JPH0865131A - Output circuit - Google Patents

Output circuit

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JPH0865131A
JPH0865131A JP6193310A JP19331094A JPH0865131A JP H0865131 A JPH0865131 A JP H0865131A JP 6193310 A JP6193310 A JP 6193310A JP 19331094 A JP19331094 A JP 19331094A JP H0865131 A JPH0865131 A JP H0865131A
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JP
Japan
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output
power supply
pull
transistor
level
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Withdrawn
Application number
JP6193310A
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Japanese (ja)
Inventor
Akihiro Iwase
章弘 岩瀬
Teruo Seki
照夫 関
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Priority to JP6193310A priority Critical patent/JPH0865131A/en
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Abstract

PURPOSE: To prevent decrease in the operating speed, increase in power consumption and occurrence of a fault or the like in advance corresponding to the application of a different power supply voltage. CONSTITUTION: A pull-up output transistor(TR) 1 and a pull-down output TR 2 are connected in series between a high potential power supply and a low potential power supply. Drains of the TRs 1, 2 are connected to an output terminal To, input signals IN1, IN2 are given to gates of the TRs 1, 2, an output signal OUT is outputted from an output terminal To, and either the power supply Vcc supplied to an internal circuit or a power supply VccQ whose level is higher than the level of the power supply Vcc is applied to the source of the TR 1. A power supply changeover circuit 2 applying the power supply Vcc when the output signal OUT is at an H or an L level and applying the power supply VccQ when the output signal OUT is in a high impedance state is connected to the source of the TR 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の出力回
路に関するものである。近年の半導体装置は5Vから3
Vへ電源電圧の低電圧化が進んでいる。このような状況
において、一つのシステムを構成する多数の半導体装置
は、5Vの電源電圧で動作するものと、3Vの電源電圧
で動作するものとが混在している。従って、3Vの電源
電圧で動作する半導体装置の出力信号を、5Vの電源電
圧で動作する半導体装置に出力するために、内部回路が
3Vの電源電圧で動作しながら、5Vの電源電圧に基づ
いて出力信号を出力する出力回路が必要となっている。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an output circuit of a semiconductor device. Recent semiconductor devices are 5V to 3
The power supply voltage is being reduced to V. In such a situation, a large number of semiconductor devices that constitute one system coexist with those that operate at a power supply voltage of 5V and those that operate at a power supply voltage of 3V. Therefore, in order to output the output signal of the semiconductor device which operates at the power supply voltage of 3V to the semiconductor device which operates at the power supply voltage of 5V, the internal circuit operates at the power supply voltage of 3V and is based on the power supply voltage of 5V. An output circuit that outputs an output signal is required.

【0002】[0002]

【従来の技術】3Vと5Vの電源電圧が併用されるシス
テムで使用される半導体装置の従来例を図3に従って説
明すると、入力信号INはインバータ回路1a,1bに
入力される。
2. Description of the Related Art A conventional example of a semiconductor device used in a system in which power supply voltages of 3 V and 5 V are used together will be described with reference to FIG. 3, in which an input signal IN is input to inverter circuits 1a and 1b.

【0003】前記インバータ回路1aの出力信号は、イ
ンバータ回路1c〜1eを介して、PチャネルMOSト
ランジスタ構成されるプルアップ側出力トランジスタT
r1のゲートに出力される。
The output signal of the inverter circuit 1a is passed through the inverter circuits 1c to 1e and the pull-up side output transistor T which is a P-channel MOS transistor.
It is output to the gate of r1.

【0004】前記インバータ回路1a〜1eは、高電位
側電源として、3Vの電源Vccに接続され、インバータ
回路1a,1d,1eは、低電位側電源としてグランド
GNDに接続される。また、出力トランジスタTr1のソ
ースには、3Vの電源Vccあるいは5Vの電源VccQ の
いずれかが供給される。
The inverter circuits 1a to 1e are connected as a high potential side power source to a 3V power source Vcc, and the inverter circuits 1a, 1d and 1e are connected as a low potential side power source to the ground GND. Further, either the power supply Vcc of 3V or the power supply VccQ of 5V is supplied to the source of the output transistor Tr1.

【0005】前記インバータ回路1cはNチャネルMO
SトランジスタTr3を介してグランドGNDに接続さ
れ、同インバータ回路1cの出力端子は、PチャネルM
OSトランジスタTr4を介して電源Vccに接続される。
前記トランジスタTr3,Tr4のゲートには、出力制御信
号Cが入力される。
The inverter circuit 1c is an N channel MO.
It is connected to the ground GND through the S transistor Tr3, and the output terminal of the inverter circuit 1c is a P channel M
It is connected to the power supply Vcc through the OS transistor Tr4.
The output control signal C is input to the gates of the transistors Tr3 and Tr4.

【0006】前記インバータ回路1bの出力信号は、イ
ンバータ回路1f〜1hを介して、NチャネルMOSト
ランジスタ構成されるプルダウン側出力トランジスタT
r2のゲートに出力される。
The output signal of the inverter circuit 1b is passed through the inverter circuits 1f to 1h to the pull-down side output transistor T which is an N-channel MOS transistor.
It is output to the gate of r2.

【0007】前記インバータ回路1b,1f〜1hは、
低電位側電源としてグランドGNDに接続され、インバ
ータ回路1b,1g,1hは、高電位側電源として3V
の電源Vccに接続される。また、出力トランジスタTr2
のソースは、グランドGNDに接続される。
The inverter circuits 1b and 1f to 1h are
The low potential side power source is connected to the ground GND, and the inverter circuits 1b, 1g, 1h are 3V as the high potential side power source.
Is connected to the power source Vcc. Also, the output transistor Tr2
Source is connected to the ground GND.

【0008】前記インバータ回路1fはPチャネルMO
SトランジスタTr5を介して電源Vccに接続され、同イ
ンバータ回路1fの出力端子は、NチャネルMOSトラ
ンジスタTr6を介してグランドGNDに接続される。前
記トランジスタTr5,Tr6のゲートには、出力制御信号
・バーCが入力される。
The inverter circuit 1f is a P channel MO.
It is connected to the power supply Vcc via the S transistor Tr5, and the output terminal of the inverter circuit 1f is connected to the ground GND via the N channel MOS transistor Tr6. The output control signal C is input to the gates of the transistors Tr5 and Tr6.

【0009】前記出力トランジスタTr1,Tr2のドレイ
ンは出力端子To に接続され、同出力端子To から出力
信号OUTが出力される。このように構成された出力回
路では、出力制御信号CがLレベルとなり、出力制御信
号・バーCがHレベルとなると、入力信号INに関わら
ず、出力トランジスタTr1のゲートはHレベルとなると
ともに、出力トランジスタTr2のゲートはLレベルとな
る。
The drains of the output transistors Tr1 and Tr2 are connected to the output terminal To, and the output signal OUT is output from the output terminal To. In the output circuit configured as described above, when the output control signal C becomes L level and the output control signal / C becomes H level, the gate of the output transistor Tr1 becomes H level regardless of the input signal IN, and The gate of the output transistor Tr2 becomes L level.

【0010】従って、出力トランジスタTr1,Tr2はと
もにオフされて、出力信号OUTはハイインピーダンス
状態となる。出力制御信号CがHレベルとなり、出力制
御信号・バーCがLレベルとなった状態で、入力信号I
NがHレベルとなると、インバータ回路1e,1hの出
力信号はHレベルとなる。
Therefore, the output transistors Tr1 and Tr2 are both turned off, and the output signal OUT is in a high impedance state. With the output control signal C at the H level and the output control signal / bar C at the L level, the input signal I
When N becomes H level, the output signals of the inverter circuits 1e and 1h become H level.

【0011】すると、出力トランジスタTr1はオフさ
れ、出力トランジスタTr2はオンされて、出力信号OU
TはLレベルとなる。一方、入力信号INがLレベルと
なると、インバータ回路1e,1hの出力信号はLレベ
ルとなる。
Then, the output transistor Tr1 is turned off and the output transistor Tr2 is turned on to output the output signal OU.
T becomes L level. On the other hand, when the input signal IN becomes L level, the output signals of the inverter circuits 1e and 1h become L level.

【0012】すると、出力トランジスタTr1はオンさ
れ、出力トランジスタTr2はオフされて、出力信号OU
TはHレベルとなる。このとき、出力信号OUTが入力
される半導体装置が5Vの電源VccQ で動作している場
合には、出力トランジスタTr1のソースに電源VccQ が
供給されて、Hレベルの出力信号OUTはほぼ5Vとな
る。
Then, the output transistor Tr1 is turned on, the output transistor Tr2 is turned off, and the output signal OU is output.
T becomes H level. At this time, when the semiconductor device to which the output signal OUT is input is operating with the power supply VccQ of 5V, the power supply VccQ is supplied to the source of the output transistor Tr1 and the output signal OUT of H level becomes approximately 5V. .

【0013】また、出力信号OUTが出力される半導体
装置が3Vの電源Vccで動作している場合には、出力ト
ランジスタTr1のソースに電源Vccが供給されて、Hレ
ベルの出力信号OUTはほぼ3Vとなる。
Further, when the semiconductor device outputting the output signal OUT is operated by the power supply Vcc of 3V, the power supply Vcc is supplied to the source of the output transistor Tr1 so that the H level output signal OUT is almost 3V. Becomes

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】上記のような出力回路
では、出力トランジスタTr1のソースに3Vの電源Vcc
を供給して使用している状態で、出力端子To に接続さ
れるデータバス線に電源VccQ から5Vの電圧が印加さ
れることがある。
In the output circuit described above, the source of the output transistor Tr1 has a power supply Vcc of 3V.
In some cases, a voltage of 5 V from the power source VccQ may be applied to the data bus line connected to the output terminal To while supplying and using.

【0015】このような場合には、出力トランジスタT
r1のゲートにHレベルの信号が入力されて、同出力トラ
ンジスタTr1がオフしなければならない時に、出力端子
Toの電位がゲート電位より2V近く高くなる。
In such a case, the output transistor T
When an H-level signal is input to the gate of r1 and the output transistor Tr1 must be turned off, the potential of the output terminal To becomes higher than the gate potential by about 2V.

【0016】従って、出力端子To から電源Vccに向か
って電流が流れ、あるいは出力端子To から出力トラン
ジスタTr1を介して基板に電流が流れる。この結果、他
の内部回路に悪影響を及ぼしたり、故障の原因となる。
Therefore, a current flows from the output terminal To to the power supply Vcc, or a current flows from the output terminal To to the substrate via the output transistor Tr1. As a result, it may adversely affect other internal circuits or cause a failure.

【0017】また、出力トランジスタTr1のソースに電
源VccQ を供給して使用しているとき、入力信号INが
Hレベルとなって、インバータ回路1e,1hの出力信
号がともにHレベルとなると、インバータ回路1e,1
hは電源Vccで動作しているため、出力トランジスタT
r1のソースとゲートとの電位差が2V程度となる。
When the source of the output transistor Tr1 is supplied with the power supply VccQ and is used, when the input signal IN becomes H level and the output signals of the inverter circuits 1e and 1h both become H level, the inverter circuit becomes. 1e, 1
Since h operates on the power supply Vcc, the output transistor T
The potential difference between the source and gate of r1 is about 2V.

【0018】すると、オフされるべき出力トランジスタ
Tr1がオンされ、かつ出力トランジスタTr2はオンされ
ているため、電源VccQ からグランドGNDに貫通電流
が流れ、消費電力が増大する。また、Lレベルの出力信
号OUTを出力できなくなったり、出力信号OUTの立
ち下がり速度が低下することにより、動作速度が低下す
るという問題点がある。
Then, since the output transistor Tr1 to be turned off is turned on and the output transistor Tr2 is turned on, a through current flows from the power supply VccQ to the ground GND, and power consumption increases. Further, there is a problem in that the operation speed is reduced due to the inability to output the L-level output signal OUT and the decrease in the falling speed of the output signal OUT.

【0019】この発明の目的は、異なる電源電圧に対応
しながら、動作速度の低下及び消費電力の増大及び故障
の発生等の不具合を未然に防止し得る出力回路を提供す
ることにある。
An object of the present invention is to provide an output circuit capable of preventing problems such as a decrease in operating speed, an increase in power consumption, and occurrence of a failure while dealing with different power supply voltages.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。すなわち、高電位側電源と低電位側電源との
間に、PチャネルMOSトランジスタで構成されるプル
アップ側出力トランジスタTr1と、NチャネルMOSト
ランジスタで構成されるプルダウン側出力トランジスタ
Tr2とが直列に接続される。前記プルアップ側出力トラ
ンジスタTr1と、プルダウン側出力トランジスタTr2の
ドレインが出力端子To に接続され、前記プルアップ側
出力トランジスタTr1とプルダウン側出力トランジスタ
Tr2とのゲートに入力信号IN1,1N2が入力され、
前記出力端子To から出力信号OUTが出力され、前記
プルアップ側出力トランジスタTr1のソースには、内部
回路に供給する第一の電源電圧Vccと、前記第一の電源
電圧Vccより高いレベルの第二の電源電圧VccQ のいず
れかが高電位側電源として供給される。前記プルアップ
側出力トランジスタTr1のソースには、前記出力信号O
UTがHレベル若しくはLレベルとなるとき前記第一の
電源電圧Vccを供給し、前記出力信号OUTがハイイン
ピーダンスとなる時には前記第二の電源電圧VccQ を供
給する電源切り換え回路2が接続される。
FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention. That is, a pull-up side output transistor Tr1 composed of a P-channel MOS transistor and a pull-down side output transistor Tr2 composed of an N-channel MOS transistor are connected in series between the high potential side power source and the low potential side power source. To be done. The drains of the pull-up side output transistor Tr1 and the pull-down side output transistor Tr2 are connected to the output terminal To, and the input signals IN1 and 1N2 are input to the gates of the pull-up side output transistor Tr1 and the pull-down side output transistor Tr2.
An output signal OUT is output from the output terminal To, and the source of the pull-up side output transistor Tr1 has a first power supply voltage Vcc supplied to an internal circuit and a second power supply voltage higher than the first power supply voltage Vcc. One of the power supply voltage VccQ is supplied as the high potential side power supply. The output signal O is connected to the source of the pull-up side output transistor Tr1.
A power supply switching circuit 2 that supplies the first power supply voltage Vcc when the UT becomes the H level or the L level and supplies the second power supply voltage VccQ when the output signal OUT becomes the high impedance is connected.

【0021】また、前記各出力トランジスタTr1,Tr2
は、外部から入力される出力制御信号C,バーCに基づ
いて動作する出力制御回路により、前記出力信号OUT
を前記入力信号INに基づいてHレベル若しくはLレベ
ルとするか、入力信号INに関わらずハイインピーダン
スとするかが選択され、前記電源切り換え回路2は前記
出力制御信号Cに基づいて前記第一及び第二の電源電圧
Vcc,VccQ を切り換える。
Further, each of the output transistors Tr1 and Tr2 is
Is output by the output control circuit that operates based on the output control signals C and C input from the outside.
Is set to H level or L level based on the input signal IN or high impedance regardless of the input signal IN, and the power supply switching circuit 2 is based on the output control signal C. The second power supply voltage Vcc, VccQ is switched.

【0022】また、前記各出力トランジスタTr1,Tr2
には、前記入力信号INが偶数段のインバータ回路を介
して入力され、前記電源切り換え回路2は前記出力制御
信号Cに基づいて、前記プルアップ側出力トランジスタ
Tr1と、その前段のインバータ回路1eに前記第一及び
第二の電源電圧Vcc,VccQ のいずれかを供給する。
Further, each of the output transistors Tr1 and Tr2 is
To the pull-up side output transistor Tr1 and the preceding inverter circuit 1e based on the output control signal C. Either the first or second power supply voltage Vcc or VccQ is supplied.

【0023】また、前記電源切り換え回路2は、前記第
一及び第二の電源電圧Vcc,VccQを第一及び第二のス
イッチ回路Tr8,Tr9を介して前記プルアップ側出力ト
ランジスタTr1と、その前段のインバータ回路1eに供
給し、前記出力制御信号Cに基づいて前記第一及び第二
のスイッチ回路Tr8,Tr9の一方を閉路し、他方を開路
する。
The power supply switching circuit 2 outputs the first and second power supply voltages Vcc and VccQ to the pull-up side output transistor Tr1 via the first and second switch circuits Tr8 and Tr9, and the preceding stage thereof. Of the first and second switch circuits Tr8 and Tr9 are closed and the other is opened based on the output control signal C.

【0024】また、前記第一及び第二のスイッチ回路
は、前記出力制御信号Cに基づいて、相補信号がゲート
に入力されるPチャネルMOSトランジスタTr8,Tr9
で構成される。
The first and second switch circuits have P-channel MOS transistors Tr8 and Tr9 whose complementary signals are input to their gates based on the output control signal C.
Composed of.

【0025】[0025]

【作用】入力信号IN1,IN2に基づいて出力信号O
UTがHレベル若しくはLレベルとなるときは、プルア
ップ側出力トランジスタTr1のソースには第一の電源電
圧Vccが高電位側電源として供給されるので、出力信号
OUTのLレベル出力時には、プルアップ側出力トラン
ジスタTr1が確実にオフされる。出力信号OUTがハイ
インピーダンスとなるときは、プルアップ側出力トラン
ジスタTr1のソースには第二の電源電圧VccQ が高電位
側電源として供給されるので、出力端子To が第二の電
源電圧VccQ レベルとなっても、同出力端子To から高
電位側電源に電流が流れることはない。
Operation: Output signal O based on input signals IN1 and IN2
When UT becomes H level or L level, the first power supply voltage Vcc is supplied to the source of the pull-up side output transistor Tr1 as the high-potential side power supply, so when the output signal OUT is L level output, pull-up is performed. The side output transistor Tr1 is surely turned off. When the output signal OUT has a high impedance, the source of the pull-up side output transistor Tr1 is supplied with the second power supply voltage VccQ as a high-potential side power supply, so that the output terminal To has the second power supply voltage VccQ level. However, no current flows from the output terminal To to the high potential side power source.

【0026】また、前記第一及び第二の電源電圧Vcc,
VccQ は、出力制御信号Cに基づいて電源切り換え回路
2により切り換えられるので、入力信号INの入力時及
び非入力時に同期する。
The first and second power supply voltages Vcc,
Since VccQ is switched by the power supply switching circuit 2 based on the output control signal C, it is synchronized when the input signal IN is input and when it is not input.

【0027】また、前記第二の電源電圧VccQ は、前記
電源切り換え回路2により、前記プルアップ側出力トラ
ンジスタTr1と、その前段のインバータ回路1eに供給
されるので、入力信号INがHレベルとなるとき、プル
アップ側出力トランジスタTr1のゲート電位は、そのソ
ース電位と一致して、同プルアップ側出力トランジスタ
Tr1が確実にオフされる。
Further, the second power supply voltage VccQ is supplied to the pull-up side output transistor Tr1 and the inverter circuit 1e in the preceding stage thereof by the power supply switching circuit 2, so that the input signal IN becomes H level. At this time, the gate potential of the pull-up side output transistor Tr1 matches the source potential thereof, and the pull-up side output transistor Tr1 is surely turned off.

【0028】また、前記第一及び第二の電源電圧Vcc,
VccQ は、出力制御信号Cに基づいて、いずれか一方が
第一及び第二のスイッチ回路Tr8,Tr9を介して前記プ
ルアップ側出力トランジスタTr1と、その前段のインバ
ータ回路1eに供給される。
The first and second power supply voltages Vcc,
Based on the output control signal C, one of VccQ is supplied to the pull-up side output transistor Tr1 and the inverter circuit 1e in the preceding stage via the first and second switch circuits Tr8 and Tr9.

【0029】また、前記スイッチ回路はPチャネルMO
SトランジスタTr8,Tr9で構成されるので、同スイッ
チ回路による電圧降下を最小限として、第一及び第二の
電源電圧Vcc,VccQ がプルアップ側出力トランジスタ
Tr1と、その前段のインバータ回路1eに供給される。
The switch circuit is a P channel MO.
Since it is composed of S-transistors Tr8 and Tr9, the first and second power supply voltages Vcc and VccQ are supplied to the pull-up side output transistor Tr1 and the inverter circuit 1e in the preceding stage while minimizing the voltage drop due to the switch circuit. To be done.

【0030】[0030]

【実施例】図2はこの発明を具体化した一実施例を示
す。なお、前記従来例と同一構成部分は同一符号を付し
て説明する。
FIG. 2 shows an embodiment embodying the present invention. The same components as those in the conventional example will be described with the same reference numerals.

【0031】この実施例は、前記従来例の出力回路に電
源切り換え回路2を付加した構成であり、その電源切り
換え回路2について、その構成を説明する。前記出力制
御信号Cはインバータ回路1iに入力され、同インバー
タ回路1iはPチャネルMOSトランジスタTr7を介し
て5Vの電源VccQ に接続される。前記トランジスタT
r7のゲートはそのドレインに接続され、前記インバータ
回路1iがHレベルの信号を出力するときオンされて、
同インバータ回路1iに電源VccQ を1V降圧させた約
4Vの電圧を高電位側電源として供給する。前記インバ
ータ回路1iには低電位側電源としてグランドGNDレ
ベルが供給される。
This embodiment has a configuration in which a power supply switching circuit 2 is added to the output circuit of the conventional example. The configuration of the power supply switching circuit 2 will be described. The output control signal C is input to the inverter circuit 1i, and the inverter circuit 1i is connected to the 5V power source VccQ via the P-channel MOS transistor Tr7. The transistor T
The gate of r7 is connected to its drain, and is turned on when the inverter circuit 1i outputs an H level signal,
The inverter circuit 1i is supplied with a voltage of about 4V obtained by stepping down the power supply VccQ by 1V as a high potential side power supply. A ground GND level is supplied to the inverter circuit 1i as a low potential side power source.

【0032】前記インバータ回路1iの出力信号は、イ
ンバータ回路1jに入力され、同インバータ回路1jの
出力信号はインバータ回路1kに入力されるとともに、
PチャネルMOSトランジスタTr9のゲートに入力され
る。
The output signal of the inverter circuit 1i is input to the inverter circuit 1j, the output signal of the inverter circuit 1j is input to the inverter circuit 1k, and
It is input to the gate of the P-channel MOS transistor Tr9.

【0033】前記インバータ回路1j,1kには高電位
側電源として電源VccQ が供給され、低電位側電源とし
てグランドGNDが供給される。前記インバータ回路1
kの出力信号はPチャネルMOSトランジスタTr8のゲ
ートに入力される。前記トランジスタTr8のソースに
は、電源Vccが供給され、前記トランジスタTr9のソー
スは電源VccQ が供給される。
The inverter circuits 1j and 1k are supplied with a power supply VccQ as a high potential side power supply and a ground GND as a low potential side power supply. The inverter circuit 1
The output signal of k is input to the gate of the P-channel MOS transistor Tr8. The source of the transistor Tr8 is supplied with the power supply Vcc, and the source of the transistor Tr9 is supplied with the power supply VccQ.

【0034】前記トランジスタTr8,Tr9のドレイン
は、前記インバータ回路1eを構成するPチャネルMO
Sトランジスタのソース及び前記出力トランジスタTr1
のソースに接続される。
The drains of the transistors Tr8 and Tr9 are P-channel MO which constitutes the inverter circuit 1e.
Source of S-transistor and output transistor Tr1
Connected to the source of.

【0035】上記のように構成された出力回路では、出
力制御信号CがLレベル、出力制御信号・バーCがHレ
ベルとなると、出力信号OUTがハイインピーダンス状
態となる。
In the output circuit configured as described above, when the output control signal C is at L level and the output control signal / bar C is at H level, the output signal OUT is in a high impedance state.

【0036】このとき、インバータ回路1iの出力信号
はHレベルとなり、インバータ回路1jの出力信号はL
レベル、インバータ回路1kの出力信号はHレベルとな
る。すると、トランジスタTr9はオンされ、トランジス
タTr8はオフされて、出力トランジスタTr1及びインバ
ータ回路1eに電源VccQ が供給される。
At this time, the output signal of the inverter circuit 1i becomes H level, and the output signal of the inverter circuit 1j is L level.
The level, the output signal of the inverter circuit 1k becomes H level. Then, the transistor Tr9 is turned on, the transistor Tr8 is turned off, and the power supply VccQ is supplied to the output transistor Tr1 and the inverter circuit 1e.

【0037】この状態では、出力端子To に電源VccQ
レベルが印加されても、出力トランジスタTr1のソース
・ドレインはほぼ同レベルとなり、かつインバータ回路
1eの出力信号はほぼ電源VccQ レベルとなるため、同
出力トランジスタTr1はオフ状態に維持される。
In this state, the power supply VccQ is applied to the output terminal To.
Even if a level is applied, the source / drain of the output transistor Tr1 becomes almost the same level, and the output signal of the inverter circuit 1e becomes almost the power supply VccQ level, so that the output transistor Tr1 is maintained in the off state.

【0038】一方、出力制御信号CがHレベル、出力制
御信号・バーCがLレベルとなると、電源切り換え回路
2において、インバータ回路1i,1kの出力信号はL
レベル、インバータ回路1jの出力信号はHレベルとな
る。
On the other hand, when the output control signal C is at H level and the output control signal / bar C is at L level, the output signals of the inverter circuits 1i and 1k in the power supply switching circuit 2 are at L level.
The level, the output signal of the inverter circuit 1j becomes H level.

【0039】すると、トランジスタTr8はオンされ、ト
ランジスタTr9はオフされて、出力トランジスタTr1及
びインバータ回路1eに電源Vccが供給される。この状
態では、入力信号INがHレベルとなると、出力トラン
ジスタTr1のソース及びゲートはほぼ3Vで同レベルと
なり、同出力トランジスタTr1は確実にオフされる。ま
た、出力トランジスタTr2がオンされて、出力信号OU
TはLレベルとなる。
Then, the transistor Tr8 is turned on, the transistor Tr9 is turned off, and the power source Vcc is supplied to the output transistor Tr1 and the inverter circuit 1e. In this state, when the input signal IN becomes H level, the source and gate of the output transistor Tr1 become the same level at approximately 3V, and the output transistor Tr1 is surely turned off. Further, the output transistor Tr2 is turned on, and the output signal OU
T becomes L level.

【0040】以上のようにこの出力回路は、出力制御信
号C・バーCに基づいて出力信号OUTがハイインピー
ダンス状態となるときは、出力トランジスタTr1及びイ
ンバータ回路1eに高電位側電源として電源VccQ が供
給される。従って、出力端子To に電源VccQ レベルが
印加されても、同出力端子To から出力トランジスタT
r1を介して電源VccQ あるいは基板に電流が流れること
はなく、この電流による他の内部回路での不具合の発生
を未然に防止することができる。
As described above, in the output circuit, when the output signal OUT is in the high impedance state based on the output control signal C.multidot.C, the output transistor Tr1 and the inverter circuit 1e are supplied with the power supply VccQ as the high potential side power supply. Supplied. Therefore, even if the power supply VccQ level is applied to the output terminal To, the output transistor T
No current flows through the power supply VccQ or the substrate via r1, and it is possible to prevent the occurrence of defects in other internal circuits due to this current.

【0041】また、入力信号INに基づく出力信号OU
Tが出力されるときは、出力トランジスタTr1及びイン
バータ回路1eに高電位側電源として電源Vccが供給さ
れる。そして、入力信号INがHレベルにあるときは、
出力トランジスタTr1のソース及びゲートがともにほぼ
3Vとなって、同出力トランジスタTr1は確実にオフさ
れ、出力トランジスタTr2はオンされて、出力信号OU
TはLレベルとなる。また、入力信号INがLレベルと
なると、出力トランジスタTr1がオンされるとともに、
出力トランジスタTr2がオフされて、出力信号OUTは
ほぼ3VのHレベルとなる。
The output signal OU based on the input signal IN
When T is output, the power supply Vcc is supplied to the output transistor Tr1 and the inverter circuit 1e as the high potential side power supply. When the input signal IN is at H level,
Both the source and the gate of the output transistor Tr1 become approximately 3V, the output transistor Tr1 is surely turned off, the output transistor Tr2 is turned on, and the output signal OU is output.
T becomes L level. When the input signal IN becomes L level, the output transistor Tr1 is turned on and
The output transistor Tr2 is turned off, and the output signal OUT becomes the H level of approximately 3V.

【0042】従って、電源VccからグランドGNDに流
れる貫通電流が防止され、消費電力が低減されるととも
に、動作速度の低下を防止することができる。なお、前
記出力制御信号C,バーCは、半導体記憶装置の出力回
路の動作を制御する出力制御信号・バーOE、あるいは
書き込み動作を制御する書き込み制御信号・バーWEで
もよい。
Therefore, a through current flowing from the power supply Vcc to the ground GND is prevented, power consumption is reduced, and a decrease in operating speed can be prevented. The output control signals C and C may be an output control signal / bar OE for controlling the operation of the output circuit of the semiconductor memory device or a write control signal / bar WE for controlling the write operation.

【0043】また、前記実施例では、出力制御信号C,
バーCに基づいて電源電圧を選択する構成としたが、出
力信号OUTがハイインピーダンスであるか否かを検出
して、電源電圧を選択する構成としてもよい。
In the above embodiment, the output control signals C,
Although the power supply voltage is selected based on the bar C, the power supply voltage may be selected by detecting whether or not the output signal OUT has high impedance.

【0044】上記実施例から把握できる請求項以外の技
術思想について、以下にその効果とともに記載する。 (1)請求項1において、電源切り換え回路は、3段の
インバータ回路を直列に接続し、その初段のインバータ
回路に前記出力制御信号を入力し、次段及び終段のイン
バータ回路の出力信号を前記PチャネルMOSトランジ
スタに入力し、前記初段のインバータ回路には、第二の
電源電圧をPチャネルMOSトランジスタを介して高電
位側電源として供給し、前記次段及び終段のインバータ
回路には第二の電源電圧を高電位側電源として供給し
た。3段のインバータ回路でレベル変換動作が行われ
る。
The technical ideas other than the claims that can be understood from the above-described embodiments will be described below along with their effects. (1) In claim 1, the power supply switching circuit connects three stages of inverter circuits in series, inputs the output control signal to the first stage inverter circuit, and outputs the output signals of the second stage and final stage inverter circuits. It is input to the P-channel MOS transistor, the second power supply voltage is supplied to the first-stage inverter circuit as a high-potential-side power supply via the P-channel MOS transistor, and the second-stage and last-stage inverter circuits are supplied with a second voltage. The second power supply voltage was supplied as the high potential side power supply. The level conversion operation is performed by the three-stage inverter circuit.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上詳述したように、この発明は異なる
電源電圧に対応しながら、動作速度の低下及び消費電力
の増大及び故障の発生等の不具合を未然に防止し得る出
力回路を提供することができる。
As described above in detail, the present invention provides an output circuit capable of preventing a malfunction such as a decrease in operating speed, an increase in power consumption, and a failure while supporting different power supply voltages. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.

【図2】一実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an example.

【図3】従来例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 電源切り換え回路 Tr1 プルアップ側出力トランジスタ Tr2 プルダウン側出力トランジスタ To 出力端子 IN1,IN2 入力信号 OUT 出力信号 Vcc 第一の電源電圧 VccQ 第二の電源電圧 2 Power supply switching circuit Tr1 Pull-up side output transistor Tr2 Pull-down side output transistor To Output terminal IN1, IN2 Input signal OUT Output signal Vcc First power supply voltage VccQ Second power supply voltage

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 高電位側電源と低電位側電源との間に、
PチャネルMOSトランジスタで構成されるプルアップ
側出力トランジスタと、NチャネルMOSトランジスタ
で構成されるプルダウン側出力トランジスタとを直列に
接続し、前記プルアップ側出力トランジスタと、プルダ
ウン側出力トランジスタのドレインを出力端子に接続
し、前記プルアップ側出力トランジスタとプルダウン側
出力トランジスタとのゲートに入力信号を入力し、前記
出力端子から出力信号を出力し、前記プルアップ側出力
トランジスタのソースには、内部回路に供給する第一の
電源電圧と、前記第一の電源電圧より高いレベルの第二
の電源電圧のいずれかを高電位側電源として供給する出
力回路であって、 前記プルアップ側出力トランジスタのソースには、前記
出力信号が入力信号に基づいてHレベル若しくはLレベ
ルとなるとき前記第一の電源電圧を供給し、前記出力信
号が入力信号に関わらずハイインピーダンスとなる時に
は前記第二の電源電圧を供給する電源切り換え回路を接
続したことを特徴とする出力回路。
1. A high potential side power source and a low potential side power source,
A pull-up side output transistor composed of a P-channel MOS transistor and a pull-down side output transistor composed of an N-channel MOS transistor are connected in series to output the pull-up side output transistor and the drain of the pull-down side output transistor. The input signal is input to the gates of the pull-up side output transistor and the pull-down side output transistor, the output signal is output from the output terminal, and the source of the pull-up side output transistor is connected to the internal circuit. An output circuit for supplying, as a high-potential-side power supply, either a first power-supply voltage to be supplied or a second power-supply voltage having a level higher than the first power-supply voltage, the source of the pull-up side output transistor Means that the output signal is H level or L level based on the input signal. And a power supply switching circuit that supplies the second power supply voltage when the output signal becomes high impedance regardless of the input signal.
【請求項2】 前記各出力トランジスタは、外部から入
力される出力制御信号に基づいて動作する出力制御回路
により、前記出力信号を前記入力信号に基づいてHレベ
ル若しくはLレベルとするか、入力信号に関わらずハイ
インピーダンスとするかが選択され、前記電源切り換え
回路は前記出力制御信号に基づいて前記第一及び第二の
電源電圧を切り換えることを特徴とする請求項1記載の
出力回路。
2. Each of the output transistors sets an output signal to an H level or an L level based on the input signal by an output control circuit which operates based on an output control signal input from the outside, or 2. The output circuit according to claim 1, wherein regardless of whether the impedance is high impedance or not, the power supply switching circuit switches the first and second power supply voltages based on the output control signal.
【請求項3】 前記各出力トランジスタには、前記入力
信号を偶数段のインバータ回路を介して入力し、前記電
源切り換え回路は前記出力制御信号に基づいて、前記プ
ルアップ側出力トランジスタと、その前段のインバータ
回路に前記第一及び第二の電源電圧のいずれかを供給す
ることを特徴とする請求項2記載の出力回路。
3. The input signal is input to each of the output transistors through an even number of stages of inverter circuits, and the power supply switching circuit, based on the output control signal, the pull-up side output transistor and the preceding stage thereof. 3. The output circuit according to claim 2, wherein any one of the first power supply voltage and the second power supply voltage is supplied to the inverter circuit.
【請求項4】 前記電源切り換え回路は、前記第一及び
第二の電源電圧を第一及び第二のスイッチ回路を介して
前記プルアップ側出力トランジスタと、その前段のイン
バータ回路に供給し、前記制御信号に基づいて前記第一
及び第二のスイッチ回路の一方を閉路し、他方を開路す
ることを特徴とする請求項3記載の出力回路。
4. The power supply switching circuit supplies the first and second power supply voltages to the pull-up side output transistor and an inverter circuit in the preceding stage through the first and second switch circuits, and The output circuit according to claim 3, wherein one of the first and second switch circuits is closed and the other is opened based on a control signal.
【請求項5】 前記第一及び第二のスイッチ回路は、前
記制御信号に基づいて、相補信号がゲートに入力される
PチャネルMOSトランジスタで構成したことを特徴と
する請求項4記載の出力回路。
5. The output circuit according to claim 4, wherein the first and second switch circuits are P-channel MOS transistors whose complementary signals are input to their gates based on the control signal. .
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006203801A (en) * 2005-01-24 2006-08-03 Fujitsu Ltd Buffer circuit and integrated circuit
US7161865B2 (en) 2003-11-27 2007-01-09 Elpida Memory, Inc. Semiconductor device

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