JPH0896358A - Production of magnetic recording medium - Google Patents

Production of magnetic recording medium

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JPH0896358A
JPH0896358A JP22789894A JP22789894A JPH0896358A JP H0896358 A JPH0896358 A JP H0896358A JP 22789894 A JP22789894 A JP 22789894A JP 22789894 A JP22789894 A JP 22789894A JP H0896358 A JPH0896358 A JP H0896358A
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JP
Japan
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tray
substrate
film forming
recording medium
magnetic recording
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Application number
JP22789894A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Fujimoto
一男 藤本
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Publication date
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Publication of JPH0896358A publication Critical patent/JPH0896358A/en
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Abstract

PURPOSE: To efficiently remove dust in the state of continuing operation and to form a high-quality magnetic recording medium at a high yield with good productivity by blowing desired gaseous flow to a tray for mounting substrates moving from a film forming device, thereby subjecting this tray to a dustproofing treatment. CONSTITUTION: The tray 1A of the substrate holder 1 mounting a disk-shaped substrate 2 in a substrate mounting chamber 1 is supplied to a sputtering chamber 13, where a protective film of carbon hydride is formed by vapor deposition on the magnetic layer of the substrate 2. The holder 1 unloaded from a conveyor in an unloading chamber 15 is passed through a conveyor 16 and a return line 17 to a dustproofing device 20, where ultrasonic vibrating gaseous flow is blown to the tray 1A and the tray is subjected to the dustproofing treatment. The tray 1A from which the substrates are removed in a substrate detaching chamber is recirculated. As a result, the dust on the tray 1A is efficiently removed in the state of continuing the operation and the film forming error is prevented. The high-quality magnetic recording medium is thus efficiently formed at a high yield with good productivity.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体の製造方法
に関する。詳しくは、成膜装置内を循環移動するトレー
上に基板を装着して成膜することにより磁気記録媒体を
製造する方法の改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a magnetic recording medium. More specifically, the present invention relates to an improvement in a method for manufacturing a magnetic recording medium by mounting a substrate on a tray that circulates in a film forming apparatus and forming a film.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気ディスク等の磁気記録媒体は、基板
上に金属又は合金からなる磁性薄膜層(以下「磁性層」
と称す。)をメッキ法、真空蒸着法又はスパッタリング
法等によって被着形成することにより製造される。
2. Description of the Related Art A magnetic recording medium such as a magnetic disk has a magnetic thin film layer (hereinafter referred to as "magnetic layer") made of metal or alloy on a substrate.
Called. Is deposited by a plating method, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, or the like.

【0003】磁気記録媒体に対しては、その使用に際し
て磁気ヘッドとの物理的接触に耐えられるだけの十分な
耐磨耗性と、水蒸気等の腐食環境に磁性層が十分に耐え
られるだけの耐食性とが要求されており、このような要
求特性を満たすべく、基板上に形成した磁性層上に保護
層が形成されている。
With respect to the magnetic recording medium, the abrasion resistance is sufficient to withstand physical contact with the magnetic head during its use, and the corrosion resistance is sufficient to withstand the magnetic layer in a corrosive environment such as water vapor. In order to satisfy such required characteristics, a protective layer is formed on the magnetic layer formed on the substrate.

【0004】従来、この保護層としては、通常、磁気ヘ
ッドに対する耐磨耗性に優れているとされる炭素質膜が
用いられており、炭素質保護膜は、アルゴン等の希ガス
雰囲気下、グラファイトやアモルファスカーボンをター
ゲットとして用い、通常のスパッタリング法によって磁
性層上に被着形成されている。
Conventionally, as the protective layer, a carbonaceous film which is generally considered to have excellent abrasion resistance to a magnetic head has been used. The carbonaceous protective film is used in an atmosphere of a rare gas such as argon, Using graphite or amorphous carbon as a target, it is deposited on the magnetic layer by an ordinary sputtering method.

【0005】しかしながら、このようにして磁性層上に
炭素質保護膜を形成した磁気記録媒体では、実際の使用
に際して十分な耐磨耗性が得られないため、耐磨耗性の
向上を目的として、スパッタリング法により炭素質保護
膜を成膜する際、アルゴン等の希ガス中に水素ガスを共
存させて水素化カーボン保護膜を形成することが試みら
れている。
However, in the magnetic recording medium having the carbonaceous protective film formed on the magnetic layer as described above, sufficient abrasion resistance cannot be obtained in actual use, and therefore the purpose is to improve the abrasion resistance. When forming a carbonaceous protective film by a sputtering method, it has been attempted to form a hydrogenated carbon protective film by making hydrogen gas coexist in a rare gas such as argon.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】基板上に磁性層及び水
素化カーボン保護膜を工業的に成膜するには、一般に、
通過式の成膜装置を用い、ディスク状基板をトレーに装
着して搬送装置によって順次搬送しながら行う。このト
レーは、成膜装置内を循環移動させて繰り返し使用され
る。このような成膜方法において、成膜回数が増加する
につれて、搬送装置のトレー等にカーボンスパッタ成膜
時に形成された水素化カーボンの微粉末が付着して堆積
してくる。そして、トレーは水素化カーボンの微粉末が
付着した状態で成膜装置のリターン系を経由して磁気記
録媒体の脱着室に移送され、磁気記録媒体を脱着した
後、再び基板装着室に移送されて基板が装着され、再度
成膜室に移送され成膜が行われるが、この成膜室内にお
いて、真空に減圧される際、トレーに付着していた水素
化カーボン等の微粉末がトレーから発散して舞い上が
り、曳いては基板表面に付着する。
In order to industrially form a magnetic layer and a hydrogenated carbon protective film on a substrate, generally,
Using a pass-through type film forming apparatus, the disk-shaped substrate is mounted on a tray and sequentially transferred by a transfer device. This tray is circulated in the film forming apparatus and repeatedly used. In such a film forming method, as the number of times of film formation increases, fine powder of hydrogenated carbon formed at the time of carbon sputter film formation adheres and deposits on the tray of the transfer device. Then, the tray is transferred to the desorption chamber of the magnetic recording medium via the return system of the film forming device in a state where the fine powder of hydrogenated carbon is adhered, and after the magnetic recording medium is demounted, it is transferred to the substrate mounting chamber again. The substrate is mounted and transferred to the film forming chamber again to perform film formation.In this film forming chamber, when the pressure is reduced to a vacuum, fine powder such as hydrogenated carbon that has adhered to the tray is released from the tray. Then, it soars and pulls, and then adheres to the substrate surface.

【0007】基板に水素化カーボンの微粉末が付着した
状態で成膜を行うと、この微粉末が付着した箇所が、得
られる磁気記録媒体の欠陥(エラー)となる。このた
め、このように成膜毎に水素化カーボンの微粉末が付着
し、その付着量が増加するトレーを循環使用すると、時
間の経過と共に、磁気記録媒体の欠陥(エラー)が増加
してくる。
When a film is formed with the fine powder of hydrogenated carbon adhered to the substrate, the portion where the fine powder adheres becomes a defect (error) in the obtained magnetic recording medium. For this reason, when the tray in which the fine powder of hydrogenated carbon adheres and the adhered amount increases every time the film is formed, the defects (errors) of the magnetic recording medium increase with the passage of time. .

【0008】従って、従来の方法においては、磁気記録
媒体のエラーが増加してきた場合には、トレー等の搬送
装置、特にトレーに堆積した水素化カーボンの微粉末を
定期的に除去する必要がある。
Therefore, in the conventional method, when the error of the magnetic recording medium increases, it is necessary to periodically remove the carrier such as a tray, especially the fine powder of hydrogenated carbon deposited on the tray. .

【0009】しかしながら、この水素化カーボンの微粉
末の除去のためには、使用しているトレーを、予め水素
化カーボンを除去して清浄にした予備のトレーと交換す
る必要が出てくる。この予備のトレーは、使用前に予め
成膜装置内で真空乾燥する等の操作が必要となるためデ
ィスクのスパッタリングを一旦停止しなければならず、
操作が煩雑である上にこのような運転の停止により、生
産性が低下するという問題がある。
However, in order to remove the fine powder of hydrogenated carbon, it is necessary to replace the used tray with a spare tray which has been cleaned by removing the hydrogenated carbon in advance. Since this spare tray requires an operation such as vacuum drying in the film forming apparatus before use, the sputtering of the disk must be temporarily stopped,
There is a problem that the operation is complicated and productivity is reduced due to the stop of the operation.

【0010】また、予備のトレーは非常に高価であるた
め、その保有数量も必然的に限られ、水素化カーボンの
微粉末の付着量が増加すると、エラーの増加を抑えたデ
ィスクを製造するためのトレーの交換が間に合わず、製
品の歩留りが悪くなっていた。
Further, since the spare tray is very expensive, the quantity to be held is inevitably limited, and when the amount of the fine particles of hydrogenated carbon adhering to the tray increases, a disk with an increased error is suppressed. The tray was not replaced in time, and the product yield was poor.

【0011】本発明は上記従来の問題点を解決し、トレ
ーに付着した水素化カーボンの微粉末によるエラーの発
生を、成膜装置の運転を継続した状態で減少させること
ができる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的
とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems and provides a magnetic recording medium capable of reducing the occurrence of errors due to the fine powder of hydrogenated carbon adhering to the tray while the film forming apparatus is continuously operated. It is intended to provide a manufacturing method.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】請求項1の磁気記録媒体
の製造方法は、基板装着用のトレーを、成膜装置内を循
環移動させ、該トレー上に基板を装着した後、該成膜装
置の成膜室に導入して成膜し、次いで成膜処理された基
板を該成膜装置から取り出すようにした磁気記録媒体の
製造方法において、該成膜装置から移動してきたトレー
に、超音波により振動を与えたガス流を吹き付けて除塵
処理を施すことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein a tray for mounting a substrate is circulated in a film forming apparatus, a substrate is mounted on the tray, and then the film is formed. In a method of manufacturing a magnetic recording medium, in which a film is introduced by introducing it into a film forming chamber of the apparatus, and then the substrate subjected to the film forming process is taken out from the film forming apparatus, a tray which has been moved from the film forming apparatus It is characterized in that a dust removal process is performed by spraying a gas flow vibrated by sound waves.

【0013】請求項2の磁気記録媒体の製造方法は、請
求項1の方法において、該成膜室において、基板上に磁
性層を形成した後、該磁性層を覆う水素化カーボンより
なる保護層を形成することを特徴とする。
A method for manufacturing a magnetic recording medium according to a second aspect is the method according to the first aspect, wherein a magnetic layer is formed on the substrate in the film forming chamber, and then a protective layer made of hydrogenated carbon is formed to cover the magnetic layer. Is formed.

【0014】請求項3の磁気記録媒体の製造方法は、請
求項1又は2の方法において、成膜装置が搬送式のイン
ライン型スパッタリング装置であることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a magnetic recording medium according to the first or second aspect, wherein the film forming apparatus is a carrier type in-line type sputtering apparatus.

【0015】以下に本発明を、基板上に磁性層及び水素
化カーボンよりなる保護層を形成して磁気記録媒体を製
造する方法を例示して詳細に説明する。
The present invention will be described in detail below by exemplifying a method for producing a magnetic recording medium by forming a magnetic layer and a protective layer made of hydrogenated carbon on a substrate.

【0016】本発明における磁気記録媒体の基板として
は、アルミニウム、アルミニウム合金、ガラス等の通常
のディスク状非磁性基板が用いられる。通常の場合、こ
れらの非磁性基板は、所定の厚さに加工後、その表面を
鏡面加工した後、非磁性金属、例えばNi−P合金、N
i−Cu−P合金等を無電解メッキ処理等により約5〜
20μmの膜厚で成膜して表面層を形成させた後使用さ
れる。このようにして基板上に形成した表面層には必要
に応じてテクスチャ加工を施し、微細な溝又は凸凹を精
度良く加工形成し、特定の表面粗さに仕上げた表面加工
層とする。このテクスチャ加工により、磁気ヘッドと磁
気記録媒体との吸着が防止でき、且つCSS特性が改善
され、更に磁気異方性が良好となる。
As the substrate of the magnetic recording medium in the present invention, a usual disc-shaped non-magnetic substrate made of aluminum, aluminum alloy, glass or the like is used. Usually, these non-magnetic substrates are processed to have a predetermined thickness, and after the surface is mirror-finished, a non-magnetic metal such as Ni-P alloy or N is used.
Approximately 5 to about 5% by electroless plating of i-Cu-P alloy
It is used after forming a film with a film thickness of 20 μm to form a surface layer. The surface layer thus formed on the substrate is subjected to texturing as required to form fine grooves or irregularities with high precision to obtain a surface processed layer having a specific surface roughness. By this texturing, adsorption between the magnetic head and the magnetic recording medium can be prevented, CSS characteristics can be improved, and magnetic anisotropy can be improved.

【0017】更に、この表面加工層上には下地層を形成
した後、磁性層を被着形成する。下地層は、通常、スパ
ッタリング法により、例えば膜厚50〜2000Å程度
のクロム下地膜を成膜することにより形成される。
Further, after forming an underlayer on this surface-treated layer, a magnetic layer is deposited. The underlayer is usually formed by a sputtering method, for example, by forming a chromium underlayer having a film thickness of about 50 to 2000 Å.

【0018】この下地層上に形成される磁性層として
は、通常、Co−Cr,Co−Ni,Co−Cr−X,
Co−Ni−X,Co−W−X等で表されるCo系合金
の磁性薄膜層が好適である。なお、ここで、Xとしては
Li,Si,Ca,Ti,V,Cr,Ni,As,Y,
Zr,Nb,Mo,Ru,Rh,Ag,Sb,Hf,T
a,W,Re,Os,Ir,Pt,Au,La,Ce,
Pr,Nd,Pm,Sm及びEuよりなる群から選ばれ
る1種又は2種以上の元素が挙げられる。
The magnetic layer formed on this underlayer is usually Co--Cr, Co--Ni, Co--Cr--X,
A magnetic thin film layer of a Co-based alloy represented by Co-Ni-X, Co-W-X or the like is suitable. Here, as X, Li, Si, Ca, Ti, V, Cr, Ni, As, Y,
Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Ag, Sb, Hf, T
a, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, La, Ce,
One or more elements selected from the group consisting of Pr, Nd, Pm, Sm and Eu can be mentioned.

【0019】このようなCo系合金からなる金属磁性層
は、通常、スパッタリング等の手段により基板の下地層
上に被着形成される。この金属磁性層の膜厚としては、
通常、50〜600Åの範囲とされる。
The metallic magnetic layer made of such a Co-based alloy is usually deposited on the underlayer of the substrate by means such as sputtering. As the film thickness of this metal magnetic layer,
Usually, it is in the range of 50 to 600Å.

【0020】次いで、このようにして形成された磁性層
上に水素化カーボン保護膜をスパッタリングにより形成
する。
Next, a hydrogenated carbon protective film is formed on the magnetic layer thus formed by sputtering.

【0021】水素化カーボン膜とは、水素と炭素を含有
する膜であれば良く、特に限定されるものではないが、
例えば、カーボンをターゲットとして希ガスと水素ガス
を含むプラズマ中でスパッタリングすることにより形成
される。ここで使用されるターゲットとしては、ダイヤ
モンド状、グラファイト状、又は、アモルファス状のカ
ーボンが用いられる。
The hydrogenated carbon film is not particularly limited as long as it is a film containing hydrogen and carbon,
For example, it is formed by sputtering using carbon as a target in a plasma containing a rare gas and a hydrogen gas. As the target used here, carbon in the form of diamond, graphite or amorphous is used.

【0022】また、希ガスとしては、アルゴン、ヘリウ
ム、ネオン、キセノン、ラドン、クリプトン等が挙げら
れるが、これらのうち、特に、アルゴンが好適に用いら
れる。アルゴンガス等の希ガスと水素ガスを含むスパッ
タリング雰囲気中の水素ガスの含有量は、通常、2〜2
0体積%、望ましくは5〜10体積%の範囲である。
As the rare gas, argon, helium, neon, xenon, radon, krypton and the like can be mentioned. Of these, argon is particularly preferably used. The content of hydrogen gas in a sputtering atmosphere containing a rare gas such as argon gas and hydrogen gas is usually 2 to 2.
It is 0% by volume, preferably 5 to 10% by volume.

【0023】スパッタリング法としては、通常、直流マ
グネトロンスパッタリング法が採用されるが、高周波マ
グネトロンスパッタリング法も使用できる。
As the sputtering method, a direct current magnetron sputtering method is usually adopted, but a high frequency magnetron sputtering method can also be used.

【0024】スパッタリング時のチャンバー内の圧力
は、通常、0.5〜20mTorr、望ましくは1〜1
0mTorrとされ、基板の温度は、通常、300℃以
下、望ましくは常温〜250℃の範囲とされる。基板と
ターゲットとの間隔、スパッタ時間、投入電力等は、形
成する水素化カーボン保護膜の膜厚に応じて適宜決定さ
れる。
The pressure in the chamber during sputtering is usually 0.5 to 20 mTorr, preferably 1 to 1
The substrate temperature is usually 300 ° C. or lower, and preferably in the range of normal temperature to 250 ° C. The distance between the substrate and the target, the sputtering time, the input power, etc. are appropriately determined according to the film thickness of the hydrogenated carbon protective film to be formed.

【0025】なお、水素化カーボン保護膜の厚さは、通
常、50〜1000Å、望ましくは100〜600Åの
範囲である。
The thickness of the hydrogenated carbon protective film is usually 50 to 1000Å, preferably 100 to 600Å.

【0026】以下に、本発明における成膜方法の実施例
について図面を参照して詳細に説明する。
An embodiment of the film forming method of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0027】図1は、本発明の磁気記録媒体の製造方法
の実施に当り、各構成層の成膜に好適に用いられるイン
ライン式スパッタリング装置の一実施例を示す概略構成
図、図2は、図1に示すスパッタリング装置のリターン
系路に設けられた超音波振動ガスブロータイプの除塵装
置を示す斜視図、図3は図2のIII-III 線に沿う断面図
である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an in-line type sputtering apparatus which is preferably used for forming each constituent layer in carrying out the method for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention, and FIG. 1 is a perspective view showing an ultrasonic vibration gas blow type dust remover provided in the return passage of the sputtering apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG.

【0028】まず、基板ホルダー1は搬送装置によっ
て、基板装着室11に移され、該基板ホルダー1のトレ
ー1Aにディスク状基板2が所定枚数取り付けられる。
次いで、この基板ホルダー1はローディングチャンバー
室12に搬送され、所定圧力に減圧されると共に所定温
度に昇温される。
First, the substrate holder 1 is moved to the substrate mounting chamber 11 by the transfer device, and a predetermined number of disc-shaped substrates 2 are attached to the tray 1A of the substrate holder 1.
Next, the substrate holder 1 is transferred to the loading chamber 12 and is depressurized to a predetermined pressure and heated to a predetermined temperature.

【0029】次に、この基板ホルダー1はスパッター室
13の第1領域13Aに搬送され、基板ホルダー1のト
レーに装着された基板2がCr等の下地層ターゲット面
3及びCo系合金等の磁性層ターゲット面4を通過する
間に、その基板の表面上(テクスチャ表面加工層上)に
Cr等の下地層及びCo系合金等の磁性層が、希ガス雰
囲気下、前述の所定条件でスパッタリングにより被着形
成される。
Next, the substrate holder 1 is transferred to the first area 13A of the sputtering chamber 13, and the substrate 2 mounted on the tray of the substrate holder 1 is subjected to the underlayer target surface 3 of Cr or the like and the magnetic property of the Co-based alloy or the like. While passing through the layer target surface 4, an underlayer of Cr or the like and a magnetic layer of Co-based alloy or the like are formed on the surface of the substrate (textured surface-treated layer) by sputtering under a rare gas atmosphere under the above-mentioned predetermined conditions. Deposition is formed.

【0030】次いで、基板ホルダー1は、スリット14
を経てスパッター室13の第2領域13Bに搬送され
る。この第2領域13Bには、配管6より水素ガスが、
また、配管7よりアルゴンガスがそれぞれ所定割合で導
入され、内部は所定の混合ガス雰囲気とされている。こ
の第2領域13B内において、基板ホルダー1がカーボ
ン保護層ターゲット面5を通過する間に、スパッタリン
グにより、基板ホルダー1上のディスク状基板2の磁性
層上に水素化カーボン保護膜が被着形成される。
Next, the substrate holder 1 is provided with the slit 14
And is transported to the second region 13B of the sputtering chamber 13. Hydrogen gas from the pipe 6 flows into the second region 13B.
Argon gas is introduced at a predetermined ratio from the pipe 7, and the inside is made into a predetermined mixed gas atmosphere. In the second region 13B, a hydrogenated carbon protective film is deposited on the magnetic layer of the disk-shaped substrate 2 on the substrate holder 1 by sputtering while the substrate holder 1 passes through the carbon protective layer target surface 5. To be done.

【0031】次いで、アンローディングチャンバー室1
5に基板ホルダー1が移され、常温及び大気圧下に戻さ
れ、搬送装置によりコンベア16及びリターン系路17
を経て、基板脱着室18に搬送され、基板ホルダー1の
トレー1Aから基板2が取り外される。その後、基板ホ
ルダー1は搬送装置によってコンベア19を経て基板装
着室11に戻される。そして、この基板ホルダー1のト
レー1Aに再び基板が取り付けられ、搬送装置によって
上気した順路を順次搬送され、繰り返し巡回使用され
る。本実施例においては、リターン系路17に除塵装置
20が設けられている。また、本発明において、成膜装
置とは、ローディングチャンバー室12から、アンロー
ディングチャンバー室15までの成膜工程を含む装置を
示す。
Next, the unloading chamber chamber 1
The substrate holder 1 is moved to 5 and returned to room temperature and atmospheric pressure.
After that, the substrate 2 is transferred to the substrate loading / unloading chamber 18, and the substrate 2 is removed from the tray 1A of the substrate holder 1. After that, the substrate holder 1 is returned to the substrate mounting chamber 11 via the conveyor 19 by the transfer device. Then, the substrate is attached to the tray 1A of the substrate holder 1 again, and is sequentially transported by the transport device in the normal route, and is repeatedly used repeatedly. In this embodiment, the dust removing device 20 is provided in the return passage 17. Further, in the present invention, the film forming apparatus means an apparatus including a film forming process from the loading chamber chamber 12 to the unloading chamber chamber 15.

【0032】巡回使用により成膜回数が増加するにつれ
て、前述の如く、基板ホルダー1のトレー1A等に、カ
ーボンスパッタ成膜時に形成された水素化カーボン微粉
末が付着して堆積する。従来において、この微粉末は、
基板ホルダーを巡回してローディングチャンバー室12
に入れて真空引きにした際に、該トレー等から剥れてダ
ストとなって舞い上がり、ディスク基板の表面に付着し
てエラーを発生させる。更に、トレーは循環使用されて
いるため、時間の経過と共にトレーに付着している水素
化カーボンの微粉末が増加することから、エラー発生率
は増加する。
As the number of times of film formation increases due to cyclic use, as described above, the hydrogenated carbon fine powder formed during the carbon sputtering film formation adheres and deposits on the tray 1A of the substrate holder 1 and the like. Conventionally, this fine powder is
Circulating the substrate holder and loading chamber chamber 12
When it is put in a vacuum chamber and evacuated, it peels off from the tray or the like and rises up as dust and adheres to the surface of the disk substrate to cause an error. Furthermore, since the tray is recycled, the error occurrence rate increases because the amount of hydrogenated carbon fine powder adhering to the tray increases over time.

【0033】本実施例では、上記リターン系路17に設
けた超音波振動ガスブロータイプの除塵装置20によ
り、トレー表面に付着した水素化カーボンの微粉末を吹
き飛ばし、基板成膜時のエラーを減少させる。
In this embodiment, the ultrasonic vibration gas blow type dust remover 20 provided in the return passage 17 blows off the fine powder of hydrogenated carbon adhering to the surface of the tray to reduce the error during film formation on the substrate. Let

【0034】図2はこのリターン系路17に設けられた
除塵装置20の構成を示す斜視図であり、図3は図2の
III-III 線に沿う部分の断面を示している。ただし、図
2において、一方のガス噴射器20Bのカバー21Bは
図示を省略した。また、図3は、ガス噴射器20Bをト
レー1Aが通過している状態を示す断面図である。
FIG. 2 is a perspective view showing the structure of the dust removing device 20 provided in the return passage 17, and FIG.
A cross section of a portion along the line III-III is shown. However, the cover 21B of the one gas injector 20B is omitted in FIG. Further, FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state where the tray 1A is passing through the gas injector 20B.

【0035】以下に、この除塵装置による除塵システム
について説明する。
The dust removing system using this dust removing device will be described below.

【0036】本実施例において、除塵装置20は、トレ
ー1Aの図2における手前側の面を除塵するガス噴射器
20Aと、トレー1Aの図2における裏側の面を除塵す
るガス噴射器20Bとを備えるものである。基板ホルダ
ー1のトレー1Aは搬送装置(図示せず)によって、ガ
ス噴射器20Aの噴射器本体21Aとカバー22Aとの
間及びガス噴射器20Bの噴射器本体22Aとカバー2
2Bとの間を、順次、板面を鉛直にした起立姿勢にて矢
印X方向に走行され、これによって、トレー1Aの両面
が除塵処理される。
In the present embodiment, the dust removing device 20 includes a gas injector 20A for removing dust on the front side surface of the tray 1A in FIG. 2 and a gas injector 20B for removing dust on the back side surface of the tray 1A in FIG. Be prepared. The tray 1A of the substrate holder 1 is provided between the injector main body 21A of the gas injector 20A and the cover 22A and the injector main body 22A of the gas injector 20B and the cover 2 by a transfer device (not shown).
The tray 1A and the tray 2A are sequentially run in an upright posture in which the plate surface is vertical, and thus both surfaces of the tray 1A are subjected to dust removal processing.

【0037】次に、ガス噴射器20Bの構成について、
図3を参照して説明する。
Next, regarding the structure of the gas injector 20B,
This will be described with reference to FIG.

【0038】ガス噴射器20Bの噴射器本体21Bは縦
長の箱状体であり、そのトレー通過面23Bにはそれぞ
れ上下方向に延在するガス吹出口24Bと吸込口25B
とが並設されている。ガス吹出口24Bはガス吹出管2
6Bに接続され、吸込口25Bはガス吸込管27Bに接
続されている。このガス吹出管26B及び吸込管27B
は、ポンプ28、フィルター29、スリット構造のヘッ
ド30及び循環配管31と共に循環系路を構成してい
る。ヘッド30には超音波発振器32が取り付けられて
いる。
The injector main body 21B of the gas injector 20B is a vertically long box-like body, and the tray passage surface 23B thereof has a gas outlet 24B and a suction inlet 25B which extend vertically.
And are installed side by side. The gas outlet 24B is the gas outlet pipe 2
6B, and the suction port 25B is connected to the gas suction pipe 27B. The gas outlet pipe 26B and the suction pipe 27B
Together with the pump 28, the filter 29, the slit-structured head 30, and the circulation pipe 31 constitute a circulation system passage. An ultrasonic oscillator 32 is attached to the head 30.

【0039】このガス噴射器20Bによれば、ポンプ2
8により、吸込口25Bより吸い込まれたガスは、吸込
管27Bから、循環配管31のフィルター29で除塵さ
れ、その後、ヘッド30にて超音波発振器32により超
音波振動が加えられる。そして、振動ガス流がガス吹出
管26B、ガス吹出口24Bを経てトレー1Aに吹き付
けられる。これにより、トレー1A表面に付着ないし堆
積した水素化カーボン等の微粒状ダストが吹き払われ
る。舞い上ったダストを含むガスは、上述の如く、吸込
口25B、吸込管27Bを経て吸引され、除塵後、超音
波振動が加えられ、再びトレー1Aに向けて噴射され
る。このように、超音波振動ガス流の吹き付けで除塵処
理されたトレー1Aが次の基板脱着室18へ送られる。
According to this gas injector 20B, the pump 2
The gas sucked from the suction port 25B by 8 is removed from the suction pipe 27B by the filter 29 of the circulation pipe 31, and then ultrasonic vibration is applied by the ultrasonic oscillator 32 in the head 30. Then, the oscillating gas flow is blown onto the tray 1A via the gas outlet pipe 26B and the gas outlet 24B. As a result, fine particulate dust such as hydrogenated carbon adhered to or deposited on the surface of the tray 1A is blown off. The gas containing the soaring dust is sucked through the suction port 25B and the suction pipe 27B as described above. After dust removal, ultrasonic vibration is applied and the gas is again jetted toward the tray 1A. In this way, the tray 1A that has been subjected to the dust removal treatment by blowing the ultrasonic vibration gas flow is sent to the next substrate desorption chamber 18.

【0040】なお、カバー22Bは、トレー1Aに吹き
付けられたガス流でトレー1Aから舞い上ったダストが
周囲に飛散しないようにするためのものである。また、
40は、イオン化空気をトレー1A側へ吹き付けて、静
電気を除去し、ガス流によるダストの吹き払いを容易に
するための除電バーである。
The cover 22B is provided to prevent the dust rising from the tray 1A from being scattered around by the gas flow blown onto the tray 1A. Also,
Reference numeral 40 is a static elimination bar for blowing ionized air to the tray 1A side to remove static electricity and facilitate blowing off dust by a gas flow.

【0041】ガス噴射器20Aもこのガス噴射器20B
と同様の構成とされている。26Aはガス吹出管、27
Aは吸込管である。
The gas injector 20A is also the gas injector 20B.
It has the same configuration as. 26A is a gas outlet pipe, 27
A is a suction pipe.

【0042】本発明において、吹き付けに用いるガスに
付与する超音波振動の周波数としては、一般に、5〜1
00kHz、特に10〜50kHzの範囲内とするのが
好ましい。また、超音波振動させたガスの吹き出し速度
としては、一般に、10m/sec以上、特に30m/
sec以上、とりわけ50〜1000m/secの範囲
が好適である。また、トレー面と上記ガス吹出口との距
離はできる限り近い方が望ましい。
In the present invention, the frequency of ultrasonic vibration applied to the gas used for spraying is generally 5 to 1
The frequency is preferably set to 00 kHz, particularly 10 to 50 kHz. In addition, the blowing speed of the ultrasonically vibrated gas is generally 10 m / sec or more, especially 30 m / sec.
It is preferably not less than sec, especially in the range of 50 to 1000 m / sec. Further, it is desirable that the distance between the tray surface and the gas outlet be as short as possible.

【0043】なお、吹き付けに用いるガスは、水分含有
率の極力少ない乾燥ガスであれば良く、そのガス種に特
に制限はないが、作業の安全性及びコストの面で空気が
好ましい。
The gas used for spraying may be a dry gas having a moisture content as low as possible, and the gas species is not particularly limited, but air is preferred in terms of work safety and cost.

【0044】除塵装置による除塵は、トレー上の水素化
カーボンの微粉末の付着量が多くなったときのみ行って
も良く、また、リターン系に戻されたトレーについて常
に行うようにしても良い。この除塵処理は、トレーから
基板を脱着する前に限らず、脱着後に行っても良い。
The dust removal by the dust remover may be carried out only when the amount of the fine powder of hydrogenated carbon on the tray becomes large, or may be carried out always on the tray returned to the return system. This dust removing process is not limited to before the substrate is removed from the tray, and may be performed after the removal.

【0045】このような方法によれば、トレーを交換す
ることなく、また、一旦成膜運転を停止して成膜装置内
の減圧を解除することなく、運転を継続した状態におい
て、基板成膜部のエラーを減少させることができる。
According to such a method, the substrate film formation is continued without exchanging the tray, without stopping the film formation operation, and without releasing the decompression in the film formation apparatus. It is possible to reduce part errors.

【0046】[0046]

【作用】本発明によれば、成膜部のエラー原因となる、
トレー上に付着した水素化カーボンの微粉末等のダスト
を、運転を継続した状態で容易に除去することができ
る。しかも、除塵は、超音波振動ガス流により行うた
め、極めて効率的に行える。
According to the present invention, it causes an error in the film forming section,
Dust such as fine powder of hydrogenated carbon adhered on the tray can be easily removed while the operation is continued. Moreover, since dust removal is performed by the ultrasonic vibration gas flow, it can be performed extremely efficiently.

【0047】[0047]

【実施例】以下に具体的な実施例を挙げて本発明をより
詳細に説明する。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to specific examples.

【0048】実施例1 図1に示すインライン式スパッタリング装置を用いて、
基板ホルダー1にテクスチャ加工を施したディスク状基
板(アルミニウム基板)を装着し、スパッター室13に
搬送して順次Cr下地層、Co系磁性層及び水素化カー
ボン膜を成膜して磁気記録媒体を製造した。
Example 1 Using the in-line type sputtering apparatus shown in FIG.
A textured disk-shaped substrate (aluminum substrate) is mounted on the substrate holder 1 and conveyed to the sputtering chamber 13 to sequentially form a Cr underlayer, a Co-based magnetic layer and a hydrogenated carbon film to form a magnetic recording medium. Manufactured.

【0049】水素化カーボン膜の成膜条件は成膜圧力4
mTorr、水素/アルゴン混合比=1/10(体積
比)の割合とし、リターン系路17に戻されたトレー1
Aの両面を図2に示した除塵装置20により除塵処理し
た後、循環使用した。
The film forming conditions for the hydrogenated carbon film are film forming pressure 4
The tray 1 returned to the return passage 17 with mTorr and hydrogen / argon mixing ratio = 1/10 (volume ratio).
Both sides of A were dust-removed by the dust-removing device 20 shown in FIG.

【0050】なお、ガス噴射器20A,20Bのガス吹
出速度は200m/sec,超音波振動周波数は18k
Hzとした。
The gas blowing speed of the gas injectors 20A and 20B is 200 m / sec, and the ultrasonic vibration frequency is 18 k.
Was set to Hz.

【0051】その結果、運転当初のエラー個数を1とし
た場合のエラー増加率は、図4のNo. 1に示す如く、2
0時間の運転においても、わずかに1.5倍以内であっ
た。
As a result, when the number of errors at the beginning of operation is 1, the error increase rate is 2 as shown in No. 1 of FIG.
Even at 0 hours of operation, it was slightly within 1.5 times.

【0052】一方、この除塵装置を停止して、トレーの
除塵処理を全く行わずにトレーを循環使用したところ、
エラー個数は図4の No.2に示す如く増加傾向を示し、
20時間後にはエラー個数は約3倍にも増加した。
On the other hand, when the dust remover was stopped and the trays were circulated and used without performing any dust removing treatment on the trays,
The number of errors shows an increasing tendency as shown in No. 2 of Fig. 4,
The number of errors increased about three times after 20 hours.

【0053】以上の結果から、本発明によれば、エラー
の少ない磁気ディスクを生産性良く製造することができ
ることが明らかである。
From the above results, it is clear that according to the present invention, a magnetic disk with few errors can be manufactured with high productivity.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒
体の製造方法によれば、基板装着用のトレーを、成膜装
置内を循環移動させ、該トレー上に基板を装着した後、
該成膜装置の成膜室に導入して成膜し、次いで成膜処理
された基板を該成膜装置から取り出すようにした磁気記
録媒体の製造方法において、トレーに付着した、成膜部
のエラー原因となる水素化カーボン微粉末等の微粒状ダ
ストを、トレーの交換を行うことなく、運転を継続した
状態で容易かつ効率的に除去して、エラーの少ない、高
品質な磁気記録媒体を高い歩留りにて生産性良く、効率
的に製造することができる。
As described above in detail, according to the method of manufacturing a magnetic recording medium of the present invention, the tray for mounting the substrate is circulated in the film forming apparatus, and after mounting the substrate on the tray,
In the method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein the substrate is introduced into a film forming chamber of the film forming apparatus to form a film, and then the film-formed substrate is taken out of the film forming apparatus. Fine particle dust such as hydrogenated carbon fine powder that causes an error can be removed easily and efficiently without changing the tray without changing the tray, resulting in a high quality magnetic recording medium with few errors. It can be manufactured efficiently with high yield and high productivity.

【0055】請求項2の磁気記録媒体の製造方法によれ
ば、水素化カーボンの微粉末による成膜部のエラーを効
率的に防止することができる。
According to the manufacturing method of the magnetic recording medium of the second aspect, it is possible to efficiently prevent the error in the film forming portion due to the fine powder of hydrogenated carbon.

【0056】請求項3の磁気記録媒体の製造方法によれ
ば、搬送式のインライン型スパッタリング装置により、
高い生産性のもとに磁気記録媒体を製造することができ
る。
According to the method of manufacturing a magnetic recording medium of claim 3, the carrier type in-line sputtering apparatus is used.
A magnetic recording medium can be manufactured with high productivity.

【0057】[0057]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の磁気記録媒体の製造方法の実施に好適
なインライン式スパッタリング装置の一実施例を示す概
略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of an in-line type sputtering apparatus suitable for carrying out the method for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention.

【図2】図1に示すスパッタリング装置に設けられた除
塵装置を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a dust removing device provided in the sputtering device shown in FIG.

【図3】ガス噴射器の詳細を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing details of a gas injector.

【図4】実施例1におけるエラー増加率の推移を示すグ
ラフであり、No. 1は本発明例、No. 2は比較例を示
す。
FIG. 4 is a graph showing a transition of an error increase rate in Example 1, No. 1 is an example of the present invention, and No. 2 is a comparative example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板ホルダー 1A トレー 2 ディスク状基板 3 下地層ターゲット面 4 磁性層ターゲット面 5 保護層ターゲット面 11 基板装着室 12 ローディングチャンバー室 13 スパッター室 13A 第1領域 13B 第2領域 15 アンローディングチャンバー室 17 リターン系路 18 基板脱着室 20 除塵装置 20A,20B ガス噴射器 21A,21B 噴射器本体 22A,22B カバー 24B ガス吹出口 25B ガス吸込口 26A,26B ガス吹出管 27A,27B ガス吸込管 28 ポンプ 29 フィルター 30 ヘッド 32 超音波発振器 40 除電バー 1 Substrate Holder 1A Tray 2 Disc Substrate 3 Underlayer Target Surface 4 Magnetic Layer Target Surface 5 Protective Layer Target Surface 11 Substrate Mounting Room 12 Loading Chamber Room 13 Sputter Room 13A First Area 13B Second Area 15 Unloading Chamber Room 17 Return Passage 18 Substrate desorption chamber 20 Dust remover 20A, 20B Gas injector 21A, 21B Injector body 22A, 22B Cover 24B Gas outlet 25B Gas inlet 26A, 26B Gas outlet 27A, 27B Gas inlet 28 28 Pump 29 Filter 30 Head 32 Ultrasonic oscillator 40 Static elimination bar

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板装着用のトレーを、成膜装置内を循
環移動させ、該トレー上に基板を装着した後、該成膜装
置の成膜室に導入して成膜し、次いで成膜処理された基
板を該成膜装置から取り出すようにした磁気記録媒体の
製造方法において、 該成膜装置から移動してきたトレーに、超音波により振
動を与えたガス流を吹き付けて除塵処理を施すことを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法。
1. A substrate mounting tray is circulated in a film forming apparatus, a substrate is mounted on the tray, and then introduced into a film forming chamber of the film forming apparatus to form a film, and then a film is formed. In a method of manufacturing a magnetic recording medium in which a treated substrate is taken out of the film forming apparatus, dust removal processing is performed by spraying a gas flow vibrated by ultrasonic waves onto a tray that has moved from the film forming apparatus. And a method for manufacturing a magnetic recording medium.
【請求項2】 請求項1の方法において、該成膜室にお
いて、基板上に磁性層を形成した後、該磁性層を覆う水
素化カーボンよりなる保護層を形成することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
2. The magnetic recording method according to claim 1, wherein in the film forming chamber, a magnetic layer is formed on a substrate, and then a protective layer made of hydrogenated carbon is formed to cover the magnetic layer. Medium manufacturing method.
【請求項3】 請求項1又は2の方法において、成膜装
置が搬送式のインライン型スパッタリング装置であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
3. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1, wherein the film forming apparatus is a transport type in-line type sputtering apparatus.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007013363A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Ulvac, Inc. Vacuum treatment apparatus
JP2010159441A (en) * 2009-01-06 2010-07-22 Shimadzu Corp Film deposition apparatus and film deposition method
KR20180066192A (en) 2015-12-17 2018-06-18 가부시키가이샤 알박 Vacuum processor
KR20180102197A (en) 2016-11-02 2018-09-14 가부시키가이샤 알박 Vacuum processor

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007013363A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Ulvac, Inc. Vacuum treatment apparatus
JP2007031821A (en) * 2005-07-29 2007-02-08 Ulvac Japan Ltd Vacuum treatment apparatus
TWI401328B (en) * 2005-07-29 2013-07-11 Ulvac Inc Vacuum processing apparatus
US8574366B2 (en) 2005-07-29 2013-11-05 Ulvac, Inc. Vacuum processing apparatus
JP2010159441A (en) * 2009-01-06 2010-07-22 Shimadzu Corp Film deposition apparatus and film deposition method
KR20180066192A (en) 2015-12-17 2018-06-18 가부시키가이샤 알박 Vacuum processor
US10994938B2 (en) 2015-12-17 2021-05-04 Ulvac, Inc. Vacuum processing device
KR20180102197A (en) 2016-11-02 2018-09-14 가부시키가이샤 알박 Vacuum processor
US10612130B2 (en) 2016-11-02 2020-04-07 Ulvac, Inc. Vacuum processing apparatus

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