JPH09110730A - 有機低分子量化合物誘導体の合成方法および有機低分子量化合物の分析方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 高周波電磁誘導加熱装置内に、反応性官
能基を有する分子量１０００以下の有機低分子量化合物
（Ａ）、例えばサリチル酸と、その修飾剤（Ｂ）、例え
ばシリル化剤とが封入され、かつ高周波電磁誘導加熱に
より該化合物（Ａ）の分解温度未満の温度まで発熱する
電磁誘導発熱性金属体、例えば２２０℃のキューリー温
度を有する強磁性金属体で覆われた試料セルを配し、高
周波電磁誘導加熱して反応させる有機低分子量化合物誘
導体の合成方法、および合成された有機低分子量化合物
誘導体をＧＣ、ＧＣ−ＭＳ等、各種の分析の試料として
用いる有機低分子量化合物の分析方法。 【効果】 有機低分子量化合物（Ａ）と修飾剤（Ｂ）と
が極めて短時間で反応する。しかも、容易に再現性良く
加熱でき、得られた有機低分子量化合物誘導体は各種の
分析に使用でき、容易に精度の高い分析ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反応性官能基を有
する有機低分子量化合物中の反応性官能基を修飾剤と反
応させて修飾する有機低分子量化合物誘導体の合成方
法、およびこの方法で得られた有機低分子量化合物誘導
体を分析試料として用いる有機低分子量化合物の分析方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、分子量１０００以下程度の有機低
分子量化合物の中で水酸基、アミノ基、カルボキシル基
等の反応性官能基を有するもの、例えばペンタエリスリ
トール、Ｄ−グルタミン酸、キヌレニン等は、難揮発性
であったり、また熱による分解が生じやすいなどの欠点
があるため、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）やガスク
ロマトグラフィー−マススペクトロメーター（ＧＣ−Ｍ
Ｓ）等の分析に際しては、該有機低分子量化合物とシリ
ル化剤、アルキル化剤等の修飾剤とを、加熱源としてオ
イルバス、アルミブロックーヒーター、ウォーターバス
等を使用し、通常５０〜３００℃の温度に加熱して反応
させ、該有機低分子量化合物中の反応性官能基を修飾し
て揮発性、熱安定性の高い有機低分子量化合物誘導体と
してから分析に供している。

【０００３】また、特開平６−８９６９４号公報には、
高級脂肪酸などのように沸点が高く、その一方で分解温
度が低い試料とメチル化剤とを、キューリー温度５００
℃又は３５８℃の強磁性金属体で挟んだり、包んだりす
る等の方法で強磁性金属体に接触させておき、この強磁
性金属体をキューリー温度まで高周波誘導加熱して試料
のメチル化とガス化を同時に急速に進行させ、ガス化し
た試料をイオン化してマススペクトロメーターに導入し
て分析する気化分析方法が開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、反応性官能基
を有する有機低分子量化合物中の反応性官能基を修飾剤
と反応させるための加熱源としてオイルバス、アルミブ
ロックーヒーター、ウォーターバス等を使用する方法で
は、温度を上げるのにかなりの時間を費やす、合成
終了後の後片付けでは室温まで加熱源を冷やすのに時間
がかかる、オイルバスを使用する際には試料を汚染す
る可能性がある等の欠点があり、反応性官能基を修飾し
て揮発性、熱安定性の高い有機低分子量化合物誘導体を
合成するのに数十分〜数十時間を要するものが多く、そ
の結果として分析に時間がかかるという課題があった。

【０００５】例えば、Ｊ．Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｙ．，
ｖｏｌ ５７，ｐ２１９−２３８（１９７１）では、Ｄ
−グルタミン酸をシリル化するのに、シリル化剤として
Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）トリフルオロアセト
アミド（ＢＳＴＦＡ）を、溶剤としてアセトニトリルを
用いて、オイルバス中、１５０℃で２．５時間を費やし
ており、また、河合聰著，ガスクロマトグラフィ入門
−薬学・医学・農薬への応用−，三共出版株式会社，１
９９１年では、２，６−ジタシャリーブチル−フェノー
ルをシリル化するのに、シリル化剤としてＮ，Ｏ−ビス
（トリメチルシリル）アセトアミド（ＢＳＡ）を、溶剤
としてアセトニトリルを用いて、９０℃で１５時間を費
やしている。

【０００６】また、特開平６−８９６９４号公報で開示
された気化分析方法では、高周波誘導加熱装置を直結さ
せたマススペクトロメーターを用い、試料を５００℃又
は３５８℃という高温に高周波誘導加熱してメチル化さ
せると同時にガス化させて分析するため、分析には専
用の装置が必要で、高周波誘導加熱装置が直結されてい
ない既存のマススペクトロメーターでは分析できない、
メチル化させた試料を回収することが困難で、同一の
メチル化された試料を他の分析、例えば元素分析、赤外
分光分析、ガスクロマトグラフィー等に転用できず、２
種以上の分析を組み合わせた総合的な試料分析ができな
い、という課題があった。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決する方法について鋭意検討した結果、反応性官能基
を有する有機低分子量化合物と該反応性官能基の修飾剤
とを試料セルに封入し、これを高周波電磁誘導加熱によ
り該有機低分子量化合物（Ａ）の分解温度未満の温度ま
で発熱する電磁誘導発熱性金属体、例えば有機低分子量
化合物（Ａ）の分解温度未満のキューリー温度を有する
強磁性金属体で覆い、この電磁誘導発熱性金属体を高周
波電磁誘導加熱すると、短時間で容易に加熱されて該有
機低分子量化合物中の反応性官能基と修飾剤とが反応
し、該反応性官能基の修飾された有機低分子量化合物誘
導体が極めて短時間で合成できること、しかも加熱方法
が電磁誘導発熱性金属体を用いた高周波電磁誘導加熱で
あるため容易に再現性良く加熱できること、得られた有
機低分子量化合物誘導体はマススペクトロメーターによ
る分析のみならず、元素分析、赤外分光分析、ガスクロ
マトグラフィー等各種の分析にも好ましく使用でき、容
易に精度の高い分析ができること、更に反応性官能基を
有する有機低分子量化合物と該反応性官能基の修飾剤と
共に有機溶剤を試料セルに封入すると、試料全体が均一
に反応し、容易に有機低分子量化合物誘導体を合成でき
ること、電磁誘導発熱性金属体として５０〜３００℃と
いう比較的低いキューリー温度を有する金属体を用いる
と、高周波電磁誘導加熱時の試料の分解と試料セルの破
損を防止できること、を見い出し、本発明を完成するに
至った。

【０００８】即ち、本発明は、高周波電磁誘導加熱装置
内に、反応性官能基を有する分子量１０００以下の有機
低分子量化合物（Ａ）と該反応性官能基の修飾剤（Ｂ）
とが封入され、かつ高周波電磁誘導加熱により該有機低
分子量化合物（Ａ）の分解温度未満の温度まで発熱する
電磁誘導発熱性金属体で覆われた試料セルを配し、該電
磁誘導発熱性金属体を高周波電磁誘導加熱して該有機低
分子量化合物（Ａ）中の反応性官能基を修飾剤（Ｂ）と
反応させて修飾することを特徴とする有機低分子量化合
物誘導体の合成方法、この合成方法で得られた有機低分
子量化合物誘導体を、分析試料として用いることを特徴
とする有機低分子量化合物の分析方法、この合成方法で
得られた有機低分子量化合物誘導体を、ガスクロマトグ
ラフィー（ＧＣ）に注入し、クロマトグラムを得ること
を特徴とする有機低分子量化合物の分析方法、およびこ
の合成方法で得られた有機低分子量化合物誘導体を、ガ
スクロマトグラフィー−マススペクトロメーター（ＧＣ
−ＭＳ）に注入し、マススペクトログラムを得ることを
特徴とする有機低分子量化合物の分析方法を提供するも
のである。

【０００９】本発明で用いる有機低分子量化合物（Ａ）
としては、水酸基、アミノ基、アミド基、イミノ基、カ
ルボキシル基、チオール基等の反応性官能基を有する分
子量１０００以下の化合物であればよく、例えばそれぞ
れ分子量１０００以下の、アルコール類、フェノール
類、カルボン酸類、チオール類、アミン類、アミノ酸類
等が挙げられる。なかでも、修飾剤（Ｂ）と反応して、
揮発性、熱安定性が高く、溶剤に溶解可能な有機低分子
量化合物誘導体となるものが、ＧＣ、ＧＣ−ＭＳ等の分
析が容易であり、好ましい。

【００１０】上記有機低分子量化合物（Ａ）の具体例と
しては、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトー
ル、トリクロロフェノール、２，６−ジタシャリーブチ
ル−４−メチル−フェノール、ナフトール、コルトー
ル、ジヒドロコデイン、エフェドリン、馬尿酸メチルエ
ステル、エクジステロン（ecdysterone ）、ジヒドロサ
リンゴステロール（dihydrosaringosterol）等の水酸基
を有する有機低分子量化合物、テレフタル酸等のカルボ
キシル基を有する有機低分子量化合物、サリチル酸、ｐ
−ヒドロキシ安息香酸、バニリン酸、マンデル酸、ヒド
ロキシフェニル酢酸等の水酸基とカルボキシル基とを有
する有機低分子量化合物、チオサリチル酸等のチオール
基とカルボキシル基とを有する有機低分子量化合物、ス
ルファニルアミド、アセトアニリド、フタルイミド、サ
ッカリン等のアミノ基、アミド基又はイミノ基を有する
有機低分子量化合物、グルタミン酸、キヌレニン、グリ
シン、メチオニン、トリプトファン、フェニルアラニン
等のアミノ基とカルボキシル基とを有する有機低分子量
化合物などが挙げられる。

【００１１】これら有機低分子量化合物（Ａ）のなかで
も、ペンタエリスリトールのように複数の水酸基を有す
るもの、グルタミン酸のようにアミノ基と複数のカルボ
キシル基とを有するもの、キヌレニンのようにカルボキ
シル基と複数のアミノ基とを有するものなどは、熱に弱
く難揮発性であり、その中でも特にグルタミン酸は難揮
発性で易熱分解性であるため、本発明の分析方法による
分析が特に効果的である。即ち、これらの化合物は難揮
発性、易熱分解性が高いため、直接ＧＣやＧＣ−ＭＳに
注入しても正常なクロマトグラムやマススペクトルグラ
ムを得ることは難しく、その構造解析は困難であり、こ
れに対して本発明の分析方法によれば、容易に短時間で
熱安定性、揮発性の高い有機低分子量化合物誘導体とす
ることができ、その後、直接ＧＣやＧＣ−ＭＳに注入す
ることにより正常なクロマトグラムやマススペクトログ
ラムが得られ、化合物の解析が容易に行える。

【００１２】本発明で用いる修飾剤（Ｂ）としては、数
分以内で上記有機低分子量化合物（Ａ）中の反応性官能
基と反応して該反応性官能基を修飾して有機低分子量化
合物誘導体を合成できるものであればよく、例えばシリ
ル化剤、アルキル化剤、アシル化剤等が挙げられ、通常
シリル化剤やアルキル化剤を用いるが、水酸基、アミノ
基、カルボキシル基、チオール基等の修飾が容易な点で
シリル化剤が好ましい。

【００１３】上記シリル化剤としては、例えばＮ，Ｏ−
ビス（トリメチルシリル）アセトアミド（ＢＳＡ）、
Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）トリフルオロアセト
アミド（ＢＳＴＦＡ）、Ｎ−トリメチルシリルアセトア
ミド（ＴＭＳＡ）、Ｎ−メチル−Ｎ−トリメチルシリル
アセトアミド（ＭＴＭＳＡ）、Ｎ−メチル−Ｎ−トリメ
チルシリルトリフルオロアセトアミド（ＭＳＴＦＡ）、
Ｎ−メチル−Ｎ−（ターシャリーブチルジメチルシリ
ル）−トリフルオロアセトアミド（ＭＴＢＳＴＦＡ）、
Ｎ−トリメチルシリルイミダゾール（ＴＭＳＩ）、Ｎ−
（トリメチルシリル）ジメチルアミン（ＴＭＳ−ＤＭ
Ａ）、Ｎ−（トリメチルシリル）ジエチルアミン（ＴＭ
Ｓ−ＤＥＡ）、テトラメチルジシラザン（ＴＭＤＳ）、
ジメチルジクロロシラン（ＤＭＣＳ）、トリメチルクロ
ロシラン（ＴＭＣＳ）、ターシャリーブチルジメチルク
ロロシラン（ｔｅｒｔ−ＢＤＭＣＳ）、ヘキサメチレン
ジシラザン（ＨＭＤＳ）とトリメチルクロロシランの混
合ピリジン溶液（ＨＴ）等が挙げられる。

【００１４】また、アルキル化剤としては、例えばＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール（ＤＭＦ
−ＤＭＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジエチルア
セタール（ＤＭＦ−ＤＥＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミドジ−ｎ−プロピルアセタール（ＤＭＦ−ＤＮＰ
Ａ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジ−ｎ−ブチルア
セタール（ＤＭＦ−ＤＮＢＡ）、水酸化テトラメチルア
ンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化トリメチルアニリン
（ＴＭＡｎＨ）、ヘキサフルオロイソプロパノール（Ｈ
ＦＩＰ）、塩酸−メタノール混合液、塩酸−ｎ−ブタノ
ール混合液、三弗化硼素−メタノール混合液、三弗化硼
素−ｎ−プロパノール混合液、三弗化硼素−ｉｓｏ−プ
ロパノール混合液、三弗化硼素−ｎ−ブタノール混合液
等が挙げられる。

【００１５】更に、アシル化剤としては、例えばＮ−メ
チルビストリフルオロアセトアミド（ＭＢＴＦＡ）、ビ
ストリフルオロアセトアミド（ＢＴＦＡ）、ヘプタフル
オロブチリルイミダゾール（ＨＦＢＩ）、ヘプタフルオ
ロ無水プロピオン酸（ＰＦＰＡ）、ヘプタフルオロ無水
酪酸（ＰＦＢＡ）、無水トリフルオロ酢酸（ＴＦＡ
Ａ）、無水酢酸」のピリジン溶液（ＡＡ−Ｐｙ）等が挙
げられる。

【００１６】本発明で用いる有機低分子量化合物（Ａ）
と修飾剤（Ｂ）の組み合わせとしては、副生成物が生成
されず、１〜１５分程度の短時間で有機低分子量化合物
誘導体が得られる組み合わせを適宜選択して用いること
が好ましい。例えば、水酸基、アミノ基、カルボキシル
基、チオール基等を有する有機低分子量化合物には、通
常シリル化剤やアルキル化剤などを組み合わせるが、な
かでも短時間で容易に上記有機低分子量化合物を修飾で
きる点でシリル化剤と組み合わせることが好ましい。

【００１７】本発明で用いる電磁誘導発熱性金属体とし
ては、高周波の照射を受けて有機低分子量化合物（Ａ）
の分解温度未満の温度まで高周波電磁誘導発熱し、しか
も試料セルを覆うことのできる金属体であればよいが、
通常は昇温が早く、短時間で安定的に反応を終了させる
ことができる点で、有機低分子量化合物（Ａ）の分解温
度未満で、かつ有機低分子量化合物（Ａ）中の反応性官
能基と修飾剤（Ｂ）とが反応可能なキューリー温度を有
する強磁性金属体からなる厚さ０．０１〜０．５ｍｍ程
度の金属箔（ホイル）や金属板を適宜選択して用いる。

【００１８】上記強磁性金属体としては、強磁性金属を
含有してなり、高周波電磁誘導加熱によりキューリー温
度（磁性転移点）まで急速に発熱し、その後は高周波電
磁誘導加熱を続けることによりキューリー温度を保持す
る金属体が挙げられ、例えばニッケル、鉄、コバルト等
の強磁性金属の１種もしくは２種以上からなる金属体、
又はこれらと銅、クロム、亜鉛、マンガン、アルミニウ
ム等のその他の金属との合金からなる金属体があり、そ
の具体例としては日本分析工業株式会社製のパイロホイ
ル（キューリー温度１６０〜１０４０℃）等が挙げられ
る。これら強磁性金属体のキューリー温度は、金属の種
類や配合組成により大きく異なり、例えばニッケルと銅
の合金のキューリー温度は１５０〜２００℃程度である
が、ニッケルのキューリー温度は３５８℃、ニッケルと
鉄の合金のキューリー温度は５００〜６５０℃程度、鉄
のキューリー温度は７７０℃と高温である。本発明で
は、高周波電磁誘導加熱時の高温加熱による試料の分解
と試料の蒸気圧上昇による試料セルの破損を防止するた
め、これら強磁性金属体の中からキューリー温度が５０
〜３００℃、なかでもキューリー温度が１００〜３００
℃の強磁性金属体、例えば日本分析工業株式会社製のパ
イロホイルＦ１６０、Ｆ１７０、Ｆ２２０、Ｆ２３５、
Ｆ２５５等を適宜選択して用いることが好ましい。

【００１９】本発明で用いる試料セルとしては、有機低
分子量化合物（Ａ）と修飾剤（Ｂ）とを封入することが
可能で、これらの反応において安定なものが挙げられ、
通常はガラス製のものを用いる。その形状、大きさは高
周波電磁誘導加熱装置の大きさや能力、有機低分子量化
合物（Ａ）と修飾剤（Ｂ）の使用量等により異なり、限
定されないが、ＧＣやＧＣ−ＭＳ等の分析に用いる場
合、通常外径１．５〜５ｍｍ、長さ２０〜１５０ｍｍ程
度のガラス管を封管したものが好ましい。その容量は、
通常３０〜１５００μｌ、好ましくは５０〜４００μｌ
である。

【００２０】以下に本発明の有機低分子量化合物誘導体
の合成方法の一例を示す図面を用いて本発明の方法を説
明する。図１は、本発明の有機低分子量化合物誘導体の
合成方法の一例を示す概念図であり、（１）は試料セ
ル、（２）は電磁誘導発熱性金属体からなる箔、（３）
は保護セル、（４）は高周波電磁誘導加熱装置（装置の
全体は図示せず）内にある高周波加熱コイル、（５）は
反応性官能基を有する分子量１０００以下の有機低分子
量化合物（Ａ）と該反応性官能基の修飾剤（Ｂ）とを含
む試料である。

【００２１】まず、一方が開口した試料セル（１）に反
応性官能基を有する分子量１０００以下の有機低分子量
化合物（Ａ）と該反応性官能基の修飾剤（Ｂ）とを含む
試料（５）を採取し、バーナー等により試料セル（１）
を封管するが、有機低分子量化合物（Ａ）と修飾剤
（Ｂ）とを含む試料（５）と共に有機溶剤を採取し、封
管すると、試料全体が均一に反応し、容易に有機低分子
量化合物誘導体を合成できる点で好ましい。ここで用い
る修飾剤（Ｂ）としては、有機溶剤に溶解させて液状と
したもの、例えばＧＣ、ＧＣ−ＭＳ等用に調製されたも
のでもよい。

【００２２】有機低分子量化合物（Ａ）と修飾剤（Ｂ）
の採取量は、特に限定されないが、通常有機溶剤も含む
試料の全容量が試料セル容量の３〜７０％、好ましくは
５〜４０％となる量であり、またこれらの使用比率は、
有機低分子量化合物（Ａ）中の反応性官能基１モルに対
する修飾剤（Ｂ）のモル数が１０モル以上の大過剰とな
る比率、好ましくは１０〜３００モルとなる比率であ
る。更に、有機低分子量化合物（Ａ）の使用量は、例え
ば有機溶剤も含む試料の全容量が１０〜５０μｌの場
合、通常５〜１０００μｇ、好ましくは５〜１００μｇ
である。

【００２３】尚、ここで用いる有機溶剤としては、修飾
剤（Ｂ）と反応しないものであればよいが、合成された
有機低分子量化合物（Ａ）の誘導体を溶解可能なもの、
例えばアセトニトリル、トルエン、テトラヒドロフラ
ン、ジメチルホルムアミド、ヘキサン、クロロホルム、
ピリジン、ジメチルスルホキシド、酢酸エチル等が挙げ
られ、なかでも有機低分子量化合物（Ａ）の誘導体と修
飾剤（Ｂ）とを溶解可能なものが好ましく、特に有機低
分子量化合物（Ａ）と修飾剤（Ｂ）と有機低分子量化合
物（Ａ）とを溶解可能なものが好ましい。

【００２４】試料セル（１）の封管後、封管された試料
セル（１）を電磁誘導発熱性金属体からなる箔（２）で
覆うが、試料セル（１）は必ずしも全体を電磁誘導発熱
性金属体からなる箔（２）で覆う必要はない。箔（２）
は、試料（５）が加熱されて反応するように適宜覆えば
よく、箔（２）の面積や厚さを変えることにより試料
（５）の反応条件、例えば加熱速度や加熱温度等を適宜
変更させることもできる。尚、電磁誘導発熱性金属体か
らなる箔（２）で覆った試料セル（１）を、そのまま用
いてもよいが、ガラス等からなる保護セル（３）に入れ
て、保護し、高周波電磁誘導加熱することが好ましい。

【００２５】次いで、電磁誘導発熱性金属体からなる箔
（２）で覆った試料セル（１）をそのまま、あるいは図
１のように該試料セル（１）を保護セル（３）に入れ
て、高周波加熱コイル（４）内に配した後、通電して高
周波を照射して電磁誘導発熱性金属体からなる箔（２）
を発熱させ、そのまま通電を続けて有機低分子量化合物
（Ａ）中の反応性官能基と修飾剤（Ｂ）とを加熱して反
応させ、有機低分子量化合物（Ａ）の誘導体を合成す
る。高周波の照射による高周波電磁誘導加熱時間は、有
機低分子量化合物（Ａ）中の反応性官能基と修飾剤
（Ｂ）との反応が終了するのに十分な時間であればよ
く、特に限定されないが、通常は１〜１５分間である。
この反応により合成された有機低分子量化合物（Ａ）の
誘導体は、通常、合成と同時に大過剰の修飾剤（Ｂ）や
有機溶剤に溶解されるため、試料セル（１）中には溶液
状の試料が得られる。ここで用いる高周波電磁誘導加熱
装置としては、高周波の照射により電磁誘導発熱性金属
体を高周波電磁誘導加熱できるものであればよく、特に
限定されない。

【００２６】反応が終了した後、試料セル（１）を取り
出し、一方を開封した後、あらかじめセットしたＧＣや
ＧＣ−ＭＳ等の分析機器に合成された有機低分子量化合
物（Ａ）の誘導体を含む溶液を注入し、分析する。尚、
合成された有機低分子量化合物（Ａ）の誘導体が試料セ
ル中の修飾剤（Ｂ）や有機溶剤に溶解しにくく、ゲル状
等で得られた場合は、反応終了後、試料セルを開封し、
有機溶剤を加えて溶解させてから分析すればよい。

【００２７】

【発明の実施の形態】本発明は、例えばガラス等からな
る一方が開口した試料セル（１）に、ペンタエリスリト
ール、グルタミン酸、キヌレン等の反応性官能基を有す
る分子量１０００以下の有機低分子量化合物（Ａ）と、
Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド（ＢＳ
Ａ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセター
ル等の修飾剤（Ｂ）と、好ましくは更にジメチルホルム
アミド等の合成された有機低分子量化合物（Ａ）の誘導
体を溶解可能な有機溶剤を採取し、試料セル（１）を封
管した後、封管された試料セル（１）を電磁誘導発熱性
金属体、例えば５０〜３００℃のキューリー温度を有す
る強磁性金属体からなる箔（２）で覆い、更に必要応じ
てガラス等からなる保護セル（３）に入れて、高周波電
磁誘導加熱装置の高周波加熱コイル内に配した後、１〜
１５分間通電して箔（２）を発熱させ、有機低分子量化
合物（Ａ）中の反応性官能基と修飾剤（Ｂ）とを加熱し
て反応させ、有機低分子量化合物（Ａ）の誘導体を合成
した後、試料セル（１）を取り出し、一方を開封した
後、あらかじめセットしたＧＣやＧＣ−ＭＳ等の分析機
器に合成された有機低分子量化合物（Ａ）の誘導体を含
む溶液を注入し、分析することにより実施できる。

【００２８】

【実施例】以下に実施例を挙げ、本発明を更に詳細に説
明するが、本発明はこれにより限定されるものではな
い。

【００２９】実施例１ 有機低分子量化合物（Ａ）としてサリチル酸を、また液
状の修飾剤（Ｂ）としてＮ，Ｏ−ビス（トリメチルシリ
ル）アセトアミド（ＢＳＡ）を用い、サリチル酸０．１
５ｍｇをアセトニトリル５ｍｇに溶解させた溶液と、
Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド（ＢＳ
Ａ）７ｍｇとを、外径３ｍｍ、内径２ｍｍ、長さ５０ｍ
ｍのガラス管の一方を封管した試料セルに入れ、開口部
をバーナーで加熱して封管した。この試料セルをキュー
リー温度２２０℃の強磁性金属体からなる金属箔（日本
分析工業株式会社製のパイロホイルＦ２２０、厚さ０．
１９ｍｍ、縦２３ｍｍ、横９ｍｍ）で覆い、次いで外径
８ｍｍ、内径６ｍｍ、長さ１２０ｍｍの試験管状のガラ
スからなる保護セルに入れた後、高周波電磁誘導加熱装
置内に配して、高周波電磁誘導加熱装置に２分間通電し
て上記金属箔を２２０℃に高周波電磁誘導加熱し、反応
させてサリチル酸のトリメチルシリル化誘導体を含む溶
液を得た。

【００３０】通電終了後、試料セルを取り出し、一方を
開封した後、下記ＧＣ−ＭＳ測定条件（ａ）にセットし
たＧＣ−ＭＳにサリチル酸のトリメチルシリル化誘導体
を含む溶液を注入し、分析を行った。

【００３１】ＧＣ−ＭＳ測定条件（ａ） （ＧＣ測定条件） カラム ：長さ１ｍ×内径３ｍｍ 粒径６０〜８０メッシュの担体（Ｕｎｉｐｏｒｔ ＨＰ） 中に液相（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ ＯＶ−１７）を２重量％含 浸させたもの キャリアーガス：ヘリウムガス（流量 ３０ｍｌ／ｍｉｎ） カラム温度 ：８０℃に１分間保持後、１０℃／ｍｉｎの速度で２３０℃ に昇温 注入口温度 ：２５０℃ （ＭＳ測定条件） イオン源温度 ：３００℃ 電子衝撃（ＥＩ） ：電圧 ７０ｅＶ、電流 ６０μＡ 化学イオン化（ＣＩ）：電圧２５０ｅＶ、電流２５０μＡ

【００３２】図２がトータルイオンクロマトグラム（Ｔ
ＩＣ）で、図３が電子衝撃（ＥＩ）によるマススペクト
ルである。図２のトータルイオンクロマトグラム（ＴＩ
Ｃ）に１本のピークが認められ、図３の電子衝撃（Ｅ
Ｉ）によるマススペクトルに、サリチル酸がトリメチル
シリル化された時の分子量（ＭＷ２８２）に相当する分
子イオン（Ｍ⁺） は存在しなかったが、トリメチルシリ
ル化物に特徴的な（Ｍ−１５）⁺ 、すなわちｍ/ｚ ２６
７が存在していたことより、下記構造式（１）で示され
るサリチル酸中の水酸基とカルボキシル基にそれぞれト
リメチルシリル基が導入され、下記構造式（２）で示さ
れるサリチル酸のトリメチルシリル化誘導体が合成され
ていたことがわかった。

【００３３】

【化１】

【００３４】（式中、ＴＭＳはトリメチルシリル基を表
わす。）

【００３５】実施例２ 強磁性金属体からなる金属箔（パイロホイルＦ２２０）
の大きさを縦１２ｍｍ、横９ｍｍに変更した以外は実施
例１と同様にしてトリクロロフェノールのトリメチルシ
リル化誘導体を含む溶液を得た。

【００３６】次いで、実施例１と同様にＧＣ−ＭＳによ
る分析を行ったところ、実施例１と同じく上記構造式
（１）で示されるサリチル酸中の水酸基とカルボキシル
基にそれぞれトリメチルシリル基が導入され、上記構造
式（２）で示されるサリチル酸のトリメチルシリル化誘
導体が合成されていたことがわかった。

【００３７】実施例３ 強磁性金属体からなる金属箔（パイロホイルＦ２２０）
の大きさを縦６ｍｍ、横９ｍｍに変更し、更に高周波電
磁誘導加熱装置の通電時間を４分間に変更した以外は実
施例１と同様にしてトリクロロフェノールのトリメチル
シリル化誘導体を含む溶液を得た。

【００３８】次いで、実施例１と同様にＧＣ−ＭＳによ
る分析を行ったところ、実施例１と同じく上記構造式
（１）で示されるサリチル酸中の水酸基とカルボキシル
基にそれぞれトリメチルシリル基が導入され、上記構造
式（２）で示されるサリチル酸のトリメチルシリル化誘
導体が合成されていたことがわかった。

【００３９】実施例４ サリチル酸の代わりにトリクロロフェノールを用い、高
周波電磁誘導加熱装置の通電時間を９０秒間に変更した
以外は実施例１と同様にしてトリクロロフェノールのト
リメチルシリル化誘導体を含む溶液を得た。

【００４０】次いで、実施例１と同様にＧＣ−ＭＳによ
る分析を行ったところ、トータルイオンクロマトグラム
（ＴＩＣ）に２本のピークが認められたが、電子衝撃
（ＥＩ）によるマススペクトルにより、一方のピークを
示す化合物は、分子量が２３４で、塩素元素の同位体ピ
ーク比より算出した塩素数が２個であったことから、合
成にともなう副生成物ではなく、不純物であることがわ
かった。しかし、他方のピークを示す化合物は、分子量
が２６８で、塩素の同位体ピーク比より算出した塩素数
が３個であったことから、トリクロロフェノール中の水
酸基にトリメチルシリル基が導入された化合物であるこ
とがわかった。

【００４１】実施例５ サリチル酸の代わりにスルファニルアミドを用いた以外
は実施例１と同様にしてスルファニルアミドのトリメチ
ルシリル化誘導体を含む溶液を得た。

【００４２】次いで、実施例１と同様にＧＣ−ＭＳによ
る分析を行ったところ、トータルイオンクロマトグラム
（ＴＩＣ）に１本のピークが認められ、電子衝撃（Ｅ
Ｉ）によるマススペクトルに、スルファニルアミドがト
リメチルシリル化された時の分子量に相当する分子イオ
ン（Ｍ⁺） はｍ/ｚ ３１６があったこと、およびトリメ
チルシリル化物に特徴的な（Ｍ−１５）⁺ イオンがｍ/
ｚ ３０１に存在していたことから、スルファニルアミ
ド中のアミノ基のそれぞれにトリメチルシリル基が導入
された化合物が合成されていたことがわかった。

【００４３】実施例６ サリチル酸の代わりにペンタエリスリトールを用い、高
周波電磁誘導加熱装置の通電時間を４分間に変更した以
外は実施例１と同様にしてペンタエリスリトールのトリ
メチルシリル化誘導体を含む溶液を得た。

【００４４】次いで、実施例１と同様にＧＣ−ＭＳによ
る分析を行ったところ、トータルイオンクロマトグラム
（ＴＩＣ）に１本のピークが認められ、電子衝撃（Ｅ
Ｉ）によるマススペクトルに、ペンタエリスリトールが
トリメチルシリル化された時の分子量（ＭＷ４２４）に
相当する分子イオン（Ｍ⁺ ）は存在していなかったが、
トリメチルシリル化物に特徴的な（Ｍ−１５）⁺ イオ
ン、すなわちｍ/ｚ ４０９が存在していたこと、および
化学イオン化（ＣＩ、イソブタン）によるマススペクト
ルに分子イオンにプロトンが付加した擬似分子イオン
（ＱＭ⁺ ）がｍ/ｚ ４２５に存在していたことから、こ
の化合物の分子量が４２４で、ペンタエリスリトール中
の水酸基のそれぞれにトリメチルシリル基が導入された
化合物が合成されていたことがわかった。

【００４５】実施例７ Ｄ−グルタミン酸０．１５ｍｇと、液状のＮ，Ｏ−ビス
（トリメチルシリル）アセトアミド（ＢＳＡ）７ｍｇ
と、アセトニトリル５ｍｇとを、外径３ｍｍ、内径２ｍ
ｍ、長さ５０ｍｍのガラス管の一方を封管した試料セル
に入れ、開口部をバーナーで加熱して封管した。この試
料セルをキューリー温度１６０℃の強磁性金属体からな
る金属箔（日本分析工業株式会社製のパイロホイルＦ１
６０、厚さ０．１９ｍｍ、縦２３ｍｍ、横９ｍｍ）で覆
い、次いで外径８ｍｍ、内径６ｍｍ、長さ１２０ｍｍの
試験管状のガラスからなる保護セルに入れた後、高周波
電磁誘導加熱装置内に配して、高周波電磁誘導加熱装置
に１０分間通電して上記金属箔を１６０℃に高周波電磁
誘導加熱し、反応させてＤ−グルタミン酸のトリメチル
シリル化誘導体を含む溶液を得た。

【００４６】通電終了後、試料セルを取り出し、一方を
開封した後、前記ＧＣ−ＭＳ測定条件（ａ）にセットし
たＧＣ−ＭＳにＤ−グルタミン酸のトリメチルシリル化
誘導体を含む溶液を注入し、分析を行った。

【００４７】図４がトータルイオンクロマトグラム（Ｔ
ＩＣ）で、図５が電子衝撃（ＥＩ）によるマススペクト
ルである。図４のトータルイオンクロマトグラム（ＴＩ
Ｃ）に１本のピークが認められ、図５の電子衝撃（Ｅ
Ｉ）によるマススペクトルにＤ−グルタミン酸がトリメ
チルシリル化された時の分子量に相当する分子イオン
（Ｍ⁺ ）がｍ/ｚ ３６３に存在していたことから、下記
構造式（３）で示されるＤ−グルタミン酸中のアミノ基
とカルボキシル基のそれぞれにトリメチルシリル基が導
入され、下記構造式（４）で示されるＤ−グルタミン酸
のトリメチルシリル化誘導体が合成されていたことがわ
かった。

【００４８】

【化２】

【００４９】（式中、ＴＭＳはトリメチルシリル基を表
わす。）

【００５０】実施例８ サリチル酸の代わりにチオサリチル酸を用いた以外は実
施例１と同様にしてチオサリチル酸のトリメチルシリル
化誘導体を含む溶液を得た。

【００５１】次いで、実施例１と同様にＧＣ−ＭＳによ
る分析を行ったところ、トータルイオンクロマトグラム
（ＴＩＣ）に１本のピークが認められ、電子衝撃（Ｅ
Ｉ）によるマススペクトルに、チオサリチル酸がトリメ
チルシリル化された時の分子量（ＭＷ ２９８）に相当
する分子イオン（Ｍ⁺ ）は存在しなかったが、トリメチ
ルシリル化物に特徴的な（Ｍ−１５）⁺ 、すなわちｍ/
ｚ ２８３が存在していたことより、チオサリチル酸中
のチオール基とカルボキシル基のそれぞれにトリメチル
シリル基が導入された化合物が合成されていたことがわ
かった。

【００５２】実施例９ サリチル酸の代わりにキヌレニンを用い、アセトニトリ
ルを使用しなかった以外は実施例１と同様にしてキヌレ
ニンのトリメチルシリル化誘導体を含む溶液を得た。

【００５３】次いで、実施例１と同様にＧＣ−ＭＳによ
る分析を行ったところ、トータルイオンクロマトグラム
（ＴＩＣ）に１本のピークが認められ、電子衝撃（Ｅ
Ｉ）によるマススペクトルにキヌレニンがトリメチルシ
リル化された時の分子量に相当する分子イオン（Ｍ⁺ ）
がｍ/ｚ ４２４に存在していたことより、キヌレニン中
のアミノ基とカルボキシル基のそれぞれにトリメチルシ
リル基が導入された化合物が合成されていたことがわか
った。

【００５４】実施例１０ ２，６−ジタシャリーブチル−４−メチル−フェノール
０．１５ｍｇを５ｍｇのアセトニトリルに溶解させた溶
液と、液状のＮ−トリメチルシリルイミダゾール（ＴＭ
ＳＩ）７ｍｇとを、外径３ｍｍ、内径２ｍｍ、長さ５０
ｍｍのガラス管の一方を封管した試料セルに入れ、開口
部をバーナーで加熱して封管した。この試料セルをキュ
ーリー温度２３５℃の強磁性金属体からなる金属箔（日
本分析工業株式会社製のパイロホイルＦ２３５、厚さ
０．１９ｍｍ、縦２３ｍｍ、横９ｍｍ）で覆い、次いで
外径８ｍｍ、内径６ｍｍ、長さ１２０ｍｍの試験管状の
ガラスからなる保護セルに入れた後、高周波電磁誘導加
熱装置内に配して、高周波電磁誘導加熱装置に５分間通
電して上記金属箔を２３５℃に高周波電磁誘導加熱し、
反応させて２，６−ジタシャリーブチル−４−メチル−
フェノールのトリメチルシリル化誘導体を含む溶液を得
た。

【００５５】通電終了後、試料セルを取り出し、一方を
開封した後、前記ＧＣ−ＭＳ測定条件に（ａ）セットし
たＧＣ−ＭＳに２，６−ジタシャリーブチル−４−メチ
ル−フェノールのトリメチルシリル化誘導体を含む溶液
を注入し、分析を行った。

【００５６】図６がトータルイオンクロマトグラム（Ｔ
ＩＣ）で、図７が電子衝撃（ＥＩ）によるマススペクト
ルである。図６のトータルイオンクロマトグラム（ＴＩ
Ｃ）に２本のピークが認められ、図７の成分(II)の電子
衝撃（ＥＩ）によるマススペクトルに、２，６−ジタシ
ャリーブチル−４−メチル−フェノールがトリメチルシ
リル化された時の分子量（ＭＷ２９２）に相当する分子
イオン（Ｍ⁺ ）がｍ/ｚ ２９２として存在していたこと
から、下記構造式（５）で示される２，６−ジタシャリ
ーブチル−４−メチル−フェノール中の水酸基にトリメ
チルシリル基が導入された下記構造式（６）で示される
２，６−ジタシャリーブチル−４−メチル−フェノール
のトリメチルシリル化誘導体が合成されて、これがトー
タルイオンクロマトグラム（ＴＩＣ）の成分(II)のピー
クを示していたことがわかった。尚、成分(Ｉ)のピーク
を示していた化合物は未反応の２，６−ジタシャリーブ
チル−４−メチル−フェノールであり、未反応成分比は
トリメチルシリル誘導体１００モルに対して１４モルで
あった。

【００５７】

【化３】

【００５８】（式中、ＴＭＳはトリメチルシリル基を表
わす。）

【００５９】実施例１１ サリチル酸０．１５ｍｇと、液状のＮ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミドジメチルアセタール（ＤＭＦ−ＤＭＡ）７ｍ
ｇと、アセトニトリル５ｍｇとを、外径３ｍｍ、内径２
ｍｍ、長さ５０ｍｍのガラス管の一方を封管した試料セ
ルに入れ、開口部をバーナーで加熱して封管した。この
試料セルをキューリー温度２５５℃の強磁性金属体から
なる金属箔（日本分析工業株式会社製のパイロホイルＦ
２５５、厚さ０．１９ｍｍ、縦２３ｍｍ、横９ｍｍ）で
覆い、次いで外径８ｍｍ、内径６ｍｍ、長さ１２０ｍｍ
の試験管状のガラスからなる保護セルに入れた後、高周
波電磁誘導加熱装置内に配して、高周波電磁誘導加熱装
置に３分間通電して上記金属箔を２５５℃に高周波電磁
誘導加熱し、反応させてサリチル酸のメチル化誘導体を
含む溶液を得た。

【００６０】通電終了後、試料セルを取り出し、一方を
開封した後、前記ＧＣ−ＭＳ測定条件（ａ）にセットし
たＧＣ−ＭＳにサリチル酸のメチル化誘導体を含む溶液
を注入し、分析を行った。

【００６１】図８がトータルイオンクロマトグラム（Ｔ
ＩＣ）で、図９が電子衝撃（ＥＩ）によるマススペクト
ルである。図８のトータルイオンクロマトグラム（ＴＩ
Ｃ）に１本のピークが認められ、図９の電子衝撃（Ｅ
Ｉ）によるマススペクトルにサリチル酸がメチル化され
た時の分子量に相当する分子イオン（Ｍ⁺） がｍ/ｚ １
６６に存在していたことから、下記構造式（７）で示さ
れるサリチル酸の水酸基とカルボキシル基にそれぞれメ
チル基が導入された下記構造式（８）で示されるサリチ
ル酸のメチル化誘導体が合成されていることがわかっ
た。

【００６２】

【化４】

【００６３】実施例１２ ジペンタエリスリトール０．１５ｍｇと、液状のＮ，Ｏ
−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド（ＢＳＡ）７
ｍｇと、アセトニトリル５ｍｇとを、外径３ｍｍ、内径
２ｍｍ、長さ５０ｍｍのガラス管の一方を封管した試料
セルに入れ、開口部をバーナーで加熱して封管した。こ
の試料セルをキューリー温度２５５℃の強磁性金属体か
らなる金属箔（日本分析工業株式会社製のパイロホイル
Ｆ２５５、厚さ０．１９ｍｍ、縦２３ｍｍ、横９ｍｍ）
で覆い、次いで外径８ｍｍ、内径６ｍｍ、長さ１２０ｍ
ｍの試験管状のガラスからなる保護セルに入れた後、高
周波電磁誘導加熱装置内に配して、高周波電磁誘導加熱
装置に４分間通電して上記金属箔を２５５℃に高周波電
磁誘導加熱し、反応させてジペンタエリスリトールのト
リメチルシリル化誘導体を含む溶液を得た。通電終了
後、試料セルを取り出し、一方を開封した後、前記ＧＣ
−ＭＳ測定条件（ａ）にセットしたＧＣ−ＭＳにジペン
タエリスリトールのトリメチルシリル化誘導体を含む溶
液を注入し、分析を行った。

【００６４】図１０がトータルイオンクロマトグラム
（ＴＩＣ）で、図１１の上段が電子衝撃（ＥＩ）による
マススペクトル、下段が化学イオン化（ＣＩ、イソブタ
ン）によるマススペクトルである。

【００６５】図１０のトータルイオンクロマトグラム
（ＴＩＣ）に１本のピークが認められ、図１１の電子衝
撃（ＥＩ）によるマススペクトルにジペンタエリスリト
ールのトリメチルシリル誘導体の分子量（ＭＷ６８６）
に相当する分子イオン（Ｍ⁺）が認められず、ｍ/ｚ ４
２５、ｍ/ｚ ３３５などのフラグメントイオンのみがあ
ることから同定は難しいが、化学イオン化（ＣＩ、イソ
ブタン）によるＣＩマススペクトルから分子イオンにプ
ロトンが付加した擬似分子イオン（ＱＭ⁺） がｍ/ｚ ６
８７に存在していたことからこの化合物の分子量が６８
６で、下記構造式（９）に示すジペンタエリスリトール
の水酸基のそれぞれにトリメチルシリル基が導入され、
下記構造式（１０）で示されるジペンタエリスリトール
のトリメチルシリル化誘導体が合成されていたことがわ
かった。

【００６６】

【化５】

【００６７】（式中、ＴＭＳはトリメチルシリル基を表
わす。）

【００６８】実施例１３ ２，６−ジタシャリーブチル−４−メチル−フェノール
０．１５ｍｇを２０ｍｇのピリジンに溶解させた溶液
と、液状のＮ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトア
ミド（ＢＳＡ）７ｍｇとを、外径３ｍｍ、内径２ｍｍ、
長さ５０ｍｍのガラス管の一方を封管した試料セルに入
れ、開口部をバーナーで加熱して封管した。この試料セ
ルをキューリー温度１６０℃の強磁性金属体からなる金
属箔（日本分析工業株式会社製のパイロホイルＦ１６
０、厚さ０．１９ｍｍ、縦６ｍｍ、横９ｍｍ）で覆い、
次いで外径８ｍｍ、内径６ｍｍ、長さ１２０ｍｍの試験
管状のガラスからなる保護セルに入れた後、高周波電磁
誘導加熱装置内に配して、高周波電磁誘導加熱装置に１
０分間通電して上記金属箔を１６０℃に高周波電磁誘導
加熱し、反応させて２，６−ジタシャリーブチル−４−
メチル−フェノールのトリメチルシリル化誘導体を含む
溶液を得た。

【００６９】通電終了後、試料セルを取り出し、一方を
開封した後、下記ＧＣ−ＭＳ測定条件に（ｂ）セットし
たＧＣ−ＭＳに２，６−ジタシャリーブチル−４−メチ
ル−フェノールのトリメチルシリル化誘導体を含む溶液
を注入し、分析を行った。

【００７０】ＧＣ−ＭＳ測定条件（ｂ） （ＧＣ測定条件） カラム ：長さ２ｍ×内径３ｍｍ 粒径６０〜８０メッシュの担体（クロモソルブ Ｗ）中に 液相（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ ＯＶ−１）を５重量％含浸させ たもの キャリアーガス：ヘリウムガス（流量 ３０ｍｌ／ｍｉｎ） カラム温度 ：１５０℃に１分間保持後、１０℃／ｍｉｎの速度で２６０ ℃に昇温 注入口温度 ：２５０℃ （ＭＳ測定条件） イオン源温度 ：３００℃ 電子衝撃（ＥＩ） ：電圧 ７０ｅＶ、電流 ６０μＡ 化学イオン化（ＣＩ）：電圧２５０ｅＶ、電流２５０μＡ

【００７１】図１２がトータルイオンクロマトグラム
（ＴＩＣ）で、図１３が電子衝撃（ＥＩ）によるマスス
ペクトルである。図１２のトータルイオンクロマトグラ
ム（ＴＩＣ）に２本のピークが認められ、図１３の成分
(II)の電子衝撃（ＥＩ）によるマススペクトルに、２，
６−ジタシャリーブチル−４−メチル−フェノールがト
リメチルシリル化された時の分子量（ＭＷ２９２）に相
当する分子イオン（Ｍ⁺ ）がｍ/ｚ ２９２として存在し
ていたことから、前記構造式（５）で示される２，６−
ジタシャリーブチル−４−メチル−フェノール中の水酸
基にトリメチルシリル基が導入された前記構造式（６）
で示される２，６−ジタシャリーブチル−４−メチル−
フェノールのトリメチルシリル化誘導体が合成されて、
これがトータルイオンクロマトグラム（ＴＩＣ）の成分
(II)のピークを示していたことがわかった。尚、成分
(Ｉ)のピークを示していた化合物は未反応の２，６−ジ
タシャリーブチル−４−メチル−フェノールであり、未
反応成分比はトリメチルシリル誘導体１００モルに対し
て７５モルであった。

【００７２】実施例１４ フタルイミド０．１５ｍｇと、液状のＮ，Ｏ−ビス（ト
リメチルシリル）アセトアミド（ＢＳＡ）７ｍｇと、ア
セトニトリル２０ｍｇとを、外径３ｍｍ、内径２ｍｍ、
長さ５０ｍｍのガラス管の一方を封管した試料セルに入
れ、開口部をバーナーで加熱して封管した。この試料セ
ルをキューリー温度１６０℃の強磁性金属体からなる金
属箔（日本分析工業株式会社製のパイロホイルＦ１６
０、厚さ０．１９ｍｍ、縦６ｍｍ、横９ｍｍ）で覆い、
次いで外径８ｍｍ、内径６ｍｍ、長さ１２０ｍｍの試験
管状のガラスからなる保護セルに入れた後、高周波電磁
誘導加熱装置内に配して、高周波電磁誘導加熱装置に２
分間通電して上記金属箔を１６０℃に高周波電磁誘導加
熱し、反応させてフタルイミドのトリメチルシリル化誘
導体を含む溶液を得た。

【００７３】通電終了後、試料セルを取り出し、一方を
開封した後、下記ＧＣ−ＭＳ測定条件（ｃ）にセットし
たＧＣ−ＭＳにフタルイミドのトリメチルシリル化誘導
体を含む溶液を注入し、分析を行った。

【００７４】ＧＣ−ＭＳ測定条件（ｃ） （ＧＣ測定条件） カラム ：長さ２ｍ×内径３ｍｍ 粒径６０〜８０メッシュの担体（クロモソルブ Ｗ）中に 液相（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ ＯＶ−１）を５重量％含浸させ たもの キャリアーガス：ヘリウムガス（流量 ３０ｍｌ／ｍｉｎ） カラム温度 ：１３０℃に１分間保持後、１５℃／ｍｉｎの速度で２６０ ℃に昇温 注入口温度 ：２５０℃ （ＭＳ測定条件） イオン源温度 ：３００℃ 電子衝撃（ＥＩ） ：電圧 ７０ｅＶ、電流 ６０μＡ 化学イオン化（ＣＩ）：電圧２５０ｅＶ、電流２５０μＡ

【００７５】図１４がトータルイオンクロマトグラム
（ＴＩＣ）で、図１５が電子衝撃（ＥＩ）によるマスス
ペクトルである。図１４のトータルイオンクロマトグラ
ム（ＴＩＣ）に１本のピークが認められ、図１５の電子
衝撃（ＥＩ）によるマススペクトルに、フタルイミドが
トリメチルシリル化された時の分子量に相当する分子イ
オン（Ｍ⁺）２１９は存在しないが、Ｍ−ＣＨ₃ に相当
するイオンがｍ/ｚ ２０４に存在していたことから、下
記構造式（１１）で示されるフタルイミド中のイミド基
にトリメチルシリル基が導入された下記構造式（１２）
で示されるフタルイミドのトリメチルシリル化誘導体が
合成されていたことがわかった。

【００７６】

【化６】

【００７７】（式中、ＴＭＳはトリメチルシリル基を表
わす。）

【００７８】実施例１５ フタルイミド０．１５ｍｇと、液状のＮ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミドジメチルアセタール（ＤＭＦ−ＤＭＡ）７
ｍｇと、アセトニトリル２０ｍｇとを、外径３ｍｍ、内
径２ｍｍ、長さ５０ｍｍのガラス管の一方を封管した試
料セルに入れ、開口部をバーナーで加熱して封管した。
この試料セルをキューリー温度２２０℃の強磁性金属体
からなる金属箔（日本分析工業株式会社製のパイロホイ
ルＦ２２０、厚さ０．１９ｍｍ、縦６ｍｍ、横９ｍｍ）
で覆い、次いで外径８ｍｍ、内径６ｍｍ、長さ１２０ｍ
ｍの試験管状のガラスからなる保護セルに入れた後、高
周波電磁誘導加熱装置内に配して、高周波電磁誘導加熱
装置に５分間通電して上記金属箔を２２０℃に高周波電
磁誘導加熱し、反応させてフタルイミドのメチル化誘導
体を含む溶液を得た。

【００７９】通電終了後、試料セルを取り出し、一方を
開封した後、前記ＧＣ−ＭＳ測定条件（ｃ）にセットし
たＧＣ−ＭＳにフタルイミドのメチル化誘導体を含む溶
液を注入し、分析を行った。

【００８０】図１６がトータルイオンクロマトグラム
（ＴＩＣ）で、図１７が電子衝撃（ＥＩ）によるマスス
ペクトルである。図１６のトータルイオンクロマトグラ
ム（ＴＩＣ）に１本のピークが認められ、図１７の電子
衝撃（ＥＩ）によるマススペクトルに、フタルイミドが
メチル化された時の分子量に相当する分子イオン
（Ｍ⁺）がｍ/ｚ １６１に存在していたことから、前記
構造式（１１）で示されるフタルイミド中のイミド基に
メチル基が導入された下記構造式（１３）で示されるフ
タルイミドのメチル化誘導体が合成されていたことがわ
かった。

【００８１】

【化７】

【００８２】実施例１６ 有機溶剤としてアセトニトリルの代わりにｎ−ヘキサン
を用いた以外は実施例１３と同様にしてフタルイミドの
メチル化誘導体を含む溶液を得た。

【００８３】次いで、実施例１３と同様にＧＣ−ＭＳに
よる分析を行ったところ、トータルイオンクロマトグラ
ム（ＴＩＣ）に１本のピークが認められ、電子衝撃（Ｅ
Ｉ）によるマススペクトルに、フタルイミドがメチル化
された時の分子量に相当する分子イオン（Ｍ⁺） はｍ/
ｚ １６１に存在していたことから、フタルイミド中の
イミド基にメチル基が導入された化合物が合成されてい
たことがわかった。

【００８４】実施例１７ キヌレニン１ｍｇと、液状のＮ，Ｏ−ビス（トリメチル
シリル）アセトアミド２０ｍｇと、アセトニトリル１０
０ｍｇとを、外径５ｍｍ、内径３ｍｍ、長さ１４０ｍｍ
のガラス管の一方を封管した試料セルに入れ、開口部を
バーナーで加熱して封管した。この試料セルをキューリ
ー温度１６０℃の強磁性金属体からなる金属箔（日本分
析工業株式会社製のパイロホイルＦ１６０、厚さ０．１
９ｍｍ、縦９ｍｍ、横２３ｍｍ）で覆い、次いで外径８
ｍｍ、内径６ｍｍ、長さ１２０ｍｍの試験管状のガラス
からなる保護セルに入れた後、高周波電磁誘導加熱装置
内に配して、高周波電磁誘導加熱装置に１０分間通電し
て上記金属箔を１６０℃に高周波電磁誘導加熱し、反応
させてキヌレニンのトリメチルシリル化誘導体を含む溶
液を得た。

【００８５】通電終了後、試料セルを取り出し、一方を
開封した後、下記ＧＣ−ＭＳ測定条件（ｄ）にセットし
たＧＣ−ＭＳにキヌレニンのトリメチルシリル化誘導体
を含む溶液を注入し、分析を行った。

【００８６】ＧＣ−ＭＳ測定条件（ｄ） （ＧＣ測定条件） カラム ：長さ２ｍ×内径３ｍｍ 粒径６０〜８０メッシュの担体（クロモソルブ Ｗ）中に 液相（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ ＯＶ−１）を５重量％含浸させ たもの キャリアーガス：ヘリウムガス（流量 ３０ｍｌ／ｍｉｎ） カラム温度 ：１６０℃に１分間保持後、１５℃／ｍｉｎの速度で２６０ ℃に昇温 注入口温度 ：２５０℃ （ＭＳ測定条件） イオン源温度 ：３００℃ 電子衝撃（ＥＩ） ：電圧 ７０ｅＶ、電流 ６０μＡ

【００８７】図１８がトータルイオンクロマトグラム
（ＴＩＣ）で、図１９が電子衝撃（ＥＩ）によるマスス
ペクトルである。図１８のトータルイオンクロマトグラ
ム（ＴＩＣ）に大きな２本のピークが認められ、図１９
の成分(Ｉ)の電子衝撃（ＥＩ）によるマススペクトルに
おいて下記構造式（１４）で示されるキヌレニンに、２
個のトリメチルシリル基が導入された時の分子量（ＭＷ
３５２）に相当する分子イオン（Ｍ⁺ ）がｍ/ｚ ３５２
として存在していたことから、下記構造式（１５）、
（１６）又は（１７）で示されるキヌレニンの誘導体が
合成されて、これがトータルイオンクロマトグラム（Ｔ
ＩＣ）の成分(Ｉ)のピークを示していたことがわかっ
た。尚、成分(II)のピークを示していた化合物はキヌレ
ニンに３個のトリメチルシリル基が導入された時の分子
量（ＭＷ４２４）に相当する分子イオン（Ｍ⁺ ）がｍ/
ｚ ４２４として存在していたことから、下記構造式
（１８）で示されるキヌレニンの誘導体が合成されて、
これがトータルイオンクロマトグラム（ＴＩＣ）の成分
(II)のピークを示していることがわかった。

【００８８】

【化８】

【００８９】（式中、ＴＭＳはトリメチルシリル基を表
わす。）

【００９０】次いで、下記ガスクロマトグラフィー−原
子発光検出器（ＧＣ−ＡＥＤ）測定条件（ｅ）にセット
したＧＣ−ＡＥＤに上記ＧＣ−ＭＳで用いたのと同じキ
ヌレニンのトリメチルシリル化誘導体を含む溶液を注入
し、分析を行った。

【００９１】ＧＣ−ＡＥＤ測定条件（ｅ） （ＧＣ測定条件） カラム ：キャピラリーカラム ＤＢ−１７ 長さ２０ｍ×内径０．２５ｍｍ 膜厚０．２５ｄｆ キャリアーガス：ヘリウムガス（圧力 ２０ｐｓｉ） カラム温度 ：１６０℃に１分間保持後、１０℃／ｍｉｎの速度で２６０ ℃に昇温 注入口温度 ：２５０℃ （ＡＥＤ測定条件） 測定波長 ：炭素 ４９６ｎｍ 水素 ４８６ｎｍ 窒素 １７４ｎｍ ケイ素 ２５１ｎｍ

【００９２】図２０が炭素と水素と窒素とケイ素のＡＥ
Ｄクロマトグラムである。図２０の４元素にそれぞれ大
きなピーク２本が認められることから、キヌレニンにト
リメチルシリル基が導入されていることがわかる。

【００９３】更に、あらかじめ下記ガスクロマトグラフ
ィー−フーリエ変換赤外分光分析（ＧＣ−ＦＴＩＲ）測
定条件（ｆ）にセットしたＧＣ−ＦＴＩＲに上記ＧＣ−
ＭＳで用いたのと同じキヌレニンのトリメチルシリル化
誘導体を含む溶液を注入し、分析を行った。

【００９４】ＧＣ−ＦＴＩＲ測定条件（ｆ） （ＧＣ測定条件） カラム ：キャピラリーカラム ＤＢ−１７ 長さ３０ｍ×内径０．２５ｍｍ 膜厚０．２５ｄｆ キャリアーガス：ヘリウムガス（圧力 ５０ｋｐａ） カラム温度 ：１６０℃に１分間保持後、１０℃／ｍｉｎの速度で２５０ ℃に昇温 注入口温度 ：２５０℃ （ＦＴＩＲ測定条件） 測定領域 ：４５００〜７００ｃｍ^-1 分解能 ：８．０ｃｍ^-1

【００９５】図２１がグラムシュミット法によってイン
ターフェログラムデータの変化を記録した赤外クロマト
グラム（ＩＲＣ）である。この図２１には大きなピーク
２本が認められ、図２２と図２３は図２１の２本のピー
クを示す成分のそれぞれのＦＴＩＲスペクトルである。

【００９６】図２２と図２３のスペクトルにおいて２２
００〜２３００ｃｍ^-1付近にＳｉ−Ｈ結合のピーク、１
２５０〜１２６０ｃｍ^-1および８５０ｃｍ^-1付近にＳｉ
−ＣＨ₃ 結合のピーク、１７００〜１７５０ｃｍ^-1付近
にＣＯＯ−Ｒ結合のピークなどが認められ、しかもＣＯ
ＯＨ基のピークが認められないことから、一方はキヌレ
ニンのアミノ基の一部とカルボキシル基にトリメチルシ
リル基が導入された前記構造式（１６）又は（１７）で
示されるキヌレニンの誘導体であり、他方はキヌレニン
のアミノ基とカルボキシル基にトリメチルシリル基が導
入された前記構造式（１８）で示されるキヌレニンの誘
導体であったことがわかった。

【００９７】

【発明の効果】本発明によれば、反応性官能基を有する
有機低分子量化合物（Ａ）と該反応性官能基の修飾剤
（Ｂ）とが極めて短時間で加熱されて反応し、該反応性
官能基の修飾された有機低分子量化合物誘導体が極めて
短時間で合成できる。しかも容易に再現性良く加熱で
き、得られた有機低分子量化合物誘導体はマススペクト
ロメーターによる分析のみならず、元素分析、赤外分光
分析、ガスクロマトグラフィー等各種の分析にも好まし
く使用でき、容易に精度の高い分析ができる。更に有機
低分子量化合物（Ａ）と修飾剤（Ｂ）と共に有機溶剤を
試料セルに封入すると、試料全体が均一に反応し、容易
に有機低分子量化合物誘導体を合成でき、強磁性金属体
として５０〜３００℃という比較的低いキューリー温度
を有する強磁性金属体を用いると、高周波電磁誘導加熱
時の試料の分解と試料セルの破損を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１図は本発明の有機低分子量化合物誘導体の
合成方法の一例を示す概念図である。

【図２】第２図は実施例１で合成したサリチル酸のトリ
メチルシリル化誘導体を含む溶液のトータルイオンクロ
マトグラム（ＴＩＣ）である。

【図３】第３図は実施例１で合成したサリチル酸のトリ
メチルシリル化誘導体を含む溶液の電子衝撃（ＥＩ）に
よるマススペクトルである。

【図４】第４図は実施例７で合成したＤ−グルタミン酸
のトリメチルシリル化誘導体を含む溶液のトータルイオ
ンクロマトグラム（ＴＩＣ）である。

【図５】第５図は実施例７で合成したＤ−グルタミン酸
のトリメチルシリル化誘導体を含む溶液の電子衝撃（Ｅ
Ｉ）によるマススペクトルである。

【図６】第６図は実施例１０で合成した２，６−ジタシ
ャリーブチル−４−メチル−フェノールのトリメチルシ
リル化誘導体を含む溶液のトータルイオンクロマトグラ
ム（ＴＩＣ）である。

【図７】第７図は実施例１０で合成した２，６−ジタシ
ャリーブチル−４−メチル−フェノールのトリメチルシ
リル化誘導体を含む溶液の電子衝撃（ＥＩ）によるマス
スペクトルである。

【図８】第８図は実施例１１で合成したサリチル酸のメ
チル化誘導体を含む溶液のトータルイオンクロマトグラ
ム（ＴＩＣ）である。

【図９】第９図は実施例１１で合成したサリチル酸のメ
チル化誘導体を含む溶液の電子衝撃（ＥＩ）によるマス
スペクトルである。

【図１０】第１０図は実施例１２で合成したジペンタエ
リスリトールのトリメチルシリル化誘導体を含む溶液の
トータルイオンクロマトグラム（ＴＩＣ）である。

【図１１】第１１図は実施例１２で合成したジペンタエ
リスリトールのトリメチルシリル化誘導体を含む溶液の
電子衝撃（ＥＩ）によるマススペクトルと化学イオン化
（ＣＩ、イソブタン）によるマススペクトルである。

【図１２】第１２図は実施例１３で合成した２，６−ジ
タシャリーブチル−４−メチル−フェノールのトリメチ
ルシリル化誘導体を含む溶液のトータルイオンクロマト
グラム（ＴＩＣ）である。

【図１３】第１３図は実施例１３で合成した２，６−ジ
タシャリーブチル−４−メチル−フェノールのトリメチ
ルシリル化誘導体を含む溶液の電子衝撃（ＥＩ）による
マススペクトルである。

【図１４】第１４図は実施例１４で合成したフタルイミ
ドのトリメチルシリル化誘導体を含む溶液のトータルイ
オンクロマトグラム（ＴＩＣ）である。

【図１５】第１５図は実施例１４で合成したフタルイミ
ドのトリメチルシリル化誘導体を含む溶液の電子衝撃
（ＥＩ）によるマススペクトルである。

【図１６】第１６図は実施例１５で合成したフタルイミ
ドのメチル化誘導体を含む溶液のトータルイオンクロマ
トグラム（ＴＩＣ）である。

【図１７】第１７図は実施例１５で合成したフタルイミ
ドのメチル化誘導体を含む溶液の電子衝撃（ＥＩ）によ
るマススペクトルである。

【図１８】第１８図は実施例１７で合成したキヌレニン
のトリメチルシリル化誘導体を含む溶液のトータルイオ
ンクロマトグラム（ＴＩＣ）である。

【図１９】第１９図は実施例１７で合成したキヌレニン
のトリメチルシリル化誘導体を含む溶液の電子衝撃（Ｅ
Ｉ）によるマススペクトルである。

【図２０】第２０図は実施例１７で合成したキヌレニン
のトリメチルシリル化誘導体を含む溶液の炭素と水素と
窒素とケイ素のＡＥＤクロマトグラムである。

【図２１】第２１図は実施例１７で合成したキヌレニン
のトリメチルシリル化誘導体を含む溶液の赤外クロマト
グラム（ＩＲＣ）である。

【図２２】第２２図は図２１の成分（Ｉ）の赤外吸収ス
ペクトル（ＦＴＩＲ）である。

【図２３】第２３図は図２１の成分（II）の赤外吸収ス
ペクトル（ＦＴＩＲ）である。

【符号の説明】

１ 試料セル ２ 電磁誘導発熱性金属体からなる箔 ３ 保護セル ４ 高周波加熱コイル ５ 試料

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波電磁誘導加熱装置内に、反応性官
   能基を有する分子量１０００以下の有機低分子量化合物
   （Ａ）と該反応性官能基の修飾剤（Ｂ）とが封入され、
   かつ高周波電磁誘導加熱により該有機低分子量化合物
   （Ａ）の分解温度未満の温度まで発熱する電磁誘導発熱
   性金属体で覆われた試料セルを配し、該電磁誘導発熱性
   金属体を高周波電磁誘導加熱して該有機低分子量化合物
   （Ａ）中の反応性官能基を修飾剤（Ｂ）と反応させて修
   飾することを特徴とする有機低分子量化合物誘導体の合
   成方法。
2. 【請求項２】 電磁誘導発熱性金属体が、有機低分子量
   化合物（Ａ）の分解温度未満のキューリー温度を有する
   強磁性金属体ある請求項１記載の合成方法。
3. 【請求項３】 有機低分子量化合物（Ａ）と修飾剤
   （Ｂ）と共に有機溶剤を封入した試料セルを用い、該有
   機溶剤中で有機低分子量化合物（Ａ）中の反応性官能基
   を修飾剤（Ｂ）と反応させて修飾する請求項１又は２記
   載の合成方法。
4. 【請求項４】 電磁誘導発熱性金属体のキューリー温度
   が、５０〜３００℃である請求項１、２又は３記載の合
   成方法。
5. 【請求項５】 高周波電磁誘導加熱時間が、１〜１５分
   間である請求項４記載の合成方法。
6. 【請求項６】 有機低分子量化合物（Ａ）が水酸基、ア
   ミノ基、アミド基、イミノ基、カルボキシル基およびチ
   オール基からなる群から選ばれる１種以上の反応性官能
   基を有する有機低分子量化合物であり、かつ修飾剤
   （Ｂ）がシリル化剤又はアルキル化剤である請求項１、
   ２、３、４又は５記載の合成方法。
7. 【請求項７】 修飾剤（Ｂ）が、シリル化剤である請求
   項６記載の合成方法。
8. 【請求項８】 電磁誘導発熱性金属体で覆われた試料セ
   ルを、保護セルに入れて高周波電磁誘導加熱装置内に配
   する請求項１〜７のいずれか１つに記載の合成方法。
9. 【請求項９】 試料セルおよび保護セルが、ガラス製セ
   ルである請求項８記載の合成方法。
10. 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれか１つに記載の
    合成方法で得られた有機低分子量化合物誘導体を、分析
    試料として用いることを特徴とする有機低分子量化合物
    の分析方法。
11. 【請求項１１】 請求項１〜９のいずれか１つに記載の
    合成方法で得られた有機低分子量化合物誘導体を、ガス
    クロマトグラフィー（ＧＣ）に注入し、クロマトグラム
    を得ることを特徴とする有機低分子量化合物の分析方
    法。
12. 【請求項１２】 請求項１〜９のいずれか１つに記載の
    合成方法で得られた有機低分子量化合物誘導体を、ガス
    クロマトグラフィー−マススペクトロメーター（ＧＣ−
    ＭＳ）に注入し、マススペクトログラムを得ることを特
    徴とする有機低分子量化合物の分析方法。