JPH0864561A - 化学的機械的研磨法における終点検出方法及び化学的機械的研磨装置 - Google Patents
化学的機械的研磨法における終点検出方法及び化学的機械的研磨装置Info
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- JPH0864561A JPH0864561A JP22100794A JP22100794A JPH0864561A JP H0864561 A JPH0864561 A JP H0864561A JP 22100794 A JP22100794 A JP 22100794A JP 22100794 A JP22100794 A JP 22100794A JP H0864561 A JPH0864561 A JP H0864561A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 研磨すべき膜の膜質にかかわらず、また、工
程数を大幅に増加させることなく、しかも、特殊な構造
の研磨装置を必要とせずに、化学的機械的研磨の終点を
簡単かつ正確に検出する。 【構成】 半導体基板１１上に配線１２を形成した後、
層間絶縁膜として酸化膜１３を形成し、この後、酸化膜
１３に関して不純物となる終点検出用イオン１４、例え
ばリンイオンを酸化膜１３中に打ち込む。半導体基板１
１をその酸化膜１３が下向きになるように研磨装置１５
にセットし、研磨液１６を供給しながら酸化膜１３を化
学的機械的に研磨する。酸化膜１３の研磨が進行してイ
オン１４の注入域に到達すると、研磨液１６の中には研
磨された酸化膜１３の成分と共にイオン１４が含まれて
出てくる。研磨液１６中のイオン１４の濃度をイオン濃
度測定装置１９により測定することによって、研磨の終
点を検出する。
程数を大幅に増加させることなく、しかも、特殊な構造
の研磨装置を必要とせずに、化学的機械的研磨の終点を
簡単かつ正確に検出する。 【構成】 半導体基板１１上に配線１２を形成した後、
層間絶縁膜として酸化膜１３を形成し、この後、酸化膜
１３に関して不純物となる終点検出用イオン１４、例え
ばリンイオンを酸化膜１３中に打ち込む。半導体基板１
１をその酸化膜１３が下向きになるように研磨装置１５
にセットし、研磨液１６を供給しながら酸化膜１３を化
学的機械的に研磨する。酸化膜１３の研磨が進行してイ
オン１４の注入域に到達すると、研磨液１６の中には研
磨された酸化膜１３の成分と共にイオン１４が含まれて
出てくる。研磨液１６中のイオン１４の濃度をイオン濃
度測定装置１９により測定することによって、研磨の終
点を検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
において、半導体基板上に形成された膜を化学的機械的
に研磨する際に、その研磨の終点を検出する方法、及び
この方法を用いるのに好適な化学的機械的研磨装置に関
する。
において、半導体基板上に形成された膜を化学的機械的
に研磨する際に、その研磨の終点を検出する方法、及び
この方法を用いるのに好適な化学的機械的研磨装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、例え
ば半導体基板上に形成された配線を覆う絶縁膜の表面
等、様々な種類及び位置の膜層の表面に対する平坦化が
しばしば行われており、この平坦化技術の一つとして化
学的機械的研磨がある。この化学的機械的研磨は、基板
ホルダに保持された半導体基板の表面を回転テーブル上
に設けられた研磨パッドに接触させて研磨液を供給しつ
つ、研磨液と研磨パッドとの協働作用によって、半導体
基板上に形成された膜を化学的機械的に研磨するもので
ある。そして、この化学的機械的研磨においては、研磨
すべき膜の下層の膜を除去することなく、所定の膜厚で
平坦な表面を形成するために、研磨の終点を確実に検出
することが極めて重要である。
ば半導体基板上に形成された配線を覆う絶縁膜の表面
等、様々な種類及び位置の膜層の表面に対する平坦化が
しばしば行われており、この平坦化技術の一つとして化
学的機械的研磨がある。この化学的機械的研磨は、基板
ホルダに保持された半導体基板の表面を回転テーブル上
に設けられた研磨パッドに接触させて研磨液を供給しつ
つ、研磨液と研磨パッドとの協働作用によって、半導体
基板上に形成された膜を化学的機械的に研磨するもので
ある。そして、この化学的機械的研磨においては、研磨
すべき膜の下層の膜を除去することなく、所定の膜厚で
平坦な表面を形成するために、研磨の終点を確実に検出
することが極めて重要である。
【０００３】例えば、図５（ａ）に示すように、半導体
基板３１上に配線３２を形成した後、図５（ｂ）に示す
ように、層間絶縁膜である酸化膜３３を形成し、この
後、図５（ｃ）に示すように、酸化膜３３の化学的機械
的研磨を行う。このとき、従来は一般的に、酸化膜３３
の研磨開始からの研磨時間によって、研磨の終点を検出
している。
基板３１上に配線３２を形成した後、図５（ｂ）に示す
ように、層間絶縁膜である酸化膜３３を形成し、この
後、図５（ｃ）に示すように、酸化膜３３の化学的機械
的研磨を行う。このとき、従来は一般的に、酸化膜３３
の研磨開始からの研磨時間によって、研磨の終点を検出
している。
【０００４】また、特開平５−２２６３３４号公報にお
いては、図６（ａ）に示すように、半導体基板３１上に
配線３２を形成した後、図６（ｂ）に示すように、半導
体基板３１上に後の層間絶縁膜よりも堅い膜、即ち窒化
シリコン膜３４を配線３２よりも高く形成し、この後、
図６（ｃ）に示すように、層間絶縁膜である酸化膜３３
を形成して、この酸化膜３３の化学的機械的研磨を行
う。このとき、図６（ｄ）に示すように、研磨装置の研
磨パッド３５が窒化シリコン膜３４に接触すると、研磨
速度が酸化膜３３の研磨時よりも遅くなることによっ
て、研磨の終点を検出している。
いては、図６（ａ）に示すように、半導体基板３１上に
配線３２を形成した後、図６（ｂ）に示すように、半導
体基板３１上に後の層間絶縁膜よりも堅い膜、即ち窒化
シリコン膜３４を配線３２よりも高く形成し、この後、
図６（ｃ）に示すように、層間絶縁膜である酸化膜３３
を形成して、この酸化膜３３の化学的機械的研磨を行
う。このとき、図６（ｄ）に示すように、研磨装置の研
磨パッド３５が窒化シリコン膜３４に接触すると、研磨
速度が酸化膜３３の研磨時よりも遅くなることによっ
て、研磨の終点を検出している。
【０００５】さらに、特開平４−３５７８５１号公報に
おいては、化学的機械的研磨装置における回転テーブル
や基板ホルダ等を電極構造にすると共に電気計測システ
ムを設けて、導電性基板上の誘電体層の厚さを容量的に
測定することによって、研磨の終点を検出している。
おいては、化学的機械的研磨装置における回転テーブル
や基板ホルダ等を電極構造にすると共に電気計測システ
ムを設けて、導電性基板上の誘電体層の厚さを容量的に
測定することによって、研磨の終点を検出している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５で
説明した従来例のように、研磨時間によって酸化膜３３
の研磨の終点を検出するものは、研磨する酸化膜３３の
膜質が異なる毎に、条件設定が必要となる欠点があっ
た。
説明した従来例のように、研磨時間によって酸化膜３３
の研磨の終点を検出するものは、研磨する酸化膜３３の
膜質が異なる毎に、条件設定が必要となる欠点があっ
た。
【０００７】また、図６で説明した特開平５−２２６３
３４号公報記載のように、終点検出用の窒化シリコン膜
３４の柱を形成するものは、成膜、フォトリソグラフ
ィ、エッチング、アッシング等の工程が必要となり、工
程数が大幅に増加するという欠点があった。
３４号公報記載のように、終点検出用の窒化シリコン膜
３４の柱を形成するものは、成膜、フォトリソグラフ
ィ、エッチング、アッシング等の工程が必要となり、工
程数が大幅に増加するという欠点があった。
【０００８】さらに、前述した特開平４−３５７８５１
号公報記載のように、導電性基板上の誘電体層の厚さを
容量的に測定するものは、研磨装置における回転テーブ
ルや基板ホルダ等を電極構造にすると共に電気計測シス
テムを設けるので、特殊な構造の研磨装置が必要になる
という問題があった。
号公報記載のように、導電性基板上の誘電体層の厚さを
容量的に測定するものは、研磨装置における回転テーブ
ルや基板ホルダ等を電極構造にすると共に電気計測シス
テムを設けるので、特殊な構造の研磨装置が必要になる
という問題があった。
【０００９】そこで本発明は、研磨すべき膜の膜質にか
かわらず、また、工程数を大幅に増加させることなく、
しかも、特殊な構造の研磨装置を必要とせずに、化学的
機械的研磨の終点を簡単かつ正確に検出することが可能
な方法及び化学的機械的研磨装置を提供することを目的
とする。
かわらず、また、工程数を大幅に増加させることなく、
しかも、特殊な構造の研磨装置を必要とせずに、化学的
機械的研磨の終点を簡単かつ正確に検出することが可能
な方法及び化学的機械的研磨装置を提供することを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、半導体基板上に形成された膜を化学的機
械的に研磨する際の終点を検出する方法であって、予め
前記膜中にその膜成分に関して不純物となる終点検出用
イオンを注入し、研磨液を用いての前記膜の研磨時に研
磨液中に含出する前記イオンの濃度を測定することによ
り、研磨の終点を検出するものである。
に、本発明は、半導体基板上に形成された膜を化学的機
械的に研磨する際の終点を検出する方法であって、予め
前記膜中にその膜成分に関して不純物となる終点検出用
イオンを注入し、研磨液を用いての前記膜の研磨時に研
磨液中に含出する前記イオンの濃度を測定することによ
り、研磨の終点を検出するものである。
【００１１】また、本発明は、基板ホルダに保持された
半導体基板の表面を回転テーブル上に設けられた研磨パ
ッドに接触させて研磨液を供給しつつ、前記半導体基板
上に形成された膜を化学的機械的に研磨する装置であっ
て、予め終点検出用イオンが注入された前記膜の研磨時
に研磨液中に含出する前記イオンの濃度を測定するイオ
ン濃度測定手段を備えたものである。
半導体基板の表面を回転テーブル上に設けられた研磨パ
ッドに接触させて研磨液を供給しつつ、前記半導体基板
上に形成された膜を化学的機械的に研磨する装置であっ
て、予め終点検出用イオンが注入された前記膜の研磨時
に研磨液中に含出する前記イオンの濃度を測定するイオ
ン濃度測定手段を備えたものである。
【００１２】
【作用】上記のように構成された本発明によれば、研磨
すべき膜中に予め終点検出用イオンを注入するので、研
磨液を用いての膜の研磨がイオンの分布域に到達する
と、研磨液中には研磨された膜の成分と共にイオンが含
まれて出てくることになる。この研磨液中のイオンの濃
度を測定することによって、研磨の終点を極めて簡単か
つ正確に検出することができる。
すべき膜中に予め終点検出用イオンを注入するので、研
磨液を用いての膜の研磨がイオンの分布域に到達する
と、研磨液中には研磨された膜の成分と共にイオンが含
まれて出てくることになる。この研磨液中のイオンの濃
度を測定することによって、研磨の終点を極めて簡単か
つ正確に検出することができる。
【００１３】これによって、研磨の終点は膜質によるこ
となく、その場観察で検出を行うことが可能になる。ま
た、終点検出用の窒化シリコン膜の柱を形成する場合の
ような成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、アッシ
ング等の工程が不要のため、工程数が大幅に増加するこ
とはない。さらに、半導体基板の電気的特性等を測定す
るものではないので、研磨装置の本体は何ら特殊な構造
を必要としない。しかも、イオンを注入する際のエネル
ギーを制御することにより、膜中のイオン分布深さを変
えることができるため、自由に終点の位置を設定するこ
とが可能である。
となく、その場観察で検出を行うことが可能になる。ま
た、終点検出用の窒化シリコン膜の柱を形成する場合の
ような成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、アッシ
ング等の工程が不要のため、工程数が大幅に増加するこ
とはない。さらに、半導体基板の電気的特性等を測定す
るものではないので、研磨装置の本体は何ら特殊な構造
を必要としない。しかも、イオンを注入する際のエネル
ギーを制御することにより、膜中のイオン分布深さを変
えることができるため、自由に終点の位置を設定するこ
とが可能である。
【００１４】
【実施例】以下、本発明による化学的機械的研磨法にお
ける終点検出方法及び化学的機械的研磨装置の実施例に
ついて図１〜図４を参照して説明する。
ける終点検出方法及び化学的機械的研磨装置の実施例に
ついて図１〜図４を参照して説明する。
【００１５】まず、図２（ａ）に示すように、半導体基
板１１上に配線１２を形成した後、図２（ｂ）に示すよ
うに、配線１２と更にその上に形成される配線とを絶縁
するための層間絶縁膜として酸化膜１３を形成する。次
に、図２（ｃ）に示すように、酸化膜１３に関して不純
物となる終点検出用イオン１４、例えばリンイオンを酸
化膜１３中に打ち込む。このとき、イオン１４の打ち込
まれる深さは、打ち込み時のエネルギーにより制御する
ことができる。
板１１上に配線１２を形成した後、図２（ｂ）に示すよ
うに、配線１２と更にその上に形成される配線とを絶縁
するための層間絶縁膜として酸化膜１３を形成する。次
に、図２（ｃ）に示すように、酸化膜１３に関して不純
物となる終点検出用イオン１４、例えばリンイオンを酸
化膜１３中に打ち込む。このとき、イオン１４の打ち込
まれる深さは、打ち込み時のエネルギーにより制御する
ことができる。
【００１６】次に、図１（ａ）に示すように、半導体基
板１１をその酸化膜１３が下向きになるように化学的機
械的研磨装置１５にセットし、研磨液１６を供給しなが
ら酸化膜１３を化学的機械的に研磨する。
板１１をその酸化膜１３が下向きになるように化学的機
械的研磨装置１５にセットし、研磨液１６を供給しなが
ら酸化膜１３を化学的機械的に研磨する。
【００１７】図１（ｂ）に示すように、酸化膜１３の研
磨が進行してイオン１４の注入域に到達すると、研磨液
１６の中には研磨された酸化膜１３の成分と共にイオン
１４が含まれて出てくる。そこで、研磨液１６中のイオ
ン１４の濃度をイオン濃度測定装置１９によって測定
し、これによって、研磨の終点を極めて簡単かつ正確に
検出することができる。なお、本実施例におけるイオン
濃度測定装置１９は、研磨中の研磨液１６を加熱して蒸
発させる抵抗ヒーター１７と、蒸発させた雰囲気中のイ
オン１４の濃度を計測する質量分析器１８とによって構
成されている。
磨が進行してイオン１４の注入域に到達すると、研磨液
１６の中には研磨された酸化膜１３の成分と共にイオン
１４が含まれて出てくる。そこで、研磨液１６中のイオ
ン１４の濃度をイオン濃度測定装置１９によって測定
し、これによって、研磨の終点を極めて簡単かつ正確に
検出することができる。なお、本実施例におけるイオン
濃度測定装置１９は、研磨中の研磨液１６を加熱して蒸
発させる抵抗ヒーター１７と、蒸発させた雰囲気中のイ
オン１４の濃度を計測する質量分析器１８とによって構
成されている。
【００１８】図３に示すのは、化学的機械的研磨装置１
５の平面図を表したものである。化学的機械的研磨装置
１５の周縁部に抵抗ヒーター１７を設けている。周縁部
に抵抗ヒーター１７を設けるため、研磨液１６を安定し
て蒸発させることが可能となる。抵抗ヒーター１７の加
熱により研磨液１６を化学的機械的研磨装置１５上で蒸
発させ、この蒸発したイオンを直接質量分析器１８で計
測できるので、タイムラグが少なく計測が行える。その
ため、正確な研磨が行える。なお、図３に示すように抵
抗ヒーター１７を局部的に設けてもよいし、また場合に
よっては、化学的機械的研磨装置１５の全体に設けても
よい。
５の平面図を表したものである。化学的機械的研磨装置
１５の周縁部に抵抗ヒーター１７を設けている。周縁部
に抵抗ヒーター１７を設けるため、研磨液１６を安定し
て蒸発させることが可能となる。抵抗ヒーター１７の加
熱により研磨液１６を化学的機械的研磨装置１５上で蒸
発させ、この蒸発したイオンを直接質量分析器１８で計
測できるので、タイムラグが少なく計測が行える。その
ため、正確な研磨が行える。なお、図３に示すように抵
抗ヒーター１７を局部的に設けてもよいし、また場合に
よっては、化学的機械的研磨装置１５の全体に設けても
よい。
【００１９】上述した本実施例の終点検出方法を用いて
化学的機械的研磨を行う場合、研磨装置１５の本体は何
ら特殊な構造を必要としない。即ち、研磨のために供給
された研磨液１６を研磨の進行に伴ってイオン濃度測定
装置１９によって測定すればよいので、このイオン濃度
測定装置１９は研磨装置１５の本体と別体に設けてもよ
い。また、終点検出用イオン１４の注入は、半導体装置
の製造工程で多用されるイオン注入装置を利用すること
ができるので、本実施例の方法を適用するに際して特別
な装置設備は必要ない。
化学的機械的研磨を行う場合、研磨装置１５の本体は何
ら特殊な構造を必要としない。即ち、研磨のために供給
された研磨液１６を研磨の進行に伴ってイオン濃度測定
装置１９によって測定すればよいので、このイオン濃度
測定装置１９は研磨装置１５の本体と別体に設けてもよ
い。また、終点検出用イオン１４の注入は、半導体装置
の製造工程で多用されるイオン注入装置を利用すること
ができるので、本実施例の方法を適用するに際して特別
な装置設備は必要ない。
【００２０】なお、上述したように、研磨装置１５の本
体は何ら特殊な構造を必要としないのであるが、以下
に、イオン濃度測定装置１９を備えた研磨装置１５の好
適な実施例を図４を参照して説明する。
体は何ら特殊な構造を必要としないのであるが、以下
に、イオン濃度測定装置１９を備えた研磨装置１５の好
適な実施例を図４を参照して説明する。
【００２１】即ち、研磨装置１５は、回転テーブル２１
と基板ホルダ２２とを有し、回転テーブル２１上に研磨
パッド２３が装着されている。基板ホルダ２２に半導体
基板１１を酸化膜１３が下向きになるように保持させ、
酸化膜１３の表面を研磨パッド２３に密着させる。そし
て、回転テーブル２１を軸２１ａを中心に回転させると
共に、基板ホルダ２２自体も軸２２ａを中心に回転さ
せ、供給ノズル２４により研磨液１６を研磨パッド２３
上に供給しながら、研磨液１６と研磨パッド２３との協
働作用によって酸化膜１３を研磨する。
と基板ホルダ２２とを有し、回転テーブル２１上に研磨
パッド２３が装着されている。基板ホルダ２２に半導体
基板１１を酸化膜１３が下向きになるように保持させ、
酸化膜１３の表面を研磨パッド２３に密着させる。そし
て、回転テーブル２１を軸２１ａを中心に回転させると
共に、基板ホルダ２２自体も軸２２ａを中心に回転さ
せ、供給ノズル２４により研磨液１６を研磨パッド２３
上に供給しながら、研磨液１６と研磨パッド２３との協
働作用によって酸化膜１３を研磨する。
【００２２】上記の研磨装置１５において、新しい研磨
液１６は回転テーブル２１の中心近傍で研磨パッド２３
上に供給され、研磨の進行に伴って酸化膜１３の成分を
含む研磨液１６は回転テーブル２１の回転遠心力によっ
て外周部へ流れる。そこで、図４（ａ）に示すように、
回転テーブル２１の外周部の下方に容器２５を設置し、
回転テーブル２１から流れ落ちる研磨液１６を容器２５
によって採取し、この研磨液１６をイオン濃度測定装置
１９によって測定する。この例では、落下する研磨液１
６を採取するので、採取のための構造が簡単になる。或
いは、図４（ｂ）に示すように、基板ホルダ２２の外側
近傍で研磨パッド２３上に吸引ノズル２６を延設し、研
磨パッド２３上の研磨液１６を吸引ノズル２６によって
採取し、この研磨液１６をイオン濃度測定装置１９によ
って測定してもよい。この例では、特に研磨に作用した
直後の研磨液１６を測定することができるので、終点検
出精度をより向上させることができる。
液１６は回転テーブル２１の中心近傍で研磨パッド２３
上に供給され、研磨の進行に伴って酸化膜１３の成分を
含む研磨液１６は回転テーブル２１の回転遠心力によっ
て外周部へ流れる。そこで、図４（ａ）に示すように、
回転テーブル２１の外周部の下方に容器２５を設置し、
回転テーブル２１から流れ落ちる研磨液１６を容器２５
によって採取し、この研磨液１６をイオン濃度測定装置
１９によって測定する。この例では、落下する研磨液１
６を採取するので、採取のための構造が簡単になる。或
いは、図４（ｂ）に示すように、基板ホルダ２２の外側
近傍で研磨パッド２３上に吸引ノズル２６を延設し、研
磨パッド２３上の研磨液１６を吸引ノズル２６によって
採取し、この研磨液１６をイオン濃度測定装置１９によ
って測定してもよい。この例では、特に研磨に作用した
直後の研磨液１６を測定することができるので、終点検
出精度をより向上させることができる。
【００２３】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が
可能である。例えば、研磨する膜は、配線間の絶縁膜と
しての酸化膜以外に、各層における各種の膜でよく、膜
中に注入する終点検出用イオンも、その膜に応じた各種
のイオンを適用可能である。また、イオン濃度測定手段
も、各種の測定装置を採用することができる。
が、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が
可能である。例えば、研磨する膜は、配線間の絶縁膜と
しての酸化膜以外に、各層における各種の膜でよく、膜
中に注入する終点検出用イオンも、その膜に応じた各種
のイオンを適用可能である。また、イオン濃度測定手段
も、各種の測定装置を採用することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
研磨すべき膜中に予め終点検出用イオンを打ち込み、そ
の膜の研磨に伴って研磨液中に含出するイオンの濃度を
測定することによって、研磨する膜の膜質にかかわら
ず、また、工程数を大幅に増加させることなく、しか
も、特殊な構造の研磨装置を必要とせずに、さらに、終
点の位置を自由に設定した状態で、化学的機械的研磨の
終点を極めて簡単かつ正確に検出することが可能にな
り、半導体装置における高集積化の促進並びに信頼性の
向上を図ることができる。
研磨すべき膜中に予め終点検出用イオンを打ち込み、そ
の膜の研磨に伴って研磨液中に含出するイオンの濃度を
測定することによって、研磨する膜の膜質にかかわら
ず、また、工程数を大幅に増加させることなく、しか
も、特殊な構造の研磨装置を必要とせずに、さらに、終
点の位置を自由に設定した状態で、化学的機械的研磨の
終点を極めて簡単かつ正確に検出することが可能にな
り、半導体装置における高集積化の促進並びに信頼性の
向上を図ることができる。
【図１】本発明の実施例における終点検出方法及び研磨
装置を説明する半導体装置及び研磨装置の概略断面図で
ある。
装置を説明する半導体装置及び研磨装置の概略断面図で
ある。
【図２】上記実施例において研磨される半導体装置の概
略断面図である。
略断面図である。
【図３】上記実施例における研磨装置の概略平面図であ
る。
る。
【図４】本発明の好適な実施例における研磨装置の概略
断面図である。
断面図である。
【図５】従来の一般的な終点検出方法を説明する半導体
装置の概略断面図である。
装置の概略断面図である。
【図６】従来の終点検出用の膜を用いた終点検出方法を
説明する半導体装置の概略断面図である。
説明する半導体装置の概略断面図である。
１１ 半導体基板 １２ 配線 １３ 層間絶縁膜である酸化膜 １４ 終点検出用イオン １５ 化学的機械的研磨装置 １６ 研磨液 １７ 抵抗ヒーター １８ 質量分析器 １９ イオン濃度測定装置 ２１ 回転テーブル ２２ 基板ホルダ ２３ 研磨パッド ２４ 研磨液供給用ノズル ２５ 研磨液採取用容器 ２６ 研磨液吸引用ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｕ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された膜を化学的機
械的に研磨する際の終点を検出する方法であって、 予め前記膜中にその膜成分に関して不純物となる終点検
出用イオンを注入し、研磨液を用いての前記膜の研磨時
に研磨液中に含出する前記イオンの濃度を測定すること
により、研磨の終点を検出することを特徴とする化学的
機械的研磨法における終点検出方法。 - 【請求項２】 基板ホルダに保持された半導体基板の表
面を回転テーブル上に設けられた研磨パッドに接触させ
て研磨液を供給しつつ、前記半導体基板上に形成された
膜を化学的機械的に研磨する装置であって、 予め終点検出用イオンが注入された前記膜の研磨時に研
磨液中に含出する前記イオンの濃度を測定するイオン濃
度測定手段を備えたことを特徴とする化学的機械的研磨
装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP22100794A JPH0864561A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 化学的機械的研磨法における終点検出方法及び化学的機械的研磨装置 |
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| JP22100794A JPH0864561A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 化学的機械的研磨法における終点検出方法及び化学的機械的研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH0864561A true JPH0864561A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16760020
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP22100794A Withdrawn JPH0864561A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 化学的機械的研磨法における終点検出方法及び化学的機械的研磨装置 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH0864561A (ja) |
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