JPH0883443A - Production of optical information recording medium - Google Patents

Production of optical information recording medium

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Publication number
JPH0883443A
JPH0883443A JP21729494A JP21729494A JPH0883443A JP H0883443 A JPH0883443 A JP H0883443A JP 21729494 A JP21729494 A JP 21729494A JP 21729494 A JP21729494 A JP 21729494A JP H0883443 A JPH0883443 A JP H0883443A
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JP
Japan
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layer
recording layer
curing
recording
laser beam
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Application number
JP21729494A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Michikazu Horie
通和 堀江
Haruo Kunitomo
晴男 国友
Kenichi Takada
健一 高田
Hiroyoshi Mizuno
裕宜 水野
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
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Publication of JPH0883443A publication Critical patent/JPH0883443A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To shorten initialization time, to reduce the power of laser beam and to prolong the usable time of laser by irradiating a recording layer with laser beam at the time of curing a protective layer when a phase change type medium is initialized. CONSTITUTION: The figure is a block diagram of a device for curing the UV- curing resin of a phase change type recording medium and initializing the medium. This device has a light source 8 for curing a UV-curing resin, a mechanism 9 for turning a substrate 1, a multilayered film 10 including a recording layer, a layer of an uncured UV-curing resin 11 formed by spin coating and a laser beam source 12 for initialization. At the time of curing the uncured UV-curing resin 11 forming a protective layer, laser beam from the light source 12 is converged and the recording layer in the multilayered film 10 is initialized by irradiation with the converged laser beam. The time required to initialize the recording layer is shortened, the power of laser beam is reduced and the usable time of laser is prolonged.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光学的情報記録用媒体
の製造方法に関し、レーザー光の照射により記録層が可
逆的に相変化することを利用した、高速、高密度かつオ
ーバーライト可能な光学的情報記録用媒体の製造方法に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing an optical information recording medium, which is capable of high speed, high density and overwriting by utilizing reversible phase change of a recording layer upon irradiation with laser light. The present invention relates to a method for manufacturing an optical information recording medium.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、情報量の増大にともない、高密度
でかつ高速に大量のデータの記録・再生ができる記録媒
体が求められているが、光ディスクはまさにこうした用
途に応えるものとして期待されている。光ディスクには
一度だけ記録が可能な追記型と、記録・消去が何度でも
可能な書換型がある。
2. Description of the Related Art In recent years, a recording medium capable of recording and reproducing a large amount of data at high density and at high speed has been demanded as the amount of information has increased. Optical discs are expected to meet such applications. There is. Optical disks are classified into a write-once type that allows recording only once and a rewritable type that allows recording / erasing as many times as desired.

【0003】書換型光ディスクとしては、光磁気効果を
利用した光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変化に
伴う反射率変化を利用した相変化媒体があげられる。相
変化媒体は外部磁界を必要とせず、レーザー光のパワー
を変調するだけで記録・消去が可能であり、記録・再生
装置を小型化できるという利点を有する。さらに、消去
と再記録を単一レーザー光ビームで同時に行う、いわゆ
る1ビームオーバーライトが可能である。
Examples of the rewritable optical disk include a magneto-optical recording medium which utilizes the magneto-optical effect and a phase change medium which utilizes the reflectance change accompanying the reversible change of the crystalline state. The phase change medium does not require an external magnetic field, and recording / erasing can be performed only by modulating the power of the laser light, and it has an advantage that the recording / reproducing apparatus can be downsized. Furthermore, so-called 1-beam overwriting is possible, in which erasing and re-recording are performed simultaneously with a single laser light beam.

【0004】あるいは、現在主流である800nm前後
の波長での記録消去可能な媒体から、特に材料の変更を
することなく短波長による高密度記録媒体化が可能であ
るといった利点を有する。このような、1ビームオーバ
ーライトが可能な相変化媒体の記録層材料としては、カ
ルコゲン系合金薄膜を用いることが多い。たとえば、G
eTeSb系、InSbTe系、GeSnTe系等があ
げられる。
Alternatively, there is an advantage that a recording-erasable medium having a wavelength of around 800 nm, which is the mainstream at present, can be used as a high-density recording medium with a short wavelength without changing the material. A chalcogen-based alloy thin film is often used as the recording layer material of such a phase change medium capable of one-beam overwriting. For example, G
Examples thereof include eTeSb type, InSbTe type and GeSnTe type.

【0005】かかる相変化媒体は、実用化に際しては記
録層を誘電体層ではさみ、さらにその上部に、金属反射
層を設けることが多い。この多層構成により、干渉効果
を利用して反射率差(コントラスト)を改善するのが普
通である。さらに、この多層構成は、放熱、蓄熱硬化や
機械的に記録層の変形を防止する効果もある。
In practical use of such a phase change medium, the recording layer is often sandwiched between dielectric layers, and a metal reflective layer is further provided on the recording layer. With this multilayer structure, it is usual to improve the difference in reflectance (contrast) by utilizing the interference effect. Furthermore, this multi-layer structure also has the effect of preventing heat dissipation, heat storage hardening, and mechanical deformation of the recording layer.

【0006】すなわち、一般に、書換型の相変化記録媒
体では、未記録・消去状態を結晶状態とし、非晶質のビ
ットを形成する。非晶ビットは記録層を融点より高い温
度まで加熱し、急冷することによって形成されるのであ
るが、記録層をはさむ誘電体層は十分な過冷却状態を得
るための放熱層として働く。
That is, generally, in a rewritable phase change recording medium, an unrecorded / erased state is set to a crystalline state to form an amorphous bit. The amorphous bit is formed by heating the recording layer to a temperature higher than the melting point and quenching it. The dielectric layer sandwiching the recording layer functions as a heat dissipation layer for obtaining a sufficient supercooled state.

【0007】一方、消去(結晶化)は、記録層の結晶化
温度よりは高く融点よりは低い温度まで記録層を加熱し
て行う。この場合、誘電体層は結晶化が完了するまでの
間、記録層の温度を高温に保つ蓄熱層として働く。一
方、記録層の溶融・体積膨張に伴う変形や、プラスチッ
ク基板への熱的ダメージを防いだり、湿気による記録層
の劣化を防止するためにも、上記誘電体層からなる保護
層は重要である。
On the other hand, erasing (crystallization) is performed by heating the recording layer to a temperature higher than the crystallization temperature of the recording layer and lower than the melting point. In this case, the dielectric layer functions as a heat storage layer that keeps the temperature of the recording layer at a high temperature until crystallization is completed. On the other hand, the protective layer made of the dielectric layer is important in order to prevent deformation of the recording layer due to melting and volume expansion, thermal damage to the plastic substrate, and deterioration of the recording layer due to moisture. .

【0008】さらに、実用的な相変化媒体では、上記記
録層上の誘電体保護層または金属反射層を介して、光ま
たは熱硬化性樹脂層を設けて、変形防止、擦傷防止等の
機能をもたせて信頼性を向上させている。
Further, in a practical phase-change medium, a light or thermosetting resin layer is provided through the dielectric protective layer or the metal reflective layer on the recording layer to provide functions such as deformation prevention and scratch prevention. It improves the reliability of the product.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記、多層構成からな
る相変化型媒体は、通常、下記1〜6のような工程で製
造される。 1)プラスチック基板の射出成形またはガラス基板上に
光硬化性または熱硬化性樹脂を用いて溝を形成する。
The phase-change type medium having a multi-layered structure is usually manufactured by the following steps 1 to 6. 1) Injection molding of a plastic substrate or forming a groove on a glass substrate using a photocurable or thermosetting resin.

【0010】2)真空槽内で、連続的に、上記基板上に
多層薄膜層を順次形成する。例えば、下部誘電体層、記
録層、上部誘電体層、金属反射層という順に成膜する。
成膜は通常蒸着法やスパッタ法が用いられる。 3)真空槽内から取り出した媒体の基板の記録層側の
面、さらに必要に応じて、その反対側の面に保護層とし
て光硬化性または熱硬化性樹脂層を形成する。
2) A multilayer thin film layer is successively formed on the substrate in a vacuum chamber. For example, the lower dielectric layer, the recording layer, the upper dielectric layer, and the metal reflective layer are formed in this order.
For the film formation, a vapor deposition method or a sputtering method is usually used. 3) A photocurable or thermosetting resin layer is formed as a protective layer on the recording layer side surface of the substrate of the medium taken out from the vacuum chamber and, if necessary, on the opposite surface.

【0011】4)初期化を行う、現在広く用いられてい
るGeSbTe系記録層を用いた相変化媒体では、通
常、結晶状態を初期・未記録状態とするが、該記録層は
成膜直後が非晶質であるため、初期化(結晶化)が必要
である。それは、上記真空槽内での成膜後のいずれのタ
イミングにおいても可能である。 5)両面媒体では貼合わせを行う。
4) In a phase change medium using a GeSbTe recording layer which is widely used at present for initialization, the crystalline state is usually set to the initial / unrecorded state. Since it is amorphous, it needs to be initialized (crystallized). It is possible at any timing after the film formation in the vacuum chamber. 5) For double-sided media, stick together.

【0012】6)最終的な検査を行う。これに前後し
て、カートリッジに梱包する。 上記、相変化媒体の製造プロセスは、ほぼ光磁気媒体と
同様である。しかし、光磁気媒体と比較して、初期化に
要する時間が長く、量産性を改善する上でのネックとな
っている。通常の光磁気ディスクの初期化は、大型磁石
の磁場中に成膜後の媒体を通過させるだけで完了するの
で、所用時間は、わずか5〜6秒未満である。
6) Perform a final inspection. Around this, it is packed in a cartridge. The manufacturing process of the phase change medium is almost the same as that of the magneto-optical medium. However, the time required for initialization is longer than that of the magneto-optical medium, which is a bottleneck in improving mass productivity. Since the initialization of a normal magneto-optical disk is completed only by passing the medium after film formation in the magnetic field of a large magnet, the required time is only 5 to 6 seconds or less.

【0013】相変化媒体に対して、現在知られている最
も実用的な初期化方法は、レーザービームを照射して記
録層を加熱することである。本発明者等の検討によれ
ば、例えば、市販のバルクイレーザー(シバソク
(株)、LK10シリーズ)を用いた場合、130mm
直径ディスク片面の初期化には30〜40秒程度が必要
である。
For a phase change medium, the most practical currently known initialization method is to irradiate a laser beam to heat the recording layer. According to the study of the present inventors, for example, when a commercially available bulk eraser (Shiba Soku Co., Ltd., LK10 series) is used, it is 130 mm.
It takes about 30 to 40 seconds to initialize one side of the diameter disc.

【0014】フラッシュランプアニールを併用する方法
なども提案されているが、現在のところ、光磁気ディス
クの初期化より短縮できてはいない。
Although a method using flash lamp annealing in combination has been proposed, at present, it has not been shortened more than the initialization of the magneto-optical disk.

【0015】[0015]

【課題を解決する手段】本発明者等は、相変化媒体の初
期化方法について種々検討を行った結果、現状では、初
期化時間を大幅に短縮することは困難であった。それよ
りも、上記の工程全体のなかで初期化工程を、他工程と
組み合わせることで、単に時間短縮のみならず、必要な
レーザー光パワーを低減し、レーザーの使用可能時間を
延ばすこともできる方法を見いだした。
As a result of various studies on the initialization method of the phase change medium, the present inventors have found that it is difficult to significantly reduce the initialization time under the present circumstances. Rather, by combining the initialization step with other steps in the above steps, not only the time can be shortened, but also the required laser light power can be reduced and the usable time of the laser can be extended. I found it.

【0016】すなわち、本発明の要旨は、基板上に少な
くとも相変化型の記録層と、該記録層の基板とは反対側
に、誘電体保護層または金属反射層の一方または両方を
介して、光硬化性または熱硬化性樹脂からなる保護層を
設けてなる光学的情報記録用媒体を製造するに際し、該
保護層の光硬化性または熱硬化性樹脂の硬化時に、記録
層にレーザービームを照射して、記録層の初期化を行う
ことを特徴とする光学的情報記録用媒体の製造方法に存
する。
That is, the gist of the present invention is to provide at least a phase-change recording layer on a substrate and one or both of a dielectric protective layer and a metal reflective layer on the opposite side of the recording layer from the substrate, In producing an optical information recording medium having a protective layer made of a photocurable or thermosetting resin, the recording layer is irradiated with a laser beam when the photocurable or thermosetting resin of the protective layer is cured. Then, the method for manufacturing an optical information recording medium is characterized in that the recording layer is initialized.

【0017】次に、本発明による光学的記録用媒体の構
成について述べる。図1は、本発明における相変化型光
学的情報記録用媒体の層構成を示す断面の模式図であ
る。図1において、基板1には、ポリカーボネート、ア
クリル樹脂、非晶性ポリオレフィンなどの透明樹脂、あ
るいはガラスを用いることができる。
Next, the structure of the optical recording medium according to the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the layer structure of a phase change type optical information recording medium according to the present invention. In FIG. 1, a transparent resin such as polycarbonate, acrylic resin, amorphous polyolefin, or glass can be used for the substrate 1.

【0018】保護層2、4の厚みは、各々100Åから
5000Åの範囲であることが望ましい。保護層2、4
の厚みが100Å以下であると、基板や記録膜の変形防
止効果が不十分であり、保護層としての役目をなさな
い。保護層2、4の厚みが5000Å以上では、保護層
自体の内部応力や基板との弾性特性の差が顕著になっ
て、クラックが発生しやすくなる。
The thickness of each of the protective layers 2 and 4 is preferably in the range of 100Å to 5000Å. Protective layers 2, 4
If the thickness is less than 100Å, the effect of preventing the deformation of the substrate and the recording film is insufficient, and it does not serve as a protective layer. When the thickness of the protective layers 2 and 4 is 5000 Å or more, the internal stress of the protective layer itself and the difference in elastic characteristics from the substrate become remarkable, and cracks easily occur.

【0019】保護層2、4としては、金属の酸化物、窒
化物、弗化物等で融点が1000℃以上の材料が望まし
い。あるいは、ZnS,ZnO,CdS等のカルコゲン
元素を含む誘電体または半導体を一方の化合物とし、こ
れとSi,Ta,Y、Zr,Ti等の金属酸化物、窒化
物または炭化物あるいは、MgF2等の弗化物を他方の
化合物として混合した材料が好ましく用いられる。
As the protective layers 2 and 4, materials such as metal oxides, nitrides and fluorides having a melting point of 1000 ° C. or higher are desirable. Alternatively, one of the compounds is a dielectric or semiconductor containing a chalcogen element such as ZnS, ZnO, CdS, and a metal oxide, nitride or carbide of Si, Ta, Y, Zr, Ti or the like, or MgF 2 or the like. A material in which a fluoride is mixed as the other compound is preferably used.

【0020】その混合比は、例えばZnSに他の酸化
物、窒化物、炭化物、弗化物を混合する場合、ZnSの
組成比とも90〜40mol%とするのが普通である。
相変化型の記録層3は、通常その厚みが100Åから1
000Åの範囲に選ばれる。記録層3の厚みが100Å
より薄いと十分なコントラストが得られない。また、結
晶化速度が遅くなる傾向があり、短時間での記録消去が
困難になる。
For example, when ZnS is mixed with other oxides, nitrides, carbides or fluorides, the composition ratio of ZnS is usually 90 to 40 mol%.
The phase-change recording layer 3 usually has a thickness of 100Å to 1
Selected in the range of 000Å. The thickness of the recording layer 3 is 100Å
If it is thinner, sufficient contrast cannot be obtained. Further, the crystallization speed tends to be slow, and it becomes difficult to erase the record in a short time.

【0021】一方記録層3の厚みが1000Åを越える
とやはり光学的なコントラストが得にくくなり、また、
クラックが生じ易くなるので好ましくない。なお、記録
層3及び保護層2、4の厚みは多層構成にともなう干渉
効果も考慮して、レーザー光の吸収効率がよく、記録信
号の振幅すなわち記録状態と未記録状態のコントラスト
が大きくなるように選ばれる。
On the other hand, if the thickness of the recording layer 3 exceeds 1000Å, it becomes difficult to obtain optical contrast, and
It is not preferable because cracks easily occur. It should be noted that the thicknesses of the recording layer 3 and the protective layers 2 and 4 are high in absorption efficiency of laser light in consideration of the interference effect due to the multi-layer structure, and the amplitude of the recording signal, that is, the contrast between the recorded state and the unrecorded state is increased. To be chosen.

【0022】記録層としては、GeSbTeやInSb
Teといった3元化合物がオーバーライト可能な材料と
して選ばれる。これらの3元化合物に0.1〜10原子
%のSn、In、Pb、As、Se、Si、Bi、A
u、Ti、Cu、Ag、Pt、Pd、Co、Ni等のう
ちから、一種またはそれ以上の元素を添加して結晶加速
度、光学定数、耐酸化性を改善することも有効である。
As the recording layer, GeSbTe or InSb is used.
A ternary compound such as Te is selected as the overwritable material. 0.1 to 10 atomic% of Sn, In, Pb, As, Se, Si, Bi, A is added to these ternary compounds.
It is also effective to add one or more elements from among u, Ti, Cu, Ag, Pt, Pd, Co, Ni and the like to improve the crystal acceleration, optical constants and oxidation resistance.

【0023】図1に示す例では、保護層4の上に熱変形
防止のための光または熱硬化性樹脂からなる保護コート
層5を設けてあるが、さらに接着層を設けて保護基板あ
るいは、もう一枚の記録媒体と貼りあわせてもよい。さ
らに、図2には、保護層4の上に光学的反射層6と保護
コート層7を設けた例を示す。
In the example shown in FIG. 1, a protective coating layer 5 made of light or thermosetting resin for preventing thermal deformation is provided on the protective layer 4, but an adhesive layer is further provided to provide a protective substrate or It may be attached to another recording medium. Further, FIG. 2 shows an example in which the optical reflection layer 6 and the protective coat layer 7 are provided on the protective layer 4.

【0024】光学的反射層は反射率の高い、Al、A
u、Ag、Ni等の金属薄膜が用いられる。この場合記
録層及び保護層の厚みは、反射層を含めた干渉効果を考
慮して決定される。また、反射層6は、記録層3が吸収
した熱エネルギーの拡散を促進する効果もある。
The optical reflection layer is made of Al, A having a high reflectance.
A metal thin film such as u, Ag, or Ni is used. In this case, the thicknesses of the recording layer and the protective layer are determined in consideration of the interference effect including the reflective layer. The reflective layer 6 also has an effect of promoting diffusion of the thermal energy absorbed by the recording layer 3.

【0025】記録層3、保護層2、4、反射層6はスパ
ッタ法などによって形成される。記録膜用ターゲット、
保護膜用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ター
ゲットのターゲットを同一真空チャンバー内に設置した
インライン装置で膜形成を行うことが各層間の酸化や汚
染を防ぐ点で望ましい。また、生産性の面からもすぐれ
ている。
The recording layer 3, the protective layers 2 and 4, and the reflective layer 6 are formed by a sputtering method or the like. Target for recording film,
It is desirable to form a film with an in-line apparatus in which the target for the protective film and, if necessary, the target for the reflective layer material are installed in the same vacuum chamber in order to prevent oxidation and contamination between the layers. It is also excellent in terms of productivity.

【0026】本発明においては、上記多層薄膜の成膜後
に、保護コート層5や7を形成する。保護コート層5や
7は、まず、モノマーまたはオリゴマーを含む溶剤をス
ピンコートによって塗布し、これを光または熱によって
硬化させる。光硬化には通常紫外光が用いられる。光硬
化の場合でも、光照射によって発熱し加熱されるのが一
般的である。
In the present invention, the protective coat layers 5 and 7 are formed after forming the above-mentioned multilayer thin film. For the protective coat layers 5 and 7, first, a solvent containing a monomer or an oligomer is applied by spin coating, and this is cured by light or heat. Ultraviolet light is usually used for photocuring. Even in the case of photo-curing, it is general that heat is generated and heated by light irradiation.

【0027】基板がプラスチックである場合には、基板
の温度は基板のガラス転移点(通常200℃未満)より
十分低くなければならないため、熱硬化時はもちろん、
光硬化時においても、短時間に硬化が終了するに十分な
エネルギーを加えることはできない。さらに、急激な温
度変化は基板、記録媒体の各層間の熱膨張率の差による
クラック等を生じる原因になる。
When the substrate is made of plastic, the temperature of the substrate must be sufficiently lower than the glass transition point of the substrate (usually less than 200 ° C.), so of course during heat curing,
Even during photo-curing, sufficient energy cannot be applied to complete the curing in a short time. Further, the rapid temperature change causes cracks and the like due to the difference in coefficient of thermal expansion between the layers of the substrate and the recording medium.

【0028】これらの制限により、硬化反応には30秒
以上要するのも稀ではない。一方、記録層の結晶化温度
は通常150〜250℃であるから、本発明において
は、保護コート層5の硬化反応中に、記録層にレーザー
光ビームを照射する。図3に例として、紫外線硬化樹脂
硬化兼初期化装置の概念図を示した。8は紫外線硬化用
の光源であり、ハロゲンランプ、水銀ランプ等が用いら
れる。
Due to these restrictions, it is not uncommon for the curing reaction to take 30 seconds or longer. On the other hand, since the crystallization temperature of the recording layer is usually 150 to 250 ° C., in the present invention, the recording layer is irradiated with the laser light beam during the curing reaction of the protective coat layer 5. As an example, FIG. 3 shows a conceptual diagram of the ultraviolet curing resin curing / initializing device. Reference numeral 8 denotes a light source for ultraviolet curing, and a halogen lamp, a mercury lamp or the like is used.

【0029】9は基板の回転機構である。10は記録層
を含む多層膜、11はスピンコートされた未硬化の紫外
線硬化樹脂である。初期化用レーザー光光源12として
は、高出力の半導体レーザーやArレーザー等が用いら
れる。上記レーザー光ビームは集光され、数十から数百
μm径のスポットが10のなかの記録層に照射される。
Reference numeral 9 is a substrate rotating mechanism. Reference numeral 10 is a multilayer film including a recording layer, and 11 is a spin-coated uncured ultraviolet curable resin. As the initialization laser light source 12, a high output semiconductor laser, an Ar laser, or the like is used. The laser light beam is condensed, and a spot having a diameter of several tens to several hundreds of μm is irradiated on the recording layer of 10.

【0030】記録層は、レーザー光照射によりガラス転
移点以上に加熱され初期化(結晶化)される。基板は数
百から数千rpmで回転し、かつ、基板全面を順次加熱
できるよう、レーザー光ビームは基板内外周に移動す
る。このようなレーザー光照射機構は通常の光ディスク
ドライブとほとんど同等の機構を用いれば実現できる。
The recording layer is heated (above the glass transition point) by laser irradiation to be initialized (crystallized). The substrate rotates at several hundred to several thousand rpm, and the laser light beam moves to the inner and outer circumferences of the substrate so that the entire surface of the substrate can be sequentially heated. Such a laser light irradiation mechanism can be realized by using a mechanism almost equivalent to a normal optical disk drive.

【0031】通常のドライブでは、ビームスポット径を
1μm程度に集光するが、初期化は、より広いビームス
ポット径を用いる点が異なっているだけである。このよ
うに、集束光ビームをもちいて局所的に加熱するのは、
やはり、基板の変形や多層膜のクラックを防止しつつ、
記録層を短時間に200℃から数百℃の高温に加熱する
ためである。初期化装置13全体をベルトコンベア14
により搬送する機構を例示した。
In a normal drive, the beam spot diameter is focused to about 1 μm, but the initialization is different only in that a wider beam spot diameter is used. In this way, using the focused light beam to locally heat is
After all, while preventing the deformation of the substrate and the crack of the multilayer film,
This is because the recording layer is heated from 200 ° C. to a high temperature of several hundreds of ° C. in a short time. Belt conveyor 14 for the entire initialization device 13
The mechanism for carrying by is illustrated.

【0032】本発明は、単なる2工程、装置の組み合わ
せによる工程時間の短縮だけを目的としたものではな
い。以下に述べるような初期化工程の本質的改善をも達
成できる。まず、前述のような硬化時の発熱により、記
録層を広く均一に基板のガラス転移点以下まで加熱す
る。
The present invention is not intended to simply reduce the process time by combining the two processes and the apparatus. Essential improvements in the initialization process as described below can also be achieved. First, the recording layer is heated uniformly and widely below the glass transition point of the substrate due to the heat generated during curing as described above.

【0033】従来、この加熱は光硬化性樹脂を用いた場
合では、付加的なむしろネガティブな効果であったが、
本発明ではこの発熱を積極的に利用する。硬化時の加熱
により、レーザー光での加熱に要するパワーが低減され
る。記録層を300〜400℃に加熱して結晶化する場
合、少なくとも20〜30%のパワー低減が可能であ
る。
Conventionally, this heating was an additional rather negative effect when a photocurable resin was used.
The present invention positively utilizes this heat generation. By heating during curing, the power required for heating with laser light is reduced. When the recording layer is heated to 300 to 400 ° C. and crystallized, a power reduction of at least 20 to 30% is possible.

【0034】初期化用のレーザー光は数十から数百mW
のパワーで直流的に発振されるから、レーザーの寿命を
著しく短くする。従って、直流発振パワーの低減はただ
ちにレーザーの延命化につながる。さらに、記録層の結
晶化は通常結晶核の生成と核を中心とする結晶粒の成長
の2段階にわけられる。
The laser light for initialization is tens to hundreds of mW.
Since the laser oscillates like a direct current, the life of the laser is significantly shortened. Therefore, reduction of the DC oscillation power immediately leads to prolongation of the laser life. Further, the crystallization of the recording layer is usually divided into two stages, that is, the generation of crystal nuclei and the growth of crystal grains centering on the nuclei.

【0035】硬化過程の平均的な発熱は結晶核の生成を
促進する。レーザー光による局所的かつ瞬時の加熱がオ
ーバーラップされると、結晶核を中心とする結晶成長が
瞬時(およそ1μsec以内)に完結する。硬化時の記
録層温度を制御することにより、結晶核の密度を制御で
きるが、これは、最終的な平均結晶粒径を制御すること
につながる。
The average heat generated during the curing process promotes the formation of crystal nuclei. When the local and instantaneous heating by the laser light is overlapped, the crystal growth centered on the crystal nucleus is instantaneously completed (within about 1 μsec). The density of crystal nuclei can be controlled by controlling the temperature of the recording layer at the time of curing, but this leads to control of the final average crystal grain size.

【0036】すなわち、結晶核密度が高ければ、各結晶
核を中心とする結晶粒成長は抑制され、平均結晶粒径は
小さくできる。一方、結晶核密度が低ければ、平均結晶
粒径は大きくできる。平均結晶粒径は、繰り返しオーバ
ーライト時の消去比を一定に維持し、もって、ノイズの
増加を抑制するために必要である。
That is, if the crystal nucleus density is high, the growth of crystal grains centering on each crystal nucleus is suppressed and the average crystal grain size can be reduced. On the other hand, if the crystal nucleus density is low, the average crystal grain size can be increased. The average crystal grain size is necessary in order to keep the erasing ratio at the time of repetitive overwriting constant and to suppress the increase of noise.

【0037】最適平均結晶粒径は、記録層組成、層構
成、記録条件(マーク長、線速度など)に依存するので
必ずしも一定ではない。初期化時のレーザー光照射条件
だけでは、粒径制御は困難であるが、硬化時の温度とい
うあらたなパラメータの制御により容易となる。
The optimum average crystal grain size is not necessarily constant because it depends on the recording layer composition, layer structure and recording conditions (mark length, linear velocity, etc.). Although it is difficult to control the particle size only by the laser light irradiation condition at the time of initialization, it becomes easy by controlling a new parameter such as the temperature at the time of curing.

【0038】[0038]

【実施例】以下に、実施例を示すが、本発明は、その要
旨を超えない限り以下の実施例に限定されるものではな
い。 実施例1 直径130mm、厚さ2mmのポリカーボネート樹脂基
板にZnS(80mol%)−SiO2(20mol%)
層を1000Å、Ge20Sb23Te57(mol%)の相
変化型記録層を200Å、ZnS(80mol%)−S
iO2(20mol%)層を200Å、Al−Ta(1
%)合金反射層を1000Å形成し、その上に、紫外線
硬化性樹脂を塗布し、市販の初期化装置(シバソク、L
K101)を用い相変化媒体に、紫外光を照射しつつ、
初期化を行ったところ、初期化時間短縮、レーザー光パ
ワーの低減、結晶粒径の変化等の効果がみられた。初期
化時の記録媒体の温度は約100℃であった。
EXAMPLES Examples will be shown below, but the present invention is not limited to the following examples as long as the gist thereof is not exceeded. Example 1 ZnS (80 mol%)-SiO 2 (20 mol%) was applied to a polycarbonate resin substrate having a diameter of 130 mm and a thickness of 2 mm.
The layer is 1000Å, the phase change recording layer of Ge 20 Sb 23 Te 57 (mol%) is 200Å, ZnS (80 mol%)-S.
An io 2 (20 mol%) layer is 200 Å, Al-Ta (1
%) Form an alloy reflection layer of 1000Å, apply UV curable resin on it, and use a commercially available initialization device (Shibasoku, L
K101) while irradiating the phase change medium with ultraviolet light,
When initialization was performed, effects such as shortening of initialization time, reduction of laser light power, and change of crystal grain size were observed. The temperature of the recording medium at the time of initialization was about 100 ° C.

【0039】[0039]

【発明の効果】本発明による初期化方法を用いることに
より、工程に要する時間を大幅に短縮し、かつ初期化時
の結晶粒径制御のための新たな制御方法をも提供でき
る。
By using the initialization method according to the present invention, it is possible to greatly reduce the time required for the process and to provide a new control method for controlling the crystal grain size during initialization.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明における媒体の層構成の一例を示す断
面の模式図
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of a layer structure of a medium according to the present invention.

【図2】 本発明における媒体の層構成の一例を示す断
面の模式図
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the layer structure of a medium according to the present invention.

【図3】 紫外線硬化樹脂硬化兼初期化装置の概念図FIG. 3 is a conceptual diagram of an ultraviolet curing resin curing / initializing device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 保護層 3 記録層 4 保護層 5 保護コート層 6 反射層 7 保護コート層 8 紫外線硬化用の光源 9 基板の回転機構 10 記録層を含む多層膜 11 は未硬化の紫外線硬化樹脂 12 初期化用レーザー光光源 1 Substrate 2 Protective layer 3 Recording layer 4 Protective layer 5 Protective coat layer 6 Reflective layer 7 Protective coat layer 8 Light source for UV curing 9 Substrate rotation mechanism 10 Multilayer film including recording layer 11 Uncured UV curable resin 12 Initial Laser light source

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野 裕宜 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成株式会社総合研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hironori Mizuno Sanryo Kasei Co., Ltd. Research Institute, 1000, Kamoshida-cho, Midori-ku, Yokohama

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に少なくとも相変化型の記録層
と、該記録層の基板とは反対側に、誘電体保護層または
金属反射層の一方または両方を介して、光硬化性または
熱硬化性樹脂からなる保護層を設けてなる光学的情報記
録用媒体を製造するに際し、該保護層の光硬化性または
熱硬化性樹脂の硬化時に、記録層にレーザービームを照
射して、記録層の初期化を行うことを特徴とする光学的
情報記録用媒体の製造方法。
1. A phase-change recording layer on a substrate, and a photo-curable or heat-curable layer on the opposite side of the recording layer from the substrate via one or both of a dielectric protective layer and a metal reflective layer. In producing an optical information recording medium provided with a protective layer made of a resin, the recording layer is irradiated with a laser beam when the photocurable or thermosetting resin of the protective layer is cured. A method for manufacturing an optical information recording medium, characterized by performing initialization.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6256286B1 (en) 1997-02-21 2001-07-03 Nec Corporation Method for initiating a phase change recording medium

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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