JPH09114530A - 定電流装置 - Google Patents

定電流装置

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JPH09114530A
JPH09114530A JP29056995A JP29056995A JPH09114530A JP H09114530 A JPH09114530 A JP H09114530A JP 29056995 A JP29056995 A JP 29056995A JP 29056995 A JP29056995 A JP 29056995A JP H09114530 A JPH09114530 A JP H09114530A
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JP
Japan
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fet
current
gate
voltage
gate voltage
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Application number
JP29056995A
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English (en)
Inventor
Makoto Fujiwara
誠 藤原
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 オペアンプを使用することなく、数mA程度
の電流を高精度で設定できる定電流装置を提供する。 【解決手段】 パソコン21から当該設定電流に対応す
るゲート電圧がD/A変換ボード22を介して、FET
回路23に供給される。FET回路23には、該D/A
変換ボード22から供給される電圧がゲートに印加され
る接合型FETが格納されており、そのゲート電圧に対
応するドレイン電流が端子231と232間に流れる。
したがって、被測定機器26の端子261からデジタル
マルチメータ27、FET回路23の端子231、前記
FET、端子232を介して端子262に前記一定のド
レイン電流が流される。デジタルマルチメータ27によ
り測定された電流値はGP−IBインタフェース24を
介してパソコン21に読み込まれ、設定電流値になるよ
うに前記ゲート電圧が再計算されることにより、高精度
の電流制御が行われる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、所望の回路に接続
されて該回路に一定の電流を流す定電流装置に関し、特
に、数mA程度の一定電流を流す場合に適用して好適な
ものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、定電流回路は種々の用途あるい
は分野において用いられている。例えば、カラーテレビ
などの電子製品の生産ラインにおける製品の検査を行う
ときなどにおいても、被検査製品の端子間に定電流回路
を用いて数mA程度の一定電流を流し、そのときの特性
などを測定することにより不良の有無を検査することが
行われている。
【0003】一般に、数ミリアンペア程度の電流の定電
流制御を行う場合には、演算増幅器(以下、「オペアン
プ」という)を用いたディスクリート回路が使用されて
いる。このような定電流回路の一例を図4に示す。図4
において、101は電流値設定用の可変抵抗器(V
R)、102は差動入力型のオペアンプ、103は該オ
ペアンプとFETのゲート間に接続された抵抗、104
はFET、105はFET104のソースに接続された
抵抗、106はFET104のドレインに接続された端
子、107は接地に接続された端子であり、この端子1
06および107は図示しない電流計を介して被測定機
器に接続されるものである。そして、オペアンプ102
のプラス(非反転)入力端子には可変抵抗器101の可
動端子が接続されており、該可変抵抗器VRの両端には
+Vボルトの電圧が印加されている。また、オペアンプ
102のマイナス(反転)入力端子には、FET104
のソースが接続されている。
【0004】このように構成された定電流回路におい
て、図示しない非測定機器の所定の端子間に予め定めた
一定の電流を流すときは、端子106と図示しない非測
定回路との間に接続された電流計に予め定めた電流が流
れるように、可変抵抗器101を調整する。可変抵抗器
101の可動端子の電圧と抵抗105に発生するFET
104のドレイン電流に対応する電圧とがオペアンプ1
02において比較され、該誤差に応じた電圧がオペアン
プ102からFET104のゲートに印加される。この
ゲート電圧に応じてFET104のドレイン電流が制御
されて、FET104に流れる電流が可変抵抗器101
により設定された所定の一定電流となるように制御され
るものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記したような従来の
定電流回路は一定電流を流すことができるものである
が、オペアンプを使用しているために少なくとも正負2
つの電源電圧を準備することが必要となる。また、電流
値を設定するための手動による調整箇所(可変抵抗器1
01)が存在するため、迅速に所定の電流値に設定する
ためにはある程度の熟練を要することとなる。また、異
なる複数の電流値を設定することが必要な場合には、そ
の必要な個数分の定電流回路を用意することが必要とな
り、該2つ以上の設定値の切り換えを行うためにリレー
接点およびリレー制御回路が必要となる。さらにまた、
個々の回路において手動による調整作業を行うことが必
要となる。さらにまた、0.1%(1μA単位)程度の
制御精度を得ようとした場合、定電流回路を構成する部
品や素子の温度特性および電源電圧の変動による影響が
大きいために、1日に数回の校正作業が必要となる。こ
の設定値の校正は非常に狭い範囲での微妙な調整作業と
なり、生産現場などにおいて使用する場合には好ましく
ない。
【0006】そこで、本発明は、オペアンプを使用する
ことなく、数ミリアンペア程度の電流値を0.1%の高
精度で制御して1μA単位の設定が可能な定電流装置を
提供することを目的としている。また、電流値の設定が
容易な定電流装置を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の定電流装置は、パーソナルコンピュータな
どの汎用コンピュータと、前記汎用コンピュータから入
力されるデジタルデータをD/A変換して対応するアナ
ログ電圧を出力するD/A変換ボードと、該D/A変換
ボードから出力されるアナログ電圧がそのゲートに印加
されるFETと、該FETのドレイン電流を測定する電
流測定手段と、該電流測定手段からの測定値データを前
記汎用コンピュータに読み込むためのGP−IBインタ
ーフェース手段とを有し、前記汎用コンピュータは、前
記GP−IBインターフェース手段を介して入力される
前記電流測定手段からの測定値データに基づいて、前記
FETに印加するゲート電圧を制御することにより、前
記FETのドレイン電流を制御するように動作する定電
流装置である。
【0008】パソコンによるD/A変換を用いているの
で、設定値をキーボードなどの入力手段からデータとし
て入力でき、容易に設定を行うことができる。また、F
ETのドレイン電流を高精度に制御することができる。
さらに、電流測定手段からの測定値を読み込んで、フィ
ードバック制御を行っているので、高精度のフィードバ
ック制御を行うことが可能となる。
【0009】
【発明の実施の形態】一般に、接合型(デプレッション
形)のFETはゲート・ソース間が逆バイアスの状態で
使用されるものであるが、ゲート・ソース間を順方向に
バイアスすると、ゲート電流が流れ始め、等価的にトラ
ンジスタと同じ動作をして、ドレインにIDSS (ゼロバ
イアス・ドレイン電流)よりも大きな電流が流れるよう
になる。このゲート電圧−ドレイン電流特性は図2に示
すような特性となり、図中においてリニアリティ部分と
して示したゲート電圧範囲においてはドレイン電流は直
線的に変化している。例えば、この図に示すFETにお
いては、4.0[V]〜7.0[V]のゲート電圧範囲
において、ドレイン電流がリニアに変化している。した
がって、このFETのゲート電圧−ドレイン電流特性を
利用し、流すべき電流値に対応したゲート電圧を印加す
るように構成することにより、オペアンプを使用するこ
となく定電流回路を構成することが可能となる。
【0010】なお、前記図2に示したゲート電圧−ドレ
イン電流特性におけるリニアリティ部分の傾きKFET =
Δ(ドレイン電流)/Δ(ゲート電圧)は、FETによ
り異なっており、例えば、2SK523の場合にはKFE
T =0.207(μA/mV)、2SK30Aの場合に
は、KFET =0.193(μA/mV)である。ただ
し、この係数は、図2に示すように、直線性の良い領域
における係数であるために、例えばゲート電圧が1
[V]以下の場合にはこの関係は成り立たなくなる。
【0011】図1は、このようなFETのゲート電圧−
ドレイン電流特性を利用した定電流回路の原理図であ
る。この図において、11はこの定電流回路に流す電流
値に対応して印加するゲート電圧を設定するための可変
電圧源、12は例えば2SK523などの接合型のFE
Tであり、このFET12のゲートには前記可変電圧源
11の電圧Vinが印加される。13はFET12のゲー
トと接地間に接続された抵抗、14はFET12のソー
スと接地間に接続された抵抗、15と16は図示しない
非測定機器および電流計に接続される端子である。
【0012】このように構成されたFET回路におい
て、FET12のドレインには、前記図2に示すゲート
電圧−ドレイン電流特性にしたがって、前記可変電圧源
11から印加されるゲート電圧Vinに対応する一定のド
レイン電流が流れる。したがって、端子15および16
間に、該ドレイン電流に等しい一定の電流を流すことが
できる。また、前記可変電圧源11の出力電圧Vinを調
整することにより、該電流値を変更することができる。
【0013】しかしながら、同じ型番のFETであって
も、個々の素子により特性に若干のばらつきがあるため
に、このばらつきをなくすことが必要である。そのため
に、まず、FET12のゲートに基準となる電圧Vref
を印加して、そのときのドレイン電流Iref を測定す
る。そして、該ドレイン電流Iref と流すべき電流Iと
の差を前記係数KFET で割った値を前記基準となる電圧
Vref に加えることにより、目的とする電流Iに対応す
るゲート電圧Vを求め、該ゲート電圧VをFET12の
ゲートに印加することにより、目的の電流値を得ること
ができる。すなわち、 V=(I−Iref )/KFET +Vref (1) により、目的の電流値Iに対応するゲート電圧Vを決定
する。これにより、個々の素子による特性のばらつきを
なくすことができる。
【0014】例えば、FET12として2SK523を
使用して、I=1.345(mA)を設定するときを例
にとって説明する。この場合に、Vref =4.0[V]
のときにIref =0.920[mA]であったとする
と、1.345[mA]のドレイン電流を流すためのゲ
ート電圧は、(1)式より、 V=(I−Iref )/KFET +Vref =(1.345−0.920)/207×10−6+4.0 =6.053[V] となる。したがって、1.345[mA]のドレイン電
流を流すためには、FET12のゲートに6.053
[V]の電圧を印加すればよいこととなる。
【0015】なお、上記においてはデプレッションタイ
プである接合型FETを使用する場合について説明した
が、これに限られることはなく、デプレッション+エン
ハンスメントタイプあるいはエンハンスメントタイプの
FETにおいても、リニアなゲート電圧−ドレイン電流
特性を有するものであれば、全く同様に使用することが
できる。
【0016】さて、以上により、設定したとおりの一定
電流を流すことができるはずであるが、実際には、温度
特性などの影響により、上述したようなゲート電圧を印
加しても設計値どおりのドレイン電流値とはならず、多
少の誤差を含むものとなってしまう。したがって、何ら
かのフィードバック処理を行うことが必要となる。この
状態での誤差は接続される機器固有のバラツキを含んで
いるために、フィードバック処理を行うことで、より正
確な電流値を得ることが可能となる。
【0017】そこで、本発明の定電流装置においては、
前記FETのゲート電圧をパーソナルコンピュータなど
の汎用コンピュータ(以下、単に「パソコン」と呼ぶ)
に内蔵されている汎用A/D変換ボードを使用して供給
するとともに、該パソコンを用いてフィードバック処理
を行うようにしたものである。これにより、A/D変換
ボードに出力されるデジタルデータのビット数に対応す
る精度でアナログ電圧の設定をすることが可能となる。
【0018】図3に本発明の定電流装置のブロック図を
示す。この図において、21はパソコン、22は、例え
ば入力される12ビットのデジタル信号をD/A変換し
て対応するアナログ電圧を出力するD/A変換ボード、
23は図1に示したものと同一のFET回路、24はG
P−IB(General Purpose Interface Bus )インター
フェース回路、25は前記パソコン21、D/A変換ボ
ード22およびGP−IBインターフェース回路24と
の間のデータ転送を行うためのI/Oバスである。ま
た、26は被測定機器、261および262は被測定機
器26のプラスおよびマイナス出力端子であり、この出
力端子261から262に流れる電流が所定の一定電流
値に制御されるものである。さらに、27は電流を測定
するためのデジタルマルチメータ(DMM)、271お
よび272は該デジタルマルチメータ27のプラスおよ
びマイナス端子である。なお、通常の測定機器はGP−
IB端子を有しており、このDMM27もGP−IB端
子が備えられているものである。
【0019】また、被測定機器26のプラス端子261
は、DMM27のプラス端子271に接続され、該DM
M27のマイナス端子272はFET回路23のプラス
端子231に接続され、該FET回路23のマイナス端
子232は前記被測定機器26のマイナス端子262に
接続されている。したがって、被測定機器26のプラス
端子261からマイナス端子262にFET回路23の
前記FETのドレイン電流と同じ電流が流され、また、
その電流値がDMM27により測定されるようになされ
ている。
【0020】このように構成された定電流装置の動作に
ついて説明する。動作が開始されると、まず、パソコン
21に、図示しないキーボードなどの入力手段から入力
された設定電流値が読み込まれる。そして、該パソコン
21において、入力された設定電流値に基づき、前述し
た場合と同様に前記(1)式を用いてFET回路23の
FETに印加すべきゲート電圧が算出され、該算出され
たゲート電圧値データがバス25を介してD/A変換ボ
ード22に出力される。D/A変換ボード22におい
て、パソコン21から出力されたゲート電圧値データが
対応するアナログ電圧に変換され、FET回路23に出
力される。FET回路23において、該D/A変換ボー
ド22から入力されたアナログ電圧がFET12(図
1)のゲートに印加され、FET12には該ゲート電圧
に対応するドレイン電流が流れることとなる。また、こ
の電流はDMM27により測定される。
【0021】パソコン21は、GP−IBインターフェ
ース回路24を介して前記DMM27の測定結果データ
を読み込む。そして、該測定結果と設定されている電流
値とを比較し、誤差があるときは、そのときの出力デー
タを新たなリファレンス電圧とし、測定結果を新たなリ
ファレンス電流として、再度(1)式により印加すべき
ゲート電圧の演算を行い、その結果をD/A変換ボード
22に出力する。このようにして、誤差のない、高精度
の定電流制御を行うことができる。なお、使用するFE
T固有の係数KFET および各定数の設定は、動作実験に
より求められるが、FETのIDSS のランクが同じ場合
には定数を変えることなく使用することができる。
【0022】
【発明の効果】本発明の定電流回路によれば、オペアン
プを使用していないので、外部電源が不要となる。ま
た、キーボードなどからデータを入力することにより電
流値の設定を行うことができるので、従来のような微妙
な設定操作が不要となり、だれでも容易かつ迅速に電流
値の設定を行うことができる。さらに、システム構成が
パーソナルコンピュータなどの汎用コンピュータとデジ
タルマルチメータという構成となり、汎用の部品または
装置によりシステムを構築でき、非常にシンプルな構成
とすることができ、特殊な部品(ICなど)を使用する
ことなく、FETにより、安価で高精度な定電流回路を
構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に使用されるFETを用いた定電流回路
の原理図である。
【図2】FETのゲート電圧−ドレイン電流特性を示す
図である。
【図3】本発明の定電流装置の構成を示すブロック図で
ある。
【図4】従来の定電流回路の一例を示す図である。
【符号の説明】
11 可変電圧源 12、104 FET 13、14、103、105 抵抗器 15、16、106、107 端子 21 パーソナルコンピュータ 22 D/A変換ボード 23 FET回路 24 GP−IBインタフェース回路 25 I/Oバス 26 被測定機器 27 デジタルマルチメータ 101 可変抵抗器 102 オペアンプ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パーソナルコンピュータなどの汎用コン
    ピュータと、 前記汎用コンピュータから入力されるデジタルデータを
    D/A変換して対応するアナログ電圧を出力するD/A
    変換ボードと、 該D/A変換ボードから出力されるアナログ電圧がその
    ゲートに印加されるFETと、 該FETのドレイン電流を測定する電流測定手段と、 該電流測定手段からの測定値データを前記汎用コンピュ
    ータに読み込むためのGP−IBインターフェース手段
    とを有し、 前記汎用コンピュータは、前記GP−IBインターフェ
    ース手段を介して入力される前記電流測定手段からの測
    定値データに基づいて、前記FETに印加するゲート電
    圧を制御することにより、前記FETのドレイン電流を
    制御するように動作することを特徴とする定電流装置。
  2. 【請求項2】 前記FETは接合型FETであって、そ
    のゲート・ソース間が順方向バイアス状態で動作される
    ことを特徴とする前記請求項1記載の定電流装置。
JP29056995A 1995-10-13 1995-10-13 定電流装置 Pending JPH09114530A (ja)

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JP29056995A JPH09114530A (ja) 1995-10-13 1995-10-13 定電流装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11585860B2 (en) 2020-05-13 2023-02-21 Nuvoton Technology Corporation Japan Semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11585860B2 (en) 2020-05-13 2023-02-21 Nuvoton Technology Corporation Japan Semiconductor device

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Effective date: 20030708