JPH0898831A - リング状撮影装置 - Google Patents
リング状撮影装置Info
- Publication number
- JPH0898831A JPH0898831A JP6238005A JP23800594A JPH0898831A JP H0898831 A JPH0898831 A JP H0898831A JP 6238005 A JP6238005 A JP 6238005A JP 23800594 A JP23800594 A JP 23800594A JP H0898831 A JPH0898831 A JP H0898831A
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- JP
- Japan
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- scintillator
- ring shape
- detectors
- semiconductor
- radiation
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Nuclear Medicine (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リング状撮影装置において隣接する放射検出
器間の隙間をなくし、検出器の感度の低下を防ぐように
する。 【構成】 放射線検出器１はリング状に配置されてお
り、各放射線検出器は、半導体光検出素子２、複数のシ
ンチレータ３で構成されている。中央の放射線検出器よ
りも両側の放射線検出器の方が半導体光検出素子２の高
さＡ以上高くなるように配置されているので、隣接する
半導体光検出素子の端と端が当たらず各検出器を密に配
置できる。
器間の隙間をなくし、検出器の感度の低下を防ぐように
する。 【構成】 放射線検出器１はリング状に配置されてお
り、各放射線検出器は、半導体光検出素子２、複数のシ
ンチレータ３で構成されている。中央の放射線検出器よ
りも両側の放射線検出器の方が半導体光検出素子２の高
さＡ以上高くなるように配置されているので、隣接する
半導体光検出素子の端と端が当たらず各検出器を密に配
置できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、検出器がリング状に配
列された撮影装置に関する。
列された撮影装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】被検体の断層像を得るために、シングル
フォトンＥＣＴ装置やポジトロンＥＣＴ装置等が使用さ
れる。
フォトンＥＣＴ装置やポジトロンＥＣＴ装置等が使用さ
れる。
【０００３】例えば、シングルフォトンＥＣＴ装置は、
図３に示すように被検体３１の内部に注入されたアイソ
トープの崩壊よって、被検体内部から放出されるγ線
（ガンマ線）をコリメータ３２を介して放射線検出器３
３で検出し、電気信号に変換して画像化するものであ
る。
図３に示すように被検体３１の内部に注入されたアイソ
トープの崩壊よって、被検体内部から放出されるγ線
（ガンマ線）をコリメータ３２を介して放射線検出器３
３で検出し、電気信号に変換して画像化するものであ
る。
【０００４】被検体３１の断層像を得るためには被検体
内部から放出される３６０度方向のγ線を検出する必要
があるので、放射線検出器３３は被検体３１の回りにリ
ング状に配列されている。
内部から放出される３６０度方向のγ線を検出する必要
があるので、放射線検出器３３は被検体３１の回りにリ
ング状に配列されている。
【０００５】この放射線検出器３３の配列をさらに拡大
して詳しく示したのが図４である。放射線検出器３３は
ＡＰＤアレイ（アバランシェフォトダイオードアレイ）
等の半導体光検出素子３４と、ＢＧＯ等のシンチレータ
３５より構成されている。コリメータを通過したγ線が
図の矢印方向からシンチレータ３５に入射するとシンチ
レータ内で発光し、この光が半導体光検出素子３４で検
知されて電気信号となり、この信号が画像化される。
して詳しく示したのが図４である。放射線検出器３３は
ＡＰＤアレイ（アバランシェフォトダイオードアレイ）
等の半導体光検出素子３４と、ＢＧＯ等のシンチレータ
３５より構成されている。コリメータを通過したγ線が
図の矢印方向からシンチレータ３５に入射するとシンチ
レータ内で発光し、この光が半導体光検出素子３４で検
知されて電気信号となり、この信号が画像化される。
【０００６】一般に半導体光検出素子のような半導体セ
ンサにおいては、センサの電極間には逆バイアス電圧が
印加されており、この電圧により両電極間には電場が発
生するが、センサの周縁部はリークカレントの影響で電
場が乱れて正確に信号を検出することができなくなる。
ンサにおいては、センサの電極間には逆バイアス電圧が
印加されており、この電圧により両電極間には電場が発
生するが、センサの周縁部はリークカレントの影響で電
場が乱れて正確に信号を検出することができなくなる。
【０００７】したがって、被検体内部からのγ線を正確
に検出するためには、図４に示すように半導体光検出素
子３４の面積をシンチレータ３５のブロックの面積より
も広くとり、半導体光検出素子３４の周縁部ではシンチ
レータからの光が検出されないようにし、半導体光検出
素子３４のなるべく中心部で光を検出するようにしてい
る。
に検出するためには、図４に示すように半導体光検出素
子３４の面積をシンチレータ３５のブロックの面積より
も広くとり、半導体光検出素子３４の周縁部ではシンチ
レータからの光が検出されないようにし、半導体光検出
素子３４のなるべく中心部で光を検出するようにしてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
では、シンチレータブロックの面積よりも半導体光検出
素子３４の面積が大きいために、リング状に密に配列し
ようとすると、隣の半導体光検出素子３４の端同士が接
触してしまい、シンチレータブロックと隣のシンチレー
タブロックとの間には隙間ｄが生じてしまうので、γ線
がこの間隙ｄに入射した場合には、γ線が検出されず
に、感度の低下を招いていた。
では、シンチレータブロックの面積よりも半導体光検出
素子３４の面積が大きいために、リング状に密に配列し
ようとすると、隣の半導体光検出素子３４の端同士が接
触してしまい、シンチレータブロックと隣のシンチレー
タブロックとの間には隙間ｄが生じてしまうので、γ線
がこの間隙ｄに入射した場合には、γ線が検出されず
に、感度の低下を招いていた。
【０００９】本発明は、上記課題を解決するために創案
されたもので、シンチレータブロック間の隙間をなく
し、感度を向上させることができるリング状撮影装置を
提供するものである。
されたもので、シンチレータブロック間の隙間をなく
し、感度を向上させることができるリング状撮影装置を
提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のリング状撮影装置は、放射線を検出するシ
ンチレ−タと、シンチレ−タからの光が導かれる半導体
光検出素子とが接続されるとともに検出部分の面積がシ
ンチレ−タより半導体光検出素子の面積が大きく形成さ
れた検出器が多数隣接してリング状に配置され、隣接検
出器相互の高さまたは取り付け位置を異なるようにした
ことを特徴としている。
に、本発明のリング状撮影装置は、放射線を検出するシ
ンチレ−タと、シンチレ−タからの光が導かれる半導体
光検出素子とが接続されるとともに検出部分の面積がシ
ンチレ−タより半導体光検出素子の面積が大きく形成さ
れた検出器が多数隣接してリング状に配置され、隣接検
出器相互の高さまたは取り付け位置を異なるようにした
ことを特徴としている。
【００１１】
【作用】隣接検出器相互の高さまたは取り付け位置を変
えると、隣り合う半導体光検出素子同士がぶつかり合わ
ず、各半導体光検出素子の端が交互に上下に重なるよう
になり、これを円弧状に配列することでシンチレータ部
分は密に配列することができ、検出器の感度の低下を防
ぐことができる。
えると、隣り合う半導体光検出素子同士がぶつかり合わ
ず、各半導体光検出素子の端が交互に上下に重なるよう
になり、これを円弧状に配列することでシンチレータ部
分は密に配列することができ、検出器の感度の低下を防
ぐことができる。
【００１２】
【実施例】本発明の一実施例を、以下、図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１３】図１は本発明によるリング状撮影装置の構
成図を示している。
成図を示している。
【００１４】１は放射線検出器、２はアバランシェフォ
トダイオードアレイやフォトダイオードアレイ等の半導
体光検出素子、３はＮａＩやＢＧＯ等のシンチレータで
ある。 放射線検出器１は半導体光検出素子２と複数の
シンチレータ３とで構成されており、各シンチレータと
半導体光検出素子とが一対一に対応するように、半導体
光検出素子２は小さな検出素子がシンチレータの個数分
だけ並べられているタイプか、または大きな一枚の検出
素子に電極のみがシンチレータの個数分形成されている
タイプのものである。
トダイオードアレイやフォトダイオードアレイ等の半導
体光検出素子、３はＮａＩやＢＧＯ等のシンチレータで
ある。 放射線検出器１は半導体光検出素子２と複数の
シンチレータ３とで構成されており、各シンチレータと
半導体光検出素子とが一対一に対応するように、半導体
光検出素子２は小さな検出素子がシンチレータの個数分
だけ並べられているタイプか、または大きな一枚の検出
素子に電極のみがシンチレータの個数分形成されている
タイプのものである。
【００１５】また、すべての放射線検出器は図示してい
ないが、放射線検出器１は被検体の回りにリング状に配
列されている。
ないが、放射線検出器１は被検体の回りにリング状に配
列されている。
【００１６】この各放射線検出器１の高さＤはすべて同
じであり、各半導体光検出素子２の高さＡもすべて同じ
である。高さＡは通常５mm程度であるので、隣接する半
導体光検出素子の端と端が当たらないように、隣接する
一方の放射線検出器を５mm以上ずらせて配置し、これを
交互に配置したのが図の状態である。
じであり、各半導体光検出素子２の高さＡもすべて同じ
である。高さＡは通常５mm程度であるので、隣接する半
導体光検出素子の端と端が当たらないように、隣接する
一方の放射線検出器を５mm以上ずらせて配置し、これを
交互に配置したのが図の状態である。
【００１７】被検体内部から放射されたγ線はシンチレ
ータに入射し、光に変換されてこの光が半導体光検出素
子で受光されるが、隣接する放射線検出器の各シンチレ
ータブロックの間にはほとんど隙間が生じないので、γ
線の計数漏れがほとんどなく感度の低下を防ぐことがで
きる。
ータに入射し、光に変換されてこの光が半導体光検出素
子で受光されるが、隣接する放射線検出器の各シンチレ
ータブロックの間にはほとんど隙間が生じないので、γ
線の計数漏れがほとんどなく感度の低下を防ぐことがで
きる。
【００１８】図２は他の実施例を示したものである。
【００１９】放射線検出器１は図１と同様に半導体光検
出素子２、複数のシンチレータ３で構成されているが、
図の中央の放射線検出器のシンチレータの高さはＨ１で
あり、両側の放射線検出器のシンチレータの高さはＨ２
であり、各半導体光検出素子の高さはＡである。
出素子２、複数のシンチレータ３で構成されているが、
図の中央の放射線検出器のシンチレータの高さはＨ１で
あり、両側の放射線検出器のシンチレータの高さはＨ２
であり、各半導体光検出素子の高さはＡである。
【００２０】Ｈ１はＨ２よりもＡ以上高くするように構
成されている。したがって、各半導体光検出素子の端と
端が当たらず、各シンチレータブロックの下面はリング
形状になめらかに揃うとともに、ほとんど隙間が生じな
いので、図１のように隣接するシンチレータブロックの
下面が凹凸になることがなく、γ線がこの凹凸によって
遮られることはない。
成されている。したがって、各半導体光検出素子の端と
端が当たらず、各シンチレータブロックの下面はリング
形状になめらかに揃うとともに、ほとんど隙間が生じな
いので、図１のように隣接するシンチレータブロックの
下面が凹凸になることがなく、γ線がこの凹凸によって
遮られることはない。
【００２１】ところで、検出器を直線状に配列した装置
でも上記と同様に構成することができるが、直線状に配
列した場合には、少なくとも一方の半導体光検出素子の
端はシンチレータに当たることになるので、横方向には
その分だけ隙間生じ、不感領域を従来の１／２にするこ
とはできるものの、それ以下にはできない。円弧状に配
列した場合には各放射線検出器は円中心に対して角度を
持つので、不感領域を従来の１／２以下にすることがで
き、その効果は大きい。
でも上記と同様に構成することができるが、直線状に配
列した場合には、少なくとも一方の半導体光検出素子の
端はシンチレータに当たることになるので、横方向には
その分だけ隙間生じ、不感領域を従来の１／２にするこ
とはできるものの、それ以下にはできない。円弧状に配
列した場合には各放射線検出器は円中心に対して角度を
持つので、不感領域を従来の１／２以下にすることがで
き、その効果は大きい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のリング状
撮影装置によれば、隣接する放射線検出器の高さまたは
取り付け位置を変えることで、隣接する半導体光検出素
子の端と端が接触することなく配置することができ、検
出器間の隙間をほとんどなくすることができるので、検
出器の感度の低下を防ぐことができる。
撮影装置によれば、隣接する放射線検出器の高さまたは
取り付け位置を変えることで、隣接する半導体光検出素
子の端と端が接触することなく配置することができ、検
出器間の隙間をほとんどなくすることができるので、検
出器の感度の低下を防ぐことができる。
【図１】本発明の一実施例のリング状撮影装置を示す図
である。
である。
【図２】本発明の他の実施例のリング状撮影装置を示す
図である。
図である。
【図３】シングルフォトンＥＣＴ装置の概略構成を示す
図である。
図である。
【図４】従来のリング状撮影装置を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 放射線を検出するシンチレ−タと、シン
チレ−タからの光が導かれる半導体光検出素子とが接続
されるとともに検出部分の面積がシンチレ−タより半導
体光検出素子の面積が大きく形成された検出器が多数隣
接してリング状に配置されている装置において、隣接検
出器相互の高さまたは取り付け位置を異なるようにした
ことを特徴とするリング状撮影装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6238005A JPH0898831A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | リング状撮影装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6238005A JPH0898831A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | リング状撮影装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0898831A true JPH0898831A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17023729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6238005A Pending JPH0898831A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | リング状撮影装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0898831A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009282033A (ja) * | 2009-07-13 | 2009-12-03 | Toshiba Corp | Ｘ線コンピュータ断層撮影装置及びｘ線検出装置製造方法 |
| JP2015161594A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 日立アロカメディカル株式会社 | 放射線検出器 |
| KR101586973B1 (ko) * | 2015-01-08 | 2016-01-20 | 연세대학교 원주산학협력단 | 디지털 3차원 반응 깊이 측정을 위한 양전자방출 단층촬영장치용 검출기 모듈 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP6238005A patent/JPH0898831A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009282033A (ja) * | 2009-07-13 | 2009-12-03 | Toshiba Corp | Ｘ線コンピュータ断層撮影装置及びｘ線検出装置製造方法 |
| JP2015161594A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 日立アロカメディカル株式会社 | 放射線検出器 |
| KR101586973B1 (ko) * | 2015-01-08 | 2016-01-20 | 연세대학교 원주산학협력단 | 디지털 3차원 반응 깊이 측정을 위한 양전자방출 단층촬영장치용 검출기 모듈 |
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