている。これはスパッタリング中の
一般に数百nmに及ぶ膜成長の間に、膜の欠陥が成長す
るのが原因であると思われる。膜面入射ではこの膜表面
荒れが原因となり、再生時にノイズを発生してしまうと
いう問題があった。また、膜表面荒れにより光が散乱さ
れ光反射効率が減少し信号レベルが低下するという問題
もあった。
According to the study of the present inventors, it has been found that when the same medium is reproduced by incidence on the film surface and incidence on the substrate surface, the noise on the film surface is slightly higher than that on the substrate surface. Among the reproduced signals, a noise rise is particularly large at a low frequency corresponding to a size of several μm. The reason is explained as follows. At the time of incidence on the substrate surface, the reproduction light is reflected by the thin film at the interface between the substrate and the thin film or at a position close thereto. Therefore, if the surface roughness of the substrate is small, the generation of noise due to the roughness can be extremely reduced. On the other hand, when the light is incident on the film surface, the reproduction light is reflected on the outermost surface of the film laminated on the substrate. However, the outermost surface of the film has greater roughness than the substrate surface. This may be due to the growth of film defects during film growth, which typically extends to several hundred nm during sputtering. At the incidence on the film surface, there is a problem that noise is generated at the time of reproduction due to the roughness of the film surface. Further, there is also a problem that light is scattered due to the film surface roughness, the light reflection efficiency is reduced, and the signal level is reduced.

【0009】本発明はこの問題点を解決するためになさ
れたものであり、厚い無機薄膜であっても最表面が平坦
化され、ノイズが著しく低く信号レベル(キャリアレベ
ル)の高い光記録媒体を得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve this problem. An optical recording medium having a flat outermost surface even with a thick inorganic thin film, extremely low noise, and a high signal level (carrier level) has been developed. The purpose is to gain.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、基板上
に少なくとも無機薄膜を有してなり、該基板とは反対の
方向から無機薄膜に光を入射して記録又は再生を行うた
めの光記録媒体の製造方法であって、該無機薄膜が該基
板に交流バイアスを加えた状態でのスパッタリングによ
り作製されることを特徴とする光記録媒体の製造方法に
存する。なお、本発明でいう無機薄膜とは、情報を記録
する記録層や、記録層の保護や記録再生特性の向上等を
目的とした誘電体層などの無機保護層、金属や合金から
なる反射層等を含むものである。これら無機薄膜の全部
が、基板に交流バイアスを加えた状態でのスパッタリン
グにより作製されてもよいし、無機薄膜の一層、或いは
一層の一部のみがそのように作製されてもよい。
SUMMARY OF THE INVENTION The gist of the present invention is to provide a recording / reproducing method in which at least an inorganic thin film is provided on a substrate and light is incident on the inorganic thin film from a direction opposite to the substrate to perform recording or reproduction. A method for producing an optical recording medium, wherein the inorganic thin film is produced by sputtering with an AC bias applied to the substrate. In addition, the inorganic thin film referred to in the present invention is a recording layer for recording information, an inorganic protective layer such as a dielectric layer for the purpose of protecting the recording layer and improving recording / reproducing characteristics, and a reflective layer made of metal or alloy. Etc. are included. All of these inorganic thin films may be produced by sputtering with an AC bias applied to the substrate, or one or a part of the inorganic thin film may be produced as such.

【0011】本発明の製造方法を用いて作製した光記録
媒体は厚い無機薄膜の最表面が平坦化されるため、再生
時の信号のノイズが著しく低減される。また、光反射効
率も向上するため、特に光磁気記録媒体では信号レベル
増加の効果もある。本発明は、無機薄膜全体の膜厚が厚
い場合に交流バイアスを加える効果が大きい。膜厚が厚
いほど膜欠陥が成長しやすいためである。中でも、反射
層を設ける場合、反射層の成膜時に交流バイアスを加え
ることがノイズ低減及び反射率向上の効果が大きく好ま
しい。光の大部分は反射層の最表面で反射されるので、
反射層の膜表面の荒れは他の層と比べても特に大きなノ
イズを発生し、また膜表面の荒れは光を乱反射するので
反射率が低下してしまうためである。
In the optical recording medium manufactured by using the manufacturing method of the present invention, since the outermost surface of the thick inorganic thin film is flattened, signal noise during reproduction is significantly reduced. Further, since the light reflection efficiency is also improved, there is also an effect of increasing the signal level especially in a magneto-optical recording medium. The present invention has a great effect of applying an AC bias when the entire inorganic thin film is thick. This is because the larger the film thickness is, the more easily a film defect grows. Above all, when a reflective layer is provided, it is preferable to apply an AC bias during the formation of the reflective layer because the effects of noise reduction and reflectance improvement are large. Most of the light is reflected by the outermost surface of the reflective layer,
This is because roughness on the film surface of the reflective layer generates a particularly large noise as compared with other layers, and roughness on the film surface irregularly reflects light, thereby lowering the reflectance.

【0012】また、記録層が無機薄膜である場合に、記
録層の成膜時に交流バイアスを加えることがノイズ低減
効果が大きく好ましい。記録層の膜表面の荒れは大きな
ノイズを発生するためである。記録層が厚く反射層を設
けない構成においては記録層で反射される度合が大きい
ため、効果が高い。記録層が光磁気効果を用いて再生さ
れる磁性層である場合には特に好ましい。磁性層の膜表
面の荒れは磁気異方性の乱れにつながり、大きなノイズ
を発生するからである。また、光磁気信号強度は磁性層
での反射率Rとカー回転角θkの積R・θkで表せる。す
なわち、表面荒れが低減されることで反射率Rが大きく
なれば信号強度が強くなるという効果もある。中でも、
記録層が多層膜からなる磁性層を含み、磁性層のうち最
も基板から離れた膜が基板に交流バイアスを加えた状態
でのスパッタリングにより作製されるのが好ましい。再
生信号の大部分が最も基板より離れた最表面の磁性膜よ
り発生するからである。また、膜表面の荒れを更に平滑
にするには、無機薄膜を交流バイアスを加えた状態で製
造したのち、Ar等のプラズマ(又は励起ガス粒子)に
無機薄膜表面を晒すのが好ましい。
When the recording layer is an inorganic thin film, it is preferable to apply an AC bias during the formation of the recording layer because the noise reduction effect is large. This is because the roughness of the film surface of the recording layer generates large noise. In a configuration in which the recording layer is thick and the reflective layer is not provided, the degree of reflection at the recording layer is large, so that the effect is high. It is particularly preferable that the recording layer is a magnetic layer that is reproduced using the magneto-optical effect. This is because roughness on the surface of the magnetic layer leads to disturbance of magnetic anisotropy and generates large noise. The magneto-optical signal intensity can be represented by the product R · θk of the reflectance R of the magnetic layer and the Kerr rotation angle θk. That is, there is also an effect that the signal intensity is increased if the reflectance R is increased by reducing the surface roughness. Among them,
It is preferable that the recording layer includes a magnetic layer composed of a multilayer film, and a film farthest from the substrate among the magnetic layers is formed by sputtering with an AC bias applied to the substrate. This is because most of the reproduced signal is generated from the outermost magnetic film farthest from the substrate. Further, in order to further smooth the roughness of the film surface, it is preferable that the inorganic thin film is manufactured in a state where an AC bias is applied, and then the surface of the inorganic thin film is exposed to plasma (or excited gas particles) such as Ar.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明についてより詳細に
説明する。基板上に無機薄膜をスパッタリング成膜する
際、凹状或いは凸状の欠陥が一旦発生すると、凹状の欠
陥内部には斜めに飛来した粒子が入りこみ難く、一方凸
状の欠陥には飛来した粒子が様々な入射角度から付着す
る。このため凹状欠陥はますます深く、凸状欠陥はます
ます高く成長する。従って、最初は微小な欠陥であって
も、数百nm程度まで成膜するうちに欠陥が成長して表
面が荒れてくる。これが先に述べた膜最表面の荒れの発
生過程である。従来より、薄膜を成膜した後に、Ar等
のプラズマ(又は励起ガス粒子)に膜表面を晒しエッチ
ングすることで、表面の荒さが低減されることが知られ
ている。プラズマ(又は励起ガス粒子)の一回の衝突に
よる膜ダメージが充分弱ければ、衝突の影響が全面で平
均化されて均一になり、膜表面を平坦にすることができ
る。しかし一回の衝突ダメージが弱いということはエッ
チングレートが低いということであるから、本方法で
は、欠陥が大きく成長した後の厚い膜において欠陥のみ
を除去するのは困難である。可能であるとしても非常に
長時間のエッチングが必要であり現実的ではない。逆
に、大きな突起を短時間で削るほどの強力なエッチング
を行えば、一回の衝突のダメージが大きいのでダメージ
が平均化されず膜表面をむしろ荒らしてしまう。従って
成膜後のプラズマ処理では、厚い薄膜の欠陥を充分に低
減することができない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in more detail. When an inorganic thin film is sputter-deposited on a substrate, once a concave or convex defect is generated, it is difficult for diagonally flying particles to enter the concave defect, while a variety of flying particles are detected in the convex defect. Adheres from different angles of incidence. Thus, concave defects grow deeper and convex defects grow higher. Therefore, even if it is a minute defect at first, the defect grows and the surface becomes rough while the film is formed up to several hundred nm. This is the process of occurrence of the roughening of the outermost surface of the film described above. Conventionally, it has been known that the roughness of the surface is reduced by exposing the film surface to plasma (or excited gas particles) such as Ar and etching after forming the thin film. If the film damage due to one collision of plasma (or excited gas particles) is sufficiently weak, the effects of the collision are averaged over the entire surface and become uniform, and the film surface can be flattened. However, the weakness of a single collision damage means that the etching rate is low. Therefore, in this method, it is difficult to remove only the defect in a thick film after the defect has grown to a large extent. If possible, very long etching is required, which is not practical. Conversely, if a strong etching is performed so that a large projection is removed in a short time, the damage of one collision is large, so that the damage is not averaged and the film surface is rather roughened. Therefore, in the plasma treatment after the film formation, defects of a thick thin film cannot be sufficiently reduced.

【0014】本発明ではスパッタリングによる薄膜の成
膜中に、基板に交流バイアスを加える。バイアスはアー
スと金属製の基板ホルダーとの間に加えられるのが一般
的である。これにより基板付近にスパッタガスのプラズ
マが発生し、基板上に堆積した膜が再スパッタされる。
このとき膜表面の凹状欠陥は、斜めに飛来したスパッタ
ガス粒子が内部に入りこめないのでエッチングされにく
い。一方凸状欠陥は、飛来したスパッタガス粒子により
様々な入射角度からエッチングされる。従って凹部のエ
ッチング速度は遅く、凸部のエッチング速度が速くな
り、膜は平坦化される。この結果、欠陥は成長前の小さ
いうちに消失し、最終的に膜最表面の著しい平坦化がな
される。交流バイアスを用いることにより、スパッタ粒
子がより微細になる効果もある。ターゲットからスパッ
タされた粒子が飛来中に、スパッタガスイオンとの衝突
で分解され、より微細な粒子となって基板に到達する。
この結果、膜厚のばらつきが小さくなり、大きな膜欠陥
が発生し難くなる。交流バイアスとしての効果を得るに
は、周波数が10Hz以上であることが好ましい。より
好ましくは30Hz以上である。周波数があまりに高い
とイオンの動きが追随しないため、100MHz以下で
あることが好ましい。さらに好ましくは50MHz以下
である。
In the present invention, an AC bias is applied to the substrate during the formation of the thin film by sputtering. Bias is typically applied between ground and the metal substrate holder. As a result, a plasma of a sputtering gas is generated near the substrate, and the film deposited on the substrate is resputtered.
At this time, the concave defect on the film surface is difficult to be etched because the sputter gas particles flying obliquely cannot enter the inside. On the other hand, the convex defects are etched from various incident angles by the flying sputter gas particles. Therefore, the etching rate of the concave portion is low, the etching speed of the convex portion is high, and the film is flattened. As a result, the defects disappear during a short period before the growth, and finally the outermost surface of the film is significantly flattened. Using an AC bias also has the effect of making sputtered particles finer. During the flight, the particles sputtered from the target are decomposed by collision with sputter gas ions and become finer particles and reach the substrate.
As a result, variations in film thickness are reduced, and large film defects are less likely to occur. To obtain the effect as an AC bias, the frequency is preferably 10 Hz or more. More preferably, it is 30 Hz or more. If the frequency is too high, the movement of ions does not follow. Therefore, the frequency is preferably 100 MHz or less. More preferably, it is 50 MHz or less.

【0015】また、交流バイアスの電圧の最大値は、5
0V以上が好ましく、300V以下が好ましい。投入パ
ワーは基板ホルダーに対し、0.1W/cm2以上と
し、1W/cm2以下とすることが好ましい。さらに好
ましくは0.15W/cm2以上とし、0.7cm2以下
とする。基板に、交流バイアスではなく負電位の直流バ
イアスを加えることによっても、スパッタガス粒子の基
板エッチングは起こる。ただし直流バイアスの場合、ほ
とんどのスパッタガス粒子は電界分布に従って基板に垂
直な方向から入射する。このため先に述べた凸部を優先
的に削り取る効果が小さい。条件によっては表面をかえ
って荒らしてしまうおそれがある。交流バイアスであれ
ば、スパッタガスイオンが電界の時間変化によって方向
を変える。このためイオン同士の衝突が起こり易く、基
板へのスパッタガス粒子の入射はあらゆる方向から行わ
れる。従って、凸部を優先的に削り取る効果が大きい。
The maximum value of the AC bias voltage is 5
0 V or more is preferable, and 300 V or less is preferable. The input power to the substrate holder is preferably 0.1 W / cm 2 or more and 1 W / cm 2 or less. More preferably a 0.15 W / cm 2 or more, and 0.7 cm 2 or less. Substrate etching of sputter gas particles also occurs by applying a negative DC bias instead of an AC bias to the substrate. However, in the case of a DC bias, most of the sputter gas particles enter the substrate in a direction perpendicular to the substrate according to the electric field distribution. For this reason, the effect of preferentially shaving the above-mentioned convex portion is small. Depending on conditions, there is a possibility that the surface may be roughened. In the case of an AC bias, the direction of the sputter gas ions changes with the time change of the electric field. For this reason, collisions between ions easily occur, and the sputtering gas particles enter the substrate from all directions. Therefore, the effect of preferentially removing the convex portion is great.

【0016】また、基板が樹脂やガラス等の不導体から
なる場合は、直流バイアスをかけると、引き寄せられた
正電荷が基板表面にたまるためバイアスの効果がすぐに
無くなってしまう。交流バイアスであれば電位が正と負
に振れるため、たまった正電荷は電子によって打ち消さ
れる。従って交流バイアスを用いることにより、導体の
みならず不導体を含むあらゆる基板が使用可能となる。
なお、交流バイアスに負電位の直流バイアスを重畳して
もよい。正電荷をもったスパッタガスのイオンが、より
多く基板に入射して、エッチング効果を高めるのでより
好ましい。簡単には、電源(及びマッチング回路)と基
板ホルダーの間に直列にコンデンサーを挿入すること
で、負電位の自己バイアスを得ることができる。もちろ
ん、電源側において直流電圧を重畳することもできる。
重畳される負電位は20V以上が好ましく、より好まし
くは40V以上とする。電圧が低すぎると効果が小さ
い。また、負電位は200V以下するのが好ましく、よ
り好ましくは150V以下とする。電圧が高すぎると交
流バイアスとしての効果が小さくなる。基板が不導体で
ある場合は、正電荷の蓄積を電子によって打ち消すた
め、交流の最大電圧が重畳される直流電圧より高いこと
が好ましい。
When the substrate is made of a nonconductive material such as resin or glass, if a direct current bias is applied, the attracted positive charges accumulate on the substrate surface, so that the effect of the bias is immediately lost. With an AC bias, the potential swings positively and negatively, so that the accumulated positive charges are canceled by the electrons. Therefore, by using the AC bias, any substrate including not only a conductor but also a nonconductor can be used.
Note that a negative DC bias may be superimposed on the AC bias. This is more preferable because more ions of the sputtering gas having a positive charge enter the substrate and enhance the etching effect. Briefly, by inserting a capacitor in series between the power supply (and the matching circuit) and the substrate holder, a negative self bias can be obtained. Of course, a DC voltage can be superimposed on the power supply side.
The superimposed negative potential is preferably 20 V or more, more preferably 40 V or more. If the voltage is too low, the effect is small. The negative potential is preferably 200 V or lower, more preferably 150 V or lower. If the voltage is too high, the effect as an AC bias is reduced. When the substrate is non-conductive, it is preferable that the maximum AC voltage is higher than the DC voltage on which the AC voltage is superimposed in order to cancel the accumulation of the positive charges by the electrons.

【0017】スパッタガスとしては不活性ガスを用いる
ことができ、例えばAr、Xe、Kr、Neを用いる。
スパッタ効率とコストの点からArが最も好ましく用い
られる。誘電体層の作製等において不活性ガスに酸素、
窒素、水素等を混合させて反応性スパッタリングを行っ
てもよい。交流バイアスを用いる際のスパッタリングの
方法は、高周波スパッタリング及び直流スパッタリング
を用いることができる。直流スパッタリングであれば、
ターゲットから跳ね返る高エネルギーのスパッタガス粒
子が膜をエッチングする効果が加わるのでより好まし
い。跳ね返りのエネルギーを大きくするため、スパッタ
リングを行う際の投入パワーは、5インチターゲットに
対して400W以上とすることが好ましい。より好まし
くは500W以上である。ただし大きすぎると基板の加
熱、ターゲットの割れ等の問題があるので1.5kW以
下が好ましい。より好ましくは1.2kW以下である。
別の大きさのターゲットを用いる場合、投入パワーは面
積に比例して変化させればよい。また、交流バイアスを
加えた状態で無機薄膜を製造したのち、Ar等のプラズ
マ(又は励起ガス粒子)に無機薄膜表面を晒すことで、
膜表面の荒れを更に平滑にすることができる。このよう
にして無機薄膜を作製することによって、膜表面が平坦
となり、無機薄膜の最表面の平均荒さRaが0.9nm
以下の光記録媒体を得ることができる。より好ましくは
0.8nm以下である。最大荒さRmaxは10nm以下
とすることが好ましい。さらに好ましくは8nm以下で
ある。なお、ここで言うRa、Rmaxは表面を原子間力
顕微鏡(AFM)で測定したときの値とする。
As a sputtering gas, an inert gas can be used. For example, Ar, Xe, Kr, and Ne are used.
Ar is most preferably used in terms of sputtering efficiency and cost. In the production of the dielectric layer, etc., the inert gas is oxygen,
Reactive sputtering may be performed by mixing nitrogen, hydrogen, and the like. As a sputtering method when using an AC bias, high-frequency sputtering and DC sputtering can be used. For DC sputtering,
It is more preferable that the high-energy sputtering gas particles rebounding from the target have an effect of etching the film. In order to increase the energy of the rebound, it is preferable that the input power at the time of performing the sputtering be 400 W or more for a 5-inch target. More preferably, it is 500 W or more. However, if it is too large, there are problems such as heating of the substrate and cracking of the target. More preferably, it is 1.2 kW or less.
When a target of another size is used, the input power may be changed in proportion to the area. Further, after the inorganic thin film is manufactured with an AC bias applied, the surface of the inorganic thin film is exposed to plasma (or excited gas particles) such as Ar,
The roughness of the film surface can be further smoothed. By preparing the inorganic thin film in this manner, the film surface becomes flat, and the average roughness Ra of the outermost surface of the inorganic thin film is 0.9 nm.
The following optical recording medium can be obtained. It is more preferably 0.8 nm or less. The maximum roughness Rmax is preferably set to 10 nm or less. More preferably, it is 8 nm or less. Here, Ra and Rmax are values when the surface is measured by an atomic force microscope (AFM).

【0018】本発明は光磁気記録媒体及び相変化記録媒
体の作製に好ましく用いられる。光磁気記録媒体の構成
は通常、基板/無機保護層/記録層/無機保護層、或い
は、基板/反射層/無機保護層/記録層/無機保護層、
である。相変化記録媒体の構成は通常、基板/反射層/
無機保護層/記録層/無機保護層である。各層が複数膜
からなる場合もある。また、必要に応じて他の膜をさら
に形成する場合もある。基板としては、凹凸の入ったス
タンパーを用いポリカーボネート、PMMA等の樹脂を
射出成形したものがコストや生産性の面から好ましい。
ガラス、金属等の上に紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等を
塗布し、スタンパーを密着させた状態で硬化させる方法
もある。あるいはガラスや、アルミニウム合金などの金
属をキャスト成形する方法も用いることができる。
The present invention is preferably used for producing a magneto-optical recording medium and a phase change recording medium. The configuration of the magneto-optical recording medium is usually a substrate / inorganic protective layer / recording layer / inorganic protective layer, or a substrate / reflective layer / inorganic protective layer / recording layer / inorganic protective layer,
It is. The structure of the phase change recording medium is usually a substrate / reflective layer /
Inorganic protective layer / recording layer / inorganic protective layer. Each layer may be composed of a plurality of films. Further, another film may be further formed as necessary. As the substrate, a substrate obtained by injection molding a resin such as polycarbonate or PMMA using a stamper having irregularities is preferable from the viewpoint of cost and productivity.
There is also a method in which an ultraviolet-curing resin, a thermosetting resin, or the like is applied on glass, metal, or the like, and the resin is cured with a stamper adhered thereto. Alternatively, a method of casting a metal such as glass or an aluminum alloy can also be used.

【0019】こういった方法で基板に形成される凹凸
は、記録データを表すもの、記録トラックを追随するた
めのサーボ信号を発生させるためのもの、記録領域のア
ドレスを示すもの、再生するクロックを生成するための
もの等がある。サーボ信号は、連続溝によって発生させ
る方法(連続溝方式)と、間隔を開けて形成されたピッ
トから生成させる方法(サンプルサーボ方式)のいずれ
をも用いることができる。或いは上記凹凸を付けない基
板を用いてもよい。光磁気記録媒体の記録層としては、
光磁気効果を用いて再生できる磁性層であればよいが、
例えばTbFe、TbFeCo、TbCo、GdFeC
o、DyTbFeCo等の希土類と遷移金属との非晶質
磁性膜、MnBi、MnCuBi等の多結晶垂直磁化
膜、Pt/Co多層膜等が用いられる。光磁気記録層は
単層であってもよいし、オーバーライトや超解像を可能
とするためにGdTbFe/TbFeのように2層以上
の磁性層を重ねて用いてもよい。超解像技術を用いた媒
体の記録層構成についてはあとで詳述する。
The concavities and convexities formed on the substrate by such a method include those representing recording data, those for generating a servo signal for following a recording track, those showing an address of a recording area, and those for reproducing a clock. There are things to generate. The servo signal can be generated by a method of generating a continuous groove (continuous groove method) or a method of generating a servo signal from pits formed at intervals (sample servo method). Alternatively, a substrate without the above unevenness may be used. As the recording layer of the magneto-optical recording medium,
Any magnetic layer that can be reproduced using the magneto-optical effect may be used.
For example, TbFe, TbFeCo, TbCo, GdFeC
o, an amorphous magnetic film of a rare earth such as DyTbFeCo and a transition metal, a polycrystalline perpendicular magnetic film such as MnBi or MnCuBi, or a Pt / Co multilayer film is used. The magneto-optical recording layer may be a single layer, or two or more magnetic layers such as GdTbFe / TbFe may be used in order to enable overwriting and super-resolution. The recording layer configuration of the medium using the super-resolution technique will be described later in detail.

【0020】相変化型記録媒体の記録層としては、結晶
状態の違いにより反射率が変化する物質であればよい
が、例えばGeSbTeやInSbTe、AgSbT
e、AgInSbTe、InGeSbTeなどの化合物
が使用できる。無機保護層の材料は、熱伝導率、化学的
安定性、機械的強度、密着性、屈折率等に留意して決定
される。一般的には誘電体を用いることができる。酸化
Si、酸化Al、酸化Ta、酸化Ti、窒化Si、窒化
Al、炭化Siなどの単体あるいはそれらの混合物が好
ましく用いられる。特に、窒化Si、酸化Si、酸化T
a、ZnS−SiO2等が好ましい。反射層は金属また
は合金からなるが、高反射率のものが好ましく、Al、
Ag、Cu、Au、Ptなどの金属あるいはこれらを主
体とした合金を用いることができる。高反射率とは例え
ば、反射率90%以上である。
The recording layer of the phase-change recording medium may be any material whose reflectivity changes depending on the crystal state. Examples thereof include GeSbTe, InSbTe, and AgSbT.
Compounds such as e, AgInSbTe and InGeSbTe can be used. The material of the inorganic protective layer is determined in consideration of thermal conductivity, chemical stability, mechanical strength, adhesion, refractive index, and the like. Generally, a dielectric can be used. A simple substance such as Si oxide, Al oxide, Ta oxide, Ti oxide, Si nitride, Al nitride, Si carbide, or a mixture thereof is preferably used. In particular, Si nitride, Si oxide, T oxide
a, ZnS—SiO 2 and the like are preferable. The reflection layer is made of a metal or an alloy.
Metals such as Ag, Cu, Au, and Pt or alloys containing these as main components can be used. The high reflectance is, for example, a reflectance of 90% or more.

【0021】記録再生に浮上ヘッドを用いる場合は、最
表面に炭素膜、水素化カーボン膜及び窒素化カーボン膜
などの硬質層を設けてもよい。特に水素化カーボン膜が
好ましい。水素化カーボン膜は、水素と炭素を含有する
膜であればよく、例えばカーボンターゲットを用いて、
スパッタガスと水素ガスを含むプラズマ中でスパッタリ
ングする方法により形成することができる。スパッタ雰
囲気中の水素の含有量は、通常、2〜20体積%であ
る。浮上ヘッドを用いる場合はさらにこの上に潤滑剤を
塗布するのが好ましい。潤滑剤としては、エステル結合
を有するパーフルオロポリエーテル、ジアルキルアミド
カルボン酸、パークロロポリエーテル、ステアリン酸、
ステアリン酸ナトリウム、リン酸エステル等が好まし
い。エステル結合は分子内のどこにあってもよいが、末
端にエステル結合の官能基を有すると分子中の可動部が
長くなり潤滑性が得られ易いためより好ましい。特に主
鎖に−Ca2aO−単位(但し、aは1〜4の整数)を
有し、末端にエステル結合の官能基を有するパーフルオ
ロポリエーテルが好ましい。
When a flying head is used for recording and reproduction, a hard layer such as a carbon film, a hydrogenated carbon film and a nitrogenated carbon film may be provided on the outermost surface. Particularly, a hydrogenated carbon film is preferable. The hydrogenated carbon film may be any film containing hydrogen and carbon, for example, using a carbon target,
It can be formed by sputtering in a plasma containing a sputtering gas and a hydrogen gas. The content of hydrogen in the sputtering atmosphere is usually 2 to 20% by volume. When a flying head is used, it is preferable to further apply a lubricant thereon. As a lubricant, perfluoropolyether having an ester bond, dialkylamide carboxylic acid, perchloropolyether, stearic acid,
Sodium stearate, phosphate esters and the like are preferred. The ester bond may be located anywhere in the molecule, but it is more preferable to have an ester bond functional group at the end, since the movable portion in the molecule becomes longer and lubricity is easily obtained. Particularly -C a F 2a O- units (wherein, a is an integer of 1 to 4) in the main chain has a perfluoropolyether having a functional group of the terminal ester bond.

【0022】例えば、アウジモント社製Fomblin
−Z−DEALはCF2CF2OとCF2Oの重合体で直
鎖構造を有し、両末端にエステル基−COOR(但し、
Rはフッ素で置換されていてもよいアルキル基を表
す。)を有する。また、ダイキン工業社製Demnum
タイプ(SPやSY)はヘキサフルオロプロピレンオキ
シドのホモポリマーで、片方の末端にエステル基−CO
OR(但し、Rはフッ素で置換されていてもよいアルキ
ル基を表す。)を有する。潤滑剤の分子量は100〜1
0000の範囲内が好ましい。分子量が低いと一般的に
蒸気圧が高く、塗布した後にわずかずつ蒸発し、時間と
共に所望の膜厚から遠ざかってしまう。逆に分子量が高
い場合は、一般的に粘性が高く、所望の潤滑性が得られ
ない時がある。
For example, Fomblin manufactured by Ausimont Co., Ltd.
-Z-DEAL is a polymer of CF 2 CF 2 O and CF 2 O and has a linear structure, and has an ester group —COOR (both in which
R represents an alkyl group which may be substituted by fluorine. ). In addition, demnum manufactured by Daikin Industries, Ltd.
The type (SP or SY) is a homopolymer of hexafluoropropylene oxide, and has an ester group -CO at one end.
OR (where R represents an alkyl group which may be substituted with fluorine). The molecular weight of the lubricant is 100-1
It is preferably in the range of 0000. If the molecular weight is low, the vapor pressure is generally high, evaporates little by little after coating, and moves away from the desired film thickness with time. Conversely, when the molecular weight is high, the viscosity is generally high, and the desired lubricity may not be obtained.

【0023】また、これらを溶解させる溶媒としては例
えばフロン系、アルコール系、炭化水素系、ケトン系、
エーテル系、フッ素系、芳香族系等が用いられる。潤滑
剤の塗布膜厚としては、1〜20nmの範囲であること
が好ましい。この範囲外すなわち薄い場合は、所望の潤
滑性が得られないが、あまり厚くしても一定以上の潤滑
性は得られず余分な潤滑剤がディスクの回転に伴って外
周側へ移動し、内外周での膜厚分布が発生しやすくな
る。無機薄膜の上に透明な有機薄膜を保護膜として設け
ても良い。有機保護層は記録膜を傷、腐食から保護する
効果がある。紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂をスピンコー
トやディップ法で塗布した後に硬化させる方法、樹脂の
シートを接着する方法等がある。有機薄膜の膜厚は1μ
m以上であり、200μm以下であることが好ましい。
さらに好ましくは3μm以上であり、150μm以下で
ある。浮上ヘッドを用い、ヘッドを記録膜に1μm以下
程度に近接させる必要がある場合、保護膜膜厚が非常に
薄くなる。このとき有機薄膜では硬度がたりないので、
最表面には高硬度の無機保護膜を用いることが好まし
い。好ましくは水素化カーボンである。さらにその上に
潤滑剤を塗布するのが好ましい。
Examples of the solvent for dissolving them include chlorofluorocarbons, alcohols, hydrocarbons, ketones, and the like.
Ether type, fluorine type, aromatic type and the like are used. The coating thickness of the lubricant is preferably in the range of 1 to 20 nm. If the thickness is out of this range, that is, if the thickness is too small, desired lubricity cannot be obtained, but even if the thickness is too large, a certain level of lubricity cannot be obtained, and excess lubricant moves to the outer peripheral side with rotation of the disk. The film thickness distribution in the periphery is likely to occur. A transparent organic thin film may be provided as a protective film on the inorganic thin film. The organic protective layer has an effect of protecting the recording film from damage and corrosion. There are a method of applying an ultraviolet curable resin and a thermosetting resin by spin coating or a dipping method, followed by curing, and a method of bonding a resin sheet. The thickness of the organic thin film is 1μ
m or more, and preferably 200 μm or less.
More preferably, it is 3 μm or more and 150 μm or less. When a flying head is used and it is necessary to bring the head close to the recording film by about 1 μm or less, the thickness of the protective film becomes extremely thin. At this time, since the organic thin film does not have enough hardness,
It is preferable to use a high hardness inorganic protective film on the outermost surface. Preferred is hydrogenated carbon. Further, it is preferable to apply a lubricant thereon.

【0024】以下では、本発明の好ましい態様について
述べる。本発明においては、無機薄膜全体の膜厚が厚い
場合に交流バイアスを加える効果が大きい。膜厚が厚い
ほど膜欠陥が成長しやすいためである。従って無機薄膜
の合計膜厚が100nm以上である媒体の作製に用いて
効果が大きい。より好ましくは150nm以上である。
ただし、媒体の生産性を考えると合計膜厚は500nm
以下であるのが好ましい。ノイズ低減の意味からは全て
の無機薄膜の層に交流バイアスを加えるのが最も好まし
いが、これにより記録再生特性等に問題が生じる場合
は、その一部の層のみに加えても良い。一部の層にのみ
交流バイアスを加える場合には、当該層の膜厚が20n
m以上である層に用いて効果が大きい。さらに好ましく
は膜厚が25nm以上である。これは交流バイアスを加
えた膜厚が薄すぎるとノイズ低減の効果が消失するから
である
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. In the present invention, the effect of applying an AC bias is great when the entire inorganic thin film is thick. This is because the larger the film thickness is, the more easily a film defect grows. Therefore, the effect is great when used for manufacturing a medium in which the total thickness of the inorganic thin film is 100 nm or more. More preferably, it is 150 nm or more.
However, considering the productivity of the medium, the total film thickness is 500 nm.
It is preferred that: From the viewpoint of noise reduction, it is most preferable to apply an AC bias to all the inorganic thin film layers. However, if this causes a problem in the recording / reproducing characteristics, it may be applied to only some of the layers. When an AC bias is applied to only some of the layers, the thickness of the layer is 20 n
The effect is great when used for a layer with a thickness of at least m. More preferably, the film thickness is 25 nm or more. This is because the effect of noise reduction disappears when the film thickness to which the AC bias is applied is too thin.

【0025】無機薄膜が金属又は合金よりなる反射層を
含む場合、該反射層を基板に交流バイアスを加えた状態
でのスパッタリングにより作製するのが好ましい。記録
層と基板の間に反射層を設けると、光の大部分が該反射
層の最表面で反射されるので、反射層の膜表面の荒れは
他の層と比べても特に大きなノイズを発生する。また膜
表面の荒れは光を乱反射するので、反射率が低下してし
まう。この結果、光を反射させて干渉効果により再生特
性を向上させる反射層としての性能が悪化してしまう。
When the inorganic thin film includes a reflective layer made of a metal or an alloy, the reflective layer is preferably formed by sputtering with an AC bias applied to the substrate. If a reflective layer is provided between the recording layer and the substrate, most of the light will be reflected on the outermost surface of the reflective layer, so that the rough surface of the reflective layer will generate a particularly large noise compared to other layers. I do. In addition, the roughness of the film surface irregularly reflects light, so that the reflectance is reduced. As a result, the performance as a reflective layer that reflects light to improve the reproduction characteristics by the interference effect deteriorates.

【0026】従って、少なくとも反射層の成膜時に交流
バイアスを加えることが好ましい。また、反射層の膜厚
が厚い場合には特に効果が大きい。相変化媒体では、記
録層からの熱拡散を補助するため反射層の膜厚を厚くす
る傾向がある。反射層膜厚が100nm以上では表面が
荒れが著しく、ノイズの増加が大きい。従って、100
nm以上の反射層を有する媒体の作製に用いて効果が高
い。ただし、膜厚は500nm以下であるのが好まし
い。反射層は熱伝導度が高いので、あまりに厚いと記録
に必要なレーザーパワーが著しく大きくなってしまう。
さらに、記録層の膜厚が50nm以下と薄く再生光の多
くが反射層に到達する構成において、より効果が高い。
より好ましくは記録層が40nm以下である。ただし、
8nm以上とする。記録層が薄すぎると再生信号が著し
く低下してしまう。
Therefore, it is preferable to apply an AC bias at least when forming the reflective layer. The effect is particularly large when the thickness of the reflective layer is large. In a phase-change medium, the thickness of the reflective layer tends to be increased to assist thermal diffusion from the recording layer. When the thickness of the reflective layer is 100 nm or more, the surface is extremely rough, and the increase in noise is large. Therefore, 100
It is highly effective when used for manufacturing a medium having a reflective layer of nm or more. However, the thickness is preferably 500 nm or less. Since the reflective layer has a high thermal conductivity, if it is too thick, the laser power required for recording becomes extremely large.
Further, in a configuration in which the thickness of the recording layer is as thin as 50 nm or less and most of the reproduction light reaches the reflective layer, the effect is higher.
More preferably, the recording layer has a thickness of 40 nm or less. However,
8 nm or more. If the recording layer is too thin, the reproduced signal will be significantly reduced.

【0027】本発明は特に、AlやAgを主体とした金
属又は合金を反射層に用いる場合に効果が高い。Alな
いしAgを主体とした反射層は結晶粒が大きく表面荒れ
を生じやすいからである。反射層としては、AlやAg
に熱伝導率の制御ないし腐食の抑制のため、Si、C
r、Ta、Ti、Pt、Mo、B等を10原子%以下添
加したものが好ましい。無機薄膜が光磁気効果を用いて
再生される磁性層を含む場合、該磁性層の少なくとも一
部を基板に交流バイアスを加えた状態でのスパッタリン
グにより作製するのが好ましい。磁性層が多層膜からな
る場合には、該多層膜のうち少なくとも、最も基板から
離れた膜を基板に交流バイアスを加えた状態でのスパッ
タリングにより作製するのがより好ましい。磁性層の膜
表面の荒れは磁気異方性の乱れにつながり、特に大きな
ノイズを発生するからである。また、光磁気信号強度は
磁性層での反射率Rとカー回転角θkの積R・θkで表せ
る。すなわち、表面荒れが低減されることで反射率Rが
大きくなれば信号強度が強くなるという効果もある。
The present invention is particularly effective when a metal or alloy mainly composed of Al or Ag is used for the reflective layer. This is because the reflective layer mainly composed of Al or Ag has large crystal grains and easily causes surface roughness. Al or Ag is used as the reflection layer.
In order to control thermal conductivity or suppress corrosion, use Si, C
It is preferable to add r, Ta, Ti, Pt, Mo, B, and the like in an amount of 10 atomic% or less. When the inorganic thin film includes a magnetic layer reproduced by using the magneto-optical effect, it is preferable that at least a part of the magnetic layer is formed by sputtering with an AC bias applied to the substrate. When the magnetic layer is composed of a multilayer film, it is more preferable that at least a film farthest from the substrate among the multilayer films is formed by sputtering with an AC bias applied to the substrate. This is because roughness on the surface of the magnetic layer leads to disturbance of magnetic anisotropy, and particularly large noise is generated. The magneto-optical signal intensity can be represented by the product R · θk of the reflectance R of the magnetic layer and the Kerr rotation angle θk. That is, there is also an effect that the signal intensity is increased if the reflectance R is increased by reducing the surface roughness.

【0028】磁気誘導超解像(MSR)媒体のように記
録層が多層磁性膜よりなる場合には、少なくとも、最も
基板から離れた膜を、基板に交流バイアスを加えた状態
でスパッタリングにより作製することが好ましい。これ
は再生信号の大部分が最も基板より離れた最表面の磁性
膜より発生するからである。磁性層最表面の荒れが少な
ければノイズの低減効果は著しい。ここで、超解像(Ma
gnetically induced super resolution、以下MSR)
技術を用いた媒体について詳細に説明する。本方式は、
基本的に、情報を記録した層(記録磁性層)と情報を再
生する層(再生磁性層)とからなり、記録は記録層に対
して行い、再生時に記録層の磁化方向を再生層に転写し
て読み出す。通常、記録層の加熱温度によって再生層へ
の転写状態がコントロールされる。本方式によれば、再
生光スポット内に温度分布があるのを利用し、この温度
分布により再生層の磁区を変形させることで再生信号の
波形干渉を軽減できるため、高密度の記録情報を品質よ
く再生することができる。
When the recording layer is composed of a multilayer magnetic film such as a magnetically induced super resolution (MSR) medium, at least a film farthest from the substrate is formed by sputtering with an AC bias applied to the substrate. Is preferred. This is because most of the reproduced signal is generated from the outermost magnetic film farthest from the substrate. If the roughness of the outermost surface of the magnetic layer is small, the noise reduction effect is remarkable. Here, the super-resolution (Ma
gnetically induced super resolution (MSR)
The medium using the technology will be described in detail. This method is
It basically consists of a layer on which information is recorded (recording magnetic layer) and a layer for reproducing information (reproducing magnetic layer). Recording is performed on the recording layer, and the magnetization direction of the recording layer is transferred to the reproducing layer during reproduction. And read. Usually, the state of transfer to the reproducing layer is controlled by the heating temperature of the recording layer. According to this method, it is possible to reduce the interference of the waveform of the reproduced signal by utilizing the temperature distribution in the reproduction light spot and deforming the magnetic domain of the reproduction layer by the temperature distribution, thereby improving the quality of the high-density recording information. Can be played well.

【0029】MSRの形態としては様々のものがある。
例えば「交換結合CAD」方式や、特開平7−1470
29号に示されるように、保磁力の小さい再生層、キュ
リー温度の低い切断層、さらにキュリー温度が高く保磁
力が大きい記録層の互いに交換結合した3層からなる媒
体を用いる「反転型MSR」方式、特開平8−2218
18号に示される、記録層と再生層の間に非磁性の遮断
層を設け、静磁結合力だけで記録層の磁化方向を再生層
に転写する「静磁結合CAD」方式などである。後2者
は静磁結合型MSRと総称される。
There are various forms of the MSR.
For example, an "exchange coupling CAD" system,
As shown in No. 29, "Inverted MSR" uses a medium consisting of three layers exchange-coupled to each other: a reproducing layer having a low coercive force, a cutting layer having a low Curie temperature, and a recording layer having a high Curie temperature and a large coercive force. Method, JP-A-8-2218
No. 18, "Magnetostatic coupling CAD" system in which a nonmagnetic blocking layer is provided between a recording layer and a reproducing layer and the magnetization direction of the recording layer is transferred to the reproducing layer only by the magnetostatic coupling force. The latter two are collectively called magnetostatically coupled MSRs.

【0030】以下、例として静磁結合型MSRの層構成
について説明する。反転型MSR方式、ならびに静磁結
合CAD方式において、再生層は希土類金属磁化優勢の
組成が好ましい。反転型MSR方式においては、これは
交換結合力と静磁結合力の方向を逆にするための必須条
件である。また静磁結合CAD方式においては、低温で
面内磁化膜であり高温で磁化の減少により垂直磁化膜に
推移する必須条件である。再生層に用いられる物質とし
ては、GdFeCo、GdCo、GdFe、GdDyF
e、GdDyCo、GdDyFeCo、GdTbFe、
GdTbCo、GdTbFeCo、DyFeCo、Dy
Co、TbCo、TbFeCo、TbDyFeCo、T
bDyCo等の希土類金属と遷移金属の合金が用いられ
る。中でも、Gdを含有する合金を用いるのがキュリー
温度や保磁力の点から好ましい。特に好ましいのはGd
FeCoやGdFeである。キュリー温度としては、2
50℃以上であることが好ましい。
Hereinafter, the layer configuration of the magnetostatic coupling type MSR will be described as an example. In the inversion type MSR system and the magnetostatic coupling CAD system, the reproducing layer preferably has a composition in which rare earth metal magnetization is dominant. In the reversal type MSR, this is an essential condition for reversing the directions of the exchange coupling force and the magnetostatic coupling force. Further, in the magnetostatic coupling CAD system, it is an essential condition that the film is an in-plane magnetic film at a low temperature and changes to a perpendicular magnetic film due to a decrease in magnetization at a high temperature. Materials used for the reproducing layer include GdFeCo, GdCo, GdFe, and GdDyF.
e, GdDyCo, GdDyFeCo, GdTbFe,
GdTbCo, GdTbFeCo, DyFeCo, Dy
Co, TbCo, TbFeCo, TbDyFeCo, T
An alloy of a rare earth metal such as bDyCo and a transition metal is used. Among them, it is preferable to use an alloy containing Gd from the viewpoint of the Curie temperature and the coercive force. Particularly preferred is Gd
FeCo and GdFe. Curie temperature is 2
It is preferably at least 50 ° C.

【0031】PtCoや、PtとCoの超格子等の磁性
体を再生層上に積層させることもできる。これらは短波
長でのカー回転角が大きいため、青色レーザーなどを用
いた高密度記録媒体に適用できる。再生層の垂直磁気異
方性を大きくするには、磁性層にある程度の膜応力をも
たせて逆磁歪効果による異方性を発生させるのが好まし
いため、再生層の膜厚が薄い方が磁化が垂直に立ちやす
く好ましい。好ましくは100nm以下、さらに好まし
くは70nm以下、特に好ましくは60nm以下であ
る。しかし、薄すぎる場合、漏洩磁束が小さくなり静磁
結合力が減少するので好ましくは10nm以上、さらに
好ましくは15nm以上、特に好ましくは20nm以上
である。
A magnetic material such as PtCo or a superlattice of Pt and Co can be laminated on the reproducing layer. Since these have a large Kerr rotation angle at a short wavelength, they can be applied to a high-density recording medium using a blue laser or the like. In order to increase the perpendicular magnetic anisotropy of the reproducing layer, it is preferable to apply a certain film stress to the magnetic layer to generate anisotropy by the inverse magnetostriction effect. It is preferable because it stands upright. It is preferably at most 100 nm, more preferably at most 70 nm, particularly preferably at most 60 nm. However, if it is too thin, the leakage magnetic flux becomes small and the magnetostatic coupling force decreases, so it is preferably at least 10 nm, more preferably at least 15 nm, particularly preferably at least 20 nm.

【0032】再生層と記録層の間に交換結合を切断する
ための切断層を設ける。切断層は反転型MSR方式にお
いてはキュリー温度が記録層及び再生層より低い層と
し、キュリー温度を超える高温において交換結合を遮断
する。静磁結合CAD方式では全ての温度領域において
交換結合を遮断するように主に非磁性の膜を用いる。反
転型MSR方式において切断層は、キュリー温度が再生
層や記録層と比べて小さいものを用いる。切断層のキュ
リー温度は、90〜180℃程度が好ましい。キュリー
温度が低すぎると交換結合している領域(再生光スポッ
ト内の低温領域)からの信号が小さくなるが、一方、高
すぎると高い再生パワー及び高い記録パワーを必要が必
要になる。
A cutting layer for cutting exchange coupling is provided between the reproducing layer and the recording layer. In the inversion type MSR system, the cutting layer is a layer having a lower Curie temperature than the recording layer and the reproducing layer, and blocks exchange coupling at a high temperature exceeding the Curie temperature. In the magnetostatic coupling CAD method, a non-magnetic film is mainly used so as to block exchange coupling in all temperature regions. In the inversion type MSR method, a cutting layer having a lower Curie temperature than the reproducing layer and the recording layer is used. The Curie temperature of the cutting layer is preferably about 90 to 180 ° C. If the Curie temperature is too low, the signal from the exchange-coupled area (low-temperature area in the reproduction light spot) becomes small, while if the Curie temperature is too high, high reproduction power and high recording power are required.

【0033】反転型MSR方式の切断層は垂直磁気異方
性が高く、再生層の磁化に強い力を発生させるものが好
ましい。切断層に用いられる物質としては、TbFe、
TbFeCo、DyFeCo、DyFe、TbDyFe
Co等の希土類と遷移金属の合金が好ましい。膜厚は2
nm以上とし、30nm以下とすることが好ましい。薄
いと交換結合の遮断が十分に行われにくくなり、厚いと
静磁結合の磁束が届きにくくなる。静磁結合CADにお
いて、切断層は金属、誘電体等の少なくとも再生層に磁
化方向が転写される温度で非磁性又は常磁性のものが好
ましく用いられる。例えばAl、Ta、Cr、Ti、
W、Si、Pt、Cu、Tb、Gd、Dy、ZnS、S
34などの窒化Si、AlN、TiN、カーボン、水
素化カーボン等である。これらの混合物であってもかわ
まない。ただし透磁率の高いもの、例えばFe、Ni等
は記録層から再生層への磁束透過を妨げ、静磁結合を低
下させるため好ましくない。膜厚は2nm以上とし、3
0nm以下とすることが好ましい。薄すぎると交換結合
の遮断が十分に行われにくくなり、厚いと静磁結合の磁
束が届きにくくなる。
The inversion type MSR cutting layer preferably has a high perpendicular magnetic anisotropy and generates a strong force in the magnetization of the reproducing layer. Materials used for the cutting layer include TbFe,
TbFeCo, DyFeCo, DyFe, TbDyFe
An alloy of a rare earth such as Co and a transition metal is preferable. The film thickness is 2
nm or more and preferably 30 nm or less. If it is thin, it is difficult for the exchange coupling to be sufficiently interrupted, and if it is thick, the magnetic flux of the magnetostatic coupling does not easily reach. In the magnetostatic coupling CAD, a nonmagnetic or paramagnetic material such as a metal or a dielectric is preferably used at a temperature at which a magnetization direction is transferred to at least the reproducing layer. For example, Al, Ta, Cr, Ti,
W, Si, Pt, Cu, Tb, Gd, Dy, ZnS, S
i 3 Si nitride such as N 4, AlN, TiN, carbon, a carbon hydride or the like. A mixture of these may be used. However, those having high magnetic permeability, such as Fe and Ni, are not preferable because they impede the transmission of magnetic flux from the recording layer to the reproducing layer and reduce the magnetostatic coupling. The film thickness is 2 nm or more, and 3
Preferably, the thickness is 0 nm or less. If it is too thin, it is difficult to sufficiently shut off the exchange coupling, and if it is too thick, the magnetic flux of the magnetostatic coupling does not easily reach.

【0034】記録層は記録を蓄えている層であるから、
再生光による加熱で劣化しない程度に高いキュリー温度
を有し、かつ微小磁区を安定に保持可能であることが必
要である。記録層は、再生光による加熱で劣化しない大
きさのキュリー温度を有していることが必要である。ま
た、記録層が高い垂直磁気異方性を持つことも、安定に
記録磁区を保持するために好ましい。記録層は単独の膜
でも良いが、複数の記録膜することも好ましい形態であ
る。複数の記録膜からなる場合は、各記録膜は再生光に
よる加熱で劣化しない大きさのキュリー温度を有してい
ることが必要であり、また、高い垂直磁気異方性を持つ
ことが安定に記録磁区を保持するために好ましい。ま
た、各記録膜は互いに交換結合しているのが好ましい。
保磁力の低い膜(例えば、GdFeCo)と保磁力の高
い膜(例えば、TbFeCo)との組み合わせである場
合、高保磁力膜に記録すれば交換結合力により低保磁力
膜に転写される。
Since the recording layer is a layer that stores records,
It is necessary to have a Curie temperature as high as not to be deteriorated by heating by the reproduction light and to be able to stably hold the minute magnetic domain. The recording layer needs to have a Curie temperature that does not deteriorate by heating by the reproduction light. It is also preferable that the recording layer has a high perpendicular magnetic anisotropy in order to stably maintain the recording magnetic domain. The recording layer may be a single film, but a plurality of recording films is also a preferred embodiment. In the case of a plurality of recording films, each recording film needs to have a Curie temperature large enough not to be degraded by heating by the reproduction light, and to have a high perpendicular magnetic anisotropy in a stable manner. It is preferable to keep the recording magnetic domains. Preferably, the recording films are exchange-coupled to each other.
In the case of a combination of a film having a low coercive force (for example, GdFeCo) and a film having a high coercive force (for example, TbFeCo), if the film is recorded on the high coercive force film, it is transferred to the low coercive force film by the exchange coupling force.

【0035】記録膜の積層のしかたとしては、再生層に
近い順に第1記録膜、第2記録膜・・・とした場合、第
1記録膜に静磁結合に使用したい磁化方向を持つ層を配
することが好ましい。再生層との距離が最も近い層が最
も効率的に静磁結合力を及ぼすからである。第1記録膜
として磁化の大きな層を設け、第2記録膜として第1記
録膜より磁化は小さいが保磁力が大きい層を設けること
で、強い静磁結合力を保ちつつ微小磁区を安定に記録で
きる。反転型MSRであれば、希土類金属磁化優勢であ
る再生層に対しては、反対の遷移金属優勢磁化の磁化を
結合させたいため、第1記録膜が室温で遷移金属磁化優
勢であることが好ましい。静磁結合CADでは、記録層
が希土類金属磁化優勢(REリッチ)でも遷移金属磁化
優勢(TMリッチ)でもよいが、希土類金属磁化優勢の
場合は、高温で再生すると磁化が低下してしまうという
問題があるため、記録層は、室温で遷移金属磁化優勢で
あることが好ましい。なお、記録層が複数の記録膜より
なる場合、記録層の磁化方向とは、記録層が全体として
再生層に及ぼす静磁結合力の方向から導かれる磁化方向
を示すこととする。
When the first recording film, the second recording film,... Are arranged in the order of proximity to the reproducing layer, a layer having a magnetization direction to be used for magnetostatic coupling is arranged on the first recording film. It is preferable to arrange them. This is because the layer closest to the reproducing layer exerts the magnetostatic coupling force most efficiently. By providing a layer having a large magnetization as the first recording film and providing a layer having a smaller magnetization but a larger coercive force than the first recording film as the second recording film, the minute magnetic domains can be stably recorded while maintaining a strong magnetostatic coupling force. it can. In the case of the inversion type MSR, it is preferable that the first recording film has the transition metal magnetization dominance at room temperature because it is desired to couple the magnetization of the opposite transition metal dominant magnetization to the reproducing layer in which the rare earth metal magnetization is dominant. . In magnetostatic coupling CAD, the recording layer may be either rare-earth-metal-dominated (RE-rich) or transition-metal-dominated (TM-rich). Therefore, it is preferable that the recording layer has transition metal magnetization dominance at room temperature. When the recording layer is composed of a plurality of recording films, the magnetization direction of the recording layer refers to the magnetization direction derived from the direction of the magnetostatic coupling force exerted on the reproduction layer by the recording layer as a whole.

【0036】例えば、REリッチの再生層に対して磁化
方向を転写した際、再生層と記録層の副格子磁化が揃っ
ている場合は記録層はREリッチ、逆になった場合はT
Mリッチであると判断できる。記録層中の記録膜の数は
3層以上でも良いが、生産上の簡便さから2層以下であ
ることが好ましい。記録層を形成する物質としては、少
なくとも一つの記録膜が高い保磁力を持ち、記録を安定
に蓄え得ることが好ましい。この高保磁力膜としてはT
bFeCo、TbCo、DyFeCo、TbDyFeC
o、GdTbFe、GdTbFeCo等が好ましく用い
られる。中でもTbFeCoが垂直磁気異方性が高く、
保磁力が大きいので特に好ましい。保磁力は5kOe以
上であることが好ましい。高保磁力膜以外の膜は、高保
磁力膜と交換結合していれば、単独で保磁力が小さいも
のでもかまわない。例えばGdFe、GdFeCo、G
dCoである。
For example, when the magnetization direction is transferred to the RE-rich reproducing layer, the recording layer is RE-rich if the sub-lattice magnetizations of the reproducing layer and the recording layer are aligned, and T is reversed if the sub-lattice magnetization is reversed.
It can be determined that it is M rich. The number of recording films in the recording layer may be three or more, but is preferably two or less in terms of simplicity in production. As a substance forming the recording layer, it is preferable that at least one recording film has a high coercive force and can stably store recordings. As this high coercive force film, T
bFeCo, TbCo, DyFeCo, TbDyFeC
o, GdTbFe, GdTbFeCo and the like are preferably used. Among them, TbFeCo has high perpendicular magnetic anisotropy,
It is particularly preferable because of its large coercive force. The coercive force is preferably at least 5 kOe. As long as the films other than the high coercive force film are exchange-coupled to the high coercive force film, they may have a small coercive force alone. For example, GdFe, GdFeCo, G
dCo.

【0037】記録層が薄いと安定して制御層に磁区方向
を転写しにくくなるため、記録層の膜厚は20nm以上
が好ましく、さらに好ましくは25nm以上である。一
方、記録層が厚いと感度及び生産性が悪くなりやすいた
め、記録層の膜厚は100nm以下が好ましく、さらに
好ましくは70nm以下である。記録層が複数の記録膜
からなる場合は、各々の記録膜の膜厚を上記範囲とする
のが好ましい。記録層のキュリー温度が低いと、再生の
パワーマージンが無くなるか狭くなるので、200℃以
上であることが好ましい。さらに好ましくは250℃以
上である。ただし、高過ぎれば記録に要するレーザーパ
ワーが非常に大きくなってしまうので350℃以下であ
ることが好ましい。
When the recording layer is thin, it is difficult to transfer the magnetic domain direction to the control layer stably. Therefore, the thickness of the recording layer is preferably 20 nm or more, more preferably 25 nm or more. On the other hand, if the recording layer is thick, sensitivity and productivity tend to deteriorate, so the thickness of the recording layer is preferably 100 nm or less, more preferably 70 nm or less. When the recording layer is composed of a plurality of recording films, the thickness of each recording film is preferably set in the above range. If the Curie temperature of the recording layer is low, the power margin for reproduction is lost or narrowed. More preferably, it is 250 ° C. or higher. However, if the temperature is too high, the laser power required for recording becomes extremely large.

【0038】記録層が複数の記録膜からなる場合は、最
も低いキュリー温度の記録膜のキュリー温度を上記範囲
とする。単に「記録層のキュリー温度」と呼ぶときは、
この最も低いキュリー温度を指す。記録層を、高キュリ
ー温度の低保磁力膜を第1記録膜とし、それよりも低キ
ュリー温度の高保磁力膜を第2記録膜とする組み合わせ
とするときは、再生時に、第2記録膜のキュリー温度付
近まで温度が上がっても第1記録膜の磁化が低下せずに
強い静磁結合を得ることができるので特に好ましい形態
である。この場合、具体的には、第1記録膜としてGd
FeCo、第2記録膜としてTbFeCoが好ましく用
いられる。記録層を単層とする場合は、同様の理由でT
bFeCoを用いることが好ましい。各々の記録膜の磁
化があまり大きすぎる場合、垂直磁気異方性の低下によ
って再生信号特性が低下する。従って、記録層に極端に
補償組成から離れた組成を用いることは好ましくない。
When the recording layer comprises a plurality of recording films, the Curie temperature of the recording film having the lowest Curie temperature is set in the above range. When simply called the “Curie temperature of the recording layer”,
It refers to this lowest Curie temperature. When the recording layer is a combination of the low coercive force film having a high Curie temperature as the first recording film and the high coercive force film having a lower Curie temperature as the second recording film, when reproducing, This is a particularly preferable mode because even when the temperature rises to near the Curie temperature, strong magnetostatic coupling can be obtained without lowering the magnetization of the first recording film. In this case, specifically, Gd is used as the first recording film.
FeCo and TbFeCo are preferably used as the second recording film. When the recording layer is a single layer, T
It is preferable to use bFeCo. When the magnetization of each of the recording films is too large, the read signal characteristics deteriorate due to a decrease in perpendicular magnetic anisotropy. Therefore, it is not preferable to use a composition far from the compensation composition for the recording layer.

【0039】このため、記録層中の希土類金属を18原
子%以上とすることが好ましく、より好ましくは19原
子%以上、特に好ましくは20原子%以上とする。ある
いは記録層中の希土類金属を32%原子以下とすること
が好ましく、より好ましくは31原子%以下、特に好ま
しくは30原子%以下とする。なお、本明細書中では組
成に全て原子%を用いる。記録層における高保磁力の記
録膜としてTbFeCoを用いる場合、FeCo中のC
oの比率は10%以上40%以下であることが、適切な
キュリー温度を得る上で好ましい。記録層の磁化が大き
すぎると、漏洩磁界による磁化反転が起きやすくなるた
め、記録層の磁化は室温で250emu/cc以下であること
が好ましい。さらに好ましくは200emu/cc以下であ
る。室温での記録層の磁化が小さすぎると高温において
も静磁結合力が小さくなるので,50emu/cc以上である
ことが好ましい。さらに好ましくは100emu/cc以上で
ある。
Therefore, the rare earth metal content in the recording layer is preferably at least 18 at%, more preferably at least 19 at%, particularly preferably at least 20 at%. Alternatively, the content of the rare earth metal in the recording layer is preferably 32% by atom or less, more preferably 31% by atom or less, and particularly preferably 30% by atom or less. Note that in this specification, atomic% is used for all compositions. When TbFeCo is used as a high coercivity recording film in the recording layer, C in FeCo
The ratio of o is preferably 10% or more and 40% or less for obtaining an appropriate Curie temperature. If the magnetization of the recording layer is too large, magnetization reversal due to a leakage magnetic field is likely to occur. Therefore, the magnetization of the recording layer is preferably 250 emu / cc or less at room temperature. More preferably, it is 200 emu / cc or less. If the magnetization of the recording layer at room temperature is too small, the magnetostatic coupling force becomes small even at a high temperature, so that it is preferably 50 emu / cc or more. More preferably, it is 100 emu / cc or more.

【0040】静磁結合力をより確実に発生させるため、
記録磁性層の再生磁性層とは反対の側に透磁率が記録磁
性層よりも大きい層、例えばFe、Ni、Co、FeN
i、AlSiFe等を直接あるいは非磁性層を介して1
0〜50nm程度設けても良い。こういった層の効果に
より記録磁性層の漏洩磁束がより効率的に発生し再生磁
性層と結合する。記録磁性層と直接接すれば記録磁性層
の垂直磁気異方性が低下するので非磁性層を介すること
が好ましい。
In order to generate the magnetostatic coupling force more reliably,
On the side of the recording magnetic layer opposite to the reproducing magnetic layer, a layer having a higher magnetic permeability than the recording magnetic layer, for example, Fe, Ni, Co, FeN
i, AlSiFe, etc. directly or through a non-magnetic layer.
It may be provided about 0 to 50 nm. Due to the effect of these layers, the leakage magnetic flux of the recording magnetic layer is more efficiently generated and coupled to the reproducing magnetic layer. If it is in direct contact with the recording magnetic layer, the perpendicular magnetic anisotropy of the recording magnetic layer is reduced.

【0041】[0041]

【実施例】以下に実施例をもって本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。 (実施例1〜4、比較例1:光磁気記録媒体)基板厚
1.2mm、溝部の間隔が1.4μm、溝部と溝間部の
平坦部が各々0.6μmであり、溝幅0.67μm、溝
深さ60nmの断面が台形である溝を有するランド&グ
ルーブ記録用の直径130mmのポリカーボネート基板
を準備した。この基板をスパッタリング装置に導入し、
3x10-7Torr以下の真空度まで排気した。スパッ
タリングに用いたターゲットは全て直径5インチであ
る。スパッタリングガスとしてArを80ccm、O2
を25ccm流し、圧力を3.5mTorrとして、5
00WのTaターゲットの直流反応性スパッタリングに
より膜厚70nmの酸化Taよりなる第1誘電体層を作
製した。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, which should not be construed as limiting the scope of the invention. (Examples 1 to 4, Comparative Example 1: Magneto-optical recording medium) The substrate thickness is 1.2 mm, the interval between the grooves is 1.4 μm, the flat portion between the grooves is 0.6 μm, and the groove width is 0. A polycarbonate substrate with a diameter of 130 mm for land and groove recording having a groove having a trapezoidal cross section with a groove depth of 67 nm and a groove depth of 60 nm was prepared. This substrate is introduced into a sputtering device,
Evacuation was performed to a degree of vacuum of 3 × 10 −7 Torr or less. The targets used for sputtering were all 5 inches in diameter. 80 ccm of Ar as a sputtering gas, O 2
At 25 mcm and the pressure at 3.5 mTorr.
A first dielectric layer of Ta oxide having a thickness of 70 nm was formed by direct current reactive sputtering of a 00 W Ta target.

【0042】次にArを80ccm圧力を3mTorr
として800WのTbFeCo合金の直流スパッタリン
グにより膜厚100nmのTb21(Fe80Co20)79
りなる記録層を作製した。続いてArを80ccm、N
2を20ccm流して圧力を3.2mTorrとして、
500WのSiターゲットの直流反応性スパッタリング
により膜厚70nmの窒化Siよりなる第2誘電体層を
成膜した(比較例1)。次に、表−1に示すごとく、全
部のあるいは各々層の成膜時に周波数13.56MH
z、振幅160V、自己バイアス70V、パワー200
Wの交流バイアスを、基板が装着された直径300mm
のステンレス製基板ホルダーに加えて成膜した(実施例
1〜4)。
Next, Ar was set to 80 ccm and the pressure was set to 3 mTorr.
As a result, a recording layer made of Tb 21 (Fe 80 Co 20 ) 79 having a thickness of 100 nm was produced by direct current sputtering of an 800 W TbFeCo alloy. Subsequently, Ar was set to 80 ccm and N
2 at a flow rate of 20 ccm and a pressure of 3.2 mTorr,
A second dielectric layer made of Si nitride having a thickness of 70 nm was formed by DC reactive sputtering of a 500 W Si target (Comparative Example 1). Next, as shown in Table 1, a frequency of 13.56 MH was used when all or each layer was formed.
z, amplitude 160V, self bias 70V, power 200
AC bias of W is 300 mm in diameter with the substrate mounted
(Examples 1 to 4).

【0043】以上のように作製した光磁気ディスクの無
機薄膜の最表面の平均荒さ(Ra)をAFMで測定した
結果を表−1に示す。これら光磁気ディスクを、波長6
80nm、NA=0.55の光ヘッドを搭載した光ディ
スク評価機で線速8m/sで回転させて、膜面入射によ
り評価を行った。最初に磁界300Oe、消去パワー7
mWで消去し、溝の形成されていない鏡面部でノイズを
測定した。次に、溝部で同様に消去を行った後、磁界3
00Oe、記録パワー8mW、記録周波数2MHz(マ
ーク長2μmのマーク記録に相当する)、発光duty
35%で記録を行い、そののち再生した。再生パワーは
2.5mWであった。再生信号の、鏡面部でのノイズ及
び溝部でのCNRを表−1に示す。全ての層で交流バイ
アスの効果が認められたが、記録層成膜時に交流バイア
スを加えることにより最も大きくノイズが低下した。ま
た、記録層成膜時にバイアスを加えた実施例1及び実施
例3においてはキャリアレベルも約1dB増加した。ま
た、比較例1と実施例1の、鏡面部における0〜10M
Hzのノイズスペクトルの違いを図1に示す。なお、分
解帯域幅(Resolution Band Width)は30kHz、ビ
デオ帯域幅(Video Band Width)は10kHzである。
Table 1 shows the results of AFM measurement of the average roughness (Ra) of the outermost surface of the inorganic thin film of the magneto-optical disk manufactured as described above. These magneto-optical disks are set to a wavelength of 6
It was rotated at a linear velocity of 8 m / s by an optical disk evaluation machine equipped with an optical head having an optical head of 80 nm and NA = 0.55, and evaluation was performed by film surface incidence. First, a magnetic field of 300 Oe and an erasing power of 7
Erasing was performed at mW, and noise was measured at the mirror surface where no groove was formed. Next, after similarly erasing in the groove, the magnetic field 3
00 Oe, recording power 8 mW, recording frequency 2 MHz (corresponding to mark recording with a mark length of 2 μm), light emission duty
Recording was performed at 35% and then reproduced. The reproduction power was 2.5 mW. Table 1 shows the noise of the reproduced signal at the mirror surface and the CNR at the groove. Although the effect of the AC bias was recognized in all the layers, the noise was most greatly reduced by applying the AC bias when the recording layer was formed. In Examples 1 and 3 in which a bias was applied during the formation of the recording layer, the carrier level also increased by about 1 dB. Further, 0 to 10M in the mirror surface portion of Comparative Example 1 and Example 1
The difference in the noise spectrum at Hz is shown in FIG. The resolution bandwidth (Resolution Band Width) is 30 kHz, and the video bandwidth (Video Band Width) is 10 kHz.

【0044】[0044]

【表1】 [Table 1]

【0045】(実施例5〜7、比較例2〜4:反射層を
設けた光磁気記録媒体)実施例1と同様の基板及び成膜
条件を用い、スパッタリングガスとしてArを80cc
m流し、圧力を3.0mTorrとしてのAl98Ta2
よりなる反射層を、表−2に示すごとく、それぞれ膜厚
80、130、180nm作製した。次にArを80c
cm、N2を20ccm流して圧力を3.2mTorr
として、反応性スパッタリングにより膜厚30nmの窒
化Siよりなる第1誘電体層を成膜した。続いてArを
80ccm圧力を3mTorrとして膜厚30nmのT
21(Fe80Co20)79よりなる記録層を作製した。続
いてArを80ccm、N2を20ccm流して圧力を
3.2mTorrとして、反応性スパッタリングにより
膜厚80nmの窒化Siよりなる第2保護層を成膜した
(比較例2〜4)。
(Examples 5 to 7, Comparative Examples 2 to 4: Magneto-optical recording medium provided with a reflective layer) Using the same substrate and film forming conditions as in Example 1, 80 cc of Ar was used as a sputtering gas.
Al 98 Ta 2 at a pressure of 3.0 mTorr.
As shown in Table 2, film thicknesses of 80, 130, and 180 nm were formed. Next, Ar is 80c
cm, 20 ccm of N 2 and a pressure of 3.2 mTorr
The first dielectric layer made of Si nitride having a thickness of 30 nm was formed by reactive sputtering. Then, Ar was set to 80 nm and the pressure was set to 3 mTorr.
A recording layer made of b 21 (Fe 80 Co 20 ) 79 was produced. Subsequently, a second protective layer made of Si nitride having a film thickness of 80 nm was formed by reactive sputtering at a pressure of 3.2 mTorr by flowing Ar at 80 ccm and N 2 at 20 ccm (Comparative Examples 2 to 4).

【0046】次に反射層の成膜時に周波数13.56M
Hz、振幅160V、自己バイアス70V、パワー20
0Wの交流バイアスを、基板が装着された直径300m
mのステンレス製基板ホルダーに加えて成膜した。(実
施例5〜7) 以上のように作製した光磁気ディスクの無機薄膜の最表
面の平均荒さ(Ra)をAFMで測定した結果を表−2
に示す。これら光磁気ディスクを、同様の条件で評価し
た。結果を表−2に示す。
Next, when forming the reflective layer, the frequency was 13.56M.
Hz, amplitude 160V, self-bias 70V, power 20
0W AC bias, 300m diameter with substrate mounted
In addition, a film was formed on a stainless steel substrate holder. (Examples 5 to 7) Table 2 shows the average roughness (Ra) of the outermost surface of the inorganic thin film of the magneto-optical disk manufactured as described above, which was measured by AFM.
Shown in These magneto-optical disks were evaluated under the same conditions. Table 2 shows the results.

【0047】[0047]

【表2】 [Table 2]

【0048】(実施例8、比較例5:相変化記録媒体)
実施例1と同様の基板及び成膜条件を用い、スパッタリ
ングガスとしてArを80ccm流し、圧力を3.0m
Torrとして膜厚150nmのAl98Ta2よりなる
反射層を作製した。次にArを80ccm流して圧力を
3mTorrとして高周波スパッタリングにより膜厚3
0nmの(ZnS)80(SiO220よりなる第1誘電
体層を成膜した。続いてArを80ccm、圧力を3m
Torrとして膜厚25nmのGeSbTeよりなる記
録層を作製した。続いてArを80ccm流して圧力を
3mTorrとして、高周波スパッタリングにより膜厚
80nmの(ZnS)80(SiO220よりなる第2保
護層を成膜した(比較例5)。
Example 8, Comparative Example 5: Phase Change Recording Medium
Using the same substrate and film forming conditions as in Example 1, 80 ccm of Ar was flowed as a sputtering gas, and the pressure was 3.0 m.
A reflective layer made of Al 98 Ta 2 having a thickness of 150 nm was formed as Torr. Next, Ar was flowed at 80 ccm, the pressure was set to 3 mTorr, and the film thickness was 3 by high frequency sputtering.
A first dielectric layer made of (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 having a thickness of 0 nm was formed. Subsequently, Ar was set to 80 ccm and the pressure was set to 3 m.
A recording layer made of GeSbTe having a film thickness of 25 nm as Torr was formed. Subsequently, a second protective layer made of (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 having a film thickness of 80 nm was formed by high-frequency sputtering with Ar flowing at 80 ccm and a pressure of 3 mTorr (Comparative Example 5).

【0049】次に、反射層の成膜時に周波数13.56
MHz、振幅160V、自己バイアス70V、パワー2
00Wの交流バイアスを、基板が装着された直径300
mmのステンレス製基板ホルダーに加えて成膜した。そ
れ以外は比較例5と同様に成膜した。(実施例8)。以
上のように作製した相変化ディスクの無機薄膜の最表面
の平均荒さ(Ra)をAFMで測定したところ、実施例
8が0.63nmであり、比較例5が0.91nmであ
った。これら相変化ディスクを、波長680nm、NA
=0.55の光ヘッドを搭載した光ディスク評価機で線
速8m/sで回転させて、膜面入射により評価を行っ
た。消去パワー7mWで消去し、溝の形成されていない
鏡面部でノイズを測定した。次に、溝部で同様に消去を
行った後、記録パワー14mW、記録周波数4MHz
(マーク長1μmのマーク記録に相当する)、発光du
ty35%で記録を行い、再生パワー2.5mWで再生
した。鏡面部でのノイズは比較例5が−73.2dBm
であり、実施例8が−77.8dBmであった。CNR
は比較例5が51.2dBであり、実施例8が54.6
dBであった。
Next, at the time of forming the reflective layer, the frequency was 13.56.
MHz, amplitude 160V, self bias 70V, power 2
An AC bias of 00 W is applied to the substrate with a diameter of 300
The film was formed on a stainless steel substrate holder having a thickness of 2 mm. Otherwise, a film was formed in the same manner as in Comparative Example 5. (Example 8). When the average roughness (Ra) of the outermost surface of the inorganic thin film of the phase change disk manufactured as described above was measured by AFM, Example 8 was 0.63 nm and Comparative Example 5 was 0.91 nm. These phase-change disks were manufactured at a wavelength of 680 nm and an NA of
Rotation was performed at a linear velocity of 8 m / s by an optical disk evaluation machine equipped with an optical head of 0.55, and evaluation was performed by film surface incidence. Erasing was performed with an erasing power of 7 mW, and noise was measured at a mirror surface where no groove was formed. Next, after similarly erasing in the groove, the recording power was 14 mW, the recording frequency was 4 MHz.
(Corresponding to mark recording with a mark length of 1 μm), light emission du
Recording was performed at a ty of 35%, and reproduction was performed at a reproduction power of 2.5 mW. The noise at the mirror surface was −73.2 dBm in Comparative Example 5.
And Example 8 was −77.8 dBm. CNR
Is 51.2 dB for Comparative Example 5 and 54.6 dB for Example 8.
dB.

【0050】(実施例9〜11、比較例6:多層光磁気
記録媒体)実施例1と同様の基板及び成膜条件を用い、
スパッタリングガスとしてArを80ccm、O2を2
5ccm流し、圧力を3.5mTorrとして、500
WのTaターゲットの直流反応性スパッタリングにより
膜厚70nmの酸化Taよりなる第1誘電体層を作製し
た。次に、Arを80ccm圧力を3mTorr、パワ
ー800WとしてTbFeCo合金の直流スパッタリン
グにより膜厚60nmのTb22(Fe80Co20)78より
なる記録層を、TbFeCo合金の直流スパッタリング
により膜厚10nmのTb21(Fe92Co879よりな
る切断層を、GdとFeCoの直流スパッタリングによ
り膜厚25nmのGd35(Fe80Co2065よりなる再
生層をそれぞれ作製した。
(Examples 9 to 11, Comparative Example 6: Multilayer magneto-optical recording medium) Using the same substrate and film forming conditions as in Example 1,
80 ccm of Ar and 2 of O 2 as sputtering gas
5 ccm, 500 mTorr pressure and 500 mTorr
A first dielectric layer made of Ta oxide having a thickness of 70 nm was formed by direct current reactive sputtering of a W Ta target. Then, 3 mTorr to 80ccm pressure Ar, a recording layer composed of Tb 22 (Fe 80 Co 20) 78 with a thickness of 60nm by a DC sputtering TbFeCo alloy as a power 800 W, film thickness 10nm by a DC sputtering TbFeCo alloy Tb 21 A cut layer made of (Fe 92 Co 8 ) 79 and a readout layer made of Gd 35 (Fe 80 Co 20 ) 65 having a thickness of 25 nm were formed by direct current sputtering of Gd and FeCo.

【0051】続いてArを80ccm、N2を20cc
m流して圧力を3.2mTorrとして、500WのS
iターゲットの直流反応性スパッタリングにより膜厚7
0nmの窒化Siよりなる第2誘電体層を成膜した(比
較例6)。このようにして反転型の磁気超解像媒体を作
製した。次に、表−3に示すとおり、全部のあるいは各
々層の成膜時に周波数13.56MHz、振幅160
V、自己バイアス70V、パワー200Wの交流バイア
スを、基板が装着された直径300mmのステンレス製
基板ホルダーに加えて成膜した(実施例9〜11)。以
上のように作製した光磁気ディスクの無機薄膜の最表面
の平均荒さ(Ra)をAFMで測定した結果を表−3に
示す。これら光磁気ディスクを、同様の条件で評価し
た。結果を表−3に示す。全ての層で交流バイアスの効
果が認められたが、磁性層の最上層である再生層成膜時
に交流バイアスを加えることにより、最も大きくノイズ
が低下したことが分かる。
Subsequently, Ar was 80 ccm and N 2 was 20 cc.
m and the pressure to 3.2 mTorr, 500W S
Film thickness 7 by DC reactive sputtering of i target
A second dielectric layer made of 0 nm Si nitride was formed (Comparative Example 6). Thus, an inversion type magnetic super-resolution medium was manufactured. Next, as shown in Table 3, when all or each of the layers was formed, the frequency was 13.56 MHz and the amplitude was 160.
V, a self-bias of 70 V, and an AC bias of 200 W of power were applied to a stainless steel substrate holder having a diameter of 300 mm on which the substrate was mounted to form a film (Examples 9 to 11). Table 3 shows the results of AFM measurement of the average roughness (Ra) of the outermost surface of the inorganic thin film of the magneto-optical disk manufactured as described above. These magneto-optical disks were evaluated under the same conditions. The results are shown in Table-3. Although the effect of the AC bias was recognized in all the layers, it can be seen that the noise was reduced most greatly by applying the AC bias when forming the reproducing layer, which is the uppermost layer of the magnetic layer.

【0052】[0052]

【表3】 [Table 3]

【0053】(実施例12:プラズマ曝露)実施例6と
同様に反射層を成膜したのち、Arを80ccm流し、
圧力を3.0mTorrとして、基板に成膜時と同様の
交流電圧を加えて放電することで、反射層表面をプラズ
マに10分間さらした。このように作製した光磁気ディ
スクの無機薄膜の最表面の平均粗さ(Ra)をAFMで
測定した結果を表−2に示す。これら光磁気ディスク
を、同様の条件で評価した。結果を表−2に示す。実施
例6よりも更にRaが改善され、ノイズが低下し、溝部
CNRが高くなった。 (実施例13、比較例7:Ag反射層を設けた光磁気記
録媒体)反射層としてAgよりなる反射層を用いた以外
は比較例2と同様にして、光磁気ディスクを作製した
(比較例7)。次に反射層の成膜時に周波数13.56
MHz、振幅160V、自己バイアス70V、パワー2
00Wの交流バイアスを、基板が装着された直径300
mmのステンレス製基板ホルダーに加えて成膜した(実
施例13)。このように作製した光磁気ディスクの無機
薄膜の最表面の平均粗さ(Ra)をAFMで測定した結
果を表−2に示す。これら光磁気ディスクを、同様の条
件で評価した。結果を表−2に示す。実施例13は比較
例7よりもRaが改善され、ノイズが低下し、溝部CN
Rが高くなった。Ag反射層はもともと膜表面の荒れが
大きいので、本発明の製造法による改善効果が大きい。
(Example 12: Plasma exposure) After a reflective layer was formed in the same manner as in Example 6, Ar was flowed at 80 ccm.
The reflective layer surface was exposed to plasma for 10 minutes by applying an AC voltage to the substrate at a pressure of 3.0 mTorr and applying the same AC voltage as in the film formation and discharging the substrate. Table 2 shows the results of AFM measurement of the average roughness (Ra) of the outermost surface of the inorganic thin film of the magneto-optical disk manufactured as described above. These magneto-optical disks were evaluated under the same conditions. Table 2 shows the results. Ra was further improved than in Example 6, noise was reduced, and the groove CNR was increased. (Example 13, Comparative Example 7: Magneto-optical recording medium provided with Ag reflective layer) A magneto-optical disk was produced in the same manner as in Comparative Example 2 except that a reflective layer made of Ag was used as the reflective layer (Comparative Example). 7). Next, when forming the reflective layer, the frequency is 13.56.
MHz, amplitude 160V, self bias 70V, power 2
An AC bias of 00 W is applied to the substrate with a diameter of 300
(Example 13) Table 2 shows the results of AFM measurement of the average roughness (Ra) of the outermost surface of the inorganic thin film of the magneto-optical disk manufactured as described above. These magneto-optical disks were evaluated under the same conditions. Table 2 shows the results. In Example 13, Ra was improved compared with Comparative Example 7, noise was reduced, and the groove CN
R increased. Since the Ag reflection layer originally has a large surface roughness, the manufacturing method of the present invention has a large improvement effect.

【0054】[0054]

【発明の効果】本発明の製造方法を用いて作製した光記
録媒体は厚い無機薄膜の最表面が平坦化されるため、本
光記録媒体を記録再生装置で再生する際に、再生信号の
ノイズが著しく低減される。また、光反射効率も向上す
るため、特に光磁気記録媒体では信号レベル増加の効果
もある。
According to the optical recording medium manufactured by the method of the present invention, the outermost surface of the thick inorganic thin film is flattened. Is significantly reduced. Further, since the light reflection efficiency is also improved, there is also an effect of increasing the signal level especially in a magneto-optical recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 成膜時の交流バイアス有無によるノイズスペ
クトルの違いを示す図。
FIG. 1 is a diagram showing a difference in noise spectrum depending on the presence or absence of an AC bias during film formation.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4K029 AA11 AA24 BA03 BA04 BA05 BA08 BA13 BA26 BA41 BB02 BD00 BD12 CA05 CA13 5D075 CC11 EE03 FF04 GG03 GG16 5D121 AA01 AA04 AA05 EE03 EE16 EE19  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4K029 AA11 AA24 BA03 BA04 BA05 BA08 BA13 BA26 BA41 BB02 BD00 BD12 CA05 CA13 5D075 CC11 EE03 FF04 GG03 GG16 5D121 AA01 AA04 AA05 EE03 EE16 EE19

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に少なくとも無機薄膜を有してな
り、該基板とは反対の方向から無機薄膜に光を入射して
記録又は再生を行うための光記録媒体の製造方法であっ
て、該無機薄膜が該基板に交流バイアスを加えた状態で
のスパッタリングにより作製されることを特徴とする光
記録媒体の製造方法。
1. A method for producing an optical recording medium, comprising: at least an inorganic thin film on a substrate; and recording or reproducing by recording light by irradiating the inorganic thin film with light from a direction opposite to the substrate. A method for producing an optical recording medium, wherein the inorganic thin film is produced by sputtering with an AC bias applied to the substrate.
【請求項2】 上記無機薄膜が金属又は合金よりなる反
射層を含み、該反射層が基板に交流バイアスを加えた状
態でのスパッタリングにより作製される請求項1に記載
の光記録媒体の製造方法。
2. The method for manufacturing an optical recording medium according to claim 1, wherein the inorganic thin film includes a reflective layer made of a metal or an alloy, and the reflective layer is formed by sputtering with an AC bias applied to the substrate. .
【請求項3】 上記無機薄膜が光を用いて記録される記
録層を含み、該記録層が基板に交流バイアスを加えた状
態でのスパッタリングにより作製される請求項1又は2
に記載の光記録媒体の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the inorganic thin film includes a recording layer on which recording is performed using light, and the recording layer is formed by sputtering with an AC bias applied to the substrate.
3. The method for producing an optical recording medium according to claim 1.
【請求項4】 上記記録層が光磁気効果を用いて再生さ
れる磁性層であり、該磁性層が基板に交流バイアスを加
えた状態でのスパッタリングにより作製される請求項3
に記載の光記録媒体の製造方法。
4. The magnetic recording medium according to claim 3, wherein the recording layer is a magnetic layer reproduced by using a magneto-optical effect, and the magnetic layer is formed by sputtering with an AC bias applied to the substrate.
3. The method for producing an optical recording medium according to claim 1.
【請求項5】 上記記録層が多層膜からなる磁性層を含
み、該磁性層のうち最も基板から離れた膜が基板に交流
バイアスを加えた状態でのスパッタリングにより作製さ
れる請求項3又は4に記載の光記録媒体の製造方法。
5. The recording layer includes a magnetic layer comprising a multilayer film, and a film of the magnetic layer farthest from the substrate is formed by sputtering with an AC bias applied to the substrate. 3. The method for producing an optical recording medium according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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