JPH089259A - Solid-state image pickup device - Google Patents
Solid-state image pickup deviceInfo
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置に関し、
特にCCD(電荷結合素子)を用いた固体撮像素子のダ
イナミックレンジに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state image pickup device,
In particular, it relates to the dynamic range of a solid-state image sensor using a CCD (charge coupled device).
【0002】[0002]
【従来の技術】図4は、インターライン転送方式のCC
D固体撮像素子のブロック図であり、同図に示すよう
に、画素単位で2次元配列され、入射光を信号電荷に光
電変換して蓄積するフォトセンサ(受光部)21と、こ
れらフォトセンサ21の垂直列毎に配設され、かつ読出
しゲート22を介して読み出された信号電荷を垂直転送
する垂直レジスタ(垂直電荷転送部)23とによって撮
像領域24が構成されている。垂直レジスタ23は、フ
ォトセンサ21から読み出された信号電荷を1水平走査
期間の周期で水平レジスタ(水平電荷転送部)25へ転
送し、水平レジスタ25は、垂直レジスタ23から転送
された1走査線分の信号電荷を水平転送する。水平レジ
スタ25の出力端には、例えばフローティング・ディフ
ュージョン・アンプからなる電荷検出部26が配置され
ており、この電荷検出部26は水平レジスタ25によっ
て転送された信号電荷を検出して信号電圧に変換し、各
フォトセンサ21に蓄積された信号電荷に対応した画素
信号を時系列的に出力する。2. Description of the Related Art FIG. 4 shows a CC of an interline transfer system.
FIG. 2 is a block diagram of a D solid-state image pickup device, and as shown in the figure, a photosensor (light-receiving unit) 21 that is two-dimensionally arranged in pixel units and photoelectrically converts incident light into signal charges and stores the signal charges, and these photosensors 21. An image pickup area 24 is configured by a vertical register (vertical charge transfer section) 23 which is arranged for each vertical column of and which vertically transfers the signal charges read out through the read gate 22. The vertical register 23 transfers the signal charges read from the photosensor 21 to the horizontal register (horizontal charge transfer unit) 25 in a cycle of one horizontal scanning period, and the horizontal register 25 performs one scan transferred from the vertical register 23. The signal charge of the line segment is transferred horizontally. At the output end of the horizontal register 25, a charge detection unit 26 including, for example, a floating diffusion amplifier is arranged, and the charge detection unit 26 detects the signal charge transferred by the horizontal register 25 and converts it into a signal voltage. Then, the pixel signals corresponding to the signal charges accumulated in each photo sensor 21 are output in time series.
【0003】上述のCCD固体撮像素子において、その
ダイナミックレンジはフォトセンサ21に蓄積可能な電
荷量で決定されるが、各フォトセンサ21に蓄積可能な
最大電荷量にはばらつきがあり、限界以上の光量が入射
された場合は、素子むらが画面に発生する。このため、
各フォトセンサ21の取扱電荷量を等しくするため、フ
ォトセンサ21に過剰な電荷を排出するオーバーフロー
ドレイン(OFD)電圧を印加し、OFD電圧値を変え
ることでフォトセンサ21に蓄積される電荷の飽和レベ
ルQを適正値に決めている。従って、図5に示すよう
に、フォトセンサ21の飽和レベル(CCDの飽和レベ
ル)Qを超える光量a及びbが入射した場合、蓄積電荷
量は飽和し、飽和レベルQを超えない光量c及びdが入
射した場合はそれに対応する電荷量が読み出される。In the above CCD solid-state image pickup device, its dynamic range is determined by the amount of charge that can be accumulated in the photosensors 21, but the maximum amount of charge that can be accumulated in each photosensor 21 varies and is above the limit. When the amount of light is incident, element unevenness occurs on the screen. For this reason,
In order to equalize the amount of charge handled by each photo sensor 21, an overflow drain (OFD) voltage that discharges excess charge is applied to the photo sensor 21, and the charge accumulated in the photo sensor 21 is saturated by changing the OFD voltage value. Level Q is set to an appropriate value. Therefore, as shown in FIG. 5, when the light amounts a and b exceeding the saturation level (CCD saturation level) Q of the photosensor 21 are incident, the accumulated charge amount is saturated and the light amounts c and d that do not exceed the saturation level Q. When is incident, the charge amount corresponding to that is read out.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従って、所定以上の光
量がフォトセンサ21に入光した場合、信号電荷を飽和
させてしまうため、光量a及びbの信号電荷はa1及び
b1として同じレベルで読み出されるため、ダイナミッ
クレンジが狭くなるといった問題点があった。本発明
は、本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、オー
バーフロードレイン電圧を1垂直走査期間内で非線形に
変化させることにより、CCD固体撮像素子の出力が飽
和しないようにしてダイナミックレンジを広げることを
目的とする。Therefore, when the photosensor 21 receives a predetermined amount of light or more, the signal charges are saturated, so that the signal charges of the light amounts a and b are read out at the same level as a1 and b1. Therefore, there is a problem that the dynamic range is narrowed. The present invention has been made in view of the above problems, and changes the overflow drain voltage nonlinearly within one vertical scanning period so that the output of the CCD solid-state imaging device is not saturated and the dynamic range is increased. The purpose is to spread.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本願第1の発明の固体撮
像装置は、入射光を光電変換し映像信号として出力する
カメラシステムにおいて、入射光を信号電荷に光電変換
するCCD固体撮像素子と、前記CCD固体撮像素子を
駆動するためのタイミング信号発生器と、このタイミン
グ信号発生器が発生する前記CCD固体撮像素子に対す
る読み出しパルスを検出する検出部と、この検出部が検
出した読み出しパルスの1垂直走査期間内で非線形に変
化する電圧波形を発生させて、前記CCD固体撮像素子
に印加するオーバーフロードレイン電圧発生部とを備え
たことを特徴とする。本願第2の発明の固体撮像装置
は、前記オーバーフロードレイン電圧発生部が、1垂直
走査期間に対応した電圧を発生する電圧発生部と、この
電圧発生部からの電圧波形を非線形に整形して出力する
電圧出力部とからなり、前記検出部からの信号を前記電
圧発生部に入力し、この電圧発生部で発生させた電圧に
基づき非線形のオーバーフロードレイン電圧を発生させ
ることを特徴とする。本願第3の発明の固体撮像装置
は、前記オーバーフロードレイン電圧発生部が、1垂直
走査期間に対応した非線形の電圧データを予め記憶させ
たメモリと、このメモリから読み出した電圧データをア
ナログ信号に変換する電圧出力部とからなり、前記検出
部からの信号を前記メモリに入力し、読み出された非線
形の電圧データに基づき非線形のオーバーフロードレイ
ン電圧を発生させることを特徴とする。A solid-state image pickup device according to the first invention of the present application is a camera system for photoelectrically converting incident light and outputting it as a video signal, and a CCD solid-state image pickup device for photoelectrically converting incident light into signal charges. A timing signal generator for driving the CCD solid-state image pickup device, a detector for detecting a read pulse generated by the timing signal generator for the CCD solid-state image pickup device, and one vertical pulse of the read pulse detected by the detector. An overflow drain voltage generator for generating a voltage waveform that changes non-linearly during the scanning period and applying the voltage waveform to the CCD solid-state imaging device is provided. In the solid-state imaging device according to the second invention of the present application, the overflow drain voltage generating unit generates a voltage corresponding to one vertical scanning period, and a voltage waveform from the voltage generating unit is nonlinearly shaped and output. And a signal output from the detection unit is input to the voltage generation unit, and a non-linear overflow drain voltage is generated based on the voltage generated by the voltage generation unit. In the solid-state imaging device of the third invention of the present application, the overflow drain voltage generating unit converts a non-linear voltage data corresponding to one vertical scanning period in advance, and a voltage data read from the memory into an analog signal. And a signal output from the detection unit is input to the memory to generate a nonlinear overflow drain voltage based on the read nonlinear voltage data.
【0006】[0006]
【作用】本発明は上記した構成により、検出部で検出さ
れたタイミング信号発生器からの読み出しパルスに基づ
き、オーバーフロードレイン電圧発生部で1垂直走査期
間内において、非線形に変化するオーバーフロードレイ
ン電圧を生成しCCD固体撮像素子に印加するようにし
ており、従って、入射光に応じた信号電荷をCCD固体
撮像素子から出力することができ、ダイナミックレンジ
を広げることができる。According to the present invention, the overflow drain voltage generating section generates an overflow drain voltage which changes non-linearly within one vertical scanning period based on the read pulse from the timing signal generator detected by the detecting section. The CCD solid-state image pickup device is applied with the signal charges. Therefore, it is possible to output a signal charge corresponding to incident light from the CCD solid-state image pickup device, thereby expanding the dynamic range.
【0007】[0007]
【実施例】図1は、本発明の固体撮像装置の一実施例を
示すブロック図である。タイミング信号発生器1で、カ
メラのCCD固体撮像素子7を駆動するための信号を生
成し、検出部2で、タイミング信号発生器1で生成した
読み出しパルスを検出してOFD電圧発生部6に入力す
る。OFD電圧発生部6では検出部2が検出した1垂直
走査期間に非線形に変化するオーバーフロードレイン電
圧を生成し、CCD固体撮像素子7に印加し、CCD固
体撮像素子7は入射光8を信号電荷に光電変換し出力す
る。OFD電圧発生部6は、1垂直走査期間に対応した
電圧、例えば三角波あるいは方形波状の電圧を発生する
電圧発生部3と、この電圧発生部3からの電圧波形を、
例えば抵抗器及びコンデンサを用いた時定数回路で非線
形に整形して出力する電圧波形整形部4と、電圧波形整
形部4で波形整形した電圧レベルを調整して出力する電
圧出力部5とで構成し、検出部2からの入力により電圧
発生部3で電圧を発生させ、この電圧に基づき非線形の
オーバーフロードレイン電圧を発生させる。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the solid-state image pickup device of the present invention. The timing signal generator 1 generates a signal for driving the CCD solid-state imaging device 7 of the camera, and the detection unit 2 detects the read pulse generated by the timing signal generator 1 and inputs it to the OFD voltage generation unit 6. To do. The OFD voltage generator 6 generates an overflow drain voltage that changes non-linearly in one vertical scanning period detected by the detector 2 and applies it to the CCD solid-state image sensor 7, and the CCD solid-state image sensor 7 converts the incident light 8 into a signal charge. Photoelectric conversion and output. The OFD voltage generator 6 generates a voltage corresponding to one vertical scanning period, for example, a voltage generator 3 for generating a triangular wave or square wave voltage, and a voltage waveform from the voltage generator 3.
For example, a voltage waveform shaping unit 4 that non-linearly shapes and outputs a time constant circuit using a resistor and a capacitor, and a voltage output unit 5 that adjusts and outputs the voltage level shaped by the voltage waveform shaping unit 4 Then, a voltage is generated in the voltage generator 3 by the input from the detector 2, and a non-linear overflow drain voltage is generated based on this voltage.
【0008】図2は、OFD電圧発生部の他の実施例を
示すブロック図である。OFD電圧発生部6は、1垂直
走査期間に対応した非線形の電圧データを予め記憶させ
たメモリ9と、このメモリ9から読み出した電圧データ
をアナログ信号に変換するD/A変換器10と、D/A
変換器10からの電圧レベルを調整して出力する電圧出
力部11とで構成し、検出部2からの入力によりメモリ
9から読み出された非線形の電圧データに基づき非線形
のオーバーフロードレイン電圧を発生させるようにして
も良い。FIG. 2 is a block diagram showing another embodiment of the OFD voltage generator. The OFD voltage generator 6 has a memory 9 in which nonlinear voltage data corresponding to one vertical scanning period is stored in advance, a D / A converter 10 for converting the voltage data read from the memory 9 into an analog signal, / A
A voltage output unit 11 that adjusts and outputs the voltage level from the converter 10 and generates a non-linear overflow drain voltage based on the non-linear voltage data read from the memory 9 by the input from the detection unit 2. You may do it.
【0009】図3は、本発明に係わる固体撮像装置の蓄
積電荷の説明図である。図3(A)はCCD固体撮像素
子7を駆動する垂直同期信号であり、タイミング信号発
生部1から入力される垂直同期信号に基づいて、検出部
2では図3(B)に示すような読出パルスを発生させ、
図4に示すフォトセンサ21に蓄積した信号電荷を読み
出すタイミング信号としてCCD固体撮像素子7に印加
し、OFD電圧発生部6では図3(C)に示すような非
線形のオーバーフロードレイン電圧を発生させ、CCD
固体撮像素子7に印加してフォトセンサ21の飽和レベ
ルを決める。従って、図3(D)に示すようにCCD固
体撮像素子7は非線形のOFD特性で飽和するようにな
り、フォトセンサ21の蓄積電荷量は、例えば入射光8
を強さの順にa,b,c,dとすれば、これらの入射光
8はCCD固体撮像素子7で光電変換されフォトセンサ
に蓄積電荷a2,b2,c2及びd2として蓄積され
る。FIG. 3 is an explanatory diagram of accumulated charges in the solid-state image pickup device according to the present invention. FIG. 3A shows a vertical synchronizing signal for driving the CCD solid-state image pickup device 7. Based on the vertical synchronizing signal input from the timing signal generating section 1, the detecting section 2 reads out as shown in FIG. 3B. Generate a pulse,
The signal charge accumulated in the photosensor 21 shown in FIG. 4 is applied to the CCD solid-state image sensor 7 as a timing signal for reading, and the OFD voltage generator 6 generates a non-linear overflow drain voltage as shown in FIG. CCD
The saturation level of the photo sensor 21 is determined by applying it to the solid-state image sensor 7. Therefore, as shown in FIG. 3D, the CCD solid-state imaging device 7 becomes saturated with the nonlinear OFD characteristic, and the accumulated charge amount of the photosensor 21 is, for example, the incident light 8
Is the order of intensity, a, b, c and d are incident lights 8 which are photoelectrically converted by the CCD solid-state image sensor 7 and are accumulated in the photosensor as accumulated charges a2, b2, c2 and d2.
【0010】各蓄積電荷a2,b2,c2及びd2は垂
直走査期間の中間では非線型としたOFD特性により飽
和する部分も発生するが、垂直走査期間の終わりの方で
は各蓄積電荷a2,b2,c2及びd2は略直線的に変
化するのに対して、OFD特性は非線型としているた
め、垂直走査期間の終わりの読出タイミングの位置で
は、各々の入射光8の強さに応じた蓄積電荷a2,b
2,c2及びd2が異なったレベルで得られるため、ダ
イナミックレンジを広げることが可能となる。CCD固
体撮像素子7からの蓄積電荷の転送は、図4に示す従来
例と同じであるため説明を省略する。Each of the accumulated charges a2, b2, c2 and d2 is saturated in the middle of the vertical scanning period due to the nonlinear OFD characteristic, but at the end of the vertical scanning period, each accumulated charge a2, b2, and d2. While c2 and d2 change substantially linearly, the OFD characteristic is non-linear, and therefore, at the read timing position at the end of the vertical scanning period, the accumulated charge a2 according to the intensity of each incident light 8 is obtained. , B
Since 2, c2 and d2 are obtained at different levels, it is possible to widen the dynamic range. The transfer of the accumulated charges from the CCD solid-state image sensor 7 is the same as in the conventional example shown in FIG.
【0011】[0011]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
CCD固体撮像素子に印加するオーバーフロードレイン
電圧を1垂直走査期間内で非線型に変化させるようにし
ているため、垂直走査期間の終わりの読出タイミングの
位置では、各々の入射光の強さに応じた蓄積電荷を出力
することができるため、CCD固体撮像素子のダイナミ
ックレンジを広くしたCCD固体撮像装置を提供するこ
とができる。As described above, according to the present invention,
Since the overflow drain voltage applied to the CCD solid-state image pickup device is changed non-linearly within one vertical scanning period, at the read timing position at the end of the vertical scanning period, it depends on the intensity of each incident light. Since the accumulated charge can be output, it is possible to provide a CCD solid-state imaging device in which the dynamic range of the CCD solid-state imaging device is widened.
【図1】本発明の固体撮像装置の一実施例を示すブロッ
ク図である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a solid-state imaging device of the present invention.
【図2】図1のOFD電圧発生部の他の実施例を示すブ
ロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing another embodiment of the OFD voltage generator of FIG.
【図3】本発明に係わる固体撮像装置の蓄積電荷の説明
図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of accumulated charges of the solid-state imaging device according to the present invention.
【図4】本発明に係わるCCD固体撮像素子のブロック
図である。FIG. 4 is a block diagram of a CCD solid-state image sensor according to the present invention.
【図5】従来のフォトセンサの蓄積電荷量の図である。FIG. 5 is a diagram of accumulated charge amount of a conventional photo sensor.
1 タイミング信号発生器 2 検出部 3 電圧発生部 4 電圧波形整形部 5 電圧出力部 6 OFD電圧発生部 7 CCD固体撮像素子 8 入射光 9 メモリ 10 D/A変換器 11 電圧出力部 1 Timing signal generator 2 Detection part 3 Voltage generation part 4 Voltage waveform shaping part 5 Voltage output part 6 OFD voltage generation part 7 CCD solid-state image sensor 8 Incident light 9 Memory 10 D / A converter 11 Voltage output part
Claims (3)
するカメラシステムにおいて、入射光を信号電荷に光電
変換するCCD固体撮像素子と、前記CCD固体撮像素
子を駆動するためのタイミング信号発生器と、このタイ
ミング信号発生器が発生する前記CCD固体撮像素子に
対する読み出しパルスを検出する検出部と、この検出部
が検出した読み出しパルスの1垂直走査期間内で非線形
に変化する電圧波形を発生させて、前記CCD固体撮像
素子に印加するオーバーフロードレイン電圧発生部とを
備えたことを特徴とする固体撮像装置。1. In a camera system for photoelectrically converting incident light and outputting it as a video signal, a CCD solid-state image sensor for photoelectrically converting incident light into a signal charge, and a timing signal generator for driving the CCD solid-state image sensor. A detector for detecting a read pulse for the CCD solid-state image sensor generated by the timing signal generator, and a voltage waveform that nonlinearly changes within one vertical scanning period of the read pulse detected by the detector, A solid-state image pickup device comprising: an overflow drain voltage generator applied to the CCD solid-state image pickup device.
が、1垂直走査期間に対応した電圧を発生する電圧発生
部と、この電圧発生部からの電圧波形を非線形に整形し
て出力する電圧出力部とからなり、前記検出部からの信
号を前記電圧発生部に入力し、この電圧発生部で発生さ
せた電圧に基づき非線形のオーバーフロードレイン電圧
を発生させることを特徴とする請求項1記載の固体撮像
装置。2. The overflow drain voltage generator includes a voltage generator that generates a voltage corresponding to one vertical scanning period, and a voltage output unit that nonlinearly shapes and outputs a voltage waveform from the voltage generator. 2. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein a signal from the detection unit is input to the voltage generation unit, and a non-linear overflow drain voltage is generated based on the voltage generated by the voltage generation unit.
が、1垂直走査期間に対応した非線形の電圧データを予
め記憶させたメモリと、このメモリから読み出した電圧
データをアナログ信号に変換する電圧出力部とからな
り、前記検出部からの信号を前記メモリに入力し、読み
出された非線形の電圧データに基づき非線形のオーバー
フロードレイン電圧を発生させることを特徴とする請求
項1記載の固体撮像装置。3. The overflow drain voltage generating section includes a memory in which nonlinear voltage data corresponding to one vertical scanning period is stored in advance, and a voltage output section for converting the voltage data read from the memory into an analog signal. 2. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the signal from the detection unit is input to the memory, and a nonlinear overflow drain voltage is generated based on the read nonlinear voltage data.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6137484A JPH089259A (en) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | Solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6137484A JPH089259A (en) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | Solid-state image pickup device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH089259A true JPH089259A (en) | 1996-01-12 |
Family
ID=15199719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6137484A Pending JPH089259A (en) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | Solid-state image pickup device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH089259A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH026178A (en) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Kanzaki Paper Mfg Co Ltd | Forgery preventing pressure-sensitive copy sheet |
US6486460B1 (en) | 1998-09-11 | 2002-11-26 | Nec Corporation | Solid-state image sensing device and method of driving the same |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP6137484A patent/JPH089259A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH026178A (en) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Kanzaki Paper Mfg Co Ltd | Forgery preventing pressure-sensitive copy sheet |
US6486460B1 (en) | 1998-09-11 | 2002-11-26 | Nec Corporation | Solid-state image sensing device and method of driving the same |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |