JPH0870241A - Delay circuit - Google Patents

Delay circuit

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JPH0870241A
JPH0870241A JP22590294A JP22590294A JPH0870241A JP H0870241 A JPH0870241 A JP H0870241A JP 22590294 A JP22590294 A JP 22590294A JP 22590294 A JP22590294 A JP 22590294A JP H0870241 A JPH0870241 A JP H0870241A
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JP
Japan
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circuit
input
output
terminal
output terminal
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JP22590294A
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Japanese (ja)
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Satoshi Yamamoto
聡 山本
Tomohiro Ura
智宏 浦
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Motorola Solutions Japan Ltd
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Nippon Motorola Ltd
Motorola Japan Ltd
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Abstract

PURPOSE: To provide the delay circuit corresponding to a high frequency pulse signal by reducing a standby time. CONSTITUTION: The circuit is provided with a 1st inverter circuit 2 providing an output of an inverted input signal from an input terminal Vin. an RC time constant circuit comprising a resistor R and a capacitor C used to decide a time constant of a delay time based on an output of the 1st inverter circuit 2, a charge/discharge circuit 4 promoting charging/discharging the capacitor C of the RC time constant circuit 3, a comparator 5 providing a low level Vss from an output terminal when a level of an input terminal and an output terminal of the charge discharge circuit 4 is lower than a level Vref and providing a high level Vcc from the output terminal when the level of the input terminal and the output terminal of the charge discharge circuit 4 is higher than the level Vref, and a 2nd inverter circuit 6 providing an inverted output signal from the comparator 5.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、遅延回路に係り、特
に、待機時間の短縮化を図った遅延回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a delay circuit, and more particularly, it relates to a delay circuit having a reduced waiting time.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体技術の急速な進歩に伴い、
電子回路内で電気信号のタイミングを調整するための遅
延回路が数多く利用されている。遅延回路は、電気信号
が伝播する速度は有限であることから、経路の異なると
ころを伝送されてきた複数の電気信号の位相を揃えるた
めに、先に進んでいる信号を必要な時間だけ遅らせ(遅
れてきた信号を速くすることは原理的にできない)、信
号間の時間差を補正するための回路であり、また、例え
ば、電子回路において信号間に所定の時間差を生じさせ
たい場合等のように、タイミング調整が要求されるとき
に、必要なタイミングを精度良く安定に得るために用い
られるものである。
2. Description of the Related Art In recent years, with the rapid progress of semiconductor technology,
Many delay circuits are used in electronic circuits to adjust the timing of electrical signals. Since a delay circuit has a finite speed at which an electric signal propagates, in order to align the phases of a plurality of electric signals transmitted through different paths, the delaying circuit delays the preceding signal by a necessary time ( In principle, it is not possible to speed up delayed signals.) It is a circuit for correcting the time difference between signals, and, for example, when it is desired to cause a predetermined time difference between signals in an electronic circuit. When timing adjustment is required, it is used to obtain the required timing accurately and stably.

【0003】従来、このような遅延回路として、例え
ば、図8に示すようなヒステリシス特性を有する出力段
を備えた遅延回路101がある。図8は、従来の遅延回
路101の構成を示す回路図である。図8に示す遅延回
路101は、入力段となるインバータ回路102、RC
時定数回路103、出力段となるシュミットトリガ回路
104及びインバータ回路105から構成されている。
Conventionally, as such a delay circuit, there is, for example, a delay circuit 101 having an output stage having a hysteresis characteristic as shown in FIG. FIG. 8 is a circuit diagram showing the configuration of the conventional delay circuit 101. The delay circuit 101 shown in FIG. 8 includes an inverter circuit 102 and an RC which are input stages.
It is composed of a time constant circuit 103, a Schmitt trigger circuit 104 serving as an output stage, and an inverter circuit 105.

【0004】インバータ回路102は、PチャネルMO
SトランジスタP11とNチャネルMOSトランジスタ
N11とから構成されるCMOSインバータであり、入
力端側を入力端子Vinに接続するとともに、出力端側
を次段のRC時定数回路103に接続している。
The inverter circuit 102 is a P channel MO.
This is a CMOS inverter composed of an S transistor P11 and an N-channel MOS transistor N11. The input end side is connected to the input terminal Vin and the output end side is connected to the RC time constant circuit 103 of the next stage.

【0005】RC時定数回路103は、抵抗R1と容量
C1とから構成される時定数回路であり、入力端側をイ
ンバータ回路102の出力端側に接続するとともに、出
力端側を次段のシュミットトリガ回路104に接続して
いる。なお、遅延回路101における遅延時間は、抵抗
R1の抵抗値と、容量C1のキャパシタンスとに基づい
て決定される。
The RC time constant circuit 103 is a time constant circuit composed of a resistor R1 and a capacitor C1. The input end side is connected to the output end side of the inverter circuit 102 and the output end side is the Schmitt of the next stage. It is connected to the trigger circuit 104. The delay time in the delay circuit 101 is determined based on the resistance value of the resistor R1 and the capacitance of the capacitance C1.

【0006】シュミットトリガ回路104は、入力端側
をRC時定数回路103に接続するとともに、出力端側
を次段のインバータ回路104に接続し、異なる2つの
閾値(この場合、3.0Vと、2.2V)を有すること
で、遅延回路101にヒステリシス特性を持たせるもの
であり、これによって、入力電位レベルが変動すること
によるチャタリングを防止している。
The Schmitt trigger circuit 104 has an input end side connected to the RC time constant circuit 103 and an output end side connected to the next-stage inverter circuit 104, and has two different threshold values (in this case, 3.0 V and By having 2.2V), the delay circuit 101 has a hysteresis characteristic, and thereby chattering due to a change in the input potential level is prevented.

【0007】インバータ回路105は、PチャネルMO
SトランジスタP22とNチャネルMOSトランジスタ
N22とから構成されるCMOSインバータであり、入
力端側をシュミットトリガ回路105の出力端側に接続
するとともに、出力端側を出力端子Voutに接続して
いる。
The inverter circuit 105 is a P-channel MO.
It is a CMOS inverter composed of an S transistor P22 and an N-channel MOS transistor N22. The input end side is connected to the output end side of the Schmitt trigger circuit 105 and the output end side is connected to the output terminal Vout.

【0008】以上の構成において、図9及び図10に基
づいて動作例を説明する。図9は、図8に示す遅延回路
101の各ノードにおける電圧レベルを示す図であり、
図10は、図9における各電圧レベルの合成図である。
なお、図9及び図10中の(X),(Y),(Z)は、
それぞれ、図8中におけるノード(X),(Y),
(Z)の電位を示す。
An operation example of the above configuration will be described with reference to FIGS. 9 and 10. FIG. 9 is a diagram showing the voltage level at each node of the delay circuit 101 shown in FIG.
FIG. 10 is a composite diagram of each voltage level in FIG.
In addition, (X), (Y), and (Z) in FIGS.
Nodes (X), (Y), and
The potential of (Z) is shown.

【0009】図9(a)に示すように、インバータ回路
102に1つのパルス信号として、“H”が入力される
と、まず、RC時定数回路103により、徐々にノード
(Y)の電位が下がり(図9(b)の前半部分を参
照)、ノード(Y)の電位が2.2Vよりも小さくなる
とシュミットトリガ回路104が作動してインバータ回
路105から“H”が出力される(図9(c)の前半部
分を参照)。
As shown in FIG. 9A, when "H" is input to the inverter circuit 102 as one pulse signal, first, the RC time constant circuit 103 gradually increases the potential of the node (Y). When the potential of the node (Y) becomes lower than 2.2 V (see the first half of FIG. 9B), the Schmitt trigger circuit 104 operates and the inverter circuit 105 outputs “H” (FIG. 9). (See the first half of (c)).

【0010】一方、インバータ回路102に“L”が入
力されると、RC時定数回路103により、徐々にノー
ド(Y)の電位が上がり(図9(b)の後半部分を参
照)、ノード(Y)の電位が3.0Vよりも大きくなる
と再びシュミットトリガ回路104が作動してインバー
タ回路105から“L”が出力される(図9(c)の後
半部分を参照)。これによって、入力端子Vinから入
力されたパルス信号は、所定時間(以下、遅延時間td
という)遅延されて出力端子Voutから出力される。
On the other hand, when "L" is input to the inverter circuit 102, the RC time constant circuit 103 gradually raises the potential of the node (Y) (see the latter half of FIG. 9B) and the node ( When the potential of Y) becomes larger than 3.0 V, the Schmitt trigger circuit 104 operates again and "L" is output from the inverter circuit 105 (see the latter half part of FIG. 9C). As a result, the pulse signal input from the input terminal Vin has a predetermined time (hereinafter, delay time td).
It is delayed and output from the output terminal Vout.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の遅延回路101にあっては、入力電位レベル
の偏道によるチャタリング防止のため、出力段にヒステ
リシス特性を有するシュミットトリガ回路104を備え
ていたため、以下に述べるような問題点があった。
However, in such a conventional delay circuit 101, the Schmitt trigger circuit 104 having a hysteresis characteristic is provided in the output stage in order to prevent chattering due to deviation of the input potential level. Therefore, there were problems as described below.

【0012】すなわち、最終出力段であるインバータ回
路104の出力レベルが“H”となってから、RC時定
数回路103によりノード(Y)の電位がさらに下が
り、ノード(Y)の電位がほぼ低電位電源線Vss(=
GND)の電位レベルに達するまで(具体的には、ノー
ド(Y)の電位レベルが0.2Vよりも小さくなるま
で)の一定時間(以下、待機時間twという)は、入力
端子Vinに次のパルス信号が入力されても遅延回路1
01は原理的に正しく作動しない。
That is, after the output level of the inverter circuit 104, which is the final output stage, becomes "H", the potential of the node (Y) is further lowered by the RC time constant circuit 103, and the potential of the node (Y) is almost low. Potential power line Vss (=
Until the potential level of (GND) is reached (specifically, the potential level of the node (Y) becomes smaller than 0.2 V), a predetermined time (hereinafter referred to as a standby time tw) is applied to the input terminal Vin. Delay circuit 1 even if a pulse signal is input
01 does not work correctly in principle.

【0013】したがって、従来の置換回路101では、
遅延時間td+待機時間twよりも短い時間間隔でのパ
ルス入力に対しては対応できず、周期の短いパルス信
号、つまり、高い周波数のパルス信号を扱う電子回路内
には利用することができなかった。
Therefore, in the conventional replacement circuit 101,
It was not possible to cope with pulse input at a time interval shorter than the delay time td + waiting time tw, and could not be used in a pulse signal with a short cycle, that is, in an electronic circuit handling a high frequency pulse signal. .

【0014】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、待機時間を短縮し、高周波
パルス信号に対応する遅延回路を提供することにある。
The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to provide a delay circuit which shortens the waiting time and copes with a high frequency pulse signal.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、図1
に示すように、入力端子Vinから入力されるパルス信
号を所定時間経過後に出力端子Voutより出力する遅
延回路1において、前記入力端子Vinに入力端を接続
するとともに、次段回路の入力端側に出力端を接続し、
入力端から入力された信号の反転信号を出力端より出力
する第一インバータ回路2と、前記第一インバータ回路
2の出力端に入力端を接続するとともに、次段回路の入
力端側に出力端を接続し、遅延時間の時定数を決定する
抵抗R及び容量CからなるRC時定数回路3と、前記R
C時定数回路3の出力端に入出力端を接続し、該RC時
定数回路3における容量Cの充放電を促進する充放電回
路4と、前記充放電回路4の入出力端に入力端を接続す
るとともに、次段回路の入力端側に出力端を接続し、該
充放電回路4の入出力端の電位レベルが所定の電位レベ
ルVrefよりも低い場合、出力端より低電位レベルV
ssを出力し、一方、該充放電回路4の入出力端の電位
レベルが所定の電位レベルVrefよりも高い場合、出
力端より高電位レベルVccを出力するコンパレータ5
と、前記コンパレータ5の出力端に入力端を接続すると
ともに、前記出力端子Voutに出力端を接続し、入力
端から入力された信号の反転信号を出力端より出力する
第二インバータ回路6と、を備えることを特徴とする。
Means for Solving the Problems The first aspect of the present invention is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, in the delay circuit 1 which outputs the pulse signal input from the input terminal Vin from the output terminal Vout after a lapse of a predetermined time, the input terminal is connected to the input terminal Vin and is connected to the input terminal side of the next-stage circuit. Connect the output end,
A first inverter circuit 2 that outputs an inverted signal of a signal input from the input end from the output end, an input end connected to the output end of the first inverter circuit 2, and an output end connected to the input end of the next stage circuit. And an RC time constant circuit 3 composed of a resistor R and a capacitor C for determining the time constant of the delay time, and R
An input / output terminal is connected to the output terminal of the C time constant circuit 3, and a charging / discharging circuit 4 for promoting charging / discharging of the capacitance C in the RC time constant circuit 3 and an input terminal for the input / output terminal of the charging / discharging circuit 4. In addition to the connection, the output terminal is connected to the input terminal side of the next stage circuit, and when the potential level of the input / output terminal of the charging / discharging circuit 4 is lower than the predetermined potential level Vref, the potential level V lower than the output terminal.
On the other hand, when the potential level of the input / output terminal of the charging / discharging circuit 4 is higher than a predetermined potential level Vref, the comparator 5 outputs ss and outputs a higher potential level Vcc from the output terminal.
A second inverter circuit 6 having an output terminal of the comparator 5 connected to an input terminal, an output terminal connected to the output terminal Vout, and an inverted signal of a signal input from the input terminal being output from the output terminal; It is characterized by including.

【0016】請求項2の発明は、図2に示すように、入
力端子Vinから入力されるパルス信号を所定時間経過
後に出力端子Voutより出力する遅延回路1’におい
て、前記入力端子Vinに入力端を接続するとともに、
次段回路の入力端側に出力端を接続し、入力端から入力
された信号の反転信号を出力端より出力するインバータ
回路2’と、前記インバータ回路2’の出力端に入力端
を接続するとともに、次段回路の入力端側に出力端を接
続し、遅延時間の時定数を決定する抵抗R及び容量Cか
らなるRC時定数回路3と、前記RC時定数回路3の出
力端に入出力端を接続し、該RC時定数回路3における
容量Cの充放電を促進する充放電回路4と、前記充放電
回路4の入出力端に入力端を接続するとともに、次段回
路の入力端側に出力端を接続し、該充放電回路4の入出
力端の電位レベルが第一電位レベルVL よりも低い場
合、出力端より高電位レベルVccを出力し、該充放電
回路4の入出力端の電位レベルが第二電位レベルVH よ
りも高い場合、出力端より低電位レベルVssを出力す
るヒステリシス特性を有するコンパレータ回路7と、を
備えることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, as shown in FIG. 2, in a delay circuit 1'that outputs a pulse signal input from an input terminal Vin from an output terminal Vout after a lapse of a predetermined time, an input terminal to the input terminal Vin is provided. With connecting
An output terminal is connected to the input terminal side of the next stage circuit, and an inverter circuit 2'that outputs an inverted signal of the signal input from the input terminal from the output terminal and an input terminal is connected to the output terminal of the inverter circuit 2 '. At the same time, an output terminal is connected to the input terminal side of the next-stage circuit, and an RC time constant circuit 3 composed of a resistor R and a capacitor C that determines the time constant of the delay time, and an input / output at the output terminal of the RC time constant circuit 3. A charging / discharging circuit 4 for connecting the terminals to promote charging / discharging of the capacitance C in the RC time constant circuit 3, an input terminal is connected to the input / output terminal of the charging / discharging circuit 4, and the input terminal side of the next-stage circuit is connected. When the potential level of the input / output terminal of the charging / discharging circuit 4 is lower than the first potential level VL, a higher potential level Vcc is output from the output terminal and the input / output terminal of the charging / discharging circuit 4 is connected. If the potential level of is higher than the second potential level VH, A comparator circuit 7 with a hysteresis characteristic to output the low potential level Vss, characterized in that it comprises a.

【0017】請求項3の発明は、請求項1または請求項
2記載の発明において、前記充放電回路は、高電位電源
線と低電位電源線との間に、第一PチャネルMOSトラ
ンジスタP3,第二PチャネルMOSトランジスタP
4,第二NチャネルMOSトランジスタN4,第一Nチ
ャネルMOSトランジスタN3の順に直列に接続すると
ともに、該第二PチャネルMOSトランジスタP4と該
第二NチャネルMOSトランジスタN4との接続点を入
出力端とし、前記第一PチャネルMOSトランジスタP
3と前記第一NチャネルMOSトランジスタN3とのゲ
ートを共通接続して前記入力端子Vinに接続するとと
もに、前記第二PチャネルMOSトランジスタP4と前
記第二NチャネルMOSトランジスタN4とのゲートを
共通接続して前記出力端子Voutに接続してなること
を特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the invention, the charge / discharge circuit includes a first P-channel MOS transistor P3 between a high potential power line and a low potential power line. Second P-channel MOS transistor P
4, the second N-channel MOS transistor N4 and the first N-channel MOS transistor N3 are serially connected in this order, and the connection point between the second P-channel MOS transistor P4 and the second N-channel MOS transistor N4 is an input / output terminal. And the first P-channel MOS transistor P
3 and the first N-channel MOS transistor N3 are commonly connected to the input terminal Vin, and the second P-channel MOS transistor P4 and the second N-channel MOS transistor N4 are commonly connected. And is connected to the output terminal Vout.

【0018】請求項4の発明は、請求項2または請求項
3記載の発明において、前記コンパレータ回路7は、一
方入力端を前記充放電回路4の入出力端に接続するとと
もに、他方入力端に低電位基準電圧VL を印加する第一
比較器8と、一方入力端に高電位基準電圧VH を印加す
るとともに、他方入力端を前記充放電回路4の入出力端
に接続する第二比較器9と、前記第一比較器8の出力端
をセット端子Sに接続するとともに、前記第二比較器9
の出力端をリセット端子Rに接続するRSフリップフロ
ップ10と、から構成されることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the second or third aspect of the invention, the comparator circuit 7 has one input terminal connected to the input / output terminal of the charge / discharge circuit 4 and the other input terminal. A first comparator 8 which applies a low potential reference voltage VL, and a second comparator 9 which applies a high potential reference voltage VH to one input terminal and connects the other input terminal to the input / output terminal of the charge / discharge circuit 4. And the output terminal of the first comparator 8 is connected to the set terminal S, and the second comparator 9
And an RS flip-flop 10 having an output terminal connected to the reset terminal R.

【0019】[0019]

【作用】請求項1記載の発明によれば、充放電回路によ
りRC時定数回路内の容量が急速に充電または放電され
るため、コンパレータに入力されるパルス信号の立ち上
がり及び立ち下がり時間が大幅に短縮され、これに伴
い、待機時間も大幅に短縮される。これによって、周期
の短い高周波パルス信号に対しても対応することが可能
となる。
According to the first aspect of the invention, since the charge / discharge circuit rapidly charges or discharges the capacitance in the RC time constant circuit, the rise and fall times of the pulse signal input to the comparator are significantly increased. It will be shortened and the waiting time will be greatly shortened. This makes it possible to cope with a high-frequency pulse signal having a short cycle.

【0020】請求項2記載の発明によれば、充放電回路
によりRC時定数回路内の容量が急速に充電または放電
されるため、ヒステリシス特性を有するコンパレータ回
路に入力されるパルス信号の立ち上がり及び立ち下がり
時間が大幅に短縮され、これに伴い、待機時間も大幅に
短縮される。これによって、ヒステリシス特性を有する
出力段を備えつつ、周期の短い高周波パルス信号に対し
ても対応することが可能となる。
According to the second aspect of the present invention, since the charge / discharge circuit rapidly charges or discharges the capacitance in the RC time constant circuit, the rise and rise of the pulse signal input to the comparator circuit having a hysteresis characteristic. The fall time is greatly shortened, and the waiting time is accordingly shortened. As a result, it is possible to cope with a high-frequency pulse signal having a short cycle while having an output stage having a hysteresis characteristic.

【0021】また、この場合、請求項3記載の発明によ
れば、充放電回路は、4個のMOSトランジスタにより
構成されるため、前述の請求項1または請求項2記載の
発明に加えて、充放電回路を構成するための部品点数が
少なくてすむ。また、この場合の充放電回路は、CMO
S技術による製造が可能なため、従来回路と比較して、
回路スペースや製造コストもほとんど増加せずに製造可
能である。
In this case, according to the invention of claim 3, since the charge / discharge circuit is composed of four MOS transistors, in addition to the invention of claim 1 or 2, The number of parts for forming the charge / discharge circuit can be reduced. In addition, the charge / discharge circuit in this case has a CMO
Since it can be manufactured by S technology, compared to conventional circuits,
It can be manufactured with almost no increase in circuit space and manufacturing cost.

【0022】さらに、この場合、請求項4記載の発明に
よれば、低電位基準電圧VL を基準電圧とする第一比較
器の比較結果信号がRSフリップフロップのセット端子
に入力され、高電位基準電圧VH を基準電圧とする第二
比較器の比較結果信号がRSフリップフロップのリセッ
ト端子に入力されることにより、前述の請求項2または
請求項3記載の発明に加えて、通常のコンパレータの組
み合わせで、例えば、シュミットトリガ回路やヒステリ
シスコンパレータ等と同等の機能が実現される。
Further, in this case, according to the invention of claim 4, the comparison result signal of the first comparator having the low potential reference voltage VL as a reference voltage is input to the set terminal of the RS flip-flop, and the high potential reference is applied. The comparison result signal of the second comparator using the voltage VH as the reference voltage is input to the reset terminal of the RS flip-flop, so that in addition to the invention described in claim 2 or 3, the combination of ordinary comparators is used. Thus, for example, a function equivalent to that of a Schmitt trigger circuit or a hysteresis comparator is realized.

【0023】[0023]

【実施例】以下、本発明の好適な実施例を、図1〜図7
を参照して説明する。まず、本実施例の構成を説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.
Will be described with reference to. First, the configuration of this embodiment will be described.

【0024】図1は、本実施例1の遅延回路1の構成を
示す回路図である。図1において、本実施例の遅延回路
1は、大別して、第一インバータ回路2、RC時定数回
路3、充放電回路4、コンパレータ5、第二インバータ
回路6から構成されている。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of the delay circuit 1 of the first embodiment. In FIG. 1, the delay circuit 1 of this embodiment is roughly composed of a first inverter circuit 2, an RC time constant circuit 3, a charging / discharging circuit 4, a comparator 5, and a second inverter circuit 6.

【0025】第一インバータ回路2は、高電位電源線と
低電位電源線との間に直列接続されたPチャネルMOS
トランジスタP1とNチャネルMOSトランジスタN1
とから構成されるCMOSインバータであり、互いのゲ
ートを共通接続して入力端として入力端子Vinに接続
するとともに、PチャネルMOSトランジスタP1とN
チャネルMOSトランジスタN1との接続点を出力端と
して次段のRC時定数回路3に接続しており、入力端子
Vinから入力されるパルス信号の反転信号を次段のR
C時定数回路3に出力するものである。
The first inverter circuit 2 is a P-channel MOS transistor connected in series between a high potential power line and a low potential power line.
Transistor P1 and N-channel MOS transistor N1
And a gate connected to each other by commonly connecting the gates to each other as an input terminal to the input terminal Vin, and also in the P-channel MOS transistors P1 and N.
The connection point with the channel MOS transistor N1 is connected as an output end to the RC time constant circuit 3 of the next stage, and the inverted signal of the pulse signal input from the input terminal Vin is supplied to the R of the next stage.
It is output to the C time constant circuit 3.

【0026】RC時定数回路3は、抵抗Rと容量Cとか
ら構成される時定数回路であり、抵抗Rの一方端を入力
端としてインバータ回路2の出力端に接続するととも
に、抵抗Rの他方端を出力端として次段の充放電回路4
に接続しており、さらに、出力端には、一方端を低電位
電源線に接続する容量Cの他方端を接続している。これ
によって、遅延回路1における遅延時間は、抵抗Rの抵
抗値と、容量Cのキャパシタンスとに基づいて決定され
る。
The RC time constant circuit 3 is a time constant circuit composed of a resistor R and a capacitor C. One end of the resistor R is connected as an input end to the output end of the inverter circuit 2 and the other end of the resistor R is connected. Charge / discharge circuit 4 at the next stage with the end as the output end
Further, the output end is connected to the other end of the capacitor C whose one end is connected to the low potential power line. Thus, the delay time in the delay circuit 1 is determined based on the resistance value of the resistor R and the capacitance of the capacitance C.

【0027】充放電回路4は、高電位電源線と低電位電
源線との間に直列接続された第一PチャネルMOSトラ
ンジスタP3、第二PチャネルMOSトランジスタP
4、第二NチャネルMOSトランジスタN4、第一Nチ
ャネルMOSトランジスタN3から構成され、第二Pチ
ャネルMOSトランジスタP4と第二NチャネルMOS
トランジスタN4との接続点を入出力端としてRC時定
数回路3の出力端及びヒステリシスコンパレータ7の入
力端に接続しており、さらに、第一PチャネルMOSト
ランジスタP3と第一NチャネルMOSトランジスタN
3とのゲートを共通接続して入力端子Vinに接続する
とともに、第二PチャネルMOSトランジスタP4と第
二NチャネルMOSトランジスタN4とのゲートを共通
接続して出力端子Voutに接続しており、待機時間を
短くするためにRC時定数回路3の容量Cに対して急速
に充放電を行うものである。
The charge / discharge circuit 4 includes a first P-channel MOS transistor P3 and a second P-channel MOS transistor P, which are connected in series between a high potential power line and a low potential power line.
4, a second N-channel MOS transistor N4 and a first N-channel MOS transistor N3, and a second P-channel MOS transistor P4 and a second N-channel MOS transistor.
The connection point with the transistor N4 is connected as an input / output terminal to the output terminal of the RC time constant circuit 3 and the input terminal of the hysteresis comparator 7, and further the first P-channel MOS transistor P3 and the first N-channel MOS transistor N are connected.
The gates of the second P-channel MOS transistor P4 and the second N-channel MOS transistor N4 are commonly connected to the output terminal Vout and are connected to the input terminal Vin. In order to shorten the time, the capacity C of the RC time constant circuit 3 is rapidly charged and discharged.

【0028】コンパレータ5は、入力端を充放電回路4
の入出力端に接続するとともに、出力端を次段の第二イ
ンバータ回路6に接続しており、所定の閾値電圧Vre
f(=Vcc/2)を有している。
The comparator 5 has an input end connected to the charge / discharge circuit 4
Is connected to the input / output terminal of the second inverter circuit 6 and the output terminal thereof is connected to the second inverter circuit 6 of the next stage, and a predetermined threshold voltage Vre
It has f (= Vcc / 2).

【0029】第二インバータ回路6は、高電位電源線と
低電位電源線との間に直列接続されたPチャネルMOS
トランジスタP2とNチャネルMOSトランジスタN2
とから構成されるCMOSインバータであり、互いのゲ
ートを共通接続して入力端としてヒステリシスコンパレ
ータ7の出力端に接続するとともに、PチャネルMOS
トランジスタP2とNチャネルMOSトランジスタN2
との接続点を出力端として出力端子Voutに接続して
おり、コンパレータ5から出力されるパルス信号の反転
信号を出力端子Voutに出力するものである。
The second inverter circuit 6 is a P-channel MOS transistor connected in series between a high potential power line and a low potential power line.
Transistor P2 and N-channel MOS transistor N2
Is a CMOS inverter configured by commonly connecting the gates of both to the output end of the hysteresis comparator 7 as an input end,
Transistor P2 and N-channel MOS transistor N2
The connection point with and is connected to the output terminal Vout as an output end, and the inverted signal of the pulse signal output from the comparator 5 is output to the output terminal Vout.

【0030】上記した構成において、コンパレータ5に
入力される信号波形がノイズを含まない場合には問題が
ないが、信号波形にノイズが含まれることにより、コン
パレータ5の閾値電圧Vref近辺で変動した場合、ノ
イズによって時間が変化したり、また、チャタリングを
起こしたりするため、実際の使用時には、図2に示すよ
うに、ヒステリシス特性を有するヒステリシスコンパレ
ータを使用することが望ましい。
In the above configuration, there is no problem when the signal waveform input to the comparator 5 does not include noise, but when the signal waveform fluctuates in the vicinity of the threshold voltage Vref of the comparator 5 due to the noise included in the signal waveform. Since noise may change the time or cause chattering, it is desirable to use a hysteresis comparator having a hysteresis characteristic as shown in FIG. 2 during actual use.

【0031】図2は、本実施例2の遅延回路1の構成を
示す回路図である。図2における遅延回路1は、第一イ
ンバータ回路2と同一構成のインバータ回路2’と、R
C時定数回路3と、充放電回路4と、ヒステリシスコン
パレータ7とから構成されており、前述のコンパレータ
5及び第二インバータ回路6とをヒステリシス特性を有
するコンパレータ回路であるヒステリシスコンパレータ
7に置換したものである。
FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of the delay circuit 1 of the second embodiment. The delay circuit 1 in FIG. 2 includes an inverter circuit 2 ′ having the same configuration as the first inverter circuit 2 and an R circuit.
C time constant circuit 3, charging / discharging circuit 4, and hysteresis comparator 7, and the above-mentioned comparator 5 and second inverter circuit 6 are replaced with a hysteresis comparator 7 which is a comparator circuit having hysteresis characteristics. Is.

【0032】ヒステリシスコンパレータ7は、入力端を
充放電回路4の入出力端に接続するとともに、出力端を
出力端子Voutに接続しており、異なる2つの閾値
(この場合、VL =Vcc/2−Vα1と、VH =Vc
c/2+Vα2)を有することで、遅延回路1にチャタ
リング防止のためのヒステリシス特性を持たせるための
回路である。なお、Vα1、Vα2は、ヒステリシスコ
ンパレータ7の動作点であり、立ち上がり、立ち下がり
での遅延時間差は、Vα1とVα2とで微調整すること
ができる。この場合、Vα1=Vα2であれば、立ち上
がり、立ち下がりの遅滞時間が揃うことから好ましく、
Vα1+Vα2の値は、信号のノイズレベルによって決
定される。
The hysteresis comparator 7 has its input end connected to the input / output end of the charge / discharge circuit 4 and its output end connected to the output terminal Vout, and has two different thresholds (VL = Vcc / 2− in this case). Vα1 and VH = Vc
By having c / 2 + Vα2), the delay circuit 1 has a hysteresis characteristic for preventing chattering. Note that Vα1 and Vα2 are operating points of the hysteresis comparator 7, and the delay time difference between rising and falling can be finely adjusted by Vα1 and Vα2. In this case, if Vα1 = Vα2, the delay times of rising and falling are aligned, which is preferable.
The value of Vα1 + Vα2 is determined by the noise level of the signal.

【0033】図3は、図2におけるヒステリシスコンパ
レータに代わるヒステリシス特性を備えたコンパレータ
回路7’の構成例を示す回路図である。図3に示すよう
に、本例でのコンパレータ回路7’は、第一比較器8
と、第二比較器9と、RSフリップフロップ10とから
構成されている。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration example of a comparator circuit 7'having a hysteresis characteristic, which is an alternative to the hysteresis comparator shown in FIG. As shown in FIG. 3, the comparator circuit 7 ′ in this example includes the first comparator 8
And a second comparator 9 and an RS flip-flop 10.

【0034】第一比較器8は、一方入力端を充放電回路
4の入出力端に接続するとともに、他方入力端に低電位
基準電圧VL を印加してなるコンパレータであり、第二
比較器9は、一方入力端に高電位基準電圧VH を印加す
るとともに、他方入力端を充放電回路4の入出力端に接
続してなるコンパレータである。
The first comparator 8 is a comparator in which one input end is connected to the input / output end of the charging / discharging circuit 4 and the low potential reference voltage VL is applied to the other input end. Is a comparator having a high potential reference voltage VH applied to one input terminal and the other input terminal connected to the input / output terminal of the charging / discharging circuit 4.

【0035】RSフリップフロップ10は、第一比較器
8の出力端をセット端子Sに接続するとともに、第二比
較器9の出力端をリセット端子Rに接続することによっ
て、VH −VL のヒステリシスを有する出力を行うもの
である。
The RS flip-flop 10 connects the output terminal of the first comparator 8 to the set terminal S and the output terminal of the second comparator 9 to the reset terminal R, thereby providing a hysteresis of VH-VL. It has an output.

【0036】以下、本実施例2の遅延回路1’の動作例
を図4〜図7に基づいて説明する。図4は、図2に示す
遅延回路1’の各ノードにおける電圧レベルを示す図、
図5は、図4における各電圧レベルの合成図であり、図
6は、図5の前半部分の拡大図、図7は、図5の後半部
分の拡大図である。なお、図4〜図7中の(A),
(B),(C)は、それぞれ、図2中における各ノード
(A),(B),(C)の電位を示す。
Hereinafter, an operation example of the delay circuit 1'of the second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a diagram showing voltage levels at respective nodes of the delay circuit 1 ′ shown in FIG.
5 is a composite view of the voltage levels in FIG. 4, FIG. 6 is an enlarged view of the first half of FIG. 5, and FIG. 7 is an enlarged view of the second half of FIG. In addition, (A) in FIGS.
(B) and (C) indicate the potentials of the nodes (A), (B), and (C) in FIG. 2, respectively.

【0037】まず、本実施例における遅延回路1’の初
期条件として、入力端子Vinに印加される電位レベ
ル、すなわち、ノード(A)における電位レベルはVs
s(=“L”)、ノード(B)における電位レベルEb
とし、Eb=Vcc(=“H”)とする。
First, as an initial condition of the delay circuit 1'in this embodiment, the potential level applied to the input terminal Vin, that is, the potential level at the node (A) is Vs.
s (= "L"), potential level Eb at node (B)
And Eb = Vcc (= “H”).

【0038】入力端子Vinの電位レベルがVssから
Vccに立ち上がると、PチャネルMOSトランジスタ
P1がオフ、NチャネルMOSトランジスタN1がオン
となり、容量Cの放電が開始される。この場合、ノード
(A)の電位レベルは、Vccなので、第一Pチャネル
MOSトランジスタP3はオフ、第一NチャネルMOS
トランジスタN3はオンとなる。
When the potential level of the input terminal Vin rises from Vss to Vcc, the P-channel MOS transistor P1 is turned off and the N-channel MOS transistor N1 is turned on, and the discharge of the capacitor C is started. In this case, since the potential level of the node (A) is Vcc, the first P-channel MOS transistor P3 is off and the first N-channel MOS transistor is off.
The transistor N3 is turned on.

【0039】ノード(B)の電位レベルEbがヒステリ
シスコンパレータ7の立ち下がり閾電圧VL (=2.2
V)に達するまでは、出力端子Voutの電位レベル、
すなわち、ノード(C)における電位レベルはVssな
ので、第二PチャネルMOSトランジスタP4はオン、
第二NチャネルMOSトランジスタN4はオフとなる。
したがって、ノード(B)の電位レベルEbは〔数1〕
に従って下降する。
The potential level Eb of the node (B) is the falling threshold voltage VL (= 2.2) of the hysteresis comparator 7.
Until it reaches V), the potential level of the output terminal Vout,
That is, since the potential level at the node (C) is Vss, the second P-channel MOS transistor P4 is turned on,
The second N-channel MOS transistor N4 is turned off.
Therefore, the potential level Eb of the node (B) is [Equation 1]
Descend according to.

【0040】[0040]

【数1】そして、ノード(B)の電位レベルEbがヒス
テリシスコンパレータ7の立ち下がり閾電圧VL (=
2.2V)に達すると、出力端子Voutの電位レベル
が反転し、ノード(C)における電位レベルはVccと
なり、第二PチャネルMOSトランジスタP4はオフ、
第二NチャネルMOSトランジスタN4はオンとなっ
て、容量CはNチャネルMOSトランジスタN1を介し
て放電されるとともに、第二NチャネルMOSトランジ
スタN4及び第一NチャネルMOSトランジスタN3を
介して放電される。したがって、ノード(B)の電位レ
ベルEbは〔数2〕に従って下降する。
[Equation 1] Then, the potential level Eb of the node (B) falls to the falling threshold voltage VL (=
2.2V), the potential level of the output terminal Vout is inverted, the potential level at the node (C) becomes Vcc, and the second P-channel MOS transistor P4 turns off.
The second N-channel MOS transistor N4 is turned on, and the capacitance C is discharged through the N-channel MOS transistor N1 and the second N-channel MOS transistor N4 and the first N-channel MOS transistor N3. . Therefore, the potential level Eb of the node (B) drops according to [Equation 2].

【0041】[0041]

【数2】ここで、(Ron2+Ron3)を(Ron1
+R)と比較して十分小さくなるようにすると、τ2τ
1となり、図6に示すように、ヒステリシスコンパレー
タ7及び第二インバータ回路6の出力反転後ノード
(B)の電位レベルEbは、第二NチャネルMOSトラ
ンジスタN4及び第一NチャネルMOSトランジスタN
3のない場合と比較して速やかにVssに近づく。
(2) where (Ron2 + Ron3) becomes (Ron1
+ R), it becomes τ2τ
As shown in FIG. 6, the potential level Eb of the node (B) after the output of the hysteresis comparator 7 and the second inverter circuit 6 is inverted, the potential level Eb of the second N-channel MOS transistor N4 and the first N-channel MOS transistor N
Compared with the case where 3 is not present, it approaches Vss more quickly.

【0042】次に、入力端子Vinに印加される電位レ
ベル、すなわち、ノード(A)における電位レベルはV
cc(=“H”)、ノード(B)における電位レベルを
Ebとし、Eb=Vss(=“L”)とする。
Next, the potential level applied to the input terminal Vin, that is, the potential level at the node (A) is V
Let cc (= “H”) and the potential level at the node (B) be Eb, and Eb = Vss (= “L”).

【0043】入力端子Vinの電位レベルがVccから
Vssに立ち下がると、PチャネルMOSトランジスタ
P1がオンとなり、容量Cに対して充電が開始される。
この場合、ノード(A)の電位レベルは、Vssなの
で、第一PチャネルMOSトランジスタP3はオン、第
一NチャネルMOSトランジスタN3はオフとなる。
When the potential level of the input terminal Vin falls from Vcc to Vss, the P-channel MOS transistor P1 is turned on and the capacitor C is charged.
In this case, since the potential level of the node (A) is Vss, the first P-channel MOS transistor P3 is turned on and the first N-channel MOS transistor N3 is turned off.

【0044】ノード(B)の電位レベルEbがヒステリ
シスコンパレータ7の立ち上がり閾電圧VH (=3.0
V)に達するまでは、出力端子Voutの電位レベル、
すなわち、ノード(C)における電位レベルはVccな
ので、第二PチャネルMOSトランジスタP4はオフ、
第二NチャネルMOSトランジスタN4はオンとなる。
したがって、ノード(B)の電位レベルEbは〔数3〕
に従って上昇する。
The potential level Eb of the node (B) is the rising threshold voltage VH (= 3.0) of the hysteresis comparator 7.
Until it reaches V), the potential level of the output terminal Vout,
That is, since the potential level at the node (C) is Vcc, the second P-channel MOS transistor P4 is off,
The second N-channel MOS transistor N4 is turned on.
Therefore, the potential level Eb of the node (B) is [Equation 3]
Rise according to.

【0045】[0045]

【数3】そして、ノード(B)の電位レベルEbがヒス
テリシスコンパレータ7の立ち上がり閾電圧VH (=
3.0V)に達すると、出力端子Voutの電位レベル
が反転し、ノード(C)における電位レベルはVssと
なり、第二PチャネルMOSトランジスタP4はオン、
第二NチャネルMOSトランジスタN4はオフとなっ
て、容量CはPチャネルMOSトランジスタP1を介し
て供給される電流に加えて、第一PチャネルMOSトラ
ンジスタP3及び第二PチャネルMOSトランジスタP
4を介して供給される電流によって充電される。したが
って、ノード(B)の電位レベルEbは〔数4〕に従っ
て上昇する。
[Equation 3] Then, the potential level Eb of the node (B) rises to the threshold voltage VH (=
3.0 V), the potential level of the output terminal Vout is inverted, the potential level at the node (C) becomes Vss, and the second P-channel MOS transistor P4 turns on.
The second N-channel MOS transistor N4 is turned off, and the capacitance C is added to the current supplied via the P-channel MOS transistor P1 as well as the first P-channel MOS transistor P3 and the second P-channel MOS transistor P.
It is charged by the current supplied via 4. Therefore, the potential level Eb of the node (B) rises according to [Equation 4].

【0046】[0046]

【数4】ここで、(Ron5+Ron6)を(Ron4
+R)と比較して十分小さくなるようにすると、τ4τ
3となり、図7に示すように、ヒステリシスコンパレー
タ7及び第二インバータ回路6の出力反転後ノード
(B)の電位レベルEbは、第一PチャネルMOSトラ
ンジスタP3及び第二PチャネルMOSトランジスタP
4のない場合と比較して速やかにVccに近づく。
Where (Ron5 + Ron6) is replaced by (Ron4
+ R), it will be τ4τ
3, the potential level Eb of the node (B) after the output of the hysteresis comparator 7 and the second inverter circuit 6 is inverted, as shown in FIG. 7, the first P-channel MOS transistor P3 and the second P-channel MOS transistor P
Compared with the case without 4, the value approaches Vcc more quickly.

【0047】このように本実施例では、充放電回路4に
よってRC時定数回路3内の容量Cを急速に充電または
放電することにより、ヒステリシスコンパレータ7に入
力するパルス信号の立ち上がり及び立ち下がり時間を大
幅に短縮でき、待機時間を大幅に短縮することができ
る。したがって、ヒステリシス特性を有する出力段を備
えつつ、周期の短い高周波パルス信号に対しても対応す
る遅延回路1’を提供することができる。
As described above, in this embodiment, the charging / discharging circuit 4 rapidly charges or discharges the capacitance C in the RC time constant circuit 3 so that the rise and fall times of the pulse signal input to the hysteresis comparator 7 are changed. It can be greatly shortened and the waiting time can be greatly shortened. Therefore, it is possible to provide the delay circuit 1 ′ which is provided with the output stage having the hysteresis characteristic and is also adapted to the high frequency pulse signal having the short period.

【0048】また、この場合、充放電回路4は、わずか
4個のMOSトランジスタP3,P4,N3,N4によ
り構成されるため、充放電回路4を構成するために追加
する部品点数が少なくてすみ、回路スペースや製造コス
トもほとんど増加することがない。
Further, in this case, since the charging / discharging circuit 4 is composed of only four MOS transistors P3, P4, N3, N4, the number of parts to be added to configure the charging / discharging circuit 4 can be small. Also, the circuit space and the manufacturing cost hardly increase.

【0049】以上、本発明者によってなされた発明を好
適な実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記
実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0050】例えば、上記実施例では、ヒステリシス特
性を有するコンパレータ回路として、ヒステリシスコン
パレータ7やコンパレータ回路7’が用いられていた
が、これらの代わりに反転出力可能なシュミットトリガ
回路(インバーテッドシュミットトリガ回路)を用いる
ものであってもよい。
For example, in the above embodiment, the hysteresis comparator 7 or the comparator circuit 7'is used as the comparator circuit having the hysteresis characteristic. Instead of these, a Schmitt trigger circuit (inverted Schmitt trigger circuit) capable of inverting output is used. ) May be used.

【0051】また、例えば、上記実施例では、RC時定
数回路3における抵抗及び容量や、充放電回路4におけ
る各MOSトランジスタのオン抵抗は任意に設定可能で
あることはいうまでもなく、さらに、この場合、RC時
定数回路3における容量の一方端は、停電位電源線に接
続されているが、高電位電源線に接続してあっても構わ
ない。
Further, for example, in the above embodiment, it goes without saying that the resistance and capacitance in the RC time constant circuit 3 and the on-resistance of each MOS transistor in the charge / discharge circuit 4 can be set arbitrarily. In this case, one end of the capacitor in the RC time constant circuit 3 is connected to the power failure power line, but it may be connected to the high potential power line.

【0052】[0052]

【発明の効果】請求項1記載の発明では、充放電回路に
よりRC時定数回路内の容量を急速に充電または放電す
ることにより、コンパレータに入力するパルス信号の立
ち上がり及び立ち下がり時間を大幅に短縮することがで
き、これに伴って待機時間も大幅に短縮できる。したが
って、周期の短い高周波パルス信号に対しても対応する
遅延回路を提供することができる。
According to the first aspect of the invention, by rapidly charging or discharging the capacitance in the RC time constant circuit by the charge / discharge circuit, the rise and fall times of the pulse signal input to the comparator are greatly shortened. Therefore, the waiting time can be greatly reduced. Therefore, it is possible to provide a delay circuit which can cope with a high frequency pulse signal having a short cycle.

【0053】請求項2記載の発明では、充放電回路によ
ってRC時定数回路内の容量を急速に充電または放電す
ることにより、ヒステリシス特性を有するコンパレータ
回路に入力するパルス信号の立ち上がり及び立ち下がり
時間を大幅に短縮でき、これに伴い、待機時間も大幅に
短縮することができる。したがって、ヒステリシス特性
を有する出力段を備えつつ、周期の短い高周波パルス信
号に対しても対応する遅延回路を提供することができ
る。
According to the second aspect of the present invention, the charge / discharge circuit rapidly charges or discharges the capacitance in the RC time constant circuit, so that the rise and fall times of the pulse signal input to the comparator circuit having the hysteresis characteristic can be set. It can be greatly shortened, and the waiting time can be shortened accordingly. Therefore, it is possible to provide the delay circuit which is provided with the output stage having the hysteresis characteristic, and which can cope with the high frequency pulse signal having the short period.

【0054】また、この場合、請求項3記載の発明で
は、充放電回路は、わずか4個のMOSトランジスタに
より構成されるため、前述の請求項1または請求項2記
載の発明に加えて、充放電回路を構成するために追加す
る部品点数が少なくてすみ、この場合、充放電回路は、
CMOS技術による製造が可能なため、従来回路と比較
して、回路スペースや製造コストもほとんど増加するこ
となく製造することができる。
Further, in this case, in the invention described in claim 3, since the charge / discharge circuit is composed of only four MOS transistors, in addition to the invention described in claim 1 or 2, The number of parts added to configure the discharge circuit is small, and in this case, the charge / discharge circuit is
Since it can be manufactured by the CMOS technology, it can be manufactured with almost no increase in circuit space and manufacturing cost as compared with the conventional circuit.

【0055】さらに、この場合、請求項4記載の発明で
は、低電位基準電圧VL を基準電圧とする第一比較器の
比較結果信号をRSフリップフロップのセット端子に入
力するとともに、高電位基準電圧VH を基準電圧とする
第二比較器の比較結果信号をRSフリップフロップのリ
セット端子に入力することにより、前述の請求項2また
は請求項3記載の発明に加えて、通常のコンパレータの
組み合わせだけで、例えば、シュミットトリガ回路やヒ
ステリシスコンパレータ等と同等のヒステリシスを有す
るコンパレータ回路を実現することができる。
Further, in this case, according to the invention of claim 4, the comparison result signal of the first comparator having the low potential reference voltage VL as a reference voltage is inputted to the set terminal of the RS flip-flop, and the high potential reference voltage is applied. By inputting the comparison result signal of the second comparator having VH as the reference voltage to the reset terminal of the RS flip-flop, in addition to the invention described in claim 2 or 3, the normal comparator is combined. For example, it is possible to realize a comparator circuit having hysteresis equivalent to that of a Schmitt trigger circuit or a hysteresis comparator.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本実施例1の遅延回路の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a delay circuit according to a first embodiment.

【図2】本実施例2の遅延回路の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a delay circuit according to a second embodiment.

【図3】図2におけるヒステリシスコンパレータに代わ
るヒステリシス特性を備えたコンパレータ回路の構成例
を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration example of a comparator circuit having a hysteresis characteristic that replaces the hysteresis comparator in FIG.

【図4】図3に示す遅延回路の各ノードにおける電圧レ
ベルを示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing voltage levels at respective nodes of the delay circuit shown in FIG.

【図5】図4における各電圧レベルの合成図である。5 is a composite diagram of each voltage level in FIG. 4. FIG.

【図6】図5の前半部分の拡大図である。FIG. 6 is an enlarged view of the first half portion of FIG.

【図7】図5の後半部分の拡大図である。FIG. 7 is an enlarged view of the latter half of FIG.

【図8】従来の遅延回路の構成を示す回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional delay circuit.

【図9】図8に示す遅延回路の各ノードにおける電圧レ
ベルを示す図である。
9 is a diagram showing voltage levels at respective nodes of the delay circuit shown in FIG.

【図10】図9における各電圧レベルの合成図である。10 is a composite diagram of voltage levels in FIG. 9. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 遅延回路 2 第一インバータ回路 2’ インバータ回路 3 RC時定数回路 4 充放電回路 5 コンパレータ 6 第二インバータ回路 7 ヒステリシスコンパレータ(コンパレー
タ回路) 7’ コンパレータ回路 8 第一コンパレータ 9 第二コンパレータ 10 RSフリップフロップ
1 Delay Circuit 2 First Inverter Circuit 2'Inverter Circuit 3 RC Time Constant Circuit 4 Charge / Discharge Circuit 5 Comparator 6 Second Inverter Circuit 7 Hysteresis Comparator (Comparator Circuit) 7'Comparator Circuit 8 First Comparator 9 Second Comparator 10 RS Flip Float The

【数式1】 [Formula 1]

【数式2】 [Formula 2]

【数式3】 [Formula 3]

【数式4】 [Formula 4]

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】入力端子から入力されるパルス信号を所定
時間経過後に出力端子より出力する遅延回路において、 前記入力端子に入力端を接続するとともに、次段回路の
入力端側に出力端を接続し、入力端から入力された信号
の反転信号を出力端より出力する第一インバータ回路
と、 前記第一インバータ回路の出力端に入力端を接続すると
ともに、次段回路の入力端側に出力端を接続し、遅延時
間の時定数を決定する抵抗及び容量からなるRC時定数
回路と、 前記RC時定数回路の出力端に入出力端を接続し、該R
C時定数回路における容量の充放電を促進する充放電回
路と、 前記充放電回路の入出力端に入力端を接続するととも
に、次段回路の入力端側に出力端を接続し、該充放電回
路の入出力端の電位レベルが所定の電位レベルよりも低
い場合、出力端より低電位レベルを出力し、一方、該充
放電回路の入出力端の電位レベルが所定の電位レベルよ
りも高い場合、出力端より高電位レベルを出力するコン
パレータと、 前記コンパレータの出力端に入力端を接続するととも
に、前記出力端子に出力端を接続し、入力端から入力さ
れた信号の反転信号を出力端より出力する第二インバー
タ回路と、 を備えることを特徴とする遅延回路。
1. A delay circuit for outputting a pulse signal input from an input terminal from an output terminal after a lapse of a predetermined time, the input terminal being connected to the input terminal, and the output terminal being connected to the input terminal side of a next stage circuit. A first inverter circuit that outputs an inverted signal of the signal input from the input end from the output end, and an input end connected to the output end of the first inverter circuit, and an output end on the input end side of the next-stage circuit. And an RC time constant circuit composed of a resistor and a capacitor for determining the time constant of the delay time, and an input / output terminal connected to the output terminal of the RC time constant circuit.
A charging / discharging circuit for accelerating charging / discharging of the capacity in the C time constant circuit, and an input terminal connected to the input / output terminal of the charging / discharging circuit and an output terminal connected to the input terminal side of the next-stage circuit, When the potential level at the input / output terminal of the circuit is lower than the predetermined potential level, a low potential level is output from the output terminal, while the potential level at the input / output terminal of the charge / discharge circuit is higher than the predetermined potential level. A comparator that outputs a higher potential level than the output end, and an input end connected to the output end of the comparator, an output end connected to the output terminal, and an inverted signal of the signal input from the input end from the output end. A second inverter circuit for outputting, and a delay circuit comprising:
【請求項2】入力端子から入力されるパルス信号を所定
時間経過後に出力端子より出力する遅延回路において、 前記入力端子に入力端を接続するとともに、次段回路の
入力端側に出力端を接続し、入力端から入力された信号
の反転信号を出力端より出力するインバータ回路と、 前記インバータ回路の出力端に入力端を接続するととも
に、次段回路の入力端側に出力端を接続し、遅延時間の
時定数を決定する抵抗及び容量からなるRC時定数回路
と、 前記RC時定数回路の出力端に入出力端を接続し、該R
C時定数回路における容量の充放電を促進する充放電回
路と、 前記充放電回路の入出力端に入力端を接続するととも
に、次段回路の入力端側に出力端を接続し、該充放電回
路の入出力端の電位レベルが第一電位レベルよりも低い
場合、出力端より高電位レベルを出力し、該充放電回路
の入出力端の電位レベルが第二電位レベルよりも高い場
合、出力端より低電位レベルを出力するヒステリシス特
性を有するコンパレータ回路と、 を備えることを特徴とする遅延回路。
2. A delay circuit for outputting a pulse signal input from an input terminal from an output terminal after a lapse of a predetermined time, the input terminal being connected to the input terminal and the output terminal being connected to the input terminal side of a next stage circuit. Then, an inverter circuit that outputs an inverted signal of the signal input from the input end from the output end, while connecting the input end to the output end of the inverter circuit, and connecting the output end to the input end side of the next stage circuit, An RC time constant circuit composed of a resistor and a capacitance for determining the time constant of the delay time, and an input / output terminal connected to the output terminal of the RC time constant circuit,
A charging / discharging circuit for accelerating charging / discharging of the capacity in the C time constant circuit, and an input terminal connected to the input / output terminal of the charging / discharging circuit and an output terminal connected to the input terminal side of the next-stage circuit, When the potential level at the input / output end of the circuit is lower than the first potential level, a higher potential level is output than at the output end, and when the potential level at the input / output end of the charge / discharge circuit is higher than the second potential level, output A delay circuit comprising: a comparator circuit having a hysteresis characteristic that outputs a lower potential level from its end.
【請求項3】前記充放電回路は、高電位電源線と低電位
電源線との間に、第一PチャネルMOSトランジスタ,
第二PチャネルMOSトランジスタ,第二NチャネルM
OSトランジスタ,第一NチャネルMOSトランジスタ
の順に直列に接続するとともに、該第二PチャネルMO
Sトランジスタと該第二NチャネルMOSトランジスタ
との接続点を入出力端とし、 前記第一PチャネルMOSトランジスタと前記第一Nチ
ャネルMOSトランジスタとのゲートを共通接続して前
記入力端子に接続するとともに、前記第二PチャネルM
OSトランジスタと前記第二NチャネルMOSトランジ
スタとのゲートを共通接続して前記出力端子に接続して
なることを特徴とする請求項1または2記載の遅延回
路。
3. The charge / discharge circuit comprises a first P-channel MOS transistor between a high potential power line and a low potential power line,
Second P channel MOS transistor, second N channel M
The OS transistor and the first N-channel MOS transistor are connected in series in this order, and the second P-channel MO transistor is connected.
The connection point between the S transistor and the second N-channel MOS transistor is used as an input / output terminal, and the gates of the first P-channel MOS transistor and the first N-channel MOS transistor are commonly connected and connected to the input terminal. , The second P channel M
3. The delay circuit according to claim 1, wherein the gates of the OS transistor and the second N-channel MOS transistor are commonly connected to the output terminal.
【請求項4】前記コンパレータ回路は、 一方入力端を前記充放電回路の入出力端に接続するとと
もに、他方入力端に低電位基準電圧を印加する第一比較
器と、 一方入力端に高電位基準電圧を印加するとともに、他方
入力端を前記充放電回路の入出力端に接続する第二比較
器と、 前記第一比較器の出力端をセット端子に接続するととも
に、前記第二比較器の出力端をリセット端子に接続する
RSフリップフロップと、 から構成されることを特徴とする請求項2または3記載
の遅延回路。
4. The comparator circuit has a first comparator having one input terminal connected to an input / output terminal of the charging / discharging circuit and a low potential reference voltage applied to the other input terminal, and a high potential applied to one input terminal. While applying a reference voltage, the other input terminal is connected to the input / output terminal of the charging / discharging circuit, and the output terminal of the first comparator is connected to a set terminal, and the second comparator is connected. 4. The delay circuit according to claim 2, comprising an RS flip-flop having an output terminal connected to a reset terminal.
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