JPH0869640A - Recording medium - Google Patents

Recording medium

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JPH0869640A
JPH0869640A JP20496094A JP20496094A JPH0869640A JP H0869640 A JPH0869640 A JP H0869640A JP 20496094 A JP20496094 A JP 20496094A JP 20496094 A JP20496094 A JP 20496094A JP H0869640 A JPH0869640 A JP H0869640A
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JP
Japan
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recording
recording medium
recording layer
film
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP20496094A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuuko Morikawa
有子 森川
Junji Oyama
淳史 大山
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0869640A publication Critical patent/JPH0869640A/en
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Abstract

PURPOSE: To unnecessitate an imidating process and to simplify producing processes by using a prescribed polyimide film formed by the Langmuir-Blodgett's(LB) technique as a recording layer. CONSTITUTION: An electrode layer and a recording layer are laminated. The recording layer is made of a monomolecular film of soluble polyimide having <=100Å thickness formed by the LB technique. An imidating process requiring chemical treatment and heating and liable to cause the entering of a residual mixture into a recording layer and deformation due to difference in thermal expansion by heating is unnecessitated and the objective high quality recording medium is produced while simplifying producing processes.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は情報の記録及び/又は、
情報の再生を行なう記録媒体および記録再生装置に関す
るものである。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to the recording and / or recording of information.
The present invention relates to a recording medium and a recording / reproducing device that reproduce information.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年情報化社会の発展につれ、大容量メ
モリの開発が極めて活発に行われている。メモリに要求
される性能は一般に 1)高密度で記録容量が大きい 2)記録再生の応答速度が速い 3)消費電力が少ない 4)生産性が高く、価格が安い 等が挙げられ、現在もこのような性能を実現するメモリ
ー方式やメモリー媒体の開発が極めて活発に進められて
いる。
2. Description of the Related Art In recent years, with the development of an information-oriented society, the development of large-capacity memory has been extremely active. Generally, the performance required for memory is 1) high density and large recording capacity 2) fast recording / reproducing response speed 3) low power consumption 4) high productivity and low price, etc. The development of memory systems and memory media that realize such performance is extremely active.

【0003】従来、メモリーの主流は磁性体、半導体を
素材として磁気メモリー、半導体メモリーであったが、
近年、レーザー技術の進展に伴い、有機色素、フォトポ
リマーなどの有機薄膜を用いた安価で高密度な光メモリ
ーが登場している。
Conventionally, the mainstream of memories has been magnetic memories and semiconductor memories using magnetic materials and semiconductors as materials.
In recent years, with the progress of laser technology, inexpensive and high-density optical memories using organic thin films such as organic dyes and photopolymers have appeared.

【0004】現在これらのメモリーをさらに高密度で大
容量にするために単位メモリービットの微細化に向けて
の技術開発が進められているが、これらの従来のメモリ
ーとは全く別の原理に基づくメモリーの提案もされてい
る。たとえば、個々の有機分子に論理素子やメモリー素
子の機能を持たせた分子電子デバイスの概念もそのひと
つである。分子電子デバイスは単位メモリービットの微
細化を極限まで進めたものと見ることができるが、これ
まで個々の分子に如何にアクセスするかが問題とされて
きた。
At present, technical development is underway toward miniaturization of unit memory bits in order to make these memories higher in density and larger in capacity, but based on a completely different principle from these conventional memories. A memory proposal has also been made. For example, one of them is the concept of a molecular electronic device in which each organic molecule has the function of a logic element or a memory element. It can be seen that molecular electronic devices have advanced the miniaturization of unit memory bits to the utmost limit, but until now, how to access individual molecules has been a problem.

【0005】一方、最近では走査型トンネル顕微鏡(S
TM)が開発され(G.Binning et al.
Phys.Rev.Lett.49、57(198
2))単結晶、非晶質を問わず実空間の高い分解能の測
定ができるようになった。STMは金属の探針(プロー
ブ電極)と導電性物質の間に電圧を加えて10Å程度の
距離まで近付けるとトンネル電流が流れることを利用し
ている。この電流は両者の距離変化に非常に敏感であ
り、トンネル電流を一定に保つように探針を走査するこ
とにより実空間の表面構造を描くことができると同時に
表面原子の全電子雲に関する種々の情報をも読み取るこ
とができる。この際の面内方向の分解能は1Å程度であ
る。したがってSTMの原理を応用すれば十分に原子オ
ーダー(数Å)で高密度記録再生を行うことが可能であ
る。この際の記録再生方法として粒子線(電子線、イオ
ン線)あるいはX線等の高エネルギー電磁波及び可視・
紫外光等のエネルギー線を用いて適当な記録層の表面状
態を変化させて記録を行いSTMで再生する方法や、記
録層として電圧電流のスイッチング特性に対するメモリ
効果を持つ材料、例えばπ電子系有機化合物やカルコゲ
ン化物等の薄膜層を用いて記録再生をSTMを用いて行
う方法等が提案されている。その他電圧パルスを印加す
ることにより、基板上に分子を流体から捕捉し、選択的
にデータビットを書き込み、またそれを読み取り、消去
を行う方法、装置の提案がある(特開平1−19675
1号公報)。
On the other hand, recently, a scanning tunneling microscope (S
TM) was developed (G. Binning et al.
Phys. Rev. Lett. 49, 57 (198
2)) High resolution measurement in real space is now possible regardless of whether it is single crystal or amorphous. The STM utilizes the fact that a tunnel current flows when a voltage is applied between a metallic probe (probe electrode) and a conductive substance to bring them close to a distance of about 10 Å. This current is very sensitive to changes in the distance between the two, and the surface structure in real space can be drawn by scanning the probe so that the tunnel current is kept constant. Information can also be read. The resolution in the in-plane direction at this time is about 1Å. Therefore, if the principle of STM is applied, it is possible to perform high-density recording / reproducing sufficiently in atomic order (several Å). As a recording / reproducing method at this time, high-energy electromagnetic waves such as particle beam (electron beam, ion beam) or X-ray and visible
A method of recording by changing the surface state of an appropriate recording layer using energy rays such as ultraviolet light and reproducing by STM, or a material having a memory effect on the switching characteristics of voltage and current as the recording layer, for example, π-electron organic A method and the like have been proposed in which recording / reproduction is performed using STM using a thin film layer of a compound or chalcogenide. In addition, there is a proposal of a method and a device for capturing molecules on a substrate from a fluid by applying a voltage pulse, selectively writing data bits, and reading and erasing the data bits (JP-A-1-19675).
No. 1).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述のような記録再生
方法のうち、π電子系有機化合物の薄膜層を用いる場
合、耐熱性の観点からポリイミドが用いられることがあ
る。この場合、薄膜化の観点からラングミュアーブロジ
ェット法(以後LB法と略記する)を用いて形成したポ
リイミドの単分子膜、又は単分子累積膜を記録媒体とす
ることが好ましい。従来、ポリイミド単分子膜、又は単
分子累積膜をLB法を用いて成膜するためには、まず、
ポリアミド酸に適度の疎水性を導入するための長鎖アル
キルアミン類を混合し、ポリアミド酸アミン塩として成
膜し、その後、化学処理又は加熱焼成することにより、
脱水閉環化(イミド化)反応および脱アミン化反応を行
なわしめ、ポリイミド膜とする方法がとられてきた。し
かし、化学処理によるイミド化方法の場合、イミド化処
理にともなって、イミド化溶液中に含まれる残留不純物
などが記録媒体に混入する危険性がある。また、加熱処
理によってイミド化する場合は、加熱条件と電極基板の
組み合わせによっては、ポリイミド膜と基板との熱膨張
係数の相違による欠陥の発生や電極基板の変形、変質な
どが危惧される。本発明は、このような従来の技術にお
ける欠点のないポリイミド膜からなる記録層を有する記
録媒体、および、その記録媒体を有してなる記録再生装
置を提供することを目的とするものである。
In the recording / reproducing method as described above, when a thin film layer of a π-electron organic compound is used, polyimide may be used from the viewpoint of heat resistance. In this case, from the viewpoint of thinning, it is preferable to use a monomolecular film of polyimide or a monomolecular cumulative film formed by using the Langmuir-Blodgett method (hereinafter abbreviated as LB method) as the recording medium. Conventionally, in order to form a polyimide monomolecular film or a monomolecular cumulative film using the LB method, first,
By mixing long-chain alkylamines for introducing an appropriate degree of hydrophobicity to polyamic acid, a film is formed as a polyamic acid amine salt, and then by chemical treatment or heating and baking,
A method has been employed in which a polyimide film is formed by performing a dehydration cyclization (imidization) reaction and a deamination reaction. However, in the case of the imidization method by chemical treatment, there is a risk that residual impurities contained in the imidization solution may be mixed in the recording medium with the imidization treatment. In the case of imidization by heat treatment, depending on the combination of the heating conditions and the electrode substrate, there is a concern that defects may occur due to the difference in coefficient of thermal expansion between the polyimide film and the substrate, or the electrode substrate may be deformed or deteriorated. It is an object of the present invention to provide a recording medium having a recording layer made of a polyimide film, which does not have the drawbacks of the conventional techniques, and a recording / reproducing apparatus having the recording medium.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明は、少なくとも
電極層と記録層が積層されてなる記録媒体において、記
録層が可溶性ポリイミド膜からなることを特徴とする記
録媒体、およびその記録媒体を有してなる記録再生装置
である。
According to the present invention, there is provided a recording medium having at least an electrode layer and a recording layer laminated, the recording layer comprising a soluble polyimide film, and the recording medium. This is a recording / reproducing device.

【0008】この発明において、記録層に可溶性ポリイ
ミドを用いることによって、電極基板上に形成されたポ
リアミド酸アミン塩をポリイミドにするためのイミド化
溶液を用いた化学処理又は加熱処理の工程を省略できる
ので、イミド化溶液中に含まれる残留不純物の混入をな
くすことが可能となり、また、高温での加熱処理を行な
わないことにより、欠陥や変形が生じない記録媒体の提
供が可能になる。
In the present invention, by using the soluble polyimide for the recording layer, the step of chemical treatment or heat treatment using an imidizing solution for converting the polyamic acid amine salt formed on the electrode substrate into polyimide can be omitted. Therefore, it is possible to eliminate mixing of residual impurities contained in the imidization solution, and it is possible to provide a recording medium free from defects and deformation by not performing heat treatment at high temperature.

【0009】一般に、ポリイミドの前駆体であるポリア
ミド酸はカルボン酸無水物と、ジアミンとを縮合反応さ
せることによって得られるが、本発明で用いられる可溶
性ポリイミドは、カルボン酸無水物部分および/又はジ
アミン部分にシロキサン結合やフッ化物やアルキル基な
どを含有するので、ジメチルアセトアミド(DMA
C)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、ジメチ
ルスルフォキシド(DMSO)、ジメチルフォルムアミ
ド(DMF)などの非プロトン系極性溶媒や、クロロフ
ォルム、アセトンのような低沸点溶媒に可溶である。こ
のような可溶性ポリイミドは、次に挙げるようなカルボ
ン酸無水物およびジアミンから合成される。カルボン酸
無水物としては
Polyamic acid, which is a precursor of polyimide, is generally obtained by subjecting a carboxylic acid anhydride and a diamine to a condensation reaction. The soluble polyimide used in the present invention is a carboxylic acid anhydride moiety and / or a diamine. Dimethylacetamide (DMA) because it contains siloxane bond, fluoride, alkyl group, etc.
C), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), dimethylsulfoxide (DMSO), dimethylformamide (DMF) and other aprotic polar solvents, and low-boiling point solvents such as chloroform and acetone. is there. Such soluble polyimides are synthesized from the carboxylic acid anhydrides and diamines listed below. As carboxylic acid anhydride

【0010】[0010]

【化1】 などが挙げられ、ジアミンとしては、Embedded image And the like. As the diamine,

【0011】[0011]

【化2】 などが挙げられる。また、ポリマー主鎖が2種以上のカ
ルボン酸無水物および/又はジアミンを用いた共重合体
の利用も可能である。
Embedded image And the like. It is also possible to use a copolymer using a carboxylic acid anhydride and / or diamine having two or more kinds of polymer main chains.

【0012】本発明においては前記の可溶性ポリイミド
を上述のような溶媒に所望の濃度で溶解し、LB法によ
って単分子膜又は単分子累積膜を電極基板上に形成し、
記録媒体とすることが薄膜化、膜厚制御の観点からいっ
て好ましい。
In the present invention, the above-mentioned soluble polyimide is dissolved in the above-mentioned solvent at a desired concentration, and a monomolecular film or a monomolecular cumulative film is formed on the electrode substrate by the LB method.
It is preferable to use a recording medium from the viewpoint of thinning and controlling the film thickness.

【0013】この場合、濃度には特に制限はないが、展
開性の面から、1×10-7〜1×10-3Mの範囲とする
ことが好ましい。
In this case, the concentration is not particularly limited, but it is preferably in the range of 1 × 10 −7 to 1 × 10 −3 M from the viewpoint of developability.

【0014】ポリイミドの単分子膜を形成するには先ず
所望の濃度に調整した可溶性ポリイミドの溶液を水面上
に静かに展開する。ここで、水相としては、2〜25℃
の純水が一般に用いられるが各種金属イオンの添加を行
なったり、酸、アルカリを加えてpHの調整を行なって
も構わない。つぎに水面上に展開した可溶性ポリイミド
を圧縮し、水面上に可溶性ポリイミドの単分子膜を形成
する。
To form a polyimide monolayer, a solution of soluble polyimide adjusted to a desired concentration is gently spread on the surface of water. Here, the water phase is 2 to 25 ° C.
Pure water is generally used, but various metal ions may be added or the pH may be adjusted by adding acid or alkali. Next, the soluble polyimide spread on the water surface is compressed to form a soluble polyimide monomolecular film on the water surface.

【0015】この単分子膜を表面圧を一定に保ったま
ま、水面上単分子膜を横切る方向に固体基板を浸漬し、
引き続き引き上げることにより2層のY型単分子膜を固
体基板上に累積することができる。
While keeping the surface pressure of this monomolecular film constant, a solid substrate is immersed in a direction crossing the monomolecular film on the water surface,
By continuously pulling up, two layers of Y-type monomolecular film can be accumulated on the solid substrate.

【0016】可溶性ポリイミドの単分子膜を基板上にう
つしとるには、上述した垂直浸漬法の他、水平付着法、
回転円筒法等の方法によることもできる。
In order to transfer a monomolecular film of soluble polyimide onto a substrate, in addition to the above-mentioned vertical dipping method, horizontal deposition method,
It is also possible to use a method such as a rotating cylinder method.

【0017】上記のような単分子累積膜43を金属電極
41,42で挟持したMIM構造素子(図6)は図7,
図8に示すような電流電圧特性を示す。2つの状態(O
N状態とOFF状態)は、しきい値以上の電圧印加によ
って相互に遷移し、かつ、それぞれの状態はしきい値電
圧以下で保持される。これらの特性は数Åから数100
0Åの膜厚のものに発現されるが、数Åから500Åの
範囲の膜厚のものがよく、もっとも好ましくは10Åか
ら200Åの膜厚のものである。
The MIM structure element (FIG. 6) in which the above-mentioned monomolecular cumulative film 43 is sandwiched between the metal electrodes 41 and 42 is shown in FIG.
The current-voltage characteristic as shown in FIG. 8 is shown. Two states (O
The N state and the OFF state) are transited to each other by applying a voltage equal to or higher than the threshold value, and each state is maintained at the threshold voltage or lower. These characteristics range from a few Å to a few hundred
Although it is expressed in a film thickness of 0Å, a film thickness of several Å to 500Å is preferable, and a film thickness of 10Å to 200Å is most preferable.

【0018】電極材料は高い電導性を有するものであれ
ばよく、たとえば、Au,Pt,Ag,Pd,Al,I
n,Sn,Pb,Wなどの金属やこれらの合金、グラフ
ァイトやシリサイド、さらにはITOなどの導電性酸化
物を始めとして数多くの材料が挙げられ、これらの本発
明への適用が可能である。このような材料を用いた電極
の形成方法としては従来公知の薄膜技術が採用できる。
ただし、基板上に直接形成される電極材料は表面がLB
膜形成の際、絶縁性の酸化膜を作らない導電性材料、た
とえば貴金属やITOなどの酸化物導電体を用いること
が好ましい。
Any electrode material may be used as long as it has a high electric conductivity. For example, Au, Pt, Ag, Pd, Al, I.
Numerous materials including metals such as n, Sn, Pb, and W, alloys thereof, graphite and silicide, and conductive oxides such as ITO can be cited, and they can be applied to the present invention. As a method of forming an electrode using such a material, a conventionally known thin film technique can be adopted.
However, the surface of the electrode material formed directly on the substrate is LB.
When forming the film, it is preferable to use a conductive material that does not form an insulating oxide film, for example, a noble metal or an oxide conductor such as ITO.

【0019】なお、記録媒体の金属電極は、記録層の絶
縁性が高い場合、用いたほうが好ましいが、記録層が半
導体的性質を示すものであれば、金属電極は用いなくて
もよい。
The metal electrode of the recording medium is preferably used when the insulating property of the recording layer is high, but the metal electrode may not be used as long as the recording layer exhibits semiconductor properties.

【0020】プローブ電極と記録媒体の間隔制御は、プ
ローブ電極と記録媒体間に働く斥力によって行ない、斥
力が作用するまで、近接した状態で記録媒体表面上を走
査し、かつ、両者間に電圧印加回路によって所望の電圧
を加え、記録、再生、消去を行なうことができるが、本
発明の記録媒体を用いた記録、再生、消去を行なう際の
プローブ電極と記録媒体の間隔制御は、斥力だけでな
く、トンネル電流や電界放射電流などを用いて行なうこ
とも可能である。
The distance between the probe electrode and the recording medium is controlled by a repulsive force acting between the probe electrode and the recording medium, scanning is performed on the surface of the recording medium in a close state until the repulsive force acts, and a voltage is applied between the two. Recording, reproduction, and erasing can be performed by applying a desired voltage by a circuit. However, when recording, reproducing, or erasing using the recording medium of the present invention, the distance between the probe electrode and the recording medium can be controlled only by repulsive force. Alternatively, tunneling current or field emission current may be used.

【0021】[0021]

【実施例】【Example】

実施例1 記録媒体を以下のようにして作成した。 Example 1 A recording medium was prepared as follows.

【0022】劈開したマイカ基板101を基板温度45
0℃に保ち、Auを膜厚1000Åになるようにエピタ
キシャル成長させ電極基板とした。
The cleaved mica substrate 101 is heated to a substrate temperature of 45.
The temperature was kept at 0 ° C., and Au was epitaxially grown to a film thickness of 1000 Å to obtain an electrode substrate.

【0023】次に式(1)Next, equation (1)

【0024】[0024]

【化3】 で表される可溶性ポリイミドをジメチルアセトアミド
(DMAC)に溶解させ(単量体換算濃度1×10
-3M)、この溶液を水温15℃の純水からなる水相上に
展開し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒蒸発除去
後、表面圧を5mN/mにまで高めた。表面圧を一定に
保ちながら、上記基板を水面を横切る方向に速度3mm
/minで静かに浸漬した後、3mm/minで静かに
引き上げて2層のY型単分子累積膜を作成した。このよ
うな操作を繰り返して、4層のポリイミド単分子累積膜
103を形成した。
[Chemical 3] Soluble polyimide represented by the following formula is dissolved in dimethylacetamide (DMAC) (concentration converted to monomer: 1 × 10
-3 M), this solution was spread on an aqueous phase made of pure water having a water temperature of 15 ° C. to form a monomolecular film on the water surface. After evaporation of the solvent, the surface pressure was increased to 5 mN / m. Keeping the surface pressure constant, speed 3mm in the direction across the surface of the substrate.
After gently immersing the film at 3 min / min, the film was gently pulled up at 3 mm / min to form a two-layer Y-type monomolecular cumulative film. By repeating such an operation, a four-layer polyimide monomolecular cumulative film 103 was formed.

【0025】このようにして形成した記録媒体をAFM
を用いて表面性の評価をおこなったところ、均一で、平
滑な表面を有していた。
The recording medium formed in this manner is used as an AFM.
When the surface property was evaluated using, it was found to have a uniform and smooth surface.

【0026】このポリイミド膜の膜厚を知るために、上
述の方法で40層のポリイミド単分子累積膜をSi基板
上に形成し、エリプソメトリ法を用いて1層あたりの膜
厚を求めたところ、4Å/層であった。
In order to know the film thickness of this polyimide film, 40 layers of polyimide monomolecular cumulative film were formed on the Si substrate by the above-mentioned method, and the film thickness per layer was obtained by using the ellipsometry method. It was 4Å / layer.

【0027】上記記録媒体を図1に示す記録再生装置に
設置した。1は記録媒体、2は記録媒体1に対向して設
けられたプローブ電極、3はプローブ電極2が取付けら
れている片持ち梁、4は片持ち梁3の支持体である。プ
ローブ電極2は、片持ち簗3の一端にSiイオンを打ち
込み、このSi上に選択的にSiを結晶成長させて、先
端の鋭利なピラミッド状の結晶201を形成した後、A
uを真空蒸着法により厚さ300Å蒸着し、導電層20
2を形成して作成した。この片持ち梁3によってプロー
ブ電極2はZ軸方向に変位できるようになっている。媒
体1はxyz微動装置5によってx,y及びz軸方向に
微小量動かすことができ、さらにxyz粗動装置6によ
って動かすことができる。片持ち梁の支持体4とxyz
粗動装置6はベース7に固定されている。ベース7は図
示されていない除震台上に設置してある。
The above recording medium was installed in the recording / reproducing apparatus shown in FIG. Reference numeral 1 is a recording medium, 2 is a probe electrode provided facing the recording medium 1, 3 is a cantilever to which the probe electrode 2 is attached, and 4 is a support for the cantilever 3. The probe electrode 2 implants Si ions at one end of the cantilever 3 and selectively grows Si on this Si to form a pyramidal crystal 201 having a sharp tip, and then A
u is vapor-deposited to a thickness of 300Å by a vacuum vapor deposition method to form a conductive layer
2 was formed and created. The cantilever 3 allows the probe electrode 2 to be displaced in the Z-axis direction. The medium 1 can be moved by a small amount in the x, y and z-axis directions by the xyz fine movement device 5, and further can be moved by the xyz coarse movement device 6. Cantilever support 4 and xyz
The coarse movement device 6 is fixed to the base 7. The base 7 is installed on a seismic isolation table (not shown).

【0028】次にこの記録再生装置において記録、再生
を行なった。
Next, recording and reproduction were carried out in this recording / reproducing apparatus.

【0029】検出電流をモニターしながらプローブ電極
2と記録媒体1との距離を図3のa領域として示す状態
まで接近させ、この状態でxyz微動装置5、xyz粗
動装置6の制御回路8,9の出力を保持し、ON状態を
生じるしきい値電圧Vth ON以上の電圧である図4に
示した波形を持つ三角波パルス電圧をプローブ電極2と
Au電極層102との間に印加した後、再び100mV
のバイアスを印加して測定したところ、8μA程度の電
流が流れ、ON状態となったことを示した。
While the detection current is being monitored, the distance between the probe electrode 2 and the recording medium 1 is brought close to the state shown as a region in FIG. 3, and in this state, the control circuits 8 of the xyz fine movement device 5 and the xyz coarse movement device 6, After applying the triangular wave pulse voltage having the waveform shown in FIG. 4 which is the threshold voltage V th ON or higher for holding the output of No. 9 and generating the ON state between the probe electrode 2 and the Au electrode layer 102. , Again 100 mV
When a measurement was performed by applying a bias of No. 2, a current of about 8 μA flowed, and it was shown that it was in an ON state.

【0030】次にON状態からOFF状態へ変化するし
きい値電圧Vth OFF以上の電圧である図5に示した
波形を持つ三角波パルス電圧を上述のON状態の記録ビ
ットに印加した後、再び100mVのバイアスを印加し
たところ、電流値1nA程度で、OFF状態へ戻ること
が確認さ8た。
Next, a triangular wave pulse voltage having a waveform shown in FIG. 5, which is a voltage equal to or higher than the threshold voltage V th OFF changing from the ON state to the OFF state, is applied to the above described recording bit in the ON state, and then again. It was confirmed that when a bias of 100 mV was applied, it returned to the OFF state at a current value of about 1 nA.

【0031】実施例2 本実施例で用いる記録媒体は実施例1と同様にして形成
されたAu電極層102上に記録層103を有する。記
録層103の形成は、以下のようにして行なった。
Example 2 The recording medium used in this example has a recording layer 103 on an Au electrode layer 102 formed in the same manner as in Example 1. The recording layer 103 was formed as follows.

【0032】実施例1と同様にして式(2)で表される
可溶性ポリイミドを単量体換算濃度1×10-3Mにクロ
ロフォルムで溶解した溶液を調製した。
In the same manner as in Example 1, a solution prepared by dissolving the soluble polyimide represented by the formula (2) in a monomer-converted concentration of 1 × 10 −3 M with chloroform was prepared.

【0033】[0033]

【化4】 この溶液を実施例1と同様にして6層の可溶性ポリイミ
ドの単分子累積膜を形成し、記録層とした。
[Chemical 4] Six layers of soluble polyimide monomolecular films were formed from this solution in the same manner as in Example 1 to form recording layers.

【0034】このようにして形成した記録媒体をAFM
を用いて表面性の評価を行なったところ、均一で、平滑
な表面を有しており、実施例1と同様にして1層辺りの
膜厚を求めたところ、4Å/層であった。
The recording medium formed in this manner is used as an AFM.
When the surface property was evaluated using, the film had a uniform and smooth surface, and the film thickness per layer was determined in the same manner as in Example 1, and it was 4Å / layer.

【0035】本実施例では上記記録媒体を図2に示すよ
うな記録再生装置に適用した。この装置には複数の片持
ち梁が形成されたSi基板4が支持台13に固定され、
支持体13は少なくとも3個の圧電素子14を介してベ
ース7に取付けられている。これら圧電素子14はマイ
クロコンピュタ11によって制御された圧電素子制御回
路12によって個々に駆動される。また電圧印加及び電
流検知回路10’によって、個々のプローブ電極2に電
圧が印加され、個々のプローブ電極2と記録媒体1の間
に流れる電流がそれぞれ別個に検知される。この他の構
成は実施例1で用いられたものと同じである。
In this embodiment, the recording medium is applied to the recording / reproducing apparatus as shown in FIG. In this device, a Si substrate 4 having a plurality of cantilever beams is fixed to a support base 13,
The support 13 is attached to the base 7 via at least three piezoelectric elements 14. These piezoelectric elements 14 are individually driven by the piezoelectric element control circuit 12 controlled by the micro computer 11. Further, a voltage is applied to each probe electrode 2 by the voltage application / current detection circuit 10 ′, and the current flowing between each probe electrode 2 and the recording medium 1 is detected separately. The other structure is the same as that used in the first embodiment.

【0036】前記の記録媒体1をxyz微動装置5に設
置し、プローブ電極2とAu電極102の間にバイアス
100mVを印加した状態で両者を接近させる。この
際、圧電素子14を制御して、全プローブ電極が一様に
記録媒体1に接近するように調節し、全プローブ電極を
図3のa領域の状態になるまで接近させる。この状態下
でxyz微動装置5により媒体1をx方向に移動させな
がら、各プローブ電極2について実施例1と同様の記
録、再生、消去操作を並列に行なったところ、各プロー
ブ電極で、記録、再生、消去を行なうことができた。
The recording medium 1 is set in the xyz fine movement device 5, and both are brought close to each other with a bias of 100 mV applied between the probe electrode 2 and the Au electrode 102. At this time, the piezoelectric element 14 is controlled and adjusted so that all the probe electrodes uniformly approach the recording medium 1, and all the probe electrodes are brought closer to the state of area a in FIG. Under this condition, while the medium 1 was moved in the x direction by the xyz fine movement device 5, recording, reproducing, and erasing operations similar to those in Example 1 were performed in parallel for each probe electrode 2, and recording with each probe electrode I was able to play and erase.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明によれば、記録層に可溶性ポリイ
ミドを用いることにより、イミド化工程を省くことが可
能となり、その結果、(1)イミド化工程中でのイミド
化溶液からの記録層への残留不純物の混入や加熱による
欠陥の発生の危険性を回避することが可能になり、さら
に加熱による電極層又は基板の変形の危険性がなくな
り、(2)イミド化工程が不要なため、記録媒体の作成
工程を簡略化することが可能になった。
According to the present invention, by using a soluble polyimide for the recording layer, the imidization step can be omitted, and as a result, (1) the recording layer from the imidization solution in the imidization step. It is possible to avoid the risk of contamination with residual impurities and the generation of defects due to heating, and the risk of deformation of the electrode layer or the substrate due to heating is eliminated, and (2) because the imidization step is unnecessary, It has become possible to simplify the manufacturing process of the recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の情報記録再生装置の一例を図解的に示
した説明図である。
FIG. 1 is an explanatory view schematically showing an example of an information recording / reproducing apparatus of the present invention.

【図2】本発明の情報記録再生装置の他の一例を図解的
に示した説明図である。
FIG. 2 is an explanatory view schematically showing another example of the information recording / reproducing apparatus of the present invention.

【図3】プローブ電極と記録層表面との距離を変えたと
きに得られる両者間に流れる電流と両者間に働く力の変
化を示す特性図である。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing changes in a current flowing between the probe electrode and the surface of the recording layer obtained when the distance between the probe electrode and the surface of the recording layer is changed, and a change in force acting between the two.

【図4】記録用のパルス電圧波形を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a pulse voltage waveform for recording.

【図5】消去用のパルス電圧波形を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a pulse voltage waveform for erasing.

【図6】本発明に用いた記録層を金属電極で挟持したM
IM素子の構成略図である。
FIG. 6 is an M in which the recording layer used in the present invention is sandwiched between metal electrodes.
6 is a schematic diagram of the configuration of an IM element.

【図7】図6の素子で得られる電流電圧特性を示す図で
ある。
7 is a diagram showing current-voltage characteristics obtained by the device of FIG.

【図8】図6の素子で得られるメモリー効果を表す電流
電圧特性を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing current-voltage characteristics representing the memory effect obtained by the device of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 記録媒体 2 プローブ電極 3 片持ち梁 4 片持ち梁の支持体 5 xyz微動装置 6 xyz粗動装置 7 ベース 8 xyz微動装置の制御回路 9 xyz粗動装置の制御回路 10 電圧印加及び電流検知回路 11 マイクロコンピュータ 12 圧電素子の制御回路 13 支持台 14 圧電素子 41 金属電極 42 金属電極 43 単分子累積膜 101 基板 102 電極層 103 記録層 201 Si結晶 202 導電層 1 recording medium 2 probe electrode 3 cantilever 4 cantilever support 5 xyz fine movement device 6 xyz coarse movement device 7 base 8 xyz control device for fine movement device 9 xyz coarse movement device control circuit 10 voltage application and current detection circuit 11 Microcomputer 12 Control Circuit of Piezoelectric Element 13 Support 14 Piezoelectric Element 41 Metal Electrode 42 Metal Electrode 43 Monomolecular Accumulation Film 101 Substrate 102 Electrode Layer 103 Recording Layer 201 Si Crystal 202 Conductive Layer

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも電極層と記録層が積層されて
なる記録媒体において、記録層が可溶性ポリイミド膜か
らなることを特徴とする記録媒体。
1. A recording medium in which at least an electrode layer and a recording layer are laminated, wherein the recording layer comprises a soluble polyimide film.
【請求項2】 可溶性ポリイミド膜がラングミュアーブ
ロジェット法によって形成された単分子膜である請求項
1記載の記録媒体。
2. The recording medium according to claim 1, wherein the soluble polyimide film is a monomolecular film formed by the Langmuir-Blodgett method.
【請求項3】 可溶性ポリイミド膜がラングミュアーブ
ロジェット法によって形成された単分子累積膜である請
求項1記載の記録媒体。
3. The recording medium according to claim 1, wherein the soluble polyimide film is a monomolecular cumulative film formed by the Langmuir-Blodgett method.
【請求項4】 記録層の厚さが100Å以下である請求
項1ないし3のいずれか1項に記載の記録媒体。
4. The recording medium according to claim 1, wherein the recording layer has a thickness of 100 Å or less.
【請求項5】 少なくとも電極層と記録層が積層されて
なり、記録層が可溶性ポリイミド膜からなる記録媒体を
有することを特徴とする記録再生装置。
5. A recording / reproducing apparatus comprising a recording medium in which at least an electrode layer and a recording layer are laminated, and the recording layer is made of a soluble polyimide film.
【請求項6】 可溶性ポリイミド膜がラングミュアーブ
ロジェット法によって形成された単分子膜である請求項
5記載の記録再生装置。
6. The recording / reproducing apparatus according to claim 5, wherein the soluble polyimide film is a monomolecular film formed by the Langmuir-Blodgett method.
【請求項7】 可溶性ポリイミド膜がラングミュアーブ
ロジェット法によって形成された単分子累積膜である請
求項5記載の記録再生装置。
7. The recording / reproducing apparatus according to claim 5, wherein the soluble polyimide film is a monomolecular cumulative film formed by the Langmuir-Blodgett method.
【請求項8】 記録層の厚さが100Å以下である請求
項5ないし7のいずれか1項に記載の記録再生装置。
8. The recording / reproducing apparatus according to claim 5, wherein the recording layer has a thickness of 100 Å or less.
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