JPH0867971A - モザイク状Ｔｉシリサイドターゲット材 - Google Patents
モザイク状Ｔｉシリサイドターゲット材Info
- Publication number
- JPH0867971A JPH0867971A JP20475294A JP20475294A JPH0867971A JP H0867971 A JPH0867971 A JP H0867971A JP 20475294 A JP20475294 A JP 20475294A JP 20475294 A JP20475294 A JP 20475294A JP H0867971 A JPH0867971 A JP H0867971A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高純度でかつ組織が均一で、パーティクル発
生の著しく少ないモザイク状Ｔｉシリサイドターゲット
材を提供する。 【構成】 モザイク状Ｔｉシリサイドターゲットが、全
体としてＴｉＳｉn （ただし、ｎはモル比で１．８〜
２．５）の組成式を満足し、かつＴｉ−Ｓｉ２元合金系
状態図で示されるＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2 共晶合金組成と
ＴｉＳｉ2 −Ｓｉ共晶合金組成との夫々の板状片を複数
個組合せて一体化したものからなる。
生の著しく少ないモザイク状Ｔｉシリサイドターゲット
材を提供する。 【構成】 モザイク状Ｔｉシリサイドターゲットが、全
体としてＴｉＳｉn （ただし、ｎはモル比で１．８〜
２．５）の組成式を満足し、かつＴｉ−Ｓｉ２元合金系
状態図で示されるＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2 共晶合金組成と
ＴｉＳｉ2 −Ｓｉ共晶合金組成との夫々の板状片を複数
個組合せて一体化したものからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高集積度の半導体メ
モリー（１６ＭＢ以上ＤＲＡＭ）において、例えばゲー
ト電極材料に使用されるシリサイド薄膜をスパッタリン
グにより形成するのに用いた場合に、成膜中に薄膜欠陥
となるパーティクルの発生が著しく少ない高純度モザイ
ク状Ｔｉシリサイドターゲット材に関するものである。
モリー（１６ＭＢ以上ＤＲＡＭ）において、例えばゲー
ト電極材料に使用されるシリサイド薄膜をスパッタリン
グにより形成するのに用いた場合に、成膜中に薄膜欠陥
となるパーティクルの発生が著しく少ない高純度モザイ
ク状Ｔｉシリサイドターゲット材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高集積度の半導体メモリーのゲー
ト電極材料に使用されるモザイク状ターゲット材につい
ては、例えば特開昭６３−３０７２６６号公報並びに特
開平４−３０８０８１号公報に記載されている様に、高
融点金属およびＳｉの夫々のターゲット材片を複数個組
合せて一体化したモザイク状ターゲット材が知られてお
り、このモザイク状ターゲット材を搭載してなるターゲ
ットを使用してスパッタリングにより、上記ゲート電極
材であるシリサイド薄膜を形成していた。
ト電極材料に使用されるモザイク状ターゲット材につい
ては、例えば特開昭６３−３０７２６６号公報並びに特
開平４−３０８０８１号公報に記載されている様に、高
融点金属およびＳｉの夫々のターゲット材片を複数個組
合せて一体化したモザイク状ターゲット材が知られてお
り、このモザイク状ターゲット材を搭載してなるターゲ
ットを使用してスパッタリングにより、上記ゲート電極
材であるシリサイド薄膜を形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年半導体メ
モリーのＬＳＩは、より高集積化が進み、更に低抵抗
で、より高い信頼性がえられる配線ゲート電極材の必要
性が強く要望せられている。しかしながら、前記せる従
来のモザイク状ターゲット材は、高純度の高融点金属と
Ｓｉの素材を利用するためスパッタリングで得られるシ
リサイド薄膜は高純度となり、その分パーティクルの発
生は少なく低抵抗となり得ることが出来、その効果は大
きかったが、高融点金属がＴｉの場合、熱膨張係数がＳ
ｉに比べ３．４倍も大きいため、スパッタリング時にタ
ーゲットの温度上昇により、異種ターゲット材片の接合
部のエッジ部分でのマイクロクラック発生が起こり易
く、これがスパッタリング時の異常放電の原因となり、
Ｔｉシリサイド膜中でのパーティクルの発生要因になる
といった問題点があった。
モリーのＬＳＩは、より高集積化が進み、更に低抵抗
で、より高い信頼性がえられる配線ゲート電極材の必要
性が強く要望せられている。しかしながら、前記せる従
来のモザイク状ターゲット材は、高純度の高融点金属と
Ｓｉの素材を利用するためスパッタリングで得られるシ
リサイド薄膜は高純度となり、その分パーティクルの発
生は少なく低抵抗となり得ることが出来、その効果は大
きかったが、高融点金属がＴｉの場合、熱膨張係数がＳ
ｉに比べ３．４倍も大きいため、スパッタリング時にタ
ーゲットの温度上昇により、異種ターゲット材片の接合
部のエッジ部分でのマイクロクラック発生が起こり易
く、これがスパッタリング時の異常放電の原因となり、
Ｔｉシリサイド膜中でのパーティクルの発生要因になる
といった問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
上述の観点から、例えば高集積化される半導体メモリー
に使用され、低抵抗で高信頼性が得られるゲート電極材
料として充分に使用に耐え得るより高純度で、かつパー
ティクル発生の著しく少ない特性を具備し、高寿命であ
るＴｉシリサイドターゲットを開発すべく研究を行った
結果、Ｔｉシリサイドターゲット材を、全体として、Ｔ
ｉＳｉn （ただし、ｎはモル比で１．８〜２．５）の組
成式を満足し、かつＴｉ−Ｓｉ２元合金系状態図で示さ
れるＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2 共晶合金組成とＴｉＳｉ2 −
Ｓｉ共晶合金組成との夫々の板状片を複数個組合せて一
体化して、モザイク状に組合されたもので構成すると、
その結果得られるモザイク状Ｔｉシリサイドターゲット
材は、高純度で、かつ組織が緻密、微細、均一であり、
これを搭載したターゲットを使用して、スパッタリング
を行い、例えば高集積度の半導体メモリーのゲート電極
材料であるＴｉシリサイド薄膜を形成した場合、この薄
膜中に特に薄膜欠陥となるパーティクルの発生が著しく
少なく、かつ組成むらの発生はなく、低抵抗で信頼性の
高いＴｉシリサイド膜が形成されるという知見を得たの
である。
上述の観点から、例えば高集積化される半導体メモリー
に使用され、低抵抗で高信頼性が得られるゲート電極材
料として充分に使用に耐え得るより高純度で、かつパー
ティクル発生の著しく少ない特性を具備し、高寿命であ
るＴｉシリサイドターゲットを開発すべく研究を行った
結果、Ｔｉシリサイドターゲット材を、全体として、Ｔ
ｉＳｉn （ただし、ｎはモル比で１．８〜２．５）の組
成式を満足し、かつＴｉ−Ｓｉ２元合金系状態図で示さ
れるＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2 共晶合金組成とＴｉＳｉ2 −
Ｓｉ共晶合金組成との夫々の板状片を複数個組合せて一
体化して、モザイク状に組合されたもので構成すると、
その結果得られるモザイク状Ｔｉシリサイドターゲット
材は、高純度で、かつ組織が緻密、微細、均一であり、
これを搭載したターゲットを使用して、スパッタリング
を行い、例えば高集積度の半導体メモリーのゲート電極
材料であるＴｉシリサイド薄膜を形成した場合、この薄
膜中に特に薄膜欠陥となるパーティクルの発生が著しく
少なく、かつ組成むらの発生はなく、低抵抗で信頼性の
高いＴｉシリサイド膜が形成されるという知見を得たの
である。
【０００５】この発明は、かかる知見にもとづいてなさ
れたものであって、全体としてＴｉＳｉn （ただし、ｎ
はモル比で１．８〜２．５）の組成式を満足し、かつＴ
ｉ−Ｓｉ２元合金系状態図で示されるＴｉＳｉ−ＴｉＳ
ｉ2 共晶合金組成とＴｉＳｉ 2 −Ｓｉ共晶合金組成との
夫々の板状片を複数個組合せて一体化したモザイク状Ｔ
ｉシリサイドターゲット材に特徴を有するものである。
れたものであって、全体としてＴｉＳｉn （ただし、ｎ
はモル比で１．８〜２．５）の組成式を満足し、かつＴ
ｉ−Ｓｉ２元合金系状態図で示されるＴｉＳｉ−ＴｉＳ
ｉ2 共晶合金組成とＴｉＳｉ 2 −Ｓｉ共晶合金組成との
夫々の板状片を複数個組合せて一体化したモザイク状Ｔ
ｉシリサイドターゲット材に特徴を有するものである。
【０００６】上記の如く、組成式ＴｉＳｉn におけるｎ
の値を１．８〜２．５としたのは、このｎの値が１．８
未満でも、また２．５を越えても所望の低抵抗をもった
Ｔｉシリサイド薄膜の形成を行うことが出来ないという
理由によるものである。
の値を１．８〜２．５としたのは、このｎの値が１．８
未満でも、また２．５を越えても所望の低抵抗をもった
Ｔｉシリサイド薄膜の形成を行うことが出来ないという
理由によるものである。
【０００７】なお、本発明のモザイク状Ｔｉシリサイド
ターゲット材は、共晶組成体からなるため、その組織
は、緻密、微細、均一であり、かつこのターゲットの２
種類の共晶板片は、スパッタ率が相似かよっているた
め、スパッタリングにより生成されたＴｉシリサイド薄
膜は均一な組成となり、パーティクル発生が著しく少な
く低抵抗となること、またモザイク状ターゲット材の２
種の共晶板片の間でのスパッタ消耗量の差がなく、段差
等の発生がなく、ターゲット材の寿命の延長につなが
る。さらに、２種の共晶板片の熱膨張率が相似ているた
め、スパッタ時のターゲットの温度上昇による熱膨張率
の差によるモザイク状ターゲット材のモザイク片間の接
合部のカケ発生がなく、スパッタリング時の異常放電発
生の危険性がなく、パーティクル発生の著しく少ない成
膜が得られるといった従来技術に見られない、非常に優
れた作用効果を有するものである。
ターゲット材は、共晶組成体からなるため、その組織
は、緻密、微細、均一であり、かつこのターゲットの２
種類の共晶板片は、スパッタ率が相似かよっているた
め、スパッタリングにより生成されたＴｉシリサイド薄
膜は均一な組成となり、パーティクル発生が著しく少な
く低抵抗となること、またモザイク状ターゲット材の２
種の共晶板片の間でのスパッタ消耗量の差がなく、段差
等の発生がなく、ターゲット材の寿命の延長につなが
る。さらに、２種の共晶板片の熱膨張率が相似ているた
め、スパッタ時のターゲットの温度上昇による熱膨張率
の差によるモザイク状ターゲット材のモザイク片間の接
合部のカケ発生がなく、スパッタリング時の異常放電発
生の危険性がなく、パーティクル発生の著しく少ない成
膜が得られるといった従来技術に見られない、非常に優
れた作用効果を有するものである。
【０００８】
【実施例】ついで、本発明のモザイク状Ｔｉシリサイド
ターゲット材の内容について、実施例にもとづいて具体
的に説明する。 〔実施例１〕通常のＥＢ溶解炉を用いて、真空度：１〜
５×１０-5Ｔｏｒｒ、出力：４ｋｗの条件で、純度５Ｎ
のＳｉフレークを５１．１重量％、純度５ＮのＴｉ片を
４８．９重量％秤量し、ＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2 共晶合金
板を作製した。次に、純度５ＮのＳｉフレークを７８．
３重量％、純度５ＮのＴｉ片を２１．７重量％秤量し、
ＴｉＳｉ2 −Ｓｉ共晶合金板を作製した。続いて、それ
ぞれの共晶板を図３に示すような扇型に放電加工し、交
互にボンディングし、（ＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2 ）共晶部
と（ＴｉＳｉ2 −Ｓｉ）共晶部の面積比が、７：２（タ
ーゲット組成比Ｓｉ／Ｔｉ＝２．１６）である本発明モ
ザイク状Ｔｉシリコンターゲット材１（以下、本発明タ
ーゲット材１という）を製造した。（図１）
ターゲット材の内容について、実施例にもとづいて具体
的に説明する。 〔実施例１〕通常のＥＢ溶解炉を用いて、真空度：１〜
５×１０-5Ｔｏｒｒ、出力：４ｋｗの条件で、純度５Ｎ
のＳｉフレークを５１．１重量％、純度５ＮのＴｉ片を
４８．９重量％秤量し、ＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2 共晶合金
板を作製した。次に、純度５ＮのＳｉフレークを７８．
３重量％、純度５ＮのＴｉ片を２１．７重量％秤量し、
ＴｉＳｉ2 −Ｓｉ共晶合金板を作製した。続いて、それ
ぞれの共晶板を図３に示すような扇型に放電加工し、交
互にボンディングし、（ＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2 ）共晶部
と（ＴｉＳｉ2 −Ｓｉ）共晶部の面積比が、７：２（タ
ーゲット組成比Ｓｉ／Ｔｉ＝２．１６）である本発明モ
ザイク状Ｔｉシリコンターゲット材１（以下、本発明タ
ーゲット材１という）を製造した。（図１）
【０００９】〔実施例２〕前記せる実施例１と同様にし
て、（ＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2 ）共晶部と（ＴｉＳｉ2 −
Ｓｉ）共晶部の面積比が４．５７：１（ターゲット組成
比Ｓｉ／Ｔｉ＝１．８７）である本発明モザイク状Ｔｉ
シリコンターゲット材２（以下、本発明ターゲット材２
という）を製造した。
て、（ＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2 ）共晶部と（ＴｉＳｉ2 −
Ｓｉ）共晶部の面積比が４．５７：１（ターゲット組成
比Ｓｉ／Ｔｉ＝１．８７）である本発明モザイク状Ｔｉ
シリコンターゲット材２（以下、本発明ターゲット材２
という）を製造した。
【００１０】〔実施例３〕また前記せる実施例１と同様
にして（ＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2 ）共晶部と（ＴｉＳｉ−
Ｓｉ）共晶部の面積比が１．９４：１（ターゲット組成
比Ｓｉ／Ｔｉ＝２．４１）である本発明モザイク状Ｔｉ
シリコンターゲット材３（以下、本発明ターゲット材３
という）を製造した。
にして（ＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2 ）共晶部と（ＴｉＳｉ−
Ｓｉ）共晶部の面積比が１．９４：１（ターゲット組成
比Ｓｉ／Ｔｉ＝２．４１）である本発明モザイク状Ｔｉ
シリコンターゲット材３（以下、本発明ターゲット材３
という）を製造した。
【００１１】また、比較の目的で、純度５ＮのＳｉ板片
と純度５ＮのＴｉ板片を用い、交互にボンディングし、
図５に示すようにＴｉ部とＳｉ部の面積比が１：２．４
５（ターゲット組成比Ｓｉ／Ｔｉ＝２．１６）である従
来モザイク状Ｔｉシリサイドターゲット材（以下、従来
ターゲット材という）を作製した。
と純度５ＮのＴｉ板片を用い、交互にボンディングし、
図５に示すようにＴｉ部とＳｉ部の面積比が１：２．４
５（ターゲット組成比Ｓｉ／Ｔｉ＝２．１６）である従
来モザイク状Ｔｉシリサイドターゲット材（以下、従来
ターゲット材という）を作製した。
【００１２】ついで、上記せる本発明ターゲット材１〜
３および従来ターゲット材を夫々、図４に示す様に、銅
製パッキングプレート上に装着し、押えリングで固定し
て、スパッタリングターゲットを作製し、これらターゲ
ットを用いて、ＤＣマグネトロンスパッタ装置にあり、
以下の条件で成膜した。（ターゲットの大きさは、直径
１０インチ、厚さ５ｍｍである） 投入電力：１．２ｋｗ 成膜時間：２ｍｉｎ Ａｒ圧力：６ｍＴｏｒｒ 基板 ：直径６インチ（６″φ）のＳｉウェーハ 基板温度：２００℃ 成膜後、基板上に存在する０．３μｍ以上のパーティク
ル数を市販のパーティクルカウンター装置を用いて測定
した。測定結果を表１に示した。
３および従来ターゲット材を夫々、図４に示す様に、銅
製パッキングプレート上に装着し、押えリングで固定し
て、スパッタリングターゲットを作製し、これらターゲ
ットを用いて、ＤＣマグネトロンスパッタ装置にあり、
以下の条件で成膜した。（ターゲットの大きさは、直径
１０インチ、厚さ５ｍｍである） 投入電力：１．２ｋｗ 成膜時間：２ｍｉｎ Ａｒ圧力：６ｍＴｏｒｒ 基板 ：直径６インチ（６″φ）のＳｉウェーハ 基板温度：２００℃ 成膜後、基板上に存在する０．３μｍ以上のパーティク
ル数を市販のパーティクルカウンター装置を用いて測定
した。測定結果を表１に示した。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【発明の効果】表１に示される結果から明らかなよう
に、本発明ターゲット材１〜３は、従来ターゲット材に
比較して、いずれもスパッタリングにより形成されるシ
リサイド薄膜中でのパーティクル発生が著しく少ない。
上述のように、この発明のターゲット材は共晶合金組成
のターゲット材片を利用して、モザイク状ターゲットを
構成したため、微細、緻密、均一を組織を有し、これを
スパッタリングして、例えば半導体メモリーのゲート電
極材であるシリサイド薄膜を形成した場合、薄膜中での
パーティクル発生は著しく少なく、低抵抗を示し、かつ
組成のむら等の存在がなく、高信頼性を有し、全体的に
均一なスパッターが得られるため、ターゲットの寿命も
長くなり、工業的に非常に有用性を持つものである。
に、本発明ターゲット材１〜３は、従来ターゲット材に
比較して、いずれもスパッタリングにより形成されるシ
リサイド薄膜中でのパーティクル発生が著しく少ない。
上述のように、この発明のターゲット材は共晶合金組成
のターゲット材片を利用して、モザイク状ターゲットを
構成したため、微細、緻密、均一を組織を有し、これを
スパッタリングして、例えば半導体メモリーのゲート電
極材であるシリサイド薄膜を形成した場合、薄膜中での
パーティクル発生は著しく少なく、低抵抗を示し、かつ
組成のむら等の存在がなく、高信頼性を有し、全体的に
均一なスパッターが得られるため、ターゲットの寿命も
長くなり、工業的に非常に有用性を持つものである。
【図１】本発明のターゲット材の１実施例の斜視図であ
る。〔（ＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2）共晶部：（ＴｉＳｉ2
−Ｓｉ）共晶部の面積比＝７：２〕
る。〔（ＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2）共晶部：（ＴｉＳｉ2
−Ｓｉ）共晶部の面積比＝７：２〕
【図２】本発明のターゲット材の他の実施例の斜視図で
ある。〔（ＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ 2 ）共晶部：（ＴｉＳｉ
2 −Ｓｉ）共晶部の面積比＝７：２〕
ある。〔（ＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ 2 ）共晶部：（ＴｉＳｉ
2 −Ｓｉ）共晶部の面積比＝７：２〕
【図３】本発明のターゲット材の１実施例のターゲット
材片の斜視図である。
材片の斜視図である。
【図４】本発明のターゲット材を用いたターゲットの１
実施例の斜視図である。
実施例の斜視図である。
【図５】従来のターゲット材の１実施例の斜視図であ
る。
る。
１ ＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2 共晶合金扇型片 ２ ＴｉＳｉ2 −Ｓｉ共晶合金扇型片 ３ ボルト ４ 押えリング ５ 銅製パッキングプレート ６ Ｓｉ扇型片 ７ Ｔｉ扇型片
Claims (1)
- 【請求項１】 全体としてＴｉＳｉn （ただし、ｎはモ
ル比で１．８〜２．５）の組成式を満足し、かつＴｉ−
Ｓｉ２元合金系状態図で示されるＴｉＳｉ−ＴｉＳｉ2
共晶合金組成とＴｉＳｉ2 −Ｓｉ共晶合金組成との夫々
の板状片を複数個組合せて一体化したことを特徴とする
モザイク状Ｔｉシリサイドターゲット材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20475294A JPH0867971A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | モザイク状Ｔｉシリサイドターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20475294A JPH0867971A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | モザイク状Ｔｉシリサイドターゲット材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0867971A true JPH0867971A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16495757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20475294A Withdrawn JPH0867971A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | モザイク状Ｔｉシリサイドターゲット材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0867971A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2674179C2 (ru) * | 2013-07-03 | 2018-12-05 | Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон | СЛОИ TixSi1-xN И ИХ ПОЛУЧЕНИЕ |
| CN111136265A (zh) * | 2020-03-07 | 2020-05-12 | 北京安泰六九新材料科技有限公司 | 一种钛硅合金靶材及其制造方法 |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP20475294A patent/JPH0867971A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2674179C2 (ru) * | 2013-07-03 | 2018-12-05 | Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон | СЛОИ TixSi1-xN И ИХ ПОЛУЧЕНИЕ |
| CN111136265A (zh) * | 2020-03-07 | 2020-05-12 | 北京安泰六九新材料科技有限公司 | 一种钛硅合金靶材及其制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |