JPH0897438A - Semiconductor sensor and its manufacture - Google Patents
Semiconductor sensor and its manufactureInfo
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- JPH0897438A JPH0897438A JP23180894A JP23180894A JPH0897438A JP H0897438 A JPH0897438 A JP H0897438A JP 23180894 A JP23180894 A JP 23180894A JP 23180894 A JP23180894 A JP 23180894A JP H0897438 A JPH0897438 A JP H0897438A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体センサ及びその製
造方法に関し、より詳細には、マイクロマシーニング分
野における金属配線形成部分の気密封止構造を実現した
半導体センサ及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor sensor and a method of manufacturing the same, and more particularly to a semiconductor sensor which realizes a hermetically sealing structure of a metal wiring forming portion in the field of micromachining and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、圧力センサ等、種々の半導体センサにおいて、例え
ば、シリコン基板とガラス板とにより接合封止した内部
から、気密封止の状態を保持したまま電気配線を取り出
すことが必要な場合がある。このような場合には、図５
〜図７に示したような方法が採られていることが培風館
「マイクロマシニングとマイクロメカトロニクス」に記
載されている。つまり、シリコン基板１１とガラス板１
２とにより気密封止した部分１３を形成し、その内部の
配線である拡散層１４に、金属配線１５を接続し、電気
エネルギーを外部に取り出す方法である。2. Description of the Related Art Conventionally, in various semiconductor sensors such as a pressure sensor, for example, a hermetically sealed state is maintained from the inside which is bonded and sealed by, for example, a silicon substrate and a glass plate. It may be necessary to take out the electrical wiring as it is. In such a case, FIG.
~ It is described in Baifukan "Micromachining and Micromechatronics" that the method shown in Fig. 7 is adopted. That is, the silicon substrate 11 and the glass plate 1
2 is a method of forming an airtightly sealed portion 13 and connecting a metal wiring 15 to a diffusion layer 14 which is a wiring inside thereof to take out electric energy to the outside.
【０００３】しかし、上記のような配線構造ではシリコ
ン基板１１の表面層に、配線となる拡散層１４を形成す
る際、シリコン基板１１表面に僅かな段差（図６中Ｚ）
が生じることとなり、この配線上に金属配線１５を接続
し、その上にガラス板１２をのせる場合に、隙間が生じ
ることとなるという問題があった。これに対して、図８
及び図９に示すような方法が、さらに培風館「マイクロ
マシニングとマイクロメカトロニクス」に記載されてい
る。つまり、シリコン基板２１上にガラス板２２を陽極
接合して、気密封止を行ったのち、シリコン基板２１に
形成された拡散層２３上であって、ガラス板２２にシリ
コン基板２１まで貫通する孔を開け、この孔の側面及び
底面全面に金属膜２４を形成して、拡散層２３と金属膜
２４とを接続する。そして、さらにこの孔に半田又は導
電性エポキシ樹脂等の導電材料２５を埋設し、リード線
２６を差し込むことにより、電気配線を取り出す。However, in the wiring structure as described above, when the diffusion layer 14 to be a wiring is formed on the surface layer of the silicon substrate 11, a slight step (Z in FIG. 6) is formed on the surface of the silicon substrate 11.
When the metal wiring 15 is connected to this wiring and the glass plate 12 is placed thereon, there is a problem that a gap is generated. On the other hand, FIG.
And the method as shown in FIG. 9 is further described in Baifukan "Micromachining and Micromechatronics". That is, after the glass plate 22 is anodically bonded onto the silicon substrate 21 and hermetically sealed, a hole penetrating the glass plate 22 to the silicon substrate 21 is formed on the diffusion layer 23 formed on the silicon substrate 21. Then, a metal film 24 is formed on the entire side surface and bottom surface of this hole to connect the diffusion layer 23 and the metal film 24. Then, a conductive material 25 such as solder or a conductive epoxy resin is further embedded in this hole, and a lead wire 26 is inserted to take out an electric wiring.
【０００４】このような方法にすることにより、拡散層
２４の縁の部分からの外部との接触がなくなり、シリコ
ン基板２１とガラス板２２とによる気密封止のもれの問
題を解決することができる。しかし、上記の方法では、
電気配線を取り出す側のガラス板２２に貫通孔を形成す
る工程が必要となり、製造工程が煩雑になるという課題
があった。By adopting such a method, contact with the outside from the edge portion of the diffusion layer 24 is eliminated, and the problem of leakage of hermetic sealing by the silicon substrate 21 and the glass plate 22 can be solved. it can. But with the above method,
There is a problem that a step of forming a through hole in the glass plate 22 on the side where the electric wiring is taken out is required, and the manufacturing process becomes complicated.
【０００５】また、貫通孔は、通常、用いるガラス板の
厚みに相当する高さ、例えば１００〜５００μｍの高さ
を有するので、この貫通孔の内面全面に隙間なく金属膜
２４を連続的に形成する必要がある。しかし、貫通孔の
底部のコーナー部分に段切れを生じることがあり、この
ような段切れを防止するための、難度の高いプロセスが
必要となるという課題があった。Further, since the through hole usually has a height corresponding to the thickness of the glass plate used, for example, a height of 100 to 500 μm, the metal film 24 is continuously formed on the entire inner surface of the through hole without a gap. There is a need to. However, there is a problem in that a step break may occur at a corner portion at the bottom of the through hole, and a highly difficult process is required to prevent such a step break.
【０００６】さらに、電気配線は、ガラス板２２の上方
にしか取り出せず、電気配線を取り出す方向が１方向に
限られるため、センサの構造に制約を課すという問題も
あった。本発明は上記問題を解決しようとするもので、
電気配線を取り出す方向が限定されないとともに、完全
な気密封止が実現された半導体センサ及びその製造方法
を提供するものである。Further, since the electric wiring can be taken out only above the glass plate 22 and the electric wiring can be taken out in only one direction, there is a problem that the structure of the sensor is restricted. The present invention is intended to solve the above problems,
It is intended to provide a semiconductor sensor in which the direction of taking out the electric wiring is not limited, and a complete hermetic sealing is realized, and a manufacturing method thereof.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、少なく
とも一方の基板が半導体からなるとともに、少なくとも
一方の基板の主表面に凹部が形成され、前記２枚の基板
が接合されて形成される気密部、前記基板に挟持され前
記気密部から取り出される金属配線及び該金属配線と基
板との間に形成される隙間部を埋設する金属膜とからな
る半導体センサが提供される。According to the present invention, at least one substrate is made of a semiconductor, and a recess is formed in the main surface of at least one substrate, and the two substrates are joined together. There is provided a semiconductor sensor including an airtight portion, a metal wiring sandwiched between the substrates and taken out from the airtight portion, and a metal film filling a gap portion formed between the metal wiring and the substrate.
【０００８】また本発明の製造方法によれば、(i) 少な
くとも一方の基板が半導体からなるとともに、少なくと
も一方の基板の主表面に凹部を有する２枚の基板のいず
れかの基板上に金属配線を形成し、(ii)該金属配線が形
成された基板面に他方の基板を接合し、(iii) 前記２枚
の基板と金属配線との間に形成される隙間部に、集束イ
オンビームにより金属膜を部分的に蒸着して、前記基板
に形成された凹部を気密封止する半導体センサの製造方
法が提供される。Further, according to the manufacturing method of the present invention, (i) at least one substrate is made of a semiconductor, and metal wiring is provided on any one of the two substrates having a recess on the main surface of at least one substrate. And (ii) joining the other substrate to the surface of the substrate on which the metal wiring is formed, and (iii) using a focused ion beam in the gap formed between the two substrates and the metal wiring. A method for manufacturing a semiconductor sensor is provided, in which a metal film is partially vapor-deposited to hermetically seal a recess formed in the substrate.
【０００９】本発明における半導体センサとしては、圧
力センサ、フローセンサ等のように気密部を有するとと
もに、気密部から外部に引き出された配線層を有するも
のであり、気密された空間内でセンシングを行うことが
できるものであれば、特に限定されるものではない。ま
た、本発明において用いる基板としては、２枚の基板の
うち、少なくとも一方が半導体基板であることが好まし
く、一方が半導体基板であれば、他方の基板は特に限定
されるものではなく、ガラス基板、プラスチック基板等
を使用することができる。また、２枚の基板のうち、両
方が半導体基板であってもよい。さらに、２枚の基板の
うち、いずれか一方の基板の表面に凹部が形成されてい
る必要があり、このような場合には、一方の基板表面
に、他方の基板を接合することにより、気密部が構成さ
れることとなる。しかし、さらに別の基板を用いて気密
部を構成してもよい。The semiconductor sensor in the present invention has an airtight portion such as a pressure sensor and a flow sensor, and also has a wiring layer which is drawn out from the airtight portion, so that the sensing can be performed in an airtight space. There is no particular limitation as long as it can be performed. As the substrate used in the present invention, it is preferable that at least one of the two substrates is a semiconductor substrate, and if one is a semiconductor substrate, the other substrate is not particularly limited. , A plastic substrate or the like can be used. Further, both of the two substrates may be semiconductor substrates. Further, it is necessary that a recess is formed on the surface of either one of the two substrates. In such a case, by joining the other substrate to the surface of one substrate, the airtightness can be improved. Parts will be configured. However, the airtight portion may be configured by using another substrate.
【００１０】本発明においては、上記の基板のいずれか
の上に金属配線が形成される。この金属配線は気密部か
ら外部に取り出される金属配線であって、気密部の内部
では、例えば半導体基板に形成された不純物拡散層等に
接続されている。この金属配線は、公知の方法、例えば
蒸着法及びスパッタリング法等により堆積することがで
き、フォトリソグラフィ工程及びエッチング法等により
所望の形状にパターニングすることができる。金属配線
の材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｎ
ｂ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｇａ等を用いるこ
とができる。その際の膜厚は、形成される半導体センサ
の大きさ等により適宜調整することができるが、圧力セ
ンサとして用いる場合には、例えば１０００〜２０００
Å程度が好ましい。In the present invention, metal wiring is formed on any of the above substrates. The metal wiring is a metal wiring taken out from the airtight portion, and is connected to, for example, an impurity diffusion layer formed on the semiconductor substrate inside the airtight portion. This metal wiring can be deposited by a known method such as a vapor deposition method and a sputtering method, and can be patterned into a desired shape by a photolithography process, an etching method and the like. Examples of the material for the metal wiring include Al, Au, Cu, Si, N
b, Ti, Ge, Co, Ni, Ag, Ga or the like can be used. The film thickness at that time can be appropriately adjusted depending on the size of the semiconductor sensor to be formed, etc., but when used as a pressure sensor, for example, 1000 to 2000
Å is preferable.
【００１１】さらに、上記金属配線は、少なくとも２枚
の基板が接合されて形成された気密部から外部に取り出
されるものであり、２枚の基板に挟持されている。その
際に、２枚の基板と金属配線との間、特に金属配線の側
面近傍に金属配線の膜厚分の隙間部が生じることとなる
が、本発明においては、この隙間部は、金属膜により埋
設されている。この金属膜の材料は、上記金属配線と同
様に、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｔｉ、
Ｇｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｇａ等を用いることができ
る。この金属膜は、集束イオンビーム（ＦＩＢ）成膜法
により形成することが好ましい。ＦＩＢとしては、金属
膜となるガスを供給する一般的なＦＩＢアシストデポジ
ションであってもよいし、液体金属イオン源を用いたＦ
ＩＢ直接蒸着（特開平５−２９９７１６号公報）であっ
てもよい。ＦＩＢの条件等は、用いる基板、金属配線の
厚さ等により適宜調整することができるが、基板と金属
配線との間の隙間部を完全に被覆する大きさ及び厚さで
あればよいので、例えば、ビームサイズは、直径１０μ
ｍ程度、成膜レートは約２００Å／ｓｅｃ程度、成膜時
間は１０秒間程度が好ましい。Furthermore, the metal wiring is taken out to the outside from an airtight portion formed by joining at least two substrates, and is sandwiched between the two substrates. At that time, a gap corresponding to the film thickness of the metal wiring is generated between the two substrates and the metal wiring, particularly in the vicinity of the side surface of the metal wiring. In the present invention, this gap is a metal film. It is buried by. The material of this metal film is, for example, Al, Au, Cu, Si, Nb, Ti, as in the case of the metal wiring.
Ge, Co, Ni, Ag, Ga or the like can be used. This metal film is preferably formed by a focused ion beam (FIB) film formation method. The FIB may be a general FIB assisted deposition that supplies a gas to be a metal film, or an F using a liquid metal ion source.
IB direct vapor deposition (Japanese Patent Laid-Open No. 5-299716) may be used. The FIB conditions and the like can be appropriately adjusted depending on the substrate to be used, the thickness of the metal wiring, etc., as long as they are of a size and thickness that completely cover the gap between the substrate and the metal wiring, For example, the beam size is 10μ in diameter
m, the film forming rate is preferably about 200Å / sec, and the film forming time is preferably about 10 seconds.
【００１２】[0012]
【作用】本発明の半導体センサによれば、金属配線の凹
凸に起因する基板と金属配線との間に生じる隙間部が完
全に被覆された半導体センサが得られる。また、本発明
の半導体センサの製造方法によれば、ＦＩＢにより、問
題となる基板と金属配線との間の隙間部のみが、効率よ
く被覆されることとなる。According to the semiconductor sensor of the present invention, it is possible to obtain a semiconductor sensor in which the gap between the substrate and the metal wiring caused by the unevenness of the metal wiring is completely covered. Further, according to the method for manufacturing a semiconductor sensor of the present invention, only the gap between the substrate and the metal wiring, which is a problem, is efficiently covered by the FIB.
【００１３】[0013]
【実施例】本発明の半導体センサの実施例を図面に基づ
いて説明する。図１〜図４は、圧力センサ１の要部を示
す図である。この圧力センサ１は、一方が基準圧室２
（例えば真空）に面し、もう一方に測定圧がかかるダイ
ヤフラム３の変形量を、周囲に形成された抵抗層の抵抗
値変化として取り出す方式のものである。このような圧
力センサ１は、予め抵抗層となる抵抗領域４ａ、この抵
抗領域４ａに連続して形成されたコントクト領域４ｂに
接続された金属配線５及びダイヤフラム３が形成された
シリコン基板６と、基準圧室２となる凹部が形成された
ガラス板７（例えば、ＨＯＹＡ（株）社製ＳＤ−２）と
が陽極接合されて構成されている。また、図３及び図３
中のＸを拡大した図４に示すように、金属配線５を挟持
するシリコン基板６とガラス板７との間であって金属配
線５側部近傍に、金属膜８が形成されている。Embodiments of the semiconductor sensor of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 to 4 are diagrams showing a main part of the pressure sensor 1. One of the pressure sensors 1 is a reference pressure chamber 2
This is a method in which the deformation amount of the diaphragm 3 facing (for example, vacuum) and to which the measurement pressure is applied to the other side is extracted as a change in the resistance value of the resistance layer formed in the periphery. Such a pressure sensor 1 includes a silicon substrate 6 on which a resistance region 4a to be a resistance layer in advance, a metal wiring 5 connected to a contact region 4b continuously formed on the resistance region 4a, and a diaphragm 3 are formed, A glass plate 7 (for example, SD-2 manufactured by HOYA Co., Ltd.) in which a concave portion serving as the reference pressure chamber 2 is formed is anodically bonded. 3 and FIG.
As shown in FIG. 4 in which X inside is enlarged, a metal film 8 is formed between the silicon substrate 6 and the glass plate 7 that sandwich the metal wiring 5 and near the side of the metal wiring 5.
【００１４】このように構成された圧力センサの製造方
法を以下に示す。まず、ｎ型シリコン基板６に、ボロン
を熱拡散し、コンタクト領域４ｂを形成する。続いて、
ボロン等のイオンをエネルギー５０ＫｅＶにて１×１０
13ｉｏｎｓ／ｃｍ2 注入し、活性化アニールを施すこと
により抵抗層となる抵抗領域４ａを形成する。次いで、
感圧部となるダイヤフラムを異方性エッチングによって
数μｍ〜数１０μｍ程度の薄さに加工する。A method of manufacturing the pressure sensor thus configured will be described below. First, boron is thermally diffused in the n-type silicon substrate 6 to form the contact region 4b. continue,
Ion such as boron at energy of 50 KeV 1 × 10
By implanting 13 ions / cm 2 and performing activation annealing, a resistance region 4a to be a resistance layer is formed. Then
The diaphragm, which will be the pressure-sensitive portion, is processed by anisotropic etching to a thinness of about several μm to several tens of μm.
【００１５】その後、シリコン基板６上であって、コン
タクト領域４ｂと接続する位置に金属配線５として、例
えばＡｌ膜を、真空蒸着により膜厚２０００Å程度で形
成し、所望の形状に加工する。続いて、金属配線５、抵
抗領域４ａ、コンタクト領域４ｂ及びダイヤフラム３が
形成されたシリコン基板６とガラス板７とを陽極接合す
る。この際、シリコン基板６の金属配線５の凹凸を反映
して、ガラス板７はたわみながら接合されることとな
り、図１及び図３に示したように、金属配線５の側部Ｘ
に隙間が生じる。After that, for example, an Al film is formed as a metal wiring 5 on the silicon substrate 6 at a position to be connected to the contact region 4b by vacuum vapor deposition to have a film thickness of about 2000 Å and processed into a desired shape. Then, the glass substrate 7 and the silicon substrate 6 on which the metal wiring 5, the resistance region 4a, the contact region 4b, and the diaphragm 3 are formed are anodically bonded. At this time, the glass plate 7 is joined while bending while reflecting the unevenness of the metal wiring 5 of the silicon substrate 6, and as shown in FIGS. 1 and 3, the side portion X of the metal wiring 5 is formed.
There is a gap in.
【００１６】次いで、図４に示したように、この隙間に
対して、ＦＩＢにより金属膜８を蒸着する。この際のＦ
ＩＢでの成膜レートは、例えば、直径１０μｍのビーム
サイズで約２００Å／秒である。金属配線の厚みは、通
常数１０００Å、上記の場合は２０００Åであるので、
Ｘ部の隙間は、□２０００Å程度である。つまり、ＦＩ
Ｂのビームサイズよりも、隙間の面積ははるかに小さ
く、この隙間を埋めるための金属膜８の膜厚は約２００
０Åで十分であるので、隙間１個を被膜するのに必要な
成膜時間は約１０秒間である。なお。この隙間への金属
膜の堆積は、左右の隙間を埋設するために、連続的に行
ってもよい。Next, as shown in FIG. 4, a metal film 8 is vapor-deposited by FIB in this gap. F at this time
The film formation rate in IB is, for example, about 200 Å / sec with a beam size of 10 μm in diameter. Since the thickness of the metal wiring is usually several thousand Å, in the above case it is 2,000
The gap in the X part is about 2000 Å. That is, FI
The area of the gap is much smaller than the beam size of B, and the film thickness of the metal film 8 for filling the gap is about 200.
Since 0Å is sufficient, the film formation time required to coat one gap is about 10 seconds. Incidentally. The deposition of the metal film in the gap may be continuously performed so as to fill the left and right gaps.
【００１７】上記実施例のように、シリコン基板とガラ
ス板とで気密封止された圧力センサにおいて、シリコン
基板とガラス板との間から金属配線が取り出され、金属
配線側部近傍に金属膜が形成されているので、シリコン
基板とガラス板との間であって、金属配線側部近傍に生
じる隙間を、金属膜で完全にふさぐことができ、完全に
気密封止された圧力センサが得られる。また、拡散層の
形成位置、金属配線の形成位置等を適宜選択することに
より、例えば、ガラス側に金属配線を形成し、ガラスが
シリコン基板よりも大きければ、金属配線の取り出しは
一方向に制限されず、任意の方向に取り出すことができ
る。In the pressure sensor hermetically sealed by the silicon substrate and the glass plate as in the above embodiment, the metal wiring is taken out between the silicon substrate and the glass plate, and the metal film is formed near the side of the metal wiring. Since it is formed, the gap between the silicon substrate and the glass plate, which is formed in the vicinity of the metal wiring side portion, can be completely filled with the metal film, and a pressure sensor that is completely hermetically sealed can be obtained. . Further, by appropriately selecting the formation position of the diffusion layer, the formation position of the metal wiring, etc., for example, if the metal wiring is formed on the glass side and the glass is larger than the silicon substrate, the extraction of the metal wiring is limited to one direction. Instead, it can be taken out in any direction.
【００１８】[0018]
【発明の効果】本発明の半導体センサによれば、金属配
線の凹凸に起因する基板と金属配線との間に生じる隙間
部を完全に被覆することができ、半導体センサ等の気密
配線が可能となる。また、このような気密配線方式を採
用することにより、金属配線の取り出し方向が限定され
ず、半導体センサの設計の際に、金属配線の位置による
拘束がなくなり、任意の形状の半導体センサを得ること
ができる。According to the semiconductor sensor of the present invention, the gap portion between the substrate and the metal wiring caused by the unevenness of the metal wiring can be completely covered, and the airtight wiring of the semiconductor sensor or the like can be realized. Become. Further, by adopting such an airtight wiring method, the direction of taking out the metal wiring is not limited, and when designing the semiconductor sensor, there is no restriction by the position of the metal wiring, and a semiconductor sensor of any shape can be obtained You can
【００１９】また、本発明の半導体センサの製造方法に
よれば、ＦＩＢを利用するので、問題となる基板と金属
配線との間の隙間部のみを、集中して効率よく成膜する
ことができ、完全な気密構造を有する半導体センサを製
造することができる。また、基板どうしの接合後のよう
に、段差のある構造に対しても成膜が可能であるので、
気密構造を有する半導体センサを効率よく製造すること
ができる。Further, according to the method of manufacturing a semiconductor sensor of the present invention, since the FIB is utilized, only the gap between the substrate and the metal wiring, which is a problem, can be concentrated and the film can be formed efficiently. It is possible to manufacture a semiconductor sensor having a completely airtight structure. Further, since it is possible to form a film even on a structure having a step, such as after the substrates are joined together,
A semiconductor sensor having an airtight structure can be efficiently manufactured.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明の半導体センサの実施例である圧力セン
サの金属配線部分を示した概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing a metal wiring portion of a pressure sensor which is an embodiment of a semiconductor sensor of the present invention.
【図２】図１のＡ−Ａ′線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
【図３】図１のＢ−Ｂ′線断面図である。3 is a sectional view taken along line BB ′ of FIG.
【図４】図３におけるＸ部の概略拡大図である。FIG. 4 is a schematic enlarged view of a portion X in FIG.
【図５】従来の圧力センサの金属配線部分を示した概略
平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view showing a metal wiring portion of a conventional pressure sensor.
【図６】図５のＡ−Ａ′線断面図である。6 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
【図７】図５のＢ−Ｂ′線断面図である。7 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG.
【図８】従来の別の圧力センサの金属配線部分を示した
概略平面図である。FIG. 8 is a schematic plan view showing a metal wiring portion of another conventional pressure sensor.
【図９】図８のＡ−Ａ′線断面図である。9 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
１ 圧力センサ（半導体センサ） ２ 基準圧室（気密部） ３ ダイヤフラム ４ａ 抵抗領域 ４ｂ コンタクト領域 ５ 金属配線 ６ シリコン基板（基板） ７ ガラス板（基板） ８ 金属膜 1 Pressure Sensor (Semiconductor Sensor) 2 Reference Pressure Chamber (Airtight Section) 3 Diaphragm 4a Resistance Region 4b Contact Region 5 Metal Wiring 6 Silicon Substrate (Substrate) 7 Glass Plate (Substrate) 8 Metal Film
Claims (2)
とともに、少なくとも一方の基板の主表面に凹部が形成
され、前記２枚の基板が接合されて形成される気密部、
前記基板に挟持され前記気密部から取り出される金属配
線及び該金属配線と基板との間に形成される隙間部を埋
設する金属膜とからなることを特徴とする半導体セン
サ。1. An airtight portion in which at least one substrate is made of a semiconductor, a concave portion is formed on a main surface of at least one substrate, and the two substrates are joined to each other.
A semiconductor sensor comprising: a metal wire sandwiched between the substrate and taken out from the airtight portion; and a metal film filling a gap formed between the metal wire and the substrate.
なるとともに、少なくとも一方の基板の主表面に凹部を
有する２枚の基板のいずれかの基板上に金属配線を形成
し、 (ii)該金属配線が形成された基板面に他方の基板を接合
し、 (iii) 前記２枚の基板と金属配線との間に形成される隙
間部に、集束イオンビームにより金属膜を部分的に成膜
して、前記基板に形成された凹部を気密封止することを
特徴とする半導体センサの製造方法。2. (i) At least one substrate is made of a semiconductor, and metal wiring is formed on one of the two substrates having a concave portion on the main surface of at least one substrate, (ii) The other substrate is joined to the surface of the substrate on which the metal wiring is formed, and (iii) a metal film is partially formed by a focused ion beam in the gap formed between the two substrates and the metal wiring. Then, the recess formed in the substrate is hermetically sealed, and the method for manufacturing a semiconductor sensor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23180894A JP3329089B2 (en) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | Semiconductor sensor and method of manufacturing the same |
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|---|---|---|---|
| JP23180894A JP3329089B2 (en) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | Semiconductor sensor and method of manufacturing the same |
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| JPH0897438A true JPH0897438A (en) | 1996-04-12 |
| JP3329089B2 JP3329089B2 (en) | 2002-09-30 |
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ID=16929347
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| Country | Link |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1555517A2 (en) * | 2004-01-16 | 2005-07-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Capacitive pressure sensor |
| JP2007237038A (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Kobe Steel Ltd | Complex substrate with internal space |
| JP2019005853A (en) * | 2017-06-26 | 2019-01-17 | 株式会社日立製作所 | Method for manufacturing mems sensor |
-
1994
- 1994-09-27 JP JP23180894A patent/JP3329089B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1555517A2 (en) * | 2004-01-16 | 2005-07-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Capacitive pressure sensor |
| EP1555517A3 (en) * | 2004-01-16 | 2008-12-31 | Alps Electric Co., Ltd. | Capacitive pressure sensor |
| JP2007237038A (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Kobe Steel Ltd | Complex substrate with internal space |
| JP2019005853A (en) * | 2017-06-26 | 2019-01-17 | 株式会社日立製作所 | Method for manufacturing mems sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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