JPH0862583A - Method of liquid crystal display - Google Patents
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- JPH0862583A JPH0862583A JP7193954A JP19395495A JPH0862583A JP H0862583 A JPH0862583 A JP H0862583A JP 7193954 A JP7193954 A JP 7193954A JP 19395495 A JP19395495 A JP 19395495A JP H0862583 A JPH0862583 A JP H0862583A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は液晶ディスプレイ、特に
パッシブ液晶ディスプレイを使用したコンピュータや他
の装置における液晶ディスプレイの方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, and more particularly to a method for a liquid crystal display in a computer or other device using a passive liquid crystal display.
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶ディスプレイはピクセル間のクロス
トークに悩まされている。特定のピクセルが作動される
時、常に、同じロウとカラムの選択されていない他全部
のピクセルまでも、選択されたピクセルに印加された電
圧の一部を受け取ってしまうことになるからである。こ
れにより、選択されていないピクセルまで部分的に作動
させ、コントラストの低い画像を作り出してしまう。Liquid crystal displays suffer from crosstalk between pixels. Whenever a particular pixel is activated, all other unselected pixels in the same row and column will also receive some of the voltage applied to the selected pixel. This partially activates the unselected pixels and creates a low contrast image.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】この従来の液晶ディス
プレイの方法では、ピクセル間のクロストークにより、
コントラストの低い画像を作り出してしまうため、本発
明は2周波アドレッシングを用いてこれらの欠点を克服
することを目的とする。しかしながら、2周波アドレッ
シングは、2周波数が共に高い時、相当のエネルギ消費
を伴う。このエネルギ使用量の増大はバッテリ式ディス
プレイにおいては望ましいものではない。In this conventional liquid crystal display method, crosstalk between pixels causes
The present invention aims to overcome these drawbacks by using dual frequency addressing because it produces a low contrast image. However, dual frequency addressing involves considerable energy consumption when both frequencies are high. This increased energy usage is not desirable in battery powered displays.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】上述した問題を解決する
ため、本発明のパッシブ液晶ディスプレイは、液晶を挟
みこんだ基質上の電極のカラムに対して低周波信号を選
択的に作動させる手段と、電極のロウに高周波信号を選
択的に作動させ、第一信号と第二信号が該ロウとカラム
の選択された箇所で液晶を作動させる手段と、高周波で
該ロウにて現されるキャパシタンスのエネルギを、誘電
子で受動的に保存する手段とを備えており、その効果を
高めることが出来る。低周波数は、10KHzから20
KHzであり、高周波数は1MHzかそれ以上の高い周
波数である。In order to solve the above problems, the passive liquid crystal display of the present invention comprises means for selectively activating a low frequency signal to a column of electrodes on a substrate sandwiching liquid crystal. , Means for selectively actuating a high frequency signal on a row of electrodes, the first and second signals actuating a liquid crystal at selected locations of the row and column, and a capacitance of the capacitance represented by the row at a high frequency. A means for passively storing energy with an inductor is provided to enhance the effect. Low frequency is 10KHz to 20
KHz, and the high frequency is a high frequency of 1 MHz or higher.
【0005】[0005]
【作用】本発明における特徴は、液晶をはさんだ基質上
の電極のロウか、又はカラムに低周波信号と高周波信号
を選択的に作動させることで、低周波信号と高周波信号
が該ロウとカラムの選択された箇所で液晶を作動させ
る。又、電極にて現されたキャパシタンスからのエネル
ギを保存する。本発明の他の特徴は、電極を充電するた
めに必要とされるエネルギが、電極のロウとカラムによ
って形成されるキャパシタンスと共振する誘電子に保存
される。本発明のまた他の特徴は、低周波数が10KH
zから20KHzであり、高周波数が1MHzである。
本発明における、これら全ての特徴を請求項において述
べている。又、添付図に照らし合わせた以下詳細説明に
より本発明の効果を明確にしている。The feature of the present invention is that the low-frequency signal and the high-frequency signal are selectively actuated to the row or the column of the electrodes on the substrate sandwiching the liquid crystal, so that the low-frequency signal and the high-frequency signal are applied to the row and the column. Activate the liquid crystal at the selected location. It also saves energy from the capacitance presented at the electrodes. Another feature of the invention is that the energy required to charge the electrodes is stored in an inductor that resonates with the capacitance formed by the rows and columns of the electrodes. Another feature of the present invention is that the low frequency is 10 KH.
From z to 20 KHz, the high frequency is 1 MHz.
All these features of the invention are set forth in the claims. Further, the effects of the present invention are clarified by the following detailed description with reference to the accompanying drawings.
【0006】[0006]
【実施例】図1において、コンピュータCO1は、キー
ボードKB1とプロセッサPR1を有した本体B01を
有している。液晶ディスプレイ(LCD)DI1は、B
L1、BL2、BL3、BL4の4ブロックを有してい
る。この内、ブロックBL1は、BL2、BL3、BL
4ブロックとの共通詳細事項の説明を分かりやすくする
ため、拡大図示している。ブロックBL1はロウ電極R
E1からRENを有し、BL2からBL4のブロックと
共にカラム電極CE1からCEJを有している。ブロッ
クBL1の説明は、ブロックBL2からBL4にも等し
く当てはまる。電極RE1からRENと、CE1からC
EJは、BL1からBL4の各ブロックにおいて、ピク
セルロウ、P11からP1J、P21からP2J・・
・、PN1からPNJを形成している。分かりやすくす
るため電極をかなり拡大図示している。例えば、ディス
プレイDI1は、1ピクセルに相当する各電極クロスオ
ーバーにて640X480のピクセル解像度を有する。
ブロックBL1からBL4の各々は120ロウ電極RE
1からREN(N=120)と、640カラム電極CE
1からCEJ(J=640)を有する。これは各ブロッ
ク640X120ピクセルということであり、ディスプ
レーDI1においては合計640X480ピクセルであ
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT In FIG. 1, a computer CO1 has a main body B01 having a keyboard KB1 and a processor PR1. The liquid crystal display (LCD) DI1 is B
It has four blocks L1, BL2, BL3, and BL4. Of these, the block BL1 is BL2, BL3, BL
An enlarged view is shown in order to make the explanation of the common details of the four blocks easier. The block BL1 is a row electrode R
E1 to REN are provided, and column electrodes CE1 to CEJ are provided together with blocks BL2 to BL4. The description of block BL1 applies equally to blocks BL2 to BL4. Electrodes RE1 to REN and CE1 to C
EJ is a pixel row, P11 to P1J, P21 to P2J ... In each block of BL1 to BL4.
., PN1 is formed from PN1. The electrodes are shown in a much enlarged view for clarity. For example, display DI1 has a pixel resolution of 640x480 at each electrode crossover corresponding to one pixel.
Each of the blocks BL1 to BL4 has 120 row electrodes RE
1 to REN (N = 120) and 640 column electrode CE
1 to CEJ (J = 640). This means that each block has 640 × 120 pixels, and the display DI1 has a total of 640 × 480 pixels.
【0007】プロセッサーPR1は、図2、図3の詳細
図の駆動回路DCを有している。図2、図3に示すよう
に、駆動回路DCは、BL1からBL4の各ブロックに
つき一個づつ、4個のロウドライバDR1からDR4
と、一個のカラムドライバCD1を有している。図2は
ロウ電極RE1からRENを駆動するロウドライバDR
1の詳細図である。図3は、カラム電極CE1からCE
Nを駆動するカラムドライバDC1の詳細図である。The processor PR1 has the drive circuit DC shown in the detailed views of FIGS. As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the drive circuit DC includes four row drivers DR1 to DR4, one for each block BL1 to BL4.
And has one column driver CD1. FIG. 2 shows a row driver DR that drives the row electrodes RE1 to REN.
It is a detailed view of 1. FIG. 3 shows column electrodes CE1 to CE.
It is a detailed diagram of a column driver DC1 that drives N.
【0008】図2において、ソースLF1は相補同期に
おいてMOSFETsのM1、M2、M3、M4、・・
・M(Nー1)、MNから、MOSFETsのMH1、
MH2、MH3、MH4、・・・MH(Nー1)、MH
Nまでの各々を動作させる。ソースb+はMOSFET
sのM1からMNと、MH1からMHNを活性させる。
その対応するインバータが、このうちIN1が示されて
いるが、ネガティブ入力パルスをMOSFETsのMH
1からMHNに作動させる一方で、ポジティブ入力パル
スをMOSFETsのM1からMNに作動させて相補同
期を提供する。逆もまた同様である。このように、活性
され制御されたMOSFETsのM1からMNは、ロウ
電極が誘電子Lから離されている間に、アドレッシング
パルスをロウ電極RE1からRENに作動させる。低周
波アドレス入力ソースLF1は、例えば、5KHzから
40KHZの範囲で作動する。MOSFETsのMH1
からMHNが伝導するとき、これらはロウ電極RE1か
らRENと、かつこれらのキャパシタンスCrow を誘電
子Lに接続する。後者はドライバDC1の合計のキャパ
シタンスCTBで自然共振回路を形成する。共振回路は共
振周波数を有する。In FIG. 2, the source LF1 is complementary to the MOSFETs M1, M2, M3, M4, ...
・ From M (N-1), MN to MH1 of MOSFETs,
MH2, MH3, MH4, ... MH (N-1), MH
Operate each of up to N. Source b + is MOSFET
s M1 to MN and MH1 to MHN are activated.
The corresponding inverter, of which IN1 is shown, sends a negative input pulse to the MHs of the MOSFETs.
While driving from 1 to MHN, a positive input pulse is driven from M1 to MN of MOSFETs to provide complementary synchronization. The reverse is also true. Thus, the activated and controlled MOSFETs M1 to MN actuate an addressing pulse to the row electrodes RE1 to REN while the row electrode is separated from the inductor L. The low frequency address input source LF1 operates, for example, in the range of 5 KHz to 40 KHZ. MH1 of MOSFETs
To MHN conduct, they connect the row electrodes RE1 to REN and their capacitance C row to the inductor L. The latter forms a natural resonant circuit with the total capacitance C TB of the driver DC1. The resonant circuit has a resonant frequency.
【0009】[0009]
【数1】 L値は選択値であり、共振周波数fhiは0.5MHzか
ら3MHzの範囲であるが、望ましくは0.75MHz
から1.25MHzの範囲であり、最も望ましいのは約
1MHzである。これらの周波数は、数回毎に、ディス
プレイDI1のブロックBL1からBL4における液晶
素材のクロスオーバー周波数fc よりもかなり大きくな
る。液晶分子はfc 以下で駆動されると、駆動フィール
ドに対し平行に整列する傾向があり、fc 以上で駆動さ
れると、駆動フィールドに対し垂直に整列する傾向があ
る。それゆえ、高周波fhiにおける電流は選択されてい
ないピクセル上の浮遊電圧の作用に逆らう。ここに提示
した周波数域は一例であり、他の範囲でも可能である。[Equation 1] The L value is a selected value, and the resonance frequency f hi is in the range of 0.5 MHz to 3 MHz, preferably 0.75 MHz.
To 1.25 MHz, with about 1 MHz being most preferred. These frequencies are, every few times, considerably higher than the crossover frequency f c of the liquid crystal material in the blocks BL1 to BL4 of the display DI1. Liquid crystal molecules tend to align parallel to the drive field when driven below f c , and tend to align perpendicular to the drive field when driven above f c . Therefore, the current at high frequency f hi opposes the effect of stray voltage on unselected pixels. The frequency range presented here is an example, and other ranges are possible.
【0010】キャパシタンスCTBと誘電子Lから成る共
振回路に対してパルスを作動させると周波数fhiでリン
ギングを開始し、その周波数で振動を維持する。これ
は、ラインLH1とLH2と、ロウ電極RE1からRE
Nにおいて高周波電流となる。周波数fhiでリンギング
を維持する高周波ソースHF1は、MOSFETsのM
F1からMF4から成るパルザPS1を動作させる。こ
のパルザPS1はパルスを作動させリンギングを開始
し、共振回路のリンギングを維持する。特に、パルスソ
ースHF1は、MOSFETsのMF2とMF3がオフ
の間、周波数fhiの1/2サイクルのピークか又はその
周辺で、短時間MOSFETsのMF1とMF4を同時
に作動させる。かつ、MOSFETsのMF1とMF4
がオフの間、もう一方の1/2サイクルのピークか又は
その周辺で、短時間MOSFETsのMF3とMF2を
同時に作動させる。When a pulse is applied to the resonant circuit composed of the capacitance C TB and the inductor L, ringing starts at the frequency f hi and the oscillation is maintained at that frequency. This includes lines LH1 and LH2 and row electrodes RE1 to RE.
At N, it becomes a high frequency current. The high frequency source HF1 that maintains ringing at the frequency f hi is M of MOSFETs.
The pulsar PS1 composed of F1 to MF4 is operated. The pulsar PS1 activates a pulse to start ringing and maintain ringing of the resonance circuit. In particular, the pulse source HF1 activates the MOSFETs MF1 and MF4 simultaneously for a short time at or near the peak of the 1/2 cycle of the frequency f hi while the MOSFETs MF2 and MF3 are off. And MF1 and MF4 of MOSFETs
While is off, the MOSFETs MF3 and MF2 are simultaneously activated at or near the peak of the other half cycle for a short time.
【0011】システム始動時、誘電子Lとセルキャパシ
タンスから成る共振回路は周波数fhiでリンギングを開
始する。この時、高周波ソースHF1はラインLH1と
LH2を横切っている振動共振回路からの帰還信号を受
け取り、MOSFETsのMF1からMF4が作動すべ
き瞬間と停止すべき瞬間を決定する。このフィードバッ
クプロセスは自動周波数制御のフォームであり、その動
作を補助する。なぜならば、キャパシタンスCTBは、3
0%ほども、気温によってはもっと低いレベルまで、オ
ン、オフされるそのピクセルの数で変化するからであ
る。これによって、fhi値は変化する。共振周波数の1
/2サイクルのピーク又はその周辺で、共振周波数fhi
と同期状態でパルスを発生させることにより、パルスジ
ェネレータはその周波数か、又はパルス反復率を変化さ
せ、瞬時に変化する周波数fhiに従う。この方法におけ
るパルス共振周波数の維持は、ロウ電極RE1からRE
Nに対する高周波信号を作動するため低エネルギシステ
ムをもたらす。それは最大限のエネルギ保存とエネルギ
帰還をもたらす。個々のピクセルはほんのわずかしかキ
ャパシタンスを変化させないことから、この周波数制御
は特に大画面で有利となる。At system startup, the resonant circuit consisting of the inductor L and the cell capacitance starts ringing at the frequency f hi . At this time, the high frequency source HF1 receives the feedback signal from the oscillating resonant circuit traversing the lines LH1 and LH2 and determines when and when the MOSFETs MF1 to MF4 should be activated and deactivated. This feedback process is a form of automatic frequency control and assists its operation. Because the capacitance C TB is 3
This is because the number of pixels turned on and off changes to as much as 0%, depending on the temperature, to a lower level. As a result, the f hi value changes. Resonance frequency 1
Resonance frequency f hi at or around the / 2 cycle peak
By generating a pulse in synchronism with the pulse generator, the pulse generator changes its frequency or the pulse repetition rate and follows the instantaneously changing frequency f hi . In this method, the pulse resonance frequency is maintained by the row electrodes RE1 to RE.
Activating a high frequency signal for N results in a low energy system. It provides maximum energy conservation and energy return. This frequency control is particularly advantageous for large screens, since individual pixels change the capacitance very little.
【0012】MOSFETsのMH1、MH2、MH
3、MH4・・・MH(N−1)、MHNは、各ロウ電
極RE1、RE2、RE3、RE4・・・RE(N−
1)、RENにおいて低周波アドレッシングパルスのな
い間に、ラインLH1とLH2において高周波信号をこ
れらの電極に作用させる。これら相補動作の長所によ
り、MOSFETsのM1からMNはMOSFETsの
MF1からMF4と共に動作し、高周波信号かアドレッ
シングパルスのどちらかをロウ電極RE1からRENに
スイッチさせる。MOSFETsのMH1からMHNま
での接続は、逆位相において高周波信号を受取る交互ロ
ウ、RE1からRENのペアのようなものである。この
ような逆フェージングは放射を減少させる。BL1から
BL4の各ブロックにM(M=N/2)のペアがある。
数値例を出すと、M=60である。MH1, MH2, MH of MOSFETs
3, MH4 ... MH (N-1), MHN are the row electrodes RE1, RE2, RE3, RE4 ... RE (N-
1), applying high frequency signals to these electrodes in lines LH1 and LH2 while there are no low frequency addressing pulses at REN. Due to the advantages of these complementary operations, the MOSFETs M1 to MN operate together with the MOSFETs MF1 to MF4 to switch either the high frequency signal or the addressing pulse from the row electrodes RE1 to REN. The connection of MOSFETs from MH1 to MHN is like a pair of alternating rows, RE1 to REN, which receive high frequency signals in antiphase. Such reverse fading reduces radiation. There are M (M = N / 2) pairs in each block from BL1 to BL4.
To give a numerical example, M = 60.
【0013】各列の電極RE1からRENは、カラム電
極CE1からCEJでキャパシタンスCrow を形成す
る。ブロックBL1において逆位相で高周波信号を受取
っている交互ロウ、RE1からRENのMペアどうしは
互いに接続される。ロウのこれらのペアにおけるキャパ
シタンスは、周波数fc よりも高い周波数fhiで、ライ
ンLH1とLH2の間で誘電子Lと共振する。誘電子L
はブロックBL1の内部電極キャパシタンスからのエネ
ルギを受動的に保存し、そのエネルギを高周波でキャパ
シタンスに送り返す。ロウ電極とカラム電極によって形
成されたキャパシタンスのエネルギは、消散されず誘電
子Lに交換されることから、ドライバDR1とゆえに駆
動回路DCは優れた効率の良さを見せる。The electrodes RE1 to REN of each column form a capacitance C row with the column electrodes CE1 to CEJ. The M pairs of alternating rows, RE1 to REN, which receive high frequency signals in antiphase in block BL1, are connected to each other. The capacitance in these pairs of rows resonates with the inductor L between lines LH1 and LH2 at a frequency f hi higher than the frequency f c . Dielectric L
Passively stores energy from the internal electrode capacitance of block BL1 and sends it back to the capacitance at high frequencies. Since the energy of the capacitance formed by the row electrode and the column electrode is not dissipated and is exchanged with the inductor L, the driver DR1 and hence the drive circuit DC show excellent efficiency.
【0014】図3はカラム電極CE1からCEJを駆動
するカラムドライバDC1の詳細図である。ここでデー
タはインバータIC1からICJを通過してMOSFE
TsのMA1からMAJを作動し、かつ、直接MOSF
ETsのMB1からMBJを作動する。一般的には、カ
ラムのあるピクセル上の特定のMOSFETs、MA1
からMAJが透明か光沢色に作られている時である。本
発明の実施例においては、2種以上の電圧レベルで印加
され、いくつかの輝度レベルを作り出している。FIG. 3 is a detailed view of the column driver DC1 for driving the column electrodes CE1 to CEJ. Here, the data passes from the inverter IC1 through the ICJ to the MOSFE.
Activates MA1 to MAJ of Ts and directly MOSF
Activate MB1 to MBJ of ETs. In general, certain MOSFETs, MA1 on a pixel in a column
It is when the MAJ is made transparent or glossy. In the preferred embodiment of the present invention, two or more voltage levels are applied to create several brightness levels.
【0015】駆動回路DCにおけるドライバDR1とD
C1の動作例を図4において示している。後の方は、図
1から図3におけるディスプレイDI1のブロックBL
1部分と、異なる時間においてそこで印加されたサンプ
ル電圧を示している。ここに示したディスプレイのブロ
ック部分では、ロウRE1からRE3と、カラムCE1
からCE3を対象にしているので、ピクセルP11から
P33に影響が現れる。陰を入れた部分が活性されたピ
クセルを表している。ここで示した例は、隣り合う3ロ
ウと3カラムであればいづれも対象となり得る。ここ
で、データパルスはカラムCE1からCE3を駆動す
る。アドレッシングパルスは、アドレッシングパルス間
で発生するラインLH1とLH2の高周波信号と共に、
ロウ電極RE1、RE2、RE3に生ずる。内部電極キ
ャパシタンスに印加された(さもなければ内部電極キャ
パシタンスは消失する)高周波エネルギを誘電子Lが保
っている間、高周波信号は、ピクセル間のクロストーク
をかなり打ち消す。Drivers DR1 and D in the drive circuit DC
An example of the operation of C1 is shown in FIG. The latter one is the block BL of the display DI1 in FIGS. 1 to 3.
One part and the sample voltage applied there at different times are shown. In the block portion of the display shown here, rows RE1 to RE3 and column CE1
To CE3 are targeted, pixels P11 to P33 are affected. The shaded areas represent activated pixels. The example shown here can be applied to any of three adjacent rows and three columns. Here, the data pulse drives columns CE1 to CE3. The addressing pulse, together with the high frequency signals on the lines LH1 and LH2 generated between the addressing pulses,
It occurs on the row electrodes RE1, RE2, RE3. While the inductor L retains the high frequency energy applied to the inner electrode capacitance (otherwise the inner electrode capacitance disappears), the high frequency signal significantly cancels out the crosstalk between pixels.
【0016】図2から図4において、ロウはパッシブア
ドレッシング構成に相似であり、同じ時間で一つが選択
されている。同様に、カラムラインは適切なロウに対応
したイメージデータで駆動される。高周波ドライブは、
データの各ビットが電極間で結晶を整列させようとする
のを防ぐと共に、部分的に各ピクセルを活性させる。作
動していないロウの高周波ドライブは、選択されていな
いピクセルの平均整列強度をかなり微小値まで減じる。
かつ、誘電子Lは高周波電圧の変換によるエネルギ消失
を防ぐ。In FIGS. 2-4, the rows are similar to the passive addressing configuration, one selected at the same time. Similarly, column lines are driven with image data corresponding to the appropriate row. High frequency drive
It prevents each bit of data from trying to align the crystals between the electrodes and partially activates each pixel. The high frequency drive of the inactive row reduces the average alignment strength of the unselected pixels to a very small value.
In addition, the inductor L prevents energy loss due to conversion of high frequency voltage.
【0017】本発明の他の実施例においては、パルスを
提供して選択されたロウとカラムの交点でピクセルを動
作させるが、一方で一定の高周波バックグラウンドは、
選択されていないピクセルへの浮遊電圧の影響を減じ
る。誘電子Lは再びエネルギ消費を減じ、他の全ての例
と同様、バッテリ操作を高める。In another embodiment of the invention, pulses are provided to operate the pixels at selected row and column intersections, while a constant high frequency background
Reduces the effect of stray voltage on unselected pixels. The inductor L again reduces energy consumption and, like all other examples, enhances battery operation.
【0018】図5はパルザPS1のパルスソースを形成
する高周波ソースHF1の詳細図である。その動作を図
6において示している。誘電子Lによって形成された共
振器のリンギングとセルのキャパシタンスが所定値以下
に下がった時、ソースHF1はこれを探知し、リンギン
グ電圧の次のピーク時に共振回路をパルスにする。この
ようにして、ソースHF1の周波数は、誘電子Lとセル
の瞬間キャパシタンスから成る共振回路におけるリンギ
ングの固有振動数に従う。FIG. 5 is a detailed view of the high frequency source HF1 forming the pulse source of the pulsar PS1. The operation is shown in FIG. When the ringing of the resonator formed by the inductor L and the capacitance of the cell drop below a certain value, the source HF1 detects this and pulses the resonant circuit at the next peak of the ringing voltage. In this way, the frequency of the source HF1 follows the natural frequency of ringing in the resonant circuit consisting of the inductor L and the instantaneous capacitance of the cell.
【0019】図5において、減算回路SC1はラインL
H1とLH2に現れる対抗電圧を受取る。なぜならば、
ラインLH1とラインLH2の電圧は互いに対抗し合っ
ているので、それらを減算することが、結果としてそれ
ぞれを加算することになるからである。減算回路の出力
を図6において示している。ピークを見つけるため、微
分器DF1は回路SC1の出力時、電圧を微分する。こ
れゆえ、回路SC1の出力サイクル各々のピーク時、微
分器DF1の出力時の電圧は、図6に示すようにゼロを
通過する。比較回路CP1は、微分器DF1の微分出力
と0を比較する。それは、微分電圧がポジティブである
時、180度に対してロジックハイか1を導き、微分電
圧がネガティブである時、180度に対してロジックロ
ウか0を導く。図6で比較回路CP1の出力を示してい
る。In FIG. 5, the subtraction circuit SC1 has a line L
It receives the counter voltage appearing on H1 and LH2. because,
This is because the voltages of the line LH1 and the line LH2 oppose each other, and subtracting them results in addition of each. The output of the subtraction circuit is shown in FIG. To find the peak, the differentiator DF1 differentiates the voltage at the output of the circuit SC1. Therefore, at the peak of each output cycle of the circuit SC1, the voltage at the output of the differentiator DF1 passes through zero as shown in FIG. The comparison circuit CP1 compares 0 with the differential output of the differentiator DF1. It directs a logic high or one for 180 degrees when the derivative voltage is positive and a logic low or zero for 180 degrees when the derivative voltage is negative. The output of the comparison circuit CP1 is shown in FIG.
【0020】リバーシング入力を伴ったエッジトリガパ
ルスジェネレータは、1から0へ推移する間のみ、1の
パルスの列を作り出す。これは、ポジティブピーク時の
みである。(図6参照。)これらのパルスはANDゲー
トであるAN1の入力時に現れる。可能なとき、AND
ゲートAN1はトリガをMOSFETsのMF1とMF
4に作用させる。可能なとき、これは、ポジティブピー
ク時、共振回路をパルスにする。別のエッジトリガパル
スジェネレータPG2は、0から1へ推移する間のみ、
1のパルスの列を作り出す。これは、ネガティブピーク
時のみである。これらのパルスはANDゲートAN2の
入力時に現れる。(図6参照。)可能な時、ANDゲー
トAN2は、トリガをMOSFETsのMF1とMF4
に作用させる。可能なとき、これはネガティブピーク時
に、共振回路をパルスにする。An edge triggered pulse generator with a reversing input produces a train of 1 pulses only during the transition from 1 to 0. This is only at the positive peak. (See FIG. 6.) These pulses appear at the input of the AND gate AN1. AND when possible
The gate AN1 triggers MF1 and MF of MOSFETs.
Act on 4. When possible, this causes the resonant circuit to pulse during positive peaks. Another edge trigger pulse generator PG2 is only during the transition from 0 to 1,
Create a train of one pulse. This is only during the negative peak. These pulses appear at the input of AND gate AN2. (See FIG. 6.) When possible, AND gate AN2 triggers MF1 and MF4 of MOSFETs.
To act on. When possible, this causes the resonant circuit to pulse during negative peaks.
【0021】ソースHF1は、ポジティブピークが所望
したポジティブ値以下に下がった時と、ネガティブピー
クが所望したネガティブ値よりもポジティブである時の
み、ゲートAN1とAN2を可能にする。この目的か
ら、比較回路CP2は回路SC1からの差分電圧と所望
のポジティブ電圧Vd を比較する。図6のアウトCP2
が示すように、入力電圧が所望のポジティブ電圧を超過
する時、ロジック1となる。これは、差分電圧LH1ー
LH2が高すぎてこれ以上の増強を要求できないことを
示している。このように、ポジティブでありすぎるイン
ジケータがANDゲートAN1の転回入力時に現れ、増
強を出来なくする。所望した電圧以下の電圧はロジック
0となり、ANDゲートAN1を可能にする。ジェネレ
ータPG1からの次のトリガパルスにおいてANDゲー
トAN1はMOSFETsのMF1とMF4をパルスに
し、共振回路をトリガする。The source HF1 enables the gates AN1 and AN2 only when the positive peak falls below the desired positive value and when the negative peak is more positive than the desired negative value. For this purpose, the comparison circuit CP2 compares the differential voltage from the circuit SC1 with the desired positive voltage V d . Out CP2 in Figure 6
, A logic 1 when the input voltage exceeds the desired positive voltage. This indicates that the differential voltage LH1-LH2 is too high to request further enhancement. In this way, an indicator that is too positive appears at the turning input of the AND gate AN1 and disables the enhancement. Voltages below the desired voltage will be logic 0, enabling AND gate AN1. On the next trigger pulse from generator PG1, AND gate AN1 pulses MOSFETs MF1 and MF4 to trigger the resonant circuit.
【0022】比較回路CP3は、回路SC1からの差分
電圧と所望のポジティブ電圧Vd を比較する。図6のア
ウトCP3のラインが示すように、入力電圧が所望のネ
ガティブ電圧よりもネガティブである時、ロジック0と
なる。これは、差分電圧LH1ーLH2がネガティブで
ありすぎるためパルスを要求できないことを示してい
る。このように、ネガティブでありすぎる0がANDゲ
ートAN2の入力時に現れ、パルスに出来なくする。所
望のネガティブ電圧以上の電圧はロジック1となり、A
NDゲートAN1を可能にする。次のネガティブピーク
時のジェネレータPG2からの次のトリガパルス時、A
NDゲートAN2はMOSFETsのMF2とMF3を
パルスにし、共振回路をトリガする。The comparison circuit CP3 compares the differential voltage from the circuit SC1 with the desired positive voltage V d . A logic 0 is provided when the input voltage is more negative than the desired negative voltage, as shown by the out CP3 line in FIG. This indicates that the differential voltage LH1-LH2 is too negative to request a pulse. Thus, a too negative 0 appears at the input of the AND gate AN2, making it impossible to pulse. A voltage above the desired negative voltage becomes logic 1 and A
Enables ND gate AN1. At the time of the next trigger pulse from the generator PG2 at the time of the next negative peak, A
The ND gate AN2 pulses the MOSFETs MF2 and MF3 to trigger the resonant circuit.
【0023】MOSFETsのMF1とMF4における
パルスは、ポジティブピークが所望のポジティブ値に達
しない時、ラインLH1とLH2を横切って現れる。M
OSFETsのMF2とMF3におけるパルスは、ネガ
ティブピークの間、逆の方向に、ラインLH1とLH2
を横切って現れる。各々のトリガはリンギングを作り出
し、このリンギングの固有振動数は、ドライバDR1に
よって駆動されているロウにて現されるキャパシタンス
の瞬間値と共に変化する。固有振動数が変化する時、ピ
ークのタイミングも変化する。これは、パルスのタイミ
ングを変化させて、変化する固有振動数に一致させる自
動周波数制御となる。The pulses at MF1 and MF4 of MOSFETs appear across lines LH1 and LH2 when the positive peak does not reach the desired positive value. M
The pulses at MF2 and MF3 of the OSFETs are in the opposite direction during the negative peak, in lines LH1 and LH2.
Appear across. Each trigger produces ringing, the natural frequency of which changes with the instantaneous value of the capacitance presented in the row being driven by the driver DR1. When the natural frequency changes, the peak timing also changes. This is an automatic frequency control that changes the pulse timing to match the changing natural frequency.
【0024】本発明は、かなり多くのロウを有したディ
スプレイを、許容し得るパワー消費にて駆動する2周波
数の動作も考慮している。本発明の具体化においては、
480ロウの電極RE1からRENは、図2、図3で示
しているエネルギセービング回路で、両端で駆動され
る。加えて、パワーの消散は、高周波ドライブに2つ以
上の値をとらせることで低下させることが出来る。図7
は4レベルドライブを作り出す回路を示している。ここ
で、電圧V1からV4 は4つのレベルを作り出す。MO
SFETにおける高周波制御電圧、MF11からMF1
8はたいていの場合、図8に示す波形を作る。The present invention also contemplates dual frequency operation which drives a display having a significant number of rows with acceptable power consumption. In the embodiment of the present invention,
Electrodes RE1 to REN of 480 rows are driven at both ends by the energy saving circuit shown in FIGS. In addition, power dissipation can be reduced by having the high frequency drive take more than one value. Figure 7
Shows a circuit that creates a 4-level drive. Here, the voltages V 1 to V 4 produce four levels. MO
High frequency control voltage in SFET, MF11 to MF1
8 most often produces the waveform shown in FIG.
【0025】たいていの場合、キャパシタンスはディス
プレイDI1それ自体の各ブロックにおけるLCDに支
配されている。一例として、ロウは360pfのキャパ
シタンスを有している。誘電子Lは、効果的にエネルギ
保存を行うので、同じ電流が、ディスプレイDI1の各
ブロックにおけるLCDのキャパシタンスから、誘電子
を通って、腹のどこにでも流れる。そして、ディスプレ
イDI1のブロックに返る。パルザPS1に直列の、M
H1からMHNの各MOSFETの内部抵抗RSW、ディ
スプレイDI1のブロックの内部抵抗Rr 、および誘電
子Lの内部抵抗RL 、それぞれ箇所で消費されることに
よって損失が生じる。ロウに+b電圧が印加される時、
図2のMOSFETSのM1からMNにおける損失は、
これらが各フレームにつき一回しか動作しないとして、
無視出来る程低い。MOSFETSのM11からM14は、
fhiのサイクル毎に動作する。しかし、これらは、他の
構成要素において消失される少量のパワーを供給するた
めだけに使用されるにすぎない。これらの装置における
損失は全体の消失に比較して小さい。このような4つの
抵抗だけが何百ものラインを駆動するチップとして働
く。このように、多くの電気回路を出来る限り効果的な
方法で、これらの抵抗を動作させることに利用すること
が出来る。In most cases the capacitance is dominated by the LCD in each block of the display DI1 itself. As an example, the row has a capacitance of 360 pf. The inductor L effectively saves energy so that the same current will flow from the capacitance of the LCD in each block of the display DI1 through the inductor and anywhere in the belly. Then, it returns to the block of the display DI1. M in series with pulsar PS1
The internal resistance R SW of each MOSFET from H1 to MHN, the internal resistance R r of the block of the display DI1, and the internal resistance R L of the inductor L are consumed at the respective points to cause losses. When + b voltage is applied to the row,
The loss from M1 to MN of MOSFETS of FIG.
Assuming these only work once per frame,
It is so low that it can be ignored. MOSFETS M 11 to M 14 are
It operates every cycle of f hi . However, they are only used to supply the small amount of power that is dissipated in the other components. The losses in these devices are small compared to the total disappearance. Only four such resistors act as a chip driving hundreds of lines. Thus, many electrical circuits can be used to operate these resistors in the most effective way possible.
【0026】よって、本発明は、LC発振器を通って電
極を駆動するエネルギ帰還電気回路を提供している。か
なりの量のエネルギ節約はこのようにして実現される。
抵抗Rswと、LCDロウの抵抗(Rrow =рITO □1r
N/LC )で、スクエア当たりのITO抵抗рITO □
=2Ω/□(約厚さ0.5μm)となり、Rro w =13
00Ωとなる。誘電子は抵抗RL を有しており、そのイ
ンダクタンスと値により誘導する。360pfのサンプ
ルキャパシタンスCrow にて、LCDディスプレイDI
1のブロックBL1のキャパシタンスと共振するよう要
求されるインダクタンスは、以下である。The present invention thus provides an energy feedback electrical circuit that drives the electrodes through an LC oscillator. A considerable amount of energy savings is achieved in this way.
Resistance R sw and LCD row resistance (R row = р ITO □ 1 r
N / L C ), ITO resistance per square р ITO □
= 2Ω / □ (about 0.5 μm in thickness), and R ro w = 13
It becomes 00Ω. The inductor has a resistance R L and is induced by its inductance and value. LCD display DI with a sample capacitance C row of 360 pf
The inductance required to resonate with the capacitance of block BL1 of 1 is:
【0027】[0027]
【数2】 そこで、2つのLCDロウは共振回路に電気的に連な
る。M=60で、すなわち、ブロックにおける電極のペ
アの数にてインダクタンスは、4.7x10ー6Hであ
り、ドライブを行うもっともな小さな値である。[Equation 2] Therefore, the two LCD rows are electrically connected to the resonance circuit. In M = 60, i.e., the inductance in the number of electrode pairs in the block, a 4.7x10 over 6 H, is the most small value to perform the drive.
【0028】本発明の実施例において、誘電子L1はト
ロイド誘電子である。本発明の実施において、ドライバ
パワーをワット以下に持っていく2周波アドレッシング
の前述の実行で5とちょうど10のファクタによって、
ドライブパワーをかなり減少出来ることが計算された。
本発明は、液晶の周波数反応を利用することでその成果
をあげている。液晶はディスプレイにとって有益なもの
である。なぜならば、その構造は限られた電場からの作
用を受けることが出来るからである。場に分子を循環さ
せる「操作」は、分子の異方性誘電率である。異方性
は、分子の幾何学とそれらの固有双極子モーメントに起
因する。In the preferred embodiment of the present invention, the inductor L1 is a toroid inductor. In the practice of the present invention, the factor of 5 and just 10 in the above implementation of dual frequency addressing to bring the driver power below watts,
It was calculated that the drive power could be reduced considerably.
The present invention achieves its results by utilizing the frequency response of liquid crystals. Liquid crystals are useful for displays. Because its structure can be affected by the limited electric field. The "manipulation" of circulating a molecule in a field is the anisotropic dielectric constant of the molecule. Anisotropy is due to the geometry of the molecules and their intrinsic dipole moments.
【0029】分子の端から端への反転は、分子振動のピ
コ秒タイムスケールの率であるにもかかわらず、一般的
にナノ秒からマイクロ秒タイムスケールで頻繁に起こ
る。低周波数で印加された電場は、印加された場に対し
平行、および逆平行位置を示す分子の相対母集団を変化
させる。分子は、印加された場をキャンセルするように
配向し、大きな誘電率をもたらす傾向がある。一般的な
反転率と比較して周波数が高いと、分子は電場の一周期
で再配向することが出来ず、かつ、誘電率は通常低くな
る。またその他にも、分子のサブユニットの再配向の結
果生じた多くの液晶において微弱な誘電緩和がみられ
る。液晶分子の長軸に対し、平行と、垂直の方向に沿っ
た誘電率の差違として定義される誘電異方性(δε)
は、一般的に分子反転率に近いクロスオーバ周波数fc
をドライブ周波数が上まわる時、サインを変える。微粒
子はfc 以下に駆動されると、駆動フィールドに対して
平行に整列する傾向があり、fc 以上に駆動されると、
駆動フィールド対しに垂直に整列する傾向がある。ゆえ
に、高周波駆動電圧の印加により、選択されていないピ
クセルに対する浮遊電圧の影響に逆らうことが出来る。End-to-end reversal of molecules generally occurs frequently on the nanosecond to microsecond time scale, albeit at a picosecond timescale rate of molecular vibration. An electric field applied at low frequencies changes the relative population of molecules that exhibit parallel and antiparallel positions to the applied field. Molecules tend to orient to cancel the applied field, resulting in a large dielectric constant. At higher frequencies compared to typical inversion rates, the molecules cannot reorient in one period of the electric field, and the dielectric constant is usually low. In addition, weak dielectric relaxation is observed in many liquid crystals resulting from reorientation of molecular subunits. Dielectric anisotropy (δε), defined as the difference in permittivity along the direction parallel and perpendicular to the long axis of liquid crystal molecules
Is a crossover frequency f c that is generally close to the molecular inversion rate.
When the drive frequency goes up, change the sign. When microparticles are driven below f c, tend to align parallel to the drive field, when driven above f c,
It tends to align vertically to the drive field. Therefore, the application of the high frequency drive voltage can counter the effect of the stray voltage on the unselected pixels.
【0030】本発明においては、fc が液晶混合デザイ
ンによって変化する間、高周波駆動構成要素は数回でf
c となる。クロスオーバー周波数fc は非常に強い気温
依存性を有しており、fc 値は、気温が0°Cから40
°Cに変化するにつれて、数キロヘルツから百キロヘル
ツまで変化する。一般的に、50KHzから100KH
z周辺のドライブ周波数が過去に使用されていたが、こ
れは問題となった。なぜならば、液晶を横切るキャパシ
タンスの充電や、放電を行う過程でエネルギが消散し、
このパワーが駆動周波数に比例するからである。このよ
うに、過去における2周波駆動構成の実行には、常に動
作可能な気温範囲とパワー消散との交換条件がつきまと
っていた。10Vp−pで1MHzで駆動される300
pf/ロウの典型的なキャパシタンスを有した1000
cm2 のパネルについて、キャパシタンスを充電する時
のエネルギ損失は、3.3Wまで達し、バッテリパワー
アプリケーションには適さない伝統的な2周波駆動構造
を断念させる。本発明は、内部電極キャパシタンスから
のエネルギを誘電子に保存することにより、エネルギ損
失を減少させる。In the present invention, the high frequency drive components can be fed several times while f c varies with the liquid crystal mix design.
c . The crossover frequency f c has a very strong temperature dependency, and the f c value varies from 0 ° C. to 40 ° C.
As the temperature changes to ° C, it changes from several kilohertz to 100 kilohertz. Generally, 50KHz to 100KH
Drive frequencies around z have been used in the past, but this became a problem. Because energy is dissipated in the process of charging and discharging capacitance across the liquid crystal,
This is because this power is proportional to the drive frequency. As described above, in the past, the execution of the dual-frequency drive configuration has always been accompanied by the trade-off condition between the operable temperature range and the power dissipation. 300 driven at 1MHz at 10Vp-p
1000 with typical capacitance of pf / row
For a cm 2 panel, the energy loss when charging the capacitance can reach up to 3.3 W, abandoning traditional dual frequency drive structures that are not suitable for battery power applications. The present invention reduces energy loss by storing energy from the internal electrode capacitance in the inductor.
【0031】本発明は、高周波駆動を動作していないロ
ウに加えることにより、選択されていないピクセルの平
均整列強度を望ましいレベルの微少値まで減じ、誘電子
を伴った高周波動作より生じる損失を回避する。ここに
示した実施例において、駆動回路が作り出す異なる電圧
レベルのその数は、最小に押さえられる。これは最も単
純な回路による「畜力」アプローチである。しかし、高
いパワー消費を伴う。The present invention reduces the average alignment strength of unselected pixels to a desired level of fineness by applying a high frequency drive to the inactive row, avoiding the losses caused by high frequency operation with an inductor. To do. In the illustrated embodiment, the number of different voltage levels produced by the drive circuit is minimized. This is the simplest, “live” approach. However, with high power consumption.
【0032】本発明の他の実施例においては、典型的
な、最適振幅シングル周波パッシブLCD駆動に類似し
た、より複雑な駆動構成を利用している。ここに示した
具体例においては、動作していないロウは高周波で±a
間で駆動され、動作しているロウは、bにセットされ
る。カラムは(選択されていない)cにセットされる
か、又は、(選択された)−cにセットされる。配列さ
れた2周波駆動は、増大するパワー消費を犠牲にコント
ラストを増しているが、これは、STN液晶ディスプレ
イにとっては潜在的に非常に重要である。この構成にお
ける最良のSTNは通常のディスプレイにおけるほど双
安定に近づいてはいない。よってこのディスプレイは、
通常のSTNディスプレイよりもセルギャップの変化に
影響されにくく、且つ、よいグレースケールを十分に可
能にする。In another embodiment of the invention, a more complex drive arrangement, similar to the typical optimum amplitude single frequency passive LCD drive, is utilized. In the example shown here, the inactive row is ± a at high frequencies.
Rows driven and operating in between are set to b. The column is set to c (not selected) or -c (selected). The arrayed dual frequency drive increases contrast at the expense of increased power consumption, which is potentially very important for STN liquid crystal displays. The best STN in this configuration is not as close to bistable as in a regular display. So this display is
It is less sensitive to changes in cell gap than a normal STN display and allows good gray scale.
【0033】本具体例において、高周波駆動によって使
用された回復トルクは、従来のSTNディスプレイの低
スピード問題をも解決する。又、本発明のエネルギ節約
により、高周波駆動電圧がメガヘルツ域において動作す
る事が可能となる。ほとんどの通常のSTNにとって、
これは十分に高い帯域といえる。図5に示したタイプ以
外のソースも、共振回路の固有振動数におけるリンギン
グのトリガと保持に使用することが出来る。ここに示し
たソースとその動作は、その一例である。以上、本発明
の実施例を詳細に説明したが、本発明の範囲を逸脱する
ことなく他の方法でも具体化出来ることは当業者にとっ
て明らかである。In this embodiment, the recovery torque used by the high frequency drive also solves the low speed problem of conventional STN displays. The energy savings of the present invention also allow the high frequency drive voltage to operate in the megahertz range. For most normal STNs,
This is a sufficiently high band. Sources other than the type shown in FIG. 5 can also be used to trigger and maintain ringing at the natural frequency of the resonant circuit. The source and its operation shown here are examples. Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, it will be apparent to those skilled in the art that the present invention can be embodied by other methods without departing from the scope of the present invention.
【図1】本発明の特徴を具体化した、ディスプレイを有
したコンピュータの概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a computer with a display embodying features of the present invention.
【図2】図1の装置の部分ブロック図と部分詳細図であ
る。2 is a partial block diagram and partial detailed view of the apparatus of FIG. 1. FIG.
【図3】図1の装置の部分ブロック図と部分詳細図であ
る。3 is a partial block diagram and a partial detailed view of the apparatus of FIG.
【図4】図2、図3の回路における電圧の具体化と、図
1の装置の動作効果を表した図表である。FIG. 4 is a table showing a concrete operation of a voltage in the circuits of FIGS. 2 and 3 and an operation effect of the device of FIG.
【図5】図2、図3におけるパルスジェネレータの詳細
図表である。5 is a detailed chart of the pulse generator in FIGS. 2 and 3. FIG.
【図6】図2、図3におけるパルスジェネレータの動作
を示したフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing an operation of the pulse generator in FIGS. 2 and 3.
【図7】図2の回路の高周波ジェネレータを示した概略
図である。FIG. 7 is a schematic diagram showing a high frequency generator of the circuit of FIG.
【図8】図2の回路において図7のジェネレータを使用
することで生じる駆動波形のサンプル図である。FIG. 8 is a sample diagram of drive waveforms generated by using the generator of FIG. 7 in the circuit of FIG.
CO1 コンピュータ KB1 キーボード PR1 プロセッサ DI1 液晶ディスプレイ CO1 computer KB1 keyboard PR1 processor DI1 liquid crystal display
フロントページの続き (72)発明者 グレゴリー ピーター コチャンスキー アメリカ合衆国 08812 ニュージャーシ ィ,ダネレン,サード ストリート 324 (72)発明者 アポロ ウォン アメリカ合衆国 07922 ニュージャーシ ィ,バークレイ ハイツ,ランセロット ドライヴ 40Front Page Continuation (72) Inventor Gregory Peter Kochanski United States 08812 New Jersey, Duneren, Third Street 324 (72) Inventor Apollo Wong United States 07922 New Jersey, Berkeley Heights, Lancelot Drive 40
Claims (32)
を、液晶を挟んだ基質上のロウとカラムに配列した電極
のロウとカラムに選択的に作動させる工程と、 第一周波数よりも高い第二周波数域で、該電極のロウに
補助信号を選択的に作動させる工程と、 第二周波数で該ロウにて現されたキャパシタンスからの
エネルギを保存する工程とを有することを特徴とする液
晶ディスプレイの方法。1. A step of selectively operating each operation signal in a row and a column of electrodes arranged in rows and columns on a substrate sandwiching a liquid crystal in a first frequency range, and higher than a first frequency A liquid crystal comprising: selectively activating an auxiliary signal to the electrode row at a second frequency range; and storing energy from the capacitance represented by the row at the second frequency. Display way.
スと共に共振周波数で動作する誘電子によって実行され
ることを特徴とする請求項1記載の液晶ディスプレイの
方法。2. The method of claim 1, wherein the energy storage step is performed by an inductor that operates at a resonance frequency together with a capacitance.
分のキャパシタンスと共に共振周波数で動作する誘電子
によって実行されることを特徴とする請求項1記載の液
晶ディスプレイの方法。3. The method of a liquid crystal display according to claim 1, wherein the energy storage step is performed by an inductor operating at a resonance frequency together with a capacitance of a majority of the row.
範囲であることを特徴とする請求項1記載の液晶ディス
プレイの方法。4. The method of a liquid crystal display according to claim 1, wherein the first frequency is in the range of 5 KHz to 40 KHz.
範囲であることを特徴とする請求項2記載の液晶ディス
プレイの方法。5. The method according to claim 2, wherein the first frequency is in the range of 5 KHz to 40 KHz.
範囲であることを特徴とする請求項3記載の液晶ディス
プレイの方法。6. The method according to claim 3, wherein the first frequency is in the range of 5 KHz to 40 KHz.
の範囲であることを特徴とする請求項1記載の液晶ディ
スプレイの方法。7. The first frequency is 10 KHz to 20 KHz
The method for a liquid crystal display according to claim 1, wherein:
の範囲であることを特徴とする請求項1記載の液晶ディ
スプレイの方法。8. The second frequency is 0.5 MHz to 3 MHz.
The method for a liquid crystal display according to claim 1, wherein:
の範囲であることを特徴とする請求項3記載の液晶ディ
スプレイの方法。9. The second frequency is 0.5 MHz to 3 MHz.
The method for a liquid crystal display according to claim 3, wherein
zの範囲であることを特徴とする請求項4記載の液晶デ
ィスプレイの方法。10. The second frequency is 0.5 MHz to 3 MH
The method of a liquid crystal display according to claim 4, characterized in that it is in the range of z.
25MHzの範囲であることを特徴とする請求項1記載
の液晶ディスプレイの方法。11. The second frequency ranges from 0.75 MHz to 1.
The method of a liquid crystal display according to claim 1, characterized in that it is in the range of 25 MHz.
徴とする請求項1記載の液晶ディスプレイの方法。12. The method of a liquid crystal display according to claim 1, wherein the second frequency is 1 MHz.
共振周波数に近いリンギング信号によって作り出される
ことを特徴とする請求項2記載の液晶ディスプレイの方
法。13. The method of a liquid crystal display of claim 2, wherein the second frequency is created by a ringing signal near the resonant frequency of the inductor and the row.
共振周波数に近いリンギング信号によって作り出される
ことを特徴とする請求項3記載の液晶ディスプレイの方
法。14. The method of a liquid crystal display according to claim 3, wherein the second frequency is created by a ringing signal close to a resonant frequency of the inductor and the row.
に、第二周波数が変化することを特徴とする請求項13
記載の液晶ディスプレイの方法。15. The second frequency changes as the capacitance of the row changes.
Liquid crystal display method described.
に、第二周波数が変化することを特徴とする請求項14
記載の液晶ディスプレイの方法。16. The second frequency changes when the capacitance of the row changes.
Liquid crystal display method described.
ンドイッチ状の液晶と、キャパシタンスを有する該ロウ
と該ロウとカラムに連結した第一周波数域において、信
号を選択するピクセルの一組のソースと、 該第一周波数域よりも高い周波数域における、該ロウに
連結した補助信号の補助ソースと、 キャパシタンスとエネルギ交換関係にあり、高周波数で
該ロウによって現されるキャパシタンスと連結したエネ
ルギ保存デバイスとを有することを特徴とする液晶ディ
スプレイの方法。17. A sandwich-like liquid crystal having a plurality of rows and columns of electrodes, a row having capacitance, and a set of sources for selecting signals in a first frequency range connected to the rows and columns. And an energy storage device in energy exchange relationship with the auxiliary source of the auxiliary signal coupled to the row in a frequency range higher than the first frequency range and coupled to the capacitance represented by the row at high frequencies. A method for a liquid crystal display, comprising:
していることを特徴とする請求項17記載のデバイスに
おける液晶ディスプレイの方法。18. The method of a liquid crystal display in a device according to claim 17, wherein the energy storage device comprises an inductor.
ウとエネルギ交換関係にある誘電子を有していることを
特徴とする請求項17記載の装置における液晶ディスプ
レイの方法。19. The method of a liquid crystal display in an apparatus of claim 17, wherein the energy storage device has an inductor in energy exchange relationship with the plurality of rows.
5KHzから40KHzの範囲であることを特徴とする
請求項17記載のデバイスにおける液晶ディスプレイの
方法。20. The method of a liquid crystal display in a device according to claim 17, wherein the first frequency band in the set of sources is in the range of 5 KHz to 40 KHz.
5KHzから40KHzの範囲であることを特徴とする
請求項18記載の装置における液晶ディスプレイの方
法。21. The method of a liquid crystal display in a device according to claim 18, wherein the first frequency range in the set of sources is in the range of 5 KHz to 40 KHz.
10KHzから20KHzの範囲を有することを特徴と
する請求項17記載の装置における液晶ディスプレイの
方法。22. The method of a liquid crystal display in a device according to claim 17, wherein the first frequency band in the set of sources has a range of 10 KHz to 20 KHz.
ら3MHzの範囲を有することを特徴とする請求項17
記載のデバイスにおける液晶ディスプレイの方法。23. The frequency of the auxiliary signal has a range of 0.5 MHz to 3 MHz.
Method of liquid crystal display in the described device.
ら3MHzの範囲を有することを特徴とする請求項19
記載のデバイスにおける液晶ディスプレイの方法。24. The frequency of the auxiliary signal has a range of 0.5 MHz to 3 MHz.
Method of liquid crystal display in the described device.
ら3MHzの範囲を有することを特徴とする請求項18
記載のデバイスにおける液晶ディスプレイの方法。25. The frequency of the auxiliary signal has a range of 0.5 MHz to 3 MHz.
Method of liquid crystal display in the described device.
から1.25MHzの範囲を有することを特徴とする請
求項19記載のデバイスにおける液晶ディスプレイの方
法。26. The frequency of the auxiliary signal is 0.75 MHz
20. The method of a liquid crystal display in a device according to claim 19, having a range from 1 to 1.25 MHz.
ことを特徴とする請求項17記載のデバイスにおける液
晶ディスプレイの方法。27. The method of a liquid crystal display in a device according to claim 17, wherein the frequency of the auxiliary signal is 1 MHz.
振周波数に近いリンギングジェネレータであることを特
徴とする請求項17記載のデバイスにおける液晶ディス
プレイの方法。28. The method of a liquid crystal display in a device according to claim 17, wherein the auxiliary source is a ringing generator close to the resonant frequencies of the inductor and the row.
ウの共振周波数に近いリンギングジェネレータであるこ
とを特徴とする請求項20記載のデバイスにおける液晶
ディスプレイの方法。29. The method of a liquid crystal display in a device according to claim 20, wherein the auxiliary source is a ringing generator near the resonant frequencies of the inductor and the plurality of rows.
タンスが変化する時、該保存方法と該キャパシタンスの
共振周波数に対して可変的であり、フィードバック反応
を示すことを特徴とする請求項17記載のデバイスにお
ける液晶ディスプレイの方法。30. The auxiliary source is variable with respect to the storage method and the resonant frequency of the capacitance and exhibits a feedback response when the capacitance of the row changes. Method of liquid crystal display in other devices.
タンスが変化する際、該保存方法と該キャパシタンスの
共振周波数に対して可変的であり、フィードバック反応
を示すことを特徴とする請求項19記載のデバイスにお
ける液晶ディスプレイの方法。31. The auxiliary source is variable with respect to the storage method and the resonant frequency of the capacitance and exhibits a feedback response as the capacitance of the row changes. Method of liquid crystal display in other devices.
であることを特徴とする請求項17記載の装置における
液晶ディスプレイの方法。32. The method of a liquid crystal display in a device according to claim 17, wherein the sandwich liquid crystal is an STN liquid crystal.
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