JPH0883385A - 高タグ不活性化機能を有する電子物品監視装置 - Google Patents

高タグ不活性化機能を有する電子物品監視装置

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JPH0883385A
JPH0883385A JP20512695A JP20512695A JPH0883385A JP H0883385 A JPH0883385 A JP H0883385A JP 20512695 A JP20512695 A JP 20512695A JP 20512695 A JP20512695 A JP 20512695A JP H0883385 A JPH0883385 A JP H0883385A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 不活性化されたときに、調和ＥＡＳシステム
による呼び掛けに応答して実質的な振幅を持つ調和信号
を発生しない磁気角運動量マーカを提供する。 【解決手段】 磁気角運動量電子物品監視（ＥＡＳ）シ
ステムに用いられるマーカが磁歪素子をハウジング内で
バイアス素子に近付けて置くようにすることによって作
られ、そのバイアス素子は飽和より低い磁化の程度まで
磁化される。マーカの共振周波数が検出される。検出し
た共振周波数がＥＡＳの既定の作動周波数と一致してい
ない場合にはバイアス素子の磁化の大きさが、マーカの
共振周波数を既定の作動周波数に一致させるように調整
される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は電子物品監視（Ｅ
ＡＳ）システムに用いられる磁気角運動量マーカ及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】小売店から商品の窃盗を防止又は阻止す
るための電子物品監視システムは公知である。典型的な
システムにおいては、マーカが店の出口に形成された電
磁界又は磁界と相互作用するように設計されていて、そ
れが商品の物品に取り付けられている。マーカがフィー
ルドつまり「呼び掛けフィールド」に持ち込まれると、
そのマーカの存在が検知され、警報が発生する。この種
のマーカのいくつかは商品の支払いが行われるとチェッ
クアウトで取り外されるようになっている。他の種類の
マーカはチェックアウトにおいて不活性化（不活動化）
装置によって不活性化（不活動化）され、その装置はマ
ーカの電磁又は磁気特性を変えてそのマーカが呼び掛け
区域においてそれ以後検出されないようにする。
【０００３】ある種の磁気ＥＡＳシステムを調和システ
ムと呼ぶが、その理由は、そのシステムが、選択周波数
を持つ電磁界を通過した磁気材料は磁界を乱してその選
択周波数の調和擾乱を発生するという原理に基づくから
である。その検知システムはある調和周波数を認識する
ように調整され、存在する場合には警報を発生させる。
【０００４】他の種類のＥＡＳシステムは磁歪素子を備
える磁気角運動量マーカを用いる。例えば、アンダーソ
ン(Anderson)他に付与された米国特許第４，５１０，４
８９は、磁歪アモルファス材料のリボン形状長さに形成
されたもので、バイアス磁気材料に近接する細長いハウ
ジングに入れられたマーカを開示する。磁歪材料は、バ
イアス素子が、あるレベルに磁化されたときに所定の周
波数で共振するように作られている。呼び掛けフィール
ドでは、適当な発信器が所定の周波数のＡＣ磁界を形成
し、マーカは、バイアス素子が、あるレベルに磁化され
ている場合に、フィールドにさらされるとその周波数で
物理的に共振する。
【０００５】アンダーソン他の特許に開示された１つの
技術によると、そのマーカは上記の共振周波数に加えて
「反共振周波数」を持ち、そこでは、磁気角運動量結合
によって生じて蓄積された物理的エネルギーはほぼゼロ
となる。呼び掛け区域に磁界を与える呼び掛け回路が、
マーカの共振及び反共振周波数を含む周波数レンジを通
じて掃引され、受信回路が呼び掛け区域に設けられてい
て、共振周波数で発生する伝達されたピークエネルギー
レベルと反共振周波数での谷レベルとを検出することに
よってマーカの特徴的な特性を検出する。
【０００６】アンダーソン他は磁歪素子を磁界が存在す
る中でアニール化して磁気角運動量結合因子ｋを強調す
ることをも目的とする。アンダーソン他によると結合因
子ｋが大きくなるとマーカの特徴的な特性の検出可能性
が高まる。
【０００７】アンダーソン他が目的とするさらに他の監
視システムにおいては、磁歪マーカは呼び掛け周波数で
用いられるが、その周波数は一掃されずむしろマーカの
共振周波数として残る。この周波数での呼び掛けフィー
ルドはパルス又はバーストで与えられる。その呼び掛け
フィールドに存在するマーカは各バーストから刺激を受
け、各バーストの終了後はマーカは減衰された物理的振
動を受ける。マーカから放射された、その結果の信号は
検出回路によって検出されるが、その検出回路は呼び掛
け回路と同期し、また、バーストの後の静かな期間の間
に作動するように構成されている。このようなパルスフ
ィールドの種類のＥＡＳシステムはこの出願の譲り受け
人によって商標「Ultra*Max」を用いて販売され、広く
使用されている。
【０００８】パルス呼び掛けシステムに用いるマーカの
ために、磁歪素子が各励起パルスの終了後に振動の振幅
及び持続期間を表し続けるということは非常に重要であ
る。残留振動（「リングダウン」(ring down)として知
られている）の振幅及び持続時間が大きくなればなるほ
ど、呼び掛け領域における静かな期間の間の信号がより
特徴的になり、その結果、マーカを検出回路で検出する
のがより容易になる。
【０００９】望ましいリングダウン振幅及び持続時間を
提供するために、磁気角運動量マーカは２５０から３０
０までの範囲内の品質因子（「Ｑ」として示す）を示す
のが都合がよい。品質因子Ｑはマーカの帯域幅とは逆に
変化し、従って、マーカが非常に狭い帯域幅を持つのが
望ましい。しかし、マーカの共振周波数のあたりの帯域
幅は狭いため、リングダウン振幅は、マーカの共振周波
数が呼び掛けフィールドの周波数から外れると非常に強
く逆方向に現れる。
【００１０】磁気角運動量マーカの製造のための従来技
術によると、磁歪素子はメタグラス(Metglas)（商標）2
826MB（Fe40Ni36Mo4B18の組成を持つ）として知られて
いるアモルファス材料の長いリボン状の鋳物から細片を
切断することによって作られる。各細片はそれから容易
に切れる程度の堅さの磁石とともにハウジングに配置さ
れ、その磁石は磁歪素子に対してバイアスフィールドを
与えるために飽和状態まで磁化されている。
【００１１】鋳ばなしメタグラスがリボンの長さ方向に
沿って材料組成の変化を表し、これにより、長さに沿っ
て切断された個々の細片が異なる磁歪特性を示すことが
わかっている。切断後の磁歪素子における変化が非常に
大きいので、製造工程しだいでは、各細片の共振周波数
を測定する必要がある。要求があれば、各細片が切断さ
れた長さは、ひとかたまりの第３の細片の後に、前の３
つの細片の測定共振周波数に基づいて調整される。一般
には、切断長さはしばしば、各細片ごとに時々、さら
に、ほぼたった５又は６の細片の後に調節しなければな
らない。従って、従来の鋳ばなし材料における変化を補
償するために、従来の磁歪素子を製造する工程には、切
断細片の共振周波数の頻繁な試験や、その後、所定の共
振周波数を得るために細片が切断されなければならない
長さの調整が含まれている。この工程は労力の集中を必
要としかつ時間を消費するものである。また、切断長さ
に必要な調整は十分な精度を持って予想することができ
ずその結果材料の変化を補うことができないので、その
工程による製品の歩留まりは最適なものより低い。その
結果、この方法により製造されたマーカのいくつかは所
望の共振周波数を持つことができず、廃棄の対象とな
る。
【００１２】マーカの共振周波数が所定の周波数から外
れる状態を引き起こすような他の要因が存在する。例え
ば、バイアス素子が与えたバイアスフィールドの強度が
基準レベルから外れているため、マーカの共振周波数が
所定の周波数からシフトすることがある。バイアスフィ
ールドの偏向はバイアス素子の組成若しくは寸法（例え
ば、厚さ）の変化又はバイアス素子の形成に用いられる
処理の方法によることがある。バイアスフィールドの偏
向によるマーカの共振周波数のシフトは、マーカを組み
立ててしまうまでは検出することができず、従って、磁
歪素子はマーカの組み立て前の切断工程によって作られ
るので、その長さの調整によってはそのシフトを補償す
ることができない。
【００１３】関連する他の事項はマーカの不活性化（不
活動化）である。磁気角運動量マーカの不活性化は、バ
イアス素子を減磁して磁歪素子の物理的共振をやめさ
せ、つまりその共振周波数を変化させることによって行
われる。しかし、バイアス素子を減磁すると、マーカは
もはや磁気角運動量監視システムにおいて検出できなく
なるが、磁歪素子は、それにもかかわらず、アモルファ
ス磁気素子として作動することがあり、その素子はまだ
電磁呼び掛けフィールドに応答して調和周波数を生成す
ることがある。これは望ましくない。その理由は、磁気
角運動量マーカが付いた商品の購入者がチェックカウン
ターで減磁されたマーカを持った後にその購入者がその
後他の小売店に入るが、そこでは、調和ＥＡＳシステム
が稼働中で、減磁されたマーカはその小売店の呼び掛け
信号に応答して調和周波数を発生することがあるため、
その減磁されたマーカが警報を作動させる可能性がある
からである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本願発明の最
初の目的は、パルスフィールドＥＡＳ呼び掛けシステム
での使用に適した磁気角運動量マーカを提供するにあ
る。本願発明の他の目的は、従来の磁気角運動量マーカ
より容易に製造することができる磁歪マーカを提供する
ことにある。本願発明のさらに他の目的は磁気角運動量
を製造するために、より柔軟な方法を提供することにあ
る。
【００１５】さらに、本願発明の他の目的は、不活性化
されたときに、調和ＥＡＳシステムによる呼び掛けに応
答して実質的な振幅を持つ調和信号を発生しない磁気角
運動量マーカを提供することにある。
【００１６】またさらに、本願発明の他の目的は、従来
の磁気角運動量マーカより薄い磁気角運動量マーカを提
供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本願発明の１つの局面に
よると、磁気角運動量電子監視システムに使用されるマ
ーカを製造する方法であって、アモルファス磁歪素子を
用意し、その磁歪素子の近くにバイアス素子を配置し、
そのバイアス素子を、実質的に飽和より低い磁化の程度
まで磁化し、配置及び磁化の後にマーカの共振周波数を
検出し、さらに、検出した共振周波数が電子物品監視シ
ステムの既定の作動周波数に一致しない場合には、マー
カの共振周波数を電子物品監視システムの所定の作動周
波数に調整するため、バイアス素子の磁化の大きさを調
整する方法を提供する。
【００１８】本願発明の他の局面によると、バイアス素
子が磁歪素子の近くに配置された後にバイアス素子の磁
化を行ない、磁歪素子が少なくとも１０の細片であって
各々が既定の一定の均一な長さを持つ細片のかたまりを
形成するようにアモルファス材料を切断することによっ
て形成する。
【００１９】さらに本願発明の他の局面によると、バイ
アス素子がＡＣ成分及びＤＣオフセット成分を持ち、Ａ
Ｃ成分がリングダウン特性を持つ磁界を与えることによ
って、そのバイアス素子を磁化する。
【００２０】また、本願発明の他の局面によると、磁気
角運動量電子物品監視システムに使用されるマーカを作
る方法であって、バイアス素子を磁歪素子の近くに配置
することによってマーカを形成し、その際に、磁歪素子
はバイアス素子から与えられるバイアス磁界のレベルに
従って変化する共振周波数を持ち、その後、磁歪素子の
共振周波数を、バイアス素子の磁化の大きさを変えるこ
とによって既定の周波数に設定する方法を与える。
【００２１】またさらに本願発明の他の局面によると、
磁歪素子の共振周波数を設定する工程が、マーカを試験
して磁歪素子の共振周波数を検出する工程と、磁界をバ
イアス素子に与えて、検出した共振周波数が所定の周波
数と一致しないときは、バイアス素子の磁化の程度を変
更する工程とを含む。
【００２２】本願発明の他の局面によると、バイアス素
子に供給される磁界がＡＣ成分及びＤＣオフセット成分
を含む。
【００２３】また、本願発明の他の局面によると、磁気
角運動量電子物品監視システムに用いられるマーカを作
る方法であって、アモルファス磁気材料を選択し、その
材料を既定の一定の均一な長さを持つ細片に切断し、そ
の細片をバイアス素子の近くに配置し、さらに、磁歪素
子の共振周波数を、バイアス素子の磁化の程度を変える
ことによって、既定の周波数に設定する方法を与える。
【００２４】本願発明の他の局面によると、材料の切断
工程が、既定の一定の均一な長さに切断された細片のひ
とかたまりを形成する工程を含み、そのかたまりが少な
くとも１０の細片を含む。
【００２５】本願発明のさらに他の局面によると、電子
物品監視システムに用いられるバイアス素子を磁化する
装置であって、バイアス素子がさらされる磁界を発生す
るコイルと、このコイルを付勢する駆動回路とを備え、
駆動回路がリングダウン特性をもつＡＣ信号を発生する
ＡＣ信号発生回路と、ＤＣ信号を発生するＤＣ信号発生
回路と、リングダウン特性を持つＡＣ信号とＤＣ信号と
を組み合わせてＡＣリングダウン成分とＤＣオフセット
成分とを含む駆動信号を形成する回路と、駆動信号をコ
イルに供給する回路とを備え、コイルから発生した磁界
がＡＣリングダウン成分とＤＣオフセット成分とから成
る装置を与える。
【００２６】さらに、本願発明の他の局面によると、Ｄ
Ｃ信号発生回路がＤＣ信号レベルを変える構成を備え、
それにより、磁界のＤＣオフセット成分のレベルを変化
させる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下の説明において用語「磁歪素
子」は能動磁気要素（図１に示す素子１２）について言
及するもので、それは、特性が活性化されたときには、
呼び掛け信号に応答して特有のリングダウン信号を発生
することができる。用語「バイアス素子」は制御素子
（図１の素子１６）に言及するもので、それは、磁歪素
子の保持力と比べると比較的高い保持力を持つ磁気材料
からなり、また、それは磁化または消磁（つまり、バイ
アスまたは非バイアス）ができて磁歪素子の物理的共振
周波数を制御することができる。用語「マーカ」（概略
図１に参照番号１０で示す）は、概略、ハウジング（図
１の素子１４）内に含まれるバイアス素子１６および磁
歪素子１２の組立体について言及するもので、窃盗から
保護すべき商品に接続しまたは取り付けることができ
る。
【００２８】図１の磁歪素子１２は従来のマーカに用い
られる磁歪素子に似ているが、本願発明によると、磁歪
素子１２は、鋳物アモルファス材料のリボンをそのリボ
ンの長さ方向に沿って一定の間隔で切断して作ることが
でき、これにより、すべての長さが同一の一定の長さを
持つような素子１０の束（かたまり）をつくることがで
きる。その束の程度は、例えば、少なくとも１０から５
０までの素子とすることができる。束やかたまりの大き
さは理論上制限を受けず、鋳物材料における変度が甚だ
しく大きくない限り、数千の素子を含めることができ
る。素子１２を一定の長さに切断することは、連続する
素子を切断すべき長さを決定するために、各素子の特性
の測定を必要とする従来技術に比べて、より速くてより
有効である。本願発明の一定長さの切断技術は、また、
アモルファス材料を切断するために用いる器具の切断長
さの設定を変更する際の遅延および不都合を防ぐ。
【００２９】上記の従来のメタグラス材料から図１の素
子１２を形成することは本願発明の意図の範囲内であ
る。素子１２の寸法も、従来の磁歪素子の寸法と同様な
ものとすることができる。つまり、約１．２７cm（０．
５インチ）の幅、３．８１cm（１．５インチ）の長さお
よび０．０２５mm（０．００１インチ）の厚さである。
【００３０】図１に示すバイアス素子１６は、バイアス
素子１６が従来のバイアス素子より高い品質からなる点
で、従来の磁気角運動量マーカとは異なる。例えば、従
来のバイアス素子はアルノクローム(Arnokrome)IIIのよ
うな適度な固さの０．０５１mm（０．００２インチ）の
厚さの磁気材料から作られ、約４５度の鋭角、約１．２
７cm（０．５インチ）の幅および約３．９４cm（１．５
５インチ）の鋭端から鋭端までの長さを持つ平行四辺形
の形状に切断されている。
【００３１】本願発明に係るバイアス素子１６は従来と
同一の材料から作ることができるが、例えば、１．５か
ら２倍の多さの量の磁気材料を含む。望ましい実施例に
よると、バイアス素子１６は従来のバイアス素子と同じ
「フットプリント」(Foot print)を持つが、厚さは従来
のバイアス素子より厚くて、約０．０７６mm（０．００
３インチ）から０．１０２mm（０．００４インチ）の厚
さを持つ。また、厚さの増加に加えて、またはその代わ
りに、従来のバイアス素子と比べてバイアス素子１６の
幅および長さの一方または両方を増加することによっ
て、バイアス素子の所望の容積の増加を達成することも
意図するところである。
【００３２】磁歪素子１２およびバイアス素子１６は従
来の技術によりマーカ１０のハウジング１４内に配置さ
れている。
【００３３】図２は磁歪素子１２の特性を図示するもの
で、そこでは、素子１２の磁気角運動量共振周波数が、
素子１２が露出されたバイアス磁界の強度の関数として
変化する。図２に示す結果は、上記の素子１２のような
磁歪素子をソレノイドから発生するＤＣ磁界に露出させ
ることによって得た。その磁界の強度は約０乃至１５Ｏ
ｅの範囲にわたって変化した。図２に示すように、磁歪
素子１２は約１ Ｏｅのバイアス磁界強度において６０
Ｈｚを越えるピーク共振周波数を示す。バイアス磁界の
強度が増加するときに、素子１２の共振周波数は、８
Ｏｅを僅かに越える磁界強度において５７Ｈｚを僅かに
越える最小値まで減少する。その後、磁界強度がさらに
増加するにしたがって、共振周波数は再び約１４ Ｏｅ
における約６０．５Ｈｚの別のピークレベルまで増加す
る。従来のパルスフィールド磁気角運動量ＥＡＳシステ
ムには５８Ｈｚの基準呼び掛けフィールド周波数が用い
られているので、約６ Ｏｅのバイアスフィールドが与
えられるのが通例である。しかし、以前注目したよう
に、磁歪素子の間の変度によって、図２に示す特性曲線
がシフトすることがある。６ Ｏｅの付近では、バイア
スフィールドの変化に応じて約６００Ｈｚ／Ｏｅの割合
で共振周波数が変化する点にも注目できる。
【００３４】図３は磁歪素子のリングダウン振幅特性が
供給バイアスフィールドの関数としてどの様にして変化
するのかを示す。図３に示す値は図２と同じバイアスフ
ィールド強度の範囲にわたって得たものであり、その値
は呼び掛けフィールドの励起パルスの終了の後の１msec
で得た。ピークのリングダウン振幅は約６ Ｏｅのバイ
アスフィールドにおいて得られる点には注目できる。
【００３５】従来の磁気角運動量マーカにおいては、バ
イアス素子の寸法（容積）は、飽和したとき、バイアス
素子が磁歪素子をバイアスするために約６ ＯｅのＤＣ
磁界を作る程度の大きさである。
【００３６】しかし、本願発明に従ってより大きなバイ
アス素子１６を提供することにより、バイアス素子１６
は、飽和より低い磁化の程度に磁化することができる
が、それにもかかわらず約６ Ｏｅのバイアスフィール
ドを提供する。わかるであろうが、その後、マーカの共
振周波数を所望の周波数、例えば、５８Ｈｚの基準パル
スフィールドＥＡＳ周波数に一致させるために、バイア
ス素子１６の磁化の程度を調節することによってバイア
スフィールドの強度を調節することができる。
【００３７】本願発明によって磁気角運動量マーカを作
りかつ調節する方法を図４に示すフローチャートを参照
して説明する。
【００３８】図４の工程はステップ２０から開始し、そ
こでは、マーカ１０が、従来より大きな（例えば、より
厚い）バイアス素子１６を含む、図１に示すような構成
要素を用いて作られる。その後、ステップ２２では、マ
ーカ１０は、例えば、６ Ｏｅのような所定の強度のバ
イアスフィールドを与えるように、バイアス素子１６を
磁化するために磁界にさらす。本願発明に係るバイアス
素子１６は従来のバイアス素子よりも大きいので、６
Ｏｅのフィールドを作るのに必要な素子１６の磁化の大
きさは素子１６の飽和より小さい。
【００３９】マーカ１０をＤＣ磁界にさらすことによっ
てステップ２２を実行するのは本願発明の意図の範囲内
である。しかし、バイアス素子１６の磁化の程度をより
正確に制御するためには、マーカ１０に図５に示す振幅
特性を持つ磁界を与えることによってステップ２２を実
行することが望ましい。一般に、図５の特性曲線はＤＣ
オフセットを持つＡＣリングダウンである。特に、図５
に図示する望ましいフィールドはＤＣオフセットの量に
相当するＤＣ成分を持ち、また、図５に示すようにＡＣ
成分の多数のサイクルにわたって「リングダウン」する
ＡＣ成分をも持つ。（図５に示す磁界のＡＣリングダウ
ン特性は、ＥＡＳシステムによって発生するパルス呼び
掛けに応答する磁気角運動量マーカによって放射された
「リングダウン」信号とは混乱すべきではない。）
【００４０】バイアス素子１６が図５に示すフィールド
にさらされた後に磁化される程度、およびその結果素子
１６によって与えられる結果的なバイアスフィールドの
強度は、一般に、供給磁界のＡＣ成分の最初のピーク値
およびＤＣオフセットの量に依存する。図５に示すフィ
ールドのための望ましいパラメータは、素子１６の形成
に用いられた材料と、素子１６の寸法と、素子１６によ
って与えられるバイアスフィールドの強度とに依存す
る。ＡＣリングダウン成分およびＤＣオフセットの適切
なパラメータは過度の実験をすることなく通常の技術に
よって容易に決定することができる。上記の種類のバイ
アス素子１６のためには、約２０−３０ＯｅのＤＣオフ
セットおよび約３００ Ｏｅの最初のピークからピーク
への振幅を持つＡＣ成分で十分である。約１００−５０
０Ｈｚの範囲内のＡＣ成分の周波数は好結果で用いられ
ているが、より十分に高い周波数を用いることができ
る。ＡＣ成分が「リングダウン」する期間はＡＣ成分の
約１０サイクルの程度とすることができる。
【００４１】図５に示す供給磁界のＡＣ成分は、以前に
素子１６を磁界にさらした際の素子１６の磁化に関する
いかなる残存影響をも取り除く。この機能を達成するた
めに、少なくとも１０サイクルのリングダウン期間が必
要であり、１０サイクルよりいくぶん長いリングダウン
期間が望ましい。比較してみると、ＤＣフィールドのみ
をステップ２２で用いると、以前磁界に素子１６を露出
した際の残存効果があり、ステップ２２で生じた磁化の
大きさがほとんど正確に制御できないことがある。
【００４２】ＡＣ成分の振幅は図５に示すようにリング
ダウン期間にわたってほぼ直線状に減少するが、ＡＣ成
分が非直線状に減少することがあることも予測できる。
例えば、指数関数的リングダウンも本願発明の意図の範
囲内にある。
【００４３】図５の磁界をマーカ１０に与える装置が図
６の概略図に示されている。図６の装置は図５に示す特
性を持つ磁界を発生するためのソレノイド４０と、ソレ
ノイド４０に接続されていてソレノイド４０を付勢する
ための駆動回路４２とを備える。駆動回路４２は駆動信
号のＡＣリングダウン成分を発生するＡＣリングダウン
信号発生回路４４と、ＤＣ信号発生回路４６とを備え
る。望ましくは、ＤＣ信号発生回路４６は、発生したＤ
Ｃ信号の振幅がそれによって変更できるように構成され
ている。制御回路４８は発生回路４４および４６の各々
に接続されている。特に、制御回路４８はトリガ信号Ｔ
Rを提供して発生回路４４によるＡＣリングダウン信号
の発生をトリガする。発生回路４４は、トリガ信号ＴR
に応答して、所定の初期振幅、所定の期間および所定の
特性形状を持つＡＣリングダウン信号を発生する。制御
ブロック４８は振幅制御信号ＣaをＤＣ信号発生回路４
６に与え、発生回路４６からのＤＣ信号出力の振幅は制
御信号Ｃaに従って決定される。
【００４４】発生回路４４および４６からのそれぞれの
信号出力は、結合回路５０に与えられ、それはそこに与
えられた信号を結合して、ＡＣリングダウン成分および
ＤＣオフセット成分を持つ結合信号を出力する。その結
果の信号は駆動増幅器５２に供給され、それはソレノイ
ド４０を付勢して図５に示すような特性を持つ磁界を形
成する。
【００４５】再び図４を参照すると、バイアス素子が磁
化（ステップ２２）された後は、工程はステップ２４に
前進し、そこでは、マーカ１０の共振周波数が試験され
る。この試験は従来技術に従って実行することができ
る。例えば、マーカ１０を呼び掛け信号に露出させても
よく、その信号はある周波数の範囲を通じて掃引され、
その呼び掛け信号に応答してマーカ１０から放射された
信号はマーカ１０の共振周波数を決定するために検出さ
れる。望ましい他の例によると、マーカ１０はパルスを
用いて励起することができ、その後、そのパルスに応答
してマーカ１０から放射されたリングダウン信号を、マ
ーカ１０の共振周波数を決定するために計数することが
できる。
【００４６】ステップ２２においてバイアス素子１６の
磁化のために用いたのと同一のソレノイド４０を用いて
ステップ２４の試験を実行することは本願発明の意図す
るところである。従って、図６の装置はソレノイド４０
に接続された試験回路５４を備える。試験回路５４はソ
レノイド４０を付勢してパルス呼び掛け信号を提供する
試験信号発生回路５６と、マーカ１０の共振周波数を検
出する受信器回路５８とを備える。
【００４７】試験回路５４は駆動回路４２とは別のもの
として示されているが、その２つの回路を同一の範囲内
に重複させることができることを理解すべきである。例
えば、試験回路５４は駆動回路４２の増幅器５２を分担
することができる。さらに、回路４２および５４の両方
を同一の制御ブロック４８によって制御することができ
る。
【００４８】図４の工程流れのステップ２２および２４
をそれぞれ実行するために別々の装置を用いることも本
願発明の意図の範囲内にある。
【００４９】再び図４を参照すると、ステップ２６がス
テップ２４に続く。ステップ２６では、ステップ２４の
結果を基にして、マーカ１０が、そのマーカ１０を用い
る予定のＥＡＳシステムの基準作動周波数と一致する共
振周波数を持つか否かを決定する。基準周波数は５８Ｈ
ｚであると現在の目的を仮定した。公称基準周波数の辺
りにいくらかの許容範囲があり、その周波数内ではマー
カが十分に作動することができる点にも注意すべきであ
る。従って、「基準周波数に一致させる」という表現は
マーカ１０が基準周波数の辺りの許容範囲内で共振周波
数を持つという意味に理解すべきである。
【００５０】ステップ２６でマーカ１０が十分な共振周
波数を持つ場合には、その後、工程流れはステップ２８
に示すように終了する。そうでない場合には、ステップ
３０がステップ２６に続く。ステップ３０では、バイア
ス素子１６の磁化の大きさがマーカ１０を適当なフィー
ルドにさらすことによって変えられ、これにより、マー
カ１０の共振周波数を所定の基準周波数に調整すること
ができる。ステップ３０で実行される調整はステップ２
４の結果に基づいて行われる。とくに、マーカの共振周
波数の所定の基準周波数からの偏差に基づいてバイアス
素子１６の磁化の所望の大きさが決定される。より詳し
くは、図５に示すＤＣオフセットの適当な値が決定さ
れ、１つの望ましい技術によると、図６のＤＣ信号発生
回路によって出力されたＤＣ信号出力のレベルは調節さ
れ（制御回路ブロック４８からの適当な制御信号Ｃaに
応答して）、所望の調節値をＤＣオフセットに現わす。
従って、ステップ３０は、ステップ２２および２４とと
もに、図６の装置を用いて実行することができる。
【００５１】ステップ２４および３０は１度に１つのマ
ーカのみについて実行すべきである点は認識されるであ
ろう。一方、ステップ２２で実行されるバイアス素子の
磁化は、所定の磁化の基準の大きさまでであり、これに
より、ステップ２２を、相当な数のマーカ１０からなる
かたまりに対して実行することができる。従って、図６
に示す装置をステップ２４および３０のみに用いる点、
および、いくらか異なる装置を用いてマーカ１０のかた
まりに対してステップ２２を実行することができる点も
本願発明の意図の範囲内にある。とくに、図６の装置は
試験回路５４を除くように変更することができる。加え
て、ＤＣ発生回路４６はＤＣオフセットのレベルを変え
る機能を必然的に持つ必要がなくなるが、この機能は望
ましい状態になるまで続いて、マーカの設計における他
の材料またはバイアス素子１６として用いる別の材料の
選択を補償することができる。ともかく、図６の装置の
その様に変更した装置は図６に矢印６０で概略示すよう
なコンベアまたは同様な機構を含むことができ、これに
より、マーカ１０またはマーカのかたまりをソレノイド
４０によって発生した磁界へ向けてさらにその中へ送る
ことができる。
【００５２】制御回路４８は、マーカのかたまりがソレ
ノイド４０内の適当な位置に到達したことを感知装置
（図示せず）を介して感知するように、さらに、そのか
たまりがその適当な位置に到達したときにＡＣリングダ
ウン発生回路４４をトリガするように構成されている。
ステップ２２（図４）の磁化は瞬時に、例えば、１秒よ
り小さい時間で完了することができる点に注目すべきで
ある。
【００５３】さらに、ステップ２４および３０に関し
て、制御回路４８はステップ２４の結果を自動的に受取
り、その後にそのステップ２４の結果に基づいてステッ
プ３０用の適当なパラメータを計算することができるよ
うに構成されており、これにより、これらのステップの
試験および調整操作を非常に瞬時に行うことができる。
【００５４】ステップ２０および２２の順序を変えて、
バイアス素子１６またはそのバイアス素子のかたまり
を、各素子がその個々のマーカ１０に組み込まれる前に
所定の大きさまで磁化することができることも意図の範
囲内である。
【００５５】以上のことから、本願発明は、マーカの組
み立ての後に、マーカに与えるバイアスフィールドを調
整することによって磁気角運動量マーカの共振周波数を
調整することを提供することを認識すべきである。この
技術によって従来技術より非常に柔軟性が増加する。そ
の従来技術は、磁歪素子の予想特性に基づいて、マーカ
を組み立てる前に磁歪素子の長さを調節することによっ
て、あらかじめマーカの共振周波数を調整することを試
みていた。例えば、本願発明の調整方法は、磁歪素子の
寸法および・もしくは組成またはバイアス素子の変更を
含む設計変更を補償することに用いることができるだけ
ではなく、材料の変更の補償にも用いることができる。
【００５６】図７は図５に示す磁界を発生する他の装置
を示す。図７の装置は磁束コンデンサとして機能するＵ
字状の磁気コアを備える磁化装置６２を含む。図６のと
同様な駆動回路４２は磁化装置を付勢するために磁化装
置に接続されていて、磁化装置が図５に示す特性を持つ
磁界を発生することができる。図７には具体的には示し
ていないが、図６に示すのと同様な試験回路５４および
搬送機構６０を図７の磁化装置に接続することもできる
点は理解すべきである。
【００５７】さらに他の変更例によると、ステップ２２
および３０の一方または両方を、図８Ａに概略を示すよ
うな比較的に単純な手持ちの磁化装置を用いて実施する
ことができる。図８Ａの装置は簡略化した駆動回路４
２′によって駆動される電磁石６６を含む。図８Ａの装
置によって発生した磁界は図９に示す振幅特性を持つ。
図９に示す特性もまたＡＣ成分およびＤＣオフセットを
持つ磁界特性であるが、図９に示すＡＣ成分のピークか
らピークへの振幅は時間を通じて変わらない。従って、
図９に示すＡＣ成分はリングダウンしない。
【００５８】図８Ａに示す駆動回路４２′は図６の駆動
回路４２の変形である。図８Ａに示す結合回路５０およ
び増幅回路５２は図６の回路とほぼ同一のものとするこ
とができる。しかし、ＡＣ信号発生回路４４′はＡＣリ
ングダウンを生成しない。それより、発生回路４４′は
時間を通じて変化しないピーク間振幅を持つＡＣ信号を
生成する。さらに、図８Ａに示すＤＣ信号発生回路４
６′はそれが出力するＤＣ信号のレベルを変更する機能
を持つ必要はない。
【００５９】しかし、手持ちの磁化装置用の駆動回路は
図８Ｂに示すような可変ＤＣオフセットを持つのが望ま
しい。図８Ｂの装置においては、駆動回路４２″は概略
図６に示す駆動回路４２と同様なものであるが、図８Ａ
において注目したように、ＡＣ信号発生回路４４′はリ
ングダウンしないＡＣ成分を発生する。
【００６０】図８Ｂの装置のために、図６のと同様な試
験回路５４が設けられ、それはアンテナ７８に接続され
ていて、試験信号を放射するとともに試験信号に応答し
てマーカ１０から再放射された信号を受け取る。データ
通路８０が駆動回路４２″の制御回路４８′と試験回路
５４との間に設けられている。試験回路５４は、制御回
路４８′によって制御され、その制御は、回路４８′か
らデータ通路８０を経由して試験回路５４に伝達された
制御信号によって行われる。加えて、試験回路５４を用
いて行われた試験の結果は試験回路５４から信号通路８
０を経由して制御回路４８′に送られる。
【００６１】図４のステップ２２または３０を実行する
ために手持ちの磁化装置を用いる際には、その装置は所
定の高さで、かつ所定の速度でマーカ１０の上を動かさ
れる。そのような動きの終りにおいて、磁石６６とマー
カ１０との間の距離が広がると、マーカ１０によって経
験するように磁界のＡＣ成分が「リングダウン」するこ
と、つまり、磁石６６とマーカ１０との間の距離が増加
するために振幅が減少することが認識されるであろう。
マーカ１０のバイアス素子１６の磁化の大きさの調節
は、可変ＤＣ信号発生回路を用いるのに代えて、例え
ば、掃引動作のあいだのマーカ１０と磁石の移動経路と
の間の相対距離を変更することによって、または実施す
る掃引通過の数を変更することによって行うことができ
る。
【００６２】明らかに、図８Ａおよび８Ｂに示す手持ち
の装置は先に不活性化されているマーカ１０を活性化す
るためにも用いることができる。
【００６３】マーカ１０のバイアス素子１６を磁化する
ための他の装置をここで図１０Ａおよび１０Ｂを参照し
て説明する。図１０Ａおよび１０Ｂに示すように、参照
番号７０で概略を示す磁化装置が鋼製の保持プレート７
６に乗せされた永久磁石の２つの平行な列７２および７
４から構成されている。磁石の列７２および７４はそれ
らの列の間に挟まれた非磁石スペーサに隣接するととも
にその保持プレート７６にも乗せられている。列７２の
すべての磁石は図１０Ａおよび１０Ｂに示すように、そ
れらのＮ極が保持プレート７６に隣接するように同一方
向に向けられており、一方、他方の列７４のすべての磁
石は列７２とは反対方向、つまり、この実施例において
は、列７４のすべての磁石のＳ極が保持プレート７６に
隣接するように向けられている。その結果、磁化装置７
０は限定された長手方向へのＤＣ磁界を発生し、それは
マーカ１０に与えられてそのバイアス素子１６を磁化す
ることができる。磁界の供給は装置７０を既定の一定距
離おいてマーカ１０上を掃引することによって行うこと
ができる。マーカ１０のバイアス素子１６が既定の初期
の状態、望ましくは減磁された状態にあるとすると、装
置７０がマーカ１０上を既定距離をおいて掃引すること
により、バイアス素子１６を所望のバイアスフィールド
強度にチャージすることができる。従って、磁化装置７
０は、図４に関連して説明したステップ２２および３０
の一方または両方を実行するために用いることができ
る。
【００６４】本願発明に係るマーカは従来の経験に従っ
て減磁することによって不活性化（不能動化）すること
ができる。しかし、上述の通り、減磁が用いられてマー
カの不活性化が行われ、その後その不活性化されたマー
カが調和ＥＡＳシステムの呼び掛け領域に持ち込まれる
と、そのマーカは調和ＥＡＳシステムによって検出さ
れ、それにより、警報を引き起こすような調和信号が発
生することがある。
【００６５】接触不活性化として知られている他の公知
の不活性化の技術によると、そのマーカは磁気不活性化
パッドと接触するように、または非常に接近するように
置かれる。その不活性化パッドは多数の長手方向に延び
た磁石から形成されており、その磁石は交互に代わる極
性を有して空間で交互に変わる極性を持つ磁界を形成す
る。不活性化パッドに接触すると、マーカのバイアス素
子１６は、空間で極性が交互に変わる極性を持つバイア
スフィールドを形成するように磁化される。バイアス素
子１６がこの状態に置かれた後、マーカの共振周波数は
適当な作動周波数から相当シフトし、磁気角運動量ＥＡ
Ｓシステムによって検出できる信号を発生することがな
くなる。同時にバイアス素子は磁歪素子１２を部分的に
バイアスし続け、これにより、磁歪素子１２は調和ＥＡ
Ｓシステムによって発生される呼び掛け信号に応答して
実質的な調和信号を発生しない。その結果、接触不活性
化磁気角運動量マーカは調和ＥＡＳシステムにおいて警
報を引き起こし難くなる。
【００６６】しかし、製造者がＥＡＳマーカを製品上に
又は製品の見えにくい部分若しくは接近しにくい部分に
固定することは非常に般的なことである。この様に固定
されたマーカに対して接触不活性化を実行することは困
難か不可能な場合があることは明白である。したがっ
て、バイアス素子１６を接触不活性化又は減磁化すると
いうのではなく、飽和によって不活性化できる磁気角運
動量マーカを提供することは、本願発明への望ましい接
近方法である。その後で、バイアス素子１６を従来のバ
イアス素子よりも十分に大きな容積として、飽和したと
きに、バイアス素子１６が十分な強さ、例えば、従来の
飽和したバイアス素子が与えるバイアスフィールドと比
べて２倍の強さのバイアスフィールドを与えることがで
きることが望ましい。この場合、不活性化装置を用いて
もよく、それはバイアス素子１６を飽和するのに十分な
強さの磁界を発生してマーカ１０の共振周波数を磁気角
運動量ＥＡＳシステムの基準作動周波数から十分に離れ
るようにシフトさせ、これにより、マーカ１０は磁気角
運動量ＥＡＳシステムのパルス呼び掛けフィールドに応
答して検出可能なリングダウン信号を発生しなくなる。
さらに、マーカの磁歪素子１２はそのような不活性化の
後も飽和バイアス素子１６によってバイアスされ続ける
ので、磁歪素子１２は調和ＥＡＳシステムからの呼び掛
け信号に応答して検出可能なレベルの調和信号を発生し
ない。従って、バイアス素子を飽和することによる不活
性化は不活性化装置によって発生されるフィールドにお
いて都合よく行うことができ、また、マーカを不活性化
装置に接触させる必要がなくて、マーカが調和ＥＡＳシ
ステムにおいて警報を引き起こすことのないマーカの不
活性化状態を与える。
【００６７】バイアス素子を飽和することによって不活
性化する他の利点は、そのような不活性化は非常に信頼
性があり、さらに、減磁によってマーカを不活性化する
試みがマーカの共振周波数を十分にシフトさせることに
失敗したときに遭遇するような偶然の問題を回避するこ
とができる点にある。そのようなまれなケースにおいて
は、マーカは意図せずに、磁気角運動量ＥＡＳシステム
によって検出できるようなリングダウン信号を発生し続
ける。
【００６８】図８、１０Ａ、及び１０Ｂの手持ちの装置
を用いて以前に不活性化したマーカを再活性化すること
は本願発明の意図の範囲内である。図８の装置によって
与えられるＡＣ成分のために、そのような装置は、飽
和、減磁又は接触不活性化によって不活性化されたマー
カを再活性化するために簡単に使用することができる。
一方、図１０Ａ及び１０Ｂの装置は減磁によって不活性
化されているマーカを再活性化するのに最も有効に使用
することができる。
【００６９】本願発明が提供する他の利点は、従来の磁
気角運動量マーカより薄い形状の磁気角運動量マーカを
製造することができる点にある。図１１Ａは磁歪細片１
２′を備える従来技術に係るマーカ１０′を示す。図１
１Ａに多少の概略を示すように、細片１２′には十分な
大きさの巻き上がりがあり、それは残留応力によるもの
であると信じられている。従って、従来のマーカ１０′
用のハウジング１４′は、細片の所望の磁気角運動量の
共振を抑制することがないように巻き上がった細片１
２′を収容するために、相対的に大きな高さＨ′を持た
なければならない。応力を軽減し細片の巻き上がりを減
少させるために磁歪細片をアニールすることは可能であ
るが、それを行うと、細片の磁歪特性が変化する傾向が
あり、それにより、従来の製造技術を用いた場合には、
その結果のマーカは所望の基準共振周波数を現すことが
できないことがある。しかし、ここに開示した試験及び
調整技術を用いると、アニールによって引き起こされた
磁歪素子の特性のいかなる変化をもマーカを組み立てた
後に補償することができ、それはバイアス素子の磁化の
大きさを調節してマーカの共振周波数を所望の基準周波
数に一致させることによって行う。従って、図１１Ｂに
示すように、細片１２をアニールしてマーカ１０を組み
立てる前に巻き上がりを減少させ、それにより、従来の
マーカ１０′より非常に小さな形状を持ち、さらに、従
来のマーカの高さＨ′よりも非常に低い高さを持つハウ
ジング１４を提供することができる。例えば、Ｈ′が約
１．７７８mm−２．７９４mm（７０−１１０mil）のハ
ウジング１４′は、厚さ約０．０２５mm（１mil）の従
来の細片１２′を収容する必要があるが、そのような細
片を本願発明に従ってアニールし、その結果生じる共振
周波数の調整をマーカの組み立て後に実行すると、その
後細片１２を完全に平坦な状態にすることができ、これ
により、本願発明に従って作られたマーカ１０のハウジ
ング１４は高さＨ＝０．１２７mmから０．７６２mm（５
から３０mil）までのみを持つ必要がある。これによ
り、製品に、より都合よく取り付けられるより薄いマー
カを提供することができる。薄くてかさばらないマーカ
がより望ましい。マーカ用のハウジングの全体の厚さは
ハウジングを形成するために用いられる材料の厚さ及び
均一性にも依存する。
【００７０】図１２はパルス呼び掛けＥＡＳシステムを
示しており、そのシステムは本願発明に従って作られた
磁気角運動量マーカを用いる。図１２に示されたシステ
ムは、受信器回路２０２及び付勢回路２０１の作動を制
御する同期回路２００を含む。その同期回路２００は同
期ゲートパルスを付勢回路２０１に送り、同期ゲートパ
ルスは付勢回路２０１を作動する。作動すると付勢回路
２０１は呼び掛け信号を発生し、それを同期パルスの持
続期間にわたって呼び掛けコイル２０６に送る。その呼
び掛け信号に応答して呼び掛けコイル２０６は呼び掛け
磁界を発生し、それは次にマーカ１０を刺激して物理的
共振を起こす。
【００７１】パルス呼び掛け信号が終了すると、同期回
路２００はゲートパルスを受信器回路２０２に送り、後
の方のゲートパルスが回路２０２を活性化する。回路２
０２が活性化されている期間の間、マーカが呼び掛け磁
界に存在すると、そのマーカは受信コイル２０７にマー
カの物理的な共振周波数で信号を発生する。この信号は
受信器回路２０２で感知され、その回路は信号を指示器
に発生して警報又はそのようなものを発生させることに
よってその感知信号に応答する。端的に述べると、受信
器回路２０２は付勢回路と同期がとられ、これにより、
受信器回路２０２はパルス呼び掛けフィールドのパルス
間の静かな期間のみに作動する。
【００７２】上記のマーカ及び装置の様々な変形及び説
明した実施の改変は本願発明を逸脱することなく導くこ
とができる。本願発明の特に望ましい実施例は従って例
示を意図するもので意義を限定するものではない。本願
発明の真の意図及び範囲は特許請求の範囲に述べる通り
である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る磁気角運動量マーカの構成を示
す図である。
【図２】マーカに与えられたバイアス磁界の変化にとも
なって磁気角運動量マーカの共振周波数がどのように変
化するのかを示す図である。
【図３】マーカに与えられたバイアス磁界の変化にとも
なって磁気角運動量マーカのリングダウン信号振幅がど
のように変化するのかを示す図である。
【図４】本願発明に係る磁気角運動量マーカの共振周波
数を調整し及び磁気角運動量マーカを作る工程を示すフ
ローチャートである。
【図５】磁気角運動量マーカのバイアス素子を磁化する
ために、本願発明に従って与えられた磁界の振幅特性の
グラフ図である。
【図６】図５の磁界を磁気角運動量マーカに与えるため
の装置の概略図である。
【図７】図５の磁界を磁気角運動量マーカに与えるため
の装置の他の実施例を示す概略図である。
【図８】図８Ａは本願発明に係る磁気角運動量マーカの
バイアス素子を磁化するための手持ちの装置の概略図で
ある。図８Ｂは本願発明に係る磁気角運動量マーカのバ
イアス素子を磁化するための手持ちの装置の概略図であ
る。
【図９】図８によって発生した磁界の振幅特性を示すグ
ラフである。
【図１０】図１０Ａは本願発明に係る磁気角運動量マー
カのバイアス素子を磁化するための他の手持ちの装置の
平面図である。図１０Ｂは本願発明に係る磁気角運動量
マーカのバイアス素子を磁化するための他の手持ちの装
置の正面図である。
【図１１】図１１Ａは従来技術に係るマーカの断面を示
す正面概略図である。図１１Ｂは本願発明に係るマーカ
の断面を示す正面概略図である。
【図１２】図１の磁気角運動量マーカを用いる電子物品
監視システムのブロック図である。
【符号の説明】
１０ マーカ １２ 磁歪素子 １４ ハウジング １６ バイアス素子 ４０ ソレノイド ４２ 駆動回路 ５４ 試験回路

Claims (43)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気角運動量電子監視システムに使用さ
    れるマーカを製造する方法であって、 (a) アモルファス磁歪素子を提供し、 (b) 前記磁歪素子の近くにバイアス素子を配置し、 (c) 前記バイアス素子を、飽和より実質的に低い磁化の
    大きさまで磁化し、 (d) 前記配置及び磁化の工程後に前記マーカの共振周波
    数を検出し、さらに、 (e) 前記検出した共振周波数が電子物品監視システムの
    既定の作動周波数に一致しない場合に、前記マーカの共
    振周波数を前記既定の作動周波数に調整するために前記
    バイアス素子の磁化の大きさを調整する、マーカの製造
    方法。
  2. 【請求項２】 請求項１の方法において、前記配置の工
    程の後に前記磁化の工程を実行する方法。
  3. 【請求項３】 請求項１の方法において、前記磁歪素子
    を提供する工程が、少なくとも１０の細片であって各々
    が既定の一定の均一な長さを持つ細片のかたまりを形成
    するようにアモルファス材料を切断する工程を含む方
    法。
  4. 【請求項４】 請求項１の方法において、前記磁化の工
    程が前記バイアス素子にＡＣ成分及びＤＣオフセット成
    分を持つ磁界を与える工程を含む方法。
  5. 【請求項５】 請求項４の方法において、前記磁界のＡ
    Ｃ成分がリングダウン特性を持つ方法。
  6. 【請求項６】 請求項１の方法において、前記磁化の工
    程が前記バイアス素子にＤＣ磁界を与える工程を含む方
    法。
  7. 【請求項７】 請求項１の方法において、さらに、前記
    配置工程の前に前記磁歪素子をアニールする工程を備
    え、前記磁歪素子の巻き上がりを減少させる方法。
  8. 【請求項８】 磁気角運動量電子物品監視システムに使
    用されるマーカであって、 (a) アモルファス磁歪素子と、 (b) 該アモルファス磁歪素子の近くに配置され、該磁歪
    素子用バイアス磁界を提供するために磁化されたバイア
    ス素子であって、実質的に飽和より小さな磁化の大きさ
    を持ち、該バイアス素子の磁化の大きさが、前記マーカ
    の共振周波数を前記電子物品監視システムの既定の作動
    周波数に一致させるために調整されているバイアス素子
    とを備えるマーカ。
  9. 【請求項９】 請求項８のマーカにおいて、前記磁歪素
    子が、少なくとも１０の細片であって各々が既定の一定
    の均一な長さを持つ細片のかたまりを形成するようにア
    モルファス材料を切断することによって形成されている
    マーカ。
  10. 【請求項１０】 請求項９のマーカにおいて、前記バイ
    アス素子が、前記バイアス素子にＡＣ成分及びＤＣオフ
    セット成分を持つ磁界を与えることによって磁化されて
    おり、前記ＡＣ成分がリングダウン特性を持つマーカ。
  11. 【請求項１１】 請求項９のマーカにおいて、前記バイ
    アス素子にＤＣ磁界を与えることによって該バイアス素
    子を磁化するマーカ。
  12. 【請求項１２】 請求項８のマーカにおいて、さらに、
    前記磁歪素子をアニールして該磁歪素子の巻き上がりを
    減少させたマーカ。
  13. 【請求項１３】 磁気角運動量電子物品監視システムで
    あって、 (a) 呼び掛け区域において選択周波数で交番する電磁界
    を発生する発生手段であって、呼び掛けコイルを含む発
    生手段と、 (b) 前記呼び掛け区域の通過を命じられた物品に固定さ
    れたマーカであって、アモルファス磁歪素子と該磁歪素
    子の近くに配置されたバイアス素子とを備え、該バイア
    ス素子が磁気的にバイアスされて前記磁歪素子が前記交
    番磁界にさらされたときに該磁歪素子に物理的な共振を
    引き起こし前記バイアス素子が実質的に飽和より小さな
    磁化の大きさを持ち、前記バイアス素子の磁化の大きさ
    が、前記マーカの共振周波数を前記交番磁界の選択周波
    数に一致させるために調節されているマーカと、 (c) 前記磁歪素子の物理的な共振を検出する検出手段と
    を備える磁気角運動量電子物品監視システム。
  14. 【請求項１４】 請求項１３の磁気角運動量電子物品監
    視システムにおいて、前記磁歪素子が、少なくとも１０
    の細片であって各々が既定の一定の均一な長さを持つ細
    片のかたまりを形成するようにアモルファス材料を切断
    することによって作られている磁気角運動量電子物品監
    視システム。
  15. 【請求項１５】 請求項１３の磁気角運動量電子物品監
    視システムにおいて、前記バイアス素子にＡＣ成分及び
    ＤＣオフセット成分を持つ磁界を与えることによって該
    バイアス素子がされており、前記磁界のＡＣ成分がリン
    グダウン特性を持つ磁気角運動量電子物品監視システ
    ム。
  16. 【請求項１６】 請求項１３の磁気角運動量電子物品監
    視システムにおいて、前記バイアス素子にＤＣ磁界を与
    えることによって該バイアス素子を磁化している磁気角
    運動量電子物品監視システム。
  17. 【請求項１７】 請求項１３の磁気角運動量電子物品監
    視システムにおいて、前記磁歪素子をアニールして該磁
    歪素子の巻き上がりを減少させている磁気角運動量電子
    物品監視システム。
  18. 【請求項１８】 磁気角運動量電子物品監視システムに
    用いるマーカの製造方法であって、 (a) バイアス素子を磁歪素子の近くにおいてマーカを形
    成する工程であって、前記磁歪素子が前記バイアス素子
    によって与えられるバイアス磁界のレベルに応じて変化
    する共振周波数を持つ形成工程と、 (b) 該形成工程の後に、前記バイアス素子の磁化の大き
    さを変えることによって前記磁歪素子の共振周波数を既
    定の周波数に設定する設定工程とを備える方法。
  19. 【請求項１９】 請求項１８の方法において、前記設定
    工程が前記磁歪素子の共振周波数を検出するために前記
    マーカを試験する工程を含み、前記検出した共振周波数
    が前記既定の周波数と一致しないときには、磁界を前記
    バイアス素子に与えて前記バイアス素子の磁化の大きさ
    を変える方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１９の方法において、前記バイ
    アス素子に与えられた前記磁界がＡＣ成分とＤＣオフセ
    ット成分とを含む方法。
  21. 【請求項２１】 請求項２０の方法において、前記バイ
    アス素子に与えられる前記磁界がＤＣ磁界である方法。
  22. 【請求項２２】 磁気角運動量電子物品監視システムに
    用いるマーカの製造方法であって、 (a) アモルファス磁気材料を選択し、 (b) 前記材料を既定の一定の均一な長さを持つ細片に切
    断し、 (c) 前記細片をバイアス素子の近くに配置し、さらに、 (d) 前記磁歪素子の共振周波数を、前記バイアス素子の
    磁化の大きさを変えることによって所望の周波数に設定
    する、マーカの製造方法。
  23. 【請求項２３】 請求項２２の方法において、前記切断
    工程が前記材料を切断することによって行われて前記既
    定の一定の均一な長さに切断された細片のかたまりを形
    成し、該かたまりが少なくとも１０の細片を含む方法。
  24. 【請求項２４】 請求項２２の方法において、前記設定
    工程が前記磁歪素子の共振周波数を検出するために前記
    マーカの試験を行う工程を含み、前記検出共振周波数が
    前記既定の周波数と一致しないときには磁界を前記バイ
    アス素子に与えて前記バイアス素子の磁化の大きさを変
    える方法。
  25. 【請求項２５】 請求項２４の方法において、前記バイ
    アス素子に与えられた前記磁界がＡＣ成分とＤＣオフセ
    ット成分とを含む方法。
  26. 【請求項２６】 請求項２４の方法において、前記バイ
    アス素子に与えられる前記磁界がＤＣ磁界である方法。
  27. 【請求項２７】 磁気角運動量電子物品監視システムに
    用いるマーカであって、 (a) アモルファス磁気材料を選択し、さらに、前記材料
    を既定の一定の均一な長さを持つ細片に切断することに
    よって作られた磁歪素子と、 (b) 前記磁歪素子の近くに置かれたバイアス素子であっ
    て、前記磁歪素子が既定の物理的な共振周波数で磁歪特
    性を表すようにバイアス磁界を与えるバイアス素子とを
    備えるマーカ。
  28. 【請求項２８】 請求項２７のマーカにおいて、前記バ
    イアス素子が飽和より小さな磁化の大きさを持ち、該バ
    イアス素子の磁化の大きさが、前記マーカの試験後に設
    定されて前記磁歪素子の共振周波数を検出するマーカ。
  29. 【請求項２９】 磁気角運動量電子物品監視システムで
    あって、 (a) 呼び掛け区域において選択周波数で交番する電磁界
    を発生する発生手段であって、呼び掛けコイルを含む発
    生手段と、 (b) 前記呼び掛け区域の通過を指定された物品に固定さ
    れたマーカであって、アモルファス磁気材料を選択する
    とともに、該材料を既定の一定の均一な長さを持つ細片
    に切断することによって作られた磁歪細片を備え、さら
    に、該磁歪細片の近くに配置されたバイアス素子も備
    え、前記磁歪細片が前記交番磁界にさらされたときに物
    理的に共振するように、前記バイアス素子がバイアス磁
    界を与えるマーカと、 (c) 前記磁歪素子の前記物理的共振を検出する検出手段
    とを備える磁気角運動量電子物品監視システム。
  30. 【請求項３０】 請求項２９のシステムにおいて、前記
    バイアス素子が飽和より小さな磁化の大きさを持ち、前
    記バイアス素子の磁化の大きさが前記マーカを試験した
    後に設定されて前記磁歪素子の共振周波数を検出するシ
    ステム。
  31. 【請求項３１】 電子物品監視システムに用いるバイア
    ス素子を磁化する装置であって、 (a) バイアス素子がさらされる磁界を発生するコイル
    と、 (b) 該コイルを付勢する駆動回路とを備え、該駆動回路
    が、 (b1)リングダウン特性をもつＡＣ信号を発生するＡＣ信
    号発生手段と、 (b2)ＤＣ信号を発生するＤＣ信号発生手段と、 (b3)前記リングダウン特性を持つ前記ＡＣ信号と前記Ｄ
    Ｃ信号とを組み合わせてＡＣリングダウン成分とＤＣオ
    フセット成分とを含む駆動信号を形成する手段と、 (b4)前記駆動信号を前記コイルに供給する手段とを備
    え、前記コイルから発生した前記磁界がＡＣリングダウ
    ン成分とＤＣオフセット成分とを含む装置。
  32. 【請求項３２】 請求項３１の装置において、前記ＤＣ
    信号発生手段が前記ＤＣ信号のレベルを変える手段を含
    み、これにより、前記磁界の前記ＤＣオフセット成分の
    レベルが変えられる装置。
  33. 【請求項３３】 請求項３１の装置において、さらに、
    前記バイアス素子を前記磁界内に搬送する手段を備える
    装置。
  34. 【請求項３４】 既定の作動周波数で作動する磁気角運
    動量電子物品監視システムに用いるために提供するマー
    カを不活性化する方法であって、 (a) バイアス素子を磁歪素子の近くに置くことによって
    前記マーカを形成する工程であって、前記磁歪素子が前
    記バイアス素子から与えられるバイアス磁界のレベルに
    応じて変化する共振周波数を持つ形成工程と、 (b) 該形成工程の後に、前記バイアス素子の磁化の大き
    さを変えることによって前記磁歪素子の共振周波数を前
    記既定の作動周波数に設定する工程と、 (c) 該設定工程の後に、前記バイアス素子の磁化の前記
    大きさを変えて前記磁歪素子の共振周波数を前記既定の
    作動周波数からシフトさせるように前記マーカを離調す
    る工程とを備える方法。
  35. 【請求項３５】 請求項３４の方法において、前記離調
    工程の後に、前記バイアス素子の磁化の大きさが、前記
    マーカが交番電磁界にあるときに前記磁歪素子が検出可
    能な調和周波数を作らないようなものになる方法。
  36. 【請求項３６】 請求項３５の方法において、前記離調
    工程が前記バイアス素子の磁化の大きさを増加する工程
    を含む方法。
  37. 【請求項３７】 請求項３６の方法において、前記離調
    工程がＤＣ磁界を前記マーカに与えることによって前記
    バイアス素子を飽和する工程を含む方法。
  38. 【請求項３８】 請求項３７の方法において、前記設定
    工程が前記マーカにＡＣ成分とＤＣ成分とを含む磁界を
    与える工程を含む方法。
  39. 【請求項３９】 磁気角運動量電子物品監視システムを
    作動する方法であって、 (a) 呼び掛け区域で選択作動周波数で交番する電磁界を
    発生する手段を提供し、前記電磁界がパルス状で発生
    し、さらに、前記パルス間の静かな期間の間前記選択作
    動周波数で放射信号を検出する手段を提供し、 (b) バイアス素子を磁歪素子の近くに配置することによ
    ってマーカを形成し、前記磁歪素子が前記磁歪素子から
    与えられるバイアス磁界のレベルに従って変化する共振
    周波数を持ち、 (c) 前記形成工程の後、前記バイアス素子の磁化の大き
    さを変えることによって前記磁歪素子の共振周波数を前
    記選択作動周波数に設定し、 (d) 該設定工程の後、前記呼び掛け区域の通過を指定さ
    れた物品に前記マーカを取り付け、 (e) 前記物品を前記呼び掛け区域を通過させる前に、前
    記バイアス素子の磁化の前記大きさを変えることによっ
    て前記物品に取り付けられた前記マーカを不活性化し
    て、前記磁歪素子の共振周波数を前記選択作動周波数か
    らシフトさせる、磁気角運動量電子物品監視システムを
    作動する方法。
  40. 【請求項４０】 請求項３９の方法において、前記不活
    性化工程の後に、前記バイアス素子の磁化の大きさが、
    前記マーカが交番電磁界にあるときに前記磁歪素子が検
    出可能な調和周波数を作らないようなものになる方法。
  41. 【請求項４１】 請求項４０の方法において、前記不活
    性化工程が前記バイアス素子の磁化の大きさを増加する
    工程を含む方法。
  42. 【請求項４２】 請求項４１の方法において、前記不活
    性化工程がＤＣ磁界を前記マーカに与えることによって
    前記バイアス素子を飽和する工程を含む方法。
  43. 【請求項４３】 請求項４１の方法において、前記設定
    工程が前記マーカにＡＣ成分とＤＣ成分とを含む磁界を
    与える工程を含む方法。
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