JPH0887026A - Liquid crystal display panel - Google Patents

Liquid crystal display panel

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JPH0887026A
JPH0887026A JP24873894A JP24873894A JPH0887026A JP H0887026 A JPH0887026 A JP H0887026A JP 24873894 A JP24873894 A JP 24873894A JP 24873894 A JP24873894 A JP 24873894A JP H0887026 A JPH0887026 A JP H0887026A
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JP
Japan
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thin film
film transistor
gate
liquid crystal
data line
Prior art date
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Application number
JP24873894A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidetsugu Kojima
英嗣 小島
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Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
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Publication of JPH0887026A publication Critical patent/JPH0887026A/en
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Abstract

PURPOSE: To decrease unnecessary parasitic capacitances without lowering the opening rate of a color liquid crystal display device in delta arrangement and to prevent its display grade from degrading. CONSTITUTION: This liquid crystal display panel is provided with gate electrodes 15 in positions not overlapping on orthogonally intersecting parts 12a of data lines 12 by drawing out these electrodes to the length at which the electrodes do not arrive at the intermediate points with the adjacent gate lines in parallel with the orthogonally intersecting parts 12a of the data lines 12. The display panel is also provided with source electrodes 22 in positions not overlapping on the gate electrodes 15. Consequently, the parasitic capacitors are decreased without lowering the opening rate. Channel regions 17a of thin-film transistors (TFTs) 13 are formed by self-alignment. Consequently, the overlapping parts of the source regions 17b and gate regions 15 of the TFTs 13 on the left side and right side of the data lines 12 are made the same. Then, the parasitic capacitances Cgs between the gates and the sources are made the same and the optical characteristics are made the same as well and eventually, the degradation in the display grade is averted.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は液晶表示パネルに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display panel.

【0002】[0002]

【従来の技術】カラー液晶表示装置には、R(赤)、G
(緑)、B(青)の各カラーフィルタ要素及びそれに対
応する各画素電極の配列の仕方によりいくつかの種類が
あるが、そのうちの1つとして、図2に概略構成を示す
ように、デルタ配列と呼ばれるものがある。このカラー
液晶表示装置では、同一色を表示する画素電極R、G、
Bが上下方向に千鳥状に配置されている関係から、走査
駆動回路1に接続されたゲートライン2は左右方向に直
線状に配置されているが、信号駆動回路3に接続された
データライン4は同一色を表示する画素電極R、G、B
の各近傍を通過するために上下方向に蛇行して配置され
ている。
2. Description of the Related Art Color liquid crystal display devices include R (red) and G
There are several types depending on the arrangement of the (green) and B (blue) color filter elements and the corresponding pixel electrodes, and one of them is a delta as shown in the schematic configuration in FIG. There is something called an array. In this color liquid crystal display device, pixel electrodes R, G, which display the same color,
The gate lines 2 connected to the scanning drive circuit 1 are linearly arranged in the left-right direction because the Bs are arranged in a zigzag pattern in the vertical direction, but the data lines 4 connected to the signal drive circuit 3 are arranged. Are pixel electrodes R, G, and B that display the same color
Are arranged so as to meander in the vertical direction so as to pass through each of the vicinity.

【0003】図3は従来のこのような液晶表示装置にお
ける液晶表示パネルの具体的な一例の一部を示したもの
である。データライン4は、ゲートライン2と直交する
直交部4aとゲートライン2と平行する平行部4bを有
している。そして、一例として、R用の画素を取り上げ
れば、隣接する直交部4aに対して画素電極R及び薄膜
トランジスタ5が左側と右側に交互に線対称的に配置さ
れている。各薄膜トランジスタ5は、ゲートライン2の
直線部2aからデータライン4の直交部4aと一部が重
なるように延出された延出部2bをゲート電極とし、デ
ータライン4の直交部4aと平行に延出されて各画素電
極Rに接続された延出部6をソース電極としている。
FIG. 3 shows a part of a concrete example of a liquid crystal display panel in such a conventional liquid crystal display device. The data line 4 has an orthogonal portion 4a orthogonal to the gate line 2 and a parallel portion 4b parallel to the gate line 2. Then, as an example, taking the pixel for R, the pixel electrode R and the thin film transistor 5 are arranged line-symmetrically alternately on the left side and the right side with respect to the adjacent orthogonal portion 4a. Each thin film transistor 5 has an extending portion 2b extending from the linear portion 2a of the gate line 2 so as to partially overlap the orthogonal portion 4a of the data line 4 as a gate electrode, and is parallel to the orthogonal portion 4a of the data line 4. The extended portion 6 extended and connected to each pixel electrode R is used as a source electrode.

【発明が解決しようとする課題】[Problems to be Solved by the Invention]

【0004】ところで、従来のこのような液晶表示パネ
ルでは、ゲートライン2から直交する方向に引き出され
たゲート電極2bが隣のゲートライン2の近傍まで引き
出され、またこのゲート電極2bの長手方向ほぼ全体に
沿ってソース電極6が設けられている。この結果、デー
タライン4の直交部4aとゲート電極2b間の重なり部
及びゲート電極2bとソース電極6間の重なり部が大き
くなり、したがってデータライン4の直交部4aとゲー
ト電極2b間の寄生容量及びゲート電極2bとソース電
極6間の寄生容量が大きくなってしまうという問題があ
った。なお、データライン4の直交部4aとゲート電極
2b間の重なり部及びゲート電極2bとソース電極6間
の重なり部を無くすために、これらを左右方向に離すこ
とが考えられるが、このようにすると、開口率が低下す
るという別の問題がある。また、左側の薄膜トランジス
タ5と右側の薄膜トランジスタ5がデータライン4を挾
んで線対称的に配置されているので、これら薄膜トラン
ジスタ5を形成するとき左右方向にずれた場合、図示し
ていないが、薄膜トランジスタ5の一部を構成する半導
体薄膜のソース領域とゲート電極2bとの重なり部が、
左側の薄膜トランジスタ5と右側の薄膜トランジスタ5
とで異なる方向にずれることになる。したがって、この
ような場合には、左側の薄膜トランジスタ5と右側の薄
膜トランジスタ5のゲート・ソース間の寄生容量Cgs
が異なることとなり、ひいては光学特性に差が生じ、表
示品位が悪化するという問題があった。この発明の目的
は、開口率を低下させることなく不要な寄生容量を少な
くすることができ、且つ表示品位が悪化しないようにす
ることができる液晶表示パネルを提供することにある。
By the way, in such a conventional liquid crystal display panel, the gate electrode 2b drawn out in a direction orthogonal to the gate line 2 is drawn out to the vicinity of the adjacent gate line 2, and the gate electrode 2b is almost in the longitudinal direction. The source electrode 6 is provided along the whole. As a result, the overlapping portion between the orthogonal portion 4a of the data line 4 and the gate electrode 2b and the overlapping portion between the gate electrode 2b and the source electrode 6 become large, so that the parasitic capacitance between the orthogonal portion 4a of the data line 4 and the gate electrode 2b is increased. There is also a problem that the parasitic capacitance between the gate electrode 2b and the source electrode 6 becomes large. In order to eliminate the overlapping portion between the orthogonal portion 4a of the data line 4 and the gate electrode 2b and the overlapping portion between the gate electrode 2b and the source electrode 6, it is conceivable to separate them in the left-right direction. However, there is another problem that the aperture ratio decreases. Further, since the left thin film transistor 5 and the right thin film transistor 5 are line-symmetrically arranged with the data line 4 interposed therebetween, when these thin film transistors 5 are formed in the left and right directions, although not shown, the thin film transistor 5 is not shown. Of the source region of the semiconductor thin film forming a part of the gate electrode 2b,
Left side thin film transistor 5 and right side thin film transistor 5
And will shift in different directions. Therefore, in such a case, the parasitic capacitance Cgs between the gate and source of the left thin film transistor 5 and the right thin film transistor 5 is
However, there is a problem that the display quality is deteriorated due to the difference in the optical characteristics. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display panel that can reduce unnecessary parasitic capacitance without lowering the aperture ratio and can prevent display quality from deteriorating.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
左右方向に直線状に配置されたゲートラインと、該ゲー
トラインと直交する直交部と該ゲートラインと平行する
平行部を有し、上下方向に蛇行して配置されたデータラ
インと、該データラインの左側と右側に交互に接続され
た薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続され
た画素電極とを備えた液晶表示パネルにおいて、前記左
側の薄膜トランジスタと前記右側の薄膜トランジスタ
を、前記データラインを挾んで線対称的に設けられ、且
つ前記データラインの直交部と重合しない位置に該デー
タラインの直交部と平行に隣のデータラインとの中間点
まで達しない長さに引き出されて設けられたゲート電極
と、該ゲート電極と重合しない位置に設けられたソース
電極とを有する構造としたものである。請求項2記載の
発明は、前記薄膜トランジスタのチャネル領域をセルフ
アライメントにより形成したものである。
According to the first aspect of the present invention,
Data lines arranged in a straight line in the left-right direction, a data line having an orthogonal portion orthogonal to the gate line and a parallel portion parallel to the gate line, and arranged to meander in the vertical direction, and the data line. In a liquid crystal display panel having thin film transistors alternately connected to the left side and the right side, and a pixel electrode connected to the thin film transistor, the left side thin film transistor and the right side thin film transistor are line-symmetrical across the data line. A gate electrode that is provided in a position that does not overlap the orthogonal portion of the data line and that is extended in parallel to the orthogonal portion of the data line and has a length that does not reach the midpoint between the adjacent data lines, The structure has a gate electrode and a source electrode provided at a position where it does not overlap. According to a second aspect of the invention, the channel region of the thin film transistor is formed by self-alignment.

【0006】[0006]

【作用】請求項1記載の発明によれば、ゲート電極をデ
ータラインの直交部と重合しない位置に該データライン
の直交部と平行に隣のデータラインとの中間点まで達し
ない長さに引き出して設け、且つゲート電極と重合しな
い位置にソース電極を設けているので、開口率を低下さ
せることなく不要な寄生容量を少なくすることができ
る。また、請求項2記載の発明によれば、薄膜トランジ
スタのチャネル領域をセルフアライメントにより形成し
ているので、データラインの左側の薄膜トランジスタと
右側の薄膜トランジスタにおいてソース領域とゲート電
極との重なり部を同じとすることができ、したがってC
gsが同じとなり、光学特性も同じとなり、ひいては表
示品位が悪化しないようにすることができる。
According to the first aspect of the invention, the gate electrode is drawn out at a position where it does not overlap the orthogonal portion of the data line and in a length parallel to the orthogonal portion of the data line and not reaching the intermediate point between the adjacent data lines. Since the source electrode is provided at a position that does not overlap the gate electrode, unnecessary parasitic capacitance can be reduced without lowering the aperture ratio. Further, according to the second aspect of the present invention, since the channel region of the thin film transistor is formed by self-alignment, the thin film transistor on the left side and the thin film transistor on the right side of the data line have the same overlapping portion between the source region and the gate electrode. Can be, therefore C
The gs is the same, the optical characteristics are the same, and it is possible to prevent the display quality from deteriorating.

【0007】[0007]

【実施例】図1(A)及び(B)はこの発明の一実施例
における液晶表示パネルの要部を示したものである。こ
の場合も、デルタ配列であって、同一色を表示する画素
電極R、G、Bが上下方向に千鳥状に配置されている関
係から、ゲートライン11は左右方向に直線状に配置さ
れているが、データライン12は同一色を表示する画素
電極R、G、Bの各近傍を通過するために上下方向に蛇
行して配置されている。したがって、データライン12
は、ゲートライン11と直交する直交部12aとゲート
ライン11と平行する平行部12bを有している。そし
て、一例として、R用の画素を取り上げれば、隣接する
直交部12aに対して画素電極R及び薄膜トランジスタ
13が左側と右側に交互に線対称的に配置されている。
1 (A) and 1 (B) show the essential parts of a liquid crystal display panel in an embodiment of the present invention. Also in this case, the gate lines 11 are arranged in a straight line in the left-right direction because the pixel electrodes R, G, B displaying the same color are arranged in a zigzag pattern in the vertical direction in the delta arrangement. However, the data lines 12 are arranged in a meandering manner in the vertical direction so as to pass near the pixel electrodes R, G, and B displaying the same color. Therefore, the data line 12
Has an orthogonal portion 12a orthogonal to the gate line 11 and a parallel portion 12b parallel to the gate line 11. Then, taking the pixel for R as an example, the pixel electrode R and the thin film transistor 13 are arranged line-symmetrically alternately on the left side and the right side with respect to the adjacent orthogonal portion 12a.

【0008】ここで、各薄膜トランジスタ13は、デー
タライン12の直交部12aと重合しない位置に該デー
タライン12の直交部12aと平行にゲートラインを引
き出してゲート電極15とするもので、このゲート電極
15は隣のゲートラインとの中間点まで達しない長さと
されている。また、各薄膜トランジスタ13のソース電
極22はゲート電極15と重合しない位置に設けられて
いる。
Here, in each thin film transistor 13, a gate line is drawn out in parallel with the orthogonal portion 12a of the data line 12 as a gate electrode 15 at a position where it does not overlap with the orthogonal portion 12a of the data line 12. The length 15 is set so as not to reach the midpoint of the adjacent gate line. The source electrode 22 of each thin film transistor 13 is provided at a position where it does not overlap with the gate electrode 15.

【0009】次に、主として、薄膜トランジスタ13の
構造について説明する。ガラス基板14の上面の所定の
個所にはゲートライン11及びこのゲートライン11か
ら直交する方向に少しだけ引き出されたゲート電極15
が形成されている。ゲートライン11及びゲート電極1
5を含むガラス基板14の上面にはゲート絶縁膜16が
形成されている。ゲート電極15及びその左右両側に対
応する部分におけるゲート絶縁膜16の上面にはアモル
ファスシリコンやポリシリコン等からなる半導体薄膜1
7が形成されている。ゲート電極15に対応する部分に
おける半導体薄膜17の上面にはチャネル保護膜18が
形成されている。そして、チャネル保護膜18をマスク
としてリンやボロン等のイオンが注入されていることに
より、チャネル保護膜18下の半導体薄膜17はチャネ
ル領域17aとされ、その左右両側はソース領域17b
及びドレイン領域17cとされている。半導体薄膜17
及びチャネル保護膜18を含むゲート絶縁膜16の上面
には層間絶縁膜19が形成されている。ソース領域17
b及びドレイン領域17cと対応する部分における層間
絶縁膜19にはコンタクトホール20、21が形成され
ている。コンタクトホール20、21の部分にはソース
電極222及びドレイン電極33が形成されている。な
お、これら電極22、23の形成と同時に、データライ
ン12が形成される。また、ソース電極22は、層間絶
縁膜19の上面の所定の個所に形成された画素電極Rと
接続されている。
Next, the structure of the thin film transistor 13 will be mainly described. The gate line 11 and the gate electrode 15 slightly extended from the gate line 11 in a direction orthogonal to the gate line 11 are provided at predetermined positions on the upper surface of the glass substrate 14.
Are formed. Gate line 11 and gate electrode 1
A gate insulating film 16 is formed on the upper surface of the glass substrate 14 including the glass. The semiconductor thin film 1 made of amorphous silicon, polysilicon, or the like is formed on the upper surface of the gate insulating film 16 at the gate electrode 15 and the portions corresponding to the left and right sides thereof.
7 are formed. A channel protection film 18 is formed on the upper surface of the semiconductor thin film 17 in the portion corresponding to the gate electrode 15. Ions such as phosphorus and boron are implanted using the channel protection film 18 as a mask, so that the semiconductor thin film 17 under the channel protection film 18 becomes a channel region 17a, and the left and right sides thereof are the source regions 17b.
And a drain region 17c. Semiconductor thin film 17
An interlayer insulating film 19 is formed on the upper surface of the gate insulating film 16 including the channel protective film 18. Source area 17
Contact holes 20 and 21 are formed in the interlayer insulating film 19 in a portion corresponding to b and the drain region 17c. A source electrode 222 and a drain electrode 33 are formed in the contact holes 20 and 21. The data line 12 is formed simultaneously with the formation of the electrodes 22 and 23. The source electrode 22 is connected to the pixel electrode R formed at a predetermined position on the upper surface of the interlayer insulating film 19.

【0010】このように、各薄膜トランジスタ13は、
データライン12の直交部12aと重合しない位置に該
データライン12の直交部12aと平行に隣のデータラ
インとの中間点まで達しない長さに引き出されqゲート
電極15と、ゲート電極15と重合しない位置に設けら
れたソース電極22を有する構造であるから、薄膜トラ
ンジスタ13の占有面積を小さくすることができ、した
がって開口率が低下しないようにすることができ、また
不要な寄生容量を少なくすることができる。
In this way, each thin film transistor 13
The gate electrode 15 and the gate electrode 15 are overlapped with each other so as not to overlap the orthogonal portion 12a of the data line 12 and to a length parallel to the orthogonal portion 12a of the data line 12 so as not to reach an intermediate point between adjacent data lines. Since the structure has the source electrode 22 provided at a position not provided, the area occupied by the thin film transistor 13 can be reduced, and thus the aperture ratio can be prevented from decreasing, and unnecessary parasitic capacitance can be reduced. You can

【0011】ところで、この液晶表示パネルにおいて薄
膜トランジスタ13のチャネル保護膜18を形成する場
合、ゲート電極15をマスクとした裏面露光によるフォ
トリソグラフィにより形成すると、チャネル保護膜18
がセルフアライメントされて形成されることになる。そ
して、このセルフアライメントされて形成されたチャネ
ル保護膜18をマスクとしてリンやボロン等のイオンを
注入すると、チャネル領域17aがセルフアライメント
されて形成されることになる。この結果、R用のデータ
ライン12の左側の薄膜トランジスタ13と右側の薄膜
トランジスタ13においてソース領域17bとゲート電
極15との重なり部を同じとすることができ、したがっ
てCgsが同じとなり、光学特性も同じとなり、ひいて
は表示品位が悪化しないようにすることができる。
By the way, when the channel protection film 18 of the thin film transistor 13 is formed in this liquid crystal display panel, it is formed by photolithography by backside exposure using the gate electrode 15 as a mask.
Will be self-aligned and formed. Then, when ions such as phosphorus and boron are implanted using the channel protective film 18 formed by self-alignment as a mask, the channel region 17a is formed by self-alignment. As a result, in the thin film transistor 13 on the left side and the thin film transistor 13 on the right side of the data line 12 for R, the overlapping portion of the source region 17b and the gate electrode 15 can be the same, and therefore Cgs is the same and the optical characteristics are the same. As a result, it is possible to prevent the display quality from deteriorating.

【0012】なお、上記実施例では、薄膜トランジスタ
13として通常のMOS構造の薄膜トランジスタについ
て説明したが、チャネル領域とソース領域及びドレイン
領域との間に低濃度不純物注入領域を有するLDD構造
の薄膜トランジスタとしてもよい。この場合も、チャネ
ル領域をセルフアライメントにより形成すると、データ
ラインの左側の薄膜トランジスタと右側の薄膜トランジ
スタにおいて低濃度不純物注入領域からなるソース領域
とゲート電極との重なり部を同じとすることができる。
In the above embodiment, the thin film transistor 13 is a normal thin film transistor having a MOS structure, but it may be a thin film transistor having an LDD structure having a low concentration impurity implantation region between the channel region and the source and drain regions. . Also in this case, if the channel region is formed by self-alignment, the overlapping portion of the source region and the gate electrode, which are the low-concentration impurity implantation region, in the thin film transistor on the left side and the thin film transistor on the right side of the data line can be the same.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1記載の発
明によれば、ゲート電極をデータラインの直交部と重合
しない位置に該データラインの直交部と平行に隣のデー
タラインとの中間点まで達しない長さに引き出して設
け、且つゲート電極と重合しない位置にソース電極を設
けているので、開口率を低下させることなく不要な寄生
容量を少なくすることができる。また、請求項2記載の
発明によれば、薄膜トランジスタのチャネル領域をセル
フアライメントにより形成しているので、データライン
の左側の薄膜トランジスタと右側の薄膜トランジスタに
おいてソース領域とゲート電極との重なり部を同じとす
ることができ、したがってCgsが同じとなり、光学特
性も同じとなり、ひいては表示品位が悪化しないように
することができる。
As described above, according to the first aspect of the invention, the gate electrode is located at a position where the gate electrode does not overlap with the orthogonal portion of the data line, and in parallel with the orthogonal portion of the data line and in the middle of the adjacent data line. Since the source electrode is provided so as to extend so as not to reach the point and not overlap with the gate electrode, unnecessary parasitic capacitance can be reduced without lowering the aperture ratio. Further, according to the second aspect of the present invention, since the channel region of the thin film transistor is formed by self-alignment, the thin film transistor on the left side and the thin film transistor on the right side of the data line have the same overlapping portion between the source region and the gate electrode. Therefore, the Cgs are the same, the optical characteristics are the same, and it is possible to prevent the display quality from deteriorating.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(A)はこの発明の一実施例における液晶表示
パネルの要部の平面図、(B)はそのX−X線に沿う断
面図。
FIG. 1A is a plan view of a main part of a liquid crystal display panel according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view taken along line XX thereof.

【図2】従来のデルタ配列のカラー液晶表示装置の概略
構成図。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a conventional delta array color liquid crystal display device.

【図3】従来のこのようなカラー液晶表示装置における
液晶表示パネルの具体的な一例を示す一部の平面図。
FIG. 3 is a partial plan view showing a specific example of a liquid crystal display panel in such a conventional color liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ゲートライン 12 データライン 12a 直交部 12b 平行部 R、G、B 画素電極 13 薄膜トランジスタ 15 ゲート電極 17 半導体薄膜 17a チャネル領域 22 ソース電極 23 ドレイン電極 11 gate line 12 data line 12a orthogonal part 12b parallel part R, G, B pixel electrode 13 thin film transistor 15 gate electrode 17 semiconductor thin film 17a channel region 22 source electrode 23 drain electrode

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 左右方向に直線状に配置されたゲートラ
インと、該ゲートラインと直交する直交部と該ゲートラ
インと平行する平行部を有し、上下方向に蛇行して配置
されたデータラインと、該データラインの左側と右側に
交互に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジ
スタに接続された画素電極とを備えた液晶表示パネルに
おいて、 前記左側の薄膜トランジスタと前記右側の薄膜トランジ
スタは、前記データラインを挾んで線対称的に設けら
れ、且つ前記データラインの直交部と重合しない位置に
該データラインの直交部と平行に隣のデータラインとの
中間点まで達しない長さに引き出されて設けられたゲー
ト電極と、該ゲート電極と重合しない位置に設けられた
ソース電極とを有する構造であることを特徴とする液晶
表示パネル。
1. A data line having a gate line linearly arranged in the left-right direction, an orthogonal portion orthogonal to the gate line, and a parallel portion parallel to the gate line, the data line being meandering in the vertical direction. In the liquid crystal display panel having a thin film transistor alternately connected to the left side and the right side of the data line, and a pixel electrode connected to the thin film transistor, the left side thin film transistor and the right side thin film transistor are connected to the data line. It is provided so as to be line-symmetrical, and is provided at a position that does not overlap with the orthogonal portion of the data line and that is parallel to the orthogonal portion of the data line and has a length that does not reach an intermediate point between adjacent data lines. A liquid crystal display panel having a structure having a gate electrode and a source electrode provided at a position not overlapping with the gate electrode.
【請求項2】 前記薄膜トランジスタのチャネル領域は
セルフアライメントにより形成されていることを特徴と
する請求項1記載の液晶表示パネル。
2. The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the channel region of the thin film transistor is formed by self-alignment.
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