JPH0869881A - Manufacture of thin film el element - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 45
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 15
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ガラスなどの基板上に
形成した薄膜に電圧を印加することにより発光させる薄
膜ＥＬ素子の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a thin film EL element which emits light by applying a voltage to a thin film formed on a substrate such as glass.
【０００２】[0002]
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）と称
される発光をする薄膜ＥＬ素子が既に知られている。こ
の薄膜ＥＬ素子は、高輝度化および多色化を実現するこ
とにより、ＯＡ（オフィスオートメーション）機器、Ｆ
Ａ（ファクトリーオートメーション）機器、計測機器、
その他各種電子機器などの平面型表示手段として実用化
が期待されている。2. Description of the Related Art A thin film EL element which emits light called electroluminescence (EL) is already known. This thin-film EL device realizes high brightness and multi-color, so that OA (office automation) equipment, F
A (factory automation) equipment, measuring equipment,
Further, it is expected to be put to practical use as a flat display means for various electronic devices.
【０００３】上記薄膜ＥＬ素子の青緑色発光材料とし
て、Ｃｅを添加したＳｒＳ膜は、高い輝度が得られるこ
とから特に実用化が期待されている。As a blue-green light emitting material for the above-mentioned thin film EL element, an SrS film containing Ce is expected to be put to practical use because it can obtain high brightness.
【０００４】このような薄膜ＥＬ素子の従来技術とし
て、例えば、Ｈ2 Ｓガスや硫黄の共蒸着による方法、優
れた結晶性を有するノンドープＺｎＳ膜を発光層の下地
膜として挿入する方法（特公昭６３−２００００号参
照）、蒸着速度を制御する方法（特開平１−２３１２９
３号参照）が既に知られている。As a conventional technique of such a thin film EL element, for example, a method by co-evaporation of H 2 S gas or sulfur, and a method of inserting a non-doped ZnS film having excellent crystallinity as a base film of a light emitting layer (Japanese Patent Publication No. 63-20000), a method of controlling the vapor deposition rate (Japanese Patent Laid-Open No. 1-231129).
No. 3) is already known.
【０００５】また、上記特開平１−２３１２９３号およ
び特開平３−１６７７８３号にも開示されているよう
に、ＳｒＳ発光膜の（２００）面の成長を促進させるこ
とが、ＳｒＳ膜の結晶性を改善し、ＥＬ特性を向上させ
る指針である旨が知られている。ここで言う結晶性と
は、Ｘ線回折法により測定したＳｒＳ膜の（２００）面
あるいは（１１１）面のピーク強度とその強度比Ｉ200
／Ｉ111 で定義される配向性のことである。Further, as disclosed in JP-A-1-231293 and JP-A-3-167787, promoting the growth of the (200) plane of the SrS light emitting film causes the crystallinity of the SrS film. It is known that this is a guideline for improving and improving EL characteristics. The crystallinity referred to here is the peak intensity of the (200) plane or (111) plane of the SrS film measured by the X-ray diffraction method and its intensity ratio I 200.
/ I 111 is the orientation.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
方法により製造されたＥＬ素子は、ＳｒＳ膜の結晶性が
十分とは言えず、実駆動した場合、時間の経過とともに
ＥＬ素子の輝度が著しく低下するため信頼性が低いとい
う欠点を有している。However, in the EL element manufactured by the above-mentioned conventional method, the crystallinity of the SrS film cannot be said to be sufficient, and when it is actually driven, the brightness of the EL element remarkably increases with the passage of time. It has the drawback of low reliability due to the decrease.
【０００７】したがって、本発明は、ＳｒＳ膜の結晶性
を高め、時間の経過にともなう輝度の低下が少なく信頼
性の高い薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的
としている。Therefore, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a thin film EL element, which enhances the crystallinity of the SrS film and has a small decrease in luminance with the passage of time and high reliability.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１の発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法は、透
明基板上に第１電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁
層、第２電極を順次形成する薄膜ＥＬ素子の製造方法に
おいて、上記発光層として、始めに所定の薄膜作成法に
てＳｒＳ膜を形成し、次に先の薄膜作成法とは異なる薄
膜作成法にてＳｒＳ膜を形成することを特徴としてい
る。In order to solve the above-mentioned problems, a method of manufacturing a thin film EL element according to a first aspect of the present invention comprises a first electrode, a first insulating layer, a light emitting layer and a second electrode on a transparent substrate. In a method of manufacturing a thin film EL element in which an insulating layer and a second electrode are sequentially formed, an SrS film is first formed as a light emitting layer by a predetermined thin film forming method, and then a thin film different from the above thin film forming method is formed. The method is characterized in that a SrS film is formed by the method.
【０００９】また、請求項２の発明の薄膜ＥＬ素子の製
造方法は、請求項１に記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法に
おいて、上記発光層として、始めにスパッタ法によりＳ
ｒＳ膜を形成し、次に蒸着法によりＳｒＳ膜を形成する
ことを特徴としている。The method of manufacturing a thin film EL element according to a second aspect of the present invention is the method of manufacturing a thin film EL element according to the first aspect, wherein the light emitting layer is first formed by sputtering.
It is characterized in that an rS film is formed and then an SrS film is formed by a vapor deposition method.
【００１０】また、請求項３の発明の薄膜ＥＬ素子の製
造方法は、透明基板上に第１電極、第１絶縁層、発光
層、第２絶縁層、第２電極を順次形成する薄膜ＥＬ素子
の製造方法において、上記発光層として、始めにＳｒＳ
以外のアルカリ土類硫化物膜を形成し、次にＳｒＳ膜を
形成することを特徴としている。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a thin film EL element, in which a first electrode, a first insulating layer, a light emitting layer, a second insulating layer and a second electrode are sequentially formed on a transparent substrate. In the manufacturing method of SrS,
It is characterized in that an alkaline earth sulfide film other than the above is formed, and then an SrS film is formed.
【００１１】また、請求項４の発明の薄膜ＥＬ素子の製
造方法は、請求項３に記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法に
おいて、上記発光層として、始めにＢａＳ膜を形成し、
次にＳｒＳ膜を形成することを特徴としている。A method of manufacturing a thin film EL element according to a fourth aspect of the present invention is the method of manufacturing a thin film EL element according to the third aspect, wherein a BaS film is first formed as the light emitting layer,
Next, the SrS film is formed.
【００１２】[0012]
【作用】請求項１の構成によれば、発光層として、例え
ば請求項２に記載のスパッタ法によりＳｒＳ膜を形成
し、次に蒸着法によりＳｒＳ膜を形成することにより、
特定結晶面のＳｒＳ成長を選択的に制御することがで
き、（２００）面のピーク強度が強く、かつ（２００）
面に強く配向した結晶性の良い高品質なＳｒＳ膜を得る
ことができる。また、容量変化が小さく、結晶欠陥が少
ないＳｒＳ膜を得ることができる。According to the structure of claim 1, as the light emitting layer, for example, the SrS film is formed by the sputtering method described in claim 2, and then the SrS film is formed by the vapor deposition method.
SrS growth on a specific crystal plane can be selectively controlled, the peak intensity of the (200) plane is strong, and (200)
It is possible to obtain a high-quality SrS film having good crystallinity and strongly oriented in the plane. Further, it is possible to obtain an SrS film having a small capacity change and few crystal defects.
【００１３】これにより、時間の経過にともなう輝度の
低下が少ないなど輝度特性が安定し、信頼性の高い青緑
色発光をする薄膜ＥＬ素子を提供することができる。As a result, it is possible to provide a highly reliable thin film EL element which has stable luminance characteristics such as a decrease in luminance with the passage of time and which is highly reliable.
【００１４】請求項３の構成によれば、発光層として、
例えば請求項４に記載のＢａＳ膜を形成し、次にＳｒＳ
膜を形成することにより、特定結晶面のＳｒＳ成長を選
択的に制御することができ、（２００）面のピーク度が
強く、かつ（２００）面に強く配向した結晶性の良い高
品質なＳｒＳ膜を得ることができる。また、容量変化が
小さく、結晶欠陥が少ないＳｒＳ膜を得ることができ
る。According to the structure of claim 3, as the light emitting layer,
For example, the BaS film according to claim 4 is formed, and then SrS is formed.
By forming a film, it is possible to selectively control the SrS growth of a specific crystal plane, the peak degree of the (200) plane is strong, and the SrS having a high crystallinity and strongly oriented in the (200) plane is formed. A membrane can be obtained. Further, it is possible to obtain an SrS film having a small capacity change and few crystal defects.
【００１５】これにより、例えば青緑色発光を示すＣｅ
添加ＳｒＳ膜と黄橙色発光を示すＭｎ添加ＺｎＳ膜とを
発光の中心化合物とし、上記Ｃｅ添加ＳｒＳ膜と上記Ｍ
ｎ添加ＺｎＳ膜とを、それぞれ適量発光させることによ
り、その発光比にて白色発光が得られ、時間の経過にと
もなう輝度の低下が少ないなど輝度特性が安定し、信頼
性の高い白色発光をする薄膜ＥＬ素子を提供することが
できる。As a result, for example, Ce that emits blue-green light is emitted.
The added SrS film and the Mn-added ZnS film that emits yellow-orange light were used as the central compounds for light emission, and the Ce-added SrS film and the M
The n-doped ZnS film is made to emit an appropriate amount of light, and white light emission is obtained at the light emission ratio, and the brightness characteristics are stable such that the decrease in brightness over time is small, and highly reliable white light emission is performed. A thin film EL device can be provided.
【００１６】[0016]
〔実施例１〕本発明の一実施例を図１ないし図３に基づ
いて以下に説明する。本実施例の青緑色発光薄膜ＥＬ素
子１は、図１に示すように、ガラス基板１１上に、透明
電極１２が設けられるとともに、この透明電極１２上に
第１絶縁層１３が形成され、この第１絶縁層１３上に発
光層１４が形成されている。この発光層１４上に第２絶
縁層１５が形成され、この第２絶縁層１５上に背面電極
１６が形成されている。[Embodiment 1] An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the blue-green light emitting thin film EL element 1 of the present embodiment is provided with a transparent electrode 12 on a glass substrate 11 and a first insulating layer 13 formed on the transparent electrode 12. The light emitting layer 14 is formed on the first insulating layer 13. A second insulating layer 15 is formed on the light emitting layer 14, and a back electrode 16 is formed on the second insulating layer 15.
【００１７】上記第１絶縁層１３、発光層１４、第２絶
縁層１５および背面電極１６の各層を上記透明電極１２
上に密封する状態にてシリコーン樹脂層１７が形成さ
れ、このシリコーン樹脂層１７を覆う状態にて防湿シー
ト１８が形成されている。The respective layers of the first insulating layer 13, the light emitting layer 14, the second insulating layer 15 and the back electrode 16 are replaced by the transparent electrode 12 described above.
A silicone resin layer 17 is formed in a sealed state above, and a moisture-proof sheet 18 is formed in a state of covering the silicone resin layer 17.
【００１８】上記第１絶縁層１３は、上記透明電極１２
上に形成されたＳｉＯ2 層１３ａと、ＳｉＯ2 層１３ａ
上に形成されたＳｉ3 Ｎ4 層１３ｂとの２層からなって
いる。The first insulating layer 13 is the transparent electrode 12
The SiO 2 layer 13a formed on the upper surface and the SiO 2 layer 13a
It is composed of two layers, that is, the Si 3 N 4 layer 13b formed above.
【００１９】上記発光層１４は、上記第１絶縁層１３上
に発光層１４の下地層として、ＳｒＳ下地膜１４ａが形
成され、この上にＣｅ添加ＳｒＳ膜１４ｂが形成された
２層からなっている。The light emitting layer 14 is composed of two layers in which a SrS base film 14a is formed on the first insulating layer 13 as a base layer of the light emitting layer 14 and a Ce-added SrS film 14b is formed thereon. There is.
【００２０】上記第２絶縁層１５は、上記発光層１４上
にＳｉＯ2 層１５ｂが形成され、このＳｉＯ2 層１５ｂ
上にＳｉ3 Ｎ4 層１５ａが形成された２層からなってい
る。[0020] The second insulating layer 15, the SiO 2 layer 15b is formed on the light emitting layer 14, the SiO 2 layer 15b
It is composed of two layers on which a Si 3 N 4 layer 15a is formed.
【００２１】図１に示した青緑色発光薄膜ＥＬ素子１
は、以下の手順にて製造する。まず、ガラス基板１１上
にＩＴＯ（錫添加酸化インジウム）からなる透明電極１
２をスパッタ法により形成し、フォトリソグラフィ法に
て所定のストライプ状に微細加工する。The blue-green light emitting thin film EL element 1 shown in FIG.
Is manufactured by the following procedure. First, the transparent electrode 1 made of ITO (tin-doped indium oxide) is formed on the glass substrate 11.
2 is formed by a sputtering method and finely processed into a predetermined stripe shape by a photolithography method.
【００２２】次に、透明電極１２上に反応性スパッタ法
によりＳｉＯ2 層１３ａとＳｉ3 Ｎ4 層１３ｂとを、そ
れぞれ３０〜８０nm、２００〜３００nmの厚さにて順次
堆積し、第１絶縁層１３を形成する。Next, the SiO 2 layer 13a and the Si 3 N 4 layer 13b are sequentially deposited on the transparent electrode 12 by the reactive sputtering method to have a thickness of 30 to 80 nm and a thickness of 200 to 300 nm, respectively. Form the layer 13.
【００２３】次に、発光層１４の母体材料であるＳｒＳ
粉末および発光の中心となる化合物である０.1 mol％の
Ｃｅ2 Ｓ3 とを混合し、焼成し、プレス成型し、これを
ペレット形状にする。このペレットを蒸着材としてスパ
ッタ法により、上記Ｓｉ3 Ｎ4 層１３ｂ上にＳｒＳ下地
膜１４ａを約５０nmの厚さにて堆積する。この堆積は、
Ｈ2 Ｓが５％含まれるＡｒガス雰囲気中にて行なう。Next, SrS which is a base material of the light emitting layer 14 is used.
The powder and 0.1 mol% Ce 2 S 3 , which is a compound that becomes the center of luminescence, are mixed, fired, and press-molded to form a pellet. Using the pellets as a vapor deposition material, a SrS base film 14a is deposited on the Si 3 N 4 layer 13b to a thickness of about 50 nm by a sputtering method. This deposit is
It is performed in an Ar gas atmosphere containing 5% of H 2 S.
【００２４】次に上記ＳｒＳ下地膜１４ａ上に母体材料
であるＳｒＳ粉末と発光の中心となる化合物であるＣｅ
2 Ｓ3 を混合し、焼成し、プレス成型し、これをペレッ
ト形状にする。このペレットを蒸着材として、上記Ｓｒ
Ｓ下地膜１４ａ上にＣｅ添加ＳｒＳ膜１４ｂを電子ビー
ム（ＥＢ）蒸着法により約１３００nmの厚さにて堆積す
る。以上の方法により、発光層１４を形成する。Next, on the SrS base film 14a, SrS powder which is a base material and Ce which is a compound which becomes a center of light emission.
2 S 3 is mixed, fired and press-molded to form a pellet. Using the pellets as a vapor deposition material, the Sr
A Ce-added SrS film 14b is deposited on the S underlayer film 14a by an electron beam (EB) vapor deposition method to a thickness of about 1300 nm. The light emitting layer 14 is formed by the above method.
【００２５】次に、反応性スパッタ法によりＳｉ3 Ｎ4
層１５ａとＳｉＯ2 層１５ｂとをそれぞれ１００〜２０
０nm、３０〜５０nmの厚さにて順次堆積し、第２絶縁層
１５を形成する。Next, Si 3 N 4 is formed by the reactive sputtering method.
The layer 15a and the SiO 2 layer 15b are respectively 100 to 20
The second insulating layer 15 is formed by sequentially depositing it with a thickness of 0 nm and a thickness of 30 to 50 nm.
【００２６】次に第２絶縁層１５を形成した後、熱処理
を行い、電子ビーム蒸着法によりＡｌ膜を蒸着する。こ
の蒸着したＡｌ膜をフォトリソグラフィ法により微細加
工し、ストライプ状の背面電極１６を形成する。この背
面電極１６は、上記透明電極１２のストライプとは直交
する向きにストライプを形成する。Next, after forming the second insulating layer 15, heat treatment is performed and an Al film is vapor-deposited by an electron beam vapor deposition method. The vapor-deposited Al film is finely processed by a photolithography method to form a stripe-shaped back electrode 16. The back electrode 16 forms a stripe in a direction orthogonal to the stripe of the transparent electrode 12.
【００２７】次に背面電極１６を形成した後、シリコー
ン樹脂１７を塗布し、防湿シート１８にてＥＬ発光部を
覆い、最後に真空封入することにより、上記青緑色発光
薄膜ＥＬ素子１を完成することができる。Next, after the back electrode 16 is formed, a silicone resin 17 is applied, the EL light emitting portion is covered with a moisture-proof sheet 18, and finally vacuum-sealed to complete the blue-green light emitting thin film EL element 1. be able to.
【００２８】このようにして製造したＳｒＳ膜をＸ線回
折線装置を用いて測定した結果、図２に示すような結果
が得られた。すなわち、従来の方法により形成されたＳ
ｒＳ膜と比べて、（２００）面のピーク強度が著しく強
く、約４０倍のピーク強度を示していることが確認され
た。また（１１１）面のピーク強度が上記従来のＳｒＳ
膜と同等かあるいはそれ以下であることが確認された。The SrS film thus manufactured was measured by using an X-ray diffraction apparatus, and the results shown in FIG. 2 were obtained. That is, S formed by the conventional method
It was confirmed that the peak intensity of the (200) plane was remarkably stronger than that of the rS film, and the peak intensity was about 40 times higher. Moreover, the peak intensity of the (111) plane is the same as that of the conventional SrS.
It was confirmed to be equal to or less than that of the membrane.
【００２９】これらにより、ＳｒＳ膜の上記（２００）
面強度と上記（１１１）面強度との強度比Ｉ200 ／Ｉ
111 で定義される配向性において、本実施例のＳｒＳ膜
は、強い（２００）面配向を示していることがわかる。As a result, the above (200) SrS film is obtained.
Strength ratio of surface strength to (111) surface strength I 200 / I
It can be seen that in the orientation defined by 111 , the SrS film of this example exhibits a strong (200) plane orientation.
【００３０】また、波長スキャンした光を照射しながら
上記青緑色発光薄膜ＥＬ素子１の容量変化を測定し、準
位の深さや相対的な密度が評価できるフォトキャパシタ
ンス法を用い、発光膜中の結晶性評価を行った。この結
果、本実施例のＳｒＳ膜は容量変化が小さく、かつ従来
の方法によるＳｒＳ膜に比べ、結晶欠陥が少ないことが
確認された。Further, the capacitance change of the blue-green light-emitting thin film EL element 1 is measured while irradiating the wavelength-scanned light, and the photocapacitance method capable of evaluating the level depth and the relative density is used. Crystallinity was evaluated. As a result, it was confirmed that the SrS film of this example has a small capacitance change and has fewer crystal defects than the SrS film formed by the conventional method.
【００３１】また、本実施例及び従来のＳｒＳ膜を用い
て製造した青緑色発光薄膜ＥＬ素子１を実駆動した場合
の輝度の時間的変化の評価結果を図３に示す。図３によ
れば、従来例の青緑色発光薄膜ＥＬ素子１は、時間の経
過にしたがって輝度が著しく低下しているのに対し、本
発明の青緑色発光薄膜ＥＬ素子１は、５０００時間経過
後も安定した輝度を維持することが確認された。FIG. 3 shows the evaluation results of the temporal change in luminance when the blue-green light emitting thin film EL element 1 manufactured using this embodiment and the conventional SrS film were actually driven. According to FIG. 3, the luminance of the blue-green light-emitting thin film EL element 1 of the conventional example is remarkably decreased with the passage of time, whereas the blue-green light-emitting thin film EL element 1 of the present invention is not used after 5000 hours. It was also confirmed that the stable brightness was maintained.
【００３２】以上のことから、（２００）面のピーク強
度が著しく強く、かつ（２００）面に強く配向し、結晶
性の良好なＳｒＳ膜を得ることができる。また、時間の
変化にともなって輝度が低下することがなく、長期信頼
性がある青緑色発光薄膜ＥＬ素子１を得ることができ
る。From the above, it is possible to obtain an SrS film having excellent crystallinity because the peak intensity of the (200) plane is extremely strong and the (200) plane is strongly oriented. In addition, the blue-green light-emitting thin film EL element 1 having long-term reliability can be obtained without the luminance decreasing with the change of time.
【００３３】〔実施例２〕本発明の他の実施例を図４に
基づいて以下に説明する。なお、上記実施例１と同様の
機能を有する部材には、同一の番号を付し、その説明を
省略する。[Embodiment 2] Another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. The members having the same functions as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【００３４】本実施例の白色発光薄膜ＥＬ素子２は、前
記実施例１の発光層１４に代えて、発光層１９が形成さ
れている。上記発光層１９は、積層膜であり、前記第１
絶縁層１３上にＭｎ添加ＺｎＳ膜１９ａ、ＢａＳ膜１９
ｂ、Ｃｅ添加ＳｒＳ膜１９ｃ、Ｍｎ添加ＺｎＳ膜１９ｄ
の４層の膜が順次形成されている。この発光層１９は、
青緑色発光を示すＣｅ添加ＳｒＳ膜１９ｃと黄橙色発光
を示すＭｎ添加ＺｎＳ膜１９ｄを発光の中心化合物とし
ている。上記Ｃｅ添加ＳｒＳ膜１９ｃとＭｎ添加ＺｎＳ
膜１９ｄとを、それぞれ適量発光させ、その発光比によ
り白色発光を得ることができる。In the white light emitting thin film EL element 2 of this embodiment, a light emitting layer 19 is formed instead of the light emitting layer 14 of the first embodiment. The light emitting layer 19 is a laminated film,
The Mn-added ZnS film 19a and the BaS film 19 are formed on the insulating layer 13.
b, Ce-added SrS film 19c, Mn-added ZnS film 19d
4 layers of film are sequentially formed. This light emitting layer 19 is
A Ce-added SrS film 19c that emits blue-green light and a Mn-added ZnS film 19d that emits yellow-orange light are used as central compounds for light emission. The Ce-added SrS film 19c and Mn-added ZnS
A proper amount of light is emitted from each of the films 19d, and white light emission can be obtained by the emission ratio.
【００３５】また、本実施例の白色発光薄膜ＥＬ素子２
の製造方法は発光層１９を除くと実施例１と同じであ
る。したがって、製造方法の説明は発光層１９のみの製
造手順にとどめる。The white light emitting thin film EL element 2 of this embodiment is also used.
The manufacturing method is the same as in Example 1 except for the light emitting layer 19. Therefore, the description of the manufacturing method is limited to the manufacturing procedure of only the light emitting layer 19.
【００３６】上記発光層１９は、以下の手順にて製造す
る。まず、発光層１９の母体材料であるＺｎＳ粉末と発
光の中心となる化合物であるＭｎとを混合し、焼成し、
プレス成型し、これをペレット形状にする。このペレッ
トを蒸着材として電子ビーム（ＥＢ）蒸着法により、上
記第１絶縁層１３上にＭｎ添加ＺｎＳ膜１９ａを約１５
０nmの厚さにて堆積する。The light emitting layer 19 is manufactured by the following procedure. First, ZnS powder that is a base material of the light emitting layer 19 and Mn that is a compound that becomes the center of light emission are mixed and fired.
It is press molded into pellets. About 15 Mn-doped ZnS films 19a are formed on the first insulating layer 13 by electron beam (EB) evaporation using the pellets as an evaporation material.
Deposit to a thickness of 0 nm.
【００３７】次に、ＢａＳ粉末を焼成し、プレス成型
し、これをペレット形状にする。このペレットを蒸着材
として、上記Ｍｎ添加ＺｎＳ膜１９ａ上に電子ビーム
（ＥＢ）蒸着法によりＢａＳ膜１９ｂを約５０nmの厚さ
にて堆積する。Next, the BaS powder is fired and press-molded to form a pellet. Using this pellet as a vapor deposition material, a BaS film 19b having a thickness of about 50 nm is deposited on the Mn-added ZnS film 19a by an electron beam (EB) vapor deposition method.
【００３８】次に、ＳｒＳ粉末と発光中心化合物である
Ｃｅ2 Ｓ3 とを混合し、焼成し、プレス成型し、これを
ペレット形状にする。このペレットを蒸着材として、上
記ＢａＳ膜１９ｂ上に電子ビーム（ＥＢ）蒸着法により
Ｃｅ添加ＳｒＳ膜１９ｃを約１３００nmの厚さにて堆積
する。Next, SrS powder and Ce 2 S 3 which is an emission center compound are mixed, fired and press-molded to form a pellet. A Ce-added SrS film 19c having a thickness of about 1300 nm is deposited on the BaS film 19b by electron beam (EB) evaporation using the pellets as an evaporation material.
【００３９】最後にもう一度Ｍｎ添加ＺｎＳ膜１９ｄを
上記Ｃｅ添加ＳｒＳ膜１９ｃ上に電子ビーム（ＥＢ）蒸
着法により約１５０nmの厚さにて堆積することにより４
層構造の発光層１９を形成することができる。Finally, another Mn-added ZnS film 19d is deposited on the Ce-added SrS film 19c to a thickness of about 150 nm by the electron beam (EB) evaporation method.
The light emitting layer 19 having a layered structure can be formed.
【００４０】このようにして製造したＳｒＳ膜をＸ線回
折線装置を用いて測定した結果、本実施例の方法により
得られたＳｒＳ膜のＸ線回折パターンもまた、実施例１
とほぼ同等の強い（２００）面のピーク強度を有するも
のであることが確認された。The SrS film thus manufactured was measured by using an X-ray diffraction apparatus. As a result, the X-ray diffraction pattern of the SrS film obtained by the method of this example was also as in Example 1.
It was confirmed to have a strong (200) plane peak intensity almost equal to.
【００４１】すなわち、強い（２００）面配向を示して
おり、結晶性の向上したものであることが確認された。That is, it showed a strong (200) plane orientation, and it was confirmed that the crystallinity was improved.
【００４２】また、実駆動においても、上記実施例１と
同様に上記白色発光薄膜ＥＬ素子２の信頼性の向上など
が確認された。Also in actual driving, it was confirmed that the reliability of the white light emitting thin film EL element 2 was improved as in the first embodiment.
【００４３】なお、本発明は、Ｃｅ添加のＳｒＳ膜だけ
ではなく、例えばＥｕ、Ｐｒなどのアルカリ土類材料を
添加したＳｒＳ膜にも適用することができる。The present invention can be applied not only to the Ce-added SrS film, but also to the SrS film added with an alkaline earth material such as Eu or Pr.
【００４４】また、本発明は、実施例に示した薄膜作成
法に限定されず、他の薄膜作成法を用いることができ
る。The present invention is not limited to the thin film forming method shown in the embodiment, and other thin film forming methods can be used.
【００４５】また、実施例２において、Ｍｎ添加ＺｎＳ
膜１９ａ上に電子ビーム（ＥＢ）蒸着法によりＢａＳ膜
１９ｂを形成した後、このＢａＳ膜１９ｂ上に電子ビー
ム（ＥＢ）蒸着法によりＣｅ添加ＳｒＳ膜１９ｃを形成
するという同じ薄膜作成法を用いて、発光層１９を形成
する具体例を示したが、上記Ｍｎ添加ＺｎＳ膜１９ａ上
に所定の薄膜作成法、例えばスパッタ法などにより上記
ＢａＳ膜１９ｂを形成した後、このＢａＳ膜１９ｂ上に
上記所定の薄膜作成法とは異なる方法、例えば蒸着法に
より上記Ｃｅ添加ＳｒＳ膜１９ｃを形成する場合も得ら
れる効果は同様である。In Example 2, Mn-added ZnS
A BaS film 19b is formed on the film 19a by an electron beam (EB) evaporation method, and then a Ce-added SrS film 19c is formed on the BaS film 19b by an electron beam (EB) evaporation method. Although a specific example of forming the light emitting layer 19 is shown, the BaS film 19b is formed on the Mn-added ZnS film 19a by a predetermined thin film forming method, for example, a sputtering method, and then the predetermined film is formed on the BaS film 19b. The same effect can be obtained when the Ce-added SrS film 19c is formed by a method different from the thin film forming method described above, for example, a vapor deposition method.
【００４６】[0046]
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明の薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法は、透明基板上に第１電極、第１絶縁
層、発光層、第２絶縁層、第２電極を順次形成する薄膜
ＥＬ素子の製造方法において、上記発光層として、始め
に所定の薄膜作成法にてＳｒＳ膜を形成し、次に先の薄
膜作成法とは異なる薄膜作成法にてＳｒＳ膜を形成する
構成である。As described above, the thin film E according to the invention of claim 1 is as follows.
The method for manufacturing an L element is the method for manufacturing a thin film EL element in which a first electrode, a first insulating layer, a light emitting layer, a second insulating layer, and a second electrode are sequentially formed on a transparent substrate. The SrS film is formed by a predetermined thin film forming method, and then the SrS film is formed by a thin film forming method different from the previous thin film forming method.
【００４７】これにより、例えば、請求項２に記載のス
パッタ法によりＳｒＳ膜を形成し、次に蒸着法によりＳ
ｒＳ膜を形成することにより、時間の経過にともなう輝
度の低下が少ないなど輝度特性が安定し、信頼性の高い
青緑色発光をする薄膜ＥＬ素子を提供することができる
という効果を奏する。Thereby, for example, the SrS film is formed by the sputtering method described in claim 2, and then the SrS film is formed by the vapor deposition method.
By forming the rS film, it is possible to provide a highly reliable thin film EL element that emits blue-green light with stable luminance characteristics such as less decrease in luminance with the passage of time.
【００４８】また、請求項３の発明の薄膜ＥＬ素子の製
造方法は、透明基板上に第１電極、第１絶縁層、発光
層、第２絶縁層、第２電極を順次形成する薄膜ＥＬ素子
の製造方法において、上記発光層として、始めにＳｒＳ
以外のアルカリ土類硫化物膜を形成し、次にＳｒＳ膜を
形成する構成である。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a thin film EL element, which comprises sequentially forming a first electrode, a first insulating layer, a light emitting layer, a second insulating layer and a second electrode on a transparent substrate. In the manufacturing method of SrS,
Other than the above, an alkaline earth sulfide film is formed, and then an SrS film is formed.
【００４９】これにより、例えば、請求項４に記載のＢ
ａＳ膜を形成し、次にＳｒＳ膜を形成することにより、
時間の経過にともなう輝度の低下が少ないなど輝度特性
が安定し、信頼性の高い白色発光をする薄膜ＥＬ素子を
提供することができるという効果を奏する。Accordingly, for example, B according to claim 4
By forming the aS film and then the SrS film,
It is possible to provide a highly reliable thin film EL element that emits white light with stable luminance characteristics, such as a decrease in luminance over time.
【図１】本発明の一実施例における薄膜ＥＬ素子の断面
図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a thin film EL element according to an example of the present invention.
【図２】本発明により製造された薄膜ＥＬ素子のＸ線回
折スペクトルを、従来のＥＬ素子のそれと比較した図で
ある。FIG. 2 is a diagram comparing an X-ray diffraction spectrum of a thin film EL element manufactured according to the present invention with that of a conventional EL element.
【図３】本発明により製造された薄膜ＥＬ素子を実駆動
させた場合における輝度の経時変化を示す説明図であ
る。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a change with time in luminance when a thin film EL element manufactured according to the present invention is actually driven.
【図４】本発明の他の実施例における薄膜ＥＬ素子の断
面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a thin film EL element according to another embodiment of the present invention.
１ 青緑色発光薄膜ＥＬ素子（薄膜ＥＬ素子） ２ 白色発光薄膜ＥＬ素子（薄膜ＥＬ素子） １１ ガラス基板（透明基板） １２ 透明電極（第１電極） １３ 第１絶縁層 １３ａ ＳｉＯ2 層 １３ｂ Ｓｉ3 Ｎ4 層 １４ 発光層 １４ａ ＳｒＳ下地膜 １４ｂ Ｃｅ添加ＳｒＳ膜 １５ 第２絶縁層 １５ａ Ｓｉ3 Ｎ4 層 １５ｂ ＳｉＯ2 層 １６ 背面電極（第２電極） １７ シリコーン樹脂層 １８ 防湿シート １９ 発光層 １９ａ Ｍｎ添加ＺｎＳ膜 １９ｂ ＢａＳ膜 １９ｃ Ｃｅ添加ＳｒＳ膜 １９ｄ Ｍｎ添加ＺｎＳ膜1 Blue Green Light-Emitting Thin Film EL Element (Thin Film EL Element) 2 White Light-Emitting Thin Film EL Element (Thin Film EL Element) 11 Glass Substrate (Transparent Substrate) 12 Transparent Electrode (First Electrode) 13 First Insulating Layer 13a SiO 2 Layer 13b Si 3 N 4 layer 14 Light emitting layer 14a SrS base film 14b Ce-added SrS film 15 Second insulating layer 15a Si 3 N 4 layer 15b SiO 2 layer 16 Back electrode (second electrode) 17 Silicone resin layer 18 Moisture-proof sheet 19 Light emitting layer 19a Mn Addition ZnS film 19b BaS film 19c Ce addition SrS film 19d Mn addition ZnS film
フロントページの続き (72)発明者 三上 明義 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内Front page continuation (72) Inventor Akiyoshi Mikami 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka
Claims (4)
層、第２絶縁層、第２電極を順次形成する薄膜ＥＬ素子
の製造方法において、 上記発光層として、始めに所定の薄膜作成法にてＳｒＳ
膜を形成し、次に先の薄膜作成法とは異なる薄膜作成法
にてＳｒＳ膜を形成することを特徴とする薄膜ＥＬ素子
の製造方法。1. A method of manufacturing a thin-film EL device in which a first electrode, a first insulating layer, a light emitting layer, a second insulating layer, and a second electrode are sequentially formed on a transparent substrate. SrS by thin film formation method
A method of manufacturing a thin film EL element, which comprises forming a film and then forming a SrS film by a thin film forming method different from the above-mentioned thin film forming method.
りＳｒＳ膜を形成し、次に蒸着法によりＳｒＳ膜を形成
することを特徴とする請求項１に記載の薄膜ＥＬ素子の
製造方法。2. The method of manufacturing a thin film EL element according to claim 1, wherein an SrS film is first formed as the light emitting layer by a sputtering method, and then an SrS film is formed by an evaporation method.
層、第２絶縁層、第２電極を順次形成する薄膜ＥＬ素子
の製造方法において、 上記発光層として、始めにＳｒＳ以外のアルカリ土類硫
化物膜を形成し、次にＳｒＳ膜を形成することを特徴と
する薄膜ＥＬ素子の製造方法。3. A method of manufacturing a thin film EL element, which comprises sequentially forming a first electrode, a first insulating layer, a light emitting layer, a second insulating layer and a second electrode on a transparent substrate, wherein the light emitting layer is made of a material other than SrS. Forming an alkaline earth sulfide film, and then forming an SrS film.
し、次にＳｒＳ膜を形成することを特徴とする請求項３
に記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。4. A BaS film is formed first, and then an SrS film is formed as the light emitting layer.
7. A method for manufacturing a thin film EL device as described in.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6204037A JPH0869881A (en) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | Manufacture of thin film el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6204037A JPH0869881A (en) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | Manufacture of thin film el element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0869881A true JPH0869881A (en) | 1996-03-12 |
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ID=16483715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6204037A Pending JPH0869881A (en) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | Manufacture of thin film el element |
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|---|---|
| JP (1) | JPH0869881A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003526885A (en) * | 2000-03-16 | 2003-09-09 | プレイナー システムス インコーポレーテッド | Light emitting luminescent material |
| US7538483B2 (en) | 2002-08-07 | 2009-05-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Inorganic electroluminescent device and method of fabricating the same |
-
1994
- 1994-08-29 JP JP6204037A patent/JPH0869881A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003526885A (en) * | 2000-03-16 | 2003-09-09 | プレイナー システムス インコーポレーテッド | Light emitting luminescent material |
| US7538483B2 (en) | 2002-08-07 | 2009-05-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Inorganic electroluminescent device and method of fabricating the same |
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